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Led矩陣顯示器的檢查方法和設(shè)備的制作方法

文檔序號:2637653閱讀:136來源:國知局
專利名稱:Led矩陣顯示器的檢查方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于檢測有源矩陣顯示像素單元中發(fā)光元件的方法。還涉及一種有源矩陣顯示器,該有源矩陣顯示器包括多個像素單元,每個像素單元具有電流驅(qū)動發(fā)光元件,諸如有機(jī)或聚合物發(fā)光二極管,以及可與驅(qū)動元件和發(fā)光元件的電極相連的數(shù)據(jù)線。
背景技術(shù)
諸如來自襯底或由裝置加工產(chǎn)生的粒子以及各層中的針孔和小丘之類的缺陷或結(jié)構(gòu)不均勻性,對于所有OLED顯示器(包括聚合物和小分子、分段、無源矩陣和有源矩陣顯示器)壽命而言,是一個嚴(yán)重問題。
可采用初篩和老化措施減小制造過程中出現(xiàn)的缺陷,但是在顯示器使用期限中還可能激活這些缺陷。
在WO 01/22504中預(yù)先提出了在初篩和操作過程中用于識別矩陣顯示器中任何缺陷像素的一個選擇標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)該技術(shù),通過在OLED上施加反向電壓,并一直檢測所產(chǎn)生的漏電流的變化,可檢查OLED的穩(wěn)定性。在理想裝置中這種漏電流較小,但是如果存在缺陷的話,則漏電流明顯變大。從而,可以識別出缺陷像素。相反,在二極管導(dǎo)通(ON)的正向模式中,流過二極管的電流較大,并且缺陷對電流的任何貢獻(xiàn)都被隱藏起來。圖1中對此進(jìn)行了說明。
在使用像素作為傳感器時可利用相同效應(yīng)。當(dāng)受到諸如光、溫度、顏色、輻射或物理接觸之類的外部影響時,OLED的漏電流將改變??砂凑丈厦嫠龅呐c檢測OLED中的缺陷相同的方式檢測這種改變。
還提出了對無源和有源矩陣顯示器校正像素缺陷的技術(shù)。按照反向模式向OLED施加強(qiáng)電壓脈沖。這種高電場能誘發(fā)高電流,可以既修復(fù)又隔離像素中的缺陷。
在有源矩陣的情形中,考慮具有兩個晶體管(尋址和驅(qū)動晶體管)的簡單電路。由列驅(qū)動器通過數(shù)據(jù)線對該像素電路進(jìn)行電壓控制。在正常尋址時,在選擇像素之后,將電壓寫入存儲點,并控制從電源線通過驅(qū)動晶體管流到OLED的電流。從而,OLED根據(jù)輸送給存儲點的電壓發(fā)光。
這種用于校正缺陷的已知技術(shù)包括,在電源線上施加相對于OLED陰極為負(fù)的電壓。從而在驅(qū)動晶體管和OLED上提供負(fù)電壓。當(dāng)OLED通過這種方式被反向偏置時,流過驅(qū)動晶體管的電流通常遠(yuǎn)小于OLED正向偏置時的電流,從而驅(qū)動晶體管僅略微打開。為了使OLED上具有最大電壓降,驅(qū)動晶體管應(yīng)當(dāng)按照線性模式操作。由此使源-漏電壓最小。但是,由于并未直接控制OLED陽極的電壓,并且晶體管非常寬(相當(dāng)于即使在低壓下電流也能夠較大),晶體管非常難以實現(xiàn)按照線性模式操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服該問題,并且向有源矩陣顯示器中發(fā)光元件提供改進(jìn)的反向偏置。
根據(jù)本發(fā)明第一方面,通過引言所述的這種方法實現(xiàn)這一目的,其中在重復(fù)輸出期間,數(shù)據(jù)線與驅(qū)動元件相連,并且數(shù)據(jù)線上提供的驅(qū)動信號使發(fā)光元件發(fā)光,而且在兩個輸出周期之間的檢測周期中,數(shù)據(jù)線與發(fā)光元件第一電極如陽極相連,在數(shù)據(jù)線上提供檢測電壓,該檢測電壓相對于發(fā)光元件陰極電壓為負(fù),從而使發(fā)光元件反向偏置,并檢測流過發(fā)光元件的任何漏電流。
根據(jù)本發(fā)明第二方面,通過引言所述類型的顯示裝置實現(xiàn)這一目的,還包括用于在數(shù)據(jù)線上提供檢測電壓的裝置,檢測電壓相對于發(fā)射元件陰極電壓為負(fù),從而使發(fā)光元件反向偏置;以及用于檢測流過發(fā)光元件的任何漏電流的裝置。
因此,本發(fā)明的基本思想在于使用像素單元的數(shù)據(jù)線,向發(fā)光元件輸出負(fù)電壓,并檢測流過數(shù)據(jù)線的任何漏電流。這樣就避免發(fā)生了與使用電源線向發(fā)光元件輸送反向偏置有關(guān)的任何問題。
通過在數(shù)據(jù)線與陽極之間增加一開關(guān),可實現(xiàn)由數(shù)據(jù)線訪問發(fā)光元件的陽極。有些像素電路,例如單晶體管電流鏡(參見圖4),已經(jīng)具有這種開關(guān),在其他電路中,可增加該開關(guān),以形成新穎像素電路,這是本發(fā)明的第三方面。
可間隔預(yù)定數(shù)量的輸出周期,例如每隔三個輸出周期,循環(huán)地執(zhí)行檢測周期。
最好,像素單元包括兩個開關(guān),用于將數(shù)據(jù)線分別與驅(qū)動元件和/或發(fā)光元件陽極相連。在此情形中,該方法進(jìn)一步包括控制開關(guān),從而在所述檢測周期期間數(shù)據(jù)線僅與發(fā)光元件陽極相連。
兩個開關(guān)可以串聯(lián)設(shè)置在數(shù)據(jù)線與驅(qū)動元件之間,使發(fā)光元件的陽極與開關(guān)之間的某一點相連。這相當(dāng)于一種本身已知的像素單元?;蛘撸總€像素單元包括設(shè)置在數(shù)據(jù)線與驅(qū)動元件之間的第一開關(guān),和設(shè)置在數(shù)據(jù)線與發(fā)光元件的陽極之間的第二開關(guān)。這是根據(jù)本發(fā)明第三方面的像素單元。
該方法進(jìn)一步包括分析漏電流,以判斷發(fā)光元件是否存在缺陷,并且如果是存在缺陷的情形,則向該發(fā)光元件的陽極提供修復(fù)電壓,以便消除發(fā)光元件中的任何缺陷。將修復(fù)電壓調(diào)節(jié)成用比檢測期間更大的電壓將發(fā)光元件反向偏置。已經(jīng)證明這種強(qiáng)反向偏置可消除發(fā)光元件中的缺陷。最好在下一相繼檢測周期期間施加修復(fù)電壓,即取代檢測電壓。
并非施加修復(fù)電壓,或者作為施加修復(fù)電壓的一個補(bǔ)充,本發(fā)明方法可包括根據(jù)缺陷調(diào)節(jié)像素的驅(qū)動。例如,可降低驅(qū)動電流,使發(fā)光元件發(fā)射更少的光?;蛘撸梢詫⑷毕菹袼厝ゼ睢T谶@種調(diào)節(jié)像素驅(qū)動的情形中,還可以調(diào)節(jié)周圍像素,以便掩蔽缺陷,即使其對于用戶而言是不可見的。最好在下一相繼輸出周期之前或期間對像素驅(qū)動進(jìn)行調(diào)節(jié)。
已知可使用被施以反向偏置的LED作為檢測器。從而,根據(jù)本發(fā)明的方法還包括分析反向偏流,以確定發(fā)光元件是否受到任何外部影響,例如光、溫度、顏色、輻射或物理接觸。
電流驅(qū)動的發(fā)光元件可以為發(fā)光二極管,如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。


根據(jù)參照附圖更清楚地描述的優(yōu)選實施例,本發(fā)明的這些和其他方面將是顯而易見的。
圖1表示作為電壓函數(shù)的流過OLED的電流的曲線圖,
圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的裝置的示意框圖。
圖3為表示根據(jù)本發(fā)明不同驅(qū)動方案的時序圖。
圖4為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的示意性像素電路,適于實現(xiàn)圖2中所示的裝置。
圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的示意性像素電路,也適于實現(xiàn)圖2中所示的裝置。
圖6為圖2中檢測部件部分的電路圖。
具體實施例方式
通過圖2中的框圖示意地說明本發(fā)明的功能。
利用處于顯示區(qū)外部的數(shù)據(jù)列線2頂部上的開關(guān)1,數(shù)據(jù)列線2可以在提供代表圖像顯示數(shù)據(jù)的驅(qū)動信號(此處為電壓(V),但是也可以為電流)的常規(guī)列驅(qū)動器3與提供負(fù)(相對于OLED陰極)檢測電壓(V1)的檢測部件4之間進(jìn)行切換。該負(fù)電壓將反向偏置當(dāng)前尋址的像素單元5中的OLED,并能夠使漏電流(IL)流過數(shù)據(jù)列線2。
根據(jù)本發(fā)明的方法需要特殊的尋址,將時間分成輸出周期和檢測周期。在輸出周期(或幀)期間,開關(guān)1與列驅(qū)動器3相連,將數(shù)據(jù)編程到像素5中,以便點亮OLED。在這些輸出周期之前,開關(guān)1與檢測部件4相連。從而像素5未點亮,代替地檢測來自O(shè)LED的漏電流IL。
由于檢測不需要如輸出那樣的高速率,因此兩種周期(檢測和輸出周期)不必交替。
在某些應(yīng)用中,可以非定期地進(jìn)行檢測,例如每次打開裝置時執(zhí)行檢測。在圖3所示的例子中,每三幀執(zhí)行檢測。
在檢測期間,正如在輸出期間那樣,采用正常的線掃描以便能訪問每個單獨像素,一般是逐線地。由行選擇線6上的信號決定當(dāng)前掃描的線。但是,選擇信號(或者如下面所述,多個選擇信號)將根據(jù)當(dāng)前周期是輸出周期還是檢測周期而不同。在輸出周期期間,具有像素數(shù)據(jù)電壓V(或數(shù)據(jù)電流I)的數(shù)據(jù)列與每個像素5的存儲點相連。在檢測期間,具有檢測電壓V1的數(shù)據(jù)列代替地與每個像素中的OLED陽極相連。下面將對其進(jìn)行進(jìn)一步地描述。
檢測部件4還包括用于檢測反向饋送期間流過OLED的漏電流的裝置。通過訪問存儲器8,可以將所檢測的電流IL與閾值進(jìn)行比較,以便檢測高泄漏,并與前面的測量結(jié)果進(jìn)行比較,以便檢測穩(wěn)定性(波動或增大/減小)。然后可以將所檢測到的電流保存到存儲器8中。如引言中所提及的,可使用檢測出的漏電流IL作為檢測器信號,或者作為缺陷像素的指示符。
存儲器8還可以由與列驅(qū)動器3進(jìn)行通信的控制器9訪問。這使得控制器9能夠調(diào)節(jié)下一輸出周期期間的像素驅(qū)動電壓V。
檢測部件還被設(shè)置成交替地提供更強(qiáng)的反向電壓V2,其以與檢測電壓V1相同的方式可以施加給像素。該電壓V2稱作修復(fù)電壓,因為其意在熔化OLED,從而有望消除缺陷。
在此處引作參考的共同未決的歐洲申請EP01130166.0中描述了這種熔化。
圖3示出了與不同缺陷校正策略有關(guān)的時序圖示例。
在第一種情形10a中,在第一檢測周期11a期間沒有檢測到缺陷,該像素在輸出周期12a期間可以繼續(xù)照常起作用,并在下一檢測周期13a期間再次被檢測。
在第二種情形10b中,在第一檢測周期11b期間檢測到缺陷。在相繼的輸出周期12b期間,該像素照常被驅(qū)動。在下一相繼的檢測周期13b期間,向該缺陷像素施加修復(fù)電壓,試圖消除該缺陷。
此外,在第三種情形10c中,在第一檢測周期11c期間檢測到缺陷,但是在輸出周期12c期間適應(yīng)了像素行為。可以將像素驅(qū)動調(diào)節(jié)成更加柔和的驅(qū)動,例如僅僅降低尋址時施加給該像素的數(shù)據(jù)信號電壓。還可以完全去激勵。在這兩種情形中,也可以適應(yīng)周圍像素或整個顯示器,以便減小該缺陷像素的影響,即屏蔽光輸出降低。
圖4示出了本領(lǐng)域中已知的自補(bǔ)償(單晶體管)電流鏡像素單元20的示意電路圖??墒褂眠@種像素實現(xiàn)本發(fā)明。像素單元20具有數(shù)據(jù)線21、電源線22、存儲元件23、驅(qū)動元件24和OLED形式的發(fā)光元件25。兩個開關(guān)26、27串聯(lián)設(shè)置在存儲點28與數(shù)據(jù)線22之間,并且OLED陽極29與這些開關(guān)26、27之間的點30相連。驅(qū)動元件24為晶體管。驅(qū)動開關(guān)也可以為PMOS或NMOS型晶體管。
一般地,在尋址像素時(列信號饋送給存儲點28和OLED陽極29),兩個開關(guān)26、27導(dǎo)通。在該像素驅(qū)動OLED 25時(電壓從存儲元件23提供給驅(qū)動元件24),它們都關(guān)斷。在輸出周期期間將采用這部分的像素尋址。
根據(jù)本發(fā)明,在檢測周期期間對像素進(jìn)行不同的尋址。在此期間,第一開關(guān)26關(guān)斷,同時第二開關(guān)27導(dǎo)通。然后,將相對于OLED陰極電壓31為負(fù)的檢測電壓從數(shù)據(jù)線21提供給OLED25的陽極29,從而使二極管25處于反向模式。這導(dǎo)致漏電流IL流過OLED 25,并流過數(shù)據(jù)線21,如上所述,可檢測、保存和分析該電流。
注意在檢測期間,對于顯示器中的所有像素可同時控制第一開關(guān)26,同時第二開關(guān)27從線到線是獨立的。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明的新穎像素單元20’的示意電路圖。用相同附圖標(biāo)記表示與圖4中的元件相應(yīng)的元件。該像素基本上基于傳統(tǒng)像素電路,具有一個連接在數(shù)據(jù)線與存儲點之間的開關(guān)32。根據(jù)本發(fā)明,在數(shù)據(jù)線21與OLED陽極29之間設(shè)置第二開關(guān)33,從而能夠從數(shù)據(jù)線21直接訪問OLED陽極29。
在輸出周期期間,第二開關(guān)33關(guān)斷,而在像素的尋址期間第一開關(guān)32導(dǎo)通,在驅(qū)動OLED期間關(guān)斷。
在檢測周期期間,第一開關(guān)32關(guān)斷,同時第二開關(guān)33導(dǎo)通。然后從數(shù)據(jù)線21向OLED 25施加負(fù)的(相對于OLED陰極31)檢測電壓V1,從而使二極管25處于反向模式。而且,這也導(dǎo)致漏電流IL流過OLED 25和數(shù)據(jù)線21,可如上所述檢測、保存和分析該電流。
要注意的是,通過使用互補(bǔ)開關(guān),例如一個NMOS和一個PMOS晶體管和適當(dāng)?shù)男行盘?,可以將圖5中的兩個選擇信號合并成一個。
在兩個所述實施例(圖4和5)中,在檢測期間驅(qū)動元件24(此處為驅(qū)動晶體管)需要關(guān)斷,以便使從電源線22流過驅(qū)動晶體管24的漏電流最小,否則其將影響所檢測的漏電流IL。
最好在檢測周期一開始時,對于顯示器中的所有像素進(jìn)行驅(qū)動晶體管24的復(fù)位。這可以無需逐線掃描而完成,可僅僅通過用所選擇的所有行在所有數(shù)據(jù)列上施加適當(dāng)?shù)碾妷憾M(jìn)行。該電壓應(yīng)該為使得驅(qū)動晶體管關(guān)斷,即不會泄漏任何電流。
還可以通過減小電源線22電壓、或者甚至通過完全斷開電源線22,來實現(xiàn)復(fù)位。
另一種方法是在OLED陽極29與驅(qū)動晶體管24之間設(shè)置附加開關(guān)(未示出),以便能夠?qū)Ⅱ?qū)動晶體管24從數(shù)據(jù)線斷開,從而不會干擾所檢測的漏電流。還可以將這些選擇方法中的一部分或全部組合。
圖6a-d表示對于與圖5中所示相類似的電壓可編程像素電路,用于實現(xiàn)圖2中的檢測部件4的一個示例。該電路包括具有負(fù)反饋電容器42的運算放大器41,作為電荷靈敏放大器工作。開關(guān)43與電容器42平行地設(shè)置,從而能將放大器41旁路。
圖6a表示正常尋址過程中,即輸出周期期間的電路。在此情形中,從列驅(qū)動器3為運算放大器41的輸入提供數(shù)據(jù)列信號(V),且閉合開關(guān)43。從而信號V通過數(shù)據(jù)列線2提供給被尋址的像素5。
圖6b表示檢測期間的電路。此時,運算放大器41的輸入電壓為將OLED 25設(shè)置成反向模式所需的電壓V1,并保持恒定。該檢測電壓V1通過數(shù)據(jù)列線2提供給被尋址的像素5。開關(guān)43打開,從而使得放大器41接收來自反向偏置像素5的任何漏電流IL,并將輸出電壓Vout發(fā)送給存儲器8。
將另一開關(guān)44設(shè)置成使數(shù)據(jù)列2直接與修復(fù)電壓V2相連。為了將該電壓施加給數(shù)據(jù)列2,切換開關(guān)44,從而斷開數(shù)據(jù)列線與運算放大器41,并將其與V2端相連。在圖6c中表示出了這種情形。然后修復(fù)電壓V2通過數(shù)據(jù)列線2施加給被尋址的像素5。通過改變放大器輸入端上的電壓,可交替地施加修復(fù)電壓V2。
另一種選擇是使用開關(guān)45在三個不同端之間,即V,V2和運算放大器41之間切換,如圖6d中所示。根據(jù)該電路,在檢測期間運算放大器41僅與數(shù)據(jù)列線2相連。在修復(fù)期間,開關(guān)45將數(shù)據(jù)列2與V端相連,而在修復(fù)期間與V2端相連。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可想到上述實施例的多種變型。例如,顯然盡管在本說明書中,數(shù)據(jù)信號逐列連接,選擇信號逐行連接,但是本發(fā)明不限于此。不必與輸出期間使用相同類型的掃描來進(jìn)行檢測,或者為此完全使用任何掃描。
此外,可使用其他部件作為開關(guān)和驅(qū)動元件,取代或者補(bǔ)充上述晶體管。存儲元件并非必須為電容器,另一種靜態(tài)存儲器同樣良好。
而且,已經(jīng)就OLED顯示器描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可知,可以將本發(fā)明的原理擴(kuò)展到用有源矩陣尋址的其他電流驅(qū)動發(fā)光顯示器,例如場致發(fā)射顯示器和電致發(fā)光顯示器。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測有源矩陣顯示像素單元(20;20’)中發(fā)光元件(25)的方法,還包括可與驅(qū)動元件(24)和發(fā)光元件(25)的第一電極(29)相連的數(shù)據(jù)線(21),所述方法包括在重復(fù)的輸出周期期間,將數(shù)據(jù)線(21)與驅(qū)動元件(24)相連,并在數(shù)據(jù)線(21)上提供驅(qū)動信號(V)以便使發(fā)光元件(25)產(chǎn)生光,并且在兩個輸出周期之間的檢測周期期間,將數(shù)據(jù)線(21)與發(fā)光元件(25)的第一電極(29)相連,在數(shù)據(jù)線(21)上提供檢測電壓(V1)以便反向偏置發(fā)光元件(25),并檢測流過發(fā)光元件(25)的任何漏電流(IL)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,以預(yù)定數(shù)量的輸出周期為間隔,循環(huán)地執(zhí)行檢測周期。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的方法,其中所述像素單元(20;20’)包括用于將所述數(shù)據(jù)線(21)與驅(qū)動元件(24)和/或發(fā)光元件(25)的陽極(29)相連的兩個開關(guān)(26,27;32,33),所述方法還包括控制所述開關(guān),從而在所述檢測周期期間,數(shù)據(jù)線(21)僅與所述第一電極(29)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的方法,還包括分析漏電流(IL),以便判斷該發(fā)光元件(25)是否受到任何外部影響。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的方法,還包括分析所述漏電流,以便判斷該發(fā)光元件(25)是否是缺陷的,并且如果是這種情況,則向發(fā)光元件(25)的第一電極(29)提供修復(fù)電壓,以消除發(fā)光元件中的任何缺陷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,在相繼的檢測周期期間施加所述修復(fù)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的方法,還包括分析所述漏電流,以便判斷該發(fā)光元件是否是缺陷的,并且如果是這種情況,則根據(jù)該缺陷調(diào)節(jié)像素的驅(qū)動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中將該缺陷像素去除激勵。
9.根據(jù)權(quán)利要求7-8所述的方法,其中,為了屏蔽缺陷,調(diào)節(jié)周圍像素的驅(qū)動。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9所述的方法,其中,在下一相繼輸出周期之前或期間,執(zhí)行所述調(diào)節(jié)步驟。
11.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的方法,其中該發(fā)光元件為有機(jī)或聚合物發(fā)光二極管。
12.一種有源矩陣顯示裝置,包括多個像素單元(20;20’),每個具有電流驅(qū)動發(fā)光元件(25)和用于將數(shù)據(jù)線(21)與發(fā)光元件的第一電極(29)相連的裝置,其特征還在于用于在數(shù)據(jù)線上提供檢測電壓(V1)的裝置(1;43,44),所述檢測電壓(V1)相對于發(fā)光元件陰極電壓(31)為負(fù),從而反向偏置發(fā)光元件(25);以及用于檢測流過發(fā)光元件的任何漏電流的裝置(41,42)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中每個像素單元(20)包括串聯(lián)設(shè)置在數(shù)據(jù)線(21)與驅(qū)動元件(24)之間的兩個開關(guān)(26,27),發(fā)光元件第一電極(29)與所述開關(guān)之間的點(30)相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中每個像素單元(20’)包括設(shè)置在數(shù)據(jù)線(21)與驅(qū)動元件(24)之間的第一開關(guān)(32),以及設(shè)置在數(shù)據(jù)線(2)與發(fā)光元件的第一電極(29)之間的第二開關(guān)(33)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14所述的顯示裝置,其中,該發(fā)光元件(25)是有機(jī)或聚合物發(fā)光二極管。
16.一種有源矩陣顯示裝置中的像素單元,包括數(shù)據(jù)線(21)、驅(qū)動元件(24)、發(fā)光元件(25)、以及設(shè)置在數(shù)據(jù)線(21)與驅(qū)動元件(24)之間的第一開關(guān)(32),其特征在于設(shè)置在數(shù)據(jù)線(21)與發(fā)光元件的第一電極(29)之間的第二開關(guān)(33)。
全文摘要
一種檢測有源矩陣顯示像素單元(20;20’)中發(fā)光元件的方法,該有源矩陣顯示像素單元還包括可與驅(qū)動元件(24)和發(fā)光元件(25)的第一電極(29)相連的數(shù)據(jù)線(21)。數(shù)據(jù)線(21)與發(fā)光元件(25)的陽極(29)相連,檢測電壓(V1)將發(fā)光元件(25)反向偏置,并檢測流過發(fā)光元件(25)的任何漏電流(IL)。
文檔編號G09G3/00GK1711479SQ200380102877
公開日2005年12月21日 申請日期2003年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月6日
發(fā)明者A·吉拉多, M·T·約翰遜 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司
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