專利名稱：電潤(rùn)濕顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種電潤(rùn)濕顯示器(Electro-wetting Display)。
背景技術(shù)：
電潤(rùn)濕顯示器為近年來新發(fā)展的顯示器，其具有低
耗電、廣視角和高響應(yīng)速度等特點(diǎn)。因此，電潤(rùn)濕顯示
器非常適合應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品。
請(qǐng)參閱圖1,是 一 種現(xiàn)有技術(shù)電潤(rùn)濕顯示器顯示暗態(tài)
時(shí)的部分剖面示意圖。該電潤(rùn)濕顯示器1 0包括相對(duì)設(shè)置
的 一 第基板ll、 一第二基板12以和位于該第 一 基板1 1
與該第二基板1 2間的多個(gè)像素電極1 3、多個(gè)反射層14、
一斥水性絕緣層1 5 、 一第 一 流體1 6 、-一第二流體1 7和多
個(gè)隔絕墻1 8 。
該像素電極1 3由透明導(dǎo)電材質(zhì)制成，如氧化銦錫
(Indium Tin Oxide, ITO)或氧化錮鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)。該像素電極13鄰近該第二基板12設(shè)置。每一像素 電極1 3界定 一 <象素單元P ， 相鄰二像素單元P形成 一 間隙 131。每一反射層14設(shè)置于對(duì)應(yīng)像素單元P與第二基板12 之間。該反射層1 4可反射外界環(huán)境光，從而使該電潤(rùn)濕 顯示器1 0可利用外界環(huán)境光來顯示影像。
該斥水性絕緣層1 5由透明材質(zhì)制成。該斥水性絕緣 層1 5覆蓋該像素電極1 3和該間隙1 3 1 。
該多個(gè)隔絕墻1 8對(duì)應(yīng)該像素電極1 3的間隙1 3 1設(shè)置 在該斥水性絕緣層1 5的表面。該第二流體1 7填充于相鄰 的隔絕墻1 8之間。該第二流體1 7的材質(zhì)通常為黑色油墨。該第一 間，其
如水液。
該
潤(rùn)濕顯 體17層 元p 。 jH 吸收。
請(qǐng) 一 并參閱圖2 ，是 態(tài)時(shí)的部分剖面示意圖。 施力n電壓，使該第二流缽 該第 一 流體1 6與該斥水性 時(shí)，外界環(huán)境光線照射到 反射后射出該電潤(rùn)濕顯示
由于該反射層14的及 射光線經(jīng)該反射層1 4反射 反射光線的反射角變化范 示器10顯示影像的視角較
說明書第2/9頁
1 1之
,例 合溶
該電 二流 素單
體17
潤(rùn)、、曰 /業(yè)顯示器10顯示亮
體1 6與該像素電極13
鄰的隔絕墻1 8 ，從而
的部分表面接觸此
14，并經(jīng)該反射層14
平面相同方向的入
光線的出射方向相同， 容易導(dǎo)致該電潤(rùn)濕顯
流體1 6填充于該第二流體1 7與該第 一 基板 是與該第二流體1 7互不相溶的透明導(dǎo)電液體 、 鹽溶液、溶有氯化鉀(kc1)的水與乙醇的混
第 一 流體1 6與該像素電極1 3未施力口電壓時(shí)， 示器1 0呈暗態(tài)。此時(shí)，該第 一 流體1 6與該第 疊設(shè)置，且該第二流體1 7遮蔽與其相應(yīng)的像 ,時(shí)，照射到該第二流體1 7的光線#L該第二流
圖1所示電 該第 一 流 -17移向相 .絕緣層1 5 該反射層 器10。 .射面是一 后，反射二 ,圍較小， 小。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中電潤(rùn)濕顯示器視角較小的問 題，本發(fā)明提供 一 種可增大視角的電潤(rùn)濕顯示器。
一種電潤(rùn)濕顯示器，其包括 一 第 一 基板、 一 與該第 一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、 一 設(shè)置于該第 一 基板與該 第二基板之間的第 一 流體、第二流體和 一 設(shè)置于該第二 基板表面的薄膜晶體管層。該薄膜晶體管層包括多個(gè)反 射單元，每一反射單元包括一表面凸凹不平的反射層。
一種電潤(rùn)濕顯示器，其包括 一 第 一 基板、 一 與該第 一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、 一設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間的第 一 流體、第二流體和 一 設(shè)置于該第二 基板表面的薄膜晶體管層。該薄膜晶體管層包括多個(gè)反 射單元，每 一 反射單元包括 一 反射層。外部環(huán)境光線照 射到該反射層，相同方向的入射光線經(jīng)該反射層反射后， 形成不同反射角的反射光線。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電潤(rùn) 層，相同方向的入射光線照射到該 反射角的反射光線。因此，使用者 到該電潤(rùn)濕顯示器顯示的圖像，從 示器的視角。


圖1是 一 種現(xiàn)有技術(shù)電潤(rùn)濕顯 分剖面示意圖。
圖2是圖1所示電潤(rùn)濕顯示器顯
示意圖。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的 態(tài)時(shí)的部分剖面示意圖。
圖4是圖3所示電潤(rùn)濕顯示器的 素單元的俯#見圖。
圖5是圖4所示第 一 、第二薄膜晶體管沿V-V線的剖面 放大示意圖。
圖6是圖4所示像素單元沿VI-VI線的剖面放大示意圖。
圖7是本發(fā)明電潤(rùn)濕顯示器的第二實(shí)施方式的部分 結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是本發(fā)明電潤(rùn)濕顯示器的第三實(shí)施方式的部分 結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
、、曰 /業(yè) 反 可 而曰 射 以 增示 層 從 大器 后 不 了包 同 該括 形 方 電成 向 潤(rùn)反 不 觀 、、曰 /業(yè)射 同 察 顯
示器曰示暗態(tài)時(shí)的部
示亮態(tài)時(shí)的部分剖面
電潤(rùn)濕顯示器顯示暗
薄膜曰 曰曰體管層的一 —像請(qǐng)參閱圖3 ，是本發(fā)明第 一 實(shí)施方式的電潤(rùn)濕顯示器 顯示暗態(tài)時(shí)的部分剖面示意圖。該電潤(rùn)濕顯示器2 0包括 相對(duì)設(shè)置的一第一基板21、一第二基板22以和位于該第 一基板21與該第二基板22間的 一 薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)層23、 一斥水性絕緣層24、 一第一流體 2 5、 一第二流體2 6和多個(gè)隔絕墻2 7 。
該第 一 、第二基板2 1 、 22均是透明基板。該薄膜晶 體管層23設(shè)置于該第二基板22表面
該斥水性絕緣層24由透明材質(zhì)制成，如斥水性的透 明非晶態(tài)含氟聚合物，本實(shí)施方式中為AF 1 600 。該斥水 性絕緣層24覆蓋該薄膜晶體管層23 。
該隔絕墻2 7 i殳置在該斥水性絕纟彖層2 4的表面。相 鄰隔絕墻2 7之間形成 一 收容空間(未標(biāo)示)。該薄膜晶體 管層23包括多個(gè)像素單元P，每一像素單元P與一收容 空間對(duì)應(yīng)。該像素單元P包括 一 薄膜晶體管區(qū)P 1和 一 像 素區(qū)域P2。
該第二流體2 6填充于相鄰的隔絕墻2 7形成的收容 空間。該第二流體2 6的材質(zhì)通常為不透明的彩油或類似 十六烷的烷烴，本實(shí)施方式中為黑色油墨。該第 一 流體 2 5填充于該第二流體2 6與該第 一 基板2 1之間，其是與 該第二流體2 6互不相溶的透明導(dǎo)電液體，例如水、鹽 溶液、溶有氯化鉀(KC1)的水與乙醇的混合溶液。
請(qǐng)參閱圖4 , 是圖3所示電潤(rùn)濕顯示器20的薄膜晶 體管層23的一^f象素單元P的俯視圖。該像素單元P包括 相互平行的第 一 、第二掃描線3 0、 31、 一平行于該第二 掃描線3 1的公共線3 2、 二相互平行且分別與該第 一 、第 二掃描線 3 0、 31、該公共線 32絕緣垂直相交的資料線 33。 該公共線32設(shè)置于該第一、第二掃描線30、 31之 間且鄰近該第二掃描線3 1。該公共線3 2、 該第二掃描線3 1和該二數(shù)據(jù)線3 3界 定該像素單元P的薄膜晶體管區(qū)P 1 。該第 一 掃描線3 0、 該公共線3 2和該二數(shù)據(jù)線3 3界定該像素單元P的像素 區(qū)域P2 。該薄膜晶體管區(qū)P 1包括 一 第 一 薄膜晶體管34 、 一第二薄膜晶體管3 5和 一 存儲(chǔ)電容3 6 。 該像素區(qū)域P2 包括一穿透區(qū)37和多個(gè)反射單元(未標(biāo)示)，該多個(gè)反射 單元間隔設(shè)置于該像素區(qū)域P2 , 該穿透區(qū) 3 7形成于相 鄰反射單元之間。在本實(shí)施方式中，該像素區(qū)域P2包括 六個(gè)反射單元，該六個(gè)反射單元呈兩欄對(duì)稱排布，設(shè)其 中一欄反射單元依次為第一反射單元381、第二反射單元 3 82和第三反射單元3 83 。
請(qǐng) 一 并參閱圖5 ,是圖4所示第 一 、第二薄膜晶體管 34 、 3 5沿V-V線的剖面放大示意圖。該第 一 薄膜晶體管 34包括 一 第 一 柵極34 1 、 一第 一 絕緣層342 、 一第 一 半導(dǎo) 體層343 、 一第 一 源極344、 一第 一 漏極345和 一 第二絕 緣層3 4 6 。該第二幕膜晶體管35包括 一 第二柵極351、 一第二半導(dǎo)體層353、一第二源極354和一第二漏極355。
該第一、第二柵極341、 351平行設(shè)置于該第二基板 22上，且分別與該第二掃描線3 1相連。該第 一 絕緣層 3 4 2覆蓋該第 一 柵極3 4 1,并延伸覆蓋該第二柵極3 5 1。 該第一半導(dǎo)體層343對(duì)應(yīng)該第一柵極341設(shè)置于該第一 絕緣層342上。該第二半導(dǎo)體層353對(duì)應(yīng)該第二柵極351 設(shè)置于該第 一 絕緣層342上。該第 一 源極344與該第一 漏極345相對(duì)設(shè)置，且分別與該第 一 半導(dǎo)體層343部分 交疊，該第 一 源極344與 一 資料線33相連。該第二源極 3 5 4是由該第 一 漏極3 4 5延伸形成，其與該第二漏極3 5 5 亦相對(duì)設(shè)置。該第二源極3 5 4和該第二漏極3 5 5分別與 該第二半導(dǎo)體層353部分交疊。該第二絕緣層346覆蓋 該第 一 源極3 4 4 、該第 一 漏極345， 并延伸覆蓋該第二源
8極3 5 4和該第二漏極3 5 5 。
請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D6,是圖4所示像素單元P沿VI-VI 線的剖面放大示意圖。該存儲(chǔ)電容3 6包括 一 第 一 沉積層 361、 一第三絕緣層362 、 一導(dǎo)電層363 、 一第四絕緣層 364和一像素電極365。
該第一反射單元381包括一第二沉積層3 8 4 、一第五
絕緣層3 85 、 一第三半導(dǎo)體層3 86 、一第 一 反射層3 87和
一第絕緣層3 8 8 。
該第二反射單元382包括一第三沉積層3 8 9、一第七
絕緣層390、 一第二反射層391和一第八絕緣層3 92。
該第三反射單元383包括一第四沉積層3 9 3 、一第九
絕緣層394、 一第四半導(dǎo)體層3 95 、一第三反射層3 96和
一第十絕緣層3 9 7 。
該第一、第二、第三和第四沉積層3 6 1 、 3 8 4、3 89 、
393間隔設(shè)置于該第二基板22上，其材質(zhì)與該第一薄膜
晶體管34的第一柵極341、該第二薄膜晶體管3 5的第二
柵極 35 1 的材質(zhì)均相同，該材質(zhì)可為鋁(Aluminum, Al) 或鋁釹(Aluminum-Neodymium, AlNd)合金。該第一、第 二、第三和第四沉積層361、 384、 389、 393與該第一薄 膜晶體管3 4的第 一 柵極3 4 1和該第二薄膜晶體管3 5的 第二柵極3 5 1由同 一 道光罩制程形成。該第 一 沉積層3 6 1 由該共線3 2部分向該第二掃描線3 1方向延伸形成。
該第三、第五、第七和第九絕緣層362、 3 85 、 390 、 394分別覆蓋該第一、第二、第三和第四沉積層361、 384、 389、 393, 且分別與該第二基板22部分交疊。該第三、 第五、第七和第九絕緣層362、 385、 390、 394與該第一 薄膜晶體管34的第 一 絕緣層342的材質(zhì)相同，且均由同 一道光罩制程形成。
該第三、第四半導(dǎo)體層386、395分別設(shè)置于該第五、第九絕緣層3 85 、 394的表面，且與該第 一 薄膜晶體管34 的第一半導(dǎo)體層343 、該第二薄膜晶體管35的第二半導(dǎo) 體層353的材質(zhì)相同。該第一、第二、第三、第四半導(dǎo) 體層343 、 3 53 、 386、 3 9 5由同 一 道光罩制程形成。
該第二沉積層3 8 4 、該第五絕緣層3 8 5和該第三導(dǎo)體 層386整體形成一表面呈臺(tái)階狀的凸塊(未標(biāo)示)。該三沉 積層389和該第七絕緣層390亦整體形成一表面呈臺(tái)階 狀的凸塊(未標(biāo)示)。該第四沉積層393 、該第九絕纟彖層3 94 和該第四導(dǎo)體層395亦整體形成一表面呈臺(tái)階狀的凸塊 (未標(biāo)示)。
該存儲(chǔ)電容36的導(dǎo)電層3 63由該第二薄膜晶體管3 5 的第二漏極355延伸形成。該導(dǎo)電層363覆蓋于該第三 絕緣層3 6 2的表面。該第 一 、第三反射層3 8 7 、 3 9 6分別 覆蓋該第三、第四半導(dǎo)體層386、 395，且分別與該第五、 第九絕緣層385、 394部分交疊，該第二反射層391設(shè)置 于該第七絕緣層390的表面，即該第 一 、第二 、第三反 射層387、 391、 396分別沿著其對(duì)應(yīng)的臺(tái)階狀凸塊的表 面設(shè)置。因此，該第一、第二和第三反射層387、 391、 396表面亦呈臺(tái)階狀。該第一、第二和第三反射層3 87 、 39 1、 396 的材質(zhì)均相同，該材質(zhì)可為鉬 (Molybdenum) 或鋁-鎳-鑭(Al-Ni-La)合金。該第一、第二和第三反射層 3 87 、 391、 396 亦可為鋁/鉬多層金屬結(jié)構(gòu)或鈦/鋁/鈦多 層金屬結(jié)構(gòu)。該第一、第二、第三反射層387、 391、 396、 該存儲(chǔ)電容36的導(dǎo)電層363 、該第 一 薄膜晶體管34的第 一源極3 44、第 一 漏極345和該第二薄膜晶體管3 5的第 二源極3 5 4 、第二漏極3 5 5均由同 一 道光罩制程形成。
該第四、第六、第八、第十絕緣層364、 3 8 8 、 3 92 、 397分別覆蓋該存儲(chǔ)電容36的導(dǎo)電層363、 該第一、第 二、第三反射層3 87、 391、 396。該第六、第八、第十絕緣層364、 3 88 、 392、 3 9 7為透光絕緣層其與該第 一 薄膜 晶體管34的第二絕緣層346由同 一 道光罩制程形成。
該像素電極3 6 5覆蓋該第四、第六、第八、第十絕 緣層 364 、 3 88 、 392 、 397和該穿透區(qū) 37。 該4象素電極 365藉由一接觸窗366與該存儲(chǔ)電容36的導(dǎo)電層363接 觸。該像素電極3 64由透明導(dǎo)電材質(zhì)制成，如氧化銦錫 或氧化銦鋅。
該第 一 流體2 5與該像素電極3 6 5間施力口電壓，使該 第二流體 2 6移向該薄膜晶體管區(qū) P 1 , 從而該第 一 流體
2 5與該斥水性絕緣層2 4的部分表面接觸。此時(shí)，該電潤(rùn) 濕顯示器20的背光(圖未示)藉由該穿透區(qū)37穿過該薄膜 晶體管層23 。同時(shí)，外界環(huán)境光線照射到該像素區(qū)域P2 的反射單元。相同方向的入射光線經(jīng)該反射單元的臺(tái)階 狀反射層反射后，形成不同反射角的反射光線，且該反 射角的變化范圍較大。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電潤(rùn)濕顯示器2 0的反射單 元的反射層呈臺(tái)階狀，當(dāng)外界光線照射到該反射層時(shí)， 相同方向的入射光線形成不同的反射角，且該反射角的 變化范圍較大。因此，使用者可以從不同方向觀察到該 電潤(rùn)濕顯示器2 0顯示的圖像，從而增大了該電潤(rùn)濕顯示 器20的視角。該反射單元與該第一、第二薄膜晶體管34、
3 5由同 一 制程形成，不需要額外的光罩制程，因此，該 電潤(rùn)濕顯示器2 0的制程簡(jiǎn)單。該反射單元的反射層和該 反射層對(duì)應(yīng)的沉積層不與其它電極電性連接，因此該反 射單元不會(huì)形成額外的電容效應(yīng)。
請(qǐng)參閱圖7 ，是本發(fā)明電潤(rùn)濕顯示器的第二實(shí)施方式 的部分結(jié)構(gòu)示意圖。該電潤(rùn)濕顯示器40與第一實(shí)施方式 的電潤(rùn)濕顯示器20的區(qū)別在于像素電極465的材質(zhì)為 鋁、鈦或含鋁合金，該電潤(rùn)濕顯示器4 0是 一 反射式電潤(rùn)濕顯示器。
請(qǐng)參閱圖8 ，是本發(fā)明電潤(rùn)濕顯示器的第三實(shí)施方式 的結(jié)構(gòu)示意圖。該電潤(rùn)濕顯示器50與第一實(shí)施方式的電 潤(rùn)濕顯示器3 0的區(qū)別在于第 一 反射單元的第五、第六 絕緣層分別由該存儲(chǔ)電容的第三、第四絕緣層延伸形成。
于該存儲(chǔ)電容與該第一反射單元的間，該像素電極覆蓋
該第二、第四絕緣層的延伸部，從而增加該像素電極表
面的凸凹程度。
本發(fā)明的特征不僅可應(yīng)用于上述的實(shí)施方式，更可
依需求而作適當(dāng)應(yīng)用上的變更。例如該第三反射單元
383亦可不包括該第四沉積層3 9 3,使該第 、第二、第
三反射單元 38 1、 382 、3 8 3形成不同的高度，從而相同
方向的入射光線經(jīng)過該反射單元反射后，反射角變化';巳
圍更大當(dāng)該像素電極為反射層時(shí)該透區(qū)亦可保留
絕緣層進(jìn) 一 步增力口該像素電極表面的凸凹程度該反
射單元的位置、數(shù)目、形狀和大小亦可隨才;l酉己置，并不
限于上述實(shí)施方式所述
權(quán)利要求
1. 一種電潤(rùn)濕顯示器，其包括一第一基板、一與該第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、一設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間的第一流體、第二流體和一設(shè)置于該第二基板表面的薄膜晶體管層，該薄膜晶體管層包括多個(gè)反射單元，其特征在于每一反射單元包括一表面凸凹不平的反射層。
2 .如權(quán)利要求1所述的電潤(rùn)濕顯示器，其特征在于二該反射層呈臺(tái)階狀。
3.利要求1所述的電潤(rùn)濕顯示器，其特征在于該反射層的材質(zhì)為鉬或鋁-鎳-鑭合金。
4 .如權(quán)利要求1所述的電潤(rùn)濕顯示器，其特征在于每反射單元還包括 一 沉積層和 一 絕緣層該沉積層設(shè)置于該第二基板表面，該絕緣層覆蓋該沉積層，且與該第二基板部分交疊，該反射層設(shè)置于該絕緣層表面'
5 .如權(quán)利要求1所述的電潤(rùn)濕顯示器，其特征在于二每反射單元還包括 一 沉積層、 一 絕緣層和--半導(dǎo)體層，該沉積層設(shè)置于該第二基板表面，該絕緣層覆蓋該沉積層且與該第二基板部分交疊，該半導(dǎo)體層設(shè)置于該絕緣層表面，該反射層覆蓋該半導(dǎo)體層，且與該絕緣層部分交疊。
6 .如權(quán)利要求1所述的電潤(rùn)濕顯示器，其特征在于二該薄膜晶體管層包括多個(gè)像素單元，每一像素單元包括相互平行的一第 一 掃描線、 一 第二掃描線、一公共線和分別與該第一 、第二掃描線、該公共線絕緣垂直相交的二數(shù)據(jù)線，該公共線鄰近該第二掃描線設(shè)置, 該二數(shù)據(jù)線、該公共線和該第 一 掃描線界定 一 像素區(qū)域，該多個(gè)反射單元間隔設(shè)置于該像素區(qū)域，相鄰的反射單元界定穿逸區(qū)。
7 .如權(quán)利要求6所述的電潤(rùn)、'曰 /業(yè)顯示器5其特征在于二該薄膜晶體管層還包括一像素電極該像素電極覆該多個(gè)反射單元和該反射單元界定的穿透區(qū)該像素電極的材質(zhì)為鋁、鈥或含鋁合金該電潤(rùn)、、曰 /亞顯示器是一全反射式電潤(rùn)濕顯示器。
8 .如權(quán)利要求6所述的電潤(rùn)、、曰 /業(yè)顯示器其特征在于二該薄膜晶體管層還包括一像素電極，該像素電極覆該多個(gè)反射單元和該反射單元界定的穿透區(qū)該像素電極的 穿材 半質(zhì)為氧化銦錫或氧化 反式電潤(rùn)濕顯示器。銦鋅該電潤(rùn)、、曰 /業(yè)曰 旦示器是-半
9 .如權(quán)利要求6所述的電潤(rùn)、、曰 /業(yè)曰 乂示器，其特征在于二該二數(shù)據(jù)線、該公共線和該第二掃描線界定一薄膜曰 曰曰體管區(qū)，該薄膜晶體管區(qū)包括第薄膜曰 曰曰體管、一第二薄膜晶體管和 一 存儲(chǔ)電容，該反射層輿該第一、第二薄膜曰 曰曰體管的源極、漏極的材質(zhì)相同，且由同道光罩制程形成o
10 . —種電潤(rùn)濕顯示器，其包括一第基板、與該第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、一設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間的第 一 流體、第二流體和一設(shè)置于該第二基板表面的薄膜晶體管層該薄膜曰 曰曰體管層包括多個(gè)反射單元，每一反射單元包括反射層其特征在于 夕卜部環(huán)境光線照射到該反射層相同方向的入射光線經(jīng)該反射層反射后，形成不同反射角的反射光線
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電潤(rùn)濕顯示器。該電潤(rùn)濕顯示器包括一第一基板、一與該第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、一設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間的第一流體、第二流體和一設(shè)置于該第二基板表面的薄膜晶體管層。該薄膜晶體管層包括多個(gè)反射單元，每一反射單元包括一表面凸凹不平的反射層。
文檔編號(hào)G09F9/37GK101430421SQ20071012428
公開日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2007年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月7日
發(fā)明者陳俊名 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司