專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(PDP)是一種使用由氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的平板顯示器。根據(jù)其尺寸而包括幾十萬到幾百萬以矩陣模式排列的像素。這種PDP根據(jù)其放電單元結(jié)構(gòu)和向其施加的驅(qū)動(dòng)電壓的波形而被分為直流(DC)型或交流(AC)型。
DC PDP具有曝露于放電空間的電極，因此，正在施加電壓的同時(shí)，它允許直流流經(jīng)放電空間。從而，這種DC PDP需要限流的電阻。向PDP添加電阻存在問題。另一方面，AC PDP具有被介電層覆蓋的電極，在放電期間該介電層形成電容器來限流并且保護(hù)電極不受離子的影響。
驅(qū)動(dòng)AC PDP的一個(gè)幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)，并且每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。
復(fù)位周期用于初始化每個(gè)放電單元的狀態(tài)，從而有助于在放電單元上的尋址操作。尋址周期用于選擇接通/關(guān)斷單元和將壁電荷累積到導(dǎo)通單元(即，被尋址的單元)。維持周期用于促使和維持放電以便在被尋址的單元上顯示圖像。
為了執(zhí)行上面的操作，在維持周期期間將維持脈沖交替地施加到掃描電極和維持電極，并且在復(fù)位周期和尋址周期期間將復(fù)位波形和掃描波形施加到維持電極。因此，單獨(dú)需要用于驅(qū)動(dòng)掃描電極的掃描驅(qū)動(dòng)板和用于驅(qū)動(dòng)維持電極的維持驅(qū)動(dòng)版。在這種情況下，可能會(huì)發(fā)生在底架(chassis base)上安裝驅(qū)動(dòng)板的問題，并且由于單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)板而成本增加。
因此，已經(jīng)提出了將兩個(gè)驅(qū)動(dòng)板合并成單個(gè)組合板的方案，所述方案包括將掃描電極耦合到該組合板并且延長(zhǎng)維持電極以達(dá)到該組合板。然而，當(dāng)如此合并兩個(gè)驅(qū)動(dòng)板時(shí)，在所延長(zhǎng)的維持電極處形成的阻抗分量會(huì)增加。
在傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方法中，需要預(yù)定時(shí)間來在接通的放電單元處累積壁電荷。尋址周期用于在被尋址的單元處產(chǎn)生尋址放電，從而所需的壁電荷累積在被尋址的單元中。最近，隨著等離子體顯示設(shè)備變得越大，掃描電極線的數(shù)量也增加。因此，傳統(tǒng)的尋址周期的整個(gè)持續(xù)時(shí)間和傳統(tǒng)尋址放電不足以在被尋址的單元中累積所需的壁電荷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種使用用于驅(qū)動(dòng)掃描和維持電極的單個(gè)合并板的等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。另外，本發(fā)明提供了一種使用減少適于單個(gè)組合板的尋址周期的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)第三電極，所述第三電極相交于第一電極和第二電極的公共方向而形成。等離子體顯示設(shè)備包括在時(shí)間幀(frames oftime)期間驅(qū)動(dòng)的等離子體顯示板，每個(gè)幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)依次被分配子場(chǎng)加權(quán)。該等離子體顯示設(shè)備的示例性驅(qū)動(dòng)方法在所有子場(chǎng)期間使得第一電極保持在第一電壓，該第一電壓可以是地電壓。在第一子場(chǎng)的尋址周期期間，驅(qū)動(dòng)方法通過將具有第二電壓的第一掃描脈沖施加到放電單元的第二電極，選擇在第一子場(chǎng)期間將要接通的放電單元。在第一子場(chǎng)的維持周期期間，所述方法將第三電壓和第四電壓交替地施加到第二電極，第四電壓低于第三電壓。在第二子場(chǎng)的尋址周期期間，所述方法通過將第五電壓的第二掃描脈沖施加到第二電極而選擇在第二子場(chǎng)中將要關(guān)斷的放電單元，第五電壓高于第二電壓。在第二子場(chǎng)的維持周期期間，所述方法將第六電壓和第七電壓交替地施加到第二電極，第七電壓高于第六電壓。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第二掃描脈沖可以窄于第一掃描脈沖。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板和面向等離子體顯示板的底架(chassis base)。
等離子體顯示板具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)第三電極，所述第三電極相交于第一電極和第二電極的公共方向。底架包括驅(qū)動(dòng)板，用于將驅(qū)動(dòng)波形施加到第二和第三電極以在等離子體顯示板上顯示圖像并且在顯示圖像時(shí)將第一電極偏置到第一電壓。驅(qū)動(dòng)板通過在第一子場(chǎng)的尋址周期期間將具有第一寬度的第一掃描脈沖施加到第二電極來選擇第一子場(chǎng)期間將要接通的放電單元，并且通過在第二子場(chǎng)的尋址周期期間將具有第二寬度的第二掃描脈沖施加到第二電極來選擇第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元，第二寬度小于第一寬度。在另一個(gè)實(shí)施例中，第二掃描脈沖的電壓大于第一掃描脈沖的電壓。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的分解透視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示板的示意圖；圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的底架的平面圖；圖4示出了用于表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形的圖；圖5示出了用于表示其中在復(fù)位周期期間產(chǎn)生強(qiáng)放電的單元的壁電荷條件的圖；和圖6示出了用于表示根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明中正被描述的壁電荷是在與放電單元的每個(gè)電極靠近的壁(例如，介電層)上形成的電荷。壁電荷將被描述為“形成”或者“累積在”電極上，盡管壁沒有實(shí)際接觸電極。而且，壁電壓是由壁電荷在放電單元的壁上形成的電勢(shì)差。
將參考附圖1、2和3來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意性配置。
如圖1所示，等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板10、底架20、前框30、和后框40。底架20被組合或耦接到等離子體顯示板10的一側(cè)，這一側(cè)與等離子體顯示板10的圖像顯示側(cè)相對(duì)。前框30位于等離子體顯示板10的前部，后框40位于底架20的后部。前框30和后框40分別被組合或耦接到底架20和等離子體顯示板10以形成等離子體顯示設(shè)備。
如圖2所示，等離子體顯示板10包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極A1到Am、以及在行方向上延伸的多個(gè)掃描電極Y1到Y(jié)n和多個(gè)維持電極X1到Xn。維持電極X1到Xn被形成為分別對(duì)應(yīng)掃描電極Y1到Y(jié)n。維持電極X1到Xn中的端頭共同連接。等離子體顯示板10包括其上形成有維持電極X1到Xn和掃描電極Y1到Y(jié)n的基底、以及其上形成有尋址電極A1到Am的另一個(gè)基底。這兩個(gè)基底在插入放電空間的同時(shí)彼此面對(duì)放置，從而尋址電極A1到Am與掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極X1到Xn兩者的公共方向垂直相交。尋址電極A1到Am與維持電極X1到Xn和掃描電極Y1到Y(jié)n相交處形成的放電空間形成放電單元12。
如圖3所示，在底架20上形成用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板10的驅(qū)動(dòng)板100、200、300、400、500。尋址緩沖板100在底架20上可被形成為單個(gè)板或者多個(gè)板的組合。圖3示意性圖解說明了尋址緩沖板100被形成在底架20的頂部和底部區(qū)域上。然而，值得注意的是，這種配置涉及雙驅(qū)動(dòng)方案。也就是，在單驅(qū)動(dòng)方案中，尋址緩沖板100被形成在底架20的頂部或底部區(qū)域上。尋址緩沖板100從圖像處理和控制板400接收尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且將用于選擇接通單元的電壓施加到尋址電極A1到Am。
掃描驅(qū)動(dòng)板200被提供到底架20的左部并且通過掃描緩沖板300耦接到掃描電極Y1到Y(jié)n。維持電極X1到Xn被偏置預(yù)定電壓。在尋址周期期間，掃描緩沖板300將用于依次選擇掃描電極Y1到Y(jié)n的電壓施加到掃描電極Y1到Y(jié)n。掃描驅(qū)動(dòng)板200從圖像處理和控制板400接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Y1到Y(jié)n。盡管掃描驅(qū)動(dòng)板200和掃描緩沖板300在圖3中所示為在底架20的左部，但是它們可以替換地提供在底架20的右部或者一些其他等效位置。另外，掃描緩沖板300和掃描驅(qū)動(dòng)板200可被集成形成為一個(gè)板。
在外部接收?qǐng)D像信號(hào)的同時(shí)，圖像處理和控制板400產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)尋址電極A1到Am的控制信號(hào)以及用于驅(qū)動(dòng)掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極X1到Xn的控制信號(hào)，并且隨后將控制信號(hào)施加到尋址驅(qū)動(dòng)板100和掃描驅(qū)動(dòng)板200。電源板500提供用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的電源。圖像處理和控制板400以及電源板500可位于底架20的中央?yún)^(qū)域。
將參考圖4來描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)波形。
圖4示出了表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形的圖。下文中，為了方便描述，將描述被施加到形成僅一個(gè)放電單元的單個(gè)維持電極(下文中稱作“X”電極)、單個(gè)掃描電極(下文中稱作“Y”電極)和單個(gè)尋址電極(下文中稱作“A電極”)的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖4中所示的驅(qū)動(dòng)波形中，Y電極接收來自掃描驅(qū)動(dòng)板200和掃描緩沖板300的電壓，以及A電極接收來自尋址緩沖板100的電壓。X電極被偏置在參考電壓(在圖4中表示為地電壓)，因此將不再進(jìn)一步描述被施加到X電極的電壓。
在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，一個(gè)場(chǎng)被劃分為多個(gè)子場(chǎng)。為了方便描述，圖4只圖解說明了在多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的第一和第二子場(chǎng)期間所施加的驅(qū)動(dòng)波形。另外，在其余的子場(chǎng)期間可以施加與在第一子場(chǎng)或第二子場(chǎng)期間施加的驅(qū)動(dòng)波形相同的驅(qū)動(dòng)波形。第一子場(chǎng)包括復(fù)位周期、寫尋址周期、和維持周期，并且第二子場(chǎng)包括擦除尋址周期和維持周期。寫尋址周期是指第一子場(chǎng)的尋址周期，在該周期期間尋址電壓Va被施加到在第一子場(chǎng)期間將要接通的放電單元并且壁電荷累積在接通單元上。擦除尋址周期是指第二子場(chǎng)的尋址周期，在該周期期間尋址電壓Va被施加到在第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元并且壁電荷在關(guān)斷單元處被擦除。
第一子場(chǎng)的復(fù)位周期包括上升周期和下降周期。在復(fù)位周期的上升周期期間，在A電極被維持在參考電壓(在圖4中表示為0V)的同時(shí)，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset。圖4圖解說明了Y電極的電壓以斜坡(ramp style)方式從Vs增加到Vset。在Y電極的電壓增加的同時(shí)，在Y和X電極之間以及Y和A電極之間產(chǎn)生弱放電，并且在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，而在X和A電極上形成正(+)壁電荷。另外，在Y電極的電壓如圖4所示逐漸變化的情況下，在單元中引起弱放電，并且相應(yīng)地形成壁電荷，從而外部施加的電壓和壁電壓之和可被維持在放電點(diǎn)火電壓。
因?yàn)樵趶?fù)位周期期間必須初始化每個(gè)單元，因此電壓Vset是高得足以點(diǎn)火放電的電壓。通常，電壓Vs等于或大于在維持周期期間施加到Y(jié)電極的電壓，并且小于點(diǎn)火Y和X電極之間的放電所需的電壓。
在復(fù)位周期的下降周期期間，在A電極的電壓被維持在參考電壓的同時(shí)，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸降低到電壓Vnf。然后，在Y電極的電壓降低的同時(shí)，在Y和X電極之間以及Y和A電極之間產(chǎn)生弱放電，并且因此消除在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷和在X和A電極上形成正(+)壁電荷。電壓Vnf被設(shè)定為接近于Y和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓。然后Y和X電極之間的壁電壓(即，電勢(shì)差)近似達(dá)到0V，因此在維持周期中可以防止在尋址周期中未被尋址放電的單元不發(fā)火(misfiring)。Y和A電極之間的壁電壓由電壓Vnf的電平來確定，因?yàn)锳電極的電壓被維持在參考電壓。
隨后，在第一子場(chǎng)的選擇接通單元的寫尋址周期期間，將電壓VscL1的掃描脈沖和電壓Va的尋址脈沖分別施加到接通單元的Y和A電極。未選的Y電極被偏置電壓VscH1，其大于電壓VscL1，并且將參考電壓施加到保持關(guān)斷的單元的A電極。掃描緩沖板300選擇Y電極來從Y電極Y1到Y(jié)n中接收VscL1的掃描脈沖。例如，在單驅(qū)動(dòng)方法中，可以按Y電極沿行方向延伸下到列方向排列(down the column direction)的順序選擇Y電極。當(dāng)選擇Y電極時(shí)，尋址緩沖板100在沿所選Y電極形成的單元當(dāng)中選擇將要接通的單元。也就是，尋址緩沖板100在A電極A1到Am當(dāng)中選擇電壓Va的尋址脈沖將被施加到的A電極。
更具體地，電壓VscL1的掃描脈沖首先被施加到第一行(圖2中所示的Y1)中的掃描電極，同時(shí)，電壓Va的尋址脈沖被施加到第一行中將要接通的單元上的A電極。然后在第一行中的Y電極與接收電壓Va的A電極之間產(chǎn)生放電，并且相應(yīng)地在Y電極上形成正(+)壁電荷，在A和X電極上形成負(fù)(-)壁電荷。結(jié)果，在X和Y電極之間形成壁電壓(Vwxy)，從而Y電極的電勢(shì)變得高于X電極的電勢(shì)。隨后，在將電壓VscL1的掃描電壓施加到第二行中的Y電極(圖2中所示的Y2)的同時(shí)，將電壓Va的尋址脈沖施加到第二行中將要接通的單元上的A電極。然后，在由接收電壓Va的A電極和第二行中的Y電極交叉的單元中產(chǎn)生尋址放電，從而以上述類似的方式在這種單元中形成壁電荷。關(guān)于其他行中的Y電極，在將電壓VscL1的掃描脈沖依次施加到Y(jié)電極的同時(shí)，以上述相同的方式，即，通過將電壓Va的尋址脈沖施加到將要接通的單元的A電極，在將要接通的單元中形成壁電荷。
通常，在寫尋址周期期間，將電壓VscL1設(shè)置為等于或小于電壓Vnf，將電壓Va設(shè)置為大于參考電壓。
之后，將描述在電壓VscL1等于電壓Vnf的同時(shí)尋址放電發(fā)生在通過施加電壓Va所選的放電單元處的原因。當(dāng)在復(fù)位周期施加電壓Vnf時(shí)，A和Y電極之間的壁電壓與A和Y電極之間的外部電壓Vnf之和達(dá)到A和Y電極之間的放電點(diǎn)火電壓Vfay。例如，當(dāng)在尋址周期期間將0V施加到A電極和將電壓VscL1(＝Vnf)施加到Y(jié)電極時(shí)，在A和Y電極之間形成電壓Vfay，并且因此可以期望產(chǎn)生放電。然而，在這種情況下，由于放電延遲大于掃描脈沖和尋址脈沖的寬度T1，因此實(shí)際上不產(chǎn)生放電。然而，如果將電壓Va施加到A電極并將電壓VscL1(＝Vnf)施加到Y(jié)電極，則在A和Y電極之間形成大于電壓Vfay的電壓，并且，因此放電延遲時(shí)間減小到小于掃描脈沖的寬度T1。因此，可以產(chǎn)生放電。通過將電壓VscL1設(shè)置為小于電壓Vnf可以有助于尋址放電的產(chǎn)生。
在第一子場(chǎng)的寫尋址周期期間，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置掃描脈沖的寬度T1以形成在尋址放電單元上的壁電荷。也就是，當(dāng)電壓VscL1的掃描脈沖和電壓Va的尋址脈沖被分別傳遞到Y(jié)和A電極由此產(chǎn)生尋址放電時(shí)，要花費(fèi)時(shí)間通過累積尋址放電產(chǎn)生的電荷來在Y電極上形成正(+)壁電荷和在X和A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。當(dāng)掃描脈沖的寬度T1小于預(yù)定持續(xù)時(shí)間時(shí)，通過尋址放電不累積壁電荷，并且其消失。當(dāng)掃描脈沖的寬度T1長(zhǎng)于預(yù)定持續(xù)時(shí)間時(shí)，分配給維持周期的時(shí)間減少，從而亮度由于尋址周期延長(zhǎng)而可能降低。因此，將掃描脈沖的寬度T1設(shè)置為足夠長(zhǎng)以便在被尋址的放電單元上形成壁電荷。另外，將電壓Va的尋址脈沖的寬度設(shè)置為等于掃描脈沖的寬度T1。
在寫尋址周期期間已經(jīng)歷尋址放電的放電單元中，形成壁電壓Vwxy，從而Y電極的電勢(shì)高于X電極的電勢(shì)。因此，隨后，在第一子場(chǎng)的維持周期期間，通過首先將電壓Vs的脈沖施加到Y(jié)電極而在Y和X電極之間觸發(fā)維持放電。
經(jīng)歷維持放電的放電單元是在寫尋址周期期間通過將電壓VscL1和Va分別施加到Y(jié)和A電極而選擇的單元。因此，由于壁電荷不足，而在寫尋址周期中未被選的單元處不會(huì)發(fā)生維持放電。在這種情況下，設(shè)置電壓Vs，使得它低于放電點(diǎn)火電壓Vfxy，并且電壓值Vs+Vwxy高于電壓Vfxy。因此，在維持放電期間，在Y電極上形成正(+)壁電荷，在X和A電極上形成負(fù)(-)壁電荷，并且形成壁電壓Vwxy，從而Y電極的電勢(shì)高于X電極的電勢(shì)。
然后，將負(fù)電壓-Vs的維持放電脈沖施加到Y(jié)電極以點(diǎn)火隨后的維持放電。因此，在Y電極上形成正(+)壁電荷，在X和A電極上形成負(fù)(-)壁電荷，從而通過將電壓Vs施加到Y(jié)電極可以點(diǎn)火另一維持放電。隨后，重復(fù)將電壓Vs和-Vs的維持脈沖施加到掃描電極Y的處理一個(gè)與相應(yīng)子場(chǎng)的加權(quán)值相應(yīng)的數(shù)目。
隨后的第二子場(chǎng)包括擦除尋址周期和維持周期。第二子場(chǎng)的擦除尋址周期發(fā)生，沒有先前的復(fù)位周期并且直接在第一子場(chǎng)的維持周期之后。在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期中，將電壓VscL2的掃描脈沖和電壓Va的尋址脈沖分別施加到在第一子場(chǎng)中已經(jīng)歷維持放電的單元當(dāng)中的在第二子場(chǎng)將要關(guān)斷的放電單元的Y電極和A電極。另外，將未選擇的Y電極偏置在大于電壓VscL2的電壓VscH2處。在第二子場(chǎng)中將要接通的單元的A電極接收參考電壓。也就是，在擦除尋址周期期間，在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的單元中的第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元處產(chǎn)生尋址放電，從而擦除在第一子場(chǎng)的維持周期期間形成的壁電荷。為了執(zhí)行這些操作，掃描緩沖板300選擇Y電極Y1到Y(jié)n當(dāng)中的一個(gè)Y電極來接收電壓VscL2的掃描脈沖，并且尋址緩沖板100選擇A電極A1到Am當(dāng)中將被施加有電壓Va的尋址脈沖的尋址電極。所選的Y電極和所選的A電極定義所選的放電單元。
例如，首先可以將電壓VscL2的掃描脈沖施加到第一行中的掃描電極(圖2中所示的Y1)。這時(shí)，將電壓Va的尋址脈沖施加到沿著第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的第一行的單元中的A電極。然后在接收掃描脈沖的第一行的Y電極和接收尋址脈沖的A電極之間產(chǎn)生放電。因此，擦除了在接通放電單元上形成的壁電荷。因?yàn)樵诘谝蛔訄?chǎng)的維持周期期間將電壓Vs的最后維持脈沖施加到Y(jié)電極，因此在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，在X電極和A電極上形成正(+)壁電荷。然后，因?yàn)樾纬呻妷篤wya從而Y電極的電勢(shì)變得低于A電極的電勢(shì)，因此電壓VscL2被施加到Y(jié)電極和電壓Va被施加到A電極，以產(chǎn)生尋址放電。這時(shí)，由于尋址放電引起的壁電荷的擦除與電壓VscL2的電平和脈沖寬度T2相關(guān)。將描述電壓VscL2的電平和脈沖寬度T2。在接收電壓VscL2和電壓Va、沿著第一行的Y電極放置的放電單元處擦除第一子場(chǎng)的維持放電形成的壁放電。接著，在電壓VscL2的掃描脈沖被施加到第二行的Y電極的同時(shí)(圖2的Y2)，將電壓Va的尋址脈沖施加到在沿著第二行形成的放電單元中的第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元的A電極。如上所述，尋址放電發(fā)生，并且在由第二行的Y電極和接收電壓Va的A電極形成的放電單元處擦除壁電荷。同樣地，將電壓VscL2的掃描脈沖依次施加到剩余行的Y電極，并且將電壓Va的尋址脈沖施加到位于關(guān)斷單元的A電極，從而在那些單元中擦除壁放電。
現(xiàn)在描述在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期期間施加的電壓VscL2的維持脈沖的電平和寬度，這足以擦除在第一子場(chǎng)期間由維持放電形成的壁電荷。
首先，必須將電壓VscL2的電平設(shè)置得高于在第一子場(chǎng)的寫尋址周期期間施加的電壓VscL1(注意，圖4中的AV＝VscL2-VscL1)。如果電壓VscL2的電平在電壓VscL1的電平以下，則電壓VscL2的應(yīng)用可能導(dǎo)致在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的放電單元處不發(fā)火。因此，將電壓VscL2設(shè)置得大于電壓VscL1。如圖4所示，在所描述的示例性實(shí)施例中，VscL1和VscL2都是負(fù)電壓。結(jié)果，高于VscL1的VscL2表示VscL2更小的負(fù)電壓并具有更小的絕對(duì)值。另外，當(dāng)將電壓VscL2和Va施加到在第一子場(chǎng)中已經(jīng)歷維持放電的放電單元中的將要關(guān)斷的放電單元時(shí)，產(chǎn)生放電。因此，必須設(shè)置電壓VscL2，從而壁電壓Vwya和電壓Va-VscL之和超過放電點(diǎn)火電壓Vfxy。另外，如下所述，因?yàn)楫?dāng)電壓VscL2小于電壓-Vs時(shí)可能發(fā)生不發(fā)火，因此必須將電壓VscL2設(shè)置得大于電壓-Vs。
而且，在所示的示例性實(shí)施例中，電壓VscL2的掃描脈沖的寬度T2小于電壓VscL1的掃描脈沖的寬度Tl(T2＜T1)。這是因?yàn)?，在第二子?chǎng)的擦除尋址周期期間通過施加電壓VscL2和Va擦除第一子場(chǎng)中由維持放電形成的壁電荷不一定會(huì)引起放電單元中更多壁電荷的累積。也就是，擦除尋址周期的目標(biāo)是擦除現(xiàn)有的壁電荷，而不允許更多的壁電荷形成，作為擦除處理的結(jié)果。因此，持續(xù)時(shí)間T2被保持為較短，從而不考慮累積由尋址放電形成的壁電荷的時(shí)間。
如圖4所示，在第一子場(chǎng)的維持周期中，最后維持脈沖被施加到Y(jié)電極。這時(shí)，在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，在X和A電極上形成正(+)壁電荷。因此，作為形成壁電荷的結(jié)果，Y電極處于比A電極更低的電勢(shì)。如果電壓VscL2在電壓-Vs以下，則這可能會(huì)在未被選擇的放電單元處引起不發(fā)火。為了防止這種不發(fā)火，將電壓VscL2的電平設(shè)置在電壓-Vs的電平之上。
如上所述，在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期期間，被選擇的并且經(jīng)歷尋址放電的放電單元在第二子場(chǎng)的維持周期中將要關(guān)斷，因?yàn)樗谋陔姾梢驯幌?。在第二子?chǎng)的擦除尋址周期期間沒有選擇在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的放電單元當(dāng)中的一些放電單元。未被選擇的放電單元在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期之后保留它們的壁電荷。因此，第一子場(chǎng)的維持周期之后的壁電荷狀態(tài)被維持于在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的放電單元當(dāng)中的在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期中未被選擇的放電單元。如圖4所示，在第一子場(chǎng)的維持周期的最后階段，將電壓Vs的脈沖施加到Y(jié)電極。結(jié)果，在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，而在X和A電極上形成正(+)壁電荷。因此，如圖4所示，在第二子場(chǎng)的維持周期期間，將電壓-Vs的脈沖首先施加到Y(jié)電極。因此，在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的放電單元中的在第二子場(chǎng)的擦除尋址周期期間未被選擇放電單元處發(fā)生維持放電。在第一子場(chǎng)期間已經(jīng)歷維持放電的放電單元中的在第二子場(chǎng)期間將要接通的放電單元處不發(fā)生穩(wěn)定維持放電。這是由于以下事實(shí)引起的放電單元中的壁電荷和起爆顆粒(priming particle)在第一和第二子場(chǎng)的維持周期之間的長(zhǎng)間隔期間可能減少。然而，當(dāng)?shù)诙訄?chǎng)的維持周期中首先施加的電壓-Vs的脈沖寬于第一脈沖之后的其他維持脈沖時(shí)，更可能發(fā)生穩(wěn)定的維持放電。
隨后，重復(fù)將電壓Vs和-Vs電壓的維持放電脈沖交替地施加到掃描電極Y的處理一個(gè)與分配給子場(chǎng)的加權(quán)對(duì)應(yīng)的次數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在X電極被偏置參考電壓的同時(shí)，通過施加到Y(jié)電極的驅(qū)動(dòng)波形可以執(zhí)行復(fù)位、尋址和維持放電操作。也就是，實(shí)現(xiàn)了用于驅(qū)動(dòng)兩種電極的單個(gè)集成板，從而降低了成本。如果X電極被偏置到參考電壓就不需要用于驅(qū)動(dòng)X電極的獨(dú)立板。在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，也可以通過預(yù)定子場(chǎng)的擦除尋址操作期間的擦除處理來執(zhí)行尋址操作。因此，用于擦除先前尋址的一些單元的掃描脈沖的寬度T2與先前用于在先前子場(chǎng)的寫尋址周期期間尋址的掃描脈沖的寬度T1相比可能較短。作為擦除尋址周期縮短的結(jié)果，更快地執(zhí)行尋址操作。
如圖4所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施例，在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期的下降周期中被施加到Y(jié)電極的最后電壓被設(shè)置為電壓Vnf，并且該最后電壓Vnf可以接近Y和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓。然而，Y電極相對(duì)于A電極的壁電勢(shì)可被設(shè)置為在下降周期的最后電壓Vnf處的正電壓，因?yàn)閅和A電極之間的放電點(diǎn)火電壓Vfay通常小于Y和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓Vfxy。隨后子場(chǎng)的復(fù)位周期在單元中維持上面壁電荷狀態(tài)的同時(shí)開始，因?yàn)樵诘谝蛔訄?chǎng)中沒有經(jīng)歷寫尋址放電的和在子場(chǎng)期間未被選擇的單元中不會(huì)產(chǎn)生維持放電。
在上面的狀態(tài)中，Y電極對(duì)于X電極之間的電勢(shì)差大于Y和A電極之間的電勢(shì)差。因此，當(dāng)Y電極的電壓在復(fù)位周期的上升周期中增加時(shí)，在A和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓Vfay之后，X和Y電極之間的電壓差可以在預(yù)定時(shí)間中超過放電點(diǎn)火電壓Vfxy。
因?yàn)樵趶?fù)位周期的上升周期中高電壓被施加到Y(jié)電極，因此Y電極操作為正電極，A電極和X電極操作為負(fù)電極。當(dāng)正離子撞擊負(fù)電極時(shí)，這稱作“y處理”，通過從負(fù)電極發(fā)射的二次電子的量來確定單元中的放電。
通常，在等離子體顯示板中，A電極被覆蓋有用于顏色表現(xiàn)的磷光體，X和Y電極被覆蓋有用于增加維持放電性能的MgO的介電層。MgO組成的介電層的二次電子發(fā)射系數(shù)較高，并且磷光體層的二次電子發(fā)射系數(shù)較低。當(dāng)A和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓Vfay時(shí)，A電極操作為負(fù)電極。然而，因?yàn)锳電極覆蓋有磷光體，因此在上升周期期間在A和Y電極之間可能延遲放電。由于放電延遲，在A和Y電極之間實(shí)際上產(chǎn)生放電的時(shí)刻，A和Y電極之間的電壓差大于放電點(diǎn)火電壓。因此，通過這種高壓在A和Y電極之間可以產(chǎn)生強(qiáng)放電，而不是弱放電。簡(jiǎn)而言之，在復(fù)位周期的上升周期期間，放電延遲引起的高電壓差誘發(fā)A和Y電極之間的強(qiáng)放電。
圖5示出了在復(fù)位周期的下降周期之后壁電荷的狀態(tài)。在下降周期期間強(qiáng)放電可以由壁電荷和起爆顆粒產(chǎn)生，并且如圖5所示，在X和Y電極之間可能不會(huì)使當(dāng)?shù)叵陔姾?。在這種情況下，當(dāng)復(fù)位周期結(jié)束時(shí)，在單元中的在X和Y電極之間形成高的壁電壓。因此，在維持周期期間，通過在尋址周期期間未被尋址的單元中的高的壁電壓在X和Y電極之間可能發(fā)生不發(fā)火放電。將參考圖6來描述防止這種不發(fā)火放電的示例性實(shí)施例。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)波形。盡管根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形類似于根據(jù)第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形，但是在第二示例性實(shí)施例中，A電極在復(fù)位周期的上升周期期間被偏置在預(yù)定電壓。
更具體地，在復(fù)位周期的上升周期期間，在A電極被偏置在高于參考電壓的預(yù)定電壓的同時(shí)，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset。如果電壓Va被用作A電極的偏壓，則不必提供將被施加到A電極的附加偏壓。當(dāng)A電極被偏置在電壓Va的同時(shí)Y電極的電壓增加時(shí)，A和Y電極之間的電壓差小于第一示例性實(shí)施例中兩個(gè)電壓之間的差。因此，在A和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓之前，X和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓。在X和Y電極之間已經(jīng)產(chǎn)生弱放電并且起爆顆粒由于弱放電已開始形成之后，A和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓。通過起爆顆粒減少了A和Y電極之間的放電中的延遲。因此，產(chǎn)生弱放電而不是強(qiáng)放電，并且正常地形成了壁電荷。另外，由于在復(fù)位周期的下降周期中沒有產(chǎn)生強(qiáng)放電，因此可以防止不發(fā)火放電。
在圖6中的整個(gè)上升周期期間A電極被偏置在預(yù)定電壓的同時(shí)，根據(jù)第三示例性實(shí)施例，A電極僅在上升周期的早期階段期間可被偏置在預(yù)定電壓(未示出)。當(dāng)A電極在上升周期的早期階段中被偏置在預(yù)定電壓時(shí)，在X和Y電極之間的電壓差超過放電點(diǎn)火電壓之前，A和Y電極之間的電壓差不會(huì)超過放電點(diǎn)火電壓。因此，在上升周期中不產(chǎn)生強(qiáng)放電。在A和Y電極之間產(chǎn)生弱放電之后，隨后可以將A電極的電壓設(shè)置為參考電壓。
在替換的實(shí)施例中，可以逐漸增加A電極的電壓。當(dāng)Y和A電極的電壓一起增加時(shí)，在A和Y電極之間產(chǎn)生弱放電之前，在X和Y電極之間產(chǎn)生弱放電，因?yàn)锳和Y電極之間的電壓差進(jìn)一步降低到小于當(dāng)A電極被偏置在參考電壓時(shí)的電壓差。在該替換中，在部分或全部上升周期期間，可以增加A電極的電壓。
而且，可以浮動(dòng)A電極而不是增加A電極的電壓。當(dāng)Y電極的電壓增加并且A電極浮動(dòng)時(shí)，A電極的電壓隨著Y電極電壓的增加而增加，因?yàn)樵贏和Y電極之間形成了電容，因此執(zhí)行如圖6所示的操作。在上升周期的部分或整個(gè)持續(xù)時(shí)間期間可以浮動(dòng)A電極的電壓。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因?yàn)榫S持電極被偏置在恒定電壓和驅(qū)動(dòng)波形被施加到掃描電極，因此不需要用于驅(qū)動(dòng)維持電極的單獨(dú)的和額外的板。因此，可以實(shí)現(xiàn)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)電極的單個(gè)集成板，從而減少了成本。
另外，在需要較低幅值和較短持續(xù)時(shí)間的掃描脈沖的某些子場(chǎng)的尋址周期期間執(zhí)行擦除尋址操作，從而可以進(jìn)一步減小掃描脈沖的寬度T2。因此，可以縮短尋址周期，從而導(dǎo)致更快的尋址操作。
而且，在復(fù)位周期的部分或全部上升周期期間，通過將尋址電極偏置在大于參考電壓的電壓處可以防止不發(fā)火。
盡管已經(jīng)結(jié)合某些示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所描述的實(shí)施例，相反，旨在覆蓋在不背離由所附權(quán)利要求及其等效物的精神和范疇內(nèi)包含的各種各樣的修改和等效排列。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，該等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)第三電極，所述第三電極相交于第一電極和第二電極的公共方向而形成，所述方法包括在驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的所有子場(chǎng)期間，在第一電壓偏置第一電極；在第一子場(chǎng)的尋址周期期間，通過將第二電壓的第一掃描脈沖施加到第二電極，選擇在第一子場(chǎng)期間將要接通的放電單元；在第一子場(chǎng)的維持周期期間將第三電壓和第四電壓交替地施加到第二電極，所述第四電壓低于第三電壓；在第二子場(chǎng)的尋址周期，通過將第五電壓的第二掃描脈沖施加到第二電極，選擇在第二子場(chǎng)將要關(guān)斷的放電單元，所述第五電壓高于第二電壓；和在第二子場(chǎng)的維持周期期間將第六電壓和第七電壓交替地施加到第二電極，所述第七電壓高于第六電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述第二掃描脈沖的寬度小于第一掃描脈沖的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述第五電壓高于第四電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括，在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期將逐漸增加到第八電壓的電壓施加到第二電極；和將逐漸降低到第九電壓的電壓施加到第二電極。
5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括在當(dāng)逐漸增加到第八電壓的電壓被施加到第二電極時(shí)的至少一部分周期中，將第十電壓施加到第三電極，所述第十電壓高于第一電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第二子場(chǎng)對(duì)于第一子場(chǎng)是連續(xù)的，并且第二子場(chǎng)的尋址周期對(duì)于第一子場(chǎng)的維持周期是連續(xù)的。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括，在第二子場(chǎng)的尋址周期期間，從第一子場(chǎng)的維持周期期間經(jīng)受維持放電的放電單元中選擇第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元。
8.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述第三電壓和第四電壓的大小基本相等，并且所述第三電壓的相位與第四電壓的相位相反，其中，所述第六電壓和第七電壓的大小基本相等，并且第六電壓的相位與第七電壓的相位相反，其中，所述第三電壓和第七電壓具有基本相等的電平，和其中，所述第四電壓和第六電壓具有基本相等的電平。
9.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在第一子場(chǎng)的維持周期期間，被施加到第二電極的第一維持放電脈沖是第三電壓的，和其中，在第二子場(chǎng)的維持周期期間，被施加到第二電極的第一維持放電脈沖是第六電壓的。
10.如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中在第一子場(chǎng)的維持周期期間，被施加到第二電極的最后維持放電脈沖是第三電壓的。
11.如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在第二子場(chǎng)的維持周期期間，被施加到第二電極的第一維持放電脈沖的寬度大于第一維持脈沖之后的至少一個(gè)維持放電脈沖的寬度。
12.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示板，其具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)第三電極，所述第三電極相交于第一電極和第二電極的公共方向；和底架，其面向等離子體顯示板，并且包括驅(qū)動(dòng)板，用于將驅(qū)動(dòng)波形施加到第二和第三電極以在等離子體顯示板上顯示圖像并且在顯示圖像時(shí)將第一電極偏置到第一電壓，其中，在第一子場(chǎng)的尋址周期期間，通過將具有第一寬度的第一掃描脈沖施加到第二電極，驅(qū)動(dòng)板選擇第一子場(chǎng)期間將要接通的放電單元，和其中，在第二子場(chǎng)的尋址周期期間，通過將具有第二寬度的第二掃描脈沖施加到第二電極，驅(qū)動(dòng)板選擇第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元，所述第二寬度小于第一寬度。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第二掃描脈沖的電壓電平高于第一掃描脈沖的電壓電平。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第一子場(chǎng)的維持周期期間，驅(qū)動(dòng)板將第二電壓和第三電壓的維持脈沖交替地施加到第二電極，所述第三電壓低于第二電壓，和其中，在第二子場(chǎng)的維持周期期間，驅(qū)動(dòng)板將第三電壓和第四電壓的維持脈沖交替地施加到第二電極。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第二電壓和第三電壓具有基本小相等的大小和相反的相位。
16.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期，驅(qū)動(dòng)板將第二電極的電壓逐漸增加到第二電壓，并且隨后將第二電極的電壓逐漸降低到第三電壓，和其中，在當(dāng)?shù)诙姌O的電壓逐漸增加到第二電壓時(shí)的至少一部分周期期間，驅(qū)動(dòng)板將第五電壓施加到第三電極，所述第五電壓大于第一電壓。
17.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第二子場(chǎng)對(duì)于第一子場(chǎng)是連續(xù)的，并且第二子場(chǎng)的尋址周期在第一子場(chǎng)的維持周期之后。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第二子場(chǎng)的尋址周期期間，從第一子場(chǎng)的維持周期期間經(jīng)受維持放電的放電單元中選擇第二子場(chǎng)期間將要關(guān)斷的放電單元。
19.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第一子場(chǎng)的維持周期期間被驅(qū)動(dòng)板施加到第二電極的最后維持脈沖和第一維持脈沖是第二電壓的，和其中，在第二子場(chǎng)的維持周期期間被驅(qū)動(dòng)板施加到第二電極的第一維持脈沖是第三電壓的。
20.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，第一電壓是地電壓。
全文摘要
一種等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法。在維持電極被偏置在預(yù)定電壓的同時(shí)，施加驅(qū)動(dòng)波形。在預(yù)定第一子場(chǎng)的尋址周期期間，施加第一電壓的第一掃描脈沖，以便在第一子場(chǎng)將被選擇的放電單元進(jìn)行寫尋址，并且在預(yù)定第二子場(chǎng)的尋址周期期間，施加具有大于第一電壓的第二電壓的第二掃描脈沖，以便在第一子場(chǎng)不被選擇的放電單元進(jìn)行擦除尋址。第二掃描脈沖的寬度被設(shè)置為小于第一掃描脈沖的寬度。因此，可以不需要用于驅(qū)動(dòng)維持電極的單獨(dú)板，并且可以縮短尋址周期而獲得更快的尋址操作。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1873749SQ20061008428
公開日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月1日
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