專利名稱：等離子體顯示器及其電壓生成器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器及其電壓生成器。
技術(shù)背景等離子體顯示器包括使用由氣體放電過程產(chǎn)生的等離子體來(lái)顯示字符或者圖像的等離子體顯示板(PDP)。取決于它的尺寸，PDP包括排列在矩陣圖案 中的幾十到數(shù)百萬(wàn)以上的像素。這種等離子體顯示器的一幀可以被分成具有權(quán)重值的多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子 場(chǎng)可以包括復(fù)位期、尋址期和維持期。復(fù)位期可以初始化每個(gè)放電室 (discharge cell)以便利對(duì)放電室的尋址操作。尋址期可以選擇導(dǎo)通放電室 (turn-on cell) /關(guān)斷放電室(turn-off cdl)(即，待導(dǎo)通或者待關(guān)斷的放電室)。 維持期可以令放電室要么繼續(xù)放電以在被尋址的放電室上顯示圖像要么保持 非;敫活狀態(tài)(inactive )。在復(fù)位期期間，為了初始化放電室的狀態(tài)，掃描電極的電壓可以逐漸增 加到Vset電壓，并且可以逐漸降低到Vnf電壓。在尋址期期間，具有掃描電 壓VscL的掃描"永沖和具有Va電壓的尋址脈沖可以分別^皮施加到導(dǎo)通放電室 的掃描電極和尋址電極。 一般說來(lái)，所述VscL電壓和Vnf電壓可以是相等 的。因此，由于在Vnf電壓等于VscL電壓時(shí)可能不能適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生尋址放電， 因此可能會(huì)產(chǎn)生低放電(low discharge)。另外，當(dāng)提高尋址電壓電平以防止 低放電時(shí)，在關(guān)斷放電室中可能產(chǎn)生尋址放電，從而造成誤點(diǎn)火(misfiring)。在該背景技術(shù)部分公開的上述信息只是用于增強(qiáng)對(duì)發(fā)明背景的理解，因 此它可能包含不構(gòu)成在本國(guó)家內(nèi)對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是已知的現(xiàn)有 技術(shù)的信息。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明致力于提供一種等離子體顯示器及其電壓生成器，其基本 上克服了由相關(guān)領(lǐng)域的限制和缺點(diǎn)所帶來(lái)的 一個(gè)或多個(gè)問題。
因此本發(fā)明實(shí)施例的特征在于提供一種用于防止低放電的等離子體顯示器。因此本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征在于提供一種電壓生成器，其減少了等 離子體顯示器中用于防止低放電的電源的數(shù)量。本發(fā)明的上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少 一個(gè)可以通過提供一種包括 掃描電極、電源、第一晶體管、第一電阻和第二電阻的等離子體顯示器來(lái)實(shí) 現(xiàn)。電源可以將掃描電壓提供給掃描電極。第一晶體管可以具有電連接到掃 描電極的第 一 電極和電連接到電源的第二電極。第 一 電阻可以電連接在第一 晶體管的掃描電極和控制電極之間。第二電阻可以電連接在晶體管的控制電 極和電源之間。這里，第一晶體管的第一電極處的電壓可以是高于掃描電壓 的第 一 電壓，而第 一 電壓是在復(fù)位期期間最后施加于掃描電極的終止電壓。另外，該等離子體顯示器還可以包括電連接在第一晶體管的第二電極和 電源之間的第二晶體管。這里，第二晶體管可以用作斜坡開關(guān)，并且當(dāng)所述 第二晶體管導(dǎo)通時(shí)，在復(fù)位期期間，掃描電極處的電壓可以逐漸減小到高于所述掃描電壓的第 一 電壓。等離子體顯示器還可以包括電連接在掃描電極和電源之間的第三晶體 管，并且當(dāng)?shù)谌w管導(dǎo)通時(shí)掃描電壓可以被施加于掃描電極。另外，第一和第二電阻中的至少一個(gè)可以是可變電阻，例如，可以是根 據(jù)溫度變化的可變電阻。以產(chǎn)生高于第一電壓的第二電壓。所迷示例性電壓生成器可以包括晶體管、 第一電阻和第二電阻。晶體管可以具有電連接到電源的第一電極。第一電阻 可以電連接在晶體管的第 一 電極和晶體管的控制電極之間。第二電阻可以電 連接在晶體管的控制電極和晶體管的第二電極之間。第二電壓可以是在第一 晶體管的第二電極處產(chǎn)生的。另外，第一和第二電阻中的至少一個(gè)可以是可變電阻，例如，可以是根 據(jù)溫度變化的可變電阻。第 一 電壓可以是施加于等離子體顯示器的掃描電極的掃描電壓，而第二 電壓可以是在等離子體顯示器的復(fù)位期期間最后施加的終止電壓。


通過參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，將使本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員而言變得更加顯而易見，附圖中 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的配置的示意圖； 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形； 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的示意圖； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第 一示例性實(shí)施例的AV電壓生成器的示意圖；置；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的AV電壓生成器的示意圖；和 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器的示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，在所述附圖中示出了本發(fā)明的 示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以依照多種不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該 將本發(fā)明看作是局限于本文所示出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例僅僅 是為了使此公開內(nèi)容全面并且完整，并且將本發(fā)明的范圍充分傳遞給本領(lǐng)域 技術(shù)人員。貫穿附圖，相同的參考標(biāo)記始終指示相同的元件。貫穿本說明書和隨后的權(quán)利要求書，當(dāng)描述到元件被"連接"到另 一個(gè)元 件時(shí)，所述元件可以是"直接連接"到另一個(gè)元件或者通過第三元件"電連接" 到另一個(gè)元件。另外，除非明確地給出相反說明，否則單詞"包括"將被理解 為暗指包含所述元件但不排除任何其它元件。另夕卜，如下說明書中提到的壁電荷指的是在接近于放電室的電極的壁(例 如，介電層)上形成和累積的電荷。壁電荷將被描述為"形成"或者"累積" 在電極上，盡管壁電荷實(shí)際不接觸電極。而且，壁電壓指的是由壁電荷在放 電室的壁上形成的電勢(shì)差。當(dāng)說明書中描述到電壓被維持時(shí)，不應(yīng)該被理解為嚴(yán)格地暗指電壓被精 確地維持在預(yù)定電壓。相反，即使兩點(diǎn)之間的電壓差發(fā)生變化，在所述變化 在設(shè)計(jì)約束允許的范圍之內(nèi)的情況下，或者在所述變化是由于通常被本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員忽略的寄生元件引起的情況下，所述電壓差也被表示為被維持 在預(yù)定電壓。另外，由于半導(dǎo)體元件(例如，晶體管和二極管)的闊值電壓與放 電電壓相比非常低，所以它們被認(rèn)為是OV?，F(xiàn)在參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器、和驅(qū)動(dòng) 方法及其電壓生成器。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器配置的示意圖。如圖l所示，等離子體顯示器可以包括等離子體顯示板(PDP)100、控制器 200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、以及維持電極驅(qū)動(dòng)器500。PDP lOO可以包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電招Al到Am，以及在行方 向上延伸的多個(gè)成對(duì)的維持電極Xl到Xn和掃描電極Yl到Y(jié)n。維持電^1X1到 Xn可以分別對(duì)應(yīng)于掃描電極Yl到Y(jié)n而形成，并且維持電極X1到Xn的末端共 同連接。另外，PDP lOO可以包括具有維持電極Xl到Xn和掃描電極Yl到Y(jié)n 的第一基板(未示出)，和具有尋址電極Al到Am的第二基板(未示出)。這兩個(gè) 基板可以設(shè)置為彼此相對(duì)，在它們之間具有放電空間，以使掃描電極Yl到Y(jié)n 和維持電極Xl到Xn可以與尋址電極Al到Am交叉。這里，在尋址電極與X電 極和Y電極的交叉區(qū)域提供的放電空間可以構(gòu)成放電室。PDP IOO只是示例， 而本發(fā)明的實(shí)施例可以使用其它配置的PDP?？刂破?00可以接收外部視頻信號(hào)，并可以輸出尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、維持 電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。另外，控制器200可以將一幀劃 分為多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)可以順序地具有復(fù)位期、尋址期和維持期。從控制器200接收到尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)之后，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以將 用于選擇要被顯示的放電室的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到各個(gè)尋址電極A1到Am。 維持電極驅(qū)動(dòng)器500可以從控制器200接收維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并可以將 驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電極Xl到Xn。掃描電極驅(qū)動(dòng)器400可以從控制器200接收 掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并可以將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Y1到Y(jié)n?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D2描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng) 波形。圖2示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形 的圖。為方便描述起見，現(xiàn)在將描述施加于構(gòu)成一個(gè)放電室的掃描電極(在下 文中稱為"Y電極")、維持電極(在下文中稱為"X電極")、和尋址電極(在 下文中稱為"A電極")的驅(qū)動(dòng)波形。如圖2所示，子場(chǎng)可以包括復(fù)位期、尋址期和維持期，并且復(fù)位期可以包 括上升期和下降期。
在復(fù)位期的上升期期間，當(dāng)A電極和X電極可以維持在基準(zhǔn)電壓(圖2中的 0V)時(shí)，Y電極處的電壓可以逐漸從Vs電壓增大到Vset電壓。在圖2中，Y電極 處的電壓是以斜坡形式增大的。當(dāng)Y電極處的電壓增大時(shí)，會(huì)在Y電極和X電 極之間、以及Y電極和A電極之間發(fā)生弱放電。因此，可能在Y電極上形成(-) 壁電荷，并且可能在X電極和A電極上形成(+)壁電荷。當(dāng)Y電極的電壓逐漸如 圖2所示變化時(shí)，在放電室中發(fā)生的弱放電可以形成壁電荷，以使得外加電壓 和壁電荷的和可以維持在放電點(diǎn)火電壓。美國(guó)專利No. 5,745,086中公開了形 成壁電荷的這種過程。Vset電壓可以足夠高以點(diǎn)火任何狀態(tài)的放電室中的放 電，因?yàn)槊總€(gè)放電室將會(huì)在復(fù)位期中被初始化。另外，Vs電壓可以等于在維 持期期間施加于Y電極的電壓，并且可以低于用于點(diǎn)火Y電極和X電極之間的 ;故電的電壓。在復(fù)位期的下降期期間，Y電極處的電壓可以從Vs電壓逐漸減小到負(fù)電 壓Vnf，同時(shí)A電極可以維持在基準(zhǔn)電壓，并且X電極被偏置到Ve電壓。當(dāng)Y 電極的電壓減小時(shí)，會(huì)在Y電極和X電極之間、以及Y電極和A電極之間發(fā)生 弱放電。因此，在Y電極上形成的負(fù)(-)壁電荷以及在X電極和A電極上形成的 正(+)壁電荷可以被消除。 一般說來(lái)，Vnf電壓通常被設(shè)定為接近于Y電極和X 電極之間的放電點(diǎn)火電壓。然后，Y電極和X電極之間的壁電壓可以接近OV， 并且因此可以防止在尋址期期間沒有經(jīng)歷尋址放電的放電室在維持期期間被 誤點(diǎn)火(Y電極和X電極之間的誤點(diǎn)火)。當(dāng)A電極被維持在基準(zhǔn)電壓時(shí)，Y電極 和A電極之間的壁電壓可以由Vnf電壓確定。隨后，在尋址期期間，負(fù)電壓VscL的掃描^c沖和正電壓Va的尋址樂p中可 以分別施加于Y電極和A電極，以選擇導(dǎo)通放電室，而X電極可以維持在Ve電 壓。未選擇的Y電極可以被偏置在高于電壓VscL的電壓VscH，并且基準(zhǔn)電壓 可以被施加到關(guān)斷放電室(即要被關(guān)斷的放電室)的A電極。被選擇的Y電極可 以接收VscL電壓并且被選擇的A電極可以接收Va電壓，這導(dǎo)致在所選的放電 室中產(chǎn)生尋址放電。因此，可以在所選的放電室的Y電極上形成(+)壁電荷， 并且可以X電極和A電極上形成(-)壁電荷。對(duì)于這種操作，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400 可以在掃描電極Y1到Y(jié)n當(dāng)中選擇接收掃描電壓VscL的掃描脈沖的Y電極。例 如，在單個(gè)驅(qū)動(dòng)方法中，可以按照在垂直方向上掃描電極Yl到Y(jié)n的排列次序 選擇Y電極。當(dāng)選擇了一個(gè)Y電極時(shí)，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以在所選Y電極上 形成的放電室當(dāng)中選擇導(dǎo)通放電室。也就是說，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以在尋址電極A 1到Am當(dāng)中選擇可以向其施加Va電壓的尋址脈沖的A電極。更加詳細(xì)地，當(dāng)VscL電壓的掃描脈沖被施加到第 一行的掃描電極(圖1中 的Y1)時(shí)，Va電壓的尋址脈沖可以被施加于位于第一行的導(dǎo)通放電室上的A電 極。然后，可以在第一行的Y電極和接收Va電壓的A電極之間產(chǎn)生放電。因此， 可以在Y電極上形成(+)壁電荷，并且可以在A電極和X電極上形成(-)壁電荷。 因此，可以在Y電極和X電極之間形成壁電壓Vwxy，以^吏得Y電極的電勢(shì)高于 X電極的電勢(shì)。隨后，當(dāng)VscL電壓的掃描脈沖被施加到第二行的Y電極(圖l中 的Y2)時(shí)，Va電壓的尋址脈沖可以被施加于位于第二行的導(dǎo)通放電室上的A電 極。然后，在由接收Va電壓的A電極和第二行的Y電極形成的放電室中可以產(chǎn) 生尋址放電，并且在如上所述的放電室中可以形成壁電荷。以類似的方式， 當(dāng)VscL電壓的掃描脈沖被順序地施加于剩余行的Y電極時(shí)，Va電壓的尋址脈 沖可以施加于設(shè)置在導(dǎo)通放電室上的A電極，以形成壁電荷。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的掃描電壓VscL可以比Vnf電壓低AV電壓，所 述Vnf電壓是在復(fù)位期期間施加于Y電極的終止電壓(final voltage)?，F(xiàn)在將 解釋為什么當(dāng)施加低于Vnf電壓的掃描電壓VscL并施加Va電壓時(shí)在放電室中 可以產(chǎn)生尋址放電，以及為什么防止了低放電。在復(fù)位期期間，當(dāng)Vnf電壓也就是終止電壓被施加到Y(jié)電極時(shí)，A電極與 Y電極之間的壁電壓和A電極與Y電極之間外部施加的Vnf電壓的和可以^皮設(shè) 置為A電極和Y電極之間的放電點(diǎn)火電壓Vfay 。當(dāng)在尋址期期間將掃描電壓VscL施加到Y(jié)電極并且將O V施加到A電極時(shí) 可以產(chǎn)生放電，因?yàn)樵贏電極和Y電極之間形成了高于Vfay電壓的電壓。然而， 在上述情況中，由于放電延遲可能長(zhǎng)于掃描脈沖和尋址脈沖的寬度，所以可 能不會(huì)產(chǎn)生放電。相反，當(dāng)Va電壓被施加到A電極并且掃描電壓VscL被施加到Y(jié)電極時(shí)， 在A電極和Y電極之間形成了高于Vfay電壓的電壓，放電延遲可以被減小為比 掃描脈沖和尋址脈沖的寬度更短，并且放電可以產(chǎn)生。 一般說來(lái)，當(dāng)?shù)扔赩nf 電壓的掃描電壓^皮施加到Y(jié)電極時(shí)，由于在A電極和Y電極之間形成了高于 Vfay電壓的電壓，所以可以產(chǎn)生放電。然而，如在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中 那樣，當(dāng)比Vnf電壓低AV電壓的VscL電壓被施加到Y(jié)電極時(shí)，A電極和Y電極 之間的電壓進(jìn)一步升高，放電延遲可以進(jìn)一步減少，因此可以適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生放 電。因此，可以防止^f氐尋址;故電。在維持期期間，相反相位的維持脈沖，例如，高電平電壓Vs和低電平電 壓OV可以被施加于Y電極和X電極。然后，在尋址期期間所選的放電室中可以產(chǎn)生維持放電。這里，維持脈沖的數(shù)目對(duì)應(yīng)于相應(yīng)子場(chǎng)的權(quán)重值。一般說來(lái)，為了提供兩個(gè)不同的電壓，即，作為復(fù)位期期間的終止電壓的Vnf電壓和作為尋址期期間的掃描電壓的VscL電壓，通常需要兩個(gè)獨(dú)立的 電源，即，用于產(chǎn)生Vnf電壓的電源和用于產(chǎn)生VscL電壓的電源。在下文中， 將描述利用單個(gè)電源產(chǎn)生兩個(gè)電壓的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400。圖3示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400的圖。如圖3所示，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400可以包括多個(gè)掃描集成電路(IC)410、 AV 電壓生成器420、晶體管Yfr和Yscl、以及其它Y電極驅(qū)動(dòng)電路430。在圖3中， 各個(gè)晶體管被示為N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(具體來(lái)說是N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體 (NMOS)晶體管)，并且體二極管在從源極到漏極的方向上在各個(gè)晶體管中形 成。也可代替NMOS晶體管使用具有類似功能的其它晶體管。另外，盡管在 圖3中晶體管被分別示為單個(gè)晶體管，但本發(fā)明并不限于此，例如，每個(gè)晶體 管可以通過并聯(lián)連接的多個(gè)晶體管來(lái)形成。多個(gè)掃描IC 410分別可以同祥包括晶體管Yh、晶體管Yl、端子Ta以及端 子Tb。晶體管YH的漏極可以連接到端子Ta，并且晶體管Yl的源板可以連接到 端子Tb。晶體管YH的源極可以連接到晶體管YL的漏極，并且晶體管Yh和Yl 的節(jié)點(diǎn)可以連接到掃描電極Y1到Y(jié)n的其中 一個(gè)。可以由電源VscH將電壓 VscH施加到端子Ta。晶體管Yscl的漏極可以連接到掃描IC 410的端子Tb,并且其源極可以連接 到用于提供VscL電壓的電源VscL。 AV電壓生成器420可以連接在端子Tb和晶 體管Yfr的漏極之間，并且晶體管Yfr的源極可以連接到用于提供VscL電壓的 電源VscL。這里，晶體管Yfr可以作為斜坡開關(guān)，可以被導(dǎo)通以將預(yù)定的電流 提供到Y(jié)電極并且可以逐漸減小Y電極處的電壓。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言， 通過晶體管Yfr將預(yù)定電流提供到Y(jié)電極并且逐漸減小Y電極處的電壓的方法 是公知的，因此省略對(duì)其的詳細(xì)說明。所述AV電壓生成器420可以產(chǎn)生圖2中 示出的電壓AV(Vnf-VscL),而無(wú)需另外才是供另 一個(gè)電源。下面將參照?qǐng)D4到 圖7描述AV電壓生成器420的各種配置。其它Y電極驅(qū)動(dòng)電路430可以連接到端子Tb和Y電極，并且可以產(chǎn)生要施 加到Y(jié)電極的各種驅(qū)動(dòng)波形(例如，復(fù)位期的上升波形和維持脈沖)。其它Y電
極驅(qū)動(dòng)電路430的配置不直接涉及本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因此省略其描述。在復(fù)位期的下降期期間，晶體管Yfr和多個(gè)掃描IC 410的各個(gè)晶體管Yl可 以被導(dǎo)通，并且Y電極處的電壓可以由AV電壓生成器420逐漸減小到電壓Vnf， 即，VscL+AV。當(dāng)晶體管Yfr導(dǎo)通時(shí)，Y電極處的電壓可以逐漸減小到VscL電 壓，但是當(dāng)增加AV電壓生成器420產(chǎn)生的AV電壓時(shí)，被選擇的Y電極處的電 壓可以減小到電壓Vnf (VscL+AV)。在尋址期期間，晶體管Yscl可以被導(dǎo)通。在對(duì)應(yīng)于要選擇的掃描電極的 掃描IC中，晶體管Yl可以被導(dǎo)通，并且掃描電壓VscL可以被施加到相應(yīng)的被 選擇的Y電極。在對(duì)應(yīng)于不會(huì)被選擇的掃描電極的掃描IC中，晶體管Yh可以 被導(dǎo)通，并且VscH電壓可以被施加到相應(yīng)的不會(huì)被選擇的Y電極。在下文中，將參照?qǐng)D4到圖7更加詳細(xì)地描述用于產(chǎn)生電壓差A(yù)V的AV電 壓生成器420的各種配置。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第 一 示例性實(shí)施例的AV電壓生成器42 Oa的示意 圖。AV電壓生成器420a可以包括晶體管Ql、電阻R1和電阻R2。這里，晶體 管Q1可以是雙極型晶體管。晶體管Q1的集電極可以連接到多個(gè)掃描IC 410的端子Tb,并且其發(fā)射極 可以連接到晶體管Yfr的漏極。電阻R1的端子可以連接到晶體管Q1的集電極 (即，端子Tb)，并且電阻R1的另一個(gè)端子可以連接到晶體管Q1的基級(jí)。電阻 R2的端子可以連接到晶體管Q1的基級(jí)，并且電阻R2的另一個(gè)端子可以連接到 晶體管Q1的發(fā)射極。另外，電阻R1和R2可以彼此連接，并且其節(jié)點(diǎn)可以連接 到晶體管Q1的基級(jí)。當(dāng)電流Io為低時(shí)，晶體管Q1是關(guān)斷的，并且電流Io流向電阻Rl和R2。然 而，當(dāng)電流Io足夠大到導(dǎo)通晶體管Ql時(shí)，電流Io流向電阻Rl和R2以及晶體管 Ql。在此情況下，晶體管Ql的集電極-發(fā)射極電壓VcE由公式l給出。VCE = I1*R1+I2*R2 (1)在公式1中，當(dāng)忽略晶體管Q1的基極電流時(shí)，電流I1可以近似為I1^12。 電流I2可以近似為I2-VBE/R2。因此，晶體管Ql的集電極-發(fā)射極電壓VcE可以 由公式2給出。VCE = (1+R1/R2)*VBE (2)這里，晶體管Q1的集電極-發(fā)射極電壓VcE是由AV電壓生成器420a產(chǎn)生的 AV電壓。參見公式2，當(dāng)電阻R1和R2的大小比被調(diào)整時(shí)，可以將晶體管Q1的
集電極-發(fā)射極電壓(VcE 二AV)設(shè)為與晶體管Q1的基級(jí)-發(fā)射極電壓VBE成比例 的期望值。
也就是，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，可以由AV電壓生成器420a產(chǎn) 生公式2給出的電壓AV，并且AV的值可以由電阻R1和R2以及晶體管Q1的基級(jí)-發(fā)射極電壓VBE的大小確定。當(dāng)晶體管Q1的基級(jí)-發(fā)射極電壓VBE由晶體管Ql的特性設(shè)定為預(yù)定值時(shí)，期望的AV可以通過改變電阻R1和R2的值獲得。 特別地，通過由根據(jù)本發(fā)明第 一示例性實(shí)施例的AV電壓生成器改變電阻R1 和R2的值，可以將AV設(shè)置為不同的值。
另外，除了利用固定電阻，可變電阻也可以用于電阻R1和R2，如圖5A、 圖5B和圖5C所示。也就是說，可變電阻可以用于電阻R1和/或電阻R2。當(dāng)可 變電阻用于電阻R1和R2時(shí)，在設(shè)計(jì)之后，可以通過調(diào)節(jié)可變電阻來(lái)改變AV 的值。因此，可以進(jìn)一步改善低放電。
另外，根據(jù)溫度變化的電阻可以用于電阻R1和R2。也就是說，電阻R1 和R2可以被設(shè)置為具有正溫度系數(shù)(PTC)(即，當(dāng)溫度升高時(shí)電阻增加的特 性)，或者它們可以被設(shè)置為具有負(fù)溫度系數(shù)(NTC)(即，當(dāng)溫度升高時(shí)電阻減 小的特性)。當(dāng)溫度降低時(shí)，放電室中的壁電荷并不活躍地變化，于是低尋址 放電惡化。在此情況下，當(dāng)電阻R1被設(shè)置為具有NTC而電阻R2被設(shè)置為具有 PTC時(shí)，當(dāng)溫度降低時(shí)AV的值可以進(jìn)一步根據(jù)公式2增大。因此，可以解決在 低溫時(shí)低尋址放電的問題。在其它情況下，由溫度所引起的問題可以通過適 當(dāng)?shù)卦O(shè)定根據(jù)溫度變化的電阻R1和R2來(lái)解決。
根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例已經(jīng)描述過晶體管Q1是雙極型晶體管，但是本發(fā)明并不限制于此。例如，可以使用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)或者絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，現(xiàn)在將對(duì)其進(jìn)行描述。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420b的示意 圖。如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420b與本發(fā) 明第一示例性實(shí)施例的AV電壓生成器相同，除了雙極型晶體管Q1被替換為 MOSFET晶體管M1 ，因此將忽略已經(jīng)描述過的部分。由于根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的△ V電壓生成器42 Ob使用晶體管 Ml，因此AV電壓，即晶體管Ml的漏極-源極電壓VDs，由公式3給出。VDS = (1+R1/R2)*VGS (3)在公式3中，VGs是晶體管Ml的柵極-源極電壓。如公式3所示，當(dāng)利用晶
體管M1時(shí)，公式2中晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓vbe可以被替換為晶體管M1的柵極-源極電壓VGs。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420b中，如 公式3所示，AV的值可以由晶體管M1的柵極-源極電壓(VGs)和電阻R1和R2的值確定。另夕卜，在根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420b中，如上所 述，電阻R1和R2可以是可變電阻或者可以是根據(jù)溫度變化的電阻。圖7示出了表示根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420c的 圖。如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420c與本發(fā) 明示例性實(shí)施例的AV電壓生成器相同，除了雙極型晶體管Q 1被替換為IGBT 晶體管Z1 ，因此將省略對(duì)已經(jīng)描述過的部分的描述。由于根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420c使用IGBT晶體 管Z1，因此AV電壓，即晶體管Zl的集電極-發(fā)射極電壓VcE,可以由公式4給 出。VCE = (1+R1/R2)*VGE (4)在公式4中，vge是晶體管Zl的柵極-發(fā)射極電壓。如公式4所示，當(dāng)晶體 管Z1是IGBT時(shí)，公式2中雙極型晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓vbe可以被替換為晶體管Z1的柵極-發(fā)射極電壓vge。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420c中，AV 的值可以由晶體管Z1的柵極-發(fā)射極電壓vge和電阻R1和R2的值確定。另外，在根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器420c中，如上所 迷，電阻R1和R2可以是可變的，或者可以是根據(jù)溫度變化的電阻。因此，由于可以利用根據(jù)本發(fā)明第 一 到第三示例性實(shí)施例的△ V電壓生成 器420a、 420b和420c中的任何一個(gè)來(lái)產(chǎn)生作為恒定電壓的AV電壓，所以Vnf 電壓可以通過利用單個(gè)電源VscL來(lái)產(chǎn)生。也就是說，具有不同電平的Vnf電 壓和VscL電壓可以利用根據(jù)本發(fā)明第 一到第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成 器420a、 420b和420c和單個(gè)電源VscL來(lái)提供。一般說來(lái)，晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓vbe、晶體管M1的柵極-源極電 圧Vgs、和晶體管Z1的柵極-發(fā)射極電壓vge可以展現(xiàn)出NTC特性。也就是說， VBE、 Vgs和Vce的植隨溫度升高而降低。參照公式2、公式3和公式4， AV的值 可以隨溫度升高而降低。在高溫時(shí)，由于壁電荷在放電室中活躍地運(yùn)動(dòng)，所
以需要低的AV值以防止低放電。因此，由于當(dāng)在升高的溫度下使用根據(jù)本發(fā) 明第 一到第三示例性實(shí)施例的AV電壓生成器時(shí)AV的值減小，所以可以進(jìn)一 步改善高溫時(shí)的低放電。另外，由于Vbe、 Vgs、和VcE的值可以隨著溫度的降 低而進(jìn)一步增大，所以AV的值可以進(jìn)一步增大。因此，可以防止由低溫所引 起的低放電。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，掃描電壓和復(fù)位,的終止電壓可以利用單 個(gè)電源來(lái)產(chǎn)生。另外，AV的值可以通過簡(jiǎn)單地改變電阻R1和R2來(lái)多樣地實(shí)現(xiàn)。 這些電阻可以是可變的或者可以隨溫度而改變。而且，可以有效地防止低尋 址放電。本文已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語(yǔ)，但是 僅僅是在通用和描述的意義上使用和解釋它們，而并非為了限制的目的。因此，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員將會(huì)理解，在不脫離所附權(quán)利要求書所闡明的本 發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1、 一種等離子體顯示器，包括 掃描電才及；電源，用于向該掃描電極提供掃描電壓；第一晶體管，具有電連接到該掃描電極的第一電極、電連接到該電源的 第二電極和控制電極；第一電阻，電連接在該掃描電極和該第一晶體管的控制電極之間；以及 第二電阻，電連接在該第 一 晶體管的控制電極和該電源之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一晶體管的第一 電極處的電壓是高于所述掃描電壓的第一電壓。
3、 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中，所述第一電壓是在復(fù)位 期期間施加到所述掃描電極的終止電壓。
4、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，還包括電連接在所述第一晶體 管的第二電極和所述電源之間的第二晶體管。
5、 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示器，其中，所述第二晶體管用作斜 坡開關(guān)，并且，在復(fù)位期期間，當(dāng)所述第二晶體管導(dǎo)通時(shí)，所述掃描電極處 的電壓逐漸減小到高于所述掃描電壓的第一電壓。
6、 如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，還包括電連接在所述掃描電極 和所述電源之間的第三晶體管，其中，當(dāng)該第三晶體管導(dǎo)通時(shí)，所述掃描電 壓尋皮施加于該掃描電才及。
7、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器 的至少一個(gè)是可變電阻。
8、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器 的至少 一 個(gè)是根據(jù)溫度變化的可變電阻。
9、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器 型晶體管。
10、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一晶體管是金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一晶體管是絕 緣柵雙極型晶體管。，其中，所述第一和第二電阻中 ，其中，所述第一和第二電阻中 ，其中，所述第一晶體管是雙極
12、 一種電壓生成器，其從提供第一電壓的電源接收第一電壓，并產(chǎn)生 高于該第一電壓的第二電壓，所述電壓生成器包括具有電連接到所述電源的第 一 電極的晶體管；第一電阻，電連接在該晶體管的第一電極和該晶體管的控制電極之間；以及第二電阻，電連接在該晶體管的控制電極和該晶體管的第二電極之間， 其中，所述第二電壓是在該晶體管的第二電極處產(chǎn)生的。
13、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一和第二電阻中的 至少一個(gè)是可變電阻。
14、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一和第二電壓用于 驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器。
15、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一電壓是施加到等 離子體顯示器的掃描電極的掃描電壓，并且所述第二電壓是在等離子體顯示 器的復(fù)位期期間施加的終止電壓。
16、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一晶體管是雙極型 晶體管。
17、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一晶體管是金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
18、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一晶體管是絕緣柵 雙極型晶體管。
19、 如權(quán)利要求12所述的電壓生成器，其中，所述第一和第二電阻中的 至少一個(gè)是根據(jù)溫度變化的可變電阻。
全文摘要
在等離子體顯示器中，晶體管的第一電極和第二電極可以分別連接到掃描電極和用于提供掃描電壓的電源。所述等離子體顯示器可以包括掃描電極、第一晶體管、第一電阻和第二電阻。第一晶體管可以包括電連接到掃描電極的第一電極、電連接到電源的第二電極和控制電極。第一電阻可以電連接在掃描電極和第一晶體管的控制電極之間。第二電阻可以電連接在晶體管的控制電極和電源之間。
文檔編號(hào)G09G3/296GK101145309SQ20071013828
公開日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月11日
發(fā)明者全詠駿, 樸正泌, 金正勛, 金石基 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社