專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法及修正方法、制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各像素中具有電致發(fā)光元件的顯示裝置的電致發(fā)光元件 所引起的缺陷、或驅(qū)動電致發(fā)光元件的晶體管所引起的缺陷的檢査。
背景技術(shù)：
在各像素的顯示元件中采用了作為自發(fā)光元件的電致發(fā)光元件(以下
稱為EL元件)的EL顯示裝置，作為下一代平面顯示裝置而被期待，正 在進行研究開發(fā)。
這種EL顯示裝置，在作成了于玻璃或塑料等的基板上形成EL元件 以及按每個像素驅(qū)動該EL元件用的薄膜晶體管(TFT)等的EL面板之后， 經(jīng)過幾次檢査，作為產(chǎn)品出廠。在目前的EL顯示裝置中，成品率的提高 非常重要，在要求EL元件和TFT等的制造工序的改良和材料的改良等的 同時，還要求實現(xiàn)檢査工序中的效率化。
專利文獻1:特開2005-149768號
專利文獻2:特開2005-149769號
在對目前的EL顯示裝置進行的檢查中，例如，使其顯示分別針對RGB 的光柵圖像或單像管圖形(monoscopepattern,乇乂7〕八°夕一>0，來檢 查顯示缺陷等的不良項目。作為不良項目，包括顯示不均、滅點、亮點等。
對于亮點而言，大多因相應像素電路的短路等引起，在該情況下，采 用通過激光照射等使像素電路絕緣化而滅點化等方法。
另一方面，對于顯示不均(DIM)和滅點而言，逐漸發(fā)現(xiàn)存在各種原 因。在表面上是同樣的顯示缺陷但其產(chǎn)生原因不同的情況下，需要確定其 原因后進行與原因相應的修正。但是，尚未確立與產(chǎn)生原因相應的有效的 檢查方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，正確且高效地進行EL顯示裝置的缺陷檢查。 本發(fā)明是一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯示裝置在各 像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動晶體管，其與該電致發(fā)光元件連 接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動的電流，向各像素供給使所述電致發(fā) 光元件為發(fā)光程度的檢査用導通顯示信號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管 在該晶體管的線性區(qū)域動作，檢測所述電致發(fā)光元件的特性，基于該特性 檢測滅點缺陷，在執(zhí)行所述滅點缺陷的檢測之前，向各像素的所述電致發(fā) 光元件施加反向偏壓，使所述滅點缺陷明顯化。
本發(fā)明的另一方式是電致發(fā)光顯示裝置的缺陷修正方法，對根據(jù)上述 缺陷檢査方法檢測到所述滅點缺陷的像素，向該像素的所述電致發(fā)光元件 的陽極與陰極的短路區(qū)域選擇性照射激光，執(zhí)行切斷該短路區(qū)域的電流路 徑的激光修正。。
本發(fā)明的另一方式是電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置在 各像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動晶體管，其與該電致發(fā)光元件 連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動的電流，作為一次檢查，將各像素 的所述電致發(fā)光元件控制為發(fā)光狀態(tài)，并將所述電致發(fā)光元件的發(fā)光亮度 相當于小于基準值的像素檢測為滅點缺陷，對通過所述一次檢測而檢測到 所述滅點缺陷的所述電致發(fā)光顯示裝置，向各像素的所述電致發(fā)光元件施 加反向偏壓，使所述滅點缺陷明顯化，在執(zhí)行所述滅點缺陷的明顯化之后， 作為二次檢査，向所述顯示裝置的各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光 程度的檢査用導通顯示信號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管在該晶體管的 線性區(qū)域動作，檢測所述電致發(fā)光元件的特性，基于該特性檢測滅點缺陷， 對在所述二次檢查中檢測到所述滅點缺陷的像素，向該像素的所述電致發(fā) 光元件的陽極與陰極的短路區(qū)域選擇性照射激光，執(zhí)行切斷該短路區(qū)域的 電流路徑的激光修正。
本發(fā)明的另一方式在上述制造方法中，用于使所述滅點缺陷明顯化的 處理，在所述一次檢査中檢測到的滅點缺陷像素數(shù)為規(guī)定數(shù)以上時執(zhí)行。
本發(fā)明的另一方式在上述制造方法中，用于使所述滅點缺陷明顯化的 處理和所述二次檢查，在針對所述顯示裝置的老化處理之后執(zhí)行。
本發(fā)明的另一方式在上述缺陷檢查方法、缺陷修正方法或制造方法 中，在檢測所述滅點缺陷時，檢測的所述電致發(fā)光元件的特性是該電致發(fā) 光元件的發(fā)光亮度，將檢測到的所述發(fā)光亮度在基準值以下的像素檢測為 滅點缺陷。
或者，在檢測所述滅點缺陷時，所述檢測的所述電致發(fā)光元件的特性 是所述電致發(fā)光元件的陰極電流，當所述陰極電流比基準值大時，將該像 素判定為滅點缺陷像素。
在本發(fā)明的另一方式中，上述檢測的電致發(fā)光元件的陰極電流是供 給使所述電致發(fā)光元件為不發(fā)光程度的檢査用截止顯示信號和使所述電 致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導通顯示信號時的、所述檢查用截止顯示 信號所對應的所述電致發(fā)光元件的陰極電流與所述檢査用導通顯示信號 所對應的所述電致發(fā)光元件的陰極電流的導通截止電流差，將檢測出的所 述導通截止電流差與基準值比較，當該導通截止電流差比所述基準值大 時，將該像素判定為所述滅點缺陷。
本發(fā)明的另 一方式在上述顯示裝置的制造方法中，向各像素供給使所 述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導通顯示信號，并且，使所述元件驅(qū) 動晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動作，檢測所述電致發(fā)光元件的特性，基 于該檢測出的特性檢測暗點缺陷。
本發(fā)明的另一方式在上述顯示裝置的制造方法中，對檢測到所述暗點 缺陷的像素，在向該像素的所述元件驅(qū)動晶體管施加了規(guī)定偏壓的狀態(tài)下 照射紫外線光，對所述元件驅(qū)動型晶體管的電流供給特性的偏差進行修 正。
(發(fā)明效果)
根據(jù)本發(fā)明者的研究可明確，當使設(shè)置在各像素中的、對EL元件進 行驅(qū)動的元件驅(qū)動晶體管在線性區(qū)域動作，并使EL元件發(fā)光時，若EL 元件中發(fā)生短路，則可觀察到不發(fā)光像素即滅點，并且與未發(fā)生短路時的 正常情況相比，該EL元件中流動的電流值大。另外，當使元件驅(qū)動晶體 管在飽和區(qū)域動作，并使EL元件發(fā)光時，在發(fā)生了上述EL元件的短路 以及TFT的特性變動的情況下，該像素變?yōu)楫惓ｏ@示(發(fā)光亮度比正常時 低或不發(fā)光)。可明確此時的EL元件中流動的電流值比正常時小。
因此，如本發(fā)明所述，使元件驅(qū)動晶體管在線性區(qū)域動作，通過觀察
EL元件或?qū)L元件的陰極電流值進行測定，可高精度地檢測由EL元件 的短路引起的沃點缺陷。
另外，EL元件的短路引起的上述滅點缺陷，在向該EL元件施加了正 向偏壓時(使EL元件為發(fā)光狀態(tài))，發(fā)生或不發(fā)生短路狀態(tài)的不穩(wěn)定性通 過本發(fā)明者的研究可以明確。因此，即使在一次檢查等中檢測到滅點缺陷， 在對該缺陷進行修正時也可能無法確認滅點缺陷而不能進行修正。另外， 在一次檢查等中未檢測到缺陷，也可能在后面階段產(chǎn)生滅點缺陷。對此， 如本發(fā)明所述，通過在檢查滅點缺陷之前，預先向EL元件施加反向偏壓， 從而能穩(wěn)定地使滅點缺陷明顯化。在本發(fā)明中，在該明顯化處理之后，通 過進行滅點缺陷的檢測處理，能可靠地檢測滅點缺陷。
進而，除滅點缺陷的檢查之外，使元件驅(qū)動晶體管在飽和區(qū)域動作， 檢測EL元件的發(fā)光亮度或陰極電流，由此可檢測由元件驅(qū)動晶體管的特 性偏差引起的暗點缺陷。
另外，由于根據(jù)檢査結(jié)果能立即確定缺陷的產(chǎn)生原因，因此將顯示裝 置送到與原因?qū)倪m當?shù)男拚ば蛑?，可提高修正效率?br> 進而，在使元件驅(qū)動晶體管在線性區(qū)域或飽和區(qū)域動作的情況下，對 EL元件供給檢査用的截止顯示信號和導通顯示信號，通過測定施加各信 號時的陰極電流值，可將與截止顯示信號對應的陰極電流值作為基準，檢 測與導通顯示信號對應的陰極電流值，從而易于高速地執(zhí)行利用了缺陷檢 測裝置的缺陷自動判定。


圖1是說明本發(fā)明實施方式的EL顯示裝置的概略電路構(gòu)成的等效電 路圖2是說明本發(fā)明實施方式的滅點顯示缺陷像素的特性的圖； 圖3是說明本發(fā)明實施方式的暗點(DIM)顯示缺陷像素的特性的圖； 圖4是表示利用了 EL元件的發(fā)光狀態(tài)的滅點/暗點顯示缺陷檢查裝置 的概略構(gòu)成的圖5是表示利用了圖4的檢査裝置的發(fā)光狀態(tài)檢查過程的一例圖； 圖6是表示EL元件的短路的原理以及短路(滅點)的明顯化原理的
圖； 圖8是表示用于使滅點明顯化的驅(qū)動方法的圖； 圖9是說明用于滅點明顯化的裝置構(gòu)成的圖IO是說明用于暗點缺陷修正的UV修復中的偏壓條件與發(fā)光亮度的 關(guān)系的一例圖11是說明用于暗點缺陷修正的UV修復中的偏壓條件與動作閾值
Vth的偏移量之間的關(guān)系的一例圖；，
圖12是表示利用了 EL元件的陰極電流Icv的滅點/暗點顯示缺陷檢査
裝置的概略構(gòu)成的圖13是表示利用了陰極電流的滅點顯示缺陷的檢查過程的一例圖； 圖14是表示利用了陰極電流的暗點顯示缺陷的檢査過程的一例圖； 圖15是表示具備利用了陰極電流的滅點以及暗點二者的檢查功能的
檢查裝置的電源以及驅(qū)動信號切換部的構(gòu)成的圖16是表示用于執(zhí)行利用了陰極電流的高速檢查的驅(qū)動波形的圖； 圖17是表示包括本發(fā)明實施方式的EL顯示裝置的缺陷檢查以及修正
工序的整體制造過程的一例圖。
圖中100—EL面板；200、 300—缺陷檢查裝置；210、 310_控制部；
220—電源電路；222、 322—電源切換部；230、 330 —檢查用信號產(chǎn)生電
路；240、 340—缺陷檢測部；250 —發(fā)光檢測部；350—陰極電流檢測部。
具體實施例方式
下面，利用附圖，對該發(fā)明的最佳的實施的方式(以下稱為實施方式) 進行說明。
在本實施方式中，顯示裝置具體為有源矩陣型有機EL顯示裝置，在 EL面板100上形成有具備多個像素的顯示部。圖1是表示該實施方式中 的有源矩陣型顯示裝置的等效電路結(jié)構(gòu)的圖，圖2以及圖3表示了本實施
方式中采用的EL顯示裝置的各像素的缺陷檢查原理。在EL面板100的 顯示部中，多個像素配置成矩陣狀，在矩陣的水平掃描方向(行方向)上， 形成有依次輸出選擇信號的選擇線GL，在垂直掃描方向(列方向)上， 形成有輸出數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線DL、和用于向被驅(qū)動元件即有機EL元件
(以下簡稱EL元件)供給驅(qū)動電源PVDD的電源線VL。
各像素大致配置在由這些線劃分的區(qū)域內(nèi)，各像素具備有機EL元件 作為被驅(qū)動元件，另外，設(shè)置有由n溝道TFT構(gòu)成的選擇晶體管Trl (以 下稱選擇Trl)、保持電容Cs、由p溝道TFT構(gòu)成的元件驅(qū)動晶體管Tr2
(以下稱元件驅(qū)動Tr2)。
選擇Tr 1其漏極與向垂直掃描方向上排列的各像素供給數(shù)據(jù)電壓
(Vsig)的數(shù)據(jù)線DL連接，柵極與選擇在一條水平掃描線上排列的像素 用的柵極線GL連接，其源極與元件驅(qū)動Tr2的柵極連接。
另外，元件驅(qū)動Tr2的源極與電源線VL連接，漏極與EL元件的陽極 連接。EL元件的陰極在各像素中公共地形成，與陰極電源CV連接。
EL元件為二極管構(gòu)造，在下部電極與上部電極之間具備發(fā)光元件層。 發(fā)光元件層例如具備至少包括有機發(fā)光材料的發(fā)光層，根據(jù)發(fā)光元件層中 使用的材料特性等，可采用單層構(gòu)造、2層、3層或4層以上的多層構(gòu)造。 在本實施方式中，下部電極按像素而被圖案化為個別形狀，起到上述陽極 的作用，與元件驅(qū)動Tr2連接。另外，上部電極在多個像素中公共地起到 陰極的作用。
在按每個像素具備如上電路構(gòu)成的有源矩陣型EL顯示裝置中，在EL 元件的陽極與陰極之間發(fā)生短路(short)的情況、以及在元件驅(qū)動Tr2的 特性降低的情況下的任一像素中，EL元件變?yōu)椴话l(fā)光或變?yōu)槠浒l(fā)光亮度 比正常像素低，出現(xiàn)稱為滅點或暗點(DIM)的顯示缺陷。
EL元件的發(fā)光元件層非常薄，另外其膜厚會產(chǎn)生偏差等，從而存在陽 極與陰極之間發(fā)生短路的缺陷。若發(fā)生短路，則即使向元件驅(qū)動Tr2的柵 極施加發(fā)光(導通)顯示信號，向EL元件供給電流，空穴以及電子也不 會注入到發(fā)光元件層中，EL元件不發(fā)光，出現(xiàn)滅點缺陷。
圖2表示了發(fā)生這種EL元件短路后的像素的電路構(gòu)成、和此時的元 件驅(qū)動Tr2以及EL元件的IV特性。在EL元件中發(fā)生了短路的情況下，
如圖2 (b)所示，在電路上等效于元件驅(qū)動TV2的漏極側(cè)與陰極電源CV 連接。因此，在用陰極電流Icv評價EL元件中流動的電流時，該電流Icv 相對于PVDD-CV電壓的特性如圖2 (a)所示，發(fā)生了短路的EL元件的 電流特性比正常EL元件的電流特性傾斜度更大。
這里，在施加到元件驅(qū)動Tr2的電壓滿足Vgs—Vth<Vds、柵極源極間 電壓小、漏極和源極間(PVDD和CV)電壓大的情況下(在本實施方式 中，為與通常顯示模式同樣的條件)，元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作。此 時，發(fā)生短路的像素的EL元件變?yōu)椴话l(fā)光(滅點)。另外，發(fā)生短路的像 素與正常像素的EL元件的電流特性的傾斜度差異較大，但由于相當于元 件驅(qū)動Tr2的源極漏極間電流Ids特性的傾斜度小的區(qū)域，因此EL元件 中流動的電流Icv之差AI小。
另一方面，在施加到元件驅(qū)動Tr2的電壓滿足Vgs—Vth〉Vds、柵極源 極間電壓大、漏極和源極間(PVDD和CV)電壓小的情況下，該元件驅(qū) 動Tr2在線性區(qū)域動作。在該線性區(qū)域，在發(fā)生短路的像素(滅點像素) 與正常像素中，與飽和區(qū)域同樣EL元件的電流特性的傾斜度不同。進而， 在該線性區(qū)域，元件驅(qū)動Tr2的Ids特性的傾斜度陡，滅點像素的EL元 件的陰極電流lev與正常像素的EL元件的陰極電流lev之差AI非常大。 而且，在該線性區(qū)域的動作中，發(fā)生短路的像素的EL元件仍為短路狀態(tài)， 因此為不發(fā)光(滅點)，與正常像素的發(fā)光亮度差異較大。因此，在由EL 元件的短路引起的缺陷中，關(guān)于發(fā)光亮度，使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域或 飽和區(qū)域動作，都能進行檢測，對于EL元件中流動的電流而言，通過在 線性區(qū)域使元件驅(qū)動Tr2動作來進行測定，能以高精度進行檢測。
下面，對EL元件正常、但元件驅(qū)動Tr2的特性存在偏差而比正常晶 體管特性劣化的情況進行說明。圖3表示了在產(chǎn)生這樣的元件驅(qū)動Tr2的 特性偏差(電流供給特性的偏差。例如，動作閾值Vth降低)的情況下的 像素的等效電路、和元件驅(qū)動Tr2以及EL元件的IV特性。在元件驅(qū)動 Tr2中發(fā)生了動作閾值Vth降低的情況下，如圖3 (b)所示，從電路上可 視作在元件驅(qū)動Tr2的漏極側(cè)連接了比正常情況大的電阻。因此，EL元 件中流動的電流(在本實施方式中為陰極電流lev)特性與正常像素相比 沒有變化，但實際上，EL元件中流動的電流根據(jù)元件驅(qū)動Tr2的特性偏
差而變化。
首先，在施加到元件驅(qū)動Tr2的電壓滿足Vgs—VtlKVds的情況下， 與上述同樣，元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作。如圖3 (a)所示，此時，在 元件驅(qū)動Tr2的特性比正常情況下低的像素中，該晶體管的漏極源極間電 流Ids比正常的晶體管小，向EL元件供給的電流量、即EL元件中流動的 電流比正常像素小(AI大)。另外，結(jié)果，元件驅(qū)動Tr2中產(chǎn)生了特性偏 差的像素比正常像素發(fā)光亮度低，被識別為暗點。此外，當元件驅(qū)動Tr2 的特性劣化明顯時，EL元件幾乎為不發(fā)光的狀態(tài)。
另一方面，在施加到元件驅(qū)動Tr2的電壓滿足Vgs—Vth>Vds的情況 下，該元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作，在該線性區(qū)域，在特性降低的元件 驅(qū)動Tr2和正常的元件驅(qū)動Tr2中，Ids—Vds特性之差小，因此，向EL 元件供給的電流量之差(AI)也小。所以，EL元件無論元件驅(qū)動Tr2有無 特性偏差，都表現(xiàn)大致同樣的發(fā)光亮度，在線性區(qū)域，難以檢測到由特性 偏差引起的暗點。但是，如上所述，Mil使元件驅(qū)動Tr2在t包和區(qū)域動作， 從而對于該元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷，從電流值以及EL 發(fā)光亮度的任意觀點出發(fā)均能檢測。
此外，在以上的像素電路中，作為元件驅(qū)動晶體管，采用了 p溝道TFT， 但也可采用n溝道TFT。進而，在以上的像素電路中，對于1像素，作為 晶體管以采用了具備選擇晶體管和驅(qū)動晶體管這兩個晶體管的構(gòu)成為例 進行了說明，但晶體管并不限定于兩種類型以及上述電路構(gòu)成。
在任一情況下，在所采用的像素電路中，通過使向EL元件供給電流 的元件驅(qū)動晶體管在線性區(qū)域動作，觀察EL元件或測定EL元件的陰極 電流值，從而能高精度地檢測由EL元件的短路引起的滅點缺陷。
另外，在任一情況下，通過使元件驅(qū)動晶體管在飽和區(qū)域動作，檢測 EL元件的發(fā)光亮度或陰極電流等，可檢測由元件驅(qū)動晶體管的特性偏差 引起的暗點缺陷。
接著，對于基于上述原理的缺陷檢查而言，分別說明作為EL元件的 特性而利用了其發(fā)光狀態(tài)的檢查以及利用了陰極電流的檢査。 (發(fā)光狀態(tài)檢查)
圖4是表示根據(jù)發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)的觀察(亮度檢測)，來檢測 滅點/暗點缺陷用的檢測裝置的結(jié)構(gòu)的一例圖。
檢査裝置200具備控制部210,其對裝置內(nèi)的各部分進行控制；電 源電路220，其產(chǎn)生元件驅(qū)動Tr2的飽和區(qū)域檢查模式、線性區(qū)域檢查模 式各自所需的電源；電源切換部222，其根據(jù)上述檢查模式來切換向EL 面板供給的電源；以及檢查用信號產(chǎn)生電路230，其產(chǎn)生檢查時所使用的 檢查用信號。另外，裝置200還具備發(fā)光檢測部250，其可采用CCD照 相機等，觀察EL面板的各像素的發(fā)光狀態(tài)；以及檢測部240，其利用來 自發(fā)光檢測部250的檢測結(jié)果，來檢測缺陷。
在采用了這樣的檢查裝置200的情況下，執(zhí)行顯示亮度在正常值以下 的異常顯示像素的檢測、以及EL元件的短路所引起的滅點像素的檢測， 進而，根據(jù)異常顯示像素和滅點像素的比較來判斷元件驅(qū)動Tr2的特性偏 差所引起的暗點一致或不一致，從而可判定暗點像素、滅點像素。
以下，參照圖5，對檢測方法的一例進行具體說明。在圖5的例子中， 首先，進行元件驅(qū)動Tr2的特性偏差(電流供給特性偏差。例如，動作閾 值的偏差)所引起的異常顯示像素的檢測。元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引 起的缺陷，通過使該元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作，將EL元件控制為發(fā) 光狀態(tài)來檢測。
作為使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作的條件，如上所述，使 Vgs-VtlKVds即可，但當采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動Tr2時，作為一 例，電源電路220產(chǎn)生8.5V的驅(qū)動電源PVDD、 -3.0V的陰極電源CV， 供給到EL面板100的對應的端子IOOT，檢查用信號產(chǎn)生電路230生成OV 的檢查用導通顯示信號，作為顯示信號Vsig。另外，檢査用信號產(chǎn)生電路 230生成為了驅(qū)動各像素所需的定時信號，這些檢査用導通顯示信號以及 定時信號從端子100T供給到EL面板100。
此外，在本實施方式中，該元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域的動作由于采用 了與通常顯示動作相同的條件，因此，驅(qū)動電源PVDD、陰極電源CV不 僅可從檢查裝置的電源電路220供給，還可從EL面板100的通常時的驅(qū) 動用各種電源電路供給。
在如上條件下，電源電路220向EL面板100供給規(guī)定的驅(qū)動電源PVDD、陰極電源CV，并且，檢査用信號產(chǎn)生電路230依次選擇各像素
(使選擇Trl導通)，使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作(飽和動作模式)， 另外，供給使EL元件發(fā)光用的檢查用導通顯示信號(Sl)。
發(fā)光檢測部250如上述那樣使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作，對使EL 元件發(fā)光時的該發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)進行拍攝(S2)。亮度信息被供給 的到缺陷檢測部240，缺陷檢測部240判斷各像素的發(fā)光亮度是否比規(guī)定 基準值低(S3)。該基準值是正常像素中的發(fā)光亮度的允許最小閾值，可 設(shè)定在與要求精度相對應的灰度以上的亮度偏差所對應的值(例如，相當 于1灰度 30灰度量的偏差)。
當發(fā)光亮度的判斷的結(jié)果是作為檢查對象的像素的發(fā)光亮度不小于 基準值時(否)，判定相應像素是正常像素(S4)。反之，當作為檢查對象 的像素的發(fā)光亮度小于基準值時(是)，判斷該像素為比正常像素亮度低 的異常顯示(暗點)像素(S5)。另外，被判斷為異常顯示像素的像素在 檢査裝置200中存儲于數(shù)據(jù)存儲部(未圖示)。
對于各像素，當使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作而執(zhí)行了異常顯示檢 査之后，檢查裝置轉(zhuǎn)移到使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作的模式。使元件 驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作的條件如上所述，需要滿足Vgs-Vth〉Vds，當采 用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動Tr2時，作為一例，向EL面板100供給8.0V 的驅(qū)動電源PVDD、 3V的陰極電源CV，供給到各像素的檢査用導通顯示 信號采用OV的信號。在這樣的條件下，電源電路220向EL面板100供 給規(guī)定的驅(qū)動電源PVDD、陰極電源CV，并且，檢査用信號產(chǎn)生電路230 依次選擇各像素，使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作，并且，經(jīng)由該元件驅(qū) 動Tr2供給用于使EL元件發(fā)光的檢査用導通顯示信號(S6)。
發(fā)光檢測部250使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作，并拍攝使EL元件 發(fā)光時的發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)(S7)。亮度信息被供給到缺陷檢測部240， 缺陷檢測部240判斷各像素的發(fā)光亮度是否比基準值低(S8)。該基準值 是判定是否為所謂的不發(fā)光的基準值，與上述飽和模式下的測定時同樣， 可設(shè)為正常像素中的發(fā)光亮度的允許最小閾值。
當發(fā)光亮度的判斷的結(jié)果是作為檢查對象的像素的發(fā)光亮度不小于 基準值時(否)，判定該像素是正常像素(S9)。反之，當作為檢査對象的
像素的發(fā)光亮度小于基準值時(是)，判斷該像素為不發(fā)光的滅點缺陷像
素(SIO)。
接著，缺陷檢測部240判斷在飽和區(qū)域模式下被檢測為異常顯示像素 的像素、與在線性區(qū)域模式下被檢測為滅點缺陷像素的像素是否一致 (Sll)。由EL元件短路引起的滅點缺陷如上所述，在線性區(qū)域和飽和區(qū) 域任一個區(qū)域?qū)υ?qū)動Tr2進行驅(qū)動的情況下其均不發(fā)光，被檢測為滅 點。另一方面，由元件驅(qū)動Tr2的特性偏差引起的暗點缺陷，在線性區(qū)域 對元件驅(qū)動Tr2進行驅(qū)動時觀察不到，只有在飽和區(qū)域進行驅(qū)動時可觀察 到。因此，當在飽和區(qū)域模式下被檢測為異常顯示像素的像素、與在線性 區(qū)域模式下被檢測為滅點缺陷像素的像素不一致時(否)，判定該像素為 暗點缺陷(S12)。另外，當二者一致時(是)，判定為滅點缺陷(S13)。
通過以上方法，根據(jù)發(fā)光狀態(tài)能分別區(qū)別地判定暗點缺陷和滅點缺 陷。進而，在根據(jù)缺陷的產(chǎn)生數(shù)量、產(chǎn)生位置和要求品質(zhì)判斷為可修正時， 對判定為暗點缺陷的像素執(zhí)行UV修復(S14)，而對判定為滅點缺陷的像 素執(zhí)行激光修復(S15)。
此外，在圖5中，在執(zhí)行了元件驅(qū)動Tr2的飽和區(qū)域檢查模式之后， 執(zhí)行線性區(qū)域檢查模式，但模式的順序可以是任意順序，可以首先執(zhí)行線 性區(qū)域檢査模式，存儲被檢測為滅點缺陷的像素，在判斷其是否與被檢測 為異常顯示像素的像素一致或不一致后判定暗點結(jié)果。
在此，通過本發(fā)明者們的研究可以明確，滅點缺陷的產(chǎn)生大多情況下 不穩(wěn)定。因此，在經(jīng)過多個階段的檢查工序中，可能在后面的階段中產(chǎn)生 滅點或滅點消失等，導致檢查效率或修正效率降低。因此，在圖5中，如 步驟S0所示，優(yōu)選至少在滅點缺陷的檢查開始前(在S6之前即可，也可 在S1之前)執(zhí)行滅點缺陷的明顯化處理(滅點篩選(screening))。
下面，參照圖6、圖7，對滅點缺陷的明顯化原理進行說明。圖6的 狀態(tài)A表示正常EL元件的發(fā)光狀態(tài)，狀態(tài)B表示向EL元件的陽極與陰 極之間施加了反向偏壓時的狀態(tài)。狀態(tài)A是在采用作為導電性透明金屬氧 化物的IZO (Indium Zinc Oxide)作為陽極、采用Al作為陰極的構(gòu)成中， 向該陽極與陰極之間施加了正向偏壓時的狀態(tài)。向有機層(發(fā)光元件層) 從陽極注入空穴，從陰極注入電子，在電路上從二極管的陽極向陰極流動
電流，根據(jù)如圖7 (a)所示的二極管特性，發(fā)光元件層中的發(fā)光材料以與 電流相應的亮度發(fā)光。
即使向這樣的EL元件的陽極與陰極之間施加反向偏壓，正常EL元件 的發(fā)光元件層從原理上為絕緣性(整流性)，如圖7 (a)所示反向耐性高， 因而也不會流動電流。作為一例，陽極陰極間電壓達到-30V左右的反向偏 壓，該EL元件也不會擊穿(breakdown),因而不流動電流。
另一方面，如圖6的狀態(tài)C所示，在形成發(fā)光元件層等時異物導入到 陽極與陰極之間的情況下，形成為薄膜的發(fā)光元件層有時無法完全覆蓋該 異物，在未完全覆蓋的區(qū)域存在陽極與陰極短路等情況。但是，這種短路 不會穩(wěn)定地發(fā)生，另外，若短路的程度小，則同一EL元件內(nèi)未短路的區(qū) 域會發(fā)光，根據(jù)檢査定時而發(fā)光或不發(fā)光，動作不確定。如圖7 (b)所示， 若未短路則該EL元件與正常像素同樣地發(fā)光，但若短路則不發(fā)光。當施 加正向偏壓時，反復地發(fā)生該短路或不發(fā)生該短路，例如，在一次檢查中 被判定為滅點，但在后面的二次檢查中未檢測到，然而在產(chǎn)品出廠后可能 會變?yōu)闇琰c。相對于此，由于異物等混入部分不能獲得如正常時的發(fā)光元 件層的高耐壓性，因此，如圖6的狀態(tài)D所示，若對不穩(wěn)定的EL元件施 加規(guī)定值以上的高反向偏壓，則認為如圖7 (b)所示，與正常EL元件相 比以更小的反向偏壓就會發(fā)生擊穿(遷移效果)。另外，若陽極與陰極之 間一旦擊穿，則即使對該EL元件施加正向偏壓，也會穩(wěn)定地處于短路模 式，始終為不發(fā)光的缺陷(滅點缺陷)。
因此，在檢查EL元件短路所引起的滅點缺陷之前，通過施加這種反 向偏壓，執(zhí)行滅點的明顯化(篩選，screening),能可靠地找出存在滅點可 能性的像素。
向EL元件施加反向偏壓如圖8所示，例如，可按如下方式執(zhí)行將 驅(qū)動電源PVDD從通常顯示電壓(8.0V)切換為-5V，將陰極電源CV從 通常顯示電壓(-3.5V)變更為13.0V，將與元件驅(qū)動Tr2的柵極連接的保 持電容Cs電位固定，經(jīng)選擇Trl向元件驅(qū)動Tr2的柵極施加任意的顯示 信號(Vsig)。
驅(qū)動電源PVDD以及陰極電源CV向滅點篩選用電源的切換如圖9所 示，可通過采用如下構(gòu)成來執(zhí)行在篩選裝置中，按照能通過外部電源選
擇性供給篩選用電源的方式設(shè)置開關(guān)，取代向EL面板100供給顯示用的 內(nèi)部電源而供給上述外部電源。另外，該篩選裝置可內(nèi)置如圖4所示的檢 查裝置。在該情況下，電源電路220不僅產(chǎn)生如上述的檢查用電源，還產(chǎn) 生篩選用電源，另外，檢查用信號產(chǎn)生電路230可生成篩選用信號，將這 些信號選擇性提供給EL面板100。此外，在篩選時，對于像素的選擇和 驅(qū)動定時，與通常顯示同樣地控制即可，另外，反向電壓的施加時間極短 就能獲得效果，例如10sec左右即可。
接著，對元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷的修復進行說明。 根據(jù)本申請發(fā)明者們的研究可以明確，對于產(chǎn)生元件驅(qū)動Tr2的特性偏差 的動作閾值Vth，可通過在規(guī)定條件下向該元件驅(qū)動Tr2照射UV光來修 正。
具體地說，向元件驅(qū)動Tr2的柵極施加所希望的電壓，并且，對元件 驅(qū)動Tr2的源極電壓和漏極電壓采用相等的偏壓Vbias。此外，通過使驅(qū) 動電源PVDD為Vbias，使陰極電源CV同樣為Vbias，可向元件驅(qū)動Tr2 的源極以及漏極施加相等的偏壓Vbias。此時，將用于施加元件驅(qū)動Tr2 的柵極/溝道間所需的電壓的任意電壓(EL截止顯示信號)施加到元件驅(qū) 動Tr2的柵極即可，例如，施加使由p溝道TFT構(gòu)成的元件驅(qū)動Tr2截止 的所希望的截止顯示電壓(Vsig=VblaCk)。當然，并不限定于截止顯示電 壓，也可施加導通顯示信號(Vsig=Vwhite)。
然后，根據(jù)成為元件驅(qū)動Tr2的動作閾值Vth的目的的偏移量來設(shè)定 該偏壓Vbias，向元件驅(qū)動Tr2的由多晶硅等構(gòu)成的有源層(溝道區(qū)域) 照射UV光，由此可修正動作閾值Vth。
此外，元件驅(qū)動Tr2的動作閾值偏移所需的UV光的波長大致在295nm 以下，按照能將這樣的波長的UV光照射到元件驅(qū)動Tr2的溝道區(qū)域的方 式，選擇EL面板IOO的面板材料(采用針對相應波長具有透過性的面板 材料)，另外，設(shè)定在透過上述面板材料等后到達溝道區(qū)域所需的希望的 功率。
圖10表示施加到上述元件驅(qū)動Tr2的源極漏極間的偏壓Vbias、和在 各偏壓條件下修復后的EL元件的發(fā)光狀態(tài)的一例，圖11表示上述偏壓 Vbias與動作閾值Vth的關(guān)系的一例。
在圖10中，像素的電路構(gòu)成采用如圖1所示的等效電路，向元件驅(qū)
動Tr2的柵極例如施加8.0V，對特性相等的元件驅(qū)動Tr2，分別施加了-lV、 -2V、 -3V、 -4V^、 -5V、 -6V、 -7V、 -8V的偏壓Vbias。并且，在以同一條 件照射UV光時，如圖10所示，根據(jù)所施加的偏壓Vbias而EL元件的發(fā) 光亮度會產(chǎn)生差異。更具體地說，隨著偏壓Vbias的絕對值增大而發(fā)光亮 度提高，元件驅(qū)動Tr2的動作閾值Vth的絕對值向減小的方向偏移，結(jié)果， 可以理解通過對應的EL元件供給較多電流，因而發(fā)光亮度上升。
如圖11所示，元件驅(qū)動Tr2的動作閾值Vth的絕對值隨著實際施加的 偏壓Vbias的絕對值增大而減小(圖11的縱軸上方向為Vth的OV方向)。
這樣，通過在對元件驅(qū)動Tr2的柵極、源極漏極之伺施加所希望的大 電壓Vg-Vbias的情況下照射UV光，可調(diào)整元件驅(qū)動Tr2的動作閾值Vth。 因此，若按照達到對EL元件要求的發(fā)光亮度的方式設(shè)定偏壓Vbias，則可 修正由元件驅(qū)動Tr2的特性偏差引起的暗點缺陷。此外，為了高精度地修 正暗點缺陷，例如，在上述圖5所示的發(fā)光亮度與基準值的比較步驟(S3) 中，按每個像素來存儲與基準值的差，在UV修復步驟(S14)中，可通 過施加與基準值的差相對應的偏壓Vbias進行修正來應對。
接著，說明對滅點缺陷像素執(zhí)行的激光修復(S14)。該激光修復是通 過向滅點缺陷像素的EL元件的短路發(fā)生區(qū)域選擇性照射所希望的波長和 功率的激光，來燒斷該短路區(qū)域(切斷電流供給路徑，使其絕緣化)，從 而消除陽極與陰極的短路狀態(tài)的方法。作為修復用的激光，例如可采用 355nm 1064nm左右的波長并具有所希望的功率的激光。
這樣，根據(jù)本實施方式，不僅檢測為發(fā)光亮度低的缺陷，而且能正確 地檢測出該缺陷的類別是暗點缺陷還是滅點缺陷，并能立即進入到與暗點 以及滅點的修正相應的修正步驟，從而可高效地執(zhí)行檢查以及修正。 (陰極電流檢查)
接著，說明根據(jù)EL元件的陰極電流lev來檢査暗點缺陷、滅點缺陷 的裝置以及檢查方法。圖12表示了測定陰極電流來檢測暗點/滅點缺陷的 檢查裝置的概略構(gòu)成。
圖12所示的檢查裝置不具備在根據(jù)發(fā)光亮度執(zhí)行缺陷檢查的上述裝 置中采用的發(fā)光檢測部250，而具備對陰極電流lev進行檢測的陰極電流
檢測部350，這一點變化較大?？刂撇?10、電源電路320、電源切換部 322和檢查用信號產(chǎn)生電路330與上述利用了發(fā)光亮度的缺陷檢査裝置同 樣，產(chǎn)生檢査所需的電源、檢畜用的定時信號和顯示信號等供給到EL面 板100。缺陷檢測部340基于陰極電流檢測部350所檢測到的陰極電流lev 來檢測滅點缺陷和暗點缺陷。
在該例中，由于對EL元件中流動的電流(在此為陰極電流Icv)進行 測定，因此對于滅點缺陷而言，如圖2所示，通過測定使元件驅(qū)動Tr2在 線性區(qū)域動作時的EL元件的陰極電流來判別。對于暗點缺陷而言，如圖 3所示，通過測定使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作時的EL元件的陰極電 流來判別。
圖13表示了 EL元件的短路所引起的滅點顯示缺陷的檢查過程。優(yōu)選 在滅點缺陷的檢査之前，首先使不穩(wěn)定的EL元件的短路明顯化，如上所 述，向EL元件的陰極陽極之間施加反向偏壓來執(zhí)行滅點篩選(S20)。
接著，使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作，使選擇Trl導通，并且，經(jīng) 由對應的像素的選擇Trl向元件驅(qū)動Tr2的柵極施加檢査用導通顯示信號 (S21)。
此外，使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作的條件如上所述，設(shè)定為滿足 Vgs-Vth>Vds。采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動Tr2時的電壓與發(fā)光亮度 檢測時同樣，作為一例，設(shè)驅(qū)動電源PVDD為8.0V，設(shè)陰極電源CV為 3V，供給到各像素的檢查用導通顯示信號采用OV的信號。
陰極電流檢測部350例如與EL面板100的外部連接端子IOOT中的陰 極端子連接，檢測在該陰極端子獲得的陰極電流Icv。在此，EL元件的陰 極如上所述在多個像素中公共地形成，因此對像素依次進行選擇，將與其 選擇期間對應的期間內(nèi)在陰極端子處獲得的陰極電流lev作為針對該像素 的陰極電流Iw。此外，可將陰極電流Icv作為與該電流值對應的電壓進行 檢測。
接著，缺陷檢測部340判斷由陰極電流檢測部350獲得的各像素的陰 極電流Icv是否大于滅點基準值(S23)。在EL元件中發(fā)生短路時，如上 所述，由于EL元件的IV特性的傾斜度增大，因此當使元件驅(qū)動Tr2在線 性區(qū)域動作時的陰極電流Icv比正常EL元件的陰極電流Icv大。因此，作
為滅點基準值，設(shè)定與正常EL元件的陰極電流值相應的值，當檢測出的
陰極電流Icv在該滅點基準值以下時(否)，判斷為正常像素(S24)。另外， 當檢測出的陰極電流lev大于滅點基準值時，判斷該像素為滅點缺陷像素 (S25)。
被檢測到滅點缺陷的面板100進入到用于修正滅點的激光修復工序， 在此接受修正(S26)。
圖14表示了元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷的檢測過程。 對于元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷而言，如上所述，使元件 驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作，使選擇Trl導通，并且，經(jīng)由對應的像素的選 擇Trl向元件驅(qū)動Tr2的柵極施加檢查用導通顯示信號(S30)。
使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作的條件如上所述，設(shè)定為滿足 Vgs-Vth<Vds。采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動Tr2時的電壓與發(fā)光亮度 檢測時同樣，作為一例，設(shè)驅(qū)動電源PVDD為8.0V，設(shè)陰極電源CV為-3V， 供給到各像素的檢查用導通顯示信號采用OV的信號。
陰極電流檢測部350使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作，對使EL元件 發(fā)光時的陰極電流Icv進行檢測(S31)。另外，缺陷檢測部340判斷檢測 到的陰極電流Icv是否小于暗點基準值(S32)。元件驅(qū)動Tr2的動作閾值 比正常值低的像素的陰極電流lev如上所述，在元件驅(qū)動Tr2的飽和區(qū)域， 比正常像素中的陰極電流Icv小。因此，例如，通過將產(chǎn)生對正常像素允 許的灰度以上(作為一例，相當于1灰度 30灰度)的偏差的陰極電流lev 作為基準值進行比較，可區(qū)分正常像素和暗點缺陷像素。
當比較的結(jié)果是檢測出的陰極電流Icv不小于基準值時(否)，判定該 像素為正常像素(S33),當比基準值小時(是)，判定該像素為暗點缺陷 像素(S34)。這樣，基于陰極電流Icv的檢測結(jié)果，可檢測由元件驅(qū)動Tr2 的特性偏差引起的暗點缺陷像素。并且，對于該元件驅(qū)動Tr2的特性偏差， 如上所述，進入到UV修復工序，修正元件驅(qū)動Tr2的特性偏差(S35)。
如上所述，根據(jù)本實施方式，使元件驅(qū)動Tr2分別在其線性區(qū)域和飽 和區(qū)域動作，對此時的陰極電流Icv進行檢測，從而對EL元件的短路所 引起的滅點缺陷和元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷均能區(qū)別檢 測。這樣的檢査都可通過圖12所示的裝置構(gòu)成執(zhí)行。
在將圖12的裝置作為滅點檢査專用裝置時，采用如下構(gòu)成即可電
源電路320以及檢查用信號產(chǎn)生電路330使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作， 生成使EL元件發(fā)光所需的電源、驅(qū)動信號，并施加給對應的像素。此外， 在兼用作滅點篩選裝置時，電源電路320產(chǎn)生如圖8以及圖9所示的篩選 用的驅(qū)動電源PVDD以及陰極電源CV，將這些電源通過切換部322選擇 性地施加給各像素，并且，檢查用信號產(chǎn)生電路330產(chǎn)生任意的篩選用顯 示信號作為數(shù)據(jù)信號Vsig，將其供給到各像素。
在將圖12的裝置作為暗點檢査專用裝置時，采用如下構(gòu)成即可使 元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域動作，生成使EL元件發(fā)光所需的電源、驅(qū)動信 號，并施加給對應的像素。
在滅點檢查專用、暗點檢查專用的裝置中，對驅(qū)動電源PVDD、陰極 電源CV分別產(chǎn)生單一的檢查用電源即可，因此，由圖12的電源電路320 產(chǎn)生專用電源，可省略電源切換電路322。在執(zhí)行通常顯示動作的基于目 測的顯示檢查用的裝置、和兼用作滅點檢查裝置的情況下，由于在通常顯 示時，在飽和區(qū)域?qū)υ?qū)動Tr2進行驅(qū)動，因此在滅點檢查時需要切換 電源。
另外，利用了陰極電流lev的滅點檢查裝置以及暗點檢查用裝置也可 構(gòu)成為單一裝置，在該情況下，圖12所示的檢查裝置的各部分通過控制 部310的控制，根據(jù)檢查模式(滅點檢査模式、暗點檢查模式)，執(zhí)行各 自的檢査所需的動作。即，電源電路320、電源切換部322和檢查用信號 產(chǎn)生電路330產(chǎn)生各模式所需的電源、檢查用信號，缺陷檢測部340比較 與模式相應的基準值和陰極電流Icv，進行滅點判定、暗點判定。
圖15表示了在執(zhí)行多個模式或不同的檢查時，圖12所示的檢查裝置 中可采用的電源以及顯示信號的切換構(gòu)成的一例。切換電路322、 332通 過圖12的控制部310而被切換控制。另外，電源電路320產(chǎn)生與模式對 應的多種電源，并通過切換電路322例如在滅點檢查模式下，經(jīng)端子(i) 向各電源線供給PVDD1、 CV1。同樣，檢查用信號產(chǎn)生電路330生成與 模式對應的多種檢査用顯示信號，并通過切換電路322經(jīng)端子(i)向數(shù)據(jù) 線DL供給Vsigl。在其他模式(例如，暗點檢查模式)下，切換電路322、 332經(jīng)對應的端子(ii)，分別供給電源(PVDD2、 CV2)以及顯示信號 (Vsig2)。
(高速檢査方法)
圖16表示了利用陰極電流Icv，高速地檢查滅點缺陷、暗點缺陷時的 EL面板100的驅(qū)動波形。在圖16所示的檢査方法中，在選擇1像素的期 間中(1水平時鐘信號的二分之一周期)，對相應像素連續(xù)施加導通顯示信 號(EL發(fā)光)和截止顯示信號(EL不發(fā)光)，作為檢查用顯示信號Vsig。 此外，該檢查用顯示信號可由圖12的檢查用信號產(chǎn)生電路330通過利用 水平起始信號STH、水平時鐘信號CKH等來生成。陰極電流檢測部350 分別對與導通顯示信號對應的EL元件的陰極電流IcV。n、以及與截止顯示 信號對應的EL元件的陰極電流Icv。ff進行檢測(根據(jù)需要進行電流放大)， 缺陷檢測部340求取導通和截止的陰極電流的差分AIcv，通過比較該差分 數(shù)據(jù)、與例如基于正常像素中的差分數(shù)據(jù)的基準值，分別執(zhí)行滅點缺陷判 定以及暗點缺陷判定。
另外，在圖16所示的檢查方法中還如上所述，在滅點缺陷檢査模式 下，按照使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作的方式設(shè)定驅(qū)動電源PVDD以及 陰極電流CV，在暗點缺陷檢查模式下，按照使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū)域 動作的方式設(shè)定驅(qū)動電源PVDD以及陰極電流CV。另外，在圖16中， 垂直時鐘信號CKV是與垂直方向的像素數(shù)對應的時鐘信號，使能信號 ENB是用于在1水平掃描期間的最初和最后，當未確定顯示信號Vsig時 防止選擇信號輸出到各水平掃描線(柵極線GL)的禁止信號。
這樣，測定截止顯示信號時的陰極電流ICV。ff，將該ICV。ff作為基準，
相對地把握導通顯示信號時的陰極電流Icv。n，從而，不需要準確判斷導通 顯示信號時的陰極電流Icv。n的絕對值，也不需要測定成為其它基準的截止 顯示信號時的陰極電流Icv。ff，能高精度地執(zhí)行高速的自動檢査。
另外，在圖16所示的檢查方法中，確定向矩陣配置的像素的列方向、 即各數(shù)據(jù)線DL輸出顯示信號的期間的水平起始信號STH，被設(shè)定在兩列 的選擇期間內(nèi)。在本實施方式中，在通常顯示時，各水平掃描線上的像素 僅在對應的1H期間內(nèi)被選擇，向此時對應的數(shù)據(jù)線DL上，按與將1H期 間用l水平掃描方向上的像素數(shù)分割后的期間相當?shù)钠陂g，輸出顯示信號 Vsig。相對于此，在缺陷檢查時，通過使用檢查用的水平起始信號STH，
對1數(shù)據(jù)線DL在2像素份的顯示信號輸出期間供給檢査用顯示信號Vsig。 即，在同一水平掃描線上排列的像素中，鄰接的2像素同時成為檢査對象。 此外，該像素的同時檢查對象數(shù)并不限定于2，例如也可將每3像素作為 檢查對象。這樣，通過使1像素多次連續(xù)作為檢查對象，從而，即使在定 時信號或檢查用顯示信號Vsig等上疊加了噪聲而導致像素誤顯示的情況 下，由于這樣的噪聲疊加在多個期間連續(xù)發(fā)生的概率小，因此能降低由噪 聲引起的誤檢測。此外，對多個像素連續(xù)進行選擇的方法不僅應用在利用 了陰極電流的檢査方法中，還通過應用在上述利用圖4以及圖5說明的利 用了發(fā)光亮度的檢査方法中，從而同樣可降低噪聲的影響。
在此，對EL面板100的顯示部的各像素進行驅(qū)動用的驅(qū)動電路中的 水平方向驅(qū)動電路，具備與水平掃描方向的像素數(shù)對應級數(shù)的移位寄存 器，該移位寄存器根據(jù)水平時鐘信號CKH依次傳送水平起始信號STH， 并且，從寄存器的各級向采樣電路輸出采樣保持信號，該采樣保持信號確 定向?qū)臄?shù)據(jù)線DL輸出顯示信號Vsig的期間(采樣期間)。并且，該
采樣保持信號表示的采樣保持期間對應于上述水平起始信號STH的期間
(在此為H電平期間)。因此，在缺陷檢査時，作為水平起始信號STH， 對EL面板100的水平方向驅(qū)動電路供給由檢查用信號產(chǎn)生電路330生成 的如圖16所示的檢査用的水平起始信號STH，另外，若向經(jīng)采樣保持電 路與各數(shù)據(jù)線DL連接的視頻信號線輸出圖16所示的檢査用顯示信號 Vsig，則按多個像素的每一個被供給檢查用顯示信號Vsig，可執(zhí)行檢查。
此外，圖16的驅(qū)動方法與供給到數(shù)據(jù)線DL的顯示信號的驅(qū)動波形的 切換定時連動，在包括設(shè)定了元件驅(qū)動Tr2的導通截止(EL元件的發(fā)光、 不發(fā)光)定時的像素電路的情況下有效，作為一例，可應用于如圖l所示 的像素電路構(gòu)成。另外，在向用于控制各像素的保持電容Cs的電位的電 容線CL供給所希望的交流信號這樣的像素電路構(gòu)成中，通過在檢査時添 加對電容線CL的電位進行固定的電容電位控制開關(guān)等，使元件驅(qū)動Tr2 根據(jù)供給到數(shù)據(jù)線DL的顯示信號的定時而動作，從而也可采用如圖16 的檢查方法。
下面，進一步參照圖17，對EL顯示裝置的包括缺陷檢查、缺陷修正
的制造過程的一例進行說明。對于在面板基板上形成必要的電路元件、EL 元件等后完成的EL顯示裝置(EL面板)，首先執(zhí)行一次檢查(S40)。該 一次檢査涉及許多方面，例如顯示光柵圖像，通過目測或利用了CCD照 相機等的觀察(亮度檢測)來實施顏色不均、由像素電路的短路等引起 的亮度缺陷、滅點缺陷、暗點缺陷的檢查。另外，顯示單像管圖形來執(zhí)行 顯示裝置的分辨率檢查等。此外，對于滅點缺陷、暗點缺陷而言，在本實 施方式中，如上所述，基于使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域、飽和區(qū)域動作時 的EL元件的特性(發(fā)光亮度、陰極電流)進行檢查，更優(yōu)選對滅點以及 暗點缺陷進行檢測。
在一次檢查的滅點檢查中，判斷是否產(chǎn)生了滅點(S41)，結(jié)果，若未 產(chǎn)生(否)，則為良品(S42)。此外，在圖17中，為了便于圖示，該良品 是指在其他檢查項目中也被判定為良品的顯示裝置，該顯示裝置接下來進 入后述的穩(wěn)定化老化(aging)工序(S53)。
在產(chǎn)生了滅點時(是)，例如根據(jù)該滅點缺陷數(shù)、滅點產(chǎn)生程度、或 產(chǎn)生位置等信息判斷接下來是否進行滅點的修正(S43)。判斷的結(jié)果若由 于產(chǎn)生數(shù)多于允許規(guī)格值、或即使修正后也不能達到允許的程度這樣的理 由而判斷為不進行修正時(否)，該顯示裝置將作為不良品而被廢棄(S44)。
在判斷為執(zhí)行滅點修正時(是)，接下來，作為用于修正所產(chǎn)生的滅 點的前置工序，執(zhí)行基于向EL元件施加反向偏壓的滅點篩選(S45)。通 過該滅點篩選，滅點明顯化，在下面的滅點缺陷檢査(二次檢查)時(S46)， 能可靠地檢測滅點缺陷(特別是其產(chǎn)生位置)。
滅點缺陷檢查(S46)的結(jié)果，對確定了其產(chǎn)生位置的滅點缺陷接下 來執(zhí)行激光修復(S47)。該激光修復如已經(jīng)說明的那樣，是將EL元件的 短路所引起的滅點缺陷通過向該短路區(qū)域照射激光來絕緣化從而進行修 正的方法。
這里，在一次檢查中被確認的滅點缺陷但在其修正工序中消失的概 率，以往例如高至50%左右，但通過執(zhí)行滅點篩選，篩選后的滅點缺陷的 產(chǎn)生數(shù)例如能在500小時的可靠性試驗之后為0個。另外，通過在激光修 復之前進行滅點篩選，從而對于在一次檢查中并不明顯的滅點，也可檢測 為滅點缺陷來進行修正。
接著，判斷在上述一次檢查中是否檢測到了暗點缺陷(S48)，在未產(chǎn) 生的情況下(否)，判斷為良品(S49)，轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定化老化工序(S53)。 在檢測到暗點缺陷的情況下(是)，判斷該暗點缺陷是否在可修正的亮度 偏差(灰度偏差)范圍內(nèi)，或根據(jù)其產(chǎn)生位置和產(chǎn)生數(shù)判斷是否執(zhí)行暗點 缺陷的修正(S50)。在判斷為不進行修正的情況下(否)，該顯示裝置將 作為不良品而被廢棄(S51)。
在判斷為進行暗點修正時(是)，如上所述，使元件驅(qū)動Tr2在飽和區(qū) 域動作，檢查由元件驅(qū)動Tr2的特性偏差引起的暗點缺陷，明確缺陷產(chǎn)生 位置，對缺陷照射UV光來執(zhí)行修復(S52)。通過這樣的UV光修復，修 正元件驅(qū)動Tr2的特性偏差所引起的暗點缺陷。
如上所述，對在一次檢查中被判斷為良品的顯示裝置、或修正了滅點 和暗點后的顯示裝置，接下來實施穩(wěn)定化老化處理(S53)。該穩(wěn)定化老化 處理是使EL顯示裝置暴露在規(guī)定的高溫、高濕度環(huán)境中的處理。 一般， 由于EL元件的特性因熱、水、氧等而劣化，因此從原理上，未執(zhí)行這種 老化處理的顯示裝置可提供更高性能的EL顯示裝置作為產(chǎn)品。但是，由 于EL元件的初始劣化速度快，所以，即使特性稍微劣化，在使其特性穩(wěn) 定化之后作為產(chǎn)品提供也是恰當?shù)?，因而采用上述老化處理?br> 該老化處理如上所述使EL顯示裝置暴露在高溫高濕環(huán)境中，因此通 過該老化處理，有時會新產(chǎn)生滅點缺陷或暗點缺陷等。所以，在本實施方 式中，在執(zhí)行穩(wěn)定化老化處理之后，再次進行如上所述的使元件驅(qū)動Tr2 在線性區(qū)域動作的滅點缺陷檢查(二次檢查)(S54)，在未產(chǎn)生滅點缺陷 時(S55:否)，將該顯示裝置作為良品(S56)，進而，依次執(zhí)行必要的組 裝工序、檢查工序等。在檢測到發(fā)生了滅點缺陷的情況下(S55:是)，為 了更可靠地使該滅點明顯化，執(zhí)行滅點篩選(S56)。
在執(zhí)行篩選之后，為了確定滅點缺陷位置而執(zhí)行缺陷檢査，并對確定 了位置的滅點缺陷，實施激光修復(S58)。
另外，在執(zhí)行老化處理之后，對暗點缺陷也再次如上述那樣使元件驅(qū) 動Tr2在飽和區(qū)域動作來執(zhí)行暗點缺陷檢査(S59)，在未檢測到暗點的情 況下(S60:否)，判定為良品(S61)。
在檢測到暗點缺陷的情況下(S60:是)，對檢測到的位置的暗點缺陷
執(zhí)行UV光修復(S62)，通過修復修正了缺陷后的顯示裝置作為良品添加 到出廠用的產(chǎn)品中(S63)。
如上所述，在一次檢查中檢測到滅點缺陷的情況下，在執(zhí)行滅點篩選 之后，作為二次檢查，使元件驅(qū)動Tr2在線性區(qū)域動作，執(zhí)行EL元件的 短路所引起的滅點缺陷的檢查，從而能確定存在滅點缺陷及其位置，并能 可靠地通過激光修復來修復，削減成為不良品的顯示裝置數(shù)，另外，能夠 實現(xiàn)高效的缺陷檢查，有助于削減制造成本。
此外，在上述一次檢査中，滅點缺陷通過將各像素的所述電致發(fā)光元 件控制在發(fā)光狀態(tài)，將其發(fā)光亮度相當于小于基準值的像素作為該滅點缺 陷進行檢測。對于其發(fā)光亮度相當于小于基準值的像素而言，如上所述， 不僅是指根據(jù)使其顯示光柵圖像后測定的各像素的發(fā)光亮度的測定而被 判斷為亮度不充分的像素，還指如在本實施方式中說明的使元件驅(qū)動Tr2 在線性區(qū)域動作來使EL元件為發(fā)光狀態(tài)時的發(fā)光亮度、或基于陰極電流 換算成發(fā)光亮度后小于基準值的像素。
在此，在圖17所示的制造方法的例子中，對一次檢查或老化處理后 的滅點缺陷檢查的結(jié)果為檢測到了滅點缺陷的顯示裝置，執(zhí)行滅點篩選。 但是，例如也可在一次檢查時以及穩(wěn)定化老化處理之后，對所有顯示裝置 執(zhí)行滅點篩選。通過對所有顯示裝置執(zhí)行篩選，可大幅度降低在后面階段 產(chǎn)生滅點缺陷的可能性。但是，由于處理數(shù)增大會影響到制造時間、即制 造成本，因此通過僅對在如圖17所示那樣先進行的滅點缺陷檢查中檢測 到滅點的顯示裝置執(zhí)行，從而可實現(xiàn)處理時間的削減。另外，也可以是 根據(jù)在后面階段產(chǎn)生滅點缺陷的概率，僅對在一次檢查或在老化處理后的 缺陷檢查中、檢測到了與可判斷為良品的產(chǎn)生容限接近數(shù)量的滅點缺陷的 顯示裝置執(zhí)行篩選。這是由于在己經(jīng)檢測到與產(chǎn)生容限接近數(shù)量的滅點 缺陷的情況下，當在后面階段該顯示裝置中又產(chǎn)生了滅點缺陷時，在該時 刻其成為不良品，到此為止的檢査、修正工序所花費的時間和成本都變得 無用。
另外，滅點篩選也可在滅點缺陷和暗點缺陷都被檢測出規(guī)定數(shù)以上的 情況下對該顯示裝置執(zhí)行。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯示裝置在各像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動的電流，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導通顯示信號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動作，檢測所述電致發(fā)光元件的特性，基于該特性檢測滅點缺陷，在執(zhí)行所述滅點缺陷的檢測之前，向各像素的所述電致發(fā)光元件施加反向偏壓，使所述滅點缺陷明顯化。
2. —種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷修正方法，對通過權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法檢測到所述滅點缺陷的像素， 向該像素的所述電致發(fā)光元件的陽極與陰極的短路區(qū)域選擇性照射激光， 執(zhí)行切斷該短路區(qū)域的電流路徑的激光修正。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，其特征 在于，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導通顯示信 號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動作，檢測所述 電致發(fā)光元件的特性，基于該檢測結(jié)果對暗點缺陷進行檢測。
4. 一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷修正方法，對通過權(quán)利要求3所述的缺陷檢查方法檢測到所述暗點缺陷的像素， 在向該像素的所述元件驅(qū)動型晶體管施加了規(guī)定偏壓的狀態(tài)下照射紫外 線光，修正所述元件驅(qū)動型晶體管的電流供給特性的偏差。
5. —種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置在各像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動晶體管， 其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動的電流；作為一次檢查，將各像素的所述電致發(fā)光元件控制為發(fā)光狀態(tài)，并將 所述電致發(fā)光元件的發(fā)光亮度相當于小于基準值的像素檢測為滅點缺陷，對通過所述一次檢測而檢測到所述滅點缺陷的所述電致發(fā)光顯示裝 置，向各像素的所述電致發(fā)光元件施加反向偏壓，使所述滅點缺陷明顯化， 在執(zhí)行所述滅點缺陷的明顯化之后，作為二次檢査，向所述顯示裝置的各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導通顯示信號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動作，檢測所述電致發(fā)光元件的特性，基于該特性檢測滅點缺陷，對在所述二次檢査中檢測到所述滅點缺陷的像素，向該像素的所述電致發(fā)光元件的陽極與陰極的短路區(qū)域選擇性照射激光，執(zhí)行切斷該短路區(qū)域的電流路徑的激光修正。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在 于， 在所述一次檢查中，通過與所述二次檢查同樣的檢査方法檢測所述滅 點缺陷。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述一次檢査中，對控制為所述發(fā)光狀態(tài)的所述電致發(fā)光元件的發(fā) 光亮度進行檢測，將檢測出的所述發(fā)光亮度在基準值以下的像素檢測為滅 點缺陷。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5 7的任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方 法，其特征在于，用于使所述滅點缺陷明顯化的處理，在所述一次檢査中檢測到的滅點 缺陷像素數(shù)為規(guī)定數(shù)以上時執(zhí)行。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5 8的任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方 法，其特征在于，用于使所述滅點缺陷明顯化的處理和所述二次檢查，在針對所述顯示 裝置的老化處理之后執(zhí)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 9的任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢 查方法、缺陷修正方法或制造方法，其特征在于，在檢測所述滅點缺陷時，檢測的所述電致發(fā)光元件的特性是該電致發(fā) 光元件的發(fā)光亮度，將檢測到的所述發(fā)光亮度在基準值以下的像素檢測為 滅點缺陷。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1 9的任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢 查方法、缺陷修正方法或制造方法，其特征在于，在檢測所述滅點缺陷時，所述檢測的所述電致發(fā)光元件的特性是所述 電致發(fā)光元件的陰極電流，當所述陰極電流比基準值大時，將該像素判定 為滅點缺陷像素。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法或制 造方法，其特征在于，所述電致發(fā)光元件的陰極電流是供給使所述電致發(fā)光元件為不發(fā)光 程度的檢査用截止顯示信號和使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用 導通顯示信號時的、所述檢查用截止顯示信號所對應的所述電致發(fā)光元件 的陰極電流和所述檢查用導通顯示信號所對應的所述電致發(fā)光元件的陰 極電流之間的導通截止電流差，將檢測出的所述導通截止電流差與基準值比較，當該導通截止電流差 比所述基準值大時，將該像素判定為所述滅點缺陷。
13. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導通顯示信 號，并且，使所述元件驅(qū)動晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動作，檢測所述 電致發(fā)光元件的特性，基于該檢測出的特性檢測暗點缺陷。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，對檢測到所述暗點缺陷的像素，在向該像素的所述元件驅(qū)動晶體管施 加了規(guī)定偏壓的狀態(tài)下照射紫外線光，修正所述元件驅(qū)動型晶體管的電流 供給特性的偏差。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其 特征在于，在檢測所述暗點缺陷時，所述檢測的電致發(fā)光元件的特性是該電致發(fā) 光元件的發(fā)光亮度，將發(fā)光亮度小于基準值的像素檢測為異常顯示缺陷像 素，并且，將該異常顯示缺陷像素中的未被檢測為所述滅點缺陷的像素， 檢測為暗點缺陷像素。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其 特征在于，在檢測所述暗點缺陷時，所述檢測的所述電致發(fā)光元件的特性是所述 電致發(fā)光元件的陰極電流，當所述陰極電流比基準值小時，將該像素檢測 為暗點缺陷像素。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述電致發(fā)光元件的陰極電流是供給使所述電致發(fā)光元件為不發(fā)光 程度的檢查用截止顯示信號和使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用 導通顯示信號時的、所述檢查用截止顯示信號所對應的所述電致發(fā)光元件 的陰極電流和所述檢查用導通顯示信號所對應的所述電致發(fā)光元件的陰 極電流之間的導通截止電流差，將檢測出的所述導通截止電流差與基準值比較，當該導通截止電流差 比所述基準值小時，將該像素判定為所述滅點缺陷。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11 17的任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造 方法，其特征在于，用于使所述滅點缺陷明顯化的處理，在通過所述一次檢測而檢測到所 述滅點缺陷且檢測到所述暗點缺陷的情況下執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，使用于控制向EL元件供給的驅(qū)動電流的元件驅(qū)動晶體管在其線性區(qū)域動作，基于使EL元件為發(fā)光程度時的發(fā)光亮度或陰極電流，檢測由EL元件的短路引起的滅點缺陷。在該滅點缺陷之前，通過向EL元件的陽極與陰極之間施加反向偏壓，從而使滅點缺陷明顯化。由此，防止在后面階段滅點缺陷消失而不能進行激光修復等，從而提高檢查和修正效率。另外，使元件驅(qū)動晶體管在其飽和區(qū)域動作，基于使EL元件為發(fā)光程度時的陰極電流或發(fā)光亮度，檢測由元件驅(qū)動晶體管的特性偏差引起的暗點缺陷。由此，能高精度地檢測并修正EL顯示裝置的顯示缺陷。
文檔編號G09G3/00GK101174376SQ20071014836
公開日2008年5月7日 申請日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月4日
發(fā)明者小川隆司 申請人:三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社