專利名稱：用于顯示設(shè)備的斷電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用在例如液晶顯示裝置(LCD)中的斷電電路，用以防止在電源電壓關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)異常圖像。
背景技術(shù)：
近來LCD通常內(nèi)置有電源電路，這些電源電路例如使用充電泵以從一個(gè)相對(duì)較低的邏輯電源電壓(例如，3V)產(chǎn)生一個(gè)相對(duì)較高的電壓(例如，12V)。分割該較高電壓以獲得多個(gè)被施加到液晶面板中的各個(gè)圖形元件上的電壓，以表示由圖像數(shù)據(jù)規(guī)定的亮度和暗度的灰度等級(jí)。當(dāng)LCD的電力被接通或切斷時(shí)，圖形數(shù)據(jù)變?yōu)椴环€(wěn)定，從而在內(nèi)置的電源電路中執(zhí)行一個(gè)預(yù)編程的操作序列以確保不向該液晶面板施加不希望的高電壓。
如果由于斷電、斷路器啟動(dòng)或電池電壓下降而使功率不可預(yù)料地遭到損耗，則不能正確地執(zhí)行預(yù)編程的加電、斷電序列。在這些情況下，充電泵電路中所使用的電容器可能保持持續(xù)施加在顯示面板上的高電壓，從而在電荷通過自然放電而消散之前導(dǎo)致異常圖像的出現(xiàn)。在功率損耗之后連續(xù)施加高電壓也會(huì)使液晶退化。
因此，在內(nèi)置的電源中包括用于在主電源關(guān)斷時(shí)對(duì)該充電泵放電的電路。圖1示出了在日本專利申請(qǐng)公開第2003-295841號(hào)中公開的、這樣一種電路的典型例子。該電路對(duì)一對(duì)電容器531、535放電，該對(duì)電容器531、535分別保持從一個(gè)節(jié)段驅(qū)動(dòng)器512-1和一個(gè)公共驅(qū)動(dòng)器512-2輸出的LCD驅(qū)動(dòng)電壓V1和V5。該放電電路包括一個(gè)電荷分路單元560、電壓檢測(cè)單元570和一個(gè)電壓分路單元580。
電壓檢測(cè)單元570具有一個(gè)連接在接地端(GND)和節(jié)點(diǎn)N1之間的電容器574，該節(jié)點(diǎn)N1經(jīng)由電阻器571接收主電源電壓VCC。電容器574的功能是在電源關(guān)斷之后的一段時(shí)間內(nèi)使節(jié)點(diǎn)N1保持接近VCC電平。電壓檢測(cè)單元570還具有一個(gè)連接在接地端和節(jié)點(diǎn)N1之間的逆變器600，該逆變器600包括一個(gè)p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管572和一個(gè)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管573，這些晶體管接收電源電壓VCC作為其柵極輸入。
電壓分路單元580包括串聯(lián)連接在電源VCC和接地端之間的電阻器581和NMOS晶體管582。電荷分路單元560包括NMOS晶體管561和562，其源極與接地端連接而其漏極與電容器531和535連接。NMOS晶體管582、561和565的柵極接收逆變器600的輸出。
在該電路中，當(dāng)主電源電壓接通并且VCC高于NMOS晶體管573的閾值電壓時(shí)，逆變器600的輸出處于低(接地)電平，所以NMOS晶體管561和565截止。
當(dāng)主電源關(guān)斷時(shí)，VCC降向接地電平，而節(jié)點(diǎn)N1由于存儲(chǔ)在電容器574中的電荷而仍逗留在正常的VCC電平(例如3V)附近，所以 PMOS晶體管572導(dǎo)通并且逆變器600的輸出變高。現(xiàn)在NMOS晶體管561和565導(dǎo)通并開始使電容器531和535放電。由于NMOS晶體管582也是導(dǎo)通的，所以主電源被放電并且VCC迅速降至接地電平。較高電壓V1和V5的迅速降低足以防止在LCD面板上出現(xiàn)顯而易見的異常顯示和防止液晶的退化。
圖1所示的現(xiàn)有電路的問題在于在電容器531和535被放電的同時(shí)，放電晶體管561和565的柵極電勢(shì)也被下拉向迅速降低的VCC電平。因此放電晶體管可能在驅(qū)動(dòng)電壓V1和V5達(dá)到接地電平之前截止。驅(qū)動(dòng)電壓的最終電平取決于圖1中的電阻器、電容器和晶體管的參數(shù)，但是如果放電晶體管具有一個(gè)對(duì)防止子閾值泄漏有利的高閾值電壓，則驅(qū)動(dòng)電壓在放電晶體管截止時(shí)可停留在大約1伏特的電平，導(dǎo)致在顯示器上持續(xù)不希望的模糊效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種斷電電路，該斷電電路即使在主電源突然關(guān)斷時(shí)也能可靠地使由于主電源電壓升壓而產(chǎn)生的顯示電壓放電。
本發(fā)明的斷電電路被用在一個(gè)顯示設(shè)備中，該顯示設(shè)備具有接收主電源電壓的主電力線，接收低于該主電源電壓的接地電壓的接地電力線，以及顯示電壓發(fā)生器，用于使該主電源電壓升壓以產(chǎn)生高于該主電源電壓的顯示電壓，并在顯示電力線上輸出該顯示電壓，所述斷電電路包括一個(gè)電壓檢測(cè)器、一個(gè)開關(guān)和一個(gè)控制電路。
電壓檢測(cè)器接收主電源電壓并生成一個(gè)關(guān)斷信號(hào)，該關(guān)斷信號(hào)在主電源電壓高于一個(gè)預(yù)定電平時(shí)具有第一狀態(tài)，而在主電源電壓降至低于該預(yù)定電平時(shí)具有第二狀態(tài)。該開關(guān)具有一個(gè)控制端子，并響應(yīng)施加到該控制端上的電壓而將該顯示電力線連接到接地電力線。
該控制電路在該關(guān)斷信號(hào)處于第一狀態(tài)時(shí)將該開關(guān)的控制端子連接到接地電力線，而在該關(guān)斷信號(hào)處于第二狀態(tài)時(shí)將該開關(guān)的控制端子經(jīng)由一個(gè)降壓元件而連接到顯示電力線?？刂齐娐坊蝻@示電壓發(fā)生器中的降壓元件可以是一個(gè)寄生二極管。
當(dāng)電源關(guān)斷并且主電源電壓下降時(shí)，開關(guān)接通以將顯示電力線放電至接地。隨著顯示電力線上的電壓下降，開關(guān)的控制端子上的電壓也下降，但是由于降壓元件中的電壓降，控制端子的電壓保持高于顯示電壓，從而在顯示電壓降至低于開關(guān)的通/斷閾值之前確保開關(guān)接通，而與主電源電壓下降的速度無關(guān)。
圖1是現(xiàn)有的用于使LCD驅(qū)動(dòng)電壓放電的放電電路的電路圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的斷電電路的電路圖；圖3是PMOS晶體管的截面圖；圖4是用于說明圖2中電路動(dòng)作的信號(hào)波形圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的斷電電路的電路圖；圖6是用于說明圖5中電路動(dòng)作的信號(hào)波形圖；圖7是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的斷電電路的電路圖；
圖8是圖2中電路的變形例的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施例，其中相似的元件用相似的附圖標(biāo)記表示。
(第一實(shí)施例)參照?qǐng)D2，第一實(shí)施例中的斷電電路包括一個(gè)電壓檢測(cè)器10，一個(gè)逆變器20，一個(gè)控制電路30，一個(gè)延遲電路40和一個(gè)開關(guān)電路50。電壓檢測(cè)器10與輸送主電源電壓VDD(例如3V)的主電力線1相連接，該主電源電壓也被提供給用于驅(qū)動(dòng)LCD的邏輯電路(未示出)。電壓檢測(cè)器10和斷電電路的其它部分也被連接到一個(gè)輸送液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD(例如12V)的顯示電力線2和輸送參考或接地電勢(shì)VSS(0V)的接地電力線4上，其中液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD是由構(gòu)成顯示電壓發(fā)生器的充電泵70生成的。
電壓檢測(cè)器10包括一個(gè)電阻器11，一個(gè)NMOS晶體管和一個(gè)電容器13，它們彼此互連以檢測(cè)VDD電平的迅速降低。電阻器11的一端被連接到顯示電力線2而另一端連接至節(jié)點(diǎn)NA。NMOS晶體管12具有一個(gè)與節(jié)點(diǎn)NA連接的漏極，一個(gè)與接地電力線4連接到源極，和一個(gè)與主電力線1連接的柵極(控制端子)。電容器13連接在節(jié)點(diǎn)NA和接地電力線4之間，充當(dāng)一個(gè)噪音濾波器。
逆變器20包括一個(gè)PMOS晶體管21和一個(gè)NMOS晶體管22，并從電壓檢測(cè)器10中的節(jié)點(diǎn)NA接收輸出電壓(作為關(guān)斷信號(hào))作為一個(gè)輸入信號(hào)。PMOS晶體管21被設(shè)計(jì)為具有比NMOS晶體管22更大的跨導(dǎo)(互導(dǎo))，以使逆變器20的切換點(diǎn)大于電源電壓的二分之一(VLCD/2)。為了提供噪音抗擾性，電阻器11的電阻值足夠大，以使當(dāng)NMOS晶體管12在正常動(dòng)作中導(dǎo)通時(shí)，電壓檢測(cè)器10的輸出電平大大低于逆變器20的切換點(diǎn)。
控制電路30在節(jié)點(diǎn)NB接收逆變器20的輸出，并從一個(gè)節(jié)點(diǎn)NC輸出一個(gè)控制信號(hào)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)NB處的輸入電平為高時(shí)，節(jié)點(diǎn)NC處的輸出電平為低。當(dāng)節(jié)點(diǎn)NB處的輸入電平從高變?yōu)榈蜁r(shí)，節(jié)點(diǎn)NC在一個(gè)預(yù)定時(shí)間內(nèi)被驅(qū)動(dòng)為高，然后停留在高阻抗?fàn)顟B(tài)。
控制電路30包括一個(gè)逆變器31，一個(gè)延遲(DLY)單元32，一個(gè)雙輸入NAND門33，一個(gè)PMOS晶體管34，一個(gè)NMOS晶體管35和一個(gè)寄生二極管36。逆變器31在節(jié)點(diǎn)NB對(duì)信號(hào)逆變。延遲單元32在節(jié)點(diǎn)NB將信號(hào)延遲一個(gè)預(yù)定時(shí)間。NAND門33從逆變器31接收逆變信號(hào)并從延遲單元32接收延遲信號(hào)。PMOS晶體管34具有一個(gè)與NAND門33的輸出端子相連接的柵極(控制端子)，一個(gè)與顯示電力線2相連接的源極(第一電流端子)和一個(gè)與節(jié)點(diǎn)NC相連接的漏極(第二電流端子)。NMOS晶體管35具有一個(gè)與節(jié)點(diǎn)NC相連接的漏極(第一電流端子)，一個(gè)與接地電力線4相連接的源極(第二電流端子)和一個(gè)與節(jié)點(diǎn)NB相連接的柵極(控制端子)，從而該晶體管受控于逆變器20的輸出。
延遲單元32可以是一個(gè)電阻-電容延遲電路或由偶數(shù)個(gè)級(jí)聯(lián)的門電路構(gòu)成的電路。逆變器31、延遲單元32和NAND門33由從顯示電力線2提供的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD通過圖中未示出的分支電力線而供電。寄生二極管36充當(dāng)一個(gè)降壓元件，是一個(gè)由PMOS晶體管34的p型漏極區(qū)和n型基板構(gòu)成的寄生元件，如圖3所示。n型基板與顯示電力線2相連接并具有VLCD電勢(shì)，相應(yīng)寄生二極管36等效于一個(gè)如圖2所示的連接在PMOS晶體管34的漏極與顯示電力線2之間的二極管。
延遲電路40是一個(gè)包括連接在節(jié)點(diǎn)NC和節(jié)點(diǎn)ND之間的電阻器41和連接在節(jié)點(diǎn)ND和接地電力線4之間的電容器42的集成電路。節(jié)點(diǎn)NC處的信號(hào)以一個(gè)由電阻器41和電容器42的電阻值和電容值確定的延遲被傳送到節(jié)點(diǎn)ND。
開關(guān)電路50包括一個(gè)NMOS晶體管51，其電流端子(漏極和源極)分別與顯示電力線2和接地電力線4相連接，其柵極(控制端子)與節(jié)點(diǎn)ND相連接。NMOS晶體管51依據(jù)節(jié)點(diǎn)ND處的信號(hào)而在顯示電力線2和接地電力線4之間對(duì)電荷分路。也可以用一個(gè)包括并聯(lián)的NMOS和PMOS晶體管的模擬開關(guān)取代NMOS晶體管51作為開關(guān)電路50。
下面，參照?qǐng)D4所示的信號(hào)波形圖來說明圖2中所示的電路的動(dòng)作。
當(dāng)主電力線1上的電源電壓VDD高于一個(gè)預(yù)定電平時(shí)，NMOS晶體管12導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)NA處的電壓電平為低。逆變器20將節(jié)點(diǎn)NB驅(qū)動(dòng)為高，使PMOS晶體管34截止而NMOS晶體管35導(dǎo)通，這使得節(jié)點(diǎn)NC和ND處的電壓電平均為低。結(jié)果，NMOS晶體管51截止并且不將電荷從顯示電力線2分路到接地電力線4；顯示電力線2提供由液晶面板的電荷泵70生成的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD(未示出)。
當(dāng)電源關(guān)斷并且電源電壓VDD降至預(yù)定電平以下時(shí)，NMOS晶體管12截止且其漏極電壓(節(jié)點(diǎn)NA處的關(guān)斷信號(hào)電壓電平)走高。逆變器20檢測(cè)該變化并將節(jié)點(diǎn)NB驅(qū)動(dòng)為低。
在控制電路30中，當(dāng)節(jié)點(diǎn)NB走高時(shí)，NMOS晶體管35截止并且逆變器31的輸出走高。延遲單元32的輸出在一個(gè)預(yù)定時(shí)間內(nèi)保持為高，然后走低。結(jié)果，NAND門33的輸出(在PMOS晶體管34的柵極接收)在該預(yù)定時(shí)間內(nèi)走低，然后返回高電平。從而逆變器31、延遲單元32和NAND門33在關(guān)斷信號(hào)從低狀態(tài)變?yōu)楦郀顟B(tài)時(shí)充當(dāng)一個(gè)產(chǎn)生低脈沖的脈沖發(fā)生器。
因此，當(dāng)關(guān)斷信號(hào)走高時(shí)，PMOS晶體管34在一個(gè)預(yù)定長度的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，在此期間節(jié)點(diǎn)NC與顯示電力線2電連接。在該期間中，電容器43(節(jié)點(diǎn)ND)幾乎被充電到液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD。然后PMOS晶體管34截止，使節(jié)點(diǎn)NC停留在高阻抗?fàn)顟B(tài)，并僅通過反向偏置的寄生二極管36而與顯示電力線2相連接。
當(dāng)節(jié)點(diǎn)ND處的電壓電平走高時(shí)，NMOS晶體管51導(dǎo)通并開始使顯示電力線2上的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD放電到接地電力線4。由于節(jié)點(diǎn)ND幾乎被充電到初始的VLCD電平，隨著顯示電力線2上的電勢(shì)下降，寄生二極管36變?yōu)檎蚱貌⑶夜?jié)點(diǎn)ND也開始通過電阻器41和寄生二極管36放電。當(dāng)節(jié)點(diǎn)ND處的電勢(shì)比顯示電力線2上的電勢(shì)高出的量等于寄生二極管36的正向電壓或?qū)妷篤on時(shí)，節(jié)點(diǎn)ND開始放電。然后節(jié)點(diǎn)ND和顯示電力線2的電勢(shì)在保持這樣的關(guān)系的同時(shí)繼續(xù)下降。因此，當(dāng)節(jié)點(diǎn)ND處的電壓降至大約NMOS晶體管51的閾值電壓Vth且放電動(dòng)作停止時(shí)，顯示電力線2上的電壓被降至一個(gè)小于Vth-Von的電平(大約0.1～0.5V)。
因此，第一實(shí)施例的斷電電路使顯示電力線2放電到一個(gè)在圖1所示的現(xiàn)有電路中達(dá)到的低電平，并確保最終的放電后的VLCD電平大大低于(至少比Von更低)放電晶體管的閾值電壓Vth。
在第一實(shí)施例的變形例中，逆變器20具有常規(guī)的逆變器切換點(diǎn)(VLCD/2)；不調(diào)整逆變器20中的晶體管21和22的跨導(dǎo)以獲得一個(gè)更高的切換點(diǎn)。也可以通過以各種方式更改控制電路30的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來改進(jìn)第一實(shí)施例。
(第二實(shí)施例)參照?qǐng)D5，第二實(shí)施例的斷電電路包括一個(gè)電壓檢測(cè)器10A，一個(gè)級(jí)聯(lián)的逆變器對(duì)20A和61，一個(gè)二極管62，一個(gè)NMOS晶體管51和一個(gè)顯示電壓發(fā)生器或電荷泵70。電荷泵70使主電力線1上的VDD電源電壓(例如3V)升壓以產(chǎn)生一個(gè)在顯示電力線2上輸出的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD(例如12V)。電荷泵70還產(chǎn)生一個(gè)用以在中間電力線3上輸出的、其值介于VDD和VLCD之間(例如6V)的升壓電壓VX2。在第二實(shí)施例中，二極管61充當(dāng)一個(gè)用于在關(guān)斷信號(hào)處于低狀態(tài)時(shí)將開關(guān)的控制端子連接到接地電力線、而在關(guān)斷信號(hào)處于高狀態(tài)時(shí)將開關(guān)的控制端子通過一個(gè)降壓元件連接到顯示電力線的控制電路。
例如，如果電荷泵70具有一個(gè)三級(jí)結(jié)構(gòu)，即將VDD輸入升壓為三個(gè)連續(xù)的電平2×VDD、3×VDD和4×VDD(其中4×VDD＝VLCD)的結(jié)構(gòu)，則第一級(jí)的輸出(2×VDD)可被取為VX2。
除了電壓檢測(cè)器10A和逆變器20A由中間電力線3供電并取代液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD而基于中間升壓電壓VX2進(jìn)行操作以外，電壓檢測(cè)器10A和逆變器20A分別具有與圖2中的電壓檢測(cè)器10和逆變器20相同的結(jié)構(gòu)。對(duì)逆變器20A的輸出進(jìn)行逆變的逆變器61也是對(duì)中間升壓電壓VX2進(jìn)行操作，并且驅(qū)動(dòng)NMOS晶體管51的柵極。NMOS晶體管51具有分別與顯示電力線2和接地電力線4相連接的漏極和源極，并在導(dǎo)通時(shí)將電荷從顯示電力線2分路到接地電力線4。
二極管62使其陽極與中間電力線3相連接，使其陰極與顯示電力線2相連接。盡管二極管62可以作為一個(gè)單獨(dú)的元件提供，但這里使用一個(gè)通常作為電荷泵70中的寄生元件的二極管來作為二極管62。例如，在一個(gè)模擬開關(guān)中，二極管62可以是一個(gè)由PMOS晶體管的漏極區(qū)和基板構(gòu)成的寄生二極管(如圖3所示)，其中所述模擬開關(guān)位于一個(gè)用于輸出中間電壓VX2的節(jié)點(diǎn)和一個(gè)用于輸出液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD的節(jié)點(diǎn)之間，該P(yáng)MOS晶體管的基板與顯示電力線2相連接。
下面，將參照?qǐng)D6中的波形圖來說明圖5中的電路的動(dòng)作。
當(dāng)主電力線1上的電源電壓VDD高于一個(gè)預(yù)定電平時(shí)，NMOS晶體管12導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)NA處的電壓電平為低，這使得逆變器20A的輸出為高且逆變器61的輸出為低。結(jié)果，NMOS晶體管51截止并且不將電荷從顯示電力線2分路到接地電力線4；在顯示電力線2上保持由電荷泵70生成的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD并將其提供給液晶面板(未示出)。
當(dāng)電源關(guān)斷并且電源電壓VDD降至預(yù)定電平以下時(shí)，NMOS晶體管12截止且其漏極電壓(節(jié)點(diǎn)NA處的關(guān)斷信號(hào)電壓電平)走高。逆變器20A檢測(cè)關(guān)斷信號(hào)中的該變化并輸出一個(gè)低邏輯電平(VSS)，驅(qū)動(dòng)逆變器61在節(jié)點(diǎn)NE輸出一個(gè)高電平(VX2)。
當(dāng)節(jié)點(diǎn)NE處的電壓電平走高時(shí)，NMOS晶體管51導(dǎo)通并開始使顯示電力線2上的液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD放電到接地電力線4。首先，由于VLCD高于VX2，二極管62被反向偏置，中間電力線3保持升壓電壓VX2不變。
當(dāng)顯示電力線2上的電壓電平降至低于升壓電壓VX2，則二極管62變?yōu)檎蚱?。中間電力線3現(xiàn)在開始通過二極管62和NMOS晶體管51向接地電力線4放電，以使VX2和VLCD一起下降，如圖6所示。VX2保持比VLCD高出一個(gè)至少等于二極管62的導(dǎo)通電壓Von的量。因此，節(jié)點(diǎn)NE出的電壓電平(NMOS晶體管51的柵極電壓)保持高于NMOS晶體管51的漏極電壓，從而使液晶驅(qū)動(dòng)電壓VLCD象第一實(shí)施例一樣，被降至一個(gè)接近接地電平VSS的值。如果中間電力線3充分慢地放電，則在顯示電力線2基板放電完畢之前，NMOS晶體管51能夠保持導(dǎo)通，從而允許VLCD實(shí)際上達(dá)到VSS電平，如圖6所示。
由于第二實(shí)施例中的電壓檢測(cè)器10A和逆變器20A，61由中間電力線3而非顯示電力線2供電，而且在放電過程的最終級(jí)期間，中間電力線3停留在一個(gè)比顯示電力線2更高的電勢(shì)電平，所以第二實(shí)施例能夠通過以簡單的逆變器61取代第一實(shí)施例中的更為復(fù)雜的控制電路和延遲電路來實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施例相似的效果。
(第三實(shí)施例)參照?qǐng)D7，第三實(shí)施例的斷電電路具有一個(gè)稍稍不同于圖5中的電壓檢測(cè)器10A的電壓檢測(cè)器10B。該電壓檢測(cè)器10B具有一個(gè)連接在電阻器11和節(jié)點(diǎn)NA之間的PMOS晶體管14。PMOS晶體管14的柵極(控制端子)與主電力線1相連接并受控于電源電壓VDD。電壓檢測(cè)器10B中的NMOS晶體管12和電容器13與圖5中的相同。逆變器20A、61和NMOS晶體管51也與圖5所示的相同。
在正常操作期間，當(dāng)電源電壓VDD例如為3V時(shí)，PMOS晶體管14最好剛剛導(dǎo)通，并且通過電阻器11的電流被降至一個(gè)水平，使得通過電阻器11的電壓降大約為VX2-VDD-Vthp，其中Vthp是PMOS晶體管14的閾值電壓。NMOS晶體管12完全導(dǎo)通，同時(shí)保持節(jié)點(diǎn)NA處的電壓為VSS電平。
當(dāng)電源關(guān)斷且電源電壓VDD向接地電平下降時(shí)，NMOS晶體管12截止而PMOS晶體管14完全導(dǎo)通，所以電容器13(節(jié)點(diǎn)NA)通過電阻器11充電至VX2電平。后續(xù)的操作與圖5中的電路相同。
如上所述，除了第二實(shí)施例的有益效果之外，第三實(shí)施例的斷電電路具有降低正常操作期間的功耗的效果。如果組裝一個(gè)PMOS晶體管14以使其閾值電壓Vthp大于VX2-VDD，則在正常操作期間基本上沒有功耗，通過電阻器11的電流被減至O。
也可以如圖8所示，將相似的PMOS晶體管14添加到第一實(shí)施例的電壓檢測(cè)器10中以降低功耗。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以在如后附的權(quán)利要求書所限定的發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)和變形。
權(quán)利要求
1.一種用于顯示設(shè)備的斷電電路，所述顯示設(shè)備具有輸送主電源電壓的主電力線，輸送低于該主電源電壓的接地電壓的接地電力線，以及顯示電壓發(fā)生器，用于使該主電源電壓升壓以產(chǎn)生高于該主電源電壓的顯示電壓，并在顯示電力線上輸出該顯示電壓，所述斷電電路包括與該主電力線連接的電壓檢測(cè)器，用于生成一個(gè)關(guān)斷信號(hào)，該關(guān)斷信號(hào)在主電源電壓高于一個(gè)預(yù)定電平時(shí)具有第一狀態(tài)，而在主電源電壓降至低于該預(yù)定電平時(shí)具有第二狀態(tài)；具有控制端子的開關(guān)，用于響應(yīng)施加到該控制端子上的電壓而將該顯示電力線連接到接地電力線；以及控制電路，用于在該關(guān)斷信號(hào)處于第一狀態(tài)時(shí)將該開關(guān)的控制端子連接到接地電力線，而在該關(guān)斷信號(hào)處于第二狀態(tài)時(shí)將該開關(guān)的控制端子經(jīng)由一個(gè)降壓元件而連接到顯示電力線。
2.如權(quán)利要求1所述的斷電電路，其中該開關(guān)包括一個(gè)晶體管，該晶體管具有與顯示電力線連接的第一電流端子、與接地電力線連接的第二電流端子以及柵極，該柵極為控制端子。
3.如權(quán)利要求1所述的斷電電路，其中該降壓元件為一個(gè)二極管。
4.如權(quán)利要求3所述的斷電電路，其中該二極管為一個(gè)寄生二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的斷電電路，其中該控制電路在該關(guān)斷信號(hào)處于第一狀態(tài)時(shí)向該開關(guān)的控制端子提供接地電壓，而在該關(guān)斷信號(hào)從第一狀態(tài)變?yōu)榈诙顟B(tài)時(shí)向該開關(guān)的控制端子提供顯示電壓達(dá)預(yù)定時(shí)間，并在該預(yù)定時(shí)間之后將該開關(guān)的控制端子置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的斷電電路，其中該控制電路包括脈沖發(fā)生器，在該關(guān)斷信號(hào)從第一狀態(tài)變?yōu)榈诙顟B(tài)時(shí)產(chǎn)生一個(gè)脈沖；第一晶體管，具有從該脈沖發(fā)生器接收脈沖的控制端子和與該顯示電力線及該開關(guān)的控制端子相連接的電流端子；以及由該關(guān)斷信號(hào)控制的第二晶體管，具有與該接地電力線和該開關(guān)的控制端子相連接的電流端子。
7.如權(quán)利要求6所述的斷電電路，其中該第一晶體管具有一個(gè)漏極區(qū)和一個(gè)基板，該基板與顯示電力線相連接，該降壓元件包括一個(gè)由該漏極區(qū)和該基板形成的寄生二極管。
8.如權(quán)利要求5所述的斷電電路，還包括連接在該控制電路和該開關(guān)的控制端子之間的電阻器；以及連接在該接地電力線和該開關(guān)的控制端子之間的電容器。
9.如權(quán)利要求5所述的斷電電路，還包括連接在該電壓檢測(cè)器和該控制電路之間的逆變器，該逆變器對(duì)該關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行逆變，該逆變器由顯示電力線和接地電力線供電。
10.如權(quán)利要求9所述的斷電電路，其中該逆變器具有一個(gè)更接近于顯示電壓而非接地電壓的切換點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求5所述的斷電電路，其中該電壓檢測(cè)器包括一個(gè)節(jié)點(diǎn)；一個(gè)連接在該節(jié)點(diǎn)和顯示電力線之間的電阻器；連接在該節(jié)點(diǎn)和接地電力線之間的第一晶體管，該第一晶體管具有連接到主電力線的控制端子；以及連接在該節(jié)點(diǎn)和接地電力線之間的電容器。
12.如權(quán)利要求11所述的斷電電路，其中該電壓檢測(cè)器還包括連接在該電阻器和該節(jié)點(diǎn)之間的第二晶體管，該第二晶體管具有連接到主電力線的控制端子，并且該第二晶體管和第一晶體管為互補(bǔ)導(dǎo)電型。
13.如權(quán)利要求1所述的斷電電路，其中該電壓發(fā)生器還在中間電力線上輸出一個(gè)介于主電源電壓和顯示電壓之間的中間升壓電壓，并且該控制電路包括由該中間電力線和接地電力線供電的第一逆變器，該第一逆變器對(duì)關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行逆變。
14.如權(quán)利要求13所述的斷電電路，其中該降壓元件是一個(gè)具有與中間電力線連接的陽極和與顯示電力線連接的陰極的二極管。
15.如權(quán)利要求14所述的斷電電路，其中該二極管是電壓發(fā)生器中的一個(gè)寄生二極管。
16.如權(quán)利要求13所述的斷電電路，其中該控制電路還包括一個(gè)耦合在第一逆變器和該開關(guān)的控制端子之間的第二逆變器，該第二逆變器由該中間電力線和該接地電力線供電。
17.如權(quán)利要求13所述的斷電電路，其中該電壓檢測(cè)器包括一個(gè)節(jié)點(diǎn)；一個(gè)連接在該節(jié)點(diǎn)和該中間電力線之間的電阻器；連接在該節(jié)點(diǎn)和該接地電力線之間的第一晶體管，該第一晶體管具有與主電力線連接的控制端子；以及一個(gè)連接在該節(jié)點(diǎn)和該接地電力線之間的電容器。
18.如權(quán)利要求17所述的斷電電路，其中該電壓檢測(cè)器還包括連接在該電阻器和該節(jié)點(diǎn)之間的第二晶體管，該第二晶體管具有與主電力線連接的控制端子，并且該第二晶體管和第一晶體管為互補(bǔ)導(dǎo)電型。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于顯示設(shè)備的斷電電路，該用于圖像顯示面板的斷電電路具有一個(gè)連接在接地電力線和顯示電力線之間的開關(guān)，其中該顯示電力線輸送高于該設(shè)備的主電源電壓的顯示電壓。當(dāng)主電源電壓低于一個(gè)特定電平時(shí)，該開關(guān)的控制端子通過一個(gè)降壓元件與顯示電力線相連接，由此接通該開關(guān)以將顯示電壓放電為接地電壓?？蔀橐粋€(gè)寄生二極管的降壓元件確保了該開關(guān)在達(dá)到顯示電壓或幾乎達(dá)到接地電平之前保持接通。
文檔編號(hào)G09G3/36GK1691125SQ2005100659
公開日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者仁田脅祥治 申請(qǐng)人:沖電氣工業(yè)株式會(huì)社