專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種檢測裝置，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置。
背景技術：
有機電致發(fā)光顯示器(OLED)具有自主發(fā)光、低電壓直流驅動、全固化、視角寬、顏 色豐富等一系列的優(yōu)點，具有廣闊的應用前景。
目前OLED器件分光源及點陣兩種，其中光源為全屏點亮型，相當于全屏為一個單像 素；而點陣型主要應用于顯示屏，由多組像素組成。
在OLED的制備過程中，環(huán)境中的塵埃和蒸鍍過程中的雜質會進入發(fā)光區(qū)，由于塵埃 的存在，電極之間會出現(xiàn)短路現(xiàn)象，進而出現(xiàn)不亮點及列連現(xiàn)象，使得產(chǎn)品成為壞品；一 些較小的塵埃即使不能產(chǎn)生短路，也會存在漏電現(xiàn)象，在長期工作后也會成為不亮點。為 了保證屏體的質量，OLED顯示屏的制程完成后，需要對每片顯示屏進行檢測程序、老化 程序。
由于OLED顯示屏是電流驅動性的顯示器件，檢測屏體的方法通常是觀察顯示屏的顯 示效果來檢測，即由掃描方式，觀察每個通過電流的區(qū)域是否發(fā)光來判斷是否存在缺陷。 然而有些缺陷只有在工作一段時間后才能表現(xiàn)出來，對這類缺陷的檢測更加困難，常常需 要在老化程序和預燒程序完成后才能進行，此時檢測出的缺陷會導致整片顯示屏報廢。
另一種檢測方式是通過檢測電流信號來判斷缺陷是否存在，如中國專利CN1275074號 公開了一種由通過預定大小的電流來檢測OLED顯示屏的方法。該檢測方式也需要顯示屏 進行工作，因而會消耗大量的能耗。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠簡單有效判斷屏體優(yōu)良，同時檢測缺陷像素位置的有機 電致發(fā)光器件的檢測裝置。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案予以實現(xiàn)的本發(fā)明之檢測裝置包括電容數(shù)據(jù)采集單 元，數(shù)據(jù)存儲單元，數(shù)據(jù)比較單元、其特征在于，還包括數(shù)據(jù)處理單元及導通單元，所述電容數(shù)據(jù)采集單元分別與行列的導通單元連接，所述數(shù)據(jù)采集單元及數(shù)據(jù)存儲單元的輸出 分別連接數(shù)據(jù)比較單元的輸入端，所述數(shù)據(jù)比較單元的輸出端與數(shù)據(jù)處理單元的輸入端連 接，所述數(shù)據(jù)處理單元的輸出端與導通單元及數(shù)據(jù)存儲單元連接。
所述導通單元包括行列開關電路及行列導通裝置，該行列導通裝置用于根據(jù)行列開關電 路的通斷導通被選中的行或列。
所述數(shù)據(jù)處理單元通過地址存儲器對數(shù)據(jù)存儲單元的數(shù)據(jù)進行選擇。
所述數(shù)據(jù)存儲單元所存數(shù)據(jù)為有機電致發(fā)光器件的電容標準值。
所述電容標準值包括屏體電容標準值，列電容標準值，行電容標準值及像素電容標準值。 所述數(shù)據(jù)處理單元包括微處理器及行列開關控制器。
本發(fā)明基于的原理有機電致發(fā)光器件包含第一電極、有機材料層以及與所述第一電極 相對的第二電極，該結構與平行板電容器非常相近。相同結構的有機電致發(fā)光器件具有一 定的電容量，且電容量滿足平行板電容計算公式，即C二e eoS/d，其中，C表示電容，e 是介電常數(shù)，eQ是真空介電常數(shù)，S是象素面積，d是兩電極間的面間距。若器件結構中 存在缺陷，例如附著在第一電極表面的塵埃顆?；蛴袡C材料中的雜質等，都會造成介電常 數(shù)的變化，進而導致有機電致發(fā)光器件電容量的變化。
本發(fā)明利用有機電致發(fā)光器件具有一電容標準值的特性，對其進行電容檢測，將檢測結 果與電容標準值比較，在電容標準值范圍內即為無缺陷像素；不在電容標準值范圍內，艮口 為需要修復的存在缺陷的像素。采用本發(fā)明之檢測裝置對屏體進行電容檢測，簡單而有效， 并且檢測時無需器件工作。


圖1為本發(fā)明檢測裝置結構框圖； 圖2為本發(fā)明之實施例結構圖。
具體實施例方式
以下結合附圖及實施例對本發(fā)明做進一步說明。
參照圖1、 2。本發(fā)明之有機電致發(fā)光器件檢測裝置包括電容數(shù)據(jù)采集單元1，數(shù)據(jù)存儲 單元2，數(shù)據(jù)比較單元3及數(shù)據(jù)處理單元4、導通單元5-l、 5-2;其中，電容數(shù)據(jù)采集單元i 為一電容測量儀H，數(shù)據(jù)存儲單元2為一數(shù)據(jù)存儲器21，數(shù)據(jù)比較單元3為一比較器31，導通單元5-1、 5-2包括行列開關電路6-1、 6-2及行列導通裝置7-1、 7-2，該行列導通裝置7-1、 7-2用于根據(jù)行列開關電路6-l、 6-2導通被選中的行或列，數(shù)據(jù)處理單元4通過地址存儲器8 對數(shù)據(jù)存儲單元2進行選擇，數(shù)據(jù)存儲單元2所存數(shù)據(jù)為有機電致發(fā)光器件的電容標準值， 電容標準值包括屏體電容標準值，列電容標準值，行電容標準值及像素電容標準值，數(shù)據(jù)處 理單元4包括微處理器9及行列開關控制器10。
電容測量儀11的測量端分別與行列的導通裝置7-1、 7-2連接，本實施例中導通裝置7-1、 7-2為受控于行列開關電路6-1、 6-2的探針，被選中的行或列通過探針與測試裝置實現(xiàn)電連 接；電容測量儀11及數(shù)據(jù)存儲器21的輸出分別連接比較器31的輸入端，在比較器31中對 兩組數(shù)據(jù)進行比較，比較器31的輸出端與微處理器9的輸入端連接，將比較結果輸入到微處 理器9中，微處理器9的輸出端通過地址存儲器8對數(shù)據(jù)存儲器21中的數(shù)據(jù)進行選擇，同時， 地址存儲器8將微處理器9所選擇的行或列地址信號通過行列開關控制器10控制對應的開關 電路，通過相應的探針電連接所選中的行或列。
對有機電致發(fā)光顯示屏進行檢測過程如下
① 微處理器9送全屏地址，從數(shù)據(jù)存儲器21得到全屏電容標準值對比數(shù)據(jù)，同時打開 對應地址的所有行列開關，利用探針將全屏所有行和列與測試裝置的電容測量儀ll電連接， 進行數(shù)據(jù)采集，采集到的全屏電容數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)存儲器21中對應的全屏電容標準值送到比較器 31中進行對比，將對比結果返回微處理器9進行判斷是否在數(shù)據(jù)存儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內， 如檢測數(shù)據(jù)在其范圍內，則屏體無缺陷；如果不在其范圍內，則進行行或列掃描，確定缺陷 像素位置。
② 微處理器9送所有行地址數(shù)據(jù)通過開關控制器10將屏體的行全部打開，然后依次打 開各列開關進行列掃描，將采集到的每一列的電容數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲器21中對應列地址的列標 準電容值數(shù)據(jù)送比較器31進行對比后，比較結果送給微處理器9進行判斷，如數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)存 儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內，則繼續(xù)列掃描，如不在數(shù)據(jù)存儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內，則記錄該 列地址Ym，將其存儲在微處理器9的存儲器中，并繼續(xù)列掃描、判斷、記錄，直到最后一列。 至此得到所有與數(shù)據(jù)存儲器21中對應列電容標準值不相符數(shù)據(jù)對應的列地址Ym。
③ 微處理器9根據(jù)步驟②記錄的不符合數(shù)據(jù)存儲器21中對應列電容標準值數(shù)據(jù)的第一個 列地址Ym對應的列開關打開，依次掃描行，將采集到的像素電容數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲器21中對應像素電容標準值進行對比，并將比較結果送給微處理器9進行判斷，如數(shù)據(jù)在像素電容標 準值范圍內，則繼續(xù)掃描，如不在該范圍內，則記錄該像素地址Xn、 Ym，并繼續(xù)掃描判斷記
錄，直到最后一行。微處理器9根據(jù)步驟②記錄的不符合數(shù)據(jù)范圍的下一個列地址對應的列 開關打開，并重復上述操作，直到將所有不符合數(shù)據(jù)存儲器21對應的列中的像素檢測完。至 此則找到所有與數(shù)據(jù)存儲器21中對應像素電容標準值不相符的像素地址，即所有缺陷像素的 地址。
對有機電致發(fā)光顯示屏還可進行如下檢測過程
① 微處理器9送全屏地址，從數(shù)據(jù)存儲器21得到對比數(shù)據(jù)，同時打開對應地址的所有 行列開關，利用探針將全屏所有行和列與測試裝置的電容測量儀ll電連接，進行數(shù)據(jù)采集， 采集到的全屏電容數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)存儲器21中對應的全屏電容標準值送到比較器31中進行對比， 將對比結果返回微處理器9進行判斷是否在數(shù)據(jù)存儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內，如數(shù)據(jù)在其范圍 內，則屏體無缺陷；如果不在其范圍內，則進行行或列掃描判斷。
② 微處理器9送所有行地址數(shù)據(jù)通過開關控制器10將屏體的行全部打開，然后依次打開 各列開關進行列掃描，將釆集到的每一列的電容數(shù)據(jù)與對應列地址的數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)21送比較器 31進行對比后送給微處理器9進列判斷，如數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)存儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內，則繼續(xù) 列掃描，如不在數(shù)據(jù)存儲器21對應數(shù)據(jù)范圍內，則記錄該列地址Ym，并將其存儲在微處理 器9的存儲器中，依次掃描該列的各行，同時將檢測到的像素電容值與數(shù)據(jù)存儲器21中的像 素電容標準值對比，由微處理器9判斷是否在標準值范圍內，如屬于標準值范圍，則繼續(xù)下 一行掃描，若不屬于，記錄該行地址Xn，即得到一個缺陷像素地址Xn， Ym。繼續(xù)下一行掃
描，若該列其余各行像素再無缺陷像素，則進行前述操作，將屏體的行全部打開，從YmW列
繼續(xù)掃描、判斷、記錄，直到最后一列。
同理，在檢測完全屏電容之后，檢測數(shù)據(jù)如不符合數(shù)據(jù)存儲器21中對應全屏電容標準值
范圍，需要確定缺陷像素地址時，也可先打開所有列開關，對行進行掃描，對每一行的采集
數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲器21中的行電容標準值數(shù)據(jù)進行對比，記錄不符合數(shù)據(jù)范圍的行地址；將不 符合數(shù)據(jù)范圍的行地址，其中一行的控制開關打開，再進行列掃描，找到此行上不符合數(shù)據(jù) 存儲器21中對應像素電容標準值的列地址，再依次打開其余不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的行電 容標準值數(shù)據(jù)的行，直到將所有不符合數(shù)據(jù)存儲器21中對應像素電容標準值的行中的像素檢實施例1
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片，器件結構為陽極(ITO) / (空穴 注入層)HIL/ (空穴傳輸層)HTL/ (發(fā)光層)EML/ (電子傳輸層)ETL/ (陰極)LiF/Al，本 實施例所述實驗片整片屏體為一個像素點。
將電容測量儀ll的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電 容值5.06nF，符合數(shù)據(jù)存儲器21中的0.3cmX0. 3cm的綠色實驗片電容標準值范圍4.50nF 6.50nF，電流測試結果也表明實驗片無缺陷。
實施例2
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片。
將電容測量儀ll的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電 容值為4.00nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的0.3cmX0.3cm的綠色實驗片電容標準值范圍 4.50nF 6.50nF，測試時發(fā)光區(qū)亮度低，在放大鏡中發(fā)現(xiàn)顯示區(qū)有雜質，進入修復程序后，將 缺陷修復，重復前述測試過程，測得實驗片的電容值為4.64nF，符合數(shù)據(jù)存儲器21中的電容 標準值范圍4.50nF 6.50nF，此時發(fā)光區(qū)工作正常。
實施例3
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片。
將電容測量儀ll的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電 容值190nF，遠遠超出數(shù)據(jù)存儲器21中的0.3cmX0.3cm的綠色實驗片電容標準值范圍 4.50nF 6.50nF，并且很不穩(wěn)定，此實驗片有明顯的短路點，不可修復，屬報廢品。
實施例4
本實施例之檢測對象為發(fā)光區(qū)面積4.5cmX4.5cm的光源，本實施例所述光源整片屏體為 一個像素點。
將電容測量儀ll的陽極連接光源的陽極，陰極連接光源的陰極，檢測整個屏體的電容值 為190nF，符合數(shù)據(jù)存儲器21中的4.5cmX4.5cm的光源電容標準值范圍120nF 260nF，直 接進入老化程序。
實施例5本實施例之檢測對象為發(fā)光區(qū)面積4.5cmX4.5cm的光源。
將電容測量儀11的陽極連接光源的陽極，陰極連接光源的陰極，檢測屏體的電容值為 6L7nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的4.5cmX4.5cm的光源電容標準值范圍120nF 260nF，發(fā) 光區(qū)亮度低，且閃爍，顯微鏡下觀察，顯示區(qū)有雜質，進入修復程序，修復后，重復前述測 試過程，測得光源的電容值為132nF，符合數(shù)據(jù)存儲器21中的電容標準值范圍120nF 260nF， 可正常工作。
實施例6
本實施例之檢測對象為128X64的點陣屏。
將待檢測的128X64的點陣屏全行并聯(lián)、全列并聯(lián)，使電容測量儀11的陽極連接并聯(lián)列， 陰極連接并聯(lián)行，檢測整個屏體的電容值為900nF，符合數(shù)據(jù)存儲器21中的128X64的點陣 屏全屏電容標準值范圍800nF 1200nF，直接進入老化程序。
實施例7
本實施例之檢測對象為128X64的點陣屏。
將待檢測的128X64的點陣屏全行并聯(lián)、全列并聯(lián)，使電容測量儀11的陽極連接并聯(lián)列， 陰極連接并聯(lián)行，檢測整個屏體的電容值為235nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的128X64的點 陣屏全屏電容標準值范圍750nF 1300nF,則進行全行并聯(lián)，電容測量儀11的陰極連接并聯(lián) 行，陽極對列引線進行掃描，對每一列的電容與數(shù)據(jù)存儲器21中存儲的列電容標準值對比， 當掃描到第17列時，測得該列電容值為0.55nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的128X64的點陣 屏列電容標準值范圍60.0nF 100nF，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲器21中列電容標準值的列位置 Y17，將電容測量儀11的陽極連接第17列的列引線，陰極對行進行掃描，掃描該列，對該列 每一像素的電容與數(shù)據(jù)存儲器21中存儲的像素電容標準值對比，當掃描到第52行時，測得 第17列、第52行該點像素電容值為0.33nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器21中的128X64的點陣屏像 素電容標準值范圍2.00nF 4.00nF，繼續(xù)掃描，直至掃描完64行，未發(fā)現(xiàn)不符合數(shù)據(jù)存儲器 21中像素電容標準值的像素，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲器21中像素電容標準值的行位置Xs2;由 Y17、 Xs2確定缺陷像素位置。繼續(xù)并聯(lián)所有行，從第18列開始掃描，直至掃描完128列，未 發(fā)現(xiàn)不符合數(shù)據(jù)存儲器21中列電容標準值的列，之后進入修復和老化程序。雖然以上描述了本發(fā)明的最佳實施例，但本發(fā)明的技術范圍并不局限于上述討論的范圍。 上述提供的實施例只是僅僅用于進一步在發(fā)明內容的基礎上解釋本發(fā)明。應該理解的是，本 領域的技術人員可以對上述過程做出多種改進，但是所有的這類改進也都屬于本發(fā)明的范圍 內。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，包括電容數(shù)據(jù)采集單元，數(shù)據(jù)存儲單元，數(shù)據(jù)比較單元、其特征在于，還包括數(shù)據(jù)處理單元及導通單元，所述電容數(shù)據(jù)采集單元分別與行列的導通單元連接，所述數(shù)據(jù)采集單元及數(shù)據(jù)存儲單元的輸出分別連接數(shù)據(jù)比較單元的輸入端，所述數(shù)據(jù)比較單元的輸出端與數(shù)據(jù)處理單元的輸入端連接，所述數(shù)據(jù)處理單元的輸出端與導通單元及數(shù)據(jù)存儲單元連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述導通單 元包括行列開關電路及行列導通裝置，該行列導通裝置用于根據(jù)行列開關電路的通斷導通被 選中的行或列。
3. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處 理單元通過地址存儲器對數(shù)據(jù)存儲單元的數(shù)據(jù)進行選擇。
4. 根據(jù)權利要求2所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處 理單元通過地址存儲器對數(shù)據(jù)存儲單元的數(shù)據(jù)進行選擇。
5. 根據(jù)權利要求1、 2或3所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述 數(shù)據(jù)存儲單元所存數(shù)據(jù)為有機電致發(fā)光器件的電容標準值。
6. 根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述電容標 準值包括屏體電容標準值，列電容標準值，行電容標準值及像素電容標準值。
7. 根據(jù)權利要求1、 2、 3或4所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于， 所述數(shù)據(jù)處理單元包括微處理器及行列開關控制器。
8. 根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處 理單元包括微處理器及行列開關控制器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其包括電容數(shù)據(jù)采集單元，數(shù)據(jù)存儲單元，數(shù)據(jù)比較單元、還包括數(shù)據(jù)處理單元及導通單元，電容數(shù)據(jù)采集單元分別與行列的導通單元連接，數(shù)據(jù)采集單元及數(shù)據(jù)存儲單元的輸出分別連接數(shù)據(jù)比較單元的輸入端，數(shù)據(jù)比較單元的輸出端與數(shù)據(jù)處理單元的輸入端連接，數(shù)據(jù)處理單元的輸出端與導通單元及數(shù)據(jù)存儲單元連接。本發(fā)明利用有機電致發(fā)光器件具有一電容標準值的特性，對其進行電容檢測，將檢測結果與電容標準值比較，在電容標準值范圍內即為無缺陷像素；不在電容標準值范圍內，即為需要修復的存在缺陷的像素。本發(fā)明之檢測裝置對屏體進行電容檢測，簡單而有效，并且檢測時無需器件工作。
文檔編號G09G3/00GK101320542SQ20071002317
公開日2008年12月10日 申請日期2007年6月4日 優(yōu)先權日2007年6月4日
發(fā)明者嵩 劉, 龍 王, 聶鴻喜, 勇 邱, 高裕弟 申請人:昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司