專利名稱：電光裝置、電子設(shè)備和電光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如液晶裝置等的電光裝置以及例如液晶投影機(jī)等的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
這種電光裝置，在基板上具備像素電極、用來進(jìn)行該像素電極的選擇性的驅(qū)動(dòng)的掃描線、數(shù)據(jù)線、以及作為像素開關(guān)用元件的TFT(薄膜晶體管)，并構(gòu)成為可進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)。此外，有時(shí)為了高對比度化(提高對比度)等的目的在TFT與像素電極之間設(shè)置存儲電容。以上的構(gòu)成要素被以高密度制作到基板上，從而可以實(shí)現(xiàn)像素開口率的提高或裝置的小型化(例如，參看專利文獻(xiàn)1)。
這樣，對于電光裝置要求進(jìn)一步的顯示的高質(zhì)量化或小型化和高精細(xì)化，除上述的以外還采取了各種各樣的措施。例如，當(dāng)向TFT的半導(dǎo)體層上照射光時(shí)，由于會發(fā)生光漏泄電流而使顯示質(zhì)量降低，所以在該半導(dǎo)體層的周圍設(shè)置遮光層。此外，雖然優(yōu)選存儲電容的容量盡可能地大，但反之又希望采用不犧牲像素開口率的設(shè)計(jì)。而且，為了使裝置小型化，優(yōu)選地這些電路要素以高密度制作到基板上。
專利文獻(xiàn)1特開2002-156652號公報(bào)但是，在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，以層間絕緣膜介于中間而被多層化的上述的布線或TFT、像素電極等要通過接觸孔來實(shí)現(xiàn)相互間的連接。這樣的電連接，雖然根據(jù)位置或者是通過垂直地截?cái)嗳舾蓪拥膶娱g絕緣膜的路徑進(jìn)行，或者是通過縱切若干層的層間絕緣膜的路徑進(jìn)行，但是，由于難以形成這樣的深度的接觸孔，所以要采用在適當(dāng)?shù)膶娱g絕緣膜上設(shè)置中繼層而分級地設(shè)置接觸孔的方法。為此，產(chǎn)生了以下的技術(shù)上的問題。
首先，以截?cái)鄬娱g絕緣膜的方式連接的接觸孔，從平面看形成在彼此錯(cuò)開的不同的位置上。為此，就難以縮小從平面看的被連接的接觸孔整體的形成區(qū)域的尺寸，因而難以應(yīng)對今后的窄間隙化。此外，在這種情況下，由于接觸孔彼此之間無論是從平面看還是從垂直剖面看相互的位置都錯(cuò)開，所以在該接觸孔彼此之間穿過(漏過)的光就會入射到TFT上而往往會成為產(chǎn)生光漏泄電流的原因。此外，由于通過以中繼層介于中間而分級地設(shè)置接觸孔使得基板上的疊層結(jié)構(gòu)復(fù)雜化，因而工序數(shù)量也要增加，因此存在使制造效率或成品率降低的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于例如上述的問題而提出的，其目的在于提供在以簡單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)小型化和高精度化的同時(shí)可進(jìn)行高質(zhì)量的顯示的電光裝置、具備這樣的電光裝置而構(gòu)成的電子設(shè)備、以及可以容易地制造這樣的電光裝置的電光裝置的制造方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成的、具有以電介質(zhì)膜介于中間而相對配置的固定電位側(cè)電極和像素電位側(cè)電極的存儲電容；配置在上述存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜；在像素間的非開口區(qū)域內(nèi)把上述多個(gè)層間絕緣膜一氣地(一并地)貫通的接觸孔；在上述層間絕緣膜上形成的、并且由通過上述接觸孔與上述存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的屏蔽層；在比上述屏蔽層更上層一側(cè)的層間絕緣膜上形成的、通過上述存儲電容的像素電位側(cè)電極與上述薄膜晶體管電連接的像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，其具備掃描線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、存儲電容、屏蔽層和像素電極。這些各個(gè)構(gòu)成要素在基板上以層間絕緣膜介于中間而疊層。此外，薄膜晶體管通過構(gòu)成為從數(shù)據(jù)線對掃描線所選擇的像素位置的像素電極施加數(shù)據(jù)信號而可進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)。此外，通過使存儲電容介于薄膜晶體管與像素電極之間，可以提高像素電極的電位保持特性，從而可以實(shí)現(xiàn)顯示的高對比度化。此外，具有遮光功能的規(guī)定各個(gè)像素的非開口區(qū)域或者對薄膜晶體管的半導(dǎo)體層進(jìn)行遮光的屏蔽層，通過與存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接從而還具有作為電容線的功能。
該屏蔽層，在配置在存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜之上在非開口區(qū)域內(nèi)平面地形成。即，在屏蔽層與存儲電容的固定電位側(cè)電極之間疊層有這些多個(gè)層間絕緣膜。另外，屏蔽層與固定電位側(cè)電極通過一氣地貫通這些多個(gè)層間絕緣膜的接觸孔進(jìn)行電連接。
在這里所說的“接觸孔”指的是為了使在層間絕緣膜的上下形成的導(dǎo)電層彼此導(dǎo)通而在厚度方向上貫通層間絕緣膜的孔，例如，包括使上側(cè)的導(dǎo)電層其內(nèi)部落下而結(jié)果與下側(cè)的導(dǎo)電層接觸的情況(即，所謂的接觸孔的情況)或把導(dǎo)電材料埋入到內(nèi)部，使其一端與上側(cè)的導(dǎo)電層接觸，使另一端與下側(cè)的導(dǎo)電層接觸的情況(即，形成為插塞的情況)。
一般來說，屏蔽層與固定電位側(cè)電極的電連接，作為與本發(fā)明不同的結(jié)構(gòu)，例如可以采用在層間絕緣膜的層間設(shè)置中繼層，通過中繼層把在中繼層的上下的層間絕緣膜上形成的接觸孔彼此連接起來的方法實(shí)現(xiàn)。但是，如果這樣的話，由于在屏蔽層與固定電位側(cè)電極之間必須形成多個(gè)接觸孔，由于各個(gè)接觸孔無論從平面上還是從剖面上看都設(shè)置在不同的位置上，所以這些一連串的接觸孔整體的形成區(qū)域比其單一的接觸孔的形成區(qū)域要大好幾倍。此外，光穿過這些接觸孔彼此間向TFT入射，常常會成為光漏泄電流發(fā)生的原因。
對此，在本發(fā)明中，由于單一的接觸孔一氣地貫通多個(gè)層間絕緣膜而確保屏蔽層與固定電位側(cè)電極之間的電連接，所以可以縮小其形成區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)窄間隙化。此外，由于接觸孔是單一的，所以可以防止其形成區(qū)域中的光漏泄。即，該接觸孔在比屏蔽層更下的下層上發(fā)揮遮光功能，從而可以進(jìn)行更確實(shí)的遮光。
因此，本發(fā)明的電光裝置，在通過窄間隙化而可以實(shí)現(xiàn)小型化和高精度化的同時(shí)，還可以防止光漏泄電流的發(fā)生，可以維持提高顯示質(zhì)量。
在本發(fā)明的電光裝置的一種實(shí)施方式中，還具備平面看配置在上述非開口區(qū)域內(nèi)并且配置在上述多個(gè)層間絕緣膜的層間的第2導(dǎo)電性遮光膜；上述接觸孔，平面看貫通上述非開口區(qū)域中未形成上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域，上述像素電極對上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分進(jìn)行中繼而與上述像素電位側(cè)電極電連接。
根據(jù)這種實(shí)施方式，從剖面上看在屏蔽層與存儲電容的固定電位側(cè)電極之間形成有第2導(dǎo)電性遮光膜。因此，可以進(jìn)一步地提高薄膜晶體管的遮光效果。此外，設(shè)置上述接觸孔的區(qū)域，雖然被限定于從平面看未形成第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域，但由于該接觸孔是單一的，所以可以比較容易地滿足該要求。換言之，從平面看，可以在減小未形成第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域的同時(shí)，使1個(gè)接觸孔通過該區(qū)域。
另一方面，像素電極對第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分進(jìn)行中繼而與存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接。通過這樣地有效地高密度地配置各個(gè)構(gòu)成要素，可以實(shí)現(xiàn)像素開口率的提高或窄間隙化。
在該實(shí)施方式中，上述數(shù)據(jù)線也可以由上述第2導(dǎo)電性遮光膜的另外的一部分構(gòu)成。即，也可以構(gòu)成為上述數(shù)據(jù)線配置在配置有上述第2導(dǎo)電性遮光膜的層間絕緣膜之上，并用與上述第2導(dǎo)電性遮光膜相同的材料構(gòu)成。
通過這樣地配置數(shù)據(jù)線，可以實(shí)現(xiàn)效率好的集成化，并且還可以防止數(shù)據(jù)線、像素電極間的電容耦合。即，數(shù)據(jù)線位于從剖面看以屏蔽層介于中間與像素電極相對的位置上。如上所述，與固定電位側(cè)電極連接的屏蔽層，還起著電磁屏蔽層的作用，可以降低對應(yīng)數(shù)據(jù)線的通電而在像素電極上產(chǎn)生電位變化的可能性。因此，可進(jìn)行更高質(zhì)量的顯示。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述接觸孔的一側(cè)緣，平面看沿著上述薄膜晶體管的一端延伸。
根據(jù)該實(shí)施方式，接觸孔從斜上方對薄膜晶體管進(jìn)行遮光。由于該接觸孔位于屏蔽層與存儲電容之間，與第1和第2導(dǎo)電性遮光膜等的其它的遮光膜比較在薄膜晶體管的附近進(jìn)行遮光，所以可以有效地防止光漏泄電流的發(fā)生，從而可以維持提高顯示質(zhì)量。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述接觸孔平面看以至少一部分與上述薄膜晶體管的一端重疊的方式配置。
根據(jù)該實(shí)施方式，接觸孔的至少一部分恰好從上面對薄膜晶體管進(jìn)行遮光。因此，相對于薄膜晶體管，可以防止在疊層結(jié)構(gòu)的內(nèi)部進(jìn)行漫反射的光的一部分從上方入射，可以維持提高顯示質(zhì)量。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述接觸孔，在上述非開口區(qū)域的延伸方向上與上述薄膜晶體管并列，在上述非開口區(qū)域的寬度方向上，上述接觸孔的寬度等于或大于上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的長度(溝道長度)。
根據(jù)該實(shí)施方式，由于接觸孔從平面看在非開口區(qū)域的延伸方向上與薄膜晶體管的整體正對，所以可以通過其側(cè)壁面或底面對薄膜晶體管良好地進(jìn)行遮光。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述接觸孔，被形成為插塞。
根據(jù)該實(shí)施方式，由于接觸孔被形成為插塞，所以孔徑小的一方易于在內(nèi)部埋入導(dǎo)電材料，所以優(yōu)選地采用小的孔徑。因此，可以容易地縮小從平面看的形成區(qū)域，可以使像素間隙變窄。特別是通過用導(dǎo)電性的遮光膜進(jìn)行插塞，還可以進(jìn)一步地提高該接觸孔附近的遮光性能。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述接觸孔，縱橫比小于等于1。
其中，把接觸孔的縱橫比定義為接觸孔的深度對接觸孔的寬度的比率。
根據(jù)該實(shí)施方式，則接觸孔形成為底面的寬度比深度更大。由于接觸孔的深度由層間絕緣膜的厚度決定，所以這意味著從結(jié)果上看該接觸孔相對地說(例如，與其它的接觸孔比)是大口徑的。由于形成為該接觸孔的底面被作為遮光膜的屏蔽層覆蓋，所以可以通過使其面積增大可以良好地防止光漏泄，從而可以提高遮光效果。
此外，象該接觸孔這樣地貫通多層的深的孔，如果孔徑窄，則會使在接觸孔內(nèi)形成的導(dǎo)電膜的覆蓋率降低，因而會有在導(dǎo)電膜上產(chǎn)生不連續(xù)部分的可能性。但是，如果縱橫比小于等于1，則在內(nèi)部形成的導(dǎo)電膜的覆蓋率就好，從而可以防止連接不良的發(fā)生。
在該接觸孔的縱橫比小于等于1的實(shí)施方式中，也可以使上述接觸孔通過在上述屏蔽層上形成的基底膜埋入，并對上述基底膜的表面實(shí)施平坦化處理。
根據(jù)該實(shí)施方式，則接觸孔由基底層埋入。在形成后的基底層表面上，會產(chǎn)生由于大口徑的接觸孔產(chǎn)生的比較大的凹陷。于是，如果通過例如化學(xué)的研磨處理(Chemical Mechanical PolishingCMP化學(xué)機(jī)械研磨)或研磨處理等的平坦化處理除去這樣形成的凹凸，則可以使基底層表面平坦化。
例如，在把液晶等的電光物質(zhì)夾在具有這樣的疊層結(jié)構(gòu)的基板和與之相對地對置基板之間的情況下，由于基板表面是平坦的，所以可以減少在電光物質(zhì)的取向狀態(tài)產(chǎn)生的紊亂的可能性，從而可進(jìn)行更高質(zhì)量的顯示。
此外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成的、具有以電介質(zhì)膜介于中間而相對配置的固定電位側(cè)電極和與上述薄膜晶體管電連接的像素電位側(cè)電極的存儲電容；配置在上述存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜；由在比上述存儲電容更上層一側(cè)且平面看在像素間的非開口區(qū)域內(nèi)的上述多個(gè)層間絕緣膜之間形成的、同時(shí)與上述固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的屏蔽層；把上述多個(gè)層間絕緣膜作為基底形成的、平面看在上述非開口區(qū)域內(nèi)在不存在上述屏蔽層的區(qū)域?qū)⑸鲜龆鄠€(gè)層間絕緣膜一氣地貫通的像素電極用接觸孔；通過上述像素電極用接觸孔與上述存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接的像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，其具備掃描線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、存儲電容、屏蔽層和像素電極。這些各個(gè)構(gòu)成要素，在基板上以層間絕緣膜介于中間疊層。此外，薄膜晶體管通過構(gòu)成為從數(shù)據(jù)線對掃描線所選擇的像素位置的像素電極施加數(shù)據(jù)信號而可進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)。并且，由于使存儲電容介于薄膜晶體管與像素電極之間，所以可以提高像素電極的電位的保持特性，從而可以實(shí)現(xiàn)顯示的高對比度化。此外，具有遮光功能的屏蔽層，通過與存儲電容的固定電位側(cè)電極進(jìn)行電連接從而還具有作為電容線的功能。
像素電極被配置在比該屏蔽層的更上層。此外，在像素電極之下，疊層有多個(gè)層間絕緣膜，像素電極通過一氣地貫通這些多個(gè)層間絕緣膜的像素電極用接觸孔與存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接。
在本發(fā)明中，所說的“接觸孔”指的是為了使在層間絕緣膜的上下形成的導(dǎo)電層彼此導(dǎo)通而在厚度方向上貫通層間絕緣膜的孔，例如，包括使上側(cè)的導(dǎo)電層其內(nèi)部落下而結(jié)果與下側(cè)的導(dǎo)電層接觸的情況(即，所謂的接觸孔的情況)或把導(dǎo)電材料埋入到內(nèi)部，使其一端與上側(cè)的導(dǎo)電層接觸，使另一端與下側(cè)的導(dǎo)電層接觸的情況(即，形成為插塞的情況)。
一般地說，像素電極與固定電位側(cè)電極的電連接，作為與本發(fā)明不同的結(jié)構(gòu)，例如可以采用在層間絕緣膜的層間設(shè)置中繼層，通過中繼層把在中繼層的上下的層間絕緣膜上形成的接觸孔彼此連結(jié)起來的方法實(shí)現(xiàn)。但是，如果這樣的話，由于在像素電極與固定電位側(cè)電極之間必須形成多個(gè)接觸孔，而各個(gè)接觸孔無論從平面上還是從剖面上看都設(shè)置在不同的位置上，所以這些一連串的接觸孔整體的形成區(qū)域比單一的接觸孔的形成區(qū)域要大好幾倍。
對此，在本發(fā)明中，在屏蔽層的旁邊單一的接觸孔一氣地貫通多個(gè)層間絕緣膜，利用這一點(diǎn)，由于可以確保像素電極與像素電位側(cè)電極的電連接，所以可以縮小該接觸孔的形成區(qū)域，而可以實(shí)現(xiàn)窄間隙化。此外，由于接觸孔是單一的，所以可以使結(jié)構(gòu)變得簡單。
因此，本發(fā)明的電光裝置，在可以通過窄間隙化實(shí)現(xiàn)小型化和高精度化的同時(shí)，還可以采用簡單的結(jié)構(gòu)使制造變得容易。
在本發(fā)明的電光裝置的一種實(shí)施方式中，上述像素電極用接觸孔平面看沿著上述非開口區(qū)域的延伸方向延伸。
根據(jù)該實(shí)施方式，通過像素電極用接觸孔形成在非開口區(qū)域的延伸方向上延伸得長的形狀，可以避開其它的接觸孔而爭取到底面積。如像素電極用接觸孔那樣貫通多層的深的孔，如果孔徑狹窄，則會使在接觸孔內(nèi)形成的導(dǎo)電膜的覆蓋率降低，從而會有在導(dǎo)電膜上產(chǎn)生不連續(xù)部分的可能性。但是，在該實(shí)施方式中，由于像素電極用接觸孔至少在非開口區(qū)域的延伸方向上孔徑增大，所以可以防止這樣的連接不良的發(fā)生。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述像素電極用接觸孔，被形成為插塞。
根據(jù)該實(shí)施方式，由于內(nèi)部要埋入導(dǎo)電材料的原因，像素電極用接觸孔的孔徑就要減小。因此，可以比較容易地縮小從平面看的形成區(qū)域，可以使像素間隙變窄。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述像素電極用接觸孔，縱橫比小于等于1。
其中，接觸孔的縱橫比定義為接觸孔的深度對接觸孔的寬度的比率。
根據(jù)該實(shí)施方式，像素電極用接觸孔被形成為底面的寬度比深度大。由于接觸孔的深度由層間絕緣膜的厚度決定，所以這意味著從結(jié)果上看像素電極用接觸孔相對地(例如，與其它的接觸孔比)是大口徑的。通過這樣地增大像素電極用接觸孔的底面，可以很好地防止光漏泄，從而可以提高遮光效果。
此外，象該接觸孔這樣地貫通多層的深的孔，如果孔徑窄，則會使在接觸孔內(nèi)形成的導(dǎo)電膜的覆蓋率降低，因而會有在導(dǎo)電膜上產(chǎn)生不連續(xù)部分的可能性。但是，縱橫比小于等于1的像素電極用接觸孔，則可以防止這樣的連接不良的發(fā)生，與孔徑窄的情況相比形成開口本身也可以容易地進(jìn)行。
在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，還具備配置在上述屏蔽層與上述固定電位側(cè)電極的層間并且平面看配置在上述非開口區(qū)域內(nèi)的第2導(dǎo)電性遮光膜；上述像素電極，通過上述像素電極用接觸孔與上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分一氣地連接。
根據(jù)該實(shí)施方式，則從剖面看在上述屏蔽層與存儲電容的固定電位側(cè)電極之間形成有第2導(dǎo)電性遮光膜。因此，可以進(jìn)一步地提高薄膜晶體管的遮光效果。此外，像素電極通過像素電極用接觸孔對第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分進(jìn)行中繼而與存儲電容的像素電位側(cè)電極連接。通過高效率地集成各個(gè)構(gòu)成要素，還可以實(shí)現(xiàn)像素開口率的提高或窄間隙化。
在該實(shí)施方式中，也可以構(gòu)成為上述數(shù)據(jù)線由上述第2導(dǎo)電性遮光膜的另一部分構(gòu)成。
通過這樣地配置數(shù)據(jù)線，在可以實(shí)現(xiàn)效率良好的集成化的同時(shí)，可以防止數(shù)據(jù)線與像素電極間的電容耦合。即，數(shù)據(jù)線從剖面看位于以屏蔽層介于中間與像素電極相對的位置上。如上所述，與固定電位側(cè)電極連接的屏蔽層也起著電磁屏蔽層的作用，可以減小對應(yīng)數(shù)據(jù)線的通電而在像素電極上產(chǎn)生電位變化的可能性。因此，可進(jìn)行更高質(zhì)量的顯示。
此外，在本發(fā)明的電光裝置的另一實(shí)施方式中，上述屏蔽層，把疊層到上述多個(gè)層間絕緣膜中比上述屏蔽層更下層一側(cè)的1個(gè)層間絕緣膜和配置在上述存儲電容上的另一層間絕緣膜作為基底形成，平面看在上述非開口區(qū)域內(nèi)通過在不存在上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域一氣地貫通上述一個(gè)和另一個(gè)層間絕緣膜的屏蔽層用接觸孔與上述固定電位側(cè)電極電連接。此外，在該情況下，疊層到比上述屏蔽層更下層一側(cè)的上述一個(gè)層間絕緣膜，是含于上述像素電極用接觸孔所貫通的上述多個(gè)層間絕緣膜內(nèi)的層間絕緣膜，優(yōu)選地上述屏蔽層用接觸孔配置為比上述像素電極用接觸孔更接近上述薄膜晶體管。
根據(jù)該實(shí)施方式，則各自的像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔都被形成為一氣地貫通多個(gè)絕緣層。因此，可以省去對每一個(gè)層間絕緣膜設(shè)置接觸孔或在層間絕緣膜的層間形成中繼層麻煩。
特別是在該情況下，像素電極用接觸孔設(shè)置在像素電極與第2導(dǎo)電性遮光膜之間，屏蔽層用接觸孔以第2導(dǎo)電性遮光膜介于中間設(shè)置在屏蔽層與固定電位側(cè)電極之間。即，屏蔽層用接觸孔，貫通(1)在屏蔽層之下配置在像素電極用接觸孔所到達(dá)的第2導(dǎo)電性遮光膜之上的層間絕緣膜和(2)在比第2導(dǎo)電性遮光膜的更下層的存儲電容上的層間絕緣膜。
這些接觸孔具有上下彼此不同的關(guān)系。因此，在對每一個(gè)層間絕緣膜分級式地設(shè)置接觸孔的情況下，通過從剖面上看對于共同的層間絕緣膜同時(shí)開設(shè)2個(gè)相當(dāng)于像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔的接觸孔而省略了工序數(shù)。但是，即使是在該情況下，孔形成工序至少也要有3次。對此，在本實(shí)施方式中，只要簡單地開設(shè)像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔的每一方即可，因而孔形成工序用2次即可。因此，可以削減工序數(shù)。
在設(shè)置屏蔽層用接觸孔的實(shí)施方式中，上述屏蔽層用接觸孔也可以形成為插塞。
在這種情況下，由于把屏蔽層用接觸孔設(shè)計(jì)成為孔徑小的插塞，所以可以縮小從平面看的形成區(qū)域。因此，可以使復(fù)雜的疊層結(jié)構(gòu)的形成容易化，可以使像素間隙更窄。另外，如果把像素電極用接觸孔也一起設(shè)計(jì)成為插塞，則可以進(jìn)一步地實(shí)現(xiàn)窄間隙化。
在設(shè)置屏蔽層用接觸孔的實(shí)施方式中，也可以使上述屏蔽層用接觸孔的縱橫比小于等于1。
屏蔽層用接觸孔，由于在其內(nèi)部形成了屏蔽層，所以具有遮光功能。在這種情況下，由于屏蔽層用接觸孔的底面形成得大，所以可以良好地防止光漏泄，從而可以提高遮光效果。特別是由于該底面從剖面看位于存儲電容的正上方，比屏蔽層等的其它的遮光膜更近地對薄膜晶體管進(jìn)行遮光，所以可以更為確實(shí)地防止光漏泄電流的發(fā)生。
此外，當(dāng)縱橫比小于等于1時(shí)，由于成為淺的形狀，所以可以抑制在屏蔽層用接觸孔內(nèi)形成的導(dǎo)電膜的覆蓋率的降低而可以防止連接不良的發(fā)生，并且與孔徑窄的情況相比，開口本身的形成也可以容易地進(jìn)行。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電子設(shè)備構(gòu)成為具備上述的本發(fā)明的電光裝置(其中包括各種實(shí)施方式)。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備，由于具備上述的本發(fā)明的電光裝置，所以可以實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行高質(zhì)量的顯示的投影型顯示裝置、液晶電視、移動(dòng)電話、電子記事簿，文字處理器、取景器式或監(jiān)視器直視式視頻磁帶錄像機(jī)、工作站、可視電話、POS終端、觸摸面板等的各種電子設(shè)備。除此之外，作為本發(fā)明的電子設(shè)備，也可以實(shí)現(xiàn)電子紙等的電泳裝置或利用電子發(fā)射元件的顯示裝置(Field Emission Display和Surface-ConductionElectron-Emitter Display，場致發(fā)射顯示器和表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)等。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的制造方法，該電光裝置具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成的、像素電位側(cè)電極與上述薄膜晶體管電連接的存儲電容；由在比上述存儲電容更上層一側(cè)且在平面看像素間的非開口區(qū)域內(nèi)形成的、與上述存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的屏蔽層；在比上述屏蔽層更上層一側(cè)形成的、通過上述存儲電容的像素電位側(cè)電極與上述薄膜晶體管電連接的像素電極；其特征在于，包括在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成上述薄膜晶體管的工序；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)，形成上述存儲電容的工序；在上述存儲電容上，以使連接到上述存儲電容的像素電位側(cè)電極上的第2導(dǎo)電性遮光膜介于層間的方式疊層多個(gè)層間絕緣膜的工序；以在平面看上述非開口區(qū)域之中未形成上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域通過而將上述多個(gè)層間絕緣膜一氣地貫通并達(dá)到上述存儲電容的固定電位側(cè)電極的方式，在上述多個(gè)層間絕緣膜的表面開設(shè)屏蔽層用接觸孔的工序；在開設(shè)了上述屏蔽層用接觸孔的層間絕緣膜表面形成上述屏蔽層的工序；在上述屏蔽層上，形成將成為上述像素電極的基底的基底層的工序；在上述基底層的表面，以將包含上述基底層的多個(gè)層一氣地貫通并到達(dá)上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分的方式，開設(shè)使上述像素電極電連接到上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分上的像素電極用接觸孔的工序；在開設(shè)了上述像素電極用接觸孔的基底層表面，形成上述像素電極的工序。
在本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，在基板上，薄膜晶體管、存儲電容、第2導(dǎo)電性遮光膜、屏蔽層和像素電極按照該順序以層間絕緣膜介于中間被疊層。此外，屏蔽層與固定電位側(cè)電極間通過一氣地貫通其間的多個(gè)層間絕緣膜的屏蔽層用接觸孔進(jìn)行電連。此外，像素電極與第2導(dǎo)電性遮光膜間通過一氣地貫通其間的多個(gè)層間絕緣膜的像素電極用接觸孔進(jìn)行電連。像素電極，在通過像素電極用接觸孔導(dǎo)通的第2導(dǎo)電性遮光膜上直到存儲電容的像素電位側(cè)電極被中繼，進(jìn)而通過該像素電位側(cè)電極與薄膜晶體管電連接。
這樣，各自的像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔都被形成為一氣地貫通多個(gè)層間絕緣膜。因此，可以省去對每一個(gè)層間絕緣膜設(shè)置接觸孔或在層間絕緣膜的層間形成中繼層的麻煩。特別是，這些接觸孔在結(jié)構(gòu)上被形成為上下彼此不同的關(guān)系。假定在對每一個(gè)層間絕緣膜分級式地設(shè)置接觸孔的情況下，雖然通過從剖面看對于共同的層間絕緣膜同時(shí)形成2個(gè)相當(dāng)于像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔的接觸孔省略了工序數(shù)。但即使在該情況下，孔形成工序也至少需要3次。
對此，在本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，只要簡單地開設(shè)像素電極用接觸孔和屏蔽層用接觸孔的各個(gè)即可，因而孔形成工序只用2次即可。因此，可以削減工序數(shù)，從而可以容易地進(jìn)行制造。此外，通過設(shè)置這樣的接觸孔，如上所述，可以制造由于窄間隙化而實(shí)現(xiàn)了小型化和高精度化的電光裝置。
本發(fā)明的這樣的作用和其它的益處可以從接下來說明的實(shí)施例中得以了解。


圖1是表示電光裝置的整體結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是圖1的H-H’的剖面圖。
圖3是構(gòu)成電光裝置的圖像顯示區(qū)域的形成為矩陣狀的多個(gè)像素部中的各種元件、布線等的等效電路。
圖4是實(shí)施例1的TFT陣列基板上的像素群的平面圖，該圖僅表示下層部分(到圖7中的標(biāo)號70(存儲電容)為止的下層部分)的結(jié)構(gòu)。
圖5是實(shí)施例1的TFT陣列基板上的像素群的平面圖，該圖僅表示上層部分(超過圖7中的標(biāo)號70(存儲電容)之上的上層部分)的結(jié)構(gòu)。
圖6是把圖4和圖5重疊起來的情況下的平面圖，是部分放大圖。
圖7是把圖4和圖5重疊起來的情況下的A-A’剖面圖。
圖8是將實(shí)施例2的TFT陣列基板上的像素群內(nèi)的一部分放大表示的平面圖。
圖9是圖8的B-B’剖面圖。
圖10是將實(shí)施例2的變形例的TFT陣列基板上的結(jié)構(gòu)與圖8對應(yīng)地表示的平面圖。
圖11是實(shí)施例3的TFT陣列基板上的像素群的平面圖，該圖僅表示下層部分(到圖14中的標(biāo)號70(存儲電容)為止的下層部分)的結(jié)構(gòu)。
圖12是實(shí)施例3的TFT陣列基板上的像素群的平面圖，該圖僅表示上層部分(超過圖7中的標(biāo)號70(存儲電容)之上的上層部分)的結(jié)構(gòu)。
圖13是把圖11和圖12重疊起來的情況下的平面圖，是部分放大圖。
圖14是把圖11和圖12重疊起來的情況下的A-A’剖面圖。
圖15是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其1)。
圖16是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其2)。
圖17是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其3)。
圖18是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其4)。
圖19是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其5)。
圖20是按照順序表示實(shí)施例3的電光裝置的制造工序的剖面圖(其6)。
圖21是將實(shí)施例4的TFT陣列基板上的像素群中的一部分放大表示的平面圖。
圖22是圖21的B-B’剖面圖。
圖23是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的實(shí)施例的投影型彩色顯示裝置的一個(gè)例子的彩色液晶投影機(jī)的剖面圖。
標(biāo)號說明1a-半導(dǎo)體層，2-柵極絕緣膜，3a-柵極電極，6a-數(shù)據(jù)線，9a-像素電極，10a-圖像顯示區(qū)域，11a-掃描線，30-TFT，70-存儲電容，300-電容電極，400-電容布線，41～44-層間絕緣膜，801、804-接觸孔，802、803、805-插塞。
具體實(shí)施例方式
下面，參看附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。以下的實(shí)施例是把本發(fā)明的電光裝置應(yīng)用于液晶裝置的實(shí)施例。
1.實(shí)施例1首先，參看圖1到圖7對本發(fā)明的電光裝置的實(shí)施例1進(jìn)行說明。
1-1.電光裝置的整體結(jié)構(gòu)首先，參看圖1和圖2對本實(shí)施例的電光裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是從對置基板側(cè)看到的TFT陣列基板及在其上形成的各個(gè)構(gòu)成部分的電光裝置的平面圖，圖2是圖1的H-H’剖面圖。
在圖1和圖2中，在本實(shí)施例的電光裝置中，TFT陣列基板10與對置基板20相對地配置。在TFT陣列基板10與對置基板20之間封入了液晶層50，TFT陣列基板10和對置基板20通過設(shè)置在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的密封區(qū)域上的密封部件52彼此粘合。
密封部件52由例如紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等構(gòu)成，為了把兩基板粘合在制造工藝中涂敷到TFT陣列基板10上后通過紫外線照射、加熱等使之硬化。此外，在密封部件52中散布有為使TFT陣列基板10與對置基板20之間的間隔(基板間的間隙)成為規(guī)定值的玻璃纖維或玻璃微珠等的間隔材料。即，本實(shí)施例的電光裝置作為投影機(jī)的光閥使用是小型的而且適合于進(jìn)行放大顯示。
在對置基板20側(cè)與配置了密封部件52的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)并行地設(shè)置有規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a的邊框區(qū)域的遮光性的邊框遮光膜53。但是，這樣的邊框遮光膜53的一部分或全部也可以在TFT陣列基板10側(cè)作為內(nèi)置遮光膜設(shè)置。
在位于圖像顯示區(qū)域10a的周邊的周邊區(qū)域內(nèi)，在配置了密封部件52的區(qū)域的外側(cè)沿著TFT陣列基板10的一邊設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和外部電路連接端子102。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104被設(shè)置成沿著與該一邊相鄰的2邊且被邊框遮光膜53覆蓋。此外，為了將這樣地在圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)設(shè)置的2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間連接起來，多條布線105被設(shè)置成沿著TFT陣列基板10的剩下的一邊且被邊框遮光膜53覆蓋。
此外，在對置基板20的4個(gè)拐角部配置有起兩基板間的上下導(dǎo)通端子作用的上下導(dǎo)通部件106。另一方面，在TFT陣列基板10上與這些拐角部相對的區(qū)域上設(shè)置有上下導(dǎo)通端子。通過它們可以在TFT陣列基板10與對置基板20之間形成電導(dǎo)通。
在圖2中，在TFT陣列基板10上，在像素開關(guān)用TFT或各種布線等的上形成像素電極9a，并在其上形成取向膜。另一方面，在對置基板20上，除了形成對置電極21之外，還形成網(wǎng)格狀或條狀的遮光膜23，且在其上形成取向膜。此外，液晶層50例如由把一種或多種的向列液晶混合起來的液晶構(gòu)成，在這一對取向膜之間形成規(guī)定的取向狀態(tài)。
另外，在TFT陣列基板10上，除去數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等之外，例如，也可以形成對圖像信號線上的圖像信號采樣后供往數(shù)據(jù)線的采樣電路、先于圖像信號向多條數(shù)據(jù)線的各條供給規(guī)定電壓電平的預(yù)充電信號的預(yù)充電電路、用來檢查制造過程中或出廠時(shí)的該電光裝置的質(zhì)量、缺陷的檢查電路等。
1-2.圖像顯示區(qū)域的構(gòu)成下面，參看圖3到圖7對本實(shí)施例的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
圖3表示本實(shí)施例的電光裝置內(nèi)的像素部的等效電路。圖4到圖6是表示TFT陣列基板上的像素部的部分結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4和圖5分別相于后述的疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)的下層部分(圖4)和上層部分(圖5)。圖6是把圖4和圖5重疊起來的將疊層結(jié)構(gòu)放大的平面圖。圖7是把圖4和圖5重疊起來的情況下的A-A’剖面圖。另外，在圖7中，為了將各層和各部件表示為在圖上可以識別程度的大小，適宜地變更了這些各層和各部件的縮放比率。
1-2-1.像素部的原理性結(jié)構(gòu)如圖3所示，在圖像顯示區(qū)域10a中，多條掃描線11a和多條數(shù)據(jù)線6a相交叉地排列，在其線間設(shè)置有通過各一條掃描線11a、數(shù)據(jù)線6a選擇的像素部。在各個(gè)像素部設(shè)置有TFT30、像素電極9a和存儲電容70。TFT30是為了向選擇像素施加由數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號S1、S2、...、Sn而設(shè)置的，柵極連接到掃描線11a上，源極連接到數(shù)據(jù)線6a上，漏極連接到像素電極9a上。在像素電極9a與后述的對置電極21之間形成液晶電容而把輸入的圖像信號S1、S2、...、Sn施加到像素部上并保持一定期間。存儲電容70的一方的電極與像素電極9a并聯(lián)后連接到TFT30的漏極上，另一方的電極連接到電位固定的電容布線400上以使之具有恒定電位。
該電光裝置例如采用TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式，按線順序依次從掃描線驅(qū)動(dòng)電路104(參看圖1)向各條掃描線11a施加掃描信號G1、G2、...、Gm，并且對于由此TFT30成為導(dǎo)通狀態(tài)的水平方向的選擇像素部的列通過數(shù)據(jù)線6a施加來自數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101(參看圖1)的圖像信號S1、S2、...、Sn。這時(shí)，既可以按線順序向各條數(shù)據(jù)線6a供給圖像信號S1、S2、...、Sn，也可以用相同的定時(shí)向多條數(shù)據(jù)線6a(例如每組)供給圖像信號S1、S2、...、Sn。由此，可以向與選擇像素對應(yīng)的像素電極9a供給圖像信號。由于TFT陣列基板10以液晶層50介于中間與對置基板10相對地配置(參看圖2)，所以通過如上所述地在分區(qū)排列的每個(gè)像素區(qū)域向液晶層50施加電場，可以對每個(gè)像素區(qū)域控制兩基板間的透過光量而對圖像進(jìn)行灰度顯示。此外，這時(shí)保持在各個(gè)像素區(qū)域的圖像信號可通過存儲電容70防止漏泄。
1-2-2.像素部的具體結(jié)構(gòu)下面，參看圖4到圖7對實(shí)現(xiàn)上述動(dòng)作的像素部的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
在圖4到圖7中，上述的像素部的各個(gè)電路要素作為圖形化了的疊層的導(dǎo)電膜構(gòu)筑在TFT陣列基板10上。TFT陣列基板10，例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板、半導(dǎo)體基板等構(gòu)成，與例如由玻璃基板或石英基板構(gòu)成的對置基板20相對配置。此外，各個(gè)電路要素從下邊開始按照順序由包括掃描線11a的第1層、包括柵極電極3a的第2層、包括存儲電容70的固定電位一側(cè)電容電極的第3層、包括數(shù)據(jù)線6a等的第4層、包括電容布線400等的第5層以及包括像素電極9a等的第6層構(gòu)成。此外，分別地在第1層與第2層間設(shè)置基底絕緣膜12，在第2層與第3層間設(shè)置第1層間絕緣膜41，在第3層與第4層間設(shè)置第2層間絕緣膜42，在第4層與第5層間設(shè)置第3層間絕緣膜43，在第5層與第6層間設(shè)置第4層間絕緣膜44，以防止上述的各個(gè)要素間短路。另外，其中，從第1層到第3層作為下層部分示于圖4，從第4層到第6層作為上層部分示于圖5。
第1層的結(jié)構(gòu)(掃描線等).
第1層由掃描線11a構(gòu)成。掃描線11a是在由沿著圖4的X方向延伸的本線部和在數(shù)據(jù)線6a或電容布線400所延伸的圖4的Y方向上延伸的突出部構(gòu)成的形狀上進(jìn)行了圖形化。這樣的掃描線11a，例如由導(dǎo)電性多晶硅構(gòu)成，除此之外，也可通過含有鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等的高熔點(diǎn)金屬之中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物或它們的疊層體等形成。
第2層的結(jié)構(gòu)(TFT等).
第2層由TFT30和中繼電極719構(gòu)成。TFT30例如采用LDD(輕摻雜漏極Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)，具備柵極電極3a、半導(dǎo)體層1a、包括使柵極電極3a和半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2。柵極電極3a例如用導(dǎo)電性多晶硅構(gòu)成。半導(dǎo)體層1a例如由多晶硅構(gòu)成，由溝道區(qū)域1a’、低濃度源區(qū)域1b和低濃度漏區(qū)域1c以及高濃度源區(qū)域1d和高濃度漏區(qū)域1e構(gòu)成。另外，雖然優(yōu)選TFT30具有LDD結(jié)構(gòu)，但也可以是不向低濃度源區(qū)域1b和低濃度漏區(qū)域1c進(jìn)行雜質(zhì)注入的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，也可以是以柵極電極3a為掩模高濃度地注入雜質(zhì)形成高濃度源區(qū)域和高濃度漏區(qū)域的自整合型結(jié)構(gòu)。此外，中繼電極719例如與柵極電極3a作為同一膜形成。
TFT30的柵極電極3a通過在基底絕緣膜12上形成的接觸孔12cv與掃描線11a電連接?；捉^緣膜12例如由硅氧化膜等構(gòu)成，除了具有第1層和第2層的層間絕緣功能之外，由于在TFT陣列基板10的整個(gè)面上形成，所以還具有防止由于基板表面的研磨產(chǎn)生的粗糙或污跡等引起的TFT30的元件特性的變化的功能。
第3層的結(jié)構(gòu)(存儲電容等).
第3層由存儲電容70構(gòu)成。存儲電容70具有電容電極(存儲電容的固定電位側(cè)電極)300和下部電極(存儲電容的像素電位側(cè)電極)71以電介質(zhì)膜75介于中間相對地配置的結(jié)構(gòu)。其中，電容電極300電連到電容布線400上。下部電極71與TFT30的高濃度漏區(qū)域1e和像素電極9a各自電連接。
下部電極71與高濃度漏區(qū)域1e通過在第1層間絕緣膜41上形成了開口的接觸孔83連接。此外，下部電極71與像素電極9a通過由接觸孔881、882、804和89對中繼電極719、第2中繼電極6a2(第2導(dǎo)電性遮光膜)、第3中繼電極402的各層進(jìn)行中繼所構(gòu)成的路徑電連接。
這樣的電容電極300例如由至少包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔點(diǎn)金屬之中的一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物以及把它們疊層的疊層體構(gòu)成，或者優(yōu)選地由鎢硅化物構(gòu)成。由此，電容電極具有遮擋從上側(cè)向TFT30入射的光的功能。此外，下部電極71可使用例如導(dǎo)電性的多晶硅。
電介質(zhì)膜75例如由膜厚5到200nm左右的比較薄的HTO(高溫氧化物)膜、LTO(低溫氧化物)膜等的氧化硅膜或氮化硅膜等構(gòu)成。
此外，第1層間絕緣膜41例如可由NSG(非硅酸鹽玻璃)形成。除此之外，第1層間絕緣膜41還可以使用PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等。
另外，由圖4的平面圖可知，由于這種情況下的存儲電容70被形成為不延伸到與像素電極9a的形成區(qū)域大致對應(yīng)的像素開口區(qū)域(被限制在非開口區(qū)域內(nèi))，所以可以維持比較大的像素開口率。
第4層的結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)線等).
第4層由數(shù)據(jù)線6a構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a形成為從下邊開始依次為鋁、氮化鈦、氮化硅3層膜。氮化硅層被圖形化為稍大一點(diǎn)的尺寸以覆蓋其下層的鋁層和氮化鈦層。此外，在第4層上，與數(shù)據(jù)線6a作為同一膜形成有第2中繼電極(第2導(dǎo)電性遮光膜)6a2。如圖5所示，這些要素各自分離地形成。
其中，數(shù)據(jù)線6a通過貫通第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42的接觸孔81與TFT30的高濃度源區(qū)域1d電連接。此外，如上所述，第2中繼電極6a2通過貫通第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42的接觸孔882與中繼電極719電連接。這樣的第2層間絕緣膜42可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
第5層的結(jié)構(gòu)(電容布線等).
第5層由電容布線400和第3中繼電極402構(gòu)成。電容布線400作為本發(fā)明的“屏蔽層”的一個(gè)具體例子，具有對像素電極9a進(jìn)行免受其下層的數(shù)據(jù)線6a等的布線的影響的電磁屏蔽的功能，并通過一直延伸設(shè)置到圖像顯示區(qū)域10a的周圍與恒定電位源電連接而具有固定電位。如圖5所示，電容布線400形成為在Y方向(溝道區(qū)域1a’的長度(溝道長度)方向)、X方向(與沿溝道長度的方向正交的方向)上延伸的網(wǎng)格狀，在X方向上延伸的部分被分割而斷缺。在該被分割的電容布線400的圖形間島狀地設(shè)置了第3中繼電極402。此外，電容布線400為覆蓋其下層的數(shù)據(jù)線6a、掃描線11a和TFT30等而被形成為比這些電路要素的結(jié)構(gòu)的寬度更寬。即，電容布線400形成為無論是在數(shù)據(jù)線6a的寬度方向還是在掃描線11a的寬度方向上都比它們更粗。因此，各個(gè)電路要素被遮擋，使從對置基板20側(cè)入射的入射光反射從而防止了投影圖像中的像素的輪廓變得模糊等的壞影響。另外，電容布線400具有把例如鋁、氮化鈦疊層的2層結(jié)構(gòu)。
此外，電容布線400的X方向延伸部分和Y方向的延伸部分正好交叉的角部形成大致三角形的檐部稍微突出的形狀(倒角后的形狀)。通過該檐部，可以有效地對TFT30的半導(dǎo)體層1a進(jìn)行遮光。即，通過由檐部反射或吸收相對于半導(dǎo)體層1a從斜上方進(jìn)入的光，可以抑制TFT30中的光漏泄電流的發(fā)生，從而可以顯示沒有閃爍等的高質(zhì)量的圖像。
構(gòu)成本發(fā)明的“屏蔽層”的一個(gè)例子的這樣的電容布線400通過一氣地貫通第3層間絕緣膜43和第2層間絕緣膜42的接觸孔801與作為本發(fā)明的“像素電位側(cè)電極”的一個(gè)例子的存儲電容70的電容電極300電連接。在接觸孔801內(nèi)，由于埋入了電容布線400，所以其底面和側(cè)壁面反射或吸收光。此外，如圖6所示，接觸孔801被配置成在非開口區(qū)域的延伸方向(即圖6的X方向)上與TFT30并列，并且與TFT30的一端部分地重疊。此外，接觸孔801的孔徑大，該孔徑的溝道長度方向上的寬度等于或大于TFT30的溝道區(qū)域1a’的長度(溝道長度)。此外，如圖7所示，接觸孔801底面位于第3層上，比電容布線400等的其它的遮光層更接近半導(dǎo)體層1a。因此，可以更確實(shí)地對TFT30特別是對半導(dǎo)體層1a進(jìn)行遮光。
即，接觸孔801的側(cè)壁面成為從層間絕緣膜42到層間絕緣膜43為止的高度的屏障，可以很好地遮擋相對于TFT30從斜上方入射的光。此外，其寬度很寬的底面可以很好地對TFT30進(jìn)行遮光。
然而，由于考慮到對從層間絕緣膜42到層間絕緣膜43為止的深度的蝕刻比較困難，所以通常采用在第2層間絕緣膜42上設(shè)置中繼層，通過該中繼層把在各個(gè)層間絕緣膜上形成的接觸孔在與層面垂直方向上連結(jié)起來的方法。但是，在使像素部窄間隙化的情況下，比起接觸孔的深度來其形成區(qū)域的大小更成為問題。即，各個(gè)接觸孔平面看不能重疊為一處地形成(例如，參看圖6、圖7中的接觸孔882、804和89)，而是設(shè)置在相互錯(cuò)開的位置上。因此，由于需要在各個(gè)接觸孔的周邊確保余量區(qū)域，所以從結(jié)果上看增大了接觸孔整體形成區(qū)域。由圖7可知，雖然連接電容布線400和電容電極300的接觸孔需要設(shè)置成從數(shù)據(jù)線6a和第2中繼電極6a2的間隙通過而貫通，但如果通過窄間隙化使得該間隙變窄后，則這樣的結(jié)構(gòu)的接觸孔的形成就變得困難。本發(fā)明的發(fā)明者證實(shí)了當(dāng)像素間隙變成為10μm左右時(shí)，就無法充分地確保接觸孔的形成區(qū)域。
對此，在本實(shí)施例中，采用僅用接觸孔801把電容布線400和電容電極300連接起來的結(jié)構(gòu)。雖然接觸孔801的形成區(qū)域與其它的接觸孔相比較大，但相對于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)則成為同等或同等以下的大小。
此外，在上述的結(jié)構(gòu)中，存在著光從接觸孔彼此間的間隙向TFT30側(cè)漏泄而成為光漏泄電流的原因的可能性。對此，在本實(shí)施例中，如圖7所示，上述接觸孔801可以遮擋從斜上方進(jìn)入的光，從而可以防止向TFT30側(cè)的光漏泄。
此外，其中設(shè)接觸孔801的縱橫比、即深度對寬度的比率為小于等于1。通常，在接觸孔深(即，縱橫比大于等于1的情況下)的情況下，當(dāng)用濺射法形成內(nèi)部的布線后，則存在接觸孔內(nèi)部的覆蓋率降低而產(chǎn)生不連續(xù)部分的可能性。但是，由于接觸孔801孔徑大，所以可以防止這樣的連接不良的發(fā)生，與孔徑窄的情況相比，形成開口本身也可以容易地進(jìn)行。
此外，在第5層上，作為與電容布線400同一膜形成有第3中繼電極402。如上所述，第3中繼電極402通過接觸孔804和接觸孔89對第2中繼電極6a2與像素電極9a之間進(jìn)行中繼。
在這樣的第5層的下面整個(gè)面地形成有第3層間絕緣膜43。第3層間絕緣膜43例如可以由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
第6層的結(jié)構(gòu)(像素電極等).
在第5層的整個(gè)面上形成第4層間絕緣膜44，再在其上作為第6層形成有像素電極9a。在第4層間絕緣膜44上，用于把像素電極9a與第3中繼電極402之間電連接的接觸孔89形成開口。這樣的第4層間絕緣膜44例如可以由NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
另外，由于第4層間絕緣膜44是在孔徑大的接觸孔801上形成，所以形成后的表面在接觸孔801的正上方往往會凹陷。但是，在本實(shí)施例中，是預(yù)先把第4層間絕緣膜44形成得比較厚，并且對其表面實(shí)施了例如CMP處理等的平坦化處理。在CMP處理中，在固定到例如研磨板上的研磨墊上，邊使含有二氧化硅顆粒的液態(tài)的研磨漿(化學(xué)研磨液)流動(dòng)邊使基板表面旋轉(zhuǎn)接觸來化學(xué)性和機(jī)械性地進(jìn)行表面研磨。其它的平坦化處理還有機(jī)械研磨處理等。通過這樣的處理，第4層間絕緣膜44的表面被平坦化，可以防止液晶層50中的液晶取向的紊亂，從而可以顯示高質(zhì)量的圖像。
像素電極9a(在圖5中用虛線9a’表示其輪廓)，配置在縱橫分區(qū)排列的各個(gè)像素區(qū)域區(qū)域，在其邊界上形成為使得數(shù)據(jù)線6a和掃描線11a排列成網(wǎng)格狀(參看圖4和圖5)。此外，像素電極9a例如由ITO(IndiumTin Oxide，氧化銦錫)等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。另外，在該像素電極9a上形成有取向膜16。以上就是TFT陣列基板10側(cè)的像素部的結(jié)構(gòu)。
另一方面，在對置基板20上，在其相對面的整個(gè)面上設(shè)置有對置電極21，再在其上(在圖6中為對置電極21的下側(cè))設(shè)置取向膜22。對置電極21與像素電極9a同樣，例如由ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。另外，在對置基板20與對置電極21之間，為了防止TFT30中的光漏泄電流的發(fā)生等，把遮光膜23設(shè)置為至少把與TFT30正對的區(qū)域覆蓋起來。
在這樣地構(gòu)成的TFT陣列基板10與對置基板20之間設(shè)置有液晶層50。液晶層50通過在利用密封部件把基板10和20的周緣部密封形成的空間內(nèi)封入液晶而形成。液晶層50在未給像素電極9a和對置電極21間施加電場的狀態(tài)下，通過實(shí)施了摩擦處理等的取向處理的取向膜16和取向膜22獲得指定的取向狀態(tài)。
如圖4和圖5所示，以上說明的像素部的結(jié)構(gòu)，對于各個(gè)像素部是通用的。在上述的圖像顯示區(qū)域10a(參看圖1)中，該像素部周期性地形成。另一方面，在這樣的電光裝置中，在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的周邊區(qū)域，如參看圖1和圖2所說明的那樣，形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路104和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101等的驅(qū)動(dòng)電路。
如上所述，在本實(shí)施例中，由于形成為用接觸孔801一氣地連接以層間絕緣膜42、43介于中間而相對的電容布線400與存儲電容70的電容電極300，即、由于形成為用1個(gè)接觸孔貫通多個(gè)層間絕緣膜，而且配置在接近TFT30的位置上而用電極把接觸孔的層間絕緣膜的層厚方向的側(cè)面覆蓋的結(jié)構(gòu)，所以可以(1)從上側(cè)對TFT30進(jìn)行遮光。特別是由于接觸孔801比電容布線400等的具有遮光功能的其它的層更接近半導(dǎo)體層1a，所以可以更為確實(shí)地進(jìn)行遮光。因此，可以防止光漏泄電流的發(fā)生，從而可以進(jìn)行高質(zhì)量的顯示。此外，(2)可以縮小接觸孔的形成區(qū)域，從而可以實(shí)現(xiàn)窄間隙化。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化和高精度化。
此外，由于接觸孔801與TFT30具有同等的寬度，所以可由其側(cè)壁面和底面進(jìn)行TFT30特別是半導(dǎo)體層1a的良好的遮光。此外，就其形狀來說，由于使縱橫比小于等于1，所以可以提高由寬度大的底面進(jìn)行的遮光效果。
2.實(shí)施例2下面，對本發(fā)明的實(shí)施例2進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，取代實(shí)施例1中的接觸孔801，由填埋到接觸孔內(nèi)的插塞802把電容布線400和存儲電容70的電容電極300連接起來。此外，與此相對應(yīng)地在接觸孔內(nèi)設(shè)置插塞805來取代接觸孔804。所謂插塞是填充進(jìn)鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等金屬的例如柱狀(針狀)的金屬結(jié)構(gòu)物。因此，在本實(shí)施例中，適當(dāng)?shù)厥÷耘c實(shí)施例1重復(fù)的說明，并且對于與實(shí)施例1共同的地方附加相同的標(biāo)號來表示。
圖8是表示本實(shí)施例的主要部分的平面圖，圖9是圖8的B-B’線處的剖面圖。如上所述，插塞802和805的孔徑，例如是0.5μm左右，比其它的接觸孔小。為此，可以使像素間隙變得更窄。另外，在該情況下，由于插塞802與TFT30接近，所以多少具有對TFT30進(jìn)行遮光的功能。另外，使用插塞的情況下的接觸孔，一般地說縱橫比都大于等于1。
插塞802和805具有例如從外側(cè)開始依次形成Ti、TiN，而在其內(nèi)側(cè)形成了W的芯的結(jié)構(gòu)。具體地說，例如，按圖示的形狀把層間絕緣膜42、43形成開口，再用濺射法在其內(nèi)部依次地形成20nm的Ti、25nm的TiN。Ti減小與作為多晶硅的電容電極300的接觸電阻，并且TiN改善W的附著，所以優(yōu)選Ti和TiN。此外，用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)汽相淀積)法形成500nm厚度的W。使用CVD法與濺射法等比較覆蓋率非常好，所以即使是這樣深的孔也可以完善地填埋。但是，要用該方法完善地進(jìn)行填埋，需要使成膜的總膜厚大于等于孔的半徑。為此，優(yōu)選地把插塞802和805的孔徑設(shè)計(jì)得小。最后，通過蝕刻從第3層間絕緣膜43的表面除去填埋用的材料的疊層物。以上雖然是用Ti/TiN/Ti的3層形成插塞的例子，但并不是必須采用該結(jié)構(gòu)，也可以設(shè)計(jì)成使用這些層之中的1層。
另外，由于插塞802和805的長度彼此不同，所以各自的孔可以分別地形成開口，也可以把第2中繼線電極6a2作為阻塞物使用，同時(shí)地使雙方形成開口。在后者的情況下，可以同時(shí)地形成插塞802和805，與現(xiàn)有技術(shù)比可以減少工序數(shù)。
如上所述，在實(shí)施例2中，由于通過插塞802一氣地把以層間絕緣膜42、43介于中間而相對的電容布線400與電容電極300連接起來，即，由于用1個(gè)插塞貫通多個(gè)層間絕緣膜，所以可以進(jìn)一步地實(shí)現(xiàn)窄間隙化。此外，插塞802可以在附近對TFT30進(jìn)行遮光。
3.變形例下面，對實(shí)施例的變形例進(jìn)行說明。
圖10是將插塞802的變形例的插塞803與圖8對應(yīng)地表示的平面圖。在圖10中，插塞803具有非開口區(qū)域的寬度方向(即圖10的Y方向，并沿著溝道長度的方向)上的側(cè)緣沿著TFT30的一端延伸的平面形狀。即，雖然插塞803在非開口區(qū)域的延伸方向(即，圖10的X方向)上的寬度與插塞802是同樣的，但在非開口區(qū)域的寬度方向(沿著溝道長度的方向)上，其寬度與TFT30的半導(dǎo)體層1a同等，即大于等于溝道區(qū)域1a’的長度(溝道長度)。
因此，由于插塞803從X方向看與插塞802同等地變細(xì)，所以可以進(jìn)一步地實(shí)現(xiàn)窄間隙化。同時(shí)，從Y方向看與上述接觸孔801同樣，側(cè)壁面成為從層間絕緣膜42到層間絕緣膜43的高度的屏障，可以很好地遮擋從斜上方對TFT30入射的光。
另外，如在實(shí)施例2中所述的那樣，從其成膜時(shí)的狀態(tài)看，雖然優(yōu)選填埋W的孔是直徑小的一方，但在孔形狀細(xì)長的插塞803的情況下，由于X方向的直徑小，所以與插塞802同樣地可進(jìn)行良好的孔填埋。
此外，雖然在以上的實(shí)施例等中的接觸孔801、插塞802和803各自僅設(shè)置1個(gè)，但本發(fā)明的接觸孔并不一定必須是1個(gè)，也可以設(shè)置多個(gè)。具體地說，也可以象接觸孔801的形成區(qū)域那樣地在寬的區(qū)域內(nèi)配置多個(gè)接觸孔，或者在可以形成開口的地方分散地配置。在這種情況下，例如有伴隨為了窄間隙化等的目的進(jìn)行的布局變更而限制接觸孔的形成區(qū)域的情況，或考慮TFT的有效的遮光而設(shè)計(jì)接觸孔的配置以及形狀的情況等。
4.實(shí)施例3下面，參看圖11到圖14對本發(fā)明的電光裝置的實(shí)施例3進(jìn)行說明。
本實(shí)施例的電光裝置的整體結(jié)構(gòu)與參看圖1和圖2說明的實(shí)施例1是同樣的。此外，關(guān)于本實(shí)施例的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)，像素部的等效電路與在實(shí)施例1中參看圖3說明的等效電路是同樣的。此外，像素部的原理性的結(jié)構(gòu)也與在實(shí)施例1中說明的結(jié)構(gòu)是同樣的。圖11到圖13是表示TFT陣列基板上的像素部的部分結(jié)構(gòu)的平面圖。圖11和圖12分別相當(dāng)于后述的疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)的下層部分(圖11)和上層部分(圖12)。圖13是把疊層結(jié)構(gòu)放大的平面圖，它把圖11和圖12重疊的圖。圖14是把圖11和圖12重疊的情況下的A-A’剖面圖。另外，在圖14中，為了使各層和各部件在圖上達(dá)到可以識別的程度的大小，適當(dāng)?shù)刈兏烁鲗雍透鞑考目s放比率。
4-1.像素部的具體的結(jié)構(gòu)下面，參看圖11到圖14對實(shí)現(xiàn)上述動(dòng)作的像素部的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
在圖11到圖14中，上述的像素部的各個(gè)電路要素，作為圖形化的疊層的導(dǎo)電膜構(gòu)筑在TFT陣列基板10上。TFT陣列基板10，例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板、半導(dǎo)體基板等構(gòu)成，與例如由玻璃基板或石英基板構(gòu)成的對置基板20相對配置。此外，各個(gè)電路要素，從下邊開始按順序由包括掃描線11a的第1層、包括柵極電極3a的第2層、包括存儲電容70的固定電位側(cè)電容電極的第3層、包括數(shù)據(jù)線6a等的第4層、包括電容布線400等的第5層以及包括像素電極9a等的第6層構(gòu)成。此外，分別地在第1層與第2層間設(shè)置基底絕緣膜12，在第2層與第3層間設(shè)置第1層間絕緣膜41，在第3層與第4層間設(shè)置第2層間絕緣膜42，在第4層與第5層間設(shè)置第3層間絕緣膜43，在第5層與第6層間設(shè)置第4層間絕緣膜44，以防止上述的各個(gè)要素間短路。另外，其中從第1層到第3層作為下層部分示于圖11，從第4層到第6層作為上層部分示于圖12。
第1層的結(jié)構(gòu)(掃描線等).
第1層由掃描線11a構(gòu)成。掃描線11a被圖形化成由沿著圖11的X方向延伸的本線部和在數(shù)據(jù)線6a或電容布線400所延伸的圖4的Y方向上延伸的突出部構(gòu)成的形狀。這樣的掃描線11a，例如由導(dǎo)電性多晶硅構(gòu)成，除此之外，也可以由含有鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等的高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物或它們的疊層體等構(gòu)成。
第2層的結(jié)構(gòu)(TFT等).
第2層由TFT30和中繼電極719構(gòu)成。TFT30例如采用LDD(輕摻雜漏極lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)，具備柵極電極3a、半導(dǎo)體層1a、包括使柵極電極3a和半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2。柵極電極3a例如由導(dǎo)電性多晶硅形成。半導(dǎo)體層1a例如由多晶硅形成，由溝道區(qū)域1a’、低濃度源區(qū)域1b和低濃度漏區(qū)域1c以及高濃度源區(qū)域1d和高濃度漏區(qū)域1e構(gòu)成。另外，雖然優(yōu)選TFT30具有LDD結(jié)構(gòu)，但也可以是不向低濃度源區(qū)域1b和低濃度漏區(qū)域1c進(jìn)行雜質(zhì)注入的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，也可以是以柵極電極3a為掩模高濃度地注入雜質(zhì)形成高濃度源區(qū)域和高濃度漏區(qū)域的自我整合型結(jié)構(gòu)。此外，中繼電極719例如可以形成為與柵極電極3a同一膜。
TFT30的柵極電極3a通過在基底絕緣膜12上形成的接觸孔12cv與掃描線11a電連接。基底絕緣膜12例如由硅氧化膜等構(gòu)成，除了具有第1層和第2層的層間絕緣的功能之外，通過在TFT陣列基板10的整個(gè)面上形成，還具有防止由基板表面的研磨產(chǎn)生的表面粗糙或污跡等引起的TFT30的元件特性的變化的功能。
第3層的結(jié)構(gòu)(存儲電容等)第3層由存儲電容70構(gòu)成。存儲電容70具有電容電極(存儲電容的固定電位側(cè)電極)300和下部電極(存儲電容的像素電位側(cè)電極)71以電介質(zhì)膜75介于中間相對地配置的結(jié)構(gòu)。其中，構(gòu)成本發(fā)明的“固定電位側(cè)電極”的一個(gè)例子的電容電極300與電容布線400電連接。構(gòu)成本發(fā)明的“像素電位側(cè)電極”的一個(gè)例子的下部電極71分別電連到TFT30的高濃度漏區(qū)域1e和像素電極9a上。
下部電極71和高濃度漏區(qū)域1e通過在第1層間絕緣膜41上形成了開口的接觸孔83連接。此外，下部電極71和像素電極9a通過接觸孔881、882、804對中繼電極719、第2中繼電極6a2的各層進(jìn)行中繼所構(gòu)成的路徑電連接。
這樣的電容電極300例如由至少包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔點(diǎn)金屬中的一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物、把它們疊層的疊層體構(gòu)成，或者優(yōu)選地由鎢硅化物構(gòu)成。由此，電容電極具有遮擋從上側(cè)向TFT30入射的光的功能。此外，下部電極71可使用例如導(dǎo)電性的多晶硅。
電介質(zhì)膜75例如由膜厚約5到200nm左右的比較薄的HTO(高溫氧化物)膜、LTO(低溫氧化物)膜的氧化硅膜或氮化硅膜等構(gòu)成。
此外，第1層間絕緣膜41例如由NSG(非硅酸鹽玻璃)形成。除此之外，第1層間絕緣膜41還可以使用PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等。
另外，由圖11的平面圖可知，由于該情況下的存儲電容70被形成為不延伸到與像素電極9a的形成區(qū)域大致對應(yīng)的像素開口區(qū)域(被限制在非開口區(qū)域內(nèi))，所以可以維持比較大的像素開口率。
第4層的結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)線等)第4層由數(shù)據(jù)線6a構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a形成為從下邊開始依次為鋁、氮化鈦、氮化硅的3層膜。氮化硅層被圖形化為稍大一點(diǎn)的尺寸以覆蓋其下層的鋁層和氮化鈦層。此外，在第4層上，作為與數(shù)據(jù)線6a同一膜形成有第2中繼電極6a2。如圖12所示，它們被形成為各自分隔開來。
其中，數(shù)據(jù)線6a通過貫通第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42的接觸孔81與TFT30的高濃度源區(qū)域1d電連接。此外，如上所述，第2中繼電極6a2通過貫通第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42的接觸孔882與中繼電極719電連接。這樣的第2層間絕緣膜42可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
第5層的結(jié)構(gòu)(電容布線等).
第5層由電容布線400構(gòu)成。電容布線400作為本發(fā)明的“屏蔽層”的一個(gè)具體例子，具有對像素電極9a進(jìn)行免受來自其下層的數(shù)據(jù)線6a等的布線的影響的電磁屏蔽的功能，其一直延伸設(shè)置到圖像顯示區(qū)域10a的周圍，并通過與恒定電位源電連接而具有固定電位。此外，電容布線400為了覆蓋其下層的數(shù)據(jù)線6a、掃描線11a和TFT30等而被形成得比這些電路要素的結(jié)構(gòu)的寬度更寬。即，電容布線400被形成得無論是在數(shù)據(jù)線6a的寬度方向上還是在掃描線11a的寬度方向上都比它們更粗。因此，各個(gè)電路要素都被遮光并使入射光反射而可以防止投影圖像中的像素的輪廓模糊等的壞影響。另外，電容布線400具有將例如鋁、氮化鈦疊層起來的2層結(jié)構(gòu)。
此外，電容布線400的X方向延伸部分和Y方向的延伸部分正好交叉的角部具有大致三角形的檐部稍微突出的形狀(倒角后的形狀)。通過該檐部可以有效地進(jìn)行對TFT30的半導(dǎo)體層1a的遮光。即，通過由檐部反射或吸收相對于半導(dǎo)體層1a從斜上方進(jìn)入的光，可以抑制TFT30中的光漏泄電流的發(fā)生，從而可以顯示沒有閃爍等的高質(zhì)量的圖像。
構(gòu)成本發(fā)明的“屏蔽層”的一個(gè)例子的這樣的電容布線400，通過一氣地貫通第3層間絕緣膜43和第2層間絕緣膜42的接觸孔801與作為本發(fā)明的“像素電位側(cè)電極”的一個(gè)例子的存儲電容70的電容電極300電連接。由于在接觸孔801內(nèi)埋入了電容布線400，所以其底面或側(cè)壁面反射或吸收光。此外，如圖13所示，接觸孔801被配置成在非開口區(qū)域的延伸方向(即圖13的X方向)上與TFT30并列并且與TFT30的一端部分地重疊。此外，接觸孔801的孔徑大，該孔徑的溝道長度方向上的寬度(非開口區(qū)域的寬度方向上的寬度)等于或大于TFT30的溝道區(qū)域1a’的長度(溝道長度)。此外，如圖14所示，接觸孔801，底面位于第3層上，比電容布線400等的其它的遮光層更接近半導(dǎo)體層1a。因此，可以更為確實(shí)地對TFT30特別是對半導(dǎo)體層1a進(jìn)行遮光。
即，接觸孔801的側(cè)壁面成為從層間絕緣膜42到層間絕緣膜43的高度的屏障，可以很好地遮擋從斜上方對TFT30入射的光。此外，其寬度寬的底面可以很好地對TFT30進(jìn)行遮光。
然而，由于考慮到對從第3層間絕緣膜43到第2層間絕緣膜42的深度的蝕刻比較困難，所以通常采用在第2層間絕緣膜42上設(shè)置中繼層，通過該中繼層把在各個(gè)層間絕緣膜上形成的接觸孔在層面的垂直方向上連結(jié)起來的方法。但是，在使像素部窄間隙化的情況下，比起接觸孔的深度來，其形成區(qū)域的大小就更成了問題。即，各個(gè)接觸孔從平面看無法重疊到一處地形成(例如，參看圖13、圖14中的接觸孔882、804和89)，而是設(shè)置在彼此錯(cuò)開的位置上。因此，由于需要在各個(gè)接觸孔的周邊確保余量區(qū)域，所以從結(jié)果上看接觸孔整體的形成區(qū)域變大了。由圖14可知，雖然連接電容布線400和電容電極300的接觸孔必須設(shè)置為從數(shù)據(jù)線6a和第2中繼電極6a2的間隙通過而貫通，但如果通過窄間隙化使得該間隙變窄后，這樣的結(jié)構(gòu)的接觸孔的形成就變得困難。本發(fā)明的發(fā)明者確認(rèn)，當(dāng)像素間隙成為10μm左右時(shí)，就不能充分地確保接觸孔的形成區(qū)域。
對此，在本實(shí)施例中，形成了僅用接觸孔801連接電容布線400和電容電極300的結(jié)構(gòu)。雖然接觸孔801的形成區(qū)域與其它的接觸孔相比較大，但與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)相比為同等或同等以下的大小。
此外，在上述的結(jié)構(gòu)中，存在光從接觸孔彼此間的間隙向TFT30側(cè)漏泄而成為光漏泄電流的起因的可能性。對此，在本實(shí)施例中，如圖14所示，上述接觸孔801可以遮擋從斜上方進(jìn)入的光，從而可以防止向TFT30側(cè)的光漏泄。
此外，在此，將接觸孔801的縱橫比，即深度對于寬度的比率設(shè)為小于等于1。通常，在接觸孔深(即，縱橫比大于1的情況下)的情況下，當(dāng)用濺射法形成內(nèi)部的布線時(shí)，則存在因接觸孔內(nèi)部的覆蓋率降低而產(chǎn)生不連續(xù)部分的可能性。但是，接觸孔801由于孔徑大，所以可以防止這樣的連接不良的發(fā)生，與孔徑窄的情況相比，形成開口本身也可以容易地進(jìn)行。
在這樣的第5層的下面，整個(gè)面地形成有第3層間絕緣膜43。第3層間絕緣膜43可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
第6層的結(jié)構(gòu)(像素電極等).
在第5層的整個(gè)面上形成第4層間絕緣膜44，再在其上作為第6層形成有像素電極9a。第4層間絕緣膜44可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。
另外，由于第4層間絕緣膜44在孔徑大的接觸孔801上形成，所以形成后的表面往往會在接觸孔801的正上方凹陷。但是，在本實(shí)施例中，預(yù)先把第4層間絕緣膜44形成得比較厚，而且對其表面實(shí)施了CMP處理。在CMP處理中，在固定到例如研磨板上的研磨墊上，邊使含有二氧化硅顆粒的液態(tài)的研磨漿(化學(xué)研磨液)流動(dòng)邊使基板表面旋轉(zhuǎn)接觸而化學(xué)和機(jī)械地進(jìn)行表面研磨。其它的平坦化處理還可以舉出機(jī)械研磨處理等。通過這樣的處理，第4層間絕緣膜44的表面被平坦化，從而可以防止液晶層50中的液晶取向的紊亂而顯示高質(zhì)量的圖像。像素電極9a(在圖12中用虛線9a’表示其輪廓)，配置在縱橫地分區(qū)排列的各個(gè)像素區(qū)域，并形成為使得在其邊界上數(shù)據(jù)線6a和掃描線11a排列成網(wǎng)格狀(參看圖11和圖12)。此外，像素電極9a例如由ITO(氧化銦錫)等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。
這樣的像素電極9a通過一氣地貫通層間絕緣膜44和43的接觸孔804與作為本發(fā)明的“第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分”的一個(gè)例子的第2中繼電極6a2電連接(參看圖14)。因此，雖然接觸孔804的形成區(qū)域與其它的接觸孔相比較大，但與在層間絕緣膜44和43上形成的接觸孔通過中繼層在層面的垂直方向連結(jié)的結(jié)構(gòu)相比為同等或同等以下的大小。因此，該電光裝置可以應(yīng)對窄間隙化。
此外，接觸孔804在非開口區(qū)域的延伸方向(即，圖13的X方向)上延伸以使得即使是在非開口區(qū)域中也可避開別的接觸孔，因而在有限的區(qū)域內(nèi)可使孔徑盡可能地大。因此，在接觸孔804內(nèi)部形成的像素電極9a的覆蓋率變得良好，從而可以防止連接不良的發(fā)生。此外，與孔徑小的情況相比可以比較容易地形成深的孔。另外，在該像素電極9a上形成有取向膜16。以上是TFT陣列基板10側(cè)的像素部的結(jié)構(gòu)。
另一方面，在對置基板20上，在其相對面的整個(gè)面上設(shè)置有對置電極21，再在其上(在圖13中為對置電極21的下側(cè))上設(shè)置了取向膜22。對置電極21與像素電極9a同樣，例如由ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。另外，在對置基板20與對置電極21之間，為了防止TFT30的光漏泄電流的發(fā)生，把遮光膜23設(shè)置為至少覆蓋與TFT30正對的區(qū)域。
在這樣地構(gòu)成的TFT陣列基板10與對置基板20之間設(shè)置有液晶層50。液晶層50通過在由密封部件把基板10和20的周緣部密封形成的空間內(nèi)封入液晶而形成。液晶層50在未給像素電極9a和對置電極21之間施加電場的狀態(tài)下，通過實(shí)施了摩擦處理等的取向處理的取向膜16和取向膜22獲得指定的取向狀態(tài)。
以上說明的像素部的結(jié)構(gòu)，如圖11和圖12所示，對于各個(gè)像素部都是共同的。在上述的圖像顯示區(qū)域10a(參看實(shí)施例1中的圖1)中，周期性地形成該像素部。另一方面，在這樣的電光裝置中，在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的周邊區(qū)域，如參看圖1和圖2所說明的那樣，形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路104和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101等的驅(qū)動(dòng)電路。
制造方法.
下面，參看圖15到圖20對這樣的電光裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖15到圖20是按照與圖7對應(yīng)的剖面的順序表示制造工藝中的各個(gè)工序中的電光裝置的疊層結(jié)構(gòu)的工序圖。另外，在此，主要對本實(shí)施例的電光裝置中的作為主要部分的接觸孔801和804的形成工序進(jìn)行說明。
首先，如圖15所示，在TFT陣列基板10上形成從掃描線11a到第3層間絕緣膜43的各層結(jié)構(gòu)而進(jìn)行疊層。這時(shí)，在各個(gè)工序中可以使用通常的半導(dǎo)體集成化技術(shù)。另外，在第3層間絕緣膜43形成后，預(yù)先通過CMP處理等使其表面平坦化。
接著，在圖16所示的工序中，對第3層間絕緣膜43的表面的指定位置實(shí)施蝕刻，達(dá)到電容電極300上的深度開設(shè)接觸孔801。
接著，在圖17所示的工序中，在第3層間絕緣膜43的表面的指定位置上形成電容布線400。這時(shí)，也在接觸孔801內(nèi)部形成電容布線400，由于接觸孔801的孔徑大，所以覆蓋率是良好的。
假定在取代接觸孔804而通過層間的中繼層把在層間絕緣膜43、44的各層上形成的接觸孔連結(jié)的情況下，必須在該工序的前后在第3層間絕緣膜43上形成達(dá)到第2中繼電極6a2的接觸孔。對此，由于本實(shí)施例的接觸孔804在以后的工序中一次地形成，所以沒有必要這樣麻煩。
接著，在圖18所示的工序中，在TFT陣列基板10的整個(gè)面上形成第4層間絕緣膜的前驅(qū)膜44a。在前驅(qū)膜44a的表面上將產(chǎn)生起因于接觸孔801的凹凸。因此，稍厚地形成前驅(qū)膜44a，并通過利用例如CMP處理研磨到圖中的虛線的位置而使其表面平坦化來獲得第4層間絕緣膜44。
接著，在圖19所示的工序中，對第4層間絕緣膜44的表面的指定位置實(shí)施蝕刻，達(dá)到第2中繼電極6a2的深度開設(shè)接觸孔804。
接著，在圖20所示的工序中，在第4層間絕緣膜44的表面的指定位置形成像素電極9a。這時(shí)，也在接觸孔804內(nèi)部形成像素電極9a，由于接觸孔804的孔徑大，所以覆蓋率是良好的。
如上所述，在實(shí)施例3中，由于通過接觸孔804一氣地把以層間絕緣膜43、44介于中間相對的像素電極9a和第2中繼電極6a2連接起來，并且通過接觸孔801一氣地把以層間絕緣膜42、43介于中間相對的電容布線400和電容電極300連接起來，所以可以縮小接觸孔801和804的形成區(qū)域，從而可以實(shí)現(xiàn)窄間隙化。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化和高精度化。
此外，通過將以1個(gè)接觸孔貫通多個(gè)層間絕緣膜的這樣的接觸孔形成多個(gè)，并且由這些接觸孔彼此貫通的多個(gè)層間絕緣膜之中的一部分是相同的層間絕緣膜，即，通過形成貫通上層側(cè)(液晶層側(cè))的多個(gè)層間絕緣膜(44和43)的接觸孔804以及貫通多個(gè)層間絕緣膜(44和43)之中的下層側(cè)的一部分的層間絕緣膜43和位于更下層的層間絕緣膜42的接觸孔801這2個(gè)接觸孔，并使貫通下層側(cè)的多個(gè)層間絕緣膜的接觸孔801的配置位置配置在比在上層側(cè)貫通多個(gè)層間絕緣膜的接觸孔804的配置位置更接近TFT30(半導(dǎo)體層1a)的位置上，可以有效地進(jìn)行對TFT30的半導(dǎo)體層1a的遮光。即，由于由共同地利用一部分的層間絕緣膜而貫通多個(gè)層間絕緣膜的多個(gè)接觸孔遮擋相對于半導(dǎo)體層1a從斜上方進(jìn)入的光，所以可以抑制TFT30中的光漏泄電流的發(fā)生，從而可以顯示沒有閃爍等的高質(zhì)量的圖像。
此外，通過構(gòu)成為各自的接觸孔801和804把多個(gè)層間絕緣膜一氣地連接起來，與在各個(gè)層間絕緣膜上開設(shè)接觸孔再把它們連接起來的情況相比也可以削減制造工序。
特別是，其中通過分別地形成接觸孔801和接觸孔804，可以削減形成接觸孔的工序數(shù)，從而可以有效地制造電光裝置。
另外，接觸孔801，由于為了在內(nèi)部形成電容布線400而具有遮光功能，其形成位置不論是平面上還是從剖面上看都比其它的遮光膜更接近半導(dǎo)體層1a，所以可以更為確實(shí)地進(jìn)行遮光。因此，可以防止光漏泄電流的發(fā)生，從而可以進(jìn)行高質(zhì)量的顯示。
5.實(shí)施例4下面，對本發(fā)明的實(shí)施例4進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，取代實(shí)施例3中的接觸孔801，由填埋到接觸孔內(nèi)的插塞802把電容布線400和存儲電容70的電容電極300連接起來。此外，取代接觸孔804而在接觸孔內(nèi)設(shè)置插塞805。所謂插塞是填充了鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等的金屬的例如柱狀(針狀)的金屬結(jié)構(gòu)物。因此，對于本實(shí)施例，適當(dāng)?shù)厥÷耘c實(shí)施例3重復(fù)的說明，并且對于與實(shí)施例3共同的地方附加相同的標(biāo)號來表示。
圖21是表示本實(shí)施例的主要部分的平面圖，圖22是圖21的B-B’線處的剖面圖。這樣，插塞802和805的孔徑例如是0.5μm左右，比其它的接觸孔小。因此，可以使像素間隙變得更窄。另外，在該情況下，由于插塞802接近TFT30，所以也多少具有對TFT30的遮光功能。另外，一般來說使用插塞的情況下的接觸孔的縱橫比大于等于1。
插塞802和805例如具有從外側(cè)開始依次地形成Ti、TiN而在其內(nèi)側(cè)形成W的芯的結(jié)構(gòu)。具體地說，例如，把層間絕緣膜42、43形成圖示的形狀的開口，用濺射法在其內(nèi)部依次地形成20nm厚的Ti、25nm厚的TiN。由于Ti減小與作為多晶硅的電容電極300的接觸電阻，而TiN改善W的附著，所以優(yōu)選地采用Ti和TiN。并且，通過CVD(Chemical VaporDeposition，化學(xué)汽相淀積)法形成500nm厚的W。通過使用CVD法，與濺射法等相比覆蓋率變得非常好，即使是這樣深的孔也可以完善地填埋。但是，如果用該方法完全地填埋的話，需要使成膜的總膜厚大于等于孔的半徑。為此，優(yōu)選地把插塞802和805的孔徑設(shè)計(jì)得小。最后，通過蝕刻從第3層間絕緣膜43的表面上除去填埋用材料的疊層物。以上雖然是用Ti/TiN/Ti這3層形成插塞的例子，但并不是必須采用這種結(jié)構(gòu)，也可以使用這些層之中的1層。
另外，由于插塞802和805長度彼此不同，所以可以分別地形成各自的開口，也可以通過將第2中繼線電極6a2作為阻擋層使用，同時(shí)地使雙方形成開口。在后者的情況下，可以同時(shí)地形成插塞802和805，與現(xiàn)有技術(shù)比可以削減工序數(shù)。
這樣，在實(shí)施例4中，由于由插塞805一氣地把以層間絕緣膜43、44介于中間相對的像素電極9a和第2中繼電極6a2連接起來，并由插塞802一氣地把以層間絕緣膜42、43介于中間相對的電容布線400和電容電極300連接起來，所以對于窄間隙化是極其有利的。除此之外的效果與實(shí)施例3是同樣的。
6.電子設(shè)備下面，對于作為將以上詳細(xì)地說明的電光裝置作為光閥使用的電子設(shè)備的一個(gè)例子的投影型彩色顯示裝置的實(shí)施例，對其整體結(jié)構(gòu)，特別是對光學(xué)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在此，圖23是表示投影型彩色顯示裝置的剖面圖。
在圖23中，作為實(shí)施例1到4中的投影型彩色顯示裝置的一個(gè)例子的液晶投影機(jī)1100構(gòu)成為準(zhǔn)備3個(gè)包括在TFT陣列基板上安裝了驅(qū)動(dòng)電路的液晶裝置的液晶組件并分別用作RGB用的光閥100R、100G和100B的投影機(jī)。在液晶投影機(jī)1100中，當(dāng)從金屬鹵化物燈等的白色光源的燈單元1102發(fā)出投影光后，該投影光由3塊反射鏡1106和2塊分色鏡1108分成與RGB的3原色對應(yīng)的光成分R、G和B，并分別被引導(dǎo)到與各色對應(yīng)的光閥100R、100G和100B上。這時(shí)，特別地為了防止由于長的光路而造成光損耗，B光通過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和出射透鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)1121引導(dǎo)。并且，與分別由光閥100R、100G和100B調(diào)制的3原色對應(yīng)的光成分，通過分色棱鏡1112再次合成后，通過投影透鏡1114作為彩色圖像被投影到屏幕1120上。
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施例，在不違反權(quán)利要求和全部說明書的發(fā)明的要點(diǎn)或想法的范圍內(nèi)可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更，而隨著這樣的變更所產(chǎn)生的電光裝置以及具備這樣的電光裝置而構(gòu)成的電子設(shè)備也都是包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)的。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成的、具有以電介質(zhì)膜介于中間而相對配置的固定電位側(cè)電極和像素電位側(cè)電極的存儲電容；配置在上述存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜；在像素間的非開口區(qū)域內(nèi)把上述多個(gè)層間絕緣膜一氣地貫通的接觸孔；在上述層間絕緣膜上形成的、并且由通過上述接觸孔與上述存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的屏蔽層；在比上述屏蔽層更上層一側(cè)的層間絕緣膜上形成的、通過上述存儲電容的像素電位側(cè)電極與上述薄膜晶體管電連接的像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于還具備平面看配置在上述非開口區(qū)域內(nèi)并且配置在上述多個(gè)層間絕緣膜的層間的第2導(dǎo)電性遮光膜；上述接觸孔，平面看貫通上述非開口區(qū)域中未形成上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域，上述像素電極對上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分進(jìn)行中繼而與上述像素電位側(cè)電極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于上述數(shù)據(jù)線，配置在配置有上述第2導(dǎo)電性遮光膜的層間絕緣膜之上，用與上述第2導(dǎo)電性遮光膜相同的材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔的一側(cè)緣，平面看沿著上述薄膜晶體管的一端延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔平面看以至少一部分與上述薄膜晶體管的一端重疊的方式配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔，在上述非開口區(qū)域的延伸方向上與上述薄膜晶體管并列，在上述非開口區(qū)域的寬度方向上，上述接觸孔的寬度等于或大于上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔，被形成為插塞。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔，縱橫比小于等于1。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光裝置，其特征在于上述接觸孔由在上述屏蔽層上形成的基底膜埋入，且上述基底膜的表面被實(shí)施了平坦化處理。
10.一種電光裝置，其特征在于，具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成的、具有以電介質(zhì)膜介于中間而相對配置的固定電位側(cè)電極和與上述薄膜晶體管電連接的像素電位側(cè)電極的存儲電容；配置在上述存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜；由在比上述存儲電容更上層一側(cè)且平面看在像素間的非開口區(qū)域內(nèi)的上述多個(gè)層間絕緣膜之間形成的、同時(shí)與上述固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的屏蔽層；把上述多個(gè)層間絕緣膜作為基底形成的、平面看在上述非開口區(qū)域內(nèi)在不存在上述屏蔽層的區(qū)域?qū)⑸鲜龆鄠€(gè)層間絕緣膜一氣地貫通的像素電極用接觸孔；通過上述像素電極用接觸孔與上述存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接的像素電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電光裝置，其特征在于上述像素電極用接觸孔平面看沿著上述非開口區(qū)域的延伸方向延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的電光裝置，其特征在于上述像素電極用接觸孔，被形成為插塞。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的電光裝置，其特征在于上述像素電極用接觸孔，縱橫比小于等于1。
14.根據(jù)權(quán)利要求10到13中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于還具備配置在上述屏蔽層與上述固定電位側(cè)電極的層間并且平面看配置在上述非開口區(qū)域內(nèi)的第2導(dǎo)電性遮光膜；上述像素電極，通過上述像素電極用接觸孔與上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分一氣地連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電光裝置，其特征在于上述數(shù)據(jù)線，配置在配置有上述第2導(dǎo)電性遮光膜的層間絕緣膜之上，用與上述第2導(dǎo)電性遮光膜相同的材料構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的電光裝置，其特征在于上述屏蔽層，把疊層到上述多個(gè)層間絕緣膜中比上述屏蔽層更下層一側(cè)的1個(gè)層間絕緣膜和配置在上述存儲電容上的另一層間絕緣膜作為基底形成，平面看在上述非開口區(qū)域內(nèi)通過在不存在上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域一氣地貫通上述一個(gè)和另一個(gè)層間絕緣膜的屏蔽層用接觸孔與上述固定電位側(cè)電極電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電光裝置，其特征在于在比上述屏蔽層更下層一側(cè)疊層的上述一個(gè)層間絕緣膜，是在上述像素電極用接觸孔所貫通的上述多個(gè)層間絕緣膜中包含的層間絕緣膜，上述屏蔽層用接觸孔比上述像素電極用接觸孔更接近上述薄膜晶體管地配置。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電光裝置，其特征在于上述屏蔽層用接觸孔，被形成為插塞。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電光裝置，其特征在于上述屏蔽層用接觸孔，縱橫比小于等于1。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1到19中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置。
21.一種電光裝置的制造方法，該電光裝置具備在基板上彼此交叉地進(jìn)行延伸的數(shù)據(jù)線和掃描線；在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)地配置的薄膜晶體管；具有像素電位側(cè)電極和固定電位側(cè)電極、在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)形成、上述像素電位側(cè)電極與上述薄膜晶體管電連接的存儲電容；由在比上述存儲電容更上層一側(cè)且在平面看像素間的非開口區(qū)域內(nèi)形成的、同時(shí)與上述固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成的、在多個(gè)層間絕緣膜之間疊層的屏蔽層；把上述多個(gè)層間絕緣膜作為基底形成的、與上述存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接的像素電極；其特征在于，包括在上述基板上平面看與上述數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成上述薄膜晶體管的工序；在比上述薄膜晶體管更上層一側(cè)，形成上述存儲電容的工序；在上述存儲電容上，以使連接到上述存儲電容的像素電位側(cè)電極上的第2導(dǎo)電性遮光膜介于層間的方式疊層多個(gè)層間絕緣膜的工序；以在平面看上述非開口區(qū)域之中未形成上述第2導(dǎo)電性遮光膜的區(qū)域通過而將上述多個(gè)層間絕緣膜一氣地貫通并達(dá)到上述存儲電容的固定電位側(cè)電極的方式，在上述多個(gè)層間絕緣膜的表面開設(shè)屏蔽層用接觸孔的工序；在開設(shè)了上述屏蔽層用接觸孔的層間絕緣膜表面形成上述屏蔽層的工序；在上述屏蔽層上，形成將成為上述像素電極的基底的基底層的工序；在上述基底層的表面，以將包含上述基底層的多個(gè)層一氣地貫通并到達(dá)上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分的方式，開設(shè)使上述像素電極電連接到上述第2導(dǎo)電性遮光膜的一部分上的像素電極用接觸孔的工序；在開設(shè)了上述像素電極用接觸孔的基底層表面，形成上述像素電極的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，在電光裝置中在以簡單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)小型化和高精度化的同時(shí)進(jìn)行高質(zhì)量的顯示。在基板上設(shè)置數(shù)據(jù)線、掃描線、薄膜晶體管、存儲電容、屏蔽層和像素電極。屏蔽層以配置在存儲電容上的多個(gè)層間絕緣膜為基底在像素間的非開口區(qū)域內(nèi)形成，并且由通過一氣地貫通多個(gè)層間絕緣膜的接觸孔與存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接的第1導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成。此外，屏蔽層與存儲電容的固定電位側(cè)電極電連接，像素電極配置在屏蔽層的更上層側(cè)并且通過以多個(gè)層間絕緣膜為基底形成的一氣地貫通多個(gè)層間絕緣膜的像素電極用接觸孔與存儲電容的像素電位側(cè)電極電連接。
文檔編號G09F9/30GK1637564SQ200510000600
公開日2005年7月13日 申請日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月7日
發(fā)明者佐藤尚 申請人:精工愛普生株式會社