專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路。
背景技術(shù)：
近年來，隨著多媒體的發(fā)展，平板顯示器的重要性正不斷提高。諸如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示板(PDP)、場致發(fā)射顯示器(FED)、有機(jī)發(fā)光顯示器的各種平板顯示器已投入到實(shí)際應(yīng)用中。
有機(jī)發(fā)光顯示器具有快速的響應(yīng)時(shí)間、較低的功率消耗、以及自發(fā)射的結(jié)構(gòu)。而且，有機(jī)發(fā)光顯示器具有寬視角，使得它能夠與屏幕的尺寸或者觀看者的位置無關(guān)地對運(yùn)動圖像進(jìn)行良好顯示。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示器可以利用半導(dǎo)體制造工藝在低溫環(huán)境下進(jìn)行生產(chǎn)，所以有機(jī)發(fā)光顯示器具有簡單的制造工藝。因此，有機(jī)發(fā)光顯示器具有作為下一代顯示器的吸引力。
一般來說，有機(jī)發(fā)光顯示器通過對有機(jī)化合物進(jìn)行電激勵(lì)而發(fā)光。為了顯示預(yù)定圖像，有機(jī)發(fā)光顯示器具有按矩陣形式排列的N×M個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，并且可以被電壓驅(qū)動或被電流驅(qū)動。有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法包括無源矩陣型和使用薄膜晶體管的有源矩陣型。在無源矩陣型中，陽極與陰極成直角。陽極是根據(jù)掃描信號來選擇的，而陰極接收數(shù)據(jù)信號，以使有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)響應(yīng)于施加在陰極與陽極之間的數(shù)據(jù)信號而發(fā)光。在有源矩陣型中，將薄膜晶體管連接至ITO(銦錫氧化物)電極，并且將薄膜晶體管的柵極連接到電容器，使得OLED根據(jù)存儲在該電容器中的電壓來發(fā)光。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖。
參照圖1，有機(jī)發(fā)光顯示器具有顯示板110、掃描驅(qū)動器120、數(shù)據(jù)驅(qū)動器130、控制器140、以及電源150。
顯示板110包括數(shù)據(jù)線D1-Dm、掃描線S1-Sn、以及像素電路P11-Pnm。數(shù)據(jù)線D1-Dm按第一方向排列，并且與按第二方向排列的掃描線S1-Sn交叉。像素電路P11-Pnm設(shè)置在由數(shù)據(jù)線D1-Dm和掃描線S1-Sn限定的像素區(qū)處。
控制器140向掃描驅(qū)動器120、數(shù)據(jù)驅(qū)動器130以及電源150輸出控制信號。電源150響應(yīng)于從控制器140接收的控制信號，向掃描驅(qū)動器120、數(shù)據(jù)驅(qū)動器130以及顯示板110輸出所需電壓。
掃描驅(qū)動器120響應(yīng)于控制器140的控制信號，向連接到掃描驅(qū)動器120的掃描線S1-Sn輸出掃描信號。由此，根據(jù)該掃描信號對顯示板110的像素電路P11-Pnm進(jìn)行選擇。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器130響應(yīng)于控制器140的控制信號，向連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器130的數(shù)據(jù)線D1-Dm輸出與掃描信號同步的數(shù)據(jù)信號。接著，數(shù)據(jù)驅(qū)動器130通過數(shù)據(jù)線D1-Dm向?qū)?yīng)的像素電路P11-Pnm施加數(shù)據(jù)信號。由此，像素電路P11-Pnm響應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號而發(fā)光，從而在顯示板110上顯示預(yù)定圖像。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖。
參照圖2，像素電路包括開關(guān)晶體管MS、電容器Cgs、驅(qū)動晶體管MD，以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。開關(guān)晶體管MS響應(yīng)于掃描線Sn的掃描信號對來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送。通過開關(guān)晶體管MS接收的數(shù)據(jù)信號被存儲在電容器Cgs中。存儲在電容器Cgs中的數(shù)據(jù)信號用于生成針對驅(qū)動晶體管MD的驅(qū)動電流。由此，OLED根據(jù)該驅(qū)動電流而發(fā)光。
流入OLED的驅(qū)動電流LOLED由下面的公式1表示。
IOLED=12K(Vgs-Vth)2]]>其中，Vgs表示驅(qū)動晶體管MD的源-柵極電壓，而Vth表示驅(qū)動晶體管MD的閾電壓。
包括像素電路的有機(jī)發(fā)光顯示器可以是有源矩陣型，并且可以根據(jù)流入OLED的電流IOLED來控制亮度。因此，應(yīng)當(dāng)實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的特性的一致性，特別是薄膜晶體管的閾電壓和遷移率的一致性，以便具有一致顯示。
有機(jī)發(fā)光顯示器中使用的薄膜晶體管可利用非晶硅或低溫多晶硅來形成。因?yàn)槎嗑Ч璧膱鲂?yīng)遷移率比非晶硅的場效應(yīng)遷移率大100到200倍，所以利用多晶硅的薄膜晶體管的重要性正不斷增加。
可以通過利用eximer激光器對非晶硅進(jìn)行退火處理，從而使得該非晶硅結(jié)晶化，來制造出上述多晶硅。當(dāng)對非晶硅進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，多晶硅的晶粒度可能因eximer激光器產(chǎn)生的脈沖振幅的不一致性而不一致。由此，薄膜晶體管具有不同的特性，使得每個(gè)像素在相同灰度級下可能具有不同亮度。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)方面中，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，該像素電路包括第一晶體管，該第一晶體管響應(yīng)于來自掃描線的選擇信號對來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送；第二晶體管，該第二晶體管響應(yīng)于來自所述掃描線的所述選擇信號對來自所述第一晶體管的所述數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送；第三晶體管，該第三晶體管通過所述第二晶體管構(gòu)成二極管式連接，以發(fā)送所述數(shù)據(jù)信號；第一電容器，該第一電容器對來自所述第三晶體管的所述數(shù)據(jù)信號進(jìn)行存儲；第四晶體管，該第四晶體管生成驅(qū)動電流；第五晶體管，該第五晶體管采用二極管式連接結(jié)構(gòu)連接所述第四晶體管的柵極和漏極，以響應(yīng)于來自所述掃描線的所述選擇信號對所述第四晶體管的閾電壓進(jìn)行存儲；第二電容器，該第二電容器對所述第四晶體管的所述閾電壓進(jìn)行存儲；第六晶體管，該第六晶體管響應(yīng)于來自所述掃描線的所述選擇信號向所述第四晶體管發(fā)送所述第一電容器和所述第二電容器的組合電壓，以生成所述驅(qū)動電流；第七晶體管，該第七晶體管發(fā)送在所述第四晶體管中生成的所述驅(qū)動電流；以及有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射與來自所述第七晶體管的所述驅(qū)動電流相對應(yīng)的光。


包含在本文中以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且并入本申請且構(gòu)成本申請的一部分的附圖，示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；圖3A是根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；圖3B是根據(jù)第一實(shí)施例的圖3A中的像素電路的操作的定時(shí)圖；圖4A是根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；圖4B是根據(jù)第二實(shí)施例的圖4A中的像素電路的操作的定時(shí)圖；圖5A是根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；圖5B是根據(jù)第三實(shí)施例的圖5A中的像素電路的操作的定時(shí)圖；圖6A是根據(jù)第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；圖6B是根據(jù)第四實(shí)施例的圖6A的像素電路的操作的定時(shí)圖；以及圖7是流過根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管的電流的仿真圖。
具體實(shí)施例方式
下面，詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其示例在附圖中示出。
圖3A是根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖。
參照圖3A，將第一晶體管T1的柵極連接至第一掃描線Sn1，且將第一晶體管T1的一電極連接至數(shù)據(jù)線Dm。由此，第一晶體管T1響應(yīng)于第一掃描線Sn1的選擇信號對來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送。
將第二晶體管T2的柵極連接至第一掃描線Sn1，將第二晶體管T2的一電極連接至第三晶體管T3的柵極，且將第二體管T2的另一電極連接至第三晶體管T3的一電極。由此，當(dāng)通過第一掃描線Sn1施加選擇信號時(shí)，第三晶體管T3通過第二晶體管T2而構(gòu)成二極管式連接。
由于第三晶體管T3通過第二晶體管T2而構(gòu)成二極管式連接，所以第三晶體管T3接收到來自第一晶體管T1的數(shù)據(jù)信號，從而與該數(shù)據(jù)信號相對應(yīng)的電壓被存儲在與第三晶體管T3的另一電極相連接的第一電容器C1中。
按照與第一晶體管T1和第二晶體管T2相同的方式，將第五晶體管T5的柵極連接到第一掃描線Sn1。當(dāng)通過第一掃描線Sn1施加選擇信號時(shí)，第五晶體管T5導(dǎo)通，使得第四晶體管T4通過導(dǎo)通的第五晶體管T5而構(gòu)成二極管式連接。將第四晶體管T4的柵極連接至第二電容器C2的一電極，且將第一電源線VDD連接至第二電容器C2的另一電極。由此，將第四晶體管T4的閾電壓存儲在第二電容器C2中。
將第六晶體管T6的柵極連接至第二掃描線Sn2，而將第六晶體管T6的兩個(gè)電極分別連接至第一電容器C1的另一電極和第二電容器C2的另一電極。當(dāng)通過第二掃描線Sn2施加選擇信號時(shí)，第六晶體管T6導(dǎo)通，使得存儲在第一電容器C1和第二電容器C2中的電壓按預(yù)定比率組合(重新調(diào)整)，并且將組合(重新調(diào)整)后的電壓施加到第四晶體管T4的柵極。
將第七晶體管T7的柵極連接至第二掃描線Sn2。當(dāng)通過第二掃描線Sn2施加選擇信號時(shí)，第七晶體管T7導(dǎo)通，使得將第四晶體管T4中生成的驅(qū)動電流施加到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
將第一電容器C1的一電極和第二電容器C2的一電極連接至第一電源線VDD，且將第一電容器C1的另一電極和第二電容器C2的另一電極分別連接至第六晶體管T6的兩個(gè)電極。第三晶體管T3和第四晶體管T4可以是各具有相同閾電壓和相同遷移率的鏡對稱晶體管(mirror-transistor)。
圖3B是根據(jù)第一實(shí)施例的圖3A中的像素電路的操作的定時(shí)圖。
參照圖3B，像素電路的操作包括編程步驟I和發(fā)光步驟II。在編程步驟I中，通過第一掃描線Sn1施加低電平信號，且通過第二掃描線Sn2施加高電平信號。由于低電平信號而使第一晶體管T1和第二晶體管T2導(dǎo)通，并且第三晶體管T3通過導(dǎo)通的第二晶體管T2而構(gòu)成二極管式連接，從而接收到來自第一晶體管T1的數(shù)據(jù)信號。即，第三晶體管T3的柵極和漏極通過導(dǎo)通的第二晶體管T2而彼此電連接。數(shù)據(jù)信號可以是電流Idata，并且可以通過數(shù)據(jù)線Dm匯集(sink)。第一電容器C1對與數(shù)據(jù)信號Idata相對應(yīng)的電壓(即，第三晶體管T3的閾電壓)和具有補(bǔ)償遷移率的電壓進(jìn)行存儲。
節(jié)點(diǎn)A的電壓VA由下面的公式2表示。
Idata=12K3(VA-Vdd-Vth)2---(1)]]>VA=Vdd+Vth-2IdataK3---(2)]]>當(dāng)通過第一掃描線Sn1施加低電平信號時(shí)，第五晶體管T5導(dǎo)通，從而第四晶體管T4的柵極和漏極構(gòu)成二極管式連接。第四晶體管T4的閾電壓被存儲在第二電容器C2中。節(jié)點(diǎn)B的電壓VB由下面的公式3表示。
VB＝Vdd+Vth接下來，在發(fā)光步驟II中，通過第二掃描線Sn2施加低電平信號，且通過第一掃描線Sn1施加高電平信號。被施加了該低電平信號的第六晶體管T6和第七晶體管T7導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)诹w管T6導(dǎo)通時(shí)，將存儲在第一電容器C1和第二電容器C2中的電壓按預(yù)定比率組合，并且將組合后的電壓施加至第四晶體管T4的柵極。
第一電容器C1存儲有與編程步驟I中施加的數(shù)據(jù)信號Idata相對應(yīng)的電壓，而第二電容器C2存儲有反映了編程步驟I中的第四晶體管T4的閾電壓的電壓。因此，將存儲在第一電容器C1和第二電容器C2中的電壓相組合(重新調(diào)整)，以使按預(yù)定比率對第三晶體管T3和第四晶體管T4的閾電壓和遷移率進(jìn)行反映。由于第一電容器C1和第二電容器C2彼此并聯(lián)連接，所以節(jié)點(diǎn)B的電壓VB由下面的公式4表示。

VA=Vdd+Vth-2IdataK3]]>當(dāng)將第一電容器C1和第二電容器C2的組合電壓施加至第四晶體管T4的柵極時(shí)，第四晶體管T4生成驅(qū)動電流Ids_T4，并且通過導(dǎo)通的第七晶體管T7將該驅(qū)動電流Ids_T4施加至OLED。
由第四晶體管T4生成的驅(qū)動電流Ids_T4由下面的公式5表示。
Ids-T4=12K4(VB-Vdd-Vth)2]]>將上述公式2(3)代入上述公式4，接著利用通過代入獲得的值對上述公式5進(jìn)行調(diào)整來獲得驅(qū)動電流Ids_T4。驅(qū)動電流Ids_T4由下面的公式6表示。
Ids-T4=K4K3(C1C1+C2)2Idata]]>(K3=μCoxWT3LT3,K4=μCoxWT4LT4)]]>其中，μ表示場效應(yīng)遷移率，Cox表示絕緣層的電容，W表示溝道寬度，而L表示溝道長度。
從上述公式6可見，把編程步驟I中施加的數(shù)據(jù)信號Idata降低至預(yù)定比率，則可以使降低的數(shù)據(jù)信號Idata流入OLED。
在現(xiàn)有技術(shù)中，低灰度級因低數(shù)據(jù)信號和寄生電容而不具有足夠的亮度。然而，由于根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路可以接收到足夠的數(shù)據(jù)電流，所以可以顯示低灰度級的亮度。
由于可通過第三晶體管T3和第四晶體管T4中的每一個(gè)的溝道寬度(W)與溝道長度(L)的比率(W/L)來確定流入OLED的電流，所以可以通過增大第三晶體管T3的W/L來減小輸入電流(即，數(shù)據(jù)信號Idata)與輸出電流(即，流入OLED的電流)的比率。
此外，可通過第一電容器C1與第二電容器C2的電容的比來確定流入OLED的電流。因此，像素電路被設(shè)計(jì)成通過對第一電容器C1和第二電容器C2的電容進(jìn)行控制來使得用作驅(qū)動晶體管的第四晶體管T4的特性最優(yōu)化。
圖4A是根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖。圖4B是根據(jù)第二實(shí)施例的圖4A中的像素電路的操作的定時(shí)圖。
參照圖4A和4B，根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路具有與根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路大致相同的構(gòu)造，除了將第一晶體管T1、第二晶體管T2、第五晶體管T5、第六晶體管T6以及第七晶體管T7的柵極共同連接至一條掃描線Sn以外。
第一晶體管T1、第二晶體管T2以及第五晶體管T5可以是P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管，而第六晶體管T6和第七晶體管T7可以是N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。因此，當(dāng)在編程步驟I中，通過掃描線Sn施加低電平信號時(shí)，第一晶體管T1、第二晶體管T2以及第五晶體管T5導(dǎo)通，使得將預(yù)定電壓存儲在第一電容器C1和第二電容器C2中。接著，當(dāng)在發(fā)光步驟II中，通過掃描線Sn施加高電平信號時(shí)，第一晶體管T1、第二晶體管T2以及第五晶體管T5截止，而第六晶體管T6和第七晶體管T7導(dǎo)通，使得將驅(qū)動電流施加至OLED。
由于在第二實(shí)施例中縮減了信號線的數(shù)量，所以有機(jī)發(fā)光顯示器的制造工藝簡化了并且確保了孔徑比。
圖5A和5B分別是根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖和操作定時(shí)圖。此外，圖5A是圖3A的互補(bǔ)電路圖。因此，圖5B例示的像素電路的操作與圖3B所例示的像素電路的操作的互補(bǔ)。
圖6A和6B分別是根據(jù)第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖和操作定時(shí)圖。此外，圖6A是圖4A的互補(bǔ)電路圖。因此，圖6B例示的像素電路的操作與圖4B所例示的像素電路的操作的互補(bǔ)。
參照圖5A和6A，連接至第一電容器C1和第二電容器C2的電極的第一電源線可以是負(fù)電源線VSS。OLED的陽極連接到作為正電源線的第二電源線VDD，并且OLED的陰極連接到第七晶體管T7的漏極。
圖7是流到根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管中的電流的仿真圖。
參照圖7，根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路被設(shè)計(jì)成使得第一電容器C1和第二電容器C2各具有150pF的電容，并且第三晶體管T3與第四晶體管T4的比率K3∶K4為4∶1。
曲線圖A示出了根據(jù)編程步驟中施加的數(shù)據(jù)信號Idata(即，輸入電流)而流入OLED的電流IOLED(即，輸出電流)。曲線圖B示出了輸入電流Idata與輸出電流IOLED的比率。
參照圖7，當(dāng)輸入電流Idata為大約21μA時(shí)，輸出電流IOLED為大約650nA。因此，根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路可以按照使輸入電流Idata與輸出電流IOLED之比為30∶1的方式對輸出電流IOLED進(jìn)行控制。
如上所述，根據(jù)這些實(shí)施例的像素電路可以通過對驅(qū)動晶體管的閾電壓和遷移率進(jìn)行補(bǔ)償來提高像素的亮度之間的一致性。而且，像素電路可對作為數(shù)據(jù)信號的輸入電流與流入OLED的輸出電流的比率進(jìn)行控制，由此充分地顯示低灰度級的亮度。
換言之，這些實(shí)施例增加了像素的亮度之間的一致性，并且提高了有機(jī)發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，該像素電路包括第一晶體管，該第一晶體管響應(yīng)于來自掃描線的選擇信號對來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送；第二晶體管，該第二晶體管響應(yīng)于來自所述掃描線的選擇信號對來自所述第一晶體管的所述數(shù)據(jù)信號進(jìn)行發(fā)送；第三晶體管，該第三晶體管通過所述第二晶體管而構(gòu)成二極管式連接，以發(fā)送所述數(shù)據(jù)信號；第一電容器，該第一電容器對來自所述第三晶體管的所述數(shù)據(jù)信號進(jìn)行存儲；第四晶體管，該第四晶體管生成驅(qū)動電流；第五晶體管，該第五晶體管采用二極管式連接結(jié)構(gòu)來連接所述第四晶體管的柵極和漏極，以響應(yīng)于來自所述掃描線的所述選擇信號對所述第四晶體管的閾電壓進(jìn)行存儲；第二電容器，該第二電容器存儲所述第四晶體管的所述閾電壓；第六晶體管，該第六晶體管響應(yīng)于來自所述掃描線的所述選擇信號向所述第四晶體管發(fā)送所述第一電容器和所述第二電容器的組合電壓，以生成所述驅(qū)動電流；第七晶體管，該第七晶體管對在所述第四晶體管中生成的所述驅(qū)動電流進(jìn)行發(fā)送；以及有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射與來自所述第七晶體管的所述驅(qū)動電流相對應(yīng)的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述第三晶體管和所述第四晶體管具有大致相同的閾電壓和相同的遷移率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其中，所述第三晶體管的溝道長度與溝道寬度之比不同于所述第四晶體管的溝道長度與溝道寬度之比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述掃描線包括第一掃描線和第二掃描線，其中，所述第一晶體管的柵極、所述第二晶體管的柵極以及所述第五晶體管的柵極共同連接到所述第一掃描線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其中，所述第六晶體管的柵極和所述第七晶體管的柵極共同連接至所述第二掃描線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其中，所述第一電容器的電極和所述第二電容器的電極連接至第一電源線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素電路，其中，當(dāng)通過所述第一掃描線施加低電平信號時(shí)，所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第五晶體管導(dǎo)通，所述第一電容器存儲與所述數(shù)據(jù)信號相對應(yīng)的電壓，并且所述第二電容器存儲所述第四晶體管的所述閾電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中，當(dāng)通過所述第二掃描線施加低電平信號時(shí)，所述第六晶體管和所述第七晶體管導(dǎo)通，并且所述第一電容器和所述第二電容器的組合電壓被施加到所述第四晶體管的柵極，使得所述第四晶體管生成驅(qū)動電流，并且所述第七晶體管將該驅(qū)動電流施加到所述有機(jī)發(fā)光二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述第一晶體管到所述第七晶體管是P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述第一晶體管的柵極、所述第二晶體管的柵極、所述第五晶體管的柵極、所述第六晶體管的柵極以及所述第七晶體管的柵極共同連接至所述掃描線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電路，其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第五晶體管是P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，而所述第六晶體管和所述第七晶體管是N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述第一電容器的電極和所述第二電容器的電極連接到第一電源線，該第一電源線是負(fù)電源線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路，其中，所述第一晶體管到所述第七晶體管是N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的像素電路，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極被連接至第二電源線，而所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極被連接至所述第七晶體管的一電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路，其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管以及所述第七晶體管共同連接到同一掃描線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素電路，其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第五晶體管是N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，而所述第六晶體管和所述第七晶體管是P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述數(shù)據(jù)信號是電流，并且該電流是通過所述數(shù)據(jù)線匯集的。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路。像素電路包括第一到第七晶體管、第一電容器、第二電容器以及有機(jī)發(fā)光二極管。第一電容器通過第一、第二以及第三晶體管來存儲數(shù)據(jù)信號，而第二電容器通過第五晶體管來存儲第四晶體管的閾電壓。存儲在第一和第二電容器中的電壓由第六晶體管加以組合，并且第四晶體管生成與存儲在第一和第二電容器中的電壓的組合電壓相對應(yīng)的驅(qū)動電流。第七晶體管發(fā)送該驅(qū)動電流，從而使有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射與該驅(qū)動電流相對應(yīng)的光。
文檔編號G09G3/30GK101075409SQ200710103880
公開日2007年11月21日 申請日期2007年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月18日
發(fā)明者李洪九, 鄭湘勳 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社