專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地講，涉及一種能降低放電點火電壓且提高發(fā)光效率的等離子體顯示面板。
背景技術：
通常，等離子體顯示面板(PDP)具有三電極表面放電結構。具有三電極表面放電結構的PDP包括前基板和后基板。放電氣體被密封在兩個基板之間。
前基板具有在前基板的內(nèi)表面上在一個方向上延伸的維持電極和掃描電極。后基板與前基板的內(nèi)表面隔開，且具有在與維持電極和掃描電極的方向相交的方向上延伸的尋址電極。
在該PDP中，由獨立受控的維持電極和尋址電極之間的尋址放電決定是否產(chǎn)生放電。然后，通過位于前基板內(nèi)表面上的維持電極和掃描電極之間的維持放電實現(xiàn)圖像。
PDP通過使用輝光放電產(chǎn)生可見光。在產(chǎn)生輝光放電之后，可見光經(jīng)過幾步到達人眼。如果產(chǎn)生輝光放電，那么通過電子對氣體的碰撞來激發(fā)氣體，接著從激發(fā)的氣體產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線碰撞放電室內(nèi)的熒光體。結果，產(chǎn)生了可見光并且可見光經(jīng)過透明的前基板到達人眼。
當經(jīng)過上述步驟時，由于效率低而損失了施加到陰極和陽極的輸入能。
為補償損失的能量，通過在兩個電極之間施加高于放電點火電壓的電壓來產(chǎn)生輝光放電。為了點燃輝光放電，需要相當高的電壓。
一旦產(chǎn)生放電，由于陰極和陽極周邊內(nèi)介電層導致的空間放電效應就使陰極和陽極之間的電壓分布變形。在這兩個電極之間形成陰極鞘層、陽極鞘層和正柱區(qū)。
陰極鞘層是在陰極周邊的區(qū)域，在所述陰極鞘層內(nèi)消耗大部分在這兩個電極之間施加的電壓。陽極鞘層是在陽極周邊的區(qū)域，在所述陽極鞘層內(nèi)消耗一部分電壓。正柱區(qū)是陰極鞘層和陽極鞘層之間的區(qū)域，在所述正柱區(qū)內(nèi)幾乎不消耗電壓。
陰極鞘層的電子加熱效率取決于在介電層的表面上形成的MgO保護膜的二次電子發(fā)射系數(shù)。在正柱區(qū)內(nèi)，大部分的輸入能用于電子加熱而被消耗。
當氙(Xe)氣由激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時產(chǎn)生真空紫外線。通過Xe氣和電子的碰撞產(chǎn)生Xe氣的激發(fā)態(tài)。
發(fā)光效率是可見光與輸入能的比值，為了提高發(fā)光效率，必須增加Xe氣和電子的碰撞比率。為了增加該碰撞比率，必須提高電子加熱效率。
大多輸入能消耗在陰極鞘層。在正柱區(qū)，輸入能的消耗低且電子加熱效率高。因此，可通過較大的正柱區(qū)獲得較高的發(fā)光效率。正柱區(qū)也稱放電間隙。
已經(jīng)研究了放電間隙上的電場E與氣體密度n的比E/n的變化以及電子消耗量與電子總數(shù)的比的變化。在相同的電場與氣體密度比E/n的情況下，電子消耗量與電子總數(shù)的比隨著激發(fā)的氙Xe*、氙離子Xe+、激發(fā)的氖Ne*和氖離子Ne+的增加而增加。
此外，眾所周知，在相同的E/n比的情況下，Xe的局部壓力越高，電子能量就越低。即，如果電子能量降低，則Xe的局部壓力增加。結果，用于激發(fā)的氙Xe*的電子消耗量的比率高于用于氙離子Xe+、激發(fā)的氖Ne*或氖離子Ne+的電子消耗量的比率。因此，在Xe*激發(fā)的情況下，提高了發(fā)光效率。
如上所述，正柱區(qū)的增大導致了電子加熱效率的提高。此外，Xe局部壓力的增加導致用于激發(fā)Xe所消耗的電子的電子加熱效率提高。因此，正柱區(qū)增大和Xe局部壓力增加，都會導致電子加熱效率的提高，從而提高了發(fā)光效率。
但是，正柱區(qū)增大或Xe局部壓力增加，導致放電點火電壓增加，從而造成PDP生產(chǎn)成本增加。因此，為了提高發(fā)光效率，必須在低放電點火電壓的情況下實現(xiàn)正柱區(qū)增大或Xe局部壓力增加。對于相同的放電間隙和Xe的局部壓力，對向電極結構所需的放電點火電壓低于表面放電結構所需的放電點火電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施例提供了一種具有降低了放電點火電壓且提高了發(fā)光效率的對向電極結構的PDP。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出的PDP包括彼此面對且在其間有一定距離的第一基板和第二基板。將第一基板和第二基板之間的空間劃分成多個放電室。尋址電極在第一基板和第二基板之間在第一方向上延伸。第一電極和第二電極在與第一方向相交的第二方向上延伸，而與尋址電極分隔。第一電極和第二電極朝著第二基板延伸且彼此面對，其間有空間。第一電極和第二電極的至少一個具有朝著每個放電室的中心突出的突出部分。
本發(fā)明的PDP還包括第一障肋層和第二障肋層，第一障肋層將第一基板附近的空間劃分成多個放電空間，第二障肋層將第二基板附近的空間劃分成與第一基板上的放電空間對應的放電空間。每個放電室可由彼此面對的一對放電空間形成。
尋址電極、第一電極和第二電極可位于第一障肋層和第二障肋層之間。
由第二障肋層形成的放電空間的體積可大于由第一障肋層形成的放電空間的體積。
第一障肋層可具有在第一方向上延伸的第一障肋構件，第二障肋層可具有也在第一方向上延伸的第二障肋構件。
第一障肋層可具有與第一障肋構件相交的第三障肋構件，第二障肋層可具有與第二障肋構件相交的第四障肋構件。
尋址電極可在第一障肋層的第一障肋構件和第二障肋層的第二障肋構件之間沿著第一障肋構件延伸。
尋址電極可穿過一對相鄰放電室的邊界。
每個第一電極和第二電極可具有擴展部分和狹窄部分，擴展部分從與每個放電室對應的部分在與第一基板表面垂直的方向上延伸，狹窄部分形成在與一對相鄰放電室的邊界對應的部分。
突出部分可從擴展部分突出。在一個實施例中，突出部分按六面體形狀突出。
在一個實施例中，第一電極和第二電極由具有良好導電性的金屬電極制成。
在一個實施例中，第一電極、第二電極和尋址電極具有絕緣結構，所述絕緣結構由在這些電極外表面上設置的介電層制成。
在一個實施例中，介電層在其外表面上具有保護膜。
在一個實施例中，每個第二電極的突出部分傾向于在每個放電室一側上設置的尋址電極。
在一個實施例中，在放電室中，在每個第二電極的突出部分和每個放電室一側上設置的尋址電極之間的距離比突出部分和在每個放電室另一側上設置的尋址電極之間的距離更短。
每個第一電極和第二電極的至少一部分可形成在與尋址電極相同的平面上。
尋址電極和第一基板表面之間的距離可與第一電極和第一基板表面之間的距離、第二電極的突出部分和第一基板表面之間的距離相同。
在基板的豎直方向上尋址電極的厚度可大于在基板的豎直方向上第一電極的突出部分的厚度和在基板的豎直方向上第二電極的突出部分的厚度。
在每個放電室內(nèi)形成的熒光體層可包括在第一基板上每個放電室內(nèi)形成的第一熒光體層和在第二基板上每個放電室內(nèi)形成的第二熒光體層，并且第二熒光體層可由產(chǎn)生與第一熒光體層的顏色相同的可見光的熒光體制成。
在一個實施例中，形成的第一熒光體層的厚度可大于第二熒光體層的厚度。
本發(fā)明的PDP還可在第二基板的附近包括黑層(black layer)，所述黑層具有與尋址電極、第一電極和第二電極的平面圖案對應的形狀。
在沿著第一方向設置的放電室中，第一電極和第二電極可成對設置。在維持放電期期間，將維持脈沖施加到第一電極。在維持放電期期間，也將維持脈沖施加到第二電極。在尋址期期間，將掃描脈沖施加到第二電極。
與一對相鄰放電室對應的第一電極和第二電極也可按相同的順序或相反的順序設置。
每個尋址電極可具有向每個放電室的中心突出的突出部分。
每個尋址電極的突出部分可在與每個第一電極的突出部分或每個第二電極的突出部分相同的平面上形成。
另一實施例可包括第一基板；第二基板，與第一基板隔開；多個分隔的放電室，形成在第一基板和第二基板之間，在第一基板上具有第一基板放電空間并且在第二基板上具有第二基板放電空間；尋址電極，在第一基板和第二基板之間沿著第一方向延伸并與這兩個基板平行；第一電極和第二電極，在第一基板和第二基板之間沿著第二方向延伸并與這兩個基板平行，所述第二方向與第一方向交叉，所述第一電極和第二電極與尋址電極分開；突出部分，形成在第一電極和第二電極的至少一個上，所述突出部分朝著每個放電室的中心突出，其中，尋址電極、第一電極和第二電極位于第一基板放電空間和第二基板放電空間之間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP的局部分解透視圖。
圖2是本發(fā)明第一實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖3是沿圖1的III-III線截取的剖視圖。
圖4是本發(fā)明第一實施例的PDP中的電極的透視圖。
圖5是本發(fā)明第一實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP的剖視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP的局部分解透視圖。
圖9是本發(fā)明第四實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖10是沿圖8的X-X線截取的剖視圖。
圖11是顯示本發(fā)明第四實施例的PDP中的電極結構的透視圖。
圖12是本發(fā)明第四實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的PDP的剖視圖。
圖14是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖16是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖18是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的PDP的局部分解透視圖。
圖21是本發(fā)明第十二實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖22是沿圖20的XXII-XXII線截取的剖視圖。
圖23是本發(fā)明第十二實施例的PDP中的電極的透視圖。
圖24是本發(fā)明第十二實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。
圖25是根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的PDP的剖視圖。
圖26是根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的PDP的剖視圖。
圖27是顯示根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的PDP局部分解透視圖。
圖28是本發(fā)明第十五實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖29是沿圖27的XXIX-XXIX線截取的剖視圖。
圖30是本發(fā)明第十五實施例的PDP中的電極的透視圖。
圖31是本發(fā)明第十五實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。
圖32是根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的PDP的剖視圖。
圖33是根據(jù)本發(fā)明第十七實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖34是根據(jù)本發(fā)明第十八實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖35是根據(jù)本發(fā)明第十九實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖36是根據(jù)本發(fā)明第二十實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。
圖37示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP的驅動信號。
具體實施例方式
參照圖1、圖2和圖3，本發(fā)明的PDP包括第一基板10(以下，稱作后基板)和第二基板20(以下，稱作前基板)，兩塊基板彼此面對且按預定距離分開。該PDP還包括第一障肋層16和第二障肋層26，兩個障肋層位于后基板10和前基板20之間以形成后放電空間18和前放電空間28。后放電空間18和前放電空間28一起形成放電室17。
第一障肋層16和第二障肋層26將后基板10和前基板20之間的空間分隔成放電室17。在放電室17中，形成熒光體層19、29用來吸收真空紫外線并發(fā)射可見光。此外，將放電氣體(例如，包括氙(Xe)、氖(Ne)等的混合氣體)填充到放電室17內(nèi)，用來通過等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線。
第一障肋層16(以下，稱作后板障肋)和第二障肋層26(以下，稱作前板障肋)位于后基板10和前基板20之間。
后板障肋16從后基板10朝著前基板20突出。前板障肋26從前基板20朝著后基板10突出。
后板障肋16分隔后基板10附近的空間以在后基板10上形成后放電空間18。前板障肋26分隔前基板20附近的空間以在前基板20上形成前放電空間28。彼此面對的后放電空間18和前放電空間28形成一個放電室17。
由前基板20上的前板障肋26形成的放電空間28的體積可大于由后基板10上的后板障肋16形成的放電空間18的體積。因此，可提高穿過前基板20在放電室17內(nèi)產(chǎn)生的可見光的透射率。
形成的后板障肋16和前板障肋26可具有各種形狀，如矩形或六邊形的形狀。在所示的實施例中，具有六邊形形狀的放電室17作為例子提出。
后板障肋16形成在后基板10上且包括第一障肋構件16a和第三障肋構件16b。第一障肋構件16a在一個方向(圖1的y軸方向)上延伸。第三障肋構件16b在與第一方向相交的方向(圖1的x軸方向)上延伸。第一障肋構件16a和第三障肋構件16b本身也相交。因此，第一障肋構件16a和第三障肋構件16b在后基板10上形成放電空間18。
前板障肋26形成在前基板20上且包括第二障肋構件26a和第四障肋構件26b。第二障肋構件26a朝著后基板10突出并與第一障肋構件16a對應。第四障肋構件26b朝著后基板10突出并與第三障肋構件16b對應。
因此，第二障肋構件26a和第四障肋構件26b在相交的方向上延伸并在前基板20上形成前放電空間28。前放電空間28對應于后基板10上的后放電空間18。
熒光體層19、29形成在由后板障肋16和前板障肋26分隔的后放電空間18和前放電空間28內(nèi)。熒光體層19、29包括第一熒光體層19和第二熒光體層29，第一熒光體層19在后基板10上形成在后放電空間18內(nèi)，第二熒光體層29在前基板20上形成在前放電空間28內(nèi)且面對后放電空間18。第一熒光體層19和第二熒光體層29從每個放電室17的兩側產(chǎn)生可見光，并導致發(fā)光效率提高。
后放電空間18和面對后放電空間18的前放電空間28形成一個放電室17。在一個實施例中，形成在放電室17后部和前部的第一熒光體層19和第二熒光體層29由發(fā)射相同顏色可見光的熒光體制成。
第一熒光體層19形成在構成后放電空間18的內(nèi)側的第一障肋構件16a和第三障肋構件16b的內(nèi)表面與在后放電空間18內(nèi)的后基板10的表面上。
第二熒光體層29形成在第二障肋構件26a和第四障肋構件26b的內(nèi)表面及在前放電空間28內(nèi)的前基板20的表面上。
在另一實施例中，首先在后基板10的表面上形成介電層(未示出)，接著形成后板障肋16。在所述介電層的表面上通過涂覆熒光體可形成第一熒光體層19。
在又一實施例中，在后基板10的表面上形成后板障肋16后，在后基板10的表面上通過涂覆熒光體可形成第一熒光體層19，而在后基板10上沒有形成介電層。
類似地，在前基板20的表面上形成介電層并接著形成前板障肋26之后，在介電層的表面上通過涂覆熒光體形成第二熒光體層29。
按照另一種方法，在前基板20的表面上形成前板障肋26后，在前基板20的表面上通過涂覆熒光體可形成第二熒光體層29，而在前基板20上沒有形成介電層。
通過刻蝕后基板10和前基板20可在后基板10和前基板20上形成放電室17。然后，在放電室17的表面上通過涂覆熒光體可分別形成第一熒光體層19和第二熒光體層29。在這種情況下，后板障肋16和后基板10由相同的材料制成，前板障肋26和前基板20由相同的材料制成。
在維持放電后，第一熒光體層19吸收后放電空間18內(nèi)的真空紫外線并朝著前基板20產(chǎn)生可見光。第二熒光體層29吸收前放電空間28內(nèi)的真空紫外線并朝著后基板20產(chǎn)生可見光。
在一個實施例中，在后基板10上形成的第一熒光體層19的厚度t1大于在前基板20上形成的第二熒光體層29的厚度t2(t1＞t2)。因為可見光必須透過第二熒光體層29，所以為了有助于光的透射，該層的厚度t2小于第一熒光體層19的厚度。這種設計使真空紫外線的損失最小并提高了發(fā)光效率。
碰撞第一熒光體層19和第二熒光體層29的真空紫外線由等離子體放電產(chǎn)生。為產(chǎn)生等離子體放電，對應于將在其中發(fā)生等離子體放電的放電室17在后基板10和前基板20之間設有尋址電極12、第一電極131(以下，稱作維持電極)和第二電極132(以下，稱作掃描電極)。
尋址電極12在后板障肋16和前板障肋26之間沿著第一方向(圖1和圖2的y軸方向)延伸。在示出的實施例中，尋址電極12沿著第一障肋構件16a的方向(y軸方向)延伸，并與這些構件平行。此外，多個尋址電極12相互平行并保持對應于后放電空間18的間隔(沿圖1和圖2的x軸方向示出的間隔)。
每個尋址電極12由一對沿著與尋址電極12的方向相交的方向(x軸方向)形成的相鄰放電室17，17共用。一個放電室17和另一放電室17形成這對共用尋址電極12的相鄰放電室17，17。以下，為了方便，“相鄰放電室”或“一對放電室”簡單地表示為“17”。尋址電極12對應于第一障肋構件16a的中心，從而沿著x軸方向與相鄰的后放電空間18，18交迭。
尋址電極12位于在后基板10上設置的第一障肋構件16a和在前基板20上設置的第二障肋構件26a之間。此外，參照前基板20和后基板10的縱剖面(x-z剖面)，在軸向(y軸方向)上尋址電極12的中心線和第一障肋構件16a和第二障肋構件26a的中心線可通過圖1示出的假想的直線L連接。
另一方面，維持電極131和掃描電極132位于后板障肋16和前板障肋26之間并與放電室17毗連。此外，維持電極131和掃描電極132與尋址電極12電絕緣，并沿著與尋址電極12的方向相交的第二方向(x軸方向)延伸。
維持電極131和掃描電極132在與第三障肋構件16b和第四障肋構件26b平行的方向上在這些構件之間延伸。成對的維持電極131和掃描電極132位于放電室17的兩側(見圖3)。
維持電極131和掃描電極132交替地位于第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間。因此，維持電極131和掃描電極132的功能為穿過尋址電極12的縱向方向(y軸方向)劃分相鄰放電室17的基準。
參與尋址期尋址放電的掃描電極132與尋址電極12一起選擇將要選通的放電室17。維持電極131和掃描電極132參與維持放電期的維持放電，并顯示圖像。
參照圖37，在維持放電期期間將維持脈沖Vs施加到維持電極131。在維持放電期期間將維持脈沖Vs施加到掃描電極132。在尋址期期間將掃描脈沖Vsc施加到掃描電極132。在尋址期期間將尋址脈沖Va施加到尋址電極12。但是，本發(fā)明不限于具有上述功能的電極。例如，這些電極可取決于施加到其上的信號電壓而執(zhí)行其它功能。
維持電極131和掃描電極132位于后基板10和前基板20之間，以將這兩個基板之間的空間分隔成放電室17形成PDP的對向電極結構。與表面放電結構相比，對向電極結構具有降低的放電點火電壓。
此外，掃描電極132具有朝著放電室17的中心突出的突出部分132a。突出部分132a縮短了在放電室17中維持電極131和掃描電極132之間的放電間隙。因此，在維持放電期間，可降低初始放電點火電壓。
此外，在用尋址電極12進行尋址放電的期間，突出部分132a將放電限制在突出部分132a的周邊，從而減少了在尋址放電期間不必要的光的生成。在尋址放電期期間的光發(fā)射對圖像顯示有有害作用。
此外，為了在更寬的區(qū)域上引發(fā)對向電極放電，維持電極131和掃描電極132在放電室17中具有擴展部分131b和132b。擴展部分131b、132b在圖4中示出，圖4是本發(fā)明第一實施例的PDP中電極的透視圖。擴展部分131b、132b在圖4垂直于后基板10的z軸方向上延伸。
參照圖3中示出的擴展部分131b、132b的x-z剖面，表明在豎直方向上的長度hv大于在橫向方向上的長度hh。
通過使用擴展部分131b、132b在更大的區(qū)域上產(chǎn)生對向電極放電，因此產(chǎn)生更加強烈的真空紫外線。產(chǎn)生的強烈的真空紫外線，與第一熒光體層19和第二熒光體層29在放電室17的內(nèi)側碰撞，增加了所得到的可見光的量。
突出部分132a的設置使得施加到掃描電極132的電壓被施加到放電室17的中心。因此，在一個實施例中，突出部分132a從擴展部分132b突出。
突出部分132a可以各種形狀形成，并可以六面體形狀或四面體形狀突出(見圖4)。六面體形狀的突出部分132a通過突出部分132a的前端易于與維持電極131引發(fā)對向電極放電。此外，掃描電極132的突出部分132a在尋址放電期間易于與尋址電極12引發(fā)對向電極放電。
維持電極131和掃描電極132在與尋址電極12的方向相交的方向上延伸，并具有在與后基板10和前基板20垂直的方向上形成的擴展部分131b和132b。維持電極131和掃描電極132可交替設置，而并未與尋址電極12真實地相交(見圖4)。
此外，尋址電極12和后基板10之間的距離h1與維持電極131和后基板10之間的距離h2以及掃描電極132的突出部分132a和后基板10之間的距離h3相同。
由于具有等距離的h1、h2和h3，尋址電極12和掃描電極132的突出部分132a之間的尋址放電作為對向電極放電而被引發(fā)，維持電極131和掃描電極132的突出部分132a之間的維持放電作為對向電極放電被引發(fā)。
維持電極131和掃描電極132的突出部分132a形成短間隙以引發(fā)低電壓維持放電。維持電極131的擴展部分131b和掃描電極132的擴展部分132b形成長間隙以引起全面的維持放電。因此，在維持放電期間，在降低放電點火電壓的同時，發(fā)光效率提高。
維持電極131、掃描電極132和尋址電極12可由具有良好導電性的金屬制成。維持電極131、掃描電極132和尋址電極12位于后板障肋16和前板障肋26的非放電區(qū)，且沒有遮蔽透過前基板20的可見光。因此，維持電極131、掃描電極132和尋址電極12可由不透明的材料制成。
維持電極131、掃描電極132和尋址電極12在它們的外表面上具有介電層34、35(見圖3)。介電層34、35積累壁電荷且形成用于其各自電極的絕緣結構。
介電層34、35與埋藏在這些介電層內(nèi)部的維持電極131、掃描電極132和尋址電極12，可用厚膜陶瓷板(TFCSthick film ceramic sheet)方法制作。在該方法中，維持電極131、掃描電極132和尋址電極12被制作成獨立的電極部分。隨后電極部分可結合至后基板10的后板障肋16。
覆蓋維持電極131、掃描電極132和尋址電極12的介電層34、35可在其外表面上具有MgO保護膜36(見圖1)。具體地講，MgO保護膜36可形成在暴露于放電室17內(nèi)產(chǎn)生的等離子體放電的部分上。
此外，維持電極131掃描電極132和尋址電極12不在前基板20和后基板10上形成，而是在這些基板之間形成。因此，被涂覆在覆蓋維持電極131、掃描電極132和尋址電極12的介電層34、35上的保護膜36可由具有不透可見光特性的MgO制成。不透可見光的MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)高于透可見光的MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)。因此，可進一步降低放電點火電壓。
維持電極131和掃描電極132位于構成放電室17兩個側面(沿著x軸方向的側面)的第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間。尋址電極12位于構成放電室17另兩個側面(沿著y軸方向的側面)的第一障肋構件16a和第二障肋構件26a之間。然而，必須通過施加到尋址電極12的尋址脈沖和施加到掃描電極132的掃描脈沖來選擇一個放電室17。
因此，掃描電極132的突出部分132a位于參與放電室17尋址放電的尋址電極12的附近，且遠離參與相鄰放電室17尋址放電的尋址電極12。即，掃描電極132的突出部分132a形成的方式是更靠近于放電室17一側的尋址電極12(見圖1和圖4)。
更具體地講，如圖2所示，掃描電極132的突出部分132a與各放電室17兩側的兩個尋址電極分別保持不同的距離d1和d2。距離d1是參與對應的放電室17尋址放電的尋址電極12和掃描電極132的突出部分132a之間的距離。距離d2是參與另一相鄰放電室17尋址放電的尋址電極12和掃描電極132的突出部分132a之間的距離。形成的距離d1比距離d2短(d1＜d2)。
此外，對于紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光體來說尋址電極12被具有相同介電常數(shù)和相同放電點火電壓的介電層35包圍。因此，在尋址放電期間，可獲得高的電壓容限。
圖5是本發(fā)明第一實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。黑層137位于前基板20上，為了方便在圖1中省略了黑層137。黑層137吸收外部光以提高對比度。
黑層137可在前基板20的表面上形成，并可被第二熒光體層29覆蓋(見圖3)?；蛘?，黑層(未示出)可在前基板20的第二熒光體層29上形成。
在一個實施例中，就前基板20的平面(x-y平面)而言，黑層137按照與尋址電極12、維持電極131和掃描電極132對應的形狀形成。黑層137可按與掃描電極132的突出部分132a對應的形狀形成(見圖5)。
因此，黑層137吸收外部光來提高對比度。黑層137也可防止除了被電極遮蔽的部分之外，在放電室17內(nèi)產(chǎn)生的和透過前基板20的可見光被遮蔽。因此，可提高發(fā)光效率。
下面討論更多的實施例，此處省略對相同部件的描述。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。維持電極231和掃描電極232沿著與尋址電極12的方向(y軸方向)交叉的方向(x軸方向)成對地平行設置。在沿著尋址電極12的方向(沿著y軸方向)設置的兩個相鄰的放電室17中，維持電極231和掃描電極232交替，但兩個相鄰放電室17、17的掃描電極232也相鄰。換句話說，維持電極231和掃描電極232按以下順序設置維持電極231、掃描電極232、另一掃描電極232，接著維持電極231，緊接著另一對相鄰的掃描電極232、232。
在該實施例中，在放電室17一側的第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間，設有用于兩個相鄰放電室17的兩個掃描電極232。在放電室17另一側的第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間設有維持電極231。維持電極231可被相鄰放電室17共用。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP的剖視圖。該構造是圖3中示出的第一實施例剖視圖的對應部分。后板障肋16具有平行于尋址電極12形成的第一障肋構件16a，前板障肋26具有平行于尋址電極12形成的第二障肋構件26a。在該實施例中，沒有形成第三或第四障肋構件與尋址電極12的方向交叉。因此，放電室17按帶狀形成，這里放電室17沿著尋址電極12的方向(y軸方向)連接在一起。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP的局部分解透視圖。圖9是第四實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。圖10是沿圖8的X-X線截取的剖視圖。圖11是第四實施例的PDP中的電極的透視圖。圖12是第四實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。這些圖對應于第一實施例的圖1、圖2、圖3、圖4和圖5。
在第四實施例中，還在掃描電極432的突出部分432a設置突起432c。
掃描電極432的突出部分432a靠近于放電室17一側上的尋址電極12，從而在突出部分432a上形成的突起432c更靠近于該尋址電極12。
突出部分432a的形成方式是從擴展部分432b朝著放電室17的中心突出，突起432c的形成方式是從突出部分432a朝著放電室17一側上的尋址電極12之一突出。
因此，掃描電極432的突出部分432a及其突起432c與放電室17一側的尋址電極12形成較短間隙，可用低電壓產(chǎn)生尋址放電。面對放電室17一側的尋址電極的突起432c在突出部分432a內(nèi)形成，從而掃描電極432的突出部分432a可不傾向于放電室17另一側上的尋址電極12。
如圖9所示，通過設置突起432c，掃描電極432的突起432c和放電室17一側上的尋址電極12之間的距離d3，短于掃描電極432的突出部分432a和放電室另一側上的尋址電極12之間的距離d4(d3＜d4)。
在用尋址電極的尋址放電期間，突起432c還將放電限制到突起432c的周邊，因此還可減少在尋址放電期間產(chǎn)生的不必要的光。如上所述，在尋址放電期間產(chǎn)生的光對通過維持放電產(chǎn)生的圖像顯示具有不好的影響。
與第一實施例類似，黑層437按與尋址電極12、維持電極431和掃描電極432對應的形狀形成在前基板20上。在一個實施例中，黑層437還對應于在掃描電極432的突出部分432a內(nèi)形成的突起432c而形成(見圖12)。為了方便，在圖8中已經(jīng)省略了黑層437。
維持電極431和掃描電極432沿著與尋址電極12的方向(y軸方向)交叉的方向平行地交替設置。在位于尋址電極12側面的兩個相鄰放電室17中，維持電極431和掃描電極432具有以下順序在放電室17之一的一側上，一個掃描電極432與維持電極431相鄰，接著在放電室的另一側上的掃描電極432與維持電極431相鄰，這種圖案重復。在該實施例中，相鄰放電室17中一個的掃描電極432和另一個放電室17的維持電極431位于這兩個放電室17之間的第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間(見圖9)。
圖13涉及第五實施例，此處第三實施例的后板障肋16和前板障肋26的結構應用于第四實施例的構造。即，第五實施例的后板障肋16具有平行于尋址電極12形成的第一障肋構件16a，前板障肋26具有平行于尋址電極12形成的第二障肋構件26a。然而，這些障肋16、26不具有任何第三或第四障肋構件。因此，放電室17沿著尋址電極12(y軸方向)連續(xù)地按帶狀連接。
圖14和圖15分別涉及本發(fā)明的第六實施例和第七實施例。如圖14所示，成對設置的維持電極631和掃描電極632沿著圖的x軸方向延伸且與尋址電極12的方向交叉。在兩個相鄰的放電室17中，兩個維持電極631彼此相鄰地位于放電室17之一的一側上，兩個掃描電極632彼此相鄰地位于相同放電室17的另一側上，接著是位于另一放電室17的非相鄰側的另一對相鄰維持電極631。結果，維持電極和掃描電極根據(jù)以下順序設置接著第一放電室的一個維持電極631的是各自與兩個相鄰放電室之一對應的兩個掃描電極632，接著是第二放電室的維持電極631。
在第六實施例中，一對掃描電極632或一對維持電極631位于放電室17一側上的每對第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間。
在第七實施例中，如圖15所示，相鄰放電室17可以共用一個維持電極731。
圖16、圖17、圖18和圖19分別是本發(fā)明第八、第九、第十和第十一實施例中的電極和放電室的俯視圖。這些圖示出了環(huán)繞掃描電極的突出部分和突起形成的介電層34的各種實施例。
第八實施例的掃描電極832具有突出部分832a和突起832c。第九實施例的掃描電極932具有突出部分932a。第十實施例的掃描電極1032具有突出部分1032a和突起1032c。第十一實施例的掃描電極1132具有突出部分1132a和突起1132c。
可適當?shù)乜刂圃趻呙桦姌O832、932、1032、1132的突出部分832a、932a、1032a、1132a的周邊上和在突起832c、1032c、1132c的周邊內(nèi)形成的介電層34a、34b、34c、34d的厚度和形狀。介電層34a、34b、34c、34d的厚度可小于在其它任何部分上形成的介電層34的厚度。那么，在尋址放電期間在掃描電極832、932、1032、1132和尋址電極12之間產(chǎn)生的等離子體放電將局限到具有更小厚度的介電層34a、34b、34c、34d的周邊。因此，降低了在尋址放電期間產(chǎn)生的不必要的光的量。
在圖16中示出的第八實施例中，位于掃描電極832的突出部分832a和突起832c的周邊周圍的介電層34a具有均勻的厚度。因此，尋址放電將集中在突起832c和尋址電極12之間。
在圖17中示出的第九實施例中，在掃描電極932突出部分932a的前端上形成的介電層34b薄于其它處的介電層34。因此，尋址放電將集中在由厚度更小的介電層34b覆蓋突出部分932a的區(qū)域內(nèi)。
在圖18中示出的第十實施例中，掃描電極1032具有突出部分1032a和突起1032c。突起1032c在突出部分1032a內(nèi)形成，并具有比突起部分1032a更寬的區(qū)域。在掃描電極1032的突出部分1032a和突起1032c上形成的介電層34c可具有均勻的厚度或可比其它部分的介電層34更薄。因此，加寬的突起1032c將尋址放電集中在突出部分1032a的前端和尋址電極12之間。
圖19中示出的第十一實施例是圖18中示出的第十實施例的修改。在突出部分1132a內(nèi)形成的突起1132c具有彎曲的形狀。彎曲的突起1132c的凸起部件面對尋址電極12，并將尋址放電集中在彎曲的部分處的尋址電極12和掃描電極1132之間。
圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的PDP的局部透視圖。圖21是第十二實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。圖22是沿圖20的XXII-XXII線截取的剖視圖。
在第十二實施例中，維持電極1231具有突出部分1231a。維持電極1231和掃描電極1232位于放電室17的兩側上，兩者具有朝著放電室17的中心突出的突出部分1231a、1232a。在放電室17中，維持電極1231和掃描電極1232之間的放電間隙形成在突出部分1231a、1232a之間。突出部分1231a、1232a之間的間隙比維持電極1231和掃描電極1232之間本身的距離更短。較短的間隙在維持放電之初降低了放電點火電壓。
突出部分1231a、1232a將施加到維持電極1231和掃描電極1232的電壓傳送到放電室17的中心，并且在一個實施例中，突出部分1231a、1232a的形成方式是從比其它部分具有更寬區(qū)域的擴展部分1231b、1232b突出。
突出部分1231a、1232a可具有各種形狀。在一個實施例中，突出部分1231a、1232a的形成方式是按有角的形狀，例如按六面體的形狀突出。因此，在尋址電極12和掃描電極1232的有角的突出部分1232a的前端容易引發(fā)對向電極放電(見圖23)。
維持電極1231和掃描電極1232在其突出部分1231a、1232a之間以低電壓引發(fā)維持放電，接著在擴展部分1231b、1232b之間穿過長間隙引發(fā)全面的維持放電。因此，在增加發(fā)光效率的同時，可降低放電點火電壓。
圖24是第十二實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。維持電極1231和掃描電極1232沿著與尋址電極12的方向(y軸方向)交叉的方向交替地設置。每個放電室17在一側具有維持電極1231，在另一側具有掃描電極1232。
一個放電室17的掃描電極1232和與其相鄰的放電室17的維持電極1231一起位于這兩個相鄰放電室17的第三障肋構件16b和第四障肋構件26b之間。
圖25是根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的PDP的剖視圖。圖26是根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的PDP的剖視圖。
在第十三和第十四實施例中，后板障肋16具有在與尋址電極12平行的方向上形成的第一障肋構件16a，前板障肋26具有在與尋址電極12平行的方向上形成的第二障肋構件26a。但是，后板障肋16和前板障肋26，在與尋址電極12垂直的方向上不具有第三或第四障肋構件。因此，放電室17沿著尋址電極12的方向(y軸方向)按帶狀連續(xù)地連結。
此外，在圖26的第十四實施例中，在與后基板10和前基板20垂直的方向(z軸方向)上尋址電極12的厚度t3大于在相同的方向(z軸方向)上維持電極1431突出部分1431a的厚度t4和掃描電極1432突出部分1432a的厚度t5。
因此，在更寬的區(qū)域上在尋址電極12和掃描電極1432的突出部分1432a之間可產(chǎn)生對向電極放電。
圖27是根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的PDP的局部分解剖視圖。圖28是根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的PDP中的電極和放電室的俯視圖。圖29是沿圖27的XXIX-XXIX線截取的剖視圖。圖30是第十五實施例的PDP中的電極的透視圖。圖31是根據(jù)第十五實施例的PDP中的放電室和黑層的俯視圖。這些圖對應于第十二實施例的圖20、圖21、圖22、圖23和圖24。
在第十五實施例中，尋址電極12具有突出部分12a。突出部分12a朝著維持電極1531的突出部分1531a和掃描電極1532的突出部分1532a并朝著放電室17的中心突出。尋址電極12的突出部分12a與掃描電極1532的突出部分1532a形成較短的間隙，從而可以低電壓產(chǎn)生尋址放電。
與第十二實施例類似，黑層1537形成在前基板20上以具有與尋址電極12、維持電極1531和掃描電極1532對應的形狀。在一個實施例中，還形成與尋址電極12的突出部分12a對應的黑層1537(見圖31)。
圖32是根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的PDP的剖視圖。在第十六實施例中，將第十三或第十四實施例的后板障肋16和前板障肋26應用于第十五實施例的構造。
在第十六實施例中，在與基板10和20垂直的方向(z軸方向)上尋址電極的厚度t6小于在該方向(z軸方向)上維持電極1631的突出部分1631a的厚度t7和掃描電極1632的突出部分1632a的厚度t8。因此，在尋址電極12和掃描電極1632的突出部分1632a之間可產(chǎn)生對向電極放電。
圖33、圖34、圖35和圖36分別是根據(jù)本發(fā)明第十七至第二十實施例的電極和放電室的俯視圖。由這些圖可看出尋址電極12具有突出部分12a，形成的尋址電極12的突出部分12a、維持電極1731的突出部分1731a和掃描電極1732的突出部分1732a具有各種形狀和尺寸(例如，見圖33)。
在圖33的實施例中，維持電極1731的突出部分1731a和掃描電極1732的突出部分1732a通過介電層34、35與尋址電極12電絕緣。此外，這些突出部分1731a、1732a沿著尋址電極12的方向(y軸方向)與尋址電極12的突出部分12a隔開。維持電極1731的突出部分1731a和掃描電極1732的突出部分1732a沿著尋址電極12的方向(y軸方向)具有相同的長度。
在圖34中示出的第十八實施例中，維持電極1831的突出部分1831a和掃描電極1832的突出部分1832a與尋址電極12隔開，還與尋址電極12的突出部分12a隔開。尋址電極12的突出部分12a位于維持電極1831的突出部分1831a和掃描電極1832的突出部分1832a之間。
在圖35中示出的第十九實施例中，具有不同長度的維持電極1931的突出部分1931a和掃描電極1932的突出部分1932a與尋址電極12隔開，還與尋址電極12的突出部分12a隔開。尋址電極12的突出部分12a位于維持電極1931的突出部分1931a和掃描電極1932的突出部分1932a之間，且更靠近于維持電極1931。維持電極1931的突出部分1931a的長度比掃描電極1932的突出部分1932a的長度更短。
在圖36的實施例中，維持電極2031的突出部分2031a和掃描電極2032的突出部分2032a與尋址電極12隔開，還與尋址電極12的突出部分12a隔開。尋址電極12的突出部分12a位于維持電極2031的突出部分2031a和掃描電極2032的突出部分2032a之間。此外，掃描電極2032的突出部分2032a比維持電極2031的突出部分2031a更寬。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的PDP，維持電極和掃描電極按照對向電極結構設置，且掃描電極具有突出部分。突出部分縮短了電極之間的間隙。結果，在維持放電期之初，穿過短間隙引發(fā)放電，且放電僅需要降低的放電點火電壓。在產(chǎn)生放電之后，引發(fā)長間隙放電來提高發(fā)光效率。
尋址電極也可具有突出部分。掃描電極和尋址電極的突出部分按照對向電極結構設置，從而可降低尋址放電電壓。維持電極也可具有突出部分。在維持電極和掃描電極都具有突出部分的同時，可降低維持放電電壓。
根據(jù)本發(fā)明的PDP，維持電極、掃描電極和尋址電極按照對向電極結構設置，且掃描電極的突出部分具有突起。因此，在尋址電極和掃描電極的突起之間穿過短間隙引發(fā)尋址放電，可進一步降低尋址放電電壓。
盡管已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明的示例性實施例，但應該理解，對所教導的基本發(fā)明構思的許多變形和/或修改仍然會落在由權利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，與所述第一基板隔開；多個分隔的放電室，形成在所述第一基板和所述第二基板之間；尋址電極，在所述第一基板和所述第二基板之間沿著第一方向延伸并與這兩個基板平行；第一電極和第二電極，在所述第一基板和第二基板之間沿著第二方向延伸并與這兩個基板平行，所述第二方向與所述第一方向交叉，所述第一電極和所述第二電極與所述尋址電極分開；突出部分，形成在所述第一電極和所述第二電極的至少一個上，所述突出部分朝著每個放電室的中心突出。
2.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一障肋層，位于所述第一基板上并形成多個第一放電空間；第二障肋層，位于所述第二基板上并形成多個與所述第一放電空間對應的第二放電空間；其中，每個所述分隔的放電室由一對彼此相對的一個第一放電空間和一個第二放電空間限定。
3.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極位于所述第一障肋層和所述第二障肋層之間。
4.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述第二放電空間的體積大于所述第一放電空間的體積。
5.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一障肋層包括在所述第一方向延伸的第一障肋構件，其中，所述第二障肋層包括在所述第一方向延伸的第二障肋構件。
6.如權利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一障肋層還包括與所述第一障肋構件相交的第三障肋構件，其中，所述第二障肋層還包括與所述第二障肋構件相交的第四障肋構件。
7.如權利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極在所述第一障肋構件和所述第二障肋構件之間沿著所述第一障肋構件延伸。
8.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述尋址電極沿著一對相鄰放電室之間的邊界設置。
9.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第一電極和每個所述第二電極都包括擴展部分，對應于每個放電室在與所述第一基板表面垂直的方向上擴展；狹窄部分，對應于一對相鄰放電室之間的邊界。
10.如權利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，所述突出部分從所述擴展部分突出。
11.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述突出部分按六面體形狀突出。
12.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極由金屬制成。
13.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極在外表面上具有介電層。
14.如權利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述介電層在其外面上具有保護膜。
15.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，與所述放電室一側上的所述尋址電極相比，每個所述第二電極的所述突出部分靠近于另一側上的尋址電極。
16.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第一電極和第二電極的至少一部分在與所述尋址電極相同的平面上形成。
17.如權利要求16所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極和所述第一基板表面之間的距離與所述第一電極和所述第一基板的所述表面之間的距離、所述第二電極的所述突出部分和所述第一基板的所述表面之間的距離相同。
18.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的厚度大于所述第一電極的突出部分的厚度和所述第二電極的突出部分的厚度，所有的厚度沿著與所述第一基板的平面垂直的第三方向測定。
19.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在各放電室內(nèi)形成的熒光體層包括第一熒光體層，在所述第一基板上形成在各放電室內(nèi)；第二熒光體層，在所述第二基板上形成在各放電室內(nèi)，所述第一熒光體層和所述第二熒光體層能產(chǎn)生相同顏色的可見光。
20.如權利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一熒光體層的厚度大于所述第二熒光體層的厚度。
21.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括黑層，位于所述第二基板附近并與所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極的平面圖案對應。
22.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在維持放電期期間，將維持脈沖施加到所述第一電極，其中，在維持放電期期間，將所述維持脈沖施加到所述第二電極，其中，在尋址期期間，將掃描脈沖施加到所述第二電極。
23.如權利要求22所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極成對地位于相鄰的放電室之間，其中，所述第一電極和所述第二電極按交替的圖案設置。
24.如權利要求22所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極成對地位于相鄰的放電室之間，其中，所述第二電極成對地位于相鄰的放電室之間，所述成對的第一電極和所述成對的第二電極按交替的圖案設置。
25.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述尋址電極具有朝著每個放電室的中心突出的突出部分。
26.如權利要求25所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述尋址電極的所述突出部分形成在與每個所述第一電極的所述突出部分或每個所述第二電極的所述突出部分相同的平面上。
27.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述尋址電極和所述第一基板表面之間的距離與每個所述第一電極的所述突出部分和所述第一基板的所述表面之間的距離、每個所述第二電極的所述突出部分和所述第一基板的所述表面之間的距離相同。
28.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第二電極的所述突出部分具有朝著每個放電室一側上的所述尋址電極突出的突起。
29.如權利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第二電極的所述突出部分和所述突起靠近于每個放電室一側上的所述尋址電極。
30.如權利要求29所述的等離子體顯示面板，其中，每個在所述第二電極的所述突出部分上形成的所述突起和每個放電室一側上的所述尋址電極之間的距離比每個所述第二電極的所述突出部分和每個放電室另一側上的所述尋址電極之間的距離更短。
31.如權利要求22所述的等離子體顯示面板，其中，所述黑層按與所述尋址電極、所述第一電極的所述突出部分、所述第一電極的所述突起、所述第二電極的所述突出部分、所述第二電極的所述突起的平面圖案對應的形狀形成。
32.如權利要求22所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極成對地位于相鄰的放電室之間，所述成對的第一電極的每個構件用于所述相鄰放電室之一，其中，所述第二電極單個地位于相鄰的放電室之間，所述單個的第二電極用于相鄰的兩個放電室，其中，所述成對的第一電極和所述單個的第二電極按交替的圖案設置。
33.如權利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，介電層在所述突出部分和所述突起的周邊內(nèi)形成，其中，所述介電層在所述突出部分和所述突起上具有均勻的厚度。
34.如權利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述介電層在每個所述第二電極的所述突出部分的周邊內(nèi)形成，其中，在所述突出部分的前端上形成的所述介電層的厚度小于在別處的所述介電層的厚度。
35.如權利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，在所述突出部分內(nèi)形成的所述突起具有比所述突出部分前端更寬的區(qū)域，其中，介電層在每個所述第二電極的所述突出部分的周邊內(nèi)形成，其中，在所述突出部分上形成的所述介電層的厚度等于或小于所述突起上的所述介電層的厚度。
36.如權利要求35所述的等離子體顯示面板，其中，所述突起的更寬區(qū)域是彎曲的，所述彎曲凸起的一側面對所述尋址電極。
37.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，與所述第一基板隔開；多個分隔的放電室，形成在所述第一基板和所述第二基板之間，所述放電室在所述第一基板上具有第一基板放電空間，在所述第二基板上具有第二基板放電空間；尋址電極，在所述第一基板和所述第二基板之間沿著第一方向延伸并與這兩個基板平行；第一電極和第二電極，在所述第一基板和所述第二基板之間沿著第二方向延伸并與這兩個基板平行，所述第二方向與所述第一方向交叉，所述第一電極和所述第二電極與所述尋址電極分開；突出部分，形成在所述第一電極和所述第二電極的至少一個上，所述突出部分朝著每個放電室的中心突出，其中，所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極位于所述第一基板放電空間和所述第二基板放電空間之間。
全文摘要
一種具有對向電極結構的PDP包括彼此面對的第一基板和第二基板。將第一基板和第二基板之間的空間劃分成放電室。尋址電極在第一基板和第二基板之間在第一方向上延伸，第一電極和第二電極在與第一方向相交的第二方向上延伸，而與尋址電極隔開。尋址電極或第一電極和第二電極的至少一個具有朝著每個放電室的中心突出的突出部分。突出部分有助于降低放電間隙，而放電間隙降低又降低了放電點火電壓。作為第一電極和第二電極的部件形成的擴展部分增加了用于維持放電的放電間隙，且導致了提高的發(fā)光效率。
文檔編號G09F9/313GK1776774SQ20051009358
公開日2006年5月24日 申請日期2005年8月26日 優(yōu)先權日2004年11月17日
發(fā)明者許民, 崔勛永, 崔榮鍍, 水田尊久 申請人:三星Sdi株式會社