專利名稱：等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法及裝置。更具體的是，本 發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式提供一種能夠減少在等離子體顯示器的環(huán)境溫度
為低溫時(shí)由錯(cuò)誤尋址(^77K^只)引起的等離子體顯示器畫(huà)面中 的噪聲的發(fā)生的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法以及裝置。
背景技術(shù)：
依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在等離子體顯示器裝置的技術(shù)領(lǐng)域中公知的是， 將多個(gè)X電極和多個(gè)Y電極沿水平方向交替地鄰接設(shè)置，并且將尋址 電極(了KW7電極)沿垂直方向設(shè)置，形成矩陣(matrix),對(duì)各電 極的交點(diǎn)的放電單元(cell)施加來(lái)自X驅(qū)動(dòng)電路、Y驅(qū)動(dòng)電路、尋址 驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)波形從而顯示出圖像的方式的裝置。
圖9中表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器裝置的面板和驅(qū)動(dòng)電路的 概要圖，而圖10中表示的是等離子體顯示器面板的構(gòu)造和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的 子場(chǎng)(subfield:分區(qū))結(jié)構(gòu)的示意圖。
參照?qǐng)D9，等離子體顯示器裝置由等離子體顯示器的面板3和X 驅(qū)動(dòng)電路4、 Y驅(qū)動(dòng)電路5、尋址驅(qū)動(dòng)電路6以及控制電路7構(gòu)成。
X驅(qū)動(dòng)電路4對(duì)面板3的多個(gè)X電極11施加驅(qū)動(dòng)波形，Y驅(qū)動(dòng)電 路5對(duì)面板3的多個(gè)Y電極12施加驅(qū)動(dòng)波形，尋址驅(qū)動(dòng)電路6對(duì)面板 3的多個(gè)尋址電極15施加驅(qū)動(dòng)波形，控制電路7對(duì)整體實(shí)施控制。
在圖10中所記載的等離子體顯示器的面板構(gòu)造中，在前面板1的 表面，配置有多根X電極ll以及Y電極12、電介質(zhì)層13、和保護(hù)層 14，在背面板2的表面配置有與上述X電極11以及Y電極12正交的 多根尋址電極15、電介質(zhì)層16、隔離壁17、和熒光體18 20。并且 在單元內(nèi)的空間中封入有作為放電氣體的氣體，通過(guò)控制施加于各電 極上的電壓使氣體成為激勵(lì)狀態(tài)而進(jìn)行放電。熒光體18 20將通過(guò)該 放電產(chǎn)生的紫外線轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢暪狻?br>
在圖10 (a)中記載的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)圖中，表示場(chǎng)的10個(gè) 子場(chǎng)21 30的結(jié)構(gòu)，在圖10 (b)中表示的是1個(gè)子場(chǎng)內(nèi)設(shè)置有復(fù)位 (Uir、乂卜)期間31、尋址(7 K、^7)期間32、維持(廿7亍,乂) 期間33。
在圖11中表示的是，在現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示器面板的復(fù)位期 間內(nèi)的寫(xiě)入期間中，對(duì)于全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖11中表示的是下述驅(qū)動(dòng)波形的示例，例如，如圖10 (a) (b) 所示，該驅(qū)動(dòng)波形為，場(chǎng)區(qū)間被分割為多個(gè)子場(chǎng)，子場(chǎng)被分割為復(fù)位 期間、尋址期間和維持期間，該復(fù)位期間進(jìn)一步被分割為寫(xiě)入期間和 電荷調(diào)整期間，尋址期間進(jìn)一步被分割為尋址前半期間和尋址后半期 間。
如圖11所示，在對(duì)于全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形中，在復(fù)位 期間的寫(xiě)入期間中，施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓Vs開(kāi)始增加(向 正方向變化)，在電荷調(diào)整期間中，施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)電壓減少(向 負(fù)方向變化)，并達(dá)到一定的到達(dá)電壓(一Vy+cO。
圖12中表示的是，在現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示器面板的復(fù)位期間 內(nèi)的寫(xiě)入期間中，僅對(duì)己經(jīng)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖12中，僅對(duì)已經(jīng)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形中，在其 復(fù)位期間的寫(xiě)入期間中，施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)電壓被維持在一定的值 2Vs，在電荷調(diào)整期間，施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)電壓減少(向負(fù)方向變化)， 達(dá)到一定的到達(dá)電壓(一Vy+cO。
圖13表示的是現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示器面板的Y驅(qū)動(dòng)電路、施 加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形以及各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉的時(shí)刻。
圖13的Y驅(qū)動(dòng)電路具備正的定電壓Vs、 Vw和負(fù)的定電壓(一 Vy+a)、 (一Vy)，由多個(gè)二極管、多個(gè)電感L、多個(gè)電容C、多個(gè)電阻 R以及多個(gè)開(kāi)關(guān)SW1 SW13構(gòu)成，控制多個(gè)幵關(guān)SW1 SW13的開(kāi) 閉(OnOff: H， L)的時(shí)刻，對(duì)面板Cpanel施加Y電極的驅(qū)動(dòng)波形。
施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形，如圖11所示，在復(fù)位期間的前半，電 壓上升，達(dá)到Vs+Vw，在復(fù)位期間的后半，電壓下降，達(dá)到一Vy+a。 然后在尋址期間，對(duì)Y電極施加一Vy的脈沖電壓。對(duì)Y電極施加一 Vy的脈沖電壓的同時(shí)，對(duì)尋址電極施加+Va的脈沖電壓，在尋址電極
與Y電極之間開(kāi)始放電，進(jìn)一步在X電極與Y電極之間也進(jìn)行放電， 點(diǎn)亮的單元被尋址。這之后，在維持期間中，在X電極和Y電極之間 交替地施加逆極性的脈沖電壓Vs，繼續(xù)進(jìn)行維持放電。
另外，在下述的專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了如下所述的等離子體顯示 器的驅(qū)動(dòng)方法，以在面板溫度上升的情況下或者長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮面板的情 況下對(duì)顯示點(diǎn)亮狀態(tài)的劣化進(jìn)行抑制為目的，當(dāng)面板溫度上升或者長(zhǎng) 時(shí)間點(diǎn)亮面板時(shí)，在即將要對(duì)掃描側(cè)電極施加基電壓之前施加減少壁 電壓的脈沖，減少掃描側(cè)電極的電位。
在圖14中表示的是，專利文獻(xiàn)1的等離子體顯示器裝置的面板和 驅(qū)動(dòng)電路的概要圖以及施加給各電極的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖14中，面板溫度檢測(cè)部檢測(cè)出等離子體顯示器面板的面板溫 度，在面板溫度上升等的情況下，在即將要對(duì)掃描側(cè)電極施加基電壓 Vscn之前，施加使掃描側(cè)電極的電位下降的負(fù)電壓的脈沖，可以防止 當(dāng)面板溫度上升時(shí)或者長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮面板時(shí)的顯示點(diǎn)亮狀態(tài)的劣化。
上述顯示點(diǎn)亮狀態(tài)的劣化是，在由于面板溫度的上升，熒光體中 的雜質(zhì)物發(fā)生氣化，氣體中的分子增加的情況下，或者，在長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn) 亮面板時(shí)，通過(guò)點(diǎn)亮?xí)r的放電使得面板的保護(hù)膜被濺射，保護(hù)膜中的 雜質(zhì)物被釋放到氣體中，而氣體中的分子增加的情況下，通過(guò)被釋放 出的少量電子，分子被激勵(lì)，產(chǎn)生不必要的放電，由此，引起上述顯 示點(diǎn)亮狀態(tài)的劣化。
上述的脈沖，在即將施加基電壓Vscn之前，對(duì)掃描側(cè)電極短時(shí)間 施加負(fù)電壓，使壁電壓減少，以防止上述劣化。
專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)2003-140601號(hào)公報(bào)
在圖15中，表示的是施加于現(xiàn)有的等離子體顯示器面板的Y電極 的驅(qū)動(dòng)波形，和當(dāng)環(huán)境溫度為低溫時(shí)產(chǎn)生的問(wèn)題。
在圖15中，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間，當(dāng)施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波 形的電壓上升時(shí)，在面板內(nèi)的Y電極的附近積蓄負(fù)電荷，在尋址電極 和X電極的附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述積蓄的負(fù)電荷以 及正電荷逐漸減少，在電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的一定的到達(dá)電壓的時(shí)刻， 在面板內(nèi)的Y電極的附近積蓄負(fù)電荷，在尋址電極和X電極的附近積 蓄正電荷。(將其稱為"壁電荷")。
在復(fù)位期間后的尋址期間，對(duì)尋址電極施加正電壓Va，同時(shí)，對(duì) Y電極施加負(fù)電壓一Vy,在尋址電極和Y電極交叉的單元中，在與由 上述壁電荷引起的從尋址電極向Y電極的電位(壁電位)相同的方向 上，由上述尋址期間的正電壓Va和負(fù)電壓一 Vy引起的電位差(Va+Vy ) 進(jìn)行重疊，開(kāi)始放電。但是，當(dāng)?shù)入x子體顯示器的環(huán)境溫度為低溫時(shí)， 例如，在寒冷地的電源投入的初期狀態(tài)中，放電電流的發(fā)生出現(xiàn)延遲， 會(huì)出現(xiàn)在尋址期間的正電壓Va和負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)而放電沒(méi) 有結(jié)束的情況，不能夠選擇發(fā)光單元的尋址錯(cuò)誤的發(fā)生概率變高，使 得保證穩(wěn)定的動(dòng)作余量(7 — -y)變得困難。
在上述專利文獻(xiàn)1中記載的發(fā)明中，為了防止當(dāng)面板溫度上升或 者長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮面板時(shí)氣體中的分子增加引起的不必要的放電，檢測(cè)出 面板溫度，使掃描脈沖的電壓發(fā)生變化，特別是，在即將施加基電壓 之前施加短期間的脈沖，而在上述專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)中，不能解 決當(dāng)?shù)入x子體顯示器的環(huán)境溫度降低時(shí)的上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題是，當(dāng)?shù)入x子體顯示器的環(huán)境溫度為低溫時(shí)， 放電電流的發(fā)生出現(xiàn)延遲，尋址錯(cuò)誤的發(fā)生概率變高，難于保證穩(wěn)定 的動(dòng)作余量的問(wèn)題。
在本發(fā)明的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法以及裝置中，為了解決上 述問(wèn)題，檢測(cè)出等離子體顯示器的環(huán)境溫度，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期 間后的電荷調(diào)整期間中，施加在掃描電極上的電壓的驅(qū)動(dòng)波形向負(fù)方 向連續(xù)地變化，使上述電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓根據(jù)上述檢測(cè) 出的環(huán)境溫度發(fā)生變化，按照當(dāng)上述環(huán)境溫度下降時(shí)使得上述到達(dá)電 壓向正方向變化的方式進(jìn)行控制。
具體的說(shuō)，在本發(fā)明的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法以及裝置中， 根據(jù)檢測(cè)出的環(huán)境溫度，設(shè)定多個(gè)到達(dá)電壓，或者改變驅(qū)動(dòng)波形的趨 勢(shì)，或者改變電荷調(diào)整期間的結(jié)束的時(shí)刻(timing),按照在上述環(huán)境 溫度下降時(shí)使上述到達(dá)電壓向正方向變化的方式進(jìn)行控制，從而得以 實(shí)現(xiàn)。
依據(jù)本發(fā)明，當(dāng)?shù)入x子體顯示器的環(huán)境溫度為低溫時(shí)，能夠抑制
放電電流的發(fā)生的延遲，使尋址錯(cuò)誤的發(fā)生概率降低，可以確保穩(wěn)定 的動(dòng)作余量，能夠防止在環(huán)境溫度為低溫時(shí)等離子體顯示器的顯示畫(huà) 面質(zhì)量劣化。
圖1表示的是本發(fā)明的等離子體顯示器裝置的面板和驅(qū)動(dòng)電路的 概要圖。
圖2表示的是施加于本發(fā)明的等離子體顯示器面板的Y電極上的 驅(qū)動(dòng)波形，和解決當(dāng)環(huán)境溫度為低溫時(shí)的問(wèn)題的示意圖。
圖3表示的是本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子體顯示器的寫(xiě)入期間中， 對(duì)全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極上的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖4表示的是本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子體顯示器面板的Y驅(qū)動(dòng) 電路、施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形以及各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉的時(shí)刻。
圖5表示的是本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子體顯示器的寫(xiě)入期間中， 對(duì)全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極上的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖6表示的是本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子體顯示器面板的Y驅(qū)動(dòng) 電路、施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形以及各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉的時(shí)刻。
圖7表示的是本發(fā)明的實(shí)施例3的等離子體顯示器的寫(xiě)入期間中， 對(duì)全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極上的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖8表示的是在本發(fā)明的其它實(shí)施例的復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間中， 只對(duì)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)的情況下施加于各電極上的驅(qū)動(dòng)波形的示 意圖。
圖9表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器裝置的面板和驅(qū)動(dòng)電路的概 要示意圖。
圖IO表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器面板的構(gòu)造和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的子 場(chǎng)構(gòu)成的示意圖。
圖11表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器的復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間 中，對(duì)全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖12表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器的復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間 中，僅對(duì)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖13表示的是現(xiàn)有的等離子體顯示器面板的Y驅(qū)動(dòng)電路、施加于
Y電極的驅(qū)動(dòng)波形以及各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉的時(shí)刻。
圖14表示的是專利文獻(xiàn)1的等離子體顯示器裝置的面板和驅(qū)動(dòng)電 路的示意圖以及施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
圖15表示的是施加于現(xiàn)有的等離子體顯示器面板的Y電極的驅(qū)動(dòng)
波形，和當(dāng)環(huán)境溫度為低溫時(shí)的問(wèn)題。 符號(hào)說(shuō)明
1:前面板
2:背面板
3:面 板
4: X驅(qū)動(dòng)電路
5: Y驅(qū)動(dòng)電路
6:尋址驅(qū)動(dòng)電路
7:控制電路
8:熱敏電阻(thermistor) 11: X電極 12: Y電極
13、 16:電介質(zhì)層 14:保護(hù)層 15:尋址電極 17:隔離壁 18 20:熒光體 21 30:子場(chǎng) 31:復(fù)位期間 32:尋址期間 33:維持期間
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的等離子體顯示器裝置的面板和驅(qū)動(dòng)電路的概要圖。
參照?qǐng)D1，本發(fā)明的等離子體顯示器裝置包括等離子體顯示器的
面板3、 X驅(qū)動(dòng)電路4、 Y驅(qū)動(dòng)電路5、尋址驅(qū)動(dòng)電路6、以及控制電
路7，與現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體顯示器裝置相比較，本發(fā)明的等離子體
顯示器裝置的特征在于，具備熱敏電阻(thermistor)等溫度檢測(cè)單元8， 根據(jù)檢測(cè)出的環(huán)境溫度而生成的控制信號(hào)，從控制電路7傳送至X驅(qū) 動(dòng)電路4、尋址驅(qū)動(dòng)電路6以及Y驅(qū)動(dòng)電路5，根據(jù)控制信號(hào)，生成對(duì) 應(yīng)于環(huán)境溫度而施加于各電極上的電壓的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖1中，作為溫度檢測(cè)單元的熱敏電阻8配置于控制電路7內(nèi)， 但是檢測(cè)低溫的環(huán)境溫度的溫度檢測(cè)單元8的配置位置不必局限于控 制電路7內(nèi)或者面板內(nèi)等。
圖2表示的是施加于本發(fā)明的等離子體顯示器面板的尋址電極、X 電極、Y電極上的驅(qū)動(dòng)波形，和環(huán)境溫度為低溫時(shí)上述問(wèn)題的解決方 法的示意圖。
如圖2中所示，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間中，當(dāng)施加于Y電極的 驅(qū)動(dòng)波形的電壓上升時(shí)，在面板內(nèi)的Y電極的附近積蓄負(fù)電荷，在尋 址電極和X電極的附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述所積蓄的 負(fù)電荷以及正電荷逐漸減少。
但是，在本發(fā)明中，按照如下方式進(jìn)行控制，當(dāng)?shù)入x子體顯示器 的環(huán)境溫度降低時(shí)，使電荷調(diào)整期間中施加于Y電極的電壓的驅(qū)動(dòng)波 形變化，使電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓從現(xiàn)有的一Vy+(x向一 Vy+a+(3變化，以使到達(dá)電壓向著正方向變化。
通過(guò)這樣的控制，當(dāng)電荷調(diào)整期間終了時(shí)，在面板內(nèi)的Y電極附 近積蓄負(fù)電荷，在尋址電極和X電極附近積蓄正電荷，適量地確保壁 電荷，在復(fù)位期間后的尋址期間中，當(dāng)對(duì)尋址電極施加正電壓Va，同 時(shí)對(duì)Y電極施加負(fù)電壓一Vy時(shí)，由壁電荷引起的電位與由上述尋址期 間的正電壓Va和負(fù)電壓一Vy引起的電位差(Va+Vy)重疊，放電電流 無(wú)延遲地產(chǎn)生，當(dāng)尋址期間的正電壓Va和負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)， 具備穩(wěn)定的動(dòng)作余量，尋址電極與Y電極之間的尋址放電結(jié)束，尋址 錯(cuò)誤的發(fā)生被抑制，即使是在低的環(huán)境溫度中，也能夠顯示等離子體 顯示器的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。
以下，利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施例1
圖3表示的是，在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子體顯示器的寫(xiě)入期
間中，對(duì)全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
在圖3中，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間，施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形 的電壓如果上升，則在面板內(nèi)的Y電極附近積蓄負(fù)電荷，在尋址電極 和X電極附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述所積蓄的負(fù)電荷和 正電荷逐漸減少。
但在實(shí)施例1中，其特征在于，按照如下方式進(jìn)行控制，當(dāng)?shù)入x 子體顯示器的環(huán)境溫度降低時(shí)，使電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓從 原來(lái)的一Vy+a向一Vy+a+f3變化，使得到達(dá)電壓向正方向變化。
在圖3中，到達(dá)電壓從一Vy+a向—Vy+a+p的變化，根據(jù)環(huán)境溫 度的下降分為兩個(gè)階段進(jìn)行變化，也可以將兩個(gè)階段形成為更多的階 段，根據(jù)環(huán)境溫度的變化，也能夠使其階段性地或者線性地(linear) 進(jìn)行變化。
圖4表示的是本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子體顯示器面板的Y驅(qū)動(dòng) 電路、施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形與各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉的時(shí)刻的示意圖。
實(shí)施例1的Y驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具備正電壓Vs、 Vw和負(fù)電 壓(一Vy+a)、 (一Vy)，由多個(gè)二極管、多個(gè)電感L、多個(gè)電容C、多 個(gè)電阻R以及多個(gè)開(kāi)關(guān)SW1 SW14構(gòu)成，對(duì)多個(gè)開(kāi)關(guān)SW1 SW14 的開(kāi)閉(OnOff: H， L)的時(shí)刻進(jìn)行控制，向面板Cpanel施加Y電極 的驅(qū)動(dòng)波形，而且，實(shí)施例1的Y驅(qū)動(dòng)電路中，負(fù)電壓(一Vy+a)以 外，還并列地設(shè)置有負(fù)電壓(一Vy+a+p)，開(kāi)關(guān)SW6以外還設(shè)置有開(kāi) 關(guān)SW14,通過(guò)開(kāi)關(guān)SW6和SW14切換負(fù)電壓(一Vy+a)和負(fù)電壓(一 Vy+a+卩)，對(duì)這些進(jìn)行控制。
在正常溫度下工作時(shí)，使SW6為On，使SW14為Off，使電荷調(diào) 整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓為一Vy+a，當(dāng)環(huán)境溫度為低溫時(shí)，使SW6為 Off，使SW14為On，使電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓變換為一 Vy+a+(3。
并且，根據(jù)上述的環(huán)境溫度進(jìn)行變化的到達(dá)電壓優(yōu)選為尋址期間 的掃描電壓(一Vy)以上。(一Vy) < (_Vy+a) < (—Vy+a+p)。 而且，優(yōu)選使得到達(dá)電壓與掃描電壓的電位差在大約30V以內(nèi)。
(—Vy+a+(3) — (一Vy) =a+(3<30V。 如上所述，使到達(dá)電壓變化時(shí)，在電荷調(diào)整期間內(nèi)，施加于Y電
極的電壓的驅(qū)動(dòng)波形是向負(fù)方向連續(xù)的變化，能夠在面板內(nèi)的各電極 積蓄充分的壁電荷，放電電流可以無(wú)延遲地產(chǎn)生，當(dāng)尋址期間的正電
壓Va與負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)，具有穩(wěn)定的動(dòng)作余量，尋址電極 和Y電極之間的尋址放電結(jié)束，從而可以抑制尋址錯(cuò)誤的發(fā)生，即使 是在低的溫度環(huán)境中，也能夠顯示等離子體顯示器的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。
實(shí)施例2
圖5表示的是，在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子體顯示器的寫(xiě)入期 間中，對(duì)于全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
在圖5中，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間中，如果施加于Y電極的驅(qū) 動(dòng)波形的電壓上升，則在面板內(nèi)的Y電極附近積蓄負(fù)電荷，在尋址電 極和X電極附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述所積蓄的負(fù)電荷 和正電荷逐漸減少。
但是，實(shí)施例2的特征在于，按照如下方式進(jìn)行控制，當(dāng)?shù)入x子 體顯示器的環(huán)境溫度下降時(shí)，使得電荷調(diào)整期間的施加于Y電極的驅(qū) 動(dòng)波形的趨勢(shì)發(fā)生變化，終了時(shí)的到達(dá)電壓從原來(lái)的一Vy+a向一 Vy+a+(3變化，以使到達(dá)電壓向正方向變化。
圖6表示的是，本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子體顯示器面板的Y驅(qū) 動(dòng)電路、施加于Y電極的驅(qū)動(dòng)波形以及各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉時(shí)刻的示意圖。
圖6中所示的實(shí)施例2的Y驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具備正電壓Vs、 Vw和負(fù)電壓(一Vy+a)、 (一Vy)，由多個(gè)二極管、多個(gè)電感L、多個(gè) 電容C、多個(gè)電阻R以及多個(gè)開(kāi)關(guān)SW1 SW14構(gòu)成，對(duì)多個(gè)開(kāi)關(guān) SW1 SW14的開(kāi)閉(OnOff: H， L)的時(shí)刻進(jìn)行控制，對(duì)面板Cpanel 施加Y電極的驅(qū)動(dòng)波形，而且，除了與負(fù)的低電壓(一Vy+a)相連接 的電阻R1以外，還并列設(shè)置有比電阻R1的電阻值大的R2，除了開(kāi)關(guān) SW6以外還設(shè)置有SW14，通過(guò)開(kāi)關(guān)SW6和SW14切換R1和R2，對(duì) 這些進(jìn)行控制。
在通常溫度下工作時(shí)，使SW6為On，使SW14為Off，使電荷調(diào) 整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓為一Vy+oc，當(dāng)環(huán)境溫度為低溫時(shí)，使SW6為 Off，使SW14為On，通過(guò)由Rl轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮柚递^大的R2，使電荷調(diào) 整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓向正方向變換，例如能夠變更為一Vy+a+(3。
如上所述，當(dāng)使驅(qū)動(dòng)波形的趨勢(shì)變化時(shí)，在電荷調(diào)整期間中，施 加于Y電極的電壓的驅(qū)動(dòng)波形向負(fù)方向連續(xù)地變化，能夠在面板內(nèi)的 各電極積蓄充分的壁電荷，使放電電流無(wú)延遲地產(chǎn)生，在尋址期間的
正電壓Va和負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)，具有穩(wěn)定的動(dòng)作余量，尋址 電極與Y電極間的尋址放電結(jié)束，從而抑制尋址錯(cuò)誤的發(fā)生，即使在 低溫環(huán)境中，也能夠顯示等離子體顯示器的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。 實(shí)施例3
圖7表示的是，在本發(fā)明的實(shí)施例3的等離子體顯示器的寫(xiě)入期 間中，對(duì)于全部單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。 --在,7中-，在復(fù)位期御離的寫(xiě)入SlllU-洳果施加于Y電極的驅(qū)動(dòng) 波形的電壓上升，則在面板內(nèi)的Y電極附近積蓄負(fù)電荷，在尋址電極 和X電極附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述所積蓄的負(fù)電荷和 正電荷逐漸減少。
但是，實(shí)施例3的特征在于，按照如下方式進(jìn)行控制，當(dāng)?shù)入x子 體顯示器的環(huán)境溫度下降時(shí)，使電荷調(diào)整期間的結(jié)束時(shí)的動(dòng)作時(shí)刻發(fā) 生變化，結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓從原來(lái)的一Vy+a向例如一Vy+a+(3變化， 以使到達(dá)電壓向正方向變化。
如上所述，當(dāng)使電荷調(diào)整期間的結(jié)束時(shí)的動(dòng)作時(shí)刻變化時(shí)，在電 荷調(diào)整期間內(nèi)，施加于Y電極的電壓的驅(qū)動(dòng)波形向負(fù)方向連續(xù)地變化， 在到達(dá)電壓在例如一Vy+a+P的正的方向上高的結(jié)束時(shí)刻，能夠在面板 內(nèi)的各電極積蓄充分的壁電荷，放電電流無(wú)延遲地產(chǎn)生，當(dāng)尋址期間 的正電壓Va和負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)，具有穩(wěn)定的動(dòng)作余量，在 尋址電極與Y電極間的尋址放電結(jié)束，從而抑制尋址錯(cuò)誤的發(fā)生，即 使在低溫環(huán)境中，也能夠顯示等離子體顯示器的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。
其它的實(shí)施例
圖8表示的是，本發(fā)明的其它的實(shí)施例的復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間 中，僅對(duì)已經(jīng)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
如圖8所示，在僅對(duì)已經(jīng)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行復(fù)位時(shí)施加于各電極的 驅(qū)動(dòng)波形中，在復(fù)位期間內(nèi)的寫(xiě)入期間的開(kāi)始時(shí)期，施加于Y電極的 驅(qū)動(dòng)波形的電壓上升至2Vs，在寫(xiě)入期間的途中，施加于X電極的驅(qū)
動(dòng)波形的電壓上升至VX，在面板內(nèi)的Y電極的附近積蓄負(fù)電荷，在尋 址電極和X電極的附近積蓄正電荷，在電荷調(diào)整期間，上述所積蓄的 負(fù)電荷與正電荷逐漸減少。
在其它的實(shí)施例中，按照如下方式進(jìn)行控制，當(dāng)?shù)入x子體顯示器
的環(huán)境溫度下降時(shí)，使在電荷調(diào)整期間中施加于Y電極的電壓的驅(qū)動(dòng) 波形變化，使得電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)的到達(dá)電壓從原來(lái)的一Vy+a向_ Vy+a+P變化，以使到達(dá)電壓向正方向變化。
通過(guò)該控制，當(dāng)電荷調(diào)整期間結(jié)束時(shí)，在面板內(nèi)的Y電極附近積 蓄負(fù)電荷、在尋址電極和X電極附近積蓄正電荷，適量地確保了壁電 荷，在復(fù)位期間后的尋址期間，如果對(duì)尋址電極施加正電壓Va，同時(shí) 對(duì)Y電極施加負(fù)電壓一Vy，則由壁電荷引起的電位和由上述尋址期間 的正電壓Va與負(fù)電壓一Vy引起的電位差(Va+Vy)重疊，放電電流無(wú) 延遲地產(chǎn)生，在尋址期間的正電壓Va和負(fù)電壓一Vy的脈沖結(jié)束時(shí)， 具有穩(wěn)定的動(dòng)作余量，尋址電極和Y電極間的尋址放電結(jié)束，從而抑 制了尋址錯(cuò)誤的產(chǎn)生，即使是在低溫環(huán)境中，也能夠顯示等離子體顯 示器的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。
此外，在其它的實(shí)施例中，在電荷調(diào)整期間中，作為使對(duì)Y電極 的驅(qū)動(dòng)波形和到達(dá)電壓變化的方法，能夠是將在上述實(shí)施例1至實(shí)施 例3中所記載的選擇多個(gè)到達(dá)電壓的方法、使驅(qū)動(dòng)波形的趨勢(shì)變化的 方法、和使電荷調(diào)整期間的結(jié)束時(shí)刻變化的方法組合在一起的方法。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，該等離子體顯示器相互鄰接地配置有多個(gè)并列的第一以及第二電極，同時(shí)以與該第一以及第二電極交叉的方式配置有多個(gè)第三電極，由各電極的交叉區(qū)域規(guī)定放電單元，并具有復(fù)位期間、尋址期間和維持放電期間，在所述復(fù)位期間中，對(duì)所述第二電極施加第一正極性的脈沖，隨后對(duì)所述第二電極施加隨時(shí)間的推移施加電壓值減小的第二脈沖，該等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的特征在于檢測(cè)出所述等離子體顯示器的環(huán)境溫度，基于所述環(huán)境溫度對(duì)所述第二脈沖的到達(dá)電位進(jìn)行控制。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于-.按照在所述環(huán)境溫度下降時(shí)使所述第二脈沖的到達(dá)電位上升，在 所述環(huán)境溫度上升時(shí)使所述第二脈沖的到達(dá)電位下降的方式進(jìn)行控 制。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1 2中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于所述第一脈沖是隨著時(shí)間的推移施加電壓值增大的脈沖。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于在對(duì)所述第二電極施加所述第一脈沖期間，對(duì)所述第一電極施加 負(fù)極性的脈沖。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 2中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于所述第一脈沖是在所述復(fù)位期間的開(kāi)始時(shí)上升至規(guī)定電壓，并將 所述規(guī)定電壓維持規(guī)定期間的波形的脈沖，在對(duì)所述第二電極施加所述第一脈沖之后，施加所述第二脈沖之 前，對(duì)所述第一電極施加正極性脈沖。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于根據(jù)所述環(huán)境溫度對(duì)所述第二脈沖的隨著時(shí)間的推移的電壓值的 變化量進(jìn)行控制。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于所述第二脈沖是施加電壓值隨著時(shí)間的推移而直線減小的脈沖， 并根據(jù)所述環(huán)境溫度控制所述第二脈沖的趨勢(shì)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于使得所述到達(dá)電位比在所述尋址期間時(shí)施加于所述第二電極的負(fù) 極性脈沖電壓值大。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于所述到達(dá)電位與在所述尋址期間時(shí)施加于所述第二電極的負(fù)極性脈沖電壓之間的電位差設(shè)定在30V以下。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于通過(guò)對(duì)所述第二脈沖的值到達(dá)所述到達(dá)電位的所述復(fù)位期間結(jié)束 時(shí)的時(shí)刻進(jìn)行控制，控制所述到達(dá)電位。
11. 一種等離子體顯示器裝置，其相互鄰接地配置有多個(gè)并列的第 一以及第二電極，同時(shí)以與該第一以及第二電極交叉的方式配置有多 個(gè)第三電極，由各電極的交叉區(qū)域規(guī)定放電單元，并具有復(fù)位期間、尋址期間和維持放電期間，其特征在于，包括在所述復(fù)位期間中，對(duì)所述第二電極施加正極性的脈沖，隨后對(duì)所述第二電極施加隨時(shí)間的推移施加電壓值減小的第二脈沖的驅(qū)動(dòng)模塊；對(duì)所述等離子體顯示器的環(huán)境溫度進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)模塊；和 基于所述環(huán)境溫度對(duì)所述第二脈沖的到達(dá)電位進(jìn)行控制的控制模塊。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于-所述控制模塊按照在所述環(huán)境溫度下降時(shí)使所述第二脈沖的到達(dá)電位上升，在所述環(huán)境溫度上升時(shí)使所述第二脈沖的到達(dá)電位下降的 方式進(jìn)行控制。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11 12中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置， 其特征在于所述第一脈沖是施加電壓值隨著時(shí)間的推移而增大的脈沖。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于， 包括在對(duì)所述第二電極施加所述第一脈沖的期間，對(duì)所述第一電極施 加負(fù)極性的脈沖的第一電極驅(qū)動(dòng)模塊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11 12中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置， 其特征在于所述第一脈沖是在所述復(fù)位期間的開(kāi)始時(shí)上升至規(guī)定電壓，并將 所述規(guī)定電壓維持規(guī)定期間的波形的脈沖，并且還包括在對(duì)所述第二電極施加所述第一脈沖之后，施加所述第二 脈沖之前，對(duì)所述第一電極施加正極性脈沖的第一電極驅(qū)動(dòng)模塊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11 15中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于所述控制模塊被構(gòu)成為，設(shè)置多個(gè)不同的電壓值，根據(jù)所述環(huán)境 溫度選擇所述電壓值中的任意一個(gè)并對(duì)其進(jìn)行控制。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11 15中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于所述第二脈沖是施加電壓值隨著時(shí)間的推移而直線減小的脈沖， 所述控制模塊根據(jù)所述環(huán)境溫度控制所述第二脈沖的趨勢(shì)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11 17中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于使得所述到達(dá)電位比在所述尋址期間時(shí)施加于所述第二電極的負(fù) 極性脈沖電壓值大。
19. 根據(jù)權(quán)利要求11 18中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于所述到達(dá)電位與在所述尋址期間時(shí)施加于所述第二電極的負(fù)極性脈沖電壓之間的電位差設(shè)定在30V以下。
20. 根據(jù)權(quán)利要求11 19中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于所述控制模塊，通過(guò)對(duì)所述第二脈沖的值到達(dá)所述到達(dá)電位的所 述復(fù)位期間結(jié)束時(shí)的時(shí)刻進(jìn)行控制，控制所述到達(dá)電位。
全文摘要
本發(fā)明涉及能夠減少環(huán)境溫度為低溫時(shí)由錯(cuò)誤尋址引起的畫(huà)面中缺失的發(fā)生的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法及裝置。在本發(fā)明的等離子體顯示器中，按照如下方式進(jìn)行控制，檢測(cè)出環(huán)境溫度，在電荷調(diào)整期間，掃描電極電壓的驅(qū)動(dòng)波形向負(fù)方向連續(xù)的變化，并使在結(jié)束時(shí)達(dá)到的到達(dá)電壓根據(jù)上述所檢測(cè)的環(huán)境溫度進(jìn)行變化，當(dāng)環(huán)境溫度下降時(shí)使到達(dá)電壓向正方向變化。
文檔編號(hào)G09G3/28GK101167117SQ200580049668
公開(kāi)日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2005年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月20日
發(fā)明者佐佐木孝, 大塚晃, 高木彰浩 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司