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等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法

文檔序號:2618265閱讀:90來源:國知局
專利名稱:等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,且特別涉及一種當?shù)入x子顯示器處于尋址周期時,將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法。
背景技術(shù)
對于AC-PDP而言,其顯示原理是在X軸電極及Y軸電極的交會格點(cell)施加電壓,當施加的電壓大于氣體擊穿電壓(例如為180伏特)時,此時氣體原子會產(chǎn)生電離的現(xiàn)象。接著,在高電場下被加速的電子會沖撞惰性氣體原子,因而激發(fā)了惰性氣體原子的電子能階。當受激發(fā)惰性氣體原子的電子從高能階返回原來的基態(tài)能階時,會產(chǎn)生紫外線。之后,紫外線會激發(fā)涂布在放電空間內(nèi)的熒光體,而由特定發(fā)光頻譜的熒光體發(fā)出可見光。AC-PDP的電極表面皆覆蓋一層介電物質(zhì),在輸入相反極性的交流電壓后,壁面會吸附一些電子及離子,而有存儲的功能。
請參照圖5,其為一種公知等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。其中,圖5為美國專利公告號第6633268號專利案的中的一張圖。在公知的重置放電中,借著施加300伏特的高電壓VR的脈沖(矩形重置脈沖500)至整個X電極,且借著從整個放電空間放電,以形成壁電荷。在此時,電壓Va的脈沖507被施加至A電極,且與矩形重置脈沖500同步。
當矩形重置脈沖500已掉下時,產(chǎn)生自我清除的放電(self-erasedischarge)中和吸附在介電層上的電子與離子。因而,整個相格構(gòu)成均勻化狀態(tài),沒有存在壁電荷,且整個相格被均勻化。
于下一個地址周期,在掃描脈沖512之前,于Y電極上施加預(yù)置脈沖510。預(yù)置脈沖510的電壓為-Ve,且大于負電壓電平506的電壓(-Vy)。電壓Vxa的偏壓脈沖被施加至X電極,電極X-Y之間的電壓(Vxa+Ve)是電壓大于由矩形重置形成的壁電荷所決定的放電擊穿電壓。
因而,當預(yù)置脈沖510的脈沖時段很大時,在電極X-Y之間發(fā)生放電,然而,由于預(yù)置脈沖510的脈沖寬度是窄寬脈沖(0.3-0.5μs),不會產(chǎn)生明顯的放電。因此,于預(yù)置脈沖510的期間,將會產(chǎn)生少量空間電荷的成長。
在公知技術(shù)中,預(yù)置脈沖510的數(shù)目越大,會更間歇性地產(chǎn)生空間電荷的成長。然而,當預(yù)置脈沖510的數(shù)目太多,在預(yù)置脈沖產(chǎn)生放電時,會導(dǎo)致形成壁電荷。
在公知預(yù)置脈沖510之后的掃描脈沖512中,電壓為-Vy,只以此電壓不會產(chǎn)生放電,然而,當在A電極中有電壓Va的尋址脈沖518,在電極A-Y之間產(chǎn)生放電。在電極A-Y之間的放電中,由于事先通過預(yù)置脈沖510已產(chǎn)生空間電荷,會使放電較易發(fā)生。
而且,電極A-Y之間的放電觸發(fā)X-Y電極之間放電,且形成壁電荷。在尋址周期之后有維持放電周期,電壓Vs的維持脈沖508與504被交替地施加至X電極與Y電極,只有形成壁電荷且位于尋址周期期間產(chǎn)生尋址放電的發(fā)光單元被維持脈沖508與504放電,使可見光發(fā)出。
綜合以上所述,公知技術(shù)中,如美國專利第6633268號的專利案,雖在每條掃描線前增加較高電壓的窄波來降低主要尋址的放電延遲時間,以減少掃描的時間,但其將會有電路設(shè)計較復(fù)雜的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其利用將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,以增加產(chǎn)生放電的電壓,進而減少產(chǎn)生放電的延遲時間。
本發(fā)明的再一目的是提供一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其利用將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,以維持在共用電極上的多量的壁電荷,進而增加操作電壓的范圍。
本發(fā)明提出一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,且此等離子顯示器包括至少一條掃描線與至少一個共用電極。此寫入驅(qū)動方法包括初期等離子顯示器處于重置周期時,以掃描電壓驅(qū)動掃描線,而使發(fā)光元件單元內(nèi)壁電荷分布歸一。接著,等離子顯示器處于尋址周期時,掃描線和尋址電極之間會產(chǎn)生尋址放電,并且將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,以進行尋址。最后,當?shù)入x子顯示器處于維持放電周期,使等離子顯示器維持放電。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述,隨時間變化的共用電壓為漸增的線性電壓。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述,隨時間變化的共用電壓為漸增的非線性電壓。
本發(fā)明再提出一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,且等離子顯示器包括至少一條掃描線與至少一個共用電極。此寫入驅(qū)動方法包括當?shù)入x子顯示器處于重置周期時,以重置電壓驅(qū)動掃描線。當?shù)入x子顯示器處于尋址周期時,以隨時間變化的共用電壓增加共用電極上的多個壁電荷的累積數(shù)量。接著,使等離子顯示器處于維持放電周期,以維持放電。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述,以隨時間變化的共用電壓增加共用電極上的多個壁電荷的累積數(shù)量的步驟包括將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上。
本發(fā)明因采用將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,因此不但減少產(chǎn)生放電的延遲時間,還可以增加操作電壓的范圍。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,并配合附圖,作詳細說明如下。


圖1為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法的步驟流程圖。
圖2A為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。
圖2B為依照本發(fā)明一較佳實施例的另一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。
圖3為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種在尋址周期時前幾條掃描線的尋址放電極壁電荷分布示意圖。
圖4為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種在尋址周期時最后幾條掃描線的地址放電及壁電荷分布示意圖。
圖5為一種公知等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。
主要元件標記說明202掃描電壓204、206隨時間變化的共用電壓208掃描電極波形210尋址電極波形302共用電極304相格阻隔壁306掃描電極308尋址電極500矩形重置脈沖502、506偏壓脈沖504、508維持脈沖510預(yù)置脈沖512掃描脈沖514電壓Va的脈沖516尋址脈沖518在地址n的尋址脈沖
G接地s102~s106各個步驟流程具體實施方式

請參照圖1,其為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法的步驟流程圖。其中,如所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以輕易知曉,等離子顯示器可以例如是包括多條掃描線與至少一個共用(common)電極,但均不以此為限。
請同時參照圖1、圖2A與圖2B,其中圖2A為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。圖2B為依照本發(fā)明一較佳實施例的另一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動的電壓波形圖。
在本實施例中,此等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法為在等離子顯示器處于重置周期時,以重置電壓202驅(qū)動掃描線,以使掃描發(fā)光元件壁電荷處于歸一的狀態(tài)(s102)。其中,重置電壓的波形例如是如圖2A與2B的波形202所示。
其次,當發(fā)光元件壁電荷處于歸一掃描的狀態(tài)后,等離子顯示器的驅(qū)動波形進入尋址周期,對掃描線進行尋址操作。在本實施例中,其在尋址周期期間,掃描線與尋址電極產(chǎn)生尋址波形208和210,并且將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上(s104)。其中,如所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以輕易知曉,此隨時間變化的共用電壓可以是如圖2A的波形204所示的以固定斜率漸增的線性電壓,或是可以是如圖2B的波形206所示的以非線性漸增的電壓,但均不以此為限。
接著,在掃描驅(qū)動電路對掃描線進行尋址之后,等離子顯示器將進入維持放電周期,并掃描維持尋址的發(fā)光元件持續(xù)放電掃描(s106)。
在本發(fā)明的較佳實施例中,等離子顯示器在尋址周期內(nèi),加速尋址時間的方法可以例如是增加產(chǎn)生放電的電壓。
請接著參照圖3~圖4,其為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種在尋址周期時共用電極上的壁電荷量的示意圖。其中,圖3與4中的標號302為共用電極,304為相格(cell)阻隔壁,306為掃描電極,308為尋址電極,G代表尋址電極接地。而圖3所示為在尋址周期中,前幾條掃描線的共用電極302上的壁電荷量的示意圖,而圖4所示為在尋址周期中,最后幾條掃描線的共用電極302上的壁電荷量的示意圖。
在本實施例中,如圖1的步驟s104所示,其為將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極302上。而如圖3所示,在掃描周期中,最早被尋址的前幾條掃描線,由于重置波形放電所產(chǎn)生的高能粒子較多,以正常的共同電壓即可尋址產(chǎn)生放電,而達到尋址所需壁電荷分布。
在圖4中,在掃描周期中,最后被尋址的最后幾條掃描線,由于距重置波形較久,高能粒子幾乎消失,因此需在共同電極上施以較高的電壓,才能達到尋址所需的壁電荷分布(如圖4所示)。
在本發(fā)明的較佳實施例中,在尋址周期時,由于在共用電極上施加隨時間增加的共用電壓,可因此減少尋址所需的時間。
同時,還可以降低因?qū)ぶ窌r間的先后,高能粒子隨尋址時間而減少所造成的后期尋址的相格的操作電壓的離異,以增加操作電壓的范圍。
綜上所述,在本發(fā)明的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法中,由于其利用將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,因此不但可以減少產(chǎn)生放電的延遲時間,還可以增加操作電壓的范圍。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當可作些許的更動與改進,因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,且該等離子顯示器包括至少一條掃描線與至少一個共用電極,其特征是該寫入驅(qū)動方法包括在重置周期時,以一掃描重置電壓驅(qū)動該掃描線,而使一發(fā)光元件的壁電荷歸一;在一尋址周期時,在該掃描線和一尋址電極之間產(chǎn)生尋址放電,并將一隨時間變化的共用電壓施加于該共用電極上,以進行尋址;以及當該等離子顯示器處于一維持放電周期時,則使該等離子顯示器進行放電維持。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其特征是該隨時間變化的共用電壓為漸增的一線性電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其特征是該隨時間變化的共用電壓為漸增的一非線性電壓。
4.一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,且該等離子顯示器包括至少一條掃描線與至少一個共用電極,其特征是該寫入驅(qū)動方法包括在一重置周期時,以一重置電壓驅(qū)動該掃描線,而使一發(fā)光元件的壁電荷歸一;在一尋址周期時,在該掃描線和一尋址電極之間產(chǎn)生尋址放電,并以一隨時間變化的共用電壓使該共用電極上增加放電強度以增加壁電荷的數(shù)量;以及使該等離子顯示器處于一維持放電周期,并使尋址的發(fā)光元件單元放電維持。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其特征是以該隨時間變化的共用電壓使該共用電極上增加放電強度以增加壁電荷的數(shù)量的步驟包括將該隨時間變化的共用電壓施加于該共用電極上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其特征是該隨時間變化的共用電壓為漸增的一線性電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,其特征是該隨時間變化的共用電壓為漸增的一非線性電壓。
全文摘要
一種等離子顯示器的寫入驅(qū)動方法,此等離子顯示器包括至少一條掃描線與至少一個共用電極。此寫入驅(qū)動方法包括初期等離子顯示器處于重置周期時,以掃描電壓驅(qū)動掃描線,而使發(fā)光元件單元內(nèi)壁電荷分布歸一。接著,等離子顯示器處于尋址周期時,將隨時間變化的共用電壓施加于共用電極上,以進行尋址。最后,當?shù)入x子顯示器處于維持放電周期時,使等離子顯示器持續(xù)放電。此寫入驅(qū)動方法不但可以減少產(chǎn)生放電的延遲時間而加速尋址,還可以增加面板操作電壓的范圍。
文檔編號G09F9/313GK1928964SQ2005100986
公開日2007年3月14日 申請日期2005年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月7日
發(fā)明者徐兆鋐 申請人:中華映管股份有限公司
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