專利名稱：驅(qū)動等離子顯示面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，特別涉及一種驅(qū)動 等離子顯示面板的如下方法，該方法可以通過改變施加到掃描電極
(即Y電極)和維持電極(即X電極)上的脈沖波形來改進(jìn)等離子 顯示面板的尋址放電特性，并且還可以通過獲得充足的維持放電時(shí)間 來增加等離子顯示面板的亮度和對比度。
背景技術(shù)：
近來，平板顯示器由于與CRT相比降低了重量和體積，因而成 為人們關(guān)注的對象。這種平板顯示器包括LCD (液晶顯示器)、PDP (等離子顯示面板)、FED (場致發(fā)射顯示器)以及EL (電致發(fā)光)。
在上述平板顯示器中，PDP通過使熒光體發(fā)光來顯示包括字符或 圖形以及活動圖像在內(nèi)的多種圖像，其中利用由惰性混合氣體(例如 He+Xe、 Ne+Xe或者He+Xe+Ne)的放電而發(fā)出的紫外線使熒光體發(fā) 光。這種PDP具有使得面板變薄變寬的優(yōu)點(diǎn)，并且由于近來技術(shù)的 發(fā)展，其可提供得到較大改善的圖像質(zhì)量。
特別地，由于在PDP放電時(shí)，壁電荷積聚在介電層上而降低了 放電所需的電壓并使電極免于受到等離子的濺射，因此3電極AC表 面放電型PDP具有使用壽命長和低電壓驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)。
圖1是示出3電極AC表面放電型PDP的結(jié)構(gòu)的透視圖。
PDP包括前基底10，其上形成有X電極和Y電極；以及后基 底20，其上形成有尋址電極A，其中，前基底10和后基底20彼此
間隔開特定的間隙并且彼此平行地密封接合。
形成在前基底IO上的X電極(即維持電極)和Y電極(即掃描 電極)通過在一個(gè)像素內(nèi)的交互放電來保持單元的發(fā)光。X電極和Y
電極包含由透明ITO物質(zhì)制成的透明電極(ITO電極)XI和Yl以 及由金屬物質(zhì)制成的匯流(bus)電極X2和Y2。在X和Y電極上沉 積有將一對電極隔離開的介電層12，以控制放電電流。在介電層12 上沉積通常由MgO形成的保護(hù)層13。
同時(shí)，后基底20包括平行排列的多個(gè)條形(或點(diǎn)形)隔壁21， 以限定出多個(gè)放電空間(即單元C);尋址電極A，其跨過電極X和 Y而與隔壁21平行設(shè)置；以及介電層23，其形成在尋址電極A上。 R.G.B.熒光體層24施加在后基底20上側(cè)除隔壁21上端表面外的部 分上，用以在尋址放電時(shí)發(fā)射用于圖像顯示的可見光。
為了獲得圖像的灰度級，PDP對一個(gè)16.67 ms (相應(yīng)于l/60秒) 的幀進(jìn)行操作，將其分成幾個(gè)具有不同發(fā)光時(shí)間的子場。每個(gè)子場分 成復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，其中復(fù)位周期用于定期地獲得穩(wěn) 定的放電特性，尋址周期用于選擇放電單元，維持周期用于根據(jù)使在 尋址周期所選擇的單元保持放電的放電時(shí)間來獲得灰度級。
在該實(shí)例中，設(shè)計(jì)復(fù)位周期的波形的重點(diǎn)考慮內(nèi)容是通過使所有 單元的放電條件(condition)的差異最小化來實(shí)現(xiàn)均勻且穩(wěn)定的尋址 條件。需要通過使復(fù)位周期中的放電最小化來降低黑色亮度(black luminance)(在面板中的所有單元都未被選擇的情況下)，以便獲得 高對比度。此外，在維持周期中分配最大時(shí)間也是很重要的，以便獲 得高亮度。
斜坡型波形被廣泛用作子場的復(fù)位周期的波形，其是傳統(tǒng)PDP 的驅(qū)動波形。通過精確控制壁電荷，斜坡型波形使所有單元的放電條 件的偏差最小化，由此使得尋址操作能夠穩(wěn)定且快速地執(zhí)行。由于斜 坡型波形降低了發(fā)光量，因此與使用方波相比黑色亮度較低，由此獲 得相對較高的對比度。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)(WO 00/19400和EP 0967589)的復(fù)位周期 的斜坡波形圖。
參考圖2，每個(gè)子場的復(fù)位周期具有斜升(ramp-up)周期，其 中電壓以恒定的斜率連續(xù)上升；以及斜降(ramp-down)周期，其中 電壓連續(xù)且恒定地降低。使用這種脈沖形狀來說明PDP的驅(qū)動，首 先，在復(fù)位周期的斜升周期期間，Y電極變成陽極，而X電極和A 電極變成陰極，從而導(dǎo)致弱放電。結(jié)果，正的壁電荷充分地積聚在X 電極和A電極上，而負(fù)的壁電荷充分地積聚在Y電極上。在斜降周 期期間，Y電極變成陰極，而X電極和A電極變成陽極，從而導(dǎo)致 放電。由此，在斜降的終點(diǎn)處，可在所有單元中實(shí)現(xiàn)適于每個(gè)單元放 電條件的均勻且穩(wěn)定的尋址條件。
在現(xiàn)有技術(shù)中，將具有斜升和斜降周期的斜坡波形施加到每個(gè)子 場。在不引起維持放電的黑色圖案的情況下，由于斜坡脈沖作為復(fù)位 波形而重復(fù)地施加到所有子場中，因而黑色亮度是在每個(gè)子場內(nèi)在復(fù) 位周期中由斜坡放電所發(fā)散的亮度總和。因此，存在不能獲得高對比 度的缺點(diǎn)。此外，由于在一個(gè)幀中復(fù)位周期所需要的時(shí)間較長，因此 分配給維持放電的時(shí)間被縮短，從而難以獲得高亮度。
圖3是根據(jù)另一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)(EP 1022715 A2)的波形圖，以解 決圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中提到的上述問題。
參考圖3，只有第一子場具有包含斜升周期和斜降周期的復(fù)位周 期，而其它子場在一個(gè)幀中僅具有斜降周期。使用這種脈沖的操作原 理如下。
通過由在第一子場中具有斜升和斜降的斜坡復(fù)位所導(dǎo)致的弱放 電，所有的單元被設(shè)定尋址條件。接著，在尋址周期中，掃描脈沖和 數(shù)據(jù)脈沖分別施加到Y(jié)電極和A電極，并且發(fā)生尋址放電以存儲充 足的壁電荷，以便由維持脈沖引起維持放電，從而選擇將設(shè)為ON的 單元。接著，在前面尋址周期中所選擇的ON單元內(nèi)發(fā)生維持放電， 而在未選擇的OFF單元內(nèi)不發(fā)生維持放電。在僅具有斜降周期的斜 坡復(fù)位之前，ON單元通過之前的維持放電將足夠多的壁電荷存儲在 每個(gè)電極上，從而其處于會在斜降周期期間發(fā)生放電的狀態(tài)。所述單 元在僅含有斜降周期的斜坡復(fù)位中發(fā)生放電，因此處于與第一子場的 斜降終點(diǎn)處相同的狀態(tài)。同時(shí)，在OFF單元的情況下，由于在第一 子場的復(fù)位周期之后，在尋址和維持周期中不發(fā)生放電，因此不存在 壁電荷的變化。因此，在隨后子場的復(fù)位周期中不發(fā)生放電。在顯示 黑色圖案的情況下，在包含斜升周期和斜降周期的第一子場的復(fù)位周
期中，面板的所有單元同時(shí)執(zhí)行弱放電，而在尋址和維持周期中不執(zhí) 行弱放電。因此，在包含斜升周期和斜降周期的第一子場的斜坡復(fù)位 中，通過弱放電獲得黑色亮度，由此獲得非常高的對比度。此外，優(yōu) 選地，由于將斜升周期的時(shí)間分配給維持放電所需的時(shí)間，因此可獲 得高亮度。
但是，圖3的情況具有隨著時(shí)間流逝尋址條件變差的缺點(diǎn)。也就 是說，通過斜坡復(fù)位產(chǎn)生的壁電荷被設(shè)置到每個(gè)單元，使得所有的單 元在后面的尋址放電的條件下具有一致的特性。在不發(fā)生放電的情況 下，需要保持原樣。但是，由包含斜升周期和斜降周期的子場的斜坡 復(fù)位所控制的每個(gè)電極的壁電荷和放電條件不能隨著時(shí)間流逝而保 持原樣。尋址放電的條件很可能變差。這是由于在復(fù)位放電之后空間 帶電粒子電荷隨時(shí)間流逝而消失、復(fù)合導(dǎo)致的壁電荷消失或者相鄰單 元的尋址放電或維持放電導(dǎo)致的電荷流入/流出所引起的。在某些子 場保持為不執(zhí)行尋址放電和維持放電的OFF狀態(tài)的情況下，在包含 斜升周期和斜降周期的子場的復(fù)位放電之后，接著在任意子場的單元 中發(fā)生尋址放電，很有可能存在誤尋址(mis-addressing)單元，其中 由于壁電荷和放電隨著時(shí)間流逝而產(chǎn)生的變化條件導(dǎo)致尋址錯(cuò)誤。在 包含斜升周期和斜降周期的子場的斜坡復(fù)位中發(fā)生尋址放電并且在 僅包含斜降復(fù)位的子場中存在初始狀態(tài)的情況下，如果尋址放電和維 持放電在之后不發(fā)生的話，則可能存在如上所述的誤尋址單元。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其基本克服 了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問題。
本發(fā)明的目的是提供一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其可以通 過改變施加到Y(jié)電極和X電極上的脈沖波形來改進(jìn)等離子顯示面板 的穩(wěn)定且快速的尋址放電特性，并且還可以通過提高等離子顯示面板
的亮度來增加對比度。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征的一部分將在下面的描述中提
出，另一部分對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言可以通過下面的分析或者通過
對本發(fā)明的實(shí)踐而變得顯而易見。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過 文字描述和權(quán)利要求以及附圖所提出的特定結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，如在本文中 實(shí)施和廣泛描述的，提供了一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，所述等 離子顯示面板包括一個(gè)分成多個(gè)子場的幀，所述子場分類為復(fù)位周 期、尋址周期和維持周期，以便通過所述多個(gè)子場的放電來顯示所述 面板的灰度級，根據(jù)本發(fā)明，所述方法包括根據(jù)所述多個(gè)子場的進(jìn)度，
逐漸降低掃描電極(Y電極)在每個(gè)復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處的電壓電平。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案，驅(qū)動等離子顯示面板的方法包括根據(jù) 子場的進(jìn)度，逐漸降低施加到在每個(gè)復(fù)位周期中進(jìn)行掃描時(shí)所選擇的 掃描電極的掃描脈沖的電壓電平。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案，驅(qū)動等離子顯示面板的方法包括根據(jù)
子場的進(jìn)度，逐漸降低維持電極(X電極)在每個(gè)復(fù)位周期中的斜降 終點(diǎn)處的電壓電平。
應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的以上一般描述和以下詳細(xì)描述都是示例性 和解釋性的，并且旨在提供對本發(fā)明權(quán)利要求的進(jìn)一步解釋。


所包含的附圖用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其包括在本申請 中并作為本申請的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起
用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是示出3電極AC表面放電型PDP的結(jié)構(gòu)的透視圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位周期的斜坡波形圖3是根據(jù)另一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的波形圖，其用于解決在圖2所示現(xiàn) 有技術(shù)中提到的上述問題；
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的復(fù)位波形圖5是示出Y電極在每個(gè)子場的斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd的變 化的視圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖;
圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖10和圖11是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的施加到X電極的波形
圖12是對于每個(gè)子場施加到X電極的波形圖；以及 圖13是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的脈沖波形圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，這些實(shí)施例的實(shí)例在附圖 中示出。在附圖中，在可能的地方，用相同的參考標(biāo)號指示相同或者 相似的部件。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的復(fù)位波形圖。
作為用于顯示圖像的通用ADS (尋址和顯示分離)驅(qū)動方法， 將一個(gè)幀分成n個(gè)子場，并且將每個(gè)子場分類成復(fù)位周期、尋址周期 和維持周期。在復(fù)位周期中的脈沖波形使用與現(xiàn)有技術(shù)相同的斜坡波 形?，F(xiàn)在將參考如下情況描述該實(shí)施例，在該情況中，在組成一個(gè)幀 的多個(gè)子場中的第一子場中，施加包含斜升周期和斜降周期的復(fù)位脈 沖，而在其余子場中施加僅包含斜降周期的復(fù)位脈沖，但是本發(fā)明并 不局限于此。
該實(shí)施例的特征在于根據(jù)特定規(guī)則，逐漸降低Y電極在每個(gè) 子場的斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd。也就是說，如圖3所示，在所有 子場中的斜降終點(diǎn)處，Y電極的電壓電平恒定地保持為Vyd，而此處 根據(jù)子場的進(jìn)度(progress)順序，在每個(gè)子場中的斜降終點(diǎn)處將Y 電極的電壓電平Vyd逐漸降低為Vyd.,、 Vyd.2、...禾卩Vyd.n。在該實(shí)例中， 在每個(gè)子場的尋址周期中進(jìn)行掃描時(shí)所選擇的Y電極的電壓電平(即 掃描脈沖的電壓電平Vys)等于Y電極在復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處的 電壓電平Vyd.,、 Vyd.2、…和Vyd+，并且所選擇的Y電極的電壓電平 Vys與未選擇的Y電極的電壓Vyb之間的電壓差Vg在所有子場中保持
十旦定o
根據(jù)子場的進(jìn)度順序而在隨后的子場中逐漸降低Y電極在斜降
終點(diǎn)處的電壓電平vyd的原因在于為了改進(jìn)尋址條件和維持放電條件。
更具體地，在每個(gè)復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處，電極X-Y之間的 條件和電極A-Y之間的條件應(yīng)該滿足下面的方程1和方程2。 [方程1]
Vfxy (當(dāng)X電極是陽極時(shí)X和Y電極之間的著火電壓)=Vaxy (施 加到X和Y電極的電壓)+丫， (X和Y電極之間的壁電壓) [方程2]
Vfay (當(dāng)A電極是陽極時(shí)A和Y電極之間的著火電壓)=Vaay (施 加到A和Y電極的電壓)+Vway (X和Y電極之間的壁電壓)
根據(jù)在斜降終點(diǎn)處施加到X、 Y和A電極中的每一個(gè)的電壓， 最終施加的電壓VA成為X和Y電極之間以及A和Y電極之間的電 壓差。此時(shí)，最終施加到X和Y電極之間以及A和Y電極之間的電 壓滿足下面的方程3和方程4。
V狀y (施加到X和Y電極的電壓)=Vxd (施加到X電極的電壓)
—Vyd (施加到Y(jié)電極的電壓)
Vaay (施加到A和Y電極的電壓)=0V (A電極是零電壓)—Vyd (施加到Y(jié)電極的電壓)
從方程1和方程2中可以看出，如果將電壓Va施加到處于存儲 了壁電荷的狀態(tài)下的每個(gè)電極(X、 Y和A)，則電極之間的差異會 超過著火電壓Vf，從而引起放電。在該實(shí)例中，從方程3和方程4 可以看出，將電壓施加到作為陰極的Y電極上，同吋，將電壓施加 到作為陽極的A電極上，從而進(jìn)一步引起放電。
更具體地，在圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)中，由于每個(gè)電極的電壓在所 有子場中的斜降終點(diǎn)處未改變，因此施加到所有電極上的電壓Va彼 此相等。因此，在OFF單元中壁電壓Vw幾乎不變或者變化很小，其
中在前一子場中未發(fā)生維持放電。此后，由于所施加的電壓Va在子 場的復(fù)位周期中未改變，因此在復(fù)位周期中不會發(fā)生弱放電。但是，
通過在斜降終點(diǎn)處與前一子場相比減少Y電極的電壓電平Vyd，本發(fā)
明具有如下效果，即將比前一子場更高的電壓Va施加到X和Y電極
之間以及A和Y電極之間。因此，在前一子場中，未執(zhí)行維持放電 的OFF單元引起與在僅包含斜降周期的子場中被降低的Y電極電壓 相對應(yīng)的放電，并且ON單元執(zhí)行維持放電，從而在OFF單元中發(fā) 生進(jìn)一步的弱放電。由此，再次產(chǎn)生OFF單元中已消失的空間電荷， 并且再次穩(wěn)定地積聚發(fā)生了輕微改變的壁電荷，從而再次設(shè)定已改變 的尋址條件。因此，大大減少了誤尋址的可能性，并且可以獲得穩(wěn)定 且快速的尋址放電特性。
此外，在一個(gè)幀中包含斜升周期和斜降周期的復(fù)位周期只有一 個(gè)，而由在斜降終點(diǎn)處根據(jù)子場的進(jìn)度而施加電壓所產(chǎn)生的放電量是 非常少的。因此，本發(fā)明可以具有高對比度的特性。此外，由于在復(fù) 位周期中不需要斜升時(shí)間，因此可以將時(shí)間分配用于維持放電時(shí)間， 由此增加亮度。
在該實(shí)例中，可以以不同模式改變在斜降終點(diǎn)處根據(jù)子場的進(jìn)度 而降低的Y電極的電壓電平。
圖5是示出Y電極在每個(gè)子場的斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd的變 化的視圖。
參考圖5a，與前一子場相比，Y電極在斜降終點(diǎn)處的電壓電平 根據(jù)子場的進(jìn)度而在隨后的子場中進(jìn)一步降低。此時(shí)，根據(jù)將掃描Y 電極的順序，在同一子場的尋址周期中逐漸降低每個(gè)Y電極的電壓 電平Vyd。在該實(shí)例中，在每個(gè)子場中Y電極之間的電壓電平Vyd的
變化率彼此相等。從而，在一個(gè)幀的周期期間，對于每個(gè)Y電極， 根據(jù)從第一子場到最后一個(gè)子場的掃描Y電極的順序，以恒定的比
率逐漸降低電壓電平Vyd，從而如圖5a所示，電壓電平按照具有恒定 斜率的直線減小。盡管未在附圖中示出，對于每個(gè)子場，電壓的降低 率(直線的斜率)可以彼此不同。
參考圖5b，與圖5a不同，使每個(gè)Y電極在同一子場中的斜降終 點(diǎn)處的電壓電平Vyd相等。但是，電壓電平Vyd根據(jù)子場的進(jìn)度在相 鄰子場之間以恒定的比率逐級降低。從而，如圖5b所示，在一個(gè)幀
期間，在每個(gè)子場中電壓電平Vyd以恒定的比率降低一級。
參考圖5c，其中擴(kuò)展了圖5b的概念，在兩個(gè)相鄰子場中電壓電
平Vyd彼此相等。更具體地，電壓電平Vyd對于兩個(gè)子場以恒定的比 率逐級降低，而不是如圖5b所示電壓電平Vyd對于每個(gè)子場以恒定 的比率降低。該實(shí)施例僅示出了電壓電平Vyd對于兩個(gè)子場逐級降低
的情況，如圖5c所示，但是其也可以應(yīng)用到以兩個(gè)或更多子場為單
位的情況。
圖5說明了僅將電壓電平Vyd的變化應(yīng)用到一個(gè)幀的情況，但是 也可以應(yīng)用到多個(gè)幀。例如，在電壓電平Vyd根據(jù)從第一幀的第一子
場到第二幀的最后一個(gè)子場的掃描順序而以每個(gè)Y電極為單位逐漸 降低之后，如圖5a所示，第三幀的第一子場中的電壓電平Vyd被再
次復(fù)位到第一幀的第一子場的電平，并且在第四幀的最后一個(gè)子場之 前逐漸降低。在這種情況下，優(yōu)選地，每兩個(gè)幀對應(yīng)一個(gè)包含斜升周 期和斜降周期的復(fù)位周期。由此，可以獲得更高的對比度，并且由于 施加維持放電脈沖的時(shí)間延長，可以獲得更高的亮度。
盡管圖5b和5c示出了逐級降低的電壓具有恒定幅度，但是也可
以對于每一級設(shè)定不同的幅度。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖。 在每個(gè)子場的尋址周期中進(jìn)行掃描時(shí)所選擇的Y電極的電壓電
平Vys根據(jù)斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd-,、...和Vyd.n發(fā)生改變(降低)， 但是未選擇的Y電極的電壓電平Vyb在所有子場中保持恒定。因此， 兩個(gè)電壓Vys和Vyb之間的電壓差Vg根據(jù)子場的進(jìn)度順序逐漸增加為
Vgl、 Vg2、 ...、 Vgn，如圖6所示。
在Y電極在斜降終點(diǎn)處的電壓電平按照圖5所示發(fā)生改變的情 況下，電壓差Vg以與圖5相反的恒定斜率增加，或者以一個(gè)子場或
兩個(gè)子場為單位逐漸增加。
通過根據(jù)子場的進(jìn)度而逐漸增加所選擇的Y電極的電壓Vys與未
選擇的Y電極的電壓電平Vyb之間的差值，能夠確保防止相鄰的未選 擇的Y電極干擾所選擇的Y電極。
圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖。
為了在尋址周期中平穩(wěn)地執(zhí)行放電，按照圖5所示逐漸降低Y 電極在斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd，與此同時(shí)，對所選擇的Y電極在
尋址周期中的電壓電平Vy,施加比Y電極在復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處 的電壓電平V^.....V咖更低的電平。
更具體地，盡管在上述實(shí)施例中所選擇的Y電極在尋址周期中
的電壓電平Vys等于Y電極在復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處的電壓電平 Vyd.,、 Vyd.2.....Vyd.n，但是在該實(shí)施例中以預(yù)定電平施加電壓電平
Vys。由此，與上述實(shí)施例相比，施加到電極之間的電壓Va進(jìn)一步增
加了Vys —Vyd，從而能夠平穩(wěn)地執(zhí)行尋址放電。因此，可以縮短尋址 放電所霱的時(shí)間。
圖7示出在尋址周期中所選擇的Y電極的電壓電平Vys與未選擇
的Y電極的電壓電平Vyb之間的電壓差恒定地保持為Vg的情況，如
圖4所示，而圖8示出電壓差逐漸增加為Vgl、 Vg2.....Vg。的情況，
如圖6所示。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的施加到Y(jié)電極的波形圖。 盡管在上述實(shí)施例中，如圖5所示，根據(jù)子場的進(jìn)度降低Y電 極在斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd，但是在該實(shí)施例中，電壓電平Vyd
保持恒定，并且在尋址周期中所選擇的Y電極的電壓電平Vy,根據(jù)子
場的進(jìn)度逐漸降低為Vys.i、 Vys.2.....Vys.n。
未選擇的Y電極的電壓電平Vyb被降低了所選擇的Y電極所降 低的電壓電平，由此所選擇的Y電極與未選擇的Y電極之間的電壓 電平的差值保持恒定，而與子場的進(jìn)度無關(guān)(對應(yīng)圖7的方法)。此 外，通過與子場的進(jìn)度無關(guān)地恒定保持未選擇的Y電極在尋址周期 中的電壓電平Vyb，所選擇的Y電極與未選擇的Y電極之間的電壓電 平的差值可以根據(jù)子場的進(jìn)度而逐漸增加(對應(yīng)圖8的方法)。
通過根據(jù)子場的進(jìn)度而逐漸增加Y電極在斜降終點(diǎn)處的電壓電 平Vyd與在尋址周期中所選擇的Y電極的電壓電平V，,、 Vys.2、...和
V，n之間的差值，Y電極在斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd不會根據(jù)子場
的進(jìn)度而發(fā)生變化，如現(xiàn)有技術(shù)。因此，盡管在前一子場中未發(fā)生維
持放電的OFF單元不再次放電，仍可以改進(jìn)尋址放電特性。應(yīng)當(dāng)注
意，尋址放電的條件根據(jù)在OFF單元中的子場進(jìn)度而變差。
在該實(shí)例中，在尋址周期中所選擇的每個(gè)Y電極的電壓電平
Vys.,、 Vys.2、...和Vy^可以按照圖5所示的形狀改變。
上述實(shí)施例公開了一種改進(jìn)施加到Y(jié)電極的脈沖波形以獲得穩(wěn)
定且快速的尋址特性、高對比度以及高亮度的方法。但是，通過改變
施加到X電極的脈沖波形也可以獲得相同的效果。
圖10和圖11是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的施加到X電極的脈沖
波形圖。
在圖4所示的實(shí)施例中，在斜降終點(diǎn)處的每個(gè)電極之間的關(guān)系應(yīng) 該滿足方程1和方程2，并且X和Y電極之間以及A和Y電極之間 的關(guān)系應(yīng)該滿足方程3和方程4。
更具體地，如在上述實(shí)施例中所述，存在一種逐漸降低Y電極 在斜降終點(diǎn)處的電壓電平Vyd的方法，以增加在斜降終點(diǎn)處所施加的 電壓Va。相反，通過逐漸增加X電極的電壓電平V^也可以實(shí)現(xiàn)上 述目的，如圖10和圖11所示。在該實(shí)例中，圖10示出電壓在同一 子場中具有相同電平并且電壓電平根據(jù)子場的進(jìn)度而逐級增加的情 況，而圖11示出電壓電平根據(jù)子場的進(jìn)度而增加并且在同一子場中 逐漸增加的實(shí)施例。
但是，從方程3和方程4中可以獲知，X電極所增加的電壓在理 論上增加了施加到X和Y電極之間的電壓，而施加到A和Y電極之 間的電壓不增加。更具體地，如果根據(jù)子場的進(jìn)度降低Y電極的電 壓電平Vyd以進(jìn)一步降低所施加的電壓Va，則在前一子場中的OFF 單元會在斜降期間引起X和Y電極之間以及A和Y電極之間的放電。 但是，通過根據(jù)子場的進(jìn)度來進(jìn)一步增加X電極的電壓電平VM以增 加所施加的電壓Va，在前一子場中的OFF單元可能在斜降期間引起 X和Y電極之間的放電。但是，即使在X和Y電極之間發(fā)生放電， 也會具有補(bǔ)償隨著時(shí)間流逝而發(fā)生的OFF單元的空間電荷損耗以及 壁電荷不穩(wěn)定的效果，從而獲得穩(wěn)定且快速的尋址條件。
圖12示出了根據(jù)子場的進(jìn)度來增加X電極的電壓電平Vxd的方 法，除了所增加的電壓之外，其與圖5的原理基本相同。如上所述，
應(yīng)用范圍可以擴(kuò)展到不是一個(gè)幀而是多個(gè)幀的情況。此外，盡管未在
附圖中示出，也可將其它特征以及在施加到Y(jié)電極的脈沖波形中逐
漸降低電壓電平Vyd的特征應(yīng)用到該實(shí)施例。
圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的脈沖波形圖。
如方程1和方程3所示，在斜降處的放電量按照所施加的電壓
Vaxy改變，在斜降終點(diǎn)處產(chǎn)生的壁電壓V^y的大小也改變。在該實(shí)例
中，如果所施加的電壓Va太低，則在X電極是陽極的情況下產(chǎn)生較 大的壁電壓。相反，如果所施加的電壓Va太高，則在Y電極是陽極
的情況下產(chǎn)生較大的壁電壓。如果在復(fù)位周期中產(chǎn)生的壁電壓v、、,過
高，則由于未發(fā)生尋址放電而被關(guān)閉的單元可能會在隨后的維持周期
中由維持脈沖引起誤放電(mis-discharge)。
在上述實(shí)施例中，在應(yīng)用根據(jù)子場的進(jìn)度來降低Y電極在斜降 終點(diǎn)處的電壓電平Vyd的方法的情況下，如果所施加的電壓增加，則 如果Y電極是陽極就可能產(chǎn)生高的壁電壓。從而，該實(shí)施例根據(jù)子 場的進(jìn)度降低了 Y電極的電壓電平Vyd，并且也降低了 X電極的電壓 電平Vxd，從而抑制了如果X和Y電極中的Y電極是陽極而產(chǎn)生高 的壁電壓的情況，并由此增大了維持周期中的電壓余量。
如方程2和方程4所示，根據(jù)子場的進(jìn)度而降低X電極的電壓 電平V、d不會對施加到A和Y電極之間的電壓V^產(chǎn)生影響。從而， 在前一子場中未發(fā)生維持放電的OFF單元可能在隨后子場的斜降期 間通過Y電極的電壓Vyd引起A和Y電極之間的放電。如果Y電極 的電壓電平Vyd降低的程度與X電極的電壓電平Vxd降低的程度相同， 則在X和Y電極之間不發(fā)生放電，而在A和Y電極之間發(fā)生放電。 如果Vd的降低程度較小，則可能在X和Y電極之間發(fā)生放電。在 該實(shí)例中，Y電極的電壓電平Vyd和X電極的電壓電平Vm的降低比 率可以相同或者不同，這取決于所應(yīng)用面板的電子放電特性?？梢砸?不同的方式應(yīng)用在施加到Y(jié)電極的電壓之間的關(guān)系(Vys、 Vyb、 Vyd 等)，即波形形狀，以根據(jù)子場的進(jìn)度來降低Vy，如所述的實(shí)施例。
盡管上述實(shí)施例說明了包含斜升周期和斜降周期的復(fù)位周期是 一個(gè)的情況，但也可以根據(jù)面板的放電特性將包含斜升周期和斜降周
期的復(fù)位周期設(shè)置為多個(gè)。在該實(shí)例中，根據(jù)子場的進(jìn)度，Vyd或Vys 從包含第一斜升和斜降的子場開始降低或者增加，并且保持到包含第 二斜升和斜降的第二子場為止。而且，在包含第二斜升和斜降的第二 子場中，將Vyd或Vys設(shè)置為與包含第一斜升和斜降的第一子場具有 相同的電平。根據(jù)包含斜升和斜降的子場的數(shù)量，重復(fù)上述處理。由 此，如果在復(fù)位周期中的包含斜升和斜降的子場數(shù)量增加，則對比度 可能不夠理想，但是尋址放電特性卻得以改進(jìn)。因此，縮短了尋址放 電所需的時(shí)間。
在對一個(gè)幀應(yīng)用多個(gè)包含斜升和斜降的子場的情況下，可以在斜
升終點(diǎn)處不同地設(shè)置電壓電平v>T。
此外，可以根據(jù)面板的電特性不同地設(shè)置包含斜升和斜降的子場 的位置。例如，如果對一個(gè)幀應(yīng)用一次包含斜升和斜降的子場，則所 述位置可以不應(yīng)用到第一子場，而可以根據(jù)面板的電特性應(yīng)用到其它 子場。
通過以上描述，根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動等離子顯示面板的方法可以通
過改變施加到Y(jié)電極或X電極的脈沖波形來改進(jìn)等離子顯示面板的
穩(wěn)定且快速的尋址放電特性，并且還可以增加等離子顯示面板的亮度
并保持高對比度。
在本發(fā)明中可以進(jìn)行各種修改和變化，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言
是顯而易見的。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等效物 范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1、一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，所述等離子顯示面板包括一個(gè)分成多個(gè)子場的幀，所述子場分類為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，以便通過所述多個(gè)子場的放電來顯示所述面板的灰度級，所述方法包括步驟根據(jù)所述多個(gè)子場的進(jìn)度，逐漸降低掃描電極(Y電極)在每個(gè)復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處的電壓電平。
2、 一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，所述等離子顯示面板包括 一個(gè)分成多個(gè)子場的幀，所述子場分類為復(fù)位周期、尋址周期和維持 周期，以便通過所述多個(gè)子場的放電來顯示所述面板的灰度級，所述 方法包括步驟根據(jù)所述多個(gè)子場的進(jìn)度，逐漸降低施加到在每個(gè)尋址周期中進(jìn) 行掃描時(shí)所選擇的掃描電極上的掃描脈沖的電壓電平。
3、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平與施加到未選 擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平之間的差值在所有子場 中保持恒定。
4、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到未選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在所述尋址周 期中保持恒定。
5、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，對于每個(gè)掃描電極，根據(jù)掃描順序，從第一子場到最后一個(gè)子場逐漸降 低所述掃描脈沖在所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平以及施加到在所述尋 址周期中所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平。
6、 如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，根 據(jù)所述掃描順序而降低的所述電壓電平的變化率從所述第一子場到 所述最后一個(gè)子場保持恒定。
7、 如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，對 于每個(gè)子場，設(shè)置不同的根據(jù)所述掃描順序而降低所述電壓電平的變 化率。
8、 如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，在 至少一個(gè)幀中存在一個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位周 期中僅存在斜降。
9、 如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，在 至少一個(gè)幀中存在多個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位周 期中僅存在斜降。
10、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，所 述掃描脈沖在所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平與施加到在所述尋址周期 中所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在同一子場中具 有相同電平，并且根據(jù)所述子場的進(jìn)度以至少一個(gè)幀為單位逐級地逐 漸降低。
11、 如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 對于每一級，設(shè)置不同的電壓降低幅度。
12、 如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在一個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其它子場的其余復(fù)位周期中存在僅包含斜降的復(fù)位周期。
13、 如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在多個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
14、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，所 述掃描脈沖在所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平與施加到在所述尋址周期 中所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在至少兩個(gè)相鄰 子場中具有相同電平，并且根據(jù)所述子場的進(jìn)度以至少一個(gè)幀為單位 逐級地逐漸降低。
15、 如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 對于每一級，設(shè)置不同的電壓降低幅度。
16、 如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在一個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
17、 如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在多個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
18、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，根 據(jù)所述子場的進(jìn)度，在斜降周期和所述尋址周期中逐漸降低維持電極(X電極)的電壓電平。
19、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到所選擇的掃描電極上的掃描脈沖具有與所述掃描電極在所述尋 址周期中的所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平相同的電平。
20、 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到所選擇的掃描電極上的掃描脈沖被設(shè)置為比所述掃描電極在所述尋址周期中的所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平更低的電平。
21、 如權(quán)利要求19所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 施加到所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓與施加到未選擇 的掃描電極上的掃描脈沖的電壓之間的差值在所述尋址周期中保持 恒定。
22、 如權(quán)利要求19所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 施加到未選擇的掃描電極上的掃描脈沖的電壓電平在所述尋址周期 中保持恒定。
23、 如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平與施加到未選 擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平之間的差值在所有子場 中保持恒定。
24、 如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，施 加到未選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在所述尋址周 期中保持恒定。
25、 如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，所 述掃描脈沖在所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平與施加到在所述尋址周期 中所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在同一子場中具 有相同電平，并且根據(jù)所述子場的進(jìn)度以至少一個(gè)幀為單位逐級地逐 漸降低。
26、 如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 對于每一級，設(shè)置不同的電壓降低幅度。
27、 如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，在至少一個(gè)幀中存在一個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
28、 如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在多個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
29、 如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，所 述掃描脈沖在所述斜降終點(diǎn)處的電壓電平與施加到在所述尋址周期 中所選擇的掃描電極上的所述掃描脈沖的電壓電平在至少兩個(gè)相鄰 子場中具有相同電平，并且根據(jù)所述子場的進(jìn)度以至少一個(gè)幀為單位 逐級地逐漸降低。
30、 如權(quán)利要求29所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 對于每一級，設(shè)置不同的電壓降低幅度。
31、 如權(quán)利要求29所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在一個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位 周期中僅存在斜降。
32、 如權(quán)利要求29所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中， 在至少一個(gè)幀中存在多個(gè)包含斜升和斜降的復(fù)位周期，而在其余復(fù)位周期中僅存在斜降。
33、 如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，根 據(jù)所述子場的進(jìn)度，在斜降周期和所述尋址周期中逐漸降低維持電極(X電極)的電壓電平。
全文摘要
公開了一種驅(qū)動等離子顯示面板的方法，其中，等離子顯示面板包括一個(gè)分成多個(gè)子場的幀，所述子場分類為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，以便通過所述多個(gè)子場的放電來顯示所述面板的灰度級。所述方法包括根據(jù)所述多個(gè)子場的進(jìn)度，逐漸降低掃描電極在每個(gè)復(fù)位周期中的斜降終點(diǎn)處的電壓電平、在尋址周期中施加到所選擇的掃描電極上的掃描脈沖的電壓電平或者維持電極的電壓電平，從而改進(jìn)等離子顯示面板的穩(wěn)定且快速的尋址放電特性，并且通過獲得充足的維持放電時(shí)間來增加等離子顯示面板的亮度和對比度。
文檔編號G09G3/28GK101192365SQ20061006398
公開日2008年6月4日 申請日期2006年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月1日
發(fā)明者崔洙森, 李政訓(xùn), 李英準(zhǔn), 金庸得 申請人:歐麗安等離子顯示器株式會社