專利名稱：半導(dǎo)體顯示器件及驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)時(shí)間灰度級(jí)法顯示的半導(dǎo)體顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體顯示器件之一的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)方法，已知一種時(shí)間灰度級(jí)方法，其中使用數(shù)字視頻信號(hào)的二進(jìn)制電壓控制一個(gè)幀周期中的像素的發(fā)光周期，以顯示灰度級(jí)。由于電致發(fā)光材料的反應(yīng)速度通常更快，所以其比液晶等更適合時(shí)間灰度級(jí)法。尤其，當(dāng)通過(guò)時(shí)間灰度級(jí)進(jìn)行顯示時(shí)，一個(gè)幀周期被劃分為多個(gè)子幀周期。接著，像素根據(jù)每個(gè)子幀周期內(nèi)的視頻信號(hào)來(lái)確定發(fā)光或不發(fā)光。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，一個(gè)幀周期中的像素的總的實(shí)際發(fā)光周期可以受視頻信號(hào)控制，由此可以顯示灰度級(jí)。
然而，在使用時(shí)間灰度級(jí)法進(jìn)行顯示的情況下，存在一個(gè)問(wèn)題，即像素部分中可能顯示偽輪廓，這取決于幀頻。偽輪廓是當(dāng)通過(guò)時(shí)間灰度級(jí)法顯示中間灰度級(jí)時(shí)經(jīng)常覺(jué)察到的不自然的輪廓線，被認(rèn)為是主要由由于人的視覺(jué)特征導(dǎo)致的感覺(jué)亮度的變化而引起。
偽輪廓分為當(dāng)顯示活動(dòng)圖像時(shí)發(fā)生的活動(dòng)圖像偽輪廓，和當(dāng)顯示靜止圖像時(shí)發(fā)生的靜止偽輪廓?；顒?dòng)圖像偽輪廓由于以下原因發(fā)生在連續(xù)的幀周期中，包括在前面的幀周期中的子幀周期和包括在本幀周期中的子幀周期被人眼感覺(jué)為一個(gè)連續(xù)幀周期。也就是說(shuō)，由于灰度級(jí)水平偏離實(shí)際幀周期中要顯示的灰度級(jí)水平，所以活動(dòng)圖像偽輪廓對(duì)應(yīng)于人眼察覺(jué)到的像素部分中顯示的不自然的亮或暗線。產(chǎn)生靜止圖像偽輪廓的機(jī)理與活動(dòng)圖像偽輪廓的相同。當(dāng)顯示靜止圖像時(shí)發(fā)生靜止圖像偽輪廓，因?yàn)槿说囊朁c(diǎn)在顯示不同灰度級(jí)水平的區(qū)域之間的邊界處水平地或者垂直地微微移動(dòng)，因而在邊界附近的像素中似乎顯示活動(dòng)圖像。也就是說(shuō)，靜止圖像偽輪廓對(duì)應(yīng)于由于發(fā)生在顯示不同灰度級(jí)水平的區(qū)域之間的邊界附近的像素中的活動(dòng)圖像偽輪廓而在該邊界附近以搖擺方式發(fā)生的不自然的亮或暗線。
為了防止上述偽輪廓，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其中發(fā)光子幀周期在一個(gè)幀周期內(nèi)連續(xù)地出現(xiàn)。根據(jù)該驅(qū)動(dòng)方法，可以防止在每個(gè)幀周期內(nèi)的發(fā)光周期和不發(fā)光周期在相鄰的幀周期中顛倒的現(xiàn)象，由此抑制了偽輪廓。
日本待審專利No.2000-231362(段落0023)。
然而，在專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)方法中，總灰度級(jí)水平和一個(gè)幀周期的子幀周期數(shù)量彼此相等。因此，當(dāng)為了增加總灰度級(jí)水平而增加子幀周期的數(shù)量時(shí)，需要縮短每個(gè)子幀周期。然而，在每個(gè)子幀周期中視頻信號(hào)通常需要輸入到所有行的像素。因而，在子幀周期太短的情況下，需要增加驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率。當(dāng)考慮驅(qū)動(dòng)電路的可靠性時(shí)，不優(yōu)選使子幀周期比需要的短。
注意，可以通過(guò)延長(zhǎng)幀周期來(lái)一定程度地延長(zhǎng)每個(gè)子幀周期。然而，加長(zhǎng)幀周期是不優(yōu)選的，因?yàn)檫@樣不能實(shí)現(xiàn)總灰度級(jí)水平的劇增，卻更多地產(chǎn)生偽輪廓。
在專利文獻(xiàn)1中，也描述了在不增加子幀周期的數(shù)量的情況下以偽方式增加所要顯示的總灰度級(jí)水平的技術(shù)，其中執(zhí)行例如抖動(dòng)的圖像處理。然而，通過(guò)執(zhí)行例如抖動(dòng)的圖像處理，可以顯示大的總灰度級(jí)水平，而顯示的圖像上好象撒了沙子，不可避免地導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體顯示器件的方法，其中在抑制驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率的同時(shí)可以抑制偽輪廓的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法，其中在抑制圖像質(zhì)量降低的同時(shí)，可以抑制偽輪廓的產(chǎn)生。
更進(jìn)一步地，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體顯示器件，其中在抑制驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率的同時(shí)可以抑制偽輪廓的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體顯示器件，其中在抑制圖像質(zhì)量降低的同時(shí)可以抑制偽輪廓的產(chǎn)生。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在灰度級(jí)水平改變1前后的相鄰幀周期中共同用于發(fā)光的子幀周期的比率越高，產(chǎn)生的偽輪廓就越少。因此，根據(jù)本發(fā)明，在灰度級(jí)水平相差1的相鄰幀周期中，共同用于發(fā)光的子幀周期的長(zhǎng)度比率(共享比率)增加到能夠抑制偽輪廓產(chǎn)生的程度，以進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
通過(guò)比較用于特定灰度級(jí)水平的幀周期和用于比該特定幀周期高1的灰度級(jí)水平的幀周期來(lái)獲得共享比率。
通過(guò)幀頻可以獲得用于獲得抑制偽輪廓效果的最低共享比率。使用共享比率和要顯示的總灰度級(jí)水平，可以計(jì)算出在顯示每個(gè)灰度級(jí)時(shí)每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度和用于發(fā)光的子幀周期。
在本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法中，根據(jù)通過(guò)幀頻確定的共享比率RSh，計(jì)算子幀比率RSF。對(duì)于2或更高的灰度級(jí)水平中的每一個(gè)，確定一個(gè)幀周期內(nèi)多個(gè)子幀周期的數(shù)量和長(zhǎng)度，以及在該多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期，以便實(shí)現(xiàn)子幀比率RSF。
本發(fā)明的發(fā)光器件包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的表格，該數(shù)據(jù)用于根據(jù)子幀比率RSF，對(duì)于2或更高的灰度級(jí)水平中的每一個(gè)，確定一個(gè)幀周期內(nèi)多個(gè)子幀周期的數(shù)量和長(zhǎng)度，以及在該多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期；控制器，用于根據(jù)該數(shù)據(jù)改變視頻信號(hào)的位數(shù)和每個(gè)位的數(shù)據(jù)；和面板，其像素灰度級(jí)水平根據(jù)變化之后的視頻信號(hào)來(lái)控制。根據(jù)由幀頻確定的共享比率Rsh來(lái)計(jì)算子幀比率RSF。
應(yīng)當(dāng)注意，在本說(shuō)明書(shū)中，發(fā)光元件包含其亮度由電流或電壓控制的元件，具體地例如OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)、用于FED(場(chǎng)致發(fā)射顯示器)的MIM型電子源元件(電子發(fā)射元件)。
發(fā)光元件OLED包括包含當(dāng)向其施加電場(chǎng)時(shí)可以產(chǎn)生光(電致發(fā)光)的電致發(fā)光材料(以下，稱為″電致發(fā)光層″)的層、陽(yáng)極和陰極。在陽(yáng)極和陰極之間提供電致發(fā)光層，該電致發(fā)光層由單層或多層構(gòu)成。
這些層可包括無(wú)機(jī)化合物。在電致發(fā)光層中的發(fā)光包括當(dāng)從單激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的光(熒光)、和當(dāng)從三重激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的光(磷光)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件包括在每個(gè)像素中提供以有機(jī)發(fā)光元件(OLED)為代表的發(fā)光元件的發(fā)光器件、液晶顯示器件、DMD(數(shù)字微鏡器件)、PDP(等離子體顯示板)、FED(場(chǎng)致發(fā)射顯示器)、和其它能夠通過(guò)時(shí)間灰度級(jí)法顯示的顯示器件。
另外，發(fā)光器件包括封閉有發(fā)光元件的面板、和其中包括控制器的1C等安裝在面板上的模塊。
作為本發(fā)明的發(fā)光器件中的晶體管，可以使用使用多晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體(包括半非晶半導(dǎo)體)、或者非晶半導(dǎo)體的薄膜晶體管；然而，本發(fā)明的發(fā)光器件中的晶體管不局限于薄膜晶體管?？梢允褂檬褂脝尉w硅的晶體管或者使用SOI的晶體管?；蛘撸梢允褂檬褂糜袡C(jī)半導(dǎo)體或者碳納米管的晶體管。而且，提供于本發(fā)明的發(fā)光器件的像素中的晶體管可以具有單柵極結(jié)構(gòu)、雙柵結(jié)構(gòu)或者具有超過(guò)兩個(gè)柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。
半非晶半導(dǎo)體具有在非晶和晶體(包括單晶和多晶)結(jié)構(gòu)之間的中間結(jié)構(gòu)。半非晶半導(dǎo)體具有就自由能而言是穩(wěn)定的第三態(tài)，并具有短程有序和晶格畸變，其中顆粒尺寸為0.5至20nm的晶體可以分散在非單晶半導(dǎo)體中。在該半非晶半導(dǎo)體中，拉曼光譜移向低于520cm-1的頻帶，通過(guò)X射線衍射觀察到被認(rèn)為源自于Si晶格的(111)和(220)的衍射峰。更進(jìn)一步地，該半導(dǎo)體與至少1atom％的氫或者鹵素混合，用于終止懸掛鍵。在這里，為了方便起見(jiàn)稱這樣的半導(dǎo)體是半非晶半導(dǎo)體(SAS)。通過(guò)混合稀有氣體元素(例如氦、氬、氪和氖)進(jìn)一步促進(jìn)晶格畸變，可獲得具有改善穩(wěn)定性的良好半非晶半導(dǎo)體。
根據(jù)本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不同，不要求總灰度級(jí)水平和子幀周期的數(shù)量彼此相等，可以在抑制子幀數(shù)量的同時(shí)進(jìn)行具有高的總灰度級(jí)水平的顯示。因此，可以在不執(zhí)行降低圖像質(zhì)量的處理(例如抖動(dòng))的情況下，增加總灰度級(jí)水平。
另外，進(jìn)行驅(qū)動(dòng)以便實(shí)現(xiàn)比需要值更高的共享比率，以便在抑制幀頻和驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率的同時(shí)，防止偽輪廓。


圖1是在實(shí)驗(yàn)中用于顯示的圖案，以觀察共享比率和偽輪廓的產(chǎn)生之間的關(guān)系。
圖2的曲線圖顯示表示一個(gè)幀周期中子幀周期SF1的比率的R1(％)與察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最低幀頻F(Hz)之間的關(guān)系。
圖3的曲線圖顯示幀頻(Hz)和用于抑制偽輪廓產(chǎn)生的最低的共享比率(％)之間的關(guān)系。
圖4的曲線圖顯示灰度級(jí)水平與發(fā)光子幀周期、以及通過(guò)與低1的灰度級(jí)水平比較獲得的共享比率Rsh(％)之間的關(guān)系。
圖5A和5B是顯示本發(fā)明的發(fā)光器件構(gòu)成的方框圖。
圖6A至6C是顯示本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的實(shí)例的示圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法在顯示4位灰度級(jí)的情況下的時(shí)間圖。
圖8A至8C是本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的截面圖。
圖9A至9C是本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的截面圖。
圖10是本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的截面圖。
圖11A和圖11B分別是本發(fā)明的發(fā)光器件的頂視圖和截面圖。
圖12A至12C是分別使用本發(fā)明發(fā)光器件的電子裝置的視圖。
圖13是顯示灰度級(jí)比率與覺(jué)察到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻率F(Hz)之間關(guān)系的曲線圖。
圖14A是常規(guī)子幀周期結(jié)構(gòu)的對(duì)比圖以及圖14B是本發(fā)明的子幀周期結(jié)構(gòu)的圖示。
圖15是顯示灰度級(jí)水平與發(fā)光子幀周期、以及通過(guò)與用于低1的灰度級(jí)水平的情況比較而獲得的共享比率Rsh(％)之間關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
盡管將參照附圖通過(guò)實(shí)施方式和實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明，但可以理解各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。因此，除非這種修改和變化脫離本發(fā)明的范圍，否則就應(yīng)當(dāng)是認(rèn)為包含在其中。
發(fā)明人實(shí)施下面的實(shí)驗(yàn)以觀察共享比率與偽輪廓的產(chǎn)生之間的關(guān)系。首先，將一個(gè)幀周期分為兩個(gè)子幀周期SF1和SF2，并且在第一幀周期和第二幀周期中顯示圖1中所示的圖案。具體地，子幀周期SF1中顯示方格圖案，在子幀周期SF2中在整個(gè)區(qū)域中顯示白色。注意，在第一幀周期和第二幀周期中，在子幀周期SF1中顯示的圖案的白色區(qū)域和黑色區(qū)域是顛倒的。接著，將兩個(gè)幀周期設(shè)定為交替出現(xiàn)。采用這種方式，檢查偽輪廓的產(chǎn)生。
當(dāng)用R1(％)表示一個(gè)幀周期內(nèi)子幀周期SF1的比率時(shí)，R1(％)和察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻率F(Hz)具有圖2中所示的關(guān)系。如圖2中所示，R1(％)越低，察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻率F(Hz)就越低。相反，R1(％)越高，察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻率F(Hz)就越高。
換句話說(shuō)，子幀周期SF1越短，產(chǎn)生偽輪廓就越少，其中對(duì)于每個(gè)幀周期每個(gè)像素的顯示在子幀周期SF1變化。子幀周期SF2越長(zhǎng)，其中在子幀周期SF2在相鄰的幀周期中每個(gè)像素的顯示是相同的，產(chǎn)生偽輪廓就越少。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在相鄰幀周期中共同用于發(fā)光的子幀周期的比率(共享比率)越高，就越能抑制偽輪廓的產(chǎn)生。
圖14A和14B顯示在實(shí)際發(fā)光器件中使用的子幀周期結(jié)構(gòu)的實(shí)例。圖14A顯示在用24的總灰度級(jí)水平顯示的情況下，用于灰度級(jí)水平7的子幀周期結(jié)構(gòu)和用于灰度級(jí)水平8的子幀周期結(jié)構(gòu)。在圖14A中，使用四個(gè)子幀周期SF1至SF4，并且子幀周期SF4進(jìn)一步分成兩個(gè)。子幀周期SF1至SF4的比率設(shè)定為SF1∶SF2∶SF3∶SF4＝1∶2∶4∶8。應(yīng)當(dāng)注意，周期BK對(duì)應(yīng)于強(qiáng)制使發(fā)光元件不發(fā)光的周期(非顯示周期)，其對(duì)灰度級(jí)水平無(wú)貢獻(xiàn)。
在圖14A中，在顯示7個(gè)灰度級(jí)的情況下，用于發(fā)光的子幀周期是SF1、SF2和SF3，用于非發(fā)光的子幀周期是SF4。在圖14A中的顯示8個(gè)灰度級(jí)的情況下，用于發(fā)光的子幀周期是SF4，用于非發(fā)光的子幀周期是SF1、SF2和SF3。因此，沒(méi)有共同的發(fā)光子幀周期，所以共享比率是0％。根據(jù)圖14A所示的子幀周期結(jié)構(gòu)，容易產(chǎn)生偽輪廓。
接下來(lái)，圖14B顯示不同于圖14A所示結(jié)構(gòu)的子幀周期結(jié)構(gòu)。圖14B顯示在用類似于圖14A的24總灰度級(jí)水平顯示的情況下，用于灰度級(jí)水平7的子幀周期結(jié)構(gòu)和用于灰度級(jí)水平8的子幀周期結(jié)構(gòu)。在圖14B中，使用8個(gè)子幀周期SF1至SF8。子幀周期SF1至SF8的比率設(shè)定為SF1∶SF2∶SF3∶SF4∶SF5∶SF6∶SF7∶SF8＝1∶1∶1∶2∶2∶2∶3∶3。應(yīng)當(dāng)注意，周期BK對(duì)應(yīng)于用于非顯示周期的周期，其對(duì)灰度級(jí)水平無(wú)貢獻(xiàn)。
在圖14B中，在顯示7個(gè)灰度級(jí)的情況下，用于發(fā)光的子幀周期是SF3、SF7和SF8，用于非發(fā)光的子幀周期是SF1、SF2、SF4、SF5和SF6。在顯示圖14B中的8個(gè)灰度級(jí)的情況下，用于發(fā)光的子幀周期為SF6、SF7和SF8，用于非發(fā)光的子幀周期是SF1、SF2、SF3、SF4和SF5。因此，共同用于發(fā)光的子幀周期是SF7和SF8，所以共享比率是通過(guò)(SF7+SF8)×100/(SF7+SF8+SF6)獲得的75％。根據(jù)圖14B所示的子幀周期結(jié)構(gòu)，比圖14A所示的情況更少產(chǎn)生偽輪廓。
下面詳細(xì)地描述為了執(zhí)行本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法，根據(jù)共享比率Rsh和總灰度級(jí)水平確定一個(gè)幀周期內(nèi)每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度的方法。
首先，基于驅(qū)動(dòng)使用的幀頻計(jì)算共享比率Rsh。在高幀頻的情況下較少產(chǎn)生偽輪廓，而在低幀頻的情況下產(chǎn)生地更多。因而，通過(guò)預(yù)先確定幀頻，對(duì)于每個(gè)發(fā)光器件可以確定用于抑制偽輪廓產(chǎn)生的最低共享比率。
圖3顯示幀頻(Hz)和用于抑制偽輪廓產(chǎn)生的最低共享比率(％)之間關(guān)系的一個(gè)例子。應(yīng)當(dāng)注意，用100(％)-R1(％)表示共享比率(％)。如圖3所示，共享比率越低，抑制偽輪廓產(chǎn)生所需的幀頻就越高。注意可以任意地確定用于判斷偽輪廓是否產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)；因此，不必獲得與圖3中所示相同的關(guān)系。然而，在用于判斷的某種預(yù)先確定的標(biāo)準(zhǔn)下，幀頻(Hz)和用于抑制偽輪廓產(chǎn)生的最低的共享比率(％)之間的關(guān)系導(dǎo)致幀頻越高，就越能抑制偽輪廓產(chǎn)生。
從圖3所示的曲線圖，在特定的幀頻下，獲得用于抑制偽輪廓產(chǎn)生的最低共享比率(％)，從而可以確定其值等于或大于該最低共享比率的共享比率Rsh。共享比率Rsh確定后，確定每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度。
首先，按長(zhǎng)度遞增排列的一個(gè)幀周期的n個(gè)子幀周期稱為SF1至SFn。這里假設(shè)當(dāng)在所有SF1至SFp(p＜n)中進(jìn)行發(fā)光時(shí)，可以顯示m個(gè)灰度級(jí)(m＜2n)。在這種情況下，當(dāng)Tm表示在顯示m個(gè)灰度級(jí)時(shí)用于發(fā)光的子幀周期SF1至SFp的總長(zhǎng)時(shí)，可以通過(guò)下面公式1獲得Tm[公式1]Tm=Σn=1pSFn]]>然后，考慮顯示(m+1)個(gè)灰度級(jí)的情況。因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)在所有的SF1至SFp中發(fā)光來(lái)顯示m個(gè)灰度級(jí)，所以為了顯示(m+1)個(gè)灰度級(jí)，有必要使用比SFp長(zhǎng)的SFn+1。同時(shí)，必須從SF1至SFp減去一個(gè)或者多個(gè)子幀周期以顯示，對(duì)應(yīng)于通過(guò)從SFp+1減去用于一個(gè)灰度級(jí)的長(zhǎng)度(例如，對(duì)應(yīng)于SF1的長(zhǎng)度)而獲得的長(zhǎng)度。因此，當(dāng)Tm+1表示在顯示(m+1)個(gè)灰度級(jí)時(shí)用于發(fā)光的子幀周期的總長(zhǎng)時(shí)，可以通過(guò)以下公式2獲得Tm+1。
Tm+1=Σn=1p+1SFn-(SFp+1-SF1)]]>另外，當(dāng)子幀比率RSF表示子幀周期SF1至SFp+1的總和中SFp+1的比率時(shí)，可以通過(guò)以下公式3獲得RSF。

RSF=SFp+1Σn-1p+1SFn]]>下面公式4可以從公式3導(dǎo)出。
SFp+1=Σn=1p+1SFn×RSF]]>另外，當(dāng)Wm/m+1表示在顯示m個(gè)灰度級(jí)和在顯示(m+1)個(gè)灰度級(jí)時(shí)共同用于發(fā)光的子幀周期的總長(zhǎng)時(shí)，可以通過(guò)下面的公式5獲得Wm/m+1。
Wm/m+1＝Tm-(SFp+1-SF1)因此，下面公式6從公式1、公式4和公式5得出。
Wm/m+1]]>=Σn=1pSFn-(SFp+1-SF1)]]>=Σn=1p+1SFn-SFp+1-(SFp+1-SF1)]]>=Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn+SF1]]>通過(guò)下面的公式7獲得在顯示m個(gè)灰度級(jí)和在顯示(m+1)個(gè)灰度級(jí)時(shí)共同用于發(fā)光的子幀周期的共享比率Rsh。
Rsh＝Wm/m+1/Tm+1因此，下面的公式8從公式2、公式4、公式6和公式7得出。

Rsh]]>={Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn+SF1}/{Σn=1p+1SFn-RSF×Σn=1p+1SFn+SF1}]]>={Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn}/{Σn=1p+1SFn-RSF×Σn=1p+1SFn}]]>=(1-2RSF)/(1-RSF)]]>因此，下面公式9從公式8得出。
RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)因此，可以通過(guò)將共享比率Rsh的值代入公式9而獲得子幀比率RSF的值。子幀比率RSF是SFp+1在子幀周期SF1至SFp+1的總和中的比率。通過(guò)使用上述子幀比率RSF，可以根據(jù)最長(zhǎng)的子幀周期SFn順序確定每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度。
注意，在該實(shí)施方式中分別將恒定子幀比率RSF應(yīng)用于SFn至SF1的每一個(gè)。例如，在2n的總灰度級(jí)水平的情況下，子幀周期的數(shù)量不必限于n。當(dāng)將遵循公式9計(jì)算出的長(zhǎng)度應(yīng)用于每個(gè)子幀周期時(shí)，在很多情況下，子幀周期的數(shù)量導(dǎo)致超過(guò)n。然而，對(duì)于用于顯示低灰度級(jí)的短子幀周期，即使沒(méi)有實(shí)現(xiàn)共享比率Rsh的上述值，也不會(huì)很大地影響偽輪廓的產(chǎn)生。理由如下在低灰度級(jí)水平的情況下，灰度級(jí)水平的倒數(shù)×100的值(灰度級(jí)水平的比率)大于高灰度級(jí)水平的情況。因此，察覺(jué)到由于灰度級(jí)水平之間的差異而產(chǎn)生的輪廓，其使偽輪廓更少地被覺(jué)察。
圖13是顯示灰度級(jí)水平的比率(％)與察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻F(Hz)之間關(guān)系的曲線圖。在圖13中，水平軸表示灰度級(jí)水平的比率(％)，垂直軸表示察覺(jué)到偽輪廓產(chǎn)生的最小幀頻F(Hz)。從圖13發(fā)現(xiàn)灰度級(jí)水平的比率(％)越高，即，灰度級(jí)水平越低，可以抑制偽輪廓產(chǎn)生的幀頻就越低。
因此，優(yōu)選減小短子幀周期的數(shù)量以調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率減少的總重，而不提供很多對(duì)偽輪廓的產(chǎn)生無(wú)影響的子幀。特別地，為了計(jì)算，當(dāng)提供每個(gè)對(duì)應(yīng)于1個(gè)灰度級(jí)的多個(gè)短子幀周期時(shí)，縮減(thinout)它們中的一個(gè)或幾個(gè)。
特別地，將總灰度級(jí)水平三等分，不必要求在它們中最低的灰度級(jí)組實(shí)現(xiàn)共享比率Rsh的值。相反地，在它們中的中等和最高的灰度級(jí)組實(shí)現(xiàn)共享比率Rsh的值。例如，在總灰度級(jí)水平是26＝64的情況下，三等分灰度級(jí)水平0至63，導(dǎo)致21。在這種情況下，最低的灰度級(jí)水平是0至21，中間的灰度級(jí)水平是22至42，最高灰度級(jí)水平是43至63。注意，在總灰度級(jí)水平不能被三等分的情況下，可以上舍入或者下舍入小數(shù)。
圖4顯示在使用4位視頻信號(hào)、利用24總灰度級(jí)水平進(jìn)行顯示的情況下，灰度級(jí)水平與用于發(fā)光的子幀周期之間關(guān)系。在圖4中，水平軸表示灰度級(jí)水平，左側(cè)垂直軸表示用于發(fā)光的子幀周期的總長(zhǎng)(發(fā)光周期)。由發(fā)光長(zhǎng)度確定要顯示的灰度級(jí)水平。同時(shí)，在圖4中，右垂直軸表示通過(guò)與低1的灰度級(jí)水平的情況比較而獲得的共享比率Rsh(％)。注意在圖4中，使用9個(gè)子幀周期SF1至SF9進(jìn)行顯示。從SF1順序地將9個(gè)子幀周期SF1至SF9的長(zhǎng)度比設(shè)定為1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。
在圖4中，確定每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度，使得在顯示從3至15的灰度級(jí)的情況下將共享比率Rsh(％)保持在65％或更大。應(yīng)當(dāng)注意，由共享比率Rsh(％)的定義，在灰度級(jí)水平0和1中沒(méi)有實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。另外，在低灰度級(jí)水平2中，在圖4中不實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。然而，在較少產(chǎn)生偽輪廓的低灰度級(jí)水平中，不必需實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。
圖15顯示在使用6位視頻信號(hào)、使用26總灰度級(jí)進(jìn)行顯示的情況下，灰度級(jí)水平與用于發(fā)光的子幀周期之間關(guān)系。在圖15中，水平軸表示灰度級(jí)水平，左側(cè)垂直軸表示發(fā)光子幀周期的總長(zhǎng)(發(fā)光周期)。要顯示的灰度級(jí)水平由發(fā)光長(zhǎng)度確定。同時(shí)，在圖15中，右邊垂直軸表示通過(guò)與低1的灰度級(jí)水平的情況比較而獲得的共享比率Rsh(％)。注意在圖15中，使用12個(gè)子幀周期SF1至SF12來(lái)進(jìn)行顯示。從SF1開(kāi)始將12個(gè)子幀周期SF1至SF12的長(zhǎng)度比順序設(shè)定為1∶2∶3∶3∶4∶4∶5∶6∶7∶8∶9∶11。
在圖15中，確定每個(gè)子幀周期的長(zhǎng)度，使得在顯示從12至63的灰度級(jí)的情況下將共享比率Rsh(％)保持在70％或者更高。應(yīng)當(dāng)注意，由共享比率Rsh(％)的定義，在灰度級(jí)水平0和1中沒(méi)有實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。另外，在從2到11低灰度級(jí)水平中，在圖15中不實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。然而，在產(chǎn)生較少偽輪廓的低灰度級(jí)水平中，不必需實(shí)現(xiàn)該共享比率Rsh(％)。
根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法，參照一表格控制每個(gè)子幀周期發(fā)光還是不發(fā)光，該表格中確定了視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和發(fā)光子幀周期之間的關(guān)系。表1示出了在圖4的情況下，視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平與每個(gè)發(fā)光子幀周期和每個(gè)不發(fā)光子幀周期之間的關(guān)系。
表1

表1是顯示4位視頻信號(hào)與9個(gè)子幀周期之間關(guān)系的表格。根據(jù)該表格，控制每個(gè)子幀周期SF1至SF9發(fā)光還是不發(fā)光。在表1中，″○″表示發(fā)光，″×″表示不發(fā)光。如此，根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)表格1所示的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)，并使用轉(zhuǎn)換后的視頻信號(hào)來(lái)進(jìn)行顯示。
注意執(zhí)行上述的本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法的發(fā)光器件包括用于輸出關(guān)于輸入信號(hào)預(yù)先確定的信號(hào)的表格。通過(guò)包含存儲(chǔ)器(例如ROM和RAM)的硬件來(lái)構(gòu)造該表格，所述存儲(chǔ)器儲(chǔ)存例如表格1所示的數(shù)據(jù)。當(dāng)然，該表格的數(shù)據(jù)不局限于表格1所示的數(shù)據(jù)，可以根據(jù)待顯示圖像的總灰度級(jí)水平和子幀周期的數(shù)量和長(zhǎng)度任意地設(shè)定。
接下來(lái)，描述本發(fā)明的發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)。圖5A是本發(fā)明的發(fā)光器件的示范性結(jié)構(gòu)的方框圖。圖5A和5B所示的發(fā)光器件包括面板101、控制器102、和表格103。面板101包括含有多個(gè)分別具有發(fā)光元件的像素的像素部分104、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路105、和掃描線驅(qū)動(dòng)電路106。
通過(guò)包含存儲(chǔ)器(例如ROM和RAM)的硬件來(lái)構(gòu)造表格103。存儲(chǔ)器儲(chǔ)存這樣的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)用于根據(jù)子幀比率RSF確定一個(gè)幀周期中多個(gè)子幀周期的數(shù)量和長(zhǎng)度，以及在每個(gè)灰度級(jí)水平的情況下該多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期。按照根據(jù)幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF。
控制器102能夠按照表格103中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、根據(jù)輸入視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平確定發(fā)光的子幀周期。特別地，例如根據(jù)表1，當(dāng)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平是10時(shí)，用于發(fā)光的子幀周期是SF1至SF6、和SF8。另外，控制器102具有幀存儲(chǔ)器，并能夠根據(jù)存儲(chǔ)在表103中的多個(gè)子幀周期的每個(gè)長(zhǎng)度、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路105和掃描線驅(qū)動(dòng)電路106等的驅(qū)動(dòng)頻率來(lái)產(chǎn)生各種控制信號(hào)，例如時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)。
應(yīng)當(dāng)注意，視頻信號(hào)轉(zhuǎn)化和控制信號(hào)產(chǎn)生均由圖5A中的控制器102執(zhí)行，然而，本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)?？梢栽诎l(fā)光器件中分別提供用于轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)的控制器和用于產(chǎn)生控制信號(hào)的控制器。
圖5B是在圖5A中所示的面板101的示范性具體結(jié)構(gòu)。
在圖5B中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路105包含移位寄存器110、鎖存器A111、和鎖存器B112。例如時(shí)鐘信號(hào)(CLK)和起始脈沖信號(hào)(SP)的控制信號(hào)輸入到移位寄存器110。當(dāng)輸入時(shí)鐘信號(hào)(CLK)和起始脈沖信號(hào)(SP)時(shí)，在移位寄存器110中產(chǎn)生定時(shí)信號(hào)。產(chǎn)生的定時(shí)信號(hào)順序地輸入到第一級(jí)鎖存器A111。當(dāng)完成定時(shí)信號(hào)到鎖存器A111的輸入時(shí)，從控制器102輸入的視頻信號(hào)與輸入的定時(shí)信號(hào)的脈沖同步地順序輸入到鎖存器A111，并保持。應(yīng)當(dāng)注意，在該實(shí)施方式中視頻信號(hào)順序地輸入到鎖存器A111，然而，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)?？晒┻x擇地，可以執(zhí)行分開(kāi)驅(qū)動(dòng)，即，將鎖存器A111的多個(gè)級(jí)劃分為幾個(gè)組并且視頻信號(hào)并行輸入每組。注意這里將組的數(shù)量稱為分開(kāi)數(shù)。例如，當(dāng)將鎖存器分成四個(gè)組的級(jí)時(shí)，執(zhí)行四分驅(qū)動(dòng)。
將用于完成將視頻信號(hào)輸入到鎖存器A111所有鎖存級(jí)的周期稱為行選擇周期。事實(shí)上，存在這樣的情況，行選擇周期除了上述的行選擇周期之外還包括水平回掃周期。
一個(gè)行選擇周期終止，接著的是控制信號(hào)之一的鎖存信號(hào)(LatchSignal)供給第二級(jí)鎖存器B112。與該鎖存信號(hào)同步，保持在鎖存器A111中的視頻信號(hào)立刻寫入鎖存器B112。當(dāng)向鎖存器B112的視頻信號(hào)發(fā)送終止時(shí)，再次與來(lái)自移位寄存器110的定時(shí)信號(hào)同步將下一位的視頻信號(hào)順序地輸入鎖存器A111。在第二個(gè)一行選擇周期中，將寫入和保持在鎖存器B112中的視頻信號(hào)輸入到像素部分104。
應(yīng)當(dāng)注意，可以使用能夠選擇信號(hào)線的電路(例如解碼器)代替移位寄存器110。
然后，描述掃描線驅(qū)動(dòng)電路106的構(gòu)成。該掃描線驅(qū)動(dòng)電路106包括移位寄存器113和緩沖器114。更進(jìn)一步地，如有必要可以包括電平轉(zhuǎn)移電路。在掃描線驅(qū)動(dòng)電路106中，時(shí)鐘信號(hào)(CLK)和起始脈沖信號(hào)(SP)輸入到移位寄存器113以產(chǎn)生選擇信號(hào)。在緩沖器114中放大產(chǎn)生的選擇信號(hào)以將其供給對(duì)應(yīng)的掃描線。因?yàn)樘峁┙o掃描線的選擇信號(hào)控制包含在一行像素中的晶體管的操作，因此優(yōu)選將相對(duì)大量的電流供給掃描線的緩沖器用作緩沖器114。
應(yīng)當(dāng)注意，可以使用能夠選擇信號(hào)線的電路(例如解碼器)代替移位寄存器113。
在本發(fā)明中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路106和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路105可形成在與像素部分104相同的襯底上，或者形成在不同的襯底上。本發(fā)明的發(fā)光器件中的面板的結(jié)構(gòu)不局限于圖5A或圖5B所示的，只要面板101具有根據(jù)從控制器102輸入的視頻信號(hào)控制像素灰度級(jí)水平的結(jié)構(gòu)即可。
接下來(lái)，使用圖6A至6C描述本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的電路圖。
圖6A是像素的等效電路圖的例子，其包括信號(hào)線6114、電源線6115、掃描線6116、發(fā)光元件6113、TFT 6110和6111、和電容器6112。通過(guò)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路將視頻信號(hào)輸入信號(hào)線6114。TFT 6110可以根據(jù)輸入到掃描線6116的選擇信號(hào)控制視頻信號(hào)電位向TFT 6111的柵極的供給。TFT 6111可以根據(jù)視頻信號(hào)的電位控制向發(fā)光元件6113的電流供給。電容器6112可以保持TFT 6111的柵源電壓。應(yīng)當(dāng)注意，圖6A中提供電容器6112，然而，如果TFT 6111的柵電容或者其它的寄生電容足以保持柵源電壓，那么可以不提供電容器6112。
圖6B是在圖6A所示的像素中另外提供TFT 6118和掃描線6119的像素的等效電路圖。通過(guò)TFT 6118，TFT 6111的柵和源的電位彼此相等以使迫使沒(méi)有電流流入發(fā)光元件6113。因此，每個(gè)子幀周期的周期可以設(shè)置得比用于將視頻信號(hào)輸入到全部像素的周期更短。因此，可以在抑制驅(qū)動(dòng)頻率的同時(shí)，用高總灰度級(jí)水平進(jìn)行顯示。
圖6C是在圖6B所示的像素中另外提供TFT 6125和布線6126的像素的等效電路圖。通過(guò)布線6126穩(wěn)定TFT 6125的柵電位。另外，TFT 6111和6125在電源線6115和發(fā)光元件6113之間串聯(lián)連接。因此，在圖6C中，TFT 6125控制提供給發(fā)光元件6113的電流量，而TFT 6111控制電流是否供給發(fā)光元件6113。
應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素結(jié)構(gòu)不局限于在該實(shí)施例中所述的。該實(shí)施例可以自由地與上述的實(shí)施方式結(jié)合。
在該實(shí)施例中，在圖4描述的驅(qū)動(dòng)方法的情況下描述出現(xiàn)每個(gè)子幀周期的時(shí)間安排。
圖7是使用圖4所示的驅(qū)動(dòng)方法的4位灰度級(jí)顯示情況下的時(shí)間圖。在圖7中，水平軸表示在一個(gè)幀周期內(nèi)子幀周期SF1到SF9的長(zhǎng)度，垂直軸顯表示掃描線的選擇順序。從SF1開(kāi)始將子幀周期SF1至SF9的長(zhǎng)度比順序設(shè)置為1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。
當(dāng)每個(gè)子幀周期開(kāi)始時(shí)，共享掃描線的一行的每一像素執(zhí)行視頻信號(hào)輸入。在視頻信號(hào)輸入到像素之后，發(fā)光元件根據(jù)視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)發(fā)光或不發(fā)光。每個(gè)象素中的發(fā)光元件根據(jù)視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)保持發(fā)光或者不發(fā)光直到下一個(gè)子幀周期開(kāi)始。
應(yīng)當(dāng)注意在圖7所示的時(shí)間圖中，在視頻信號(hào)輸入到像素之后發(fā)光元件立即根據(jù)視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)發(fā)光或不發(fā)光，然而，本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。可供選擇地，可能在將視頻信號(hào)輸入到所有像素的時(shí)間段期間發(fā)光元件保持在不發(fā)光狀態(tài)，并且在視頻信號(hào)輸入到所有的像素之后，發(fā)光元件根據(jù)視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)發(fā)光或不發(fā)光。
另外，在圖7所示的時(shí)間表中，所有子幀周期連續(xù)出現(xiàn)，然而，本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。在子幀周期之間可提供強(qiáng)制使發(fā)光元件不發(fā)光的周期(非顯示周期)。非顯示周期在正好在非顯示周期前的子幀周期中可以出現(xiàn)在視頻信號(hào)輸入到所有像素完成之前或之后，顯現(xiàn)為非顯示周期。
在該實(shí)施例中，使用圖8A至8C描述了一個(gè)象素的截面結(jié)構(gòu)，其中用于控制向發(fā)光元件的電流供給的晶體管是P溝道型的。注意，在本說(shuō)明書(shū)中，將發(fā)光元件的陽(yáng)極和陰極中的電勢(shì)能夠通過(guò)晶體管控制的一個(gè)稱為第一電極，另一個(gè)稱為第二電極。在圖8A至8C中第一電極是陽(yáng)極并且第二電極是陰極的情況下進(jìn)行說(shuō)明。然而，第一電極是陰極而第二電極是陽(yáng)極也是可以的。
圖8A是晶體管6001是P溝道型并且從發(fā)光元件6003發(fā)出的光從第一電極6004一側(cè)提取的情況下的像素剖視圖。發(fā)光元件6003的第一電極6004電連接至圖8A中的晶體管6001。
晶體管6001被層間絕緣膜6007覆蓋，并且具有開(kāi)口的堤6008形成在層間絕緣膜6007上。在堤6008的開(kāi)口中，部分地暴露第一電極6004，并且依次堆疊第一電極6004、電致發(fā)光層6005和第二電極6006。
層間絕緣膜6007由有機(jī)樹(shù)脂膜、無(wú)機(jī)絕緣膜、或者包含基于硅氧烷的材料作為起始材料并具有Si-O-Si鍵(以下稱為″硅氧烷絕緣膜″)絕緣膜形成。硅氧烷包含由硅(Si)和氧(O)的鍵形成的骨架，其中包含至少包含氫(例如烷基或者芳烴)的有機(jī)基團(tuán)作為取代基?？晒┻x擇地，可以使用氟基團(tuán)作為取代基。還可供選擇地，使用氟基團(tuán)和包含至少氫的有機(jī)基團(tuán)作為取代基。也可以使用所謂的低介電常數(shù)材料(低k材料)形成層間絕緣膜6007。
堤6008可以使用有機(jī)樹(shù)脂膜、無(wú)機(jī)絕緣膜、或者硅氧烷絕緣膜形成。例如在有機(jī)樹(shù)脂膜的情況下，可以使用丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、或者聚酰胺，而在無(wú)機(jī)絕緣膜的情況下，可以使用氧化硅、氧氮化硅(silicon nitride oxide)。優(yōu)選地，堤6008使用光敏有機(jī)樹(shù)脂膜形成并且在第一電極6004上具有開(kāi)口，其側(cè)面具有曲率連續(xù)的斜坡，這可以防止第一電極6004和第二電極6006短路。
第一電極6004由材料形成或者具有足以透射光的厚度，并且由適合用作陽(yáng)極的材料形成。例如，第一電極6004由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、摻鎵的氧化鋅(GZO)、或者另外的透光導(dǎo)電氧化物形成?；蛘撸谝浑姌O6004可以由包含ITO的銦錫氧化物和氧化硅的混合物(以下簡(jiǎn)稱ITSO)或者包含氧化硅的氧化銦與2％至20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成。此外第一電極6004可以通過(guò)使用，例如，TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種的單層膜；氮化鈦膜和包含鋁作為主要成分的膜的層疊膜；或者氮化鈦膜、包含鋁作為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)形成。然而，當(dāng)采用非透光導(dǎo)電氧化物之外的材料時(shí)，將第一電極6004形成足透射光的厚度(優(yōu)選約5至30nm)。
第二電極6006由材料形成并具有足以反射或者遮蔽光的厚度，可以由分別具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、或者其混合物形成。特別地，可以使用例如Li和Cs的堿金屬、例如Mg、Ca和Sr的堿土金屬、包含上述金屬的合金(Mg∶Ag，Al∶Li，Mg∶In等等)、上述的金屬的化合物(CaF2或CaN)、或者例如Yb和Er的稀土金屬。當(dāng)提供電子注入層時(shí)，也可以使用另外的導(dǎo)電層，例如Al層。
通過(guò)單層或者多層構(gòu)造電致發(fā)光層6005。在多層的情況下，根據(jù)載流子運(yùn)輸性質(zhì)這些層可以分為空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層、電子注入層等等。當(dāng)電致發(fā)光層6005除發(fā)光層之外還具有空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、電子輸運(yùn)層和電子注入層中的任何層時(shí)，在第一電極6004上依次堆疊空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層和電子注入層。注意，層之間的邊界不必清楚，由于形成各層的材料部分混合，所以在一些情況下邊界不能清楚地區(qū)分。每層可以由有機(jī)材料或者無(wú)機(jī)材料形成。至于有機(jī)材料，可以使用高、中等和低分子量材料中的任何材料。注意，中等分子量材料指的是其中重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的數(shù)量(聚合度)大約為2至20的低聚物。在空穴注入層和空穴輸運(yùn)層之間不存在清楚的區(qū)別，兩者都不可避免地具有空穴輸運(yùn)特性(空穴遷移率)?？昭ㄗ⑷雽优c陽(yáng)極接觸，與空穴注入層接觸的層稱為空穴傳輸層以便方便區(qū)分。同樣可以應(yīng)用于電子輸運(yùn)層和電子注入層。與陰極接觸的層叫作電子注入層而與電子注入層接觸的層叫作電子輸運(yùn)層。在一些情況下發(fā)光層具有電子輸運(yùn)層的功能，因此可以稱為發(fā)光電子輸運(yùn)層。
在圖8A所示的像素中，從發(fā)光元件射出的光可以從第一電極6004一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
圖8B是一個(gè)像素的截面圖，其中晶體管6011是P溝道型并且從發(fā)光元件6013發(fā)出的光從第二電極6016一側(cè)提取。發(fā)光元件6013的第一電極6014電連接到圖8B中的晶體管6011。在第一電極6014上，依次堆疊電致發(fā)光層6015和第二電極6016。
第一電極6014由材料形成并具有足以反射或者遮擋光的厚度，并且由適于用作陽(yáng)極的材料形成。例如，第一電極6014可以由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等等中的一種或多種的單層；氮化鈦膜和包含鋁作為主要成分的膜的疊層；或者氮化鈦膜、包含鋁作為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)形成。
第二電極6016由材料形成并具有足以透射光的厚度，并且可以由分別具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、或者其混合物形成。特別地，可以使用堿金屬(例如Li和Cs)、堿土金屬(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金屬的合金(Mg∶Ag，Al∶Li，Mg∶In等等)、上述的金屬的化合物(CaF2或CaN)、或者稀土金屬(例如Yb和Er)。當(dāng)提供電子注入層時(shí)，也可以使用另外的導(dǎo)電層，例如Al層。而且，將第二電極6016形成足以透射光的厚度(優(yōu)選約5至30nm)。注意，第二電極6016可以由另外的透光導(dǎo)電氧化物形成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、和摻鎵的氧化鋅(GZO)?；蛘?，可以使用包含ITO的銦錫氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化銦和2至20％的氧化鋅(ZnO)的混合物。在采用透光導(dǎo)電氧化物的情況下，優(yōu)選在電致發(fā)光層6015中提供電子注入層。
可以類似于圖8A所示的電致發(fā)光層6005形成電致發(fā)光層6015。
在圖8B所示的像素中，從發(fā)光元件6013射出的光可以從第二電極6016一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
圖8C是一個(gè)像素的截面圖，其中晶體管6021是P溝道型并且從發(fā)光元件6023發(fā)出的光從第一電極6024一側(cè)和第二電極6026一側(cè)提取。發(fā)光元件6023的第一電極6024電連接至圖8C中的晶體管6021。在第一電極6024上，依次堆疊電致發(fā)光層6025和第二電極6026。
可以類似于圖8A所示的第一電極6004形成第一電極6024，同時(shí)可以類似于圖8B所示的第二電極6016形成第二電極6026時(shí)。可以類似于圖8A所示的電致發(fā)光層6005形成電致發(fā)光層6025。
在圖8C所示的像素中，從發(fā)光元件6023射出的光可以從第一電極6024一側(cè)和第二電極6026一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
該實(shí)施例可以自由地同上述實(shí)施方式和實(shí)施例相結(jié)合。
在本實(shí)施例中，使用圖9A至9C描述晶體管是n溝道型的像素的截面結(jié)構(gòu)。注意，在圖9A至9C中第一電極是陰極而第二電極是陽(yáng)極。然而，第一電極是陽(yáng)極而第二電極是陰極也是可以的。
圖9A是一個(gè)像素的截面圖，其中晶體管6031是N溝道型并且從發(fā)光元件6033發(fā)出的光從第一電極6034一側(cè)提取。發(fā)光元件6033的第一電極6034電連接至圖9A中的晶體管6031。在第一電極6034上，依次堆疊電致發(fā)光層6035和第二電極6036。
第一電極6034由材料形成或者具有足以透射光的厚度，并且可以由分別具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、或者其混合物形成。特別地，可以使用堿金屬(例如Li和Cs)、堿土金屬(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金屬的合金(Mg∶Ag，Al∶Li，Mg∶In等等)、上述金屬的化合物(CaF2或CaN)、或者稀土金屬(例如Yb和Er)。當(dāng)提供電子注入層時(shí)，也可以使用另外的導(dǎo)電層，例如Al層。而且，將第一電極6034形成為足以透射光的厚度(優(yōu)選約5至30nm)。另外，為了抑制第一電極6034的薄層電阻，可以另外使用透光導(dǎo)電氧化物形成透光導(dǎo)電層以便與具有足以透射光的厚度的上述導(dǎo)電層的頂部或底部接觸。注意第一電極6034可以通過(guò)僅使用采用氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、摻鎵的氧化鋅(GZO)、或者另外的透光導(dǎo)電氧化物的導(dǎo)電層形成。或者，可以使用包含ITO的銦錫氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化銦和2至20％的氧化鋅(ZnO)的混合物。在采用透光導(dǎo)電氧化物的情況下，優(yōu)選在電致發(fā)光層6035中提供電子注入層。
第二電極6036由材料形成并具有足以反射或者遮擋光的厚度，并由適于用作陽(yáng)極的材料形成。例如，第二電極6036可以由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等等中的一種或多種的單層；氮化鈦膜和包含鋁作為主要成分的膜的疊層；或者氮化鈦膜、包含鋁作為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)形成。
可以類似于圖8A所示的電致發(fā)光層6005形成電致發(fā)光層6035。在電致發(fā)光層6005除發(fā)光層之外還具有空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、電子輸運(yùn)層和電子注入層中的任何層的情況下，在第一電極6034上依次堆疊電子注入層、電子輸運(yùn)層、發(fā)光層、空穴輸運(yùn)層和空穴注入層。
在圖9A所示的像素中，從發(fā)光元件6033射出的光可以從第一電極6034一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
圖9B是一個(gè)像素的截面圖，其中晶體管6041是N溝道型并且從發(fā)光元件6043發(fā)出的光從第二電極6046一側(cè)提取。發(fā)光元件6043的第一電極6044電連接到圖9B中的晶體管6041。在第一電極6044上，依次堆疊電致發(fā)光層6045和第二電極6046。
第一電極6044由材料形成并具有足以反射或者遮蔽光的厚度，并且可以由分別具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、或者其混合物等等形成。特別地，可以使用堿金屬(例如Li和Cs)、堿土金屬(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金屬的合金(Mg∶Ag，Al∶Li，Mg∶In等等)、上述的金屬的化合物(CaF2或CaN)、或者稀土金屬(例如Yb和Er)。當(dāng)提供電子注入層時(shí)，也可以使用另外的導(dǎo)電層，例如Al層。
第二電極6046由材料形成并具有足以透射光的厚度，并且由適于用作陽(yáng)極的材料形成。例如，第二電極6046可以由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、摻鎵的氧化鋅(GZO)、或者另外的透光導(dǎo)電氧化物形成。或者，第二電極6046可以由包含ITO的銦錫氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化銦和2％至20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成。此外，除了上述透光導(dǎo)電氧化物之外，第二電極6046可以通過(guò)使用，例如，TiN、、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種的單層膜；氮化鈦膜和包含鋁作為主要成分的膜的疊層膜；或者氮化鈦膜、包含鋁作為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)形成。然而，當(dāng)采用非透光導(dǎo)電氧化物的材料時(shí)，將第二電極6046形成為足以透射光的厚度(優(yōu)選約5至30nm)。
類似于圖9A所示的電致發(fā)光層6035形成電致發(fā)光層6045。
在圖9B所示的像素中，從發(fā)光元件6043發(fā)出的光可以從第二電極6046一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
圖9C是一個(gè)像素的截面圖，其中晶體管6051是N溝道型并且從發(fā)光元件6053發(fā)出的光從第一電極6054一側(cè)和第二電極6056一側(cè)提取。發(fā)光元件6053的第一電極6054電連接至圖9C中的晶體管6051。在第一電極6054上，依次堆疊電致發(fā)光層6055和第二電極6056。
可以類似于圖9A所示的第一電極6034形成第一電極6054，而類似于圖9B所示的第二電極6046形成第二電極6056。可以類似于圖9A所示的電致發(fā)光層6035形成電致發(fā)光層6055。
在圖9C所示的像素中，從發(fā)光元件6053射出的光可以從第一電極6054一側(cè)和第二電極6056一側(cè)提取，如空心箭頭所示。
該實(shí)施例可以自由地同上述實(shí)施方式和實(shí)施例相結(jié)合。
可以通過(guò)以絲網(wǎng)印刷和膠版印刷、或者液滴噴射(dropletdischarging)法為代表的印刷法制造本發(fā)明的發(fā)光器件。液滴噴射法是通過(guò)從微孔噴射包含預(yù)定成分的液滴來(lái)形成預(yù)定圖案的方法，其包含噴墨法。當(dāng)使用上述的印刷法或者液滴噴射法時(shí)，可以不使用曝光掩模形成以信號(hào)線、掃描線、和選擇線為代表的各種布線、TFT的柵極、發(fā)光元件的電極等等。然而，印刷法或者液滴噴射法不必用于形成圖案的所有步驟。因此，這樣的過(guò)程是可能的，即通過(guò)印刷法或液滴噴射法形成布線和柵極，而通過(guò)光刻法圖形化半導(dǎo)體膜，其中印刷法或者液滴噴射法用于該過(guò)程的一部分，并且另外使用光刻法。注意可以通過(guò)印刷法或者液滴噴射法形成用于圖形化的掩模。
圖10是使用液滴噴射法形成的本發(fā)明的發(fā)光器件的示范性截面圖。在圖10中，參考數(shù)字1301和1302分別表示晶體管，1304表示發(fā)光元件。注意，晶體管1302電連接至發(fā)光元件1304的第一電極1350。晶體管1302優(yōu)選為N溝道型，在這種情況下，優(yōu)選第一電極1350是陰極而第二電極1331是陽(yáng)極。
要用作開(kāi)關(guān)元件的晶體管1301具有柵極1310、包含溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體薄膜1311、形成在柵極1310和第一半導(dǎo)體薄膜1311之間的柵絕緣膜1317、用作源極或者漏極的半導(dǎo)體薄膜1312和1313、連接到第二半導(dǎo)體薄膜1312的布線1314、和連接到第二半導(dǎo)體薄膜1313的布線1315。
晶體管1302具有柵極1320、包含溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體薄膜1321、形成在柵極1320和第一半導(dǎo)體薄膜1321之間的柵絕緣膜1317、用作源極或者漏極的半導(dǎo)體薄膜1322和1323、連接到第二半導(dǎo)體薄膜1322的布線1324、和連接到第二半導(dǎo)體薄膜1323的布線1325。
布線1314對(duì)應(yīng)于信號(hào)線，布線1315電連接至晶體管1302的柵極1320。布線1325對(duì)應(yīng)于電源線。
通過(guò)使用液滴噴射法或者印刷法形成圖案，可以簡(jiǎn)化包括光致抗蝕劑形成、曝光、顯影、蝕刻和剝離的光刻法的一系列步驟。另外，當(dāng)采用液滴噴射法或者印刷法時(shí)，與采用光刻法的情況不同，可以避免通過(guò)蝕刻除去的材料的浪費(fèi)。此外，由于不需要用于曝光的昂貴的掩模，所以可以降低發(fā)光器件的生產(chǎn)成本。
另外，與光刻法不同，不需要蝕刻來(lái)形成布線。因此，可以在比光刻法情況下短得多的時(shí)間內(nèi)完成形成布線的步驟。特別地，當(dāng)布線的厚度形成為0.5μm或更厚，更優(yōu)選2μm或更厚時(shí)，可以抑制布線電阻，因此，可以在減少形成布線的步驟所需的時(shí)間的同時(shí)，抑制隨著發(fā)光器件的增大而導(dǎo)致的布線電阻增加。
注意，第一半導(dǎo)體薄膜1311和1321或者是非晶半導(dǎo)體或者是半非晶半導(dǎo)體(SAS)。
可以通過(guò)輝光放電分解硅化物氣體獲得非晶半導(dǎo)體。作為典型的硅化物氣體，可以使用SiH4和Si2H6?？梢杂脷錃饣蛘邭錃夂秃庀♂尮杌餁怏w。
類似地，可以通過(guò)輝光放電分解硅化物氣體獲得SAS。作為典型的硅化物氣體，除了Si2H6，SiH2Cl2SiHCl3，SiCl4，SiF4等，還可以使用SiH4。通過(guò)用氫氣或者氫氣和從氦、氬、氪、和氖中選擇的稀有氣體元素中的一種或多種的混合氣體來(lái)稀釋硅化物氣體，可以容易地形成SAS。硅化物氣體優(yōu)選按1∶2至1∶1000的比率稀釋。此外，可以用碳化物氣(例如CH4和C2H6)、鍺氣體(例如GeH4和GeF4)或者F2混合硅化物氣體，以便將能帶寬度控制在1.5至2.4eV，或者0.9至1.1eV。使用SAS作為第一半導(dǎo)體薄膜的TFT可以表現(xiàn)出1至10cm2/Vsec或更大的遷移率。
另外，可以使用通過(guò)用激光結(jié)晶非晶半導(dǎo)體或者半非晶半導(dǎo)體(SAS)獲得的半導(dǎo)體形成第一半導(dǎo)體薄膜1311和1321。
該實(shí)施例可以自由地同上述實(shí)施方式和實(shí)施例相結(jié)合。
在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D11A和11B對(duì)對(duì)應(yīng)于本發(fā)明發(fā)光器件的一個(gè)模式的面板的外視圖進(jìn)行說(shuō)明。圖11A是一個(gè)面板的頂視圖，其中在第一襯底和第二襯底之間用密封劑密封形成在第一襯底上的晶體管和發(fā)光元件。圖11B是沿線A-A′截取的圖11A的截面圖。
提供密封劑4005以包圍形成在第一襯底4001上的像素部分4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004。另外，在其上提供第二襯底4006。因此，第一襯底4001、密封劑4005和第二襯底4006與填料4007一起緊密地密封像素部分4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004。
形成在第一襯底4001上的像素部分4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004分別包括多個(gè)晶體管。在圖11B中，說(shuō)明了信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003中的晶體管4008、和像素部分4002中的晶體管4009。
參考數(shù)字4011表示發(fā)光元件，并且連接到晶體管4009的漏極的布線4017部分地用作發(fā)光元件4011的第一電極。透明導(dǎo)電薄膜4012用作發(fā)光元件4011的第二電極。注意發(fā)光元件4011不局限于本實(shí)施例中描述的結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)從發(fā)光元件4011發(fā)出的光的提取方向、晶體管4009的導(dǎo)電性等適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4011的結(jié)構(gòu)。
雖然在圖11B中的截面圖中沒(méi)有顯示，但提供給信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004和像素部分4002的各種信號(hào)和電壓經(jīng)導(dǎo)線4014和4015從連接端子4016提供。
在本實(shí)施例中，使用與發(fā)光元件4011的第一電極相同的導(dǎo)電薄膜形成連接端子4016。使用與布線4017相同的導(dǎo)電薄膜形成導(dǎo)線4014。使用與晶體管4009和4008的各自的柵極相同的導(dǎo)電薄膜形成導(dǎo)線4015。
連接端子4016經(jīng)由各向異性導(dǎo)電薄膜4019電連接至FPC 4018的端子。
應(yīng)當(dāng)注意，第一襯底4001和第二襯底4006均可以由玻璃、金屬(典型地，不銹鋼)、陶瓷、或者塑料形成。至于塑料，可以使用FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)襯底、PVF(聚氟乙烯)膜、密拉(mylar)薄膜、聚酯(polyester)薄膜或者丙烯酸樹(shù)脂膜。另外，也可以使用具有由PVF膜或者密拉薄膜夾著鋁的結(jié)構(gòu)的薄板。
注意由于第二襯底4006放置在提取從發(fā)光元件4011射出的光的一側(cè)，所以要求第二襯底4006透光。在這種情況下，使用透光材料，例如玻璃板、塑料板、聚酯薄膜和丙烯酸樹(shù)脂膜。
至于填料4007，可以使用惰性氣體(例如氮和氬)、紫外線固化樹(shù)脂或者熱固化樹(shù)脂，并且可以使用例如，PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂(silicone resin)、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或者EVA((ethylene vinyl acetate)乙烯乙酸乙烯酯)。在本實(shí)施例中，使用氮作為填料。
該實(shí)施例可以自由地與上述的實(shí)施方式和實(shí)施例結(jié)合。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件可以抑制偽輪廓的產(chǎn)生，即使手搖晃，其適于手持使用的便攜式電子裝置(例如便攜式電話、便攜式游戲機(jī)或者電子圖書(shū))、攝影機(jī)(例如攝像機(jī))、以及數(shù)碼相機(jī)。另外，因?yàn)楸景l(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件可以防止偽輪廓，本發(fā)明適用于具有顯示部分(例如可以通過(guò)其播放活動(dòng)圖像并欣賞圖像的顯示器件)的電子裝置。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件可以應(yīng)用于電子裝置，例如攝影機(jī)(如攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī))、護(hù)目鏡類型顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(汽車音響系統(tǒng)、音響組成系統(tǒng)(audiocomponent system)等等)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(典型地，再現(xiàn)例如DVD(數(shù)字通用盤)的記錄媒體且具有用于顯示再現(xiàn)的圖像的顯示器的裝置)。在圖12A至12C中說(shuō)明了上述電子裝置的具體例子。
圖12A說(shuō)明包括主體2101、顯示器部分2102、音頻輸入部分2103、音頻輸出部分2104、和操作鍵2105的便攜式電話。通過(guò)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件形成顯示部分2102可以完成是本發(fā)明的電子裝置之一的便攜式電話。
圖12B說(shuō)明包括主體2601、顯示器部分2602、外殼2603、外部連接端口2604、遙控接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作鍵2609、和目鏡部分2610的攝像機(jī)。通過(guò)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件形成顯示部分2602可以完成是本發(fā)明的電子裝置之一的攝像機(jī)。
圖12C說(shuō)明包括外殼2401、顯示器部分2402、和揚(yáng)聲器部分2403的顯示裝置。通過(guò)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示器件形成顯示部分2402可以完成是本發(fā)明的電子裝置之一的顯示裝置。注意該顯示裝置包括用于顯示信息的任何顯示裝置，例如用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、用于接收TV廣播和用于顯示廣告的顯示裝置。
如上所述，本發(fā)明的申請(qǐng)范圍如此寬以致其能夠應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電子裝置。本實(shí)施例可以自由地與上述的實(shí)施方式和實(shí)施例結(jié)合。
本申請(qǐng)以2004年5月18日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)no.2004-147874和2004年6月25日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)no.2004-187673為基礎(chǔ)，其全部?jī)?nèi)容以引用的形式并入本文。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)；面板，其像素灰度級(jí)水平由轉(zhuǎn)換后的視頻信號(hào)控制，其中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，并且其中基于通過(guò)幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF。
2.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)；面板，其像素灰度級(jí)水平由轉(zhuǎn)換后的視頻信號(hào)控制，其中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，并且其中子幀比率RSF和由幀頻確定的共享比率Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
3.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)；面板，其像素灰度級(jí)水平由轉(zhuǎn)換后的視頻信號(hào)控制，其中當(dāng)總灰度級(jí)水平被三等分時(shí)，在中間和最高灰度級(jí)組中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，并且其中基于通過(guò)幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF。
4.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格轉(zhuǎn)換視頻信號(hào)；面板，其像素灰度級(jí)水平由轉(zhuǎn)換后的視頻信號(hào)控制，其中當(dāng)總灰度級(jí)水平被三等分時(shí)，在中間和最高灰度級(jí)組中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，并且其中子幀比率RSF和由幀頻確定的共享比率Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
5.一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體顯示器件的方法，包括將一個(gè)幀周期分成多個(gè)子幀周期；根據(jù)由幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF；和基于子幀比率RSF在該多個(gè)子幀周期中確定用于發(fā)光的子幀周期。
6.一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體顯示器件的方法，包括將一個(gè)幀周期分成多個(gè)子幀周期；根據(jù)由幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF；和基于子幀比率RSF在該多個(gè)子幀周期中確定用于發(fā)光的子幀周期，其中子幀比率RSF和共享比率Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
7.一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體顯示器件的方法，包括將一個(gè)幀周期分成多個(gè)子幀周期；根據(jù)由幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF；和當(dāng)總灰度級(jí)水平被三等分時(shí)，在中間和最高的灰度級(jí)組中基于子幀比率RSF確定多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期。
8.一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體顯示器件的方法，包括將一個(gè)幀周期分成多個(gè)子幀周期；根據(jù)由幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF；和當(dāng)總灰度級(jí)水平被三等分時(shí)，在中間和最高的灰度級(jí)組中基于子幀比率RSF確定多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期，其中子幀比率RSF和共享比率Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
13.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格產(chǎn)生控制信號(hào)；面板，其象素灰度級(jí)水平由該控制信號(hào)控制，其中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，以及其中基于由幀頻確定的共享比率Rsh計(jì)算子幀比率RSF。
14.一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，其中存儲(chǔ)視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系；控制器，用于根據(jù)該表格產(chǎn)生控制信號(hào)；面板，其象素灰度級(jí)水平由該控制信號(hào)控制，其中基于子幀比率RSF確定用于發(fā)光的子幀周期，以及其中子幀比率RSF和由幀頻確定的共享比率Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件結(jié)合到選自下述組中的電子裝置中，所述組包括諸如數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)的攝影機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、顯示裝置、便攜式電話和裝備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
22.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體顯示器件，其中該半導(dǎo)體顯示器件是選自包含發(fā)光器件、液晶顯示器件、數(shù)字微鏡器件、等離子體顯示面板和場(chǎng)致發(fā)射顯示器的組中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體顯示器件，其較少產(chǎn)生偽輪廓，同時(shí)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率得到抑制。而且，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體顯示器件，其較少產(chǎn)生偽輪廓，同時(shí)圖像質(zhì)量的下降得到抑制。一種半導(dǎo)體顯示器件，包括表格，存儲(chǔ)用于確定視頻信號(hào)的灰度級(jí)水平和在多個(gè)子幀周期中用于發(fā)光的子幀周期之間的關(guān)系的數(shù)據(jù)；控制器，用于根據(jù)該數(shù)據(jù)改變視頻信號(hào)并輸出；以及面板，根據(jù)輸出的視頻信號(hào)控制其像素灰度級(jí)水平。對(duì)于2或更高的灰度級(jí)水平中的每一個(gè)，根據(jù)依照由幀頻確定的共享比率R
文檔編號(hào)G09G3/30GK1700282SQ200510071
公開(kāi)日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2005年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月18日
發(fā)明者宮川惠介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所