專利名稱：半穿透式液晶顯示裝置及其制造方法以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種顯示器裝置，且特別是有關(guān)于一種半穿透式液晶顯示裝置(transflective LCD)及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)裝置已經(jīng)被廣泛使用于電子裝置中，例如可攜式計算機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)以及行動電話。LCD裝置可分為「穿透式」以及「反射式」兩大類。穿透式LCD裝置采用背光當(dāng)作光源，而反射式LCD裝置則是采用環(huán)境光當(dāng)作光源。因?yàn)榇┩甘絃CD裝置使用背光，所以穿透式LCD裝置可以有較亮的顯示以及可以使用于環(huán)境光不足的環(huán)境中。然而，這背光卻使穿透式LCD裝置較為耗電以及使裝置體積較大。相反地，由于反射式LCD裝置是采用環(huán)境光，所以具有較省電的優(yōu)點(diǎn)。但是，反射式LCD裝置并不易在環(huán)境光不足的環(huán)境下顯示圖像。
為了要克服上述兩種型式的LCD裝置的缺點(diǎn)，一種半穿透式LCD裝置已經(jīng)被發(fā)展出來。半穿透式LCD裝置可以在穿透以及反射模式下顯示圖像(影像)。在強(qiáng)環(huán)境光下，半穿透式LCD裝置的背光能夠被關(guān)掉，因而能夠降低能量消耗。當(dāng)環(huán)境光不足時，則半穿透式LCD裝置的背光能夠被開啟，因而改善傳統(tǒng)反射式LCD裝置的顯示品質(zhì)。
請參閱圖1，圖1是現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置的分解立體示意圖。現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置包括互相對向之一上基板10和一下基板20，以及夾在上下基板之間的一液晶層50。上基板10通常稱為彩色濾光片基板(color filtersubstrate)10，而下基板20通常稱為數(shù)組基板(array substrate)20。
在對向于下基板20的該上基板10表面上，形成有一黑色矩陣(blackmatrix)12以及包含紅色(R)、綠色(G)與藍(lán)色(B)的彩色濾光片14，其中黑色矩陣12以矩陣型式而環(huán)繞每一彩色濾光片14。更者在上基板10上，形成一共通電極16而覆蓋黑色矩陣12以及彩色濾光片14。
在對向于上基板10的下基板20表面上，形成有當(dāng)作是開關(guān)元件的薄膜晶體管(thin fi1m transistor，TFT)“T”，以相對于彩色濾光片14的數(shù)組(arraymatrix)型式而形成于下基板20上。另外，互相交錯的柵極線26與數(shù)據(jù)線28定義出下基板20上的多個畫素區(qū)(pixel area)“P”，其中每一TFT位于柵極線26與數(shù)據(jù)線28交叉處的附近。每一畫素區(qū)P中具有一畫素電極22，畫素電極22包含一透明部分22a與一不透明部分22b。透明部分22a包含有透明的導(dǎo)體材料，例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。不透明部分22b包含具有高反射性的金屬材料，例如鋁(A1)。
請參閱圖2，圖2是用以說明現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置的操作模式的剖面示意圖?，F(xiàn)有的半穿透式LCD的裝置，包括一下基板200、一上基板260以及夾在上下基板之間的一液晶層230。
下基板200具有形成于其上的一絕緣層210以及一畫素電極220，其中畫素電極220具有不透明部分222與透明部分224，不透明部分222例如是鋁層，而透明部分224例如是銦錫氧化物層。不透明部分222反射外部光(或稱環(huán)境光/周圍光，ambient light，即反射光)270，而設(shè)置于下基板200外側(cè)的背光元件290所發(fā)出的光(backlight，即背光)280則穿透透明部分224。在下基板200的外側(cè)，可以形成有一下補(bǔ)償膜291以及一下偏光片292。
背光元件290是位于下偏光片292的下方。背光元件290一般包含有平行排列于一導(dǎo)光板的多個熒光管，并且具有用以提升亮度的一反射板，以及用以提供均勻照明于LCD的一擴(kuò)散層于導(dǎo)光板上。例如在可攜式顯示裝置中，具有小直徑的冷陰極熒光管可被裝設(shè)于導(dǎo)光板的一端或?qū)γ娑松?，因而使光能夠直接射向LCD面板。
上基板260具有形成于其上的一共通電極240與一彩色濾光片250，彩色濾光片250包含有R，G，B三主要顏色區(qū)。在上基板260的外側(cè)，可以形成有一上補(bǔ)償膜293以及上偏光片294。
如上述，液晶層230是夾于下基板200與上基板260之間。半穿透式LCD裝置因而能夠在穿透模式與反射模式下操作。例如在穿透模式下操作時，從背光元件290來的背光280可穿透透明部分224以及通過彩色濾光片250。而環(huán)境光270可被不透明部分222反射，然后再次通過彩色濾光片250。
然而，由于現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置仍然需要裝設(shè)于LCD面板下方的背光元件，因此增加裝置體積、厚度與重量，并增加了制造成本。除此之外，在現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置中，偏光片是被裝設(shè)于LCD面板的外側(cè)，因此偏光片與LCD面板之間可能會有間隙(gap)，這會導(dǎo)致漏光而降低LCD裝置的光效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一目的，在于提供一種半穿透式LCD裝置及其制造方法。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種半穿透式LCD裝置，包括一第一基板與一第二基板；一液晶層，夾于第一基板與第二基板之間；一發(fā)光元件，位于第一基板的一邊上；包含有多個凹口的一絕緣層，形成于第一基板上，其中每一凹口包含一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，第二側(cè)壁與水平方向之間具有一夾角；一第一反射層，形成于絕緣層上，并延伸至第二側(cè)壁上，其中第二側(cè)壁上的第一反射層是面向發(fā)光元件；以及一內(nèi)部偏光片，形成于第一反射層的上方。
本發(fā)明也提供一種半穿透式LCD的制造方法，包括提供一第一基板與一第二基板；形成包含有多個凹口的一絕緣層于第一基板上，其中每一凹口包含一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，第二側(cè)壁與水平方向之間具有一夾角；形成一液晶層而夾于第一基板與第二基板之間；配置一發(fā)光元件于第一基板的一邊上；形成一第一反射層于絕緣層上，并延伸至第二側(cè)壁上，其中第二側(cè)壁上的第一反射層是面向發(fā)光元件；以及形成一內(nèi)部偏光片于第一反射層的上方。
本發(fā)明還提供一種電子裝置，包括上述技術(shù)方案中的半穿透式液晶顯示器；一控制器耦合于該半穿透式液晶顯示器；以及一輸入裝置耦合于該控制器，用以輸入信號至控制器以供圖像。
本發(fā)明由位于第一基板的一邊上的發(fā)光元件以及延伸至第二側(cè)壁上而面向發(fā)光元件的反射層，使得本發(fā)明的半穿透式LCD裝置厚度比現(xiàn)有的具有傳統(tǒng)背光元件的LCD裝置薄，而符合產(chǎn)品輕薄的設(shè)計趨向。


圖1是現(xiàn)有的半穿透式LCD裝置的分解立體示意圖；圖2是用以說明現(xiàn)有半穿透式LCD裝置的操作模式的剖面示意圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖3B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的再一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖5B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置的剖面示意圖；圖6是用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半穿透式LCD設(shè)備的示意圖；以及圖7是顯示結(jié)合本發(fā)明的半穿透式LCD裝置的電子裝置的示意圖。
符號說明現(xiàn)有部分(圖1～圖2)10、260上基板 12黑色矩陣 14、250 彩色濾光片16、240共通電極 22畫素電極 22a、224透明部分22b、222 不透明部分 26柵極線 28 數(shù)據(jù)線20、200下基板 210 絕緣層 220 反射電極50、230液晶層270外部光(反射光)
280 背光(穿透光) 290 背光元件T薄膜晶體管 P 畫素區(qū)本案部分(圖3～圖7)2控制器 3 顯示設(shè)備 4 輸入裝置5電子裝置 310 第一基板 312 發(fā)光元件300/301/400/401/500/501 本發(fā)明的半穿透式LCD裝置314 第一反射層 320 絕緣層 330 第二反射層322 凹口 3221 第一側(cè)壁 3222 第二側(cè)壁340 覆蓋層 350 內(nèi)部偏光片 360 第一配向?qū)?70 第二基板 372 外部偏光片 380 共通電極390 第二配向?qū)?395 液晶層 398 來自發(fā)光元件的光399 環(huán)境/外部光445、555 透明電極。
具體實(shí)施例方式
在下述圖式說明中，若相同或類似的元件則盡量用相同的圖標(biāo)符號來表示。另外，本案將美國專利編號6417899、美國專利申請公開編號2002/0041351以及2004/0085496所揭示的LCD裝置等文獻(xiàn)內(nèi)容當(dāng)作是參考數(shù)據(jù)。
圖3A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一半穿透式LCD裝置300的剖面示意圖。如圖所示，半穿透式LCD裝置300可以包含一第一基板300、一發(fā)光元件312、一第一反射層314、一絕緣層320、一第二反射層330、一覆蓋層340、一內(nèi)部偏光片350、一第一配向?qū)?60、一第二基板370、一共通電極380以及一液晶層395。半穿透式LCD裝置300的上述部分則詳述如下第一基板310可以當(dāng)作是LCD裝置300的下基板，第一基板310例如是具有畫素驅(qū)動元件(例如薄膜晶體管(TFTs)，未圖示)的玻璃基板，或是具有不同程度的穿透特性的塑料基板。
一發(fā)光元件312可以配置于第一基板310的一邊(edge)上。發(fā)光元件312可以包含至少一發(fā)光二極管(LED)或一冷陰極熒光燈管(CCFL)。
為了要提升發(fā)光元件312的發(fā)光效率，第一反射層314可以被黏著或涂布于第一基板310的外側(cè)上。第一反射層314可以包含有不同的反射材料，例如鋁或銀。
絕緣層320也可以被形成而覆蓋第一基板310。如圖所示，絕緣層320包含有多個凹口(notches)322。每一凹口322包含一第一側(cè)壁3221與一第二側(cè)壁3222。在一些實(shí)施例中，凹口322的底部寬度是窄于凹口322的頂部寬度。絕緣層320的材質(zhì)例如是SiO2、SiN、SiON或光敏樹脂(photosensitive resin)等。絕緣層320可以由沉積或涂布方式所形成。等凹口322可以由微影制程所形成。在一些實(shí)施例中，凹口322的頂部寬度“W”可以大于約2μm，而凹口322的垂直深度范圍可以是約2～5μm。另外，絕緣層320的頂表面可以是平坦或不平坦的表面。
在圖3A所示的例子中，第二側(cè)壁3222面向發(fā)光元件312，而且第二側(cè)壁3222與水平方向之間具有一夾角θ。夾角θ的范圍可以是45°～90°。在此例子中，所有凹口322的夾角θ都是一樣的角度，例如45°。這里要提醒的是，雖然圖3A所示的代表性凹口322是V型輪廓，但這僅是一實(shí)施例而并非限定本發(fā)明。
第二反射層330是形成于絕緣層320的頂表面上，并可延伸至第二側(cè)壁3222上。第二反射層330可以是經(jīng)由濺鍍(sputtering)和圖案化(patterning)制程所形成的鋁或銀等的反射層。第二反射層330的頂表面可以是平坦或不平坦的表面。如圖所示，第二反射層330的一部分是位于第二側(cè)壁3222上，并面向發(fā)光元件312。另外，第二反射層330可以當(dāng)作是畫素電極(pixelelectrode)，畫素電極可以由貫穿絕緣層320的插塞(plugs，未圖示)而電性連接TFTs(未圖示)。在形成等凹口322時，可同時形成上述插塞。
覆蓋層340可以形成在絕緣層320與反射層330上，而能夠提供一平坦的表面。覆蓋層340可以是經(jīng)由涂布法所形成的光敏樹脂或旋轉(zhuǎn)覆蓋式的玻璃(spin-on-glass，SOG)層。在一些實(shí)施例中，覆蓋層340的厚度可以是約3μm。
內(nèi)部偏光片350也可以形成于覆蓋層340上。內(nèi)部偏光片350可以例如是薄晶膜(TCF)偏光片。內(nèi)部偏光片350可以是至少由多個柱狀分子所形成的部分晶體膜所構(gòu)成，這些柱狀分子的軸可以沿著內(nèi)部偏光片350的穿透軸而排列著。上述柱狀分子可以至少包含具有共軛π系統(tǒng)的碟狀環(huán)狀多晶有機(jī)化合物(disc-shaped polycyclic organic compound)，其中碟狀環(huán)狀多晶有機(jī)化合物包含雜環(huán)族化合物(heterocycles)。內(nèi)部偏光片350也可以是由液向性(lyotropic)液晶所構(gòu)成。內(nèi)部偏光片350在沿著穿透軸方向可以具有約3.4±0.3的內(nèi)部平面距離。然后，形成第一配向?qū)?60而覆蓋內(nèi)部偏光片350。
第二基板370可以當(dāng)作是LCD裝置300的上基板。第二基板370例如是包含有彩色濾光片的玻璃基板。一外部偏光片372可以附著在第二基板370的外側(cè)上。
共通電極380可以被形成于第二基板370的內(nèi)側(cè)上。共通電極380可以是由沉積法所形成的ITO或IZO層。然后，形成第二配向?qū)?90而覆蓋共通電極380。
接著，將液晶分子填入第一基板310與第二基板370之間，而形成一液晶層395。其中液晶層395的液晶取向(orientation)是由畫素電極330與共通電極380之間的電場來控制。
接著說明半穿透式LCD裝置300的操作狀態(tài)。在穿透模式下，來自發(fā)光元件312的光398被位于第二側(cè)壁3222上的第二反射層330反射，然后透過凹口322而穿越液晶層395。在反射模式下，來自環(huán)境光或外部光源(未顯示)的光399可穿越液晶層395而被第二反射層330反射。在一些實(shí)施例中，在任何模式下的來自反射層330的反射，使得發(fā)光元件312的體積比現(xiàn)有背光元件來的小或薄，甚至使得發(fā)光元件312比較省能源。換句話說，依據(jù)本發(fā)明可以使LCD裝置300具有較薄的結(jié)構(gòu)以及較省能源。
圖3B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置301的剖面示意圖。在此實(shí)施例中，關(guān)于距離發(fā)光元件312較遠(yuǎn)的凹口322，其夾角θ可以被減小。例如，最靠近發(fā)光元件312的凹口322的起始夾角θ大約是90°，然后隨著與發(fā)光元件312的距離增加而逐漸減少夾角θ，使得距離發(fā)光元件312最遠(yuǎn)的夾角θ減小至大約45°。
在此實(shí)施例中，凹口322可以是由采用細(xì)長光罩(attenuated photomask)或具有不同間隙的狹縫光罩(slit photomask)所構(gòu)成。凹口322的頂部寬度“W”可以大于約2μm，而凹口322的垂直深度范圍可以是約2～5μm。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置400的剖面示意圖。如圖所示的例子中，半穿透式LCD裝置400包含有當(dāng)作是畫素電極的透明電極445。透明電極445是夾于覆蓋層340和內(nèi)部偏光片350之間。在此例子中，第二反射層330是當(dāng)作一反射板。
透明電極445可以由貫穿絕緣層320與覆蓋層340的插塞(未圖示)而電性連接TFTs(未圖示)。透明電極445可以是經(jīng)由沉積法所形成的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層。在如圖4A所示的例子中，所有凹口322的夾角θ都是一樣的角度，例如45°。實(shí)際上夾角θ的范圍可以是45°～90°。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置401的剖面示意圖。在此實(shí)施例中，關(guān)于距離發(fā)光元件312較遠(yuǎn)的凹口322，其夾角θ可以被減小。例如，凹口322的起始夾角θ大約是90°，而最終夾角θ則減小至大約45°。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置500的剖面示意圖。如圖所示的例子中，半穿透式LCD裝置500包含有當(dāng)作是畫素電極的透明電極555。透明電極555是位于內(nèi)部偏光片350上。在此例子中，第二反射層330是當(dāng)作一反射板。
透明電極555可以電性連接第一基板310上的TFTs(未圖示)。在如圖5A所示的例子中，所有凹口322的夾角θ都是一樣的角度，例如45°。實(shí)際上夾角θ的范圍可以是45°～90°。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一半穿透式LCD裝置501的剖面示意圖。在此實(shí)施例中，關(guān)于距離發(fā)光元件312較遠(yuǎn)的凹口322，其夾角θ可以被減小。例如，凹口322的起始夾角θ大約是90°，而最終夾角θ則減小至大約45°。
圖6顯示一控制器2耦合于本發(fā)明實(shí)施例的半穿透式LCD裝置的顯示設(shè)備3示意圖。也就是說，顯示設(shè)備3可以包含如圖3A、3B、4A、4B、5A以及5B的半穿透式LCD裝置300/301/400/401/500/50l?？刂破?可以包含源極與柵極驅(qū)動電路(未圖標(biāo))而用來控制半穿透式LCD裝置300/301/400/401/500/501，因而能夠根據(jù)輸入信號而提供圖像。顯示設(shè)備3與相配合的控制器2可以應(yīng)用于任何現(xiàn)有的顯示設(shè)備上，例如平面顯示器。
圖7是結(jié)合本發(fā)明的半穿透式LCD裝置的電子裝置5的示意圖，其顯示一輸入裝置4耦合于電子裝置5中。電子裝置5可以配合本發(fā)明的半穿透式LCD裝置。如圖所示，輸入裝置4是被耦接于顯示設(shè)備3中的控制器2，而構(gòu)成電子裝置5。輸入裝置4可以包含有信息處理器(processor)或其它類似的電子元件，周以輸入信號至控制器2而使半穿透式LCD裝置提供圖像。電子裝置5可以是攜帶式裝置，例如PDA、筆記型計算機(jī)、桌上型計算機(jī)、平板計算機(jī)、行動電話或屏幕等等。
本發(fā)明由位于第一基板的一邊上的發(fā)光元件以及延伸至第二側(cè)壁上而面向發(fā)光元件的反射層的設(shè)計，使得本發(fā)明的半穿透式LCD裝置體積厚度比現(xiàn)有的具有傳統(tǒng)背光元件的LCD裝置薄。另外，本發(fā)明采用內(nèi)部偏光片的設(shè)計，因而改善現(xiàn)有半穿透式LCD裝置的漏光問題。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習(xí)此項技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，包括一第一基板；一第二基板；一液晶層，夾于該第一基板與該第二基板之間；一發(fā)光元件，位于該第一基板的一邊上；包含有多個凹口的一絕緣層，形成于該第一基板上，其中每一凹口包含一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，該第二側(cè)壁與水平方向之間具有一夾角；一第一反射層，形成于該絕緣層上，并延伸至該第二側(cè)壁上，其中該第二側(cè)壁上的該第一反射層是面向該發(fā)光元件；以及一內(nèi)部偏光片，形成于該第一反射層的上方。
2.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，更包括一第二反射層，形成于該第一基板的外側(cè)上。
3.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，更包括一覆蓋層，位于該第一反射層與該內(nèi)部偏光片之間；以及一第一配向?qū)?，形成于該?nèi)部偏光片上。
4.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，更包括一第二偏光片，位于該第二基板的外側(cè)上；一共通電極，形成于該第二基板的內(nèi)側(cè)上；以及一第二配向?qū)樱纬捎谠摴餐姌O上。
5.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，該發(fā)光元件包含至少一發(fā)光二極管或一冷陰極熒光燈管。
6.如權(quán)利要求2所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，該第一反射層及該第二反射層包含鋁或銀。
7.如權(quán)利要求3所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，更包括形成一透明電極于該覆蓋層或該內(nèi)部偏光片上方。
8.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，該夾角是45°～90°之間。
9.如權(quán)利要求1所述的半穿透式液晶顯示裝置，其特征在于，該夾角隨著該凹口遠(yuǎn)離該發(fā)光元件而變小。
10.一種半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括提供一第一基板與一第二基板；形成包含有多個凹口的一絕緣層于該第一基板上，其中每一凹口包含一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，該第二側(cè)壁與水平方向之間具有一夾角；形成一液晶層而夾于該第一基板與該第二基板之間；配置一發(fā)光元件于該第一基板的一邊上；形成一第一反射層于該絕緣層上，并延伸至該第二側(cè)壁上，其中該第二側(cè)壁上的該第一反射層是面向該發(fā)光元件；以及形成一內(nèi)部偏光片于該第一反射層的上方。
11.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，更包括形成一第二反射層于該第一基板的外側(cè)上。
12.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，更包括形成一覆蓋層于該第一反射層與該內(nèi)部偏光片之間；以及形成一第一配向?qū)佑谠搩?nèi)部偏光片上。
13.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，更包括配置一第二偏光片于該第二基板的外側(cè)上；形成一共通電極于該第二基板的內(nèi)側(cè)上；以及形成一第二配向?qū)佑谠摴餐姌O上。
14.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，該發(fā)光元件包含至少一發(fā)光二極管或一冷陰極熒光燈管。
15.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，該第一反射層及該第二反射層包含鋁或銀。
16.如權(quán)利要求12所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，更包括形成一透明電極于該覆蓋層或該內(nèi)部偏光片上方。
17.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，該夾角是45°～90°之間。
18.如權(quán)利要求10所述的半穿透式液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，該夾角隨著該凹口遠(yuǎn)離該發(fā)光元件而變小。
19.一種電子裝置，其特征在于，包括一半穿透式液晶顯示器如權(quán)利要求1項所述；一控制器耦合于該半穿透式液晶顯示器；以及一輸入裝置耦合于該控制器，用以輸入信號至控制器以供圖像。
全文摘要
本發(fā)明為一種半穿透式液晶顯示裝置及其制造方法以及電子裝置，包括一液晶層，夾于一第一基板與一第二基板之間；一發(fā)光元件，位于第一基板的一邊上，包含有多個凹口的一絕緣層，形成于第一基板上，其中每一凹口包含一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，而第二側(cè)壁與水平方向之間具有一夾角，一第一反射層，形成于絕緣層上，并延伸至第二側(cè)壁上，其中第二側(cè)壁上的第一反射層是面向發(fā)光元件，一內(nèi)部偏光片，形成于第一反射層的上方。
文檔編號G09G3/36GK1804691SQ200510102548
公開日2006年7月19日 申請日期2005年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月14日
發(fā)明者張煒熾, 莊立圣 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司