專利名稱：顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種顯示器的電性連接結(jié)構(gòu)，尤其是一種以穿刺方式達(dá)成二個電子元件間的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，是揭示一般的液晶顯示器的驅(qū)動IC 1與導(dǎo)電面板2間以異方向性導(dǎo)電膠3(Anisotropic Conductive Film，ACF)做為電性導(dǎo)通接合使用，其中該驅(qū)動IC 1在一側(cè)設(shè)有一鋁層1a及于該鋁層1a上形成有復(fù)數(shù)個間隔設(shè)置的金凸塊1b(Gold bump)，該些金凸塊1b即是構(gòu)成驅(qū)動IC 1的輸入/出控制線路，受制于現(xiàn)行制程，各該些金凸1b的最小寬度a(或稱線寬)約在20μm左右，且二相鄰的金凸塊1b間的最短間距b(或稱線距)約在10μm左右；該導(dǎo)電面板2包括一基板2a、復(fù)數(shù)ITO電極2b(ITO electode)與復(fù)數(shù)鉻(Cr)層2c，該些ITO電極2b是形成于該基板2a且呈間隔設(shè)置，該些鉻(Cr)層2c各別形成于對應(yīng)的ITO電極2b表面上；該異方向性導(dǎo)電膠3包括有一膠層3a及復(fù)數(shù)個分布于該膠層3a中的導(dǎo)電粒子3b，在該驅(qū)動IC 1與該導(dǎo)電面板2壓合時，該膠層3a粘結(jié)該驅(qū)動IC 1與該導(dǎo)電面板2，該些導(dǎo)電粒子3b在與對應(yīng)的金凸塊1b及鉻層2c接觸時，據(jù)以做為導(dǎo)通該驅(qū)動IC 1與該導(dǎo)電面板2的橋梁。
上述的異方向性導(dǎo)電膠3雖普遍見于接合驅(qū)動IC 1與導(dǎo)電面板2使用，但，如圖1所示，部分的導(dǎo)電粒子3b雖做為電性導(dǎo)通使用外，更有其他的導(dǎo)電粒子3b落于二相鄰金凸塊1b之間及落于二相鄰鉻層2c之間，又由于一般的導(dǎo)電粒子3b大小約在3～5μm，因此，當(dāng)有二個或二個以上且彼此接觸的導(dǎo)電粒子3b同時位于間距b在10μm左右的二相鄰金凸塊1b之間時，該些導(dǎo)電粒子3b將對該二相鄰金凸塊1b形成橋接作用，進(jìn)而造成短路，而隨著驅(qū)動IC邁向更精細(xì)的制程，上述短路情形將越為凸顯。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)及其方法，是可避免二電子元件結(jié)合之后發(fā)生短路情形。
緣以達(dá)成上述的目的，本發(fā)明所提供的一種顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)及其方法，包含有一第一電子元件、一第二電子元件與一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)包括有復(fù)數(shù)個凸塊與復(fù)數(shù)根豎桿，其中該些凸塊是呈間隔設(shè)置且與該第一電子元件電性連接，該些豎桿與該第二電子元件電性連接，利用該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，以便達(dá)成將該第一電子元件與該第二電子元件電性連接的目的。
以下，茲列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合下列圖示詳細(xì)說明于后。


圖1是一般液晶顯示器的驅(qū)動IC與導(dǎo)電面板以異方向性導(dǎo)電膠做為電性接合的示意圖；圖2是本發(fā)明的第一電子元件與第二電子元件的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3是本發(fā)明第一電子元件與第二電子元件以鋪設(shè)非導(dǎo)電膠的方式做結(jié)合的示意圖；圖4是圖3完成組合后的示意圖；圖5是本發(fā)明第一電子元件與第二電子元件以注入UV膠的方式做結(jié)合的示意圖；圖6是圖5利用光照方式使UV膠固化的示意圖；圖7A至圖7E是本發(fā)明制作第二導(dǎo)電層的示意圖；圖8A至圖8E是本發(fā)明制作微米級豎桿的示意圖；圖9A至圖9D是本發(fā)明第一種制作納米級豎桿的示意圖；圖10A至圖10H是本發(fā)明第二種制作納米級豎桿的示意圖；
圖11A至圖11F是本發(fā)明第三種制作納米級豎桿的示意圖；圖12是本發(fā)明的豎桿直接形成于導(dǎo)電膜表面的示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖2所示，是本發(fā)明一較佳實施例的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)10，該顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)10如本實施例的液晶顯示器，其具有一第一電子元件12、一第二電子元件14以及一用以電性連接該第一電子元件12與該第二電子元件14的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)16；其中該第一電子元件12由一驅(qū)動IC 121與一第一導(dǎo)電層122所組成，該第一導(dǎo)電層122在本實施例中是為鋁材構(gòu)成且其一側(cè)面與該驅(qū)動IC 121電性導(dǎo)通。
該第二電子元件14包括有一基板141、復(fù)數(shù)導(dǎo)電膜142與復(fù)數(shù)第二導(dǎo)電層143，該些導(dǎo)電膜142如本實施例的銦錫氧化膜(ITO Pilm)，其布設(shè)形成于該基板141表面，該些第二導(dǎo)電層143各別形成于對應(yīng)的導(dǎo)電膜142表面，在本實施例中，該些第二導(dǎo)電層143是以鉻(Cr)材料構(gòu)成，各第二導(dǎo)電層143的制作方式容后再述。
該導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)16主要由復(fù)數(shù)個凸塊18與復(fù)數(shù)根豎桿20所構(gòu)成，其中該些凸塊18是為金或鋁等具導(dǎo)電性的金屬材料構(gòu)成，其等呈間隔地形成于該第一導(dǎo)電層122的另一側(cè)面，前述凸塊18是經(jīng)過微影蝕刻方式而制得，必須說明的是，在完成液晶顯示器組裝之前，該些凸塊18一般均已與第一電子元件12預(yù)先結(jié)合制得。
該些豎桿20依制程不同可被制作成微米級或是納米級般的大小，在本實施例中，該些豎桿20是被制作成微米級大小，如圖2所示，各該豎桿20一端與對應(yīng)的第二導(dǎo)電層143電性連接，另一端朝向該第一電子元件12的各凸塊18方向延伸，必須說明的是，各該豎桿20是為硬度大于該些凸塊18硬度的導(dǎo)電性金屬材料所構(gòu)成，如鎳、鈷、鎢等高硬度材料即是，前述豎桿20的制作方式容后再述。
以上即為本發(fā)明顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)10各構(gòu)件及其相關(guān)位置的說明，接著，請再參閱圖3、圖4所示，在組合該第一電子元件12與該第二電子元件14時，先于第一電子元件12與第二電子元件14之間置放一非導(dǎo)電膠22(NCF)，且令各凸塊18面對該些豎桿20，該第二電子元件14并被固定不動，之后，以一作用力F透過一熱壓頭21壓抵于該第一電子元件12，促使第一電子元件12朝向第二電子元件14靠近，由于豎桿20的硬度大于凸塊18的硬度，因此，將造成豎桿20穿入對應(yīng)的凸塊18內(nèi)部，直至凸塊18表面與第二導(dǎo)電層143表面相抵觸始中止該作用力F的作用，然后，續(xù)對該非導(dǎo)電膠22施以加熱，使得非導(dǎo)電膠22固化并固結(jié)第一電子元件12與第二電子元件14，據(jù)此，以便達(dá)成第一電子元件12與第二電子元件14電性連接及完成封裝的目的。
另外，該第一電子元件12與該第二電子元件14的組合方式亦可采用如下述的步驟請配合圖5所示，是先將凸塊18與對應(yīng)的豎桿20以穿刺方式相結(jié)合之后，再于凸塊18與豎桿20結(jié)合周圍注入非導(dǎo)電性的UV膠24，接著如圖6所示，施以光照以使UV膠24固化，據(jù)此達(dá)成固結(jié)第一電子元件12與第二電子元件14及封裝的目的。
本發(fā)明用以達(dá)成對二個極精細(xì)電子元件間的電性導(dǎo)通連接方式，是利用復(fù)數(shù)具有導(dǎo)電性的豎桿20直接穿刺于對應(yīng)且同樣具有導(dǎo)電性的凸塊18內(nèi)部，據(jù)此以解決一般以異方向性導(dǎo)電膠做為電性導(dǎo)通接合使用時潛藏短路的缺失，再者，由于異方向性導(dǎo)電膠成本較高，因此，本發(fā)明改以成本較低的非導(dǎo)電膠22或是UV膠24做為封裝使用，可降低制作成本。以下敘述制作各該第二導(dǎo)電層143的方式如下請配合圖7A所示，是于基板141表面覆設(shè)由鉻(Cr)材料所形成的金屬薄膜26，該薄膜26完全覆蓋所有的導(dǎo)電膜142，接著，如圖7B所示，于薄膜26上涂布光阻28且對光阻28施以第一次的曝光作業(yè)，本實施例的光阻28是為正型光阻，透過光罩30的遮蔽作用，使得受照射的光阻28破壞鏈結(jié)(cross linking)，續(xù)請配合圖7C所示，以顯影液將可解離的光阻28(即受光照射部分)進(jìn)行溶解，據(jù)以保留已鏈結(jié)的光阻28’，之后，以蝕刻制程對該薄膜26進(jìn)行侵蝕，于已鏈結(jié)的光阻28’與各該導(dǎo)電膜142之間各別形成一鉻層a(圖7D參照)，該鉻層a即為圖2中的第二導(dǎo)電層143，然后，續(xù)行去除光阻，以獲得如圖7E所示的結(jié)構(gòu)，即各該導(dǎo)電膜142表面分別具有一對應(yīng)的第二導(dǎo)電層143，上述去除光阻方式概可分為濕式清除法與干式清除法兩種，由于各清除法是屬已知技藝，于此容不贅述。茲就制作微米級豎桿20的方式敘述如下在完成第二導(dǎo)電層143的制作之后，如圖8A所示，在第二電子元件14表面涂布一光阻32，該光阻32并完全覆蓋第二導(dǎo)電層143，前述光阻32以負(fù)型光阻為例說明，之后，如圖8B所示，對光阻32施以第二次的曝光作業(yè)，透過具有不同圖案的光罩34遮蔽，使得受照射的光阻32產(chǎn)生鏈結(jié)，續(xù)如圖8C所示，經(jīng)顯影液將可解離的光阻32溶解后，形成一具有復(fù)數(shù)孔洞361的光阻層36，各該孔洞361并對應(yīng)位于第二導(dǎo)電層143處，以上所述步驟即所謂的黃光制程然后，將表面設(shè)有光阻層36的第二電子元件14置放于一電鑄槽(圖未示)，如圖8D所示，對設(shè)于基板141上的導(dǎo)電膜142施加電壓，使得電鑄液中的離子被吸引至各該孔洞361中，并逐漸成長形成微結(jié)構(gòu)的金屬沉積物b，上述步驟即所謂電鑄(electroforming)制程，最后，施以去除光阻層36處理以保留該些金屬沉積物b(圖8E參照)，該些金屬沉積物b即為圖2中形成于各第二導(dǎo)電層143表面的該些豎桿20，前述去除光阻方式為現(xiàn)有技術(shù)，容不贅述；以上結(jié)合黃光制程、電鑄制程與去除光阻的方法，可制得微米級的豎桿20。
以下再對制作納米級大小的豎桿的方法敘述如后，其中第二電子元件14同樣由基板141、復(fù)數(shù)導(dǎo)電膜142與復(fù)數(shù)第二導(dǎo)電層143所構(gòu)成，各第二導(dǎo)電層143的制成方法同前述，于此不予重復(fù)描述。
茲敘述第一種可制作納米級豎桿的方法如下請參閱圖9A所示，是將表面預(yù)先成長有一鋁膜40的第二電子元件14置入一電解槽(圖未示)，前述形成鋁膜40的方式可為濺鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)或是物理氣相沉積(PVD)等方法，接著，外加陽極電壓于該鋁膜40，并施加陰極電壓于一石墨棒(圖未示)，如此，可對鋁膜40造成氧化并進(jìn)而形成具有復(fù)數(shù)個納米級的管狀孔洞421的氧化鋁膜42(Al2O3Film)，如圖9B所示即是，之后，再將第二電子元件14改置于一電鑄槽(圖未示)，并對導(dǎo)電膜142施加電壓，如圖9C所示，據(jù)此得于對應(yīng)第二導(dǎo)電層143的各該孔洞421中成長金屬沉積物c，再于施以濕蝕刻制程以去除該氧化鋁膜42，進(jìn)而將該些金屬沉積物c保留于第二導(dǎo)電層143表面(圖9D參照)，該些金屬沉積物c即為納米級的豎桿。
茲敘述第二種可制作納米級豎桿的方法如下請參閱圖10A所示，是與圖9A的步驟相同于第二電子元件14表面預(yù)先成長有一鋁膜44，同樣對置于電解槽(圖未示)中的鋁膜44施加電壓，使鋁膜44氧化并形成具有復(fù)數(shù)個納米級孔洞461的氧化鋁膜46(圖10B參照)，將第二電子元件14自電解槽取出，續(xù)以化學(xué)氣相沉積(CVD)或是物理氣相沉積(PVD)方式(圖10C參照)，于各該孔洞461中堆積成長金屬沉積物d(圖10D參照)，接著，如圖10E所示，于氧化鋁膜46表面涂布一光阻48(該光阻48是以正型光阻為例)并施以曝光與顯影作業(yè)后，得將原已產(chǎn)生鏈結(jié)的光阻48’保留于氧化鋁膜46表面(圖10F參照)，之后，以干蝕刻制程對未被已產(chǎn)生鏈結(jié)的光阻48’所阻擋的氧化鋁膜46、金屬沉積物d、第二導(dǎo)電層143與導(dǎo)電膜142進(jìn)行去除，然后繼續(xù)去除光阻48’，獲得如圖10G所示的結(jié)構(gòu)，最后，再以濕蝕刻制程對僅存的氧化鋁膜46進(jìn)行去除，通過此，得于第二導(dǎo)電層143表面保留復(fù)數(shù)根金屬沉積物d(圖10H參照)，該些金屬沉積物d即為納米級的豎桿。
茲敘述第三種可制作納米級豎桿的方法如下請參閱圖11A所示，是先于第二電子元件14表面預(yù)先成長有一鋁膜50，再在鋁膜50表面涂布一光阻52(該光阻52是以正型光阻為例)，經(jīng)過曝光與顯影作業(yè)處理后，得將未被剝離的光阻52’保留于鋁膜50表面(圖11B參照)，之后，利用蝕刻制程對未受光阻52’所阻擋的鋁膜50、第二導(dǎo)電層143與導(dǎo)電膜142進(jìn)行去除，及繼續(xù)去除光阻52’，據(jù)以獲得如圖11C所示的結(jié)構(gòu)，即于各該第二導(dǎo)電層143表面形成有相對應(yīng)面積的鋁膜50’，接著再將前述結(jié)構(gòu)置于一含硫酸或磷酸或草酸的電解槽(圖未示)中并對位于第二導(dǎo)電層143表面的鋁膜50’施以電壓，使得鋁膜50’被氧化并形成具有復(fù)數(shù)個納米級孔洞541的氧化鋁膜54(圖11D參照)，之后再將圖11D所示的結(jié)構(gòu)改置于一電鑄槽中(圖未示)，且對導(dǎo)電膜142施加電壓，如圖11E所示，各該孔洞541中將成長金屬沉積物e，最后以濕蝕刻制程去除該氧化鋁膜54，得將該些金屬沉積物e保留于對應(yīng)的第二導(dǎo)電層143表面(圖11F參照)，該些金屬沉積物e即為納米級的豎桿。
另外值得一提的是，該些微米級或是納米級的豎桿20亦可直接形成于導(dǎo)電膜142表面(如圖12所示)，換言之，可選擇將制作該第二導(dǎo)電層143的步驟予以省略，以簡化制程。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳可行實施例而已，故舉凡應(yīng)用本發(fā)明說明書及申請專利范圍所為的等效結(jié)構(gòu)及方法步驟的變化，理應(yīng)包含在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，是包含一第一電子元件；一第二電子元件；一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)，用以電性連接該第一電子元件與該第二電子元件，該導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)包括復(fù)數(shù)個與該第一電子元件電性連接的凸塊，該些凸塊是呈間隔設(shè)置；復(fù)數(shù)根與該第二電子元件電性連接的豎桿，該些豎桿穿入于對應(yīng)的各凸塊內(nèi)部。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該些豎桿硬度大于該些凸塊硬度。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該第一電子元件更包括有一第一導(dǎo)電層，該些凸塊是形成于該第一導(dǎo)電層朝該第二電子元件的一面。
4.如權(quán)利要求1或3所述的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該第二電子元件具有一基板與復(fù)數(shù)導(dǎo)電膜，該些導(dǎo)電膜彼此間隔地形成于該基板表面，該些豎桿一端形成于對應(yīng)的各導(dǎo)電膜，另一端朝向該第一電子元件的各凸塊方向延伸。
5.如權(quán)利要求1或3所述的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該第二電子元件具有一基板、復(fù)數(shù)導(dǎo)電膜與復(fù)數(shù)第二導(dǎo)電層，該些導(dǎo)電膜彼此間隔地形成于該基板表面，該些第二導(dǎo)電層各別形成于對應(yīng)的導(dǎo)電膜表面，該些豎桿一端與對應(yīng)的第二導(dǎo)電層電性連接，另一端該第一電子元件的各凸塊方向延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括至少于該第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有一非導(dǎo)電性的接著材料。
7.一種顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，包含下列步驟在一第一電子元件一側(cè)制作有復(fù)數(shù)個呈間隔設(shè)置的凸塊；在一第二電子元件表面涂設(shè)一光阻；以黃光制程使得該光阻形成有復(fù)數(shù)孔洞的光阻層；以電鑄制程使得該些孔洞中成長金屬沉積物；以清除作業(yè)將該光阻層去除，并保留該些金屬沉積物于該第二電子元件表面，以各別形成一豎桿；將該些凸塊面對該些豎桿，且令該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以加熱方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以光照方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
10.如權(quán)利要求7所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，所述該第二電子元件包括有一基板與復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于該基板表面的導(dǎo)電膜；該黃光制程步驟包括對該光阻施以曝光作業(yè)；利用顯影液將可解離的光阻進(jìn)行溶解，以便于導(dǎo)電膜表面形成該光阻層；該電鑄制程步驟包括將表面具有該光阻層的第二電子元件置放于一電鑄槽中；對設(shè)在該基板上的導(dǎo)電膜施加電壓，使得該光阻層的該些孔洞內(nèi)成長金屬沉積物；該清除作業(yè)是以蝕刻方式將該光阻層去除，使得該些金屬沉積物分別被保留于對應(yīng)的導(dǎo)電膜表面。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，所述該第二電子元件包括有一基板、復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于該基板表面的導(dǎo)電膜、以及各別形成于該些導(dǎo)電膜表面的第二導(dǎo)電層；該黃光制程步驟包括對該光阻施以曝光作業(yè)；利用顯影液將可解離的光阻進(jìn)行溶解，以便于各該第二導(dǎo)電層表面形成該光阻層；該電鑄制程步驟包括將表面具有該光阻層的第二電子元件置放于一電鑄槽中；對設(shè)在該基板上的導(dǎo)電膜施加電壓，使得該光阻層的該些孔洞內(nèi)成長金屬沉積物；該清除作業(yè)是以蝕刻方式將該光阻層去除，使得該些金屬沉積物分別被保留于對應(yīng)的第二導(dǎo)電層表面。
12.一種顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，包含下列步驟于一第一電子元件一側(cè)制作有復(fù)數(shù)個呈間隔設(shè)置的凸塊；于一第二電子元件表面預(yù)設(shè)有一金屬膜；以電解制程使得該金屬膜形成具有復(fù)數(shù)孔洞的氧化金屬膜；以電鑄制程使得該些孔洞中成長金屬沉積物；以清除作業(yè)將該氧化金屬膜去除，并保留該些金屬沉積物于該第二電子元件表面，以各別形成一豎桿；將該些凸塊面對該些豎桿，且供該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成電性連接。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以加熱方式促使固化，使得第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以光照方式促使固化，使得第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
15.如權(quán)利要求12所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，所述該第二電子元件包括有一基板與復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于該基板表面的導(dǎo)電膜；該電解制程步驟包括將表面具有該金屬膜的第二電子元件置入一電解槽中；對該金屬膜施加電壓，以促使該金屬膜被氧化形成該氧化金屬膜；該電鑄制程步驟包括將表面具有該氧化金屬膜的第二電子元件置入一電鑄槽中；對設(shè)在該基板上的導(dǎo)電膜施加電壓，使得該氧化金屬膜的該些孔洞內(nèi)成長金屬沉積物；該清除作業(yè)是以蝕刻方式將該氧化金屬膜去除，使得該些金屬沉積物分別被保留于對應(yīng)的導(dǎo)電膜表面。
16.如權(quán)利要求12所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，所述該第二電子元件包括有一基板、復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于該基板表面的導(dǎo)電膜、以及各別形成于該些導(dǎo)電膜表面的第二導(dǎo)電層；該電解制程步驟包括將表面具有該金屬膜的第二電子元件置入一電解槽中；對該金屬膜施加電壓，以促使該金屬膜被氧化形成該氧化金屬膜；該電鑄制程步驟包括將表面具有該氧化金屬膜的第二電子元件置入一電鑄槽中；對設(shè)在該基板上的導(dǎo)電膜施加電壓，使得該氧化金屬膜的該些孔洞內(nèi)成長金屬沉積物；該清除作業(yè)是以蝕刻方式將該氧化金屬膜去除，使得該些金屬沉積物分別被保留于對應(yīng)的第二導(dǎo)電層表面。
17.一種顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，包含下列步驟在一第一電子元件一側(cè)制作有復(fù)數(shù)個呈間隔設(shè)置的凸塊；在一具有復(fù)數(shù)導(dǎo)電膜的第二電子元件表面設(shè)有一金屬膜；以電解制程使得該金屬膜形成具有復(fù)數(shù)孔洞的氧化金屬膜；以沉積方式使得該些孔洞中堆積成長金屬沉積物；在該氧化金屬膜表面涂布一光阻，以黃光制程、蝕刻制程及去除光阻程序，于各該導(dǎo)電膜表面保留有部分氧化金屬膜與部分金屬沉積物；以清除作業(yè)將該氧化金屬膜去除，并保留該些金屬沉積物于對應(yīng)的導(dǎo)電膜表面，以各別形成一豎桿；將該些凸塊面對該些豎桿，且該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成電性連接。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以加熱方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以光照方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
20.一種顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，包含下列步驟在一第一電子元件一側(cè)制作有復(fù)數(shù)個呈間隔設(shè)置的凸塊；在一具有復(fù)數(shù)第二導(dǎo)電層的第二電子元件表面設(shè)有一金屬膜；以電解制程使得該金屬膜形成具有復(fù)數(shù)孔洞的氧化金屬膜；以沉積方式使得該些孔洞中堆積成長金屬沉積物；在該氧化金屬膜表面涂布一光阻，以黃光制程、蝕刻制程及去除光阻程序，于各該第二導(dǎo)電層表面保留有部分氧化金屬膜與部分金屬沉積物以清除作業(yè)將該氧化金屬膜去除，并保留該些金屬沉積物于對應(yīng)的第二導(dǎo)電層表面，以各別形成一豎桿；將該些凸塊面對該些豎桿，且令該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成電性連接。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以加熱方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
22.如權(quán)利要求20所述的顯示器構(gòu)裝方法，其特征在于，更包括于該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)一非導(dǎo)電性的接著材料，且對該接著材料施以光照方式促使固化，使得該第一電子元件與該第二電子元件間隙間包覆設(shè)有該接著材料，而供該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
全文摘要
一種顯示器構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，包含有一第一電子元件、一第二電子元件與一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)包括有復(fù)數(shù)個凸塊與復(fù)數(shù)根豎桿，其中該些凸塊呈間隔設(shè)置且與該第一電子元件電性連接，該些豎桿與該第二電子元件電性連接，利用該些豎桿穿入對應(yīng)的凸塊內(nèi)部，以便達(dá)成將該第一電子元件與該第二電子元件電性連接的目的，另外，該第一電子元件與該第二電子元件之間置設(shè)有一非導(dǎo)電性的接著材料，使得該第一電子元件與該第二電子元件形成固接。
文檔編號G09F9/00GK1844974SQ2005100648
公開日2006年10月11日 申請日期2005年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月6日
發(fā)明者林義欽, 康恒達(dá), 何昆璋, 林林 申請人:勝華科技股份有限公司