專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置是一種大型平面顯示裝置，其作為家庭用的壁掛式電視已開始普及。為了進(jìn)一步普及，要求其具有和CRT同等程度的顯示質(zhì)量和價(jià)格。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于減少生成選址脈沖時(shí)的功耗，并且通過該選址脈沖來穩(wěn)定地選擇顯示像素。
本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種等離子顯示裝置，其中具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極、通過與掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極、生成掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路、以及生成選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路。選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))上升，并從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
通過使選址脈沖分n階上升，可以減少功耗。另外，通過使得維持從最低電壓上升了一階的電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊，可以使選址脈沖的最高電壓的期間變長，從而能夠穩(wěn)定地選擇顯示像素。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的示意圖；圖2是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的面板的結(jié)構(gòu)例的立體分解圖；
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的各場結(jié)構(gòu)例的示意圖；圖4是用于說明復(fù)位期間、選址期間以及維持期間的動(dòng)作例的時(shí)序圖；圖5是選址期間內(nèi)的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖6是用于減少功耗的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖7是本發(fā)明第一實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖8是本發(fā)明第二實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖9是本發(fā)明第三實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖10是本發(fā)明第四實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖11是本發(fā)明第五實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖12是本發(fā)明第六實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖13是本發(fā)明第七實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖14是本發(fā)明第八實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖15是本發(fā)明第九實(shí)施方式的選址電極的選址脈沖和Y電極的掃描脈沖的示意圖；圖16(A)和16(B)是本發(fā)明第十實(shí)施方式的示意圖；圖17(A)和17(B)是本發(fā)明第十一實(shí)施方式的示意圖；圖18(A)和18(B)是本發(fā)明第十二實(shí)施方式的示意圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施方式)圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的示意圖。參考標(biāo)號(hào)3是等離子顯示面板，參考標(biāo)號(hào)4是X驅(qū)動(dòng)電路，參考標(biāo)號(hào)5是Y(掃描)驅(qū)動(dòng)電路，參考標(biāo)號(hào)6是選址驅(qū)動(dòng)電路，參考標(biāo)號(hào)7是控制電路。
控制電路7控制X驅(qū)動(dòng)電路4、Y驅(qū)動(dòng)電路5以及選址驅(qū)動(dòng)電路6。X驅(qū)動(dòng)電路4向多個(gè)X電極X1、X2、…提供預(yù)定的電壓。下面，將X電極X1、X2、…的每一個(gè)稱為或者將它們總稱為X電極Xi，i為后綴。Y驅(qū)動(dòng)電路5向多個(gè)Y電極Y1、Y2、…提供預(yù)定的電壓。下面，將Y電極Y1、Y2、…的每一個(gè)稱為或者將它們總稱為Y電極Yi，i為后綴。選址驅(qū)動(dòng)電路6向多個(gè)選址電極A1、A2、…提供預(yù)定的電壓。下面，將選址電極A1、A2、…的每一個(gè)稱為或者將它們總稱為選址電極Aj，j為后綴。
在面板3中，Y電極Yi和X電極Xi形成沿水平方向平行延伸的行，選址電極Aj形成沿垂直方向延伸的列。Y電極Yi和X電極Xi在垂直方向上交替配置。Y電極Yi和選址電極Aj形成i行j列的二維矩陣。顯示單元Cij由Y電極Yi和選址電極Aj的交點(diǎn)以及與其對應(yīng)相鄰的X電極Xi構(gòu)成。該顯示單元Cij對應(yīng)于像素，面板3可以顯示二維圖像。
圖2是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的面板的結(jié)構(gòu)例的立體分解圖。參考標(biāo)號(hào)1是前玻璃基板，參考標(biāo)號(hào)2是后玻璃基板，參考標(biāo)號(hào)13和16是電介質(zhì)層，參考標(biāo)號(hào)14是保護(hù)層，參考標(biāo)號(hào)17是間隔壁(肋條)，參考標(biāo)號(hào)18～20是熒光體。
X電極Xi和Y電極Yi在前玻璃基板1上形成。在它們上面覆蓋著用于對放電空間進(jìn)行絕緣的電介質(zhì)層13。而且在電介質(zhì)層13上還覆蓋著MgO(氧化鎂)保護(hù)層14。另一方面，選址電極Aj被形成在與前玻璃基板1正對配置的后玻璃基板2上。在其上覆蓋著電介質(zhì)層16。并在該電介質(zhì)層16上覆蓋著熒光體18～20。在間隔壁17的內(nèi)面涂敷著按每種顏色排列成條紋狀的紅、藍(lán)、綠等顏色的熒光體18～20。通過X電極Xi和Y電極Yi之間的放電來激發(fā)熒光體18～20從而使各種顏色發(fā)光。Ne+Xe潘寧氣體等被封裝在前玻璃基板1和后玻璃基板2之間的放電空間內(nèi)。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的各場結(jié)構(gòu)例的示意圖。參考標(biāo)號(hào)21～30為子場，參考標(biāo)號(hào)31為復(fù)位期間，參考標(biāo)號(hào)32為選址期間，參考標(biāo)號(hào)33為維持期間。
圖像例如以60場/秒形成。1場例如由第一子場21、第二子場22、…、第十子場30形成。各子場21～30由復(fù)位期間31、選址期間32以及維持(持續(xù)放電)期間33構(gòu)成。
圖4是用于說明復(fù)位期間31、選址期間32以及維持期間33的動(dòng)作例的時(shí)序圖。在復(fù)位期間31中，向X電極Xi和Y電極Yi施加預(yù)定的電壓，并進(jìn)行顯示單元Cij的初始化。
在選址期間32中，對Y電極Y1、Y2、…依次掃描并施加掃描脈沖，并與該掃描脈沖對應(yīng)地向選址電極Aj施加選址脈沖，由此來選擇顯示像素。若與Y電極Yi的掃描脈沖相對應(yīng)地生成選址電極Aj的選址脈沖，則該Y電極Yi和X電極Xi的顯示單元就被選擇。若不與Y電極Yi的掃描脈沖對應(yīng)地生成選址電極Aj的選址脈沖，則該Y電極Yi和X電極Xi的顯示單元不被選擇。一旦與掃描脈沖相對應(yīng)地生成選址脈沖，就會(huì)在選址電極Aj和Y電極Yi之間發(fā)生選址放電，并以此為觸發(fā)在X電極Xi和Y電極Yi之間發(fā)生放電，從而負(fù)電荷被存儲(chǔ)在X電極Xi中，正電荷被存儲(chǔ)在Y電極Yi中。
在維持期間33內(nèi)，在X電極Xi和Y電極Yi之間施加相位相反的維持脈沖，從而在選中的顯示單元的X電極Xi和Y電極Yi之間進(jìn)行維持放電并發(fā)光。在圖3的各子場21～30中，X電極Xi和Y電極Yi之間的維持脈沖數(shù)(維持期間33的長度)不同。由此可決定灰度值。
圖5是選址期間32中選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖。在圖5的上部示出了Y電極Y1～Y5和選址電極A1～A5的二維矩陣。記號(hào)“○”表示選址電極A1～A5的選址脈沖被生成，從而在Y電極Y1～Y5和選址電極A1～A5之間發(fā)生了選址放電的位置。
在圖5的下部示出了與上述二維矩陣對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖和Y電極Y1～Y5的掃描脈沖。掃描脈沖為負(fù)的脈沖，其對Y電極Y1～Y5依次掃描并被施加在其上。選址電極A3的選址脈沖在Y電極Y1、Y3、Y5的掃描脈沖的情況下生成，而在Y電極Y2、Y4的掃描脈沖的情況下不生成。即，在Y電極Y1、Y3、Y5的掃描脈沖和選址電極A3的選址脈沖之間發(fā)生選址放電，Y電極Y1、Y3、Y5的顯示單元被選擇，從而在此后的維持期間33內(nèi)點(diǎn)亮。該選址脈沖從最低電壓(地電平GND)通過一階上升至最高電壓Va，并從最高電壓Va通過一階下降至最低電壓(地電平GND)。用于生成該選址脈沖的選址電源電壓相對于地電平GND為固定的電壓Va。
在上述的點(diǎn)亮模式中，例如如果著眼于選址電極A3的話，在選擇選址電極A3和Y電極Y3的交點(diǎn)(A3、Y3)時(shí)，鄰接的交點(diǎn)(A3、Y3)和(A4、Y3)沒被選擇。因此，在選址電極A2～A3之間以及選址電極A3～A4之間出現(xiàn)線間電容。而且，由于選址電極A3自身重復(fù)點(diǎn)亮/點(diǎn)滅(ON/OFF)，例如交點(diǎn)(A3、Y1)點(diǎn)亮、交點(diǎn)(A3、Y2)點(diǎn)滅等，所以選址電源電壓的功耗大。因此，若減少子場數(shù)雖會(huì)導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降，但可以降低功耗。
圖6是用于減少功耗的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖5相比，選址電極Aj的選址脈沖不同。例如，選址電極A3的選址脈沖分兩階從最低電壓(地電平GND)上升至最高電壓Va，然后分兩階從最高電壓Va下降至最低電壓(地電平GND)。即，從地電平GND上升至電壓Va/2，再從電壓Va/2上升至電壓Va。然后從電壓Va下降至電壓Va/2，再從電壓Va/2下降至地電平GND。用于生成該選址脈沖的選址電源電壓相對于地電平GND為電壓Va和Va/2的脈沖電壓。
說明該選址脈沖的功耗。功耗P被表示為P＝CV2/2。在圖5的情況下，由于選址脈沖的電壓為Va，所以功耗P為CVa2/2。
接下來，說明圖6情況下的功耗。各階的功耗P被表示為P＝C×(位移電壓)×(到達(dá)電壓)/2。從地電平GND向電壓Va/2的第一階上升的功耗P1＝C×(Va/2)×(Va/2)/2＝CVa2/8。從電壓Va/2向電壓Va的第二階上升的功耗P2＝C×(Va/2)×Va/2＝CVa2/4。從電壓Va向電壓Va/2的第一階下降的功耗P3＝C×(Va/2)×(Va/2)/2＝CVa2/8。這里，使用電能回收電路來回收第一階下降的電能P3，并使用該回收的電能P3來用于第一階和第二階上升的電能P1和P2。由于從電壓Va/2向地電平GND的第二階下降是將選址電極A3連接并箝位在地電平GND上，所以不消耗電能。一個(gè)選址脈沖整體的功耗P＝P1+P2-P3＝Cva2/4。
因此，圖6的兩階梯選址脈沖的功耗為圖5的一階梯選址脈沖的功耗的1/2。后面，將參照圖16等來說明電能回收電路的詳細(xì)情況。
如上所述，通過使選址脈沖分兩階上升和下降，可減少功耗。但是，與圖5的情況相比，圖6情況下的選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變短，從而由此會(huì)產(chǎn)生無法進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電的問題。
圖7是本發(fā)明第一實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖6相比，兩階梯選址脈沖的時(shí)序不同。下面，以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。在Y電極Y3的前一Y電極Y2的掃描脈沖的期間T1中，選址脈沖從地電平GND上升至電壓Va/2并維持該電壓Va/2。然后，一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從電壓Va/2上升至電壓Va并維持電壓Va。然后將，一旦選址脈沖從電壓Va下降至電壓Va/2，并維持電壓Va/2。之后，一旦選址脈沖從電壓Va/2下降至地電平GND，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。
與圖6的情況一樣，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行。向第一階的電壓Va/2的上升在選擇前一Y電極Y2的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第二階的電壓Va的上升在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第一階的電壓Va/2的下降在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第二階的地電平GND的下降在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。
該選址脈沖用于在與Y電極Y3的掃描脈沖之間進(jìn)行選址放電。選址脈沖維持從其最低電壓GND上升了一階的電壓Va/2的期間T1和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖的期間重疊。由此，與圖6的情況相比，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，與圖6的情況一樣，通過設(shè)為兩階梯選址脈沖，可以減少功耗。在期間T1中，由于選址脈沖的電壓為Va/2，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y2發(fā)生選址放電。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，既可以降低選址期間的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第二實(shí)施方式)圖8是本發(fā)明第二實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖7相比，兩階梯選址脈沖的時(shí)序不同。以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從地電平GND上升至電壓Va/2并維持該電壓Va/2。然后，選址脈沖從電壓Va/2上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，一旦選址脈沖從電壓Va下降至電壓Va/2，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。之后，選址脈沖從電壓Va/2下降至地電平GND。即，在Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖的期間T2中，選址脈沖維持電壓Va/2，再下降至地電平GND。
與圖7的情況一樣，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行。向第一階的電壓Va/2的上升在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第二階的電壓Va的上升在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第一階的電壓Va/2的下降在選擇Y電極Y3的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。向第二階的地電平GND的下降在選擇后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖時(shí)進(jìn)行。
該選址脈沖用于在與Y電極Y3的掃描脈沖之間進(jìn)行選址放電。選址脈沖在下降時(shí)維持比最低電壓GND高一階的電壓Va/2的期間和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖的期間T2重疊。由此，與圖6的情況相比，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，與圖7的情況一樣，通過設(shè)為兩階梯選址脈沖，可以減少功耗。另外，在期間T2中，由于選址脈沖的電壓為Va/2，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y4發(fā)生選址放電。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，既可以降低選址期間的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第三實(shí)施方式)圖9是本發(fā)明第三實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖7相比，兩階梯選址脈沖的電壓不同。在圖7中，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行，比其最低電壓GND高一階的電壓Va/2大約為其最高電壓Va的1/2。在本實(shí)施方式中，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行，比其最低電壓GND高一階的電壓Va/4小于其最高電壓Va的1/2。
以在選址電極A3的選址脈沖和Y電極Y3的掃描脈沖之間進(jìn)行選址放電的情況為例進(jìn)行說明。在Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖的期間T1中，選址脈沖從地電平GND上升至電壓Va/4并維持該電壓Va/4。之后，一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從電壓Va/4上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，選址脈沖從電壓Va下降至電壓Va/4并維持電壓Va/4。之后，一旦選址脈沖從電壓Va/4下降至地電平GND，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。
本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式一樣，既可以減少選址期間的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。在第一實(shí)施方式的期間T1中，選址脈沖的電壓為Va/2。由于面板面內(nèi)的差異，每一顯示單元的選址電極和Y電極之間的放電電壓值會(huì)有所不同。由此，即使為電壓Va/2，也有可能出現(xiàn)錯(cuò)誤地發(fā)生選址放電的顯示單元。因此，在本實(shí)施方式的期間T1中，通過使選址脈沖的電壓為更低的Va/4，可以防止錯(cuò)誤地對Y電極Y2發(fā)生選址放電的情形。
(第四實(shí)施方式)圖10是本發(fā)明第四實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖8相比，兩階梯選址脈沖的電壓不同。在圖8中，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行，比其最低電壓GND高一階的電壓Va/2大約為其最高電壓Va的1/2。在本實(shí)施方式中，選址脈沖的上升和下降分兩階進(jìn)行，比其最低電壓GND高一階的電壓Va/4小于其最高電壓Va的1/2。
以在選址電極A3的選址脈沖和Y電極Y3的掃描脈沖之間進(jìn)行選址放電的情況為例進(jìn)行說明。一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從地電平GND上升至電壓Va/4并維持該電壓Va/4。之后，選址脈沖從電壓Va/4上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，一旦選址脈沖從電壓Va下降至電壓Va/4，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。之后，選址脈沖從電壓Va/4下降至地電平GND。即，在Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖的期間T2中，選址脈沖維持電壓Va/4，再下降至地電平GND。
本實(shí)施方式與第二實(shí)施方式一樣，既可以減少選址期間的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。在第二實(shí)施方式的期間T2中，選址脈沖的電壓為Va/2。由于面板面內(nèi)的差異，每一顯示單元的選址電極和Y電極之間的放電電壓值會(huì)有所不同。由此，即使為電壓Va/2，也有可能出現(xiàn)錯(cuò)誤地發(fā)生選址放電的顯示單元。因此，在本實(shí)施方式的期間T2中，通過使選址脈沖的電壓為更低的Va/4，可以防止錯(cuò)誤地對Y電極Y4發(fā)生選址放電的情形。
(第五實(shí)施方式)圖11是本發(fā)明第五實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖7相比，本實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于采用了三階梯選址脈沖。在圖7中，選址脈沖的上升和下降為兩階，但在本實(shí)施方式中，選址脈沖的上升和下降為三階。
以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。在Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖的期間T11內(nèi)，選址脈沖從地電平GND上升至電壓Va/3并維持該電壓Va/3，然后從電壓Va/3上升至2Va/3并維持該電壓2Va/3。之后，一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從電壓2Va/3上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，選址脈沖從電壓Va下降至電壓2Va/3并維持電壓2Va/3。之后，選址脈沖從電壓2Va/3下降至電壓Va/3并維持電壓Va/3。之后，選址脈沖從電壓Va/3下降至地電平GND。之后，Y電極Y3的掃描脈沖上升。
選址脈沖從其最低電壓GND上升至比其最高電壓Va低一階的電壓2Va/3并維持該電壓2Va/3的期間T11和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖重疊。由此，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，在期間T11中，由于選址脈沖的電壓為Va/3或2Va/3，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y2發(fā)生選址放電。因此，本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式一樣，既可以降低選址期間的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。另外，與第一實(shí)施方式的兩階梯選址脈沖相比，本實(shí)施方式的三階梯選址脈沖可以更多地減少功耗。
(第六實(shí)施方式)圖12是本發(fā)明第六實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖11相比，三階梯選址脈沖的時(shí)序不同。在圖11中，使選址脈沖的上升時(shí)間與前一掃描脈沖重疊，但在本實(shí)施方式中，使選址脈沖的下降時(shí)間與后一掃描脈沖重疊。
以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從地電平GND上升至電壓Va/3并維持該電壓Va/3。之后，選址脈沖從電壓Va/3上升至2Va/3并維持該電壓2Va/3。之后，選址脈沖從電壓2Va/3上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，一旦選址脈沖從電壓Va下降至電壓2Va/3，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。之后，選址脈沖從電壓2Va/3下降至電壓Va/3并維持該電壓Va/3。之后，選址脈沖從電壓Va/3下降至地電平GND并維持地電平GND。
選址脈沖在下降時(shí)維持比其最高電壓Va低一階的電壓2Va/3并從該電壓下降至其最低電壓GND的期間T12和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖重疊。由此，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，在期間T12中，由于選址脈沖的電壓為Va/3或2Va/3，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y2發(fā)生選址放電。因此，本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式一樣，通過三階的選址脈沖，既可以降低功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第七實(shí)施方式)圖13是本發(fā)明第七實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖11相比，三階梯選址脈沖的時(shí)序不同。在圖11中，使選址脈沖的上升期間T11與Y電極Y2的掃描脈沖重疊，但在本實(shí)施方式中，使選址電極A3的選址脈沖維持從其最低電壓GND上升了一階的電壓Va/3的期間T13和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖重疊。
以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。在Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖的期間T13內(nèi)，選址脈沖從地電平GND上升至電壓Va/3并維持該電壓Va/3。之后，一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從電壓Va/3上升至2Va/3并維持該電壓2Va/3。之后，選址脈沖從電壓2Va/3上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，選址脈沖從電壓Va下降至電壓2Va/3并維持電壓2Va/3。之后，選址脈沖從電壓2Va/3下降至電壓Va/3并維持該電壓Va/3。之后，選址脈沖從電壓Va/3下降至地電平GND。之后，Y電極Y3的掃描脈沖上升。
選址脈沖維持從其最低電壓GND上升了一階的電壓Va/3的期間T13和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的前一個(gè)Y電極Y2的掃描脈沖重疊。由此，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，在期間T13中，由于選址脈沖的電壓為Va/3，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y2發(fā)生選址放電。因此，本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式一樣，通過三階梯選址脈沖，既可以降低功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第八實(shí)施方式)圖14是本發(fā)明第八實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖12相比，三階梯選址脈沖的時(shí)序不同。在圖12中，使選址脈沖的下降期間T12與Y電極Y4的掃描脈沖重疊，但在本實(shí)施方式中，使選址電極A3的選址脈沖維持比其最低電壓GND高一階的電壓Va/3的期間T14和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖重疊。
以與Y電極Y3的掃描脈沖相對應(yīng)的選址電極A3的選址脈沖為例來進(jìn)行說明。一旦Y電極Y3的掃描脈沖下降，選址脈沖就從地電平GND上升至電壓Va/3并維持該電壓Va/3。之后，選址脈沖從電壓Va/3上升至2Va/3并維持該電壓2Va/3。之后，選址脈沖從電壓2Va/3上升至電壓Va并維持電壓Va。之后，選址脈沖從電壓Va下降至電壓2Va/3并維持電壓2Va/3。之后，一旦選址脈沖從電壓2Va/3下降至電壓Va/3，Y電極Y3的掃描脈沖就上升。之后，選址脈沖從電壓Va/3下降至地電平GND并維持地電平GND。
選址脈沖在下降時(shí)維持比其最低電壓GND高一階的電壓Va/3的期間T14和與其對應(yīng)的Y電極Y3的掃描脈沖的后一個(gè)Y電極Y4的掃描脈沖重疊。由此，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，可以進(jìn)行穩(wěn)定的選址放電。并且，在期間T14中，由于選址脈沖的電壓為Va/3，較低，所以不會(huì)錯(cuò)誤地對Y電極Y4發(fā)生選址放電。因此，本實(shí)施方式與第六及第七實(shí)施方式一樣，通過三階梯選址脈沖，既可以降低功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第九實(shí)施方式)圖15是本發(fā)明第九實(shí)施方式的選址電極Aj的選址脈沖和Y電極Yi的掃描脈沖的示意圖，與圖7相比，本實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于選址脈沖的下降為一階梯。在本實(shí)施方式中，從最高電壓Va通過一階下降至最低電壓GND。期間T15相當(dāng)于圖7中選址脈沖的電壓為Va/2的期間，在本實(shí)施方式中，使選址電極A3成高阻抗?fàn)顟B(tài)。通過使其為高阻抗?fàn)顟B(tài)，可使選址脈沖維持電壓Va而不用變?yōu)檫x址電源電壓Va/2。后面，將參照圖18(A)和18(B)來說明其詳細(xì)情況。
根據(jù)本實(shí)施方式，選址脈沖分兩階上升并通過一階下降。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式一樣，與圖6的情況相比，既可以降低選址脈沖的功耗，又可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。并且，在本實(shí)施方式中，當(dāng)選址脈沖下降時(shí)不進(jìn)行電能回收，因此比第一實(shí)施方式的功耗大。但是，本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，從而可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。
(第十實(shí)施方式)圖16(A)和16(B)是本發(fā)明第十實(shí)施方式的示意圖。圖16(A)是示出選址驅(qū)動(dòng)電路6(圖1)的結(jié)構(gòu)例的電路圖，其中此選址驅(qū)動(dòng)電路6是用于生成第一至第四實(shí)施方式的選址脈沖的，圖16(B)是用于說明其電路動(dòng)作的時(shí)序圖。并且圖16(B)示出了第一和第二實(shí)施方式的選址脈沖的例子。
首先說明圖16(A)的選址驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。選址驅(qū)動(dòng)電路具有電源電路1601和選址驅(qū)動(dòng)器1602。在第一和第二實(shí)施方式中，電壓Va1和Va2為電壓Va/2。在第三和第四實(shí)施方式中，電壓Va1＝Va/4，電壓Va2＝3Va/4。
開關(guān)SW1連接在電壓Va2和電容1612的下端之間。開關(guān)SW2連接在電容1612的下端和地電平之間。二極管1611的陽極連接在電壓Va1上，陰極與電容1612的上端連接。二極管1611的陰極電壓為選址電源電壓Vb。
開關(guān)SW3連接在二極管1611的陰極和選址電極A3之間。開關(guān)SW4連接在選址電極A3和地電平之間。選址電極A3通過面板電容Cp連接與X電極Xi及Y電極Yi連接。其他的選址電極A1、A2等也和選址電極A3一樣，通過兩個(gè)開關(guān)而連接在二極管1611的陰極和地電平上。
接下來，參照圖16(B)來說明圖16(A)中電路的動(dòng)作。在時(shí)刻t1之前，開關(guān)SW1斷開(OFF)，開關(guān)SW2閉合(ON)，開關(guān)SW3斷開(OFF)，以及開關(guān)SW4閉合。由于開關(guān)SW4閉合，所以選址電極A3的電壓為地電平GND。
接著，在時(shí)刻t1，開關(guān)SW3閉合，開關(guān)SW4斷開。電容1612被充電至電壓Va1，從而選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)殡妷篤a1(例如Va/2)。
接著，在時(shí)刻t2，開關(guān)SW1閉合，開關(guān)SW2斷開。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)閂a1+Va2的電壓(例如Va)。
接著，在時(shí)刻t3，開關(guān)SW1斷開，開關(guān)SW2閉合。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓下降至Va1。選址電極A3的電能被回收到電容1612中。
接著，在時(shí)刻t4，開關(guān)SW1閉合，開關(guān)SW2斷開，開關(guān)SW3斷開，以及開關(guān)SW4閉合。選址電極A3的電壓變?yōu)榈仉娖紾ND。選址電源電壓Vb變?yōu)閂a1+Va2的電壓(例如Va)。之后，通過重復(fù)上述動(dòng)作，可以生成選址脈沖。
(第十一實(shí)施方式)圖17(A)和17(B)是本發(fā)明第十一實(shí)施方式的示意圖。圖17(A)是示出選址驅(qū)動(dòng)電路6(圖1)的結(jié)構(gòu)例的電路圖，其中此選址驅(qū)動(dòng)電路6是用于生成第五至第八實(shí)施方式的選址脈沖的，圖17(B)是用于說明其電路動(dòng)作的時(shí)序圖。
首先，說明圖17(A)的電路結(jié)構(gòu)。選址驅(qū)動(dòng)電路具有電源電路1701和選址驅(qū)動(dòng)器1702。電壓Va1＝Va2＝Va3＝Va/3。開關(guān)SW5連接在電壓Va3和電容1713的下端之間。開關(guān)SW2連接在電容1713的下端和地電平之間。開關(guān)SW1連接在電壓Va2和電容1713的上端之間。二極管1711的陽極連接在電壓Va1上，陰極與電容1712的上端連接。電容1712的下端連接與電容1713的上端連接。二極管1711的陰極電壓為選址電源電壓Vb。選址驅(qū)動(dòng)器1702具有與圖16(A)的選址驅(qū)動(dòng)器1602相同的結(jié)構(gòu)。
接下來，參照圖17(B)來說明圖17(A)中電路的動(dòng)作。在時(shí)刻t1之前，開關(guān)SW1斷開，開關(guān)SW2閉合，開關(guān)SW3斷開，開關(guān)SW4閉合，以及開關(guān)SW5斷開。由于開關(guān)SW4閉合，所以選址電極A3的電壓為地電平GND。
接著，在時(shí)刻t1，開關(guān)SW3閉合，開關(guān)SW4斷開。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)殡妷篤a1(＝Va/3)。
接著，在時(shí)刻t2，開關(guān)SW1閉合，開關(guān)SW2斷開。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)閂a1+Va2的電壓(＝2Va/3)。
接著，在時(shí)刻t3，開關(guān)SW1斷開，開關(guān)SW5閉合。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)閂a1+Va2+Va3的電壓(＝Va)。
接著，在時(shí)刻t4，開關(guān)SW1閉合。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)?Va/3。選址電極A3的電能被回收到電容1712和1713中。
接著，在時(shí)刻t5，開關(guān)SW1斷開，開關(guān)SW2閉合，以及開關(guān)SW5斷開。選址電源電壓Vb及選址電極A3的電壓變?yōu)閂a/3。選址電極A3的電能被回收到電容1712和1713中。
接著，在時(shí)刻t6，開關(guān)SW1閉合，開關(guān)SW2斷開，開關(guān)SW3斷開，以及開關(guān)SW4閉合。選址電極A3的電壓變?yōu)榈仉娖紾ND，選址電源電壓Vb的電壓變?yōu)?Va/3。
接著，在時(shí)刻t7，開關(guān)SW1斷開。選址電極A3的電壓維持地電平GND，選址電源電壓Vb的電壓變?yōu)閂a。之后，通過重復(fù)上述動(dòng)作，可以生成選址脈沖。
(第十二實(shí)施方式)圖18(A)和18(B)是本發(fā)明第十二實(shí)施方式的示意圖。圖18(A)是示出選址驅(qū)動(dòng)電路6(圖1)的結(jié)構(gòu)例的電路圖，其中此選址驅(qū)動(dòng)電路6是用于生成第九實(shí)施方式的選址脈沖的，圖18(B)是用于說明其電路動(dòng)作的時(shí)序圖。圖18(A)的電路結(jié)構(gòu)與圖16(A)的相同。電壓Va1＝Va2＝Va/2。
參照圖18(B)來說明圖18(A)中電路的動(dòng)作。時(shí)刻t1和t2的動(dòng)作與圖16(B)中的相同。之后，在時(shí)刻t3，開關(guān)SW1斷開，開關(guān)SW2閉合，以及開關(guān)SW3斷開。選址電極A3變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)，并維持電壓Va。選址電源電壓Vb變?yōu)閂a/2。
接著，在時(shí)刻t4，開關(guān)SW1閉合，開關(guān)SW2斷開，以及開關(guān)SW4閉合。選址電極A3的電壓變?yōu)榈仉娖紾ND，選址電源電壓Vb變?yōu)閂a。之后，通過重復(fù)上述動(dòng)作，可以生成選址脈沖。
如上所述，在第一至第十二實(shí)施方式中，以選址脈沖的上升及下降為兩階或三階的情況為例進(jìn)行了說明，但也可以是四階以上。具體地，使選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))上升，并使得從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間(例如，維持從其最低電壓上升了一階的電壓的期間)和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。另外，使選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))下降，并使得從其最高電壓至最低電壓的預(yù)定的期間(例如，維持比其最低電壓高一階的電壓的期間)和與其對應(yīng)的掃描脈沖的后一掃描脈沖重疊。由此，可以使選址脈沖的最高電壓Va的期間Ta變長，從而可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的選址放電。并且，通過采用n階梯選址脈沖，可以減少功耗。
另外，在第一、第二、第五至第八實(shí)施方式中，當(dāng)從其最低電壓至其最高電壓分n階上升時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差之1/n來分n階上升。同樣，當(dāng)選址脈沖分n階從其最高電壓下降至其最低電壓時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差之1/n來分n階下降。
在第三和第四實(shí)施方式中，選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量不同，從其最低電壓上升一階的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。當(dāng)將此適用于三階梯選址脈沖上時(shí)，第一階具有小于Va/3的電壓變化量，第二階和第三階具有高于Va/3的相同的電壓變化量。即，在選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量中，一部分(第二階和第三階)相同，一部分不同。
下降時(shí)也一樣。即，選址脈沖下降時(shí)的各階的電壓變化量不同，從比其最低電壓高一階的電壓下降至其最低電壓的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。并且，在選址脈沖下降時(shí)的各階的電壓變化量中，一部分相同，一部分不同。
上述實(shí)施方式均僅為實(shí)施本發(fā)明的具體示例，不能據(jù)此來限定性地解釋本發(fā)明的技術(shù)范圍。即，本發(fā)明可以在不脫離其技術(shù)思想或其主要特征的范圍內(nèi)以各種方式實(shí)施。
本發(fā)明的實(shí)施方式例如可以有如下述的各種應(yīng)用。
附記1一種等離子顯示裝置，其中具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極、通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極、生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路、以及生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路，并且所述選址脈沖分n階(n為2以上的整數(shù))上升，并從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
附記2如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述預(yù)定的期間是維持從其最低電壓上升了一階的電壓的期間。
附記3如附記2所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖從其最低電壓上升至比其最高電壓低一階的電壓并維持該電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
附記4如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分兩階上升，并且從其最低電壓上升了一階的電壓大約為其最高電壓的1/2。
附記5如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分兩階上升，并且從其最低電壓上升了一階的電壓小于其最高電壓的1/2。
附記6如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，當(dāng)所述選址脈沖分n階從其最低電壓上升至其最高電壓時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差的1/n來分n階上升。
附記7如附記1所示的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量不同。
附記8如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，在所述選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量中，一部分相同，一部分不同。
附記9如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖從其最低電壓上升一階的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。
附記10如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖通過一階下降。
附記11如附記1所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分n階下降，并且維持比其最高電壓低一階的電壓并從該電壓下降至其最低電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖重疊。
附記12一種等離子顯示裝置，其中具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極；通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極；生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路；以及生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路，并且所述選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))下降，并從其最高電壓至最低電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的后一掃描脈沖重疊。
附記13如附記12所述的等離子顯示裝置，其中，所述預(yù)定的期間是維持比其最低電壓高一階的電壓的期間。
附記14如附記13所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖維持比其最高電壓低一階的電壓并從該電壓下降至其最低電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的后一掃描脈沖重疊。
附記15如附記12所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分兩階下降，并且比其最低電壓高一階的電壓大約為其最高電壓的1/2。
附記16如附記12所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分兩階下降，并且比其最低電壓高一階的電壓小于其最高電壓的1/2。
附記17如附記12所述的等離子顯示裝置，其中，當(dāng)所述選址脈沖分n階從其最高電壓下降至其低高電壓時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差的1/n來分n階下降。
附記18如附記12所述的等離子顯示裝置，所述選址脈沖從比其最低電壓高一階的電壓下降至其最低電壓的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。
附記19如附記12所述的等離子顯示裝置，其中，所述選址脈沖分n階上升，并且從其最低電壓上升至比其最高電壓低一階的電壓并維持該電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖重疊。
附記20一種等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述等離子顯示裝置具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極；通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極，該驅(qū)動(dòng)方法具有生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)步驟，和生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)步驟，并且所述選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))上升，并從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極、通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極、生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路、以及生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路，并且所述選址脈沖分n階(n為2以上的整數(shù))上升，并從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述預(yù)定的期間是維持從其最低電壓上升了一階的電壓的期間。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖從其最低電壓上升至比其最高電壓低一階的電壓并維持該電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分兩階上升，并且從其最低電壓上升了一階的電壓大約為其最高電壓的1/2。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分兩階上升，并且從其最低電壓上升了一階的電壓小于其最高電壓的1/2。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述選址脈沖分n階從其最低電壓上升至其最高電壓時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差的1/n來分n階上升。
7.如權(quán)利要求1所示的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量不同。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在所述選址脈沖上升時(shí)的各階的電壓變化量中，一部分相同，一部分不同。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖從其最低電壓上升一階的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖通過一階下降。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分n階下降，并且維持比其最高電壓低一階的電壓并從該電壓下降至其最低電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖重疊。
12.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極；通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極；生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路；以及生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路，所述選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))下降，并從其最高電壓至最低電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的后一掃描脈沖重疊。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述預(yù)定的期間是維持比其最低電壓高一階的電壓的期間。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖維持比其最高電壓低一階的電壓并從該電壓下降至其最低電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的后一掃描脈沖重疊。
15.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分兩階下降，并且比其最低電壓高一階的電壓大約為其最高電壓的1/2。
16.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分兩階下降，并且比其最低電壓高一階的電壓小于其最高電壓的1/2。
17.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述選址脈沖分n階從其最高電壓下降至其低高電壓時(shí)，每次以其最低電壓和其最高電壓的電壓差的1/n來分n階下降。
18.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖從比其最低電壓高一階的電壓下降至其最低電壓的電壓變化量低于其他階的電壓變化量。
19.如權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述選址脈沖分n階上升，并且從其最低電壓上升至比其最高電壓低一階的電壓并維持該電壓的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖重疊。
20.一種等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述等離子顯示裝置具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極；通過與所述掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極，該驅(qū)動(dòng)方法的特征在于，具有生成所述掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)步驟，和生成所述選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)步驟，并且所述選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))上升，并從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示裝置，其中具有依次掃描并施加掃描脈沖的多個(gè)掃描電極(Y1～Y5)、通過與掃描脈沖對應(yīng)地施加選址脈沖來選擇顯示像素的選址電極(A3)、生成掃描脈沖的掃描驅(qū)動(dòng)電路、以及生成選址脈沖的選址驅(qū)動(dòng)電路。選址脈沖分n階(n為大于等于2的整數(shù))上升，并且從其最低電壓至最高電壓的預(yù)定的期間和與其對應(yīng)的掃描脈沖的前一掃描脈沖重疊。根據(jù)本發(fā)明，可減少生成選址脈沖時(shí)的功耗，并可通過該選址脈沖來穩(wěn)定地選擇顯示像素。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1790461SQ200510131869
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者高木彰浩, 佐佐木孝, 大塚晃 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司