專利名稱：電子裝置、元件基板、電光學裝置、電光學裝置的制造方法及電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置、元件基板、電光學裝置、電光學裝置的制造方法及電子機器。
背景技術(shù)：
在電光學裝置中，有一種叫作“有機EL元件”的、具有電流驅(qū)動型電子元件的電光學裝置。在所述電光學裝置中，在其顯示屏上，具有多個有機EL元件的象素，被配置成矩陣狀。各象素通過數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路連接。然后，在所定的時刻，向各象素供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號，與該數(shù)據(jù)信號的電流水平對應(yīng)的有機EL元件就會發(fā)光(參閱專利文獻1)。
專利文獻1國際公開WO98/36407號小冊子可是，在所述電光學裝置中，常常因構(gòu)成各象素的有機EL元件等的制造偏差，致使其顯示等級下降。例如，假設(shè)未能良好地形成有機EL元件，其結(jié)果就會在所述有機EL元件形成的象素形成區(qū)域，經(jīng)常成為黑色顯示，最終導致電光學裝置的顯示等級下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，就是要提供即使出現(xiàn)制造偏差也能精確控制的電子裝置、元件基板、電光學裝置、電光學裝置的制造方法及電子機器。
本發(fā)明的電子裝置，是與多個第1信號線和多個第2信號線的交差部位對應(yīng)、具有多個單位電路的電子裝置，所述多個單位電路的每一個都包括具有第1端子和第2端子，在施加給所述第1端子的驅(qū)動電壓或流入所述第1端子與所述第2端子之間的驅(qū)動電流的作用下被驅(qū)動的電子元件；控制所述驅(qū)動電壓或所述驅(qū)動電流的有源元件；所述多個單位電路，包括至少包含2個以上的所述電子元件及所述有源元件中的某一個的單位電路。
這樣，就能提供具有即使構(gòu)成單位電路的電子元件或有源元件中的某一個不良而不動作時也能正常驅(qū)動的單位電路的電子裝置。
在該電子裝置中，還包括多個電源線，所述有源元件，可以在所述電子元件與所述多個電源線對應(yīng)的一個電源線之間，進行電連接。
這樣，就能提供在具有驅(qū)動電力通過多個電源線供給的電子元件或有源元件的電子裝置中，即使在電子元件或有源元件中的某一個不良而不動作時，也能正常驅(qū)動的電子裝置。
本發(fā)明的電光學裝置，是與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交差部位對應(yīng)，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，所述多個象素電路的每一個都包括具有第1端子和第2端子，在施加給所述第1端子的驅(qū)動電壓或流入所述第1端子與所述第2端子之間的驅(qū)動電流的作用下被驅(qū)動的電光學元件；控制所述驅(qū)動電壓或所述驅(qū)動電流的有源元件；所述多個象素電路，包括至少包含2個以上的所述電光學元件及所述有源元件中的某一個的象素電路。
這樣，就能在構(gòu)成單位象素的電光學元件由于不良而不動作時，從有源元件中切斷該電光學元件，正常驅(qū)動其它的電光學元件。另外，即使構(gòu)成單位象素的有源元件由于不良而不動作時，也能從電光學元件中切斷該有源元件，利用正常驅(qū)動的有源元件，控制所述電光學元件。
所以，其象素形成區(qū)域就不會由于電光學元件或有源元件不良，而經(jīng)常顯示黑色。
本發(fā)明的電光學裝置，是與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交差部位對應(yīng)，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，所述多個單位象素的每一個都包含多個電光學元件和控制供給所述電光學元件的所述驅(qū)動電壓或所述驅(qū)動電流的控制用電子元件；所述多個單位象素，包括與所述電光學元件電性斷開的所述控制用電子元件。
這樣，就能在即使構(gòu)成單位象素的控制用電子元件由于不良而不動作時，從電光學元件中切斷該控制用電子元件，利用其它正常驅(qū)動的控制用電子元件，控制所述電光學元件。所以，其象素形成區(qū)域就不會由于控制用電子元件不良，而經(jīng)常顯示黑色。這樣，就能控制由于控制用電子元件不良而產(chǎn)生的電光學元件的顯示級別的下降。
在該電光學裝置中，所述多個電光學元件的每一個，都是EL元件。
這樣，就能在電光學元件是EL元件的電光學裝置中，控制其顯示級別的下降。
在該電光學裝置中，所述EL元件，可以是有機EL元件。
這樣，就能在電光學元件是有機EL元件的電光學裝置中，控制其顯示級別的下降。
本發(fā)明的電光學裝置，是與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交差部位對應(yīng)，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，所述多個單位象素的每一個都包含多個配置電光學材料的電光學材料配置區(qū)域；所述多個單位象素，包括所述多個電光學材料配置區(qū)域中的所述電光學材料不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域的單位象素。
這樣，本發(fā)明的電光學裝置，具有多個電光學材料配置區(qū)域中不發(fā)揮其作用的電光學材料配置區(qū)域。這樣，因為實際上不使用不發(fā)揮其作用的電光學材料配置區(qū)域，所以，就能控制其顯示級別的下降。
在該電光學裝置中，所述電光學材料，可以是有機材料。
這樣，本發(fā)明的電光學裝置，其電光學材料是有機材料，具有多個電光學材料配置區(qū)域中不發(fā)揮其作用的電光學材料配置區(qū)域。這樣，因為實際上不使用不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域，所以能控制其顯示級別的下降。
本發(fā)明的元件基板，在透明基板上具有元件形成區(qū)域和電路形成區(qū)域，前者是為了形成構(gòu)成一個光學特性或電特性隨著供給第1端子與第2端子之間的電壓水平或供給第1端子與第2端子之間的電流水平而變化的電子電路的多個電子元件的區(qū)域；后者則是形成包含構(gòu)成將與電信號對應(yīng)的所述電壓水平或所述電流水平供給所述各電子元件的第1端子的所述電子電路的晶體管的驅(qū)動電路的區(qū)域；配置在所述元件形成區(qū)域的中央部位，在該元件形成區(qū)域的周圍，配置所述電路形成區(qū)域。
這樣，就能使電路形成區(qū)域的中央部位集中輸出在透明基板上的形成的多個電子元件的輸出信號。所以，例如，在上述元件基板上形成電光學元件時，可以使作為由那些電光學元件輸出的輸出信號的光，集中在電路形成區(qū)域的中央部位發(fā)光。這樣，即使多個電光學元件中，有若干個由于制造不良而不發(fā)光的電光學元件，也能抑制其發(fā)光不勻。
在該元件基板中，在所述元件形成區(qū)域，還可以形成電子元件。這樣，就可以將在透明基板上形成的多個電子元件的輸出信號，向電路形成區(qū)域的中央部位集中輸出。所以，例如，在所述元件基板上形成電光學元件時，就可以使由各電光學元件輸出的作為輸出信號的光，在電路形成區(qū)域的中央部位集中發(fā)光。這樣，即使多個電光學元件中，有若干個由于制造不良而不發(fā)光的電光學元件，也能抑制其發(fā)光不勻。
本發(fā)明的電光學裝置的制造方法，是在與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交差部位對應(yīng)設(shè)置多個單位象素，所述多個單位象素的每一個都具有配置電光學材料的電光學材料配置區(qū)域，和控制所述電光學材料配置區(qū)域的功能的多個有源元件的電光學裝置的制造方法中，包括將所述多個電光學材料配置區(qū)域中的所述電光學材料不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域與所述有源元件的電連接切斷的工序。
這樣，就將多個電光學材料配置區(qū)域中不發(fā)揮其作用的電光學材料配置區(qū)域，與有源元件的電連接切斷。所以，能夠制造出實際上不使用不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域的電光學裝置。其結(jié)果就能提供控制其顯示級別的下降的的電光學裝置。
在本發(fā)明的電光學裝置的制造方法中，將所述電光學材料配置區(qū)域與所述有源元件的電連接的切斷，可以采用激光進行。
這樣，就采用激光，將不發(fā)揮其作用的電光學材料配置區(qū)域，與有源元件的電連接切斷。所以，能夠精確而容易地制造出實際上不使用不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域的電光學裝置。
本發(fā)明的電子機器，安裝著所述電子裝置。
這樣，就能提供即使構(gòu)成單位電路的電子元件或有源元件中的某一個由于不良而不驅(qū)動時，也能正常驅(qū)動的電子機器。
本發(fā)明的電子機器，安裝著所述電光學裝置。
這樣，就能提供即使構(gòu)成象素電路的電光學元件或有源元件中的某一個由于不良而不驅(qū)動時，也能正常驅(qū)動的電子機器。
本發(fā)明的電子機器，安裝著所述元件基板。
這樣，即使多個電光學元件中有若干個由于制造不良而不發(fā)光的電光學元件時，也能提供能夠抑制其發(fā)光不勻的電子機器。
本發(fā)明的電子機器，采用所述電光學裝置的制造方法制造而成。
這樣，就能夠?qū)嶋H上不使用不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域，從而能控制其顯示級別的下降。


圖1是為了講述有機EL顯示器的電氣結(jié)構(gòu)的而繪制的方框圖。
圖2是表示顯示屏部及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路電氣結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖3是第1實施方式中的象素的電路圖。
圖4是第1實施方式中的顯示屏部的局部剖面圖。
圖5是為了講述有機EL顯示器的驅(qū)動方法的時間圖。
圖6是第2實施方式中的象素的電路圖。
圖7是表示為了講述第3實施方式而繪制的移動型手提式電腦的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖8是其它示例的象素的電路圖。
圖9是其它示例的顯示屏部的局部剖面圖。
圖中F-布線，Qd-作為有源元件的驅(qū)動晶體管，Qd1、Qd2-第1及第2驅(qū)動晶體管，Qsw1-第1開關(guān)晶體管，Co-保持電容器，D1-作為第1端子的陽極，D2-作為第2端子的陰極，Idata-作為電信號的數(shù)據(jù)信號，Iel-作為驅(qū)動電力的驅(qū)動電流，Sd-透明基板，T-元件基板，X1～Xm-作為信號線的數(shù)據(jù)線，ZC-電路形成區(qū)域，ZL-元件形成區(qū)域，20-作為單位電路或驅(qū)動電路的象素電路，OLED-作為電子元件或電光學元件的有機EL元件。
具體實施例方式
(第1實施方式)下面，利用圖1～圖5，講述將本發(fā)明具體化的第1實施方式。圖1是表示有機EL顯示器的電氣結(jié)構(gòu)的方框圖。圖2是表示顯示屏的電氣結(jié)構(gòu)的方框圖。
有機EL顯示器10，具有控制電路11、顯示屏部12、掃描線驅(qū)動電路13及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14。有機EL顯示器10的控制電路11、掃描線驅(qū)動電路13及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14，可以分別由獨立的電子部件構(gòu)成。例如，控制電路11、掃描線驅(qū)動電路13及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14，可以分別由1個芯片的半導體集成電路裝置構(gòu)成。另外，控制電路11、掃描線驅(qū)動電路13及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14的全部或一部分，可以用可編程序的IC芯片構(gòu)成，其功能可以通過寫入IC芯片的程序，軟件性地實現(xiàn)。
另外，在本實施方式的有機EL顯示器10，是所謂“后發(fā)射”型的顯示器，在透明基板S的背面，顯示所需的圖象。
控制電路11，根據(jù)圖中未示出的外部裝置供給的圖象數(shù)據(jù)D，產(chǎn)生在顯示屏部12上顯示圖象的掃描線驅(qū)動信號SK及數(shù)據(jù)線驅(qū)動信號DK。然后，控制電路11，在將所述掃描線驅(qū)動信號SK向掃描線驅(qū)動電路13輸出的同時，還將所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動信號DK向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14輸出。
顯示屏部12，在透明基板S上的中央部位，具有顯示區(qū)域P。在顯示區(qū)域P中，正如圖2所示，將多個象素20配置成矩陣狀。另外，在顯示區(qū)域P中，沿著配置成矩陣狀的多個象素20的列方向延長設(shè)置著m根數(shù)據(jù)線X1～Xm(m是自然數(shù))。另外，在顯示區(qū)域P中，沿著配置成矩陣狀的多個象素20的行方向延長設(shè)置著n根掃描線Y1～Yn(n是自然數(shù))。然后，所述象素20，配置在與各數(shù)據(jù)線X1～Xm和掃描線Y1～Yn的交差部位對應(yīng)的位置。各象素20，分別與對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線X1～Xm和掃描線Y1～Yn連接。
另外，在顯示區(qū)域P中，設(shè)置著驅(qū)動電壓供給線Lo。驅(qū)動電壓供給線Lo，被供給驅(qū)動電壓Voel。另外，驅(qū)動電壓供給線Lo，與m根電源線VLI～VLm(m是自然數(shù))連接。在本實施方式中，各電源線VLI～VLm，與所述數(shù)據(jù)線X1～Xm平行設(shè)置。而且，各電源線VLI～VLm，與對應(yīng)的象素20連接。所以，通過驅(qū)動電壓供給線Lo及電源線VLI～VLm，將驅(qū)動電壓Voel供給各象素20。
進而，在顯示區(qū)域P中，設(shè)置著n根信號線LSI～LSn(n是自然數(shù))。各信號線LSI～LSn，沿著象素20的行方向平行設(shè)置。而且，各信號線LSI～LSn，在與對應(yīng)的象素20連接的同時，還與所述掃描線驅(qū)動電路13連接。各信號線LSI～LSn，將所述描線驅(qū)動電路13輸出的后文將要敘述的時間信號SY1～SYn(n為自然數(shù))供給對應(yīng)的象素20。
掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述控制電路11輸出的掃描驅(qū)動信號SK，選擇在所述顯示區(qū)域P中延長設(shè)置的n根掃描線Y1～Yn中的1根掃描線，將掃描信號SC1～SCn(n為自然數(shù))，向被選擇的那根掃描線輸出。另外，掃描線驅(qū)動電路13，在根據(jù)掃描驅(qū)動信號SK，產(chǎn)生控制各象素20內(nèi)形成的有機EL元件OLED的發(fā)光時間的時間信號SY1～SYn的同時，還通過對應(yīng)的所述信號線LS1～LSn產(chǎn)生的時間信號SY1～SYn，向各象素20輸出。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路14，如圖2所示，具有多個單1線驅(qū)動器23。各單1線驅(qū)動器23，分別通過所述數(shù)據(jù)線X1～Xm，與對應(yīng)的象素20電連接。另外，各單1線驅(qū)動器23，根據(jù)所述控制電路11輸出的數(shù)據(jù)線驅(qū)動信號DK，分別產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號Idata。而且，各單1線驅(qū)動器23，將分別產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號Idata，通過數(shù)據(jù)線X1～Xm，向?qū)?yīng)的象素20輸出。此外，在本實施方式中，所述數(shù)據(jù)信號Idata，是電流信號。所以，各單1線驅(qū)動器23，分別產(chǎn)生根據(jù)所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動信號DK的電流值，將產(chǎn)生的該值的電流，作為數(shù)據(jù)信號Idata，通過各自對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線X1～Xm，向?qū)?yīng)的象素20輸出。
下面，利用圖3，講述所述象素20的電氣結(jié)構(gòu)。圖3是表示象素20的電氣結(jié)構(gòu)的圖形。
象素20，在其形成區(qū)域中具有電路形成區(qū)域ZC和發(fā)光區(qū)域ZL。電路形成區(qū)域ZC，是形成驅(qū)動電路KC的區(qū)域。發(fā)光區(qū)域ZL，是形成多個有機EL元件OLED的區(qū)域，該有機EL元件OLED是用有機材料構(gòu)成，其發(fā)光層是后文將要講述的發(fā)光膜LF(參閱圖4)。另外，在本實施方式中，所述電路形成區(qū)域ZC，是除了其略為中央的部位之外的環(huán)狀的形成區(qū)域；所述發(fā)光區(qū)域ZL，是在所述略為中央的部位形成的形成區(qū)域。
由于各象素20的結(jié)構(gòu)完全相同，所以為了便于敘述，在下面只講述在對與第n根掃描線Yn和第m根數(shù)據(jù)線Xm的交差部位對應(yīng)的位置上配置的象素20。
驅(qū)動電路KC，包括驅(qū)動晶體管Qd，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，開始晶體管Qst及保持電容器Co。驅(qū)動晶體管Qd，是作為供給電流的電流源而發(fā)揮作用的晶體管。另外，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2及開始晶體管Qst，是分別作為開關(guān)元件而發(fā)揮作用的晶體管。
此外，所述驅(qū)動晶體管Qd的導電型，在本實施方式中，是p型。另外，所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，開始晶體管Qst的導電型，在本實施方式中，是n型。另外，所述驅(qū)動晶體管Qd，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，開始晶體管Qst，通常分別由TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成。
所述驅(qū)動晶體管Qd，其漏極與第1開關(guān)晶體管Qsw1的漏極連接。第1開關(guān)晶體管Qsw1的源極與數(shù)據(jù)線Xm連接。
在所述驅(qū)動晶體管Qd的漏極/柵極之間，連接著第2開關(guān)晶體管Qsw2。第2開關(guān)晶體管Qsw2的柵極，在與所述第1開關(guān)晶體管Qsw1的柵極連接的同時，還與掃描線Yn連接。所以，所述第1晶體管Qsw1及所述第2開關(guān)晶體管Qsw2，通過掃描線Yn，按照所述掃描線驅(qū)動電路13輸出的掃描信號SCn，被同時控制成ON·OFF狀態(tài)。
另外，所述驅(qū)動晶體管Qd的源極，與所述電源線VLm連接，被供給驅(qū)動電源Voel。所述驅(qū)動晶體管Qd的柵極，與保持電容器Co的第1連接端子E1連接，該保持電容器Co的第2連接端子E2，與該驅(qū)動晶體管Qd的源極連接。所述保持電容器Co，積蓄與所述數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平對應(yīng)的電荷。
另外，所述驅(qū)動晶體管Qd的漏極，與開始晶體管Qst的漏極連接。開始晶體管Qst的源極，通過布線F，分別與發(fā)光區(qū)域ZL形成的多個有機EL元件OLED的陽極D1連接。開始晶體管Qst的柵極，與所述信號線LSn連接。這樣，開始晶體管Qst，通過所述信號線LSn，按照掃描線驅(qū)動電路13供給的時間信號SYn，受到ON·OFF控制。
在結(jié)構(gòu)如上所述的驅(qū)動電路KC中，通過掃描線Yn，由所述掃描線驅(qū)動電路13輸出H級的掃描信號SCn。于是，所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，同時成為ON狀態(tài)。這時，通過所述數(shù)據(jù)線Xm，將數(shù)據(jù)信號Idata供給驅(qū)動電路KC。然后，與所述數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的電荷被積蓄在保持電容器Co中。與所述數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的電荷積蓄在所述保持電容器Co中后，通過掃描線Yn，由所述掃描線驅(qū)動電路13輸出L級的掃描信號SCn。其結(jié)果，在所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2成為OFF狀態(tài)的同時，所述驅(qū)動晶體管Qd的源極/漏極間，則成為與保持電容器Co積蓄的電荷對應(yīng)的驅(qū)動電流Iel流入的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，通過信號線LSn，由所述掃描線驅(qū)動電路13供給H級的時間信號SYn后，所述開始晶體管Qst就成為ON狀態(tài)，所述驅(qū)動電流Iel通過所述布線F供給各有機EL元件OLED的陽極D1。就是說，所述驅(qū)動電路KC，可以根據(jù)掃描線驅(qū)動電路13輸出的掃描信號SCn及時間信號SYn，將與數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的驅(qū)動電流Iel，供給各有機EL元件OLED。
所述發(fā)光區(qū)域ZL，在本實施方式中，被后文將要敘述的存儲體36、37(參閱圖4)按上下左右方向各2個、合計劃分成4個。而且，在其劃分的各區(qū)域，都形成一個有機EL元件OLED。就是說，各象素20，在其略為中央的部位，按照上下左右方向鄰接形成4個有機EL元件OLED。
而且，這樣形成的各有機EL元件OLED，其各陽極D1，如前所述，通過布線F及所述開始晶體管Qst，與1個所述驅(qū)動晶體管Qd的漏極連接。另外，各有機EL元件OLED的陰極D2，分別接地。就是說，4個有機EL元件OLED，在所述開始晶體管Qst的源極與接地之間，相互并聯(lián)。
所以，所述開始晶體管Qst成為ON狀態(tài)后，流入所述驅(qū)動晶體管Qd的源極/漏極間的驅(qū)動電流Iel，就供給4個有機EL元件OLED的每一個。
于是，如果象現(xiàn)有技術(shù)那樣，每一個象素只有1個有機EL元件OLED時，在各象素之間，由于有機EL元件OLED的輸入阻抗存在偏差，施加給驅(qū)動晶體管Qd的漏極/源極間的漏極/源極間電壓Vds就要出現(xiàn)偏差。其結(jié)果，驅(qū)動電流Iel也要出現(xiàn)偏差。而如果象本發(fā)明那樣，每一個象素有4個有機EL元件OLED，那么即使其各有機EL元件OLED的輸入阻抗存在偏差，由于在輸入阻抗低的有機EL元件OLED中流過的驅(qū)動電流，也和流入輸入阻抗高的有機EL元件OLED中的驅(qū)動電流大小相等，所以4個有機EL元件OLED整體流過的驅(qū)動電流Iel被平均化。就是說，對1個驅(qū)動晶體管Qd而言，互相并聯(lián)4個有機EL元件OLED后，就能吸收各有機EL元件OLED的輸入阻抗的偏差。
另外，對1個驅(qū)動晶體管Qd而言，互相并聯(lián)4個有機EL元件OLED后，4個有機EL元件OLED中，即使3個有機EL元件OLED由于制造不良，而經(jīng)常不發(fā)光，也能使剩下的那個有機EL元件OLED發(fā)光。這時，發(fā)光的有機EL元件OLED，即使從4個減成3個，在4個有機EL元件OLED整體中流過的驅(qū)動電流Iel也不變，所以能以4個有機EL元件OLED全部發(fā)光時的亮度發(fā)光。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)的1個驅(qū)動晶體管Qd只形成1個有機EL元件OLED的象素的顯示器相比，可以抑制有機EL元件OLED的發(fā)光不勻。
下面，利用圖4講述這種結(jié)構(gòu)的象素20的制造方法。
圖4是包括所述象素20的顯示屏部12在內(nèi)的剖面結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。圖4所述的局部剖面圖，是形成所述開始晶體管Qst和通過布線F與該開始晶體管Qst連接的2個有機EL元件OLED、與沿圖3中的A-A線的剖面對應(yīng)的情況。此外，其它象素20，其剖面結(jié)構(gòu)都與此相同，所以不再詳述。
所述顯示屏部12，如圖4所示，包括透明基板Sd，在所述透明基板Sd的上方形成的元件形成層DZ，在該元件形成層DZ上的電光學材料配置區(qū)域或元件形成區(qū)域形成的構(gòu)成有機EL元件OLED的發(fā)光膜LF。而且，由所述透明基板Sd和所述元件形成層DZ，構(gòu)成元件基板T。
正如圖4所示，在電路形成區(qū)域ZC元件形成層DZ上的電路形成區(qū)域，形成與各發(fā)光膜LF對應(yīng)的所述驅(qū)動電路KC。另外，發(fā)光區(qū)域，在所述元件形成層DZ上，不形成驅(qū)動電路KC。
在所述元件形成層DZ上，形成構(gòu)成所述各驅(qū)動電路KC的所述開始晶體管Qst。
詳細地說，在透明基板Sd及用二氧硅構(gòu)成的絕緣膜32上，形成構(gòu)成開始晶體管Qst的硅層33。另外，在絕緣膜32上形成的用二氧化硅構(gòu)成的氧化膜上，形成開始晶體管Qst的柵極34G、源極34S及漏極34D。
而且，所述源極34S，通過所述布線F，與在元件形成層DZ上形成的象素電極35電連接。象素電極35，由導電性透明材料構(gòu)成，在本實施方式中，由銥一錫氧化物(ITO)構(gòu)成。另外，在元件形成層DZ上，還形成用無機材料構(gòu)成的第1存儲體36，以便將所述象素電極35與其它的象素電極35電氣絕緣。在所述第1存儲體36上，形成用有機材料構(gòu)成的第2存儲體37。所述第1及第2存儲體36、37，是旨在將鄰接形成的所述發(fā)光膜LF彼此劃分開的存儲體。所述象素電極35，其一部分開口。而且，在所述象素電極35上，形成用有機材料構(gòu)成的發(fā)光膜LF，包括該象素電極35的開口位置。所述發(fā)光膜LF，在本實施方式中，是采用墨水噴射方式，將有機材料噴射到所定的、用第1及第2存儲體36、37包圍的位置上后形成的發(fā)光膜。
而且，在制造了結(jié)構(gòu)如上所述的顯示屏部12后，用激光之類的方法，將與4個發(fā)光膜LF中不發(fā)揮其光學性功能的發(fā)光膜LF的象素電極35連接的布線F切斷。這樣，驅(qū)動電流Iel就不供給該發(fā)光膜LF。結(jié)果就能使發(fā)揮光學功能的其它發(fā)光膜LF起作用，所以就能實質(zhì)不使用經(jīng)常顯示黑色的發(fā)光膜LF。能該抑制有機EL顯示器10的顯示等級的下降。
綜上所述，即使有機EL元件OLED存在制造偏差，也能提供能夠精確控制的有機EL顯示器10。
此外，本實施方式中的驅(qū)動晶體管Qd，分別對應(yīng)于專利要求范圍所記述的有源元件或控制用元件。另外，本實施方式中的有機EL元件OLED，分別對應(yīng)于專利要求范圍所記述的電子元件或電光學元件。還有，本實施方式中的有機EL元件OLED的陽極D1及陰極D2，分別對應(yīng)于專利要求范圍所記述的第1端子及第2端子。
另外，本實施方式中的數(shù)據(jù)信號Idata、數(shù)據(jù)線X1～Xm及象素20，分別對應(yīng)于專利要求范圍所記述的電信號、信號線及電子電路、單位電路或單位象素。
下面，利用圖5，講述采用如此結(jié)構(gòu)的有機EL顯示器10的驅(qū)動方法。
圖5是為了講述有機EL顯示器10的驅(qū)動方法而繪制的時間圖。
首先，掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述控制電路11輸出的掃描驅(qū)動信號SK，選擇掃描線Y1。然后，由所述掃描線驅(qū)動電路13，輸出H級的掃描信號SC1。于是，所述第1及第2開關(guān)Qsw1、Qsw2同時成為ON狀態(tài)。與此同時，各數(shù)據(jù)信號Idata，通過所述數(shù)據(jù)線X1～Xm，被供給各自的所述保持電容器Co。這樣，所述各保持電容器Co，分別積蓄與所述數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的電荷。就是說，向被選擇的掃描線Y1上的各象素20寫入數(shù)據(jù)。
另外，這時，所述掃描線驅(qū)動電路13，輸出L級的時間信號SY1。這樣，掃描線Y1上的各象素20的開始晶體管Qst成為OFF狀態(tài)。所以，不供給有機EL元件OLED驅(qū)動電流Iel，該有機EL元件OLED仍不發(fā)光。
其后，在由所述掃描線驅(qū)動電路13，供給L級的掃描信號SC1的同時，還輸出H級的時間信號SY1。于是，所述開始晶體管Qst成為ON狀態(tài)，各有機EL元件OLED和所述驅(qū)動晶體管Qd，通過布線F，成為電連接的狀態(tài)。其結(jié)果，流入所述驅(qū)動晶體管Qd的電流，被作為驅(qū)動電流Iel，供給所述各有機EL元件OLED。該有機EL元件OLED，按照流入驅(qū)動晶體管Qd的電流的電流水平發(fā)光。
接著，所述掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述掃描驅(qū)動信號SK，選擇下一個掃描線Y2，如前所述，依次向被選擇的掃描線Y2上的象素電路20，供給掃描信號SC2及時間信號SY2。于是，與掃描線Y2連接的象素20的有機EL元件OLED，按照流入驅(qū)動晶體管Qd的電流的電流水平發(fā)光。然后，如前所述，所述掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述掃描驅(qū)動信號SK，依次選擇掃描線，向與被選擇的掃描線連接的象素電路20，供給掃描信號SC1～SCn及時間信號SY1～SYn。其結(jié)果，有機EL元件OLED，就依次按照流入驅(qū)動晶體管Qd的電流的電流水平發(fā)光。這樣，選擇最后的掃描線Yn，按照數(shù)據(jù)信號Idata發(fā)光后，1幀的象素，就在顯示屏部12上顯示完畢。
再接著，在1幀期間終了后，所述掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述掃描驅(qū)動信號SK，選擇掃描線Y1，由所述掃描線驅(qū)動電路13，通過所述信號線LS1，向各象素20供給L級的時間信號SY1。這樣，掃描線Y1上的各象素20的開始晶體管Qst全部成為OFF狀態(tài)，掃描線Y1上的各象素20的有機EL元件OLED停止發(fā)光。其結(jié)果，掃描線Y1上的有機EL元件OLED的發(fā)光期間結(jié)束。
另外，在由掃描線驅(qū)動電路13，供給L級的時間信號SY1的同時，還由所述掃描線驅(qū)動電路13，通過所述掃描線Y1，向各象素20供給H級的掃描信號SC1。于是，掃描線Y1上的象素20的第1及第2開關(guān)Qsw1、Qsw2，成為ON狀態(tài)，再次寫入數(shù)據(jù)。
這樣，1幀期間結(jié)束后，所述掃描線驅(qū)動電路13，按照所述掃描驅(qū)動信號SK，依次選擇掃描線Y1～Yn，進行如上所述的動作，顯示圖象。
綜上所述，所述掃描線驅(qū)動電路13，按照所述掃描驅(qū)動信號SK，依次選擇掃描線Y1～Yn，依次向與被選擇的那根掃描線連接的象素20輸出掃描信號及時間信號。另外，向與被選擇的那根掃描線連接的象素20供給數(shù)據(jù)信號Idata，寫入數(shù)據(jù)。這樣，就能在所述顯示屏部12上顯示希望的圖象。
采用所述實施方式的象素及有機EL顯示器后，可以獲得如下優(yōu)點。
(1)、在所述實施方式中，在被顯示屏部12配置的象素20的除了略為中央的部位之外的環(huán)狀的形成區(qū)域，形成電路形成區(qū)域。另外，在該略為中央的部位，形成發(fā)光區(qū)域。而且，在所述電路形成區(qū)域ZC，形成一個驅(qū)動電路KC的同時，還在所述發(fā)光區(qū)域ZL，形成4個有機EL元件OLED。另外，還用布線F，將所述驅(qū)動電路KC和各有機EL元件OLED并聯(lián)。所以，即使由于有機EL元件OLED的制造偏差，各有機EL元件OLED的輸入阻抗大小不一時，也能使流入輸入阻抗低的有機EL元件OLED的驅(qū)動電流和流入輸入阻抗高的有機EL元件OLED的驅(qū)動電流相同。其結(jié)果，在4個有機EL元件OLED整體上流過的驅(qū)動電流Iel被平均化，所以能在每個象素20中抑制輸入阻抗的偏差引起的發(fā)光不勻。這樣，即使存在有機EL元件OLED的制造偏差，也能提供能夠精確控制圖象20的發(fā)光的有機EL顯示器10。
(2)、在所述實施方式中，4個有機EL元件OLED中，如果有1個有機EL元件OLED不良時，就將連接該有機EL元件OLED和驅(qū)動電路KC的布線F切斷。其結(jié)果，4個有機EL元件OLED中即使有3個有機EL元件OLED由于制造不良而經(jīng)常不發(fā)光時，也能使剩下的那1個有機EL元件OLED發(fā)光。所以，與具有現(xiàn)有技術(shù)的的象素對1個驅(qū)動電路KC形成1個有機EL元件OLED的顯示器相比，即使由于有機EL元件OLED的連接不良而被供給數(shù)據(jù)信號Idata，也能抑制經(jīng)常顯示黑色的有問題的象素的發(fā)生。所以，即使由于有機EL元件OLED的制造不良，而經(jīng)常不發(fā)光，也由于剩下的那個有機EL元件OFFD發(fā)光，所以能抑制有機EL元件OFFD的發(fā)光不勻。
(3)、在所述實施方式中，在一個象素20中，例如1個發(fā)光膜LF的膜厚比其它發(fā)光膜的膜厚顯著厚或顯著薄時，可以利用激光之類的方法，切斷與該發(fā)光膜LF的象素電極35連接的布線F。而且不向該發(fā)光膜LF供給驅(qū)動電流Iel。
所以，能使發(fā)光的發(fā)光膜LF的膜厚均勻。其結(jié)果，就能使各有機EL元件OFFD的輸入阻抗相等。
(第2實施方式)下面，利用圖6，講述將本發(fā)明具體化的第2實施方式。在第2實施方式中，對與上述第1實施方式相同的部件，賦予相同的符號，并且不再贅述。
圖6是在有機EL顯示器10的顯示屏部12中配置的象素30的電路圖。
本實施方式中的象素30的電路形成區(qū)域ZC及發(fā)光區(qū)域ZL，并不局限于所述第1實施方式中的象素20的電路形成區(qū)域ZC及發(fā)光區(qū)域ZL的形成位置，可以在任意的位置上設(shè)定。
此外，本實施方式中的各象素30的電路結(jié)構(gòu)，和所述第1實施方式中的完全相同，所以為了便于敘述，只講述配置在與第n根掃描線Yn和第m根數(shù)據(jù)線Xm的交差部位對應(yīng)的位置上的象素30。
本實施方式中的驅(qū)動電路KC，包括第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，開始晶體管Qst，以及保持電容器Co。第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2，是分別作為供給電流的電流源而發(fā)揮作用的晶體管。另外，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，以及開始晶體管Qst，是分別作為開關(guān)元件而發(fā)揮作用的晶體管。
所述第2驅(qū)動晶體管Qd2的放大系數(shù)，與第1驅(qū)動晶體管Qd1的放大系數(shù)相等，所以，流入第2驅(qū)動晶體管Qd2的源極/漏極間的電流的電流水平，與流入第1驅(qū)動晶體管Qd1的源極/漏極間的電流的電流水平相等。
此外，所述第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的導電型，在本實施方式中，分別是p型。另外，所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，和開始晶體管Qst的導電型，在本實施方式中，分別是n型。另外，所述第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2，第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2，和開始晶體管Qst，通常分別由TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成。
所述第1驅(qū)動晶體管Qd1，其漏極與第1開關(guān)晶體管Qsw1的漏極連接。第1開關(guān)晶體管Qsw1的源極與數(shù)據(jù)線Xm連接。
在所述第1驅(qū)動晶體管Qd1的漏極/柵極之間，連接著第2開關(guān)晶體管Qsw2。第2開關(guān)晶體管Qsw2的柵極，在與所述第1開關(guān)晶體管Qsw1的柵極連接的同時，還與掃描線Yn連接。所以，所述第1晶體管Qsw1及所述第2開關(guān)晶體管Qsw2，通過掃描線Yn，按照所述掃描線驅(qū)動電路13輸出的掃描信號SCn，被同時控制成ON·OFF狀態(tài)。
另外，所述第1驅(qū)動晶體管Qd1的源極，與所述電源線VLm連接，被供給驅(qū)動電源Voel。所述第1驅(qū)動晶體管Qd1的柵極，與保持電容器Co的第1連接端子E1連接，該保持電容器Co的第2連接端子E2，與該第1驅(qū)動晶體管Qd1的源極連接。所述保持電容器Co，積蓄與所述數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平對應(yīng)的電荷。
另外，所述第1驅(qū)動晶體管Qd1的漏極，與開始晶體管Qst的漏極連接。開始晶體管Qst的源極，通過布線F，與有機EL元件OLED連接。開始晶體管Qst的柵極，與所述信號線LSn連接。這樣，開始晶體管Qst，通過所述信號線LSn，按照掃描線驅(qū)動電路13供給的時間信號SYn，受到ON·OFF控制。
采用這種結(jié)構(gòu)的所述第1驅(qū)動晶體管Qd1，與同該第1驅(qū)動晶體管Qd1并聯(lián)的第2驅(qū)動晶體管Qd2連接。
詳細地說，第1驅(qū)動晶體管Qd1的源極與第2驅(qū)動晶體管Qd2的源極連接。另外，第1驅(qū)動晶體管Qd1的柵極與第2驅(qū)動晶體管Qd2的柵極連接。進而，第1驅(qū)動晶體管Qd1的漏極，與第2驅(qū)動晶體管Qd2的漏極連接。就是說，所述保持電容器Co的第1連接端子E1，與第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2各自的源極連接的同時，第2連接端子E2，還與第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2各自的柵極連接。
在采用這種結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路KC中，通過掃描線Yn，由所述掃描線驅(qū)動電路13輸出H級的掃描信號SCn。于是，所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2都成為ON狀態(tài)。其結(jié)果，通過數(shù)據(jù)線Xm，數(shù)據(jù)信號Idata被供給象素30。然后，與所述數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的電荷，被保持電容器Co積蓄。
這時，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2都正常驅(qū)動時，如前所述，第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的各源極/漏極間，流入互相相同的電流水平的電流。所以，在所述第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的各源極/漏極間，流入成為所述數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平的1/2倍的電流。
其結(jié)果，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2都正常動作時的所述保持電容器Co中，積蓄相當于數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平的1/2倍電荷。
另外，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中只有某一個正常驅(qū)動時，就利用激光將另一個第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2電氣性地切斷。這樣一來，就能只向正常驅(qū)動的第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的各源極/漏極間供給數(shù)據(jù)信號Idata。
其結(jié)果，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2只有某一個正常動作時，所述保持電容器Co中，積蓄相當于數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平的電荷。
另外，在所述保持電容器Co積蓄電荷的狀態(tài)下，由所述掃描線驅(qū)動電路13通過掃描線Yn，輸出使所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2都成為OFF狀態(tài)的掃描信號SCn。
于是，所述第1及第2開關(guān)晶體管Qsw1、Qsw2都成為OFF狀態(tài)。
其結(jié)果，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2都正常驅(qū)動時，在各第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的源極/漏極之間，流過與所述保持電容器Co蓄積的電荷相應(yīng)的驅(qū)動電流Iel。這時，流過各第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的源極/漏極之間的驅(qū)動電流Iel的電流水平，是與數(shù)據(jù)信號Idata的1/2倍的電流水平對應(yīng)的值。
另外，在第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中只有某一個正常動作時，就成為與所述保持電容器Co蓄積的電荷相應(yīng)的驅(qū)動電流Iel，流入該正常驅(qū)動的第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的源極/漏極之間的狀態(tài)。這時，流過正常驅(qū)動的第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2的源極/漏極之間的驅(qū)動電流Iel的電流水平，是與數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平對應(yīng)的值。
在這種狀態(tài)下由所述掃描線驅(qū)動電路13，通過信號線LSn，供給使開始晶體管Qst成為ON狀態(tài)的時間信號SYn后，該開始晶體管Qst成為ON狀態(tài)。
其結(jié)果，在各第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2都正常驅(qū)動時，所述開始晶體管Qst被供給流入其各源極/漏極間的驅(qū)動電流Iel的總和。就是說，供給開始晶體管Qst的驅(qū)動電流Iel的電流水平，是與數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平對應(yīng)的值。
另外，在各第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2只有某一個正常動作時，所述開始晶體管Qst被供給流入正常動作的第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中的某一個的源極/漏極間的驅(qū)動電流Iel。就是說，供給開始晶體管Qst的驅(qū)動電流Iel的電流水平，是與數(shù)據(jù)信號Idata的電流水平對應(yīng)的值。
而且，所述驅(qū)動電流Iel，通過所述布線F，供給有機EL元件OLED的陽極。該有機EL元件OLED，按照驅(qū)動電流Iel的電流水平發(fā)光。
就是說，在本實施方式中的驅(qū)動電流KC，即使所述第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中的某一個不驅(qū)動，也能使有機EL元件OLED，按照驅(qū)動電流Iel的電流水平發(fā)光。
在具有這種結(jié)構(gòu)的象素30的有機EL顯示器10中，也和第1實施方式一樣，所述掃描線驅(qū)動電路13，根據(jù)所述掃描驅(qū)動信號SK，依次選擇掃描線Y1～Yn，依次向與被選擇的掃描線連接的象素20輸出掃描信號及時間信號。另外，向與被選擇的掃描線連接的象素20供給數(shù)據(jù)信號Idata，寫入數(shù)據(jù)。這樣，就能在所述顯示器部12上顯示所需的圖象。
采用所述實施方式的象素及有機EL顯示器后，可以獲得如下特點(1)、在所述實施方式中，與構(gòu)成各象素30的第1驅(qū)動晶體管Qd1并聯(lián)，連接具有與該第1驅(qū)動晶體管Qd1的放大系數(shù)相等的放大系數(shù)的第2驅(qū)動晶體管Qd2。然后，在第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中某一個不正常動作時，用激光將該不正常動作的第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2從驅(qū)動電路KC中切斷。其結(jié)果，即使所述第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2中某一個不正常動作，也能使有機EL元件OLED按照驅(qū)動電流Iel的電流水平發(fā)光。
(第3實施方式)下面，利用圖7，講述作為在第1及第2實施方式中講述過的電光學裝置的有機EL顯示器10的應(yīng)用示例。有機EL顯示器10，可以在移動型手提式電腦、手機、數(shù)碼相機等各種電子機器中使用。
圖7是表示移動型手提式電腦的結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖7中，手提式電腦50包括具有鍵盤51的本體部52，使用所述有機EL顯示器10的顯示組件53。
在這種情況下，使用所述有機EL顯示器10的顯示組件53，也能發(fā)揮與所述第1或第2實施方式相同的效果。其結(jié)果，就能提供具有即使存在制造偏差也能精確控制的有機EL顯示器10的移動型手提式電腦50。
此外，發(fā)明的實施方式，并不局限于上述實施方式，還可以采用如下方式實施。
○在上述第1實施方式中，形成多個(4個有機EL元件OLED)作為電子元件或電光學元件的有機EL元件；第2實施方式中，形成多個(2個驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2)作為晶體管的驅(qū)動晶體管。但是也可以在形成多個有機EL元件OLED的同時，再一并形成多個驅(qū)動晶體管的電子電路、電子裝置或電化學裝置中應(yīng)用它。這時，可以兼有第1及第2實施方式兩者的優(yōu)點。
○在上述第1實施方式中，象素20的電路形成區(qū)域ZC，是除了略為中央部位之外的環(huán)狀的形成區(qū)域；發(fā)光區(qū)域ZL，是在所述略為中央部位中形成的形成區(qū)域。而且在所述電路形成區(qū)域ZC形成驅(qū)動電路KC的同時，還在所述發(fā)光區(qū)域ZL形成多個有機EL元件OLED。
如圖8所示，將象素20的略為中央的部位作為電路形成區(qū)域ZC，將包圍該略為中央的部位的環(huán)狀的形成區(qū)域作為發(fā)光區(qū)域ZL。而且，在所述電路形成區(qū)域ZC形成驅(qū)動電路KC。另外，還可以在所述發(fā)光區(qū)域ZL的上下左右的方向，分別形成有機EL元件OLED。圖9示出包含這種象素20的顯示屏部12的剖面結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。圖9所示的局部剖面圖，是形成開始晶體管Qst和通過布線F與該開始晶體管Qst連接的2個有機EL元件OLED、與沿著圖8中的B-B剖線所形成的剖面對應(yīng)的狀況。如圖9所示，在電路形成區(qū)域ZC的元件形成層DZ中形成驅(qū)動電路KC，包圍著該電路形成區(qū)域ZC，形成發(fā)光區(qū)域ZL。通過形成具有發(fā)光膜LF的發(fā)光區(qū)域ZL，可以使電路形成區(qū)域ZC不發(fā)光的情況不引人注目。
○在上述第1實施方式中，數(shù)據(jù)信號Idata是電流，使驅(qū)動晶體管Qd控制與該數(shù)據(jù)信號Idata對應(yīng)的電流水平的驅(qū)動電流Iel。也可以使用由電壓構(gòu)成的數(shù)據(jù)信號，使驅(qū)動晶體管Qd控制與該數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電流水平的驅(qū)動電流Iel。這樣一來，也能獲得和上述實施方式相同的效果。
○在上述第1實施方式中，在發(fā)光區(qū)域ZL形成4個有機EL元件OLED。但并不局限于此，也可以是2個以上有機EL元件OLED。
○在上述第1及第2實施方式中，將本發(fā)明在從元件基板T的背面顯示圖象的所謂“后發(fā)射型”的有機EL顯示器中采用。但并不局限于此。也可以在上端發(fā)射型的有機EL顯示器中采用。這樣一來，就能使開口率只提高各象素20、30的電路形成區(qū)域ZC的大小。
○在上述第2實施方式中，第1及第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2，分別用一個晶體管構(gòu)成。但也可以設(shè)置成多個單元晶體管，將該單元晶體管串聯(lián)或并聯(lián)，構(gòu)成第1或第2驅(qū)動晶體管Qd1、Qd2。
○在上述第1及第2實施方式中，是設(shè)置著由1色構(gòu)成的有機EL元件OLED的象素20、30的有機EL顯示器10。但也可以在對紅色、綠色及蘭色等3色的有機EL元件OLED設(shè)置著各色用的象素20、30的有機EL顯示器中采用。
○在上述第1及第2實施方式中，在象素20、30中采用后獲得了良好的效果。但也可以在有機EL元件OLED以外，例如驅(qū)動LED及FED等發(fā)光元件之類的電流驅(qū)動元件的電子電路中采用。還可以在RAM(尤其是MRAM)的記憶裝置中采用。
○在上述第1及第2實施方式中，作為電流驅(qū)動元件，是在有機EL元件OLED中采用。但也可以在無機EL元件中采用。就是說，可以應(yīng)用于由無機EL元件構(gòu)成的無機EL顯示器。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，是在對應(yīng)多個第1信號線與多個第2信號線的交差部位具有多個單位電路的電子裝置，其特征在于所述多個單位電路的每一個具備具有第1端子和第2端子，由施加在所述第1端子的驅(qū)動電壓或流入所述第1端子與所述第2端子之間的驅(qū)動電流所驅(qū)動的電子元件；和控制所述驅(qū)動電壓或所述驅(qū)動電流的有源元件，所述多個單位電路，包含至少包含2個以上的所述電子元件及所述有源元件中的某一個的單位電路。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于還包含多個電源線，所述有源元件，電連接在所述電子元件與所述多個電源線中對應(yīng)的一個電源線之間。
3.一種電光學裝置，是對應(yīng)多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線的交差部位，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，其特征在于所述多個象素電路的每一個具備具有第1端子和第2端子，由施加在所述第1端子的驅(qū)動電壓或流入所述第1端子與所述第2端子之間的驅(qū)動電流所驅(qū)動的電光學元件；和控制所述驅(qū)動電壓或所述驅(qū)動電流的有源元件，所述多個象素電路，包括至少包含2個以上的所述電光學元件及所述有源元件中的某一個的象素電路。
4.一種電光學裝置，是對應(yīng)多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線的交差部位，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，其特征在于所述多個單位象素的每一個都包含多個電光學元件；和控制供給到所述電光學元件的驅(qū)動電壓或驅(qū)動電流的控制用電子元件，所述多個單位象素，包含與所述電光學元件電性斷開的所述控制用電子元件。
5.如權(quán)利要求3或4所述的電光學裝置，其特征在于所述多個電光學元件的每一個，都是EL元件。
6.如權(quán)利要求5所述的電光學裝置，其特征在于所述EL元件，是有機EL元件。
7.一種電光學裝置，是對應(yīng)多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線的交差部位，設(shè)置多個單位象素的電光學裝置，其特征在于所述多個單位象素的每一個都包含多個配置有電光學材料的電光學材料配置區(qū)域，所述多個單位象素，包含含有所述多個電光學材料配置區(qū)域中的所述電光學材料不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域的單位象素。
8.如權(quán)利要求7所述的電光學裝置，其特征在于所述電光學材料，是有機材料。
9.一種元件基板，其特征在于在透明基板上具有用于形成多個構(gòu)成光學特性或電特性隨著供給到第1端子與第2端子之間的電壓水平或供給到所述第1端子與所述第2端子之間的電流水平而變化的一個電子電路的電子元件的元件形成區(qū)域；和形成包含構(gòu)成將與電信號對應(yīng)的所述電壓水平或所述電流水平供給到所述各電子元件的第1端子的所述電子電路的晶體管的驅(qū)動電路的電路形成區(qū)域，配置在所述元件形成區(qū)域的中央部位，在該元件形成區(qū)域的周圍配置所述電路形成區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的元件基板，其特征在于在所述元件形成區(qū)域，形成有電子元件。
11.一種電光學裝置的制造方法，在與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交差部位對應(yīng)設(shè)置多個單位象素，所述多個單位象素的每一個都具有配置有電光學材料的電光學材料配置區(qū)域，和控制所述電光學材料配置區(qū)域的功能的多個有源元件，其特征在于包含將所述多個電光學材料配置區(qū)域中的不發(fā)揮作用的電光學材料配置區(qū)域與所述有源元件之間的電連接切斷的工序。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電光學裝置的制造方法，其特征在于將所述電光學材料配置區(qū)域與所述有源元件之間的電連接的切斷，采用激光進行。
13.一種電子機器，其特征在于安裝著權(quán)利要求1或2所述的電子裝置。
14.一種電子機器，其特征在于安裝著權(quán)利要求3～8中的某一項所述的電光學裝置。
15.一種電子機器，其特征在于安裝著權(quán)利要求9或10所述的元件基板。
16.一種電子機器，其特征在于采用權(quán)利要求11或12所述的電光學裝置的制造方法制造而成。
全文摘要
本發(fā)明提供即使存在制造偏差，也能精確控制的電子電路、元件基板、電子裝置、電光學裝置及電子機器。在除了顯示屏部配置的象素(20)的略為中央的部位之外的環(huán)狀的形成區(qū)域，形成電路形成區(qū)域(ZC)。另外，在該略為中央的部位形成發(fā)光區(qū)域(ZL)。而且，在所述電路形成區(qū)域(ZC)形成1個驅(qū)動電路(KC)的同時，還在所述發(fā)光區(qū)域(ZL)形成4個有機EL元件(OLED)。另外，用布線(F)，將所述驅(qū)動電路(KC)和各有機EL元件(OLED)并聯(lián)。
文檔編號G09G3/20GK1534555SQ20041003178
公開日2004年10月6日 申請日期2004年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月31日
發(fā)明者城宏明 申請人:精工愛普生株式會社