專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置，尤其涉及一種安裝等離子體顯示面板的排氣孔 位置結(jié)構(gòu)的等離子體顯示裝置。
技術(shù)背景一般等離子體顯示面板，由其上部基板與下部基板間形成的隔層組成一個(gè)單位信元 (cell),各個(gè)信元(cell)內(nèi)填充了氖(Ne)、氦(He)，或氖與氦的混合氣體(Ne+He)等主放電 氣體與少量含有氙的惰性氣體。高頻電壓導(dǎo)致放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultravioletray)，使隔層間形成的熒光體發(fā)光，顯示畫(huà)面。如上所述的等離子體顯示面板 具有輕薄的結(jié)構(gòu)，作為新一代顯示裝置備受矚目。為了對(duì)等離子體顯示面板的放電信元(cell)空間進(jìn)行震動(dòng)狀態(tài)維持及充入放電氣 體，面板上需要排氣孔。這種排氣孔若與驅(qū)動(dòng)面板及維持電極對(duì)相鄰，則由于排氣孔的 污染，將產(chǎn)生誤放電及面板的污點(diǎn)，從而導(dǎo)致PDP的信賴性的降低。 發(fā)明內(nèi)容發(fā)明目的本發(fā)明的旨在提供一種具有信賴性的等離子體顯示裝置，以防止等離子 體顯示面板上形成的排氣孔的污染，從而防止維持電極對(duì)的誤放電及面板的污點(diǎn)，。技術(shù)方案本發(fā)明的等離子體顯示裝置，包含形成維持電極對(duì)的等離子體顯示面 板；為了驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板而產(chǎn)生信號(hào)的綜合驅(qū)動(dòng)面板；及為了上述面板的排 氣及充入放電氣體而形成的排氣孔，上述維持電極對(duì)向上述面板的一側(cè)延長(zhǎng)，與上述綜 合驅(qū)動(dòng)面板相連，上述排氣孔位于上述面板的另一側(cè)邊緣。上述排氣孔至少可以形成一個(gè)以上，并且上述排氣孔應(yīng)該位于上述面板的邊緣。上述排氣孔可以在上述面板的正面及背面中的一個(gè)面上形成，并且上述排氣孔應(yīng)該 僅在上述維持電極對(duì)延長(zhǎng)的另一側(cè)上形成。有益效果本發(fā)明的等離子體顯示裝置中，使為了向面板充入放電氣體而形成的排 氣孔，并不與綜合驅(qū)動(dòng)面板及維持電極對(duì)相鄰，從而可以防止維持電極對(duì)的誤放電，面 板的污點(diǎn)，從而提高面板的信賴性。


圖1是本發(fā)明中等離子體顯示面板的一個(gè)實(shí)施例示意圖。圖2等離子體顯示面板的電極排列的一個(gè)實(shí)施例示意圖。圖3是將一幀分為多個(gè)子域并進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方法的一個(gè)實(shí)施例示意圖。圖4及圖5是本發(fā)明的等離子體顯示面板中，排氣孔的位置結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例示意圖。圖6是對(duì)于上述分割的一個(gè)子域，驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一個(gè)實(shí)施例
示意圖。
具體實(shí)施方式
下面，舉較佳實(shí)施例，并配合附圖對(duì)本發(fā)明中的等離子體顯示裝置詳細(xì)說(shuō)明如下。 圖1是本發(fā)明中等離子體顯示面板的一個(gè)實(shí)施例示意圖。如圖1所示，等離子體顯示面板，包含位于上部基板IO上的維持電極對(duì)，即掃描 電極11及維持電極12;下部基板20上形成的定位電極22。上述維持電極對(duì)(ll, 12) —般包含由氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide;ITO)形成的透明電 極(lla， 12a)與匯流電極(llb, 12b),上述匯流電極(llb, 12b)可以由銀(Ag)，鉻(Cr)等金 屬或鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)疊加而形成，或由鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr)疊加而形成。匯流電極(llb， 12b)位于透明電極(lla, 12a)上，起到降低因電阻值較高的透明電極(lla， 12a)導(dǎo)致的電壓 下降的作用。
一方面，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，維持電極對(duì)(ll, 12)不僅可以由透明電極(lla 12a)與匯流電極(llb， 12b)疊加而成，還可以不需要透明電極(lla, 12a)，僅由匯流電極(llb, 12b)組成。上述結(jié)構(gòu)不使用透明電極(lla， 12a),因此可以降低面板制造的成本。用于 上述結(jié)構(gòu)的匯流電極(llb,12b)可以使用上面列舉的材料以外的感光性材料等多種材料。
掃描電極11及維持電極12的透明電極(lla, 12a)與匯流電極(llb， llc)間，排列著具 有吸收上部基板10的外部產(chǎn)生的外部光，降低反射的光阻斷功能及提高上部基板10的 純度(Purity)及對(duì)比度(contrast)的功能的黑底(Black Matrix, BM) 15。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的黑底(black matrk)15位于上部基板10上，可以由位于與 隔層21重疊的位置的第1黑底(black matrix)15，及位于透明電極(lla, 12a)與匯流電極 (llb， 12b)間的第2黑底(blackmatrix)(llc， 12c)組成。其中，第1黑底(blackmatrix) 15與 被稱為黑層或黑色電極層的第2黑底(Wackmatrix)(llc， 12c)，在形成的過(guò)程中同時(shí)形成 并物理性地連接，亦可以不同時(shí)形成，不物理性地連接。又，物理性地連接形成時(shí)，第1黑底(black matrix)15與第2黑底(black matrix)(llc, 12c)以相同的材質(zhì)形成，而物理性地分離形成時(shí)，可以由不同材質(zhì)形成。
并排形成掃描電極11與維持電極12的上部基板10上將疊加上部電介質(zhì)層13與保 護(hù)膜14。上部電介質(zhì)層13上積聚放電產(chǎn)生的帶電粒子，并執(zhí)行保護(hù)維持電極對(duì)(ll, 12) 的功能。保護(hù)膜14在氣體放電時(shí)產(chǎn)生的帶電粒子的噴射(spattering)過(guò)程中保護(hù)上部電 介質(zhì)層13，從而提高2次電子的放射效率。又，定位電極22以與掃描電極11及維持電極12交叉的方向形成。又，形成定位 電極22的下部基板20上將形成下部電介質(zhì)層23與隔層21。又，下部電介質(zhì)層23與隔層21表面形成熒光體層。隔層21由縱向隔層21a與橫 向隔層21b封閉型地形成，并且物理地劃分放電信元(cell),防止放電產(chǎn)生的紫外線與可 視光線泄漏到相鄰的放電信元(cell)中。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，不僅是圖1中圖示的隔層21結(jié)構(gòu)，其他多種形狀的隔層 21也可以。例如，縱向隔層21a與橫向隔層21b的高度不同的差等型隔層結(jié)構(gòu)，縱向隔 層21a或橫向隔層21b中，至少一個(gè)上形成可以用作排氣管道的通道(Channel)的管道型 隔層結(jié)構(gòu)，縱向隔層21a或橫向隔層21b中，至少一個(gè)以上中形成槽(Hollow)的槽型隔層結(jié)構(gòu)等。其中，差等型隔層結(jié)構(gòu)，其橫向隔層21b的高度應(yīng)該更高，管道型隔層結(jié)構(gòu)或槽型 隔層結(jié)構(gòu)，應(yīng)在橫向隔層21b上形成管道或槽。一方面，本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)R, G及B放電信元(cell)分別排列在同一條線上 的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了圖示及說(shuō)明，然，以其他形狀排列亦可以。例如，R,G及B放電信 元(eell)以三角形的形狀排列的三角形(Delta)類型的排列亦可以。又，放電信元(cell)的 形狀也不限于四邊形，五角形，六角形等多種多邊形亦可以。又，上述熒光體層由于氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線而發(fā)光，產(chǎn)生紅色(R)，綠色(G)或 藍(lán)色(B)中的某一種可視光。其中，上部/下部基板(10，20)與隔層21間的放電空間中，將 注入可以產(chǎn)生放電的He+Xe,Ne+Xe及He+Ne+Xe等惰性混合氣體。上述放電氣體，通過(guò)面板的一側(cè)上形成的排氣？L，充入面板外部，上述充氣結(jié)束后， 在面板上突出的排氣孔，將由于外部施加的熱量而堵塞。圖2是等離子體顯示面板的電極排列的一個(gè)實(shí)施例示意圖，組成等離子體顯示面 板的多個(gè)放電信元(cell)如圖2所示,應(yīng)以矩陣(matrix)形狀排列。多個(gè)放電信元(cell)分 別位于掃描電極行(line)(Yl至Ym)，維持電極行(line)(Zl至Zm)及定位電極行(line)(Xl 至Xn)的交叉部分。掃描電極行(line)(Yl至Ym)可以依次驅(qū)動(dòng)或同時(shí)驅(qū)動(dòng)，維持電極行 (line)(Zl至Zm)可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)。定位電極行(line)(Xl至Xn)可以分為奇數(shù)行與偶數(shù)行驅(qū) 動(dòng)或依次驅(qū)動(dòng)。圖2中圖示的電極排列僅代表本發(fā)明中等離子體面板的電極排列的一個(gè)實(shí)施例，本 發(fā)明并非受限于圖2中圖示的等離子體顯示面板的電極排列及驅(qū)動(dòng)方式。例如，上述掃 描電極行(line)(Yl至Ym)中，還允許2個(gè)掃描電極行(line)同時(shí)進(jìn)行掃描的雙重掃描(dual scan)方式。又上述定位電極行(line)(Xl至Xn)可以在面板的中央部分分為上、下兩部 分進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。圖3是將一幀(frame)分為多個(gè)子域(subfield)，對(duì)等離子體顯示面板進(jìn)行分時(shí)(time sharing)驅(qū)動(dòng)的方法的一個(gè)實(shí)施例時(shí)序圖。單位幀(frame)為了實(shí)現(xiàn)分時(shí)灰階顯示，可以分 為一定的數(shù)量的子域(subfield)，例如8個(gè)子域(subfield)(SFl, SF8)。又，各子域 (subfield)(SFl,…SF8)分為復(fù)位(reset)區(qū)間(未圖示)，定位(address)區(qū)間(A1,…，A8)，及鄉(xiāng)崔 持(sustain)區(qū)間(S1,…，S8)。其中，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，復(fù)位(reset)區(qū)間在多個(gè)子域(subfield)中的至少一 個(gè)中可以省略。例如，復(fù)位(reset)區(qū)間可以僅存在于第一個(gè)子域(subfield)中，或僅存在
于第一個(gè)子域(subfield)及整個(gè)子域(subfield)中，中間部分的子域(subfield)中。各定位(address)區(qū)間(Al, A8)中，向定位電極(X)負(fù)加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，向各掃描電 極(Y)依次負(fù)加上升的掃描脈沖。各維持(sustain)區(qū)間(S1，.,.,S8)中，向掃描電極(Y)與維持電極(Z)交互地負(fù)加維持脈 沖，在定位(address)區(qū)間(Al,A8)由壁電荷形成的放電信元(cell)產(chǎn)生維持放電。等離子體顯示面板的亮度與單位幀(frame)所占的維持放電區(qū)間(Sl, ...， S8)內(nèi)的維持 放電脈沖數(shù)量成正比。形成1圖像的一個(gè)幀(frame)，顯示8個(gè)子域(subfield)及256灰階 時(shí)，各子域(subfield)將依次以1， 2， 4， 8,16， 32， 64,128的比例分配不同數(shù)量的維持脈沖。 若要獲得133灰階的亮度，可以在子域(subfield)l區(qū)間，子域(subfield)3區(qū)間及子域 (subfield)8區(qū)間中對(duì)信元(cell)進(jìn)行定位(addressing)， 從而進(jìn)行維持放電。分配給各子域(subfield)的維持放電數(shù)量，可以隨著APC(Automatic Power Control) 階段的子域(subfieW)的加重值(weight)產(chǎn)生變化。即，圖3中以將一幀(frame)分為8個(gè) 子域(subfield)的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，然本發(fā)明并非受限于此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)式樣對(duì)形 成一幀(frame)的子域(subfield)數(shù)進(jìn)行多種變更。例如，可以將一幀(frame)分為12或16 子域(subfield)等，可以分為8子域(subfield)以上，對(duì)等離子體顯示面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。又，分配給各子域(subfield)的維持放電數(shù)量，可以考慮其伽馬(gamma)特性或面板 特性，進(jìn)行多種變更。例如，可以將分配給子域(subfield)4的灰階度從8降至6，將分 配給子域(subfield) 6的灰階度從32升至34。圖4及圖5是本發(fā)明的等離子體顯示面板中，排氣孔的位置結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例示意圖。參考圖4、圖5，對(duì)本發(fā)明中的等離子體顯示裝置的排氣孔位置進(jìn)行說(shuō)明如下，如圖 1中所示，包含形成由掃描電極及維持電極組成的維持電極對(duì)110的上部基板100; 面向上部基板100結(jié)合，形成面板的下部基板200;為了使面板內(nèi)部維持真空狀態(tài)，填 充放電所需的惰性氣體等，而形成的排氣孔300。維持電極對(duì)110如圖5所示，為了在面板中顯示圖像，隨著為了提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)而開(kāi) 發(fā)綜合驅(qū)動(dòng)面板250，維持電極對(duì)110與前有所不同，僅在一側(cè)延長(zhǎng)，連接在與綜合驅(qū) 動(dòng)面板250相連的電極pad部120上。此時(shí)，綜合驅(qū)動(dòng)面板250是由向掃描電極提供驅(qū) 動(dòng)信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)面板，向維持電極提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的維持驅(qū)動(dòng)面板組成的一個(gè)驅(qū)動(dòng)面板, 因此，可以由一個(gè)面板產(chǎn)生掃描及維持驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可以排放于面板兩側(cè)中的任意一側(cè)上， 實(shí)際上，將加載在面板背面上安裝的放熱幀(frame)(未圖示)上。關(guān)于如上所述的，綜合 驅(qū)動(dòng)面板250向維持電極對(duì)110提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，將在下面的圖6中詳細(xì)說(shuō)明。又，電極pad部120是為了與維持電極對(duì)110及綜合驅(qū)動(dòng)面板250相連，并提供綜 合驅(qū)動(dòng)面板250上形成的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而形成的，可以使用FPC(Flexible Printed Cable), COF(Chip On Flexible)， TCP(Tape Carrier Package)中的任意一個(gè)。
如上所述，維持電極對(duì)110僅在面板的一側(cè)延長(zhǎng)，綜合驅(qū)動(dòng)面板250可以位于面板 的一側(cè)，因此，本發(fā)明中排氣孔300應(yīng)該位于面板的另一側(cè)。排氣孔300是為了使面板的內(nèi)部空間，即，放電信元(cdl)處于真空狀態(tài)，并且注入 上述放電氣體而形成的。排氣孔300如圖4所示，位于維持電極對(duì)110未延長(zhǎng)的一側(cè)的 上部基板100上時(shí)，可以防止通過(guò)排氣孔300抽出及充入氣體時(shí)，維持電極對(duì)110的污 染；可以改善與排氣孔300所處的位置相鄰的維持電極對(duì)110中產(chǎn)生的誤放電；并且可 以清除在驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)，由于維持電極對(duì)110產(chǎn)生的熱量，導(dǎo)致排氣孔300的污染，而 導(dǎo)致的面板的污點(diǎn)。一方面，本明細(xì)中，對(duì)排氣孔300位于上部基板100上為例進(jìn)行了說(shuō)明，然，其可 以位于下部基板200上；亦可以位于未形成維持電極對(duì)110的面板的另一側(cè)兩端部分； 而且還可以位于兩側(cè)中的任意一側(cè)中；不僅是兩側(cè)，面板另一側(cè)中，至少可以形成一個(gè) 以上排氣孔300。又，即使不是綜合驅(qū)動(dòng)面板250，而是分別使用驅(qū)動(dòng)面板的等離子體顯 示裝置，其維持電極對(duì)110也可以僅在面板的一側(cè)延長(zhǎng)，在上述情況下，排氣孔300也 不應(yīng)與維持電極對(duì)110相鄰，而應(yīng)該位于面板的另一側(cè)。又，排氣孔300位于下部基板100上的情況下，如圖5所示，不應(yīng)與綜合驅(qū)動(dòng)面板 250所處的面板的一側(cè)相鄰，而應(yīng)位于面板的另一側(cè)。此時(shí)，可以防止驅(qū)動(dòng)綜合驅(qū)動(dòng)面 板250時(shí)，熱量導(dǎo)致的排氣孔的污染。一方面，圖4及圖5中，雖然圖示了排氣孔300的正面，并且其形狀為圓形，而 實(shí)際上，與排氣孔300相連，并且為了保持真空及充入氣體而設(shè)置的排氣管(未圖示)將 泄漏(Tipoff)，因此，其形狀將呈圓柱及圓角形狀，并且在正面看可能不是正圓形。圖6是針對(duì)上述分配的一個(gè)子域(subfield),驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的 —個(gè)實(shí)施例時(shí)序圖。上述子域(subfield)包含在掃描電極(Y)上形成正極性壁電荷，在維持電極(Z)上形 成負(fù)極性壁電荷的預(yù)復(fù)位(prereset)區(qū)間；利用預(yù)復(fù)位(prereset)區(qū)間形成的壁電荷分布， 對(duì)整個(gè)畫(huà)面的放電信元(cell)進(jìn)行初始化的復(fù)位(reset)區(qū)間；選擇放電信元(cell)的定位 (address)區(qū)間；及維持被選的放電信元(cell)的放電狀態(tài)的維持(sustain)區(qū)間。復(fù)位(reset)區(qū)間由上升沿(setup)區(qū)間及下降沿(set-down)區(qū)間形成，上述上升沿(setup) 區(qū)間中，同時(shí)向所有掃描電極負(fù)加上升斜坡波形(Ramp-up)，在所有放電信元(cdl)中產(chǎn) 生微弱的放電，并由此產(chǎn)生壁電荷。上述下降沿(set-down)區(qū)間中，同時(shí)向所有掃描電極 (Y)負(fù)加從比上述上升斜坡波形(Ramp-up)的最高電壓低的正極性電壓開(kāi)始下降的下降 斜坡波形(Ramp-down)，在所有放電信元(cell)中產(chǎn)生清除放電，并由此清除上升沿放電 產(chǎn)生的壁電荷及空間電荷(spacecharge)中不必要的電荷。定位(address)區(qū)間向掃描電極依次負(fù)加負(fù)極性掃描信號(hào)(scan)，與此同時(shí)，向上述定 位電極(X)負(fù)加正極性數(shù)字信號(hào)(data)。由于上述掃描信號(hào)(scan)與數(shù)字信號(hào)(data)間的電
壓差及上述復(fù)位(reset)區(qū)間期間產(chǎn)生的壁電荷，產(chǎn)生定位(address)放電，選擇信元(cell)。 一方面，上述下降沿(set-down)區(qū)間與定位(address)區(qū)間期間，向上述維持電極負(fù)加保持 維持(sustain)電壓的信號(hào)。上述維持區(qū)間，向掃描電極與維持電極交替地負(fù)加維持脈沖，從而在掃描電極與維 持電極間產(chǎn)生表面放電狀態(tài)的維持放電。圖6中圖示的波形圖是本發(fā)明中，驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一個(gè)實(shí)施例 時(shí)序圖，本發(fā)明并非受限于圖6中圖示的波形。例如，可以省略上述預(yù)復(fù)位(pre reset) 區(qū)間，圖6中圖示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性及電壓強(qiáng)度(level)可以根據(jù)需要進(jìn)行變更，上述維 持放電結(jié)束后，還可以向維持電極負(fù)加清除壁電荷的清除信號(hào)。又，上述維持信號(hào)僅負(fù) 加在掃描電極(Y)與維持(Z)電極中的某一個(gè)電極上，產(chǎn)生維持放電的單維持(single sustain)驅(qū)動(dòng)亦可以。綜上所述，雖然本發(fā)明關(guān)于等離子體顯示裝置已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非 用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn) 行各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所提出的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種等離子體顯示裝置，其特征在于它包含形成維持電極對(duì)的等離子體顯示面板；為了驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板而產(chǎn)生信號(hào)的綜合驅(qū)動(dòng)面板；及為了上述等離子體顯示面板的排氣及充入放電氣體而形成的排氣孔，上述維持電極對(duì)向面板的一側(cè)延長(zhǎng)，與上述綜合驅(qū)動(dòng)面板相連，上述排氣孔位于上述等離子體顯示面板的另一側(cè)邊緣。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述排氣孔至少有一個(gè)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述排氣孔位于上述等 離子體顯示面板的邊緣。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述排氣孔位于上述等 離子體顯示面板的正面及背面中的任意一側(cè)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述排氣孔僅位于與上 述維持電極對(duì)延長(zhǎng)的一側(cè)相反的一側(cè)上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)的等離子體顯示裝置包含形成維持電極對(duì)的等離子體顯示面板；為了驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板而產(chǎn)生信號(hào)的綜合驅(qū)動(dòng)面板；及為了面板的排氣及充入放電氣體而形成的排氣孔，維持電極對(duì)向面板的一側(cè)延長(zhǎng)，與上述綜合驅(qū)動(dòng)面板相連，上述排氣孔位于上述面板的另一側(cè)邊緣。本發(fā)明的等離子體顯示裝置，排氣孔并不與綜合驅(qū)動(dòng)面板及維持電極對(duì)相鄰，從而可以防止排氣孔的污染導(dǎo)致的面板的污點(diǎn)及維持電極對(duì)可能產(chǎn)生的誤放電。
文檔編號(hào)G09F9/313GK101159110SQ20071016970
公開(kāi)日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2007年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月8日
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