專(zhuān)利名稱(chēng)：電磁波屏蔽層疊體及利用該電磁波屏蔽層疊體的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
該發(fā)明涉及在基材上層疊多層的電磁波屏蔽層疊體及具有該電磁波屏蔽層疊體的顯示裝置。
背景技術(shù)：
從等離子體顯示板(PDP)的發(fā)光面發(fā)射電磁波。有時(shí)該電磁波對(duì)附近的電子設(shè)備有影響，引起誤動(dòng)作。因此，以往已經(jīng)知道為了屏蔽電磁波而將在玻璃等基材上覆蓋透明導(dǎo)電膜的構(gòu)件設(shè)置在發(fā)光面的前面。
例如，提出了從基材側(cè)覆蓋交替層疊以含有一種或一種以上以上的金屬的氧化鋅(ZnO)為主要成份的氧化物層和以銀(Ag)為主要成份的金屬層、共計(jì)(2n+1，其中n是正整數(shù))層的多層導(dǎo)電膜的PDP用保護(hù)板，還提出了鈦氧化物和金屬層交替層疊的層疊體等(參考專(zhuān)利文獻(xiàn)1和2)。
這樣的電磁波屏蔽膜一般要求具有高的可見(jiàn)光透射率和低的電阻值。在交替層疊氧化物層和金屬層的電磁波屏蔽膜中，為了降低電阻值，一般知道增加金屬層的層疊數(shù)，或者使金屬層加厚。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1國(guó)際公開(kāi)第98/13850小冊(cè)子專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2000-246831號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1有關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)中，為了改善銀的耐濕性，在銀層中添加鈀。因此出現(xiàn)的問(wèn)題是電阻值變大。另外，若為了降低電阻值而將金屬層的層疊數(shù)增加，則出現(xiàn)的問(wèn)題是可見(jiàn)光透射率降低。
另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2有關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)中，作為氧化物層使用了折射率高的材料的氧化鈦。若使用像氧化鈦那樣的高折射率的材料，則具有的優(yōu)點(diǎn)是即使增加層疊數(shù)，也不會(huì)降低透射率。然而，氧化鈦和銀交替層疊的層疊體的問(wèn)題是耐濕性差。通過(guò)在銀中添加鈀，可以提高耐濕性，但是由于添加了鈀而出現(xiàn)的問(wèn)題是電阻值變大。
本發(fā)明是考慮了上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，提供具有高可見(jiàn)光透射率，同時(shí)具有低電阻值和高耐濕性的低成本的電磁波屏蔽層疊體及利用了該電磁波屏蔽層疊體的顯示裝置。
本發(fā)明提供一種在透明的基材上設(shè)置電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層疊體，所述電磁波屏蔽膜從所述基材側(cè)依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層，以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層，以銀為主要成份的導(dǎo)電層，以及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層。
本發(fā)明提供一種在透明的基材上層疊2層或2層以上的電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層疊體，所述電磁波屏蔽膜從所述基材側(cè)依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層，以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層，以銀為主要成份的導(dǎo)電層以及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層，其中所述電磁波屏蔽膜之間直接接觸的所述第1高折射率層和所述第2高折射率層由一層整體成膜的層組成。
另外，本發(fā)明提供一種顯示裝置，具有顯示圖像用的顯示面板，和在該顯示面板的觀看側(cè)設(shè)置的本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體。
本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體和顯示裝置是具有高可見(jiàn)光透射率、低電阻值、高耐濕性的低成本的電磁波屏蔽層疊體和利用該電磁波屏蔽層疊體的顯示裝置。


圖1是本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體的一個(gè)實(shí)施形式的概略截面圖。
具體實(shí)施例方式
電磁波屏蔽層疊體下面，在附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施形式相關(guān)的電磁波屏蔽層疊體，并加以詳細(xì)說(shuō)明。
第1實(shí)施形式圖1示出與本發(fā)明的第1實(shí)施形式相關(guān)的電磁波屏蔽層疊體1。其中，為了說(shuō)明的方便，圖1的各尺寸比與實(shí)際不同。該電磁波屏蔽層疊體1在透明的基材2上設(shè)置電磁波屏蔽膜100、·、·、·。
本實(shí)施形式中，電磁波屏蔽膜100是層疊了4層的結(jié)構(gòu)。
基材作為基材2的材質(zhì)只要平滑透明，可以透過(guò)可見(jiàn)光線即可。例如，可以是塑料、玻璃等。
作為塑料，例如可以是聚對(duì)本二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙酰纖維素、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯等。
基材2的厚度可以根據(jù)用途適當(dāng)選定。例如，可以是薄膜，也可以是板狀。另外，基材2可以由單一的層構(gòu)成，也可以是多層的層疊體。
基材2也可以利用粘結(jié)劑等與其它玻璃板、塑料板等粘貼。例如，可以將薄膜狀的塑料基材2與其它的塑料板、玻璃板等粘貼，也可以將玻璃板基材2與其它的玻璃板、塑料板等粘貼。
電磁波屏蔽膜設(shè)置在基材2上的電磁波屏蔽膜100、·、·、·基本上分別由第1高折射率層31、設(shè)置在第1高折射率層31上的第1氧化物層32、設(shè)置在第1氧化物層32上的導(dǎo)電層33、以及設(shè)置在導(dǎo)電層33上的第2高折射率層35構(gòu)成。該實(shí)施形式中，再進(jìn)一步在導(dǎo)電層33和第2高折射率層35之間設(shè)置第2氧化物層34，分別由第1高折射率層31、第1氧化物層32、導(dǎo)電層33、第2氧化物層34、第2高折射率層35構(gòu)成電磁波屏蔽膜100、·、·、·。
高折射率層第1高折射率層31、·、·、·和第2高折射率層35、·、·、·由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)構(gòu)成。該折射率最好為大于等于2.0、小于等于2.7。通過(guò)將第1高折射率層31、·、·、·或者第2高折射率35、·、·、·的折射率設(shè)為大于等于2.0，即使增加電磁波屏蔽膜100、·、·、·的層疊數(shù)，也可以維持高的可見(jiàn)光透射率。
另外，本說(shuō)明書(shū)中的折射率(n)是指對(duì)波長(zhǎng)550nm的折射率。
作為第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35、·、·、·的材料，可以舉出例如氧化鈮(n2.35)、氧化鈦(n2.45)、氧化鉭(n2.1-2.2)等，其中較好為氧化鈮、氧化鈦，更好為氧化鈮。
將第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35、·、·、·設(shè)為以氧化鈮為主要成份的層，從而可以減小水的滲透量，提高電磁波屏蔽膜100、·、·、·的耐濕性。尤其是最好將第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35、·、·、·設(shè)為以氧化鈮為主要成份的層，可增大上述效果。
另外，第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35、·、·、·可以是晶態(tài)，也可以是非晶態(tài)。其中，最好為非晶態(tài)。通過(guò)使第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35、·、·、·為非晶態(tài)，可以減小水通過(guò)晶界的滲透量、進(jìn)一步提高電磁波屏蔽膜100、·、·、·的耐濕性。
第1高折射率層31、·、·、·的幾何學(xué)的膜厚較好為20-50nm，更好為30-40nm。第2高折射率層35的幾何學(xué)的膜厚較好為20-50nm，更好為30-40nm。
另外，本實(shí)施形式中，由于形成在透明的基材2上層疊4層電磁波屏蔽膜100的結(jié)構(gòu)，因此在第1層的電磁波屏蔽膜100的第2高折射率層35上直接層疊第2層的電磁波屏蔽膜100的第1高折射率層31。此時(shí)，第2高折射率層35和第1高折射率31具有互相相同的組成。圖1中，分別將第2高折射率層35和第1高折射率層31合并，示為整體成膜的高折射率層200、·、·、·。另外，根據(jù)需要，也可以將第1高折射率層31和第2高折射率層35通過(guò)2次或2次以上的操作成膜。
從降低可見(jiàn)光反射率、另外擴(kuò)大獲得低反射率的波長(zhǎng)頻帶的觀點(diǎn)，最好第1層的第1高折射率層31和最后一層的第2高折射率層35的各膜厚比高折射率層200、·、·、·要薄(約1/2左右的厚度)。另外，為了調(diào)整含有基材的全體光學(xué)特性，可以適當(dāng)調(diào)整各層的膜厚。
作為第1高折射率層31、·、·、·或第2高折射率層35的形成方法，可以舉出例如利用金屬氧化物的還原性的靶的濺射法、離子鍍法、蒸鍍法、CVD法等。其中，利用金屬氧化鈮的還原性的靶通過(guò)濺射法來(lái)形成的方法，在將氧化鈮層形成在導(dǎo)電層33、·、·、·上時(shí)，能防止導(dǎo)電層33、·、·、·的氧化，能高速且大面積均勻地形成，在這方面上是有利的。
另外，這里使用的氧化鈮的還原性靶是對(duì)氧化鈮在化學(xué)計(jì)算的成份上缺乏氧元素的靶。具體來(lái)講最好是具有可以用Nb2Ox(0＜X＜5)式表示的成份，具有導(dǎo)電性，且可以利用直流濺射法放電、成膜。另外，也可以采用將金屬鈮作為靶，在氧氣氣氛下進(jìn)行濺射的方法。
采用還原性靶的情況下，作為濺射氣體最好采用含有5-20體積百分比的氧化性氣體的惰性氣體。作為氧化性氣體，一般可以采用氧氣，但也可以采用一氧化氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、臭氧等。
氧化物層第1氧化物層第1氧化物層32、·、·、·由以氧化鋅作為主要成份的物質(zhì)構(gòu)成。將氧化鋅作為主要成份的物質(zhì)，其晶體結(jié)構(gòu)與構(gòu)成導(dǎo)電層33、·、·、·的銀的晶體結(jié)構(gòu)相近。因此，若在由以氧化鋅為主要成份的材料形成的氧化物層上層疊銀，則可得到結(jié)晶性好的銀。一般認(rèn)為結(jié)晶性好的銀可以降低移動(dòng)的發(fā)生。綜上所述，通過(guò)將第1氧化物層32、·、·、·采用以氧化鋅為主要成份的材料，能夠抑制銀的移動(dòng)，維持第1氧化物層32、·、·、·和導(dǎo)電層33、·、·、·之間的附著性。通過(guò)維持附著性，可以抑制水分的進(jìn)入界面，提高銀的耐濕性。在本發(fā)明的電磁波屏蔽膜100、·、·、·含有(由以氧化鋅為主要成份的材料形成的)第2氧化物層時(shí)，即使在由結(jié)晶性好的銀形成的導(dǎo)電層33、·、·、·和(由以氧化鋅為主要成份的材料形成的)第2氧化物層34、·、·、·之間的界面，也同樣可以維持附著性，使耐濕性更好。
這里，銀的移動(dòng)的含義是銀擴(kuò)散凝聚。若銀凝聚，則耐濕性變得不好，同時(shí)凝聚的部分發(fā)白，外觀變差。
以氧化鋅為主要成份的物質(zhì)的含義是氧化鋅包含大于等于80原子百分比，最好是包含大于等于90原子百分比。具體來(lái)講，可以例舉有事實(shí)上僅僅由氧化鋅(ZnO)形成，也可以是以氧化鋅為主要成份、并含有氧化鋁(Al2O3)的氧化物(下面用AZO表示)，或以氧化鋅為主要成份、并含有氧化鈣(Ca2O3)的氧化物(下面用GZO表示)等。其中，AZO即GZO在氧化物層耐抗性方面較好，而AZO由于與銀的晶體結(jié)構(gòu)接近，所以最好。
包含在成膜的AZO中的鋁對(duì)氧化鋁和氧化鋅的總量是1-10原子百分比較好，更好為2-6原子百分比。一般來(lái)講，由氧化鋅單體構(gòu)成的膜的內(nèi)部應(yīng)力大。若內(nèi)部應(yīng)力大，則第1氧化物層32、·、·、·容易產(chǎn)生裂紋，水分容易通過(guò)該部分進(jìn)入。
通過(guò)使氧化鋁的含量為大于等于1原子百分比，可以降低第1氧化物層32、·、·、·的內(nèi)部應(yīng)力，可以減少產(chǎn)生裂紋的可能性。通過(guò)使氧化鋁的含量為大于等于10原子百分比，可以保持氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)。
第1氧化物層32、·、·、·的幾何厚度較好為大于等于2nm小于等于10nm，更好為大于等于3nm小于等于6nm。通過(guò)使第1氧化物層32、·、·、·的幾何厚度為小于等于10nm，由于不損傷鄰接的第1高折射率層31、·、·、·的效果，故較好。
導(dǎo)電層33、·、·、·中，襯底對(duì)獲得結(jié)晶性良好的銀影響很大，故第1氧化物層32、·、·、·的幾何學(xué)厚度最好厚一些。本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體在具有第2氧化物層時(shí)，第1氧化物層32、·、·、·的幾何學(xué)厚度最好比第2氧化物層34、·、·、·的幾何學(xué)厚度要厚。
第1氧化物層32、·、·、·的形成方法，可以例舉有真空蒸鍍法，反應(yīng)性蒸鍍法、離子束蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法等物理氣相析出法、以及等離子CVD等化學(xué)氣相析出法等。其中，DC濺射法的優(yōu)點(diǎn)有比較容易控制膜厚、在低溫基材上形成也能得到實(shí)用的膜強(qiáng)度、容易形成大面積、利用所謂的聯(lián)機(jī)型設(shè)備則容易形成層疊膜等。
第2氧化物層第2氧化物層34、·、·、·由以金屬氧化物作為主要成份的物質(zhì)構(gòu)成。作為金屬氧化物，比較好的例舉有以氧化鋅為主要成份的物質(zhì)、以氧化鈦為主要成份的物質(zhì)、以及以氧化銦為主要成份的物質(zhì)等。在第2氧化層34、·、·、·采用以氧化鋅為主要成份的物質(zhì)時(shí)，與第1氧化物層和由銀形成的導(dǎo)電層33、·、·、·的界面的情況相同，在由結(jié)晶性好的銀形成的導(dǎo)電層33、·、·、·與由氧化鋅為主要成份的材料形成的第2氧化物層、·、·、·的界面，能夠維持附著性，耐濕性更好，因此是比較好的。
作為第2氧化物層34、·、·、·，可以例舉最好是以氧化鈦、AZO、GZO、氧化銦為主要成份、并含有氧化錫(SnO2)的氧化物。其中，含有AZO、GZO的氧化物層在耐久性方面較好，AZO與銀的晶體結(jié)構(gòu)更相近，故最好。
包含在成膜的AZO中的鋁對(duì)氧化鋁和氧化鋅的總量是1-10原子百分比較好，更好為2-6原子百分比。一般來(lái)講，由氧化鋅單體構(gòu)成的膜的內(nèi)部應(yīng)力大。若內(nèi)部應(yīng)力大，則第2氧化物層34、·、·、·上容易產(chǎn)生裂紋，水分容易通過(guò)該部分進(jìn)入。
通過(guò)使氧化鋁的含量為大于等于1原子百分比，可以降低第2氧化物層34、·、·、·的內(nèi)部應(yīng)力，可以減少產(chǎn)生裂紋的可能性。通過(guò)使氧化鋁的含量為小于等于10原子百分比，可以保持氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)。
第2氧化物層34、·、·、·的幾何厚度較好為大于等于1nm小于等于6nm，更好為大于等于2nm小于等于4nm。
第2氧化物層34、·、·、·的形成方法，可以例舉有真空蒸鍍法、反應(yīng)性蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理氣相析出法、以及等離子CVD等化學(xué)氣相析出法等。其中，DC濺射法的優(yōu)點(diǎn)有比較容易控制膜厚、在低溫基材上形成也能得到實(shí)用的膜強(qiáng)度、容易形成大面積、以及利用所謂的聯(lián)機(jī)型設(shè)備則容易形成層疊膜等方面。
導(dǎo)電層導(dǎo)電層33、·、·、·由以銀為主要成份的物質(zhì)構(gòu)成。這里，以銀為主要成份的物質(zhì)的含義是相對(duì)于該物質(zhì)中包含的全部金屬，銀的含量大于等于99.8原子百分比。以銀為主要成份的物質(zhì)可以例舉有銀單體、以及在銀中至少摻雜鈀、鉑、金、銥、銠、銅及鉍中的一種金屬的合金。通過(guò)銀的含有量為大于等于99.8原子百分比，即使減薄導(dǎo)電層33、·、·、·的膜厚，也可以降低電磁波屏蔽層疊體1的電阻值。進(jìn)而，由于即使減少電磁波屏蔽膜100、·、·、·的層疊數(shù)，也能降低電阻值，因此可以得到電阻值低、同時(shí)可見(jiàn)光透射率高的電磁波屏蔽層疊體1。
導(dǎo)電層33、·、·、·的銀的含有量較好為大于等于99.8原子百分比，進(jìn)而大于等于99.9原子百分比的銀單體在成本方面最好。
導(dǎo)電層33、·、·、·的幾何學(xué)膜厚最好為5-20nm。各導(dǎo)電層33的幾何學(xué)膜厚相同或不相同都可以。
導(dǎo)電層33、·、·、·的形成可以用濺射法、蒸鍍法等各種方法進(jìn)行。尤其，從成膜速度快、同時(shí)可以形成大面積均勻厚度的均勻質(zhì)量的層的觀點(diǎn)來(lái)講，最好由直流濺射法形成。
為了具有充分的電磁波屏蔽性能，在基材2上層疊的電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)最好在2層或2層以上。通過(guò)具有2層或2層以上，可以得到充分的電磁波屏蔽性能。作好層疊3層即3層以上。另外，由于可以維持高可見(jiàn)光透過(guò)性，因此電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)最好為小于等于8層。從上述的觀點(diǎn)可以知道層疊數(shù)為大于等于3小于等于6是最好的。
顯示裝置下面，詳細(xì)說(shuō)明與本發(fā)明的實(shí)施形式相關(guān)的顯示裝置。
第2實(shí)施形式與本發(fā)明的第2實(shí)施形式相關(guān)的顯示裝置具有顯示圖像用的顯示面板和在顯示面板的觀看側(cè)設(shè)置的電磁波屏蔽層疊體。
作為顯示裝置，可以例舉有等離子體顯示板(PDP)、液晶顯示裝置(LCD)、場(chǎng)致發(fā)光顯示器(ELD)、陰極射線管顯示裝置(CRT)等。
顯示圖像用的顯示面板的觀看側(cè)一般由玻璃基板、塑料基板等透明基板構(gòu)成。作為電磁波屏蔽層疊體，只要是本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體，則沒(méi)有特別的限制，例如可以利用第1實(shí)施形式的電磁波屏蔽層疊體。
電磁波屏蔽層疊體可以與顯示面板的觀看側(cè)表面用粘結(jié)劑直接粘貼，也可以與顯示面板之間隔著間隙設(shè)置。
另外，也可以在顯示面板的觀看側(cè)，另外設(shè)置由玻璃、塑料等構(gòu)成的前面板，在前面板的觀看側(cè)或者顯示側(cè)直接粘貼電磁波屏蔽層疊體。另外，也可以在前面板的觀看側(cè)或者顯示側(cè)與前面板之間隔著間隙設(shè)置電磁波屏蔽層疊體。
第3實(shí)施形式與本發(fā)明的第3實(shí)施形式相關(guān)的顯示裝置由顯示圖像用的顯示面板和在顯示面板的觀看側(cè)表面上設(shè)置的電磁波屏蔽層疊體構(gòu)成。
作為這樣的顯示裝置，可以例舉有(1)電磁波屏蔽膜從顯示面板的觀看側(cè)表面上依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層、以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層、以銀為主要成份的導(dǎo)電層及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層的顯示裝置，(2)該電磁波屏蔽膜在導(dǎo)電層和第2高折射率層之間具有第2氧化物層的顯示裝置，(3)該電磁波屏蔽膜的第1或第2高折射率層是以氧化鈮為主要成份的層的顯示裝置，(4)該電磁波屏蔽膜的導(dǎo)電層的銀的含有量為大于等于99.8原子百分比的顯示裝置，(5)該電磁波屏蔽膜自基材側(cè)層疊大于等于3層的顯示裝置等。
此時(shí)，顯示面板的觀看側(cè)一般由玻璃基板、塑料基板等透明基板構(gòu)成。
另外，作為電磁波屏蔽膜，可以利用例如第1實(shí)施形式的電磁波屏蔽膜100、·、·、·。此時(shí)，在顯示面板的觀看側(cè)的表面上按第1高折射率層31、第1氧化物層32、導(dǎo)電層33、第2氧化物層34、第2高折射率層35的順序?qū)盈B。
電磁波屏蔽膜可以利用蒸鍍法、濺射法等直接在顯示面板的觀看側(cè)表面上形成。
實(shí)施例下面，利用實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
實(shí)施例1作為透明基材，使用了是高透射率的光學(xué)用途薄膜的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜(下面用PET表示，厚度100μm)。
濺射成膜中使用了Web coater成膜裝置(平野光音(株)社)。靶的尺寸是50mm×195mm，利用輥對(duì)輥方式輸送基材，即送出長(zhǎng)條卷成的薄膜基材，通過(guò)導(dǎo)向輥在簡(jiǎn)形輥位置上進(jìn)行濺射，通過(guò)導(dǎo)向輥再次卷繞。濺射電源用DC放電(AE社MDX-10K、ENI社RPG-100)進(jìn)行成膜。在薄膜基材上自基材側(cè)開(kāi)始，按高折射率層(1)/氧化物層(1)/導(dǎo)電層/氧化物層(2)/高折射率層(2)/氧化物層(1)/導(dǎo)電層/氧化物層(2)/高折射率層(2)/氧化物層(1)/導(dǎo)電層/氧化物層(2)/高折射率層(2)/氧化物層(1)/導(dǎo)電層/氧化物層(2)/高折射率層(1)的順序，將電磁波屏蔽膜成膜為4層。詳細(xì)的成膜條件在表1中示出。
表1

高折射率層(1)及高折射率層(2)是將氧化鈮(旭硝子陶瓷社制NS-NBO)作為靶并以DC放電成膜的。氧化物層(1)及氧化物層(2)是將在氧化鋅上添加3質(zhì)量百分比的氧化鋁的材料(旭硝子陶瓷社制)作為靶并以DC放電成膜的。另外，導(dǎo)電層是將純度99.9原子百分比的銀用作靶并以DC放電成膜的。
另外，獲得的電磁波屏蔽層疊體的氧化物層中的鋅和鋁的含有率與靶中所含的鋅和鋁的含有率幾乎相同。
通過(guò)調(diào)整基材的傳送速度來(lái)調(diào)整成膜速度，對(duì)于成膜速度慢的材料，重復(fù)多次來(lái)回成膜，獲得所希望的膜厚。利用觸針式膜厚計(jì)(Dektak3stULVAC社代理店)測(cè)定了膜厚。獲得的膜厚的結(jié)果在表1中示出。
評(píng)價(jià)(1)可見(jiàn)光透射率利用朝日分光社制Model304型透射率計(jì)測(cè)量獲得的電磁波屏蔽層疊體的可見(jiàn)光透射率?？梢?jiàn)光透射率的測(cè)量結(jié)果在表2中示出。
(2)電阻值利用DELCOM社制717conductance monitor車(chē)輛獲得的電磁波屏蔽層疊體的電阻值。電阻值的測(cè)量結(jié)果在表2中示出。
(3)耐濕性在耐濕性的評(píng)價(jià)中使用了NaCl試驗(yàn)。首先，將2質(zhì)量百分比的1微升NaCl水溶液滴入電磁波屏蔽層疊體的電磁波屏蔽膜上以后，進(jìn)行干燥。然后，將帶有粘接材料(ポラテクノ社制ADC2或者有澤制作所制PTR2500，厚25微米)的PET薄膜(厚度100微米)粘貼到電磁波屏蔽膜上，并在溫度為60℃、相對(duì)濕度為95％的恒溫恒濕槽中保存100小時(shí)后，取出并剝掉PET薄膜。用游標(biāo)卡尺測(cè)量了老化剝離的部分的面積。老化面積的測(cè)量結(jié)果在表2中示出。
比較例1在高折射率層(1)上不形成氧化物層(1)，而是以與實(shí)施例1相同的成膜條件在高折射率層(1)上直接形成導(dǎo)電層。制作電磁波屏蔽層疊體的其它條件與實(shí)施例1相同。
利用與實(shí)施例1相同的方法對(duì)獲得的電磁波屏蔽層疊體的可見(jiàn)光透射率、電阻值、耐濕性進(jìn)行評(píng)價(jià)?？梢?jiàn)光透射率、電阻值、耐濕性的測(cè)量結(jié)果在表2中示出。
比較例2不形成氧化物層(1)和氧化物層(2)，而是以與實(shí)施例1相同的成膜條件在高折射率層(1)和高折射率層(2)之間直接形成導(dǎo)電層。制作電磁波屏蔽層疊體的其它條件與實(shí)施例1相同。
利用與實(shí)施例1相同的方法對(duì)獲得的電磁波屏蔽層疊體的可見(jiàn)光透射率、電阻值、耐濕性進(jìn)行評(píng)價(jià)。可見(jiàn)光透射率、電阻值、耐濕性的測(cè)量結(jié)果在表2中示出。
表2


比較實(shí)施例1和比較例1的結(jié)果可以確認(rèn)，實(shí)施例1的可見(jiàn)光透射率、電阻值與比較例1幾乎相同，實(shí)施例1是良好的電磁波屏蔽層疊體。另外，關(guān)于利用NaCl試驗(yàn)的老化面積，實(shí)施例1的老化面積是比較例1的老化面積的1/6，可以確認(rèn)實(shí)施例1在耐濕性方面更好。另外，從該結(jié)果可以確認(rèn)，通過(guò)在高折射率(1)和導(dǎo)電層之間形成氧化物層(1)，可以提高電磁波屏蔽膜的耐濕性。
接著，比較實(shí)施例1和比較例2的結(jié)果可以確認(rèn)，實(shí)施例1的可見(jiàn)光透射率、電阻值與比較例2幾乎相同，然而，在利用NaCl試驗(yàn)的老化面積方面，實(shí)施例1的老化面積是比較例2的老化面積的1/38，實(shí)施例1在耐濕性方面更好。另外，從該結(jié)果可以確認(rèn)，高折射率層(1)和氧化物層(2)的存在大大有助于提高電磁波屏蔽膜的耐濕性。
從以上的結(jié)果可以確認(rèn)，實(shí)施例1獲得的電磁波屏蔽層疊體是可見(jiàn)光透射率高、電阻值低、而且耐濕性也好的電磁波屏蔽層疊體。
實(shí)施例2除了將成膜條件設(shè)定為表3中示出的條件以外，制作電磁波屏蔽層疊體的條件與實(shí)施例1相同。
利用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)了獲得的電磁波屏蔽層疊體的耐濕性。耐濕性的評(píng)價(jià)結(jié)果在表6中示出。
表3

實(shí)施例3除了將成膜條件設(shè)定為表4中示出的條件以外，制作電磁波屏蔽層疊體的條件與實(shí)施例1相同。
利用還原型氧化鈦(TXO)靶(旭硝子陶瓷社制)，以DC放電成膜高折射率層(1)和(2)。
利用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)了獲得的電磁波屏蔽層疊體的耐濕性。耐濕性的評(píng)價(jià)結(jié)果在表6中示出。
表4

比較例3將成膜條件設(shè)定為表5中示出的條件，并且將高折射率層(1)和(2)替換為AZO層(折射率1.93)(1)和(2)，除此以外，制作電磁波屏蔽層疊體的條件與實(shí)施例1相同。
利用在氧化鋅中添加3質(zhì)量百分比的氧化鋁(旭硝子陶瓷社制)的靶，以DC放電成膜AZO層(1)和(2)。
另外，獲得的電磁波屏蔽層疊體的氧化物層中的鋅和鋁的含有率與靶中所含的鋅和鋁的含有率幾乎相同。
利用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)了獲得的電磁波屏蔽層疊體的耐濕性。耐濕性的評(píng)價(jià)結(jié)果在表6中示出。
表5


表6

在利用氧化鈮作為高折射率層的材料的實(shí)施例2與利用氧化鈦?zhàn)鳛楦哒凵渎蕦拥牟牧系膶?shí)施例3中，只有滴下NaCl的周邊老化，老化面積小。比較氧化鈮和氧化鈦，老化面積是用氧化鈮的一方小，耐久性也更好。將高折射率層替換為AZO層的比較例3中，不僅是滴下NaCl的周?chē)匣?，而且從滴下部分到成膜面的很寬的區(qū)域中產(chǎn)生裂縫，老化面積增大。
工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明的電磁波屏蔽層疊體可以用作為顯示裝置等的濾光片。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明1電磁波屏蔽層疊體2基材31第1高折射率層32第1氧化物層33導(dǎo)電層34第2氧化物層35第2高折射率層100電磁波屏蔽膜200整體成膜的高折射率層
權(quán)利要求
1.一種在透明的基材上設(shè)置電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述電磁波屏蔽膜從所述基材側(cè)依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層；以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層；以銀為主要成份的導(dǎo)電層；以及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述電磁波屏蔽膜在所述導(dǎo)電層和所述第2高折射率層之間具有第2氧化物層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述第1或第2高折射率層是以氧化鈮為主要成份的層。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述導(dǎo)電層的銀的含有量為大于等于99.8原子百分比。
5.如權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述第2氧化物層是以氧化鋅為主要成份的氧化物層。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述電磁波屏蔽膜從所述基材側(cè)層疊3層或3層以上。
7.一種在透明的基材上電磁波屏蔽膜層疊2層或2層以上的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述電磁波屏蔽膜從所述基材側(cè)依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層；以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層；以銀為主要成份的導(dǎo)電層；以及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層，其中所述電磁波屏蔽膜之間直接接觸的所述第1高折射率層和所述第2高折射率層由一層整體成膜的層形成。
8.如權(quán)利要求7所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述各電磁波屏蔽膜在所述導(dǎo)電層和所述第2高折射率層之間具有第2氧化物層。
9.如權(quán)利要求7或8所述的電磁波屏蔽層疊體，其特征在于，所述第1或第2高折射率層是以氧化鈮為主要成份的層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，具有顯示圖像用的顯示面板，和在該顯示面板的觀看側(cè)設(shè)置的如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的電磁波屏蔽層疊體。
全文摘要
一種在透明的基材(2)上設(shè)置電磁波屏蔽膜(100)的電磁波屏蔽層疊體(1)，所述電磁波屏蔽膜(2)從所述基材(2)側(cè)依次具有由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第1高折射率層(31)，以氧化鋅為主要成份的第1氧化物層(32)，以銀為主要成份的導(dǎo)電層(33)以及由折射率為大于等于2.0的物質(zhì)形成的第2高折射率層。
文檔編號(hào)G09F9/00GK1839669SQ200480024208
公開(kāi)日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2004年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月25日
發(fā)明者柳澤亨, 森本保 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社