專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種利用子場表示灰度的等離子顯示裝置驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置是利用通過氣體放電而產(chǎn)生的等離子來顯示字符或圖像的平板顯示器。等離子顯示裝置的等離子顯示面板(PDP)按照其大小包括以矩陣模式排列的幾十萬到幾百萬以上的象素。等離子顯示裝置的幀被分成多個具有各自權(quán)值的子場，然后被驅(qū)動，而灰度通過所述子場的結(jié)合來表現(xiàn)(或表示)。在所述等離子顯示裝置的面板(即，PDP)上，一個場(例如，1個TV場)被分成多個分別具有權(quán)值的子場。灰度通過所述多個子場中的使用其執(zhí)行顯示操作的子場的權(quán)值的結(jié)合來表示。每個子場具有尋址周期，在該尋址周期中，執(zhí)行從多個放電室中選擇發(fā)光的放電室和不發(fā)光的放電室的尋址操作。每個子場還包括維持周期，在該維持周期中，在被選擇的放電室中發(fā)生維持放電，以在所述子場權(quán)值相應(yīng)的周期期間執(zhí)行顯示操作。
在每個子場中對所有放電室完成尋址操作之后對所有放電室執(zhí)行維持放電操作的方法通常被稱為尋址周期分離方法(在這里被稱為ADS方法)。所述ADS方法在時間上分所述尋址周期和所述維持周期。所述ADS方法容易實(shí)現(xiàn)，但是所述尋址操作對所有的放電室順序執(zhí)行，從而時間上較晚被尋址的所述放電室中由于缺少引火粒子，可能不能正確執(zhí)行尋址操作。因而，需要增加順序施加在行電極的掃描脈沖的寬度來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的尋址放電。另外，尋址周期的長度被增加。因此，子場的長度被增加并且在場中可用的子場的數(shù)量可能受限制。
在尋址周期中執(zhí)行所述尋址操作的方法包括選擇性寫方法和選擇性擦除方法。所述選擇性寫方法選擇發(fā)光的放電室并且形成恒定的壁電壓，由于形成所述壁電壓需要時間，因而選擇性寫方法增加尋址時間。所述選擇性擦除方法選擇不發(fā)光的放電室并擦除所形成的壁電壓，由于不需要形成所述壁電壓的時間，因而選擇性擦除方法減少尋址時間。然而，在所述選擇性擦除方法中難以控制初始壁電壓并且不能分別控制每個子場的初始壁電壓。因此，表示適當(dāng)灰度的能力降低。
上述的該發(fā)明的背景部分中所揭示的信息，只是為了增進(jìn)對該發(fā)明的背景的理解，因此，不應(yīng)理解為，所有上述信息構(gòu)成該國的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供一種具有在減少尋址周期的同時表示灰度的特征性的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在一個示例性實(shí)施例中，多個子場被分組成通過寫放電設(shè)置發(fā)光室的子場組和通過所述寫放電設(shè)置發(fā)光室，然后通過擦除放電設(shè)置不發(fā)光室的另一子場組。
在依據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種驅(qū)動具有在其上形成的多個放電室的等離子顯示裝置的方法。一個場被分成多個具有用于表示灰度的權(quán)值的子場，所述子場被分成包括第一組和第二組的多個組，所述第一組包括至少兩個時間上連續(xù)的子場。在所述第一組中所述至少兩個子場之中的第一子場的尋址周期中，通過放電至少一個第一放電室在所述多個放電室中選擇所述至少一個第一放電室，以使其處于發(fā)光室狀態(tài)。在所述第一子場的維持周期中，維持放電處于所述發(fā)光室狀態(tài)的所述至少一個第一放電室。在所述第一組中所述至少兩個子場之中的連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場的尋址周期中，通過放電至少一個第二放電室選擇所述至少一個第一放電室之中的至少一個第二放電室，以使其處于不發(fā)光室狀態(tài)。在所述第二子場的維持周期中，維持放電除了所述至少一個第二放電室之外的所述至少一個第一放電室。
在依據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，一種等離子顯示裝置包括等離子顯示面板(PDP)、驅(qū)動器、和控制器。所述PDP包括多個行電極、與所述行電極交叉形成的多個列電極、和由所述行電極和所述列電極所限定的多個放電室。所述驅(qū)動器驅(qū)動所述PDP。所述控制器控制所述驅(qū)動器將一個場分為多個用于表示灰度的子場，所述多個子場包括第一子場和第二子場。所述控制器為了在所述第一子場中設(shè)置至少一個發(fā)光的放電室，而在連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之前的所述第二子場中設(shè)置所述至少一個放電室，以使其處于發(fā)光室狀態(tài)。
在依據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，一種等離子顯示裝置包括PDP、驅(qū)動器、和控制器。所述PDP包括多個行電極、與所述行電極交叉形成的多個列電極、和由所述行電極和所述列電極所限定的多個放電室。所述驅(qū)動器驅(qū)動所述PDP。所述控制器控制所述驅(qū)動器將一個場分為多個表示灰度的子場，所述子場包括第一子場和第二子場。所述控制器設(shè)置所述多個放電室中的放電室的狀態(tài)為在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)并在連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場中將其設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)的第一發(fā)光狀態(tài)；在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)并在所述第二子場中將其設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)的第二發(fā)光狀態(tài)；和在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)并在所述第二子場中將其設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)的第三發(fā)光狀態(tài)之中的至少一個狀態(tài)。
在依據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，提供一種驅(qū)動具有在其上形成的多個放電室的等離子顯示裝置的方法。一個場被分成多個具有用于表示灰度的權(quán)值的子場，所述子場被分成包括第一組和第二組的多個組，所述第一組包括至少兩個時間上連續(xù)的子場。在第一組中所述至少兩個子場中的第一子場的尋址周期中，在所述多個放電室中至少一個第一放電室上形成壁電荷，并且在所述第一子場的維持周期中維持放電所述至少一個第一放電室。在所述第一組中所述至少兩個子場中連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場的尋址周期中，擦除所述至少一個第一放電室的至少一個第二放電室上的壁電荷，并且在所述第二子場的維持周期中，維持放電除了所述至少一個第二放電室之外的所述至少一個第一放電室。


圖1是依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的示意圖。
圖2表示示出依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的表。
圖3表示依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的詳細(xì)示圖。
圖4表示示出在依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法中表示灰度的表。
圖5是依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動波形圖。
圖6表示依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的示出表。
圖7A和圖7B表示示出在依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法中表示灰度的表。
圖8A至圖8C表示示出一般驅(qū)動方法和依據(jù)本發(fā)明第一和第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法的總時間表。
具體實(shí)施方法在下面的詳細(xì)描述中，僅以舉例的方式描述了本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以以很多不同的方法對這些描述的實(shí)施例進(jìn)行修改。因此，附圖和描述應(yīng)被視為本質(zhì)上是示例性的而非限制性的。在整個說明書中，相同標(biāo)號指定相同部件。
下面將參照附圖描述依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。參照圖1描述依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置結(jié)構(gòu)。
圖1是依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的示意圖。
如圖1所示，所述等離子顯示裝置包括等離子顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器300、維持電極驅(qū)動器400、和掃描電極驅(qū)動器500。
所述PDP 100包括多個在列方向排列的尋址電極(“A電極”)A1-Am和成對地在行方向排列的多個維持電極(“X電極”)X1-Xn和多個Y電極(“Y電極”)Y1-Yn。所述X電極X1-Xn對應(yīng)所述Y電極Y1-Yn形成。所述Y電極Y1-Yn和所述A電極A1-Am，以及所述X電極X1-Xn和所述A電極A1-Am分別排列成相互交叉。在所述PDP 100中，所述尋址電極和所述X及Y電極直交區(qū)域提供放電空間形成放電室102。所述PDP 100的結(jié)構(gòu)表示一個示例性實(shí)施例。其它實(shí)施例中，下面描述的驅(qū)動波形能被應(yīng)用到其它類型面板。圖1的等離子顯示裝置中，行方向上一對X和Y電極被定義為行電極，所述列方向A電極被定義為列電極。
所述控制器200接收外部的視頻信號(即，圖像信號)并輸出A電極驅(qū)動控制信號、X電極驅(qū)動控制信號、和Y電極驅(qū)動控制信號，并將一個場分成多個具有不同權(quán)值的子場。所述尋址電極驅(qū)動器300從所述控制器200接收所述A電極驅(qū)動控制信號，并向所述A電極施加用于選擇將被顯示的放電室的顯示數(shù)據(jù)信號。所述維持電極驅(qū)動器400從所述控制器200接收所述X電極驅(qū)動控制信號，并向所述X電極施加驅(qū)動電壓。掃描電極驅(qū)動器500從控制器200接收Y電極驅(qū)動控制信號，并將驅(qū)動電壓施加于Y電極。
下面將參照圖2至圖5描述依據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法。
圖2表示示出依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的表。圖3表示依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的詳細(xì)示圖。圖4表示示出在依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法中表示灰度的表。一個場被描述為具有八個子場(SF1-SF8)，而圖3及圖4只示出了第一和第八子場SF1及SF8。
如圖2所示，一個場具有多個子場(SF1-SF8)，所述子場分別具有1、2、4、8、16、32、64、和128的權(quán)值。所述第一到第七子場(SF1-SF7)的每一個具有重置周期、尋址周期、和維持周期，所述第一到第七子場(SF1-SF7)的所述尋址周期的每一個以所述選擇性寫方法(在這里稱為“WA”)為基礎(chǔ)。在這種情況下，所述重置周期是重置所述放電室為不發(fā)光放電室的周期。具有最高的權(quán)值的第八子場SF8具有尋址周期和維持周期。所述第八子場SF8的所述尋址周期以選擇性擦除方法(在這里稱為“EA”)為基礎(chǔ)。
如上所述，在所述尋址周期中選擇發(fā)光放電室和不發(fā)光放電室的方法所述包括選擇性寫方法(“WA”)和所述選擇性擦除方法(“EA”)。所述選擇性寫方法選擇發(fā)光放電室并形成恒定的壁電壓。所述選擇性擦除方法選擇不發(fā)光的放電室并擦除所形成的壁電壓。依據(jù)這些方法，被選擇為發(fā)光放電室的放電室狀態(tài)在這里將被稱為“發(fā)光室狀態(tài)”，被選擇為不發(fā)光放電室的放電室狀態(tài)將被稱為“不發(fā)光室狀態(tài)”。在圖2中，所述選擇性寫方法被表示為寫尋址(WA)，所述選擇性擦除方法被表示為擦除尋址(EA)。
在所述第八子場SF8中，允許將先前子場中處于發(fā)光室狀態(tài)的所述室設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)，但是不允許將先前子場中處于不發(fā)光室狀態(tài)的所述室設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)。也就是說，當(dāng)在先前的子場中所述室不發(fā)光時，在所述第八子場SF8中不允許控制所述室發(fā)光。因此，在一個場中具有所述最低權(quán)值的子場SF1和具有所述最高權(quán)值的子場SF8彼此相鄰地結(jié)合，所述選擇性寫方法(WA)被應(yīng)用到具有所述最低權(quán)值的所述子場SF1，而所述選擇性擦除方法(EA)被應(yīng)用到具有所述最高權(quán)值的所述子場SF8。
詳細(xì)地說，參考圖3，在所述第一子場SF1的所述重置周期(R1)中所述放電室被重置為不發(fā)光室狀態(tài)。在所述第一子場SF1的所述尋址周期(WA1)中，對將被接通的放電室執(zhí)行選擇性寫放電，以從所述放電室之中選擇發(fā)光室，并且在維持周期(S1)中維持放電處于發(fā)光室狀態(tài)的放電室。在所述第八子場SF8的所述尋址周期(EA8)中，對將被斷開的放電室執(zhí)行選擇性擦除放電，以從所述放電室之中選擇不發(fā)光室，并且在維持周期(S8)中維持放電處于發(fā)光室狀態(tài)的放電室。換句話說，在所述維持周期(S8)中，在所述子場SF1中被選擇為發(fā)光放電室的所述放電室中沒有被擦除放電的所述放電室維持放電。在其它子場(SF2-SF7)中，以與所述第一子場SF1一樣的方法執(zhí)行所述重置周期、所述尋址周期、和所述維持周期中的操作。
參照圖4來描述通過圖2的所述驅(qū)動方法表示灰度的方法。“ON”狀態(tài)在所述選擇性寫類型子場SF1中表示發(fā)光室狀態(tài)，在所述選擇性擦除類型子場SF8中表示不發(fā)光室狀態(tài)。
當(dāng)所述第一子場SF1的所述尋址周期中放電室的狀態(tài)變成不發(fā)光室狀態(tài)(OFF)時，所述維持周期中不發(fā)生維持放電，所述第一子場SF1之后的所述第八子場SF8中不發(fā)生維持放電，并且表示0灰度。在所述第一子場SF1的所述尋址周期中放電室上發(fā)生寫放電以控制所述放電室處于發(fā)光室狀態(tài)(ON)時，所述維持周期中發(fā)生維持放電，并且表示1灰度。在所述第八子場SF8中發(fā)生擦除放電以控制所述放電室處于不發(fā)光室狀態(tài)(ON)時，在所述第八子場SF8中不發(fā)生維持放電，并且最終灰度為1。當(dāng)不發(fā)生擦除放電時，保持狀態(tài)于發(fā)光室狀態(tài)(ON)，在所述第八子場SF8中發(fā)生維持放電，并且表示129灰度作為第一子場SF1和第八子場SF8的維持周期期間表示的灰度的結(jié)合。
在所述第二到第七子場(SF2-SF7)中發(fā)生寫放電，并且所述灰度通過處于發(fā)光室狀態(tài)的子場權(quán)值的結(jié)合來表示。因此，幀的灰度通過所述第一子場SF1及第八子場SF8的灰度和所述第二到第七子場(SF2-SF7)的灰度的總和來表示。
例如，當(dāng)所述第一子場SF1和第三子場SF3中發(fā)生寫放電以控制放電室處于發(fā)光室狀態(tài)，而在所述第八子場SF8中發(fā)生擦除放電以控制放電室處于不發(fā)光室狀態(tài)時，表示5(＝1+4)灰度。當(dāng)在所述第八子場SF8中沒有出現(xiàn)擦除放電而控制放電室處于發(fā)光室狀態(tài)時，表示133(＝1+4+128)灰度。
如上所述，由于所述選擇性擦除方法在正形成壁電荷的同時選擇不發(fā)光放電室并且擦除壁電荷，所以不能通過所述選擇性擦除方法驅(qū)動所述第八子場SF8并且不能表示128灰度。然而，由于用戶不能感覺到較高亮度時的小的灰度差別，因此通過129灰度可以充分地表現(xiàn)128灰度。
下面將參照圖5描述依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP驅(qū)動方法的驅(qū)動波形。
圖5表示依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動波形。為了易于說明，下面將描述施加在形成放電室的所述Y電極、所述X電極、和所述A電極上的驅(qū)動波形。圖5中的驅(qū)動波形表示一般的等離子顯示裝置驅(qū)動波形，將省略其描述。
如圖5中所示，在所述第一子場的重置周期中所述X電極以偏置地電壓0V的狀態(tài)下，所述Y電極電壓逐漸從電壓Vs增加到電壓Vset以發(fā)生重置放電，并且壁電荷通過所述重置放電在所述放電室上形成。然后，在所述X電極偏置為正電壓Ve的狀態(tài)下，所述Y電極電壓逐漸從電壓Vs減小到地電壓0V。然后，壁電荷從所述放電室被擦除并且所述放電室被重置。
在所述尋址周期中，在X電極偏置為正電壓Ve的狀態(tài)下，向所述Y電極順序施加掃描脈沖(圖5中的接地電壓)，并向所述發(fā)光放電室的所述A電極施加正尋址電壓Va。此時，通過被施加所述掃描脈沖的所述Y電極形成被施加所述尋址電壓Va的所述放電室。然后，被施加所述脈沖電壓和所述尋址電壓的所述放電室中發(fā)生寫放電，并且在所述X和Y電極形成壁電壓。
在維持周期，向所述Y電極施加所述維持放電脈沖的電壓Vs，并在處于發(fā)光室狀態(tài)的所述放電室發(fā)生放電。如圖4中所示，在所述第一子場SF1中施加一個維持放電脈沖。
然后，在所述第八子場的尋址周期中，在X電極偏置為接地電壓0V的狀態(tài)下，向所述Y電極順序施加具有負(fù)電壓VscL的掃描脈沖，并且向所述放電室的所述A電極施加正尋址電壓Va，以將所述放電室設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)。在這種情況下，所述掃描脈沖的寬度被控制為較窄，從而通過放電不形成所述壁電荷而是擦除壁電荷。然后，在被施加所述掃描脈沖的電壓(被施加到所述Y電極)和所述尋址電壓(被施加到所述A電極)的放電室發(fā)生擦除放電，以擦除形成在所述X電極和所述Y電極上的壁電壓，然后，放電室的狀態(tài)變成不發(fā)光室狀態(tài)。
在所述第八子場SF8的所述維持周期中，向所述X電極施加維持放電脈沖的電壓Vs以在所述放電室發(fā)生放電，并且向所述Y電極施加維持放電脈沖的電壓Vs以在處于發(fā)光室狀態(tài)的所述放電室發(fā)生放電。在這種情況下，由于所述第一和第八子場的所述權(quán)值比被假設(shè)為1∶128，所以在所述第八子場的所述維持周期中施加128個維持放電脈沖。因此，在本發(fā)明所述第一示例性實(shí)施例中，由于所述掃描脈沖寬度被控制為更窄從而所述尋址周期減小，因而能在所述選擇性擦除類型的所述尋址周期中擦除所述壁電荷。
在本發(fā)明第一示例性實(shí)施例中，所述選擇性擦除方法用于所述一個子場SF8。然而，所述選擇性擦除方法也可被用于至少一個或更多的其他子場，這將參照圖6至圖7B詳細(xì)描述。
圖6表示示出依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置驅(qū)動方法的表。圖7A和圖7B表示示出在依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法中表示灰度的表。
如圖6所示，所述子場(SF1-SF8)被分成兩個組。第一組的子場具有多個子組，并且每個子組具有兩個時間上連續(xù)的子場。第一子組包括具有最小權(quán)值的子場SF1和具有比最高權(quán)值低一個等級(這里，維持脈沖的數(shù)量是最高權(quán)值的維持脈沖的數(shù)量的一半)的權(quán)值的子場SF7，而第二子組包括具有比最低權(quán)值高一個等級的權(quán)值的子場SF2和具有最高權(quán)值的子場SF8。所述第二組包括其他子場(SF3-SF6)。
在這種情況下，在所述第一和第二子組的所述第七子場SF7和第八子場SF8的所述尋址周期中利用所述選擇性擦除方法(EA)，在其他子場(SF1-SF6)的所述尋址周期中利用所述選擇性寫方法(WA)。因此，在所述第二組的子場(SF3-SF6)中通過權(quán)值的結(jié)合表示灰度，并且在所述第一子組的子場SF1中表示1灰度。如圖7A所示，利用所述子場SF1和SF7的灰度的結(jié)合表示65灰度。此外，在所述第二子組的所述子場SF2中表示2灰度。如圖7B所示，利用所述子場SF2和SF8的灰度的結(jié)合表示130灰度。在這種情況下，所述第一和第二子組中的所述子場SF1、SF2、SF7、和SF8按照與參照第一示例性實(shí)施例描述的所述子場SF1和SF8相同的方法來表示灰度。
與圖6不同，當(dāng)所述第一子組具有所述第一和第八子場SF1和SF8而所述第二子組具有所述第二和第七子場SF2和SF7時，所述第一子組中能表示1和129灰度而所述第二子組中能表示2和66灰度。在這種情況下，128灰度由129灰度代替，64灰度由66灰度代替。然而，依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例，所述128灰度由所述130灰度代替，所述64灰度由所述65灰度代替。如上所述，由于人類眼睛的特性，用戶感覺低灰度的差異比感覺高灰度的差異更靈敏。因此，當(dāng)控制減少低灰度和實(shí)際灰度之間的差異時能更有效地表示灰度，所以依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例排列子場。
現(xiàn)在將參照圖8A至圖8C描述利用依據(jù)本發(fā)明第一和第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法的效率。
圖8A表示示出當(dāng)在場中應(yīng)用選擇性寫方法時的總時間的表，圖8B表示示出當(dāng)使用依據(jù)第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法時的總時間的表，和圖8C表示示出當(dāng)使用依據(jù)第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法時的總時間的表。在這些表中，所述總時間表示所有子場(SF1-SF8)中的所述重置周期、所述尋址周期、和所述維持周期的總和。圖8A至圖8C中假設(shè)使用具有768行線(row line)的高清晰度(HD)級別單驅(qū)動并且第一子場SF1的所述維持放電脈沖的數(shù)量給定為四。還假設(shè)所述第一到第八子場(SF1-SF8)的權(quán)值設(shè)置為1、2、4、8、16、32、64、和128。此外，設(shè)置所述重置時間(R)為300μs、設(shè)置依據(jù)所述選擇性寫方法(WA)的所述掃描脈沖施加時間(WA)為1.65μs、設(shè)置依據(jù)所述選擇性擦除方法(EA)的所述掃描脈沖施加時間(EA)為1μs、和設(shè)置所述維持放電脈沖施加時間(D)為4.5μs。
可以從圖8A至圖8C看出，在一個場中利用所述選擇性擦除方法(EA)的子場增加時，總時間減少。然而，在一個場中利用所述選擇性擦除方法(EA)的子場增加時，雖然總時間可以減少，但是灰度的表示降低，因此，依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例，應(yīng)適當(dāng)控制在一個場中利用所述選擇性擦除方法(EA)的子場的數(shù)量。
參照附圖8A詳細(xì)說明，對于具有所述八個子場的一個場表示17.128ms的總時間。因?yàn)樵谌珖娨曄到y(tǒng)委員會(NTSC)系統(tǒng)中場周期設(shè)置為16.67ms(1/60Hz)，所以不可能在圖8A的利用一般的驅(qū)動方法的一個場中使用所述八個子場(SF1-SF8)。因此，當(dāng)在一個場中的所述子場(SF1-SF8)利用所述選擇性寫方法時需要控制所述子場的數(shù)量。然而，參照圖8B和圖8C，由于總時間分別設(shè)置為16.328ms和15.529ms，因此一個場中可使用所述八個子場(SF1-SF8)。
依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，通過連續(xù)排列具有時間最小權(quán)值的子場和具有最大權(quán)值的子場，并在具有最小權(quán)值的子場的尋址周期中利用選擇性寫方法以及在具有最大權(quán)值的子場的尋址周期中利用選擇性擦除方法，減少了尋址周期并相應(yīng)地減少了總時間。
盡管已參照某些示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于這些公開的實(shí)施例，而相反地，應(yīng)該覆蓋包括在所附權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同設(shè)置。
權(quán)利要求
1.一種具有在其上形成的多個放電室的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，一個場被分成多個具有用于表示灰度的權(quán)值的子場，所述子場被分成包括第一組和第二組的多個組，所述第一組包括時間上連續(xù)的至少兩個子場，所述方法包括在所述第一組中所述至少兩個子場中的第一子場的尋址周期中，通過放電至少一個第一放電室從所述多個放電室中選擇至少一個第一放電室，以使其處于發(fā)光室狀態(tài)；在所述第一子場的維持周期中，維持放電處于發(fā)光室狀態(tài)的所述至少一個第一放電室；在所述第一組中所述至少兩個子場中的連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場的尋址周期中，通過放電至少一個第二放電室選擇所述至少一個第一放電室的至少一個第二放電室，以使其處于不發(fā)光室狀態(tài)；和在所述第二子場的維持周期中，維持放電除了所述至少一個第二放電室之外的所述至少一個第一放電室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一子場的權(quán)值比所述第二子場的權(quán)值小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述多個子場中所述第一子場具有最小權(quán)值，而在所述多個子場中所述第二子場具有最大權(quán)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一組包括多個子組，每個子組具有在所述多個子場之中時間上連續(xù)的兩個子場，在所述多個子組之中的第一子組中，所述多個子場之中的所述兩個子場之一具有最小權(quán)值，而該子場設(shè)置在所述兩個子場的另一個子場之前，在所述多個子組之中的第二子組中，所述多個子場之中的所述兩個子場之一具有最大權(quán)值，而該子場設(shè)置在所述兩個子場的另一個子場之后。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一組包括N個子組，在這里N是大于等于2的整數(shù)，在所述第一子組中，當(dāng)以權(quán)值由最小到最大次序排列所述子場時，所述兩個子場之一是第N子場，而該子場設(shè)置在所述兩個子場的另一個子場之后，和在所述第二子組中，當(dāng)以權(quán)值由最大到最小次序排列所述子場時，所述兩個子場之一是第N子場，而該子場設(shè)置在所述兩個子場的另一個子場之前。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二組包括至少兩個時間上連續(xù)的子場，還包括在所述第二組中所述至少兩個子場之一的尋址周期中，通過放電第三放電室從所述多個放電室中選擇發(fā)光的第三放電室；和在所述第二組中所述至少兩個子場之一的維持周期中，維持放電所述發(fā)光的第三放電室。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述第二組中所述至少兩個子場的另一個的尋址周期中通過放電第四放電室從所述多個放電室中選擇發(fā)光的第四放電室。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述第二組中所述至少兩個子場的另一個的維持周期中維持放電所述第四放電室，其中，所述第四放電室在所述第二組中所述至少兩個子場的另一個的尋址周期中被放電。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，從所述多個放電室中選擇所述至少一個第一放電室以使其處于發(fā)光室狀態(tài)的步驟包括在所述至少一個第一放電室上形成壁電荷，其中，選擇所述至少一個第一放電室的所述至少一個第二放電室以使其處于不發(fā)光室狀態(tài)的步驟包括擦除所述至少一個第二放電室上的壁電荷。
10.一種等離子顯示裝置，包括等離子顯示面板(PDP)，包括多個行電極、與所述行電極交叉形成的多個列電極、和由所述行電極和所述列電極限定的多個放電室；驅(qū)動器，用于驅(qū)動所述PDP；和控制器，用于控制所述驅(qū)動器將一個場分為多個用于表示灰度的子場，所述多個子場包括第一子場和第二子場，其中，所述控制器為了在所述第一子場中設(shè)置至少一個發(fā)光的放電室，而在連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之前的所述第二子場中設(shè)置所述放電室至少一個，以使其處于發(fā)光室狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中，由于所述第一子場中的尋址放電，所以處于發(fā)光室狀態(tài)的所述至少一個放電室被設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)，和由于所述第二子場中的尋址放電，所以處于不發(fā)光室狀態(tài)的所述至少一個放電室被設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中，所述第一子場的權(quán)值大于所述第二子場的權(quán)值。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其中，所述第一子場在所述子場中具有最大權(quán)值，而所述第二子場在所述子場中具有最小權(quán)值。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中，所述子場被分成包括第一組和第二組的多個組，所述第一組包括多個具有時間上連續(xù)的兩個子場的子組，所述第一子組的所述第二子場在所述子場中具有最小權(quán)值，所述第二子組的所述第一子場在所述子場中具有最大權(quán)值。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示裝置，其中，所述第一組包括N個子組，其中N是大于等于2的整數(shù)，當(dāng)以權(quán)值由最小到最大次序排列所述子場時，所述第一子組中的所述第一子場是第N子場，當(dāng)以權(quán)值由最大到最小次序排列所述子場時，所述第二子組中的所述第二子場是第N子場。
16.一種等離子顯示裝置，包括等離子顯示面板(PDP)，包括多個行電極、與行電極交叉形成的多個列電極、和由所述行電極和所述列電極限定的多個放電室；驅(qū)動器，用于驅(qū)動所述PDP；和控制器，用于控制所述驅(qū)動器將一個場分為多個用于表示灰度的子場，所述子場包括第一子場和第二子場，其中，所述控制器設(shè)置所述多個放電室中的放電室的狀態(tài)為在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)并在連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場中將其設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)的第一發(fā)光狀態(tài)；在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)并在所述第二子場中將其設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)的第二發(fā)光狀態(tài)；和在所述第一子場中將所述放電室設(shè)置為處于發(fā)光室狀態(tài)而在所述第二子場中將其設(shè)置為處于不發(fā)光室狀態(tài)的第三發(fā)光狀態(tài)之中的至少一個狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其中，所述第一子場的權(quán)值小于所述第二子場的權(quán)值。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其中，所述多個子場中所述第一子場具有最小權(quán)值或僅僅大于最小權(quán)值的權(quán)值，和其中，所述多個子場中所述第二子場具有最大權(quán)值或僅僅小于最大權(quán)值的權(quán)值。
19.一種具有在其上形成的多個放電室的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，一個場被分成多個具有用于表示灰度的權(quán)值的子場，所述子場被分成包括第一組和第二組的多個組，所述第一組包括至少兩個時間上連續(xù)的子場，所述方法包括在所述第一組中所述至少兩個子場之中的第一子場的尋址周期中，在所述多個放電室中的至少一個第一放電室上形成壁電荷；在所述第一子場的維持周期中，維持放電所述至少一個第一放電室；在所述第一組中所述至少兩個子場中連續(xù)設(shè)置在所述第一子場之后的第二子場的尋址周期中，擦除在所述至少一個第一放電室的至少一個第二放電室上的壁電荷；和在所述第二子場的維持周期中，維持放電除了所述至少一個第二放電室之外的所述至少一個第一放電室。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一子場的權(quán)值小于所述第二子場的權(quán)值。
全文摘要
一種具有在其上形成的多個放電室的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法。在第一組中至少兩個子場的第一子場的尋址周期中，通過放電至少一個第一放電室從所述多個放電室中選擇至少一個第一放電室，以使其處于發(fā)光室狀態(tài)。在第一子場的維持周期中，使處于發(fā)光室狀態(tài)的所述至少一個第一放電室維持放電。在連續(xù)設(shè)置在第一子場之后的第二子場的尋址周期中，通過放電至少一個第二放電室選擇所述至少一個第一放電室的至少一個第二放電室，以使其處于不發(fā)光室狀態(tài)。在第二子場的維持周期中，使除了所述至少一個第二放電室之外的所述至少一個第一放電室維持放電。
文檔編號G09G3/291GK1770233SQ2005100851
公開日2006年5月10日 申請日期2005年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者梁鶴哲 申請人:三星Sdi株式會社