專利名稱：像素驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于顯示裝置的像素驅(qū)動方法，特別是一種應(yīng) 用于液晶顯示裝置的像素驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示器的技術(shù)突飛猛進，且制造成本亦不斷下降，
使得液晶顯示器(LCD)己幾乎完全取代傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)在監(jiān)視 器上的市場。并且隨著液晶顯示技術(shù)的進步，液晶電視的市場更是快 速地成長，而對液晶電視的性能要求也越來越高，例如高分辨率(如 1920x1080像素)、高速反應(yīng)時間而無拖影等。
當(dāng)液晶電視為了避免拖影的問題， 一般須要將傳統(tǒng)掃描頻率60 赫茲(每秒60個畫面)，倍頻到120赫茲(每秒120個畫面)，并插入灰 階值畫面。雖然提高掃描頻率可以提升動態(tài)畫面的流暢度，但是提高 掃描頻率亦意味著像素寫入時間縮短，易發(fā)生像素充/放電不足的現(xiàn) 象。
為了克服上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人曾在臺灣專利申請?zhí)柕?96115705號案，提出在操作時間的前半段，以較高的補償數(shù)據(jù)電壓 對像素進行充電/放電，接著在操作時間的后半段，再以正常的理想 數(shù)據(jù)電壓對像素進行充電/放電，以便在因為倍頻而操作時間縮短的 情況下，仍能將像素充電/放電到所須的理想電壓值。此方法雖然立 意甚佳，但隨著液晶面板的分辨率越來越高，達1920x1080像素時， 由于電阻電容延遲(RC dday)的現(xiàn)象更加明顯，距離數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或 柵極驅(qū)動芯片等信號端最近的像素與距離信號端最遠的像素所能達 到的操作電壓，便有相當(dāng)?shù)牟町悾韵乱詧D示說明。
圖1(a) (b)、圖2(a) (b)及圖3(a) (b)為現(xiàn)有技術(shù)的像素充電過程 的電壓示意圖，其中Vgate為柵極電壓。參照圖l(a),圖l(a)為距離信號端最近的像素的充電狀況，其中充電后的像素電壓(Vp^)較理想電
壓值(Vdata)高，呈現(xiàn)充電過高的狀況；參照圖l(b)，圖l(b)為距離信 號端最遠的像素的充電狀況，其中充電后的像素電壓(Vp^)剛好等于
理想電壓銜Vdata)。參照圖2(a)，圖2(a)為距離信號端最近的像素的
充電狀況，其中充電后的像素電壓(VpixeO剛好等于理想電壓值(Vdata); 參照圖2(b)，圖2(b)為距離信號端最遠的像素的充電狀況，其中充電 后的像素電壓(V—贈理想電壓值(Vdata)低，呈現(xiàn)充電不足的狀況。參
照圖3(a)，圖3(a)為距離信號端最近的像素的充電狀況，其中充電后 的像素電壓(Vp^)較理想電壓值(Vd^)高，呈現(xiàn)充電過高的狀況；參 照圖3(b)，圖3(b)為距離信號端最遠的像素的充電狀況，其中充電后 的像素電壓(Vp^)較理想電壓值(Vd自)低，呈現(xiàn)充電不足的狀況。
由上述的圖l(a)-(b)、圖2(a) (b)及圖3(a) (b)中可知，現(xiàn)有技術(shù) 對于高分辨率液晶面板而言，由于數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或柵極驅(qū)動芯片等驅(qū) 動芯片產(chǎn)生的驅(qū)動信號傳輸經(jīng)過更多像素，使得電阻電容延遲(RC dday)的現(xiàn)象更顯著，尤其是同時距離數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片和柵極驅(qū)動芯片 等驅(qū)動信號端較遠的像素，就更難兼顧到像素的充電狀況，也就更容 易出現(xiàn)距離信號端較近的像素充電過高(如圖l(a))、距離信號端較遠 的像素充電不足(如圖2(b))，甚至兩者皆有(如圖3(a)及(b))的情況。
針對上述問題，本發(fā)明進一步提出了嶄新的概念與解決方法，能 使高分辨率液晶面板上的各像素，在高倍頻的操作狀況下，亦能達到 理想的充電電壓值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素驅(qū)動方法，可解決 液晶面板像素充電不均的現(xiàn)象。
本案的一個實施例提供了一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置， 其中，顯示裝置包含至少第一像素與第二像素，第一像素與第二像素 共同耦接至信號端，信號端與第一像素的距離大于其與第二像素的距 離，且驅(qū)動每一像素的操作時間包括第一操作時間以及第二操作時
間，此像素驅(qū)動方法包括產(chǎn)生對應(yīng)于該像素的灰階值的補償電壓與理想電壓，在第一操作時間內(nèi)，以補償電壓對其對應(yīng)的像素進行充電 /放電；以及在第二操作時間內(nèi)，以理想電壓對其對應(yīng)的像素進行充 電/放電；其中，第一像素的第一操作時間大于第二像素的第一操作 時間。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該補償電壓根據(jù)補償伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該理想電壓根據(jù)理想伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該顯示裝置為液晶顯示裝置。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該信號端包含數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第一像素的該第一補償電壓大于該第二像 素的該第一補償電壓。
本案的另一實施例為提供一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置， 其中顯示裝置包含至少第一像素與第二像素，第一像素與第二像素共 同耦接至信號端，信號端與第一像素的距離大于其與第二像素的距 離，且驅(qū)動每一像素的操作時間包括第一操作時間以及第二操作時 間，該方法包含在同一灰階值下，分別產(chǎn)生對應(yīng)于第一像素與第二 像素的第一補償電壓與第二補償電壓，以及產(chǎn)生對應(yīng)于第一像素與第 二像素的理想電壓；在對應(yīng)于該第一像素的該第一操作時間內(nèi)，以該 第一補償電壓對該第一像素進行充電/放電；在對應(yīng)于該第二像素的 該第一操作時間內(nèi)，以該第二補償電壓對該第一像素進行充電/放電； 在對應(yīng)于該第一像素的該第二操作時間內(nèi)，以該理想電壓對該第一像 素進行充電/放電；以及在對應(yīng)于該第二像素的該第二操作時間內(nèi)， 以該理想電壓對該第二像素進行充電/放電；其中，該第一補償電壓 的絕對值大于該第二補償電壓的絕對值。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該補償電壓根據(jù)補償伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該理想電壓根據(jù)理想伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該顯示裝置為液晶顯示裝置。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該信號端包含數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第一像素的該第一操作時間大于該第二像素的該第一操作時間。
本案的又一實施例為提供一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置， 其中該顯示裝置包含至少第一像素與第二像素，該第一像素與該第二 像素共同耦接至信號端，該信號端與該第一像素的距離大于其與該第 二像素的距離，且驅(qū)動該第一像素的操作時間包括第一操作時間以及 第二操作時間，驅(qū)動該第二像素的操作時間包括第三操作時間以及第 四操作時間，該方法包含在同一灰階值下，分別產(chǎn)生對應(yīng)于該第一 像素與該第二像素的第一補償電壓與第二補償電壓，以及產(chǎn)生對應(yīng)于 該第一像素與該第二像素的理想電壓；分別將該第一補償電壓在該第
一操作吋間內(nèi)施加于該第一像素，以及將該第二補償電壓在該第三操
作時間內(nèi)施加于該第二像素；將該理想電壓分別在該第二操作時間內(nèi) 施加于該第一像素，以及在該第四操作時間內(nèi)施加于該第二像素；其 中該第一操作時間大于該第三操作時間，且該第一補償電壓的絕對值 大于該第二補償電壓的絕對值。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該補償電壓根據(jù)補償伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該理想電壓根據(jù)理想伽馬曲線產(chǎn)生。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該顯示裝置為液晶顯示裝置。 根據(jù)上述構(gòu)想，其中該信號端包含數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
通過以下詳細說明，將會對本發(fā)明有著更為深入的了解。


圖1(a) (b)為現(xiàn)有技術(shù)的像素充電過程的電壓示意圖2(a) (b)為現(xiàn)有技術(shù)的像素充電過程的電壓示意圖3(a) (b)為現(xiàn)有技術(shù)的像素充電過程的電壓示意圖4(a) (b)為本發(fā)明第一實施例的像素充電過程的電壓示意圖5(a) (b)為本發(fā)明第二實施例的像素放電過程的電壓示意圖6(a卜(b)為本發(fā)明第三實施例的像素充電過程的電壓示意以及
圖7(a卜(b)為本發(fā)明第四實施例的像素放電過程的電壓示意圖。主要部分代表符號說明
Tu、 T21、 T31、 T41、 T51、 T6I:第一操作時間 T12、 T22、 T32、 T42、 T52、 T62:第二操作時間 V"、 V21、 V31、 V41、 V51、 V61:補償電壓 V12、 V22、 V32、 V42、 V52、 V62:理想電壓 Vdata:數(shù)據(jù)電壓 Vgate:柵極電壓 Vpixel:像素電壓
△V,、 AV2、 AV3、 AV4:補償電壓與理想電壓的差值
具體實施例方式
本發(fā)明將通過下述優(yōu)選實施例并結(jié)合附圖，進行進一步的詳細說明。
實際上，液晶面板上的各像素會依其在各時間中的亮與暗的實際 需求，而持續(xù)進行充電或放電過程。本發(fā)明的概念，當(dāng)然亦可應(yīng)用于 像素放電的過程，亦即為像素操作在負極性時的過程。圖5(a) (b)為 本發(fā)明第二實施例的像素放電過程的電壓示意圖，亦即為像素操作在 負極性吋的電壓示意圖。參照圖5(a) (b)，同樣地，圖5(a)為距離信 號端最近的像素的放電狀況，圖5(b)為距離信號端最遠的像素的放電 狀況。本實施例與第一實施例皆是通過調(diào)整第一操作時間以及第二操 作時間的長短，來使液晶面板上各像素皆能被充/放電到其理想電壓 值。本實施例與第一實施例的不同處在于本實施例為放電過程，而 第一實施例為充電過程。在充電的過程中，像素電壓Vpixd由低升到 高；相反地，在放電的過程中，像素電壓VpM則由高降到低。圖5(a)為距離信號端最近的像素的放電過程，因為其RC delay 的狀況很小，所以可適度縮短補償電壓V2I的第一操作時間T31，以 免像素電壓Vp^在放電結(jié)束時的電壓值超過理想電壓V"值。圖5(b) 為距離信號端最遠的像素的放電過程，因為其RC delay的狀況很大， 所以可適度延長補償電壓V2,的第一操作時間丁41，以使像素電壓Vpixd
在放電結(jié)束時的電壓值能達到理想電壓V22值。
同樣地，通過調(diào)整第一操作時間T31 (或丁41)以及第二操作時間 T32 (或142)的長短，也就是調(diào)整補償電壓V21和理想電壓V22的相對 放電時間的長短，可使距離信號端遠近不同以及其位于顯示裝置的不
同位置的像素，都能在操作時間結(jié)束前，達到其各自的理想電壓V22。
調(diào)整第一操作時間T3I (或丁4|)以及第二操作時間T32 (或T42)長短的方 法，是根據(jù)該像素距離信號端的遠近以及其位于顯示裝置的位置，當(dāng) 像素距離信號端越遠時，則像素的第一操作時間丁31(或丁41)越長，以 補償其較大的RC delay的狀況。通過此方法，可以使整個液晶面板 上所有的像素，皆能在操作時間結(jié)束前，被放電到其各別的理想電壓
V22值。
圖6(a) (b)為本發(fā)明第三實施例的像素充電過程的電壓示意圖， 亦即為像素操作在正極性時的電壓示意圖。參照圖6(a) (b)，圖6(a) 為距離信號端最近的像素的充電狀況，圖6(b)為距離信號端最遠的像 素的充電狀況。本實施例與第一實施例的差別在于第一實施例是通 過對不同的像素，調(diào)整其第一操作時間以及第二操作時間的長短，來 使液晶面板上各像素皆能被充電到其理想電壓值；而本實施例則通過 對不同的像素，調(diào)整其補償電壓值的大小，以使液晶面板上各像素皆 能被充電到其理想電壓值。上述的補償電壓以及理想電壓可運用補償 伽馬曲線與理想伽馬曲線產(chǎn)生對應(yīng)的補償電壓值以及理想電壓值。
圖6(a)為距離信號端最近的像素的充電過程，在第一操作時間 丁51內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vd^設(shè)定為補償電壓V31，對像素進行充電，接
著在第二操作時間T52內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vdata則設(shè)定為理想電壓V32， 對像素進行充電，以使像素電壓Vp^在充電結(jié)束前能達到理想電壓VM值。因為其RC delay的狀況很小，所以補償電壓V31僅較理想電
壓V32值略高。
圖6(b)為距離信號端最遠的像素的充電過程，在第一操作時間 丁51內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vd^設(shè)定為補償電壓V41，對像素進行充電，接 著在第二操作時間T52內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓V^則設(shè)定為理想電壓V32， 對像素進行充電，以使像素電壓Vp^在充電結(jié)束前能達到理想電壓 V32值。在此實施例中，圖6(a)與圖6(b)以像素的理想電壓皆設(shè)定為 相同值V32(即同一灰階沐做說明，由于圖6(b)的像素相較于圖6(a) 的像素其距離信號端的位置較遠，因此RC delay的狀況將較為嚴重，
所以設(shè)計其補償電壓V4,較理想電壓V32的值高出許多，以補償其較
大的RC delay的狀況。
比較圖6(a)與圖6(b)，可得到補償電壓V31與理想電壓V32的差 值A(chǔ)V,(圖6(a))明顯小于補償電壓V41與理想電壓V32的差值A(chǔ)V2 (圖 6(b》。
所以本實施例通過對不同的像素，根據(jù)該像素距離信號端的遠近 以及其位于顯示裝置的位置，調(diào)整其補償電壓值的大小，當(dāng)像素距離 信號端越遠時，則像素的補償電壓越大，以使液晶面板上各像素皆能 被充電到其理想電壓值。
圖7(a) (b)為本發(fā)明第四實施例的像素放電過程的電壓示意圖， 亦即為像素操作在負極性時的電壓示意圖。參照圖7(a) (b)，圖7(a) 為距離信號端最近的像素的放電狀況，圖7(b)為距離信號端最遠的像 素的放電狀況。本實施例與第三實施例皆是通過對不同像素，調(diào)整補 償電壓的大小，以使液晶面板上各像素皆能被充/放電到其理想電壓 值。本實施例與第三實施例的不同處在于本實施例為放電過程，而 第三實施例為充電過程。在充電的過程中，像素電壓Vpixel由低升到 高；相反地，在放電的過程中，像素電壓V—則由高降到低。
圖7(a)為距離信號端最近的像素的放電過程，在第一操作時間 丁61內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vdata設(shè)定為補償電壓V51，對像素進行放電，接
著在第二操作時間T62內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vdata則設(shè)定為理想電壓V52，對像素進行放電，以使像素電壓Vpixe,在放電結(jié)束前能達到理想電壓
Vs2值。因為其RC delay的狀況很小，所以補償電壓V51的絕對值僅 較理想電壓V52的絕對值值略大。
圖7(b)為距離信號端最遠的像素的放電過程，在第一操作時間 丁61內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vd^設(shè)定為補償電壓V61，對像素進行放電，接 著在第二操作時間T62內(nèi)，將數(shù)據(jù)電壓Vd^則設(shè)定為理想電壓V52，
對像素進行放電，以使像素電壓VpM在放電結(jié)束前能達到理想電壓
Vs2值。因為其RC delay的狀況很大，所以其補償電壓V61的絕對值 與理想電壓V52的絕對值的值高出一截，以補償其較大的RC delay的 狀況。
比較圖7(a)及圖7(b)，可得到補償電壓V51的絕對值與理想電壓 Vs2的絕對值的差值A(chǔ)V3 (圖7(a))明顯小于補償電壓V6I的絕對值與理 想電壓V52的絕對值的差值A(chǔ)V4 (圖7(b))。
所以本實施例通過對不同的像素，根據(jù)該像素距離信號端的遠近 以及其位于顯示裝置的位置，調(diào)整其補償電壓值的大小，當(dāng)像素距離 信號端越遠時，則像素的補償電壓越大，可使液晶面板上各像素皆能 被放電到其理想電壓值。
根據(jù)本發(fā)明的精神，當(dāng)然可以同時混合第一實施例/第二實施例 與第三實施例/第四實施例的方法，以使液晶面板上的各像素，無論 其距離信號端的遠近以及其位于顯示裝置的位置如何，皆能被充電到 其理想電壓值。也就是說，可以對液晶面板上的各像素，根據(jù)該像素 距離信號端的遠近以及其位于顯示裝置的位置，同時調(diào)整其第一操作 時間與補償電壓值。當(dāng)該像素距離信號端越遠時，則該像素的第一操 作時間被調(diào)整得越長，且該像素的補償電壓被調(diào)整得越大。
綜上所述，本案提供一種像素驅(qū)動方法，可應(yīng)用于液晶顯示裝置 或其它顯示裝置，通過調(diào)整補償電壓值或調(diào)整施加補償電壓的充電時 間長短，以使液晶面板上的各像素皆能被充/放電到其理想電壓值。 可以解決高分辨率或大尺寸液晶面板，在高頻狀態(tài)操作時，例如在 120赫茲時，充/放電不足的問題，以及解決液晶面板上，因RC delay 狀況顯著，而使得各像素的充/放電無法都能夠達到理想電壓的問題；進而使得高分辨率的液晶顯示裝置(例如液晶電視)的整體動態(tài)畫面 能更流暢地顯現(xiàn)，大幅提升液晶電視的顯示性能與畫質(zhì)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本申請進行任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動的修 飾，并且并不會脫離附帶的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置，其中，所述顯示裝置包含至少第一像素與第二像素，所述第一像素與所述第二像素共同耦接至信號端，所述信號端與所述第一像素的距離大于其與所述第二像素的距離，且驅(qū)動每一個所述像素的操作時間包括第一操作時間以及第二操作時間，所述方法包含產(chǎn)生對應(yīng)于每一個所述像素的灰階值的補償電壓與理想電壓；在所述第一操作時間內(nèi)，以所述補償電壓對其所對應(yīng)的像素進行充電/放電；以及在所述第二操作時間內(nèi)，以所述理想電壓對其所對應(yīng)的像素進行充電/放電；其中，所述第一像素的所述第一操作時間大于所述第二像素的所述第一操作時間。
2、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述補償電壓根 據(jù)補償伽馬曲線產(chǎn)生。
3、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述理想電壓根 據(jù)理想伽馬曲線產(chǎn)生。
4、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述信號端包含 數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
5、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述第一像素的 所述第一補償電壓大于所述第二像素的所述第一補償電壓。
6、 一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置，其中，所述顯示裝置 包含至少第一像素與第二像素，所述第一像素與所述第二像素共同耦 接至信號端，所述信號端與所述第一像素的距離大于其與所述第二像 素的距離，且驅(qū)動每一個所述像素的操作時間包括第一操作時間以及第二操作時間，所述方法包含在同一灰階值下，分別產(chǎn)生對應(yīng)于所述第一像素與所述第二像素 的第一補償電壓與第二補償電壓，以及產(chǎn)生對應(yīng)于所述第一像素與所 述第二像素的理想電壓；在對應(yīng)于所述第一像素的所述第一操作時間內(nèi)，以所述第一補償 電壓對所述第一像素進行充電/放電；在對應(yīng)于所述第二像素的所述第一操作時間內(nèi)，以所述第二補償 電壓對所述第一像素進行充電/放電；在對應(yīng)于所述第一像素的所述第二操作時間內(nèi)，以所述理想電壓 對所述第一像素進行充電/放電；以及在對應(yīng)于所述第二像素的所述第二操作時間內(nèi)，以所述理想電壓 對所述第二像素進行充電/放電；其中，所述第一補償電壓的絕對值大于所述第二補償電壓的絕對值。
7、 如權(quán)利要求6所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述信號端包含 數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
8、 如權(quán)利要求6所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述第一像素的 所述第一操作時間大于所述第二像素的所述第一操作時間。
9、 一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置，其中，所述顯示裝置 包含至少第一像素與第二像素，所述第一像素與所述第二像素共同耦 接至信號端，所述信號端與所述第一像素的距離大于其與所述第二像 素的距離，且驅(qū)動所述第一像素的操作時間包括第一操作時間以及第 二操作時間，驅(qū)動所述第二像素的操作時間包括第三操作時間以及第 四操作吋間，所述方法包含在同一灰階值下，分別產(chǎn)生對應(yīng)于所述第一像素與所述第二像素 的第一補償電壓與第二補償電壓，以及產(chǎn)生對應(yīng)于所述第一像素與所 述第二像素的理想電壓；分別將所述第一補償電壓在所述第一操作時間內(nèi)施加于所述第 一像素，以及將所述第二補償電壓在所述第三操作時間內(nèi)施加于所述第二像素；將所述理想電壓分別在所述第二操作時間內(nèi)施加于所述第一像 素，以及在所述第四操作時間內(nèi)施加于所述第二像素；其中，所述第一操作時間大于所述第三操作時間，且所述第一補 償電壓的絕對值大于所述第二補償電壓的絕對值。
10、如權(quán)利要求9所述的像素驅(qū)動方法，其中，所述信號端包含 數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片或者柵極驅(qū)動芯片。
全文摘要
本案提供一種像素驅(qū)動方法，適用于顯示裝置，其中，像素的操作時間包括第一操作時間以及第二操作時間，此像素驅(qū)動方法包括產(chǎn)生對應(yīng)于像素的灰階值的補償電壓，產(chǎn)生對應(yīng)于像素的灰階值的理想電壓，根據(jù)像素距離信號端的遠近以及其位于顯示裝置的位置，調(diào)整第一操作時間以及第二操作時間的長短，或者調(diào)整補償電壓的電壓數(shù)值，在第一操作時間內(nèi)，以補償電壓對像素進行充電/放電，以及在第二操作時間內(nèi)，以理想電壓對像素進行充電/放電。
文檔編號G09G3/36GK101452676SQ20071019287
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者施博盛, 潘軒霖 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司