專利名稱:主動元件陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種顯示器,特別是涉及一種可以提高光源利用率的主動元件陣列基板及應(yīng)用此主動元件陣列基板的液晶顯示面板(Liquid CrystalDisplay,LCD)。
背景技術(shù):
自從第一臺以陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)為工作模式的黑白電視機(jī)發(fā)明以來,顯示技術(shù)便以飛快的速度不斷演進(jìn)。然而,由于此種以陰極射線管模式工作的顯示器具有體積大、重量重、輻射量高及畫質(zhì)較差等缺點(diǎn),因此便不斷的開發(fā)出新的平面顯示技術(shù)。在這些平面顯示技術(shù)中,又以具有輕薄短小、省電、無輻射、全彩及方便攜帶等優(yōu)點(diǎn)的液晶顯示器技術(shù)最為純熟且普及化。舉凡手機(jī)、語言翻譯機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝影機(jī)、個(gè)人數(shù)碼助理(PDA)、筆記本電腦甚至于桌上型顯示器都有其應(yīng)用范圍。
一般薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)可分為穿透式、反射式,以及半穿透半反射式三大類,其分類的依據(jù)在于光源的利用以及陣列基板(array)的差異。其中,穿透式的薄膜晶體管液晶顯示器(transmissive TFT-LCD)主要是以背光源(back-light)作為光源,其薄膜晶體管陣列基板上的畫素電極為透明電極以利背光源穿透;反射式薄膜晶體管液晶顯示器(reflective TFT-LCD)主要是以前光源(front-light)或是外界光源作為光源,其薄膜晶體管陣列基板上的畫素電極為金屬或其他具有良好反射特性材質(zhì)的反射電極,適于將前光源或是外界光源反射;而半穿透半反射式薄膜晶體管液晶顯示器(transflective TFT-LCD)則可視為穿透式薄膜晶體管液晶顯示器與反射式薄膜晶體管液晶顯示器的整合架構(gòu),其可以同時(shí)利用背光源以及前光源或外界光源以進(jìn)行顯示。
就現(xiàn)今的半穿透半反射式薄膜晶體管液晶顯示器而言,在其制作時(shí)通常會將穿透區(qū)與反射區(qū)的晶穴間距(cell gap)設(shè)計(jì)為不同的晶穴間距,即雙重晶穴間距(dual cell gap)。但是,具有雙重晶穴間距的半穿透半反射式薄膜晶體管液晶顯示器在制程程式上較為復(fù)雜,且穿透區(qū)與反射區(qū)的交接處因?yàn)橛虚g距的變化而使得光的利用率不盡理想,進(jìn)而造成整體開口率下降。
一般而言,穿透式薄膜晶體管液晶顯示器是采用單一晶穴間距設(shè)計(jì),因此可以解決畫素單元開口率低的問題。此外,薄膜晶體管陣列基板上的金屬層,如薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)、掃瞄線、數(shù)據(jù)線等,可將外界光源反射,以達(dá)到12%的微反射率。另外,有一種作法是提高穿透式薄膜晶體管液晶顯示器中下偏光板的霧度(haze)值,藉以提高微反射率。但是,這種情形卻造成了薄膜晶體管液晶顯示器中背光模組所提供的光源穿透率下降,使得薄膜晶體管液晶顯示器的光源利用率低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種新型結(jié)構(gòu)的主動元件陣列基板,所要解決的技術(shù)問題是使其可以提高背光源及外界環(huán)境光利用率的主動元件陣列基板,從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于,提供一種液晶顯示面板,所要解決的技術(shù)問題是使其可以提高背光源及外界環(huán)境光利用率的液晶顯示面板,從而更加適于實(shí)用。
為達(dá)上述或其他目的,本發(fā)明提出一種主動元件陣列基板,此主動元件陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)主動元件、多個(gè)畫素電極(Pixel electrode)以及一微反射層。其中,掃描線與數(shù)據(jù)線是配置在基板上,而主動元件是呈陣列狀排列在基板上,且每一主動元件是分別與掃描線其中之一以及數(shù)據(jù)線其中之一相互電性連接,其中掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動元件是構(gòu)成一個(gè)非穿透區(qū)域。此外,畫素電極是配置在基板上,且每一畫素電極是分別與主動元件其中之一電性連接。另外,微反射層至少覆蓋在部分的非穿透區(qū)域上方。
在本發(fā)明的主動元件陣列基板中,微反射層對于光源的反射率例如小于10%,且主動元件例如包括薄膜晶體管或是其他型態(tài)的開關(guān)元件(switching device),而畫素電極例如為透明電極。此外,非穿透區(qū)域以外的區(qū)域例如為一穿透區(qū)域,而畫素電極是例如位于穿透區(qū)域以及部分非穿透區(qū)域的上方。而微反射層是例如覆蓋在所有非穿透區(qū)域的上方,其中微反射層的材質(zhì)例如是鋁、銀,或是其他具有高反射率的金屬。另外,此主動元件陣列基板中更例如包括一配置在基板上的平坦層,以覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動元件,其中畫素電極以及微反射層是配置在平坦層上,且微反射層更例如覆蓋在畫素電極的部分區(qū)域上。
為達(dá)上述或其他目的,本發(fā)明另提出一種液晶顯示面板,此液晶顯示面板包括一上述的主動元件陣列基板、一對向基板、一液晶層、一第一偏光片(Polarizer)以及一第二偏光片。其中,對向基板是配置在主動元件陣列基板的上方,而液晶層是配置于主動元件陣列基板與對向基板之間。另外,第一偏光片配置在主動元件陣列基板的一外表面上,而第二偏光片是配置在對向基板的一外表面上。在一較佳實(shí)施例中,第二偏光片的霧度值例如介于10至80之間。
在一較佳實(shí)施例中,微反射層對于光源的反射率例如小于10%,且主動元件例如包括薄膜晶體管或是其他型態(tài)的開關(guān)元件,而畫素電極例如為透明電極。此外,非穿透區(qū)域以外的區(qū)域例如為一穿透區(qū)域,且畫素電極是位于穿透區(qū)域以及部分非穿透區(qū)域的上方。另外,微反射層是覆蓋在所有的非穿透區(qū)域上方,甚至部分穿透區(qū)上方,且微反射層的材質(zhì)例如包括鋁、銀,或是其他可提高反射率的金屬。此液晶顯示面板更包括一配置在基板上的平坦層,此平坦層用以覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動元件。而畫素電極以及微反射層是配置在平坦層之上,且微反射層例如更包括覆蓋在畫素電極的部分區(qū)域上。
本發(fā)明在主動元件陣列基板上增加一微反射層,以增加能夠?qū)⒐庠捶瓷涑龅慕饘倜娣e,并且在液晶顯示器中選用霧度值較高的上偏光板,因此可以提高薄膜晶體管液晶顯示器的光線反射率及背光源利用率。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。經(jīng)由上述可知,本發(fā)明是有關(guān)于一種主動元件陣列基板及具有此主動元件陣列基板的液晶顯示面板。此主動元件陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)主動元件、多個(gè)畫素電極以及一微反射層。其中,掃描線與數(shù)據(jù)線是配置在基板上,而主動元件是呈陣列狀排列在基板上,且每一主動組件是分別與對應(yīng)的掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接,且掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動元件是構(gòu)成一個(gè)非穿透區(qū)域。此外,畫素電極是配置在基板上,且每一畫素電極是分別與對應(yīng)的主動元件電性連接。另外,微反射層至少覆蓋在部分的非穿透區(qū)域上方。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖1繪示為本發(fā)明較佳實(shí)施例中液晶顯示模組的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2繪示為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一畫素單元的上視圖。
圖3A~3C依序繪示為對應(yīng)圖2中a-a’、b-b’以及c-c’截面線的示意圖。
圖4A~4C分別繪示微反射層于畫素單元中覆蓋面積率的示意圖。
100液晶顯示模組110背光模組110a背光源 112前光源200液晶顯示面板210第二偏光片220對向基板230液晶層
240第一偏光片 250主動元件陣列基板252基板 254掃瞄線256數(shù)據(jù)線 258畫素單元258a主動組件 258b畫素電極258c微反射層 258d平坦層258e非穿透區(qū)域258f穿透區(qū)域具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的主動元件陣列基板及液晶顯示面板其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
圖1繪示為本發(fā)明較佳實(shí)施例中液晶顯示模組的結(jié)構(gòu)示意圖。請先參考圖1,本實(shí)施例的液晶顯示模組100包括液晶顯示面板200以及背光模組110。其中,背光模組110的功用在于提供液晶顯示面板200在顯示時(shí)所需的背光源110a。
請繼續(xù)參照圖1,本實(shí)施例的液晶顯示面板200包括一主動元件陣列基板250、一對向基板220、一第一偏光片240、一第二偏光片210以及一配置于對向基板220與主動元件基板250之間的液晶層230。其中,第一偏光片240是例如配置于主動元件陣列基板310的下方,而第二偏光片210是例如配置在對向基板220的上方。在本實(shí)施例中,第一偏光片240及第二偏光片210例如以貼附的方式固定于對向基板220。此外,第二偏光片210的霧度值是介于10到80之間。而在一較佳實(shí)施例中,第二偏光片210的霧度值例如介于10到60。另外,對向基板220例如是由一上基板與一彩色濾光薄膜陣列(Color Filter Film)所組成。
承上所述,在本實(shí)施例中,主動元件陣列基板250例如是由一基板252、多個(gè)掃描線254、多個(gè)數(shù)據(jù)線256,及多個(gè)畫素單元258所構(gòu)成。其中,掃描線254、數(shù)據(jù)線256與畫素單元258是例如配置在基板252上,并將基板252區(qū)分為多數(shù)個(gè)畫素單元258。更詳細(xì)地說,掃描線254例如為彼此平行地配置在基板252之上,數(shù)據(jù)線256亦例如為彼此平行的配置在基板252上,且掃描線254與數(shù)據(jù)線256的延伸方向例如是彼此垂直,以將基板252區(qū)分為多個(gè)畫素單元258。此外,在本實(shí)施例中,基板252例如為玻璃基板、塑膠基板或是其他軟質(zhì)或硬質(zhì)材質(zhì)的透明基板,且主動元件例如包括薄膜晶體管或是其他型態(tài)的開關(guān)元件(switching device)。
圖2繪示為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一畫素單元的上視圖,而圖3A~3C依序繪示為對應(yīng)圖2中a-a’、b-b’以及c-c’截面線的示意圖。請先參考圖2及圖3A,本實(shí)施例的畫素單元258例如包括主動元件258a、畫素電極258b、以及微反射層258c。其中,主動組件258a是分別與對應(yīng)的掃瞄線254及數(shù)據(jù)線256相互電性連接,且掃瞄線254、數(shù)據(jù)線256以及主動元件258a是構(gòu)成一非穿透區(qū)域258e。本實(shí)施例中,此主動元件258a例如是薄膜晶體管或是其他型態(tài)的開關(guān)元件,而畫素電極258b例如是透明電極。另外,每一畫素電極258b是個(gè)別與其對應(yīng)的主動元件258a電性連接,且微反射層258c例如至少覆蓋在部分非穿透區(qū)域258e之上,或者覆蓋在所有的非穿透區(qū)域258e上方,其覆蓋在非穿透區(qū)域258e上方的程度(面積覆蓋率)可視制造者的需求而定。在本實(shí)施例中,此微反射層258c的材質(zhì)例如是鋁、銀,或是其他具有高反射率的材質(zhì)。
承上述,在本實(shí)施例的液晶顯示面板中,非穿透區(qū)域258e以外的區(qū)域?yàn)橐淮┩竻^(qū)域258f,而畫素電極258b位于穿透區(qū)域258f及部分非穿透區(qū)域258e的上方。另外,基板252上更例如有一平坦層258d,以覆蓋掃瞄線254、數(shù)據(jù)線256及主動元件258a。此外,畫素電極258b及微反射層258c是配置在平坦層258d之上,且微反射層258c更例如覆蓋在畫素電極258b的部分區(qū)域上。
接下來請同時(shí)參考圖1及圖3A~3C,背光模組110提供液晶顯示面板200一背光源110a,以讓使用者看到液晶顯示器100所呈現(xiàn)的圖像。當(dāng)背光源110a在穿透液晶顯示面板200時(shí),由于主動元件陣列基板250上有非穿透區(qū)域258e及穿透區(qū)域258f,因此背光源110a的部分光線會因?yàn)榉谴┩竻^(qū)258e上覆蓋一層金屬層258c而反射,而部分光線則經(jīng)由穿透區(qū)域258f而穿透液晶顯示面板200。而除了背光模組110所提供的背光源110a之外,外在環(huán)境會有一前光源112入射至液晶顯示面板200中。此時(shí),由于本發(fā)明在液晶顯示面板200的上方選用一霧度值較高的第二偏光片210,因此可以提高液晶顯示面板200對于光源的利用率。此外,將反射率較高的金屬鍍在平坦層258d上以形成微反射層258c,除了可以減少額外的光罩制程之外,更由于穿透區(qū)域258f與反射區(qū)域258e共有一個(gè)單一的晶穴間距,因此不會影響開口率。如此一來,就可以將液晶顯示面板200的微反射率提高至5-10%,較習(xí)知的液晶顯示面板的微反射率為高。
圖4A~4C分別繪示微反射層于畫素單元中覆蓋面積率的示意圖。首先如圖4A所示,微反射層258c例如覆蓋在部分的非穿透區(qū)域258e上,此時(shí)微反射層258c所提供的微反射率可達(dá)到5%。然后如圖4B所示,微反射層258c例如覆蓋在所有的非穿透區(qū)域258e上,此時(shí)微反射層258c所提供的微反射率可達(dá)到7%。最后如圖4C所示,微反射層258c例如覆蓋在所有的非穿透區(qū)域258e上以及部分的穿透區(qū)258f上方,因此微反射層258c可提供較高的微反射率,約可達(dá)到10%。
綜上所述,本發(fā)明的液晶顯示面板于主動元件陣列基板上的掃瞄線、數(shù)據(jù)線以及主動元件之上鍍上微反射層,使此主動元件陣列基板的反射區(qū)及穿透區(qū)共有一間距,因此可以不影響畫素單元的開口率。此外,于液晶顯示面板組裝時(shí)選用霧度值較高的上偏光片,因此可以增加液晶顯示面板對于光源的反射率以及利用率。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種主動元件陣列基板,其特征在于其包括一基板;多數(shù)條掃描線,配置在該基板上;多數(shù)條數(shù)據(jù)線,配置在該基板上;多數(shù)個(gè)主動元件,陣列排列在該基板上,且每一該些主動組件是分別與該些掃描線其中之一以及該些數(shù)據(jù)線其中之一電性連接,其中該些掃描線、該些數(shù)據(jù)線以及該些主動組件是構(gòu)成一非穿透區(qū)域;多數(shù)個(gè)畫素電極,配置在該基板上,且每一該些畫素電極是分別與該些主動元件其中之一電性連接;以及一微反射層,至少覆蓋在部分的該非穿透區(qū)域上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的微反射層的反射率小于10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的該些主動組件包括薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的非穿透區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)橐淮┩竻^(qū)域,而該些畫素電極是位于該穿透區(qū)域以及部分該非穿透區(qū)域的上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的微反射層是覆蓋于所有的該非穿透區(qū)域上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的微反射層的材質(zhì)包括金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板,其特征在于更包括一平坦層,配置在該基板上,以覆蓋該些掃描線、該些數(shù)據(jù)線以及該些主動組件,其中該些畫素電極以及該微反射層是配置在該平坦層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動元件陣列基板,其特征在于其中所述的微反射層更包括覆蓋在該些畫素電極的部分區(qū)域上。
9.一種液晶顯示面板,其特征在于其包括一主動元件陣列基板,包括一基板;多數(shù)條掃描線,配置在該基板上;多數(shù)條數(shù)據(jù)線,配置在該基板上;多數(shù)個(gè)主動元件,陣列排列在該基板上,且每一該些主動組件是分別與該些掃描線其中之一以及該些數(shù)據(jù)線其中之一電性連接,其中該些掃描線、該些數(shù)據(jù)線以及該些主動組件是構(gòu)成一非穿透區(qū)域;多數(shù)個(gè)畫素電極,配置在該基板上,且每一該些畫素電極是分別與該些主動元件其中之一電性連接;一微反射層,至少覆蓋在部分的該非穿透區(qū)域上方;一對向基板,配置在該主動元件陣列基板上方;一液晶層,配置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間;一第一偏光片,配置在該主動元件陣列基板的一外表面上;以及一第二偏光片,配置在該對向基板的一外表面上,其中該第二偏光片的霧度值是介于10至80之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板,其特征在于其中所述的微反射層的反射率小于10%。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種主動元件陣列基板及具有此主動元件陣列基板的液晶顯示面板。此主動元件陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)主動元件、多個(gè)畫素電極以及一微反射層。其中,掃描線與數(shù)據(jù)線是配置在基板上,而主動元件是呈陣列狀排列在基板上,且每一主動組件是分別與對應(yīng)的掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接,且掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動元件是構(gòu)成一個(gè)非穿透區(qū)域。此外,畫素電極是配置在基板上,且每一畫素電極是分別與對應(yīng)的主動元件電性連接。另外,微反射層至少覆蓋在部分的非穿透區(qū)域上方。
文檔編號G09G3/36GK1854819SQ200510064
公開日2006年11月1日 申請日期2005年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月18日
發(fā)明者林啟湟, 黃光永 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司