專利名稱：面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，包括 這種驅(qū)動(dòng)電路的面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器，以及一種驅(qū)動(dòng)面內(nèi)無(wú)源矩陣顯 示器的方法。
背景技術(shù)：
在電泳面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器中，所述像素包括j^存電極(reservoir electrode),柵電極和至少一個(gè)顯示電極。這些電極設(shè)置在相同的基底 上。所述柵電極設(shè)置在貯存電極與顯示電極之間。所述電泳材料包括 在由電極產(chǎn)生的電場(chǎng)的影響下可懸浮移動(dòng)的帶電顆粒。像素的光學(xué)狀 態(tài)由存在于與顯示電極關(guān)聯(lián)的顯示容積(display volume)中的顆粒的 數(shù)量所決定。通常，有關(guān)貯存電極的貯存容積對(duì)觀察者屏蔽。
在包括擦除或重置階段，寫(xiě)階段，以及保持階段的圖像更新階段 期間，新圖像被寫(xiě)在顯示器上。在所述擦除階段期間，在所有的像素 中，所有的顆粒聚集在貯存容積中。因此，所有像素具有相同的初始 光學(xué)狀態(tài)。在所述寫(xiě)階段，通常，選擇像素以逐行寫(xiě)入。要寫(xiě)入的數(shù) 據(jù)經(jīng)過(guò)列電極被并行地提供給所有像素。然而，只有被選擇的行中的 像素可以為最終的圖像改變它們的光學(xué)狀態(tài)，其他的像素可能仍然處 于"進(jìn)化，，階段，但是不再有顆粒穿過(guò)該柵。所選擇的行的特定像素事 實(shí)上是否改變了它的光學(xué)狀態(tài)取決于電極之間的電壓差。 一旦在寫(xiě)階 段期間所有像素被選擇，那么所有電壓可能會(huì)從電極中移除以最小化 功率消耗，并且所述保持階段開(kāi)始了。由于電泳材料的雙穩(wěn)態(tài)性，在 像素中沒(méi)有任何電場(chǎng)的情況下，像素長(zhǎng)時(shí)間地保持它們的光學(xué)狀態(tài)。
這種顯示器具有的弊端是像素的光學(xué)狀態(tài)可能背離所期望的光學(xué) 狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，以 改善像素光學(xué)狀態(tài)的穩(wěn)定性。本發(fā)明的第一方面提供了如權(quán)利要求1所述的一種用于驅(qū)動(dòng)面內(nèi)
無(wú)源矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明的第二方面提供了如權(quán)利要求16 所述的一種面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器。本發(fā)明的第三方面提供了如權(quán)利要 求19所述的一種驅(qū)動(dòng)面內(nèi)無(wú)源矩陣顯示器的方法。在從屬權(quán)利要求中 定義了有利實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)了帶有包括可移動(dòng)帶電顆 粒的像素的面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備。該可移動(dòng)帶電顆粒可以保持懸浮。例
如，該設(shè)備可以是電泳顯示器。該像素具有貯存電極，顯示電極，和 橫向地設(shè)置于!^存電極與顯示電極之間的柵電極。優(yōu)選地，所有這些 電極被直接或間接設(shè)置在相同的基板上，從而由電極之間的電壓生成 的電場(chǎng)主要平行于該基板延伸，因此是在該基板的平面內(nèi)，其通常被 稱為"面內(nèi)"。因此，所迷帶電顆粒主要在面內(nèi)電極之間運(yùn)動(dòng)。該運(yùn)動(dòng) 顆粒設(shè)備可以是無(wú)源矩陣顯示器。
所述驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)器和控制器?？刂破鹘邮毡硎疽谶\(yùn)動(dòng)顆 粒設(shè)備上顯示的圖像的輸入信號(hào)，并控制驅(qū)動(dòng)器以提供貯存電極與柵 電極之間的第一電壓差以及柵電極與顯示電極之間的第二電壓差。在 寫(xiě)階段，通過(guò)選擇性地移動(dòng)顆粒從貯存容積經(jīng)柵容積到顯示容積來(lái)獲 得與圖像一致的像素光學(xué)狀態(tài)，所述圖像被寫(xiě)入像素。這樣選擇所述 電壓差使得如果像素的光學(xué)狀態(tài)不應(yīng)該改變，則所述顆粒不會(huì)從貯 存容積運(yùn)動(dòng)到顯示容積。這樣選擇所述電壓差使得如果像素的光學(xué) 狀態(tài)應(yīng)該改變，則所述顆粒將從貯存容積運(yùn)動(dòng)到顯示容積。如果像素 光學(xué)狀態(tài)不應(yīng)該改變，那么第一電壓差具有第一寫(xiě)電平，而所述第二 電壓差具有第二寫(xiě)電平，選擇兩個(gè)寫(xiě)電平，使所述顆粒與柵電極相斥。 因此，所述顆粒不能穿過(guò)所述柵電極，并因而停留在與貯存電極相關(guān) 的貯存容積內(nèi)，而如果適用，則停留在與顯示電極相關(guān)的顯示容積內(nèi)。 所述貯存容積，顯示容積，和與柵電極相關(guān)的柵容積共同形成像素容 積。所述顆粒依賴于作用在所述電極之間的電壓差在所述容積之間運(yùn) 動(dòng)。例如，如果所述顆粒帶正電荷并且與柵電極相斥，則柵電極與貯 存電極之間的第一電壓差會(huì)在柵電極上創(chuàng)建相對(duì)于貯存電極的正電 位。對(duì)于第二電壓差，情況也是如此在柵電極上的電位相對(duì)于顯示 電極應(yīng)該是正的。
根據(jù)本發(fā)明，在排斥階段期間，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以提供具有比第一寫(xiě)電平對(duì)所述顆粒更加排斥的電平的第一電壓差，和/或比第二寫(xiě) 電平更具排斥性的第二電壓差。這些附加排斥脈沖阻止了所述顆粒橫 穿柵電極。雖然由于第一和第二寫(xiě)電平，可以預(yù)期所述顆粒不會(huì)橫穿柵電極， 但這看上去仍然可能發(fā)生。例如如果兩個(gè)連續(xù)的寫(xiě)階段之間的時(shí)間相 對(duì)較長(zhǎng)。在如權(quán)利要求2所述的實(shí)施例中，運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備是具有多個(gè)像素 的無(wú)源矩陣顯示器。構(gòu)建所述控制器以控制所述驅(qū)動(dòng)器來(lái)提供像素的 相關(guān)柵電極與貯存電極之間的第一電壓差，和像素的相關(guān)柵電極與顯 示電極之間的第二電壓差。大多數(shù)干擾是由所述電極是幾個(gè)像素的公 用電極這一事實(shí)所導(dǎo)致的。通常，顯示電極至少對(duì)于一組像素是相互 連接的，同時(shí)貯存電極對(duì)于至少一組像素是相互連接的并且可能確實(shí) 為顯示器中所有像素公用。來(lái)自這些公用電極的信號(hào)導(dǎo)致像素中顆粒 的不需要的運(yùn)動(dòng)，所述像素沒(méi)有被寫(xiě)入新圖像信息。柵電極上的電壓 現(xiàn)在確定在寫(xiě)階段期間像素中的顆粒是否能橫穿柵電極。在如權(quán)利要求4所述的實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)序列包括保持階段。在寫(xiě) 階段之后，顯示在矩陣顯示器上的圖像已被更新。由于該顯示器的雙 穩(wěn)定性質(zhì)，在相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間周期期間，這個(gè)圖像將被保持，并且不 需要對(duì)電極施加任何電壓。沒(méi)有給像素提供電壓且寫(xiě)入的圖像被保持 的這個(gè)時(shí)間周期被稱為保持周期。在如權(quán)利要求5所述的實(shí)施例中，在寫(xiě)階段期間控制器控制驅(qū)動(dòng) 器以提供排斥周期。這些額外的排斥脈沖將公用電極上的電壓對(duì)像素 的影響最小化，該像素不會(huì)改變它們的光學(xué)狀態(tài)。在如權(quán)利要求6所述的實(shí)施例中，在寫(xiě)階段期間驅(qū)動(dòng)器順序地逐 組選擇像素。在組選擇周期期間，選擇每個(gè)組。在所有組被選擇后， 所有像素被選擇并且顯示器上的圖像被更新。在組選擇周期期間，第 一電壓差和第二電壓差被提供給被選擇的一個(gè)組的所有像素。通常，矩陣顯示器的像素以行和列設(shè)置，并且像素組包括一行像 素。逐個(gè)選擇所述行同時(shí)將電壓提供給所有像素，但是只能改變實(shí)際 選擇的行的像素的光學(xué)狀態(tài)。選擇所有行之后，所有像素具有相應(yīng)于 要顯示的圖像的光學(xué)狀態(tài)。在如權(quán)利要求7所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在兩個(gè)連續(xù)的組選擇周期中間提供排斥周期。該排斥周期在寫(xiě)階段期間只發(fā)生 一次或幾次。優(yōu)選地，該排斥周期在寫(xiě)階段均勻分布，并且優(yōu)選地對(duì) 每一組像素具有相對(duì)于組選擇周期的預(yù)定時(shí)間偏差?？商娲兀趯?xiě) 階段，排斥脈沖作用在所有組選擇周期，從而最優(yōu)地阻止顆粒橫穿像 素的柵容積，所述像素不會(huì)改變它們的光學(xué)狀態(tài)。在如權(quán)利要求8所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在多個(gè)連 續(xù)的組選擇周期之后提供排斥周期?？赡懿恍枰诿總€(gè)組選擇周期中 間應(yīng)用排斥脈沖。通過(guò)柵容積的顆粒的不期望運(yùn)動(dòng)可以容易地通過(guò)在 一系列組選擇周期之后提供排斥脈沖來(lái)抑制。僅作為示例，可以在每 五個(gè)組選擇周期之后插入排斥周期。在兩個(gè)連續(xù)的排斥脈沖之間允許 的組選擇周期的數(shù)量依賴于在像素中顆粒的實(shí)際行為。在顆粒開(kāi)始橫 穿柵電極之前應(yīng)該應(yīng)用下一個(gè)排斥脈沖。這個(gè)時(shí)間周期可以通過(guò)實(shí)驗(yàn) 來(lái)確定，并可能是例如顯示器溫度的函數(shù)。排斥周期的持續(xù)時(shí)間應(yīng)該 選擇足夠長(zhǎng)以排斥顆粒充分遠(yuǎn)離柵電極，從而它們不能橫穿柵容積直 到應(yīng)用下一個(gè)排斥脈沖。同樣這個(gè)持續(xù)時(shí)間也能通過(guò)實(shí)驗(yàn)找到。在如權(quán)利要求9所述的實(shí)施例中，對(duì)于那些在其中沒(méi)有顆粒必須 向顯示電極移動(dòng)的像素，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在兩個(gè)組選擇周期中間 提供排斥周期，并在選擇接下來(lái)的像素組之前，將第二電壓電平改變 為對(duì)于顆粒更具排斥性的電平。因此，在下一組像素被選擇之前應(yīng)用 該排斥電平。這進(jìn)一步減少了寫(xiě)入下一組像素對(duì)當(dāng)前寫(xiě)入的像素的影 響。在如權(quán)利要求IO所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以首先在排 斥周期結(jié)束時(shí)將第二電壓差改變?yōu)橄乱粋€(gè)組選擇周期要求的電平，并 然后改變柵電壓以選擇下一組像素。這再次進(jìn)一步減少了寫(xiě)入下一組 像素對(duì)當(dāng)前寫(xiě)入的像素的影響。在如權(quán)利要求11所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在選擇接 下來(lái)的像素組之前將第一電壓差暫時(shí)改變?yōu)閷?duì)于顆粒更具排斥性的電 平。因此，柵電極與貯存電極之間的電壓差被暫時(shí)改變以便以比在像 素的寫(xiě)階段期間所要求的程度更高的程度使顆粒與該柵相斥，所述像 素不會(huì)改變他們的光學(xué)狀態(tài)。在如權(quán)利要求12所述的實(shí)施例中，所述組選擇周期是行周期，在 此期間選擇一排像素(通常為一行)?？刂破骺刂乞?qū)動(dòng)器以并行地為選擇的像素排的所有像素提供第一電壓差和第二電壓差。在如權(quán)利要求u所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在保持周期期間提供排斥周期。在保持周期期間，附加的排斥脈沖阻止像素的 光學(xué)狀態(tài)改變，并且沒(méi)有電壓作用于電極。由于布朗運(yùn)動(dòng)，電壓的缺 失使得顆粒慢慢穿過(guò)柵容積。因此，圖像慢慢變得模糊。在排斥周期 期間，通過(guò)中斷保持周期，顆粒與柵電極相斥，并因此原始圖像在更 長(zhǎng)的周期期間保持了高對(duì)比度。在如權(quán)利要求14所述的實(shí)施例中，控制器驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器以為所有像 素提供時(shí)間上重疊的排斥周期?，F(xiàn)在，排斥脈沖對(duì)于所有像素至少在 相同的時(shí)間周期期間的某些時(shí)候出現(xiàn)。對(duì)于不同的像素不需要使用不 同的電壓差。不同的像素是指具有不同光學(xué)狀態(tài)改變的像素。在兩種 狀態(tài)的顯示器中，不同的光學(xué)狀態(tài)是其中沒(méi)有顆?；蛩蓄w粒都在顯 示容積中的狀態(tài)。在如權(quán)利要求15所述的實(shí)施例中，控制器控制驅(qū)動(dòng)器以在擦除周 期期間通過(guò)在貯存容積內(nèi)的貯存電極上聚集顆粒而擦除所有像素。通 常，在具有含有可移動(dòng)帶電顆粒的像素的顯示器中，圖像的更新周期 按以下順序包括有重置周期，寫(xiě)階段，(可選的)演化階段，和保 持階段。根據(jù)本發(fā)明，排斥脈沖被加入到這個(gè)發(fā)生在圖像更新周期期 間的驅(qū)動(dòng)序列。如前所述，該排斥脈沖可以在許多情況下發(fā)生兩個(gè) 連續(xù)的組(通常為行)選擇周期中間，在多個(gè)連續(xù)的組選擇周期之后， 或在保持周期。在寫(xiě)階段期間，該排斥脈沖可以被直接插入在選擇周 期的末端。明


在這些圖中圖1示意性地顯示了面內(nèi)無(wú)源電泳顯示器的像素的橫截面， 圖2A和2B示意性地顯示了用于面內(nèi)電泳無(wú)源矩陣顯示器的四個(gè) 像素的電極布置，圖3A到3E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極的信號(hào)，圖4A到4E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極 的信號(hào)，
圖5A到5E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極 的信號(hào)，以及
圖6顯示了顯示器裝置的框圖。
應(yīng)該注意到，在不同附圖中具有相同附圖標(biāo)記的項(xiàng)目具有相同的 結(jié)構(gòu)特征和相同的功能，或?yàn)橄嗤男盘?hào)。在已經(jīng)解釋了這種項(xiàng)目的 功能和/或結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合，不必在詳述中對(duì)其進(jìn)行重復(fù)解釋。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地顯示了面內(nèi)電泳無(wú)源矩陣顯示器的像素的橫截面。 貯存電極RE，柵電極GE和顯示電極DE被安排在基板SU1的頂部。 柵電極GE被安排在貯存電極RE和顯示電極DE中間?？商娲?，一 個(gè)或多個(gè)電極可以安排在在第二基板上，只要它們保持相似的橫向布 置。相關(guān)問(wèn)題是顆粒PA在面內(nèi)方向上運(yùn)動(dòng)。貯存電壓VR被提供給貯 存電極RE，電壓VG被提供給柵電極GE，以及電壓VDP被提供給顯 示電極DE。
電泳材料EM夾在基板SU1和SU2之間。像素P以壁W為邊界。 電泳材料EM包括帶電顆粒PA，其在由電極RE， GE, DE上電壓生 成的電場(chǎng)的影響下在懸浮流體(液體或氣體)中可移動(dòng)。
在圖1中，通過(guò)實(shí)例，所有顆粒PA被聚集在貯存電極RE之上的 !i!i存容積RV中。柵容積GV存在于柵電極GE之上，而顯示容積DV 存在于顯示電極DE之上。電壓差VD1作用在柵電極GE與貯存電極 RE之間。電壓差VD2作用在柵電極GE和顯示電極DE之間。
圖2A示意性地顯示了用于面內(nèi)電泳無(wú)源矩陣顯示器的四個(gè)像素 的電極布置。圖1是像素P的側(cè)視圖，圖2顯示了其中四個(gè)像素P的 頂視圖。在列方向上延伸并在行方向上具有前突的貯存電極RE可以相 互連接以接收用于所有像素P的公用貯存電壓VR。顯示電極DE1和 DE2也在列方向上延伸并在行方向上具有每個(gè)像素P的方形前突。顯 示電極DE1接收顯示電壓VDP1，并且顯示電極DE2接收顯示電壓 VDP2。柵電極GE1和GE2在貯存電極RE的前突和顯示電極DE1， DE2的前突中間朝行方向延伸。柵電壓VG1和VG2 ,皮分別提供給柵電極GE1和GE2?？商娲兀瑘D2B顯示了貯存電極RE，其在列方向上延伸并在行方 向上具有前突。現(xiàn)在，貯存電極沒(méi)有相互連接，并接收貯存電壓VR1 和VR2，其為圖2A顯示的數(shù)據(jù)電壓VDP1， VDP2。貯存電壓VR1是 圖3， 4和5中顯示的數(shù)據(jù)電壓VDP1。因此，貯存電極作為顯示器的 列，其接收用于所選擇行的數(shù)據(jù)電壓VDP1和VDP2。顯示電極DE1 和DE2在列方向上延伸并且在行方向上具有每個(gè)像素的前突。顯示電 極相互連接并接收用于所有像素P的公用顯示電壓VDP，公用顯示電 壓VDP為圖2A， 3， 4和5顯示的ji&存電壓VR。柵電壓VG1和VG2 被分別提供給柵電極GE1和GE2。注意到，在這種情況下，顯示電極 和貯存電極的功能可以互換，并且相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)直接從圖3, 4和5 所描述的情況中直接導(dǎo)出。必須注意，帶有公用貯存電極RE的裝置需要對(duì)顯示容積DV重置。 然而，如果顆粒被重置到貯存容積RV，則甚至所有像素都需要排斥性 的柵脈沖。在選擇了一排之后需要暫停(在圖3A到3E中，該周期持 續(xù)從時(shí)刻t4到時(shí)刻t6)，從而允許顆粒在非寫(xiě)像素F的情況下返回貯 存容積RV。如果數(shù)據(jù)電壓VDP被提供給貯存電極RE并且使用了公 用顯示電極，則不再需要這個(gè)暫停并且在隨后行中的選擇周期TL可以 立刻彼此跟隨。必須注意，圖1和2所示的像素P只是非常特別的實(shí)施例。像素P 的取向可以不同，例如頂部和底部，和/或行和列方向可以互換?；?SU2可以不需要。柵電極GE和顯示電極DE的前突可以在相同的像素 P內(nèi)交錯(cuò)多次。壁W可以被安排在一組像素P周?chē)Ｏ袼豍的形狀和 尺寸可以不同。進(jìn)一步地，該像素可以包括附加的電極以在整個(gè)像素 上輔助分配顆粒(例如以均勻的方式)，或用于將像素與相鄰的像素 電屏蔽。通常，貯存容積RV小于顯示容積DV。進(jìn)一步地，通常貯存容積 RV中的顆粒PA被屏蔽于觀察者，并且像素P的光學(xué)狀態(tài)由存在于顯 示電極DE之上的顯示容積DV中的顆粒PA的數(shù)量決定。在圖1中示 出的像素P的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)方法中，在重置或擦除階段，合適的電壓電平 詳皮提供給P&存電極RE，柵電極GE和顯示電極DE，從而帶電顆粒PA 被附著于貯存容積RV，在這里他們聚焦在一起?，F(xiàn)在，所有像素具有相同的光學(xué)狀態(tài)。提供給電極RE， GE， DE的實(shí)際電壓依賴于使用的 電泳材料的類(lèi)型以及電極RE， GE， DE和像素P的其他元件的大小。 在寫(xiě)階段，電極RE， GE， DE上的電壓電平這樣選擇使得所有或部 分顆粒PA ^皮從貯存容積RV移動(dòng)到顯示容積DV。
在無(wú)源矩陣顯示器中，需要柵電極GE以引入每個(gè)像素P的閾值。 可以看到，柵電極GE的使用有一些不理想的效果。
首先，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于像素P出現(xiàn)了顆粒PA從貯存容積RV、通 過(guò)柵容積GV橫穿柵電極GE、進(jìn)入顯示容積DV的不需要的泄漏，所 迷像素P在寫(xiě)階段不會(huì)改變它們的光學(xué)狀態(tài)。這些像素P也被進(jìn)一步 稱作非尋址像素P。必須在寫(xiě)階段改變它們的光學(xué)狀態(tài)的像素P也被 稱作尋址像素P。如果在相同列內(nèi)的許多其他像素P被驅(qū)動(dòng)以將顆粒 PA移動(dòng)到顯示容積DV,將引起泄漏。顯然，以延長(zhǎng)的時(shí)間周期將驅(qū) 動(dòng)電壓作用于相同列內(nèi)的非尋址像素P最終導(dǎo)致柵電極GE效率的降 低，并引起顆粒PA橫穿柵電極GE而緩慢泄漏。結(jié)果，該泄漏經(jīng)常出 現(xiàn)在像素P接近像素壁的一側(cè)，并且經(jīng)常與像素P中湍流特性 (turbulent behavior )的發(fā)生有關(guān)。
第二，橫穿柵電極GE的顆粒PA的不需要的泄漏和由此產(chǎn)生的寫(xiě) 圖像的損失在保持階段期間被注意到。
如將要相對(duì)于圖3A到3E， 4A到4E，和5A到5E中顯示的信號(hào) 所解釋的那樣，本發(fā)明被引導(dǎo)以添加排斥電平到通常的驅(qū)動(dòng)序列，使 得顆粒PA與柵電極GE相斥，而橫穿柵電極GE通過(guò)柵容積GV的顆 粒PA的不需要的橫穿被阻止。
關(guān)于所有這些附圖，以示例的方式，假定矩陣顯示器具有以行和 列組織的像素P。所有貯存電極RE接收相同的貯存電壓VR，以及在 相同列上的像素P的所有顯示電極DEI, DE2也分別接收相同的顯示 電壓VDP1， VDP2。在寫(xiě)階段期間，通過(guò)提供合適的選擇電壓VG1， VG2到各自的行而逐行選擇像素P。只有被選擇行的像素P依賴于提 供給所述列的顯示電壓VDP1， VDP2而改變它們的光學(xué)狀態(tài)。進(jìn)一步 地，假定顆粒PA帶有正電荷。如果顆粒PA帶負(fù)電或如杲柵電極GE 全部都接收相同的柵電壓VG，以及顯示電極DE在每列接收相同的顯 示電壓VD (但是可以針對(duì)不同的列接收不同的顯示電壓VD)，容易 想象如何改變矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)序列。圖3A到3E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極 的信號(hào)。圖3A顯示了提供給貯存電極RE的貯存電壓VR。圖3B顯示 了提供給第一行像素P的柵電壓VG1，圖3C顯示了提供給第二行像 素P的柵電壓VG2,以及圖3D顯示了提供給第三行像素P的柵電壓 VG3。用于矩陣顯示器的其他行的柵電壓VG沒(méi)有示出。圖3E顯示了 提供給像素P的第一列的顯示電極DE1的顯示電壓VDP1。提供給矩 陣顯示器的其他列的顯示電壓VDP沒(méi)有示出。首先，說(shuō)明了用于面內(nèi)電泳矩陣顯示器的常規(guī)驅(qū)動(dòng)的操作，從而 沒(méi)有排斥電平，在圖3B， 3C， 3D中顯示了排斥電平在排斥周期TR期 間出現(xiàn)在柵電壓VG1， VG2， VG3上。該圖像更新周期IUP順序地包 括擦除階段TE，寫(xiě)階段TW，和保持階段TH。在第一步中，在從時(shí)刻tl到時(shí)刻t2的擦除階段TE期間，對(duì)于所 有像素P，顆粒PA被聚集在貯存容積RV中。在該擦除階段TE，選 擇貯存電極RE與柵電極GE之間的電壓差從而吸引顆粒PA朝向貯存 電極RE。因此，對(duì)于帶正電荷的顆粒PA,貯存電壓VR應(yīng)該相對(duì)于 柵電極VGl, VG2， VG3是負(fù)的。在顯示的實(shí)施例中，貯存電壓VR 具有負(fù)電平VRL，其例如為-30V，柵電壓VG1， VG2， VG3具有較小 的負(fù)電平VS，其例如為-5V。 一般地，柵電極GE與貯存電極RE之間 的電壓差也被稱作柵-貯存電壓VD1。對(duì)于特定的柵電極GEi，柵-貯存 電壓由VDli指示。進(jìn)一步地，柵電壓VG1， VG2， VG3與顯示電壓VDP1， VDP2之 間的差應(yīng)該被選擇以吸引顆粒PA朝向柵電極GE。因此，對(duì)于帶正電 荷的顆粒PA，顯示電壓VDP1， VDP2應(yīng)該相對(duì)于柵電壓VG1， VG2， VG3為正。在顯示的實(shí)施例中，顯示電壓VDP1具有正電平VNF，例 如+10V。 一般地，柵電極GE與顯示電極DE之間的電壓差也被稱為 柵-顯示電壓VD2。對(duì)于特定的柵電極GEi，柵-顯示電壓由VD2i指示。在笫二步中，在從時(shí)刻t2到時(shí)刻t13的寫(xiě)階段TW期間，通常逐個(gè)選擇像素P的行，直到選擇了所有行。如果選擇柵-貯存電壓VD1來(lái)在貯存容積RV中保持顆粒PA，則 不選擇4亍。在顯示的實(shí)例中，貯存電壓VR為零伏，并且通過(guò)柵電極 VG1， VG2， VG3上的正電壓電平VNS阻止帶正電荷的顆粒PA從貯 存容積RV到顯示容積DV移動(dòng)。這個(gè)正電平也被稱作非選擇電平。顯示電壓VDP1的電平現(xiàn)在是不相關(guān)的，因?yàn)樗鰱?貯存電壓VD1阻擋 了顆粒PA 4黃穿柵容積GV。如果柵-貯存電壓VD1具有吸引來(lái)自貯存容積RV的顆粒PA朝向 柵容積GV的電平，則選擇行。在顯示的實(shí)例中，如果負(fù)電壓電平VS 被提供給像素P的選擇行的柵電極GE，那么顆粒PA能夠離開(kāi)ji&存容 積RV。這個(gè)負(fù)電平也^皮稱為選擇電平。因此，在從時(shí)刻t3到時(shí)刻t4 的選擇周期TL期間選擇像素P的第一行，在從時(shí)刻t6到時(shí)刻t7的選 擇周期TL期間選擇像素P的第二行，以及在從時(shí)刻t9到時(shí)刻t10的 選擇周期TL期間，選擇像素P的第三行。其他的行選擇周期沒(méi)有顯示。 如果選擇柵-顯示電壓VD2以使顆粒PA與顯示電極DE相斥，那么被 選擇行的像素P不改變它的光學(xué)狀態(tài)。因此，如果顯示電壓VDP1相 對(duì)于選擇的柵電極VG1， VG2， VG3的選擇電平VS為正，則針對(duì)正 的顆粒PA。在顯示的實(shí)例中，這個(gè)正的非填充電平由VNF指示。如 果選擇柵-顯示電壓VD2以吸引顆粒PA朝向顯示電極DE,那么被選 擇行的像素P改變了它的光學(xué)狀態(tài)。因此，如果顯示電壓VDP1相對(duì) 于選擇的柵電極VG1， VG2， VG3的選擇電平VS為負(fù)，則針對(duì)正的 顆粒PA。在顯示的實(shí)例中，這個(gè)負(fù)的填充電平由VF指示。在顯示的實(shí)例中，數(shù)據(jù)存在于顯示電極DE1， DE2的時(shí)間周期稍 微長(zhǎng)于選擇周期TL，在此期間柵電極VG1， VG2， VG3的選擇電平 VS存在。像素P的第一行的數(shù)據(jù)在從時(shí)刻t3到時(shí)刻tS的時(shí)間周期期 間存在，像素P的第二行的數(shù)據(jù)在從時(shí)刻t6到時(shí)刻t8的時(shí)間周期期間 存在，以及像素P的第三行的數(shù)據(jù)在從時(shí)刻t9到時(shí)刻tll的時(shí)間周期 期間存在。需要這個(gè)附加時(shí)間以允許顆粒PA被選擇(利用到達(dá)柵電極 GE的選擇電壓VS)，但不被寫(xiě)(顯示電壓VDP1具有電平VNF)從 而返回^存容積RV。在寫(xiě)階段TW的最后，圖像被寫(xiě)入像素P，并且從時(shí)刻tl3到t14 的保持階段TH開(kāi)始。現(xiàn)在，所有電壓可以從電極移除并且像素P的 光學(xué)狀態(tài)保持不變。雖然沒(méi)有明確示出，但是保持階段TH可以具有 與寫(xiě)階段TW相比相對(duì)長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間。在時(shí)刻t15,下面的擦除階段 TE開(kāi)始?，F(xiàn)在說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的面內(nèi)電泳矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)序列的實(shí)施 例，其中加入了排斥周期TR期間柵電壓VG1, VG2， VG3上的排斥電平。對(duì)于像素P，通過(guò)在出現(xiàn)在寫(xiě)階段TW期間的排斥階段TR期間增 加排斥電平來(lái)防止顆粒PA從貯存容積RV、通過(guò)柵容積GV橫穿柵電 極GE、進(jìn)入顯示容積DV的不需要的泄漏，所述像素P在寫(xiě)階段不會(huì) 改變它們的光學(xué)狀態(tài)。應(yīng)該這樣選擇排斥電平使得顆粒PA與柵電極 GE相斥。這將傾向于橫穿柵電極GE的任何顆粒PA移回到貯存容積 RV和/或顯示容積DV。或者不同地講，在排斥周期TR期間，柵-貯存 電壓VD1應(yīng)該比用于非選擇像素P的柵-貯存電壓VD1具有更排斥顆 粒PA的電平，和/或柵-顯示電壓VD2應(yīng)該比用于非選擇像素P的柵-顯示電壓VD2具有更排斥顆粒PA的電平。這些更具排斥性的電平在 寫(xiě)階段期間出現(xiàn)在連續(xù)的組選擇周期TL之間。在顯示的實(shí)例中，在排斥周期TR期間，在選擇周期TL之后，在 選擇電壓VG1， VG2， VG3上疊加脈沖，這發(fā)生在選擇電壓VG1， VG2， VG3的選擇周期TL之后。對(duì)于選擇電壓VG1，選擇周期TL發(fā)生在 從時(shí)刻t3到時(shí)刻t4，而額外的排斥電平發(fā)生在從t7到t9，從而在從t6 持續(xù)到t7的選擇周期TL之后。對(duì)于選擇電壓VG2，選擇周期TL發(fā) 生在從時(shí)刻t6到時(shí)刻t7，而額外的排斥電平在時(shí)刻tl0開(kāi)始，從而在 從t9持續(xù)到UO的選擇周期TL之后，等等。必須注意，這只是一個(gè)實(shí) 施例，可能有許多替代。例如，額外排斥電平可以以相對(duì)于特定選擇 電壓VG1， VG2， VG3的選擇周期TL的固定時(shí)間偏移而出現(xiàn)，該時(shí) 間偏移持續(xù)了多個(gè)選擇周期TL。幾個(gè)額外排斥電平可以在寫(xiě)階段TW 期間出現(xiàn)在每個(gè)柵電壓VG1， VG2， VG3上。優(yōu)選地，對(duì)于每個(gè)柵電 壓VG1， VG2， VG3，所述多個(gè)排斥電平在時(shí)間上凈皮均勻地分配?？梢灾粸橄袼豍插入排斥電平，像素P不會(huì)改變它們的光學(xué)狀態(tài)。 優(yōu)選地，這些排斥電平在選擇周期TL之前被插入，在選擇周期TL中 選擇像素P。進(jìn)一步地，在保持階段TH期間，橫穿柵電極GE的不需要的顆粒 PA的泄漏和由此導(dǎo)致的寫(xiě)圖像的損失通過(guò)在排斥周期TR期間加入額 外的排斥電平而被阻止。該額外的排斥電平可以在寫(xiě)階段TW和/或保 持階段期間被加入。圖4A到4E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極 的信號(hào)。圖4A顯示了提供給貯存電極RE的貯存電壓VR。圖4B顯示了提供給像素P的第一行的柵電壓VG1,圖4C顯示了提供給像素P 的第二行的柵電壓VG2，以及圖4D顯示了提供給像素P的第三行的 柵電壓VG3。用于矩陣顯示器的其他行的柵電壓VG沒(méi)有示出。圖4E 顯示了提供給像素P的第一列的顯示電極DE1的顯示電壓VD1。提供 給矩陣顯示器的其他列的顯示電壓VD沒(méi)有示出。這些圖4A到4E僅僅與圖3A到3E有輕微的不同，因此，只討論 這些不同之處。現(xiàn)在，帶有額外排斥電平VPS的排斥周期TR發(fā)生在 所有柵電壓VG1， VG2， VG3上的兩個(gè)連續(xù)的選擇周期TL之間。該 排斥周期TR可以被加入到所有選擇周期TL之間，或每預(yù)定數(shù)量的選 擇周期TL加入一次。任選地，額外排斥電平也可以在保持周期TH期 間存在。圖5A到5E顯示了用于驅(qū)動(dòng)圖2中顯示的面內(nèi)電泳顯示器的電極 的信號(hào)。圖5A顯示了提供給貯存電極RE的貯存電壓VR。圖5B顯示 了提供給像素P的第一行的柵電壓VG1，圖5C顯示了提供給像素P 的第二行的柵電壓VG2,以及圖5D顯示了提供給像素P的第三行的 柵電壓VG3。用于矩陣顯示器的其他行的柵電壓VG沒(méi)有示出.圖5E 顯示了提供給像素P的第一列的顯示電極DE1的顯示電壓VDP1。提 供給矩陣顯示器的其他列的顯示電壓VDP沒(méi)有示出。這些圖5A到5E僅僅與圖3A到3E有輕微的不同，因此，只討論 這些不同之處?，F(xiàn)在，在排斥周期TR期間，排斥電平?jīng)]有被加入到柵 電壓VG1， VG2, VG3，但被加入到貯存電壓VR和顯示電壓VDP1。 對(duì)于正顆粒PA，在排斥周期TR期間，貯存電壓VR得到了負(fù)電平VRP， 并且顯示電壓VDP1得到了正電平VDPE，其高于非填充電平VHF。 在顯示的實(shí)例中，排斥周期TR發(fā)生在所有選擇周期TL之間。可替代 地，排斥周期TR可以在關(guān)于圖3A到3E和圖4A到4E所顯示和討論 的時(shí)間周期期間發(fā)生。圖6顯示了顯示裝置的框圖。信號(hào)處理電路SP接收表示要在面內(nèi) 驅(qū)動(dòng)電泳設(shè)備DP上顯示的圖像的輸入信號(hào)IV，從而將輸出信號(hào)OS 提供給驅(qū)動(dòng)電路DC。驅(qū)動(dòng)電路DC包括控制器CO和驅(qū)動(dòng)器DR?？?制器CO接收信號(hào)處理電路SP的輸出信號(hào)OS,并控制驅(qū)動(dòng)器DR從 而向面內(nèi)電泳設(shè)備DP提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS。應(yīng)該注意，上述實(shí)施例說(shuō)明而非限制本發(fā)明，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)許多可替代的實(shí)施例而不脫離從屬權(quán)利要求的范圍。例如，雖然大多數(shù)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)特定的電泳顯示器而 描述，但本發(fā)明也適合普通的電泳顯示器和雙穩(wěn)態(tài)電泳顯示器。雙穩(wěn) 態(tài)顯示器被定義為這樣一種顯示器，其中在施加到像素的功率/電壓凈皮 擦除之后該像素基本保持它們的灰度/亮度。如果顆粒具有除了白色和 黑色之外的其他顏色，中間態(tài)仍然可以被稱為灰度級(jí)?？商娲兀?設(shè)備可能是移動(dòng)顆粒設(shè)備，例如包含帶電生物顆粒(沒(méi)有處于它們的等電點(diǎn)上的DNA或蛋白質(zhì))的微流體設(shè)備。就微流體設(shè)備而言，"像 素，，的概念應(yīng)該由包含例如樣品流的膠嚢代替，而在微流體設(shè)備中，電 極的命名應(yīng)該從"顯示"電極改變?yōu)榕c傳感器區(qū)域或處理區(qū)域相關(guān)聯(lián)的 電極。雙穩(wěn)態(tài)顯示面板可以形成各種顯示信息的應(yīng)用的基礎(chǔ)，例如以信 息信號(hào)，公開(kāi)交通信號(hào)，廣告招貼，定價(jià)標(biāo)簽，廣告牌等的形式。此 外，它們可以用在需要變化的非信息表面的場(chǎng)合，例如帶有變化的圖 案或顏色的壁紙，尤其當(dāng)該表面需要類(lèi)似紙的外觀。在權(quán)利要求中，位于括號(hào)內(nèi)的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)解釋為限制本權(quán) 利要求。動(dòng)詞"包括，，和它的結(jié)合的使用不排除不同于權(quán)利要求中陳述 的內(nèi)容的元件或步驟的出現(xiàn)。在元件之前的冠詞"一"不排除多個(gè)這種 元件的存在。本發(fā)明可以通過(guò)包括幾個(gè)離散單元的硬件實(shí)現(xiàn)，以及通過(guò)適當(dāng)?shù)目删幊逃?jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)。在列舉了幾個(gè)裝置的設(shè)備權(quán)利要求中， 這些i殳備中的幾個(gè)可以由一個(gè)或相同項(xiàng)目的硬件體現(xiàn)。在相互不同的 附屬權(quán)利要求中敘述了某些措施這個(gè)起碼的事實(shí)，并不表示這些措施 的組合不能有利地使用。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)具有像素(P)的面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路，所述像素(P)包括可移動(dòng)帶電顆粒(PA)，貯存電極(RE)，顯示電極(DE)，和橫向地位于貯存電極(RE)與顯示電極(DE)之間的柵電極(GE)，所述驅(qū)動(dòng)電路(DC)包括驅(qū)動(dòng)器(DR)，控制器(CO)，其用于接收表示將在運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備上顯示的圖像的輸入信號(hào)(OS)以控制所述驅(qū)動(dòng)器(DR)提供貯存電極(RE)與柵電極(GE)之間的第一電壓差(VD1)以及柵電極(GE)與顯示電極(DE)之間的第二電壓差(VD2)(i)在寫(xiě)階段(TW)期間，如果像素(P)的光學(xué)狀態(tài)應(yīng)該改變，則通過(guò)將至少部分顆粒(PA)從貯存電極(RE)經(jīng)柵電極(GE)移動(dòng)到顯示電極(DE)來(lái)獲得與圖像一致的像素(P)的光學(xué)狀態(tài)，或如果像素(P)的光學(xué)狀態(tài)不應(yīng)該改變，則其中所述第一電壓差(VD1)具有被選擇來(lái)使顆粒(PA)與柵電極(GE)相斥的第一寫(xiě)電平，并且所述第二電壓差(VD2)具有被選擇來(lái)使顆粒(PA)與柵電極(GE)相斥的第二寫(xiě)電平，和(ii)在排斥周期(TR)，提供具有比第一寫(xiě)電平對(duì)于顆粒更具排斥性的電平的第一電壓差(VD1)，和/或比第二寫(xiě)電平更具排斥性的第二電壓差(VD2)。
2. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所迷運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備是一種具 有多個(gè)像素(P)的無(wú)源矩陣顯示器(DP)，控制器(CO)被構(gòu)建用 于控制驅(qū)動(dòng)器(DR)以提供像素(P)的相關(guān)柵電極(GE)與貯存電 極(RE)之間的第一電壓差(VDl)，和像素(P)的相關(guān)柵電極(GE) 與顯示電極(DE)之間的第二電壓差(VD2)。
3. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中貯存電極(RE)，柵電極 (GE)，和顯示電極(DE)被安排在相同的基板上。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建 用于在保持周期(TH)期間維持被寫(xiě)入的圖像。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建 用于在寫(xiě)階段(TW)獲得排斥周期(TR)。
6. 如權(quán)利要求5引用權(quán)利要求2時(shí)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中驅(qū)動(dòng)器權(quán)利要求書(shū)第2/3頁(yè)(DR )被構(gòu)建用于在寫(xiě)階段(TW )逐組地順序選擇像素(P )，在組 選擇周期(TL)期間對(duì)每個(gè)組進(jìn)行選擇，直到所有像素(P)被選擇， 在組選擇周期(TL)期間，第一電壓差(VD1)和第二電壓差(VD2) 被提供給被選擇的一組的所有像素(P)。
7. 如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于 獲得在兩個(gè)連續(xù)組選擇周期(TL)之間的排斥周期(TR)。
8. 如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于 獲得在多個(gè)連續(xù)的組選擇周期(TL)之后的排斥周期(TR)。
9. 如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，對(duì)于那些在其中沒(méi)有顆粒 (PA)必須向顯示電極(DE)移動(dòng)的像素(P)，控制器(CO)被構(gòu)建用于在兩個(gè)組選擇周期(TL)之間獲得排斥周期(TR)，以及用于 控制驅(qū)動(dòng)器(DR )以在選擇接下來(lái)的像素組之前改變第二電壓差(VD2 ) 為對(duì)于顆粒(PA)更具排斥性的電平。
10. 如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于 控制驅(qū)動(dòng)器(DR)以首先在排斥周期(TR)結(jié)束時(shí)改變第二電壓差(VD2)為下一個(gè)組選擇周期(TL)所需要的電平，并且接著改變柵 電壓(VG)以選擇下一組像素(P)。
11. 如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于 控制驅(qū)動(dòng)器(DR)以在選擇接下來(lái)的像素(P)組之前暫時(shí)改變第一 電壓差(VD1)為對(duì)于顆粒(PA)更具排斥性的電平。
12. 如權(quán)利要求6到11中任意一個(gè)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中組選擇周 期(TL)是行周期，在此期間選擇一行像素(P)，控制器(CO)被 構(gòu)建用于控制驅(qū)動(dòng)器(DR)并行地向像素(P)的選擇行的所有像素(P)提供第一電壓差(VD1)和第二電壓差(VD2)。
13. 如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于 控制驅(qū)動(dòng)器(DR)以在保持周期(TH)期間提供排斥周期(TR)。
14. 如權(quán)利要求5到12中任意一個(gè)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中控制器 (CO)被構(gòu)建用于驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)器(DR)為所有像素(P)提供時(shí)間上重疊的排斥周期(TR)。
15. 如權(quán)利要求5到12中任意一個(gè)或如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動(dòng)電 路，其中控制器(CO)被構(gòu)建用于控制驅(qū)動(dòng)器(DR)以在重置周期(TR) 期間重置所有像素(P)從而在貯存電極(RE)上聚集顆粒(PA)，并用于創(chuàng)建圖像更新周期(IUP)，圖像更新周期(IUP)按以下順序 包括重置周期(TR),寫(xiě)階段(TW)，保持周期(TH)。
16. —種面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒顯示器，包括具有像素(P )的顯示面板(DP ), 以及如前面權(quán)利要求中任意一個(gè)所述的驅(qū)動(dòng)電路。
17. 如權(quán)利要求16所述的面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒顯示器，其中像素(P)以 行和列的矩陣進(jìn)行安排，柵電極(GE )在行方向上延伸，貯存電極(RE ) 在列方向上延伸并且在行方向上具有前突，以及顯示電極(DE)在列 方向上延伸并且在行方向上具有前突，柵電極(GE)被安排在貯存電 極(RE)的前突與顯示電極(DE)的前突之間，像素(P)通過(guò)貯存 電極(RE)的相應(yīng)前突，顯示電極(DE)的前突和柵電極(GE)的 前突而形成。
18. 如權(quán)利要求17所述的面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒顯示器，其中在像素(P) 內(nèi)部，顯示電極(DE)的前突面積大于貯存電極(RE)的前突面積。
19. 一種驅(qū)動(dòng)面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備(DP )的方法，該設(shè)備具有像素(P )， 像素(P)包括可移動(dòng)帶電顆粒(PA),貯存電極(RE)，顯示電極(DE)，以及4黃向位于貯存電極(RE)與顯示電極(DE)之間的柵 電極(GE)，所述方法(DC)包括接收(CO)表示要在所述運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備上顯示的圖像的輸入信號(hào)(OS)，以便提供貯存電極(RE)和柵電極(GE)之間的第一電壓 差(VD1),以及柵電極(GE)和顯示電極(DE)之間的第二電壓差(VD2):(i) 在寫(xiě)階段(TW)期間，如果像素(P)的光學(xué)狀態(tài)應(yīng)該改變， 則通過(guò)將至少部分顆粒(PA)從貯存電極(RE)經(jīng)柵電極(GE)移 動(dòng)到顯示電極(DE)來(lái)獲得與圖像一致的像素(P)的光學(xué)狀態(tài)，或 如果像素(P)的光學(xué)狀態(tài)不應(yīng)該改變，則其中所述第一電壓差(VD1 ) 具有被選擇來(lái)使顆粒(PA)與柵電極(GE)相斥的第一寫(xiě)電平，并且 所述第二電壓差(VD2)具有被選擇來(lái)使顆粒(PA)與柵電極(GE) 相斥的第二寫(xiě)電平，和(ii) 在排斥周期(TR)期間，提供具有比第一寫(xiě)電平對(duì)于顆粒 更具排斥性的電平的第一電壓差(VD1),和/或比第二寫(xiě)電平更具排 斥性的第二電壓差(VD2)。
全文摘要
一種用于驅(qū)動(dòng)面內(nèi)運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路，其具有包括可移動(dòng)帶電顆粒(PA)的像素(P)。所述像素(P)具有貯存電極(RE)，顯示電極(DE)，和橫向地位于貯存電極(RE)與顯示電極(DE)之間的柵電極(GE)。所述驅(qū)動(dòng)電路(DC)包括驅(qū)動(dòng)器(DR)和控制器(CO)，所述控制器(CO)接收表示要在運(yùn)動(dòng)顆粒設(shè)備上顯示的圖像的輸入信號(hào)(OS)。所述控制器(CO)控制所述驅(qū)動(dòng)器(DR)以在所述貯存電極(RE)與柵電極(GE)之間提供第一電壓差(VD1)，以及在所述柵電極(GE)與顯示電極(DE)之間提供第二電壓差(VD2)。在寫(xiě)階段(TW)，如果所述像素(P)的光學(xué)狀態(tài)與所述圖像改變一致，那么所述圖像由運(yùn)動(dòng)顆粒(PA)從貯存電極(RE)經(jīng)柵電極(GE)到顯示電極(DE)而寫(xiě)入到像素(P)。如果在寫(xiě)階段(TW)期間，像素(P)的光學(xué)狀態(tài)不會(huì)改變，那么第一電壓差(VD1)具有第一寫(xiě)電平，而第二電壓差(VD2)具有第二寫(xiě)電平，選擇兩個(gè)寫(xiě)電平以使所述顆粒(PA)與柵電壓(GE)相斥。在排斥階段(TR)，第一電壓差(VD1)具有對(duì)于所述顆粒比第一寫(xiě)電平更具排斥性的電平，和/或第二電壓差(VD2)具有比第二寫(xiě)電平更具排斥性的電平。
文檔編號(hào)G09G3/34GK101405787SQ200780009390
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2007年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
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