專(zhuān)利名稱：用于電致發(fā)光顯示設(shè)備的閾值電壓補(bǔ)償方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示設(shè)備，特別涉及具有與每個(gè)像素相關(guān)的薄膜開(kāi)關(guān)晶體管的有源矩陣顯示設(shè)備。
采用電致發(fā)光的光發(fā)射顯示元件的矩陣顯示設(shè)備是公知的。該顯示元件可以包括例如使用聚合物材料的有機(jī)薄膜電致發(fā)光元件，或者使用傳統(tǒng)的III-V半導(dǎo)體化合物的發(fā)光二極管(LED)。近來(lái)在有機(jī)電致發(fā)光材料、特別是聚合物材料方面的發(fā)展已經(jīng)證明了它們實(shí)際上用于視頻顯示設(shè)備的能力。這些材料通常包括夾在一對(duì)電極之間的一層或多層半導(dǎo)體共軛聚合物，其中一個(gè)電極是透明的，另一個(gè)電極由適合于將空穴或電子注入聚合物層中的材料制成。
可利用CVD工藝、或僅僅通過(guò)使用可溶共軛聚合物的溶液的旋涂技術(shù)來(lái)制造聚合物材料。也可以采用噴墨印刷。有機(jī)電致發(fā)光材料顯示出類(lèi)二極管的I-V特性，因而它們能夠提供顯示功能和開(kāi)關(guān)功能，因此可用在無(wú)源型顯示器中。可選地，這些材料可用于有源矩陣顯示設(shè)備，其中每個(gè)像素包括顯示元件和用于控制通過(guò)顯示元件的電流的開(kāi)關(guān)設(shè)備。
這種類(lèi)型的顯示設(shè)備具有電流驅(qū)動(dòng)的顯示元件，因而常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方案包括給顯示元件供應(yīng)可控電流。已知的是，提供電流源晶體管作為像素結(jié)構(gòu)的一部分，其中供應(yīng)給電流源晶體管的柵極電壓確定通過(guò)顯示元件的電流。在尋址階段之后存儲(chǔ)電容器保持柵極電壓。


圖1示出用于有源矩陣尋址的電致發(fā)光顯示設(shè)備的已知像素電路。該顯示設(shè)備包括面板，該面板具有由塊1表示的規(guī)則間隔的像素的行和列矩陣陣列，并且包括位于行(選擇)地址導(dǎo)線4和列(數(shù)據(jù))地址導(dǎo)線6的交叉組之間的交點(diǎn)處的電致發(fā)光顯示元件2以及相關(guān)的開(kāi)關(guān)裝置。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在該圖中僅示出幾個(gè)像素。實(shí)際上可能存在幾百行和列的像素。由外圍驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)行和列地址導(dǎo)線組來(lái)尋址像素1，該外圍驅(qū)動(dòng)電路包括連接到各組導(dǎo)線的端部的行掃描驅(qū)動(dòng)器電路8和列數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路9。
電致發(fā)光顯示元件2包括有機(jī)發(fā)光二極管，其在此處被表示為二極管元件(LED)并包括一對(duì)電極，在該對(duì)電極之間夾著由有機(jī)電致發(fā)光材料制成的一個(gè)或多個(gè)有源層。該陣列的顯示元件與相關(guān)的有源矩陣電路一起被裝在絕緣支架的一側(cè)上。顯示元件的陰極或陽(yáng)極由透明導(dǎo)電材料形成。該支架由諸如玻璃之類(lèi)的透明材料制成，并且最接近基板的顯示元件2的電極可以由諸如ITO之類(lèi)的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，以使由電致發(fā)光層產(chǎn)生的光透射通過(guò)這些電極和支架，以便對(duì)于支架另一側(cè)的觀看者而言是可見(jiàn)的。通常，有機(jī)電致發(fā)光材料層的厚度在100nm和200nm之間。可用于元件2的適當(dāng)有機(jī)電致發(fā)光材料的典型例子是已知的，并且在EP-A-0 717446中進(jìn)行了描述。還可以使用如WO96/36959中所描述的共軛聚合物材料。
圖2以簡(jiǎn)化示意圖的形式示出一個(gè)用于提供電壓編程操作的已知像素和驅(qū)動(dòng)電路布置。每個(gè)像素1包括EL顯示元件2和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器電路。該驅(qū)動(dòng)器電路具有地址晶體管16，該地址晶體管16通過(guò)行導(dǎo)線4上的行地址脈沖來(lái)接通。當(dāng)接通該地址晶體管16時(shí)，列導(dǎo)線6上的電壓可傳遞到像素的其余部分。特別是，地址晶體管16將列導(dǎo)線電壓提供給電流源20，該電流源20包括驅(qū)動(dòng)晶體管22和存儲(chǔ)電容器24。將列電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，并且即使在行地址脈沖結(jié)束之后，也由存儲(chǔ)電容器24將柵極保持在該電壓。驅(qū)動(dòng)晶體管22從電源線26汲取電流。
在該電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管22被實(shí)施為PMOS TFT，以使存儲(chǔ)電容器24保持固定的柵-源電壓。這導(dǎo)致固定的源-漏電流通過(guò)該晶體管，因此這提供期望的像素的電流源操作。
電壓編程的像素、特別是采用多晶硅薄膜晶體管的電壓編程的像素的一個(gè)問(wèn)題在于，在基板上不同的晶體管特性(特別是閾值電壓)導(dǎo)致柵極電壓和源-漏電流之間的不同關(guān)系以及在所顯示的圖像結(jié)果中的偽像(artefact)。
為了補(bǔ)償這些閾值電壓變化，已經(jīng)提出了各種技術(shù)。一些技術(shù)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的像素內(nèi)測(cè)量，并將該閾值電壓添加到像素驅(qū)動(dòng)信號(hào)上，以使所組合的驅(qū)動(dòng)電壓考慮了閾值電壓。執(zhí)行這一點(diǎn)的像素電路需要兩個(gè)存儲(chǔ)電容器，一個(gè)用于閾值電壓，一個(gè)用于像素驅(qū)動(dòng)電壓。還需要另外的開(kāi)關(guān)晶體管以使閾值電壓能夠被測(cè)量，例如通過(guò)對(duì)在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源結(jié)點(diǎn)(junction)兩端的電容進(jìn)行放電直到該晶體管斷開(kāi)。
所提出的其它技術(shù)在像素陣列外部進(jìn)行閾值電壓的測(cè)量，然后通過(guò)調(diào)整像素驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)補(bǔ)償閾值電壓。這些像素電路再次需要另外的元件以便使得信號(hào)能夠被提供給外部電路，以使得閾值電壓能夠被確定。例如，已經(jīng)提出在兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓(二者都在驅(qū)動(dòng)晶體管的飽和區(qū)內(nèi))處測(cè)量像素電流，并由其推斷閾值電壓(和遷移率)。這提供了更復(fù)雜的像素驅(qū)動(dòng)方案以及更復(fù)雜的像素電路。
雖然這避免了對(duì)提供像素內(nèi)補(bǔ)償?shù)碾娐吩男枰匀恍枰环N能夠以簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方案將閾值電壓信息提供給外部測(cè)量電路的簡(jiǎn)單的像素電路。像素電路的任何簡(jiǎn)化都使大尺寸顯示器的制造的問(wèn)題更少并且提高了產(chǎn)量。此外，像素電路元件數(shù)量的減少可以使像素孔徑能夠被增大(取決于像素電路的結(jié)構(gòu))，并且像素電路所需的空間的減小使得分辨率能夠被提高。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種包括顯示像素的陣列的有源矩陣電致發(fā)光顯示設(shè)備，每個(gè)像素包括電致發(fā)光(EL)顯示元件；驅(qū)動(dòng)晶體管，用于驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該顯示元件；地址晶體管，用于將來(lái)自數(shù)據(jù)線的像素驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供給該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；以及短路晶體管，其被連接在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極之間，其中該顯示設(shè)備還包括用于測(cè)量該數(shù)據(jù)線上的電壓的裝置。
這種像素布置使得一個(gè)附加晶體管(該短路晶體管)能夠被用于對(duì)該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上的電壓進(jìn)行放電，直到它斷開(kāi)為止。通過(guò)(經(jīng)由地址晶體管)將所產(chǎn)生的電壓存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線上，該數(shù)據(jù)線被用作閾值測(cè)量的控制/測(cè)量線之一。這降低了像素復(fù)雜性。
該EL顯示元件和驅(qū)動(dòng)晶體管優(yōu)選被串聯(lián)連接在第一和第二電源線之間，并且第二電源線上的電壓在兩個(gè)值之間是可切換的，其中一個(gè)值使得該EL顯示元件被斷開(kāi)。此外，這使得共陰極線(特別是)能夠被用作閾值測(cè)量操作的控制線之一，從而再次限制像素電路的任何附加復(fù)雜性。
數(shù)據(jù)輸入線優(yōu)選可在電壓驅(qū)動(dòng)模式(正常像素驅(qū)動(dòng)模式)和浮動(dòng)模式之間切換，在電壓驅(qū)動(dòng)模式中，該數(shù)據(jù)輸入線將電壓提供給連接到該線的像素。在浮動(dòng)模式中，數(shù)據(jù)線能夠浮動(dòng)至尋址像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓。因此，所產(chǎn)生的柵極電壓被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線上，特別是在現(xiàn)有的列電容上。
因此，每個(gè)像素可以兩種模式操作。在第一閾值電壓測(cè)量模式中，顯示元件被禁止(disable)，地址晶體管被接通，并且短路晶體管被接通。驅(qū)動(dòng)晶體管電流被短路至柵極，因而柵極電壓上升，直到該晶體管斷開(kāi)(如果它是p型設(shè)備的話)。在第二像素驅(qū)動(dòng)模式中，顯示元件被使能(enable)，地址晶體管被接通，并且短路晶體管被斷開(kāi)。這是正常驅(qū)動(dòng)模式。
在第一閾值電壓測(cè)量模式期間，在第一周期(period)中，預(yù)定電壓被施加于數(shù)據(jù)線以使電流被驅(qū)動(dòng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管，以及在第二周期中，該數(shù)據(jù)線被允許浮動(dòng)以使該數(shù)據(jù)線上的電壓基本上跟隨驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓。以這種方式，第一周期確保電流源自驅(qū)動(dòng)晶體管。第二周期使得驅(qū)動(dòng)晶體管能夠如上所述被斷開(kāi)，其中所產(chǎn)生的柵極電壓被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線上。
該驅(qū)動(dòng)晶體管優(yōu)選是多晶硅TFT，例如p型低溫多晶硅TFT。
存儲(chǔ)電容器優(yōu)選在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間。
本發(fā)明還提供一種尋址有源矩陣電致發(fā)光顯示設(shè)備的像素的方法，該設(shè)備包括電致發(fā)光(EL)顯示元件和用于驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該顯示元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，該方法包括禁止該顯示元件；將第一電壓施加于數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該驅(qū)動(dòng)晶體管、通過(guò)在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極之間連接的短路晶體管、以及通過(guò)在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和該數(shù)據(jù)線之間連接的地址晶體管；使得該數(shù)據(jù)線(6)能夠在電上浮動(dòng)；測(cè)量該數(shù)據(jù)線上的電壓；以及利用在該數(shù)據(jù)線上測(cè)量的電壓來(lái)修改施加于該驅(qū)動(dòng)晶體管的數(shù)據(jù)電壓。
這種方法提供了對(duì)本發(fā)明的設(shè)備的操作。
禁止該顯示元件優(yōu)選包括將禁止電壓施加于該顯示元件的端子，例如共陰極端子。
該方法優(yōu)選還包括使能該顯示元件，并用該數(shù)據(jù)線上修改的數(shù)據(jù)電壓來(lái)尋址該像素，其中短路晶體管被斷開(kāi)。
現(xiàn)在將參考附圖通過(guò)例子來(lái)描述本發(fā)明，其中圖1示出一個(gè)已知EL顯示設(shè)備；圖2是使用輸入驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)EL顯示像素進(jìn)行電流尋址的已知像素電路的示意圖；圖3示出用于本發(fā)明的顯示設(shè)備的像素布局的示意圖；圖4是用于圖3的電路的操作的時(shí)序圖；以及圖5示出在本發(fā)明的顯示設(shè)備中使用的列驅(qū)動(dòng)器電路的一種可能的設(shè)計(jì)。
在不同的圖中對(duì)于相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記，并且將不重復(fù)描述這些部件。
本發(fā)明提供一種顯示像素電路，其中一個(gè)附加晶體管被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極之間，以便在像素陣列的外部提供閾值電壓測(cè)量功能。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的像素布置。如在圖2的常規(guī)像素中那樣，該像素是電壓尋址的，并且在像素尋址階段后，存儲(chǔ)電容器24保持驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電壓。
與圖2的標(biāo)準(zhǔn)像素布局相比，本發(fā)明提供一個(gè)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和漏極之間連接的附加短路晶體管30。這由附加控制線32來(lái)控制。本發(fā)明還需要共陰極端子34可在兩個(gè)電壓之間切換，從下面的電路操作的說(shuō)明中可明顯看出這一點(diǎn)。
短路晶體管30用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電壓進(jìn)行放電，直到它斷開(kāi)為止。該放電操作包括從存儲(chǔ)電容器24中移除電荷，直到在該電容器兩端的電壓達(dá)到閾值電壓。通過(guò)接通的地址晶體管來(lái)測(cè)量在數(shù)據(jù)線上所產(chǎn)生的電壓。
現(xiàn)在將參考圖4的時(shí)序圖來(lái)解釋圖3的電路的操作。圖4僅示出一部分地址周期，在該地址周期期間測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
曲線4示出地址晶體管16的操作。在地址脈沖之前(或者同時(shí))，陰極線34通過(guò)確保其是反向偏置的而高度禁止顯示元件。
在周期40期間，第一電壓被施加在數(shù)據(jù)線6上，并且該電壓確保一旦接通該短路晶體管30，電流就能夠被驅(qū)動(dòng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22。當(dāng)接通短路晶體管時(shí)，如曲線32中所示，它提供了一條從電源線26、通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22、地址晶體管16到達(dá)數(shù)據(jù)線6的路徑。如所示，數(shù)據(jù)線6上的第一電壓能夠接地。
一旦形成電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22，那么通過(guò)將數(shù)據(jù)線置于高阻抗?fàn)顟B(tài)來(lái)使得數(shù)據(jù)線浮動(dòng)。該數(shù)據(jù)線是用于一列像素的列導(dǎo)線，并且與列電容相關(guān)。
因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22的柵極電壓由電容器24保持，所以它仍然是導(dǎo)電的，并且漏-源電流的路徑通過(guò)短路晶體管30和電容器24。這具有降低在該電容器兩端的電壓降(該電壓降先前是“第一電壓”例如接地和電源線電壓之間的差)的效果。當(dāng)在該電容器兩端的電壓“放電”至閾值電壓(盡管柵極上的電壓在上升)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22斷開(kāi)，并且沒(méi)有進(jìn)一步的電流。因此，電容器24存儲(chǔ)該閾值電壓，并且該電壓被傳遞至列電容。
實(shí)際上，列電容充電相對(duì)較慢，并且繼續(xù)充電直到它達(dá)到電源線電壓，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22將具有明顯的亞閾值電流。
測(cè)量數(shù)據(jù)線上的電壓以使得能夠確定閾值電壓?？紤]到上述亞閾值電流，該電壓一有時(shí)間穩(wěn)定在相應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管的斷開(kāi)的柵極電壓，就測(cè)量數(shù)據(jù)線電壓。該時(shí)間可能是在允許數(shù)據(jù)線浮動(dòng)之后大約1ms，并且在如42所示的周期內(nèi)。
一旦確定了該閾值電壓，就修改施加在像素上的像素?cái)?shù)據(jù)電壓。這可以在列驅(qū)動(dòng)器電路中進(jìn)行，并且可以在數(shù)字域或模擬域中進(jìn)行。對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而言，在應(yīng)用于顯示器之前可以如何修改像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)將立即是顯而易見(jiàn)的。在一些情況下，可能需要場(chǎng)存儲(chǔ)器以使在補(bǔ)償之前能夠獲得所有的閾值，否則有可能會(huì)校正在測(cè)量之后立即施加的數(shù)據(jù)電壓。
現(xiàn)在明顯的是，本發(fā)明僅需要對(duì)圖2的標(biāo)準(zhǔn)像素電路進(jìn)行較少的修改。除了一個(gè)附加短路晶體管之外，還需要可切換的共陰極端子。
在像素陣列的外部，特別是在列驅(qū)動(dòng)器電路中實(shí)施數(shù)據(jù)輸入線的高阻抗?fàn)顟B(tài)以及電壓測(cè)量電路。這可能是在獨(dú)立的基板上，并且是以晶體硅，盡管也可以在與采用LTPS處理的像素陣列相同的基板上實(shí)施一些或所有的列驅(qū)動(dòng)器功能。
本發(fā)明使得能夠補(bǔ)償在多晶硅驅(qū)動(dòng)晶體管(例如低溫多晶硅TFT)中的閾值電壓變化。
上面的電路使用p型驅(qū)動(dòng)晶體管。當(dāng)然存在等效的n型實(shí)施。
本發(fā)明的像素電路的閾值電壓測(cè)量的處理可以用多種方式來(lái)執(zhí)行。所測(cè)量的閾值電壓能夠在D/A轉(zhuǎn)換之前與像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)數(shù)字地結(jié)合，或者在模擬域中結(jié)合。這種結(jié)合可以在閾值電壓測(cè)量之后立即進(jìn)行，以使在將圖像數(shù)據(jù)提供給顯示器時(shí)的延遲被保持為最小。
圖5示出列驅(qū)動(dòng)器電路的可能體系結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。該電路可以兩種模式操作，這兩種模式由每列的輸出開(kāi)關(guān)40來(lái)定義。
在檢測(cè)模式期間，開(kāi)關(guān)40將列6連接到包括電壓檢測(cè)電路42的檢測(cè)電路。檢測(cè)電路42在檢測(cè)周期的末尾測(cè)量列上的電壓。它然后將該數(shù)據(jù)傳遞給幀存儲(chǔ)器44。該幀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)在顯示器中所有驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。
在像素驅(qū)動(dòng)模式期間，開(kāi)關(guān)40將列6連接到列驅(qū)動(dòng)電路46。于是像素的數(shù)據(jù)被供應(yīng)給列驅(qū)動(dòng)器46，并且?guī)鎯?chǔ)器44供應(yīng)相應(yīng)的閾值電壓。由加法器48將這些加在一起以給出數(shù)據(jù)加上閾值電壓補(bǔ)償(offset)，該組合信號(hào)被傳遞給列驅(qū)動(dòng)器46。這是一種模擬實(shí)施，但是所測(cè)量的閾值電壓同樣可以被數(shù)字化以用于數(shù)字域中像素?cái)?shù)據(jù)的處理。
每幀圖像數(shù)據(jù)可以進(jìn)行一次閾值測(cè)量，以使閾值測(cè)量周期是每個(gè)尋址階段的一部分。在這種情況下，閾值測(cè)量操作在像素驅(qū)動(dòng)操作之前。
然而，閾值測(cè)量不必頻繁進(jìn)行這一點(diǎn)，因?yàn)閺脑诨迳系淖兓玫降乃柩a(bǔ)償多于差別老化(differential ageing)。因此，閾值測(cè)量可以在顯示周期開(kāi)始時(shí)進(jìn)行，例如每當(dāng)打開(kāi)顯示器時(shí)。
沒(méi)有詳細(xì)描述施加于本發(fā)明的像素電路的特定電壓以及詳細(xì)的時(shí)序需要，因?yàn)檫@些對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言都是常規(guī)的設(shè)計(jì)參數(shù)。
列驅(qū)動(dòng)器的例子示出作為“用于測(cè)量列電壓的裝置”的列電壓檢測(cè)電路。該電路能夠采取各種形式，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言出于這個(gè)目的的許多特定電路將是顯而易見(jiàn)的。
對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而言，各種其它修改將是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種包括顯示像素的陣列的有源矩陣電致發(fā)光顯示設(shè)備，每個(gè)像素包括電致發(fā)光(EL)顯示元件(2)；驅(qū)動(dòng)晶體管(22)，用于驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該顯示元件(2)；地址晶體管(16)，用于將來(lái)自數(shù)據(jù)線的像素驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供給該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極；以及短路晶體管(30)，其被連接在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極之間，其中該顯示設(shè)備還包括用于測(cè)量該數(shù)據(jù)線上的電壓的裝置(42)。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該EL顯示元件(2)和該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)被串聯(lián)連接在第一電源線(26)和第二電源線(34)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中第二電源線(34)上的電壓在兩個(gè)值之間是可切換的，其中一個(gè)值使得該EL顯示元件(2)被斷開(kāi)。
4.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中該數(shù)據(jù)輸入線(6)在電壓驅(qū)動(dòng)模式和浮動(dòng)模式之間是可切換的，在電壓驅(qū)動(dòng)模式中它提供電壓給連接到該線的像素，在浮動(dòng)模式中它能夠浮動(dòng)至尋址像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓。
5.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中每個(gè)像素可以下述兩種模式操作第一閾值電壓測(cè)量模式，在該模式中該顯示元件被禁止，該地址晶體管被接通，以及該短路晶體管被接通；以及第二像素驅(qū)動(dòng)模式，在該模式中該顯示元件被使能，該地址晶體管被接通，以及該短路晶體管被斷開(kāi)。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中在第一閾值電壓測(cè)量模式期間，在第一周期(40)中，預(yù)定電壓被施加于該數(shù)據(jù)線以使電流被驅(qū)動(dòng)通過(guò)該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)，以及在第二周期(42)中，該數(shù)據(jù)線被允許浮動(dòng)以使數(shù)據(jù)線(6)上的電壓基本上跟隨驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極電壓。
7.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)是多晶硅TFT。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)是低溫多晶硅TFT。
9.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，還包括在該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極和源極之間的存儲(chǔ)電容器(24)。
10.一種尋址有源矩陣電致發(fā)光顯示設(shè)備的像素的方法，該顯示設(shè)備包括電致發(fā)光(EL)顯示元件(2)和用于驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該顯示元件(2)的驅(qū)動(dòng)晶體管(22)，該方法包括禁止該顯示元件(2)；將第一電壓施加于數(shù)據(jù)線(6)；驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)、通過(guò)在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極之間連接的短路晶體管(30)、以及通過(guò)在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和該數(shù)據(jù)線(6)之間連接的地址晶體管(16)；使得該數(shù)據(jù)線(6)能夠在電上浮動(dòng)；測(cè)量該數(shù)據(jù)線(6)上的電壓；以及利用在該數(shù)據(jù)線上測(cè)量的電壓來(lái)修改施加于該驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的數(shù)據(jù)電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中禁止該顯示元件包括將禁止電壓施加于該顯示元件的端子。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中禁止該顯示元件包括將禁止電壓施加于該顯示元件(2)的端子(34)，該端子為所有顯示元件所共有。
13.如權(quán)利要求10至12中任何一項(xiàng)所述的方法，還包括使能該顯示元件(2)，并用該數(shù)據(jù)線上修改的數(shù)據(jù)電壓來(lái)尋址該像素，其中該短路晶體管被斷開(kāi)。
全文摘要
一種有源矩陣電致發(fā)光顯示設(shè)備具有在驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極和漏極之間連接的短路晶體管(30)。提供了用于測(cè)量數(shù)據(jù)線(6)上的電壓的裝置(42)。該短路晶體管(30)可用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極上的電壓進(jìn)行放電直到它斷開(kāi)。通過(guò)經(jīng)由地址晶體管(16)將所產(chǎn)生的電壓存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線(6)上，該數(shù)據(jù)線被用作閾值測(cè)量的控制/測(cè)量線之一。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1910640SQ200580001989
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2005年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月7日
發(fā)明者M·J·蔡爾茲 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司