專利名稱：基板檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板檢查方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器被用于設(shè)備的不同部分，諸如筆記本個(gè)人電腦(筆記本PC)的顯示單元，移動(dòng)電話的顯示單元和電視機(jī)的顯示單元。液晶顯示器包括其中多個(gè)以矩陣排列的像素電極的陣列基板，包括分別面向多個(gè)像素電極的對(duì)置電極的對(duì)置基板，和在陣列基板和對(duì)置基板之間保持的液晶層。
陣列基板包括多個(gè)以矩陣排列的像素電極、多條各自沿著像素電極的行排列的掃描線、多條各自沿著像素電極的列排列的信號(hào)線和多個(gè)各自排列在每條掃描線和每條信號(hào)線交叉的交叉位置附近的開(kāi)關(guān)元件。
有兩種類型的陣列基板，也就是說(shuō)，其中開(kāi)關(guān)元件是每個(gè)都使用非晶硅半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管的陣列基板和其中開(kāi)關(guān)元件是每個(gè)都使用多晶硅半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管的另一種陣列基板。多晶硅的載流子遷移率比非晶硅高。在這里應(yīng)當(dāng)注意的是多晶硅類型陣列基板不但能包含像素電極的開(kāi)關(guān)元件，而且能包含置于其中的掃描線和信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電路。
為了檢查它們的缺陷，上述的陣列基板在其生產(chǎn)過(guò)程中經(jīng)受檢驗(yàn)步驟。在第11-271177號(hào)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書、第2000-3142號(hào)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書和5,268,638號(hào)美國(guó)專利說(shuō)明書中論述了檢查方法和檢查設(shè)備的例子。
第11-271177號(hào)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書揭示了一種檢查非晶類型LCD基板的技術(shù)，該技術(shù)包括特性點(diǎn)缺陷檢查過(guò)程。這一技術(shù)基于以下機(jī)理。就是說(shuō)，DC部件的直射光被加到LCD基板的整個(gè)表面，并且當(dāng)非晶硅膜感測(cè)到光時(shí)，它變成導(dǎo)電。這里，通過(guò)檢測(cè)輔助電容中累積的充電的漏泄量能夠判斷缺陷的狀態(tài)。在第2000-3142號(hào)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書公開(kāi)的技術(shù)利用了這樣的機(jī)理當(dāng)電子束照射在像素電極上時(shí)，發(fā)射的二次電子的數(shù)量與施加到薄膜晶體管的電壓成正比。第5,268,638號(hào)美國(guó)專利技術(shù)也利用了當(dāng)電子束照射在像素電極上時(shí)發(fā)射的二次電子。

發(fā)明內(nèi)容
液晶顯示器的產(chǎn)品價(jià)格很大程度上取決于生產(chǎn)設(shè)備的成本。上述檢查方法對(duì)生產(chǎn)設(shè)備是必不可少的。并且對(duì)檢查設(shè)備的設(shè)計(jì)的修改和改正導(dǎo)致大量的費(fèi)用。
根據(jù)上述方面提出了本發(fā)明，以及它的目的是提供一種檢查基板的方法，該方法能夠減少修改和改正檢查設(shè)備的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而抑制液晶顯示器的產(chǎn)品成本的增加。
為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種檢查基板的方法，該基板包括每一個(gè)包含包括多條掃描線和多條信號(hào)線的布線的第一陣列區(qū)域和第二陣列區(qū)域、每一個(gè)形成在各自的掃描線和各自的信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件以及分別連接到多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的多個(gè)像素電極，該方法包括在基板上形成對(duì)形成在第一陣列區(qū)域中的一部分布線和形成在第二陣列區(qū)域中的一部分布線短路的公共接線端；從公共接線端把電氣信號(hào)供給第一陣列區(qū)域和第二陣列區(qū)域二者；將電子束照射到像素電極，并基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的普通焊盤組和連接焊盤組CPDp之間的連接關(guān)系的平面圖；圖2是示意性地示出液晶顯示器的橫截面的示意圖；圖3是圖2中示出的液晶顯示器的部分的透視圖；圖4是示出使用母基板構(gòu)成的陣列基板的排列的例子的平面圖；圖5是示意性地示出陣列基板的平面圖；圖6是示意性地示出圖5中示出的陣列基板的像素區(qū)域的部分的放大平面圖；圖7是示意性地示出包含圖6中示出的陣列基板的液晶顯示器的橫截面的示意圖；
圖8是示意性地示出陣列基板檢查裝置的結(jié)構(gòu)圖，該檢查裝置包括電子束檢測(cè)儀；圖9是示出陣列基板部分的主要部分的平面圖；圖10是為示出檢查陣列基板的方法而繪制的流程圖；圖11是示意性地示出陣列基板的改造例子的平面圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖描述依照本發(fā)明實(shí)施例的檢查基板的方法。首先，將描述包括多晶硅類型陣列基板的液晶顯示器。
如圖2和3所示，液晶顯示器包括陣列基板101a，以基板之間保持的預(yù)定間隙與陣列基板相對(duì)排列的對(duì)置基板102，置于這些基板之間的液晶層103。借助于用作襯墊的圓柱襯墊127，陣列基板101a和對(duì)置基板102具有保持在基板之間的預(yù)定間隙。陣列基板101a和對(duì)置基板102的邊緣部分用密封材料160聯(lián)接在一起。在密封材料160的一部分形成的液晶入口161用密封劑162密封。
接下來(lái)，參照?qǐng)D4，將說(shuō)明陣列基板101a。圖4示出了比那些陣列基板101a具有更大尺寸的用作基板的母基板100，并且該圖示出了通過(guò)使用母基板構(gòu)成6塊陣列基板101a的例子。如此，陣列基板101a通常使用母基板100來(lái)形成。陣列基板101a形成在母基板100的第一陣列區(qū)域到第六陣列區(qū)域中。形成的但是仍然是母基板100的一部分的陣列基板稱為陣列基板部分，并且在它從母基板100分開(kāi)的時(shí)候，它被稱為陣列基板。
陣列基板部分101a通常使用母基板100形成。在陣列基板101a之間，形成由多個(gè)接線端制成的連接焊盤組CPDp。在這個(gè)實(shí)施例中，作為連接焊盤組CPDp的一部分的公共接線端能夠?qū)π纬稍诘谝魂嚵袇^(qū)域中的導(dǎo)線的至少一部分和形成在第二陣列區(qū)域的至少一部分二者形成短路。
其中形成連接焊盤組CPDp的區(qū)域稱為子區(qū)域101b。陣列基板主部分101a和子焊盤組區(qū)域101b是本發(fā)明的獨(dú)特特征，這將在以后詳細(xì)描述。
在母基板101上，這些陣列基板部分101a的各條邊沿著切除線排列。此外，在各自的一條邊中，每個(gè)陣列基板部分101a包括用作驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和包括許多連接到信號(hào)線的接線端的法向焊盤組PDp。法向焊盤組PDp用來(lái)經(jīng)各自接線端輸入不同的信號(hào)，并且還輸入/輸出用于檢查的信號(hào)。在后面的步驟黏附對(duì)置基板后，由于沿著邊沿e切除了陣列基板部分，陣列基板部分101a被彼此分開(kāi)。
如圖6中所示，在陣列基板101a的像素區(qū)域30上，多個(gè)像素電極P1，P2，...以矩陣排列。除了像素電極P1，P2，...之外，每個(gè)陣列基板101a包括沿著像素電極P1，P2，...的列排列的多條掃描線Y1，Y2，...以及多條沿著像素電極P1，P2，...的行排列的多條信號(hào)線X1，X2，...。此外，陣列基板101a包括用作開(kāi)關(guān)元件和排列在掃描線Y1，Y2...與信號(hào)線X1，X2，...的每一交叉點(diǎn)附近的薄膜晶體管(下文中稱為TFT)SW1，SW2，...，以及驅(qū)動(dòng)這些掃描線中的每一條的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40。
當(dāng)經(jīng)掃描線Y1，Y2，...分別驅(qū)動(dòng)TFT SW1，SW2，...時(shí)，它們把信號(hào)線X1，X2，...的信號(hào)電壓加到像素電極P。掃描線驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在鄰接陣列基板101的末端部分和像素區(qū)域30的外部區(qū)域。通過(guò)利用使用與TFT SW1，SW2...的多晶硅半導(dǎo)體膜相似的半導(dǎo)體膜制造掃描線驅(qū)動(dòng)電路40。在下面的說(shuō)明中，信號(hào)線X1，X2，...用通用的術(shù)語(yǔ)信號(hào)線X稱呼，類似地，掃描線Y1，Y2，...將稱為掃描線Y，像素電極P1，P2，...將稱為像素電極P，以及TFT SW1，SW2，...將稱為TFT元件SW。
接下來(lái)，參照?qǐng)D6和7，針對(duì)圖5中示出的像素區(qū)域30的一部分做進(jìn)一步描述。圖6是示意性地示出陣列基板的像素區(qū)域30的放大平面圖，圖7是液晶顯示器的像素區(qū)域的放大的橫截面圖。如所示，陣列基板101a包括為諸如玻璃板的透明絕緣基板的基板111。(見(jiàn)圖7)在基板111上，多條信號(hào)線X和多條掃描線Y以矩陣排列，并且在信號(hào)線和掃描線的每一交叉點(diǎn)的附近設(shè)有TFT SW(見(jiàn)圖6中被圓171包圍的部分)。
每一TFT SW包括具有由多晶硅制成的源/漏區(qū)域112a和112b的半導(dǎo)體膜112和柵電極115b，柵電極是各自的掃描線Y的部分的延伸。
在基板111上，多條輔助電容線116以條形式排列以形成輔助電容元件131，并且它們以與掃描線Y相平行方向延伸。像素電極P形成在這個(gè)部分中。(見(jiàn)圖6由圓172包圍的部分和圖7。)更具體地說(shuō)，在基板111上，形成了半導(dǎo)體膜112和輔助電容低電極113，并且還在包括這些半導(dǎo)體膜和輔助電容低電極的基板上形成了柵絕緣膜114。如同在半導(dǎo)體膜112的情況，輔助電容低電極113由多晶硅形成。在柵絕緣膜114上，排列了掃描線Y、柵電極115b和輔助電容線116。輔助電容線116和輔助電容低電極113經(jīng)由柵絕緣膜114被排列成互相面對(duì)。層間絕緣膜117形成在包括了掃描線Y、柵電極115b和輔助電容線116的柵絕緣膜114上。
接觸電極121和信號(hào)線X形成在層間絕緣膜117上。每一接觸電極121經(jīng)由各自的接觸孔連接到各自的半導(dǎo)體膜112的源/漏區(qū)域112a和像素電極P。接觸電極121連接到輔助電容低電極113。每一信號(hào)線經(jīng)由各自的接觸孔連接到各自的半導(dǎo)體膜112的源/漏區(qū)域112b。
保護(hù)絕緣膜122形成為以覆蓋接觸電極121、信號(hào)線X和層間絕緣膜117中的每一個(gè)。在保護(hù)絕緣膜112上，以條形式形成的綠色層124G、紅色層124R和藍(lán)色層124B被交替排列以互相鄰接。色彩層124G、124R和124B形成濾色器。
用諸如ITO(氧化銦錫)的透明導(dǎo)電膜在它們各自的色彩層124G、124R和124B上形成像素電極P。每一像素電極P經(jīng)由在色彩層和保護(hù)絕緣膜122中形成的接觸孔125被連接到各自的接觸電極121。像素電極P的外圍部分形成為以覆蓋在輔助電容116線和信號(hào)線X上。連接到像素電極P的輔助電容元件131起輔助電容存儲(chǔ)電荷的作用。
圓柱襯墊127形成在色彩層124R和124G上。雖然該圖未示出所有的圓柱襯墊，多個(gè)圓柱襯墊127以預(yù)定的密度形成在每一色彩層上。校準(zhǔn)膜128形成在色彩層124G、124R和124B以及像素電極P上。對(duì)置基板102包括為透明絕緣基板的基板151。由諸如ITO的透明材料制成的對(duì)置電極152和校準(zhǔn)膜153以這個(gè)順序形成在基板151上。
使用EB檢測(cè)儀的用于包括陣列基板部分101a的基板的檢查方法，現(xiàn)在將參照?qǐng)D8加以描述。應(yīng)當(dāng)注意的是多個(gè)陣列基板部分101a和子焊盤組區(qū)域101b形成在母基板100上。在基板上形成像素電極P后執(zhí)行檢查。
首先，連接到信號(hào)發(fā)生器和信號(hào)分析器302的探針303與對(duì)應(yīng)的子焊盤組區(qū)域101b的焊盤連接。從信號(hào)發(fā)生器和信號(hào)分析器302輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)探針303和焊盤供給像素部分203。在驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到像素部分203后，從電子束源301發(fā)射的電子束EB照射在像素部分上。由于照射，從像素部分203發(fā)射出二次電子SE，并且由電子檢測(cè)儀DE檢測(cè)該二次電子SE。二次電子SE與發(fā)射電子的位置的電壓相關(guān)。由電子檢測(cè)儀DE檢測(cè)到的二次電子的數(shù)據(jù)被送到信號(hào)發(fā)生器和信號(hào)分析器302用于分析像素部分203的目的。應(yīng)當(dāng)注意的是這里電壓的變化代表像素部分203的狀況。此外，發(fā)送到信號(hào)發(fā)生器和信號(hào)分析器302的二次電子的數(shù)據(jù)反映了每一像素部分對(duì)供給每一像素部分203的TFT元件的接線端的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性能。如此，有可能檢查在每一像素部分203的像素電極P處的電壓的狀態(tài)。簡(jiǎn)而言之，如果在像素部分203中有缺陷，用EB檢測(cè)儀能夠檢測(cè)到該缺陷。
該圖示出了作為典型例子的一個(gè)像素部分203。采用該檢查設(shè)備，能夠用電子束連續(xù)掃描諸相鄰陣列基板部分101a和101a的每一個(gè)像素部分。這是因?yàn)樘结?03形成對(duì)多個(gè)陣列基板部分101a和101a的公共接線端可連接。電子束掃描的結(jié)果而獲得的每一像素部分的二次電子的數(shù)據(jù)由信號(hào)發(fā)生器和信號(hào)分析器302處理。
圖9是陣列基板部分101a的部分的放大圖，并示出了在這一部分設(shè)置的法向焊盤組PDp例子。母基板101包括陣列基板部分101a和位于陣列基板部分的外側(cè)上的子焊盤組區(qū)域101b。應(yīng)當(dāng)注意的是在檢查后，對(duì)置基板被黏結(jié)到陣列基板，并然后切除子區(qū)域，例如，沿著切除線e2。
陣列基板部分101a的法向焊盤組PDp經(jīng)布線導(dǎo)線連接到圖5中示出的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線X。組成位于陣列區(qū)域中的法向焊盤組PDp的接線端可被分類成邏輯接線端、電源接線端、檢查接線端和信號(hào)輸入端。
邏輯接線端包括接線端CLK和接線端ST。輸入到接線端CLK和接線端ST的信號(hào)是時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)是要被輸入到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的那些信號(hào)。
檢查接線端是串行輸出接線端s/o。從串行輸出接線端s/o輸出的信號(hào)是從掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的移位寄存器(s/r)輸出的應(yīng)答起始脈沖的串行輸出信號(hào)。
有諸如接線端VDD和接線端VSS的多種類型的電源接線端。在該實(shí)施例中，電源接線端能夠被分類成兩種類型，也就是說(shuō)，接線端VDD和接線端VSS。輸入到接線端VDD和接線端VSS的信號(hào)是高電平電源和低電平電源。
信號(hào)輸入端是接線端VIDEO。要被輸入到接線端VIDEO的信號(hào)的例子是視頻信號(hào)。這里應(yīng)當(dāng)注意的是接線端VIDEO有幾百個(gè)到幾千個(gè)接線端，并且它占據(jù)了焊盤PDp的大部分。
另一方面，在子焊盤組區(qū)域101b的預(yù)定位置提供了公共連接焊盤組CPDp。公共連接焊盤組CPDp經(jīng)由布線導(dǎo)線被連接到陣列基板部分101a的法向焊盤組PDp。本發(fā)明的一個(gè)重要的特征是公共連接焊盤組CPDp和法向焊盤組PDp如何相互連接。
參照?qǐng)D1，現(xiàn)在將說(shuō)明法向焊盤組和公共連接焊盤組CPDp之間的連接關(guān)系的例子。該圖示出了排列在母基板100上的兩個(gè)陣列基板部分101a和101a，且這些陣列基板部分包括法向焊盤組PDp1和PDp2。公共連接焊盤組CPDp包括高電平公共接線端cVDD，低電平公共接線端cVSS，公共接線端cCLK，公共接線端cVIDEO，公共接線端cST和從屬接線端ds/o。
法向焊盤組PDp1和PDp2的各自接線端VDD和VSS被分別連接到公共接線端cVDD和cVSS。這是因?yàn)楣哺唠娖诫娫春偷碗娖诫娫茨軌虮还┙o法向焊盤組PDp1和PDp2的接線端VDD和VSS。法向焊盤組PDp1和PDp2的諸接線端CLK與公共接線端CLK連接。法向焊盤組PDp1和PDp2的諸起始脈沖接線端ST被連接到供給接線端cST。法向焊盤組PDp1和PDp2的諸VIDEO接線端被連接到公共接線端cVIDEO。法向焊盤組PDp1和PDp2的諸串行輸出接線端s/o被連接到從屬接線端ds/o。
如上所述，采用公共連接焊盤組PDp，連接焊盤組的接線端的數(shù)量與法向焊盤組PDp1和PDp2的接線端的數(shù)量相比大大減少。
此外，為了把諸法向焊盤組PDp1和PDp2連接到諸公共連接焊盤組CPDp，只要連接用來(lái)供給高電平電源、低電平電源、起始脈沖信號(hào)、視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)中的至少一個(gè)電氣信號(hào)的接線端就行了。換言之，在公共輸入信號(hào)能夠被供給多個(gè)陣列基板部分101a的多個(gè)接線端時(shí)，只要提供了把公共輸入信號(hào)供給公共連接焊盤組CPDp的接線端就行了。
具有上述結(jié)構(gòu)的多個(gè)陣列基板部分101a的像素部分，采用EB檢測(cè)儀用下面的方式檢查。就是說(shuō)，探針連接到公共連接焊盤組CPDp的接線端，并經(jīng)由探針在像素部分203的輔助電容上累積電荷。在每一輔助電容被這樣充電時(shí)，電子束被發(fā)射到每一像素部分203。然后，檢測(cè)從每一像素部分203發(fā)射的二次電子，并因此檢查每一像素部分203是否包含缺陷。
圖10示意性地示出了檢查包括上述的多個(gè)陣列基板部分101a的基板的過(guò)程。在開(kāi)始檢查時(shí)(步驟S1)，陣列基板部分101a的像素部分的諸輔助電容在同一時(shí)間經(jīng)真空室中的公共連接焊盤組CPDp充電，在該圖中未示出真空室(步驟S2)。然后，用EB檢測(cè)儀掃描每一像素部分并測(cè)量發(fā)射的二次電子，從而檢查每一像素部分(步驟S3)。在檢查中，判斷在每一像素部分處的電壓是否正常(步驟S4)。如果檢測(cè)到具有缺陷的陣列基板部分，它被傳送到維修步驟或被丟棄。如果判斷陣列基板部分是好的，它被傳送到下一步驟，在該步驟如上所述的子區(qū)域被切除(步驟S5)。從而，完成檢測(cè)(步驟S6)。
采用具有上述結(jié)構(gòu)的基板檢查方法和設(shè)備，在子焊盤組區(qū)域101b設(shè)有用作檢查焊盤組的連接焊盤組CPDp。當(dāng)公共輸入信號(hào)供給多個(gè)陣列基板部分101a的諸接線端時(shí)，公共輸入信號(hào)經(jīng)公共連接焊盤組CPDp供給諸接線端。采用設(shè)有如上所述結(jié)構(gòu)的公共連接焊盤組CPDp，能夠減少用于檢查的接線端的數(shù)量。如此，能夠減少在一個(gè)母基板100上的必需的檢查接線端的數(shù)量。此外，依照公共連接焊盤組CPDp的接線端的數(shù)量的減少，也能減少檢查設(shè)備的探針的數(shù)量。從而，在保持檢查的良好效能的同時(shí)，能夠降低檢查設(shè)備的成本。
為了檢查像素部分203，在同一時(shí)間公共信號(hào)被供給到兩個(gè)或更多的陣列基板部分101a。照這樣，能夠縮短檢查需要的總的時(shí)間。即使改變了陣列基板部分101a的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在子焊盤組區(qū)域101b中的公共連接焊盤組CPDp的排列結(jié)構(gòu)也應(yīng)當(dāng)保持在相同的樣式。因此，不必要改變檢查設(shè)備的設(shè)計(jì)的連接。這里，通過(guò)以各種方式安排檢查設(shè)備和陣列基板部分101a以及連接焊盤組CPDp之間的連接中的相互關(guān)系，能夠提高檢查設(shè)備的通用性。此外，照這樣，能降低改變或修正檢查設(shè)備的設(shè)計(jì)的可能性，并從而抑制液晶板的生產(chǎn)成本變高。
此外，通過(guò)使用EB檢測(cè)儀預(yù)先進(jìn)行對(duì)陣列基板部分101的檢查，能夠檢測(cè)在像素部分203中出現(xiàn)的缺陷。因此，有可能禁止具有缺陷的液晶顯示器產(chǎn)品被銷售。
本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，但是在本發(fā)明的范圍之內(nèi)能夠做出各種修改。例如，放置公共連接焊盤組CPDp的位置放在不限于本實(shí)施例上面提供的位置，但是可以是只要它在母基板100上的任何地方也是可能的。應(yīng)當(dāng)注意的是本發(fā)明的上述說(shuō)明對(duì)多個(gè)不同類型的陣列基板部分形成在母基板100上的情況是有效的。
此外，首先連接用于把公共信號(hào)輸入到陣列基板101a的焊盤，且然后把這些焊盤連接到多個(gè)陣列基板101a的公共接線端是很自然的。
此外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和驅(qū)動(dòng)多條信號(hào)線的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50作為驅(qū)動(dòng)電路單元可以建在如圖11所示的陣列基板部分101上的像素區(qū)域30的外部區(qū)域。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50使用如TFT SW場(chǎng)合的具有多晶硅半導(dǎo)體膜的TFT制成。
信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50經(jīng)焊盤組PDp連接到連接焊盤組CPDp。采用這種結(jié)構(gòu)，作為電氣信號(hào)的供給到連接焊盤組CPCp的焊盤的視頻信號(hào)從焊盤被分配，并供給到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的不同區(qū)域。連接焊盤組CPDp包括與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50相連接的邏輯接線端，檢查接線端，等等。當(dāng)視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)輸入到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50時(shí)，構(gòu)成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的移位寄存器被驅(qū)動(dòng)，從而從移位寄存器輸出輸出信號(hào)。通過(guò)分析輸出信號(hào)，判斷信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50是否正常。
如上所述方式，掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50能夠電氣地被檢查。當(dāng)電氣信號(hào)經(jīng)連接焊盤組CPCp被供給到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的時(shí)候，像素電極P能夠電氣地被充電。因此，有可能用上述的電子束檢查它。
作為要被檢查的陣列基板，只要基板包括驅(qū)動(dòng)單元，該驅(qū)動(dòng)單元形成在基板上且包括把驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到掃描線Y的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和把驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到信號(hào)線X的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50中的至少一個(gè)就行了。構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的多個(gè)TFT可以不是使用多晶硅的類型。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，提供了一種檢查基板的方法，該方法能夠減少修改和改正檢測(cè)設(shè)備的設(shè)計(jì)的可能性，從而抑制液晶顯示器產(chǎn)品價(jià)格的增加。
權(quán)利要求
1.一種檢查基板的方法，所述基板包括每一個(gè)包含包括多條掃描線和多條信號(hào)線的布線的第一陣列區(qū)域和第二陣列區(qū)域、每一個(gè)形成在各自的掃描線和各自的信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件以及分別連接到多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的多個(gè)像素電極，所述方法包括在基板上形成對(duì)形成在所述第一陣列區(qū)域中的一部分布線和形成在所述第二陣列區(qū)域中的一部分布線短路的公共接線端；從所述公共接線端把電氣信號(hào)供給所述第一陣列區(qū)域和所述第二陣列區(qū)域二者；以及將電子束照射到所述像素電極，并基于從所述像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查所述像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一陣列區(qū)域和所述第二陣列區(qū)域每一個(gè)還包括驅(qū)動(dòng)電路單元，所述驅(qū)動(dòng)電路單元建在基板上且包括配置成把驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到每一條掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路和配置成把驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到每一條信號(hào)線的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路單元和所述開(kāi)關(guān)元件每一個(gè)包括使用多晶硅的薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述電氣信號(hào)是電源信號(hào)、起始脈沖信號(hào)、視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)中的至少一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種檢查基板的方法，該方法能夠減少修改和改正檢查設(shè)備的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而抑制液晶顯示器的產(chǎn)品成本的增加。在本發(fā)明的方法中，對(duì)形成在第一陣列區(qū)域中的一部分布線和形成在第二陣列區(qū)域中的一部分布線短路的公共接線端(101b)形成在基板上。來(lái)自公共接線端(101b)的電氣信號(hào)被供給第一陣列區(qū)域和第二陣列區(qū)域二者。將電子束照射到像素電極，并基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。
文檔編號(hào)G09F9/00GK1802591SQ20048001559
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2004年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月6日
發(fā)明者宮武正樹(shù), 山本光浩 申請(qǐng)人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司