專(zhuān)利名稱(chēng)：光干涉式彩色顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，特別是涉及一種能夠有效控制空氣間隙的光干涉式彩色顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
目前具有重量輕、厚度薄的平面顯示器，例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)電激發(fā)光顯示元件(OLED)與電漿顯示器(PDP)等已被廣泛的應(yīng)用于日常生活中。其中，液晶顯示器已經(jīng)漸漸成為顯示器的主流，但液晶顯示器仍然存在有許多的問(wèn)題，例如是視角不夠廣、應(yīng)答時(shí)間不夠快以及需要使用偏光片(polarizer)而使光源利用效率不佳等問(wèn)題。
現(xiàn)今已有一種光干涉式顯示面板被發(fā)展出來(lái)，請(qǐng)參閱圖1所示，其繪示為現(xiàn)有習(xí)知光干涉式彩色顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖?，F(xiàn)有習(xí)知光干涉式彩色顯示面板100主要是由一透明基板110、一第一電極結(jié)構(gòu)120、一圖案化支撐層130以及第二電極層140所構(gòu)成。其中，第一電極結(jié)構(gòu)120由下至上依序是由多個(gè)第一電極122、吸收膜層(absorption layer)124與光學(xué)膜層126所構(gòu)成。值得留意的是，在第一電極結(jié)構(gòu)120與光學(xué)膜層126之間會(huì)間隔出多個(gè)空氣間隙(Air Gap)G1、G2與G3。
當(dāng)光線(xiàn)由透明基板110進(jìn)入至第一電極結(jié)構(gòu)120后，會(huì)經(jīng)過(guò)空氣間隙G1、G2與G3并入射至第二電極層140上。接著，再藉由第二電極層140從第一電極結(jié)構(gòu)120反射出來(lái)。由于光線(xiàn)在不同的空氣間隙G1、G2與G3中會(huì)受到不同程度的干涉(interference)，進(jìn)而呈現(xiàn)不同色光，如紅光、綠光以及藍(lán)光，以達(dá)到顯示效果。然而，不同的空氣間隙G1、G2、與G3乃是藉由形成不同厚度的犧牲層(將詳述在后)所控制。換言之，犧牲層品質(zhì)的好壞，將會(huì)嚴(yán)重影響光干涉式彩色顯示面板100的光學(xué)顯示特性。
圖2A-2D繪示現(xiàn)有習(xí)知形成犧牲層的流程剖面圖。請(qǐng)首先參閱圖2A所示，首先，提供一透明基板110，在透明基板110上形成第一電極結(jié)構(gòu)120，而第一電極結(jié)構(gòu)120由下至上依序是由多個(gè)第一電極122、吸收膜層(absorption layer)124與光學(xué)膜層126所構(gòu)成。此外，在第一電極結(jié)構(gòu)120上可定義出第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30。
請(qǐng)參閱圖2B所示，接著，全面性沉積第一犧牲層132(非晶硅)。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30以外的第一犧牲層132，以形成圖案化的第一犧牲層132。
請(qǐng)參閱圖2C所示，全面性沉積第二犧牲層134，而第二犧牲層134的材質(zhì)與第一犧牲層132相同。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第二區(qū)域20與第三區(qū)域30以外的第二犧牲層134，以形成圖案化的第二犧牲層134。值得注意的是，在藉由蝕刻制程移除第一顯示區(qū)域10內(nèi)的第二犧牲層132時(shí)，由于第一犧牲層132與第二犧牲層134為相同的材質(zhì)(具有相同的被蝕刻速率)，因此，該蝕刻制程所使用的蝕刻液很容易對(duì)已形成的第一犧牲層132造成損害，而改變了第一犧牲層132的初始厚度，進(jìn)而對(duì)后續(xù)制程造成影響。
請(qǐng)參閱圖2D所示，接著，全面性沉積第三犧牲層136，而第三犧牲層136的材質(zhì)與第一犧牲層132、第二犧牲層134皆相同。然后，接著進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第三區(qū)域30以外的第三犧牲層136，并形成圖案化的第三犧牲層136，至此，各犧牲層便制作完成。值得注意的是，在藉由蝕刻制程移除第一顯示區(qū)域10內(nèi)的第三犧牲層136時(shí)，由于第三犧牲層136位于第一犧牲層132上，因此，很容易再對(duì)第一犧牲層132造成損害。同樣地，在藉由蝕刻制程移除第二顯示區(qū)域20內(nèi)的第三犧牲層136時(shí)，由于第三犧牲層136位于第一犧牲層132上，且第三犧牲層136與第一犧牲層132的被蝕刻速率相同，因此，在移除第三犧牲層136時(shí)，很容易對(duì)第二犧牲層134造成損害。
最后，全面性涂布一層例如是光阻材料，并將光阻材料圖案化以形成圖案化支撐層130。接著，形成第二電極層140在第一區(qū)域10、第二區(qū)域與第三區(qū)域30內(nèi)不同厚度的犧牲層上與圖案化支撐層130的部份區(qū)域上，再利用六氟化氙(XeF6)將所有犧牲層132、134、136移除，以形成不同的空氣間隙G1、G2、G3(請(qǐng)參閱圖1)。
換言之，不同的空氣間隙G1、G2與G3是由沉積犧牲層的厚度所控制。若是犧牲層因被損害而改變?cè)仍O(shè)計(jì)的厚度，便無(wú)法有效地控制所形成的空氣間隙G1、G2與G3的大小，進(jìn)而嚴(yán)重影響光干涉式彩色顯示面板100的光學(xué)顯示特性。在前述制程穩(wěn)定度不佳的情況下，現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)十分容易有良率下降與制造成本上升的問(wèn)題。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決光干涉式彩色顯示面板的制造方法存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決的道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般制造方法又沒(méi)有適切的制造方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的光干涉式彩色顯示面板的制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的光干涉式彩色顯示面板的制造方法存在的缺陷，而提供一種新的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可準(zhǔn)確掌握形成犧牲層的厚度，進(jìn)而形成品質(zhì)較佳的空氣間隙。
本發(fā)明另一目的在于，提供一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可形成品質(zhì)較佳的空氣間隙，因此，更可提升光干涉式彩色顯示面板的光學(xué)顯示特性，從而更加適于實(shí)用。
為達(dá)上述的發(fā)明目的，一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)。的后在第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域。接著，在第一區(qū)域、第二區(qū)域與第三區(qū)域內(nèi)的第一電極結(jié)構(gòu)上形成一第一犧牲層。此外，在第二區(qū)域與第三區(qū)域內(nèi)的第一犧牲層上形成一第二犧牲層。另外，在第三區(qū)域內(nèi)的第二犧牲層上形成一第三犧牲層，而第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層的被蝕刻速率(etching rate)皆不相同。接著，形成一圖案化支撐層于第一電極結(jié)構(gòu)上，隨后形成一第二電極層在第一區(qū)域的第一犧牲層上、第二區(qū)域的第二犧牲層上、第三區(qū)域的第三犧牲層上與圖案化支撐層的部分區(qū)域上。最后，移除第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層，以于第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極層的間形成多個(gè)空氣間隙(air gap)。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中透明基板例如包括玻璃基板或塑膠基板。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第一電極結(jié)構(gòu)的形成方法，首先，在基板上形成多個(gè)第一電極。接著，在多個(gè)第一電極上形成一吸收膜層(absorption layer)。最后，在吸收膜層上形成一光學(xué)膜層。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中多個(gè)第一電極例如是透明電極且其材質(zhì)例如包括銦錫氧化物。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中吸收膜層的材質(zhì)例如包括鉻(Cr)與鉻化鉬(MoCr)其中之一。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中光學(xué)膜層的材質(zhì)例如包括氮硅化物與氧硅化物其中之一。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中圖案化支撐層的材質(zhì)例如包括光阻材料。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二犧牲層的被蝕刻速率大于第一犧牲層1.5倍，且第三犧牲層的被蝕刻速率大于第二犧牲層1.5倍。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第一犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第三犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二電極層為金屬電極，而第二電極層的材質(zhì)例如為鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。
本發(fā)明提出一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)。的后在第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域。接著，在第一區(qū)域內(nèi)形成一第一犧牲層于第一電極結(jié)構(gòu)上。此外，在第二區(qū)域內(nèi)形成一第二犧牲層于第一電極結(jié)構(gòu)上。另外，在第三區(qū)域內(nèi)形成一第三犧牲層于第一電極結(jié)構(gòu)上，而第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層的被蝕刻速率與厚度皆不相同。接著，形成一圖案化支撐層于第一電極結(jié)構(gòu)上，隨后形成一第二電極層于第一區(qū)域的第一犧牲層上、第二區(qū)域的第二犧牲層上與第三區(qū)域的第三犧牲層上與圖案化支撐層的部分區(qū)域上。最后，移除第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層，以于第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極層的間形成多個(gè)空氣間隙。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中透明基板例如包括玻璃基板或塑膠基板。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第一電極結(jié)構(gòu)的形成方法，首先，在基板上形成多個(gè)第一電極。接著，在多個(gè)第一電極上形成一吸收膜層(absorption layer)。最后，在吸收膜層上形成一光學(xué)膜層。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中多個(gè)第一電極例如是透明電極且其材質(zhì)例如包括銦錫氧化物。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中吸收膜層的材質(zhì)例如包括鉻(Cr)與鉻化鉬(MoCr)其中之一。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中光學(xué)膜層的材質(zhì)例如包括氮硅化物與氧硅化物其中之一。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中圖案化支撐層的材質(zhì)例如包括光阻材料。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二犧牲層的被蝕刻速率大于第一犧牲層1.5倍，且第三犧牲層的被蝕刻速率大于第二犧牲層1.5倍。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第一犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第三犧牲層的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
本發(fā)明的一實(shí)施例所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其中第二電極層為金屬電極，而第二電極層的材質(zhì)例如為鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。
本發(fā)明提出一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)。的后在第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域與一第二區(qū)域。在第一區(qū)域與該第二區(qū)域內(nèi)的第一電極結(jié)構(gòu)上形成一第一犧牲層。在第二區(qū)域內(nèi)的第一犧牲層上形成一第二犧牲層，而第一犧牲層與第二犧牲層的被蝕刻速率皆不相同。接著，形成一圖案化支撐層于第一電極結(jié)構(gòu)上，隨后形成一第二電極層在第一區(qū)域的第一犧牲層上、第二區(qū)域的該第二犧牲層上，以及圖案化支撐層的部分區(qū)域上。最后，移除第一犧牲層與第二犧牲層，以于第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極層之間形成多個(gè)空氣間隙。
本發(fā)明提出一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)。的后在第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域與一第二區(qū)域。接著，在第一區(qū)域內(nèi)形成一第一犧牲層于第一電極結(jié)構(gòu)上。此外，在第二區(qū)域內(nèi)形成一第二犧牲層于第一電極結(jié)構(gòu)上，而第一犧牲層與第二犧牲層的被蝕刻速率與厚度皆不相同。另外，形成一圖案化支撐層于第一電極結(jié)構(gòu)上，隨后形成一第二電極層于第一區(qū)域的第一犧牲層上、第二區(qū)域的第二犧牲層上，以及圖案化支撐層的部分區(qū)域上。最后，移除第一犧牲層與第二犧牲層，以于第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極層的間形成多數(shù)個(gè)空氣間隙。
本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法是利用不同被蝕刻速率的材質(zhì)來(lái)形成犧牲層。因此，利用各個(gè)犧牲層間具有不同被蝕刻速率的特性，可避免犧牲層被損害，進(jìn)而形成品質(zhì)較佳的空氣間隙，更可提高光干涉式彩色顯示面板的光學(xué)顯示特性。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法能夠使其可準(zhǔn)確掌握形成犧牲層的厚度，進(jìn)而形成品質(zhì)較佳的空氣間隙。
又，為了達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，更可提升光干涉式彩色顯示面板的光學(xué)顯示特性，從而更加適于實(shí)用。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明光干涉式彩色顯示面板的制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)一、本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法可避免犧牲層受到損害。因此，可有效地控制空氣間隙與制造上的良率，進(jìn)而提升光干涉式彩色顯示面板的光學(xué)顯示特性。
二、本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法藉由沉積不同被蝕刻速率的材質(zhì)形成犧牲層，避免犧牲層受到損害，更可準(zhǔn)確控制犧牲層的厚度。
綜上所述，本發(fā)明特殊的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類(lèi)制造方法中未見(jiàn)有類(lèi)似的設(shè)計(jì)公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在制造方法上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的光干涉式彩色顯示面板的制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為現(xiàn)有習(xí)知光干涉式彩色顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A～2D為現(xiàn)有習(xí)知形成犧牲層的流程剖面圖。
圖3A～3F為依照本發(fā)明第一實(shí)施例光干涉式彩色顯示面板的制造方法流程剖面圖。
圖4A～4F繪示為依照本發(fā)明第二實(shí)施例光干涉式彩色顯示面板的制造方法流程剖面圖。
100、200、300光干涉式彩色顯示面板110、210、310透明基板120、220、320第一電極結(jié)構(gòu)122、222、322第一電極124、224、324吸收膜層
126、226、326光學(xué)膜層130、230、330圖案化支撐層132、232、332第一犧牲層134、234、334第二犧牲層136、236、336第三犧牲層140、240、340第二電極層具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的光干涉式彩色顯示面板的制造方法其具體實(shí)施方式

、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
第一實(shí)施例圖3A～3F為依照本發(fā)明第一實(shí)施例光干涉式彩色顯示面板的制造方法流程剖面圖。請(qǐng)參閱圖3A所示，首先，提供一透明基板210，其材料例如是玻璃基板或塑膠基板，并在透明基板210上形成第一電極結(jié)構(gòu)220。
此第一電極結(jié)構(gòu)220的形成方法例如是用物理氣相沉積法或是其他適當(dāng)?shù)姆绞?，將銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)沉積在透明基板210上。再經(jīng)過(guò)微影/蝕刻制程將銦錫氧化物圖案化，以形成多個(gè)透明的第一電極222。接著，沉積一層吸收膜層224在第一電極222與未形成第一電極222的基板210部分區(qū)域上。其中，吸收膜層224的材質(zhì)例如是鉻(Cr)或鉻化鉬(MoCr)。
最后，沉積一層光學(xué)膜層226在吸收膜層224上。其中，光學(xué)膜層226的材質(zhì)例如是氮硅化物與氧硅化物。當(dāng)然，光學(xué)膜層226并不限定是單一膜層，可藉由多層高介電是數(shù)與多層低介電是數(shù)的材料交互堆迭所組成。上述的步驟便完成了第一電極結(jié)構(gòu)220，而第一電極結(jié)構(gòu)220是由上述的多個(gè)第一電極222、吸收膜層224與光學(xué)膜層226所組成。此外，在第一電極結(jié)構(gòu)220上定義出第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30。
請(qǐng)參閱圖3B所示，接著，全面性沉積第一犧牲層232，其材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30以外的第一犧牲層232，進(jìn)而形成圖案化的第一犧牲層232。
請(qǐng)參閱圖3C所示，然后，全面性沉積第二犧牲層234，而第二犧牲層234的材質(zhì)，其被蝕刻速率(etching rate)至少大于第一犧牲層232例如是1.5倍。此第二犧牲層234的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。只要第二犧牲層234的材質(zhì)，其被蝕刻速率大于第一犧牲層232的被蝕刻速率。當(dāng)然也可選擇相同的材質(zhì)例如是非晶硅，再利用不同的成膜溫度對(duì)非晶硅作處理，使得第一犧牲層232與第二犧牲層234的非晶硅材質(zhì)具有不同的被蝕刻速率。無(wú)論如何，對(duì)于相同或不同的蝕刻液而言，只要各犧牲層的被蝕刻速率皆不相同即可。
接著，對(duì)第二犧牲層234進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第二區(qū)域20與第三區(qū)域30以外的第二犧牲層234，進(jìn)而形成圖案化的第二犧牲層234。值得注意的是，在蝕刻制程中移除第一顯示區(qū)域10內(nèi)的第二犧牲層234時(shí)，雖然第二犧牲層234位于第一犧牲層232上，但由于第二犧牲層234的被蝕刻速率較大。因此，在移除的過(guò)程中，例如是以濕蝕刻的方式或是利用其他適當(dāng)?shù)姆绞揭瞥诙奚鼘?34，利用兩犧牲層間不同被蝕刻速率的特性可避免對(duì)其下層的第一犧牲層232造成損害，更可保持第一犧牲層232原來(lái)的厚度。
請(qǐng)參閱圖3D所示，接著，全面性沉積第三犧牲層236。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第三區(qū)域30以外的第三犧牲層236，進(jìn)而形成圖案化的第三犧牲層236。至此位于第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30內(nèi)的犧牲層便制作完成。
值得留意的是，為了圖案化第三犧牲層236，會(huì)利用濕蝕刻或其他適當(dāng)?shù)姆绞揭瞥谝粎^(qū)域10內(nèi)的第三犧牲層236與第二區(qū)域20內(nèi)的第三犧牲層236。位于第一區(qū)域10內(nèi)的第三犧牲層236，其被蝕刻速率遠(yuǎn)大于第一犧牲層232。雖然，第一犧牲層232位于其下方，但在移除第三犧牲層236的過(guò)程中，并不會(huì)對(duì)第一犧牲層232造成損害。
同樣地，在尚未圖案化前，位于第二區(qū)域20內(nèi)的第三犧牲層236，其被蝕刻速率大于第二犧牲層234例如是1.5倍。雖然，第二犧牲層234位于第三犧牲層236下方，但可藉由被蝕刻速率的差異，進(jìn)而避免第二犧牲層234被損害。此外，更可精確控制各個(gè)犧牲層的厚度。
請(qǐng)參閱圖3E所示，全面性涂布一層光阻材料，并將光阻材料圖案化以形成圖案化支撐層230。接著，全面性沉積第二電極層240，其材質(zhì)通常是具有光反射性的金屬材質(zhì)例如是鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，形成圖案化的第二電極層240。此第二電極層240形成于第一區(qū)域10的第一犧牲層232上、第二區(qū)域20的第二犧牲層234上、第三區(qū)域30的第三犧牲層236上，以及圖案化支撐層230的部分區(qū)域上。
最后，請(qǐng)參閱圖3F所示，再利用例如是六氟化氙(XeF6)將所有犧牲層移除，進(jìn)而形成出不同的空氣間隙C1、C2與C3。更詳細(xì)地說(shuō)，將第二電極層240形成于不同厚度的犧牲層上，便可定義出不同的空氣間隙C1、C2與C3，此外，空氣間隙的間隙距一般約小于/等于1微米。在本實(shí)施例中，各個(gè)犧牲層間具有不同的被蝕刻速率，藉由先沉積被蝕刻速率較小的犧牲層，進(jìn)而避免較早沉積的犧牲層受到損害。
因此，與現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)相比較，更可準(zhǔn)確控制犧牲層的厚度，進(jìn)而維持空氣間隙C1、C2與C3形成的品質(zhì)與提升制造上的良率，更可提升光干涉式彩色顯示面板200的光學(xué)顯示特性。
第二實(shí)施例圖4A～4F為依照本發(fā)明第二實(shí)施例光干涉式彩色顯示面板的制造方法流程剖面圖。請(qǐng)參閱圖4A，其表示在第一實(shí)施例的圖3A中，形成第一電極結(jié)構(gòu)220與定義出第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30的步驟。
請(qǐng)參閱圖4B所示，接著全面性沉積第一犧牲層332，其材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第一區(qū)域10以外的第一犧牲層332，進(jìn)而形成圖案化的第一犧牲層332。
請(qǐng)參閱圖4C所示，然后，全面性沉積第二犧牲層334，而第二犧牲層334的材質(zhì)，其被蝕刻速率至少大于第一犧牲層332例如是1.5倍。此第二犧牲層334的材質(zhì)例如是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。只要第二犧牲層334的材質(zhì)，其被蝕刻速率大于第一犧牲層332的被蝕刻速率。當(dāng)然也可選擇相同的材質(zhì)例如是非晶硅，再利用不同的成膜溫度對(duì)非晶硅作處理，使得第一犧牲層332與第二犧牲層334的非晶硅材質(zhì)具有不同的被蝕刻速率。無(wú)論如何，對(duì)于相同或不同的蝕刻液而言，只要各犧牲層的被蝕刻速率皆不相同即可。
接著，對(duì)第二犧牲層334進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第二區(qū)域20以外的第二犧牲層334，進(jìn)而形成圖案化的第二犧牲層334。值得注意的是，在蝕刻制程中移除第一顯示區(qū)域10內(nèi)的第二犧牲層334時(shí)，雖然第二犧牲層334位于第一犧牲層332上，但由于第二犧牲層334的被蝕刻速率較大。因此，在移除的過(guò)程中，例如是以濕蝕刻的方式或是利用其他適當(dāng)?shù)姆绞揭瞥诙奚鼘?34，利用犧牲層間不同被蝕刻速率的特性可避免對(duì)其下層的第一犧牲層332造成損害，更可保持第一犧牲層332原來(lái)的厚度。
請(qǐng)參閱圖4D所示，接著，全面性沉積第三犧牲層336。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，以移除第三區(qū)域30以外的第三犧牲層336，進(jìn)而形成圖案化的第三犧牲層336。至此位于第一區(qū)域10、第二區(qū)域20與第三區(qū)域30內(nèi)的犧牲層便制作完成。
值得留意的是，為了圖案化第三犧牲層336，會(huì)利用濕蝕刻或其他適當(dāng)?shù)姆绞揭瞥谝粎^(qū)域10內(nèi)的第三犧牲層336與第二區(qū)域20內(nèi)的第三犧牲層336。位于第一區(qū)域10內(nèi)的第三犧牲層336，其被蝕刻速率遠(yuǎn)大于第一犧牲層332。雖然，第一犧牲層332位于其下方，但在移除第三犧牲層336的過(guò)程中，并不會(huì)對(duì)第一犧牲層332造成損害。
同樣地，在尚未圖案化前，位于第二區(qū)域20內(nèi)的第三犧牲層336，其被蝕刻速率大于第二犧牲層334例如是1.5倍。雖然，第二犧牲層334位于第三犧牲層336下方，但可藉由被蝕刻速率的差異，進(jìn)而避免第二犧牲層334被損害。此外，更可精確控制各個(gè)犧牲層的厚度。
請(qǐng)參閱圖4E所示，全面性涂布一層光阻材料，并將光阻材料圖案化以形成圖案化支撐層330。接著，全面性沉積第二電極層340，其材質(zhì)通常是具有光反射性的金屬材質(zhì)例如是鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。然后，進(jìn)行微影/蝕刻制程，形成圖案化的第二電極層340。此第二電極層340形成于第一區(qū)域10的第一犧牲層332上、第二區(qū)域20的第二犧牲層334上、第三區(qū)域30的第三犧牲層336上，以及圖案化支撐層330的部分區(qū)域上。
最后，請(qǐng)參閱圖4F所示，其表示第一實(shí)施例的圖3F中，形成不同的空氣間隙C1、C2與C3的步驟。更詳細(xì)地說(shuō)，將第二電極層340形成于不同厚度的犧牲層上，便可定義出不同的空氣間隙D1、D2與D3。在本實(shí)施例中，藉由先沉積被蝕刻速率較小的犧牲層，進(jìn)而避免較早沉積的犧牲層受到損害。
前述實(shí)施例是以空氣間隙C1、C2、C3以及空氣間隙D1、D2、D3為例進(jìn)行說(shuō)明，但并非用以限定本發(fā)明。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法中，亦可僅制作出兩種不同的空氣間隙，其制作方式與前述內(nèi)容所揭露的制程相似，唯其差異之處在于此處僅進(jìn)行第一犧牲層與第二犧牲層的制作。另一方面，本發(fā)明的光干涉式彩色顯示面板的制造方法中，亦可制作出三種以上的空氣間隙，其制作方式與前述內(nèi)容所揭露的制程亦相似，唯其差異之處在于此處除了進(jìn)行第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層的制作之外，更包括進(jìn)行其他種類(lèi)犧牲層的制作。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基板，在該基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)；在該第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域；在該第一區(qū)域、該第二區(qū)域與該第三區(qū)域內(nèi)的該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一第一犧牲層；在該第二區(qū)域與該第三區(qū)域內(nèi)的該第一犧牲層上形成一第二犧牲層；在該第三區(qū)域內(nèi)的該第二犧牲層上形成一第三犧牲層，而該第一犧牲層、第二犧牲層與第三犧牲層的被蝕刻速率皆不相同；在該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一圖案化支撐層；形成一第二電極層在該第一區(qū)域的該第一犧牲層、該第二區(qū)域的該第二犧牲層、該第三區(qū)域的該第三犧牲層，以及該圖案化支撐層的部分區(qū)域上；以及移除該第一犧牲層、該第二犧牲層與該第三犧牲層，以在該第一電極結(jié)構(gòu)與該第二電極層之間形成多數(shù)個(gè)空氣間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的透明基板包括玻璃基板或塑膠基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一電極結(jié)構(gòu)的形成方法包括以下步驟在該基板上形成復(fù)數(shù)個(gè)第一電極；在該些第一電極上形成一吸收膜層；以及在該吸收膜層上形成一光學(xué)膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的該些第一電極為透明電極且該些第一電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的吸收膜層的材質(zhì)包括鉻(Cr)與鉻化鉬(MoCr)其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的光學(xué)膜層的材質(zhì)包括氮硅化物與氧硅化物其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的圖案化支撐層的材質(zhì)包括光阻材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二犧牲層的被蝕刻速率大于該第一犧牲層1.5倍，且該第三犧牲層的被蝕刻速率大于該第二犧牲層1.5倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第三犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二電極層為金屬電極，而該第二電極層的材質(zhì)為鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。
13.一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基板，在該基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)；在該第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域；在該第一區(qū)域內(nèi)形成一第一犧牲層于該第一電極結(jié)構(gòu)上；在該第二區(qū)域內(nèi)形成一第二犧牲層于該第一電極結(jié)構(gòu)上；在該第三區(qū)域內(nèi)形成一第三犧牲層于該第一電極結(jié)構(gòu)上，而該第一犧牲層、該第二犧牲層與該第三犧牲層的被蝕刻速率與厚度皆不相同；在該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一圖案化支撐層；形成一第二電極層于該第一區(qū)域的該第一犧牲層、該第二區(qū)域的該第二犧牲層、該第三區(qū)域的該第三犧牲層，以及該圖案化支撐層的部分區(qū)域上；以及移除該第一犧牲層、該第二犧牲層與該第三犧牲層，以于該第一電極結(jié)構(gòu)與該第二電極層之間形成多數(shù)個(gè)空氣間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的透明基板為玻璃基板或塑膠基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一電極結(jié)構(gòu)的形成方法包括以下步驟在該基板上形成復(fù)數(shù)個(gè)第一電極；在該些第一電極上形成一吸收膜層；以及在該吸收膜層上形成一光學(xué)膜層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的該些第一電極為透明電極且該些第一電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的吸收膜層的材質(zhì)包括鉻與鉻化鉬其中之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的光學(xué)膜層的材質(zhì)包括氮硅化物與氧硅化物其中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的圖案化支撐層的材質(zhì)包括光阻材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二犧牲層的被蝕刻速率大于該第一犧牲層1.5倍，且該第三犧牲層的被蝕刻速率大于該第二犧牲層1.5倍。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第三犧牲層的材質(zhì)是選自鉻化鉬、鉬、多晶硅、非晶硅與N型非晶硅。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二電極層為金屬電極，而該第二電極層的材質(zhì)為鉬、鉬合金、鋁、鋁合金、鉻、鎳、鈦及其組合的其中之一。
25.一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基板，在該基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)；在該第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域與一第二區(qū)域；在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域內(nèi)的該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一第一犧牲層；在該第二區(qū)域內(nèi)的該第一犧牲層上形成一第二犧牲層，而該第一犧牲層與第二犧牲層的被蝕刻速率皆不相同；在該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一圖案化支撐層；形成一第二電極層在該第一區(qū)域的該第一犧牲層上、該第二區(qū)域的該第二犧牲層上，以及該圖案化支撐層的部分區(qū)域上；以及移除該第一犧牲層與該第二犧牲層，以于該第一電極結(jié)構(gòu)與該第二電極層之間形成多數(shù)個(gè)空氣間隙。
26.一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基板，在該基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)；在該第一電極結(jié)構(gòu)上定義出一第一區(qū)域與一第二區(qū)域；在該第一區(qū)域內(nèi)形成一第一犧牲層于該第一電極結(jié)構(gòu)上；在該第二區(qū)域內(nèi)形成一第二犧牲層于該第一電極結(jié)構(gòu)上，而該第一犧牲層與該第二犧牲層的被蝕刻速率與厚度皆不相同；在該第一電極結(jié)構(gòu)上形成一圖案化支撐層；形成一第二電極層于該第一區(qū)域的該第一犧牲層上、該第二區(qū)域的該第二犧牲層上，以及該圖案化支撐層的部分區(qū)域上；以及移除該第一犧牲層與該第二犧牲層，以于該第一電極結(jié)構(gòu)與該第二電極層之間形成多數(shù)個(gè)空氣間隙。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種光干涉式彩色顯示面板的制造方法，首先是在一基板上形成一第一電極結(jié)構(gòu)。之后在第一電極結(jié)構(gòu)上定義出至少一第一區(qū)域、第二區(qū)域與第三區(qū)域。接著，在第一區(qū)域、第二區(qū)域與第三區(qū)域內(nèi)的第一電極結(jié)構(gòu)上形成一第一犧牲層，在第二區(qū)域與第三區(qū)域內(nèi)的第一犧牲層上形成一第二犧牲層，并在第三區(qū)域內(nèi)的第二犧牲層上形成一第三犧牲層，而對(duì)于相同或不同的蝕刻液而言，各犧牲層的被蝕刻速率皆不相同。接著，形成一圖案化支撐層在第一電極結(jié)構(gòu)上，隨后形成一第二電極層并移除所有的犧牲層，以形成多個(gè)空氣間隙。因此，由于各犧牲層的被蝕刻速率不相同，故可有效控制所形成的空氣間隙。
文檔編號(hào)G09F9/00GK1818994SQ200510007688
公開(kāi)日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月7日
發(fā)明者林文堅(jiān) 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司