專(zhuān)利名稱(chēng)：像素電路、顯示設(shè)備和像素電路驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)EL(electroluminescence，場(chǎng)致發(fā)光)顯示器等中的具有通過(guò)電流值來(lái)控制亮度的電光元件的像素電路，包含以矩陣方式布置的這種像素電路的圖像顯示設(shè)備，以及驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，其中前述圖像顯示設(shè)備具體地說(shuō)是所謂的有源矩陣型圖像顯示設(shè)備，在該顯示設(shè)備中，利用在像素電路內(nèi)部提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)控制流過(guò)電光元件的電流值。
背景技術(shù)：
在諸如液晶顯示器之類(lèi)的圖像顯示設(shè)備中，以矩陣方式設(shè)置了大量像素，并且根據(jù)要顯示的圖像信息控制每個(gè)像素的光強(qiáng)，從而顯示圖像。
有機(jī)EL顯示器等也是如此。有機(jī)EL顯示器也被稱(chēng)作自發(fā)光型顯示器，在每個(gè)像素電路中具有發(fā)光元件，并且具有無(wú)需背光、響應(yīng)速度快、與液晶顯示器相比圖像的可視性較高等優(yōu)點(diǎn)。
此外，各發(fā)光元件的亮度由流過(guò)該發(fā)光元件的電流值控制，從而獲得顯色的灰度，即，發(fā)光元件是電流控制型這一點(diǎn)與液晶顯示器等有很大不同。
有機(jī)EL顯示器可以以與液晶顯示器一樣的方式利用簡(jiǎn)單矩陣和有源矩陣系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)。盡管前者結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是存在難以實(shí)現(xiàn)大尺寸高清晰度顯示器的問(wèn)題。因此，大多努力都致力于開(kāi)發(fā)這樣的有源矩陣系統(tǒng)，這種有源矩陣系統(tǒng)利用在像素電路內(nèi)部提供的有源元件控制流過(guò)每個(gè)像素電路內(nèi)的發(fā)光元件的電流，其中有源元件一般是TFT(薄膜晶體管)。
圖1是一般的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
如圖1所示，顯示設(shè)備1具有由以m×n矩陣形式布置的像素電路(PXLC)2a組成的像素陣列部分2、水平選擇器(HSEL)3、寫(xiě)掃描器(WSCN)4、由水平選擇器3選中并被提供以根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL1～DTLn、以及由寫(xiě)掃描器4選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL1～WSLm。
注意，水平選擇器3和寫(xiě)掃描器4有時(shí)用形成在多晶硅上的MOSIC形成在像素周?chē)?br> 圖2是圖1的像素電路2a的示例配置的電路圖(例如參見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利No.5,684,365和專(zhuān)利公開(kāi)2日本未實(shí)審專(zhuān)利公開(kāi)(Kokai)No.8-234683)。
在大量提議的電路中，圖2的像素電路具有最簡(jiǎn)單的電路配置，被稱(chēng)作雙晶體管驅(qū)動(dòng)型電路。
圖2的像素電路2a具有p溝道薄膜TFT(下文中稱(chēng)作TFT)11及TFT 12、電容器C11、以及由有機(jī)EL元件(OLED)13構(gòu)成的發(fā)光元件。此外，在圖2中，DTL表示數(shù)據(jù)線(xiàn)，WSL表示掃描線(xiàn)。
在許多情形中有機(jī)EL元件具有整流特性，所以有時(shí)被稱(chēng)為OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)。在圖2和其他圖中二極管符號(hào)被用作發(fā)光二極管，但是在下面的解釋中OLED并不總是要求整流特性。
在圖2的像素電路2a中，TFT 11的源極連接到電源電勢(shì)Vcc，發(fā)光元件13的陰極連接到地電勢(shì)GND。圖2的像素電路2a的工作如下所述。
<步驟ST1>當(dāng)掃描線(xiàn)WSL處于選中狀態(tài)(這里是低電平)并且寫(xiě)電勢(shì)Vdata被提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL時(shí)，TFT 12導(dǎo)通，電容器C 11被充電或者放電，從而TFT 11的柵極電勢(shì)變?yōu)閂data。
<步驟ST2>當(dāng)掃描線(xiàn)WSL處于非選中狀態(tài)(這里是高電平)時(shí)，數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL和TFT 11電分離，但是電容器C 11使TFT 11的柵極電勢(shì)保持穩(wěn)定。
<步驟ST3>流過(guò)TFT 11及發(fā)光元件13的電流變?yōu)榕cTFT 11的柵源電壓Vgs一致的值，同時(shí)發(fā)光元件13以與該電流值一致的亮度持續(xù)發(fā)光。
在上述步驟ST1中，選中掃描線(xiàn)WSL并將被賦予數(shù)據(jù)線(xiàn)的亮度信息傳輸?shù)较袼貎?nèi)部的操作在下面被稱(chēng)作“寫(xiě)入”。
如上所述，在圖2的像素電路2a中，一旦Vdata被寫(xiě)入，發(fā)光元件13就在直到下一次重寫(xiě)操作為止的期間內(nèi)以恒定的亮度持續(xù)發(fā)光。
如上所述，在像素電路2a中，通過(guò)改變構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 11的柵極施加電壓，從而控制流過(guò)EL元件13的電流值。
此時(shí)，p溝道的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接到電源電勢(shì)Vcc，所以該TFT11總是工作在飽和區(qū)。因此，其變成具有下述方程1示出的值的恒電流源。
Ids＝1/2·μ(W/L)Cox(Vgs-|Vth|)2(1)這里，μ表示載流子的遷移率、Cox表示單位面積的柵極電容、W表示柵極寬度、L表示柵極長(zhǎng)度、并且Vth表示TFT 11的閾值。
在簡(jiǎn)單矩陣型圖像顯示設(shè)備中，每個(gè)發(fā)光元件只在選定的的瞬間發(fā)光，而在有源矩陣中，如上所述，即使在寫(xiě)操作結(jié)束后每個(gè)發(fā)光元件也還繼續(xù)發(fā)光。因此，與簡(jiǎn)單矩陣相比，就每個(gè)發(fā)光元件的峰值亮度和峰值電流可以被降低這點(diǎn)來(lái)說(shuō)，尤其對(duì)于大尺寸高清晰顯示器，這是有利的。
圖3示出了有機(jī)EL元件的電流-電壓(I-V)特性隨時(shí)間的變化。在圖3中，實(shí)線(xiàn)示出的曲線(xiàn)表示初始狀態(tài)中的特性，而虛線(xiàn)示出的曲線(xiàn)表示隨時(shí)間變化后的特性。
一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)EL元件的I-V特性隨時(shí)間流逝而惡化，如圖3所示。
但是，由于圖2的雙晶體管系統(tǒng)是恒電流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，所以如上所述恒定的電流被持續(xù)提供給有機(jī)EL元件。即使有機(jī)EL元件的I-V特性惡化，所發(fā)射的光線(xiàn)的亮度也不會(huì)隨時(shí)間流逝而改變。
圖2的像素電路2a包括p溝道TFT，但是如果可以用n溝道TFT配置該電路，則在制作這些TFT時(shí)可以使用過(guò)去的無(wú)定形硅(a-Si)工藝。這將降低TFT板的成本。
接下來(lái)，考慮用n溝道TFT替換這些晶體管的像素電路。
圖4是用n溝道TFT替換了圖2的電路中的p溝道TFT的像素電路的電路圖。
圖4的像素電路2b具有n溝道TFT 21和TFT 22、電容器C 21和由有機(jī)EL元件(OLED)23構(gòu)成的發(fā)光元件。此外，在圖4中，DTL表示數(shù)據(jù)線(xiàn)，并且WSL表示掃描線(xiàn)。
在像素電路2b中，由TFT 21構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極一側(cè)連接到電源電勢(shì)Vcc，并且源極連接到有機(jī)EL發(fā)光元件23的陽(yáng)極，從而形成源極跟隨器電路。
圖5示出了由TFT 21和EL元件23構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管在初始狀態(tài)中的工作點(diǎn)。在圖5中，橫坐標(biāo)表示TFT 21的漏-源電壓Vds，而縱坐標(biāo)表示漏-源電流Ids。
如圖5所示，源極電壓由驅(qū)動(dòng)晶體管的工作點(diǎn)確定出，其中驅(qū)動(dòng)晶體管由TFT 21和EL發(fā)光元件23構(gòu)成。電壓值差取決于柵極電壓。
TFT 21在飽和區(qū)域中被驅(qū)動(dòng)，所以對(duì)于工作點(diǎn)的源極電壓Vgs，電流Ids的值由上述方程1給出。
但是，類(lèi)似地，有機(jī)EL元件的I-V特性在這里也隨時(shí)間流逝而惡化。如圖6所示，由于這種隨時(shí)間流逝的惡化，工作點(diǎn)發(fā)生波動(dòng)。即使提供相同的柵極電壓，源極電壓也會(huì)波動(dòng)。
由于這種情況，由TFT 21構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓Vgs發(fā)生變化，從而流過(guò)的電流值發(fā)生波動(dòng)。流過(guò)有機(jī)EL元件23的電流值同時(shí)發(fā)生變化，所以如果有機(jī)EL元件23的I-V特性惡化，則在圖4的源極跟隨器電路中，所發(fā)射的光線(xiàn)的亮度也將隨時(shí)間流逝而變化。
此外，如圖7所示，可以考慮這樣的電路配置，在該電路配置中，由n溝道TFT 21構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接到地電勢(shì)GND，漏極連接到有機(jī)EL發(fā)光元件23的陰極，并且有機(jī)EL發(fā)光元件23的陽(yáng)極連接到電源電勢(shì)Vcc。
利用這種系統(tǒng)，以與用圖2的p溝道TFT驅(qū)動(dòng)時(shí)相同的方式，源極電勢(shì)被固定，由TFT 21構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管工作為恒流源，并且可以防止由于有機(jī)EL元件的I-V特性惡化而導(dǎo)致亮度改變。
但是，利用這種系統(tǒng)，驅(qū)動(dòng)晶體管必須連接到有機(jī)EL發(fā)光元件的陰極側(cè)。這種陰極連接要求開(kāi)發(fā)新的陽(yáng)極-陰極電極。對(duì)于當(dāng)前的技術(shù)水平，這非常困難。
從上可知，在過(guò)去的系統(tǒng)中，尚未開(kāi)發(fā)出不會(huì)發(fā)生亮度改變的使用n溝道晶體管的有機(jī)EL發(fā)光元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供像素電路、顯示設(shè)備和像素電路驅(qū)動(dòng)方法，它們使得能夠?qū)崿F(xiàn)即使在隨著時(shí)間流逝發(fā)光元件的電流-電壓特性改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出，并且能夠?qū)崿F(xiàn)n溝道晶體管源極跟隨器電路，從而能夠?qū)溝道晶體管用作EL元件晶體管，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度的電光元件的像素電路，其包括數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)該數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；第一控制線(xiàn)；第一和第二節(jié)點(diǎn)；第一和第二參考電勢(shì)；驅(qū)動(dòng)晶體管，其在第一端子和第二端子之間形成電流供應(yīng)線(xiàn)路，并且根據(jù)連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制端子的電勢(shì)來(lái)控制流過(guò)該電流供應(yīng)線(xiàn)路的電流；像素電容元件，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第一開(kāi)關(guān)，其連接在數(shù)據(jù)線(xiàn)和像素電容元件的第一端子或第二端子之間，并且由第一控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；以及第一電路，用于在電光元件不發(fā)光時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)。其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、第一節(jié)點(diǎn)和電光元件串聯(lián)在第一參考電勢(shì)和第二參考電勢(shì)之間。
優(yōu)選地，該電路還包括第二控制線(xiàn)；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到第一節(jié)點(diǎn)、漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)、并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；并且第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和固定電勢(shì)之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)連接到固定電勢(shì)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二控制線(xiàn)；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；并且第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和電光元件之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二控制線(xiàn)；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到第一節(jié)點(diǎn)、漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)、并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；并且第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和電光元件之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二電路，用于在第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使第一節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二和第三控制線(xiàn)，以及電壓源；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和電光元件之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且第二電路包括第三開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和電壓源之間，并且由第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二和第三控制線(xiàn)，以及電壓源；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和電光元件之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且第二電路包括第三開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和電壓源之間，并且由第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二電路，用于在第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使第二節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)。
優(yōu)選地，該固定電勢(shì)為第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)。
優(yōu)選地，該電路還包括第二、第三和第四控制線(xiàn)；驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；第一電路包括第二開(kāi)關(guān)和第三開(kāi)關(guān)，第二開(kāi)關(guān)連接在第一節(jié)點(diǎn)和電光元件之間，并且由第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性，第三開(kāi)關(guān)連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和第一節(jié)點(diǎn)之間，并且由第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且第二電路包括第四開(kāi)關(guān)，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和固定電勢(shì)之間，并且由第四控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
此外，優(yōu)選地，在電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)第一階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第四開(kāi)關(guān)由第四控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第四開(kāi)關(guān)由第四控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，第二節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入像素電容元件，然后第一開(kāi)關(guān)由第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且第四開(kāi)關(guān)由第四控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，第二開(kāi)關(guān)由第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，并且第三開(kāi)關(guān)由第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種顯示設(shè)備，其包括以矩陣形式布置的多個(gè)像素電路；針對(duì)像素電路矩陣陣列的每列布置的數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；針對(duì)像素電路矩陣陣列的每行布置第一控制線(xiàn)；以及第一和第二參考電勢(shì)。每個(gè)像素電路還具有根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度的電光元件；第一和第二節(jié)點(diǎn)；驅(qū)動(dòng)晶體管，其在第一端子和第二端子之間形成電流供應(yīng)線(xiàn)路，并且根據(jù)連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制端子的電勢(shì)來(lái)控制流過(guò)電流供應(yīng)線(xiàn)路的電流；像素電容元件，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第一開(kāi)關(guān)，其連接在數(shù)據(jù)線(xiàn)和第二節(jié)點(diǎn)之間，并且由第一控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；以及第一電路，用于在電光元件不發(fā)光時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)。其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、第一節(jié)點(diǎn)和電光元件串聯(lián)在第一參考電勢(shì)和第二參考電勢(shì)之間。
根據(jù)本發(fā)明第三方面，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，該像素電路具有電光元件，其根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度；數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)該數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；第一和第二節(jié)點(diǎn)；第一和第二參考電勢(shì)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，源極連接到第一節(jié)點(diǎn)、并且柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)；像素電容元件，其連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第一開(kāi)關(guān)，其連接在數(shù)據(jù)線(xiàn)和像素電容元件的第一端子或第二端子之間；以及第一電路，用于將第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)。其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、第一節(jié)點(diǎn)和電光元件串聯(lián)在第一參考電勢(shì)和第二參考電勢(shì)之間。用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法包括下述步驟在第一開(kāi)關(guān)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)的狀態(tài)中，第一電路將第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變?yōu)楣潭妱?shì)；將第一開(kāi)關(guān)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，將傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)入像素電容元件，然后將第一開(kāi)關(guān)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；以及停止操作，以使第一電路的第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)。
根據(jù)本發(fā)明，例如由于驅(qū)動(dòng)晶體管的源極通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到固定電勢(shì)，并且該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間存在像素電容器，所以由于隨時(shí)間流逝發(fā)光元件的I-V特性改變所導(dǎo)致的亮度改變得到了校正。
在驅(qū)動(dòng)晶體管是n溝道晶體管時(shí)，通過(guò)使固定電勢(shì)為地電勢(shì)，從而將施加到發(fā)光元件的電勢(shì)為地電勢(shì)，以產(chǎn)生發(fā)光元件的不發(fā)光期。
此外，通過(guò)調(diào)整連接源極電極和地電勢(shì)的第二開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)期，從而針對(duì)占空驅(qū)動(dòng)(duty driving)調(diào)整發(fā)光元件的發(fā)光期和不發(fā)光期。
此外，通過(guò)使固定電勢(shì)接近地電勢(shì)，或者低于該電勢(shì)的電勢(shì)，或者通過(guò)升高柵極電壓，由于連接到固定電勢(shì)的開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓Vth的波動(dòng)所導(dǎo)致圖像質(zhì)量惡化得到了抑制。
此外，在驅(qū)動(dòng)晶體管是p溝道晶體管時(shí)，通過(guò)使固定電勢(shì)為連接到發(fā)光元件的陰極電極的電源電勢(shì)，施加到發(fā)光元件的電勢(shì)被設(shè)置為電源電勢(shì)，從而產(chǎn)生EL元件的不發(fā)光期。
此外，通過(guò)使驅(qū)動(dòng)晶體管的特性為n溝道型，可以實(shí)現(xiàn)源極跟隨器電路，并且可以實(shí)現(xiàn)陽(yáng)極連接。
此外，可以使所有的驅(qū)動(dòng)晶體管都為n溝道晶體管，從而可以引入無(wú)定形硅工藝，可以降低成本。
此外，由于第二開(kāi)關(guān)晶體管布設(shè)在發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)晶體管之間，在不發(fā)光期中不向驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流，因此可以壓縮面板的功耗。
此外，通過(guò)使用發(fā)光元件的陰極側(cè)的電勢(shì)作為地電勢(shì)，例如第二參考電勢(shì)，從而無(wú)需在面板內(nèi)部TFT側(cè)提供GND線(xiàn)路。
此外，通過(guò)使得能夠刪除面板內(nèi)的TFT板的GND線(xiàn)路，像素布局和外圍電路布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，通過(guò)使得能夠刪除面板內(nèi)的TFT板的GND線(xiàn)路，從而外圍電路的地電勢(shì)(第二參考電勢(shì))和電源電勢(shì)(第一參考電勢(shì))不存在重疊，可以以較低的電阻布設(shè)Vcc線(xiàn)路，從而可以實(shí)現(xiàn)高度一致性。
此外，例如通過(guò)在不發(fā)光時(shí)將像素電容元件連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極，并且將電容器一側(cè)提升到電源，從而不再需要面板內(nèi)部的TFT側(cè)的GND線(xiàn)路。
此外，通過(guò)在寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)將電源線(xiàn)路側(cè)的第四開(kāi)關(guān)導(dǎo)通來(lái)降低阻抗，在短時(shí)間內(nèi)，像素寫(xiě)上的耦合效應(yīng)被校正，從而獲得高度均勻的圖像。
此外，通過(guò)使電源線(xiàn)的電勢(shì)與Vcc電勢(shì)相同，可以減少面板線(xiàn)路。
此外，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)經(jīng)由開(kāi)關(guān)將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極連接到固定電勢(shì)，并且在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間提供像素電容器，由于隨著時(shí)間流逝發(fā)光元件的I-V特性惡化所導(dǎo)致的亮度改變被校正。
例如，在驅(qū)動(dòng)晶體管是n溝道晶體管時(shí)，通過(guò)使固定電勢(shì)為驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電極連接到的固定電勢(shì)，在像素中該固定電勢(shì)被設(shè)置為僅是電源電勢(shì)。
此外，通過(guò)提高連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極側(cè)和源極側(cè)的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極電壓，或者增大這些晶體管的大小，從而由于開(kāi)關(guān)晶體管的閾值變動(dòng)所導(dǎo)致的圖像質(zhì)量惡化得到抑制。此外，在驅(qū)動(dòng)晶體管是p溝道晶體管時(shí)，通過(guò)使固定電勢(shì)為驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電極連接到的固定電勢(shì)，在像素中該固定電勢(shì)被設(shè)置為僅是GND。
此外，通過(guò)提高連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極側(cè)和源極側(cè)的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極電壓，或者增大這些晶體管的大小，從而由于開(kāi)關(guān)晶體管的閾值變動(dòng)所導(dǎo)致的圖像質(zhì)量惡化得到抑制。


圖1是一般的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖2是圖1的像素電路的配置示例的電路圖。
圖3是有機(jī)EL設(shè)備的電流-電壓(I-V)特征隨時(shí)間流逝變化的曲線(xiàn)圖。
圖4是用n溝道TFT替換了圖2的電路中的p溝道TFT的像素電路的電路圖。
圖5是由TFT和EL發(fā)光元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管在初始狀態(tài)中的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。
圖6是由TFT和EL發(fā)光元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管在隨時(shí)間流逝而改變后的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。
圖7是將由n溝道TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接到地電勢(shì)的像素電路的電路圖。
圖8是應(yīng)用了根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖9是在圖1的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖10A到圖10F是用于解釋圖9的電路工作的等效電路圖。
圖11A到圖11F是用于解釋圖9的電路工作的時(shí)序圖。
圖12是應(yīng)用了根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖13是在圖12的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖14A到圖14E是用于解釋圖13的電路工作的等效電路圖。
圖15A到圖15F是用于解釋圖13的電路工作的時(shí)序圖。
圖16是根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路配置的另一個(gè)示例的電路圖。
圖17是應(yīng)用了根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖18是在圖17的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖19A到圖19E是用于解釋圖18的電路工作的等效電路圖。
圖20A到圖20F是用于解釋圖18的電路工作的時(shí)序圖。
圖21是根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路配置的另一個(gè)示例的電路圖。
圖22是應(yīng)用了根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖23是在圖22的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖24A到圖24E是用于解釋圖23的電路工作的等效電路圖。
圖25A到圖25H是用于解釋圖23的電路工作的時(shí)序圖。
圖26是具有作為電源電勢(shì)Vcc的固定電壓線(xiàn)的像素電路的電路圖。
圖27是具有作為地電勢(shì)GND的固定電壓線(xiàn)的像素電路的電路圖。
圖28是根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路配置的另一個(gè)示例的電路圖。
圖29是應(yīng)用了根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖30是在圖29的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖31A到圖31E是用于解釋圖30的電路工作的等效電路圖。
圖32A到圖32H是用于解釋圖30的電路工作的時(shí)序圖。
圖33是具有作為電源電勢(shì)Vcc的固定電壓線(xiàn)的像素電路的電路圖。
圖34是具有作為地電勢(shì)GND的固定電壓線(xiàn)的像素電路的電路圖。
圖35是根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路配置的另一個(gè)示例的電路圖。
圖36是應(yīng)用了根據(jù)第六實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖37是在圖36的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第六實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
圖38A到圖38F是用于解釋圖37的電路工作的等效電路圖。
圖39是用于解釋圖37的電路工作的等效電路圖。
圖40A到圖40H是用于解釋圖37的電路工作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
<第一實(shí)施例>
圖8是應(yīng)用了根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖9是在圖8的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
如圖8和圖9所示，該顯示設(shè)備100具有以m×n矩陣形式布置的像素電路(PXLC)101組成的像素陣列部分102、水平選擇器(HSEL)103、寫(xiě)掃描器(WSCN)104、驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN)105、由水平選擇器103選中并被提供以根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL101～DTL10n、由寫(xiě)掃描器104選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL101～WSL10m、以及由驅(qū)動(dòng)掃描器105選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101～DSL10m。
注意，盡管在像素陣列部分102中像素電路101以m×n矩陣形式布置，但是為了圖示簡(jiǎn)化，圖9示出了像素電路以2(＝m)×3(＝n)矩陣形式布置的示例。
另外，在圖9中，為了圖示簡(jiǎn)化只示出了一個(gè)像素電路的具體配置。
如圖9所示，根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101具有n溝道TFT 111到TFT 113、電容器C111、由有機(jī)EL元件(OLED)制成的發(fā)光元件114、以及節(jié)點(diǎn)ND111和ND112。
另外，在圖9中，DTL101表示數(shù)據(jù)線(xiàn)、WSL101表示掃描線(xiàn)、并且DSL101表示驅(qū)動(dòng)線(xiàn)。
在這些組件中，TFT 111形成根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，TFT 112形成第一開(kāi)關(guān)、TFT 113形成第二開(kāi)關(guān)、并且電容器C111形成根據(jù)本發(fā)明的像素電容元件。
另外，掃描線(xiàn)WSL101對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的第一控制線(xiàn)，而驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101對(duì)應(yīng)于第二控制線(xiàn)。
另外，電源電壓Vcc的電源線(xiàn)(電源電勢(shì))對(duì)應(yīng)于第一參考電勢(shì)，而地電勢(shì)GND對(duì)應(yīng)于第二參考電勢(shì)。
在像素電路101中，發(fā)光元件(OLED)114連接在TFT 111的源極和第二參考電勢(shì)(在本實(shí)施例中為地電勢(shì)GND)之間。具體地說(shuō)，發(fā)光元件114的陽(yáng)極連接到TFT 111的源極，同時(shí)陰極側(cè)連接到地電勢(shì)GND。發(fā)光元件114的陽(yáng)極和TFT 111的源極的連接點(diǎn)構(gòu)成節(jié)點(diǎn)ND111。
TFT 111的源極連接到TFT 113的漏極和電容器C111的第一電極，同時(shí)TFT 111的柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND112。
TFT 113的源極連接到固定電勢(shì)(在本實(shí)施例中為地電勢(shì)GND)，同時(shí)TFT 113的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101。另外，電容器C111的第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND112。
作為第一開(kāi)關(guān)的TFT 112的源極和漏極連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL101和節(jié)點(diǎn)ND112。另外，TFT 112的柵極連接到掃描線(xiàn)WSL101。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路101被配置為電容器C111連接在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的柵極和源極之間，TFT 111的源極電勢(shì)通過(guò)作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 113連接到固定電勢(shì)。
接下來(lái)，將參考圖10A到圖10F和圖11A到圖11F，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
注意，圖11A示出了施加到像素陣列的第一行掃描線(xiàn)WSL101的掃描信號(hào)ws[101]，圖11B示出了施加到像素陣列的第二行掃描線(xiàn)WSL102的掃描信號(hào)ws[102]，圖11C示出了施加到像素陣列的第一行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]，圖11D示出了施加到像素陣列的第二行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL102的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[102]，圖11E示出了TFT 111的柵極電勢(shì)Vg，并且圖11F示出了TFT 111的源極電勢(shì)Vs。
首先，在EL發(fā)光元件114的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖11A到圖11D所示，到掃描線(xiàn)WSL101、WSL102…的掃描信號(hào)ws[101]、ws[102]…被寫(xiě)掃描器104選擇性地設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101、DSL102…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]、ds[102]…被驅(qū)動(dòng)掃描器105選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路101中，如圖10A所示，TFT 112和TFT 113保持在截止?fàn)顟B(tài)。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件114的不發(fā)光期間，如圖11A到圖11D所示，到掃描線(xiàn)WSL101、WSL102…的掃描信號(hào)ws[101]、ws[102]…被寫(xiě)掃描器104保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101、DSL102…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]、ds[102]…被驅(qū)動(dòng)掃描器105選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路101中，如圖10B所示，TFT 112保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 113被截止。
此時(shí)，如圖11F所示，電流流過(guò)TFT 113，并且TFT 111的源極電勢(shì)Vs降低到地電勢(shì)GND。因此，施加到EL發(fā)光元件114上的電壓也變?yōu)?V，并且EL發(fā)光元件114變?yōu)樘幱诓话l(fā)光狀態(tài)中。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件114的不發(fā)光期間，如圖11A到圖11D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101、DSL102…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]、ds[102]…被驅(qū)動(dòng)掃描器105保持在高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL101、WSL102…的掃描信號(hào)ws[101]、ws[102]…被寫(xiě)掃描器104選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路101中，如圖10C所示，TFT 113保持在導(dǎo)通狀態(tài)中，并且TFT 112被導(dǎo)通。因此，水平選擇器103將傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL101上的輸入信號(hào)(Vin)寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C111。
此時(shí)，如圖11F所示，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源極電勢(shì)Vs處于地電勢(shì)電平(GND電平)，因此，如圖11E和圖11F所示，TFT 111的柵極和源極之間的電勢(shì)差變?yōu)榈扔谳斎胄盘?hào)的電壓Vin。
此后，在EL發(fā)光元件114的不發(fā)光期間，如圖11A到圖11D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101、DSL102…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]、ds[102]…被驅(qū)動(dòng)掃描器105保持在高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL101、WSL102…的掃描信號(hào)ws[101]、ws[102]…被寫(xiě)掃描器104選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路101中，如圖10D所示，TFT 112被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C111的寫(xiě)操作結(jié)束。
此后，如圖11A到圖11D所示，到掃描線(xiàn)WSL101、WSL102…的掃描信號(hào)ws[101]、ws[102]…被寫(xiě)掃描器104保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL101、DSL102…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[101]、ds[102]…被驅(qū)動(dòng)掃描器105選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路101中，如圖10E所示，TFT 113截止。
通過(guò)截止TFT 113，如圖11F所示，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源極電勢(shì)Vs上升，并且電流也流到EL發(fā)光元件114。
TFT 111的源極電勢(shì)Vs發(fā)生波動(dòng)，但是盡管如此，由于TFT 111的柵極和源極之間存在電容器，如圖11E和圖11F所示，柵-源極電勢(shì)被恒定地保持在Vin。
此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT111的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由TFT 111的柵源電勢(shì)Vin確定。該電流Ids類(lèi)似地流到EL發(fā)光元件114，從而EL發(fā)光元件114發(fā)光。
EL發(fā)光元件114的等效電路變?yōu)槿鐖D10F所示的電路，所以，此時(shí)節(jié)點(diǎn)ND111的電勢(shì)上升至柵極電勢(shì)，由此電流Ids流過(guò)EL發(fā)光元件114。
隨著該電勢(shì)上升，節(jié)點(diǎn)ND112的電勢(shì)也同樣通過(guò)電容器C111(像素電容器Cs)上升。因此，如上所述，TFT 111的柵-源極電勢(shì)被保持在Vin。
在這里，考慮在本發(fā)明的電路中過(guò)去的源極跟隨器系統(tǒng)中的問(wèn)題。在本電路中，隨著發(fā)光期增加，EL發(fā)光元件的I-V特性也會(huì)惡化。因此，即使驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)送相同的電流，施加到EL發(fā)光元件的電勢(shì)也會(huì)改變，并且節(jié)點(diǎn)ND111的電勢(shì)下降。
但是，在本電路中，節(jié)點(diǎn)ND111的電勢(shì)下降，而驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源極電勢(shì)保持恒定，所以流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管(TFT 111)的電流不變。因此，流過(guò)EL發(fā)光元件的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于輸入電壓Vin的電流也恒定地流動(dòng)。因此，可以解決過(guò)去的問(wèn)題。
如上所述，根據(jù)本第一實(shí)施例，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源極連接到發(fā)光元件114的陽(yáng)極、漏極連接到電源電勢(shì)Vcc，電容器C111連接在TFT 111的柵極和源極之間，并且TFT 111的源極電勢(shì)通過(guò)作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 113連接到固定電勢(shì)，所以可以獲得下面的效果。
可以實(shí)現(xiàn)即使在EL發(fā)光元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)榭梢詫?shí)現(xiàn)n溝道晶體管源極跟隨器電路，所以可以使用n溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用無(wú)定形硅(a-Si)工藝。因此，具有可以降低TFT板的成本的優(yōu)點(diǎn)。
<第二實(shí)施例>
圖12是應(yīng)用了根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖13是在圖12的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
如圖12和圖13所示，顯示設(shè)備200具有以m×n矩陣形式布置的像素電路(PXLC)201組成的像素陣列部分202、水平選擇器(HSEL)203、寫(xiě)掃描器(WSCN)204、驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN)205、由水平選擇器203選中并被提供以根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL201～DTL20n、由寫(xiě)掃描器204選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL201～WSL20m、以及由驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201～DSL20m。
注意，盡管在像素陣列部分202中像素電路201以m×n矩陣形式布置，但是為了圖示簡(jiǎn)化，圖12示出了像素電路以2(＝m)×3(＝n)矩陣形式布置的示例。
另外，在圖13中，為了圖示簡(jiǎn)化也只示出了一個(gè)像素電路的具體配置。
如圖13所示，根據(jù)第二實(shí)施例的每個(gè)像素電路201具有n溝道TFT211到TFT 213、電容器C211、由有機(jī)EL元件(OLED)制成的發(fā)光元件214、以及節(jié)點(diǎn)ND211和ND212。
另外，在圖13中，DTL201表示數(shù)據(jù)線(xiàn)、WSL201表示掃描線(xiàn)、并且DSL201表示驅(qū)動(dòng)線(xiàn)。
在這些組件中，TFT 211形成根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，TFT 212形成第一開(kāi)關(guān)、TFT 213形成第二開(kāi)關(guān)、并且電容器C211形成根據(jù)本發(fā)明的像素電容元件。
另外，掃描線(xiàn)WSL201對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的第一控制線(xiàn)，而驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201對(duì)應(yīng)于第二控制線(xiàn)。
另外，電源電壓Vcc的電源線(xiàn)(電源電勢(shì))對(duì)應(yīng)于第一參考電勢(shì)，而地電勢(shì)GND對(duì)應(yīng)于第二參考電勢(shì)。
在每個(gè)像素電路201中，TFT 213的源極和漏極連接在TFT 211的源極和發(fā)光元件214的陽(yáng)極之間，TFT 211的漏極連接到電源電勢(shì)Vcc，并且發(fā)光元件214的陰極連接到地電勢(shì)GND。即，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT211、作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213、以及發(fā)光元件214串聯(lián)在電源電勢(shì)Vcc和地電勢(shì)GND之間。另外，發(fā)光元件214的陽(yáng)極和TFT 213的源極的連接點(diǎn)構(gòu)成節(jié)點(diǎn)ND211。
TFT 211的柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND212。另外，作為像素電容器Cs的電容器C211連接在節(jié)點(diǎn)ND211和ND212之間，即，在TFT 211的柵極和發(fā)光元件214的陽(yáng)極之間。電容器C211的第一電極連接到節(jié)點(diǎn)ND211，第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND212。
TFT 213的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201。另外，作為第一開(kāi)關(guān)的TFT212的源極和漏極連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL201和節(jié)點(diǎn)ND212。另外，TFT 212的柵極連接到掃描線(xiàn)WSL201。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路201被配置為作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的源極和發(fā)光元件214的陽(yáng)極由作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213連接，同時(shí)電容器C211連接在TFT 211的柵極和發(fā)光元件214的陽(yáng)極之間。
接下來(lái)，將參考圖14A到圖14E和圖15A到圖15F，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
注意，圖15A示出了施加到像素陣列的第一行掃描線(xiàn)WSL201的掃描信號(hào)ws[201]，圖15B示出了施加到像素陣列的第二行掃描線(xiàn)WSL202的掃描信號(hào)ws[202]，圖15C示出了施加到像素陣列的第一行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]，圖15D示出了施加到像素陣列的第二行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL202的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[202]，圖15E示出了TFT 211的柵極電勢(shì)Vg，并且圖15F示出了TFT 211的陽(yáng)極側(cè)電勢(shì)，即，節(jié)點(diǎn)ND211的電勢(shì)VND211。
首先，在EL發(fā)光元件214的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖15A到圖15D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201中，如圖14A所示，TFT 212保持在截止?fàn)顟B(tài)，而TFT 213保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
此時(shí)，電流Ids流到作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211和EL發(fā)光元件214。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖15A到圖15D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[22]…被寫(xiě)掃描器204保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為低電。
結(jié)果，在像素電路201中，如圖14B所示，TFT 212保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 213被截止。
此時(shí)，在EL發(fā)光元件214處保持的電勢(shì)下降，這是由于電源消失。該電勢(shì)下降到EL發(fā)光元件214的閾值電壓Vth。但是，由于電流還流到EL發(fā)光元件214，所以如果不發(fā)光期持續(xù)，電勢(shì)將下降到GND。
另一方面，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211保持在導(dǎo)通狀態(tài)，這是由于柵極電勢(shì)為高。這種提升在短時(shí)間內(nèi)被執(zhí)行。在提升到Vcc后，不再有電流被提供給TFT 211。
即，在第二實(shí)施例的像素電路201中，在不發(fā)光期間，可以在不向像素電路提供電流的情況下工作，因此可以壓縮面板的功耗。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖15A到圖15D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205保持在低電平，并且到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201中，如圖14C所示，TFT 213保持在截止?fàn)顟B(tài)中，并且TFT 212被導(dǎo)通。因此，水平選擇器203傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL201上的輸入信號(hào)(Vin)被寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C211。
此時(shí)，如圖15F所示，由于作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213的陽(yáng)極側(cè)電勢(shì)Va(即，節(jié)點(diǎn)ND211的電勢(shì)VND211)為處于地電勢(shì)電平(GND電平)，因此，作為像素電容器Cs的電容器C211被保持在等于輸入信號(hào)的電壓Vin的電勢(shì)。
此后，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖15A到圖15D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205保持在低電平，并且到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路201中，如圖14D所示，TFT 212被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C211的寫(xiě)操作結(jié)束。
此后，如圖15A到圖15D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201中，如圖14E所示，TFT 213被導(dǎo)通。
通過(guò)使TFT 213導(dǎo)通，電流流到EL發(fā)光元件214，并且TFT 211的源極電勢(shì)下降。作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的源極電勢(shì)發(fā)生波動(dòng)，但是盡管如此，由于TFT 211的柵極和EL發(fā)光元件214的陽(yáng)極之間存在電容器，所以柵-源電勢(shì)被保持在Vin。此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT 211的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓Vgs確定。
在這里，TFT 213工作在非飽和區(qū)中，所以其被看作單純電阻。因此，TFT 211的柵-源電壓為Vin減去由于TFT 211所下降的電壓值。即，可以說(shuō)流過(guò)TFT 211的電流可以由Vin確定。
由于上述原因，在第二實(shí)施例的像素電路201中，即使EL發(fā)光元件214的I-V特性隨著發(fā)光期增加而惡化，但是節(jié)點(diǎn)ND211的電勢(shì)下降，同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的柵極和源極之間的電勢(shì)也保持恒定，所以流過(guò)TFT 211的電流不變。
因此，流過(guò)EL發(fā)光元件214的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件214的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于輸入電壓Vin的電流也恒定流動(dòng)，因此，這可以解決過(guò)去的問(wèn)題。
另外，通過(guò)提高TFT 213的柵極導(dǎo)通電壓，可以抑制由于TFT 213的閾值Vth變化所導(dǎo)致的電阻值變化。
注意，在圖13中，發(fā)光元件214的陰極電極的電勢(shì)被設(shè)置為地電勢(shì)GND，但是也可以被設(shè)置為任何其他電勢(shì)。
此外，如圖16所示，像素電路的晶體管不需要n溝道晶體管。P溝道TFT 221到223也可以用來(lái)形成每個(gè)像素電路。在這種情形中，電源連接到EL發(fā)光元件224的陽(yáng)極側(cè)，而作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 221連接到陰極側(cè)。
此外，TFT 212和作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213也可以是與作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211不同極性的晶體管。
在這里，將比較上述根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路201和根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101。
根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路201和根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101之間的基本區(qū)別在于作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213和TFT 113的連接位置的區(qū)別。
一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)EL元件的I-V特性隨時(shí)間流逝而惡化。但是，在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101中，TFT 111的柵極和源極之間的電勢(shì)差Vs保持恒定，所以流過(guò)TFT 111的電流恒定，因此，即使有機(jī)EL元件的I-V特性惡化，亮度也可以保持。
在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101中，當(dāng)TFT 112截止并且TFT 113導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT 111源極電勢(shì)Vs變?yōu)榈仉妱?shì)，并且EL發(fā)光元件114不發(fā)光，從而進(jìn)入不發(fā)光期。同時(shí)，像素電容器的第一電極(一側(cè))也變?yōu)榈仉妱?shì)GND。但是，即使在不發(fā)光期，柵-源電壓持續(xù)被保持，并且在像素電路101中電流從電源(Vcc)流動(dòng)到GND。
一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)EL元件具有發(fā)光期和不發(fā)光期。面板的亮度由發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光期的積確定。通常，發(fā)光器越短，運(yùn)動(dòng)圖像特征變得越好，所以?xún)?yōu)選使用短發(fā)光期的面板。在縮短發(fā)光期的同時(shí)，為了獲得同樣的亮度，必需提高有機(jī)EL元件的發(fā)光強(qiáng)度，并且必須使更大的電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管。
在這里，將進(jìn)一步考慮根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101。
在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101中，如上所述，即使在不發(fā)光期期間電流也流動(dòng)。因此，如果縮短發(fā)光期并提高流動(dòng)的電流量，則即使在不發(fā)光期期間電流也持續(xù)流動(dòng)，所以增加了電流消耗。
此外，在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路101中，電源電勢(shì)Vcc線(xiàn)和地電勢(shì)GND線(xiàn)必需在面板中。因此，必需在面板內(nèi)部TFT側(cè)布兩類(lèi)線(xiàn)。Vcc和GND必須布為低電阻線(xiàn)路，以防止電壓下降。因此，如果布兩類(lèi)線(xiàn)，則必須增加線(xiàn)路的布線(xiàn)面積。因此，如果隨著面板清晰度越高像素之間的間隙變得越小，則可能難以布設(shè)晶體管等。同時(shí)，在面板中Vcc線(xiàn)路和GND線(xiàn)路重疊的區(qū)域可能增加，產(chǎn)量可能降低。
與此相反，根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路201，當(dāng)然可以獲得上述第一實(shí)施例的效果，并且還可以獲得減少所消耗的電流和線(xiàn)路并提高產(chǎn)量的效果。
根據(jù)第二實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)即使在EL發(fā)光元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡?，所以可以使用n溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，根據(jù)第二實(shí)施例，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，從而周?chē)€(xiàn)路的布局和像素的布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，從而可以提高產(chǎn)量。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，以布設(shè)低電阻的Vcc線(xiàn)路，并且可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。
<第三實(shí)施例>
圖17是應(yīng)用了根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖18是在圖17的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
根據(jù)第三實(shí)施例的顯示設(shè)備200A與根據(jù)第二實(shí)施例的顯示設(shè)備200的不同之處在于作為像素電路中的像素電容器Cs的電容器C211的連接位置。
具體地說(shuō)，在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路201中，電容器C211連接在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的柵極和EL發(fā)光元件214的陽(yáng)極側(cè)之間。
與此相反，在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路201A中，電容器C211連接在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的柵極和源極之間。具體地說(shuō)，電容器C211的第一電極連接到TFT 211的源極和作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213的連接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)ND211A)，并且第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND212。
該配置的其余部分類(lèi)似于上述第二實(shí)施例的配置。
接下來(lái)，將參考圖19A到圖19E和圖20A到圖20F，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
首先，在EL發(fā)光元件214的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖20A到圖20D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201A中，如圖19A所示，TFT 212保持在截止?fàn)顟B(tài)，而TFT 213保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
此時(shí)，電流Ids流到作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211和EL發(fā)光元件214。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖20A到圖20D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路201A中，如圖19B所示，TFT 212保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 213被截止。
此時(shí)，在EL發(fā)光元件214處保持的電勢(shì)下降，這是由于電源消失。該電勢(shì)下降到EL發(fā)光元件214的閾值電壓Vth。但是，由于截止電流還流到EL發(fā)光元件214，所以如果不發(fā)光期持續(xù)，電勢(shì)將下降到GND。
另一方面，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211保持在導(dǎo)通狀態(tài)，這是由于柵極電勢(shì)為高。如圖20F所示，TFT 211的源極電勢(shì)Vs被提升到電源電壓Vcc。這種提升在短時(shí)間內(nèi)被執(zhí)行。在提升到Vcc后，不再有電流被提供給TFT 211。
即，在第三實(shí)施例的像素電路201A中，在不發(fā)光期間，可以在不向像素電路提供電流的情況下工作，因此可以壓縮面板的功耗。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖20A到圖20D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205保持在低電平，并且到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201A中，如圖19C所示，TFT 213保持在截止?fàn)顟B(tài)中，并且TFT 212被導(dǎo)通。因此，水平選擇器203傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL201上的輸入信號(hào)(Vin)被寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C211。
此時(shí)，如圖20F所示，由于作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213的源極電勢(shì)Vs處于電源電勢(shì)Vcc，所以對(duì)于輸入信號(hào)電壓Vin，作為像素電容器Cs的電容器C211被保持在等于(Vin-Vcc)的電勢(shì)。
此后，在EL發(fā)光元件214的不發(fā)光期間，如圖20A到圖20D所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205保持在低電平，并且到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路201A中，如圖19D所示，TFT 212被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C211的寫(xiě)操作結(jié)束。
此后，如圖20A到圖20D所示，到掃描線(xiàn)WSL201、WSL202…的掃描信號(hào)ws[201]、ws[202]…被寫(xiě)掃描器204保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL201、DSL202…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[201]、ds[202]…被驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路201A中，如圖19E所示，TFT 213被導(dǎo)通。
通過(guò)使TFT 213導(dǎo)通，電流流到EL發(fā)光元件214，并且TFT 211的源極電勢(shì)下降。作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的源極電勢(shì)發(fā)生波動(dòng)，但是盡管如此，由于TFT 211的柵極和源極之間存在電容器，并且其他晶體管等未連接，所以TFT 211的柵-源電勢(shì)被恒定保持在(Vin-Vcc)。此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT 211的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓Vgs確定，即(Vin-Vcc)。
即，可以說(shuō)流過(guò)TFT 211的電流由Vin確定。
由于上述原因，在第三實(shí)施例的像素電路201A中，即使EL發(fā)光元件214的I-V特性隨著發(fā)光期增加而惡化，但是節(jié)點(diǎn)ND211A的電勢(shì)下降，同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的柵極和源極之間的電勢(shì)也保持恒定，所以流過(guò)TFT 211的電流不變。
因此，流過(guò)EL發(fā)光元件214的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件214的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于輸入電壓Vin的電流也恒定流動(dòng)，因此，這可以解決過(guò)去的問(wèn)題。
另外，由于在TFT 211的柵極和源極之間除了像素電容器Cs之外沒(méi)有晶體管等，所以閾值Vth的變化將不象過(guò)去的系統(tǒng)一樣導(dǎo)致作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211的柵-源電壓Vgs的任何改變。
注意，在圖18中，EL發(fā)光元件214的陰極電極的電勢(shì)被設(shè)置為地電勢(shì)GND，但是也可以被設(shè)置為任何其他電勢(shì)。此外，將其設(shè)置為負(fù)電源使Vcc的電勢(shì)能夠被降低，并且使輸入信號(hào)電壓的電勢(shì)也能夠被降低。因此，可以實(shí)現(xiàn)不添加外部IC負(fù)荷的設(shè)計(jì)。
此外，由于不要求GND線(xiàn)路，可以削減到面板的輸入管腳的數(shù)目，并且像素布局也變?nèi)菀住Ａ硗?，由于在面板中不再有Vcc和GND線(xiàn)路的相交部分，所以可以輕易地提高產(chǎn)量。
此外，如圖21所示，像素電路的晶體管不需要是n溝道晶體管，也可以用p溝道TFT 231到233來(lái)形成每個(gè)像素電路。在這種情形中，電源連接到EL發(fā)光元件234的陽(yáng)極側(cè)，而作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 231連接到陰極側(cè)。
此外，TFT 212和作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 213也可以是與作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 211不同極性的晶體管。
根據(jù)第三實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)即使在EL發(fā)光元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡?，所以可以使用n溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，根據(jù)第三實(shí)施例，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，從而周?chē)€(xiàn)路的布局和像素的布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，從而可以提高產(chǎn)量。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，以布設(shè)低電阻的Vcc線(xiàn)路，從而可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。
<第四實(shí)施例>
圖22是應(yīng)用了根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖23是在圖22的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
如圖22和圖23所示，顯示設(shè)備300具有以m×n矩陣形式布置的像素電路(PXLC)301組成的像素陣列部分302、水平選擇器(HSEL)303、第一寫(xiě)掃描器(WSCN1)304、第二寫(xiě)掃描器(WSCN2)305、驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN)306、恒壓源(CVs)307、由水平選擇器303選中并被提供以根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL301～DTL30n、由寫(xiě)掃描器304選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL301～WSL30m、由寫(xiě)掃描器305選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL311～WSL31m、以及由驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301～DSL30m。
注意，盡管在像素陣列部分302中像素電路301以m×n矩陣形式布置，但是為了圖示簡(jiǎn)化圖22示出了像素電路以2(＝m)×3(＝n)矩陣形式布置的示例。
另外，在圖23中，為了圖示簡(jiǎn)化也只示出了一個(gè)像素電路的具體配置。
如圖23所示，根據(jù)第四實(shí)施例的每個(gè)像素電路301具有n溝道TFT311到TFT 314、電容器C311、由有機(jī)EL元件(OLED)制成的發(fā)光元件315、以及節(jié)點(diǎn)ND311和ND312。
另外，在圖23中，DTL301表示數(shù)據(jù)線(xiàn)、WSL301和WSL311表示掃描線(xiàn)、并且DSL301表示驅(qū)動(dòng)線(xiàn)。
在這些組件中，TFT 311形成根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，TFT 312形成第一開(kāi)關(guān)、TFT 313形成第二開(kāi)關(guān)、TFT 314形成第三開(kāi)關(guān)、并且電容器C311形成根據(jù)本發(fā)明的像素電容元件。
另外，掃描線(xiàn)WSL301對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的第一控制線(xiàn)，驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301對(duì)應(yīng)于第二控制線(xiàn)，而掃描線(xiàn)WSL311對(duì)應(yīng)于第三控制線(xiàn)。
另外，電源電壓Vcc的電源線(xiàn)(電源電勢(shì))對(duì)應(yīng)于第一參考電勢(shì)，而地電勢(shì)GND對(duì)應(yīng)于參考電勢(shì)。
在每個(gè)像素電路301中，TFT 313的源極和漏極連接在TFT 311的源極和發(fā)光元件315的陽(yáng)極之間，TFT 311的漏極連接到電源電勢(shì)Vcc，并且發(fā)光元件315的陰極連接到地電勢(shì)GND。即，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT311、作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 313、以及發(fā)光元件315串聯(lián)在電源電勢(shì)Vcc和地電勢(shì)GND之間。另外，發(fā)光元件315的陽(yáng)極和TFT 313的連接點(diǎn)構(gòu)成節(jié)點(diǎn)ND311。
TFT 311的柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND312。另外，作為像素電容器Cs的電容器C311連接在節(jié)點(diǎn)ND311和ND312之間，即，在TFT 311的柵極和節(jié)點(diǎn)ND311之間(發(fā)光元件315的陽(yáng)極)。電容器C311的第一電極連接到節(jié)點(diǎn)ND311，第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND312。
TFT 313的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301。另外，作為第一開(kāi)關(guān)的TFT312的源極和漏極連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL301和節(jié)點(diǎn)ND312。另外，TFT 312的柵極連接到掃描線(xiàn)WSL301。
另外，TFT 314的源極和漏極連接在節(jié)點(diǎn)ND311和恒電壓源307之間。TFT 314的柵極連接到掃描線(xiàn)WSL311。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路301被配置為作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的源極和發(fā)光元件315的陽(yáng)極由作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 313連接，電容器C311連接在TFT 311的柵極和ND311之間(發(fā)光元件315的陽(yáng)極)，并且節(jié)點(diǎn)ND311通過(guò)TFT 314連接到恒電壓源307(固定電壓線(xiàn))。
接下來(lái)，將參考圖24A到圖24E和圖25A到圖25H，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
注意，圖25A示出了施加到像素陣列的第一行掃描線(xiàn)WSL301的掃描信號(hào)ws[301]，圖25B示出了施加到像素陣列的第二行掃描線(xiàn)WSL302的掃描信號(hào)ws[302]，圖25C示出了施加到像素陣列的第一行掃描線(xiàn)WSL311的掃描信號(hào)ws[311]，圖25D示出了施加到像素陣列的第二行掃描線(xiàn)WSL312的掃描信號(hào)ws[312]，圖25E示出了施加到像素陣列的第一行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]，圖25F示出了施加到像素陣列的第二行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL302的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[302]，圖25G示出了TFT 311的柵極電勢(shì)Vg，并且圖25H示出了TFT 311的陽(yáng)極側(cè)電勢(shì)，即，節(jié)點(diǎn)ND311的電勢(shì)VND311。
首先，在EL發(fā)光元件315的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖25A到圖25F所示，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305選擇性地設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖24A所示，TFT 312和314保持在截止?fàn)顟B(tài)，而TFT 313保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
此時(shí)，由于作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以和柵-源電壓Vgs相對(duì)的電流Ids流到TFT 311和EL元件315。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖25A到圖25F所示，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖24B所示，TFT 312和TFT 314保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 313被截止。
此時(shí)，在EL發(fā)光元件315處保持的電勢(shì)下降，這是由于電源消失。該電勢(shì)下降到EL發(fā)光元件315的閾值電壓Vth。但是，由于截止電流還流到EL發(fā)光元件315，所以如果不發(fā)光期持續(xù)，電勢(shì)將下降到GND。
另一方面，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311保持在導(dǎo)通狀態(tài)，這是由于柵極電勢(shì)為高。如圖25G所示，TFT 311的源極電勢(shì)被提升到電源電壓Vcc。這種提升在短時(shí)間內(nèi)被執(zhí)行。在提升到Vcc后，不再有電流被提供給TFT 311。
即，在第四實(shí)施例的像素電路301中，在不發(fā)光期間，可以在不向像素電路提供電流的情況下工作，因此可以壓縮面板的功耗。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖25A到圖25F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖24C所示，TFT 312和TFT 314導(dǎo)通，同時(shí)TFT 313保持在截止?fàn)顟B(tài)。因此，水平選擇器303傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL301上的輸入信號(hào)(Vin)被寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C311。
在寫(xiě)入該信號(hào)線(xiàn)電壓時(shí)，重要的是TFT 314被導(dǎo)通。如果沒(méi)有TFT314，如果TFT 312被導(dǎo)通并且視頻信號(hào)被寫(xiě)到像素電容器Cs，則耦合將進(jìn)入TFT 311的源電勢(shì)Vs。與此相反，如果導(dǎo)通TFT 314將節(jié)點(diǎn)ND311連接到恒電壓源307，則其將連接到低阻抗線(xiàn)路，所以該線(xiàn)路電壓將被寫(xiě)入到TFT 311的源電勢(shì)側(cè)(節(jié)點(diǎn)ND311)。
此時(shí)，如果使線(xiàn)路電勢(shì)為Vo，則作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的源極電勢(shì)(節(jié)點(diǎn)ND311的電勢(shì))變?yōu)閂o，所以在像素電容器Cs處，對(duì)于輸入信號(hào)電壓Vin，將保持等于(Vin-Vo)的電勢(shì)。
此后，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖25A到圖25F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305保持在高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖24D所示，TFT 312被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C311的寫(xiě)操作結(jié)束。
此時(shí)，TFT 311的源極電勢(shì)(節(jié)點(diǎn)ND311的電勢(shì))必須保持低阻抗，所以TFT 314保持導(dǎo)通。
此后，如圖25A到圖25F所示，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305設(shè)置為低電平，然后到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖24E所示，TFT 314被截止，并且TFT 313變?yōu)閷?dǎo)通。
通過(guò)使TFT 313導(dǎo)通，電流流到EL發(fā)光元件315，并且TFT 311的源極電勢(shì)下降。作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的源極電勢(shì)發(fā)生波動(dòng)，但是盡管如此，由于TFT 311的柵極和源極之間存在電容器，所以TFT 311的柵-源電勢(shì)被恒定保持在(Vin-Vo)。
此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT311的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓Vgs確定，即(Vin-Vo)。
即，可以說(shuō)流過(guò)TFT 311的電流由Vin確定。
這樣，通過(guò)在信號(hào)寫(xiě)入期間導(dǎo)通TFT 314使TFT 311的源極阻抗變低，可以使像素電容器的TFT 311的源極側(cè)在所有時(shí)間中為固定電勢(shì)，從而無(wú)需考慮由于在信號(hào)線(xiàn)寫(xiě)操作時(shí)的耦合所導(dǎo)致的圖像質(zhì)量惡化，并且可以在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)電壓。此外，可以增加像素容量來(lái)采取措施防止泄漏(leak)特性。
由于上述原因，在第四實(shí)施例的像素電路301中，即使EL發(fā)光元件315的I-V特性隨著發(fā)光期增加而惡化，但是節(jié)點(diǎn)ND311的電勢(shì)下降，同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵極和源極之間的電勢(shì)也保持恒定，所以流過(guò)TFT 311的電流不變。
因此，流過(guò)EL發(fā)光元件315的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件315的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于輸入電壓Vin的電流也恒定流動(dòng)，因此，這可以解決過(guò)去的問(wèn)題。
另外，由于在TFT 311的柵極和源極之間除了像素電容器Cs之外沒(méi)有晶體管等，所以閾值Vth的變化將不象過(guò)去的系統(tǒng)一樣導(dǎo)致作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵-源電壓Vgs的任何改變。
注意，連接到TFT 314(恒壓源)的線(xiàn)路的電勢(shì)不受限制，但是如圖26所示，如果使該電勢(shì)與Vcc相同，則可以削減信號(hào)線(xiàn)的數(shù)目。因此，面板線(xiàn)路和像素部分的布局變?nèi)菀?。另外，用于面板輸入的焊盤(pán)數(shù)目也可以削減。
另一方面，如上所述，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵-源電壓Vgs由Vin-Vo確定。因此，例如圖27所示，如果將Vo設(shè)置為低電勢(shì)，例如地電勢(shì)GND，則輸入信號(hào)電壓Vin可以由接近GND電平的地電勢(shì)預(yù)備，并且不需要提升鄰近的IC的信號(hào)。另外，還可以降低作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT313的導(dǎo)通電壓，并且可以在設(shè)計(jì)中不添加外部IC的負(fù)荷。
另外，在圖23中，發(fā)光元件315的陰極電極的電勢(shì)被設(shè)置為地電勢(shì)GND，但是也可以被設(shè)置為任何其他電勢(shì)。此外，將其設(shè)置為負(fù)電源使Vcc的電勢(shì)能夠被降低，并且使輸入信號(hào)電壓的電勢(shì)也能夠被降低。因此，可以實(shí)現(xiàn)不添加外部IC負(fù)荷的設(shè)計(jì)。
此外，如圖28所示，像素電路的晶體管不需要是n溝道晶體管，也可以用p溝道TFT 321到324來(lái)形成每個(gè)像素電路。在這種情形中，電源電勢(shì)Vcc連接到EL發(fā)光元件324的陽(yáng)極側(cè)，而作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT321連接到陰極側(cè)。
此外，作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 312、TFT 313和TFT 314也可以是與作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311不同極性的晶體管。
根據(jù)第四實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)即使在EL元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡?，所以可以使用n溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，根據(jù)第四實(shí)施例，即使在例如黑信號(hào)的情況下也可以在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)路電壓，并且可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。同時(shí)，可以增加信號(hào)線(xiàn)容量，并抑制泄漏特性。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，從而周?chē)€(xiàn)路的布局和像素的布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，從而可以提高產(chǎn)量。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，以布設(shè)低電阻的Vcc線(xiàn)路，從而可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。
另外，可以使輸入信號(hào)電壓接近GND，從而可以減輕外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)荷。
<第五實(shí)施例>
圖29是應(yīng)用了根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖30是在圖29的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
根據(jù)第五實(shí)施例的顯示設(shè)備300A與根據(jù)第四實(shí)施例的顯示設(shè)備300的不同之處在于作為像素電路中的像素電容器Cs的電容器C311的連接位置。
具體地說(shuō)，在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路301中，電容器C311連接在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT3211的柵極和EL發(fā)光元件315的陽(yáng)極側(cè)之間。
與此相反，在根據(jù)第五實(shí)施例的像素電路301A中，電容器C311連接在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵極和源極之間。具體地說(shuō)，電容器C311的第一電極連接到TFT 311的源極和作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 313的連接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)ND311A)，并且第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND312。
該配置的其余部分類(lèi)似于上述第四實(shí)施例的配置。
接下來(lái)，將參考圖31A到圖31E和圖32A到圖32H，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
首先，在EL發(fā)光元件315的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖32A到圖32F所示，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305選擇性的設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖31A所示，TFT 312和314保持在截止?fàn)顟B(tài)，而TFT 313保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
此時(shí)，由于作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以和柵-源電壓Vgs相對(duì)的電流Ids流到TFT 311和EL發(fā)光元件315。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖32A到圖32F所示，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305選擇性地保持在低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖31B所示，TFT 312和TFT 314保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 313被截止。
此時(shí)，由于電源消失，在EL發(fā)光元件315處保持的電勢(shì)下降，并且EL發(fā)光元件315不發(fā)光。該電勢(shì)下降到EL發(fā)光元件315的閾值電壓Vth。但是，由于截止電流還流到EL發(fā)光元件315，所以如果不發(fā)光期持續(xù)，電勢(shì)將下降到GND。
另一方面，隨著EL發(fā)光元件315的陽(yáng)極側(cè)的電壓下降，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵極電勢(shì)也通過(guò)電容器C311下降。與此同時(shí)，流到TFT 311的電流和源極電勢(shì)上升。
因此，TFT 311變截止，并且不再有電流流到TFT 311。
即，在第五實(shí)施例的像素電路301A中，在不發(fā)光期間，可以在不向像素電路提供電流的情況下工作，因此可以壓縮面板的功耗。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖32A到圖32F所示，在到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306保持在低電平的同時(shí)，到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301A中，如圖31C所示，TFT 313保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 312和TFT 314導(dǎo)通。因此，水平選擇器303傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL301上的輸入信號(hào)(Vin)被寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C311。
在寫(xiě)入該信號(hào)線(xiàn)電壓時(shí)，重要的是TFT 314被導(dǎo)通。如果沒(méi)有TFT314，如果TFT 312被導(dǎo)通并且視頻信號(hào)被寫(xiě)到像素電容器Cs，則耦合將進(jìn)入TFT 311的源電勢(shì)Vs。與此相反，如果導(dǎo)通TFT 314將節(jié)點(diǎn)ND311連接到恒電壓源307，則其將被連接到低阻抗線(xiàn)路，所以線(xiàn)路電壓將被寫(xiě)入到TFT 311的源電勢(shì)。
此時(shí)，如果使線(xiàn)路電勢(shì)為Vo，則作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的源極電勢(shì)變?yōu)閂o，所以在像素電容器Cs處，對(duì)于輸入信號(hào)電壓Vin，將保持等于(Vin-Vo)的電勢(shì)。
此后，在EL發(fā)光元件315的不發(fā)光期間，如圖32A到圖32F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305保持在高電平，并且到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路301A中，如圖31D所示，TFT 312被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C311寫(xiě)操作結(jié)束。
此時(shí)，TFT 311的源極電勢(shì)必須保持低阻抗，所以TFT 314保持導(dǎo)通。
此后，如圖32A到圖32F所示，在到掃描線(xiàn)WSL301、WSL302…的掃描信號(hào)ws[301]、ws[302]…被寫(xiě)掃描器304保持在低電平的同時(shí)，到掃描線(xiàn)WSL311、WSL312…的掃描信號(hào)ws[311]、ws[312]…被寫(xiě)掃描器305設(shè)置為低電平，然后到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL301、DSL302…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[301]、ds[302]…被驅(qū)動(dòng)掃描器306選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路301中，如圖31E所示，TFT 314被截止，并且TFT 313變?yōu)閷?dǎo)通。
通過(guò)使TFT 313導(dǎo)通，電流流到EL發(fā)光元件315，并且TFT 311的源極電勢(shì)下降。作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的源極電勢(shì)發(fā)生波動(dòng)，但是盡管如此，由于TFT 311的柵極和源極之間存在電容，所以TFT 311的柵-源電壓被恒定保持在(Vin-Vcc)。
此時(shí)，TFT 313在非飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以其被看作單純的電阻。因此，TFT 311的柵-源電壓為(Vin-Vo)減去由于TFT 313所導(dǎo)致的電壓下降。即，可以說(shuō)流過(guò)TFT 311的電流由Vin確定。
這樣，通過(guò)在信號(hào)寫(xiě)入期間導(dǎo)通TFT 314使TFT 311的源極阻抗變低，可以使像素電容器的TFT 311的源極側(cè)在所有時(shí)間中為固定電勢(shì)，從而無(wú)需考慮由于在信號(hào)線(xiàn)寫(xiě)操作時(shí)的耦合所導(dǎo)致的圖像質(zhì)量惡化，并且可以在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)電壓。此外，可以增加像素容量來(lái)采取措施防止泄漏特性。
此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT311的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓Vgs確定，即(Vin-Vcc)。
即，可以說(shuō)流過(guò)TFT 311的電流由Vin確定。
由于上述原因，在第五實(shí)施例的像素電路301A中，即使EL發(fā)光元件315的I-V特性隨著發(fā)光期增加而惡化，但是節(jié)點(diǎn)ND311A的電勢(shì)下降，同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵極和源極之間的電勢(shì)也保持恒定，所以流過(guò)TFT 311的電流不變。
因此，流過(guò)EL發(fā)光元件315的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件315的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于輸入電壓Vin的電流也恒定流動(dòng)，因此，這可以解決過(guò)去的問(wèn)題。
注意，連接到TFT 314(恒壓源)的線(xiàn)路的電勢(shì)不受限制，但是入圖33所示，如果使該電勢(shì)與Vcc相同，則可以削減信號(hào)線(xiàn)的數(shù)目。因此，面板線(xiàn)路和像素部分的布局變?nèi)菀?。另外，用于面板輸入的焊盤(pán)數(shù)目也可以削減。
另一方面，如上所述，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311的柵-源電壓Vgs由Vin-Vo確定。因此，例如圖34所示，如果將Vo設(shè)置為低電勢(shì)，例如地電勢(shì)GND，則輸入信號(hào)電壓Vin可以由接近GND電平的地電勢(shì)準(zhǔn)備，并且不需要提升鄰近的IC的信號(hào)。另外，還可以降低作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT313的導(dǎo)通電壓，并且可以在設(shè)計(jì)中不添加外部IC的負(fù)荷。
另外，在圖30中，EL發(fā)光元件315的陰極電極的電勢(shì)被設(shè)置為地電勢(shì)GND，但是也可以被設(shè)置為任何其他電勢(shì)。此外，將其設(shè)置為負(fù)電源使Vcc的電勢(shì)能夠被降低，并且使輸入信號(hào)電壓的電勢(shì)也能夠被降低。因此，可以實(shí)現(xiàn)不添加外部IC負(fù)荷的設(shè)計(jì)。
此外，如圖35所示，像素電路的晶體管不需要是n溝道晶體管，也可以用p溝道TFT 321到324來(lái)形成每個(gè)像素電路。在這種情形中，電源連接到EL發(fā)光元件325的陽(yáng)極側(cè)，而作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 321連接到陰極側(cè)。
此外，作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 312、TFT 313和TFT 314也可以是與作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 311不同極性的晶體管。
根據(jù)第五實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)即使在EL元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡埽钥梢允褂胣溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，根據(jù)第五實(shí)施例，即使在例如黑信號(hào)的情況下也可以在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)電壓，并且可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。同時(shí)，可以增加信號(hào)線(xiàn)容量，從而抑制泄漏特性。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，從而周?chē)€(xiàn)路的布局和像素的布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，從而可以提高產(chǎn)量。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，以布設(shè)低電阻的Vcc線(xiàn)路，從而可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。
另外，可以使輸入信號(hào)電壓接近GND，從而可以減輕外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)荷。
<第六實(shí)施例>
圖36是應(yīng)用了根據(jù)第六實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置框圖。
圖37是在圖36的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的根據(jù)第六實(shí)施例的像素電路的具體配置的電路圖。
如圖36和圖37所示，顯示設(shè)備400具有以m×n矩陣形式布置的像素電路(PXLC)401組成的像素陣列部分402、水平選擇器(HSEL)403、寫(xiě)掃描器(WSCN)404、第一驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN1)405、第二驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN2)406、第三驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN3)407、由水平選擇器403選中并被提供以根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL401～DTL40n、由寫(xiě)掃描器404選擇性地驅(qū)動(dòng)的掃描線(xiàn)WSL401～WSL40m、由第一驅(qū)動(dòng)掃描器405選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401～DSL40m、由第二驅(qū)動(dòng)掃描器406選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411～DSL41m、以及由第三驅(qū)動(dòng)掃描器407選擇性地驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421～DSL42m。
注意，盡管在像素陣列部分402中像素電路401以m×n矩陣形式布置，但是為了圖示簡(jiǎn)化，圖36示出了像素電路以2(＝m)×3(＝n)矩陣形式布置的示例。
另外，在圖37中，為了圖示簡(jiǎn)化也只示出了一個(gè)像素電路的具體配置。
如圖37所示，根據(jù)第六實(shí)施例的每個(gè)像素電路401具有n溝道TFT411到TFT 415、電容器C411、由有機(jī)EL元件(OLED)制成的發(fā)光元件416、以及節(jié)點(diǎn)ND411和ND412。
另外，在圖37中，DTL401表示數(shù)據(jù)線(xiàn)、WSL401表示掃描線(xiàn)、并且DSL401、DSL411和DSL421表示驅(qū)動(dòng)線(xiàn)。
在這些組件中，TFT 411形成根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，TFT 412形成第一開(kāi)關(guān)、TFT 413形成第二開(kāi)關(guān)、TFT 414形成第三開(kāi)關(guān)、TFT 415形成第四開(kāi)關(guān)、并且電容器C411形成根據(jù)本發(fā)明的像素電容元件。
另外，掃描線(xiàn)WSL401對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的第一控制線(xiàn)，驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401對(duì)應(yīng)于第二控制線(xiàn)，驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411對(duì)應(yīng)于第三控制線(xiàn)，并且驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421對(duì)應(yīng)于第四控制線(xiàn)。
另外，電源電壓Vcc的電源線(xiàn)(電源電勢(shì))對(duì)應(yīng)于第一參考電勢(shì)，而地電勢(shì)GND對(duì)應(yīng)于第二參考電勢(shì)。
在每個(gè)像素電路401中，TFT 414的源極和漏極連接在TFT 411的源極和節(jié)點(diǎn)ND411之間，TFT 413的源極和漏極連接在節(jié)點(diǎn)ND411和發(fā)光元件416的陽(yáng)極之間，TFT 411的漏極連接到電源電勢(shì)Vcc，并且發(fā)光元件416的陰極連接到地電勢(shì)GND。即，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411、作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 414和TFT 413、以及發(fā)光元件416串聯(lián)在電源電勢(shì)Vcc和地電勢(shì)GND之間。
TFT 411的柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND412。另外，作為像素電容器Cs的電容器C411連接在TFT 411的柵極和源極之間。電容器C411的第一電極連接到節(jié)點(diǎn)ND411，同時(shí)第二電極連接到節(jié)點(diǎn)ND412。
TFT 413的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401。另外，TFT 414的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411。另外，作為第一開(kāi)關(guān)的TFT 412的源極和漏極連接在數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL401和節(jié)點(diǎn)ND411(與電容器C411的第一電極的連接點(diǎn))之間。另外，TFT 412的柵極連接到掃描線(xiàn)WSL401。
另外，TFT 415的源極和漏極連接在節(jié)點(diǎn)ND412和電源電勢(shì)Vcc之間。TFT 415的柵極連接到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路401被配置為作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411的源極和發(fā)光元件416的陽(yáng)極由作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 414和TFT 413連接，電容器C411連接在TFT 411的柵極和源極側(cè)節(jié)點(diǎn)ND411之間，并且TFT 411的柵極(節(jié)點(diǎn)ND412)通過(guò)TFT 415連接到電源電勢(shì)Vcc(固定電壓線(xiàn))。
接下來(lái)，將參考圖38A到圖38F、圖39和圖40A到圖40H，集中于像素電路的工作來(lái)解釋上述配置的工作。
圖40A示出了施加到像素陣列的第一行掃描線(xiàn)WSL401的掃描信號(hào)ws[401]，圖40B示出了施加到像素陣列的第二行掃描線(xiàn)WSL402的掃描信號(hào)ws[402]，圖40C示出了施加到像素陣列的第一行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401和DSL411的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]和ds[411]，圖40D示出了施加到像素陣列的第二行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL402和DSL412的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[402]和ds[412]，圖40E示出了施加到像素陣列的第一行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]，圖40F示出了施加到像素陣列的第二行驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL422的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[422]，圖40G示出了TFT 411的柵極電勢(shì)Vg，即，節(jié)點(diǎn)ND412的電勢(shì)VND412，并且圖40H示出了TFT 411的陽(yáng)極側(cè)電勢(shì)，即，節(jié)點(diǎn)ND411的電勢(shì)VND411。
注意，無(wú)論TFT 413和TFT 414導(dǎo)通還是截止都沒(méi)問(wèn)題，所以如圖40C和圖40D所示，施加到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401和DSL411及驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL402和DSL412的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]和ds[411]及驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[402]和ds[412]被設(shè)置為相同的定時(shí)。
首先，在EL發(fā)光元件416的通常發(fā)光狀態(tài)中，如圖40A到圖40F所示，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)ws[401]、ws[402]…被寫(xiě)掃描器404選擇性地設(shè)置為低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]…被驅(qū)動(dòng)掃描器405選擇性地設(shè)置為高電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]…被驅(qū)動(dòng)掃描器406選擇性地設(shè)置為高電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]…被驅(qū)動(dòng)掃描器407選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38A所示，TFT 414和TFT 413保持在導(dǎo)通狀態(tài)，而TFT 412保持在截止?fàn)顟B(tài)。
接下來(lái)，在EL發(fā)光元件416的不發(fā)光期間，如圖40A到圖40F所示，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)ws[401]、ws[402]…被寫(xiě)掃描器404保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]被驅(qū)動(dòng)掃描器407保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]被驅(qū)動(dòng)掃描器405選擇性地設(shè)置為低電平，并且到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]被驅(qū)動(dòng)掃描器406選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38B所示，TFT 412和TFT 415保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 413和414被截止。
此時(shí)，在EL發(fā)光元件416處保持的電勢(shì)下降，這是由于電源消失。EL發(fā)光元件416停止發(fā)光。該電勢(shì)下降到EL發(fā)光元件416的閾值電壓Vth。但是，由于截止電流還流到EL發(fā)光元件416，所以如果不發(fā)光期持續(xù)，電勢(shì)將下降到GND。
另一方面，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411保持在導(dǎo)通狀態(tài)，這是由于柵極電勢(shì)為高。TFT 411的源極電勢(shì)被提升到電源電壓Vcc。這種提升在短時(shí)間內(nèi)被執(zhí)行。在提升到Vcc后，不再有電流被提供給TFT 411。
即，在第六實(shí)施例的像素電路401中，在不發(fā)光期間，可以在不向像素電路提供電流的情況下工作，因此可以壓縮面板的功耗。
在此情形中，接下來(lái)，如圖40A到圖40F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]…被驅(qū)動(dòng)掃描器405保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]…被驅(qū)動(dòng)掃描器406保持在低電平，并且在此狀態(tài)中到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]…被驅(qū)動(dòng)掃描器407設(shè)置為高電平，然后，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)ws[401]、ws[402]…被寫(xiě)掃描器404選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38C所示，TFT 413和TFT 414保持在截止?fàn)顟B(tài)，并且TFT 412和TFT 415被導(dǎo)通。因此，水平選擇器403傳播到數(shù)據(jù)線(xiàn)DTL401上的輸入信號(hào)被寫(xiě)入作為像素電容器Cs的電容器C411。
此時(shí)，作為像素電容器Cs的電容器C411保持等于電源電壓Vcc和輸入電壓Vin之間的差(Vcc-Vin)的電勢(shì)。
此后，在EL發(fā)光元件416的不發(fā)光期間，如圖40A到圖40F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]…被驅(qū)動(dòng)掃描器405保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]…被驅(qū)動(dòng)掃描器406保持在低電平，并且在此狀態(tài)中到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]…被驅(qū)動(dòng)掃描器407選擇性地設(shè)置為低電平，然后，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)ws[401]、ws[402]…被寫(xiě)掃描器404選擇性地設(shè)置為低電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38D所示，TFT 415和TFT 412被截止，并且將輸入信號(hào)寫(xiě)到作為像素電容器的電容器C411的寫(xiě)操作結(jié)束。
此時(shí)，電容器C411保持等于電源電壓Vcc和輸入電壓Vin之間的差(Vcc-Vin)的電勢(shì)，而不管電容器端的電勢(shì)。
此后，如圖40A到圖40F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]…被驅(qū)動(dòng)掃描器405保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]…被驅(qū)動(dòng)掃描器407保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)ws[401]、ws[402]…被寫(xiě)掃描器404保持在低電平，并且在此狀態(tài)中到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]…被驅(qū)動(dòng)掃描器406有選擇地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38E所示，TFT 414導(dǎo)通。通過(guò)使TFT 414導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT 411的柵-源電勢(shì)變?yōu)槌淙胱鳛橄袼仉娙萜鞯碾娙萜鰿411的電勢(shì)差(Vcc-Vin)。此外，如圖40H所示，不管TFT411的源極電勢(shì)值為多少，該電勢(shì)差被保持，并且驅(qū)動(dòng)晶體管411的源極電勢(shì)上升到Vcc。
此外，如圖40A到圖40F所示，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL421、DSL422…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[421]、ds[422]…被驅(qū)動(dòng)掃描器407保持在低電平，到掃描線(xiàn)WSL401、WSL402…的掃描信號(hào)wS[401]、wS[402]…被寫(xiě)掃描器404保持在低電平，到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL411、DSL412…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[411]、ds[412]…被驅(qū)動(dòng)掃描器406保持在高電平，并且在此狀態(tài)中到驅(qū)動(dòng)線(xiàn)DSL401、DSL402…的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ds[401]、ds[402]…被驅(qū)動(dòng)掃描器405選擇性地設(shè)置為高電平。
結(jié)果，在像素電路401中，如圖38F所示，TFT 413導(dǎo)通。
通過(guò)使TFT 413導(dǎo)通，TFT 411的源極電勢(shì)下降。這樣，盡管存在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411的源極電勢(shì)發(fā)生波動(dòng)這一事實(shí)，但是由于TFT411的柵極和EL發(fā)光元件416的陽(yáng)極之間存在電容器，所以TFT 411的柵-源電勢(shì)被恒定保持在(Vcc-Vin)。
此時(shí)，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411在飽和區(qū)中驅(qū)動(dòng)，所以流過(guò)TFT411的電流Ids變?yōu)樯鲜龇匠?給出的值。該值由驅(qū)動(dòng)晶體管TFT 411的柵-源電壓Vgs確定。
該電流也流到EL發(fā)光元件416。EL發(fā)光元件416以與該電流值成比例的亮度發(fā)光。
EL發(fā)光元件的等效電路可以由圖39中的晶體管描述，同樣在圖39中，ND411的電勢(shì)在上升到電流Ids在該電勢(shì)下流到發(fā)光元件416的柵極電勢(shì)后停止上升。隨著該電勢(shì)的改變，節(jié)點(diǎn)ND412的電勢(shì)也改變。如果節(jié)點(diǎn)ND411的最終電勢(shì)為Vx，則節(jié)點(diǎn)ND412的電勢(shì)描述為(Vx+Vcc-Vin)，并且作為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT 411的柵-源電勢(shì)保持在(Vx+Vcc)。
由于上述原因，在第六實(shí)施例的像素電路401中，即使EL發(fā)光元件416的I-V特性隨著發(fā)光期增加而惡化，但是節(jié)點(diǎn)ND411的電勢(shì)下降，同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 411的柵-源電勢(shì)也保持恒定，所以流過(guò)TFT 411的電流不變。
因此，流過(guò)EL發(fā)光元件416的電流也不改變。即使EL發(fā)光元件416的I-V特性惡化，對(duì)應(yīng)于柵-源電勢(shì)(Vcc-Vin)的電流也恒定流動(dòng)，因此，這可以解決過(guò)去的涉及隨時(shí)間流逝EL的特性惡化的問(wèn)題。
此外，在本發(fā)明的電路中，由于固定的電勢(shì)僅是像素中的電源電勢(shì)Vcc，所以沒(méi)必要將GND線(xiàn)路布設(shè)的較厚。因此，這可以縮小像素面積。此外，在不發(fā)光期中，TFT 413和414都截止，并且沒(méi)有電流流過(guò)該電路。即，通過(guò)在不發(fā)光期中不使電流流過(guò)該電路，可以降低功耗。
如上所述，根據(jù)第六實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)即使在EL元件的I-V特性隨著時(shí)間流逝而改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡?，所以可以使用n溝道晶體管作為發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，在本發(fā)明中，可以使用固定電勢(shì)的像素電源，所以可以縮小像素面積，并且可以預(yù)期更高的面板清晰度。
另外，通過(guò)在EL發(fā)光元件不發(fā)光時(shí)不使電流流過(guò)該電路，可以降低功耗。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)即使在隨著時(shí)間流逝EL元件的I-V特性改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出。
因?yàn)閚溝道晶體管源極跟隨器電路變?yōu)榭赡埽钥梢允褂胣溝道晶體管作為EL發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極。
此外，可以?xún)H利用n溝道晶體管來(lái)配置像素電路的晶體管，并且可以在制造TFT時(shí)使用a-Si工藝。因此，可以降低TFT板的成本。
此外，即使在例如黑信號(hào)的情況下也可以在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入信號(hào)線(xiàn)路電壓，并且可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。同時(shí)，可以增加信號(hào)線(xiàn)容量，從而抑制泄漏特性。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，從而周?chē)€(xiàn)路的布局和像素的布局變?nèi)菀琢恕?br> 此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，從而可以提高產(chǎn)量。
此外，還可以削減TFT側(cè)的GND線(xiàn)路的數(shù)目，可以消除TFT板上GND線(xiàn)路和Vcc線(xiàn)路重疊，以布設(shè)低電阻的Vcc線(xiàn)路，并且可以獲得高度均勻的圖像質(zhì)量。
此外，在本發(fā)明中，可以使用固定電勢(shì)的像素電源，所以可以縮小像素面積，并且可以期望更高的面板清晰度。
另外，通過(guò)在EL發(fā)光元件不發(fā)光時(shí)不使電流流過(guò)該電路，可以降低功耗。
另外，還可以使輸入信號(hào)電壓接近GND，從而可以減輕外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)荷。
工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明的像素電路、顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，可以實(shí)現(xiàn)即使在隨著時(shí)間流逝EL元件的I-V特性改變的情況下亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出，并且可以實(shí)現(xiàn)n溝道晶體管源極跟隨器電路，所以可以使用n溝道晶體管作為EL元件的驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)使用現(xiàn)有的陽(yáng)極-陰極電極，因此，本發(fā)明可以應(yīng)用到大尺寸高清晰的有源矩陣型顯示器。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度的電光元件的像素電路，所述像素電路包括數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)該數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；第一控制線(xiàn)；第一和第二節(jié)點(diǎn)；第一和第二參考電勢(shì)；驅(qū)動(dòng)晶體管，其在第一端子和第二端子之間形成電流供應(yīng)線(xiàn)路，并且根據(jù)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端子的電勢(shì)來(lái)控制流過(guò)所述電流供應(yīng)線(xiàn)路的電流；像素電容元件，其連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間；第一開(kāi)關(guān)，其連接在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述像素電容元件的第一端子或第二端子之間，并且由所述第一控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；以及第一電路，用于在所述電光元件不發(fā)光時(shí)將所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件串聯(lián)在所述第一參考電勢(shì)和所述第二參考電勢(shì)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述電路還包括第二控制線(xiàn)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)、漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)、并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；并且所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和固定電勢(shì)之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第一節(jié)點(diǎn)連接到固定電勢(shì)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述電路還包括第二控制線(xiàn)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；并且所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)連接在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和電光元件之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
5.如權(quán)利要求4所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述電路還包括第二控制線(xiàn)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)、漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)、并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；并且所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，其連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
7.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)被保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
8如權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括第二電路，用于在所述第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使所述第一節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)。
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其中所述電路還包括第二和第三控制線(xiàn)，以及電壓源；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)連接在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和所述電光元件之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且所述第二電路包括第三開(kāi)關(guān)，所述第三開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電壓源之間，并且由所述第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
10.如權(quán)利要求9所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第一節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中，傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其中所述電路還包括第二和第三控制線(xiàn)，以及電壓源；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且所述第二電路包括第三開(kāi)關(guān)，所述第三開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電壓源之間，并且由所述第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
12.如權(quán)利要求11所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第一節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中，傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
13.如權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括第二電路，用于在所述第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使所述第二節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)。
14.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其中所述固定電勢(shì)為所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)。
15.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其中所述電路還包括第二、第三和第四控制線(xiàn)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其源極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；所述第一電路包括第二開(kāi)關(guān)和第三開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件之間，并且由所述第二控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性，所述第三開(kāi)關(guān)連接在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和所述第一節(jié)點(diǎn)之間，并且由所述第三控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性；并且所述第二電路包括第四開(kāi)關(guān)，所述第四開(kāi)關(guān)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述固定電勢(shì)之間，并且由所述第四控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性。
16.如權(quán)利要求15所述的像素電路，其中在所述電光元件被驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第四開(kāi)關(guān)由所述第四控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；第二階段，所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第四開(kāi)關(guān)由所述第四控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，所述第二節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)，并且在該狀態(tài)中傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入所述像素電容元件，然后所述第一開(kāi)關(guān)由所述第一控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第四開(kāi)關(guān)由所述第四控制線(xiàn)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)；并且第三階段，所述第二開(kāi)關(guān)由所述第二控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，并且所述第三開(kāi)關(guān)由所述第三控制線(xiàn)保持在導(dǎo)電狀態(tài)。
17.一種顯示設(shè)備，包括以矩陣形式布置的多個(gè)像素電路；針對(duì)所述像素電路矩陣陣列的每列布置的數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；針對(duì)所述像素電路矩陣陣列的每行布置的第一控制線(xiàn)；以及第一和第二參考電勢(shì)；每個(gè)所述像素電路還具有根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度的電光元件，第一和第二節(jié)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)晶體管，其在第一端子和第二端子之間形成電流供應(yīng)線(xiàn)路，并且根據(jù)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端子的電勢(shì)來(lái)控制流過(guò)所述電流供應(yīng)線(xiàn)路的電流，像素電容元件，其連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，第一開(kāi)關(guān)，其連接在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，并且由所述第一控制線(xiàn)控制導(dǎo)電性，以及第一電路，用于在所述電光元件不發(fā)光時(shí)將所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件串聯(lián)在所述第一參考電勢(shì)和所述第二參考電勢(shì)之間。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，還包括第二電路，用于在所述第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使所述第一節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)定電勢(shì)。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，還包括第二電路，用于在所述第一開(kāi)關(guān)被保持在導(dǎo)電狀態(tài)并且寫(xiě)入通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)傳播的數(shù)據(jù)時(shí)使所述第二節(jié)點(diǎn)保持在固定電勢(shì)。
20.一種用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，所述像素電路具有電光元件，其根據(jù)流過(guò)的電流改變亮度；數(shù)據(jù)線(xiàn)，通過(guò)該數(shù)據(jù)線(xiàn)提供根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)；第一和第二節(jié)點(diǎn)；第一和第二參考電勢(shì)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其漏極連接到所述第一參考電勢(shì)或第二參考電勢(shì)，源極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)、并且柵極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；像素電容元件，其連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間；第一開(kāi)關(guān)，其連接在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述像素電容元件的第一端子或第二端子之間；以及第一電路，用于將所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供應(yīng)線(xiàn)路、所述第一節(jié)點(diǎn)和所述電光元件串聯(lián)在所述第一參考電勢(shì)和所述第二參考電勢(shì)之間，所述用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法包括下述步驟在所述第一開(kāi)關(guān)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)的狀態(tài)中，所述第一電路將所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變?yōu)楣潭妱?shì)，將所述第一開(kāi)關(guān)保持在導(dǎo)電狀態(tài)，將傳播到所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述像素電容元件，然后將所述第一開(kāi)關(guān)保持在不導(dǎo)電狀態(tài)，以及停止操作，以使所述第一電路的所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變到固定電勢(shì)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了像素電路、顯示單元和像素電路驅(qū)動(dòng)方法，它們使得能夠?qū)崿F(xiàn)即使在發(fā)光元件的電流－電壓特性隨時(shí)間改變時(shí)亮度也不會(huì)惡化的源極跟隨器輸出，并且能夠?qū)崿F(xiàn)n溝道晶體管源極跟隨器電路，從而能夠?qū)溝道晶體管用作EL驅(qū)動(dòng)元件，同時(shí)仍舊使用現(xiàn)有的陽(yáng)極/陰極電極，其中，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT(111)的源極連接到發(fā)光元件(114)的陽(yáng)極，漏極連接到電源電勢(shì)(Vcc)，電容器(C111)連接在TFT(111)的柵極和源極之間，并且TFT(111)的源極電勢(shì)通過(guò)作為開(kāi)關(guān)晶體管的TFT(113)連接到固定電勢(shì)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1795484SQ2004800142
公開(kāi)日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山下淳一, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社