專利名稱：電光裝置、半導(dǎo)體器件、顯示裝置及具備其的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，例如，涉及電光裝置、半導(dǎo)體器件、顯示裝置及具備其的電 子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，在顯示裝置上裝載光傳感器功能，通過測(cè)定外光照度對(duì)輝度 等進(jìn)行調(diào)整而謀求消耗電力降低、像質(zhì)提高的技術(shù)的開發(fā)正在進(jìn)展(例如專利文獻(xiàn)l)。作為光傳感器可舉出薄膜晶體管、PIN二極管、PN二極管 等。受光部不管在哪種情況下都為硅薄膜，為了不使制造上的成本增大， 優(yōu)選以與構(gòu)成顯示的開關(guān)元件的硅薄膜同一制造工序所制造。此時(shí)，所謂 外光指所有種類的環(huán)境光，即日光、熒光燈、白熾燈泡、LED的光等，并 要求相對(duì)于這些全部作為光傳感器檢測(cè)正確的照度。專利文獻(xiàn)1美國(guó)專利笫5831693號(hào)說明書 發(fā)明內(nèi)容相對(duì)于日光總是為一定的光量，采用AC電源類型的人工光大多以一 定周期反復(fù)閃爍，尤其在輝尤故電型熒光燈成為主要的環(huán)境光的情況下， 以100Hz或120Hz的閃爍顯著，光傳感器受此影響，不能正確地進(jìn)行照度 的檢測(cè)。本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)即使在有以100Hz或120Hz的閃爍的環(huán)境下也能夠 高精度地進(jìn)行照度檢測(cè)的電光裝置。本發(fā)明，為電光裝置，其具備有在第1 (在實(shí)施方式中，為有源矩 陣基板IOI)及第2基板(在實(shí)施方式中，為對(duì)向基板912)間夾持電光物 質(zhì)(在實(shí)施方式中，為向列液晶材料922)的形成有顯示區(qū)域的面板(在4實(shí)施方式中，為液晶面板911)，和設(shè)置于前述第1或第2 M上、對(duì)前 述面板的周圍光的照度進(jìn)行檢測(cè)的光檢測(cè)部(在實(shí)施方式中，為檢測(cè)電路 360、受光傳感器350P);其特征為前述光檢測(cè)部，隔開預(yù)定的時(shí)間間 隔(為RST信號(hào)的周期TR),進(jìn)行多次檢測(cè)工作；前述預(yù)定的時(shí)間間隔 設(shè)定為除了 1 / 100秒或1 / 120秒的整數(shù)倍或接近于它們的值以外的值。 若如此地進(jìn)行設(shè)定，則即使在有以100Hz或120Hz的閃爍的環(huán)境下，照度 檢測(cè)的精度也因短時(shí)間、少次數(shù)的采樣而提高。本發(fā)明，為半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備形成于M上、用于對(duì) 前述基板周邊的外光照度進(jìn)行測(cè)定的光傳感器(受光傳感器350P)，和連 接于前述光傳感器而對(duì)應(yīng)于前述外光照度進(jìn)行輸出的檢測(cè)電路(在實(shí)施方 式中，為檢測(cè)電路360);前述檢測(cè)電路，基于來自前述光傳感器的輸入 多次進(jìn)行前述外光照度檢測(cè)工作；若設(shè)前述多次檢測(cè)工作的第1檢測(cè)工作、 與繼前述第l檢測(cè)工作所進(jìn)行的第2檢測(cè)工作的時(shí)間間隔為Tl，則前述時(shí) 間間隔Tl設(shè)定為除了 1 / 100秒或1 / 120秒的整數(shù)倍及接近于它們的值 以外的值。若如此地進(jìn)行設(shè)定，則即使在有以100Hz或120Hz的閃爍的環(huán) 境下，照度檢測(cè)的精度也因短時(shí)間、少次數(shù)的采樣而提高。更具體地為以 下半導(dǎo)體器件前述時(shí)間間隔T1，當(dāng)設(shè)n為任意的整數(shù)時(shí)，設(shè)定為1/100 秒的(n + 0.5)倍、或1/120秒的(n + 0,5)倍、或二者的中間值；進(jìn)而 為具有多次對(duì)前述檢測(cè)電路的輸出采樣、進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理的電路(在實(shí)施方 式中，為中央運(yùn)算電路781)的半導(dǎo)體器件。若如此地進(jìn)行設(shè)定，則以最 少2次的采樣而使精度顯著提高。進(jìn)而本發(fā)明，為半導(dǎo)體器件，其特征為若設(shè)前述第2檢測(cè)工作、與 繼前述笫2檢測(cè)工作所進(jìn)行的第3檢測(cè)工作的時(shí)間間隔為T2，則前述時(shí)間 間隔Tl與前述時(shí)間間隔T2互不相同。通過如此地4吏檢測(cè)間隔不為一定， 能夠?qū)?yīng)于所有的外光的閃爍周期。進(jìn)而為一種半導(dǎo)體器件，其特征為前述光傳感器為將前述外光照度 變換成電流的元件；前述檢測(cè)電路是在每次前述檢測(cè)周期的開始將連接 有前述光傳感器的節(jié)點(diǎn)的一端復(fù)位成初始電位，通過對(duì)前述節(jié)點(diǎn)的電位變 化進(jìn)行檢測(cè)而進(jìn)行前述檢測(cè)工作的電路。如此的檢測(cè)電路即使來自光傳感器的輸出電流微弱也可以以高精度進(jìn)行檢測(cè)，但是因?yàn)樾枰欢ǖ臋z測(cè)工 作期間，所以容易受外光的閃爍的影響，適合應(yīng)用本實(shí)施例。進(jìn)而本發(fā)明為以前述光傳感器為采用了薄膜多晶硅的PIN結(jié)二極管 或PN結(jié)二極管為特征的半導(dǎo)體器件。如此的光傳感器可以低成本地制造 于液晶顯示裝置上，但是因?yàn)楣怆娏餍实停赃m合應(yīng)用本實(shí)施例。而且本發(fā)明為采用了這些半導(dǎo)體器件的顯示裝置，和采用了該顯示裝 置的電子設(shè)備。因?yàn)樵谒械沫h(huán)境下內(nèi)置高精度的光傳感器，所以能夠提 供即使在室內(nèi)也能適當(dāng)?shù)貙?duì)像質(zhì)、輝度進(jìn)行調(diào)整，可視性高、消耗電力少 而電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間長(zhǎng)的裝置。并且，此時(shí)，若是顯示的幀周期為前述時(shí)間間 隔Tl的整數(shù)倍的顯示裝置，則信號(hào)生成容易而成本低廉。
圖l是本發(fā)明的實(shí)施例中的液晶顯示裝置910的立體圖。圖2是本發(fā)明的笫1實(shí)施例中的有源矩陣基板101的構(gòu)成圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施例中的有源矩陣Ml01的像素電路圖。圖4是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的實(shí)施例的4匡圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施例中的有源矩陣基板101的像素部的俯視圖。圖6是沿圖5的A—A'的剖面圖。圖7是沿圖5的B—B'的剖面圖。圖8是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的受光傳感器350P-l、遮光傳感器 350D-1的俯視圖。圖9是沿圖8的C—C'的剖面圖。 圖10是沿圖8的D—D'的剖面圖。圖ll是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的受光傳感器350P-l 350P-6、遮光傳 感器350D-l 350D-6的等效電路圖。圖12是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的受光傳感器350P-l 350P-6、遮光傳 感器350D-l 350D-6的簡(jiǎn)化了的等效電路圖。圖13是表示構(gòu)成本發(fā)明的第1實(shí)施例中的受光傳感器350P-l 350P-6、 遮光傳感器350D-l 350D-6的PIN 二極管的特性的曲線圖。圖14是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的檢測(cè)電路360的電路圖。圖15是用于對(duì)本發(fā)明的現(xiàn)有問題進(jìn)行說明的定時(shí)圖。圖16是用于對(duì)本發(fā)明的現(xiàn)有問題進(jìn)行說明的第2定時(shí)圖。圖17是用于對(duì)本發(fā)明的效果進(jìn)行說明的定時(shí)圖。圖18是本發(fā)明的實(shí)施例中的外部光的檢測(cè)照度與背光源輝度的設(shè)定圖。圖19是用于半透射液晶顯示裝置的外部光的檢測(cè)照度與背光源輝度 的設(shè)定圖。圖20是本發(fā)明的第2實(shí)施例中的布線RST的信號(hào)電位的定時(shí)圖。 符號(hào)說明101…有源矩陣基板，102…伸出部，201-1-201-480…掃描線， 202-1~202-1920...數(shù)據(jù)線，301…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，302…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路， 320…信號(hào)輸入端子，330-1-330-2…對(duì)向?qū)ú浚?35…共用電位布線， 350P-l 350P-6…受光傳感器(本發(fā)明的"第1光傳感器"之一例)， 350D-1-350D-6…遮光傳感器(本發(fā)明的"第2光傳感器"之一例)，360… 檢測(cè)電路(本發(fā)明的"光檢測(cè)部"之一例)，361…自校正電壓電路， 611P-l 611P-6、 611D-l 611D-6…背光源遮光電極，612P-l、 612D-l…透 明電極，781…中央運(yùn)算電路，784…外部電源電路，910…液晶顯示裝置， 911…液晶面板(本發(fā)明的"面板"之一例)，912…對(duì)向絲(本發(fā)明的 "第2基板"之一例)，922…向列相液晶材料，923…密封材料，926…背 光源單元，927…導(dǎo)脈，940…黑矩陣，990-l 9卯-6…受光開口部，LA… 外光，LB…背光源光。
具體實(shí)施方式
以下，關(guān)于本發(fā)明中的電光裝置、半導(dǎo)體器件、顯示裝置及具備其的 電子設(shè)備的實(shí)施方式，基于附圖而進(jìn)行說明。 第1實(shí)施方式圖l是本實(shí)施例中的液晶顯示裝置910的立體構(gòu)成圖(部分剖面圖)。 液晶顯示裝置910，具備使有源矩陣基板IOI與對(duì)向M912通過密封材料923以一定的間隔相貼合，夾持有向列相液晶材料922的液晶面板 Wl。在有源矩陣Ml01上雖然未圖示，但是涂敷有由聚酰亞胺等構(gòu)成的 取向材料，對(duì)其進(jìn)行摩擦處理而形成取向膜。并且，對(duì)向基板912，雖然 未圖示，但是形成有對(duì)應(yīng)于像素的濾色器，由用于防止光泄漏、使對(duì)比 度提高的低反射、低透射率樹脂構(gòu)成的黑矩陣940，和與有源矩陣MlOl 上的對(duì)向?qū)ú?30-1-330-2相短路的被供給共用電位的以ITO膜形成的 對(duì)向電極930。在與向列相液晶材料922相接觸的面涂敷由聚酰亞胺等構(gòu) 成的取向材料，在與有源矩陣^板101的取向膜的摩擦處理的方向相正交 的方向被實(shí)施摩擦處理。進(jìn)而在對(duì)向1^1912的外側(cè)、有源矩陣J4！ 101的外側(cè)，分別配置上 偏振板924、下偏振板925，并且互相的偏振方向相正交地(十字尼科耳狀) 進(jìn)行配置。進(jìn)而在下偏膝板925下，配置背光源單元926與導(dǎo)光板927， 從背光源單元926朝向?qū)Ч獍?27照射光，導(dǎo)光板927通過使來自背光源 單元926的光朝向有源矩陣皿101變成垂直且均勻的面光源地使光進(jìn)行 反射彎折而作為液晶顯示裝置910的光源起作用。背光源單元926，雖然 在本實(shí)施例中為L(zhǎng)ED單元，但是也可以為冷陰極管(CCFL)。雖然背光 源單元926通過連接器929而連接于電子設(shè)備主體、被供給電源，但是在 本實(shí)施例中具有通過將電源調(diào)整為適宜恰當(dāng)?shù)碾娏?、電壓而調(diào)整來自背光 源單元926的光量的功能。雖未圖示，但是進(jìn)而相應(yīng)于需要，既可以以外殼覆蓋周圍，或者也可 以在上偏振板924的上方安裝保護(hù)用的玻璃、丙烯酸板，還可以為了視場(chǎng) 角改善而貼附光學(xué)補(bǔ)償膜。并且，在液晶顯示裝置910的外周部設(shè)置光傳感器受光開口部990。 并且，有源矩陣基板101，設(shè)置有從對(duì)向皿912伸出的伸出部102，對(duì)處 于該伸出部102的信號(hào)輸入端子320，安裝FPC (柔性基&) 928而電連 接。FPC (柔性M) 928連接于電子設(shè)備主體，供給必需的電源、控制 信號(hào)等。進(jìn)而在液晶顯示裝置910上設(shè)置6個(gè)光傳感器的受光開口部 990-l 990-6。該受光開口部990-1 990-6通過部分去除對(duì)向電極930上的黑矩陣940所形成，使外部的光到達(dá)有源矩陣Jj^l01上。各受光開口部 9卯-1~9卯-6的周圍并不去除對(duì)向電極930上的黑矩陣940地形成，使外光 不到達(dá)有源矩陣M 101上。圖2是有源矩陣基板101的框圖。在有源矩陣^ 101上，480條掃 描線201-1 201-480與1920條數(shù)據(jù)線202-1-202-1920相正交所形成，480 條電容線203-1 203-480與掃描線201-1-201-480并行地所配置。電容線 203-1 203-480相互短路，與共用電位布線335相連接，進(jìn)而與2個(gè)對(duì)向?qū)?通部330-1~330-2相連接，而由信號(hào)輸入端子320被供給0V 5V的反相信 號(hào)、反相時(shí)間為47.6p秒的共用電位。掃描線201-1-201-480連接于掃描 線驅(qū)動(dòng)電路301，并且數(shù)據(jù)線202-1-202-1920連接于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路302, 分別適當(dāng)?shù)乇或?qū)動(dòng)。并且掃描線驅(qū)動(dòng)電路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路302從信 號(hào)輸入端子320被供給在驅(qū)動(dòng)中必需的信號(hào)。信號(hào)輸入端子320配置于伸 出部102上。另一方面，掃描線驅(qū)動(dòng)電路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路302配置 于與對(duì)向J41912相重疊的區(qū)域、即配置于伸出部102外。掃描線驅(qū)動(dòng)電 路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路302,通過由低溫多晶硅TFT工藝而在有源矩陣 基板上集成在驅(qū)動(dòng)中必需的電路功能的玻璃上系統(tǒng)(SOG, System On Glass )技術(shù)，通過在有源矩陣基板上集成多晶硅薄膜晶體管所形成，成為 以與后述的像素開關(guān)元件401-n-m同一工序所制造的，所謂的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi) 置型的液晶顯示裝置。并且在與6個(gè)受光開口部990-1 990-6俯視重疊的區(qū)域分別形成6個(gè) 受光傳感器350P-l-350P-6 ,與其交替地形成6個(gè)遮光傳感器 350D-l 350D-6 。 該受光傳感器350P-l 350P-6與遮光傳感器 350D-l 350D-6也通過玻璃上系統(tǒng)(SOG )技術(shù)，形成于有源矩陣14l上。 通過如此地在玻璃M上以與像素開關(guān)元件401-n-m同一工序進(jìn)行制造， 能夠降低制造成本。雖然受光傳感器350P-l 350P-6與受光開口部990-1 9卯-6俯視重疊而 外光到達(dá)傳感器，但是遮光傳感器350D-l~350D-6并不與受光開口部 990-1 9卯-6俯^見重疊，外光以對(duì)向電極930上的黑矩陣940所吸收而幾乎 不到達(dá)。受光傳感器350P-l 350P-6與布線PBT、布線VSH、布線SENSE相連接；遮光傳感器350D-l 350D-6與布線DBT、布線VSL、布線SENSE 相連接。這些布線PBT、布線VSH、布線SENSE、布線DBT、布線VSL 連接于檢測(cè)電路360。檢測(cè)電路360變換成對(duì)應(yīng)于和來自受光傳感器 350P-l 350P-6與遮光傳感器350D-1-350D-6的外光照度具有相關(guān)性的輸 出模擬電流的脈沖長(zhǎng)度的二值輸出信號(hào)OUT，并向信號(hào)輸入端子320進(jìn)行 輸出。并且，布線VCHG、布線RST、布線VSL、布線VSH也通過信號(hào) 輸入端子320供給于檢測(cè)電路360。詳情進(jìn)行后述，構(gòu)成為因?yàn)槭芄鈧鞲衅?50P-l 350P-6與背光源遮 光電極611P-l 611P-6、遮光傳感器350D-l~350D-6與背光源遮光電極 611D-l 611D-6分別俯視重疊，分別被遮蔽來自背光源的光，所以外光的 檢測(cè)精度不會(huì)由于來自背光源的光而下降。并且，受光傳感器 350P-1-350P-6與透明電極612P-l 612P-6、遮光傳感器350D-l~350D-6與 透明電極612D-l 612D-6也重疊，檢測(cè)精度也不會(huì)由于對(duì)顯示區(qū)域310進(jìn) 行驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電磁噪聲而下降。因?yàn)橥ㄟ^這些構(gòu)成，受光傳感器 350P-l 350P-6及遮光傳感器350D-l 350D-6即使配置于顯示區(qū)域310附 近，檢測(cè)精度也不下降，所以設(shè)計(jì)的自由度比現(xiàn)有的產(chǎn)品提高。在本實(shí)施 例中受光開口部990-1~990-6的尺寸、即各受光傳感器350P-l~350P-6上的 黑矩陣940的開口尺寸設(shè)定為10mmx0.3mm，并且使從受光開口部 990-1-990-6的端部到顯示區(qū)域310的距離為0.5mm。圖3是以圖2的點(diǎn)線310部表示的顯示區(qū)域的第m條數(shù)據(jù)線202-m與 第n條掃描線201-n的交叉部附近的電路圖。在掃描線201-n與數(shù)據(jù)線 202-m的各交點(diǎn)處形成由N溝道型場(chǎng)效應(yīng)多晶硅薄膜晶體管構(gòu)成的像素開 關(guān)元件401-n-m，其柵電極連接于掃描線201-n，源、漏電極分別連接于數(shù) 據(jù)線202-m與〗象素電極402 -n-m。 與像素電極402國(guó)n-m及同~"^電位短路的 電極與電容線203-n形成輔助電容器403-n-m，并且當(dāng)作為液晶顯示裝置 被組裝時(shí)，夾持液晶元件而與對(duì)向電極930 (共用電極)仍然形成電容器。在此，本實(shí)施例中的幀頻為43.6Hz。即，各^f象素開關(guān)元件401-n-m每 22.9m秒通過掃描線馬區(qū)動(dòng)電路310所選捧，對(duì)各像素電極402-n-m 每22.9m 秒一次，寫入極性交替地反相了的信號(hào)，圖4是表示本實(shí)施例的電子設(shè)備的具體的構(gòu)成的框圖。液晶顯示裝置 910是以圖l進(jìn)行了說明的液晶顯示裝置，外部電源電路784、圖像處理電 路780通過FPC (柔性基板)928及連接器929將必需的信號(hào)與電源供給 于液晶顯示裝置910。中央運(yùn)算電路781通過外部I/F電路782取得來自 輸入輸出設(shè)備783的輸入lt據(jù)。在此所謂輸入輸出設(shè)備783例如為^:、 鼠標(biāo)、軌跡球、LED、揚(yáng)聲器、天線等。中央運(yùn)算電路781基于來自外部 的數(shù)據(jù)進(jìn)行各種運(yùn)算處理，將結(jié)果作為指令向圖像處理電路780或者外部 I/F電路782進(jìn)行傳送。圖像處理電路780基于來自中央運(yùn)算電路781的 指令對(duì)圖像信息進(jìn)行更新，并通過改變送往液晶顯示裝置910的信號(hào)，使 液晶顯示裝置910的顯示圖〗象發(fā)生變化。并且，來自液晶顯示裝置910上 的檢測(cè)電路360的二值輸出信號(hào)OUT通過FPC (柔性基板)928輸入于 中央運(yùn)算電路781,中央運(yùn)算電路781將二值輸出信號(hào)OUT的脈沖長(zhǎng)度變 換成相對(duì)應(yīng)的離散值。接下來中央運(yùn)算電路781訪問由EEPROM (Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory,電可擦 除可編程只讀存儲(chǔ)器)構(gòu)成的參照表785,并將變換了的離散值再變換成 對(duì)應(yīng)于適當(dāng)?shù)谋彻庠磫卧?26的電壓的值，并發(fā)送給外部電源電路784。 外部電源電路784將對(duì)應(yīng)于該所發(fā)送的值的電壓的電位電源通過連接器 929供給于液晶顯示裝置910內(nèi)的背光源單元926。因?yàn)楸彻庠磫卧?26 的輝度因由外部電源電路784所供給的電壓而發(fā)生變化，所以液晶顯示裝 置910的全白顯示時(shí)輝度也發(fā)生變化。在此所謂電子設(shè)備具體地為監(jiān)控器、 TV、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、PDA、數(shù)字相機(jī)、攝像機(jī)、便攜電話機(jī)、便攜相 片瀏覽器、便攜視頻播放器、便攜DVD播放器、便攜音頻播放器等。還有，雖然在本實(shí)施例中通過電子設(shè)備上的中央運(yùn)算電路781對(duì)背光 源單元926的輝度進(jìn)行了控制，但是也可以例如為在液晶顯示裝置910內(nèi) 具備有驅(qū)動(dòng)器IC及EEPROM的構(gòu)成，并使該驅(qū)動(dòng)器IC具有從二值輸出 信號(hào)OUT向離散值的變換功能、參照EEPROM的再變換功能、對(duì)向背光 源單元926的輸出電壓進(jìn)行調(diào)整的功能。并且，也可以不用參照表，而通 過數(shù)值計(jì)算從離散值再變換成對(duì)應(yīng)于背光源單元926的電壓的值地構(gòu)成。 圖5是表示以圖3表示的像素顯示區(qū)域的電路圖的實(shí)際的構(gòu)成的俯視圖。如示于圖5的凡例地，各網(wǎng)紋不同的部位表示其為各自不同的材料布 線，并且以相同的網(wǎng)紋表示的部位表示其為相同的材料布線。由鉻薄膜(Cr)、多晶硅薄膜(Poly-Si)、鉬薄膜(Mo)、鋁釹合金薄膜(AlNd)、 氧化銦錫薄膜(Indium Tin Oxiced = ITO)的5層薄膜所構(gòu)成，在各自的 層間形成氧化硅、氮化硅、有機(jī)絕緣膜的任何膜或者疊層了它們的絕緣膜。 具體地，鉻薄膜(Cr)膜厚為100nm、多晶硅薄膜(Poly-Si)膜厚為50nm、 鉬薄膜(Mo)膜厚為200nm、鋁釹合金薄膜(AlNd)膜厚為500nm、氧 化銦錫薄膜(ITO)膜厚為100nm。并且，在鉻薄膜(Cr)與多晶硅薄膜(Poly-Si)之間形成疊層有100nm的氮化珪膜與100nm的氧化珪膜的基 底絕緣膜，在多晶珪薄膜(Poly-Si)與鉬薄膜(Mo)之間形成由100nm 的氧化硅膜構(gòu)成的柵絕緣膜，在鉬薄膜(Mo)與鋁釹合金薄膜(AlNd) 之間形成疊層有200nm的氮化珪膜與500nm的氧化珪膜的層間絕緣膜， 在鋁釹合金薄膜(AlNd )與氧化銦錫薄膜(ITO )的之間形成疊層有200nm 的氮化硅膜與平均lpm的有機(jī)平坦化膜的保護(hù)絕緣膜，使布線間互相絕 緣，在適當(dāng)?shù)奈恢瞄_設(shè)接觸孔而將它們互相連接。還有，在圖5中并不存 在鉻薄膜(Cr)圖形。如以圖5表示地，數(shù)據(jù)線202-m通過鋁釹合金薄膜(AlNd)所形成， 通過接觸孔連接于像素開關(guān)元件401-n-m的源電極。掃描線201-n以鉬薄 膜(Mo)所構(gòu)成，兼用作像素開關(guān)元件401-n-m的柵電極。電容線203-n 由與掃描線201-n相同的布線材料所構(gòu)成，像素電極402-n-m由氧化銦錫 薄膜構(gòu)成，通過接觸孔連接于像素開關(guān)元件401-n-m的漏電極。并且，像 素開關(guān)元件401-n-m的漏電極也連接于通過高濃度摻雜有磷的n +型多晶 硅薄膜構(gòu)成的電容部電極605，與電容線203-n俯^!^目重疊而構(gòu)成輔助電 容器403-n-m。圖6 ^!表示液晶顯示裝置910的、對(duì)應(yīng)于用于對(duì)^象素開關(guān)元件401-n-m 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的圖5的A—A'線部分的一部分的剖面結(jié)構(gòu)的圖。還有， 為了使圖易看而比例尺并不一定。有源矩陣基板101是由無堿玻璃構(gòu)成的 厚度為0.6mm的絕緣勤良，在其上通過疊層有200nm的氮化硅膜與300nm 的氧化硅膜的基底絕緣膜而配置有由多晶硅薄膜構(gòu)成的硅島(siliconisland ) 602，掃描線201-n與硅島602夾持前述的柵絕緣膜而配置于上方。 在與掃描線201-n相重疊的區(qū)域中，硅島602為完全不摻雜、或者只摻極 低濃度磷離子的^E半導(dǎo)體區(qū)域6021，在其左右存在低濃度地?fù)诫s有磷離 子的薄層(sheet)電阻為20kQ程度的n-區(qū)域602L、并進(jìn)而在其左右存 在高濃度地?fù)诫s有磷離子的薄層電阻為比0程度的11+區(qū)域602N的，LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)。左右的n +區(qū)域602N通過分別 形成于層間絕緣膜的接觸孔而與源電極603、漏電極604相連接，源電極 603與數(shù)據(jù)線202-m、漏電極604與形成于平坦化絕緣膜上的像素電極 402-n-m分別相連接。在4象素電極402 -ii-m與對(duì)向^SA 912上的對(duì)向電極 930之間存在向列相液晶材料922。并且，與像素電極402-n-m—部分重疊 地在對(duì)向141 912上形成黑矩陣940。還有，在^f象素開關(guān)元件401-n-m的 光泄漏電流成為問題的情況下，也可以在硅島602下形成由Cr膜構(gòu)成的 遮光層。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中，光泄漏電流基本不是問題，且若采取如此的 結(jié)構(gòu)，則像素開關(guān)元件401-n-m的遷移率下降，所以選擇了去除硅島602 下的Cr膜的構(gòu)成。圖7是表示液晶顯示裝置910的、對(duì)應(yīng)于用于對(duì)輔助電容器403-n-m 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的圖5的B—B，線部分的一部分的剖面結(jié)構(gòu)的圖，與漏電 極604相連的電容部電極605和電容線203-n通過夾持柵絕緣膜相重疊而 形成存儲(chǔ)電容。圖8是受光傳感器350P-1 (第1光傳感器)與遮光傳感器350D-1 (第 2光傳感器)附近的放大俯視圖。還有，為了使圖易看，而使縱向與橫向 的比例尺并不一定。并且，凡例與圖5同樣。受光傳感器350P-1與以粗點(diǎn) 線表示的受光開口部9卯-l俯視重疊，使得被外光照射。受光傳感器350P-1 通過4處孤立的受光部350P-11、相鄰于其的連接于布線SENSE的陽極 區(qū)域350P-1P,和連接于布線VSH的陰極區(qū)域350P-1N所構(gòu)成。受光部 350P-1I、陽極區(qū)域350P-1P、陰極區(qū)域350P-1N都通過同一多晶硅薄膜島 根據(jù)摻雜濃度不同被分離所構(gòu)成，陽極區(qū)域350P-1P凈皮摻雜比較高濃度的 硼離子，陰極區(qū)域350P-1N被摻雜比較高濃度的磷離子，受光部350P-1I 只以極低濃度包括硼、磷離子。并且，陽極區(qū)域350P-1P、陰極區(qū)域350P-1N、受光部350P-1I寬度分別為10 u m，受光部350r-ll的長(zhǎng)度分別為1000 n m。如此地受光傳感器350P-1構(gòu)成多個(gè)并聯(lián)連接的PIN結(jié)二極管。雖然在 受光傳感器350P-1及遮光傳感器350D-1的接近于顯示區(qū)域310側(cè)配置共 用電位布線335，但是在本實(shí)施例中其并不連接于受光傳感器350P-1及遮 光傳感器350D-1，為了避免電磁噪聲的影響而離開100jLim地進(jìn)行配置。遮光傳感器350D-1通過4處孤立的受光部350D-11、相鄰于其的連 接于布線VSL的陽極區(qū)域350D-1P，和連接于布線SENSE的陰極區(qū)域 350D-1N所構(gòu)成。因?yàn)槌诉B接負(fù)級(jí)與陽極的布線不同，和不與受光開口 部990-1俯視重疊以外，受光傳感器350P-1與遮光傳感器350D-1為同一 構(gòu)成，所以對(duì)除此以外的說明進(jìn)行省略。并且，因?yàn)槭芄鈧鞲衅?350P-2~350P-5與受光傳感器350P-1、遮光傳感器350D-2 350D-5與遮光 傳感器350D-1，除了配置位置以外分別為同樣的構(gòu)成，所以對(duì)說明進(jìn)4亍省 略。圖9是表示液晶顯示裝置910的、對(duì)應(yīng)于用于對(duì)受光傳感器350P-1的 結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的圖8的線C一C，線部分的一部分的剖面結(jié)構(gòu)的圖。在有 源矩陣 1101上通過基底絕緣膜配置背光源遮光電極611P-1 (第1遮光 電極)，在其上夾持柵絕緣膜形成由薄膜多晶硅構(gòu)成的受光傳感器350P-l。 受光傳感器350P-1通過4處孤立的受光部350P-1I、相鄰于其的連接于 布線VSL的陽極區(qū)域350P-1P，和連接于布線SENSE的陰極區(qū)域350P-1N 所構(gòu)成，正如前述。在受光傳感器350P-1的上方通過層間絕緣膜、平坦化 絕緣膜配置由氧化銦錫薄膜(ITO)構(gòu)成的透明電極612P-1 (第l透明電 極)，作為相對(duì)于受光部350P-1I的電場(chǎng)屏蔽器件而起作用。透明電極612P。1的上方被封入向列液晶材料922，配置有對(duì)向基板912 上的對(duì)向電極930。還有，有時(shí)也根據(jù)受光傳感器350P-1的配置位置而配 置密封材料923代替向列液晶材料922。受光開口部9卯-l通過部分去除對(duì) 向皿912上的黑矩陣940所形成。雖未圖示，但是因?yàn)樵谡诠鈧鞲衅?350D-1上并不存在受光開口部，所以不去除黑矩陣940。成為下述構(gòu)成從對(duì)向基tl 912的上方照射外光LA,另一方面，從 有源矩陣l敗101的下方照射來自背光源單元926的光(背光源光LB )。還有，雖然在本實(shí)施例中并未實(shí)施，但是也可以在受光開口部9卯-l 放置光學(xué)校正層。例如也可以與受光開口部990-1相重疊而形成構(gòu)成形成 于對(duì)向M912的對(duì)應(yīng)于像素的濾色器的色材之中的一種或者幾種，4吏視 見度分光特性與受光傳感器350P-1更加一致。例如若重疊于受光開口部 990-1上而形成對(duì)應(yīng)于綠色的像素的色材，則因?yàn)閷?duì)短波長(zhǎng)與長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)進(jìn)行 截去，所以即^f吏受光傳感器350P-l的分光特性與4見見度分光特性相比向短 波長(zhǎng)或者長(zhǎng)波長(zhǎng)偏離，也能夠進(jìn)行校正。此外，可以相應(yīng)于目的而使受光 開口部990-1部與反射防止膜、干涉層、偏振層等相重疊。并且，雖然在 本圖中并未圖示，但是上偏振板924既可以與受光開口部990-1相重疊， 也可以去掉。雖然相重疊的一方的受光開口部990-1變得不明顯，但是若 去掉則感光靈敏度提高。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中，液晶顯示裝置910為了實(shí)現(xiàn)低消耗電力化，而進(jìn) 行在共用電位布線335施加反相信號(hào)的共用電極反相驅(qū)動(dòng)(共用AC驅(qū)動(dòng))， 所以在對(duì)向電極930施加振幅為0V 5V、頻率為14KHz的AC信號(hào)。但 是因?yàn)橛蓪?duì)向電極930產(chǎn)生的電磁波通過透明電極612P-1所屏蔽，所以當(dāng) 對(duì)向電極930反相時(shí)，幾乎不對(duì)受光傳感器350P-1施加噪聲。同樣地對(duì)于 來自下方的電磁噪聲，背光源遮光電極611P-1作為屏蔽器件而起作用。圖10是表示液晶顯示裝置910的、對(duì)應(yīng)于圖8的線D—D'線部分的 一部分的剖面結(jié)構(gòu)的圖。形成于基底絕緣膜上的背光源遮光電極611P-1(第 l遮光電極)與背光源遮光電極611D-1 (第2遮光電極)通過遮光電極間 隙611G互相離開，^皮提供各自的電位。并且形成于平坦化絕緣膜上的透 明電極612P-1 (第1透明電極)與透明電極612D-1 (第2透明電極)也通 過透明電極間隙612G互相離開，被提供各自的電位。背光源遮光電極 611P-1與透明電極612P-1相互通過中間電極613P-1和形成于柵絕緣膜、 層間絕緣膜及平坦化絕緣膜的接觸孔而連接，最終連接于布線PBT。背光 源遮光電極611D-1與透明電極612D-1相互通過中間電極613D-1和形成 于柵絕緣膜、層間絕緣膜及平坦化絕緣膜的接觸孔而連接，最終連接于布 線DBT。在此遮光電極間隙611G與透明電極間隙612G在有源矩陣基板101及對(duì)向Hl912的鉛垂方向上互不重疊。若如此地構(gòu)成，則因?yàn)槠矫嫘缘?上下都不存在未受屏蔽的區(qū)域，所以從間隙進(jìn)入的電/f茲噪聲難以左右擴(kuò)展， 能夠減輕由間隙引起的屏蔽性能的降低。并且，與遮光電極間隙611G相重疊地形成由鉬薄膜(Mo)構(gòu)成的間 隙遮光體610。由此，能夠顯著地減小通過遮光電極間隙611G進(jìn)入的背 光源光以各種絕緣膜、玻璃的界面等所多次反射，成為雜散光而到達(dá)受光 傳感器350P-l、遮光傳感器350D-1的比例。圖11為如以上的構(gòu)成的受光傳感器350P-l 350P-6、遮光傳感器 350D-l 350D-6的等效電路圖。各受光傳感器350P-l~350P-6、遮光傳感器 350D-l 350D-6，分別并聯(lián)連接4個(gè)PIN 二極管。并且，各受光傳感器 350P-l 350P-6也互相并聯(lián)連接，遮光傳感器350D-l 350D-6也互相并聯(lián) 連接。所以最終圖11與圖12的電路圖等效。即，遮光傳感器350D-l 350D-6 為溝道寬度為24000 n m、溝道長(zhǎng)度為10 p m的PIN 二極管，其陽極連接 于布線VSL，其陰極連接于布線SENSE。并且，與遮光傳感器 350D-l 350D-6俯視重疊的背光源遮光電極611D-l 611D-6及透明電極 612D-l~612D-6連接于布線DBT。受光傳感器350P-l 350P-6為溝道寬度 為24000 jLim、溝道長(zhǎng)度為10jim的PIN 二極管，其陽極連接于布線 SENSE，其陰極連接于布線VSH。并且，與受光傳感器350P-l 350P-6俯 視重疊的背光源遮光電極611P-l 611P-6及透明電極612P-1-612P-6連接 于布線PBT。圖13是表示當(dāng)一定的外光照度LX照射于液晶顯示裝置910時(shí)的構(gòu)成 受光傳感器350P-l 350P-6與遮光傳感器350D-l 350D-6的PIN 二極管的 特性的曲線圖。橫軸為偏置電位Vd(=陽極電位-陰極電位)，縱軸為流 通陽極-陰極間的電流量Id。以實(shí)線表示的曲線(A)為受光傳感器 350P-l 350P-6的特性，以虛線表示的曲線(B)為遮光傳感器 350D-l~350D-6的特性。如此地雖然在正向偏置區(qū)域(Id>0)中二者基本 相一致，但是在反向偏置區(qū)域(ld<0)中受光傳感器350P-l 350P-6的曲 線(B)的一方的電流的絕對(duì)值變大。這是因?yàn)橐韵略螂m然因?yàn)橥夤?未照射于遮光傳感器350D-l~350D-6，所以僅流通起因于溫度的熱電流量Ileak，但是因?yàn)槿艄庹丈溆跇?gòu)成受光傳感器350P-l 350P-6的PIN 二極管 的受光部350P-lI 350P-61則生成載流子對(duì)，流通光電流量Iphoto，所以 在受光傳感器350P-l 350P-6中流通光電流量與熱電流量之和、Iphoto + Ileak。熱電流量Ileak表示Vd (=陽極電位-陰極電位)相關(guān)性，并能夠 在-5.0《Vd《-1.5的區(qū)域中作為斜率為KA (KA>0)的直線進(jìn)行近似。 在此，KA為相對(duì)于溫度的函數(shù)，若溫度升高則指數(shù)函數(shù)性地上升。在該 Vd區(qū)域(Vd= - 5.0《Vd< -1.5)中流通于受光傳感器350P-l 350P-6 的光電流量Iphoto具有基本一定的值，正比于外光照度LX (以下，設(shè)為 Iphoto = LXxk)。所以，流通于受光傳感器350P-l 350P-6的電流(曲 線(A))、流通于遮光傳感器350D-l 350D-6的電流(曲線(B))，在 -5.0《Vd< -1.5的區(qū)域中都為斜率為KA (KA>0)的直線。在此，若4吏受光傳感器350P-l 350P-6與遮光傳感器350D-1-350D-6 的Vd變得相同地對(duì)偏置電位進(jìn)行i殳定、即將布線SENSE的電位VSENSE值的(WSH + VYSL) +2，則流通于受光傳感器350P-1-350P-6與遮光 傳感器350D-l 350D-6的熱電流量Ileak完全相一致。此時(shí)，因?yàn)榱魍ㄓ?布線VSH的電流量(-流通于受光傳感器350P-l 350P-6的電流量)為 Iphoto + Ileak，流通于布線VSL的電流量(=流通于遮光傳感器 350D-l 350D-6的電流量)為Ileak，所以根據(jù)基爾霍夫第1定律，流通于 布線SENSE的電流量成為Iphoto-LXxk，正比于外光照度LX。還有雖 然在實(shí)施例中將受光傳感器連接于高電位側(cè)，將遮光傳感器連接于低電位 側(cè)，但是不用說即使為其它方式也無妨，結(jié)論相同。圖14是檢測(cè)電路360的電路圖。布線VCHG、布線RST、布線VSL、 布線VSH、布線OUT與信號(hào)輸入端子320相連接，并且布線VSL、布線 VSH、布線SENSE、布線PBT、布線DBT連接于受光傳感器350P-l 350P-6 及遮光傳感器350D-l~350D-6。在此布線VCHG、布線VSL、布線VSH 連接于由外部電源電路784所供給的DC電源，VCHG布線被供給電位 WCHG ( -2.0V) , VSL布線被供給電位WSL ( -0.0V) ， VSH布線 被供給電位WSH ( -5.0V)。還有，在此VSL布線的電位WSL為液晶顯示裝置910的GND。布線SENSE連接于第1電容器Cl與第3電容器C3的各一端。并且， 連接于初始充電晶體管NC的漏電極。第3電容器C3的另一端連接于布 線VSL。第1電容器Cl的另一端連接于節(jié)點(diǎn)A。初始充電晶體管NC的 源電極連接于布線VCHG，被供給電位VVCHG ( -2.0V)電源。初始充 電晶體管NC的柵電極連接于布線RST。節(jié)點(diǎn)A還連接于第IN型晶體管 Nl的柵電極與第IP型晶體管Pl的柵電極與復(fù)位晶體管NR的漏電極， 還連接于第2電容器C2的一端。第2電容器C2的另一端連接于布線RST。第IN型晶體管Nl的漏電極與第IP型晶體管PI的漏電極與復(fù)位晶 體管NR的源電極連接于節(jié)點(diǎn)B，節(jié)點(diǎn)B還連接于第2N型晶體管N2的柵 電極與第2P型晶體管P2的柵電極。第2N型晶體管N2的漏電極與第2P 型晶體管P2的漏電極連接于節(jié)點(diǎn)C，節(jié)點(diǎn)C還連接于第3N型晶體管N3 的柵電極與第3P型晶體管P3的柵電極。第3N型晶體管N3的漏電極與 第3P型晶體管P3的漏電極連接于節(jié)點(diǎn)D，節(jié)點(diǎn)D還連接于第4N型晶體 管N4的柵電極與第4P型晶體管P4的柵電極。第4N型晶體管N4的漏電 極與第4P型晶體管P4的漏電極連接于布線OUT,布線OUT也連接于第 5N型晶體管N5的漏電極。第5N型晶體管N5的柵電極與第5P型晶體管 P5的柵電極連接于布線RST，第5P型晶體管P5的漏電極連接于第4P型 晶體管P4的源電極。第1 第5N型晶體管N1 N5的源電極連接于布線 VSL，被供給電位WSL ( =0V)。并且第1~第3P型晶體管P1 P3以及 第5P型晶體管P5的源電極連接于布線VSH,被供給電位WSH( = +5V)。并且，在檢測(cè)電路360還具備對(duì)施加于布線PBT與布線DBT的電位 根據(jù)晶體管的閾值電壓(Vth)自動(dòng)地進(jìn)行校正的自校正電壓電路361。自 校正電壓電路361構(gòu)成為第6N型晶體管N11、與第6P型晶體管P11的 漏電極及柵電極分別連接于布線PBT;第7N型晶體管N21、與第7P型晶 體管P21的漏電極及柵電極分別連接于布線DBT;第6N型晶體管Nll、 與第7N型晶體管N21的源電極連接于布線VSL而被供給電位WSL (= 0V);第6P型晶體管Pll、與第7P型晶體管P21的源電極連接于布線 VSH,被供給電位WSH ( = + 5V)。并且，檢測(cè)電路360通過以與構(gòu)成像素電極402-n-m的氧化銦錫薄膜 (ITO)為同一膜所形成的屏蔽電極369而覆蓋整面。屏蔽電極369通過 布線VSL連接于液晶顯示裝置910的GND電位，作為對(duì)于電磁噪聲的屏 蔽器件而起作用。在此在本實(shí)施例中，第1N型晶體管N1的溝道寬度為10jim，第2N 型晶體管N2的溝道寬度為35lam，第3N型晶體管N3的溝道寬度為100 第4N型晶體管N4的溝道寬度為150 Mm，第5N型晶體管N5的溝 道寬度為150pm，第6N型晶體管Nil的溝道寬度為4pm，第7N型晶 體管N21的溝道寬度為200pm，第1P型晶體管Pl的溝道寬度為10nm， 第2P型晶體管P2的溝道寬度為35 n m，第3P型晶體管P3的溝道寬度為 100 笫4P型晶體管P4的溝道寬度為300Mm，第5P型晶體管P5的 溝道寬度為300 Mm，第6P型晶體管Pll的溝道寬度為200 nm，第7P型 晶體管P21的溝道寬度為4nm，復(fù)位晶體管NR的溝道寬度為2|im，初 始充電晶體管NC的溝道寬度為50jam,所有的N型晶體管的溝道長(zhǎng)度都 為8iam，所有的P型晶體管的溝道長(zhǎng)度都為6nm，所有的N型晶體管的 遷移率都為80cm2/Vsec，所有的P型晶體管的遷移率都為60cm2/Vsec， 所有的N型晶體管的閾值電壓(Vth)都為+ 1.0V，所有的P型晶體管的 閾值電壓(Vth )都為-l.OV，第1電容器Cl的電容值為lpF，第2電容 器C2的電容值為100fF，第3電容器C3的電容值為100pF。布線RST為電位振幅為0-5V的脈沖波，在每周期22.9m秒中，在脈 沖長(zhǎng)度為IOOM秒期間保持為高電位(5V)，在剩余的22.Sm秒期間保持 為低電位(OV)地通過圖像處理電路780所驅(qū)動(dòng)。若RST布線每22.9m 秒成為高(5V),則初始充電晶體管NC與復(fù)位晶體管NR導(dǎo)通，對(duì)布線 SENSE充電VCHG布線的電位(2.0V)，節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B發(fā)生短路。因 為第IN型晶體管Nl與第IP型晶體管Pl構(gòu)成反相器電路，所以反相器 電路的IN/OUT被短路。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B的電位最終達(dá)到由以下 的數(shù)式所表示的電位VS (詳細(xì)的計(jì)算例如參照Kang Leblebici著"CMOS Digital Integrated Circuits" Third Edition P206等)。式lVS= 〔 Vthn + SQRT (WpLn |u p / WnLp ja n) x (WSH - WSL + Vthp) 〕 / 〔1+SQRT (WpLnjLip/WnLp|in)〕在此，因?yàn)閃n:為第1N型晶體管N1的溝道寬度，Ln:為第IN型 晶體管Nl的溝道長(zhǎng)度，pn:為第1N型晶體管Nl的遷移率，Vthn:為 第1N型晶體管N1的閾值電壓，Wp:為第1P型晶體管P1的溝道寬度， Lp:為第1P型晶體管P1的溝道長(zhǎng)度，)ip:為第1P型晶體管P1的遷移 率，Vthp:為第IP型晶體管PI的閾值電壓，所以在本實(shí)施例中計(jì)算為 VS-2.5 (V)。還有，布線RST為高(5V)期間，因?yàn)榈?N型晶體管 N5導(dǎo)通、且第5P型晶體管P5截止，所以O(shè)UT布線為0V。若RST布線在100 n秒后變成低(0V )，則復(fù)位晶體管NR截止、節(jié) 點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B電斷開。此時(shí)，若節(jié)點(diǎn)A的電位比VS低，則以第1N型晶 體管Nl與第IP型晶體管Pl所構(gòu)成的反相器電路將比VS高的電位輸出 于節(jié)點(diǎn)B,若節(jié)點(diǎn)A的電位比VS高則將比VS低的電位輸出于節(jié)點(diǎn)B。 第2N型晶體管N2與第2P型晶體管P2及第3N型晶體管N3與第3P型 晶體管P3也分別構(gòu)成反相器電路，同樣地若輸入級(jí)的電位比VS低將比 VS高的電位輸出，若輸入級(jí)的電位比VS高則將比VS低的電位輸出。此 時(shí)，輸出級(jí)的電位與VS之差變得比輸入級(jí)的電位與VS之差大，向布線 VSH的電位WSH ( = +5V)或布線VSL的電位WSL ( =0V)靠近。 結(jié)果，若節(jié)點(diǎn)A的電位比VS低，則節(jié)點(diǎn)D基本成為VSH布線的電位WSH (-+5V),若節(jié)點(diǎn)A的電位比VS高，則節(jié)點(diǎn)D基本成為VSL布線的 電位WSL(-0V)。因?yàn)榈?及第5N型晶體管N4、 N5，第4及第5P 型晶體管P4、 P5構(gòu)成"或非"電路，所以在RST布線的電位為低(0V) 期間，若節(jié)點(diǎn)D為高(+5V)則將低(0V)、若節(jié)點(diǎn)D為4氐(0V)則將 高(+5V)，分別向布線OUT進(jìn)行輸出。即，在RST布線的電位為低(OV) 期間，若節(jié)點(diǎn)A的電位比VS低，則向布線OUT的輸出為低(0V)，若 節(jié)點(diǎn)A的電位比VS高，則向布線OUT的輸出為高(+5V)。節(jié)點(diǎn)A如前述地，雖然RST布線成為低(0V)而復(fù)位晶體管NR截 止、節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B電斷開，但是與此同時(shí)由于第2電容器C2的耦合而 使電位與布線RST同時(shí)下降。在此，若第1電容器C1的電容值CC1 ( -lpF)比第2電容器C2的電容值CC2 ( -lOOfF)及第1N型晶體管N1、 第1P型晶體管Pl、復(fù)位晶體管NR的柵一漏間電容值(在本實(shí)施例中都 為10fF以下)足夠大，并且若復(fù)位晶體管NR的寫入阻抗與第1電容器 Cl的電容值之積(在本實(shí)施例中約為1m秒)比布線rst的電位的下降 沿期間(在本實(shí)施例中為100n秒)足夠大，則當(dāng)布線RST變成低(0V) 時(shí)(以下，設(shè)此時(shí)間為t-0)的節(jié)點(diǎn)A的電位(以下，設(shè)為VA (t))可 由以下的式表示。 式2VA " - 0 ) = VS - ( CC2 / CC1) x (VVSH - WSL) 在本實(shí)施例中成為VA (t = 0) =2.0V。此時(shí)，加于受光傳感器350P-1 的偏置電位為Vd- -3.0￥，加于遮光傳感器3500-1的偏置電位為Vd - -2.0V 。如根據(jù)圖13的說明而明了地，此時(shí)，構(gòu)成受光傳感器350P-1與遮 光傳感器350D-1的PIN 二極管的熱電流量Ileak之差可由KA x 1.0所表 示。從而，在布線SENSE中流通著對(duì)相應(yīng)于照射到受光傳感器350P-1的 外光的光電流量Iphoto增加了電流量KAxl.O的電流。在此，若KA〈〈 Iphoto則流通于布線SENSE的電流量能夠近似為僅Iphoto，能夠去掉熱 電流的影響。在本實(shí)施例中工作保證溫度上限的70"C時(shí)的KA與照度10 勒克斯下的Iphoto變得相等。由此，若外光照度為100勒克斯以上則在工 作保證溫度范圍內(nèi)能夠有效地去除熱泄漏電流。在此外光與Iphoto的關(guān)系如前述地，在該偏置條件下外光正比于照射 受光傳感器350P-1的外光照度LX而與Vd無關(guān)地成為Iphoto = LX 'k(k 為一定的系數(shù))。若RST布線成為低(0V)，則因?yàn)楣?jié)點(diǎn)A為浮置狀態(tài)， 所以如果忽略第2電容器C2的電容值CC2及第1N型晶體管Nl、第1P 型晶體管Pl的柵一源間電容則有效的電容值基本上成為僅第3電容器C3 的電容值CC3，布線SENSE的電位VSENSE如由以下的式表示地發(fā)生變 化。式3VSENSE (t) =WCHG+ (LXxk/CC3) xt還有，在此為了說明，忽略在受光傳感器350P-1及遮光傳感器350D-1 、及引繞布線的附加電容值而進(jìn)行說明。這些附加電容值的量加到上述的cc3即可。并且，在受光傳感器350p-1及遮光傳感器350d-1、及引繞布 線的附加電容值足夠大的情況下，也可以不設(shè)置第3電容器c3。從而， CC3的值根據(jù)受光傳感器350P-1及遮光傳感器350D-l、及引繞布線的附 加電容值而確定下限。若VSENSE (t)發(fā)生變化，則VA(t)因電容耦合而變化相同的電位 量。從而，節(jié)點(diǎn)A的電位VA可由如以下的式所表示。式4<formula>formula see original document page 22</formula>在此成為VA(t) -VS的時(shí)間t0，可由如以下的式所表示。 式5tO- (CC2xCC3/ (CC1 xLXxk) ) x (WSH - WSL)即，在時(shí)間t0， OUT輸出從低(0V)向高(5V)進(jìn)行反相，根據(jù)該 時(shí)間tO容易求出外光照度LX。檢測(cè)電路360在RST布線為低(0V)期間，節(jié)點(diǎn)A成為浮置狀態(tài)， 若在此電磁噪聲i^v而節(jié)點(diǎn)A的電位發(fā)生變化，則發(fā)生誤工作。從而，電 磁噪聲的防止極其重要，為此而配置屏蔽電極369。如本構(gòu)成的橫向結(jié)構(gòu)的PIN型二極管、PN型二極管存在光電流量 Iphoto相對(duì)于垂直方向的電場(chǎng)發(fā)生變化的問題。若對(duì)于本實(shí)施例具體而言， 則連接于布線pbt的透明電極612p-1 612p - 6與背光源遮光電極 611P-l 611P-6的電位(以下，為VPBT)、連接于布線DBT的透明電 極612D-1 612D - 6與背光源遮光電極611P-1 611P - 6的電位(以下，為 VDBT)分別影響受光傳感器350P-l 350P-6的特性、遮光傳感器 350D-l 350D-6的特性。VPBT及VDBT的最佳電位雖然由于制造不一致 而按每個(gè)產(chǎn)品不同，但是它們與薄膜晶體管的閾值(Vth)具有強(qiáng)的相關(guān) 性。在本實(shí)施例中采用將基于薄膜晶體管的閾值(Vth)對(duì)電壓進(jìn)行了 自校正的電位VPBT與電位VDBT分別施加于布線PBT與布線DBT的自 校正電壓電路361。在本實(shí)施例的制造不一致中的平均的值中，VthN= +l.OV、 VthP = - l,OV，此時(shí)自校正電壓電路361對(duì)布線PBT施加3.6V, 對(duì)布線DBT施加1.4V。因?yàn)樵谑芄鈧鞲衅?50P-l 350P-6中陰極與布線 VSH相連接而為5.0V,所以背光源遮光電極611P-l 611P-6及透明電極 612P-l 612P-6與陰極的電位差成為-1.4V,其成為得到光電流的最佳電 位。晶體管的特性因制造不一致而發(fā)生變動(dòng)，并且例如若VthN=+1.5、 VthP = - 0.5則對(duì)布線PBT施加4.1V、對(duì)布線DBT施加1.9V 。同樣地 例如若VthN= +0.5、 VthP= -1.5則分別對(duì)布線PBT、布線DBT施加 3.1V、 0.9V。因?yàn)椴还茉谀姆N情況下若晶體管的閾值發(fā)生變動(dòng)則與其相應(yīng) 地施加于布線PBT與布線DBT的電位VPBT、 VDBT也都發(fā)生變動(dòng)，所以總是基本最大地得到光電流。雖然在至此為止的說明中，使外光照度LX固定而對(duì)其進(jìn)行了說明， 4旦是在輝光式熒光燈下等環(huán)境光周期性地閃爍。若熒光燈的電源為正弦波， 照度正比于瞬時(shí)電壓，則作為時(shí)間t，的函數(shù)的外光照度LX (t，)可由以 下的式所表示。式6LX "， ) = LXO x |SIN ( 2 7T (t， + At) / TH) I 在此TH為電源周期，即幾乎在^:界都為1/50或1/60秒。式6 成為具有TH/2即1/100秒或1/120秒的周期的波形。在此周期并非 TH而變成TH/2，是因?yàn)椴还茈娢粸檎€是為負(fù)、照度都相同，因?yàn)殡?位變成O的瞬間在期間TH之中存在2次(電位從正變成負(fù)的瞬間與電位 從負(fù)變成正的瞬間)。At為從熒光燈的電源電位最終變成O而照度變成O 的瞬間到RST信號(hào)成為低(OV )而檢測(cè)電路360開始檢測(cè)的期間，為O-TH /2的隨4幾值。若考慮如此的LX(t，)的時(shí)間性變化，則式4如以下地所變形。 式7VA " ) = VS - ( CC2 / CC1) x (VVSH - WSL ) + ( k x LXO / CC3) JVlSIN(27T "， +At) /TH) |dt，如根據(jù)以上的數(shù)式可知地，因?yàn)閂A(t)的值與At相關(guān)而進(jìn)行變動(dòng)， 因?yàn)閂A(tO) =VS的時(shí)間tO也與厶t相關(guān)，所以隨機(jī)產(chǎn)生不一致而精度下降。因?yàn)閠o越小該精度降低越大，所以靈敏度越高的傳感器越顯著。為了避免如此的精度降低可以進(jìn)行多次測(cè)定，而取平均值。但是若當(dāng)在第1次檢測(cè)中At-AtO時(shí)，設(shè)RST信號(hào)的周期為TR (時(shí)間間隔Tl)，則在 第2次的定時(shí)中At成為對(duì)AtO加上TR與TH/2的余數(shù)的數(shù)值。即，若 TR為TH/2的整數(shù)倍(余數(shù)為0)，則即使在第2次檢測(cè)中也為^1-△ t0。如此地，若RST信號(hào)的周期為TH/2的整數(shù)倍則精度下降。對(duì)如此 的問題點(diǎn)利用圖15及圖16具體地進(jìn)行說明。圖15的曲線(A)為電源頻率為50Hz時(shí)的AC電源。期間TH為20m 秒。曲線(B)為此時(shí)的在輝光式熒光燈下的照度，具有10m秒的周期而 閃爍。設(shè)在進(jìn)行了計(jì)測(cè)的環(huán)境光下，其他光并不照射于液晶顯示裝置910。 曲線(C)為布線RST的信號(hào)電位。在此布線RST的信號(hào)周期TR-40m 秒。首先在t-O而RST信號(hào)從高(5V)變成低(OV)的定時(shí)時(shí)，外光照 度LX-O(At-O)。此時(shí)，在t = t0-12 m秒時(shí)從檢測(cè)電路360所輸出 的布線OUT的電位進(jìn)行了反相。雖然在接下來的檢測(cè)期間中在t = 40m秒 時(shí)RST信號(hào)再次從高(5V)變成低(OV)，但是因?yàn)門R為TH/2整數(shù) 倍(4倍)，所以檢測(cè)期間再次從照度為0的定時(shí)開始(At-O) ， t-t0 + TR-52秒，即從RST信號(hào)從高(5V)變成低(0V)的定時(shí)以相同的 t0 = 12m秒進(jìn)行反相。從而無論是第1次還是第2次檢測(cè)照度都相同，不 管以后重復(fù)幾次結(jié)果都相同。圖16是在圖15的測(cè)定后，在暫時(shí)再次加入電子i殳備的電源時(shí)的完全 相同的環(huán)境光下的測(cè)定結(jié)果。各符號(hào)的說明與圖15相同。因?yàn)樵俅渭尤腚?子設(shè)備的電源，所以定時(shí)微小地改變，這次在RST信號(hào)從高(5V)變成 低(0V)的定時(shí)中外光照度LX為MAX ( = LXO ) ( At = 5m秒)。于是， 因?yàn)檎斩葟腗AX狀態(tài)開始，所以相比于以圖15表示的定時(shí)，積分電流快 速達(dá)到一定，并且布線OUT的反相比圖15快而在tO = 10.3m秒進(jìn)行了反 相。因此，相比于圖15的測(cè)定結(jié)果，照度計(jì)算出大17%。因?yàn)門R為相 同的40m秒，即使在第2次也成為相同的檢測(cè)結(jié)果，所以不管采樣幾次而 取平均，結(jié)果仍然相同。如此地，盡管外光條件完全相同，但是每次接通、關(guān)斷開關(guān)而檢測(cè)結(jié)果不一致最大竟達(dá)17%。檢測(cè)時(shí)間(t0)越短該不一致越發(fā)顯著。尤其顯 示裝置大多以60Hz的幀頻所驅(qū)動(dòng)，若為了使生成信號(hào)的電路(在本實(shí)施 例中為圖像處理電路780)的構(gòu)成簡(jiǎn)易而利用顯示裝置的驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成布 線RST的信號(hào)，則TR成為1/60秒的整數(shù)倍的周期的情況很多，在AC 電源為60Hz的地區(qū)容易發(fā)生上述的問題。雖然在至此的例中，RST周期TR為TH + 2的整數(shù)倍的情況，但是在 RST周期TR極其接近TH + 2的整數(shù)倍的情況下，檢測(cè)結(jié)果變得具有長(zhǎng)周 期的起伏。因?yàn)槔缛鬞H-l/50秒、RST周期為TR-1/101秒，則檢 測(cè)結(jié)果以1秒為周期緩慢地進(jìn)行變化，所以若不進(jìn)行1秒期間以上的采樣 則不能計(jì)算出正確的平均值，傳感器的響應(yīng)性變得非常差。如以上地，RST 周期TR應(yīng)當(dāng)避免為1 / 100及1 / 120的整數(shù)倍及接近于其的值。圖17表示TR改善為TH/2的整數(shù)+ 0.5倍的情況。各符號(hào)的說明仍 然與圖15相同。在該例中TR-35m秒。因?yàn)門H為20m秒并不改變，所 以TR為TH/2的3.5倍。因?yàn)榕c圖15同才羊地在t = 0時(shí)照度=0而開始 測(cè)定，所以在t0 = 12m秒時(shí)計(jì)算出第1次的測(cè)定結(jié)果。但是因?yàn)門R為TH /2的整數(shù)+ 0.5倍，所以第2次測(cè)定從照度為MAX時(shí)開始。從而，在第 2次測(cè)定中所檢測(cè)到的時(shí)間t0為時(shí)間t0 = 10.3秒。通過對(duì)該2次的結(jié)果進(jìn) 行平均，能夠?qū)σ詧D15、圖16進(jìn)行了說明的不一致進(jìn)行計(jì)算上平均而抑 制為約41%。但是，實(shí)際上存在TH為1/50秒的地區(qū)與為1/60秒的地區(qū)，若在 所有的地區(qū)使TR成為TH/2的整數(shù)+ 0.5倍，則TR變得非常長(zhǎng)。于是， 可以為從1 / 100秒到1 / 120秒之間的值的整數(shù)+ 0.5倍。在本實(shí)施例中作 為1 /109秒的2.5倍而采用22.9m秒作為TR。在計(jì)算中，相比于取TR 為TH / 2的整數(shù)倍的情況(例如20m秒)，即使最低也能夠按51%地抑 制不一致。當(dāng)然，若是只在電力為50Hz或60Hz的地區(qū)使用的設(shè)備，則可以采用 1 / 100秒或1 / 120秒的整數(shù)+ 0.5倍。并且，也可以具有2種TR，可以 由圖^f象處理電路780進(jìn)行轉(zhuǎn)換地構(gòu)成。此時(shí)，轉(zhuǎn)換既可以由用戶進(jìn)4亍，也 可以由圖^象處理電路780自動(dòng)轉(zhuǎn)換。在本實(shí)施例中，中央運(yùn)算電路781對(duì)端子OUT的信號(hào)進(jìn)行監(jiān)視，并 根據(jù)進(jìn)行了反相的時(shí)間t0首先得到離散值V10。 2次采樣離散值V10，得 到其平均值V10—。根據(jù)該V10一而對(duì)參照表785進(jìn)行參照，得到對(duì)應(yīng)于V10一 的適當(dāng)?shù)谋彻庠磫卧?26的電壓設(shè)定值V20。中央運(yùn)算電路781通過將該 V20值傳送給外部電源電路784而改變背光源單元926的輝度。由此液晶 顯示裝置910全白顯示時(shí)輝M生變化，對(duì)于用戶而言通過抑制過量的輝 度能夠使辨認(rèn)性提高并抑制消耗電力的增大。還有，采樣次數(shù)也可以不是 2次，只要是偶數(shù)可以為任意的次數(shù)。雖然布線RST的信號(hào)由圖像處理電路780所提供，但是因?yàn)橐壕э@示 裝置910的幀頻與布線RST的信號(hào)周期相一致，所以布線RST的信號(hào)可 以根據(jù)與用于掃描線驅(qū)動(dòng)電路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路302的驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成 相同的基礎(chǔ)時(shí)鐘(base clock)容易地進(jìn)行輸出信號(hào)的生成。因此，用于布 線RST的信號(hào)的電路規(guī)模不會(huì)變大，成本得到抑制。在本實(shí)施例中，外部光的檢測(cè)照度與背光源輝度的關(guān)系如圖18地進(jìn)行 了設(shè)定。直至檢測(cè)照度為300 (勒克斯)而使背光源的照度緩慢上升，在 300勒克斯以上使斜率比較大而升高照度。在檢測(cè)照度為2000勒克斯，輝 度成為MAX而以后成為相同的狀態(tài)。若如此地進(jìn)行設(shè)定，則能夠當(dāng)外光 在300勒克斯以下而周圍極暗、用戶的瞳孔張開時(shí)將背光源抑制為不刺眼 的程度，在300勒克斯 2000勒克斯的外光映入液晶面板的區(qū)域中一致于 周圍的明亮度，使輝度急速上升不使辨認(rèn)性降低。另一方面，在并非如本實(shí)施例地為透射型、而4吏用半透射型液晶的情 況下，只要如圖19地即可。因?yàn)殡m然直至外光照度為5000勒克斯都同樣， 但是在其以上僅以反射部分就達(dá)到足夠的辨認(rèn)性，使背光源完全關(guān)閉，使 得能夠節(jié)約消耗電力，所以尤其在室外進(jìn)行〗吏用時(shí)，其搭栽的電子設(shè)備的 電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間顯著地延長(zhǎng)。不用說，該控制曲線為一例，相應(yīng)于用途，既可以進(jìn)行各種曲線的設(shè) 定，也可以為了抑制閃爍而使曲線具有滯后等。并且，也可以并非每次測(cè) 定進(jìn)行輝度調(diào)整，而進(jìn)行多次測(cè)定，并取平均、中央值而對(duì)輝度進(jìn)行調(diào)整 等。26第2實(shí)施方式圖20是第2實(shí)施例中的布線RST電位的定時(shí)圖。還有，使附圖的易 看性優(yōu)先，比例尺并不一定。在本實(shí)施例中，RST信號(hào)變成高(5V)而第 1檢測(cè)期間開始的脈沖PS1 、與第2檢測(cè)期間開始的脈沖PS2的間隔為102m 秒。接下來第3檢測(cè)期間開始的脈沖PS3為脈沖PS2的99m秒后。并且 接下來第4檢測(cè)期間開始的脈沖PS4為脈沖PS3的105m秒后。接下來第 5檢測(cè)期間開始的脈沖PS5返回到脈沖PS4的102m秒后，此后，以306m秒為周期重復(fù)這些工作。液晶顯示裝置910、電子i殳備的構(gòu)成，因?yàn)榕c第1實(shí)施例完全相同， 所以說明進(jìn)行省略。在本實(shí)施例中，中央運(yùn)算電路781對(duì)端子OUT的信號(hào)進(jìn)行監(jiān)視，并 根據(jù)進(jìn)行了反相的時(shí)間t0首先得到離散值VI，根據(jù)在接下來的檢測(cè)期間 的進(jìn)行了反相的時(shí)間tO得到離散值V2，進(jìn)而根據(jù)在接下來的檢測(cè)期間的 進(jìn)行了反相的時(shí)間tO得到離散值V3。在此V1、 V2、 V3按值的大小順序 所重新排列，才艮據(jù)V1、 V2、 V3的最大值與V1、 V2、 V3的最小值的平均 得到值V1—。才艮據(jù)該VI—對(duì)參照表785進(jìn)行參照，得到對(duì)應(yīng)于V1—的適當(dāng) 的背光源單元926的電壓設(shè)定值V2。中央運(yùn)算電路781通過將該V2值傳 送給外部電源電路784而改變背光源單元926的輝度。如此地，通過邊一點(diǎn)一點(diǎn)地改變檢測(cè)期間邊進(jìn)行3次以上的采樣，找 出其中互相最接近的二個(gè)值而舍棄一方的值(最接近的值的檢測(cè)期間有可 能一致于外光的閃爍周期的整數(shù)倍)，以剩下來的值進(jìn)行平均等的統(tǒng)計(jì)處 理，由此能夠?qū)?yīng)于所有的外光的閃爍周期。通過如此的構(gòu)成，即4吏在如外光的閃爍周期并不限于1/100秒、1/ 120秒的特殊的環(huán)境下也能夠高精度地進(jìn)行檢測(cè)。具體地在供電情況惡劣 的地區(qū)等存在電力的頻率從50Hz、 60Hz顯著偏離的情況。并且，雖然在 特殊的照明設(shè)備等中有時(shí)閃爍周期變成1/100秒、1/120秒以外的值， 但是即使在如此的環(huán)境下在本實(shí)施例中也可以高精度地進(jìn)行測(cè)定。在此在互不相同的多個(gè)檢測(cè)期間之中，至少之一不是1/100秒、1/ 120秒的整數(shù)倍較好，優(yōu)選全部檢測(cè)期間都不是1 / 100秒、1 / 120秒的整數(shù)倍。因?yàn)榭紤]到外光的閃爍周期為1/100秒、1/120秒的環(huán)境的頻度 高，所以應(yīng)當(dāng)避開它們的整數(shù)倍?？紤]以上之點(diǎn)，在本實(shí)施例中使檢測(cè)期 間分別為102m秒、99m秒、105m秒三種。除了如此地預(yù)先設(shè)定好多個(gè)檢測(cè)期間之外，也可以隨機(jī)地設(shè)定檢測(cè)期 間。既可以采用隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生電路、隨機(jī)數(shù)表，也可以對(duì)某些外部原因、例 如若電子i殳備具備振動(dòng)傳感器等的其他的傳感器，則對(duì)它們的測(cè)定結(jié)果進(jìn) 行輸入而確定檢測(cè)期間。還有，此次所公開的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為以全部的點(diǎn)為例示而非限制。 本發(fā)明的范圍，通過并非上述的實(shí)施方式的說明而是通過"t支術(shù)方案的范圍 所表示，而且包括與技術(shù)方案的范圍等同的意思及在范圍內(nèi)的所有的改變。本發(fā)明并不限定于實(shí)施例的方式，可以應(yīng)用于具備有所有種類的光傳 感器的設(shè)備。尤其在有可能在室內(nèi)被使用的電子設(shè)備中效果較好。并且，作為顯示裝置也可以在并非為TN模式而是垂直取向模式(VA 模式)的、利用了橫向電場(chǎng)的IPS模式、利用了邊緣電場(chǎng)的FFS模式等的 液晶顯示裝置中進(jìn)行利用。并且，不僅是全透射型而且可以為全反射型、 反射透射兼用型。并且，既可以用于并非為液晶顯示裝置、而是有機(jī)EL 顯示器、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器的設(shè)備中，也可以用于液晶顯示裝置以外的半 導(dǎo)體器件中。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其具備在第1及第2基板間夾持有電光物質(zhì)的形成有顯示區(qū)域的面板，和設(shè)置于前述第1或第2基板上、對(duì)前述面板的周圍光的照度進(jìn)行檢測(cè)的光檢測(cè)部；其特征在于前述光檢測(cè)部，隔預(yù)定的時(shí)間間隔，進(jìn)行多次檢測(cè)工作；前述預(yù)定的時(shí)間間隔設(shè)定為除了1/100秒或1/120秒的整數(shù)倍或接近于它們的值以外的值。
2. —種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備形成于M上、用于對(duì)前述a周邊的外光照度進(jìn)行測(cè)定的光傳感器，和連接于前述光傳感器而對(duì)應(yīng)于前述外光照度進(jìn)行輸出的檢測(cè)電路； 前述檢測(cè)電路，基于來自前述光傳感器的輸入，多次進(jìn)4亍前述外光照 度檢測(cè)工作；當(dāng)設(shè)前述多次檢測(cè)工作的第l檢測(cè)工作、與繼前述第l檢測(cè)工作所進(jìn) 行的第2檢測(cè)工作的時(shí)間間隔為Tl時(shí)，則前述時(shí)間間隔Tl _沒定為除了 1 / 100秒或1 / 120秒的整數(shù)倍;^接近 于它們的值以外的值。
3. 按照權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于當(dāng)設(shè)n為任意的整數(shù)時(shí)，前述時(shí)間間隔Tl設(shè)定為1 / 100秒的(n + 0.5)倍、或1/120秒的(n + 0.5)倍、或二者的中間值。
4. 按照權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 具有對(duì)前述檢測(cè)電路的輸出多次采樣而進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理的電路，其中該電路為中央運(yùn)算電路。
5. 按照權(quán)利要求2 4中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 當(dāng)設(shè)前述第2檢測(cè)工作、與繼前述第2檢測(cè)工作所進(jìn)行的笫3檢測(cè)工作的時(shí)間間隔為T2時(shí)，則前述時(shí)間間隔Tl與前述時(shí)間間隔T2互不相同。
6. 按照權(quán)利要求2 5中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 前述光傳感器為將前述外光照度變換成電流的元件；前述檢測(cè)電路是下述電路在每次前述檢測(cè)周期的開始，將連接有前述光傳感器的節(jié)點(diǎn)的 一端復(fù)位成初始電位，通過對(duì)前述節(jié)點(diǎn)的電位變化進(jìn)行檢測(cè)而進(jìn)行前述檢 測(cè)工作。
7. 按照權(quán)利要求2 6中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 前述光傳感器為采用了薄膜多晶硅的PIN結(jié)二極管或PN結(jié)二極管。
8. —種顯示裝置，其特征在于采用了權(quán)利要求2 7中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
9. 按照權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于 前述時(shí)間間隔T1為作為進(jìn)行顯示的重寫的周期的幀周期的整數(shù)倍。
10. —種電子設(shè)備，其特征在于采用了權(quán)利要求8或9所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置、半導(dǎo)體器件、顯示裝置及具備其的電子設(shè)備。實(shí)現(xiàn)能夠在以輝光放電型熒光燈等以一定周期進(jìn)行閃爍的外光下高精度地進(jìn)行采用了光傳感器的照度檢測(cè)的電光裝置。具備在第1及第2基板間具備有顯示區(qū)域的面板，和設(shè)置于第1或第2基板上、對(duì)面板的周圍光的照度進(jìn)行檢測(cè)的光檢測(cè)部；光檢測(cè)部，隔預(yù)定的時(shí)間間隔，進(jìn)行多次檢測(cè)工作；前述預(yù)定的時(shí)間間隔設(shè)定為除了1/100秒或1/120秒的整數(shù)倍或接近于它們的值以外的值。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101256296SQ20081008223
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2008年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日
發(fā)明者小橋裕 申請(qǐng)人:愛普生映像元器件有限公司