專利名稱：：具有顯示裝置的便攜式電話、照相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、投影儀和電子書的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體地說(shuō)，涉及一種通過(guò)電壓灰度方法和時(shí)間比例灰度方法進(jìn)行灰度顯示的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)一種制造半導(dǎo)體裝置的技術(shù)已經(jīng)快速發(fā)展，在該半導(dǎo)體裝置中將半導(dǎo)體薄膜形成在便宜的玻璃基底上，比如薄膜晶體管(TFT)。由于對(duì)有源矩陣型顯示裝置的日益增長(zhǎng)的需要使這種技術(shù)飛速發(fā)展。在有源矩陣顯示裝置中，按矩陣排列的多達(dá)幾十萬(wàn)到幾百萬(wàn)個(gè)像素區(qū)域中的每一個(gè)像素區(qū)域中都放置一個(gè)像素TFT，并通過(guò)像素TFT的切換功能控制流進(jìn)和流出與每個(gè)像素TFT連接的像素電極的電荷。當(dāng)以較高的清晰度和較高的分辨率顯示圖象時(shí)，近年來(lái)已經(jīng)產(chǎn)生了對(duì)多灰度顯示(理想地，全色顯示)的需求。隨著顯示裝置朝著更高清晰度和更高分辨率方向的發(fā)展，已經(jīng)極大地引起人們關(guān)注的有源矩陣顯示裝置是一種能夠以較高的速度驅(qū)動(dòng)的數(shù)字驅(qū)動(dòng)有源矩陣顯示裝置。數(shù)字驅(qū)動(dòng)有源矩陣顯示裝置需要D/A轉(zhuǎn)換器電路(DAC)以將從外部輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)(電壓灰度)。已經(jīng)有不同種類的D/A轉(zhuǎn)換器電路。數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的有源矩陣顯示裝置的多灰度顯示能力取決于D/A轉(zhuǎn)換器電路的能力，即，D/A轉(zhuǎn)換器電路能夠?qū)?shù)字視頻數(shù)據(jù)的多少位轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)。例如，通常，具有能夠處理2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換器電路的顯示裝置能夠進(jìn)行22＝4種灰度級(jí)顯示。如果該電路能夠處理8位，則該裝置能夠具有28＝256種灰度級(jí)顯示，如果為n位，則為2n種灰度級(jí)顯示。然而，提高D/A轉(zhuǎn)換器電路的能力要以增加D/A轉(zhuǎn)換器電路的電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和加大設(shè)計(jì)面積為代價(jià)。依據(jù)最近報(bào)告的顯示裝置，應(yīng)用多晶硅TFT，將D/A轉(zhuǎn)換器電路和有源矩陣電路形成在同一基底上。在這種情況下，復(fù)雜的D/A轉(zhuǎn)換器電路的結(jié)構(gòu)降低了D/A轉(zhuǎn)換器電路的產(chǎn)量，導(dǎo)致降低了顯示裝置的產(chǎn)量。此外，增加D/A轉(zhuǎn)換器電路的設(shè)計(jì)面積使其難于降低顯示裝置的尺寸。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是基于對(duì)上述問(wèn)題的考慮而作出的，因此，本發(fā)明的一個(gè)目的為提供一種能夠進(jìn)行多灰度級(jí)顯示的顯示裝置。首先，參考附圖1，附圖1是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的示意結(jié)構(gòu)圖。參考標(biāo)號(hào)101表示包括數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的顯示器面板。101-1指示一源極驅(qū)動(dòng)器，101-2和101-3表示柵極驅(qū)動(dòng)器，101-4表示具有以矩陣設(shè)置的許多像素TFT的有源矩陣電路。源極驅(qū)動(dòng)器101-1和柵極驅(qū)動(dòng)器101-2、101-3驅(qū)動(dòng)有源矩陣電路。參考標(biāo)號(hào)102表示數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路。需注意的是，顯示裝置和顯示板在本說(shuō)明書中是有區(qū)別的，但還需指出的是，包括數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路的顯示板也稱為顯示裝置。在從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路102將n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電壓灰度級(jí)的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。通過(guò)時(shí)間比例灰度方法表示m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的(m-n)位數(shù)據(jù)的灰度信息。經(jīng)過(guò)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路102轉(zhuǎn)換的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到顯示板101中。然后將輸入到顯示板101中的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到源極驅(qū)動(dòng)器，并通過(guò)在源極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的D/A轉(zhuǎn)換器電路將其轉(zhuǎn)換為模擬灰度數(shù)據(jù)，然后將其輸送到每個(gè)源極信號(hào)線。接著，在附圖2中示出了本發(fā)明顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例。在附圖2中，參考標(biāo)號(hào)201表示具有模擬驅(qū)動(dòng)器的顯示面板。參考標(biāo)號(hào)201-1表示源極驅(qū)動(dòng)器，201-2和201-3表示柵極驅(qū)動(dòng)器，201-4表示具有以矩陣設(shè)置的多個(gè)像素TFT的有源矩陣電路。源極驅(qū)動(dòng)器201-1和柵極驅(qū)動(dòng)器201-2、201-3驅(qū)動(dòng)有源矩陣電路。參考標(biāo)號(hào)202表示將從外部輸入的模擬視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的A/D轉(zhuǎn)換器電路。參考標(biāo)號(hào)203表示數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路。在輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路203將n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于電壓灰度的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。以時(shí)間比例灰度表示輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的(m-n)位的灰度信息。將通過(guò)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路203轉(zhuǎn)換的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到D/A轉(zhuǎn)換器電路204，以將其轉(zhuǎn)換為模擬視頻數(shù)據(jù)。然后將由D/A轉(zhuǎn)換器電路204轉(zhuǎn)換的模擬視頻數(shù)據(jù)輸送到顯示板201中。然后再將輸入到顯示板201中的模擬視頻數(shù)據(jù)輸入到源極驅(qū)動(dòng)器，并通過(guò)在源極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的采樣電路進(jìn)行采樣，并將其輸送到每個(gè)源極信號(hào)線。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種包括顯示裝置的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種包括顯示裝置的照相機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種包括顯示裝置的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種包括顯示裝置的投影儀，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種包括顯示裝置的電子書，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。在附圖中附圖1為說(shuō)明本發(fā)明的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為說(shuō)明本發(fā)明的另一顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖4所示為在依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置中的有源矩陣電路、源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器的電量結(jié)構(gòu)圖；附圖5所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的灰度顯示電平圖；附圖6所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的一種驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；附圖7所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；附圖8所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的一種驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；附圖9所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖10所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖11所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖12所示為在依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的液晶顯示裝置中的有源矩陣電路、源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器的電路結(jié)構(gòu)圖；附圖13所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的一種驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；附圖14所示為依據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施模式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；附圖15A至15C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖16A至16C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖17A至17C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖18A至18C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖19A至19C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖20A至20C所示為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造過(guò)程示例圖；附圖21所示為依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置橫截面結(jié)構(gòu)圖；附圖22所示為無(wú)閾值反鐵電的混合液晶的所施加的電壓-透射率特性圖；附圖23所示為應(yīng)用依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的三面板型投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖24所示為應(yīng)用依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的三面板型投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖25所示為應(yīng)用依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的單面板型投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖26A和26B分別示出了前置式投影儀和后置式投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖，每一個(gè)投影儀都應(yīng)用了依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置；附圖27所示為應(yīng)用依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的護(hù)目鏡型顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖28為場(chǎng)順序驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖；附圖29所示為應(yīng)用依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖30A至30D所示為應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備的實(shí)例；附圖31A至31D所示為應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備的實(shí)例；附圖32A和32B所示分別為一種EL顯示裝置的頂部視圖和橫截面結(jié)構(gòu)圖；附圖33A和33B所示分別為一種EL顯示裝置的頂部視圖和橫截面結(jié)構(gòu)圖；附圖34所示為一種EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；附圖35A和35B所示分別為在一種EL顯示裝置中頂部視圖和像素部分的塊電路圖；附圖36所示為一種EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；和附圖37A至37C所示為在一種EL顯示裝置中像素部分的電路結(jié)構(gòu)圖；具體實(shí)施方式下面將應(yīng)用優(yōu)選實(shí)施例描述本發(fā)明的顯示裝置。然而，本發(fā)明的顯示裝置并不限于下述的實(shí)施例。附圖3所示為本實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。在這種實(shí)施模式中，為簡(jiǎn)化說(shuō)明將一種顯示裝置作為一實(shí)例，從外部輸送5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)到該顯示裝置。參考標(biāo)號(hào)301表示具有數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的顯示板。301-1表示源極驅(qū)動(dòng)器，301-2和301-3表示柵極驅(qū)動(dòng)器，301-4是具有矩陣排列的許多像素TFT的有源矩陣電路。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度級(jí)處理電路302將從外部輸入的5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于電壓灰度級(jí)方法的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。在5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中，3位灰度級(jí)信息以時(shí)間比例灰度表示。將經(jīng)過(guò)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路302轉(zhuǎn)換的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到顯示板301中。然后將輸入到顯示板301中的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到源極驅(qū)動(dòng)器，并且通過(guò)在源極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的D/A轉(zhuǎn)換器電路(未示)將其轉(zhuǎn)換為模擬灰度級(jí)數(shù)據(jù)，然后將其輸送到每個(gè)源極信號(hào)線。插入在依據(jù)本實(shí)施模式的液晶板中的D/A轉(zhuǎn)換器電路將2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬灰度電壓。這里，說(shuō)明的是在實(shí)施模式1中的顯示裝置中應(yīng)用液晶作為顯示媒體的情況。參考附圖4說(shuō)明顯示板301特別是有源矩陣電路301-4的電路結(jié)構(gòu)。有源矩陣電路301-4具有像素(x×y)。為便于說(shuō)明，應(yīng)用符號(hào)P1，1、P2，1...和Px，y表示每個(gè)像素。此外，每個(gè)像素具有像素TFT301-4-1和存儲(chǔ)電容器301-4-3。在一有源矩陣基底和一與其相對(duì)的基底之間容納有液晶，在有源矩陣基底上形成有源極驅(qū)動(dòng)器301-1、柵極驅(qū)動(dòng)器301-2和301-3和有源矩陣電路301-4。液晶301-4-2示意地說(shuō)明了用于每個(gè)像素的液晶。本實(shí)施模式的數(shù)字驅(qū)動(dòng)器液晶面板通過(guò)每一行(例如，P1，1，P1，2...P1，x)同時(shí)驅(qū)動(dòng)像素即所謂行順序驅(qū)動(dòng)。換句話說(shuō)，將模擬電壓灰度級(jí)一次寫到一行的像素中。這里稱在所有的像素(P1，1到Py，x)中寫模擬電壓灰度所需的時(shí)間為一個(gè)幀周期(Tf)。將一個(gè)幀周期(Tf)分為8個(gè)周期，在本實(shí)施模式中稱這種周期為子幀周期(Tsf)。此外，在一行(例如，P1，1，P1，2...P1，x)的像素中寫模擬電壓灰度所需的時(shí)間稱為一個(gè)子幀行周期(Tsfl)。下面描述本實(shí)施模式的顯示裝置的灰度顯示。從外部輸送到本實(shí)施模式的顯示裝置的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)是5位，其包含32位的灰度級(jí)信息。這里，參考附圖5。附圖5說(shuō)明了這種實(shí)施模式的顯示裝置的灰度顯示級(jí)。電壓電平VL是輸入到D/A轉(zhuǎn)換器電路的電壓的最低的電壓電平。電壓電平VH是輸入到D/A轉(zhuǎn)換器電路的電壓的最高的電壓電平。在本實(shí)施模式中，將在電壓電平VH和電壓電平VL之間電壓級(jí)等分為4個(gè)部分以得到2位的電壓電平，即4灰度級(jí)的電壓電平，并且將電壓電平的每一幅度表示為α。這里α是(α＝(VH-VL)/4)。因此，當(dāng)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址是(00)時(shí)，從本實(shí)施模式的D/A轉(zhuǎn)換器電路中輸出的電壓灰度電平是VL，當(dāng)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址是(01)時(shí)，是VL+α，當(dāng)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址是(10)時(shí)，是VL+2α，當(dāng)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址是(11)時(shí)，是VL+3α。本實(shí)施模式的D/A轉(zhuǎn)換器電路輸出如上所述的4種模式的電壓灰度電平，即VL，(VL+α)，(VL+2α)和(VL+3α)。然后將他們與時(shí)間比例灰度顯示相結(jié)合，本發(fā)明能夠增加顯示裝置的灰度顯示級(jí)(電平)的數(shù)量。在本實(shí)施模式中，對(duì)應(yīng)于5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的3位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的信息是用于時(shí)間比例灰度顯示，以便實(shí)現(xiàn)等于電壓灰度電平的灰度電平的顯示，在該電壓灰度電平中電壓電平的每個(gè)幅度α被大致分成8份。即本實(shí)施模式的顯示裝置可以得到對(duì)應(yīng)于如下的電壓灰度電平的灰度顯示電平VL，(VL+α/8)，(VL+2α/8)，(VL+3α/8)，(VL+4α/8)，(VL+5α/8)，(VL+6α/8)，(VL+7α/8)，(VL+α)(VL+9α/8)，(VL+10α/8)，(VL+11α/8)，(VL+12α/8)，(VL+13α/8)，(VL+14α/8)，(VL+15α/8)，(VL+2α)(VL+17α/8)，(VL+18α/8)，(VL+19α/8)，(VL+20α/8)，(VL+21α/8)，(VL+22α/8)，(VL+23α/8)和(VL+3α)。在下面的表1和表2描述了從外部輸入的5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)地址、時(shí)間比例灰度處理的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)地址和對(duì)應(yīng)的電壓灰度電平以及與時(shí)間比例灰度級(jí)相結(jié)合的灰度顯示電平。表1表2本實(shí)施模式的顯示裝置通過(guò)將一個(gè)幀周期Tf分為8個(gè)子幀周期(第1Tsf，第2Tsf，第3Tsf，第4Tsf，第5Tsf，第6Tsf，第7Tsf和第8Tsf)進(jìn)行顯示。因?yàn)樵谶@種實(shí)施模式顯示裝置中應(yīng)用行順序驅(qū)動(dòng)方法，所以在每一個(gè)子幀行周期(Tsfl)內(nèi)將灰度電壓寫入每個(gè)像素。因此，在與子幀周期(第1Tsf，第2Tsf，第3Tsf和第4Tsf)對(duì)應(yīng)的子幀行周期(第1Tsfl，第2Tsfl，第3Tsfl，第4Tsfl，第5Tsfl，第6Tsfl，第7Tsfl和第8Tsfl)內(nèi)，將經(jīng)時(shí)間比例灰度處理的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址輸入到D/A轉(zhuǎn)換器電路，并輸出灰度電壓。通過(guò)在8個(gè)子幀行周期(第1Tsfl，第2Tsfl，第3Tsfl，第4Tsfl，第5Tsfl，第6Tsfl，第7Tsfl和第8Tsfl)內(nèi)寫入的灰度電壓，以較高的速度顯示8個(gè)子幀。結(jié)果，一幀的顯示灰度級(jí)與在每一個(gè)子幀行周期中通過(guò)對(duì)灰度電壓電平總量進(jìn)行時(shí)間平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。由此同時(shí)實(shí)施了電壓灰度方法和時(shí)間比例灰度法。如在表1和2中所示，在這種實(shí)施模式中，當(dāng)5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址是(11000)至(11111)時(shí)，輸出相同的灰度電壓電平(VL+3α)。因此，即使在應(yīng)用處理2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換器電路的情況下，在本實(shí)施模式的顯示裝置中也能夠?qū)崿F(xiàn)25-7＝25種灰度電平的顯示。應(yīng)用除表1和表2所示的組合以外的組合可以設(shè)定在子幀行周期(第1Tsfl，第2Tsfl，第3Tsfl，第4Tsfl，第5Tsfl，第6Tsfl，第7Tsfl和第8Tsfl)內(nèi)寫入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的地址(或灰度電壓電平)。例如，在表1和表2中，當(dāng)數(shù)字視頻數(shù)據(jù)地址是(00100)時(shí)，在第5子幀周期(第5Tsfl)、第6子幀周期(第6Tsfl)、第7子幀周期(第7Tsfl)和第8子幀周期(第8Tsfl)內(nèi)寫灰度電壓(VL+α)。然而，本發(fā)明不需要被限制在這種組合中也能夠?qū)嵤?。意思是說(shuō)地址為(00100)的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)僅需要在8個(gè)子幀行周期，即第1子幀行周期到第8子幀行周期的任何4個(gè)子幀行周期內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓。在寫入(VL+α)的灰度電壓的過(guò)程中對(duì)選擇和設(shè)置這4個(gè)子幀行周期沒(méi)有限制。附圖6和7所示為這種實(shí)施模式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。以在附圖6和7中的像素P1，1至Py，1為實(shí)例。由于地方有限將驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖分為兩個(gè)圖示出，即附圖6和7。當(dāng)提及像素P1，1時(shí)，在每個(gè)子幀行周期(第1Tsfl，第2Tsfl，第3Tsfl，第4Tsfl，第5Tsfl，第6Tsfl，第7Tsfl和第8Tsfl)內(nèi)，在通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器電路轉(zhuǎn)換為模擬灰度電壓后，將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)1，1-1，1，1-2，1，1-3，1，1-4，1，1-5，1，1-6，1，1-7和1，1-8分別寫入像素P1，1。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)1，1-1，1，1-2，1，1-3，1，1-4，1，1-5，1，1-6，1，1-7和1，1-8都是通過(guò)時(shí)間比例灰度處理5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)得到的3位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。在所有的像素點(diǎn)上執(zhí)行這種操作。這里，參考附圖8，附圖8所示為在某一像素(例如，像素P1，1)上寫入的灰度電壓電平和子幀周期和幀周期之間的關(guān)系實(shí)例。注意，在附圖8中的第1幀周期中，在第1子幀行周期(第1Tsfl)內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓，在第1子幀周期(第1Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。然后，在第2子幀行周期(第2Tsfl)內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓，在第2子幀周期(第2Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。接著，在第3子幀行周期(第3Tsfl)內(nèi)寫(VL+2α)的灰度電壓，在第3子幀周期(第3Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+2α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。此后，在第4子幀行周期(第4Tsfl)內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓，在第4子幀周期(第4Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第5子幀行周期(第5Tsfl)內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓，在第5子幀周期(第5Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第6子幀行周期(第6Tsfl)內(nèi)寫(VL+2α)的灰度電壓，在第6子幀周期(第6Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+2α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第7子幀行周期(第7Tsfl)內(nèi)寫(VL+α)的灰度電壓，在第7子幀周期(第7Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第8子幀行周期(第8Tsfl)內(nèi)寫(VL+2α)的灰度電壓，在第8子幀周期(第8Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+2α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。因此，在第1幀中的灰度顯示電平對(duì)應(yīng)于(VL+11α/8)的灰度電壓電平。接著轉(zhuǎn)到第2幀周期，在第1子幀行周期(第1Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第1子幀周期(第1Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。然后，在第2子幀行周期(第2Tsfl)內(nèi)寫(VL+2α)的灰度電壓，在第2子幀周期(第2Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+2α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。接著，在第3子幀行周期(第3Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第3子幀周期(第3Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。此后，在第4子幀行周期(第4Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第4子幀周期(第4Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第5子幀行周期(第5Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第5子幀周期(第5Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第6子幀行周期(第6Tsfl)內(nèi)寫(VL+2α)的灰度電壓，在第6子幀周期(第6Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+2α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第7子幀行周期(第7Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第7子幀周期(第7Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。在第8子幀行周期(第8Tsfl)內(nèi)寫(VL+3α)的灰度電壓，在第8子幀周期(第8Tsf)內(nèi)進(jìn)行與(VL+3α)的灰度電壓對(duì)應(yīng)的灰度顯示。因此，在第2幀中的灰度顯示電平對(duì)應(yīng)于(VL+22α/8)的灰度電壓電平。在這種實(shí)施模式中，為得到4個(gè)灰度的電壓電平，在電壓電平VH和電壓電平VL之間的電平差通過(guò)指定每個(gè)電平幅度α進(jìn)行等分。然而，如果在電壓電平VH和電壓電平VL之間的電平差不是等分而是任意設(shè)定，本發(fā)明也仍然有效。此外，在這種實(shí)施模式中，雖然通過(guò)將電壓電平VH和電壓電平VL輸入到顯示板的D/A轉(zhuǎn)換器電路中實(shí)現(xiàn)灰度電壓電平，但是也可以通過(guò)輸入3個(gè)或更多的電壓電平來(lái)實(shí)現(xiàn)灰度電壓電平。在這種實(shí)施模式中，如上所述，雖然在每個(gè)子幀行周期內(nèi)寫的灰度電壓電平按照表1和表2進(jìn)行設(shè)置，但它并不限于在表1和表2中的值。在本實(shí)施模式中，將從外部輸入的5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電壓灰度的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，以時(shí)間比例灰度表示5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的3位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的灰度信息?，F(xiàn)在，考慮一種一般性的實(shí)例，在該實(shí)例中通過(guò)時(shí)間比例灰度處理電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電壓灰度的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，而同時(shí)以時(shí)間比例灰度表示(m-n)位數(shù)據(jù)的灰度級(jí)信息。符號(hào)m和n都是等于或大于2的整數(shù)，并滿足m＞n。在這種情況下，幀周期(Tf)和子幀周期(Tsf)之間的關(guān)系表述如下Tf＝2m-n·Tsf因此，實(shí)現(xiàn)(2m-(2m-n-1))種灰度顯示模式。當(dāng)m＝5和n＝2時(shí)可以作為本實(shí)施模式的一個(gè)實(shí)例。勿需說(shuō)明，本發(fā)明并不限于這個(gè)實(shí)例。符號(hào)m和n可以分別取12和4或8和2。還可以設(shè)定m為8和設(shè)定n為6或者設(shè)定m為10和設(shè)定n為2。也可以應(yīng)用除這些值以外的其它值。電壓灰度法和時(shí)間比例灰度法可以按所述的順序或連續(xù)地處理。在這種實(shí)施模式中描述了一種顯示裝置，8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到該顯示裝置中。參考附圖9，附圖9所示為本實(shí)施模式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參考標(biāo)號(hào)801表示具有數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的顯示裝置。標(biāo)號(hào)801-1和801-2表示源極驅(qū)動(dòng)器，標(biāo)號(hào)801-3表示柵極驅(qū)動(dòng)器，標(biāo)號(hào)801-4表示具有按矩陣排列的多個(gè)像素TFT的有源矩陣電路，標(biāo)號(hào)801-5表示數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路。如在附圖中所示，在本實(shí)施模式中，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路整體形成在顯示板中。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路801-5將從外部輸入的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的6位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于電壓灰度方法的6位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。在8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的灰度級(jí)信息以時(shí)間比例灰度表示。將由數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路801-5轉(zhuǎn)換的6位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到源極驅(qū)動(dòng)器801-1和801-2中，并在源極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器電路(未示)將其轉(zhuǎn)換為模擬灰度電壓，并輸送給每根源極信號(hào)線。插入在本實(shí)施模式的顯示裝置中的D/A轉(zhuǎn)換器電路將6位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬灰度電壓。在本實(shí)施模式的顯示裝置中，源極驅(qū)動(dòng)器801-1和801-2、柵極驅(qū)動(dòng)器801-3、有源矩陣電路801-4和數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路801-5都整體形成在同一基底上。現(xiàn)在參看附圖10。附圖10所示為這種實(shí)施模式的顯示裝置的更詳細(xì)的電路結(jié)構(gòu)。源極驅(qū)動(dòng)器801-1包括一移位寄存器電路801-1-1、一閂鎖電路1(801-1-2)、一閂鎖電路2(801-1-3)和一D/A轉(zhuǎn)換器電路(801-1-4)。除這些之外，源極驅(qū)動(dòng)器還包括一緩沖器電路和一電平移動(dòng)器電路(都未示)。為便于說(shuō)明，假設(shè)D/A轉(zhuǎn)換器電路(801-1-4)包括一電平移動(dòng)器電路。源極驅(qū)動(dòng)器(801-2)與源極驅(qū)動(dòng)器(801-1)具有相同的結(jié)構(gòu)。源極驅(qū)動(dòng)器(801-1)發(fā)送圖像信號(hào)(灰度電壓)到標(biāo)號(hào)為奇數(shù)的源極信號(hào)線，而源極驅(qū)動(dòng)器(801-2)發(fā)送圖像信號(hào)(灰度電壓)到標(biāo)號(hào)為偶數(shù)的源極信號(hào)線。為便于電路設(shè)計(jì)，在這種實(shí)施模式的有源矩陣顯示裝置中，兩個(gè)源極驅(qū)動(dòng)器(801-1)和(801-2)垂直地將有源矩陣電路夾在中間。然而，考慮到電路設(shè)計(jì)，如果可能的話可以僅應(yīng)用一個(gè)源極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器801-3包括移位寄存器電路、緩沖器電路、電平移動(dòng)器電路等(都未示)。有源矩陣電路(801-4)包括1920(寬度)×1080(長(zhǎng)度)像素。每個(gè)像素具有與在上文實(shí)施模式1中描述的像素結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。這種實(shí)施模式的顯示裝置具有處理6位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換器電路801-1-4。包含在從外部輸入的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的2位數(shù)據(jù)中的信息用于時(shí)間比例灰度。這里時(shí)間比例灰度法與在上文中的實(shí)施模式1中的相同。因此，這種實(shí)施模式的顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)28-3＝253種灰度顯示的模式。參見(jiàn)附圖11，參考標(biāo)號(hào)1001表示具有模擬驅(qū)動(dòng)器的顯示板。標(biāo)號(hào)1001-1表示源極驅(qū)動(dòng)器，標(biāo)號(hào)1001-2和1001-3表示柵極驅(qū)動(dòng)器，標(biāo)號(hào)1001-4表示具有按矩陣排列的多個(gè)像素TFT的有源矩陣電路。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路1002將從外部輸入的5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于電壓灰度方法的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。在5位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的3位數(shù)據(jù)的灰度級(jí)信息以時(shí)間比例灰度表示。將由數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路1002轉(zhuǎn)換的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)輸入到D/A轉(zhuǎn)換器電路1003中，并將其轉(zhuǎn)換為模擬視頻數(shù)據(jù)。然后將該模擬視頻數(shù)據(jù)輸入到顯示板1001中。這里，說(shuō)明當(dāng)在實(shí)施模式2中的顯示裝置中應(yīng)用液晶作為顯示媒體的一種情況。參考附圖12，說(shuō)明顯示板1001特別是有源矩陣電路1001-4的電路結(jié)構(gòu)。有源矩陣電路1001-4具有像素(x×y)。為便于說(shuō)明，用符號(hào)P1，1，P2，1...和Px，y表示每個(gè)像素。此外，每個(gè)像素具有像素TFT1001-4-1和存儲(chǔ)電容器1001-4-3。在一有源矩陣基底和一與其相對(duì)的基底之間容納有液晶，在有源矩陣基底上形成有源極驅(qū)動(dòng)器1001-1、柵極驅(qū)動(dòng)器1001-2和1001-3和有源矩陣電路1001-4。液晶1001-4-2示意地說(shuō)明了用于每個(gè)像素的液晶。依據(jù)這種實(shí)施模式的模擬驅(qū)動(dòng)器面板一個(gè)接著一個(gè)像素地驅(qū)動(dòng)，即所謂點(diǎn)順序驅(qū)動(dòng)。這里稱在所有的像素(P1，1至Py，x)上寫入模擬電壓灰度所需的時(shí)間為一個(gè)幀周期(Tf)。將一個(gè)幀周期(Tf)分為8個(gè)周期，這種周期稱為子幀周期(Tsf)。此外，在一個(gè)像素(例如，P1，1，P1，2...P1，x)上寫入模擬電壓灰度所需的時(shí)間稱為一個(gè)子幀點(diǎn)周期(Tsfd)。下面將描述在這種實(shí)施模式的顯示裝置中的灰度顯示。從外部輸入到這種實(shí)施模式的顯示裝置的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)為5位，其包含32位灰度級(jí)信息。這種實(shí)施模式的顯示裝置的灰度顯示電平與在附圖5中所示的灰度顯示電平類似，因此再參考附圖5。附圖13和14一起說(shuō)明了這種實(shí)施模式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。為便于說(shuō)明，在附圖13和14中以像素P1，1，P1，2，P1，3...Py，x為例。由于地方有限將驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖分為兩個(gè)圖示出，即附圖13和14。參看像素P1，1，在每個(gè)子幀點(diǎn)周期(第1Tsfd，第2Tsfd，第3Tsfd，第4Tsfd，第5Tsfd，第6Tsfd，第7Tsfd和第8Tsfd)內(nèi)，在通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器電路轉(zhuǎn)換為模擬視頻數(shù)據(jù)后，在像素P1，1寫入數(shù)字視頻數(shù)據(jù)1，1-1，1，1-2，1，1-3，1，1-4，1，1-5，1，1-6，1，1-7和1，1-8。類似地，在所有的其它像素寫入與子幀點(diǎn)周期對(duì)應(yīng)的模擬視頻數(shù)據(jù)。因此，這種實(shí)施模式的顯示裝置也能夠進(jìn)行如在上文中實(shí)施模式1中的25種灰度顯示模式。當(dāng)從外部輸入模擬視頻數(shù)據(jù)到這種實(shí)施模式的顯示裝置時(shí)，輸入的模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)輸入到數(shù)字視頻數(shù)據(jù)時(shí)間比例灰度處理電路1002。再次在這種實(shí)施模式中考慮一種通用的實(shí)例，在該通用實(shí)例中，通過(guò)時(shí)間比例灰度處理電路轉(zhuǎn)將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)換為用于電壓灰度法的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，以時(shí)間比例灰度表示(m-n)位數(shù)據(jù)的灰度級(jí)信息。符號(hào)m和n都是等于或大于2的整數(shù)，并滿足m＞n。在這種情況下，幀周期(Tf)和子幀周期(Tsf)之間的關(guān)系表述如下Tf＝2m-n·Tsf因此，實(shí)現(xiàn)(2m-(2m-n-1))種灰度顯示模式。附帶地，當(dāng)實(shí)施如在這種實(shí)施模式中的點(diǎn)順序掃描時(shí)，從右至左以及從左至右在像素點(diǎn)寫圖像信號(hào)。作為一種替換，也可以隨機(jī)地在像素點(diǎn)寫視頻信號(hào)或在每隔一個(gè)像素、每第三個(gè)像素或每第四個(gè)像素寫圖像信號(hào)。這種實(shí)施模式描述了本發(fā)明的顯示裝置的制造方法。在這里說(shuō)明的方法中用于有源矩陣電路的TFT和設(shè)置在有源矩陣電路外圍的驅(qū)動(dòng)器電路的TFT是同時(shí)形成的。在附圖15A中，優(yōu)選非堿性玻璃基底或石英基底用于基底7001。也可以應(yīng)用具有在其表面形成有絕緣膜的金屬基底或硅基底。在形成有TFT的基底7001的一個(gè)表面上，通過(guò)等離子體化學(xué)汽相淀積法(CVD)或?yàn)R射法形成具有厚度為100至400nm的由氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜制成的基膜7002。例如，用于基膜7002的優(yōu)選薄膜為一種具有兩層結(jié)構(gòu)的膜，在該兩層結(jié)構(gòu)中形成有厚度為25至100nm(這里為50nm)的氮化硅薄膜7002和厚度為50至300nm(這里為150nm)的氧化硅薄膜7003?；?002阻止來(lái)自基底的雜質(zhì)污染，如果應(yīng)用石英基底則不需要基膜7002。接著，通過(guò)公知的薄膜形成方法在基膜7002上形成具有厚度為20至100nm的非晶硅膜。雖然取決于其氫的含量，為準(zhǔn)備結(jié)晶步驟優(yōu)選在400至550℃對(duì)非晶硅膜加熱幾小時(shí)以進(jìn)行脫氫作用，將氫含量降低到5原子％或更小?？梢酝ㄟ^(guò)其它形成的方法比如濺射或蒸發(fā)來(lái)形成非晶硅膜。在這種情況下，充分地降低包含在薄膜中的雜質(zhì)元素比如氧元素和氮元素是比較理想的。這里可以通過(guò)相同的膜形成方法形成基膜和非晶硅膜，以便連續(xù)地形成這些膜。在這種情況下，由于它沒(méi)有被暴露在空氣中，能夠防止在表面上的污染，這就降低了制造的TFT的特性波動(dòng)。在從非晶硅膜中形成晶體硅膜的步驟中可以應(yīng)用公知的激光結(jié)晶技術(shù)或熱結(jié)晶技術(shù)。應(yīng)用促進(jìn)硅的結(jié)晶作用的催化元素通過(guò)熱氧化作用形成晶體硅膜。其它的選擇包括應(yīng)用微晶硅膜和直接淀積的晶體硅膜。此外，通過(guò)應(yīng)用公知的SOI(硅絕緣體)技術(shù)形成晶體硅膜，應(yīng)用該技術(shù)將單晶硅附著到基底。腐蝕并去掉由此形成的晶體硅膜的不需要的部分，以形成島形半導(dǎo)體硅層7004至7006。在晶體硅膜上形成有N溝道TFT的區(qū)域可以預(yù)先摻以濃度大約為1×1015至5×1017cm-3量級(jí)的硼(B)以控制閾電壓。然后形成主要包括氧化硅或氮化硅的柵絕緣膜7007以覆蓋島形半導(dǎo)體層7004至7006。柵絕緣膜7007的厚度可以為10至200nm，優(yōu)選50至150nm。例如，通過(guò)等離子體CVD以N2O和SiH4為原料通過(guò)形成氮氧化硅膜來(lái)制造厚度為75nm的柵絕緣膜，然后在800至1000℃的氧氣環(huán)境或氯氣和氧氣混合的環(huán)境中熱氧化該膜，使其達(dá)到115nm(附圖15A)。在要形成引線的區(qū)域和島形半導(dǎo)體層7004和7006的整個(gè)表面上以及在島形半導(dǎo)體層7005(包括將成為溝道形成區(qū)的區(qū)域)的一部分上形成抗蝕劑掩模7008至7011，并通過(guò)摻n型雜質(zhì)元素形成輕微的摻雜區(qū)7012。這種輕微的摻雜區(qū)7012是一種用于后面形成LDD區(qū)域(在本說(shuō)明書中稱為L(zhǎng)ov區(qū)域，這里“ov”表示“重疊”)的摻雜區(qū)域，LDD區(qū)域通過(guò)在CMOS電路中的n-溝道TFT中的柵絕緣膜與柵電極重疊。在這里形成的輕微摻雜區(qū)域中的n型摻雜元素的濃度稱為(n-)。因此，輕微摻雜區(qū)域7012在本說(shuō)明書中也可以稱為n-區(qū)。應(yīng)用等離子激發(fā)三氫化磷(PH3)而沒(méi)有質(zhì)量分離的離子摻雜來(lái)?yè)搅?。?dāng)然，可替換的是，也可以應(yīng)用涉及質(zhì)量分離的離子注入技術(shù)。在本步驟中，在柵絕緣膜7007下的半導(dǎo)體層通過(guò)膜7007摻有磷。優(yōu)選滲雜的磷的濃度范圍為從5×1017原子/cm3到5×1018原子/cm3，在本實(shí)施模式中濃度設(shè)定為1×1018原子/cm3。此后，除去抗蝕劑掩模7008至7011并在400至900℃優(yōu)選550至800℃的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行熱處理1至12小時(shí)，激活在本步驟中加入的磷。以從鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)中選擇的一種元素或從包含這些元素之中的一種為主要成分的導(dǎo)電材料形成厚度為10至100nm的第一導(dǎo)電膜7013。例如，氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)是形成第一導(dǎo)電膜7013的理想材料。以從Ta、Ti、Mo和W中選擇的一種元素或從包含這些元素之中的一種為主要成分的導(dǎo)電材料進(jìn)一步形成厚度為100至400nm的且形成在第一導(dǎo)電膜7013之上的第二導(dǎo)電膜7014。例如，形成厚度為200nm的Ta膜。雖然沒(méi)有示出，為防止氧化導(dǎo)電膜7013或7014(特別是導(dǎo)電膜7014)在第一導(dǎo)電膜7013之下形成厚度為2至20nm的硅膜是有效的。形成抗蝕劑掩模7015至7018，并對(duì)第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜(此后看作復(fù)合層壓薄膜)進(jìn)行腐蝕以形成p-溝道TFT的柵引線7020和7021和柵電極7019。這里，留下導(dǎo)電膜7022和7023以覆蓋將成為n-溝道TFT的區(qū)域的整個(gè)表面。繼續(xù)進(jìn)行下一步驟，由于抗蝕劑掩模7015至7018起掩模保護(hù)的作用而被保留，并且對(duì)半導(dǎo)體層7004的要形成p-溝道TFT的部分摻以p型雜質(zhì)元素。這里可以應(yīng)用硼作為雜質(zhì)元素，并且通過(guò)應(yīng)用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜法(當(dāng)然可以應(yīng)用離子注入法)進(jìn)行摻雜。這里摻硼的濃度范圍為5×1020至3×1021原子/cm3。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域中的p型雜質(zhì)元素的濃度以(p++)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域7024和7025為p++區(qū)。這里，可替換的是，在應(yīng)用抗蝕劑掩模7015-7018通過(guò)腐蝕以除去柵絕緣膜7007將島形半導(dǎo)體層7004的一部分暴露后，進(jìn)行具有p-型雜質(zhì)元素的摻雜工序。在這種情況下，應(yīng)用較低的加速電壓進(jìn)行摻雜就足夠，以使在島形半導(dǎo)體層上引起的損壞更小，并且提高生產(chǎn)量。然后除去抗蝕劑掩模7015至7018，并形成新的抗蝕劑掩模7026至7029以形成n-溝道TFT的柵電極7030至7031。這里，形成柵電極7030以便通過(guò)柵絕緣膜與n-區(qū)7012重疊。然后除去抗蝕劑掩模7026至7029，并形成新的抗蝕劑掩模7032至7034。接著，實(shí)施在n-溝道TFT中形成起源極區(qū)或漏極區(qū)作用的雜質(zhì)區(qū)的步驟。形成抗蝕劑掩模7034以覆蓋n-溝道TFT的柵電極7031。這是用于在后面的步驟中形成LDD區(qū)域，該LDD區(qū)域不與在有源矩陣電路的n-溝道TFT中的柵電極重疊。加入具有n型的雜質(zhì)元素以形成雜質(zhì)區(qū)7035至7039。這里，再次應(yīng)用三氫化磷(PH3)的離子摻雜技術(shù)(當(dāng)然也可以應(yīng)用離子注入法)，并將在這些區(qū)域中的三氫化磷的濃度設(shè)定在1×1020至1×1021原子/cm3之間。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域7037至7039中的n型雜質(zhì)元素的濃度以(n+)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域7037至7039為n+區(qū)。雜質(zhì)區(qū)7035至7036具有已經(jīng)形成的n-區(qū)，因此，嚴(yán)格地說(shuō)，他們包含的三氫化磷的濃度比雜質(zhì)區(qū)7037至7039稍微更高點(diǎn)。這里，可替換地，在應(yīng)用抗蝕劑掩模7032-7034和柵電極7030作為掩模通過(guò)腐蝕以除去柵絕緣膜7007將島形半導(dǎo)體層7005和7006的一部分暴露后，執(zhí)行具有n-型雜質(zhì)元素的摻雜工序。在這種情況下，應(yīng)用較低的加速電壓進(jìn)行摻雜就足夠，以使在島形半導(dǎo)體層上引起的損壞更小，并且提高生產(chǎn)量。接著，除去抗蝕劑掩模7032至7034，并在要形成有源矩陣電路的n-溝道TFT的島形半導(dǎo)體層7006中摻以具有n型的雜質(zhì)元素。由此在所形成的雜質(zhì)區(qū)7040至7043摻以與上述的n-區(qū)相同的濃度或更小的濃度(特別地，5×1016至1×1018原子/cm3)的三氫化磷。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域7040至7043中的具有n型的雜質(zhì)元素的濃度以(n-)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域7040至7043為n-區(qū)。順便提及，在這一步驟中除了遮掩在柵電極下的雜質(zhì)區(qū)7067以外，每一雜質(zhì)區(qū)都摻有濃度為n-的三氫化磷。然而，三氫化磷濃度是很低以致其影響可以忽略。接著形成保護(hù)性絕緣膜7044，該保護(hù)性絕緣膜7044以后將成為第一層間絕緣膜的一部分。保護(hù)性絕緣膜7044可以包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或結(jié)合這些膜而成的復(fù)合膜。這些膜的厚度范圍為100至400nm。此后，進(jìn)行熱處理步驟以活化加入的每種濃度的n型或p型雜質(zhì)元素。這一步驟可以應(yīng)用爐內(nèi)退火、激光退火或快速熱退火(RTA)。在本實(shí)施模式中，通過(guò)爐內(nèi)退火進(jìn)行激活步驟。在300至650℃(優(yōu)選400至550℃，在這里為450℃)的氮環(huán)境中實(shí)施熱處理2小時(shí)。在300至450℃包含3至100％的氫的環(huán)境中進(jìn)行進(jìn)一步熱處理1至12小時(shí)，使島形半導(dǎo)體層氫化?；蝿?dòng)在島形半導(dǎo)體層中與熱激活的氫結(jié)合的結(jié)合物以結(jié)束這一步驟。其它的氫化方法包括等離子加氫。一旦完成活化步驟后，在防護(hù)性絕緣膜7044上形成厚度為0.5至1.5μm的層間絕緣膜7045。由防護(hù)性絕緣膜7044和層間絕緣膜7045組成的復(fù)合薄膜起第一層間絕緣膜的作用。這之后，形成到達(dá)每個(gè)TFT的源區(qū)或漏區(qū)的接觸孔以形成源電極7046至7048和漏電極7049和7050。雖然沒(méi)有示出，在本實(shí)施模式中電極包括具有三層結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜，通過(guò)濺射在該三層結(jié)構(gòu)中連續(xù)形成厚度為100nm的Ti膜、厚度為300nm的含Ti的鋁膜和具有厚度為150nm的其它Ti膜。然后應(yīng)用厚度為50至500nm(一般200至300nm)的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜形成鈍化膜7051。接著在這種狀態(tài)進(jìn)行氫化處理以有利于改善TFF的特性。例如，在300至450℃包含3至100％的氫的環(huán)境中進(jìn)行熱處理1至12小時(shí)就足夠。當(dāng)應(yīng)用等離子加氫法時(shí)則能夠得到相同的結(jié)果。在鈍化膜7051的一個(gè)位置上形成一個(gè)開口，在該位置形成接觸孔以連接像素電極和漏電極。此后，形成由有機(jī)樹脂制成的第二層間絕緣膜7052，其具有大約1μm的厚度?？梢詰?yīng)用聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、BCB(苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene))等作為有機(jī)樹脂。應(yīng)用這種有機(jī)樹脂膜的優(yōu)點(diǎn)包括膜形方法法簡(jiǎn)單、由于相對(duì)較低的介電常數(shù)減小了寄生電容以及具有很好的平整性等。可以應(yīng)用除了上面所列的有機(jī)樹脂以外的有機(jī)樹脂或基于有機(jī)物的SiO化合物。這里，應(yīng)用在應(yīng)用到基底后熱聚合型的聚酰亞胺，并在300℃燃燒以形成膜7052。接著，在形成有源矩陣電路的區(qū)域中在第二層間絕緣膜7052上形成光-防護(hù)膜7053。光-防護(hù)膜7053包括從鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中選擇的一種元素或包含這些元素中的一種作為主要成分的膜，其厚度為100至300nm。在光-防護(hù)膜7053的表面上，通過(guò)陽(yáng)極氧化或等離子氧化形成厚度為30至150nm(優(yōu)選50至75nm)的氧化膜7054。這里，應(yīng)用鋁膜或主要包含鋁的一種膜用作光-防護(hù)膜7053，并且用鋁氧化膜(氧化鋁膜)作為氧化膜7054。在這種實(shí)施模式中僅在光-防護(hù)膜的表面上形成絕緣膜?？梢詰?yīng)用汽相淀積法比如等離子化學(xué)汽相淀積(CVD)、熱化學(xué)汽相淀積或?yàn)R射來(lái)形成絕緣膜。在這種情況下，膜厚度適合于30至150nm(優(yōu)選50至75nm)。可以應(yīng)用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC(與碳類似的金剛石)膜或有機(jī)樹脂膜用于絕緣膜。也可以應(yīng)用這些膜組合形成的復(fù)合膜。然后在第二絕緣膜7052中形成到達(dá)漏電極7050的接觸孔以形成像素電極7055。注意的是，像素電極7056和7057相臨近但是為不同的像素。對(duì)于像素電極7055至7057，在制造發(fā)送型顯示裝置的情況下應(yīng)用透明導(dǎo)電膜，在制造反射型顯示裝置的情況下應(yīng)用金屬膜。這里，為制造發(fā)送型顯示裝置，通過(guò)濺射形成厚度為100nm的銦錫氧化膜(ITO)。這里，在區(qū)域7058中形成存儲(chǔ)電容器，在區(qū)域7058中像素電極7055通過(guò)電極氧化膜7054與光-防護(hù)膜7053重疊。這樣，完成了具有起驅(qū)動(dòng)器電路作用的CMOS電路的有源矩陣基底和形成在同一基底上的有源矩陣電路。在起驅(qū)動(dòng)器電路作用的CMOS電路中形成有P-溝道TFT7081和n-溝道TFT7082，和在有源矩陣電路中由n-溝道TFT形成像素TFT7083。CMOS電路的p-溝道TFT7081具有溝道形成區(qū)7061和分別形成在p+區(qū)中的源極區(qū)7062和漏極區(qū)7063。n-溝道TFT7082具有溝道形成區(qū)7064和源極區(qū)7065和漏極區(qū)7066和LDD區(qū)(此后稱為L(zhǎng)ov區(qū)，這里“ov”表示重疊)7067，LDD區(qū)7067通過(guò)柵絕緣膜與柵電極重疊。分別在(n-+n+)區(qū)中形成源極區(qū)7065和漏極區(qū)7066，在n-區(qū)中形成Lov區(qū)7067。像素TFT7083具有具有溝道形成區(qū)7068和7069、源極區(qū)7070、漏極區(qū)7071、通過(guò)柵絕緣膜與柵電極并不重疊的LDD區(qū)7072至7075(此后稱為L(zhǎng)off區(qū)，這里“off”表示“偏置”)和與Loff區(qū)7073和7074接觸的n+區(qū)7076。分別在n+區(qū)中形成源極區(qū)7070和漏極區(qū)7071，在n-區(qū)中形成Loff區(qū)7072至7075。在本發(fā)明中，依據(jù)每個(gè)電路所要求的技術(shù)參數(shù)使形成有源矩陣電路和形成驅(qū)動(dòng)器電路的TFT結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，由此提高半導(dǎo)體設(shè)備的操作性能和可靠性。具體地，依據(jù)電路技術(shù)參數(shù)通過(guò)適當(dāng)應(yīng)用Lov區(qū)或Loff區(qū)改變n-溝道TFT的LDD區(qū)的布置，在相同的基底上實(shí)現(xiàn)在其內(nèi)要求高速操作或?qū)彷d流子的防范的TFT結(jié)構(gòu)和在其內(nèi)要求低OFF電流操作的TFT結(jié)構(gòu)。例如，n-溝道TFT7082適合于對(duì)于高速操作很重要的邏輯電路，比如移位寄存器電路、分頻電路、信號(hào)分配電路、電平移動(dòng)器電路和緩沖器電路。在另一方面，n-溝道TFT7083適合于對(duì)于低OFF電流操作很重要的電路，比如有源矩陣電路和采樣電路(采樣保持電路)。對(duì)于溝道長(zhǎng)度為3至7μm來(lái)說(shuō)，Lov區(qū)的長(zhǎng)度(寬度)為0.5至3.0μm，一般地1.0至1.5μm。設(shè)置在像素TFT7083中的Loff區(qū)7072至7075的長(zhǎng)度(寬度)為0.5至3.5μm，一般地2.0至2.5μm。通過(guò)上述步驟，完成有源矩降基底。接著，下面描述應(yīng)用通過(guò)上述步驟制造的有源矩陣基底的液晶顯示裝置的制造過(guò)程。在如附圖17C中所述的有源矩陣基底上形成一種定位(alignment)膜(未示)。在這種實(shí)施模式中，應(yīng)用聚酰亞胺作定位膜。然后制備相對(duì)的基底。相對(duì)的基底包括玻璃基底、由透明電極構(gòu)成的相對(duì)的電極和定位膜(所有這些都未示出)。在本實(shí)施模式中再次應(yīng)用聚酰亞胺膜制作相對(duì)基底的定位膜。在形成定位膜后，進(jìn)行研磨處理。在本實(shí)施模式中用作定位膜的聚酰亞胺具有相對(duì)較大的預(yù)傾角。然后通過(guò)密封材料或襯片(都未示)應(yīng)用公知的單元組合方法將經(jīng)過(guò)上述步驟處理的有源矩陣基底和相對(duì)的基底彼此相互粘合在一起。在此之后，在基底之間注入液晶，并且應(yīng)用端密封材料(未示)將基底完全密封。在本實(shí)施模式中，應(yīng)用向列型液晶作為注入的液晶。由此完成液晶顯示裝置。順便指出，通過(guò)激光(一般為準(zhǔn)分子激光)使非晶硅膜結(jié)晶，替代在本實(shí)施模式中描述的非晶硅膜的結(jié)晶方法。此外，可以通過(guò)SOI結(jié)構(gòu)(SOI基底)比如SmartCutTM、SIMOX和ELTRANTM替換多晶硅膜來(lái)進(jìn)行其它步驟。這種實(shí)施模式描述本發(fā)明的另外一種顯示裝置的制造方法。在這里描述的方法中能夠同時(shí)制造形成有源矩陣電路的TFT和形成設(shè)置在有源矩陣電路外圍的驅(qū)動(dòng)器電路的TFT。在附圖18A中，優(yōu)選非堿性玻璃基底或石英基底用于基底6001。除了這些基底以外，一種可采用的基底是在其表面形成有絕緣膜的金屬基底或硅基底。在形成有TFT的基底6001的一個(gè)表面上，通過(guò)等離子體化學(xué)汽相淀積法(CVD)或?yàn)R射法形成具有厚度為100至400nm的由氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜制成的基膜6002。例如，用于基膜6002的優(yōu)選薄膜為一種具有兩層結(jié)構(gòu)的膜，在該兩層結(jié)構(gòu)中形成有厚度為25至100nm(這里為50nm)的氮化硅薄膜6002和厚度為50至300nm(這里為150nm)的氧化硅薄膜6003?；?002阻止來(lái)自基底的雜質(zhì)污染，如果應(yīng)用石英基底則不需要基膜6002。接著，通過(guò)公知的薄膜形成方法在基膜6002上形成具有厚度為20至100nm的非晶硅膜。雖然取決于其氫的含量，為準(zhǔn)備結(jié)晶步驟優(yōu)選在400至550℃對(duì)非晶硅膜加熱幾小時(shí)以進(jìn)行脫氫作用，將氫含量降低到5原子％或更小。如果充分地降低包含在薄膜中的雜質(zhì)元素比如氧元素和氮元素等則可以通過(guò)其它形成的方法比如濺射或蒸發(fā)形成非晶硅膜。這里可以通過(guò)相同的膜形成方法連續(xù)地形成基膜和非晶硅膜。在這種情況下，由于在形成基膜后裝置沒(méi)有被暴露在空氣中，這使其能夠防止表面污染，其降低了制造的TFT的特性波動(dòng)?？梢詰?yīng)用公知的激光結(jié)晶技術(shù)或熱結(jié)晶技術(shù)通過(guò)非晶硅膜形成晶體硅膜。應(yīng)用促進(jìn)硅的結(jié)晶作用的催化元素通過(guò)熱氧化作用形成晶體硅膜。其它的選擇包括應(yīng)用微晶硅膜和直接淀積的晶體硅膜。此外，通過(guò)應(yīng)用公知的SOI(硅絕緣體)技術(shù)形成晶體硅膜，通過(guò)該技術(shù)將單晶硅附著到基底。腐蝕掉由此形成的晶體硅膜的不需要的部分，以形成島形半導(dǎo)體硅層6004至6006。在晶體硅膜上形成有N溝道TFT的區(qū)域可以預(yù)先摻以濃度大約為1×1015至5×1017cm-3量級(jí)的硼(B)以控制閾電壓。然后形成主要包括氧化硅或氮化硅的柵絕緣膜6007以覆蓋島形半導(dǎo)體層6004至6006。柵絕緣膜6007的厚度可以為10至200nm，優(yōu)選50至150nm。例如，通過(guò)等離子體CVD以N2O和SiH4為原料通過(guò)形成氮氧化硅膜來(lái)制造厚度為75nm的柵絕緣膜，然后在800至1000℃的氧氣環(huán)境或氯氣和氧氣混合的環(huán)境中熱氧化該膜，使其厚度達(dá)到115nm(附圖18A)。在要形成引線的區(qū)域和島形半導(dǎo)體層6004和6006的整個(gè)表面上以及在島形半導(dǎo)體層6005(包括將成為溝道形成區(qū)的區(qū)域)的一部分上形成抗蝕劑掩模6008至6011，并通過(guò)摻n型雜質(zhì)元素形成輕微的摻雜區(qū)6012和6013。這些輕微的摻雜區(qū)6012和6013是一種用于后面形成的在CMOS電路中的LDD區(qū)域(在本說(shuō)明書中稱為L(zhǎng)ov區(qū)域，這里“ov”表示“重疊”)的摻雜區(qū)域，LDD區(qū)域通過(guò)n-溝道TFT中的柵絕緣膜與柵電極重疊。在這里形成的輕微摻雜區(qū)域中的n型摻雜元素的濃度稱為(n-)。因此，輕微摻雜區(qū)域6012和6013可以稱為n-區(qū)。應(yīng)用在其上沒(méi)有質(zhì)量分離的等離子體激發(fā)三氫化磷(PH3)通過(guò)離子摻雜來(lái)?yè)搅?。?dāng)然，可替換的是也可以應(yīng)用涉及質(zhì)量分離的離子注入技術(shù)。在本步驟中，在柵絕緣膜6007下的半導(dǎo)體層通過(guò)膜6007摻有磷。優(yōu)選摻雜的磷的濃度為范圍為從5×1017原子/cm3至5×1018原子/cm3，這里該濃度設(shè)定為1×1018原子/cm3。此后，除去抗蝕劑掩模6008至6011并在400至900℃優(yōu)選550至800℃的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行熱處理1至12小時(shí)，激活在這一步驟中加入的磷。以從鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)中選擇的一種元素或以從包含這些元素中的一種為主要成分的導(dǎo)電材料形成厚度為10至100nm的第一導(dǎo)電膜6014。例如，氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)是形成第一導(dǎo)電膜6014的理想材料。以從Ta、Ti、Mo和W中選擇的一種元素或從包含這些元素中的一種為主要成分的導(dǎo)電材料進(jìn)一步形成厚度為100至400nm的且形成在第一導(dǎo)電膜6014之上的第二導(dǎo)電膜6015。例如，形成厚度為200nm的Ta膜。雖然沒(méi)有示出，為防止氧化導(dǎo)電膜6014或6015(特別是導(dǎo)電膜6015)在第一導(dǎo)電膜6014之下形成厚度為2至20nm的硅膜是有效的。形成抗蝕劑掩模6016至6019，并對(duì)第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜(此后看作層壓復(fù)合薄膜)進(jìn)行腐蝕以形成p-溝道TFT的柵引線6021和6022和柵電極6020。留下導(dǎo)電膜6023和6024以覆蓋要成為n-溝道TFT的區(qū)域的整個(gè)表面。繼續(xù)進(jìn)行下一步驟，由于抗蝕劑掩模6016至6019起掩模的作用而仍然被保留，并且對(duì)半導(dǎo)體層6004的要形成p-溝道TFT的部分摻以p型雜質(zhì)元素。這里可以應(yīng)用硼作為雜質(zhì)元素，并且通過(guò)應(yīng)用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜法(當(dāng)然可以應(yīng)用離子注入法)進(jìn)行摻雜。這里摻硼的濃度范圍為5×1020至3×1021原子/cm3。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域中的p型雜質(zhì)元素的濃度以(p++)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域6025和6026為p++區(qū)。這里，可替換地，在應(yīng)用抗蝕劑掩模6016-6019通過(guò)腐蝕并除去柵絕緣膜6007將島形半導(dǎo)體層6004的一部分暴露后，進(jìn)行具有p-型雜質(zhì)元素的摻雜工序。在這種情況下，應(yīng)用較低的加速電壓進(jìn)行摻雜就足夠，以使在島形半導(dǎo)體層上引起的損壞更小，并且提高生產(chǎn)量。然后除去抗蝕劑掩模6016至6019，并形成新的抗蝕劑掩模6027至6030以形成n-溝道TFT的柵電極6031至6032。這里，形成柵電極6031以便通過(guò)柵絕緣膜與n-區(qū)6012、6013重疊。然后除去抗蝕劑掩模6027至6030，并形成新的抗蝕劑掩模6033至6035。接著，進(jìn)行在n-溝道TFT中形成起源區(qū)或漏極區(qū)作用的雜質(zhì)區(qū)的步驟。形成抗蝕劑掩模6035以覆蓋n-溝道TFT的柵電極6032。這是用于在后面步驟中形成LDD區(qū)域，該LDD區(qū)域不與在有源矩陣電路的n-溝道TFT的柵電極重疊。加入n型的雜質(zhì)元素以形成雜質(zhì)區(qū)6036至6040。這里，再次應(yīng)用三氫化磷(PH3)的離子摻雜法(當(dāng)然也可以應(yīng)用離子注入法)，并將在這些區(qū)域中的三氫化磷的濃度設(shè)定在1×1020至1×1021原子/cm3之間。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域6038至6040中的雜質(zhì)元素的濃度以(n+)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域6038至6040為n+區(qū)。雜質(zhì)區(qū)6036至6037具有已經(jīng)形成的n-區(qū)，因此，嚴(yán)格地說(shuō)，他們包含的三氫化磷的濃度比雜質(zhì)區(qū)6038至6040稍微更高點(diǎn)。這里，作為一種替換方式，在應(yīng)用抗蝕劑掩模6033-6035通過(guò)腐蝕以除去柵絕緣膜6007將島形半導(dǎo)體層6005和6006的一部分暴露后，進(jìn)行具有n-型雜質(zhì)元素的摻雜工序。在這種情況下，應(yīng)用較低的加速電壓進(jìn)行摻雜就足夠，以使在島形半導(dǎo)體層上引起的損壞更小，并且提高生產(chǎn)量。接著，去掉抗蝕劑掩模6033至6035，并在將更形成有源矩陣電路的n-溝道TFF的島形半導(dǎo)體層6006中摻以具有n型的雜質(zhì)元素。由此在所形成的雜質(zhì)區(qū)6041至6044中摻以與上述的n-區(qū)相同濃度或更小濃度(具體地，5×1016至1×1018原子/cm3)的三氫化磷。包含在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域6041至6044中的具有n型的雜質(zhì)元素的濃度以(n-)表示。因此，在本說(shuō)明書中稱雜質(zhì)區(qū)域6041至6044為n-區(qū)。順便提及，在這一步驟中除了遮掩在柵電極下的雜質(zhì)區(qū)6068的每一雜質(zhì)區(qū)都摻有濃度為n-的三氫化磷。然而，三氫化磷濃度是很低以致其影響可以忽略。接著形成保護(hù)性絕緣膜6045，該保護(hù)性絕緣膜6045以后將成為第一層間絕緣膜的一部分。保護(hù)性絕緣膜6045可以包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或包括這些膜的相層疊結(jié)合形成的復(fù)合膜。這些膜的厚度范圍為100至400nm。此后，進(jìn)行熱處理步驟以激活加入的不同濃度的n型或p型的雜質(zhì)元素。這一步驟可以采用爐內(nèi)退火、激光退火或快速熱退火(RTA)。這里，通過(guò)爐內(nèi)退火實(shí)施激活步驟。在300至650℃(優(yōu)選400至550℃，在這里為450℃)的氮環(huán)境中實(shí)施熱處理2小時(shí)。在300至450℃包含3至100％的氫的環(huán)境中進(jìn)一步熱處理1至12小時(shí)，使島形半導(dǎo)體層氫化?；蝿?dòng)在島形半導(dǎo)體層中與熱激活的氫結(jié)合的結(jié)合物以結(jié)束這一步驟。其它的氫化方法包括等離子加氫(用等離子體激活氫)。一旦完成活化步驟后，在防護(hù)性絕緣膜6045上形成厚度為0.5至1.5μm的層間絕緣膜6046。由防護(hù)性絕緣膜6045和層間絕緣膜6046組成的復(fù)合薄膜起第一層間絕緣膜的作用。這之后，形成到達(dá)每個(gè)TFT的源區(qū)或漏區(qū)的接觸孔以形成源電極6047至6049和漏電極6050和6051。雖然沒(méi)有示出，在本實(shí)施模式中這些電極每個(gè)都是由具有三層結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜制成，通過(guò)濺射在該三層結(jié)構(gòu)中連續(xù)形成厚度為100nm的Ti膜、厚度為300nm的含Ti的鋁膜和具有厚度為150nm的其它Ti膜。然后應(yīng)用厚度為50至500nm(一般200至300nm)的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜形成鈍化膜6052。隨后在這種狀態(tài)進(jìn)行氫化處理以有利于改善TFT的特性。例如，在300至450℃包含3至100％的氫的環(huán)境中進(jìn)行熱處理1至12小時(shí)就足夠。當(dāng)應(yīng)用等離子加氫法時(shí)則能夠得到相同的結(jié)果。在鈍化膜6052的一個(gè)位置上形成一個(gè)開口，在該位置形成接觸孔以連接像素電極和漏電極。此后，形成由有機(jī)樹脂制成的第二層間絕緣膜6053，其有大約1μm的厚度。可以應(yīng)用聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)等作為有機(jī)樹脂使用。應(yīng)用這種有機(jī)樹脂膜的優(yōu)點(diǎn)包括膜形成工藝簡(jiǎn)單、由于相對(duì)較低的介電常數(shù)降低了寄生電容以及具有很好的平整性等?？梢詰?yīng)用除了上面所列的有機(jī)樹脂以外的有機(jī)樹脂或基于有機(jī)物的SiO化合物。這里，應(yīng)用在應(yīng)用到基底后的熱聚合型的聚酰亞胺，并在300℃加熱以形成膜6053。接著，在將要形成有源矩陣電路的區(qū)域中在第二層間絕緣膜6053上形成光-防護(hù)膜6054。光-防護(hù)膜6054是由從鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中選擇的一種元素或包含這些元素中的一種為主要成分的膜制成的，其厚度為100至300nm。通過(guò)陽(yáng)極氧化或等離子氧化，在光-防護(hù)膜6054的表面上形成厚度為30至150nm(優(yōu)選50至75nm)的氧化膜6055。這里在本實(shí)施模式中，應(yīng)用鋁膜或主要包含鋁的一種膜用作光-防護(hù)膜6054，并且用鋁氧化膜(氧化鋁膜)作為氧化膜6055。在本實(shí)施模式中僅在光-防護(hù)膜的表面上形成絕緣膜。可以應(yīng)用汽相淀積法比如等離子化學(xué)汽相淀積(CVD)、熱化學(xué)汽相淀積或?yàn)R射來(lái)形成絕緣膜。在這種情況下，膜厚度也適合于30至150nm(優(yōu)選50至75nm)?？梢詰?yīng)用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC(與碳類似的金剛石)膜或有機(jī)樹脂膜用于絕緣膜。也可以應(yīng)用這些膜組合形成的復(fù)合膜。然后在第二絕緣膜6053中形成到達(dá)漏電極6051的接觸孔以形成像素電極6056。順便指出，像素電極6057和6058相臨近但是為不同的像素。對(duì)于像素電極6056至6058，在制造透射型顯示裝置的情況下應(yīng)用透明導(dǎo)電膜，在制造反射型顯示裝置的情況下應(yīng)用金屬膜。這里在本實(shí)施模式中，為制造發(fā)送型顯示裝置，通過(guò)濺射形成厚度為100nm的銦錫氧化膜(ITO)。這里，使用像素電極6056通過(guò)電極氧化膜6055與光-防護(hù)膜6054重疊的區(qū)域6059形成存儲(chǔ)電容器。這樣，完成了具有起驅(qū)動(dòng)器電路作用的CMOS電路的有源矩降基底和形成在同一基底上的有源矩陣電路。在起驅(qū)動(dòng)器電路作用的CMOS電路中形成有P-溝道TFT6081和n-溝道TFT6082，在有源矩陣電路中通過(guò)n-溝道TFT形成像素TFT6083。CMOS電路的p-溝道TFT6081具有溝道形成區(qū)6062和分別形成在p+區(qū)中的源極區(qū)6063和漏極區(qū)6064。n-溝道TFT6082具有溝道形成區(qū)6065和源極區(qū)6066和漏極區(qū)6067和LDD區(qū)6068和6069，LDD區(qū)6068和6069通過(guò)柵絕緣膜與柵電極重疊(此后稱為L(zhǎng)ov區(qū)，這里“ov”表示重疊)。分別在(n-+n+)區(qū)中形成源極區(qū)6066和漏極區(qū)6067，在n-區(qū)中形成Lov區(qū)6068和6069。像素TFT6083具有溝道形成區(qū)6070和6071、源極區(qū)6072、漏極區(qū)6073、通過(guò)柵絕緣膜與柵電極并不重疊的LDD區(qū)6074至6077(此后稱為L(zhǎng)off區(qū)，這里“off”表示“偏離”)和與Loff區(qū)6075和6076接觸的n+區(qū)6078。分別在n+區(qū)中形成源極區(qū)6072和漏極區(qū)6073，在n-區(qū)中形成Loff區(qū)6074至6077。在本發(fā)明中，依據(jù)每個(gè)電路要求的技術(shù)參數(shù)使形成有源矩陣電路和形成驅(qū)動(dòng)器電路的TFT結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，由此提高半導(dǎo)體設(shè)備的操作性能和可靠性。具體地，依據(jù)電路技術(shù)參數(shù)改變?cè)趎-溝道TFT中的LDD區(qū)的布置和選擇Lov區(qū)或Loff區(qū)實(shí)現(xiàn)在TFT結(jié)構(gòu)的相同基底上形成，該TFT結(jié)構(gòu)對(duì)于高速操作或?qū)彷d流子的防范很重要，以及該TFT結(jié)構(gòu)對(duì)于低OFF電流操作也很重要。例如，在有源矩陣顯示裝置中，n-溝道TFT6082適合用于邏輯電路，在該邏輯電路中進(jìn)行高速操作很重要，比如移位寄存器電路、分頻電路、信號(hào)分配電路、電平移動(dòng)器電路和緩沖器電路。在另一方面，n-溝道TFT6083適合于對(duì)于低OFF電流操作很重要的電路，比如有源矩陣電路和采樣電路(采樣保持電路)。對(duì)于溝道長(zhǎng)度為3至7μm來(lái)說(shuō)，Lov區(qū)的長(zhǎng)度(寬度)為0.5至3.0μm，一般地1.0至1.5μm。設(shè)置在像素TFT6083中的Loff區(qū)6073至6076的長(zhǎng)度(寬度)為0.5至3.5μm，一般地2.0至2.5μm。應(yīng)用通過(guò)上述步驟制造的有源矩陣基底為基礎(chǔ)制造顯示裝置。制造方法的實(shí)例參見(jiàn)實(shí)施模式4。附圖21所示為用于本發(fā)明的液晶顯示裝置的有源矩陣基底的另一種結(jié)構(gòu)的實(shí)例。參考標(biāo)號(hào)8001表示p-溝道TFT，標(biāo)號(hào)8002、8003和8004表示n-溝道TFT。TFT8001、8002、8003和8004構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器的電路部分，而TFT8004為有源矩陣電路的一部分。參考標(biāo)號(hào)8005至8013表示組成有源矩陣電路的像素TFT的半導(dǎo)體層。標(biāo)號(hào)8005、8009和8013為n+區(qū)，標(biāo)號(hào)8006、8008、8010和8012為n-區(qū)，和標(biāo)號(hào)8007和8011表示溝道形成區(qū)。標(biāo)號(hào)8014表示絕緣膜的蓋層，提供該蓋層以在溝道形成區(qū)中形成偏離部分。至于本實(shí)施模式，參見(jiàn)本申請(qǐng)人的日本專利申請(qǐng)No.Hei11-67809的。在本發(fā)明的上述液晶顯示裝置中，可以應(yīng)用除了TN液晶以外的各種液晶。例如，可使用的液晶材料包括如下材料公開在H.Furue等人的題為“CharacteristicsandDrivingSchemeofPolymer-StabilizedMonostableFLCDExhibitingFastResponseTimeandHighContrastRatiowithGray-ScaleCapability”(1998年，SID)中的材料、公開在T.Yoshida等人的題為“AFull-ColorTresholdlessAntiferroelectricLCDExihibitingWideViewingAnglewithFastResponseTime”(1997年，SDDIGEST，841)中的材料、公開在S.Inui等人的題為“TresholdlessAntiferroelectricityinLiquidCrystalsanditsApplicationtoDisplays”(1996，J.Mater.Chem.6(4)，671-673)中的材料和公開在美國(guó)專利US5,594,569中的材料。在一定的溫度范圍具有反鐵電狀態(tài)的液晶稱為反鐵電液晶。在具有反鐵電液晶的混合液晶中，有一種稱為無(wú)閾值(thresholdless)反鐵電混合液晶，其具有相對(duì)于電場(chǎng)透射率連續(xù)變化的電光響應(yīng)特性。一些無(wú)閾值反鐵電混合液晶具有V形的電光響應(yīng)特性，在這些無(wú)閾值的反鐵電混合液晶中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)它們的驅(qū)動(dòng)電壓大約為±2.5V(具有約1至2μm的厚度)。這里，參考附圖22，根據(jù)光的透射率相對(duì)于所施加的電壓，附圖22說(shuō)明了一種具有V形的電光響應(yīng)特性的無(wú)門限的反鐵電混合液晶特性實(shí)例。在附圖22所示的曲線圖中，縱軸表示透射率(任意單位)和橫軸表示所施加的電壓。在液晶顯示裝置的入射側(cè)面上的起偏振片透射軸與無(wú)門限的反鐵電混合液晶的近晶層的法線方向基本平行設(shè)置，該無(wú)門限的反鐵電混合液晶與液晶顯示裝置的研磨方向基本一致。在另一方面，設(shè)置發(fā)射側(cè)的起偏振片透射軸，使其基本形成穿過(guò)尼科耳棱鏡(Nicol)到達(dá)在入射側(cè)的起偏振片的透射軸線。如附圖22所示，可以理解的是應(yīng)用這種無(wú)閾值的反鐵電混合液晶能夠使低電壓驅(qū)動(dòng)和灰度顯示成為可能。在具有模擬驅(qū)動(dòng)器的液晶顯示裝置中在應(yīng)用這種無(wú)閾值的反鐵電混合液晶的情況下，例如將對(duì)視頻信號(hào)的采樣電路的電源電壓抑制到大約5至8V。因此，可以降低驅(qū)動(dòng)器的工作供電電壓以實(shí)現(xiàn)具有較低的功耗并具有較高的可靠性的液晶顯示裝置。此外，在具有數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的液晶顯示裝置中在應(yīng)用具有這種較低的電壓驅(qū)動(dòng)的無(wú)閾值反鐵電混合液晶的情況下，可以降低D/A轉(zhuǎn)換器電路的電壓的輸出以降低D/A轉(zhuǎn)換器電路的運(yùn)行供電電壓和降低驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行供電電壓。因此，可以實(shí)現(xiàn)一種具有降低了的功耗但具有較高的可靠性的液晶顯示裝置。因此，當(dāng)應(yīng)用具有相對(duì)較小的寬度(例如，0至500nm，或0至200nm)的LDD區(qū)(輕微的摻雜區(qū))的TFT時(shí)使用具有這種低電壓驅(qū)動(dòng)的無(wú)閾值的反鐵電混合液晶也是有效的。一般地，無(wú)閾值的反鐵電混合液晶的自發(fā)極化較大，液晶本身的介電常數(shù)較高。由于這個(gè)原因，對(duì)于液晶顯示裝置當(dāng)應(yīng)用無(wú)閾值的反鐵電混合液晶時(shí)，要求較大的像素存儲(chǔ)電容器。因此，優(yōu)選應(yīng)用在自發(fā)極化中較小的無(wú)閾值的反鐵電混合液晶。作為一種變型，當(dāng)應(yīng)用線性順序驅(qū)動(dòng)作為液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法時(shí)，將電壓灰度級(jí)寫入像素的周期(像素饋給周期)延長(zhǎng)以使可以補(bǔ)充較小的存儲(chǔ)電容器。應(yīng)用這種無(wú)閾值的反鐵電混合液晶可以實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)，由此實(shí)現(xiàn)低功耗的液晶顯示裝置。順便提及，只要液晶具有如附圖22所示的電-光特性，它就可以用作本發(fā)明的液晶顯示裝置的顯示介質(zhì)。上文所述的本發(fā)明的顯示裝置可以用于如附圖23所示的三面板型的投影儀(放映機(jī))。在附圖23中，參考標(biāo)號(hào)2401表示一白光源，標(biāo)號(hào)2402至2405表示分光鏡，標(biāo)號(hào)2406和2407表示全反射鏡，標(biāo)號(hào)2408至2410表示本發(fā)明的顯示裝置，標(biāo)號(hào)2411表示凸透鏡。上文所述的本發(fā)明的顯示裝置可以用于如附圖24所示的三面板型的投影儀(放映機(jī))。在附圖24中，參考標(biāo)號(hào)2501表示一白光源，標(biāo)號(hào)2502和2505表示分光鏡，標(biāo)號(hào)2504至2506表示全反射鏡，標(biāo)號(hào)2507至2509表示本發(fā)明的顯示裝置，標(biāo)號(hào)2510表示分光棱鏡，標(biāo)號(hào)2511表示凸透鏡。在上文所述的實(shí)施模式1至3中所述的本發(fā)明的顯示裝置可以用于如附圖25所示的單面板型的投影儀(放映機(jī))。在附圖25中，參考標(biāo)號(hào)2601表示包括燈和反光鏡的白光源，標(biāo)號(hào)2602、2603和2604表示有選擇型性地分別反射波長(zhǎng)在藍(lán)光、紅光和綠光波長(zhǎng)范圍中的光的分光鏡。標(biāo)號(hào)2605表示由許多微型透鏡組成的微型透鏡組。參考標(biāo)號(hào)2606表示本發(fā)明的顯示板，標(biāo)號(hào)2607表示場(chǎng)透鏡，標(biāo)號(hào)2608表示凸透鏡和標(biāo)號(hào)2609表示屏幕。在上面的實(shí)施模式8至10中的投影儀根據(jù)他們的放映方式可以分為后置式投影儀和前置式投影儀。附圖26A所示為一種前置式投影儀，其包括一主機(jī)體10001、一本發(fā)明的顯示裝置10002、一光源10003和一光學(xué)系統(tǒng)10004和一屏幕10005。雖然在附圖26A中所示的為一種并入了一個(gè)顯示裝置的前置型的投影儀，它還可以并入三個(gè)顯示裝置(分別對(duì)應(yīng)于光R、G和B)以實(shí)現(xiàn)更高分辨率和更高清晰度的前置式投影儀。附圖26B所示為一種后置式投影儀，其包括一主機(jī)體10006、一顯示裝置10007、一光源10008、一反光器10009和一屏幕10010。在附圖26B中所示的為一種并入了三個(gè)有源矩陣半導(dǎo)體顯示裝置(分別對(duì)應(yīng)于光R、G和B)的后置型的投影儀。本實(shí)施模式說(shuō)明一種實(shí)例，在該實(shí)例中將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用到護(hù)目鏡型顯示器中。參考附圖27。標(biāo)號(hào)2801表示護(hù)目鏡型顯示器的主機(jī)體，標(biāo)號(hào)2802-R、2802-L表示本發(fā)明的顯示裝置，標(biāo)號(hào)2803-R、2803-L表示發(fā)光二級(jí)管(LED)背照光源，2804-R、2804-L表示光學(xué)元件。在本實(shí)施模式中，將LED用于本發(fā)明的顯示裝置的背照光源以實(shí)現(xiàn)場(chǎng)順序運(yùn)行。在附圖28中的場(chǎng)順序驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖說(shuō)明了寫視頻信號(hào)的起始信號(hào)(Vsync信號(hào))、用于紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)的發(fā)光時(shí)序信號(hào)(R、G和B)和視頻信號(hào)(VIDEO)。Tf表示幀周期。Tr、Tg和Tb分別表示點(diǎn)亮紅(R)的、綠(G)的和藍(lán)(B)的LED的點(diǎn)亮周期。輸送到顯示裝置的視頻信號(hào)是通過(guò)沿著時(shí)基壓縮視頻數(shù)據(jù)到原始數(shù)據(jù)大小的三分之一而得到的一種信號(hào)，比如R1，該R1信號(hào)是從外部輸入來(lái)的并于紅的。輸送到顯示板的一視頻信號(hào)G1是通過(guò)沿著時(shí)基壓縮視頻數(shù)據(jù)到原始數(shù)據(jù)大小的三分之一而得到的一種信號(hào)，該G1信號(hào)是從外部輸入來(lái)的并對(duì)應(yīng)于綠的。輸送到顯示板的一視頻信號(hào)B1是通過(guò)沿著時(shí)基壓縮視頻數(shù)據(jù)到原始數(shù)據(jù)大小的三分之一而得到的一種信號(hào)，該B1信號(hào)是從外部輸入來(lái)的并對(duì)應(yīng)于藍(lán)的。在場(chǎng)順序驅(qū)動(dòng)方法中，在LED點(diǎn)亮周期TR周期、TG周期和TB周期中分別點(diǎn)亮R、G和BLED。在紅的LED點(diǎn)亮周期(TR)中將對(duì)應(yīng)于紅的視頻信號(hào)(R1)輸送到顯示板以寫一屏紅色圖像到顯示板。在綠的LED點(diǎn)亮周期(TG)中將對(duì)應(yīng)于綠的視頻信號(hào)(G1)輸送到顯示板以寫一屏綠色圖像到顯示板。在藍(lán)的LED點(diǎn)亮周期(TB)中將對(duì)應(yīng)于藍(lán)的視頻信號(hào)(B1)輸送到顯示板以寫一屏藍(lán)色圖像到顯示板。這三次寫圖像的操作完成了一幀圖像。本實(shí)施模式結(jié)合附圖29說(shuō)明了一實(shí)例，在該實(shí)例中將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用到筆記本計(jì)算機(jī)。參考標(biāo)號(hào)23001表示筆記本計(jì)算機(jī)的主機(jī)體，標(biāo)號(hào)23002表示本發(fā)明的顯示裝置。LED用于背照光源?？商鎿Q的是，背照光源可以應(yīng)用在已有技術(shù)中的陰極射線管。本發(fā)明的顯示裝置具有各種不同的應(yīng)用。在本實(shí)施模式中，說(shuō)明一種裝有本發(fā)明的顯示裝置的半導(dǎo)體設(shè)備。這種半導(dǎo)體設(shè)備包括攝象機(jī)、靜照相機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話等)。這種實(shí)例如附圖30所示。附圖30A所示為一移動(dòng)電話，包括主殼體11001、聲音輸出部分11002、聲音輸入部分11003、本發(fā)明的顯示裝置11004、操作開關(guān)11005和天線11006。附圖30B所示為一攝象機(jī)，包括主殼體12001、本發(fā)明的顯示裝置12002、聲頻輸入單元12003、操作開關(guān)12004、電池12005和圖像接收單元12006。附圖30C所示為一移動(dòng)計(jì)算機(jī)，包括主殼體13001、攝像機(jī)單元13002、圖像接收單元13003、操作開關(guān)13004和本發(fā)明的顯示裝置13005。附圖30D所示為一便攜式本(電子本)，包括主殼體14001、本發(fā)明的顯示裝置14002和14003、存儲(chǔ)介質(zhì)、操作開關(guān)14005和天線11006。附圖31A所示為一個(gè)人計(jì)算機(jī)，其包括主殼體2601、圖像輸入部分2602、顯示裝置2603、鍵盤2604等。本發(fā)明的電光裝置能夠用到顯示裝置2603，并能夠?qū)⒈景l(fā)明的半導(dǎo)體電路用到CPU、存儲(chǔ)器或類似的裝置中。附圖31B是一電子游戲設(shè)備(游戲設(shè)備)，其包括主殼體2701、記錄介質(zhì)2702、顯示裝置2703和控制器2704。在具有殼體2705和顯示裝置2706的顯示器中再現(xiàn)從電子游戲設(shè)備中輸入的聲音和圖像。在控制器2704和主殼體2701或電子游戲設(shè)備和顯示器之間的通信裝置可以應(yīng)用有線通信、無(wú)線通信或光學(xué)通信。在本實(shí)施模式中，應(yīng)用這樣一種結(jié)構(gòu)在傳感器部分2707和2708中能夠檢測(cè)紅外輻射。本發(fā)明的電光設(shè)備能夠應(yīng)用到顯示裝置2703和2706中，并且本發(fā)明的半導(dǎo)體電路也能夠用于CPU、存儲(chǔ)器或類似的裝置中。附圖31C所示為一種播放器(圖像再現(xiàn)設(shè)備)，該播放器應(yīng)用一在其上記錄程序記錄介質(zhì)(以后簡(jiǎn)單稱為記錄介質(zhì))，該播放器由主殼體12801、顯示裝置12802、揚(yáng)聲器部分12803、記錄介質(zhì)12804和操作開關(guān)12805。需指出的是，DVD(數(shù)字通用盤)或CD能夠作為本裝置的記錄介質(zhì)，并且它能夠用于音樂(lè)欣賞、電影欣賞、游戲和互連網(wǎng)。本發(fā)明還能夠用于顯示裝置12802、CPU、存儲(chǔ)器或類似的裝置中。附圖31D是數(shù)字照相機(jī)，其包括主殼體2901、顯示裝置2902、目鏡部分2903、操作開關(guān)2904和圖像接收部分(未示)。本發(fā)明還能夠用到顯示裝置2902、CPU、存儲(chǔ)器或類似的裝置中。本實(shí)施模式描述了一種實(shí)例，在該實(shí)例中制造一種EL(電致發(fā)光)顯示裝置作為本發(fā)明的顯示裝置。附圖32A為依據(jù)本實(shí)施模式的EL顯示裝置的頂視圖。在附圖32A中，參考標(biāo)號(hào)4010表示基底，標(biāo)號(hào)4011表示像素部分，標(biāo)號(hào)4012表示源側(cè)驅(qū)動(dòng)器電路，標(biāo)號(hào)4013表示柵側(cè)驅(qū)動(dòng)器電路。每個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路通過(guò)引線4014至4016連接到FPC4017，并進(jìn)一步連接到外部設(shè)備。附圖31B所示為依據(jù)本實(shí)施模式的EL顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖。設(shè)置覆蓋件16000、密封材料1700和密封劑(第二密封材料)17001以至少密封像素部分，密封驅(qū)動(dòng)器電路和像素部分更好。用于驅(qū)動(dòng)器電路的TFT(需注意的是，這里所示為具有n-溝道TFT和p-溝道TFT組合的CMOS電路)4022和用于像素部分的TFT(注意的是，這里所示為僅為用于控制流向EL元件的電流的TFT)4023形成在基底4010和基膜4021上。完成驅(qū)動(dòng)器電路的TFT4022和像素部分的TFT4023后，在由樹脂材料制成的層間絕緣膜(平直的膜)4026上形成像素電極4027，該像素電極4027是由透明導(dǎo)電膜制成，并電連接到像素部分的TFT4023的漏極。可用的透明電極膜是由氧化銦和氧化錫的混合物(稱為ITO)或氧化銦和氧化鋅的混合物制成。在形成像素電極4027后，形成絕緣膜4028并在像素電極4027上形成開口。接著形成EL層4029。EL層4029具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，在該復(fù)合結(jié)構(gòu)中公知的EL材料(空穴注入層、空穴運(yùn)載層、光發(fā)射層、電子運(yùn)載層或電子注入層)隨意結(jié)合組成復(fù)合層或僅有單層結(jié)構(gòu)。在形成每一種結(jié)構(gòu)中應(yīng)用公知的技術(shù)。將EL材料分為低分子材料和大分子(聚合體)材料。蒸發(fā)法用于低分子材料而單測(cè)法比如旋涂、印刷方法和墨水噴射法可以用于聚合材料。在這種實(shí)施模式中，使用蔭罩應(yīng)用蒸發(fā)法以形成EL層。應(yīng)用蔭罩以形成能夠?qū)γ恳幌袼匕l(fā)射不同波長(zhǎng)的光的光發(fā)射層(紅色光發(fā)射層，綠色光發(fā)射層，蘭色光發(fā)射層)，以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。還有另外的彩色顯示系統(tǒng)，其中一種彩色顯示系統(tǒng)是綜合應(yīng)用彩色變換層(CCM)和濾色器的系統(tǒng)，另一種是綜合使用白光發(fā)射層和濾色器的系統(tǒng)。可以應(yīng)用這些系統(tǒng)中的任何系統(tǒng)。當(dāng)然EL顯示裝置可以具有單色光發(fā)射。在形成EL層4029后，形成陰極4030。理想的是，盡可能地除盡出現(xiàn)在陰極4030和EL層4029之間的濕氣和氧氣。因此需要一種裝置，以在真空中連續(xù)地形成將陰極4030和EL層4029或在惰性環(huán)境中形成EL層4029以形成陰極4030而沒(méi)有將其暴露在空氣中。在本實(shí)施模式中通過(guò)應(yīng)用多腔室(multi-chamber)系統(tǒng)(群集工具系統(tǒng))的膜形成裝置完成這種膜的形成。本實(shí)施模式應(yīng)用一種多層復(fù)合結(jié)構(gòu)作為陰極4030，該復(fù)合結(jié)構(gòu)由LiF(氟化鋰)膜和Al(鋁)膜組成。具體地說(shuō)，通過(guò)蒸發(fā)法在EL層4029上形成厚度為1nm的LiF(氟化鋰)膜，并在其上形成厚度為300nm的鋁膜。當(dāng)然也可以應(yīng)用一種MgAg(一種公知的電極材料)電極。然后陰極4030與在標(biāo)號(hào)4031所示的區(qū)域中的引線4016相連接。引線4016是用于給陰極4030輸送給定電壓的電源線，并且通過(guò)導(dǎo)電膏材料4032連接到FPCA017。為將陰極4030電連接到在4031所示的區(qū)域中的引線4016，必須在層間絕緣膜4026和絕緣膜4028中形成接觸孔。這些孔形成在腐蝕層間絕緣膜4026(在形成用于像素電極的接觸孔中)和在腐蝕絕緣膜4028(在形成EL層形成之前形成的開口中)中。可替換的是，當(dāng)要腐蝕絕緣膜4028時(shí)，一次在層間絕緣膜4026和絕緣膜4028中都形成接觸孔。在這種情況下，如果層間絕緣膜4026和絕緣膜4028是由相同的樹脂制成的，則可以得到極好的形狀的接觸孔。形成鈍化膜16003、填充材料16004和覆蓋部件16000以覆蓋所形成的EL元件的整個(gè)表面。在覆蓋部件16000和基底14010里面設(shè)置密封材料17000，并在密封材料17000的外面形成密封層(第二密封材料)17001，以便密封所形成的EL元件。這里，填充材料16004也起粘合劑的作用以將覆蓋部件16000粘住?？捎米魈畛涞牟牧嫌蠵VC(聚氯乙烯)、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯醋酸乙烯酯)?？扇〉氖?，在填充材料16004的里面提供干燥劑，這是因?yàn)樗哂形鼭裥Ч?。填充材?6004包含襯片。該襯片可以是由比如BaO(氧化鋇)的粒狀物質(zhì)制成，這樣使襯片本身具有吸濕特性。當(dāng)設(shè)置襯片時(shí)，鈍化膜16003能夠解除襯片壓力?？梢詮拟g化膜獨(dú)立地形成緩解襯片壓力的樹脂膜?？捎玫母采w部件16000的實(shí)例包括玻璃板、鋁板、不銹鋼板、FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、MylarTM膜、聚酯膜和聚丙烯膜。如果應(yīng)用PVB或EVA作為填充材料16004，可取的是，覆蓋部件是具有這種結(jié)構(gòu)的片狀在該結(jié)構(gòu)中厚度為幾十μm的鋁箔夾在PVF膜和MylarTM膜之間。根據(jù)從EL元件發(fā)射出的光的方向(光發(fā)射方向)，要求覆蓋部件16000的光-防護(hù)特性。穿過(guò)由基底24010所確定的間隙并經(jīng)密封材料17000和密封劑17001將引線4016電連接到FPC4017。這里雖然說(shuō)明的是引線4016，其它引線即引線4014和4015類似地在密封材料17000和密封劑17001下經(jīng)過(guò)，以與FPCA017電連接。在這種實(shí)施模式中結(jié)合附圖33A和33B描述一種制造與在實(shí)施模式16中所述的EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)不同的EL顯示裝置的實(shí)例。與在附圖32A和32B中相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的部件，因此省去對(duì)其的說(shuō)明。附圖33A所示為依據(jù)本實(shí)施模式的EL顯示裝置的頂視圖，附圖33B為沿著在附圖33A中的A-A’線的剖面圖。這里的生產(chǎn)程序接著在實(shí)施模式16中形成覆蓋EL元件的表面的鈍化膜10003進(jìn)行描述。設(shè)置填充材料16004以進(jìn)一步覆蓋EL元件。這種填充材料16004也起粘合劑的作用以將覆蓋部件16000粘住?？捎米魈畛涞牟牧嫌蠵VC(聚氯乙烯)、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯醋酸乙烯酯)?？扇〉氖?，在填充材料16004的里面提供干燥劑，以保持吸濕效果。填充材料16004包含襯片。該襯片可以是由比如BaO(氧化鋇)的粒狀物質(zhì)制成，這樣使襯片本身具有吸濕特性。當(dāng)設(shè)置襯片時(shí)，鈍化膜16003能夠緩解了襯片壓力?？梢杂赦g化膜獨(dú)立地形成緩解襯片壓力的樹脂膜?？捎玫母采w部件16000的實(shí)例包括玻璃板、鋁板、不銹鋼板、FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、MylarTM膜、聚酯膜和聚丙烯膜。如果應(yīng)用PVB或EVA作為填充材料16004，可取的是，覆蓋件是具有這種結(jié)構(gòu)的片狀在該結(jié)構(gòu)中厚度為幾十μm的鋁箔夾在PVF膜和MylarTM膜之間。根據(jù)從EL元件發(fā)射出的光的方向(光發(fā)射方向)，要求覆蓋部件16000的光-防護(hù)特性。在應(yīng)用填充材料16004將覆蓋部件16000粘合后，連接上框架構(gòu)件16001以覆蓋填充材料16004的側(cè)面(暴露的面)。應(yīng)用密封材料(起粘合的作用)16002粘合框架構(gòu)件16001。這里，如果EL層的熱阻抗允許，使用光凝固樹脂為密封材料16002固然好，但也可以使用熱凝固樹脂。理想的是密封材料16002是一種能夠透過(guò)更少的濕氣和氧氣的材料。此外，密封材料16002包含干燥劑。穿過(guò)在密封材料16002和基底4010之間的間隙將引線4016電連接到FPC4017。這里雖然說(shuō)明的是引線4016，其它引線即引線4014和4015類似地在密封材料16002下經(jīng)過(guò)，以與FPC4017電連接。本實(shí)施模式的描述將參考如下更詳細(xì)地描述了在EL顯示板中的像素部分的剖面結(jié)構(gòu)的附圖34、說(shuō)明頂部結(jié)構(gòu)的附圖35A和說(shuō)明電路圖的附圖35B。在附圖34、附圖35A和附圖35B中使用共同的參考標(biāo)號(hào)，以便在每一附圖中的參考標(biāo)號(hào)也能夠在其它附圖中找到。在附圖34中，設(shè)置在基底3001上的開關(guān)TFT3002可以應(yīng)用在本發(fā)明中描述的TFT結(jié)構(gòu)或應(yīng)用公知的TFT結(jié)構(gòu)。本實(shí)施模式應(yīng)用雙柵極結(jié)構(gòu)，在結(jié)構(gòu)和制造工序上其沒(méi)有多少不同，因此省掉說(shuō)明。不過(guò)值得注意的是，由于兩個(gè)TFT實(shí)質(zhì)串聯(lián)設(shè)置，由此這種雙柵極結(jié)構(gòu)具有降低OFF電流值的優(yōu)點(diǎn)。在這種實(shí)施模式中除了應(yīng)用雙柵極結(jié)構(gòu)外，也可以應(yīng)用單柵極結(jié)構(gòu)、三柵極結(jié)構(gòu)或多柵極結(jié)構(gòu)的TFT。應(yīng)用NTFT形成電流控制TFT3003。這里，開關(guān)TFT3002的漏極引線3035通過(guò)引線3036電連接到電流控制TFT的柵電極3037。3038所示的引線是電連接開關(guān)TFT3002的柵電極3039a、3039b的柵引線。電流控制TFT是控制在EL元件中流動(dòng)的電流量的元件，由流入的大電流引起的熱量和熱載流子極易使該電流控制TFT老化。因此，本發(fā)明的這種結(jié)構(gòu)是很有效的，即在該結(jié)構(gòu)中將LDD區(qū)設(shè)置在電流控制TFT的漏極側(cè)以使通過(guò)柵絕緣膜與柵電極重疊。在本實(shí)施模式中雖然電流控制TFT3003是一種具有單柵極結(jié)構(gòu)TFT，也可以采用多柵極結(jié)構(gòu)的TFT，在該多柵極結(jié)構(gòu)中許多TFT串聯(lián)?？商鎿Q地，假設(shè)TFT3003采用這樣的結(jié)構(gòu)許多TFT彼此并聯(lián)以實(shí)際上將溝道形成區(qū)劃分為許多部分，以實(shí)現(xiàn)極有效的熱輻射。這種結(jié)構(gòu)對(duì)于防范熱引起的老化是有效的。如附圖35A所示，連到電流控制TFT3003的柵電極3037的引線通過(guò)在3004所示的區(qū)域中的絕緣膜與電流控制TFT3003的漏電極3040重疊。這里，在3004所示的區(qū)域中形成電容器。電容器3004起保持施加到電流控制TFT3003的柵極上的電壓(柵壓)的作用。將漏極引線3040連到電流輸送線(電源線)3006，并施加恒定電壓。在開關(guān)TFT3002和電流控制TFT3003上形成鈍化膜3041，并形成由樹脂絕緣膜制成的均勻膜3042。應(yīng)用均勻膜3042使由TFT引起的水平差變平整是很重要的。后面形成的EL層很薄以致水平差的出現(xiàn)有時(shí)使發(fā)射光產(chǎn)生麻煩。因此，理想的是，在形成像素電極之前進(jìn)行平整以便在盡可能平整的表面上形成EL層。標(biāo)號(hào)3043所示為由具有較高反射率的導(dǎo)電膜制成的像素電極(EL元件的陰極)，該像素電極電連接到電流控制TFT3003的漏極?？扇〉氖?，像素電極3043的材料是低阻抗的導(dǎo)電膜比如鋁合金膜、銅合金膜、銀合金膜或這些膜的復(fù)合膜。當(dāng)然，可以應(yīng)用這些膜與其他導(dǎo)電膜一起形成多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。由絕緣膜(優(yōu)選樹脂)制成的觸排3044a、3044b形成凹槽(對(duì)應(yīng)于像素)，由此在該凹槽中形成光發(fā)射層3045。雖然這里盡示出了一個(gè)像素，分別形成對(duì)應(yīng)于R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)的光發(fā)射層。應(yīng)用π共軛聚合材料作為形成光發(fā)射層的一種有機(jī)EL材料。有代表性的聚合材料包括基于聚對(duì)亞苯基次亞乙烯基(polyparaphenylenevinylene)(PPV)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚芴等的材料。在基于PPV的各種形式的有機(jī)EL材料中，例如公開在H.Shenk，H.Becker，O.Gelsen，E.Kluge，W.Kreuder，H.Spreitzer等人的題為“PolymersforLightEmittingDiodes”(EuroDisplay，Proceedings，1999，pp.33-37)或日本申請(qǐng)專利No.Hei10-92576中提出了一種可用材料。具體地說(shuō)，將氰基聚苯次亞乙烯基(cyanopolyphenylenevinylene)用于發(fā)射紅光的光發(fā)射層，將聚苯次亞乙烯基(polyphenylenevinylene)用于發(fā)射綠光的光發(fā)射層，將聚苯次亞乙烯基或聚烴基亞苯基(polyalkylphenylene)用于發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層。適當(dāng)?shù)哪ず穸葹?0至150nm(優(yōu)選40至100nm)。然而，上文描述了可用作光發(fā)射層的有機(jī)EL材料的實(shí)例，但這并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制?？梢酝ㄟ^(guò)自由結(jié)合光發(fā)射層、電荷運(yùn)載層和電荷注入層來(lái)形成該EL層(一種用于發(fā)射光并運(yùn)載載流子來(lái)發(fā)射光的層)?？商鎿Q在本實(shí)施模式所示的實(shí)例中用作光發(fā)射層的聚合材料有例如克分子低的有機(jī)EL材料。對(duì)于電荷運(yùn)載層和電荷注入層也可以應(yīng)用有機(jī)材料比如碳化硅。一些公知的材料可以用于這些有機(jī)EL材料和無(wú)機(jī)材料。在本實(shí)施模式中的EL層具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，在該復(fù)合結(jié)構(gòu)中在光發(fā)射層3045上形成由PEDOT(polytiophene)或PAni(聚苯胺)制成的空穴注入層3046。在空穴注入層3046上應(yīng)用透明導(dǎo)電膜形成陰極3047。在本實(shí)施模式的這種情況下，在光發(fā)射層3045中產(chǎn)生的光朝頂面發(fā)射(朝上經(jīng)過(guò)TFT)，這要求陰極具有光透光度。應(yīng)用氧化銦和氧化錫的化合物或氧化銦和氧化鋅的化合物形成透明導(dǎo)電膜，優(yōu)選的材料是一種能夠在盡可能低的溫度形成膜的材料，因?yàn)樵谛纬删哂休^低的熱阻抗的光發(fā)射層和空穴注入層后形成透明導(dǎo)電膜。一旦形成陰極3047后就完成EL元件3005。這里的EL元件3005指一種電容器，該電容器由像素電極(陰極)3043、光發(fā)射層3045、空穴注入層3046和陰極3047組成。如附圖35A所示，像素電極3043幾乎延伸到整個(gè)像素的區(qū)域，以便使整個(gè)像素起EL元件的作用。因此，光透射效率很高，產(chǎn)生明亮的圖像顯示。在本實(shí)施模式中，在陰極3047上進(jìn)一步形成第二鈍化膜3048。可取的是，第二鈍化膜3048是一種氮化硅膜或氮氧化硅膜。形成這種第二鈍化膜的一個(gè)目的是將EL元件與外部斷開，以防止由于氧化引起的有機(jī)EL老化以及抑制有機(jī)EL材料的老化。這就增強(qiáng)了EL顯示裝置的可靠性。如上所述，本實(shí)施模式的EL顯示板包括由具有如附圖34所示的結(jié)構(gòu)的像素組成的像素部分、具有很低的OFF電流值的開關(guān)TFT和能夠強(qiáng)烈地抵御熱載流子注入的電流控制TFT。由此得到一種具有很高的可靠性和極好的圖像顯示的EL顯示板。在本實(shí)施模式中描述一種在如實(shí)施模式18中所示的像素部分中的EL元件的結(jié)構(gòu)，不過(guò)現(xiàn)在倒了過(guò)來(lái)。附圖36用于說(shuō)明本實(shí)施模式。將在本實(shí)施模式和附圖34所示的結(jié)構(gòu)之間的差別限制在EL元件和電流控制TFT中，以便省略對(duì)其它元件的說(shuō)明。在附圖36中，應(yīng)用PTFT形成電流控制電路3103。在本實(shí)施模式中將透明導(dǎo)電膜用于像素電極(陰極)3050。具體地說(shuō)，應(yīng)用氧化銦和氧化鋅的混合物形成透明導(dǎo)電膜。當(dāng)然也可以應(yīng)用氧化銦和氧化錫的混合物形成透明導(dǎo)電膜。在形成由絕緣膜形成制成的觸排3051a和3051b之后，應(yīng)用溶液形成包括聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)的光發(fā)射層3052。然后形成包括乙酰丙酮鉀(potassiumacetylacetonate)和由鋁合金制成的陰極3054的電子注入層3053。在這種情況下，陰極3054還起鈍化膜的作用。由此因此形成EL元件3101。在這種實(shí)施模式中，如在附圖中箭頭所示，在光發(fā)射層3052中產(chǎn)生的光朝在其上形成有TFT的基底發(fā)射。應(yīng)用本實(shí)施模式的EL顯示板作為如在實(shí)施模式12至15中所示的電子設(shè)備的顯示單元是很有效的。本實(shí)施模式涉及一種實(shí)例，在該實(shí)例中像素的結(jié)構(gòu)與在附圖35B的電路圖中所示的結(jié)構(gòu)不同，該實(shí)例說(shuō)明在附圖37A至37C中。在這種實(shí)施模式，參考標(biāo)記3201表示開關(guān)TFT3202的源極引線，標(biāo)號(hào)3203表示開關(guān)TFT3202的柵極引線，標(biāo)號(hào)3204表示電流控制TFT，標(biāo)號(hào)3205表示電容器，標(biāo)號(hào)3206表示電源線，標(biāo)號(hào)3207表示EL元件。附圖37A說(shuō)明一種實(shí)例，在該實(shí)例中電源線3206由兩個(gè)像素共享。換句話說(shuō)，這個(gè)實(shí)例的特征在于相對(duì)于電源線3206軸對(duì)稱地形成兩個(gè)像素。在這種情況下，可以減少電源線的數(shù)目，進(jìn)一步提高像素部分的清晰度。附圖37B說(shuō)明一種實(shí)例，在該實(shí)例中與柵極引線3203平行地設(shè)置電源線3208。雖然設(shè)置電源線3208以便不與在附圖37B中的柵極引線3203重疊，但如果線形成在不同的層中則會(huì)通過(guò)絕緣膜彼此重疊。在這種情況下，電源線3208和柵極引線3203共享它們的所在的區(qū)域，這樣能夠進(jìn)一步提高像素部分的清晰度。附圖37C所示的實(shí)例的特征在于與在附圖37B中的結(jié)構(gòu)相類似，同柵極引線3203a和3203b平行地設(shè)置電源線3206，此外，相對(duì)于電源線3206軸對(duì)稱地形成兩像素。設(shè)置電源線3206以使其與柵極引線3203a和3206b中的一個(gè)重疊也是有效果的。在這種情況下，可以減少電源線的數(shù)目，進(jìn)一步提高像素部分的清晰度。在附圖35A和附圖35B中所示的實(shí)施模式18中，提供一種電容器3004，其用于保持施加到電流控制TFT3003的柵極上的電壓。然而，電容器3004可以省略。在實(shí)施模式21中，應(yīng)用具有LDD區(qū)的TFT作為電流控制TFT3003，設(shè)置該LDD區(qū)以使其通過(guò)柵絕緣膜與柵電極重疊。在重疊區(qū)域形成寄生電容(一般稱為柵電容)。這種實(shí)施模式的特征在于有效地以寄生電容替代了電容器3004。這種寄生電容的變化取決于柵電極與LDD區(qū)重疊的區(qū)域的面積和由此包含在重疊區(qū)域中的LDD區(qū)的長(zhǎng)度。可以與在附圖37A至37C所示的實(shí)施模式20中的結(jié)構(gòu)相類似省去電容器3205。依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，能夠得到比應(yīng)用D/A轉(zhuǎn)換器電路的電容所得到的顯示還好的多灰度級(jí)顯示。因此，實(shí)現(xiàn)了一種較小尺寸的顯示裝置。權(quán)利要求1.一種包括顯示裝置的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。2.如權(quán)利要求1所述的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置包括表示V形電光特性的無(wú)閾值反鐵電的混合液晶。3.如權(quán)利要求1所述的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置還包括一個(gè)電路，該電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所述n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給所述源極驅(qū)動(dòng)器。4.如權(quán)利要求1所述的便攜式電話，其特征在于，所述一個(gè)幀周期包括2m-n個(gè)周期。5.如權(quán)利要求1所述的便攜式電話，其特征在于，通過(guò)2m-(2m-n-1)種模式的圖像灰度顯示圖像。6.如權(quán)利要求1所述的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置是電致發(fā)光顯示裝置。7.一種包括顯示裝置的照相機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。8.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括表示V形電光特性的無(wú)閾值反鐵電的混合液晶。9.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置還包括一個(gè)電路，該電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所述n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給所述源極驅(qū)動(dòng)器。10.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，所述一個(gè)幀周期包括2m-n個(gè)周期。11.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，通過(guò)2m-(2m-n-1)種模式的圖像灰度顯示圖像。12.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，所述照相機(jī)是攝像機(jī)和數(shù)字照相機(jī)中的至少一種。13.如權(quán)利要求7所述的照相機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置是電致發(fā)光顯示裝置。14.一種包括顯示裝置的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。15.如權(quán)利要求14所述的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置包括表示V形電光特性的無(wú)閾值反鐵電的混合液晶。16.如權(quán)利要求14所述的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置還包括一個(gè)電路，該電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所述n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給所述源極驅(qū)動(dòng)器。17.如權(quán)利要求14所述的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述一個(gè)幀周期包括2m-n個(gè)周期。18.如權(quán)利要求14所述的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，通過(guò)2m-(2m-n-1)種模式的圖像灰度顯示圖像。19.如權(quán)利要求14所述的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述顯示裝置是電致發(fā)光顯示裝置。20.一種包括顯示裝置的投影儀，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。21.如權(quán)利要求20所述的投影儀，其特征在于，所述顯示裝置包括表示V形電光特性的無(wú)閾值反鐵電的混合液晶。22.如權(quán)利要求20所述的投影儀，其特征在于，所述顯示裝置還包括一個(gè)電路，該電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所述n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給所述源極驅(qū)動(dòng)器。23.如權(quán)利要求20所述的投影儀，其特征在于，所述一個(gè)幀周期包括2m-n個(gè)周期。24.如權(quán)利要求20所述的投影儀，其特征在于，通過(guò)2m-(2m-n-1)種模式的圖像灰度顯示圖像。25.如權(quán)利要求20所述的投影儀，其特征在于，所述顯示裝置是電致發(fā)光顯示裝置。26.一種包括顯示裝置的電子書，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m-n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。27.如權(quán)利要求26所述的電子書，其特征在于，所述顯示裝置包括表示V形電光特性的無(wú)閾值反鐵電的混合液晶。28.如權(quán)利要求26所述的電子書，其特征在于，所述顯示裝置還包括一個(gè)電路，該電路將從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，并將所述n位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給所述源極驅(qū)動(dòng)器。29.如權(quán)利要求26所述的電子書，其特征在于，所述一個(gè)幀周期包括2m-n個(gè)周期。30.如權(quán)利要求26所述的電子書，其特征在于，通過(guò)2m-(2m-n-1)種模式的圖像灰度顯示圖像。31.如權(quán)利要求26所述的電子書，其特征在于，所述顯示裝置是電致發(fā)光顯示裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種包括顯示裝置的便攜式電話，其特征在于，所述顯示裝置包括多個(gè)像素，按矩陣配置在襯底上；有源矩陣電路，包括所述襯底上的多個(gè)像素TFT；和驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣電路的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，其中，從外部輸入的m位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)中的n位信息用于電壓灰度方法，而m－n位信息用于時(shí)間比例灰度方法，這里所述m和所述n都是等于或大于2的整數(shù)，且滿足m＞n，和其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素的一個(gè)幀周期的顯示灰度級(jí)與在所述一個(gè)幀周期中包含的各個(gè)子幀周期中通過(guò)對(duì)所輸入的灰度電壓電平進(jìn)行平均得到的一個(gè)值相對(duì)應(yīng)。文檔編號(hào)G09G3/30GK1662016SQ200510003850公開日2005年8月31日申請(qǐng)日期2000年3月18日優(yōu)先權(quán)日1999年3月18日發(fā)明者山崎舜平,小山潤(rùn)申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所