專利名稱：發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及電子機器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及例如以液晶裝置、有機EL(Electro-Luminescence)裝置、無機EL裝置為代表的發(fā)光裝置、該發(fā)光裝置的制造方法及搭載了該發(fā)光裝置的電子機器。
背景技術：
一直以來，在有機電致發(fā)光(以下簡稱為有機EL)裝置等發(fā)光裝置中，有具有如下構成的裝置，即，在基板上層疊多個電路元件、陽極、空穴注入層、由EL物質等電光學物質形成的發(fā)光層及陰極等，通過利用密封基板夾隔在與基板之間而將它們密封。具體來說，在玻璃基板等透明基板上，依次層疊了由銦錫氧化物(ITOIndium Tin Oxide)、氧化錫(SnO2)等透明導電材料制成的陽極、由聚噻吩衍生物(以下簡稱為PEDOT)的摻雜體形成的空穴注入層、由聚芴等發(fā)光物質形成的發(fā)光層、由具有Ca等低功函數的金屬材料或金屬化合物形成的陰極。
此種有機EL裝置中，利用從陽極側注入的空穴、從陰極側注入的電子在具有熒光能的發(fā)光層內復合并從激發(fā)狀態(tài)失活時發(fā)光的現象。
另外，作為將發(fā)出的光向觀察者側取出的構造，例如已知有被稱為底發(fā)射的構造，該構造從形成了電路元件的基板側將發(fā)出的光取出(例如參照專利文獻1。)。另外，近年來，對于有機EL裝置的大型化、高精細化、高亮度化的要求不斷提高，有利于實現發(fā)光元件的高開口率化、高效率化的頂發(fā)射型的有機EL裝置的研究開放正在積極地進行之中(例如參照專利文獻2。)。
美國專利第4356429號說明書[專利文獻2]國際公開第WO98/36407號文本頂發(fā)射型的有機EL裝置中，有必要使光取出側的上部電極透明，所述專利文獻1中所述的構成中，在上部電極中使用ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)膜或薄的Al膜和ITO膜的疊層膜。但是，當采用該構成時，以ITO為代表的透明導電膜與以Al為代表的金屬膜相比，由于電阻更高，因此會因由透明導電膜自身的電阻引起的電壓下降而產生發(fā)光元件的亮度不均。
另外，當形成至少以Al為代表的金屬膜制成的上部電極時，無法獲得足夠的透明性，從而會有光取出效率降低的問題。
另外，是頂發(fā)射構造的大部分使電極透明的技術，會有無法獲得足夠的透明度的問題，或即使獲得透明度也會有可靠性差等問題。另外，以往的有機EL裝置中，由于將發(fā)光層內產生的光直接向外部取出，因此有20％左右無法取出的問題。
另外，當在包含Li、Na等堿金屬或Be、Mg、Ca等堿土金屬的功函數低的電子注入層上層疊由ITO等金屬氧化物構成的透明導電材料時，會有電子注入層容易損傷的問題。
另一方面，底發(fā)射型的有機EL裝置中，由于各種配線被配置在遮擋發(fā)出光的位置上，因此有此種配線使發(fā)出光的取出效率降低的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于所述的問題而提出的，其目的在于，提供可以達成發(fā)出光的取出效率的提高，并且還具有在顯示面內能夠獲得均一的顯示亮度的高可靠性，即使在實施大畫面化的情況下，也可以抑制由各種配線構造引起的發(fā)出光的取出效率的降低的發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及電子機器。
本發(fā)明為了解決所述問題，提供具備在基體上依次層疊第1電極、含有發(fā)光層的功能層、第2電極而形成的發(fā)光元件的發(fā)光裝置，其特征是，所述第1電極及第2電極具有光反射性，所述第2電極具有透過來自發(fā)光層的光的開口部。
本發(fā)明中，所謂發(fā)光裝置是包含將電能轉換為光能而產生發(fā)光現象的裝置的總稱。
另外，本發(fā)明的所謂開口部是指，來自發(fā)光層的光透過的部位，意味著未形成電極的部分或電極上形成的孔部分。另外，在層疊具有透明性的電極和非透明性的電極的情況下，在該非透明性的電極上所形成的孔部分中，由于光經過具有透明性的電極而透過，因此該孔部分也具有作為開口部的意思。
根據本發(fā)明，使通過向由所述第1電極和第2電極夾持的功能層供給電能而在發(fā)光層中產生的光，在第1電極和第2電極之間反射的同時，向功能層的面方向傳播，從而可以利用第2電極的開口部向功能層的外側取出。
另外，本發(fā)明中，在作為第2電極不使用由金屬氧化物制成的透明導電材料的情況下，由于可以使用包含Li、Na等堿金屬或Be、Mg、Ca等堿土金屬的功函數低的材料作為電子注入層，因此可以效率優(yōu)良地將電子注入發(fā)光層，從而可以提高來自發(fā)光元件的光的亮度。
另外，本發(fā)光裝置中，由于在發(fā)光層中產生的光不透過透明導電膜地被射出，因此產生的光基本上不會衰減，被高效率地取出，從而可以實現明亮的顯示。
另外，本發(fā)明中，由于第2電極可以使用具有光反射性、可靠性優(yōu)良、電阻低的金屬膜，因此可以減少由第2電極自身的電阻引起的電壓下降所造成的發(fā)光元件的亮度不均。另外，與電極由透明導電材料形成的以往的發(fā)光裝置相比，可以獲得更高的可靠性。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述第1電極在所述第2電極的非形成區(qū)域中，最好具有相對于基體面傾斜的傾斜面部。
這樣，在作為將在所述功能層內部傳播的光向外部取出的區(qū)域的第2電極的非形成區(qū)域，就可以將較多的光向發(fā)光裝置的正面?zhèn)?基體的大約法線方向)取出。
即，可以提供在觀察者方向可以獲得高亮度的顯示的發(fā)光裝置。另外，所述傾斜面部的傾斜角度最好設為與所述基體面成大約45°。這樣，就可以將在功能層內部傳播而從所述傾斜面部反射的光向基體法線方向射出，從而可以在發(fā)光裝置正面獲得最亮的顯示。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，最好設有圍繞所述發(fā)光元件的隔壁，所述第1電極被延伸設置至所述隔壁的內壁面。
這樣，被延伸設置于所述隔壁的內壁面的第1電極就被配置為在所述內壁面處從電極面上立起。這樣，由于在功能層內部傳播的光被第1電極的立起的部分反射，因此就被以高指向性向裝置正面?zhèn)热〕?，由此在觀察者方向就會獲得高亮度的顯示。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，也可以采用如下的構成，即，還具有將由所述隔壁包圍的區(qū)域平面地劃分的內部隔壁，所述第1電極被延伸設置于所述內部隔壁的內壁面。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，由于將在第1電極和第2電極被相對向配置的區(qū)域中產生的光向功能層的面方向傳播，并且在第2電極的非形成區(qū)域中向外部取出，因此當功能層內部的傳播距離變長時，雖然較少，但是衰減量會變多，從而有效率降低的可能。所以，通過像本發(fā)明那樣利用內部隔壁劃分發(fā)光元件，就可以縮小所述兩電極的相對區(qū)域(發(fā)光區(qū)域)，從而可以減小功能層內部的衰減量。另外，由于第1電極被形成至內部隔壁的內壁面，因此利用該形成于內壁面上的第1電極，就可以沿特定方向高效率地取出光。本發(fā)明尤其適用于發(fā)光元件的平面面積較大的大畫面的發(fā)光裝置。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述隔壁或內部隔壁的內壁面最好相對于所述基體面具有大約45°的傾斜角度。
這樣，就可以將形成于所述內壁面上的第1電極的傾斜角度設為大約45°，從而可以將在功能層內部傳播的光向發(fā)光裝置的正面方向高效率地射出。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，最好在所述第2電極的外面?zhèn)仍O置防止反射機構。
這樣，就可以防止由配置于發(fā)光裝置的顯示面上的第2電極反射外來光，由此可以提供識認性優(yōu)良的發(fā)光裝置。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述第2陰極最好由具有透光性的透明性導電膜、輔助該透明性導電膜的導電性的輔助電極構成，在所述輔助電極上最好形成有使來自所述發(fā)光層的光透過的所述開口部。
這里，透明性導電膜最好形成于功能層的全面。另外，在該透明性導電膜的表面最好形成有輔助電極。另外，輔助電極最好具有光反射性。
此種發(fā)光裝置中，當向由所述第1電極和所述第2陰極夾持的功能層供給電能時，電能就被向透明性導電膜和第1電極之間供給，同時，輔助電極輔助透明性導電膜的導電性，向功能層供給電能。此外，在像這樣供給電能的發(fā)光層中，可以產生發(fā)出光，并且，可以在第1電極和輔助電極之間多次反射發(fā)出光的同時，使該發(fā)出光在功能層及透明性導電膜中向面方向傳播，從而可以在輔助電極的開口部向功能層的外側取出。即，本發(fā)光裝置中，由于輔助電極提高了透明性導電膜的導電性，因此可以有效地向功能層供給電能，從而可以高效率地取出發(fā)出的光，實現明亮的顯示。另外，由于在功能層的全面形成有透明性導電膜，因此，與在功能層的一部分接觸形成電極的情況相比，可以增加與功能層的接觸面積。這樣，與在功能層的一部分上形成電極的情況相比，可以增加發(fā)光面積。
所以，如上所述，由于通過輔助電極輔助透明性導電膜的導電性，可以提高導電性，并且，可以增加發(fā)光面積，因此可以實現進一步的發(fā)光效率的提高。
另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置是在基板上設有一對相對向的電極和被夾持在這些電極間的包含發(fā)光層的功能層的發(fā)光裝置，其特征是，在所述基板和所述發(fā)光層之間設有遮擋所述基板的顯示區(qū)域的配線，在該配線上的所述發(fā)光層一側形成具有光反射性的反射面，在所述配線的側部形成有所述發(fā)光層的發(fā)出光通過的開口部。
這里，所謂配線是指，TFT等開關元件的配線、向發(fā)光層供給電流的電源線、保持特定的電位的電容線等各種配線。
此種發(fā)光裝置中，在發(fā)光層發(fā)光時，有發(fā)出光直接從開口部向基板外部射出的情況和發(fā)出光與配線沖突的情況。這里，由于在配線上形成有反射面，因此發(fā)出光就被配線的反射面或電極反射而從開口部射出，或經過多次反射沿發(fā)光層的水平方向傳播后從開口部射出。
所以，即使在配線被按照遮擋顯示區(qū)域的方式形成的情況下，由于使之反射發(fā)出光而從開口部射出，因此可以實現發(fā)出光的取出效率的提高。另外，在實施發(fā)光裝置的大畫面化的情況下，雖然為了實現配線電阻的低電阻化，其線寬變粗，遮擋顯示區(qū)域，從而有可能導致發(fā)出光的取出效率的降低，但是，通過采用所述構成，可以抑制發(fā)出光的取出效率的降低。所以，由于配線構造或配線圖案的自由度增大，因此就可以使TFT配線或電源線位于所需的位置，從而可以容易地實施大畫面化。
另外，由于發(fā)出光從形成于配線的側部的開口部射出，因此例如通過將該配線制成所需的圖案，就可以使發(fā)出光從所需的開口部射出。另外，在因發(fā)光層或電極的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地取出發(fā)出光，通過積極地調整配線的圖案，將開口部形成于所需的位置上，就可以進一步提高發(fā)出光的取出效率。
而且，所述構成在從設置了TFT或各種配線的基板側取出發(fā)出光的所謂底發(fā)射構造中，特別有效。
另外，所述發(fā)光裝置中，以在所述發(fā)光層上，形成多條分支的所述配線為特征。
通過像這樣將配線分支為多條，就形成多條分支配線，在這些分支配線之間，形成多個開口部。所以，就可以使發(fā)出光從與分支配線相鄰的開口部射出。這里，通過將這些分支配線制成所需的圖案，就可以使發(fā)出光從所需的開口部射出。另外，在由發(fā)光層或電極的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地的取出發(fā)出光，通過積極地將配線分支而在所需的位置上形成開口部，就可以進一步提高發(fā)出光的取出效率。另外，由于可以避免多次反射，因此就可以抑制由這些多次反射引起的發(fā)出光的衰減。
另外，所述發(fā)光裝置中，以所述反射面具有使發(fā)出光散射的光散射性為特征。
像這樣，由于反射面具有光散射性，因此就可以使與反射面沖突的發(fā)出光散射。所以，就可以防止發(fā)出光的反射方向的偏離。
另外，這里所說的光散射性最好不使發(fā)出光在發(fā)光層側反射。這樣，由于可以避免多次反射，因此就可以抑制由這些多次反射引起的發(fā)出光的衰減。
另外，所示發(fā)光裝置中，以夾持所述發(fā)光層的所述電極的一方具有光反射性為特征。
這里，所謂「夾持發(fā)光層的電極的一方」，優(yōu)選從發(fā)光層看位于與配線相反一側的位置上的電極。
像這樣，由于電極具有光反射性，因此就可以將從發(fā)光層朝向電極發(fā)出的發(fā)出光或被配線反射的發(fā)出光朝向配線或開口部反射。
另外，所述發(fā)光裝置中，以所述發(fā)光層在與所述配線相反一側具有凹凸面為特征。
像這樣，由于發(fā)光層具有凹凸面，因此就可以根據該凹凸面的形狀射出發(fā)出光。另外，通過按照覆蓋該凹凸面的方式設置具有所述光反射性的電極，就可以使發(fā)出光向凹凸面的法線方向射出。
另外，通過以所需的形狀形成凹凸面，就可以使發(fā)出光向所需的位置聚光，從而可以部分地增大發(fā)光強度。另外，通過使此種發(fā)出光直接從開口部射出，或經反射而射出，就可以進一步促進發(fā)出光的取出效率的提高。
另外，所述發(fā)光裝置中，以在所述凹凸面的端部，所述基板的垂直方向與該凹凸面所成的角度在30°以上50°以下為特征。
這樣，就可以良好地獲得具有所述的凹凸面的效果。
另外，所述發(fā)光裝置中，以所述凹凸面的頂部或底部與所述開口部對應為特征。
這樣，就可以良好地獲得具有所述的凹凸面的效果。
另外，所述發(fā)光裝置中，以在所述基板上，形成有具有光反射性的反射部為特征。
通過像這樣在基板上設置反射部，從開口部射出的發(fā)出光就可以可靠地向觀察者側射出。所以，就可以進一步促進所述的效果。
另外，所述發(fā)光裝置中，以在所述基板和所述配線之間，形成有光吸收層為特征。
這樣，由于防止了來自觀察者側的外來光反射，因此就可以實現對比度的提高。
本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述功能層可以采用含有有機電致發(fā)光材料的構成。即，根據本發(fā)明，可以提供將有機EL元件作為發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法是在基板上設有一對相對向的電極和被夾持在這些電極之間的包含發(fā)光層的功能層的發(fā)光裝置的制造方法，其特征是，具有在所述基板和所述發(fā)光層之間形成遮擋所述基板的顯示區(qū)域的配線的工序，這些配線在所述發(fā)光層一側具備具有光反射性的反射面。
另外，在所述配線的側部，最好形成有所述發(fā)光層的發(fā)出光所通過的開口部。
這樣，即使配線被按照遮擋顯示區(qū)域的方式形成，由于使發(fā)出光反射而從開口部射出，因此就可以實現發(fā)出光的取出效率的提高。另外，在實施發(fā)光裝置的大畫面化的情況下，雖然為了實現配線電阻的低電阻化，其線寬變粗，遮擋顯示區(qū)域，從而有導致發(fā)出光的取出效率的降低的可能，但是，通過采用所述構成，就可以抑制發(fā)出光的取出效率的降低。所以，由于配線構造或配線圖案的自由度增大，因此就可以使TFT配線或電源線位于所需的位置，從而可以容易地實現大畫面化。
另外，由于發(fā)出光從形成于配線的側部的開口部射出，因此例如通過將該配線制成所需的圖案，就可以使發(fā)出光從所需的開口部射出。另外，在因發(fā)光層或電極的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地取出發(fā)出光，通過積極地調整配線的圖案，將開口部形成于所需的位置上，就可以進一步提高發(fā)出光的取出效率。
而且，所述的制造方法在制造從設置了TFT或各種配線的基板側取出發(fā)出光的所謂底發(fā)射構造的發(fā)光裝置的情況下，特別有效。
另外，所述發(fā)光裝置的制造方法中，以還具有分隔多個所述發(fā)光層而形成隔壁的工序、利用液滴噴出法與所述隔壁相鄰地形成所述發(fā)光層的工序為特征。
另外，最好按照使隔壁的表面相對地具有親液性或疏液性的方式，實施親液處理或疏液處理。
這樣，通過使用液滴噴出法將發(fā)光層材料向隔壁附近噴出，就可以在隔壁和發(fā)光層的接觸部，利用隔壁的疏液性、基底的親液性、發(fā)光層材料的溶劑的蒸發(fā)性等各種要因，使之以所需的角度接觸。由此，就可以容易地形成所述的凹凸面。
另外，本發(fā)明的電子機器的特征是，具有先前所述的本發(fā)明的發(fā)光裝置。
這里，作為電子機器，可以列舉出例如攜帶電話、移動體信息終端、鐘表、文字處理器、個人電腦等信息處理裝置等。
所以，根據本發(fā)明，由于具有使用了先前所述的發(fā)光裝置的顯示部，因此就可以形成具備可以顯示明亮、高畫質、高可靠性、高亮度并且高對比度的圖像的顯示部的電子機器。
另外，本發(fā)明的電子機器由于可以減少發(fā)光元件的亮度不均，因此例如可以適用于具有對角線在20英寸以上的大面積的顯示部的電子機器中。


圖1是本發(fā)明的實施方式1中所示的有機EL裝置的整體俯視構成圖。
圖2是本發(fā)明的實施方式1中所示的有機EL裝置的局部剖面構成圖。
圖3是本發(fā)明的實施方式1中所示的有機EL裝置的多個發(fā)光元件俯視構成圖。
圖4是本發(fā)明的實施方式2中所示的有機EL裝置的局部剖面構成圖。
圖5是本發(fā)明的實施方式3中所示的有機EL裝置的局部剖面構成圖。
圖6是本發(fā)明的實施方式4中所示的有機EL裝置的局部剖面構成圖。
圖7是表示本發(fā)明的實施方式4中所示的有機EL裝置的要部的俯視圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施方式5中所示的有機EL裝置的配線構造的示意圖。
圖9是示意性地表示本發(fā)明的實施方式5中所示的有機EL裝置的構成的俯視圖。
圖10是本發(fā)明的實施方式5中所示的有機EL裝置的顯示區(qū)域的側剖面圖。
圖11是本發(fā)明的實施方式5中所示的有機EL裝置的發(fā)光層附近的放大剖面圖。
圖12是本發(fā)明的實施方式5中所示的有機EL裝置的電源線寬度和象素寬度的比較圖。
圖13是本發(fā)明的實施方式6中所示的有機EL裝置的顯示區(qū)域的側剖面圖。
圖14是表示具有本發(fā)明的有機EL裝置的電子機器的圖。
其中，11 元件形成層，12 基板(基體)，13 發(fā)光元件，13a 發(fā)光區(qū)域，14 陽極(第1電極)，14a 傾斜面部，15 發(fā)光層，16 空穴注入/傳輸層，17 陰極(第2電極)，17a 光射出部，18 驅動用TFT，19 密封基板，20 干燥劑，22 圍堰(隔壁)，22a 接觸孔，22b (圍堰的)內壁面，32 子圍堰(內部隔壁)，32b (子圍堰的)內壁面，25 EL層(功能層)，100、110、120、130、140、150…有機EL裝置(發(fā)光裝置)，34…實顯示區(qū)域，12…基板，17a、63、81…開口部，14…陽極(電極)，17…陰極(電極)，84…發(fā)光層，95…反射部，103…電源線(配線)，103a…反射面，OT…凹凸面，T…凸部(頂部)，O…凹部(底部)，θ…角度，P…接觸點(端部)，A…垂直方向，BM…遮光層(光吸收層)具體實施方式

(實施方式1)下面將參照附圖對本發(fā)明的發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及電子機器進行說明。
而且，以下所說明的實施方式是表示本發(fā)明的一個方式的例子，并不限定本發(fā)明，在本發(fā)明的技術思想的范圍內可以進行任意變更。另外，在以下所示的各圖中，為了將各層或各構件設為在圖面上可以識認的程度的大小，對于各層或各構件，使比例尺不同。
圖1是表示作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施方式的有機電致發(fā)光(有機EL)裝置的整體構成的俯視構成圖，圖2是相同裝置的局部剖面圖，圖3是表示相同有機EL裝置的多個發(fā)光元件的俯視構成圖。本實施方式的有機EL裝置是將來自發(fā)光層的輸出光從元件形成側取出的頂發(fā)射型，是與各發(fā)光元件對應地設置了開關元件的有源矩陣方式的有機EL裝置。
首先，根據圖1，對本實施方式的有機EL裝置的整體構成進行說明。
本例的有機EL裝置100，在具有電絕緣性的基板(基體)12上，具備與發(fā)光元件驅動部(未圖示)連接的象素電極在基板12上被以矩陣狀配置而成的俯視近似矩形的象素部33(圖1中的單點劃線框內)。象素部33被劃分為中央部分的顯示區(qū)域34(圖1中的雙點劃線框內)、配置于顯示區(qū)域34的周圍的虛設區(qū)域35(單點劃線和雙點劃線之間的區(qū)域)。在顯示區(qū)域34中，由分別具有象素電極的3色(R、G、B)的發(fā)光元件(有機EL元件)13構成的象素沿紙面的縱向及橫向分別分離而被成矩陣狀配置。另外，在圖1的顯示區(qū)域34的左右配置有掃描線驅動電路38，另一方面，在圖1的顯示區(qū)域34的上下配置有數據線驅動電路31。這些掃描線驅動電路38、數據線驅動電路31被配置在虛設區(qū)域35的周緣部。而且，圖1中，掃描線及數據線的圖示被省略。
另外，在圖1的數據線驅動電路31的上側，配置有檢查電路30。該檢查電路30是用于檢查有機EL裝置100的動作狀況的電路，例如具有將檢查結果向外部輸出的檢查信息取出機構(未圖示)，從而可以檢查制造途中或出售時的有機EL裝置的質量、缺陷。而且，該檢查電路30也被配置于虛設區(qū)域35的內側。另外，在基板12上連接有驅動用外部基板36，在驅動用外部基板36上搭載有外部驅動電路32。
此外，當觀察圖2所示的剖面構造時，設于基板12的一方的面上的多個發(fā)光元件(象素)13被分別與對應設置的發(fā)光元件驅動部18電連接。發(fā)光元件13被設于由豎立設置在基板12上的圍堰(隔壁)22包圍的區(qū)域內，具有被陽極(第1電極)14及陰極(第2電極)17夾持的EL層(功能層)25。EL層25具有以有機電致發(fā)光材料為主體的發(fā)光層15、空穴注入/傳輸層16。另外，在基板12的元件形成面?zhèn)?，覆蓋有透光性的密封基板19。
本實施方式的情況下，陽極14及陰極17都由銀或金、鋁等光反射性的金屬膜形成，陰極17部分地形成于陽極14的平面區(qū)域內，在各發(fā)光元件13的平面區(qū)域內具有開口部17a。以此種構成為基礎，在與陰極17的開口部17a對應的區(qū)域中，陽極14及EL層25的一部分向元件上面?zhèn)嚷冻?，該露出區(qū)域形成發(fā)射出發(fā)光元件13的輸出光的光射出部。圖示的3個EL層25分別包含例如紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)3色的發(fā)光層，這些3色的發(fā)光元件13(象素)構成有機EL裝置100的1個顯示單位。
包圍發(fā)光元件13的圍堰22被制成如圖所示的剖面近似梯形的形狀，發(fā)光元件13側的內壁面22b形成相對于基板面傾斜的面。在圍堰22的上面，設有直達發(fā)光元件驅動部18的接觸孔22a，發(fā)光元件13被一部分被埋設于該接觸孔22a中的陽極14，與設于下側的元件形成層11上的發(fā)光元件驅動部18電連接。陽極14和發(fā)光元件驅動部18也可以夾隔絕緣層11而直接導通。發(fā)光元件驅動部18是向發(fā)光元件13供給與顯示色調對應的電能的部分，例如，可以使用具有與由顯示電路供給的數據對應地向發(fā)光元件13取出施加電壓信息的象素選擇用開關元件、基于從該象素選擇用開關元件取出的電壓施加信息將由電源線供給的電壓施加在發(fā)光元件13上的象素驅動用開關元件的電路。
另外，密封基板19和基板12借助圖示省略的粘接層被粘接，利用密封基板19和粘接層密封有機EL元件13。另外，在密封基板19的內面?zhèn)?，配設有用于除去被密封了的空間的水分的干燥劑20。也可以在密封基板19和基板12間不設置粘接層，而填充惰性氣體。如先前所述，圖1所示的有機EL裝置100是將來自發(fā)光層16的發(fā)出光從密封基板19側向裝置外部取出的頂發(fā)射型的有機EL裝置。
此外，當觀察圖3的俯視構造時，在各發(fā)光元件13中，在俯視近似矩形的具有開口部的圍堰22的內部，配置有俯視為矩形的陽極14和EL層25，并且，具有多個矩形的開口部(光射出部)17a的陰極17跨越多個發(fā)光元件13而形成。設于陰極17上的開口部17a被配置在與形成于圍堰22的內壁面22b上的陽極14的平面區(qū)域大致重合的位置上。另外，在兩端的發(fā)光元件13中，陰極17的圖示左右方向外側也成為開口部17a。此外，在圍堰22的內部陽極14和EL層25和陰極17在平面上重合的部分形成各發(fā)光元件13的發(fā)光區(qū)域13a。為了使發(fā)光元件13的陽極14和陰極17電絕緣，形成于圍堰22的內壁面22b上的陽極14a的未配設EL層25的部分，處于設于陰極17上的開口部17a的區(qū)域內。為了可靠地使發(fā)光元件13的陽極14和陰極17電絕緣，也可以將絕緣層(未圖示)配置在形成于圍堰22的內壁面22b上的陽極14a上。
具有所述構成的本實施方式的有機EL裝置100中，當從發(fā)光元件驅動部18向發(fā)光元件13供給電能時，EL層25被電極夾持的發(fā)光區(qū)域13a上，發(fā)光層15就會發(fā)光。由于夾持EL層25的陽極14和陰極17都使用具有光反射性的金屬膜形成，因此在發(fā)光區(qū)域13a中產生的光在兩極間發(fā)射的同時向EL層25的平面方向傳播。此外，當在該EL層25內部傳播的光到達陰極17的外側時，光就會從向圖2上方開口的光射出部17a向密封基板19側射出。
這里，發(fā)光元件13中，由于在基板12上及沿著相對于基板12表面傾斜的內壁面22b形成陽極14，因此陽極14就形成在發(fā)光元件13的兩側部從基板面向上豎起的近似船形。即，陽極14成為在其兩側部具有相對于基板12傾斜的傾斜面部14a、14a的構造。利用該構成，從發(fā)光區(qū)域13a向外側傳播的光，在該陽極14的傾斜面部14a、14a被反射，從而被從光射出部17a效率良好地取出。
像這樣還作為在內部產生的光的射出機構發(fā)揮作用的陽極14，為了使所述取出光效率優(yōu)良地向基板上方反射，傾斜面部14a的與基板面的傾斜角度為35°至55°，優(yōu)選大約45°。另外，也可以采用這些傾斜面部14a(即圍堰22的內壁面22b)形成曲面形狀的構成。
像這樣，根據本實施方式的有機EL裝置100，在將發(fā)光元件13的發(fā)光區(qū)域13a中產生的光用夾持EL層25的陽極14及陰極17反射的同時導向光射出部17a，就可以在該光射出部17a以高指向性向基板12上方取出。即，本有機EL裝置中，雖然是頂發(fā)射型有機EL裝置，但是由于來自發(fā)光元件13的輸出光不透過透明電極，因此可以極高效率地將輸出光取出。另外，由于不使用由金屬氧化物制成的透明導電材料作為第2電極，而可以使用包含Li、Na等堿金屬或Be、Mg、Ca等堿土金屬的功函數低的材料作為電子注入層，因此可以效率優(yōu)良地將電子注入發(fā)光層，從而可以提高來自發(fā)光元件的光的亮度。另外，作為電子注入層，可以使用比較厚的層，也可以使用透光性低的材料。
另外，由于利用金屬膜形成陽極14及陰極17，因此與以往的利用ITO等透明導電材料形成上部電極的構成相比，可以獲得更高的可靠性。另外，由于與透明導電材料相比，電阻明顯更低，因此在形成于顯示區(qū)域34的大致全面上的陰極17中難以產生電壓下降，因而即使在進行大畫面化的情況下，也難以產生顯示不均等。
下面，對有機EL裝置100的各構成要素的具體的構成例進行說明。
圖1所示的有機EL裝置100中，作為基板12的形成材料，可以舉出玻璃、石英、藍寶石或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等合成樹脂材料等?；?2中除了不透明材料以外，也可以使用可以透過光的透明或半透明材料，優(yōu)選使用廉價的玻璃。
陽極14包含具有光反射性的金屬膜(例如金、銀等)。作為該金屬膜，如果使用金、銀，則由于功函數較大(優(yōu)選4.6eV。)，因此在利用單層的金屬膜形成陽極14的情況下比較理想。或者，也可以使用與其他的導電膜的疊層構造。陽極14可以使用濺射法或蒸鍍法等公知的成膜方法形成。
陰極17包含具有光反射性的金屬膜(例如鋁、金、銀等)。即，既可以用這些金屬膜單層形成，也可以在這些金屬膜的EL層25側，設置含有包括Li、Na等堿金屬或Be、Mg、Ca等堿土金屬的功函數低的材料的層。陰極17雖然可以利用公知的成膜方法形成，但是為了在成膜時不損傷已經設置的EL層25，最好利用使用金屬掩模的掩模蒸鍍法進行選擇形成。
另外，在陰極17的外面?zhèn)?，也可以設置防止反射膜(防止反射機構)。本實施方式的情況下，由于陰極17被配置在透光性的密封基板19側而被觀察者識認，因此向有機EL裝置100入射的光在陰極17被反射時，有可能使顯示的識認性降低，但是，通過設置所述防止反射膜，就可以防止由該反射光造成的識認性的降低，另外還可以提高與光射出部17a的對比度，有助于顯示的高畫質化。
空穴注入/傳輸層16例如采用高分子類材料，則作為優(yōu)選的構成材料，可以列舉出作為高分子類材料的聚噻吩、聚苯磺酸、聚吡咯、聚苯胺及其衍生物等。另外，當使用低分子類材料時，優(yōu)選將空穴注入層和空穴傳輸層層疊形成，作為空穴注入層的形成材料，例如可以舉出作為銅酞菁(CuPc)或聚四氫硫代苯基亞苯基的聚亞苯基亞乙烯基、1，1-雙-(4-N，N-二甲苯胺苯基)環(huán)己烷、三(8-羥基喹啉)鋁等，但是特別優(yōu)選使用銅酞菁(CuPc)。另外，作為空穴傳輸層，由三苯基胺衍生物(TPD)、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物等構成。具體來說，列舉有特開昭63-70257號、相同的63-175860號、特開平2-135359號、相同的2-135361號、相同的2-209988號、相同的3-37992號、相同的3-152184號公報中記述的化合物等，但是優(yōu)選三苯基二胺衍生物，其中4、4’-雙(N-(3-甲基苯基)-N-苯胺)聯(lián)苯基被認為是理想的。而且，也可以形成空穴傳輸層或空穴注入層的任意一方。
作為發(fā)光層15的形成材料，可以使用高分子發(fā)光體或低分子的有機發(fā)光染料，即各種熒光物質或磷光物質等發(fā)光物質。成為發(fā)光物質的共軛高分子中，特別優(yōu)選包含亞芳基亞乙烯基或聚芴構造的物質。低分子發(fā)光體中，例如可以使用萘衍生物、蒽衍生物、紫蘇烯衍生物、聚甲炔類、氧雜蒽類、香豆素類、青色素類等染料類、8-氫喹啉及其衍生物的金屬絡合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯衍生物等或特開昭57-51781、相同的59-194393號公報等中記述的公知的物質。
而且，在陰極17和發(fā)光層15之間，也可以根據需要設置電子傳輸層或電子注入層。作為電子傳輸層的形成材料，沒有特別限定，可以列舉出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二乙基氰及其衍生物、二吩醌衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物等。具體來說，與前面的空穴傳輸層的形成材料相同，可以列舉特開昭63-70257號、相同的63-175860號、特開平2-135359號、相同的2-135361號、相同的2-209988號、相同的3-37992號、相同的3-152184號公報中記述的化合物等，特別優(yōu)選2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹啉)鋁。
作為密封基板19，雖然例如可以使用玻璃基板，但是如果透明并且氣體屏障性優(yōu)良，則也可以使用塑料、塑料的層壓薄膜、層壓成形基板等玻璃基板以外的構件或玻璃的層壓薄膜等。另外，也可以使用吸收紫外線的構件作為保護層。
圖1至圖3所示的有機EL裝置100的包含發(fā)光層15的功能層可以使用液滴噴出法(噴墨法)形成。在使用液滴噴出法形成功能層時，在應當形成該功能層的區(qū)域形成具有開口部的俯視近似格子狀的圍堰22。此外，通過利用液滴噴出裝置的噴出頭，將含有所述功能層形成用材料的液體材料向圍堰22的開口部噴出，就可以在特定的位置形成功能層。
這里，液滴噴出裝置的噴出頭包括噴墨頭。作為噴墨方式，既可以是利用壓電體元件的體積變化噴出流動體的壓電噴墨方式，也可以是使用電熱轉換體作為能量產生元件的方式。而且，作為液滴噴出裝置，也可以是分配器裝置。另外，所謂液體材料是指，具有可以從噴出頭的噴嘴噴出的粘度的介質。無論是水性還是油性都可以。只要具有可以從噴嘴等中噴出的流動性(粘度)就足夠，即使混入固體物質，只要作為整體是流動體即可。另外，液體材料中所含的固體物質既可以是被加熱至熔點以上而溶解的物質，也可以是作為微粒分散在溶劑中的物質，除了溶劑以外，還可以添加染料或顏料等其他的功能性材料。
雖然詳細的圖示被省略，但是，本實施方式的有機EL裝置100是有源矩陣型，實際上，多條數據線和多條掃描線形成俯視近似格子狀而被制成元件形成層11。此外，在每個被這些數據線或掃描線劃分而配置為矩陣狀的各象素上，借助開關晶體管或激勵晶體管等驅動用TFT而連接有發(fā)光元件13。當經過數據線或掃描線供給驅動信號時，電流在電極間流動，發(fā)光元件13的發(fā)光層15發(fā)光而從光射出部17a向密封基板19的外側射出光，該象素點亮。
(實施方式2)下面，參照圖4對本發(fā)明的實施方式2進行說明。圖4是本實施方式的有機EL裝置110的局部剖面構成圖，是相當于先前的實施方式的有機EL裝置100的圖2的圖。圖4中雖然將密封基板的圖示省略，但是本實施方式的有機EL裝置110具有與前面的有機EL裝置100相同的基本構成，在劃分各發(fā)光元件的圍堰22的內部，設有將相同區(qū)域進一步劃分的子圍堰(內部隔壁)32，在這一點上具有特征。所以，以下的說明及圖4中，對于與前面的實施方式相同的構成要素使用相同的符號，將詳細的說明省略。
圖4所示的有機EL裝置110具備多個發(fā)光元件53。各發(fā)光元件53被設于由豎立設置在基板12上的圍堰22包圍的區(qū)域內。各發(fā)光元件53具備在陽極14和陰極17之間夾持EL層25的構成，被與設于和圍堰22同層的子圍堰32在平面上劃分。此外，在被所述子圍堰32劃分的各個區(qū)域中，通過將陽極14和陰極17夾持EL層25而相對配置，就形成多個(圖示中為2個)發(fā)光區(qū)域13a。陰極17與前面的實施方式相同地被部分地形成于陽極14的平面區(qū)域內，這樣，在發(fā)光區(qū)域13a的兩側，就形成有成為光射出部的開口部17a。在各開口部17a的位置上，形成于圍堰22及子圍堰32上的陽極14具有與這些圍堰的內壁面形狀相仿的傾斜面部14a。
具有所述構成的本實施方式的有機EL裝置110利用經過接觸孔從與陽極14導電連接的發(fā)光元件驅動部18供給的電流，使發(fā)光區(qū)域13a的發(fā)光層15發(fā)光，通過使該光在陰極17和陽極14間不斷反射，導向發(fā)光區(qū)域13a的兩側，就可以從設于多個位置的光射出部(陰極的開口部)17a輸出。陽極14和發(fā)光元件驅動部18也可以夾隔絕緣層11而直接導通。像這樣，通過采用將發(fā)光元件13在平面上劃分，設置了多個發(fā)光區(qū)域13a和與之對應的光射出部17a的構成，即使在形成了比較大型的象素的情況下，也可以獲得高光取出效率。所以，根據本實施方式的有機EL裝置110，可以實現高亮度的大畫面顯示。
另外，本實施方式中，在光射出部17a上形成的陽極14的傾斜面部14a最好也與基板12的主面形成大約45°的角度。即，子圍堰32的內壁面32b最好與基板面形成大約45°的角度。通過采用此種構成，在有機EL裝置110的正面方向亮度就達到最大，在觀察者方向就可以獲得高亮度的顯示。
(實施方式3)下面，參照圖5對本發(fā)明的實施方式3進行說明。圖5是本實施方式的有機EL裝置120的局部剖面構成圖，是相當于前面的實施方式的有機EL裝置100的圖2的圖。
而且，圖5中省略了密封基板的圖示，本實施方式中，對于與前面的實施方式不同的構成進行說明，對于相同構成，使用相同符號，將說明簡略化。
本實施方式的有機EL裝置120如圖5所示，具有與前面的有機EL裝置100相同的基本構成、圍堰(隔壁)60、陰極(第2電極)62、層間絕緣膜64。
這里，在圍堰60中，具有在層間絕緣膜64上依次層疊了第1圍堰層60a、第2圍堰層60b及第3圍堰層60c的構造。此外，第1圍堰層60a為了包圍發(fā)光元件13，是做成如圖所示的剖面近似梯形而形成的構件，發(fā)光元件13側的內壁面60d成為相對于基板面傾斜的面。另外，第2圍堰層60b是模仿第1圍堰層60a的形狀形成的反射膜，是由銀或金、鋁等光反射性的金屬膜構成的。另外，第3圍堰層60c是模仿第2圍堰層60b的形狀形成的透明樹脂膜，是由丙烯酸等樹脂膜構成的。所以，圍堰60就成為剖面近似梯形并且具有光反射性并具有絕緣性的表面的部分。
另外，在陰極62中，具有層疊了透明性導電膜62a及輔助電極62b的構造。此外，透明性導電膜62a是銦錫氧化物(以下簡稱為ITO。)等的透明導電膜。另外，除了ITO以外，也可以采用在金屬氧化物中含有鋅(Zn)的材料，例如氧化銦·氧化鋅類無定形透明導電膜(Indium Zinc OxideIZO)(注冊商標))(出光興產公司制)。此種透明性導電膜62a是包含EL層25及圍堰60并在基板12上全面形成的膜。
另外，輔助電極62b是在各發(fā)光元件13的平面區(qū)域內在透明性導電膜62a上局部地形成的部分。另外，這些輔助電極62b與透明性導電膜62a相比導電性更高，從而輔助透明性導電膜62a的導電性。另外，通過像這樣在透明性導電膜62a上局部地形成輔助電極62b，就在輔助電極62b的側部形成了開口部63。另外，此種開口部63就成為形成于各發(fā)光元件13的平面區(qū)域內的部分。另外，這些開口部63中，如后述所示，透過透明性導電膜62a的發(fā)光層15的發(fā)出光就可以通過，另外，在陽極14和輔助電極62b之間多次反射的發(fā)出光可以經過透明性導電膜62a而通過?；诖朔N構成，在輔助電極62b的與開口部63對應的區(qū)域上EL層25的一部分與透明性導電膜62a接觸，該接觸區(qū)域形成放射發(fā)光元件13的輸出光的光射出部。圖示的3個EL層25分別例如含有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)3色的發(fā)光層，這些3色的發(fā)光元件13(象素)構成有機EL裝置100的1個顯示單位。
另外，層間絕緣膜64是設于陽極14和發(fā)光元件驅動部18之間的絕緣膜，借助形成于這些層間絕緣膜64上的接觸孔64a，陽極14和發(fā)光元件18被連接。
對此種有機EL裝置120的制造方法進行說明。
首先，在形成發(fā)光元件驅動部18后，形成層間絕緣膜64及接觸孔64a。然后，形成反射性陽極14(Al制膜后形成ITO，或其他的金屬膜、銀、金等反射率高且功函數在4.6eV以上的金屬)。然后，利用丙烯酸樹脂，按照使螺面角為45度左右的方式形成第1圍堰60a。然后，將反射性金屬膜成膜而形成第2圍堰60b。然后，按照覆蓋第2圍堰60b的方式形成第3圍堰60c。繼而形成EL層25。根據需要，形成電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層。然后，以Ca/ITO等的疊層構造形成透明性導電膜62a，繼而穿越掩模用Al等金屬蒸鍍反射性的輔助電極62b，將開口部63如圖5那樣打開。
如此構成的有機EL裝置120中，向被陽極14和陰極62夾持的EL層25供給電能。這樣，向由陽極14和透明性導電膜62a夾持的EL層25供給電能，另外，輔助電極62b輔助透明性導電膜62a的導電性，而向EL層25供給電能。此外，在被如此供給電能的EL層25中，可以產生發(fā)出光，并且，使這些發(fā)出光在陽極14和輔助電極62b之間多次反射，同時還利用第2圍堰60b反射發(fā)出光，發(fā)出光就會在EL層25及透明性導電膜62a中沿面方向傳播。此外，最終透過了透明性導電膜62a的發(fā)出光就從開口部63向有機EL裝置120的外側射出。
如上所述，本實施方式的有機EL裝置120中，可以使EL層25的發(fā)出光在陽極14和輔助電極62b之間多次反射，另外，可以利用第2圍堰60b反射發(fā)出光，可以將發(fā)出光在EL層25及透明性導電膜62a中沿面方向傳播。此外，可以使發(fā)出光透過透明性導電膜62a從開口部63射出。
另外，在有機EL裝置120中，由于輔助電極62b使透明性導電膜62a的導電性提高，從而可以有效地將電能向EL層25供給，可以高效率地將發(fā)出光取出，從而可以實現明亮的顯示。另外，由于在EL層25的全面形成透明性導電膜62a，因此與在EL層25的一部分接觸形成電極的情況相比，可以增加與EL層25的接觸面積。這樣，與在EL層25的局部形成電極的情況相比，可以增加發(fā)光面積。
所以，如上所述，由于通過輔助電極62b輔助透明性導電膜62a的導電性，就可以提高導電性，并且可以增加發(fā)光面積，因此可以實現進一步的發(fā)光效率的提高。
(實施方式4)下面，參照圖6及圖7對本發(fā)明的實施方式4進行說明。圖6是本實施方式的有機EL裝置130的局部剖面構成圖，是相當于前面的實施方式的有機EL裝置100的圖2的圖。圖7是表示有機EL裝置130的要部的俯視圖，是用于說明輔助電極、陽極、圍堰的位置關系的圖。
而且，圖6中將密封基板的圖示省略，本實施方式中，對于與前面的實施方式不同的構成進行說明，對于相同構成使用相同符號，將說明省略。
本實施方式的有機EL裝置130如圖6所示，具有與前面的有機EL裝置120相同的基本構成、圍堰(隔壁)70。
這里，圍堰70中，具有在層間絕緣膜64上依次層疊了親液圍堰層70a和疏液圍堰層70b的構造。此外，親液圍堰層70a是由氧化硅等親液性高的無機材料構成的層，疏液圍堰層70b是由對丙烯酸樹脂材料實施了氟等離子處理的層。此種圍堰70中，在使用液滴噴出法形成EL層25時，由于親液圍堰層70a使EL層25停留在陽極14上，因此就可以在這些陽極14上形成EL層25。另外，即使在從噴出頭中噴出的液體材料中產生飛行彎曲，液體材料被涂布在疏液圍堰層70b上的情況下，也可以利用疏液圍堰層70b的疏液性使液體材料在陽極14上流動。
另外，本實施方式的有機EL裝置130中，具有在每個發(fā)光元件13上形成了多個開口部63的構成。具體來說，如圖6及圖7所示，在被圍堰70包圍的發(fā)光元件13中，分支形成多個輔助電極62b，從而形成多個這些輔助電極62b的側部的開口部63。
此種構成中，與有機EL裝置120相比，可以從更多的開口部63中射出發(fā)出光。這里，通過將輔助電極62b分支形成所需的圖案，就可以從所需的開口部63射出發(fā)出光。另外，在由發(fā)光層15的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地取出發(fā)出光，通過積極地使輔助電極62b分支而在所需的位置形成開口部63，就可以進一步提高發(fā)出光的取出效率。另外，由于可以利用所述構成避免多次反射，因此可以抑制由這些多次反射引起的發(fā)出光的衰減。
所以，本實施方式的有機EL裝置130中，不僅可以獲得與前面所述的有機EL裝置120相同的效果，而且由于可以抑制發(fā)出光的衰減，因此可以實現進一步的發(fā)光效率的提高。
所述各實施方式中，雖然使用了有源矩陣型有機EL裝置進行了說明，但是并不限定于有源矩陣型有機EL裝置，可以適用于單純矩陣型有機EL裝置、無源矩陣型有機EL裝置。所述各實施方式中，雖然列舉作為發(fā)光元件具有有機EL元件的有機EL裝置進行了說明，但是本發(fā)明的技術范圍并不限定于所述實施方式，當然也可以適用于使用有機EL裝置以外的發(fā)光元件的情況，特別是從在基板上配設了發(fā)光元件的上面?zhèn)壬涑龉獾男螒B(tài)的有機EL裝置中使用十分理想。
(實施方式5)圖8是表示本實施方式的有機EL裝置的配線構造的示意圖。
有機EL裝置(發(fā)光裝置)140是使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下簡記為TFT)作為開關元件的有源矩陣方式的有機EL裝置。
如圖8所示，有機EL裝置140具有將多條掃描線101…、沿與各掃描線101成直角交叉的方向延伸的多條信號線102…、與各信號線102并列延伸的多條電源線103…分別配線的構成，并且，在掃描線101…和信號線102…的各交點附近，設有象素區(qū)域X…。
在信號線102上，連接有具有移位寄存器、電平移動二極管、視頻線路及模擬開關的數據線驅動電路32。另外，在掃描線101上，連接有具有移位寄存器及電平移動二極管的掃描線驅動電路38。
另外，在各個象素區(qū)域X中，設有借助掃描線101向柵電極供給掃描信號的開關用TFT112、借助該開關用TFT112保持由信號線102供給的象素信號的保持電容113、將由該保持電容113保持的象素信號向柵電極供給的發(fā)光元件驅動部18、在借助該發(fā)光元件驅動部18與電源線103電連接時從該電源線103流入驅動電流的陽極(電極)23、被夾入該陽極14和陰極17之間的發(fā)光功能層82。在發(fā)光功能層82中，通過將從陽極14及陰極17注入的空穴和電子結合，就會產生發(fā)光現象。
根據該有機EL裝置140，當掃描線101被驅動而開關用TFT112變?yōu)殚_狀態(tài)時，此時的信號線102的電位被保持電容113保持，根據該保持電容113的狀態(tài)，決定發(fā)光元件驅動部18的開·關狀態(tài)。此外，經過發(fā)光元件驅動部18的溝道，電流從電源線103流向陽極14，進而電流經過發(fā)光功能層82流向陰極17。發(fā)光功能層82根據流過其的電流量而發(fā)光。所以，由于發(fā)光被各個陽極14…控制開·關，因此陽極14就成為象素電極。
下面，參照圖9到圖12，對本實施方式的有機EL裝置140的具體的形式進行說明。圖9是示意性地表示有機EL裝置140的構成的俯視圖，圖10是圖9的顯示區(qū)域R、G、B的側剖面圖，圖11是將發(fā)光層的附近放大后的放大剖面圖，圖12是比較電源線的寬度和象素的寬度的圖。
如圖9所示，本實施方式的有機EL裝置140具備具有電絕緣性的基板12、與圖示省略的開關用TFT連接的陽極14…被以矩陣狀配置在基板12上而形成的圖示省略的象素電極區(qū)域、配置于象素電極區(qū)域的周圍并且與各陽極14…連接的電源線103…(參照圖8)、至少位于象素電極區(qū)域上的俯視近似矩形的象素部33(圖中單點劃線框內)、數據線驅動電路31。另外，象素部33被中央部分的實顯示區(qū)域34(圖中雙點劃線框內)、配置于實顯示區(qū)域34的周圍的虛設區(qū)域35(單點劃線及雙點劃線之間的區(qū)域)所劃分。
在實顯示區(qū)域34中，分別具有陽極14…的顯示區(qū)域R、G、B被分離配置。另外，在實顯示區(qū)域34的圖中兩側，配置有掃描線驅動電路38。該掃描線驅動電路38被設于虛設區(qū)域35的下側。
另外，在實顯示區(qū)域34的圖中上側，配置有檢查電路30。該檢查電路30被設于虛設區(qū)域35的下側。該檢查電路30是用于檢查有機EL裝置140的動作狀況的電路，具有例如將檢查結果向外部輸出的未圖示的檢查信息輸出機構，從而可以進行制造途中或出售時的有機EL裝置的質量、缺陷的檢查。
掃描線驅動電路38及檢查電路30的驅動電壓被從特定的電源部經過電源線103(參照圖10)加在發(fā)光元件驅動部18上。另外，對這些掃描線驅動電路38及檢查電路30的驅動控制信號或驅動電壓被從負責有機EL裝置140的動作控制的特定的主驅動器等施加。而且，此時的驅動控制信號是指，與掃描線驅動電路38及檢查電路30輸出信號時有關的來自主驅動器等的指令信號。
如圖10所示，有機EL裝置140是通過將基板12和密封基板19借助密封樹脂19a貼合而構成的。由基板12、密封基板19及密封樹脂19a包圍的區(qū)域中，插入有干燥劑，并且形成有填充了例如氮氣等惰性氣體的惰性氣體填充層。
由于在基板側發(fā)光型(底發(fā)射型)的有機EL裝置中是從基板12側取出光的構成，因此基板12采用透明或半透明的材料。例如，可以舉出玻璃、石英、樹脂(塑料、塑料薄膜)等，特別優(yōu)選使用連接的鈉玻璃基板。
另外，在發(fā)光元件驅動部18的基底或電源線103的基底上，形成有例如由氧化鉻或氧化鈦等光吸收性的材料制成的遮光層(光吸收層)BM。另外，在這些遮光層BM的周圍，形成有透明性的絕緣層80。
密封基板19例如可以采用具有電絕緣性的板狀構件。另外，密封樹脂19a例如是由熱固化樹脂或紫外線固化樹脂形成的材料，特別優(yōu)選由作為熱固化樹脂的一種的環(huán)氧樹脂形成。
另外，在基板12上，形成有用于驅動陽極14…的發(fā)光元件驅動部18…、電源線103…、層間絕緣膜64、開口部81。
發(fā)光元件驅動部18…是通過使用公知的TFT制造技術而形成的開關元件，是層疊了摻雜了雜質的硅膜、柵電極、柵極絕緣膜等的構件。另外，發(fā)光元件驅動部18…被與顯示區(qū)域R、G、B的位置對應地設置，如后述所示，分別與陽極14…連接。
層間絕緣膜64優(yōu)選由透明性樹脂材料形成，另外，優(yōu)選由加工性良好的材料形成。例如，優(yōu)選由熱固化樹脂或紫外線固化樹脂形成，作為它們的例子，可以優(yōu)選采用作為熱固化樹脂的一種的環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂等。另外，在層間絕緣膜64中，與陽極14…的界面最好被高精度地平坦化，為了達成該平坦化，可以是經過多個工序而層疊形成的構成。另外，在層間絕緣膜64上，與發(fā)光元件驅動部18…和陽極14…的位置對應地形成有接觸孔C，利用埋設于這些接觸孔C中的連接配線將發(fā)光元件驅動部18…和陽極14…連接。
而且，在被層間絕緣膜64覆蓋的各種電路部中，包含掃描線驅動電路38、檢查電路30及用于將它們連接驅動的驅動電壓導通部或驅動控制信號導通部等。
電源線103是根據發(fā)光元件驅動部18的開·關狀態(tài)向發(fā)光功能層101供給電能的構件，優(yōu)選由低電阻金屬材料形成，例如可以由Al類金屬形成。另外，這些電源線103…的表面形成有具有光反射性的反射面103a。另外，這些反射面103a具有光散射性。
另外，如圖12所示，電源線103…的寬度W2和象素的寬度W1為，例如與象素寬度W1為45μm的情況相對，電源線寬度W2最好在10μm以下。另外，在為了實現電源線103…的低電阻化，有必要增大電源線寬度W2的情況下，最好將電源線103…分割為多條。例如，在將電源線103…的總寬度設為20μm的情況下，最好以5μm的線寬分割為4條?；蛘?，在將象素寬度W1設為50μm，將電源線寬度W2設為10μm的情況下，最好將電源線條數設為2條。另外，也可以采用將電源線103…分割為多條的編帶狀。
開口部81在發(fā)光元件驅動部18…和電源線103…之間被相鄰地形成，是用于使發(fā)光功能層82發(fā)出的光向實顯示區(qū)域(顯示區(qū)域)4側通過的部位。另外，開口部81的開口面積要根據考慮了與發(fā)出光的通過量或電源線103…的電阻值對應的平面面積、發(fā)光元件驅動部18的配置、發(fā)光功能層82和電源線103…之間的發(fā)出光的多次反射作用等的設計事項來決定。
另外，形成了陽極14…的層間絕緣層21的表面，被陽極14…、以SiO2等親液性材料為主體的親液性控制層90、由丙烯酸樹脂或聚亞酰胺樹脂等形成的圍堰層(隔壁)91…覆蓋。圍堰層91…形成如下構成，即，在陽極14…之間被按照圍繞在其周圍的方式2維配置，功能層110…的發(fā)出光被圍堰層91分隔。而且，本實施方式的親液性控制層的所謂「親液性」是指，至少與構成圍堰層91的丙烯酸樹脂、聚亞酰胺樹脂等材料相比，親液性更高。
另外，發(fā)光元件驅動部18分別與陽極14…連接，在陽極14…的上層，形成發(fā)光功能層82，在其上層，形成有陰極17。
發(fā)光功能層82具有被陽極14和陰極17夾持的多層構造，從陽極14側開始，依次形成了空穴注入層83、發(fā)光層84(84R、84G、84B)。
陽極14由ITO構成，利用所加的電壓，將空穴向發(fā)光層84注入，功函數較高，具有導電性。作為用于形成陽極14的材料，并不限定于ITO，對于密封側發(fā)光型的有機EL裝置的情況，不需要特別采用具有透光性的材料，只要是合適的材料即可。另外，對于基板側發(fā)光型的有機EL裝置的情況，可以采用具有透光性的公知的材料。例如，可以舉出金屬氧化物，可以采用銦錫氧化物(ITO)或者在金屬氧化物中含有鋅(Zn)的材料，例如氧化銦·氧化鋅類無定形透明導電膜(Indium Zinc OxideIZO)(注冊商標))(出光興產公司制)。
空穴注入層83是導電性高分子材料的一種，是用于構成將陽極14的空穴注入發(fā)光層84中的空穴注入層的材料，其膜厚被制成30nm。作為形成此種空穴注入層的材料的例子，可以合適地使用各種導電性高分子材料，例如，可以采用PEDOTPSS、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯等。
發(fā)光層84通過從陽極14經過空穴注入層83而被注入的空穴和來自陰極17的被注入的電子結合而產生熒光。作為用于形成發(fā)光層84的材料，可以使用能夠產生熒光或磷光的公知的發(fā)光材料。具體來說，可以合適地使用聚芴衍生物(PF)、(聚)對亞苯基亞乙烯衍生物(PPV)、聚亞苯基衍生物(PP)、聚對亞苯基衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷類等。另外，也可以在這些高分子材料中，摻雜使用紫蘇烯類染料、香豆素類染料、羅丹明類染料等高分子類材料，例如紅熒烯、紫蘇烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等材料。
另外，本實施方式的有機EL裝置140可以進行彩色顯示。即，每個與光的三原色R、G、B對應的顯示區(qū)域R、G、B中，分別與三原色對應地形成各發(fā)光層84，構成發(fā)光層84R、84G、84B。
下面，參照圖11，對發(fā)光層84的剖面形狀進行說明。
如圖11所示，發(fā)光層84具有在其上部具有凸部(頂部)T和凹部(底部)O的凹凸面OT，另外，在凸部T的端部具有與圍堰層91接觸的接觸點(端部)P。在接觸點P中，沿基板12的垂直方向延伸的垂線A和凹凸面OT所成角度θ在30°以上50°以下。在決定這些角度θ時，是通過調整圍堰層91表面相對于發(fā)光層84的材料液體的疏液性來進行的。所以，角度θ就被合適地設定。另外，凸部T形成于與開口部81對應的位置上。
陰極17如圖10所示，具有比實顯示區(qū)域34及虛設區(qū)域35的總面積還大的面積，被按照分別覆蓋二者的方式形成。陰極17作為陽極14的對置電極，具有將電子注入發(fā)光層84的功能。作為形成陰極17的材料，采用如下的疊層體，即，例如將鈣金屬或以鈣為主成分的合金在發(fā)光層84側層疊而作為第1陰極層，在其上層層疊鋁或以鋁為主成分的合金或者銀或銀-鎂合金等而作為第2陰極層。而且，第2陰極層覆蓋第1陰極層，保護其不與氧或水分等產生化學反應，而且，是為了提高陰極17的導電性而設置的。所以，如果在化學上穩(wěn)定并且功函數較低，也可以是單層構造，另外并不限定于金屬材料。
另外，陰極17在發(fā)光層84側具有反射面，從而可以將發(fā)光層84的發(fā)出光向實顯示區(qū)域34側反射。而且，也可以使陰極17自身由反射性材料形成。
另外，陰極17的反射面形成與發(fā)光層84的凹凸面OT對應形成的曲面，例如，形成于發(fā)光層84的凸部T上的反射面作為將發(fā)出光向實顯示區(qū)域34聚光的鏡子發(fā)揮作用。
在具有此種構成的有機EL裝置140中，當驅動電流從電源線103(參照圖8)流入發(fā)光功能層82的陽極14時，在陽極14和陰極17之間就產生電位差，由于陽極14的空穴穿過空穴注入層83，被注入發(fā)光層84，陰極17的電子被注入發(fā)光層84，因此通過被注入發(fā)光層84的空穴和電子結合，發(fā)光層84就會發(fā)光。此外，發(fā)光層84的發(fā)出光有直接經過開口部81而向實顯示區(qū)域34射出的情況和發(fā)出光與電源線103…沖突的情況。這里，由于在電源線103…上形成有反射面103a，因此發(fā)出光就被電源線103…的反射面103a或陰極17的反射面反射而從開口部81射出，或在反射面103a和陰極17中產生多次反射而沿發(fā)光層84的水平方向傳播后從開口部81射出。另外，由于反射層103a具有光散射性，因此與反射面103a沖突的發(fā)出光就會散射，從而抑制由多次反射引起的發(fā)出光的衰減。另外，由于與發(fā)光層84的凹凸面OT對應地形成陰極17，因此陰極17就具有曲面狀的反射面。另外，由于凸部T與開口部81的位置對應，因此陰極17的反射面就形成于與開口部81對應的位置上。所以，由陰極17的反射面反射的發(fā)出光就被聚光，以強度增大的狀態(tài)從開口部81射出。
如上所述，在本實施方式的有機EL裝置140中，設有被按照遮擋實顯示區(qū)域34的方式配置的電源線103…，這些電源線103…具有反射面103a，在這些電源線103…的側部，由于形成有開口部81，因此即使按照遮擋實顯示區(qū)域34的方式形成電源線103…，也會反射發(fā)出光而使之從開口部81射出，從而可以實現發(fā)出光的取出效率的提高。另外，在實施有機EL裝置140的大畫面化的情況下，雖然為了實現配線電阻的低電阻化，電源線103…的線寬變粗，從而有可能遮擋實顯示區(qū)域34，導致發(fā)出光的取出效率的降低，但是通過采用所述構成，就可以抑制發(fā)出光的取出效率的降低。所以，由于配線構造或配線圖案的自由度變大，因此使發(fā)光元件驅動部18…或開關用TFT112的各種或電源線103…位于所需的位置上，從而可以容易地實施大畫面化。
另外，由于發(fā)出光從開口部81射出，因此例如通過以所需的圖案形成電源線103…，就可以使發(fā)出光從所需的開口部81射出。另外，在因發(fā)光層84或陰極17的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地取出發(fā)出光，通過積極地調整電源線103…的圖案，在所需的位置形成開口部81，就可以使發(fā)出光的取出效率進一步提高。此外，所述構成在從設置了發(fā)光元件驅動部18…或各種配線的基板12側取出發(fā)出光的所謂底發(fā)射構造中特別有效。
另外，電源線103…也可以分支為多條而形成。
像這樣通過將電源線103…分支為多條，就會形成多個開口部81。這樣，就可以使發(fā)出光從這些開口部81射出。這里，通過將電源線103…以所需的圖案分支形成，就可以使發(fā)出光從所需的開口部81射出。另外，在由發(fā)光層84或陰極17的形狀導致發(fā)出光的強度不均的情況下，為了有效地取出發(fā)出光，通過積極地使電源線103…分支而在所需的位置上形成開口部81，就可以使發(fā)出光的取出效率進一步提高。另外，由于可以利用所述構成避免多次反射，因此可以抑制由這些多次反射引起的發(fā)出光的衰減。
另外，由于反射面103a具有使發(fā)出光散射的光散射性，因此可以使與反射面103a沖突的發(fā)出光散射。所以，就可以防止發(fā)出光的反射方向的偏離。另外，由于如果按照不使發(fā)出光向發(fā)光層84側反射的方式具有光散射性，則可以避免多次反射，因此就可以抑制由這些多次反射引起的發(fā)出光的衰減。
另外，由于陰極17具有光反射性，因此就可以將從發(fā)光層84向陰極17發(fā)出的發(fā)出光或被電源線103…反射的發(fā)出光向電源線103…或開口部81反射。
另外，由于發(fā)光層84具有凹凸面OT，因此就可以與這些凹凸面OT的形狀對應地射出發(fā)出光。另外，由于按照覆蓋這些凹凸面OT的方式形成具有光反射性的陰極17，因此就可以使發(fā)出光向凹凸面OT的法線方向射出。此外，由于凹凸面OT的凸部T或凹部0與開口部81對應，因此就可以使發(fā)出光向開口部81反射。
另外，通過以所需的形狀形成凹凸面OT，就可以使發(fā)出光向所需的位置聚光，從而可以部分地增大發(fā)光強度。另外，通過使此種發(fā)出光直接從開口部81射出，或在向任意的部位反射后射出，就可以使發(fā)出光的取出效率進一步提高。
另外，由于在發(fā)光層84的凹凸面OT和圍堰層91接觸的接觸點P中，角度θ的值在30°以上50°以下，因此就可以進一步促進所述效果。
另外，由于形成有遮光層BM，防止來自觀察實顯示在于34的觀察者側的外來光反射，因此可以實現對比度的提高。
而且，所述構成中，雖然陽極14…由以ITO制成的透明導電膜構成，但是也可以采用利用光反射性導電膜形成這些陽極14…，在與這些光反射性導電膜的開口部81對應的位置上具有狹縫的構成。
這樣，在陽極14…和陰極17之間進行多次反射后，就可以從狹縫部取出發(fā)出光。
另外，所述構成中，也可以采用在發(fā)光層84和陰極17之間設置了電子注入/傳輸層的構成。這里，電子注入/傳輸層最好是具有透光性的程度的膜厚。這樣，由陰極17反射的發(fā)出光就不會被遮蔽，從而可以防止發(fā)光強度的降低。
電子注入/傳輸層是發(fā)揮將電子注入發(fā)光層84的作用的層，作為其形成材料，并沒有特別限定，可以列舉出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二乙基氰及其衍生物、二吩醌衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物等。具體來說，與前面的空穴傳輸層的形成材料相同，可以列舉特開昭63-70257號、相同的63-175860號、特開平2-135359號、相同的2-135361號、相同的2-209988號、相同的3-37992號、相同的3-152184號公報中記述的化合物等，特別優(yōu)選2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹啉)鋁。
(有機EL裝置的制造方法)下面，參照圖10對所述的有機EL裝置140的制造方法進行說明。
首先，在基板12上，作為遮光層BM形成氧化鉻或氧化鈦膜，按照空出光取出部的方式進行圖案處理。然后，根據需要，用SiO2等形成絕緣層80，在其上形成掃描線101、信號線102…、電源線103…、保持電容113、開關用TFT112、發(fā)光元件驅動部18。另外，在各配線的端部附近，形成數據線驅動電路32、掃描線驅動電路38。此外，盡可能地拉開發(fā)光元件驅動部18和電源線103…之間的距離。本實施方式中，將該距離設為10μm。
然后，形成層間絕緣膜64。層間絕緣膜64的膜厚優(yōu)選100nm以上。當這些膜厚不夠時，就會有發(fā)出光的波長變化而無法實現所需的發(fā)光顏色的情況。所以，為了可靠地顯示RGB各色，最好以足夠的膜厚形成層間絕緣膜64。另外，通過調整層間絕緣膜64的膜厚，就可以對從發(fā)光層84到電源線103…的反射面103a的距離和發(fā)光波長進行適當調整。即，最好考慮波長區(qū)域來決定層間絕緣膜的膜厚。另外，根據發(fā)出光所透過的透過性材料的折射率來調整層間絕緣膜64的膜厚。另外，層間絕緣膜64的上面最好被實施平坦化處理，所以也可以分多個工序來形成層間絕緣膜64。
然后，在層間絕緣膜64上使成為陽極14…的ITO成膜而進行圖案處理。
這里，最好預先在層間絕緣膜64上形成接觸孔C。通過像這樣形成陽極14…，發(fā)光元件驅動部18…的漏電極和陽極14…就被連接。而且，陽極14…也可以利用印刷法或噴墨法將材料墨液噴出·干燥而在所需位置上形成。
然后，在作為用于決定象素開口部的無機絕緣膜使SiO2成膜后，通過進行圖案處理，就形成親液性控制層90。
然后，通過在親液性控制層90上使樹脂材料成膜而進行圖案處理，就形成圍堰層91(形成隔壁的工序)。這里，將圍堰層91的膜厚設為50nm。具體來說，例如在將在溶劑中溶解了丙烯酸樹脂、聚亞酰胺樹脂等抗蝕劑的溶液利用旋轉涂覆法、浸漬涂覆法等各種涂布方法涂布而形成有機質層后，就可以利用蝕刻等進行圖案處理。但是，如果利用印刷法或噴墨法(材料噴出法)，將材料墨液噴出·干燥而形成，則由于不需要圖案處理的工序，也沒有材料的浪費，因此更為優(yōu)選。這里，當圍堰層91的膜厚在100nm以上時，由于象素內有機層的干燥后的外形變得平坦，射出效率降低，因此如果可能，則優(yōu)選50nm以下的膜厚。另外，作為較薄的疏液膜，取代圍堰層91，在進行了疏液化處理后，僅向象素開口部照射UV(300nm以下的波長的紫外線)即可。作為疏液化處理劑，也可以使用具有氟化烷基的鈦耦合劑或硅烷耦合劑。
在將電源線細分化為編帶狀而從其間隙射出發(fā)出光的情況下，圍堰91的厚度不限定于此，為了將TFT或配線和陰極間的寄生電容降低至可以忽視的程度，圍堰91的厚度優(yōu)選1～2μm。
然后，在作為親液化處理向全面照射氧等離子體后，為了僅對圍堰層91的表面進行疏液化，照射CF4等離子體。
然后，通過使用噴墨法(液滴噴出法)，形成空穴注入層83及發(fā)光層84(與隔壁相鄰地形成發(fā)光層的工序)。即，通過作為空穴注入材料，將PEDOTPSS墨液與圍堰層91相鄰地噴出，干燥，進行200℃的煅燒，形成空穴注入層83。另外，作為發(fā)光層84，依次將發(fā)出紅、綠、藍光的材料按照與圍堰層91相鄰的方式噴出而形成3原色。
然后，利用蒸鍍形成反射性的陰極17，繼而形成鈍化膜85。另外，通過加入干燥劑(未圖示)而粘接密封基板19，即完成有機EL裝置140。
如上所述，在本實施方式的有機EL裝置140的制造方法中，起到與前面記述的有機EL裝置140相同的效果。
另外，由于具有形成圍堰層91的工序、利用噴墨法與圍堰層91相鄰地形成發(fā)光層84的工序，因此在圍堰層91和發(fā)光層84的接觸點P中，可以因圍堰層91的疏液性、基底的親液性、發(fā)光層84的材料溶劑的蒸發(fā)性等各種要因，而以所需的角度使之接觸。所以，就可以容易地形成所述的凹凸面OT。
(發(fā)光裝置的實施方式6)下面參照圖13，對本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方式6進行說明。
而且，本實施方式中，對于與實施方式5相同的構成使用相同的符號，將說明省略。
如圖13所示，本實施方式的有機EL裝置(發(fā)光裝置)150具有在基板12的實顯示區(qū)域34側形成了具有光反射性的反射部95的構成。
通過像這樣在基板12上設置反射部95，從開口部81射出的發(fā)出光就可以可靠地向觀察者側射出。所以，就可以進一步促進所述的效果。
如所述的實施方式5及實施方式6所示，由于使用實用的電極，確保了可靠性，因此就可以實現能夠使電能配線位于象素內的底發(fā)射構造。另外，利用本構成，由于可以將發(fā)光層84內的發(fā)出光中的在平面內(基板12的水平方向)傳播的光也向外部射出，因此就可以實現80％以上的光取出效率。另外，可以縮小象素開口部，通過對象素開口部以外進行光吸收處理，就可以不使用偏光板而實現對比度的提高。
而且，在所述的實施方式1～6的有機EL裝置100、110、120、130、140、150中，作為使發(fā)出光的取出效率提高的構成，也可以設置透鏡等光學構件。
另外，在所述實施方式1～6中，雖然對于作為發(fā)光裝置的有機EL裝置進行了說明，但是本發(fā)明并不限定有機EL裝置。除了有機EL裝置以外，在等離子體發(fā)光或利用電子放出的使用熒光等的裝置(例如PDP、FED、SED)等中，也可以使用本發(fā)明。
(電子機器)下面，對具有所述實施方式的有機EL裝置的電子機器的例子進行說明。
圖14(a)是表示攜帶電話的一個例子的立體圖。圖14(a)中，符號1000表示攜帶電話主體，符號1001表示使用了所述的有機EL裝置的顯示部。
圖14(b)是表示了手表型電子機器的一個例子的立體圖。圖14(b)中，符號1100表示手表主體，符號1101表示使用了所述有機EL裝置的顯示部。
圖14(c)是表示文字處理器、個人電腦等攜帶型信息處理裝置的一個例子的立體圖。圖14(c)中，符號1200表示信息處理裝置，符號1202表示鍵盤等輸入部，符號1204表示信息處理裝置主體，符號1206表示使用了所述的有機EL裝置的顯示部。
圖14(a)～(c)所示的電子機器由于具有所述實施方式的有機EL裝置，因此就成為具有可以實現高亮度和高對比度的圖像顯示的顯示部的電子機器。
而且，作為電子機器，并不限定于所述的攜帶電話等，可以適用于各種電子機器中。例如，可以作為筆記本型電腦、液晶投影儀、與多媒體對應的個人電腦(PC)及工程·工作站(EWS)、尋呼機、文字處理器、電視、取景器型或監(jiān)視器直視型的攝像機、電子記事簿、電子桌上計算機、導航裝置、POS終端、具有觸摸式面板的裝置等的電子機器的顯示部使用。
另外，本發(fā)明的電子機器由于可以降低發(fā)光元件的亮度不均，因此例如可以很好地應用于具有對角線在20英寸以上的大面積的顯示部的電子機器中。
權利要求
1.一種發(fā)光裝置，具備在基體上依次層疊第1電極、含有發(fā)光層的功能層、第2電極而形成的發(fā)光元件，其特征是，所述第1電極及第2電極具有光反射性，所述第2電極具有透過來自發(fā)光層的光的開口部。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述第1電極，在與所述第2電極的所述開口部在平面上重合的位置上，具有相對于基體面傾斜的傾斜面部。
3.根據權利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征是，設有圍繞所述發(fā)光元件的隔壁，所述第1電極被延伸設置至所述隔壁的內壁面。
4.根據權利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征是，還具有將由所述隔壁包圍的區(qū)域平面地劃分的內部隔壁，所述第1電極被延伸設置至所述內部隔壁的內壁面。
5.根據權利要求3或4所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述隔壁或內部隔壁的內壁面相對于所述基體面具有大約45°的傾斜角度。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，在所述第2電極的外面?zhèn)仍O置有防止反射機構。
7.根據權利要求1至6中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述第2陰極由具有透光性的透明性導電膜、輔助這些透明性導電膜的導電性的輔助電極構成，在所述輔助電極上形成有使來自所述發(fā)光層的光透過的所述開口部。
8.一種發(fā)光裝置，在基板上具有一對相對向的電極、被夾持在這些電極間的含有發(fā)光層的功能層，其特征是，在所述基板和所述發(fā)光層之間設有遮擋所述基板的顯示區(qū)域的配線，在這些配線上的所述發(fā)光層一側形成具有光反射性的反射面，在所述配線的側部形成有所述發(fā)光層的發(fā)出光通過的開口部。
9.根據權利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征是，對于所述發(fā)光層，形成多條分支的所述配線。
10.根據權利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述反射面具有使發(fā)出光散射的光散射性。
11.根據權利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征是，夾持所述發(fā)光層的所述電極的一方具有光反射性。
12.根據權利要求8至11中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述發(fā)光層在與所述配線相反一側具有凹凸面。
13.根據權利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征是，在所述凹凸面的端部，所述基板的垂直方向與該凹凸面所成的角度在30°以上50°以下。
14.根據權利要求8至13中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述凹凸面的頂部或底部與所述開口部對應。
15.根據權利要求8至14中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，在所述基板上，形成有具有光反射性的反射部。
16.根據權利要求8至15中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，在所述基板和所述配線之間，形成有光吸收層。
17.根據權利要求1至16中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征是，所述功能層含有有機電致發(fā)光材料。
18.一種發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置在基板上設有一對相對向的電極和被夾持在這些電極之間的包含發(fā)光層的功能層，其特征是，具有在所述基板和所述發(fā)光層之間形成遮擋所述基板的顯示區(qū)域的配線的工序，這些配線在所述發(fā)光層側具備具有光反射性的反射面，在側部具有所述發(fā)光層的發(fā)出光通過的開口部。
19.根據權利要求18所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征是，還具有分隔多個所述發(fā)光層而形成隔壁的工序、利用液滴噴出法與所述隔壁相鄰地形成所述發(fā)光層的工序。
20.一種電子機器，其特征是，具有權利要求1至17中任意一項所述的發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及電子機器，是具備在基體(12)上依次層疊第1電極(14)、含有發(fā)光層(15)的功能層(25)、第2電極(17)而形成的發(fā)光元件(13)的發(fā)光裝置(100)，所述第1電極(14)及第2電極(17)具有光反射性，所述第2電極(17)具有透過來自發(fā)光層(15)的光的開口部(17a)。利用該發(fā)光裝置，可以實現發(fā)出光的取出效率的提高，并且具有可以在顯示面內獲得均一的顯示亮度的高可靠性，即使在實施大畫面化的情況下，也可以抑制由各種配線構造引起的發(fā)出光的取出效率的降低。
文檔編號G09G3/36GK1615060SQ2004100877
公開日2005年5月11日 申請日期2004年10月28日 優(yōu)先權日2003年11月7日
發(fā)明者小林英和 申請人:精工愛普生株式會社