專利名稱：半導(dǎo)體基板的制造方法和電光學(xué)裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板的制造方法和電光學(xué)裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
作為液晶顯示裝置和有機電致發(fā)光(以下簡稱EL)裝置等電光學(xué)裝置，一般知道包括在基板上具備薄膜晶體管(以下簡稱TFT)等半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)的。制造包括這種半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板時，由于大多需要高溫過程，所以一旦在基板上形成該半導(dǎo)體元件制成電光學(xué)裝置，會產(chǎn)生基板的變形和四周電路元件的破壞，導(dǎo)致壽命降低，其結(jié)果有引起該電光學(xué)裝置特性降低的擔(dān)心。
而且近年來有人提出，用包括高溫過程的已有的半導(dǎo)體制造技術(shù)在耐熱性的基礎(chǔ)基板上形成TFT等半導(dǎo)體元件后，將形成有TFT的元件形成膜(層)從該基礎(chǔ)基板上剝離，通過再將其粘合在配線基板上的方法制造電光學(xué)裝置的轉(zhuǎn)印技術(shù)(例如參照專利文獻1)。采用這種轉(zhuǎn)印技術(shù)，能夠在耐熱性較低的塑料基板等上形成半導(dǎo)體元件，拓寬該電光學(xué)裝置的設(shè)計思路，同時使四周的電路元件并不暴露在高溫過程中，結(jié)果可以提供一種能夠抑制基板的熱變形和電路元件的破壞，適宜的電光學(xué)裝置。
專利文獻1特開2003-031778上述專利文獻1中，將導(dǎo)電性粒子印刷配置在于配線基板上形成的凸起上，進而借助于固化性樹脂將TFT基板轉(zhuǎn)印后，通過加熱將配線基板與TFT接合。然而，對于上述轉(zhuǎn)印技術(shù)而言，在配線基板與TFT接合時，凸起的高度精度、導(dǎo)電性粒子的印刷精度(印刷量、形狀、位置精度)、轉(zhuǎn)印時基板因熱壓的彎曲、導(dǎo)電性粒子的撲捉率等精度一旦惡化，就不能確保TFT的導(dǎo)通，因而有發(fā)生開機不良之虞。而且，一旦為回避這種開機不良而提高轉(zhuǎn)印時的熱壓量，往往會引起TFT的破損和損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述課題而提出的，其目的在于提供一種不會使元件破損和損傷，能夠確實使元件與配線基板導(dǎo)通的半導(dǎo)體基板的制造方法以及電光學(xué)裝置的制造方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的制造方法，是一種在配線基板上安裝半導(dǎo)體元件而成的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，包括第一基板表面上具有配線側(cè)端子的配線基板的制造工序；在第二基板上形成具有元件側(cè)端子的半導(dǎo)體元件，使所述元件側(cè)端子面對所述第二基板表面，制造元件基板的工序；使所述第一基板中形成了所述配線側(cè)端子的面，與所述第二基板中形成所述半導(dǎo)體元件的面分別相對向，將所述配線基板與所述元件基板粘合，使所述配線側(cè)端子位置在基板面內(nèi)處于所述半導(dǎo)體元件外側(cè)的工序；所述粘合后，將所述第二基板與所述半導(dǎo)體元件剝離的工序；和將經(jīng)過所述第二基板的剝離而剝下的元件側(cè)端子，與位于所述半導(dǎo)體元件外側(cè)的配線側(cè)端子，通過無電解電鍍法實現(xiàn)電連接的工序。
采用這種制造方法，由于將半導(dǎo)體元件在配線基板上轉(zhuǎn)印，使配線側(cè)端子朝向上方(粘合面?zhèn)?，而且元件側(cè)端子朝向上方(粘合面的反面)后，通過無電解電鍍法將各自朝向上方的配線側(cè)端子和元件側(cè)端子之間實現(xiàn)電連接，所以不會出現(xiàn)為連接提高熱壓量而伴隨破損和損傷之類不良現(xiàn)象，能進一步提高導(dǎo)通性能。而且由于各端子間的連接部均朝向上方，所以容易通過觸針式檢查方法等對連接狀況進行確認。此外，即使假定產(chǎn)生連接不良的情況下，因為連接部朝向上方，所以其修復(fù)操作也變得簡單。
所述配線基板形成工序中，形成由多個配線側(cè)端子構(gòu)成的端子組，在所述粘合工序中以所述端子組的面內(nèi)內(nèi)側(cè)區(qū)域作為粘合面，在該內(nèi)側(cè)區(qū)域涂布粘著劑，能用該粘著劑將所述配線基板與所述元件基板粘合。通過進行這種粘合的方式，由于能夠提高該粘合的強度，而且將粘著劑涂布在配線側(cè)端子的端子組內(nèi)側(cè)區(qū)域，所以能夠防止乃至抑制該配線側(cè)端子被粘著劑覆蓋，其結(jié)果能夠充分保證與元件側(cè)端子的連接性能。這里所述配線側(cè)端子的端子組內(nèi)側(cè)區(qū)域，是指元件基板被粘合區(qū)域，即形成與元件基板的粘合面的區(qū)域。具體講，將由多個配線側(cè)端子所構(gòu)成的端子組形成環(huán)狀，能夠在該環(huán)狀的內(nèi)側(cè)區(qū)域涂布粘著劑，并能以該環(huán)狀的內(nèi)側(cè)區(qū)域作為粘合面。
在所述端子間進行電連接的工序中，能夠采用從兩種端子使鍍層生長的方式進行連接。若采用這種方法，在縮短連接工序處理時間的同時，由于自配線側(cè)端子與元件側(cè)端子雙方析出的鍍層進行電連接，所以還能提高二者之間的連接性(導(dǎo)通性)。
在所述端子間進行電連接工序之前，能夠在位于所述半導(dǎo)體元件四周的配線側(cè)端子的外側(cè)，形成限制鍍層向外側(cè)開展用的絕緣壁。這樣形成絕緣層的情況下，能使鍍層充分析出，進一步提高導(dǎo)通性。例如，即使配線側(cè)端子與元件側(cè)端子之間的距離與設(shè)計不同(即使轉(zhuǎn)印位置偏離)，也能確保導(dǎo)通性良好。
此外，為了解決上述課題，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法，是將驅(qū)動發(fā)光元件用的開關(guān)元件安裝在配線基板上制成的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，采用半導(dǎo)體元件作為所述開關(guān)元件，采用上述的半導(dǎo)體基板的制造方法作為該半導(dǎo)體元件在所述配線基板上的安裝工序。這樣得到的電光學(xué)裝置，元件特性良好，而且可靠性極高。


圖1是表示半導(dǎo)體基板及電光學(xué)裝置的大體構(gòu)成的剖面圖。
圖2是表示半導(dǎo)體基板大體構(gòu)成的平面圖(a)和剖面圖(b)。
圖3是表示元件基板大體構(gòu)成的平面圖(a)和剖面圖(b)。
圖4是用剖面表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板制造工序的說明圖。
圖5是用剖面表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板制造工序的說明圖。
圖6是用平面表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板制造工序的說明圖。
圖7是用平面表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板制造工序的說明圖。
圖8是表示半導(dǎo)體元件構(gòu)成的變形例的剖面圖。
圖9是表示絕緣壁構(gòu)成的剖面圖。
圖10是表示半導(dǎo)體元件構(gòu)成的變形例的平面圖。
圖中3…半導(dǎo)體基板，10…配線基板，10a…第一基板，13…半導(dǎo)體元件，14…配線側(cè)端子，20…元件基板，20a…第二基板，61…元件側(cè)端子。
具體實施例方式
以下參照

本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。在以下說明用的各圖中，由于將各部件繪成可以識別的尺寸，所以對各部件的比例持做了適當(dāng)變更。
首先，參照圖1說明采用本發(fā)明設(shè)計的半導(dǎo)體基板的制造方法制造的電光學(xué)裝置的構(gòu)成。圖1是表示電光學(xué)裝置大體構(gòu)成的剖面圖，電光學(xué)裝置1至少具備基板接合體2，該基板接合體2具有將半導(dǎo)體基板3和有機EL基板4粘合而成的構(gòu)成。
半導(dǎo)體基板3由配線基板10、在配線基板10上形成的所定形狀的配線圖案11、與配線圖案11連接的電路部12、驅(qū)動有機EL元件124的TFT(半導(dǎo)體元件)13、用以將TFT13與配線圖案11電連接的TFT電連接部(配線側(cè)端子)14、將有機EL元件124與圖案圖案11接合的有機EL連接部15構(gòu)成。其中，TFT連接部14是根據(jù)TFT13的端子圖案形成的。
有機EL基板4由透光性透明基板120、使光線散射的光散射部121、由ITO等透明金屬組成的陽極122、空穴注入/輸送層123、有機EL元件124、陰極(負極)125和陰極隔板126構(gòu)成。其中陽極122、空穴注入/輸送層123、有機EL元件124和陰極125，是向有機EL元件124供給空穴或電子而使其發(fā)光的、所謂發(fā)光功能元件。另外，關(guān)于這種發(fā)光功能元件可以采用公知技術(shù)。而且也可以在有機EL元件124與陰極125之間形成空穴注入/輸送層。
在半導(dǎo)體基板3與有機EL基板4之間事先充填密封糊料30，再設(shè)置使有機E連接部15與陰極125之間電導(dǎo)通用的導(dǎo)電性糊料31。其中在本實施方式中雖然是就采用有機EL基板作為發(fā)光元件基板的情況進行說明的，但是并不限于這種情況，也可以采用具有LED等固體發(fā)光元件的發(fā)光元件基板。
以下說明圖1所示電光學(xué)裝置1的制造方法。
本實施方式的電光學(xué)裝置1的制造方法，主要有半導(dǎo)體基板3的制造工序、有機EL基板4的制造工序、和將這些半導(dǎo)體基板3和有機EL基板4粘合的工序。以下說明各工序；但是本實施方式尤其是以半導(dǎo)體基板3的制造工序為特征的。
(1.半導(dǎo)體基板的制造工序)在半導(dǎo)體基板3的制造工序中，首先采用在配線基板10上轉(zhuǎn)印作為半導(dǎo)體元件的TFT13的方法。也就是說，將具有TFT13的基板(元件基板)粘合在具有TFT連接部14的配線基板10上，將該TFT13轉(zhuǎn)印在配線基板10側(cè)上，得到半導(dǎo)體基板3。而且對這些配線基板10和元件基板20(參見圖3)的制造工序說明后，再依次說明將這些配線基板10和元件基板20的粘合工序；及TFT13的轉(zhuǎn)印工序等。
圖2是表示配線基板10的構(gòu)成的平面圖(圖2(a))及其沿著其A-A’線的剖面圖(圖2(b))，圖3是表示元件基板20的構(gòu)成的平面圖(圖(a))及其沿著其B-B’線的剖面圖(圖3(b))。而且圖4～圖5是表示各基板10、20的粘合工序乃至TFT13的轉(zhuǎn)印工序的剖面圖，圖6～圖7是表示圖4～圖5所示的粘合工序乃至轉(zhuǎn)印工序的平面圖。
(1-1.配線基板的制造工序)首先說明圖2所示的配線基板10的制造工序。
首先準備玻璃基板(第一基板)10a。優(yōu)選由石英玻璃、鈉玻璃等制成的透光性耐熱基板作為玻璃基板10a。而且用CVD(化學(xué)氣相生長)法在這種玻璃基板10a的表面上形成氧化硅膜(圖示略)后，在該氧化硅膜上形成配線圖案11。
接著在配線圖案11上形成樹脂絕緣膜(圖示略)后，除去一部分該樹脂絕緣膜并形成開口部，從而形成配線圖案11的露出部。進而將開口部作為TFT連接部14。通過以上工序能夠得到圖2所示的配線基板10。
其中TFT連接部14根據(jù)所定圖案形成，具體講如圖2(a)所示，多個TFT連接部14構(gòu)成平面呈矩形環(huán)狀的連接部(端子組)，在該連接部組的內(nèi)側(cè)區(qū)域以具有粘合區(qū)域13a的形狀形成。
這里在每一芯片(一個TFT13)上形成10個TFT連接部14，其配置如圖2所示，以5×2列配置。而且將TFT連接部14的尺寸定為(5～30微米)×(5～30微米)，在TFT連接部14、14之間的間隙定為10～25微米。
(1-2.元件基板的制造工序)
以下說明圖3所示的元件基板20的制造工序。
首先準備玻璃基板(第二基板)20a。優(yōu)選由石英玻璃、鈉玻璃等制成的透光性耐熱基板作為玻璃基板20a。而且在這種玻璃基板20a的表面上形成TFT13。TFT13的制造方法由于可以采用包括高溫工藝的公知技術(shù)，所以說明省略。其中利用公知的高溫工藝技術(shù)形成該TFT13，使TFT13的連接端子61處于玻璃基板20a的正上位置上，即TFT13的連接端子61處于玻璃基板20a的表面上。
其中在玻璃基板20a的TFT13的形成表面上，形成剝離層41。剝離層41采用經(jīng)過激光光線等照射在該層內(nèi)和界面上將會產(chǎn)生剝離(“層內(nèi)剝離”或界面剝離“”)的材料形成。也就是說，通過照射一定強度的光線，在構(gòu)成組成物質(zhì)的原子或分子內(nèi)原子間或分子間的接合力消失或減小，因產(chǎn)生脫落(ablation)等而引起剝離。而且當(dāng)通過照射光線的照射，由于剝離層41中所含的成分因氣化而放出，導(dǎo)致剝離的情況下，剝離層41常常因吸收光線而變成氣體，放出其蒸氣而導(dǎo)致剝離。
作為剝離層41的組成，這里采用非晶形硅(a-Si)，而且該非晶形硅中也可以含有氫(H)。一旦含有氫，經(jīng)過光照射而放出氫，使剝離層41內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)壓，此內(nèi)壓將促進剝離，這種情況較好。此時的氫含量優(yōu)選大約2原子％以上，更優(yōu)選2～20原子％。氫的含量，可以通過成膜條件，例如當(dāng)采用CVD法的情況下，根據(jù)該氣體組成、氣體壓力、氣體氣氛、氣體流量、氣體溫度、基板溫度、輸入功率等來調(diào)整。作為其他剝離層材料，可以舉出氧化硅或硅氧化合物、氮化硅、氮化鋁、氮化鈦等氮化物陶瓷材料，有機高分子材料(經(jīng)過光照射其分子間價鍵斷裂的物質(zhì))，金屬、例如Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd或Sm或者至少含有其中之一的合金。
剝離層41的厚度，優(yōu)選1納米～20微米左右，更優(yōu)選10納米～2微米左右，最好是20納米～1微米左右。剝離層41的厚度一旦過薄，將因所形成膜的均勻性喪失而在剝離上產(chǎn)生不均，反之剝離層41的厚度一旦過厚，就需要加大剝離所需照射光的功率(光量)，而且還要為除去剝離后殘留的剝離層41殘渣而花費時間。
剝離層41的形成方法，只要是能以均勻厚度形成剝離層的方法均可采用，而且可以根據(jù)剝離層41的組成和厚度等條件適當(dāng)選擇。例如可以采用CVD(包括MOCCVD、低壓CVD、ECR-CVD)法、蒸鍍法、分子蒸鍍(MB)法、濺射法、離子摻雜法、PVD法等各種氣相成膜法，電鍍法、浸鍍法(浸涂法)、無電解電鍍法等各種電鍍法，朗繆爾-布羅杰特(LB)法、旋涂法、噴涂法、輥涂法等涂布方法，各種印刷法，轉(zhuǎn)印法，噴墨法，粉末噴射法等。這些方法中也可以將兩種以上方法組合。
尤其當(dāng)剝離層41的組成是非晶形硅(a-Si)的情況下，優(yōu)選采用CVD法，特別是低壓CVD法和等離子CVD法成膜。而且以陶瓷原料采用溶膠-凝膠法使剝離層41成膜的情況下和用有機高分子材料構(gòu)成的情況下，優(yōu)選采用涂布法，特別是由旋涂法成膜。
(1-3.粘合工序)將上述方法制造的配線基板10和元件基板20進行粘合。其中首先如圖4(a)和圖6(a)所示，將粘著劑51涂布在處于配線基板10的玻璃基板10a的，由多個TFT連接部14構(gòu)成的連接部組的內(nèi)側(cè)區(qū)域(粘合區(qū)域)13a上。粘著劑51的涂布方法例如可以采用分配法、光刻法或采用噴墨裝置的液滴噴出法進行。
粘著劑51的涂布部分，處于避開玻璃基板10a的TFT連接部14形成區(qū)域的位置上，將后述的TFT13粘合時，粘著劑51處于不會向該TFT連接部14流動濕潤擴展的位置。而且將粘著劑51的涂布量同樣設(shè)定得不會向TFT連接部14流動濕潤擴展的程度。
而且，粘著劑51的涂布，既可以在元件基板20一側(cè)進行，也可以在配線基板10和元件基板20雙方進行。而且粘著劑51的涂布形狀，除平面為正方形或圓形以外，還可以以點或線的形式存在。作為粘著劑51，除熱塑性樹脂以外，既可以使用光固化性樹脂，也可以使用在粘著劑51中含有填料和顆粒的。
然后利用涂布的粘著劑51，將配線基板10和元件基板20粘合。具體講如圖4(b)和圖6(b)所示，將配線基板10的玻璃基板10a中形成TFT連接部14的面，與元件基板20一側(cè)的玻璃基板20a中形成連接端子61的面分別相對向的情況下，將各基板10、20粘合。因此TFT13將與配線基板10的表面對接。而且特別是粘合得使TFT連接部14在基板面內(nèi)處于TFT13外側(cè)位置上，即使TFT13位于粘合區(qū)域13a內(nèi)。
(1-4.轉(zhuǎn)印工序)接著為了將在玻璃基板20a側(cè)形成的TFT13轉(zhuǎn)印在玻璃基板10a側(cè)(布線基板10側(cè))，對玻璃基板20a進行剝離。具體講如圖4(c)所示，從玻璃基板20a的背面?zhèn)?元件基板20的未形成TFT13的側(cè)面)照射激光光線L。于是剝離層41的原子或分子的鍵減弱，而且剝離層41內(nèi)的氫分子化，從結(jié)晶的接合分離，即TFT13與玻璃基板20a之間的接合力變得不完全，激光光線照射部分的玻璃基板20a與TFT13間的接合(粘結(jié))能夠容易地被清除。
通過上述那樣激光光線照射，當(dāng)玻璃基板20a與TFT13剝離的情況下，如圖5(a)和圖7(a)所示，TFT13將被轉(zhuǎn)印在配線基板10上。而且正如同圖所示，配線基板10的端子(TFT連接部)14的表面，與元件基板20的端子61的表面，均被配置得各自指向相同方向的形狀。
(1-5.端子的連接工序)進行上述轉(zhuǎn)印之后，進行各連接端子14、61之間的電連接。其中，制成采用無電解電鍍法連接的。首先浸漬在處理液中以便提高各連接端子14、61的表面濕潤性能并除去殘渣。本實施方式中，在含有0.01～0.1％氫氟酸和0.1～10％硫酸的水溶液中浸漬1～5分鐘?；蛘咭部梢栽?.1～10％的氫氧化鈉等水溶液浴中浸漬1～10分鐘。
然后用氫氧化鈉浴在加熱至20～60℃的pH9～13的堿性水溶液中浸漬1秒鐘至5分鐘，除去表面的氧化膜?；蛘咴谥瞥?～30％硝酸的pH1～3的、加熱至20～60℃的酸性水溶液浴中浸漬1秒鐘至5分鐘。
進而在含有ZnO的pH11～13的鋅酸鹽溶液中浸漬1秒鐘至2分鐘，使端子表面置換成鋅。而且再于鋅酸鹽浴中浸漬1秒鐘至2分鐘，使致密的鋅微粒在鋁表面上析出。然后浸漬在無電解電鍍浴中，形成鎳鍍層。
使Ni鍍層析出的厚度達到2～10微米。電鍍浴是以次亞磷酸鈉作為還原劑的浴，pH4～5，浴溫80～95℃。
在這種工序中，由于在次亞磷酸鈉浴中進行，所以共同析出磷(P)。鍍層金屬由于是從配線基板3的連接端子(TFT連接部)14和TFT13的連接端子61二者上各向同性生長的，所以在兩種端子14、61上生長的鍍層金屬通過生長至各端子高度間隙的一半厚度而連接。其中，為了增加連接面積，應(yīng)當(dāng)在連接后還要繼續(xù)一定程度的電鍍。
將全部端子14、61間連接之后，最后在置換Au的電鍍浴中浸漬，使Ni表面變成Au。形成0.05～0.3微米左右厚度的Au。金(Au)浴使用無氰類型的，pH6～8，浴溫50～80℃，浸漬1～30分鐘。這樣能在兩種端子14、61上形成Ni-Au鍍層凸起。
這樣一來如圖5(b)和圖7(b)所示，兩種端子14、61通過無電解電鍍生長的凸起71、72而實現(xiàn)互相電連接，能夠得到在配線基板10上安裝了作為半導(dǎo)體元件的TFT13的半導(dǎo)體基板3。
綜上所述，本實施方式中，由于在使各端子14、61分別朝上地將TFT13轉(zhuǎn)印在配線基板10上之后，在各自朝上的端子14、61之間通過無電解電鍍實現(xiàn)電連接，所以能夠容易借助于外觀、觸針式檢查方法等確認連接狀況。此外，即使假定產(chǎn)生連接不良的情況下，由于連接部均朝上，所以其修復(fù)操作也變得容易。
(2.有機EL基板的制造方法)以下說明與半導(dǎo)體基板3相對地粘合的有機EL基板的制造方法。其中可以采用公知的有機EL基板的制造方法，具體講分別如圖1所示那樣通過在透明基板120上形成陽極122、陰極隔板126、空穴注入輸送層123、有機EL元件124和陰極125，得到有機EL基板4。
(3.半導(dǎo)體基板與有機EL基板的粘合工序)以下說明將上述半導(dǎo)體基板3與有機EL基板4粘合，最終形成圖1所示的電光學(xué)裝置1的工序。
首先，在半導(dǎo)體基板3上形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的有機EL連接部15，在該有機EL連接部15上形成由銀糊料組成的導(dǎo)電性糊料31。
進而將有機EL基板4與半導(dǎo)體基板3粘合，使有機EL基板4的陰極125與半導(dǎo)體基板3的導(dǎo)電性糊料31對接。而且在粘合時，在兩種基板之間的空間中封入密封用糊料30，接著用密封劑32將兩基板的四周密封。
通過以上的各工序，制成圖1所示的電光學(xué)裝置1。
這種電光學(xué)裝置1，是從有機EL基板4中的半導(dǎo)體基板3一側(cè)開始，依次配置了陰極125、有機EL元件124、空穴注入/輸送層123和陽極122的、能從陽極122一側(cè)取出發(fā)光的頂部出射型有機EL裝置。
以上雖然說明了本實施方式，但是本發(fā)明并不限于上述實施方式。例如在本實施方式中，為了實現(xiàn)端子14、61之間的電連接，對各端子14、61分別實施了無電解電鍍，但是也可以僅對各端子14和61中的一方端子實施無電解電鍍，使鍍層從該方端子析出而進行連接。也就是說，可以采用難以析出鍍層或者不能析出鍍層的材料制成端子14和61中的一方。其中，作為這些端子14、61的構(gòu)成材料，例如除Al、Cu等金屬導(dǎo)電性材料以外，還可以采用TiN等氮化膜。
而且為了使各端子14、61的鍍層容易連接，如圖8(a)所示，也可以將TFT13的形狀構(gòu)成為截面錐形狀。也就是說，朝向配線基板10側(cè)下部擴展形狀的TFT13。如圖8(b)所示，若鍍層70超過各端子14、61之間的階差，則能夠?qū)崿F(xiàn)容易接合、可靠性更高導(dǎo)電性電連接。
此外由于鍍層以蘑菇形同樣生長，所以在配線基板10的端子14之間間隙窄的情況下，和端子14與端子61間距離大需要析出大量鍍層的情況下，也可以如圖9所示形成絕緣層。
另外，在本實施方式中，雖然是就采用矩形TFT(芯片)13的情況加以說明的，但是也可以例如如圖10所示采用圓形的TFT(芯片)。這種情況下，也能使各端子14、61指向上方，通過無電解電鍍法在各端子14、61之間進行電連接。而且，采用這種圓形的TFT(芯片)的情況下，能夠粘著劑51以各向同性地擴展，有效地抑制從粘著劑51的粘合面滲出的不利情況出現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，是在配線基板上安裝半導(dǎo)體元件而成的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，包括第一基板表面上具有配線側(cè)端子的配線基板的制造工序；在第二基板上形成具有元件側(cè)端子的半導(dǎo)體元件，使所述元件側(cè)端子面對所述第二基板表面，制造元件基板的工序；使所述第一基板中形成了所述配線側(cè)端子的面，與所述第二基板中形成所述半導(dǎo)體元件的面分別相對向，將所述配線基板與所述元件基板粘合，使所述配線側(cè)端子位置在基板面內(nèi)處于所述半導(dǎo)體元件的外側(cè)的工序；所述粘合后，將所述第二基板與所述半導(dǎo)體元件剝離的工序；和將經(jīng)過所述第二基板的剝離而剝下的元件側(cè)端子，與位于所述半導(dǎo)體元件外側(cè)的配線側(cè)端子，通過無電解電鍍法實現(xiàn)電連接的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于在所述配線基板的形成工序中，形成由多個配線側(cè)端子構(gòu)成的端子組；在所述粘合工序中，以所述端子組的面內(nèi)內(nèi)側(cè)區(qū)域作為粘合面，在該內(nèi)側(cè)區(qū)域涂布粘著劑，用該粘著劑將所述配線基板與所述元件基板粘合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于在對所述端子間電連接的工序中，從配線側(cè)端子和元件側(cè)端子雙方使鍍層生長的方式進行連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任何一項所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于將所述端子間電連接的工序之前，在位于所述半導(dǎo)體元件四周的配線側(cè)端子的外側(cè)，形成用以限制鍍層向外側(cè)開展的絕緣壁。
5.一種電光學(xué)裝置的制造方法，是將用以驅(qū)動發(fā)光元件的開關(guān)元件安裝在配線基板上制成的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于采用半導(dǎo)體元件作為所述開關(guān)元件，采用權(quán)利要求1～4中任何一項所述的半導(dǎo)體基板的制造方法作為將該半導(dǎo)體元件安裝在所述配線基板上的工序。
全文摘要
提供一種不會使元件破損和損傷，能夠確實使夜間與配線基板導(dǎo)通的半導(dǎo)體基板的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于其中包括將配線基板(10)與元件基板(20)粘合后，將元件基板(20)的第二基板(20a)從半導(dǎo)體元件(13)剝離，通過無電解電鍍法將該經(jīng)剝離剝下的元件側(cè)端子(61)，與位于半導(dǎo)體元件(13)外側(cè)的配線側(cè)端子(14)進行電連接的工序。
文檔編號G09F9/30GK1691280SQ200510064938
公開日2005年11月2日 申請日期2005年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月22日
發(fā)明者赤川卓, 依田剛 申請人:精工愛普生株式會社