專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示板以及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及一種等離子體顯示板以及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示板的方法。特別是，本申請(qǐng)涉及一種具有改進(jìn)的壁電荷狀態(tài)的等離子體顯示板，該改進(jìn)的壁電荷狀態(tài)是由于復(fù)位周期的驅(qū)動(dòng)波形而引起的。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求于2003年10月15日提交申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2003-71891以及于2003年10月21日提交申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2003-73508為優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)的內(nèi)容在此全部引入作為參考。
在平板顯示器中，等離子體顯示板(PDP)由于其亮度、高發(fā)光效率和廣闊的視角正在被積極地展開(kāi)研發(fā)。
PDP使用由氣體放電產(chǎn)生的等離子體顯示文字或圖像，其具有以矩陣形式排列的數(shù)十萬(wàn)乃至上百萬(wàn)的像素。
現(xiàn)在將參考圖1和圖2對(duì)傳統(tǒng)的PDP進(jìn)行描述。
圖1是傳統(tǒng)PDP的部分透視圖。
參考圖1，包括掃描電極4和維持電極5的多對(duì)電極平行設(shè)置在第一襯底1上。由介電層2和保護(hù)層3覆蓋這些掃描電極4和維持電極5。由絕緣層7覆蓋的多個(gè)尋址電極8設(shè)置在第二襯底6上。阻擋壁9在絕緣層7上與尋址電極8平行設(shè)置，并且形成在尋址電極8之間。熒光層10形成在絕緣層7的表面上，并且在阻擋壁9的每一側(cè)上。第一襯底1和第二襯底6與夾在它們之間的放電空間11密封在一起，使得掃描電極4和維持電極5對(duì)垂直于尋址電極8。尋址電極8與掃描電極4和維持電極5對(duì)之間的交叉部分處的放電空間11的部分形成放電單元12。
圖2表示圖1的傳統(tǒng)PDP的典型電極排列。
參考圖2，PDP電極以n×m矩陣形式排列。尋址電極A1至Am排列在列方向，掃描電極Y1至Yn和維持電極X1至Xn以鋸齒形狀排列在行方向。圖2中的放電單元12對(duì)應(yīng)于圖1中的放電單元12。
參考圖3，現(xiàn)在將對(duì)驅(qū)動(dòng)傳統(tǒng)的PDP的方法進(jìn)行描述。通過(guò)將場(chǎng)分成多個(gè)子場(chǎng)來(lái)顯示灰度等級(jí)。根據(jù)時(shí)間周期，一個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期PR、尋址周期PA和維持周期PS。
復(fù)位周期PR消除由在先的子場(chǎng)的維持放電產(chǎn)生的壁電荷，并且對(duì)用于下一個(gè)尋址操作的每個(gè)放電單元的狀態(tài)初始化。
尋址周期PA選擇已尋址的單元并且在該已尋址的單元中聚集壁電荷。
維持周期PS進(jìn)行用于在已選定的放電單元上顯示圖像的維持放電。在維持周期PS期間，通過(guò)將維持脈沖交替地施加到維持電極X和掃描電極Y上來(lái)進(jìn)行維持放電。
具體地，在復(fù)位周期PR之后，壁電荷將處于最優(yōu)狀態(tài)，使得在接下來(lái)的尋址周期PA中可以進(jìn)行穩(wěn)定的尋址。當(dāng)在低壓條件下進(jìn)行尋址放電時(shí)這是特別重要的。
該復(fù)位周期PR包括消除部分PRl、上升斜坡(rising ramp)部分PR2以及下降斜坡(falling ramp)部分PR3。
該消除部分PRl消除在在先的子場(chǎng)的維持周期PS期間由維持放電產(chǎn)生的電荷。上升斜坡部分PR2在掃描電極Y、維持電極X和尋址電極A中產(chǎn)生壁電荷。下降斜坡部分PR3消除某些在上升斜坡周期PR2期間產(chǎn)生的壁電荷，以便更有效地進(jìn)行尋址放電。
在上升斜坡部分PR2期間，將從電壓Vs逐步升高到電壓Vset的斜坡電壓施加至掃描電極Y，該電壓Vset高于放電啟動(dòng)電壓，這時(shí)將0V電壓施加至尋址電極A和維持電極X。當(dāng)該斜坡電壓增加時(shí)，從掃描電極Y至尋址電極A和維持電極X產(chǎn)生輕微復(fù)位放電。該復(fù)位放電同時(shí)在掃描電極Y中聚集(-)壁電荷并且在尋址電極A和維持電極X中聚集(+)壁電荷。
在下降斜坡部分PR3期間，將從電壓Vs降低至電壓Vn的斜坡電壓施加至掃描電極Y，這時(shí)維持電極X維持在電壓Ve。當(dāng)該斜坡電壓減少時(shí)，在所有的放電單元中發(fā)生第二輕微復(fù)位放電，其減少了掃描電極Y中的(-)壁電荷和在維持電極X和尋址電極A中的(+)壁電荷。
在上升斜坡部分PR2期間將上升斜坡電壓施加給掃描電極Y之后，如果沒(méi)有充分觀(guān)察到從斜坡的峰值維持Vs+Vset的電壓的水平周期(flat period)，PDP就進(jìn)入下降斜坡部分PR3，那么在上升斜坡部分PR2中就不可能充分進(jìn)行所需的放電。因此，不可能充分形成壁電荷的理想狀態(tài)。
此外，在下降斜坡部分PR3期間，如果PDP沒(méi)有充分觀(guān)察到維持電壓Vn的水平周期就進(jìn)入尋址周期PA，那么在所有放電單元內(nèi)均勻形成壁電荷之前該復(fù)位周期PR就可能結(jié)束。因此，PDP可以進(jìn)入沒(méi)有均勻壁電荷的尋址周期PA，這可能導(dǎo)致不可靠的尋址放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種PDP以及驅(qū)動(dòng)該P(yáng)DP的方法，其中可以在復(fù)位周期的上升斜坡部分期間在放電單元中形成足夠的壁電荷。
本發(fā)明還提出了一種PDP以及驅(qū)動(dòng)該P(yáng)DP的方法，其中可以在復(fù)位周期的下降斜坡部分期間在放電單元中形成均勻的壁電荷。
本發(fā)明的其它特征將在以下的描述中列出，通過(guò)這些描述本發(fā)明的其它特征將逐步變得清楚，或者通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐可以了解到本發(fā)明的其它特征。
本發(fā)明公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法，該方法包括復(fù)位周期、尋址周期和維持放電周期，復(fù)位周期具有上升斜坡部分。在該復(fù)位周期的上升斜坡部分期間，一直維持保持施加至掃描電極的上升斜坡的峰值電壓的水平周期，直到在掃描電極的壁電荷的狀態(tài)中的變化(variation)在所有放電單元中結(jié)束為止。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法，該方法包括復(fù)位周期、尋址周期和維持放電周期，該復(fù)位周期具有上升斜坡部分和下降斜坡部分。在復(fù)位周期的下降斜坡部分期間，一直維持保持施加至掃描電極的下降斜坡的最低值(bottom)電壓的水平周期，直到掃描電極的壁電荷的狀態(tài)在所有放電單元中都是均勻的為止。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種具有第一電極和第二電極以及第三電極的PDP，其中第一電極和第二電極平行設(shè)置在第一襯底上，第三電極形成在第二襯底上并與第一和第二電極相交叉。電路將驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加至第一、第二和第三電極，其中該電路將在復(fù)位周期的第一部分期間施加至第一電極和第二電極的電壓差從第一電壓逐步升高到第二電壓，并且在第二部分期間將該電壓差維持在該第二電壓。該第二部分具有在放電單元中壁電壓為恒定的周期。
可以理解，上述概括的描述以及以下詳細(xì)的描述都是示例性的并且是說(shuō)明性的，這些描述其目的是給要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


為了更進(jìn)一步的理解本發(fā)明，本發(fā)明還包括附圖，其被結(jié)合進(jìn)該說(shuō)明書(shū)，并構(gòu)成該說(shuō)明書(shū)的一部分，這些附圖舉例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
圖1是傳統(tǒng)PDP的部分透視圖。
圖2表示傳統(tǒng)PDP的電極排列。
圖3表示傳統(tǒng)PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的PDP的視圖。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖6表示根據(jù)圖5的驅(qū)動(dòng)波形的壁電荷的分布。
圖7表示根據(jù)圖5的驅(qū)動(dòng)波形的壁電壓和施加的電壓。
圖8表示根據(jù)下降斜坡最低值水平周期的長(zhǎng)度的尋址電壓余量(margin)的變化。
圖9表示根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加充分的描述，其中示出了本發(fā)明的示例性圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP的視圖。如圖4所示，該P(yáng)DP包括等離子體板100、控制部分200、尋址驅(qū)動(dòng)部分300、X電極(維持電極)驅(qū)動(dòng)部分400以及Y電極(掃描電極)驅(qū)動(dòng)部分500。
等離子體板100包括在列方向上排列的尋址電極A1至Am，以及在行方向上以鋸齒狀排列的維持電極X1至Xn和掃描電極Y1至Yn。
該控制部分200接收視頻信號(hào)，并輸出用于尋址電極A、維持電極X和掃描電極Y的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。
該尋址驅(qū)動(dòng)部分300接收來(lái)自控制部分200的尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)至每個(gè)尋址電極A，以便選擇放電單元。
X電極驅(qū)動(dòng)部分400接收來(lái)自控制部分200的X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并將驅(qū)動(dòng)電壓施加至X電極。
Y電極驅(qū)動(dòng)部分500接收來(lái)自控制部分200的Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并將驅(qū)動(dòng)電壓施加至Y電極。
根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，在復(fù)位周期的上升斜坡部分期間，Y電極驅(qū)動(dòng)部分500將斜坡電壓施加至掃描電極Y，該斜坡電壓從低于放電啟動(dòng)電壓的電壓Vs逐步上升到高于放電啟動(dòng)電壓的電壓Vset，然后一直在掃描電極Y處維持該電壓Vset，直到壁電荷沒(méi)有變化為止。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP的驅(qū)動(dòng)波形，圖6表示根據(jù)圖5的驅(qū)動(dòng)波形的壁電荷的分布。
參考圖5的驅(qū)動(dòng)波形，子場(chǎng)包括復(fù)位周期PR、尋址周期PA和維持周期PS。該復(fù)位周期PR包括清除部分PR1、上升斜坡部分PR2以及下降斜坡部分PR3。
在清除部分PR1期間，由在先的維持放電產(chǎn)生的壁電荷被清除。在上升斜坡部分PR2期間，在掃描電極Y、維持電極X以及尋址電極A中產(chǎn)生壁電荷?？梢栽谙陆敌逼虏糠諴R3期間清除在上升斜坡周期PR2期間產(chǎn)生的一些壁電荷，以便有效地進(jìn)行隨后的尋址放電。
該P(yáng)DP包括掃描/維持驅(qū)動(dòng)器電路和尋址驅(qū)動(dòng)器電路，其中掃描/維持驅(qū)動(dòng)器電路用于在周期PR、PA和PS中施加驅(qū)動(dòng)電壓至掃描電極Y和維持電極X，尋址驅(qū)動(dòng)器電路用于施加驅(qū)動(dòng)電壓至尋址電極A。
在對(duì)應(yīng)于上升斜坡部分PR2的初始階段的第一部分PR21期間，將從電壓Vs平滑上升到電壓Vset的斜坡電壓施加至Y電極，這時(shí)尋址電極A和維持電極X維持在參考電壓0V。當(dāng)該斜坡電壓升高時(shí)，在所有放電單元中從掃描電極Y到尋址電極A和維持電極X發(fā)生輕微復(fù)位放電。該放電可以同時(shí)地將負(fù)(-)壁電荷聚集在掃描電極Y中，以及將正(+)壁電荷聚集在尋址電極A和維持電極X中。
在此，產(chǎn)生了壁電荷，并且這些壁電荷聚集在每個(gè)電極附近的放電單元的壁(例如絕緣層)上。盡管壁電荷并沒(méi)有真正接觸這些電極，但是為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，說(shuō)明書(shū)描述成就好像壁電荷形成或聚集在這些電極上。此外，壁電壓意思是由于壁電荷引起的在放電單元的壁上形成的電勢(shì)差。
由于尋址電極A趨于維持在掃描電極Y和維持電極X之間的平均電勢(shì)，因此上升斜坡部分PR2的結(jié)束部分處的壁電荷的狀態(tài)如圖6所示。換句話(huà)說(shuō)，形成在尋址電極A上的壁電荷對(duì)應(yīng)于施加至掃描電極Y的電壓Vset、由形成在掃描電極Y上的壁電荷產(chǎn)生的電勢(shì)、施加至維持電極X的電壓0V以及由形成在維持電極X上的壁電荷產(chǎn)生的電勢(shì)。
在對(duì)應(yīng)于上升斜坡部分PR2的后期階段的第二部分PR22期間，當(dāng)尋址電極A和維持電極X維持在參考電壓0V時(shí)，通過(guò)使在第一部分PR21中施加的最終電壓Vset維持一預(yù)定時(shí)間周期，可以充分觀(guān)察該水平周期。在第一部分PR21期間，當(dāng)X和Y電極之間的電壓差超過(guò)放電啟動(dòng)電壓時(shí)可以發(fā)生放電，使得在預(yù)定時(shí)間周期之后發(fā)生放電。相反，在第二部分PR22期間，電壓Vset恒定持續(xù)預(yù)定時(shí)間周期，使得壁電荷可以聚集在與維持電極X和掃描電極Y相對(duì)應(yīng)的放電單元中。因此，即使當(dāng)施加低壓Vset時(shí)也可以得到壁電荷的理想狀態(tài)。
在下降斜坡部分PR3期間，將從電壓Vs降至電壓Vn的斜坡電壓施加至掃描電極Y，這時(shí)將電壓Ve施加至維持電極X。該下降斜坡電壓可以以恒定斜率下降，或者以變化的斜率下降。
在接下來(lái)的尋址周期PA期間，通過(guò)將電壓Vn順次施加至掃描電極Y可以選擇掃描電極Y，這時(shí)將其它掃描電極Y維持在電壓Vsc。將尋址電壓Va施加至對(duì)應(yīng)的尋址電極A，它選擇那些其中施加了電壓Vn的單元。由于電壓Va和電壓Vn之間的差以及壁電壓可以得到尋址放電，該壁電壓是由形成在尋址電極A和掃描電極Y上的壁電荷引起的。
在維持周期PS期間，將維持脈沖交替地施加至掃描電極Y和維持電極X，由此提供它們之間的Vs和-Vs電壓差。該電壓Vs低于掃描電極Y和維持電極X之間的放電啟動(dòng)電壓。當(dāng)尋址放電產(chǎn)生在掃描電極Y和維持電極X之間的壁電壓時(shí)，由該壁電壓和電壓Vs引起在掃描電極Y和維持電極X之間產(chǎn)生放電。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D7描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形的壁電荷的狀態(tài)。
圖7表示根據(jù)圖5的驅(qū)動(dòng)波形的壁電壓和施加的電壓。
如圖7所示，施加的電壓VIN代表在掃描電極Y和維持電極X之間的電壓差。該施加的電壓VIN在上升斜坡部分PR2的第一部分PR21期間從電壓Vs逐步上升到電壓Vset，在第二部分PR22期間恒定地維持電壓Vset，并且在下降斜坡部分PR3期間從電壓Vs-Ve逐步下降至電壓Vn-Ve。當(dāng)以這種方式施加該逐步上升斜坡/下降斜坡的電壓而引起放電時(shí)，放電單元內(nèi)的壁電壓Vw可以以和施加的電壓VIN相同的速度增加。
當(dāng)在如圖7所示的上升斜坡部分PR2的結(jié)束點(diǎn)處掃描電極Y和維持電極X之間的壁電壓Vw為Vw0時(shí)，當(dāng)在電壓Vw0和施加的電壓VIN之間的電壓差達(dá)到放電啟動(dòng)電壓Vf時(shí)產(chǎn)生放電。當(dāng)由施加該逐步上升斜坡/下降斜坡的電壓產(chǎn)生放電時(shí)，放電單元內(nèi)的壁電壓Vw還可以以和施加的電壓VIN相同的速度減少。由于該原理已經(jīng)在U.S.專(zhuān)利No.5,745,086中公開(kāi)，因此在此將省略詳細(xì)的描述。
在上升斜坡部分PR2期間，在預(yù)定時(shí)間差Δt1后產(chǎn)生放電。通過(guò)增長(zhǎng)第二部分PR22可以持續(xù)該放電效果，這是由于可以聚集更多的壁電荷并且可以得到電壓Vset的增益。可以從第一部分PR21的結(jié)束處來(lái)維持該第二部分PR22，直到壁電荷Vw的量保持固定。
換句話(huà)說(shuō)，通過(guò)使峰值水平周期PR22維持長(zhǎng)于預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt2的時(shí)間，更多的壁電荷可以聚集在維持電極X和掃描電極Y上。如圖7所示，由在峰值水平周期PR22的預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt2內(nèi)，連續(xù)聚集在掃描電極上的壁電荷引起壁電壓Vw增加。
U.S.專(zhuān)利No.5,745,086詳細(xì)公開(kāi)了當(dāng)施加上升斜坡電壓和下降斜坡電壓時(shí)的復(fù)位周期。根據(jù)該公開(kāi)的內(nèi)容可知，當(dāng)施加電壓的上升斜率非常平滑時(shí)，由放電氣體引起的電流相對(duì)維持恒定，從而在放電期間施加至放電氣體的電壓也是恒定的。因此，當(dāng)施加電壓VIN的上升斜率等于壁電壓Vw的上升斜率時(shí)，壁電壓Vw在峰值水平周期期間是恒定的。
可是，如圖7所示，施加電壓VIN的上升斜率不可能等于壁電壓Vw的上升斜率，因此由于放電單元之間的電和結(jié)構(gòu)偏差引起在預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt2期間在峰值水平周期PR22處的壁電壓Vw持續(xù)增加。如果峰值水平周期PR22維持短于預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt2的周期，那么在下降斜坡部分PR3開(kāi)始之前就不可能充分聚集壁電荷。
根據(jù)本發(fā)明的PDP的第一示例性實(shí)施例，峰值水平周期PR22維持比預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt2要長(zhǎng)的周期，這樣可以結(jié)束壁電荷的變化。然后壁電壓Vw維持在Vw0，并且開(kāi)始下降斜坡部分PR3。
在下降斜坡部分PR3的初始周期PR31，將從電壓Vs下降到電壓Vn的斜坡電壓施加至掃描電極Y，這時(shí)維持電極X維持在電壓Ve。根據(jù)預(yù)定周期，該下降斜坡電壓可以是以恒定斜率下降的電壓，或者是以變化的斜率下降的電壓。在斜坡電壓下降期間，可以在所有放電單元中發(fā)生第二復(fù)位放電，由此使掃描電極Y的負(fù)(-)壁電荷以及維持電極X和尋址電極A的正(+)壁電荷減少。
參考圖7，在預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt3內(nèi)壁電壓Vw持續(xù)降低，即使是在下降斜坡部分PR3的最低值水平周期PR32中。由此，如果不存在下降斜坡部分PR3的最低值水平周期PR32或者該下降斜坡部分PR3的最低值水平周期PR32太短，那么當(dāng)由于放電單元的電和結(jié)構(gòu)偏差引起掃描電極Y周?chē)呢?fù)(-)電荷并不是足夠均勻時(shí)，該復(fù)位周期PR可能結(jié)束。壁電荷的這種非均勻狀態(tài)可能引起在隨后的尋址操作期間的誤放電。因此，本發(fā)明的第二個(gè)特點(diǎn)是通過(guò)比預(yù)定持續(xù)時(shí)間Δt3還要長(zhǎng)的時(shí)間周期來(lái)觀(guān)察最低值水平周期PR32，從而形成所有放電單元中的壁電荷的均勻狀態(tài)。
如上所述，當(dāng)充分確保了最低值水平周期PR32時(shí)，可以從所有單元中充分消除壁電荷。因此，和現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減少掃描電極Y周?chē)呢?fù)(-)電荷，這時(shí)壁電荷的狀態(tài)可以在所有單元中變得均勻。這是與尋址周期PA中的尋址電壓余量相關(guān)聯(lián)的。當(dāng)最低值水平周期PR32在復(fù)位周期PR期間增長(zhǎng)時(shí)，掃描電極Y周?chē)呢?fù)(-)電荷數(shù)量減少，由此相應(yīng)地減少了尋址電壓余量。
現(xiàn)在將描述下降斜坡的最低值水平周期PR32的長(zhǎng)度。
在本發(fā)明中，在下降斜坡斜率在復(fù)位周期PR內(nèi)小于-10V/μs的條件下，測(cè)量光波形。正如該測(cè)量的結(jié)果，當(dāng)最低值水平周期PR32維持時(shí)間長(zhǎng)于15μs時(shí)，可以將發(fā)射的可見(jiàn)光的強(qiáng)度判定為0。因此，當(dāng)最低值水平周期PR32維持時(shí)間長(zhǎng)于15μs并且下降斜坡斜率小于-10V/μs時(shí)，可以判定壁電荷的狀態(tài)是均勻的。
圖8表示當(dāng)下降斜坡斜率小于-10V/μs時(shí)，由下降斜坡的最低值水平周期PR32的長(zhǎng)度決定的在尋址電壓Va余量中的變化的示例性測(cè)試。
當(dāng)最低值水平周期PR32大約為10μs長(zhǎng)時(shí)，尋址電壓Va余量大約為12V，并且在大約20μs處降至大約9V。隨著最低值水平周期PR32變長(zhǎng)，Va余量減少。當(dāng)水平周期大約為60μs時(shí)，Va余量減少至大約4V。如圖8所示，當(dāng)水平周期大約為15μs長(zhǎng)時(shí)，Va余量大約為10V。
可是，Va余量的過(guò)度減少可能阻礙該尋址操作，因此優(yōu)選的是補(bǔ)償Va余量。
圖9是表示驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的方法的波形。參考圖9，為了在維持周期PR期間在掃描電極Sy’中均勻分布壁電荷，提供15μs的最低值水平周期。在尋址周期PA期間，可以將比接地電壓VG小預(yù)定電壓ΔVscan的掃描脈沖施加至掃描電極Sy’，以增長(zhǎng)最低值水平周期。通過(guò)在尋址周期PA期間施加掃描脈沖可以補(bǔ)償Va余量的平衡，該掃描脈沖減小了電壓ΔVscan。
本發(fā)明可以具有下列效果。
第一，由于在復(fù)位周期的上升斜坡部分期間充分確保了維持施加至掃描電極的上升斜坡峰值電壓的水平周期，因此可以在上升斜坡部分期間充分進(jìn)行放電，這可以形成壁電荷的理想狀態(tài)。
第二，由于在復(fù)位周期的下降斜坡部分期間充分確保了維持施加至掃描電極的下降斜坡最低值電壓的水平周期，因此可以在所有放電單元中均勻形成壁電荷的狀態(tài)。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以體現(xiàn)為計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)可以是能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或可以通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的程序的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)的例子包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、CD-ROM、磁帶、軟盤(pán)以及光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)中的程序可以表示成一系列指令，這些指令直接或間接地在具有信息處理能力的類(lèi)似計(jì)算機(jī)設(shè)備內(nèi)使用，以便得到特定結(jié)果。因此，“計(jì)算機(jī)”意味著包括存儲(chǔ)器、I/O單元、操作單元以及信息處理能力的任何設(shè)備。該用于驅(qū)動(dòng)面板的設(shè)備并不限于特殊領(lǐng)域，其可以是任何一種計(jì)算機(jī)。
通過(guò)示意性的或極高速集成電路硬件描述語(yǔ)言(VHDL)可以在計(jì)算機(jī)上形成用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的PDP的方法，并且可以通過(guò)可編程集成電路(如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA))由計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)該方法。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明作出各種變形和改進(jìn)。由此，希望本發(fā)明覆蓋本發(fā)明的各種變形和改進(jìn)，只要本發(fā)明的這些各種變形和改進(jìn)落入所附的權(quán)利要求及其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使用復(fù)位周期、尋址周期和維持放電周期來(lái)驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，其中復(fù)位周期具有上升斜坡部分，該方法包括在該上升斜坡部分期間，一直維持施加至掃描電極的上升斜坡峰值電壓的水平周期，直到在掃描電極的壁電荷中的變化在所有放電單元中結(jié)束為止。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)水平周期結(jié)束時(shí)的掃描電極的壁電壓高于當(dāng)水平周期開(kāi)始時(shí)的掃描電極的壁電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中峰值電壓高于放電啟動(dòng)電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中復(fù)位周期具有下降斜坡部分，該方法進(jìn)一步包括在復(fù)位周期的下降斜坡部分期間，一直維持施加至掃描電極的下降斜坡最低值電壓的水平周期，直到掃描電極的壁電荷在所有放電單元中是均勻的為止。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)上對(duì)用于執(zhí)行該方法的計(jì)算機(jī)代碼進(jìn)行編碼。
6.一種使用復(fù)位周期、尋址周期和維持放電周期來(lái)驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，其中復(fù)位周期具有上升斜坡部分和下降斜坡部分，該方法包括在下降斜坡部分期間，一直維持施加至掃描電極的下降斜坡最低值電壓的水平周期，直到掃描電極的壁電荷在所有放電單元中是均勻的為止。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該水平周期維持大于大約15μs，并且下降斜坡的斜率小于-10V/μs。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中下降斜坡具有可變斜率。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在尋址周期期間，通過(guò)降低施加至掃描電極的掃描脈沖的低電平電勢(shì)來(lái)補(bǔ)償尋址電壓余量的減少。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)上對(duì)用于執(zhí)行該方法的計(jì)算機(jī)代碼進(jìn)行編碼。
11.一種等離子體顯示板(PDP)，包括平行設(shè)置在第一襯底上的第一電極和第二電極；形成在第二襯底上并與第一電極和第二電極相交叉的第三電極；以及用于向第一電極、第二電極和第三電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路，其中該電路將在復(fù)位周期的第一部分期間施加至第一電極和第二電極的電壓差從第一電壓逐步升高到第二電壓，并且在復(fù)位周期的第二部分期間將該電壓差維持在該第二電壓，其中第二部分具有在放電單元中壁電壓為恒定的周期。
12.如權(quán)利要求11所述的PDP，其中由于施加至第一電極和第二電極的電壓引起產(chǎn)生壁電壓，以及其中當(dāng)壁電壓與施加至第一電極和第二電極的電壓差之間的差值大于放電啟動(dòng)電壓時(shí)，就產(chǎn)生放電。
13.如權(quán)利要求11所述的PDP，其中第一部分和第二部分處于上升斜坡部分。
14.如權(quán)利要求11所述的PDP，其中第二電壓高于放電啟動(dòng)電壓。
15.如權(quán)利要求14所述的PDP，其中第一電壓低于放電啟動(dòng)電壓。
16.如權(quán)利要求11所述的PDP，其中第一電極是掃描電極，并且第二電極是維持電極。
全文摘要
一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，包括復(fù)位周期、尋址周期和維持放電周期，其中復(fù)位周期具有上升斜坡部分。在復(fù)位周期的上升斜坡部分期間，維持施加至掃描電極的上升斜坡峰值電壓的水平周期的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于一個(gè)周期，直到在掃描電極的壁電荷的狀態(tài)中的變化在所有放電單元中結(jié)束為止。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1607569SQ2004100951
公開(kāi)日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2004年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月15日
發(fā)明者金泰城, 鄭宇埈, 金鎮(zhèn)成, 姜京湖, 蔡升勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社