專利名稱：有機發(fā)光顯示屏的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示屏，更具體地，涉及一種能夠防止圖像質(zhì)量劣化的有機發(fā)光顯示屏，以及制造該有機發(fā)光顯示屏的方法。
背景技術：
有機發(fā)光顯示屏是一種通過對熒光有機化合物進行電激勵來發(fā)光，并通過驅(qū)動N×M有機發(fā)光二極管(OLED)來顯示圖像的自發(fā)光顯示屏。
有機發(fā)光顯示屏所用的驅(qū)動方法有兩種，即，無源矩陣(PM)方法和有源矩陣(AM)方法。在無源矩陣方法的情況下，彼此垂直地形成陽極和陰極并通過選擇線來驅(qū)動顯示屏。在有源矩陣方法的情況下，晶體管和電容器與銦錫氧化物(ITO)所形成的像素電極相連接，并通過維持電容器的電容所產(chǎn)生的電壓來驅(qū)動顯示屏。
圖1是現(xiàn)有技術的AM型有機發(fā)光顯示屏的單位像素的電路圖。
參照圖1，第二晶體管T2與OLED相連接，并提供發(fā)光所用的驅(qū)動電流。由通過第一晶體管T1施加的電壓來控制第二晶體管T2的驅(qū)動電流的量。第一晶體管T1和第二晶體管T2是PMOS晶體管。
用于在預定時間段內(nèi)維持電壓的電容C1連接在第二晶體管T2的源極和柵極之間。第二晶體管T2的源極與用來提供電壓VDD的電源相連接。第一晶體管T1的柵極與選通線GL相連接，從而向其柵極提供選擇信號。第一晶體管T1的源極與數(shù)據(jù)線DL相連接，從而向其源極提供數(shù)據(jù)電壓。
下面將說明圖1的有機發(fā)光顯示屏的操作。
當?shù)谝痪w管T1響應于對其柵極施加的選擇信號而導通時，數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線施加到第二晶體管T2的柵極，即，節(jié)點X。因此，第二晶體管T2導通，從而流經(jīng)所導通的第二晶體管T2的驅(qū)動電流對OLED進行驅(qū)動。
第二晶體管T2的驅(qū)動電流(I)由以下公式1給出，該公式與通用場效應管(FET)的公式相同。
I＝K(Vgs-Vth)2(公式1)其中K=12μCox(WL)]]>其中K是常數(shù)，Vgs是第二晶體管T2的柵極和源極之間的電壓，Vth是第二晶體管T2的閾值電壓，μ是遷移率(mobility)，Cox是氧化物電容，即第二晶體管T2的柵極的單位面積的電容，而W和L分別是第二晶體管T2的溝道的寬度和長度。
因此，第二晶體管T2的驅(qū)動電流(I)受到該第二晶體管T2的柵極和源極之間的電壓(Vgs)、以及該第二晶體管T2的閾值電壓的控制。OLED的亮度受驅(qū)動電流的控制。
AM型有機發(fā)光顯示屏使用選擇信號來選擇目標像素，并由因數(shù)據(jù)電壓而流經(jīng)第二晶體管T2的驅(qū)動電流來驅(qū)動OLED。
圖2示出了制造現(xiàn)有技術的有機發(fā)光顯示屏的工藝。
參照圖2，使用受激準分子激光器(Excimer laser)的激光能量將非晶硅(a-Si)薄膜基板晶化為多晶硅(poly-Si)薄膜基板。這種多晶硅薄膜基板的質(zhì)量由多個參數(shù)確定。具體地，其對于受激準分子激光器的激光能量非常敏感。即，由于激光功率的強度隨時間而不穩(wěn)定，因此多晶硅薄膜基板的質(zhì)量也變得不穩(wěn)定。
利用激光在一個方向(即，掃描方向)掃描非晶硅薄膜基板，將該非晶硅薄膜基板晶化為多晶硅薄膜基板。因此，多晶硅薄膜基板的質(zhì)量在掃描方向上具有非均勻的特性，而在垂直于掃描方向的方向上具有均勻的特性。
因此，如果多晶硅薄膜基板具有非均勻特性，則驅(qū)動晶體管(即，圖1中的第二晶體管T2)的閾值電壓(Vth)會有所變化。因此，設置在各個像素處的驅(qū)動晶體管的所有閾值電壓都有所不同，從而流經(jīng)這些驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流有所不同。因此，無法獲得所需的灰度級。
如果在上述方式下對非均勻晶化的多晶硅薄膜基板進行驅(qū)動，如圖3所示，就會顯示出帶有條紋圖案的圖像。這種問題是由顯示屏的非均勻晶化的基板中的各個驅(qū)動晶體管的閾值電壓的變化造成的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種有機發(fā)光顯示屏，以及制造該有機發(fā)光顯示屏的方法，其能夠基本上消除現(xiàn)有技術的局限和缺點所導致的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠防止圖像質(zhì)量劣化的有機發(fā)光顯示屏，以及制造該有機發(fā)光顯示屏的方法。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征部分地在以下的說明中闡述，并且對于本領域的技術人員來說，部分地可通過對下文的研究而變得顯而易見，或者可以通過對本發(fā)明的實踐而習得?？梢酝ㄟ^書面說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構，來獲得本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體實施和廣義描述的，提供了一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括第一至第四晶體管；以及與第一至第四晶體管之一相連接的電容器，其中第一至第四晶體管中的兩個用作開關裝置，第一至第四晶體管中的一個用作驅(qū)動裝置，并且第一至第四晶體管中的一個用作二極管裝置。
本發(fā)明的一個方面提供了一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括第一晶體管，其連接至數(shù)據(jù)線并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其連接至第一和第三晶體管并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其連接至第一晶體管并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其連接至第三晶體管并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示器件，其包括多個單位像素，每個單位像素都包括第一晶體管，其連接至數(shù)據(jù)線并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其連接至第一和第三晶體管并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其連接至第一晶體管并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其連接至第三晶體管并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地來控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種顯示器件，包括第一晶體管，其連接至第一節(jié)點，用來響應于第一選擇信號而初始化該第一節(jié)點；第二晶體管，其連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間，用來響應于第二選擇信號而初始化第二節(jié)點；第三晶體管，其連接至第一節(jié)點，用來向第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)電壓，該數(shù)據(jù)電壓下降第一閾值電壓那么多；以及第四晶體管，其連接至第二節(jié)點，用來向有機發(fā)光二極管(OLED)提供驅(qū)動電流，該第四晶體管具有第二閾值電壓，以對第一閾值電壓進行補償。
依據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括連接至數(shù)據(jù)線的第一元件；第一和第二選擇信號線，用來分別提供第一和第二選擇信號；第二元件，其連接至第一元件并受第二選擇信號的控制；第三元件，其連接至第一元件并受第一選擇信號的控制；以及第四元件，其連接至第三元件，并向有機發(fā)光二極管(OLED)提供驅(qū)動電流。
依據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示器件的方法，該方法包括形成包括多個單位像素的有機發(fā)光顯示板的步驟，每個單位像素都包括第一晶體管，其連接至數(shù)據(jù)線并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其連接至第一和第三晶體管并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其連接至第一晶體管并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其連接至第三晶體管并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
應該理解，本發(fā)明的以上一般說明和以下詳細說明是示例性和說明性的，旨在為要求保護的本發(fā)明提供進一步的說明。


所包括的附圖用來提供對本發(fā)明進一步的理解，其被并入并構成本申請一部分的附圖，示出了本發(fā)明的實施例，并連同說明書一起，用于說明本發(fā)明的原理。附圖中圖1是現(xiàn)有技術的AM型有機發(fā)光顯示屏的單位像素的電路圖；圖2示出了制造這種現(xiàn)有技術有機發(fā)光顯示屏的工藝；圖3示出了由非均勻晶化的多晶硅薄膜所導致的條紋圖案；圖4A和4B分別是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；圖5A和5B分別是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；圖6A和6B分別是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；圖7A和7B分別是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；圖8A和8B分別是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；圖9A和9B分別是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形；而圖10A和10B分別是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。
具體實施例方式
下面將具體說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，附圖中示出了它們的示例。只要有可能，就在所有附圖中使用相同的標號來表示相同或相似的部分。
圖4A和4B分別是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。盡管在這兩個附圖以及后續(xù)附圖中僅示出了一個單位像素，但是應該理解，有機發(fā)光二極管顯示器件包括OLED板，而OLED板包括形成為矩陣結(jié)構的多個這種單位像素，帶有如下所述合理設置的多條信號線。
參照圖4A和4B，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示屏的單位像素中，第一晶體管T1具有柵極和漏極，它們共同連接至第一節(jié)點A1，從而用作二極管；以及源極，其連接至用來提供數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)據(jù)線。第二晶體管T2具有柵極，其連接至用來提供第二選擇信號Select 2的第二選擇信號線；源極，其連接至第一節(jié)點A1；以及漏極，其連接至用來提供初始化電壓Vint的初始化電壓線。第三晶體管T3具有柵極，其連接至用來提供第一選擇信號Select 1的第一選擇信號線；源極，其連接至第一節(jié)點A1；以及漏極，其連接至第二節(jié)點B1。第四晶體管T4具有柵極，其連接至第二節(jié)點B1；源極，其連接至用來提供電源電壓VDD的電源線；以及連接至OLED的漏極。此外，電容器C1連接在第二節(jié)點B1和電源電壓VDD之間。該單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
由于第一晶體管T1具有二極管功能，所以其允許驅(qū)動電流正向流動，而不允許反向流動。另外，第一晶體管T1將數(shù)據(jù)電壓Vdata與該第一晶體管T1的閾值電壓之間的電壓差提供給第一節(jié)點A1。
第二晶體管T2和第三晶體管T3具有開關功能。即，第二晶體管T2響應于第二選擇信號Select 2而導通，從而將初始化信號Vint提供給第一節(jié)點A1。第三晶體管T3響應于第一選擇信號Select 1而導通，從而將第一節(jié)點A1的電壓提供給第二節(jié)點B1。在這種情況下，電容器C1被充電至電源電壓VDD與第二節(jié)點B1的電壓之間的電壓差。
第四晶體管T4是用來驅(qū)動OLED的晶體管。在電容器C1被充電電壓導通時，驅(qū)動電流流過該第四晶體管從而使OLED發(fā)光。
在本實施例中，第一晶體管T1和第四晶體管T4被設計為具有相同的晶體結(jié)構，從而使得第一和第四晶體管T1和T4的閾值電壓Vth1和Vth4彼此相等。
由于第一和第四晶體管T1和T4的閾值電壓Vth1和Vth4彼此相等，所以第四晶體管T4的驅(qū)動電流不會受閾值電壓的影響。因此就獲得了各個像素的均勻亮度，進而防止了亮度的不均勻而導致的圖像質(zhì)量的劣化。
第一至第四晶體管T1至T4是PMOS晶體管。
下面將說明這種有機發(fā)光顯示屏中的圖4A的單位像素的操作。
如圖4B所示，第二選擇信號Select 2具有低電平脈沖，第一選擇信號Select 1隨后具有預定部分與第二選擇信號Select 2重疊的低電平脈沖。與第二選擇信號Select 2的上升時刻同步地生成了高電平的數(shù)據(jù)電壓Vdata。
當?shù)诙w管T2響應于低電平的第二選擇信號Select 2而導通時，初始化電壓Vint通過第二晶體管T2對節(jié)點A1進行初始化。
第三晶體管T3響應于低電平的第一選擇信號Select 1而導通，該低電平的第一選擇信號Select 1的預定部分與第二選擇信號Select 2重疊。
當?shù)诙偷谌w管T2和T3被第一和第二選擇信號Select 1和Select 2同時保持在導通狀態(tài)時，第一節(jié)點A1處的初始化電壓Vint被提供至第二節(jié)點B1，從而將第二節(jié)點B1初始化為該初始化電壓Vint。
在第三晶體管T3處于導通狀態(tài)時，第二晶體管T2響應于第二選擇信號Select 2而截止，并且同時通過第一晶體管T1施加了數(shù)據(jù)電壓Vdata。
由于在流過第一晶體管T1時數(shù)據(jù)電壓Vdata下降了第一晶體管T1的閾值電壓Vth1那么多，所以第一節(jié)點A1處被充電為數(shù)據(jù)電壓Vdata與第一晶體管T1的閾值電壓Vth1之間的差電壓Vdata-Vth1。
在第一節(jié)點A1處所充的差電壓Vdata-Vth1流經(jīng)導通后的第三晶體管T3，然后對第二節(jié)點B1進行充電。
在這種狀態(tài)下，如果第三晶體管T3響應于高電平的第一選擇信號Select 1而截止，第二節(jié)點B1就保持該差電壓Vdata-Vth1。
這種情況下，第四晶體管T4的柵-源電壓Vgs變?yōu)殡娫措妷篤DD與差電壓Vdata-Vth1之間的差電壓Vdd-(Vdata-Vth1)。隨后在一幀內(nèi)將電容器C1充電至該差電壓Vdd-(Vdata-Vth1)。
除了公式(1)中的(Vgs-Vth)可以表示為Vgs-|Vth|＝VDD-(Vdata-Vth1)-|Vth|以外，流過第四晶體管T4的漏極的驅(qū)動電流(I)同樣由以上公式(1)給出。
在多晶硅晶化工藝中，通過將第一和第四晶體管T1和T4設計為具有相同的晶化方向，可使它們具有相等的閾值電壓。因此，第一晶體管T1的閾值電壓Vth1與第四晶體管T4的閾值電壓Vth4相等。
因此，由于Vth1＝Vth4，第四晶體管T4的柵-源電壓與第四晶體管T4的閾值電壓Vth4之間的差電壓變?yōu)閂gs-Vth4＝VDD-(Vdata-Vth1)-Vth4＝VDD-Vdata。
從以上公式可以看出，由于第四晶體管T4的驅(qū)動電流僅與數(shù)據(jù)電壓Vdata和電源電壓VDD有關，而與它的閾值電壓無關，所以能夠利用第四晶體管T4來正確地控制驅(qū)動電流。因此，可以通過可靠的第四晶體管T4的驅(qū)動電流來使OLED發(fā)光，由此獲得所需的亮度。因此，可以防止亮度不均所帶來的圖像質(zhì)量劣化。
同時，在初始化操作過程中，會有強電流流過OLED。這種情況下，會很難表示暗灰度值，并且對比度也可能會降低。
為了解決這些問題，如圖5A和5B所示提供了第二實施例。
圖5A和5B分別是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖5A中的單位像素的所有元件都被可操作地連接。
第二實施例類似于第一實施例。不過，區(qū)別在于第二實施例還包括第五晶體管T5。即，在第四晶體管T4和OLED之間設置了第五晶體管T5。
第五晶體管T5具有柵極，其連接至用來提供第三選擇信號Select3的第三選擇信號線；源極，其連接至第四晶體管T4的漏極；以及連接至OLED的漏極。
圖5A中，第一至第五晶體管T1至T5是PMOS晶體管。
如圖5B所示，為了進行初始化，當?shù)碗娖降牡谝贿x擇信號Select 1施加到第三晶體管T3上時，將連接至第五晶體管T5的第三選擇信號Select 3設置為高電平。即，在初始化過程中，第一選擇信號Select 1具有與第三選擇信號Select 3相反的相位。
與第一實施例相同，為了使第四晶體管T4的驅(qū)動電流與第四晶體管T4的閾值電壓無關，在第二實施例中，第一和第四晶體管T1和T4被設計為具有相同的晶化方向，從而第一晶體管T1的閾值電壓Vth1可以與第四晶體管T4的閾值電壓Vth4相等。
下面將說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的圖5A的有機發(fā)光顯示屏的操作。
當?shù)诙w管T2響應于低電平的第二選擇信號Select 2而導通時，初始化電壓Vint流過第二晶體管T2并對第一節(jié)點A2進行初始化。
第三晶體管T3響應于低電平的第一選擇信號Select 1而導通，該第一選擇信號Select 1的預定部分與第二選擇信號Select 2重疊。
當?shù)诙偷谌w管T2和T3響應于第一和第二選擇信號Select 1和Select 2都導通時，對第一節(jié)點A2充電的初始化信號Vint被提供給第二節(jié)點B2，并由此將第二節(jié)點B2初始化為該初始化電壓Vint。
當?shù)谌w管T3響應于第一選擇信號Select 1導通，以對第二節(jié)點B2進行初始化時，第五晶體管T5同時響應于相位與第一選擇信號Select1的相位相反的高電平的第三選擇信號Select 3而截止。因此，利用截止的第五晶體管T5防止了強電流因?qū)说谌w管T3而對第二節(jié)點B2施加的初始化電壓而流過OLED。
同時，盡管第三晶體管T3是導通的，但第二晶體管T2卻響應于高電平的第二選擇信號Select 2而截止，并且同時，通過第一晶體管T1施加數(shù)據(jù)電壓Vdata。
由于在流過第一晶體管T1時數(shù)據(jù)電壓Vdata降低了第一晶體管T1的閾值電壓Vth1那么多，所以第一節(jié)點A2處被充電了數(shù)據(jù)電壓Vdata與第一晶體管T1的閾值電壓Vth1之間的差電壓Vdata-Vth1。
在第一節(jié)點A2處所充電的差電壓Vdata-Vth1流經(jīng)導通后的第三晶體管T3，然后對第二節(jié)點B2進行充電。
在這種狀態(tài)下，如果第三晶體管T3響應于高電平的第一選擇信號Select 1而截止，第二節(jié)點B 1就保持該差電壓Vdata-Vth1。
因此，相位與第一選擇信號Select 1相反的第三選擇信號Select 3具有低電平，從而第五晶體管T5響應于低電平的第三選擇信號Select 3而導通。
因此，當?shù)诙?jié)點B2被初始化時，第五晶體管T5截止，從而不會有強電流流過OLED，OLED不會受到影響。此后，當在第二節(jié)點B2處充電了數(shù)據(jù)電壓Vdata與第一晶體管T1的閾值電壓Vth1之間的差電壓Vdata-Vth1時，第五晶體管T5導通，從而第四晶體管T4的驅(qū)動電流流過OLED。
在這種情況下，第四晶體管T4的柵-源電壓Vgs變?yōu)殡娫措妷篤DD與所述差電壓Vdata-Vth1之間的差電壓VDD-(Vdata-Vth1)。該差電壓VDD-(Vdata-Vth1)在一幀內(nèi)充電在電容器C1處。
除了公式(1)中的(Vgs-Vth)可以表示為Vgs-|Vth|＝VDD-(Vdata-Vth1)-|Vth|以外，流過第四晶體管T4的漏極的驅(qū)動電流(I)同樣由以上公式(1)給出。
在多晶硅晶化工藝中，通過將第一和第四晶體管T1和T4設計為具有相同的晶化方向，可使它們具有相等的閾值電壓。因此，第一晶體管T1的閾值電壓Vth1變?yōu)榕c第四晶體管T4的閾值電壓Vth4相等。
因此，由于Vth1＝Vth4，第四晶體管T4的柵-源電壓與第四晶體管T4的閾值電壓Vth4之間的差電壓變?yōu)閂gs-Vth4＝VDD-(Vdata-Vth1)-Vth4＝VDD-Vdata。
由于第四晶體管T4的驅(qū)動電流僅與數(shù)據(jù)電壓Vdata和電源電壓VDD有關，而與它的閾值電壓無關，所以能夠利用第四晶體管T4來正確地控制驅(qū)動電流。因此，可以通過可靠的第四晶體管T4的驅(qū)動電流來使OLED發(fā)光，由此獲得了所需的亮度。因此，可以防止亮度不均所帶來的圖像質(zhì)量劣化。
此外，第二節(jié)點B2被初始化后，防止了強電流流過OLED。通過能夠表示暗灰度級以及防止對比度的降低，可以進一步提高圖像質(zhì)量。
圖6A和6B分別是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖6A中的單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
參照圖6A和6B，第三實施例類似于圖5A所示的第二實施例，而區(qū)別在于第二晶體管T2的漏極連接在第五晶體管T5和OLED之間。因此，可以將OLED中殘留的電壓用作初始化電壓，從而不再需要單獨的初始化電壓線和/或初始化電壓源。
由于第三實施例的基本操作與第二實施例相同，故以下說明中將側(cè)重于二者的區(qū)別。
第二晶體管T2響應于低電平的第二選擇信號Select 2而導通，從而對有機發(fā)光顯示屏的單位像素進行初始化。因此，OLED中的殘留電壓通過第二晶體管T2對第一節(jié)點A3進行初始化。
對第一節(jié)點A3進行了初始化以后，再對第二節(jié)點B3進行初始化，從而數(shù)據(jù)電壓Vdata與第一晶體管T1的閾值電壓Vth1之間的差電壓通過第一晶體管T1對第二節(jié)點B3進行充電。由于第三實施例中的單位像素的元件的后續(xù)操作與第二實施例的相同，故省略對其的詳細描述。
在第三實施例中，單位象素的OLED中殘留的電壓被用作初始化電壓，因此無需單獨提供用來提供Vint的初始化電壓線。因此，可以簡化該單位像素的電路結(jié)構，并可以減少信號線的數(shù)量。
圖7A和7B分別是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖7A中的單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
參照圖7A和7B，第四實施例類似于圖5A所示的第二實施例，不過區(qū)別在于第二晶體管T2的柵極和漏極共同連接至第二選擇信號Select2，而并未設置單獨的用來提供Vint的初始化電壓線/源。因此，可以將第二選擇信號Select 2用作初始化電壓。此外，優(yōu)選地，第二晶體管T2是NMOS晶體管，其響應于高電平的第二選擇信號Select 2而導通。其它晶體管T1和T3至T5仍為PMOS晶體管。
當施加了高電平的第二選擇信號Select 2時，第二晶體管T2導通，從而由第二選擇信號Select 2來初始化第一節(jié)點A3。
由于第四實施例的基本操作與第二實施例的相同，故以下說明中將側(cè)重于二者的區(qū)別。
第二晶體管T2響應于高電平的第二選擇信號Select 2而導通，從而對有機發(fā)光顯示屏的單位像素進行初始化。
同時，高電平的第二選擇信號Select 2通過第二晶體管T2對第一節(jié)點A4充電，并由此對第一節(jié)點A4進行初始化。
由于第四實施例中的單位像素的元件的后續(xù)操作與第二實施例的相同，故省略對其的詳細描述。
在第四實施例中，第二晶體管T2的柵極和漏極共同連接至第二選擇信號線Select 2。因此，第二選擇信號Select 2可以用作初始化電壓，因此無需單獨提供用來提供Vint的初始化電壓線/源。因此，可以簡化該單位像素的結(jié)構，并可以減少信號線的數(shù)量。
圖8A和8B分別是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖8A中的單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
參照圖8A和8B，第五實施例類似于圖5A所示的第二實施例，不過區(qū)別在于第五晶體管T5連接至第一選擇信號Select 1，從而在通過響應于第一選擇信號Select 1而導通的第三晶體管T3對第二節(jié)點B5進行初始化的同時，第五晶體管響應于第一選擇信號Select 1而截止，由此防止了強電流流過OLED。由于第五晶體管T5受第一選擇信號Select 1的控制，所以無需單獨設置用來提供第三選擇信號Select 3的第三選擇信號線。
因此，可以同時由第一選擇信號Select 1來控制第三和第五晶體管T3和T5的開關操作。這種情況下，第三和第五晶體管T3和T5應當是相反類型的晶體管。例如，如果第三晶體管T3是PMOS晶體管，那么第五晶體管T5就是NMOS晶體管。
由于第五實施例中的單位像素的元件的后續(xù)操作與第二實施例的相同，故省略對其的詳細描述。
圖9A和9B分別是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖9A中的單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
參照圖9A和9B，第六實施例類似于圖5A所示的第二實施例，不過區(qū)別在于第二晶體管T2的柵極和漏極共同連接至第二選擇信號Select2，使得無需單獨的初始化電壓線，并且施加第二選擇信號Select 2后，可以將其用作初始化電壓。在這一點上，第二晶體管是NMOS晶體管，從而當被因此用作初始化電壓的第二選擇信號Select 2為高電平時，第二晶體管導通。另外，通過將第五晶體管T5的柵極連接至第一選擇信號Select 1，可以由第一選擇信號Select 1來同時控制第三和第五晶體管T3和T5的開關操作，因此防止了強電流在初始化操作過程中流過OLED。在這種情況下，晶體管T3和T5是相反類型的晶體管。在該示例中，晶體管T3和T5分別是PMOS晶體管和NMOS晶體管。因此，無需單獨的第三選擇信號線。
也就是說，在第六實施例中，不需要用來提供初始化電壓的信號線以及用來控制第五晶體管的信號線。因此，可以減少信號線的數(shù)量，從而能夠簡化單位像素的電路結(jié)構。
圖10A和10B分別是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的AM型有機發(fā)光顯示屏中的單位像素的電路圖和驅(qū)動波形。圖10A中的單位像素的所有元件都進行了可操作連接。
參照圖10A和10B，第七實施例類似于圖5A所示的第二實施例，而區(qū)別在于第二晶體管T2的漏極連接在第五晶體管T5和OLED之間。因此，可以將OLED中殘留的電壓用作第二晶體管T2的初始化操作過程中的初始化電壓，從而不再需要單獨的初始化電壓線。另外，通過將第五晶體管T5的柵極連接至第一選擇信號Select 1，可以由第一選擇信號Select 1來同時控制第三和第五晶體管T3和T5的開關操作，因此防止了強電流在初始化操作過程中流過OLED。因此，無需單獨的第三選擇信號線/源。這種情況下，因為晶體管T3和T5應該被彼此相反地開關，所以它們應該是相反類型的晶體管，例如PMOS和NMOS晶體管。
更具體地來講，當?shù)诙w管T2響應于低電平的第二選擇信號Select 2而導通以進行初始化時，殘留在OLED中的電壓通過第二晶體管T2被提供至第一節(jié)點A7，以對第一節(jié)點A7進行初始化。
當被施加了低電平的第一選擇信號Select 1時，PMOS晶體管構成的第三晶體管T3響應于該低電平的第一選擇信號Select 1而導通，而NMOS晶體管構成的第五晶體管T5同時截止。因此，由流過第三晶體管T3的第一節(jié)點A7的電壓對第二節(jié)點B7進行初始化，從而通過第五晶體管T5的截止操作防止了第四晶體管T4所產(chǎn)生的強電流流過OLED。
由于第七實施例中的單位像素的元件的后續(xù)操作與第二實施例的相同，故省略對其的詳細描述。
在第七實施例中，OLED中殘留的電壓被用作初始化電壓，從而無需單獨提供用來提供Vint的初始化電壓線和/或初始化電壓源。因此，可以降低功耗。此外，由于第三和第五晶體管T3和T5的開關操作同時受第一選擇信號Select 1的控制，所以可以減少信號線的數(shù)量，從而能夠簡化單位像素的電路結(jié)構。
在本發(fā)明的這幾個實施例中，并行的數(shù)據(jù)線與并行的第一選擇信號線正交，某些實施例中出現(xiàn)的第二和/或第三選擇信號線平行于如那些圖中所示數(shù)據(jù)線設置。然而，本發(fā)明并不限于信號線的這種布局，而是包含其它合適的信號線布局。
盡管以上說明了顯示屏的各個單位像素中的特定類型的晶體管，但也可以使用其它類型的晶體管或開關裝置，只要它們可以實現(xiàn)上述的操作和效果即可。例如，在任何提到使用PMOS晶體管的地方都可以用NMOS晶體管來代替，并且在任何提到使用NMOS晶體管的地方都可以用PMOS晶體管來代替。
此外，根據(jù)制造本發(fā)明中的OLED的方法，使用現(xiàn)有技術來制造具有上述單位像素的OLED。
如上所述，驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流不受該晶體管的閾值電壓的影響，由此通過解決了由晶體管中的閾值電壓不均導致的亮度不均的問題，防止了圖像質(zhì)量劣化。
此外，如這幾個實施例中所述，可以減少信號線的數(shù)量，并由此可以簡化單位像素的電路結(jié)構。
對于本領域的技術人員來說，顯而易見的，可以對本發(fā)明進行多種變型和修改。因此，本發(fā)明旨在覆蓋這些變化和修改，只要它們落入所附權利要求及其等同物的保護范圍之內(nèi)。
本申請要求2004年8月13日提交的韓國專利申請No.10-2004-0063752的優(yōu)先權，此處通過引用并入其全部內(nèi)容。
權利要求
1.一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括第一至第四晶體管；以及與所述第一至第四晶體管之一連接的電容器，其中所述第一至第四晶體管中的兩個用作開關裝置，所述第一至第四晶體管中的一個用作驅(qū)動裝置，并且所述第一至第四晶體管中的一個用作二極管裝置。
2.根據(jù)權利要求1所述的單位像素，還包括第五晶體管，與所述第一至第四晶體管之一相連接，用來控制來自與所述第五晶體管連接的所述第一至第四晶體管之一的電流。
3.一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括第一晶體管，其與數(shù)據(jù)線相連接并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其與第一和第三晶體管連接并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其與第一晶體管連接并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其與第三晶體管相連接并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
4.根據(jù)權利要求3所述的單位像素，其中所述第一電壓閾值等于第四電壓閾值。
5.根據(jù)權利要求3所述的單位像素，還包括分別用來提供第一和第二選擇信號的第一選擇信號線和第二選擇信號線。
6.根據(jù)權利要求3所述的單位像素，還包括用來向所述第二晶體管提供初始化電壓的初始化電壓線。
7.根據(jù)權利要求3所述的單位像素，還包括有機發(fā)光二極管(OLED)；以及第五晶體管，其連接在所述第四晶體管和所述OLED之間，用來防止來自所述第四晶體管的電流在初始化操作過程中流過所述OLED。
8.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中所述第五晶體管受第三選擇信號的控制。
9.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中來自所述OLED的電壓用作所述第二晶體管的初始化電壓。
10.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中所述第二選擇信號用作所述第二晶體管的初始化電壓。
11.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中所述第一選擇信號對所述第三晶體管和第五晶體管進行控制。
12.根據(jù)權利要求11所述的單位像素，其中所述第二選擇信號用作第二晶體管的初始化電壓。
13.根據(jù)權利要求11所述的單位像素，其中來自所述OLED的電壓用作第二晶體管的初始化電壓。
14.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中所述第一至第五晶體管的類型相同。
15.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中所述第三和第五晶體管是相反類型的晶體管。
16.根據(jù)權利要求7所述的單位像素，其中至少第二和第五晶體管與第一、第三和第四晶體管的類型相反。
17.根據(jù)權利要求3所述的單位像素，還包括連接在所述第三晶體管和電壓源之間的電容器。
18.一種有機發(fā)光顯示器件，包括多個單位像素，每個單位像素都包括第一晶體管，其與數(shù)據(jù)線相連接并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其與所述第一晶體管和第三晶體管相連接并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其與所述第一晶體管相連接并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其與第三晶體管相連接并具有第四電壓閾值，從而可以與所述第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
19.根據(jù)權利要求18所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，所述第一電壓閾值與所述第四電壓閾值相等。
20.根據(jù)權利要求18所述的顯示器件，其中所述各個單位像素還包括有機發(fā)光二極管(OLED)；以及第五晶體管，其連接在所述第四晶體管和所述OLED之間，用來防止來自所述第四晶體管的電流在初始化操作過程中流過所述OLED。
21.根據(jù)權利要求20所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，所述第五晶體管受第三選擇信號的控制。
22.根據(jù)權利要求20所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，來自OLED的電壓用作所述第二晶體管的初始化電壓。
23.根據(jù)權利要求20所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，第二選擇信號用作所述第二晶體管的初始化電壓。
24.根據(jù)權利要求20所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，所述第一選擇信號控制第三和第五晶體管。
25.根據(jù)權利要求24所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，所述第二選擇信號用作第二晶體管的初始化電壓。
26.根據(jù)權利要求24所述的顯示器件，其中對于各個單位像素，來自所述OLED的電壓用作所述第二晶體管的初始化電壓。
27.一種顯示器件，包括第一晶體管，其連接至第一節(jié)點，用來響應于第一選擇信號而初始化該第一節(jié)點；第二晶體管，其連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間，用來響應于第二選擇信號而初始化第二節(jié)點；第三晶體管，其連接至第一節(jié)點，用來向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)電壓，該數(shù)據(jù)電壓下降第一閾值電壓那么多；以及第四晶體管，其連接至第二節(jié)點，用來向有機發(fā)光二極管(OLED)提供驅(qū)動電流，該第四晶體管具有第二閾值電壓，以對第一閾值電壓進行補償。
28.根據(jù)權利要求27所述的顯示器件，還包括第五晶體管，其連接在所述第四晶體管和所述OLED之間，用來響應于第三選擇信號，在初始化操作期間阻止來自所述第四晶體管的電流流向所述OLED。
29.根據(jù)權利要求27所述的顯示器件，還包括第五晶體管，其連接在所述第四晶體管和所述OLED之間，用來響應于所述第一選擇信號，在初始化操作期間阻止來自所述第四晶體管的電流流向所述OLED。
30.根據(jù)權利要求27所述的顯示器件，其中所述第一閾值電壓與所述第二閾值電壓相等。
31.一種用于有機發(fā)光顯示屏的單位像素，該單位像素包括連接至數(shù)據(jù)線的第一元件；第一和第二選擇信號線，用來分別提供第一和第二選擇信號；第二元件，其連接至第一元件并受第二選擇信號的控制；第三元件，其連接至第一元件并受第一選擇信號的控制；以及第四元件，其連接至所述第三元件，并向有機發(fā)光二極管(OLED)提供驅(qū)動電流。
32.根據(jù)權利要求31所述的單位像素，其中第一、第二、第三和第四元件為晶體管。
33.根據(jù)權利要求31所述的單位像素，還包括第五元件，受所述第一選擇信號或第三選擇信號的控制，用來防止電流在第三元件的初始化期間流過OLED。
34.一種制造有機發(fā)光顯示器件的方法，該方法包括形成包括多個單位像素的有機發(fā)光顯示板的步驟，每個單位像素都包括第一晶體管，其與數(shù)據(jù)線相連接并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其與第一晶體管和第三晶體管相連接并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其與所述第一晶體管相連接并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其與所述第三晶體管相連接并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
35.根據(jù)權利要求34所述的方法，其中所述第一電壓閾值與所述第四電壓閾值相等。
36.根據(jù)權利要求34所述的方法，還包括以下步驟為各個單位像素形成第一和第二選擇信號線，分別用來提供第一和第二選擇信號。
37.根據(jù)權利要求34所述的方法，還包括以下步驟形成初始化電壓線，用來向各個單位像素中的所述第二晶體管提供初始化電壓。
38.根據(jù)權利要求34所述的方法，還包括以下步驟在各個單位像素中形成有機發(fā)光二極管(OLED)；以及在各個單位像素中形成第五晶體管，其連接在所述第四晶體管和所述OLED之間，用來防止來自所述第四晶體管的電流在初始化操作期間流向所述OLED。
39.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第五晶體管受第三選擇信號的控制。
40.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，來自所述OLED的電壓用作第二晶體管的初始化電壓。
41.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第二選擇信號用作所述第二晶體管的初始化電壓。
42.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第一選擇信號控制所述第三和第五晶體管。
43.根據(jù)權利要求42所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第二選擇信號用作第二晶體管的初始化電壓。
44.根據(jù)權利要求42所述的方法，其中對于各個單位像素，來自所述OLED的電壓用作所述第二晶體管的初始化電壓。
45.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第一至第五晶體管的類型相同。
46.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，所述第三和第五晶體管是相反類型的晶體管。
47.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中對于各個單位像素，至少所述第二和第五晶體管的類型與第一、第三和第四晶體管類型相反。
48.根據(jù)權利要求34所述的方法，還包括以下步驟在各個單位像素中形成電容器，該電容器連接在所述第三晶體管和電壓源之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠防止圖像質(zhì)量劣化的有機發(fā)光顯示屏，以及制造這種有機發(fā)光顯示屏的方法。用于這種有機發(fā)光顯示屏的單位像素包括第一晶體管，其連接至數(shù)據(jù)線并具有第一電壓閾值；第二晶體管，其連接至第一和第三晶體管并受第二選擇信號的控制；第三晶體管，其連接至第一晶體管并受第一選擇信號的控制；以及第四晶體管，其連接至第三晶體管并具有第四電壓閾值，從而可以與第四電壓閾值無關地控制該第四晶體管的驅(qū)動電流。
文檔編號G09G3/30GK1735293SQ200510072058
公開日2006年2月15日 申請日期2005年5月25日 優(yōu)先權日2004年8月13日
發(fā)明者許晉 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社