專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板，并且更為具體的說涉及等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其中能增強(qiáng)表現(xiàn)低灰度級(jí)的能力。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下稱作“PDP”)通過具有在混合惰性氣體的放電期間產(chǎn)生的147nm紫外線的發(fā)光熒光材料來顯示包括字符和圖形的圖像，該惰性氣體如He+Xe、Ne+Xe或He+Ne+Xe?？扇菀椎貙⒃揚(yáng)DP制造成薄和大，并且通過最近開發(fā)的現(xiàn)有技術(shù)，該P(yáng)DP能提供大大增加的圖像質(zhì)量。更為具體的話說，由于在放電情況下壁電荷累積在表面上，三電極AC表面放電型PDP具有低電壓驅(qū)動(dòng)和較長的產(chǎn)品壽命的優(yōu)點(diǎn)，并且保護(hù)電極不受放電產(chǎn)生的濺射影像。
圖1是示意現(xiàn)有技術(shù)中三電極AC表面放電型PDP的放電單元的結(jié)構(gòu)的透視圖。
參考圖1，該三電極AC表面放電型PDP的放電單元包括在上基片10的底面上形成的掃描電極Y和維持電極Z，和在下基片18上形成的尋址電極X。該掃描電極Y包括透明電極12Y，和金屬總線電極13Y，其具有比透明電極12Y小的行寬，并且被設(shè)置在該透明電極的一側(cè)邊緣上。而且，該維持電極Z包括透明電極12Z，和金屬總線電極13Z，其具有比透明電極12Y小的行寬，并且被設(shè)置在該透明電極的一側(cè)邊緣上。
該透明電極12Y、12Z通常由銦錫氧化物(ITO)形成，并且形成在上基片10的底面上。該金屬總線電極13Y、13Z通常由金屬，如鉻(Cr)形成，并且形成在透明電極12Y、12Z上。該金屬總線電極13Y、13Z用來減小由具有高電阻的透明電極12Y、12Z引起的電壓降。在該上基片10的底面上，在其中形成相互平行的掃描電極Y和維持電極Z上層疊上介質(zhì)層14和保護(hù)層16。在等離子放電期間產(chǎn)生的壁電荷累積在該上介質(zhì)層14上。保護(hù)層16用來防止在等離子放電期間產(chǎn)生的濺射損壞該上介質(zhì)層14，并且也提高次級(jí)電子的發(fā)射效率。通常氧化鎂(MgO)用作保護(hù)層16。
在形成尋址電極X的下基片18上形成下介質(zhì)層22和阻擋條24。在下介質(zhì)層22和阻擋條24的表面上涂敷熒光材料層26。形成的該尋址電極X與掃描電極Y和維持電極Z交叉。形成的阻擋條24與尋址電極X平行，并且用來防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元中。通過在等離子的放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)該熒光材料層26以產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)中的任何一個(gè)可見光。將惰性混合氣體注入到在上基片10和阻擋條24之間以及在下基片18和阻擋條24之間提供的放電空間中。
以一幀被分為具有不同數(shù)量的輻射的多個(gè)子場來時(shí)間驅(qū)動(dòng)PDP，以便實(shí)現(xiàn)圖像的灰度級(jí)。將每個(gè)子場分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期，用于選擇掃描線和從所選的掃描線中選擇單元的尋址周期，和用于根據(jù)放電數(shù)實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)的維持周期。
將該復(fù)位周期分為建立周期，其中提供傾斜上升波形，和撤除周期，其中提供傾斜下降波形。例如，如果希望顯示具有256灰度級(jí)的圖像，將對應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)分為8個(gè)子場(SF1至SF8)，如圖2所示。將每個(gè)子場(SF1至SF8)分為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，如上所述。每個(gè)子場(SF1至SF8)的復(fù)位周期和尋址周期在每個(gè)子場中是相同的，而在每個(gè)子場中維持周期以2n(在此，n＝0、1、2、3、4、5、6、7)的比例增加。
圖3顯示了提供給兩個(gè)子場的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖3，通過將一幀分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、用于選擇單元的尋址周期和用于維持所選單元的放電的維持周期來驅(qū)動(dòng)該P(yáng)DP。
在復(fù)位周期的建立周期中，同時(shí)將上升沿(Ramp-up)波形提供給整個(gè)掃描電極Y。該傾斜上升波形(Ramp-up)引起在整個(gè)屏幕的單元產(chǎn)生弱的放電，以便在該單元中產(chǎn)生壁電荷。在撤除周期中，在提供上升沿(Ramp-up)波形后，同時(shí)向掃描電極Y提供傾斜下降波形(Ramp-down)，該波形從低于傾斜上升波形(Ramp-up)的峰值電壓的正(+)電壓下降。該傾斜下降波形(Ramp-up)產(chǎn)生單元內(nèi)的弱的擦除放電，由此擦除不必要的電荷，比如由該建立放電和空間放電產(chǎn)生的壁電荷，并引起對于尋址放電所需的壁電荷均勻地留在單元內(nèi)。
在該尋址周期中，當(dāng)向該掃描電極Y順序應(yīng)用負(fù)(-)掃描脈沖時(shí)，向該尋址電極X提供正(+)數(shù)據(jù)脈沖(Data)。由于添加在掃描脈沖(Scan)和數(shù)據(jù)脈沖(Data)之間的電壓差和在該復(fù)位周期中產(chǎn)生的壁電壓，在應(yīng)用數(shù)據(jù)脈沖(Data)的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在由該尋址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。
同時(shí)，在撤除周期和尋址周期期間，正(+)維持電壓(Vs)被應(yīng)用于該維持電極Z。
在該維持周期中，將維持脈沖(Sus)交替應(yīng)用于掃描電極Y和維持電極Z。無論何時(shí)將維持脈沖(Sus)應(yīng)用為單元內(nèi)的壁電壓，并添加維持脈沖(Sus)，在由尋址放電選擇的單元中在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生表面放電形式的維持放電。該維持周期是這樣一個(gè)周期，為了用于灰度級(jí)顯示的放電，其實(shí)質(zhì)上包含在整個(gè)子場中。通過子場的放電執(zhí)行灰度級(jí)表示，該子場的亮度加權(quán)是不同的。例如，為了表示最小亮度不是黑色，只有具有最低加權(quán)的子場放電。
圖4顯示了用于表示最小亮度的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖4，第n子場是具有最低加權(quán)的子場。為了表示該最低亮度，只有第n子場放電。
下面將參考放電電壓曲線描述圖4中所示的驅(qū)動(dòng)波形。該電壓曲線被用作產(chǎn)生放電的原理和測量電壓裕量的方法。
參考圖5，在電壓曲線中的六邊形是分配放電單元中的壁電荷的區(qū)域。在該六邊形區(qū)域中不產(chǎn)生放電。而且，Y(-)表示當(dāng)向該掃描電極Y提供負(fù)電壓時(shí)，壁電壓移動(dòng)的方向。以類似的方式，Y(+)、X(+)、X(-)、Z(+)和Z(-)中的每個(gè)表示當(dāng)向該掃描電極Y或該維持電極Z應(yīng)用負(fù)或正電壓時(shí)，壁電壓移動(dòng)的方向。
而且，在電壓曲線圖形的象限1的反放電區(qū)中的“Vtxy”表示在尋址電極X和掃描電極Y之間的放電開始的電壓。換句話說，將表示該電壓曲線圖形的象限1的相反放電區(qū)域的直線確定為在尋址電極X和掃描電極Y之間的放電開始的電壓的長度。另外，在電壓曲線圖形的象限1的表面放電區(qū)域中的“Vtzy”表示在維持電極Z和掃描電極Y之間的放電開始的電壓。以相同的方式，“Vtxz、Vtzx、Vtyz和Vtyx”中的每個(gè)表示在電極之間的放電啟動(dòng)電壓。
在應(yīng)用圖4所示的驅(qū)動(dòng)波形的情況下，壁電壓位于放電單元中的該圖形的象限3中，其中在第n子場中已經(jīng)發(fā)生尋址放電，如圖6所示。此后，如果向該掃描電極Y應(yīng)用正的維持脈沖，如圖4所示，組合位于象限3中的壁電荷的電壓和正的維持脈沖的電壓，以便電壓值移動(dòng)通過位于該圖形的象限3中的表面放電區(qū)域(即，向Y(+)側(cè)移動(dòng))，如圖6所示。同時(shí)，在放電單元中的掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。
在產(chǎn)生維持放電后，壁電壓位于該圖形的象限1中，如圖7所示。另外，通過將正維持脈沖應(yīng)用于維持電極Z的方式，組合位于象限1中的壁電荷的電壓和正的維持脈沖的電壓，以便電壓值移動(dòng)通過位于象限1中的表面放電區(qū)域(即，向Z(+)側(cè)移動(dòng))，如圖7所示。同時(shí)，在放電單元中的掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。在維持放電完成之后，壁電壓位于點(diǎn)A0，即，該圖形的象限3，如圖7所示(即，這是因?yàn)樽詈蟮木S持脈沖已經(jīng)被應(yīng)用于維持電極Z)。
在維持周期之后，將傾斜上升波形應(yīng)用于復(fù)位周期的初始階段。
參考圖8，如果在建立周期中將傾斜上升波形(Ramp-up)提供給掃描電極Y，該單元電壓從點(diǎn)A0移動(dòng)到Y(jié)(+)側(cè)，然后到達(dá)在掃描電極Y和維持電極Z之間的Vtyz的邊界(即，放電啟動(dòng)電壓)。如果該單元電壓到達(dá)該圖形的象限3的表面放電區(qū)域的邊界值，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生表面放電。連續(xù)應(yīng)用該傾斜上升波形(Ramp-up)，直到電壓Vy。然而，在單元內(nèi)的電壓的絕對值沒有變化，與在表面放電已經(jīng)產(chǎn)生之后壁電壓的影響下的電壓Vy相當(dāng)，但是沿著表面放電區(qū)域(即，放電啟動(dòng)電壓(Vf))的邊界下降。這意味著盡管在產(chǎn)生表面放電的掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓中沒有變化，但是由于負(fù)(-)電荷累積在掃描電極Y上，添加了與尋址電極X的電勢差。
如上所述，單元電壓沿著它的表面放電區(qū)域的邊界值移動(dòng)的事實(shí)意味著放電已經(jīng)發(fā)生。由于壁電荷的產(chǎn)生，壁電壓從位置A1改變到具有1/2斜率的位置C1。
同時(shí)，如果沿著象限3的表面放電區(qū)域的邊界值改變的單元電壓到達(dá)點(diǎn)F，即，在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生反放電。
當(dāng)向掃描電極Y應(yīng)用傾斜上升波形時(shí)，沿著在掃描電極Y和維持電極Z之間的反放電區(qū)域的邊界表面移動(dòng)的單元電壓通過點(diǎn)F，并且改變到點(diǎn)A2。從反放電產(chǎn)生的時(shí)間點(diǎn)，在放電空間，同時(shí)產(chǎn)生該表面放電和該反放電。由于在尋址電極X中也形成壁電荷，壁電壓從位置C1改變到具有斜率1的位置C2。
參考圖9，如果在傾斜上升波形(Ramp-up)之后向掃描電極Y應(yīng)用傾斜下降波形(Ramp-down)，位于點(diǎn)A2的單元電壓在Y(-)方向中改變。當(dāng)添加從A2到A3的矢量時(shí)(該矢量是應(yīng)用到維持電極Z的正電壓(Vz)的改變量)，當(dāng)產(chǎn)生放電啟動(dòng)電壓時(shí)，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生放電。同時(shí)，由于在點(diǎn)A4上產(chǎn)生放電，壁電壓的位置沿著壁電荷的變化從C2改變到C3。通過傾斜下降波形(Ramp-down)的方式，該單元電壓在X(+)方向上沿著掃描電極Y和維持電極之間的表面放電區(qū)域上升，并且在點(diǎn)F’上產(chǎn)生在掃描電極Y和尋址電極X之間的反放電。如果在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生反放電，壁電壓從位置C3變化到具有斜率1的點(diǎn)A0。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)PDP的方法，不僅在灰度級(jí)表示中，甚至在表示最小灰度級(jí)的過程中計(jì)算的維持放電是必要的，而且在尋址周期和復(fù)位周期中也產(chǎn)生放電。從圖4所示的光波形中可以看出，將在下一幀的尋址周期、維持周期和復(fù)位周期中產(chǎn)生的放電的光量添加到幀中用于表示最小灰度級(jí)，由此降低了表示低灰度級(jí)的能力。如果如上所述，表示低灰度級(jí)的能力降低，因?yàn)橛糜诒容^低灰度級(jí)和高灰度級(jí)之間的對比度降低，而產(chǎn)生問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的至少解決背景技術(shù)的問題和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其中提高表示低灰度級(jí)的能力。
根據(jù)本發(fā)明的一種等離子顯示裝置包括PDP，其包含在上基片上形成的相互平行的多個(gè)掃描電極和維持電極，和在下基片上與該掃描電極和維持電極交叉的多個(gè)尋址電極，其中通過將放電單元時(shí)分為多個(gè)子場，驅(qū)動(dòng)在電極的交叉點(diǎn)上形成的放電單元，和控制器，其在具有最低亮度值的第n子場中，向掃描電極應(yīng)用用于初始化放電單元的復(fù)位脈沖和用于選擇放電單元的掃描脈沖，而省略用于產(chǎn)生維持放電的維持脈沖，并且在第(n+1)子場中向掃描電極應(yīng)用低灰度級(jí)復(fù)位脈沖。
根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)PDP的方法中，省略具有最低亮度值的子場的維持周期，和使用在尋址周期中產(chǎn)生的光量和在下一個(gè)子場的復(fù)位周期中產(chǎn)生的光量表示最低亮度值的灰度級(jí)。因此有可能增強(qiáng)表示低灰度級(jí)的能力。


本發(fā)明將參考下面的附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，附圖中相同的數(shù)字涉及相同的元件。
圖1是示意現(xiàn)有技術(shù)中三電極AC表面放電型PDP的放電單元結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是顯示PDP的一個(gè)幀的視圖；圖3顯示在子場周期中提供給電極的驅(qū)動(dòng)波形；圖4顯示現(xiàn)有技術(shù)中用于表示最低灰度級(jí)的驅(qū)動(dòng)波形；圖5是顯示在已經(jīng)產(chǎn)生了尋址放電的放電單元中的壁電壓的位置的視圖；圖6是用于示意過程的視圖，其中當(dāng)向掃描電極Y提供維持脈沖時(shí)產(chǎn)生維持放電；圖7是用于示意過程的視圖，其中當(dāng)向維持電極提供維持脈沖時(shí)產(chǎn)生維持放電；圖8是用于示意建立周期的單元電壓和壁電壓的變化的視圖；圖9是用于示意撤除周期的單元電壓和壁電壓的變化的視圖；圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形；圖11示意的顯示了通過根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，在建立周期之后的壁電壓的分布；圖12示意的顯示了通過根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，在撤除周期之后的壁電壓的分布；圖13顯示了通過根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，在尋址周期期間的單元電壓和壁電壓的驅(qū)動(dòng)波形；圖14顯示了通過根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，在建立周期期間的單元電壓和壁電壓的驅(qū)動(dòng)波形；圖15顯示了通過根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，在撤除周期期間的單元電壓和壁電壓的驅(qū)動(dòng)波形；圖16顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形；圖17顯示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形；圖18是用于示意在復(fù)位周期中產(chǎn)生的強(qiáng)放電的視圖；圖19顯示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖以更詳細(xì)的方式描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
將參考圖10到19描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖10顯示用于示意根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的低灰度級(jí)表示方法的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖10，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的低灰度級(jí)表示方法包括步驟在具有最低亮度值的第n子場周期中向掃描電極Y應(yīng)用掃描脈沖，向?qū)ぶ冯姌O應(yīng)用數(shù)據(jù)脈沖，和在隨后的第n+1子場周期中向掃描電極應(yīng)用用于初始化單元復(fù)位脈沖。
在第n子場，在建立周期中，將電壓值從正維持電壓逐漸上升的傾斜上升波形(Ramp-up)應(yīng)用于掃描電極Y。應(yīng)用的傾斜上升波形(Ramp-up)到達(dá)比掃描電極Y和維持電極Z的放電啟動(dòng)電壓高的電壓值。應(yīng)用于掃描電極Y和維持電極Z的傾斜上升波形(Ramp-up)引起在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生放電，其具有比反放電啟動(dòng)電壓低的表面放電啟動(dòng)電壓值。由于產(chǎn)生表面放電，在掃描電極Y和維持電極Z之間形成壁電荷。即，在掃描電極Y中形成負(fù)(-)壁電荷，并且在維持電極Z中形成正(+)壁電荷。由于在維持電極對之間形成了對于傾斜上升波形(Ramp-up)(即，外部應(yīng)用電壓)具有相反極性的壁電荷，單元電壓下降到低于放電啟動(dòng)電壓。如果由于連續(xù)應(yīng)用傾斜上升波形(Ramp-up)，單元電壓變成放電啟動(dòng)電壓，進(jìn)一步形成壁電荷，而產(chǎn)生放電。當(dāng)重復(fù)該過程時(shí)，在應(yīng)用傾斜上升波形時(shí)單元電壓的值沒有變化靠近該放電啟動(dòng)電壓，并且壁電荷更多地形成。
而且，比放電啟動(dòng)電壓高的傾斜上升波形實(shí)際應(yīng)用在掃描電極Y和尋址電極X之間。因此，如果該傾斜上升波形到達(dá)反放電啟動(dòng)電壓值，放電開始，并且壁電荷在掃描電極Y和尋址電極X之間形成。即，負(fù)(-)壁電荷進(jìn)一步形成在掃描電極Y，并且在尋址電極X中形成少量的正(+)壁電荷。
結(jié)果，在完成建立周期之后，大量的負(fù)(-)壁電荷形成在放電單元中的掃描電極Y中，并且正(+)壁電荷形成在放電單元中的維持電極Z和尋址電極X中，如圖11所示。
在建立周期之后的撤除周期中，將電壓逐漸從維持電壓下降到負(fù)電壓的傾斜下降波形(Ramp-down)應(yīng)用于掃描電極Y。當(dāng)應(yīng)用傾斜下降波形時(shí)，具有不同于每個(gè)放電單元的壁電荷情況的單元開始放，在該單元中外部應(yīng)用電壓與壁電壓的總和到達(dá)放電啟動(dòng)電壓。在應(yīng)用的傾斜下降波形到達(dá)負(fù)電壓的過程中，當(dāng)在形成在掃描電極Y中的負(fù)壁電荷和形成在維持電極Z中的正壁電荷之間的壁電壓的差值和應(yīng)用于該掃描電極Y的負(fù)電壓的總和到達(dá)放電啟動(dòng)電壓時(shí)，放電開始。當(dāng)正(+)壁電荷形成在掃描電極Y中時(shí)，存在的負(fù)(-)壁電荷的量減小。當(dāng)負(fù)(-)壁電荷形成在維持電極Z中時(shí)，擦除少量的正(+)壁電荷，并且形成少量的負(fù)(-)壁電荷。
結(jié)果，如圖12所示，通過放電到達(dá)撤除周期的方式，在整個(gè)單元中，在掃描電極Y中形成少量的負(fù)(-)壁電荷，并且在維持電極Z中很少形成壁電荷。而且，在尋址電極X中規(guī)則地形成正(+)壁電荷。
換句話說，在掃描電極Y和維持電極Z之間的維持電極Z中形成較高的電勢，并且在尋址電極X和維持電極對之間的尋址電極X中形成較高的電勢，以便將壁電壓調(diào)整到放電曲線的象限1中。
參考圖13，如果通過調(diào)整到放電曲線的象限1中的壁電荷將負(fù)電壓應(yīng)用于掃描電極Y，并且將正電壓應(yīng)用于尋址電極X作為在尋址電極中的外部應(yīng)用電壓，該單元電壓改變到點(diǎn)A1，這是在Z(+)方向中移動(dòng)的矢量的改變量和在Y(-)方向上移動(dòng)的矢量的改變量的和。即，由于在位于象限1中的掃描電極Y和尋址電極X之間超過表面放電啟動(dòng)電壓，產(chǎn)生放電。而且，由于因?yàn)橛煞烹娨鸬碾姾傻姆聪啵驗(yàn)樵趻呙桦姌OY中形成的正壁電荷和在尋址電極中形成的負(fù)壁電荷的緣故，在掃描電極Y和尋址電極X之間的壁電壓的電勢差變?yōu)閽呙桦姌OY和維持電極Z之間的壁電壓的電勢差的兩倍。然后該壁電壓在具有斜率2的電壓曲線上移動(dòng)，并且改變到點(diǎn)C1。
在第n尋址周期之后的第(n+1)子場(即，下一個(gè)子場)的開始周期中，應(yīng)用從地電壓逐漸上升的傾斜上升波形。應(yīng)用該傾斜上升波形(Ramp-up)到達(dá)Vy，即，高于在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓的電壓值。如圖4所示，由于應(yīng)用傾斜上升波形(Ramp-up)，位于點(diǎn)C1的單元電壓在Y(+)方向移動(dòng)，并且到達(dá)Vtyz軸，即，在掃描電極Y和維持電極Z的表面放電啟動(dòng)電壓。如果單元電壓變成表面放電啟動(dòng)電壓，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生放電。該傾斜上升波形上升到電壓值Vy。在傾斜上升波形到達(dá)表面放電啟動(dòng)電壓之后，由于產(chǎn)生壁電荷，該單元電壓下降到低于放電啟動(dòng)電壓，然后到達(dá)放電啟動(dòng)電壓。當(dāng)產(chǎn)生弱放電時(shí)，單元電壓沿著在象限3的掃描電極Y和維持電極Z之間的表面放電邊界區(qū)域改變。當(dāng)單元電壓通過表面放電邊界區(qū)域時(shí)，由于經(jīng)過放電造成產(chǎn)生壁電荷，壁電壓改變到具有斜率1/2的點(diǎn)C2。
該單元電壓沿著在掃描電極Y和維持電極Z之間的反放電區(qū)域改變而經(jīng)過點(diǎn)F。當(dāng)單元電壓沿著反放電區(qū)域改變而經(jīng)過點(diǎn)F時(shí)，在該放電單元中產(chǎn)生表面放電和反放電，并且壁電壓從點(diǎn)C2改變到點(diǎn)C3。
通過在建立周期中應(yīng)用的傾斜上升波形(Ramp-up)移動(dòng)到點(diǎn)A2的單元電壓通過在撤除周期中應(yīng)用的傾斜下降波形(Ramp-down)在Y(-)方向中移動(dòng)，如圖15所示。在撤除周期期間，正電壓應(yīng)用于維持電極Z。正電壓具有含有維持電壓值的矩形波。通過將正電壓應(yīng)用于維持電極Z，單元電壓在Z(+)方向中改變。結(jié)果，開始瞬時(shí)放電，在瞬時(shí)放電中，應(yīng)用于維持電極Z的電壓的總和以及通過傾斜下降波形(Ramp-down)電壓變化的總和到達(dá)在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓。當(dāng)在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生弱放電時(shí)，壁電壓從C3改變到具有斜率1/2的C4。單元電壓通過該落到電壓Vy1的傾斜下降波形(Ramp-down)沿著表面放電區(qū)域上升到點(diǎn)F1。如果單元電壓到達(dá)點(diǎn)F1，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生反放電，并且壁電壓通過在尋址電極X中形成的壁電荷從點(diǎn)C4改變到具有斜率1的點(diǎn)C5。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的PDP的低灰度級(jí)表示方法通過省略具有最低亮度值的第n子場的維持周期能避免由維持放電(即，強(qiáng)放電)產(chǎn)生的光量。代替的，由于使用尋址放電(即，弱放電)和在第n+1子場的復(fù)位周期中產(chǎn)生的光量表示最小亮度，表現(xiàn)低灰度級(jí)的能力可以增強(qiáng)。盡管當(dāng)在驅(qū)動(dòng)PDP的現(xiàn)有方法中表示最小灰度級(jí)時(shí)，照明的強(qiáng)度是3cd或者更高，但是根據(jù)本發(fā)明的PDP驅(qū)動(dòng)方法的最小灰度級(jí)表示能表現(xiàn)1cd的照明強(qiáng)度。本發(fā)明的PDP驅(qū)動(dòng)方法通過增加表現(xiàn)低灰度級(jí)的能力也能提高對比度比率。
圖16顯示了用于示意根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的低灰度級(jí)表示方法的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖16，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的低灰度級(jí)表示方法包括以下步驟，在具有最低亮度值的第n子場周期中向掃描電極Y應(yīng)用掃描脈沖，向?qū)ぶ冯姌O應(yīng)用數(shù)據(jù)脈沖，和在隨后的第n+1子場周期中向掃描電極應(yīng)用用于初始化單元的復(fù)位脈沖。
在該實(shí)施例中，將不描述與上述實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。
該實(shí)施例包括步驟，應(yīng)用傾斜波形，其中在具有最低亮度值的第n子場周期后面的第n+1子場周期中應(yīng)用的傾斜上升波形(Ramp-up)從地電壓上升到維持電壓值，維持維持電壓值，和應(yīng)用從維持電壓值上升到Vy的傾斜波形，該Vy即高于在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓的電壓值。從驅(qū)動(dòng)波形的功能觀點(diǎn)來看，在實(shí)施例中應(yīng)用的傾斜上升波形不能基本上區(qū)分于該傾斜波形，該波形在第一實(shí)施例中從地電壓連續(xù)上升到Vy。然而，通過利用維持電壓源，應(yīng)用傾斜波形到達(dá)維持電壓值，并將一個(gè)電壓值添加到該電壓值中，可以實(shí)現(xiàn)上升到Vy的傾斜波形。
圖17顯示了用于示意根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的表示低灰度級(jí)的方法的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖17，該P(yáng)DP的低灰度級(jí)表示方法包括步驟，在具有最低亮度值的第n子場周期中向掃描電極Y應(yīng)用掃描脈沖，向?qū)ぶ冯姌O應(yīng)用數(shù)據(jù)脈沖，和在隨后的第n+1子場周期中向掃描電極應(yīng)用用于初始化單元的復(fù)位脈沖。
在具有最低亮度值的第n子場的尋址周期完成之后，完成第n+1子場的建立周期，即，后面的子場。放電單元的壁電壓位于圖15所示的點(diǎn)C3。
然而，每個(gè)放電單元具有不同的單元狀況。該放電單元的單元狀況可由在它制造過程中形成的面板特性引起，或者可由取決于放電數(shù)和放電單元的量的壁電荷的不規(guī)則狀態(tài)引起。為了將這些不規(guī)則的狀況正規(guī)化，在該復(fù)位周期期間對壁電荷的狀況進(jìn)行正規(guī)化。然而，整個(gè)單元沒有被基本上正規(guī)化。
圖18顯示了一個(gè)范例，其中在建立周期完成之后，放電單元的壁電荷形成在位置C3’和C3。壁電壓狀況是指非常接近于掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓的狀態(tài)。如果正電壓應(yīng)用于維持電極Z，或者負(fù)電壓應(yīng)用于掃描電極Y，產(chǎn)生放電。在建立周期之后，在撤除周期中將正電壓應(yīng)用于維持電極Z，但是從正電壓下降的傾斜波形也被應(yīng)用于掃描電極Y。因此，不產(chǎn)生強(qiáng)的放電。然而，在傾斜上升波形(Ramp-up)應(yīng)用之后應(yīng)用傾斜下降波形(Ramp-down)之前不久，存在一種情況，即不向掃描電極Y應(yīng)用電壓，但是將正電壓首先應(yīng)用于該維持電極Z。在該情況下，通過向維持電極Z應(yīng)用正電壓，由于位于點(diǎn)C3’的壁電壓瞬間超過掃描電極Y和維持電極Z之間的放電啟動(dòng)電壓，產(chǎn)生強(qiáng)放電。由面板特性或放電單元的不規(guī)則引起該現(xiàn)象，并導(dǎo)致錯(cuò)誤放電。
因此，在根據(jù)第三實(shí)施例的PDP的低灰度級(jí)表示方法中，在具有最低亮度值的第n子場后面的第n+1子場的撤除周期中向維持電極應(yīng)用正電壓的方法包括步驟，在建立周期的下半周期中漂移維持電極Z的電壓，并且向維持電極Z應(yīng)用維持電壓值的矩形波。如果通過漂移來應(yīng)用電壓而不是直接應(yīng)用維持電壓值的矩形波，當(dāng)根據(jù)面板的特性，建立周期改變?yōu)槌烦芷跁r(shí)，可以防止發(fā)生強(qiáng)的放電。因此有可能防止錯(cuò)誤放電。
圖19顯示了用于示意根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的表示低灰度級(jí)的方法的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖19，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP低灰度級(jí)表示方法包括步驟，在具有最低亮度值的第n子場周期中向掃描電極Y應(yīng)用掃描脈沖，向?qū)ぶ冯姌O應(yīng)用數(shù)據(jù)脈沖，和在隨后的第n+1子場周期中向掃描電極應(yīng)用用于初始化單元的復(fù)位脈沖。
在該實(shí)施例中，當(dāng)建立周期改變?yōu)槌烦芷跁r(shí)向維持電極應(yīng)用正電壓的方法包括步驟，在建立周期的下半周期應(yīng)用傾斜上升波形(Ramp-up)，即子上升波形，并且在撤除周期的起點(diǎn)應(yīng)用維持電壓值的矩形波。
由于在建立周期的下半周期應(yīng)用傾斜上升波形(Ramp-up)，即子上升波形，可以防止產(chǎn)生強(qiáng)放電，并因此可以防止錯(cuò)誤放電，如第三實(shí)施例所述。
將在建立周期的下半周期應(yīng)用的傾斜上升波形(Ramp-up)設(shè)置為具有可以防止產(chǎn)生強(qiáng)放電的斜率。
由此描述本發(fā)明，顯然能以許多方式改變其內(nèi)容。不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這些變化脫離本發(fā)明的本質(zhì)和范圍，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的這些修改意圖被包含在下列權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法，該P(yáng)DP包括在上基片上彼此平行形成的多個(gè)掃描電極和維持電極，和在下基片上的與掃描電極和維持電極交叉的多個(gè)尋址電極，其中通過時(shí)分為多個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)在電極的交叉點(diǎn)上形成的放電單元，其中在具有最低亮度值的第n子場中，向掃描電極施加用于初始化放電單元的復(fù)位脈沖和用來選擇放電單元的掃描脈沖，而省略用于產(chǎn)生維持放電的維持脈沖，并且在第n+1子場中，向掃描電極施加低灰度級(jí)復(fù)位脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第n子場中，該復(fù)位脈沖包括傾斜上升波形，其電壓逐漸從維持電壓值的第一電壓電平上升到第二電壓電平，即，比掃描電極的啟動(dòng)電壓高的電壓值，和傾斜下降波形，其在傾斜上升波形后，電壓從第一電壓電平逐漸下降第三電壓電平，即，掃描電極的負(fù)電壓值。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第n+1子場中，該低灰度級(jí)復(fù)位脈沖包括上升波形，其電壓值逐漸從地電壓電平上升到掃描電極的第二電壓電平；和下降波形，其電壓值逐漸從第一電壓電平下降到掃描電極的第三電壓電平。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第n+1子場中，該低灰度級(jí)復(fù)位脈沖包括上升波形，其電壓值逐漸從地電壓電平上升到第一電壓電平；其第一電壓電平維持在基本上恒定的電平的波形；和上升波形，其電壓值逐漸從第一電壓電平上升到第二電壓電平。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)應(yīng)用下降波形時(shí)向該維持電極應(yīng)用正電壓的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該正電壓是維持電壓值。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該在第n+1子場期間向維持電極施加正電壓的步驟包括以下步驟在上升波形的結(jié)束部分，在地電壓電平漂移電壓；和在漂移電壓之后施加正電壓。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該在第n+1子場期間向維持電極施加正電壓的步驟包括以下步驟在施加到掃描電極的上升波形的結(jié)束部分，向維持電極施加子上升波形；和在子上升波形之后向維持電極施加正電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該子上升波形具有逐漸從地電壓電平上升到小于維持電壓值的電壓的電壓。
10.一種等離子顯示裝置，其包括PDP，其包括在上基片上彼此平行形成的多個(gè)掃描電極和維持電極，和在下基片上與掃描電極和維持電極交叉的多個(gè)尋址電極，其中通過時(shí)分為多個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)在電極的交叉點(diǎn)上形成的放電單元；和控制器，其在具有最低亮度值的第n子場中，向掃描電極施加用于初始化放電單元的復(fù)位脈沖和用于選擇放電單元的掃描脈沖，而省略用于產(chǎn)生維持放電的維持脈沖，并且在第n+1子場中向掃描電極施加低灰度級(jí)復(fù)位脈沖。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中，在第n子場中，該復(fù)位脈沖包括傾斜上升波形，其電壓逐漸從維持電壓值的第一電壓電平上升到第二電壓電平，即，比掃描電極的啟動(dòng)電壓高的電壓值，和傾斜下降波形，其在傾斜上升波形后，電壓從第一電壓電平逐漸下降第三電壓電平，即，掃描電極的負(fù)電壓值。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中，在第n+1子場中，施加到掃描電極的該低灰度級(jí)復(fù)位脈沖包括上升波形，其電壓值逐漸從地電壓電平上升到該第二電壓電平；和下降波形，其電壓值逐漸從第一電壓電平下降到第三電壓電平。
13.如權(quán)利要求10所述的該等離子顯示裝置，其中，在第n+1子場中，該低灰度級(jí)復(fù)位脈沖包括上升波形，其電壓值逐漸從地電壓電平上升到第一電壓電平；其第一電壓電平維持在基本上恒定電平的波形；和上升波形，其電壓值逐漸從第一電壓電平上升到第二電壓電平。
14.如權(quán)利要求11的等離子顯示裝置，其中，當(dāng)施加下降波形時(shí)，向維持電極施加正電壓。
15.如權(quán)利要求14的等離子顯示裝置，其中，該正電壓是維持電壓值。
16.如權(quán)利要求14的等離子顯示裝置，其中，在第n+1子場中，該控制器在上升波形的結(jié)束部分在地電壓電平漂移該電壓，且在漂移電壓之后施加正電壓。
17.如權(quán)利要求14的等離子顯示裝置，其中，該控制器在施加到掃描電極的上升波形的結(jié)束部分向維持電極施加子上升波形，并在子上升波形之后向維持電極施加正電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其中，該子上升波形具有逐漸從地電壓電平上升到小于維持電壓值的電壓的電壓。
19.一種等離子顯示裝置，其包括PDP，其包括在上基片上彼此平行形成的多個(gè)掃描電極和維持電極，和在下基片上與掃描電極和維持電極交叉的多個(gè)尋址電極，其中通過時(shí)分為多個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)在電極的交叉點(diǎn)上形成的放電單元；和控制器，其在具有最低亮度值的第n子場中，向掃描電極施加用來初始化放電單元的復(fù)位脈沖和用來選擇放電單元的掃描脈沖，而省略用于產(chǎn)生維持放電的維持脈沖，并且在第n+1子場中向掃描電極施加低灰度級(jí)復(fù)位脈沖，其中，在施加到掃描電極的上升波形的結(jié)束部分向維持電極施加子上升波形，并且在施加子上升波形之后施加正電壓。
20.如權(quán)利要求19所述的等離子顯示裝置，其中，該子上升波形具有逐漸從地電壓電平上升到小于維持電壓值的電壓的電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子顯示面板，并且更為具體的說涉及等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其中能增強(qiáng)表示低灰度級(jí)的能力。根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置包括PDP，其包括在上基片上彼此平行形成的多個(gè)掃描電極和維持電極，和在下基片上的與掃描電極和維持電極交叉的多個(gè)尋址電極，其中通過時(shí)分為多個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)在電極的交叉點(diǎn)上形成的放電單元，和控制器，其在具有最低亮度值的第n子場中，向掃描電極應(yīng)用用來初始化放電單元的復(fù)位脈沖和用來選擇放電單元的掃描脈沖，而省略用于產(chǎn)生維持放電的維持脈沖，并且在第n+1子場中向掃描電極應(yīng)用低灰度級(jí)復(fù)位脈沖。
文檔編號(hào)G09G3/288GK1790455SQ200510127220
公開日2006年6月21日 申請日期2005年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月18日
發(fā)明者鄭景振, 趙起德, 李城任, 崔允暢 申請人:Lg電子株式會(huì)社