專利名稱：電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示(ELD)器件，尤其涉及一種能夠防止在各像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管閾值電壓上升并提供穩(wěn)定顯示亮度的電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
已經(jīng)做出很多努力來研究和開發(fā)各種平板顯示器件，例如液晶顯示(LCD)器件、場發(fā)射顯示(FED)器件、等離子顯示板(PDP)器件和電致發(fā)光(EL)顯示器件，用以替代陰極射線管(CRT)器件。這些平板顯示器件具有外形薄、重量輕和尺寸小的有利特點(diǎn)。此外，電致發(fā)光(EL)顯示器件具有的另一優(yōu)點(diǎn)在于其是一種能夠使用磷材料來發(fā)光的自發(fā)光型顯示器。
通常，如果磷材料包括無機(jī)材料，EL顯示器件就分類為無機(jī)EL器件，或者如果磷材料包括有機(jī)化合物，EL顯示器件就分類為有機(jī)EL器件。通常，有機(jī)EL器件包括設(shè)置在陰極與陽極之間的電子注入層、電子載流子層、發(fā)光層、空穴載流子層和空穴注入層。當(dāng)將一預(yù)定電壓施加在有機(jī)EL器件中的陽極與陰極之間時(shí)，從陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)由電子注入層和電子載流子層移動(dòng)到發(fā)光層中，而從陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)由空穴注入層和空穴載流子層移動(dòng)到發(fā)光層中。這樣，這些分別來自電子載流子層和空穴載流子層的電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合，從而發(fā)光。
有機(jī)ELD通常使用包括淀積工藝和封裝工藝的相對(duì)簡單的工藝制造。這樣，有機(jī)ELD的制造成本低。而且，有機(jī)ELD可以使用低DC電壓工作，從而具有低能耗和快速響應(yīng)時(shí)間。有機(jī)ELD還具有寬視角和高圖像對(duì)比度。另外，由于有機(jī)ELD是一種集成器件，所以有機(jī)ELD有受外部撞擊的高承受力和廣泛的應(yīng)用范圍。
已經(jīng)廣泛使用一種沒有開關(guān)元件的無源矩陣型ELD。在無源矩陣型ELD中，掃描線與信號(hào)線交叉以限定矩陣結(jié)構(gòu)中的多個(gè)像素，并且掃描線被順序驅(qū)動(dòng)以激勵(lì)各像素。然而，為了獲得期望的平均亮度，瞬間亮度需要與通過將平均亮度乘以線數(shù)獲得的亮度一樣高。
也存在一種在各像素內(nèi)包括薄膜晶體管作為各開關(guān)元件的有源矩陣型ELD。施加到像素的電壓充入存儲(chǔ)電容Cst中，以便可以施加該電壓直到施加下一幀信號(hào)為止，從而可以無論柵線數(shù)量多少而持續(xù)驅(qū)動(dòng)有機(jī)ELD直到完成圖像畫面。因此，有源矩陣型ELD即使在施加低電流時(shí)也能夠提供均勻的亮度。
圖1是說明現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有源矩陣型電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖。在圖1中，有源矩陣型EL顯示器件包括具有設(shè)置在柵線GL與數(shù)據(jù)線DL之間的交叉點(diǎn)上的像素28的EL面板20、用于驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€GL的柵驅(qū)動(dòng)器22和用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器24。柵驅(qū)動(dòng)器22順序?qū)呙杳}沖施加到柵線GL以驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€GL。此外，只要提供掃描脈沖，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器24將從外部源輸入的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，并將該模擬數(shù)據(jù)信號(hào)施加到數(shù)據(jù)線DL上。當(dāng)掃描脈沖施加到對(duì)應(yīng)的柵線GL時(shí)，各像素28從各條數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號(hào)，從而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號(hào)的光。
圖2是說明圖1所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖。如圖2所示，各像素28包括具有連接到供電電壓源VDD的陽極和連接到單元驅(qū)動(dòng)器30的陰極的電致發(fā)光單元OEL。單元驅(qū)動(dòng)器30還連接到各條柵線GL、各條數(shù)據(jù)線DL和接地電壓源GND，以驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光單元OEL。
此外，單元驅(qū)動(dòng)器30包括開關(guān)薄膜晶體管T1、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2和存儲(chǔ)電容Cst。開關(guān)薄膜晶體管T1包括連接到各條柵線GL的柵極端、連接到各條數(shù)據(jù)線DL的源極端和連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極端。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2包括連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的柵極端、連接到接地電壓源GND的源極端和連接到電致發(fā)光單元OEL的漏極端。存儲(chǔ)電容Cst連接在接地電壓源GND與第一節(jié)點(diǎn)N1之間。
而且，當(dāng)掃描脈沖施加到各條柵線GL時(shí)，開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通時(shí)，其將提供到各條數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上。然后，提供到第一節(jié)點(diǎn)上的數(shù)據(jù)信號(hào)充入存儲(chǔ)電容Cst中，并施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2響應(yīng)該數(shù)據(jù)信號(hào)，控制從供電電壓源VDD經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL饋入的電流量I，從而控制電致發(fā)光單元OEL的發(fā)光量。
另外，即使開關(guān)薄膜晶體管T1截止，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2可以通過充入存儲(chǔ)電容Cst中的數(shù)據(jù)信號(hào)保持導(dǎo)通狀態(tài)，并仍然可以控制從供電電壓源VDD經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL饋入的電流量I，直到施加下一幀的數(shù)據(jù)信號(hào)。在這種情況下，流向電致發(fā)光單元OEL的電流量I可以表示為下面的等式I=W2LCox(Vg2-Vth)2······(1)]]>“W”代表驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的寬度，并且“L”代表驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的長度。而且，“Cox”代表當(dāng)制造驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2時(shí)，由形成單層的絕緣膜提供的電容值。同樣，“Vg2”代表輸入到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2柵極端的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值，并且“Vth”代表驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓值。
在上面等式(1)中，“W”、“L”、“Cox”和“Vg2”與時(shí)間推移無關(guān)地連續(xù)保持。然而，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓值“Vth”隨時(shí)間推移而削弱。
具體地說，正(+)電壓持續(xù)提供到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端上。具體地，持續(xù)施加的正電壓使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth隨時(shí)間推移而增加。此外，由于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth增加，流過電致發(fā)光單元OEL的電流量減少，從而減少了圖像亮度并使圖像質(zhì)量惡化。
圖3A和圖3B是說明非晶硅原子的結(jié)構(gòu)圖，并且圖4是說明圖2所示的像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管惡化的曲線圖。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2(圖2所示)由氫化物非晶硅制成。氫化物非晶硅可以容易地以大尺寸制成并可以在低于350℃的低溫下在基板上淀積。這樣，大部分薄膜晶體管都使用氫化物非晶硅制成。
然而，如圖3A所示，氫化物非晶硅具有一種有弱/懸浮硅-硅(Si-Si)鍵32的不規(guī)則原子結(jié)構(gòu)。如圖3B所示，隨著時(shí)間推移，硅從弱鍵分離，并且電子或空穴在原子分離處復(fù)合。如圖4所示，因?yàn)橛捎跉浠锓蔷Ч璧脑咏Y(jié)構(gòu)變化而改變了能級(jí)，所以驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth隨著時(shí)間推移逐漸增加到Vth’、Vth”和Vth。
因此，因?yàn)轵?qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth隨著時(shí)間推移增加到Vth’、Vth”和Vth，所以現(xiàn)有技術(shù)的電致發(fā)光顯示器件的圖像亮度隨著時(shí)間而降級(jí)。此外，由于EL面板20的部分亮度減少產(chǎn)生殘留圖像，因而嚴(yán)重削弱了圖像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法，其基本上避免了因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)或者多個(gè)問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法，其可以防止提供給各像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓上升，以顯示有穩(wěn)定亮度的圖像。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下的描述中列出，根據(jù)該描述，它們的一部分將變得很明顯，或者可以通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐學(xué)會(huì)。通過以下的文字說明及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，將實(shí)現(xiàn)和達(dá)到本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和概括的描述，本發(fā)明的一種電致發(fā)光顯示器件包括具有在由數(shù)據(jù)線與第一和第二柵線之間交叉限定的像素區(qū)域中的多個(gè)像素的電致發(fā)光面板，各像素包括連接以接收供電電壓的電致發(fā)光單元和用于交替控制流入電致發(fā)光單元的電流的第一單元驅(qū)動(dòng)器和第二單元驅(qū)動(dòng)器。
在另一個(gè)方面，一種電致發(fā)光顯示器件包括各條水平線的第一和第二柵線、以矩陣型方式設(shè)置的各像素的多個(gè)電致發(fā)光單元、具有當(dāng)掃描脈沖施加到第一柵線上時(shí)，用以控制流入電致發(fā)光單元電流的各像素的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一單元驅(qū)動(dòng)器、以及具有當(dāng)掃描脈沖施加到第二柵線上時(shí)，用以控制流入電致發(fā)光單元電流的各像素的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二單元驅(qū)動(dòng)器。
在又一個(gè)方面，一種具有以矩陣型方式設(shè)置的各像素的第一單元驅(qū)動(dòng)器和第二單元驅(qū)動(dòng)器的電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法包括將掃描脈沖施加到第一和第二柵線上、當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第一柵線(GL1j)或第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第j條水平線(j為一整數(shù))的像素的第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器的其中一個(gè)并將逆偏電壓施加到像素的第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器中的另外一個(gè)、以及基于所述數(shù)據(jù)信號(hào)，控制電流經(jīng)由像素的電致發(fā)光單元從供電電壓源流入基準(zhǔn)電壓源。
應(yīng)理解的是，前述的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意欲用它們提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


所包括用來提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步理解并且包括在內(nèi)構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，并且連同文字說明一起用來解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是說明現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖；圖2是說明圖1所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖；圖3A和圖3B是說明非晶硅原子的結(jié)構(gòu)圖；圖4是說明圖2所示的像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管惡化的曲線圖；圖5是說明按照本發(fā)明一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖；圖6是說明圖5所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖；圖7是說明施加到圖5所示的電致發(fā)光顯示器件的柵線上的掃描脈沖的波形圖；圖8是說明按照本發(fā)明另一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖；圖9是說明圖8所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖；圖10A和圖10B是說明按照本發(fā)明一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的發(fā)光示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下詳細(xì)描述本發(fā)明的各優(yōu)選實(shí)施例，它們的實(shí)例示于附圖中。
圖5是說明按照本發(fā)明一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖。在圖5中，電致發(fā)光(EL)顯示器件包括EL板40，其具有多條第一柵線GL11…GL1n、多條第二柵線GL21…GL2n和多條數(shù)據(jù)線DL，其中柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n與數(shù)據(jù)線DL交叉。第一柵線GL11…GL1n的數(shù)量可以與第二柵線GL21…GL2n的數(shù)量相等，使得各條第二柵線GL21…GL2n分別與各條第一柵線GL11…GL1n配對(duì)以用作EL面板40的水平顯示線。
此外，EL顯示器件包括用于驅(qū)動(dòng)第一和第二柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n的柵驅(qū)動(dòng)器42，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器44，以及至少一用于將供電電壓VDD、逆電壓VI、第一基準(zhǔn)電壓VSS1和第二基準(zhǔn)電壓VSS2提供到EL面板40的源(未示出)。EL面板40還包括設(shè)置在由柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n與數(shù)據(jù)線DL之間交叉限定的像素區(qū)域中的多個(gè)像素50。
而且，柵驅(qū)動(dòng)器42在第i幀(i為一整數(shù))期間將掃描脈沖施加到第一柵線GL11…GL1n以順序驅(qū)動(dòng)第一柵線GL11…GL1n，并在第(i+1)幀期間將掃描脈沖施加到第二柵線GL21…GL2n以順序驅(qū)動(dòng)第二柵線GL21…GL2n。只要提供掃描脈沖，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器44就將從外部源輸入的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)并將該模擬數(shù)據(jù)信號(hào)施加到數(shù)據(jù)線DL上。
另外，各像素50包括第一單元驅(qū)動(dòng)器46、第二單元驅(qū)動(dòng)器48和電致發(fā)光單元OEL。當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1上時(shí)，第一單元驅(qū)動(dòng)器46從各條數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并控制電致發(fā)光單元OEL以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于接收的數(shù)據(jù)信號(hào)的光。當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2上時(shí)，第二單元驅(qū)動(dòng)器48從各條數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并控制電致發(fā)光單元OEL以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于接收的數(shù)據(jù)信號(hào)的光。所以，第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器46和48交替驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光單元OEL而且，當(dāng)掃描脈沖施加到第二柵線GL2上時(shí)，第一單元驅(qū)動(dòng)器46接收逆電壓VI以將逆偏電壓施加到包括在其中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管上。而且，當(dāng)掃描脈沖施加到第一柵線GL1上時(shí)，第二單元驅(qū)動(dòng)器48接收逆電壓VI以將逆偏電壓施加到包括在其中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管上。此外，第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器46和48在每一幀交替地將逆偏電壓施加到包括在其中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管上。
圖6是說明圖5所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖。如圖6所示，提供給各像素50的電致發(fā)光單元OEL包括連接以接收供電電壓VDD的陽極和連接到第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器46和48的陰極。
第一單元驅(qū)動(dòng)器46包括第一開關(guān)薄膜晶體管T1、第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2、第一偏壓開關(guān)SW1和第一存儲(chǔ)電容Cst。第一開關(guān)薄膜晶體管T1包括連接到各條第一柵線GL1的柵極端、連接到各條數(shù)據(jù)線DL的源極端和連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極端。
第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2包括連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的柵極端、連接到提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源的源極端和連接到電致發(fā)光單元OEL的漏極端。此外，第一存儲(chǔ)電容Cst連接在第一節(jié)點(diǎn)N1與提供第二基準(zhǔn)電壓VSS2的源之間。第一偏壓開關(guān)SW1包括連接以接收逆電壓VI的源極端、連接到各條第二柵線GL2的柵極端和連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極端。
具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以設(shè)為低于供電電壓VDD的電壓值，以便電流I從提供供電電壓VDD的源，經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL流過第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。而且，供電電壓VDD的電壓值可以有正極性。例如，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以低于接地電壓GND。具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值通常設(shè)為相等。然而，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2可以等于接地電壓GND。另外，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以由于多種因素而不相等，例如，EL面板40的分辨率和EL面板40的工藝條件。
當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1上時(shí)，第一開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通，從而將提供給各條數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上。然后，提供給第一節(jié)點(diǎn)N1的數(shù)據(jù)信號(hào)充入第一存儲(chǔ)電容Cst中并施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端上。而且，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2響應(yīng)施加到其中的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制電流量I經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL從供電電壓VDD的源流入提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源。所以，電致發(fā)光單元OEL產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電流量I的光。此外，即使第一開關(guān)薄膜晶體管T1截止，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2也可以通過充入第一存儲(chǔ)電容Cst中的數(shù)據(jù)信號(hào)保持導(dǎo)通。
而且，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2時(shí)，第一偏壓開關(guān)SW1導(dǎo)通，從而將逆電壓VI施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上。逆電壓VI的值可以設(shè)為低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1的值。當(dāng)逆電壓VI低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1時(shí)，逆偏電壓施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。換句話說，提供有第一基準(zhǔn)電壓VSS1的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極端電壓高于提供有逆電壓VI的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2柵極端的電壓。所以，隨著逆電壓VI施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上，逆偏電壓施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2，從而防止了第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth隨時(shí)間推移而增加。因此，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2上時(shí)，由于逆偏電壓提供到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2上，所以即使隨著時(shí)間推移，也防止了第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的惡化并且第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth保持不變。
第二單元驅(qū)動(dòng)器48包括第二開關(guān)薄膜晶體管T3、第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4、第二偏壓開關(guān)SW2和第二存儲(chǔ)電容Cst。第二開關(guān)薄膜晶體管T3包括連接到各條第二柵線GL2的柵極端、連接到各條數(shù)據(jù)線DL的源極端和連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極端。第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4包括連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的柵極端、連接到提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源的源極端和連接到電致發(fā)光單元OEL的漏極端。此外，第二存儲(chǔ)電容Cst連接在第二節(jié)點(diǎn)N2與提供第二基準(zhǔn)電壓VSS2的源之間。第二偏壓開關(guān)SW2包括連接以接收逆電壓VI的源極端、連接到各條第一柵線GL1的柵極端和連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極端。
具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以設(shè)為低于供電電壓VDD的電壓值，以便電流I經(jīng)由發(fā)光單元OEL，從提供供電電壓VDD的源流過第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4。
當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2上時(shí)，第二開關(guān)薄膜晶體管T3導(dǎo)通，從而將提供到各條數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上。然后，提供到第二節(jié)點(diǎn)N2上的數(shù)據(jù)信號(hào)充入第二存儲(chǔ)電容Cst中并施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的柵極端。而且，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4響應(yīng)施加到其中的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制電流量I經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL從供電電壓VDD的源流入提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源。所以，電致發(fā)光單元OEL產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電流量I的光。此外，即使第二開關(guān)薄膜晶體管T3截止，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4也可以通過充入第二存儲(chǔ)電容Cst中的數(shù)據(jù)信號(hào)保持導(dǎo)通。
而且，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1上時(shí)，第二偏壓開關(guān)SW2導(dǎo)通，從而將逆電壓VI施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上。當(dāng)逆電壓VI低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1時(shí)，逆偏電壓施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4。換句話說，提供有第一基準(zhǔn)電壓VSS1的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的源極端電壓高于提供有逆電壓VI的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的柵極端電壓。所以，隨著逆電壓VI施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上，逆偏電壓施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4，從而防止了第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth隨時(shí)間推移而增加。因此，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1上時(shí)，由于逆偏電壓提供到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4上，所以即使隨著時(shí)間推移，也防止了第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的惡化并且第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth保持不變。
圖7是說明施加到圖5所示的電致發(fā)光顯示器件的柵線上的掃描脈沖的波形圖。如圖7所示，在第i幀iF期間，高狀態(tài)掃描脈沖順序從柵驅(qū)動(dòng)器42(圖5所示)施加到第一柵線GL11…GL1n上，從而順序驅(qū)動(dòng)第一柵線GL11…GL1n。此外，在第(i+1)幀i+1F期間，高狀態(tài)掃描脈沖順序從柵驅(qū)動(dòng)器42(圖5所示)施加到第二柵線GL21…GL2n上，從而順序驅(qū)動(dòng)第二柵線GL21…GL2n。而且，當(dāng)沒有向第一和第二柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n施加高狀態(tài)掃描脈沖時(shí)，截止信號(hào)施加到第一和第二柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n上。高狀態(tài)掃描脈沖的電壓值可以是大約20V，并且截止信號(hào)的電壓值可以是大約-5V。
參照?qǐng)D6和圖7，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖施加到第一柵線GL1上時(shí)，連接到第一柵線GL 1的第一單元驅(qū)動(dòng)器46的第一開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通。由于第一開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通，提供到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一單元驅(qū)動(dòng)器46的第一節(jié)點(diǎn)N1上。然后，第一單元驅(qū)動(dòng)器46的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2通過施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上的數(shù)據(jù)信號(hào)導(dǎo)通，從而將對(duì)應(yīng)于來自提供供電電壓VDD的源的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流I施加到第一基準(zhǔn)電壓VSS1，并從而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于來自電致發(fā)光單元OEL的電流I的光。
這樣，在第i幀iF期間，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖順序施加到第一柵線GL11…GL1n上時(shí)，像素50可以順序由第一單元驅(qū)動(dòng)器46逐條地驅(qū)動(dòng)。
而且，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖順序施加到第一柵線GL11…GL1n上時(shí)，各像素50的第二單元驅(qū)動(dòng)器48的第二偏壓開關(guān)SW2導(dǎo)通。當(dāng)?shù)诙珘洪_關(guān)SW2導(dǎo)通時(shí)，逆電壓VI施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的柵極端。當(dāng)掃描脈沖施加到第一柵線GL1上時(shí)，由于第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4源極端的電勢VSS1大于第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4柵極端的電勢VI，所以逆偏電壓施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4，從而防止了第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的惡化。
此外，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖施加到第二柵線GL2上時(shí)，連接到第二柵線GL2的第二單元驅(qū)動(dòng)器48的第二開關(guān)薄膜晶體管T3導(dǎo)通。由于第二開關(guān)薄膜晶體管T3導(dǎo)通，提供到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第二單元驅(qū)動(dòng)器48的第二節(jié)點(diǎn)N2上。然后，第二單元驅(qū)動(dòng)器48的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4通過施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上的數(shù)據(jù)信號(hào)導(dǎo)通，從而將對(duì)應(yīng)于來自提供供電電壓VDD的源的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流I施加到第一基準(zhǔn)電壓VSS1，并從而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于來自電致發(fā)光單元OEL的電流I的光。
這樣，在第(i+1)幀i+1F期間，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖順序施加到第二柵線GL21…GL2n上時(shí)，像素50順序由第二單元驅(qū)動(dòng)器48逐條地驅(qū)動(dòng)。
而且，當(dāng)高狀態(tài)掃描脈沖順序施加到第二柵線GL21…GL2n上時(shí)，各像素50的第一單元驅(qū)動(dòng)器46的第一偏壓開關(guān)SW1導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝黄珘洪_關(guān)SW1導(dǎo)通時(shí)，逆電壓VI施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端。當(dāng)掃描脈沖施加到第二柵線GL2上時(shí)，由于第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2源極端的電勢VSS1大于第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2柵極端的電勢VI，所以逆偏電壓施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2，從而防止了第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的惡化。
圖8是說明按照本發(fā)明另一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的示意性方框圖。在圖8中，電致發(fā)光(EL)顯示器件包括EL面板40，其具有多條第一柵線GL11…GL1n、多條第二柵線GL21…GL2n和多條數(shù)據(jù)線DL，其中第一柵線GL11…GL1n和第二柵線GL21…GL2n與數(shù)據(jù)線DL交叉。第一柵線GL11…GL1n的數(shù)量可以與第二柵線GL21…GL2n的數(shù)量相等，使得各條第二柵線GL21…GL2n分別與各條第一柵線GL11…GL1n配對(duì)以用作EL面板40的水平顯示線。
此外，EL顯示器件包括用于驅(qū)動(dòng)第一和第二柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n的柵驅(qū)動(dòng)器42，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器44，以及至少一用于將供電電壓VDD、第一基準(zhǔn)電壓VSS1和第二基準(zhǔn)電壓VSS2提供到EL面板40的源(未示出)。EL面板40還包括設(shè)置在由柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n與數(shù)據(jù)線DL之間的交叉限定的像素區(qū)域中的多個(gè)像素60。
而且，柵驅(qū)動(dòng)器42在第i幀(i為一整數(shù))期間將掃描脈沖施加到第一柵線GL11…GL1n上以順序驅(qū)動(dòng)第一柵線GL11…GL1n，并在第(i+1)幀期間將掃描脈沖施加到第二柵線GL21…GL2n上以順序驅(qū)動(dòng)第二柵線GL21…GL2n。例如，如圖7所示，柵驅(qū)動(dòng)器42可以驅(qū)動(dòng)第一和第二柵線GL11…GL1n和GL21…GL2n。只要提供掃描脈沖，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器44就將從外部源輸入的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)并將該模擬數(shù)據(jù)信號(hào)施加到數(shù)據(jù)線DL上。
另外，各像素60包括第一單元驅(qū)動(dòng)器62、第二單元驅(qū)動(dòng)器64和電致發(fā)光單元OEL。當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1j上時(shí)，第一單元驅(qū)動(dòng)器62從各條數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并控制電致發(fā)光單元OEL以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于接收的數(shù)據(jù)信號(hào)的光。同時(shí)，第一單元驅(qū)動(dòng)器62也從第(j-1)條第一和第二柵線GL1(j-1)和GL2(j-1)中的一條接收截止信號(hào)，從而將逆偏電壓施加到第一單元驅(qū)動(dòng)器62。當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2j上時(shí)，第二單元驅(qū)動(dòng)器64從各條數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并控制電致發(fā)光單元OEL以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于接收的數(shù)據(jù)信號(hào)的光。同時(shí)，第二單元驅(qū)動(dòng)器64也從第(j-1)條第一和第二柵線GL1(j-1)和GL2(j-1)中的一條接收截止信號(hào)，從而將逆偏電壓施加到第二單元驅(qū)動(dòng)器64。所以，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1j上或各條第二柵線GL2j上時(shí)，各像素60接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并且第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器62和64交替驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光單元OEL。
圖9是說明圖8所示的電致發(fā)光顯示器件的像素的詳細(xì)電路圖。如圖9所示，提供給各像素60的電致發(fā)光單元OEL包括連接以接收供電電壓VDD的陰極和連接到第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器62和64的陽極。
例如，對(duì)于對(duì)應(yīng)于EL面板40(圖8所示)的第j條水平顯示線的像素60，第一單元驅(qū)動(dòng)器62包括第一開關(guān)薄膜晶體管T1、第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2、第一偏壓開關(guān)SW1和第一存儲(chǔ)電容Cst。第一開關(guān)薄膜晶體管T1包括連接到各條第一柵線GL1j的柵極端、連接到各條數(shù)據(jù)線DL的源極端和連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極端。第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2包括連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的柵極端、連接到提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源的源極端和連接到電致發(fā)光單元OEL的漏極端。此外，第一存儲(chǔ)電容Cst連接在第一節(jié)點(diǎn)N1與提供第二基準(zhǔn)電壓VSS2的源之間。第一偏壓開關(guān)SW1包括連接到前級(jí)第一柵線GL1(j-1)的源極端、連接到各條第二柵線GL2j的柵極端和連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極端。雖然未示出，但是第一偏壓開關(guān)SW1的源極端可以交替連接到前級(jí)第二柵線GL2(j-1)。
具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以設(shè)為低于供電電壓VDD的電壓值，以便電流I經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL，從提供供電電壓VDD的源流過第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。而且，供電電壓VDD的電壓值可以有正極性。例如，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以低于接地電壓GND。具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值通常設(shè)為相等。然而，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2可以等于接地電壓GND。另外，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以由于多種因素而不相等，例如，EL面板40的分辨率和EL面板40的工藝條件。
當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1j上時(shí)，第一開關(guān)薄膜晶體管T1導(dǎo)通，從而將提供到各條數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上。然后，提供到第一節(jié)點(diǎn)N1上的數(shù)據(jù)信號(hào)充入第一存儲(chǔ)電容Cst中并施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端上。而且，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2響應(yīng)施加到其中的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制電流量I經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL從供電電壓VDD的源流入提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源。所以，電致發(fā)光單元OEL產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電流量I的光。此外，即使第一開關(guān)薄膜晶體管T1截止，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2也可以通過充入第一存儲(chǔ)電容Cst中的數(shù)據(jù)信號(hào)保持導(dǎo)通。
而且，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2j上時(shí)，第一偏壓開關(guān)SW1導(dǎo)通，從而將來自前級(jí)第一柵線GL1(j-1)的截止電壓施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上。截止電壓的值可以設(shè)為低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1的值。當(dāng)截止電壓VI低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1時(shí)，逆偏電壓施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。換句話說，提供有第一基準(zhǔn)電壓VSS1的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極端電壓高于提供有截止電壓的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端電壓。所以，隨著截止電壓施加到第一節(jié)點(diǎn)N1上，逆偏電壓施加到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2，從而在沒有使用用于提供逆電壓的額外源的情況下，防止了第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth隨時(shí)間推移而增加。因此，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2j上時(shí)，由于逆偏電壓提供到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2上，所以即使隨著時(shí)間推移，也防止了第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的惡化并且第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth保持不變。
第二單元驅(qū)動(dòng)器64包括第二開關(guān)薄膜晶體管T3、第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4、第二偏壓開關(guān)SW2和第二存儲(chǔ)電容Cst。第二開關(guān)薄膜晶體管T3包括連接到各條第二柵線GL2j的柵極端、連接到各條數(shù)據(jù)線DL的源極端和連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極端。第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4包括連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的柵極端、連接到提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源的源極端和連接到電致發(fā)光單元OEL的漏極端。此外，第二存儲(chǔ)電容Cst連接在第二節(jié)點(diǎn)N2與提供第二基準(zhǔn)電壓VSS2的源之間。第二偏壓開關(guān)SW2包括連接來接收前級(jí)第一柵線GL1(j-1)的源極端、連接到各條第一柵線GL1j的柵極端和連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極端。雖然未示出，但是第二偏壓開關(guān)SW2的源極端可以交替連接到前級(jí)第二柵線GL2(j-1)。
具體地說，第一和第二基準(zhǔn)電壓VSS1和VSS2的電壓值可以設(shè)為低于供電電壓VDD的電壓值，以便電流I經(jīng)由發(fā)光單元OEL，從提供供電電壓VDD的源流過第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4。
當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線GL2j上時(shí)，第二開關(guān)薄膜晶體管T3導(dǎo)通，從而將提供到各條數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上。然后，提供到第二節(jié)點(diǎn)N2的數(shù)據(jù)信號(hào)充入第二存儲(chǔ)電容Cst中并施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的柵極端上。而且，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4響應(yīng)施加到其中的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制電流量I經(jīng)由電致發(fā)光單元OEL從供電電壓VDD的源流入提供第一基準(zhǔn)電壓VSS1的源。所以，電致發(fā)光單元OEL產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電流量I的光。此外，即使第二開關(guān)薄膜晶體管T3截止，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4也可以通過充入第二存儲(chǔ)電容Cst中的數(shù)據(jù)信號(hào)保持導(dǎo)通。
而且，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1j上時(shí)，第二偏壓開關(guān)SW2導(dǎo)通，從而將來自前級(jí)第一柵線GL1(j-1)的截止電壓施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上。當(dāng)截止電壓低于第一基準(zhǔn)電壓VSS1時(shí)，逆偏電壓施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4。換句話說，提供有第一基準(zhǔn)電壓VSS1的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的源極端電壓高于提供有截止電壓的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的柵極端電壓。所以，隨著截止電壓施加到第二節(jié)點(diǎn)N2上，逆偏電壓施加到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4，從而在沒有使用用于提供逆電壓的額外源的情況下，防止了第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth隨時(shí)間推移而增加。因此，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第一柵線GL1j上時(shí)，由于逆偏電壓提供到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4上，所以即使隨著時(shí)間推移，也防止了第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的惡化并且第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth保持不變。
圖10A和圖10B是說明按照本發(fā)明一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件的發(fā)光示意圖。如圖10A所示，電致發(fā)光顯示器件包括其上形成有EL的第一基板80和其上形成有單元驅(qū)動(dòng)器的第二基板82。具體地說，光從第一基板80產(chǎn)生并通過第二基板82發(fā)送到觀測者。然而，隨著在第二基板82上形成的開關(guān)器件數(shù)量增加，更多的光可能被第二基板82阻擋，因而降低了電致發(fā)光顯示器件的孔徑比。
如圖10B所示，為了避免孔徑比的降低，光也可以從第一基板80直接發(fā)射到觀測者。例如，在第二基板82上的開關(guān)器件可以控制在第一基板80上的EL以發(fā)光。然后，從第一基板80產(chǎn)生的光以與第二基板82相反的方向發(fā)射，使得光不通過第二基板82發(fā)送。因此，可以與在第二基板82上的開關(guān)器件數(shù)量無關(guān)，獲得了高孔徑比。這樣，即使當(dāng)各像素包括圖5和圖8所示的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元時(shí)，電致發(fā)光顯示器件在提供穩(wěn)定亮度的同時(shí)具有高的孔徑比。另外，在第二基板82上的開關(guān)器件，例如，薄膜晶體管T1至T4和偏壓開關(guān)SW1和SW2，可以由寬范圍的材料形成，尤其是這些開關(guān)器件不需要由透明材料形成。例如，薄膜晶體管T1至T4和偏壓開關(guān)SW1和SW2可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)等等形成。
如上所述，按照本發(fā)明實(shí)施例的電致發(fā)光顯示器件包括各像素的第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器。第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器互相交替驅(qū)動(dòng)，從而控制流入電致發(fā)光單元的電流。而且，當(dāng)特定的單元驅(qū)動(dòng)器被驅(qū)動(dòng)時(shí)，逆偏電壓施加到剩余的那個(gè)單元驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，從而防止了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的惡化。因此，防止了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的惡化并且圖像以穩(wěn)定的亮度顯示。
本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明作出各種改進(jìn)和變化，這些改進(jìn)和變化都屬于由所附權(quán)利要求書及其等同物所限定的要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示器件，包括具有由數(shù)據(jù)線與第一和第二柵線之間的交叉限定的像素區(qū)域中的多個(gè)像素的電致發(fā)光面板，所述各像素包括連接以接收供電電壓的電致發(fā)光單元；以及第一單元驅(qū)動(dòng)器和第二單元驅(qū)動(dòng)器，用于交替控制流入所述電致發(fā)光單元的電流。
2.按照權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一單元驅(qū)動(dòng)器包括第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第一偏壓開關(guān)，其中所述第一偏壓開關(guān)連接到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端，用于選擇性地將逆電壓施加到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
3.按照權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第二單元驅(qū)動(dòng)器包括第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二偏壓開關(guān)，其中所述第二偏壓開關(guān)連接到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端，用于選擇性地將逆電壓施加到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
4.按照權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有連接到所述電致發(fā)光單元的漏極端和連接到第一基準(zhǔn)電壓源的源極端，并且所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有連接到所述電致發(fā)光單元的漏極端和連接到所述第一基準(zhǔn)電壓源的源極端。
5.按照權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一單元驅(qū)動(dòng)器包括連接到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、各條所述數(shù)據(jù)線和各條所述第一柵線的第一開關(guān)薄膜晶體管，當(dāng)掃描脈沖施加到各條所述第一柵線上時(shí)，所述第一開關(guān)薄膜晶體管將由各條數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到同一像素區(qū)域的所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及連接在所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端與第二基準(zhǔn)電壓源之間的第一存儲(chǔ)電容。
6.按照權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第二單元驅(qū)動(dòng)器包括連接到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、各條所述數(shù)據(jù)線和各條所述第二柵線的第二開關(guān)薄膜晶體管，當(dāng)掃描脈沖施加到各條第二柵線上時(shí)，所述第二開關(guān)薄膜晶體管將由各條數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到同一像素區(qū)域的所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及連接在所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端與所述第二基準(zhǔn)電壓源之間的第二存儲(chǔ)電容。
7.按照權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一基準(zhǔn)電壓源和所述第二基準(zhǔn)電壓源提供低于所述供電電壓的電壓值的基準(zhǔn)電壓。
8.按照權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述逆電壓具有低于由所述第一和第二電壓源提供的基準(zhǔn)電壓的電壓值。
9.按照權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一和第二基準(zhǔn)電壓源提供有相同電壓值的基準(zhǔn)電壓。
10.按照權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光顯示器件，還進(jìn)一步包括用于提供逆電壓的逆電壓源。
11.按照權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j，其中j為一整數(shù))的像素的第一偏壓開關(guān)包括連接到所述像素的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端的漏極端；連接到所述逆電壓源的源極端，其中所述逆電壓源提供逆電壓；以及連接到所述第j條第二柵線(GL2j)的柵極端。
12.按照權(quán)利要求11所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第一偏壓開關(guān)將來自所述逆電壓源的逆電壓施加到所述像素的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端。
13.按照權(quán)利要求12所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第二偏壓開關(guān)包括連接到所述像素的所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端的漏極端；連接到所述逆電壓源的源極端，其中所述逆電壓源提供逆電壓；以及連接到所述第j條第一柵線(GL1j)的柵極端。
14.按照權(quán)利要求13所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第一柵線(GL1j)上時(shí)，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第二偏壓開關(guān)將來自所述逆電壓源的逆電壓施加到所述像素的所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端。
15.按照權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j，其中j為一整數(shù))的像素的第一偏壓開關(guān)包括連接到所述像素的所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端的漏極端；連接到第(j-1)條第一柵線(GL1j-1)或第(j-1)條第二柵線(GL2j-1)的源極端；以及連接到第j條第二柵線(GL2j)的柵極端。
16.按照權(quán)利要求15所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到所述第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，所述連接到所述第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第一偏壓開關(guān)將作為逆電壓的截止電壓施加到所述像素的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端。
17.按照權(quán)利要求16所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述截止電壓具有低于施加到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端的基準(zhǔn)電壓值的值。
18.按照權(quán)利要求17所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第二偏壓開關(guān)包括連接到所述像素的所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端的漏極端；連接到所述第(j-1)條第一柵線(GL1j-1)和第(j-1)條第二柵線(GL2j-1)其中一條的源極端；以及連接到所述第j條第一柵線(GL1j)的柵極端。
19.按照權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到所述第j條第一柵線(GL1j)上時(shí)，所述連接到第j條第一和第二柵線(GL1j和GL2j)的像素的第二偏壓開關(guān)將作為逆電壓的截止電壓施加到所述像素的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端。
20.按照權(quán)利要求19所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述截止電壓具有低于施加到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端的基準(zhǔn)電壓值的值。
21.按照權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示器件，還進(jìn)一步包括柵驅(qū)動(dòng)器，其在第i幀期間(其中i是奇數(shù)或偶數(shù))順序?qū)呙杳}沖施加到所述第一柵線上，并在第(i+1)幀期間順序?qū)呙杳}沖施加到所述第二柵線上。
22.一種電致發(fā)光顯示器件，包括用于各條水平線的第一和第二柵線；用于以矩陣型方式設(shè)置的各像素的多個(gè)電致發(fā)光單元；第一單元驅(qū)動(dòng)器，其具有當(dāng)掃描脈沖施加到所述第一柵線上時(shí)，控制電流流入所述電致發(fā)光單元的各像素的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及第二單元驅(qū)動(dòng)器，其具有當(dāng)掃描脈沖施加到所述第二柵線上時(shí)，控制電流流入所述電致發(fā)光單元的各像素的第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
23.按照權(quán)利要求22所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到所述第二柵線上時(shí)，位于第j條水平線上(其中j為一整數(shù))的所述第一單元驅(qū)動(dòng)器將逆偏電壓施加到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
24.按照權(quán)利要求23所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述逆偏電壓具有低于施加到所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端的基準(zhǔn)電壓值的值。
25.按照權(quán)利要求23所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到所述第一柵線上時(shí)，位于第j條水平線上(其中j為一整數(shù))的所述第二單元驅(qū)動(dòng)器將所述逆偏電壓施加到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
26.按照權(quán)利要求25所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述逆偏電壓具有低于施加到所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端的基準(zhǔn)電壓值的值。
27.按照權(quán)利要求23所述的電致發(fā)光顯示器件，還進(jìn)一步包括電壓提供器，用于提供所述逆偏電壓。
28.按照權(quán)利要求23所述的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述逆偏電壓是施加到第(j-1)條水平線上的所述第一和第二柵線之一的截止電壓。
29.一種電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法，該器件具有用于以矩陣型方式設(shè)置的各像素的第一單元驅(qū)動(dòng)器和第二單元驅(qū)動(dòng)器，該方法包括將掃描脈沖施加到所述第一和第二柵線上；當(dāng)所述掃描脈沖施加到第j條第一柵線(GL1j)上或第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第j條水平線(j為一整數(shù))上的像素的所述第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器的其中一個(gè)，并將逆偏電壓施加到該像素的所述第一和第二單元驅(qū)動(dòng)器中的另一個(gè)?；谒鰯?shù)據(jù)信號(hào)，控制電流經(jīng)由所述像素的所述電致發(fā)光單元，從供電電壓源流入基準(zhǔn)電壓源。
30.按照權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述掃描脈沖在第i幀期間(其中i是奇數(shù)或偶數(shù))順序施加到所述第一柵線上，并在第(i+1)幀期間順序施加到所述第二柵線上。
31.按照權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第一柵線(GL1j)上時(shí)，所述第一單元驅(qū)動(dòng)器控制流入所述像素的電致發(fā)光單元的電流。
32.按照權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第一柵線(GL1j)上時(shí)，所述逆偏電壓施加到所述像素的第二單元驅(qū)動(dòng)器。
33.按照權(quán)利要求32所述的方法，還進(jìn)一步包括設(shè)置所述逆偏電壓的電壓值低于基準(zhǔn)電壓的電壓值，其中所述逆偏電壓施加到包含在所述第二單元驅(qū)動(dòng)器中的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端，并且所述基準(zhǔn)電壓施加到所述第二單元驅(qū)動(dòng)器中的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端。
34.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，所述第二單元驅(qū)動(dòng)器控制流入所述像素的電致發(fā)光單元的電流。
35.按照權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，當(dāng)掃描脈沖施加到第j條第二柵線(GL2j)上時(shí)，所述逆偏電壓施加到所述像素的第一單元驅(qū)動(dòng)器。
36.按照權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于，所述逆偏電壓施加到包含在所述第一單元驅(qū)動(dòng)器中的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極端，并且所述基準(zhǔn)電壓施加到所述第一單元驅(qū)動(dòng)器中的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極端。
37.按照權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述逆偏電壓由所述逆電壓源提供。
38.按照權(quán)利要求29所述的方法，還進(jìn)一步包括當(dāng)掃描脈沖沒有施加到所述第一和第二柵線上時(shí)，將截止信號(hào)施加到該第一和第二柵線上。
39.按照權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述截止信號(hào)用作所述逆偏電壓施加。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光顯示器件，該器件包括具有由數(shù)據(jù)線與第一和第二柵線之間交叉限定的像素區(qū)域中的多個(gè)像素的電致發(fā)光面板，其中各像素包括連接以接收供電電壓的電致發(fā)光單元，以及用于交替控制流入所述電致發(fā)光單元的電流的第一單元驅(qū)動(dòng)器和第二單元驅(qū)動(dòng)器。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1674740SQ2004101039
公開日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者李漢相 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社