專利名稱：等離子顯示面板、顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示設(shè)備，并更具體地，涉及等離子顯示面板、等離子顯示設(shè)備、該面板的驅(qū)動設(shè)備以及驅(qū)動該設(shè)備的方法，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度受到控制。
背景技術(shù)：
在常規(guī)的等離子顯示面板中，在前面板和后面板之間形成的阻擋條形成一個放電單元。每一放電單元填充有主要放電氣體，比如氖(Ne)、氦(He)或氖(Ne)和氦(He)的混合氣體。如果用高頻電壓使該惰性氣體放電，其產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線激勵在阻擋條間形成的熒光體，從而產(chǎn)生圖像。這種等離子顯示面板可以制造得很薄，并被認(rèn)為是一種下一代顯示設(shè)備。
圖1示例了常規(guī)等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參考圖1，等離子顯示面板包括前面板100和后面板110。在前面板100中，在前玻璃101即其上顯示圖像的顯示表面上，形成多個維持電極對，其中多個掃描電極102和維持電極103形成多個對。在后面板110中，在后玻璃111即后表面上，布置有多個尋址電極113，其被設(shè)置與多個維持電極對交叉。前面板100和后面板110彼此平行，其間具有預(yù)定的距離。
前面板100包括掃描電極102和維持電極103對，其相互使對方放電，并維持一個放電單元中的單元的發(fā)射。換而言之，每一掃描電極102和維持電極103每一具有由透明ITO材料制造的透明電極“a”和由金屬材料制造的總線電極“b”。掃描電極102和維持電極103被覆蓋有一個或多個上介質(zhì)層104，用于限制放電電流并提供在電極對之間的絕緣。在該介質(zhì)層104上形成具有淀積于其上的氧化鎂(MgO)的保護(hù)層105，以促進(jìn)放電狀態(tài)。
在后面板110中，用于形成多個放電空間即放電單元的條形(和井形)的阻擋條112被布置得彼此平行。多個尋址電極113，其通過進(jìn)行尋址放電產(chǎn)生真空紫外線，被設(shè)置為平行于阻擋條112。在后面板110的頂表面上，涂覆R、G和B熒光體114，其在尋址放電期間發(fā)射可見光以顯示圖像。在尋址電極113和熒光體114之間形成用于保護(hù)尋址電極113的下介質(zhì)層115。
現(xiàn)在將參考圖2說明在這種等離子顯示面板中產(chǎn)生灰度級圖像的方法。
圖2說明了在常規(guī)的等離子顯示面板中產(chǎn)生灰度級圖像的方法。
如圖2中所示，在常規(guī)等離子顯示面板中為再現(xiàn)灰度級圖像，將一幀劃分為數(shù)個具有不同數(shù)量的發(fā)射的子場。每一子場被劃分成用于初始化全部單元的復(fù)位周期RPD、用于選擇要放電的單元的尋址周期APD和用于根據(jù)放電的數(shù)量實(shí)現(xiàn)灰度級的維持周期SPD。舉例來說，為顯示具有256灰度級的圖像，，將相應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)劃分成八個子場SF1至SF8，如圖2所示。這八個子場SF1至SF8的每一個都被再次劃分成復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。
每一子場的復(fù)位周期和尋址周期對各子場都是一樣的。由于尋址電極和掃描電極(即透明電極)間的電壓差產(chǎn)生用于選擇放電的單元的尋址放電。在此情況，維持周期在每個子場中以2n(其中，n＝0、1、2、3、4、5、6、7)的比率增加。如上所述，由于在每一子場中維持周期是變化的，故通過控制每一子場的維持周期即維持放電數(shù)量來表示灰度級圖像。
等離子顯示面板實(shí)現(xiàn)圖像灰度級的方法一般根據(jù)選擇的放電單元是否是通過尋址放電激勵，分類成選擇性寫模式和選擇性擦除模式。
在選擇性寫模式中，在復(fù)位周期將整個屏幕關(guān)斷之后，在尋址周期，將選擇的放電單元導(dǎo)通。在維持周期，通過尋址放電選擇的放電的放電單元保持導(dǎo)通，從而顯示圖像。
在選擇性寫模式中，將掃描脈沖的寬度設(shè)置得相對寬，使得在放電單元中形成足夠量的壁電荷。然而，如果掃描脈沖的寬度變得太寬，會出現(xiàn)尋址周期變得太寬而對亮度起作用的維持周期變得相對窄。
在選擇性擦除模式中，在通過復(fù)位周期中的寫放電將整個屏幕導(dǎo)通之后，在尋址周期將選擇的放電單元關(guān)斷。之后，在維持周期，僅沒有被尋址放電選擇的放電單元經(jīng)過維持放電，從而顯示圖像。
在這種選擇性擦除模式中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置得相對地窄，使得在放電單元中產(chǎn)生擦除放電。也就是說，在有選擇的擦除模式中，通過施加具有窄的寬度的掃描脈沖可以將尋址周期設(shè)置得短。因此，可以將相對大量的時間分配到維持周期，從而，有助于增加亮度。然而，這種有選擇的擦除模式的缺點(diǎn)在于，由于在復(fù)位周期即非顯示周期中整個屏幕被導(dǎo)通，所以對比度太低。
為克服這種有選擇的寫和擦除模式的缺點(diǎn)，已經(jīng)提出一種方法，其中組合了選擇性寫模式和選擇性擦除模式。
圖3示出了示例性常規(guī)等離子顯示面板的一幀，其中在一幀中包括了選擇性寫和選擇性擦除模式的子場。
如圖3中所示，一幀包括具有至少一個或多個子場的選擇性寫子場(WSF)，和具有至少一個或多個子場的選擇性擦除子場(ESF)。
該選擇性寫子場(WSF)包括m個子場SF1至SFm(其中，m是大于0的正整數(shù))。除第m個子場SFm之外的第一到第(m-1)個子場SF1至SFm-1的每一個都被劃分成復(fù)位周期，用于在整個屏幕的單元中均勻地形成恒定量的壁電荷；選擇性寫尋址周期(下文中，稱為“寫尋址周期”)，用于利用寫放電選擇導(dǎo)通單元；維持周期，用于在選擇的導(dǎo)通單元中產(chǎn)生維持放電；以及擦除周期，用于在維持周期之后擦除單元內(nèi)的壁電荷。
將第m個子場SFm，即選擇性寫子場(WSF)的最后子場，劃分成復(fù)位周期、寫尋址周期以及維持周期。選擇性寫子場(WSF)的復(fù)位周期、寫尋址周期以及維持周期在子場SF1至SFm的每一個中都是相同的，但是，其維持周期以預(yù)定的亮度權(quán)重可以相同或不同。
該選擇性擦除子場(ESF)包括n-m(n through m)個數(shù)目的子場(SFm+1到SFn)(其中，n是大于m的正整數(shù))。第(m+1)個到第n個子場(SFm+1到SFn)的每一個都被劃分成用于利用擦除放電選擇關(guān)斷的單元的選擇性擦除尋址周期(下文中，稱為“擦除尋址周期”)，和用于在一個單元中產(chǎn)生維持放電的維持周期。在選擇性擦除子場(ESF)的子場(SFm+1到SFn)中，擦除尋址周期是相同的，但是其維持周期根據(jù)相關(guān)的亮度比可能是相同或不同的。
在圖3所示的方法中，以驅(qū)動選擇性寫模式中的m個子場以及在選擇性擦除模式中的n-m個子場的方式，可以將尋址周期設(shè)置得短，并提高對比度。換而言之，由于一幀包括具有短掃描脈沖的選擇性擦除子場，所以可以保證足夠的維持周期。而且，由于一幀包括沒有復(fù)位周期的選擇性擦除子場，所以能夠提高對比度。
下面將參考圖4，通過利用選擇性寫模式作為示例，來說明取決于等離子顯示面板的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形。
圖4示出了在常規(guī)等離子顯示面板的驅(qū)動方法中的驅(qū)動波形的示例。
如圖4所示，采用將其劃分成用于使全部單元初始化的復(fù)位周期、用于選擇要放電的單元的尋址周期、用于維持選擇的單元的放電的維持周期、以及用于擦除放電單元內(nèi)壁電荷的擦除周期，來驅(qū)動等離子顯示面板。
在復(fù)位周期的建立周期中，將傾斜上升波形(Ramp-up)同時施加到全部掃描電極。該傾斜上升波形在整個屏幕的放電單元中產(chǎn)生弱無光放電。該建立放電導(dǎo)致正的壁電荷積累在尋址電極和維持電極上，而負(fù)的壁電荷積累在掃描電極上。
在復(fù)位周期的撤除(set-down)周期中，在施加了傾斜上升波形之后，將傾斜下降波形(Ramp-down)從低于傾斜上升波形的正電壓開始下降到低于地(GND)電平電壓的預(yù)定電壓電平，其在單元中產(chǎn)生弱擦除放電，從而有效地擦除在掃描電極上過度形成的壁電荷。該撤除放電導(dǎo)致能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電程度的壁電荷均勻地剩余在單元內(nèi)。
在尋址周期，在將負(fù)的掃描脈沖順序地施加到掃描電極的同時，與該掃描脈沖同步將正的數(shù)據(jù)脈沖施加到尋址電極。由于掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖之間的電壓差與在復(fù)位周期中產(chǎn)生的壁電荷相疊加，在被施加了數(shù)據(jù)脈沖的放電單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電所選擇的單元內(nèi)形成當(dāng)施加維持電壓(Vs)時能夠產(chǎn)生放電程度的壁電荷。該維持電極被設(shè)置有正極性電壓(Vz)，使得在撤除周期和尋址周期期間，通過減少維持電極和掃描電極之間的電壓差，使得在維持電極和掃描電極之間不產(chǎn)生錯誤放電。
在維持周期中，將維持脈沖(sus)交替地施加到掃描電極和維持電極。在由尋址放電所選擇的單元中，只要施加維持脈沖，由于單元內(nèi)的壁電壓和維持脈沖疊加，在掃描電極和維持電極之間產(chǎn)生維持放電，即，顯示放電。
在維持放電結(jié)束之后，在擦除周期中，將具有窄的脈沖寬度和低電壓電平的擦除斜波波形(Ramp-ers)的電壓施加到維持電極，從而擦除在整個屏幕的單元內(nèi)剩余的壁電荷。
在根據(jù)這種驅(qū)動波形驅(qū)動的常規(guī)等離子顯示面板中，在全部幀的子場中，在全部子場中，在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖(Vsc)的寬度是相同的。下面將參考圖5來說明常規(guī)掃描脈沖的寬度。
圖5說明了在常規(guī)等離子顯示面板的驅(qū)動方法中，在尋址周期施加的掃描脈沖的寬度。
如圖5中所示，在常規(guī)等離子顯示面板的驅(qū)動方法中，在尋址周期施加的掃描脈沖的寬度被設(shè)置成相同的，即，“W”。換而言之，在由于其相對低的權(quán)重實(shí)現(xiàn)低灰度級的子場中和在由于其相對高的權(quán)重實(shí)現(xiàn)高灰度級的子場中，在尋址周期施加的掃描脈沖的寬度是相同的。
在尋址周期中所施加的掃描脈沖的寬是影響放電單元內(nèi)壁電荷產(chǎn)生的最重要的因素之一。從撤除脈沖的終點(diǎn)相反地變到掃描基準(zhǔn)電壓的掃描脈沖(Vsc)的寬度越寬，尋址放電持續(xù)的時間越長。因此，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生大量的壁電荷。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，在尋址周期中所施加的掃描脈沖的寬度被設(shè)置成在全部子場中是相同的，而不考慮子場權(quán)重。因此，在初始子場中，即，具有相對低的權(quán)重的子場中，尋址放電可能變得不穩(wěn)定的概率較高。結(jié)果，存在抖動特性(jitter characteristic)即尋址放電延遲現(xiàn)象差的問題。
在實(shí)現(xiàn)低灰度級的子場中，與實(shí)現(xiàn)高灰度級的子場相比，尋址放電是不穩(wěn)定的而且維持脈沖數(shù)量少。因此，存在這種可能性由于不穩(wěn)定的尋址放電在放電單元內(nèi)積累的壁電荷的量對于維持放電是不充分的，從而維持放電可能變得不穩(wěn)定?？紤]到這樣的維持放電特性，必須通過在尋址周期產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電將放電單元內(nèi)的壁電荷的分布設(shè)置成有利于維持放電。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，在全部子場中，在尋址周期中所施加的掃描脈沖的寬度是相同的，而不考慮子場權(quán)重。因此，在具有高的尋址放電變得不穩(wěn)定的可能性的初始子場中，即，具有相對低的權(quán)重的子場中，在尋址放電之后，放電單元內(nèi)壁電荷的分布是不充分的。因此，出現(xiàn)維持放電變得不穩(wěn)定或不產(chǎn)生維持放電的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮到在現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題，提出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示面板、等離子顯示設(shè)備、該面板的驅(qū)動設(shè)備以及該設(shè)備的驅(qū)動方法，其中改善了在復(fù)位周期和尋址周期中所施加的驅(qū)動脈沖。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種等離子顯示設(shè)備，其包括多個掃描電極；掃描驅(qū)動器，用于驅(qū)動掃描電極；和掃描脈沖控制器，用于控制掃描驅(qū)動器，來將在多個子場的至少一個的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置成小于第一臨界時間。
該第一臨界時間是1.1μs。
該掃描脈沖控制器控制該多個子場中剩余子場的至少一個的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度，使其大于第二臨界時間，該剩余子場不同于其中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于該第一臨界時間的子場。
該第二臨界時間是第一臨界時間的兩倍。
該第二臨界時間是2.0μs。
其中在掃描周期將其寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場是權(quán)重的升序中從最低權(quán)重子場到預(yù)定數(shù)目的子場。
其中在掃描周期將其寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場是權(quán)重的升序中從最低權(quán)重子場到第三子場。
其中在掃描周期將其寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場是多個，并且掃描脈沖控制器將在該多個子場中的至少一個的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為不同于在剩余的子場中掃描脈沖的寬度。
其中在掃描周期將其寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場有多個，并且掃描脈沖控制器在該多個子場中，基于子場將在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為彼此不同。
在其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度基于子場而彼此不同的多個子場中，掃描脈沖控制器隨著權(quán)重增加在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度。
多個子場中的其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過該第二臨界時間的子場使用小于維持脈沖的臨界數(shù)目的維持脈沖的數(shù)目。
該臨界數(shù)目是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的50％或更小。
該臨界數(shù)目是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的30％或更小。
其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度小于第一臨界時間的子場是選擇性寫子場或選擇性擦除子場。
其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間的子場是選擇性寫子場或選擇性擦除子場。


從下面的結(jié)合附圖得到的詳細(xì)說明中，可以更全面地理解本發(fā)明進(jìn)一步的目的及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1說明常規(guī)等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖2說明在常規(guī)等離子顯示面板中實(shí)現(xiàn)灰度級的方法；圖3示出在一幀中包括選擇性寫和選擇性擦除模式的子場的示范性常規(guī)等離子顯示面板的一幀；圖4示出在常規(guī)等離子顯示面板的驅(qū)動方法中驅(qū)動波形的示例；圖5說明在常規(guī)等離子顯示面板的驅(qū)動方法中在尋址周期所施加的掃描脈沖的寬度；圖6示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖7說明根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板的驅(qū)動方法的實(shí)施例；圖8a和8b說明在多個子場中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度大于第二臨界時間的驅(qū)動方法；圖9a和9b說明在其中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間的子場之間的關(guān)系；和圖10a和10b說明當(dāng)一幀的子場包括選擇性寫模式的子場和選擇性擦除模式的子場這兩者時的驅(qū)動方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
如圖6中所示，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板100，在其上通過至少一個或多個子場的組合來顯示由幀構(gòu)成的圖像，在該子場中在復(fù)位周期、尋址周期和維持周期將驅(qū)動脈沖施加到尋址電極X1至Xm、掃描電極Y1至Yn和維持電極Z；數(shù)據(jù)驅(qū)動器122，用于將數(shù)據(jù)施加到在等離子顯示面板100的后面板(未示出)中形成的尋址電極X1至Xm；掃描驅(qū)動器123，用于驅(qū)動掃描電極Y1至Yn；維持驅(qū)動器124，用于驅(qū)動維持電極Z，即公共電極；掃描脈沖控制器121，用于當(dāng)?shù)入x子顯示面板100被驅(qū)動時，控制掃描驅(qū)動器123；以及驅(qū)動電壓發(fā)生器125，用于分別施加驅(qū)動器122、123和124所需的驅(qū)動電壓。
根據(jù)本發(fā)明的這個等離子顯示設(shè)備通過至少一個或多個子場的組合來顯示由幀構(gòu)成的圖像，在該子場中在復(fù)位周期、尋址周期和維持周期將驅(qū)動脈沖施加到尋址電極、掃描電極和維持電極。在該幀的一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置成第一臨界時間或更小。該第一臨界時間可以是1.1μs。稍后將詳細(xì)說明將該第一臨界時間設(shè)為1.1μs的原因。
上述的等離子顯示面板100包括前面板(未示出)和后面板(未示出)，其設(shè)置成彼此平行，其間具有預(yù)定距離。在前面板上成對形成多個電極，比如掃描電極Y1至Yn和維持電極Z。在后面板上形成尋址電極X1至Xm，以與掃描電極Y1至Yn和維持電極Z交叉。
將通過反向伽馬校正電路(未示出)、誤差擴(kuò)散電路(未示出)等經(jīng)反向伽馬校正和誤差擴(kuò)散的數(shù)據(jù)通過子場映射電路(未示出)映射到各子場，并被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器122。該數(shù)據(jù)驅(qū)動器122響應(yīng)來自時序控制器(未示出)的時序控制信號(CTRX)對數(shù)據(jù)取樣和鎖存，然后將數(shù)據(jù)提供到尋址電極X1至Xm。
掃描驅(qū)動器123在掃描脈沖控制器121的控制下，在復(fù)位周期期間將傾斜上升波形(Ramp-up)和傾斜下降波形(Ramp-down)提供到掃描電極Y1至Yn。掃描驅(qū)動器123在掃描脈沖控制器121的控制下，在尋址周期期間順序地將掃描電壓(-Vy)的掃描脈沖(Sp)提供到掃描電極Y1至Yn，而在維持周期將維持脈沖(sus)提供到掃描電極Y1至Yn。在幀的一個子場中，可以將在尋址周期中施加到掃描電極Y1至Yn的掃描脈沖的寬度設(shè)置為1.1μs或更小，而在剩余的子場中，可以將具有低灰度級的子場中的尋址周期期間施加到掃描電極Y1至Yn的掃描脈沖的寬度設(shè)置為該掃描脈沖寬度的兩倍或更高。
將掃描脈沖的寬度設(shè)置為如上所述的1.1μs或更小的原因是，因?yàn)樵跒閷?shí)現(xiàn)高清晰度(HD)級圖像質(zhì)量而實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)圖形陣列(XGA)級面板的情況下，在XGA級面板中放電單元的數(shù)目顯著地大于在視頻圖形陣列級中的情況。換句話說，為在有限的尋址周期中尋址更大量的放電單元，將掃描脈沖的寬度設(shè)置為1.1μs或更小。在此情況下，如果掃描脈沖的寬度超過1.1μs，則整個尋址周期的長度增加，而維持周期的長度因此減小。從而，在維持周期中施加的維持脈沖的數(shù)目減少，致使等離子顯示面板的絕對亮度降低。為此，將掃描脈沖的寬度設(shè)置為1.1μs或更小。
因?yàn)榈蜋?quán)重的子場與具有高權(quán)重的子場相比，尋址放電變得不穩(wěn)定的可能性更高，所以將在具有低灰度級的子場中的尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為剩余子場的兩倍或更高。因此，當(dāng)在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度太窄時，尋址放電變得不穩(wěn)定，尋址抖動(address jitter)惡化，并且隨后的維持放電變得不穩(wěn)定。也就是說，通過增加在具有低權(quán)重的子場中的尋址周期中所施加的掃描脈沖的寬度，使得具有低權(quán)重的子場中的尋址放電穩(wěn)定。
在具有低權(quán)重的子場中將掃描脈沖的寬度設(shè)置為超過第二臨界時間的情況將說明如下。在具有低灰度級的子場中的維持脈沖的數(shù)目小于其他具有高灰度級的子場。因此，由于在放電單元內(nèi)積累的壁電荷的量變得更少，存在維持放電變得不穩(wěn)定的可能性。為此，將掃描脈沖的寬度設(shè)置為大于其他子場的掃描脈沖的寬度，使得在尋址周期中產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電。因此，在放電單元內(nèi)壁電荷的分布能夠更有利于維持放電。
術(shù)語“低灰度級”是指在具有相對低的亮度權(quán)重的子場中的灰度級的值，其中灰度級以當(dāng)劃分成多個子場來驅(qū)動等離子顯示面板100時賦給每一子場的亮度權(quán)重來表示。
維持驅(qū)動器124在時序控制器(未示出)的控制下，在產(chǎn)生傾斜下降波形(Ramp-down)的周期期間以及在尋址周期期間，將維持電壓(Vs)的偏置電壓施加到維持電極Z，還在維持周期將維持脈沖(sus)施加到維持電極Z，同時與掃描驅(qū)動器123一起操作。
掃描脈沖控制器121產(chǎn)生掃描驅(qū)動器123的操作時序和用于控制在復(fù)位周期、尋址周期和維持周期中同步的時序控制信號(CTRY)，并將該時序控制信號(CTRY)施加到掃描驅(qū)動器123，從而控制掃描驅(qū)動器123。更具體地，掃描脈沖控制器121提供控制信號到掃描驅(qū)動器123，該控制信號將在多個子場的至少一個中的在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置成1.1μs或更小，并控制在掃描脈沖的寬度沒有被設(shè)置為1.1μs或更小的剩余的子場中，即具有低灰度級的子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度，使得其大于剩余的子場的掃描脈沖的寬度。掃描脈沖控制器121提供控制信號到掃描驅(qū)動器123，該控制信號控制在具有低灰度級的子場的尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度，使其大于剩余的子場的掃描脈沖的寬度。
數(shù)據(jù)控制信號(CTRX)包括用于取樣數(shù)據(jù)的取樣時鐘、鎖存控制信號、以及用于控制能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件導(dǎo)通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。掃描控制信號(CTRY)包括用于控制在掃描驅(qū)動器123內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。維持控制信號(CTRZ)包括用于控制維持驅(qū)動器124內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。
驅(qū)動電壓發(fā)生器125產(chǎn)生建立電壓(Vsetup)、公共掃描電壓(Vsacn-com)、掃描電壓(-Vy)、維持電壓(Vs)、數(shù)據(jù)電壓(Vd)等。這些驅(qū)動電壓可以根據(jù)放電氣體的成分或放電單元的結(jié)構(gòu)來改變。
下面將參考圖7來說明通過根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動方法的實(shí)施例。
圖7示例根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板的驅(qū)動方法的實(shí)施例。
如圖7中所示，在等離子顯示面板上通過至少一個或多個子場的組合來顯示由幀構(gòu)成的圖像，在該子場中在復(fù)位周期、尋址周期和維持周期將驅(qū)動脈沖施加到尋址電極、掃描電極和維持電極，在該等離子顯示面板的驅(qū)動方法中，在幀的一個子場的尋址周期中施加的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一臨界時間。
舉例來說，如圖7中所示，假設(shè)在第一子場中的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度是W1，而在隨后的子場，即，從第二子場到第n子場中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度是W2，從而前述的第一臨界時間可以是1.1μs，而W2可以是1.1μs或更小。在圖7中，在不同于第一子場的剩余子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為1.1μs或更小。
將在幀的一個子場中的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為1.1μs或更小的原因，如上所述的，已參考圖6進(jìn)行了說明。
在幀的子場中，除了其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一臨界時間的子場，在至少一個剩余子場中，在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間。舉例來說，如圖7中所示，在第一子場中的尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度W2可以不設(shè)置為小于第一臨界時間，而是可以將在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為超過第二臨界時間。在此情況，上述的第二臨界時間可以是該第一臨界時間的兩倍，且該第二臨界時間可以是2.0μs。
如上所述，在幀的子場中，其中在尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度不是小于第一臨界時間，而是超過第二臨界時間的子場，可以是由于其相對低的權(quán)重實(shí)現(xiàn)低灰度級的子場。
如在參考圖6的說明中所述的，將掃描脈沖的寬度設(shè)置為1.1μs或更小，以有效地對具有高圖像質(zhì)量(比如HD級圖像質(zhì)量)的XGA級面板進(jìn)行尋址。如上所述，為實(shí)現(xiàn)高圖像質(zhì)量，在有限的尋址周期內(nèi)，預(yù)定的放電單元必須全部尋址。然而，在參考圖7的描述中，根據(jù)本發(fā)明，幀的一個子場，即具有低權(quán)重的子場，在其尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度沒有設(shè)置為小于第一臨界時間，而是設(shè)置為超過第二臨界時間的原因是，為使在具有低權(quán)重的子場中的尋址放電穩(wěn)定。
如上所述，具有低灰度級的子場大于其中尋址放電可能不穩(wěn)定的具有高灰度級的其他子場。因此，在具有低權(quán)重的子場中的尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間，以使尋址放電穩(wěn)定。因此，將改進(jìn)尋址抖動，并使在隨后的維持周期中的維持放電穩(wěn)定。
如圖7中所示，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場的數(shù)目是1。在多個子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度可以不設(shè)置為小于第一臨界時間，而是可以設(shè)置為超過第二臨界時間。下面將參考圖8a和8b說明這種驅(qū)動方法。
圖8a和8b說明一種驅(qū)動方法，其中在多個子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間。
參考圖8a，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場至少是一個或多個。例如，如圖8a中所示，在總共三個個子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間。在剩余的子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一臨界時間。
如上所述，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場。該子場是在權(quán)重的升序中從最低權(quán)重的子場到預(yù)定數(shù)目的子場。也就是說，如圖8a中所示，在幀包括以更高權(quán)重的順序從第一子場到第八子場的情況下，從具有最低權(quán)重的第一子場到第三子場的在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間。在以權(quán)重的順序的預(yù)定數(shù)目的子場中將掃描脈沖的寬度設(shè)置為超過第二臨界時間的原因，如上所述，也是來使具有低權(quán)重的子場中的尋址放電穩(wěn)定。
還如圖8a所示，當(dāng)其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間時的情況。該子場是在權(quán)重的升序中從最低權(quán)重的子場到預(yù)定數(shù)目的子場。如上所述從第一子場到第三子場施加具有超過第二臨界時間的掃描脈沖寬度的脈沖的原因是，從上面的第一子場到第三子場的子場是具有低灰度級的子場。其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場，由區(qū)域A表示。
參考圖8b，假設(shè)在圖8a的區(qū)域A中的子場的第一子場中的尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度是在(a)的W1，而在除了區(qū)域A的子場的剩余的子場的尋址周期期間，施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度可以是如(b)中的W2。在此情況，建立W1＞W(wǎng)2的關(guān)系。
在上面已經(jīng)示出并說明了，在其中在尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為在全部這些子場中都是相同的。不同于上面，可以將一個子場的掃描脈沖的寬度設(shè)置為不同于剩余的子場。下面將參考圖9a和圖9b來說明這種驅(qū)動方法。
圖9a和9b說明其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間的子場之間掃描脈沖的關(guān)系。
首先參考圖9a，在其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間的子場是多個的情況，即，如圖8a中所示，在第一、第二和第三子場中的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的情況下，在第一、第二和第三子場的具有最低權(quán)重的第一子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為最寬，在第一、第二和第三子場的具有第二最低權(quán)重的第二子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為第二寬，而在第一、第二和第三子場的具有最高權(quán)重的第三子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為最窄。
換而言之，在其中掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的多個子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度基于子場而不同。建立了W1＞W(wǎng)2＞W(wǎng)3的關(guān)系。在圖9a中，在除了第一、第二和第三子場的剩余子場中，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間。
在其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度基于子場而不同的多個子場中，如上所述，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度可以隨權(quán)重變低而增加。也就是說，如上所述的，W1大于隨后的W2和W3。
在其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的至少一個子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為不同于在剩余的子場中的寬度。
參考圖9b，在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場是多個的情況下，即，如圖8a中所示，在第一、第二和第三子場中的尋址周期期間，施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的情況，在第一、第二和第三子場的具有最低權(quán)重的第一子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為比剩余的子場的寬，在隨后的子場中，即第二和第三子場中，掃描脈沖的寬度被設(shè)置為比第一子場的窄。建立了W1＞W(wǎng)2＝W3的關(guān)系。
如上所述，其中掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場可以根據(jù)在維持周期中維持脈沖的數(shù)目來確定。換句話說，具有少量的維持脈沖的子場是具有低灰度級的子場，而具有大量維持脈沖的子場是具有高灰度級的子場。如上所述，由于子場的權(quán)重是根據(jù)維持脈沖的數(shù)目來確定的，將選擇其中在尋址周期期間施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過第二臨界時間的子場的基準(zhǔn)設(shè)置為維持脈沖的數(shù)目。在具有小于設(shè)定數(shù)目的維持脈沖的較少量維持脈沖的子場中維持脈沖的寬度，如上所述被設(shè)置為超過第二臨界時間。
在此情況，該臨界數(shù)目可以是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的50％或更小。該臨界數(shù)目可以是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的30％或更小。
舉例來說，在其中在一幀中使用了總共1000個維持脈沖的情況中，選擇使用了一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的30％或更低，即在數(shù)目上是300的子場。在所選擇的子場中，撤除脈沖的最低電壓和掃描脈沖的電壓之間的差被設(shè)置為大于剩余的子場的撤除脈沖的最低電壓和掃描脈沖的電壓之間的差。
如上詳細(xì)說明的根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動方法，可以應(yīng)用到選擇性寫模式和選擇性擦除模式兩者。本發(fā)明的驅(qū)動方法甚至可以應(yīng)用到其中包括選擇性寫模式的子場和選擇性擦除模式的子場兩者的情況。
下面將參考圖10a和圖10b來說明該驅(qū)動方法。
圖10a和10b說明當(dāng)一幀中的子場包括選擇性寫模式的子場和選擇性擦除模式的子場兩者時的驅(qū)動方法。
從圖10a中可以看出，在一幀中包括選擇性寫子場和選擇性擦除子場兩者。例如，如圖10a中所示，第一子場是具有相對高復(fù)位脈沖的選擇性寫子場，而剩余的子場，即，第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八子場是具有相對低的復(fù)位脈沖的選擇性擦除子場。
即使在此情況中，舉例來說，如圖10b所示，在第一子場中，即選擇性寫子場中，區(qū)域D的掃描脈沖的寬度W1被設(shè)置為小于第一臨界時間。在第八子場，即選擇性擦除子場的一個中，區(qū)域E的掃描脈沖的寬度W2被設(shè)置為超過第二臨界時間。
當(dāng)考慮到選擇性寫子場的復(fù)位脈沖的量大于選擇性擦除子場的復(fù)位脈沖的量，可以將在選擇性寫子場中的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間，而在具有相對低的權(quán)重的選擇性擦除子場的至少一個中掃描脈沖的寬度可以設(shè)置為超過第二臨界時間。
如上所述，本發(fā)明通過設(shè)置在尋址周期中施加的掃描脈沖的寬度，使得在低灰度級子場中在限定的驅(qū)動的時間所產(chǎn)生的不穩(wěn)定放電穩(wěn)定。
盡管已參考具體的示例性實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是其不受這些實(shí)施例的限制，而僅由所附權(quán)利要求來限定。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以變化或修改這些實(shí)施例而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，包括等離子顯示面板，其包括多個掃描電極；掃描驅(qū)動器，用于驅(qū)動該掃描電極；和掃描脈沖控制器，用于控制掃描驅(qū)動器，以將在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第一臨界時間是1.1μs。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該掃描脈沖控制器控制在該多個子場中的剩余子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度，使其大于第二臨界時間，該剩余的子場是該多個子場中除了其中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一臨界時間的子場之外的子場。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第二臨界時間是第一臨界時間的兩倍。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第二臨界時間是2.0μs。
6.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期將寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場是在權(quán)重的升序中從最低權(quán)重的子場到預(yù)定數(shù)目的子場。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期將寬度大于第二臨界時間的掃描脈沖施加到掃描電極的子場是在權(quán)重的升序中從最低權(quán)重的子場到第三子場。
8.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度大于第二臨界時間的子場是多個，并且掃描脈沖控制器將在該多個子場中的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為不同于在剩余的子場中掃描脈沖的寬度。
9.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度大于第二臨界時間的子場是多個，并且掃描脈沖控制器在該多個子場中，基于子場將在尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為彼此不同。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度基于子場而彼此不同的多個子場中，掃描脈沖控制器隨著權(quán)重增加在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度。
11.如權(quán)利要求3-10的任一權(quán)利要求所述的等離子顯示設(shè)備，其中多個子場中的其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為超過該第二臨界時間的子場使用小于維持脈沖的臨界數(shù)目的維持脈沖的數(shù)目。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示設(shè)備，其中該臨界數(shù)目是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的50％或更小。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示設(shè)備，其中該臨界數(shù)目是在一幀中使用的維持脈沖總數(shù)的30％或更小。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度小于第一臨界時間的子場是選擇性寫子場或選擇性擦除子場。
15.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中在尋址周期施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度超過第二臨界時間的子場是選擇性寫子場或選擇性擦除子場。
16.一種用于驅(qū)動包括多個掃描電極的等離子顯示面板的設(shè)備，包括掃描驅(qū)動器，用于驅(qū)動該掃描電極；和掃描脈沖控制器，用于控制該掃描驅(qū)動器，以將在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
17.一種等離子顯示面板，利用劃分為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期的多個子場的每一個以及在每一周期中施加的預(yù)定的驅(qū)動脈沖在其上顯示圖像，其中在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一臨界時間。
18.一種等離子顯示設(shè)備，包括多個掃描電極；和控制器，用于在多個子場的至少一個子場的尋址周期中將施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
19.一種等離子顯示設(shè)備，其包括驅(qū)動器，該驅(qū)動器施加驅(qū)動脈沖到在面板中形成的多個掃描電極，其中該驅(qū)動器將在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
20.一種驅(qū)動等離子顯示設(shè)備的方法，其由被劃分成復(fù)位周期、尋址周期和維持周期的多個子場來驅(qū)動，該方法包括將在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子顯示面板、等離子顯示設(shè)備、等離子顯示面板的驅(qū)動設(shè)備，以及等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動方法。本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板，其包括多個掃描電極；用于驅(qū)動掃描電極的掃描驅(qū)動器；以及用于控制掃描驅(qū)動器的掃描脈沖控制器，以將在多個子場的至少一個子場的尋址周期中施加到掃描電極的掃描脈沖的寬度設(shè)置為小于第一臨界時間。
文檔編號G09G3/291GK1825406SQ200510048848
公開日2006年8月30日 申請日期2005年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月23日
發(fā)明者鄭真熙 申請人:Lg電子株式會社