專利名稱：顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備，尤其涉及通過(guò) 以矩陣形式排列包括電光元件的像素形成的平面型(平板型)顯示設(shè)備、該背景技術(shù)在用于進(jìn)行圖像顯示的顯示設(shè)備的領(lǐng)域中，近來(lái)通過(guò)以矩陣形式排列包 括發(fā)光元件的各像素(像素電路)形成的平面型顯示設(shè)備已經(jīng)快速流行。使用所謂電流驅(qū)動(dòng)型電光元件的平面型顯示設(shè)備(例如，使用有機(jī)EL (電致發(fā) 光)元件的有機(jī)EL顯示設(shè)備)的發(fā)展和商用已經(jīng)在進(jìn)行，該電流驅(qū)動(dòng)型電 光元件作為像素的發(fā)光元件根據(jù)流過(guò)設(shè)備的電流值改變發(fā)光亮度，該有機(jī)EL (電致發(fā)光)元件作為像素的發(fā)光元件，利用當(dāng)電場(chǎng)施加到有機(jī)薄膜時(shí)發(fā)出 光的現(xiàn)象。有才幾EL顯示設(shè)備具有下面的特征。有才幾EL元件可由10 V或者更低的 應(yīng)用電壓驅(qū)動(dòng)，因此消耗低功率。此外，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件是自發(fā)光元件， 所以與通過(guò)控制來(lái)自在包括液晶單元的每個(gè)像素中的液晶單元中的光源(背 光)的光強(qiáng)度來(lái)顯示圖像的液晶顯示設(shè)備相比，有機(jī)EL顯示設(shè)備提供高圖 像可見(jiàn)度。此外，因?yàn)椴恍枰獙?duì)液晶顯示設(shè)備必需的如背光等的發(fā)光體，所 以可以在重量和厚度上容易地減小有機(jī)EL顯示設(shè)備。而且，因?yàn)橛袡C(jī)EL元 件具有大約幾ji秒的非常高的響應(yīng)速度，所以顯示運(yùn)動(dòng)圖像時(shí)不產(chǎn)生殘像 (afterimage )。與液晶顯示設(shè)備一樣，有機(jī)EL顯示設(shè)備可采用簡(jiǎn)單(無(wú)源)矩陣系統(tǒng) 和有源矩陣系統(tǒng)作為有機(jī)EL顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。但是，在具有簡(jiǎn)單的結(jié) 構(gòu)的同時(shí)，簡(jiǎn)單矩陣型顯示設(shè)備存在例如難以實(shí)現(xiàn)大的和高分辨率顯示設(shè)備 的問(wèn)題，因?yàn)殡姽庠陌l(fā)光時(shí)段由掃描線的數(shù)目(即像素?cái)?shù))的增加減小。因此由有源元件控制流過(guò)電光元件的電流的有源矩陣型顯示設(shè)備，例如 在與電光元件相同的像素電路中提供的絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(典型地是TET(薄膜晶體管))，近來(lái)已經(jīng)被積極地開發(fā)。因?yàn)殡姽庠谝粠瑫r(shí)段內(nèi)持續(xù)發(fā)光，所以有源矩陣型顯示設(shè)備使得容易實(shí)現(xiàn)大的和高分辨率顯示設(shè)備。眾所周知，有機(jī)EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò) 而劣化(所謂的長(zhǎng)期劣化)。在使用N溝道型TFT作為驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的 晶體管(該晶體管下文將稱為"驅(qū)動(dòng)晶體管")的像素電路中，有機(jī)EL元件 連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極。因此，當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò) 劣化時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓Vgs改變。結(jié)果，有機(jī)EL元件的發(fā) 光亮度也改變。這將更具體地描述。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)由該有機(jī)EL元件和該驅(qū)動(dòng) 晶體管的操作點(diǎn)確定。當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性劣化時(shí)，有機(jī)EL元件和驅(qū) 動(dòng)晶體管的操作點(diǎn)改變。因此，即使當(dāng)同樣的電壓施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)也改變。從而，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓Vgs 改變，因此流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值改變。結(jié)果，流過(guò)有機(jī)EL元件的電流 值也改變，使得有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度改變。而且，在使用多晶硅TFT的像素電路中，除了有機(jī)EL元件的I-V特性 的長(zhǎng)期劣化，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電勢(shì)Vth和形成驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道的半導(dǎo)體 薄膜的遷移率(mobility) p(該遷移率將在下文稱為"驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率") 發(fā)生長(zhǎng)期改變，并且存在由于制造工藝的變化(在各個(gè)晶體管的特性間存在 變化)而造成的每個(gè)像素中的遷移率ji和閾值電壓Vth的差異。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p和閾值電壓Vth在每個(gè)像素中不同時(shí)，流過(guò)驅(qū) 動(dòng)晶體管的電流值在每個(gè)像素中變化。因此，即使當(dāng)同樣的電壓施加于不同 像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極時(shí)，發(fā)光亮度在不同像素中的各個(gè)有機(jī)EL 元件間也變化。結(jié)果，屏幕一致性(uniformity)被破壞。于是，為了在即使當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性中發(fā)生長(zhǎng)期劣化或者驅(qū)動(dòng) 晶體管的遷移率n或者閾值電壓Vth中發(fā)生長(zhǎng)期改變時(shí)、也保持有機(jī)EL元 件的發(fā)光亮度恒定，而不受到有機(jī)EL元件的I-V特性中的長(zhǎng)期劣化或者驅(qū)動(dòng) 晶體管的闊值電壓Vth或遷移率(i的長(zhǎng)期改變的影響，采用這樣的構(gòu)造，該 構(gòu)造為每個(gè)像素電路提供補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性的變化的功能、以及校正 驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化(該校正下面將描述為"閾值校正")、以 及校正驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p的變化(該校正下面將描述為"遷移率校正") 的校正功能(例如,參見(jiàn)日本專利未審公開No. 2006-133542)。通過(guò)因此為每個(gè)像素電路提供補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性的變化的功能、以及校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth和遷移率|i的變化的校正功能，即使當(dāng) 有機(jī)EL元件的I-V特性發(fā)生長(zhǎng)期劣化或者驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p或者閾值電 壓Vth發(fā)生長(zhǎng)期改變時(shí)，也可保持有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度恒定，而不受到 有機(jī)EL元件的I-V特性的長(zhǎng)期劣化或者驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率|i或閾值電壓 Vth的長(zhǎng)期改變的影響。發(fā)明內(nèi)容在閾值校正的操作時(shí)，執(zhí)行這樣的處理，其中通過(guò)在將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵 極電勢(shì)Vg和源極電勢(shì)Vs分別固定到預(yù)定電勢(shì)后、使得驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電 勢(shì)Vs充分增長(zhǎng)，并且使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓Vgs會(huì)聚在驅(qū)動(dòng)晶 體管的閾值電壓Vth來(lái)檢測(cè)閾值電壓Vth,并且閾值電壓Vth保持在保持電 容(細(xì)節(jié)將在下文描述)。為了通過(guò)使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓Vgs 會(huì)聚在閾值電壓Vth來(lái)檢測(cè)閾值電壓Vth花費(fèi)一定時(shí)間，例如大約IH(H是 水平掃描時(shí)段)的時(shí)間。然而，近來(lái)，隨著顯示設(shè)備的分辨率變得更高，IH的時(shí)段(水平方向的 掃描時(shí)間)趨于縮短。當(dāng)1H的時(shí)段縮短時(shí)，變得難以分配足夠的時(shí)間來(lái)檢 測(cè)作為閾值校正時(shí)段的閾值電壓Vth。當(dāng)沒(méi)有足夠的時(shí)間被保證為閾值校正 時(shí)段時(shí)，不能確保校正(取消)每個(gè)像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變 化。結(jié)果，在每個(gè)像素中流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值的變化可能沒(méi)有足夠地抑 制，該變化由每個(gè)像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化導(dǎo)致。因此，如 上所述，即使當(dāng)相同的電壓施加到不同像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極時(shí)， 發(fā)光亮度在不同像素中的各個(gè)有機(jī)EL元件之間也變化。由此，屏幕一致性 被損害。因此期望提供一種顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法、以及使用顯示設(shè)備 的電子設(shè)備，其縮短檢測(cè)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓所花費(fèi)的檢測(cè)時(shí)間，由此即 使當(dāng)1H的時(shí)段被縮短時(shí)也可以確保校正每個(gè)像素中的閾值電壓的變化。本實(shí)施例特征在于在顯示設(shè)備中采用如下的構(gòu)造，該顯示設(shè)備包括通 過(guò)以矩陣的形式排列像素形成的像素矩陣單元，該像素包括電光元件、用于 寫入視頻信號(hào)的寫入晶體管、用于保持由寫入晶體管寫入的視頻信號(hào)的保持第一掃描電路，用于選擇性地提供第一電勢(shì)和低于第一電勢(shì)的第二電勢(shì)給放置在像素陣列單元的每個(gè)像素行中并提供電流給驅(qū)動(dòng)晶體管的電源線；第二掃描電路，用于通過(guò)驅(qū)動(dòng)像素陣列單元的每個(gè)像素行中的寫入晶體管以行為單元選擇像素陣列單元的像素；以及選擇電路，用于選4奪性提供視頻信號(hào)、 用作視頻信號(hào)的基準(zhǔn)的第一偏置電壓、以及與第一偏置電壓不同的第二偏置 電壓給在像素陣列單元的每列中放置的信號(hào)線。在選擇第二電勢(shì)的時(shí)段選擇第二偏置電壓并設(shè)置寫入晶體管在導(dǎo)通狀 態(tài)。接下來(lái)，從第二電勢(shì)改變到第一電勢(shì)。接下來(lái)，替代第二偏置電壓選擇 第一偏置電壓。因此，寫入晶體管設(shè)置在非導(dǎo)通狀態(tài)。在上述構(gòu)造的顯示設(shè)備和具有該顯示設(shè)備的電子設(shè)備中，第一掃描電路 選擇第二電勢(shì)，由此驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)變?yōu)榈诙妱?shì)。在選擇第二電勢(shì) 的時(shí)段，選擇電路選擇第二偏置電壓，并且第二掃描電路將寫入晶體管設(shè)置 為導(dǎo)通狀態(tài)。來(lái)自信號(hào)線的第二偏置電壓由此由寫入晶體管寫入，使得驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵極電勢(shì)變?yōu)榈诙秒妷?。?qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)和柵極電勢(shì)因 jt匕^皮詳?shù)秈臺(tái)4匕。將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電勢(shì)初始化為第二偏置電壓使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 至源極電壓高于在將柵極電勢(shì)初始化為用作視頻信號(hào)的基準(zhǔn)的第一偏置電壓 的情形。因此對(duì)應(yīng)于柵極至源極電壓的電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管，所以驅(qū)動(dòng)晶體 管的源極電勢(shì)以快響應(yīng)速度升高。此后，第一掃描電路從第二電勢(shì)改變到第 一電勢(shì)，由此開始用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的檢測(cè)時(shí)段。在檢測(cè)時(shí)段開始時(shí)，選擇電路選擇第 一偏置電壓來(lái)代替第二偏置電壓。 此時(shí)，寫入晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)，因此第一偏置電壓從信號(hào)線寫入，使得驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵極電勢(shì)變?yōu)榈谝黄秒妷?。?qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓最終會(huì) 聚在驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。然后，第二掃描電路將寫入晶體管設(shè)置在非導(dǎo) 通狀態(tài)，由此驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓由保持電容保持，該電壓已經(jīng)會(huì) 聚在驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，并且閾值電壓檢測(cè)時(shí)段結(jié)束。根據(jù)本實(shí)施例，通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電勢(shì)初始化為與用作視頻信號(hào) 的基準(zhǔn)的第一偏置電壓不同的第二偏置電壓，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)以 快響應(yīng)速度上升。因此，檢測(cè)驅(qū)動(dòng)晶體管的闊值電壓所花費(fèi)的檢測(cè)時(shí)間可以 被縮短。因此即時(shí)lH的時(shí)段變得更短也可以確保校正每個(gè)像素中的閾值電壓的變化，由此提供良好的圖像質(zhì)量的顯示圖像。


圖l是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例、示意性地示出有機(jī)EL顯示設(shè)備的配置的系統(tǒng)配置圖；圖2是示出像素(像素電路)的配置的具體示例的電路圖； 圖3是像素的剖面結(jié)構(gòu)的示例的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例、有助于解釋有機(jī)EL顯示設(shè)備的基本電路操 作的時(shí)序波形圖；圖5A、 5B、 5C和5D是有助于解釋基本電路操作的圖(1); 圖6A、 6B、 6C和6D是有助于解釋基本電路操作的圖(2); 圖7是有助于解釋由驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化導(dǎo)致的問(wèn)題的特性圖；圖8是有助于解釋由驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率n的變化導(dǎo)致的問(wèn)題的特性圖；圖9A、 9B和9C是有助于解釋根據(jù)是否進(jìn)行閾值校正和遷移率校正、在 視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig和驅(qū)動(dòng)晶體管的漏才及至源才及電流Ids之間的關(guān)系的 特性圖；圖10是示出水平驅(qū)動(dòng)電路的配置的示例的電路圖； 圖ll是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例、有助于解釋有機(jī)EL顯示設(shè)備的具體電路操 作的時(shí)序波形圖；圖12是應(yīng)用本實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖；圖13A和13B是應(yīng)用本實(shí)施例的數(shù)字相機(jī)的外觀的透視圖，圖13A是 如從前側(cè)所見(jiàn)的數(shù)字相機(jī)的透視圖，而圖13B是如從后側(cè)所見(jiàn)的數(shù)字相機(jī)的 透視圖；圖14是應(yīng)用本實(shí)施例的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖； 圖15是應(yīng)用本實(shí)施例的視頻相機(jī)的外觀的透視圖；以及 圖16A、 16B、 16C、 16D、 16E、 16F和16G是示出應(yīng)用本實(shí)施例的便 攜式電話的外觀的圖，圖16A是打開狀態(tài)下便攜式電話的前視圖，圖16B是 關(guān)閉狀態(tài)下便攜式電話的側(cè)視圖，圖16C是關(guān)閉狀態(tài)下便攜式電話的前視圖， 圖16D是左視圖，圖16E是右視圖，圖16F是俯視圖，圖16G是仰視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖l是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例、示意性地示出有源矩陣型顯示設(shè)備的配置的 系統(tǒng)配置圖。
下面將通過(guò)以使用根據(jù)流過(guò)設(shè)備的電流值改變發(fā)光亮度的電流驅(qū)動(dòng)型電 光元件(例如，作為像素(像素電路)的發(fā)光元件的有機(jī)EL元件)的有源
矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的情形為例做出描述。
如圖1中所示，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示設(shè)備包括通過(guò)以矩陣的 形式二維排列像素(PXLC) 20而形成的像素陣列單元30、和用于驅(qū)動(dòng)像素 20的每個(gè)的驅(qū)動(dòng)單元，該驅(qū)動(dòng)單元放置在像素陣列單元30的外圍。用于驅(qū) 動(dòng)像素20的驅(qū)動(dòng)單元包括例如寫入掃描電路40、電源掃描電路50和水平驅(qū) 動(dòng)電^各60。
像素陣列單元30具有為m行和n列的4象素排列的每個(gè)像素行排列的掃 描線31-1至31-m、以及為m行和n列的像素排列的每個(gè)像素列排列的信號(hào) 線33-1至33-n。
通常，像素陣列單元30在如玻璃襯底等的透明絕^^村底上形成，并具有 平板結(jié)構(gòu)。像素陣列單元30的每個(gè)像素20可利用無(wú)定型硅TFT (薄膜晶體 管)或者低溫多晶硅TFT形成。當(dāng)使用低溫多晶硅TFT時(shí)，寫入掃描電路 40、電源掃描電路50和水平驅(qū)動(dòng)電i 各60也可安裝在顯示面板(襯底)70上， 在該顯示面板上形成像素陣列單元30。
寫入掃描電路40由移位寄存器等形成，該移位寄存器以與時(shí)鐘脈沖ck 同步的順序移位(轉(zhuǎn)移)起始脈沖sp。當(dāng)將視頻信號(hào)寫至像素陣列單元30 的每個(gè)像素20時(shí)，寫入掃描電路40順序地向掃描線31-1至31-m提供掃描 信號(hào)WS1至WSm,從而以行單元的順序(線序掃描)掃描像素20。
電源掃描電路50由移位寄存器等形成，該移位寄存器以與時(shí)鐘脈沖ck 同步的順序轉(zhuǎn)移位起始脈沖sp。與寫掃描單元40的線序掃描同步，電源掃描 電路50向電源線32-1至32-m提供在第一電壓Vccp和比第一電壓Vccp低的 第二電壓Vini間改變的電源線電勢(shì)DS1至DSm，從而控制要在后面描述(見(jiàn) 圖2)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的導(dǎo)通(開)/非導(dǎo)通(關(guān))。合適時(shí)，水平驅(qū)動(dòng)電路 60選擇對(duì)應(yīng)于從信號(hào)提供源(未示出)提供的亮度信息的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig (信號(hào)電壓Vsig下面可簡(jiǎn)單地描述為"信號(hào)電壓")、第一偏置電壓 Vofs和第二偏置電壓Vofs2之一，然后，例如通過(guò)信號(hào)線33-1至33-n以行為 單元向像素陣列單元30的像素20中寫入電壓。即，水平驅(qū)動(dòng)電路60采用線 序?qū)懭氲尿?qū)動(dòng)形式，其中以行(線)為單元寫入視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。
在此情形中，第一偏置電壓Vofs是用作-現(xiàn)頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的基 準(zhǔn)的基準(zhǔn)電壓(例如對(duì)應(yīng)于黑電平)，并且第二偏置電壓Vofs2是比第一偏置 電壓Vofs高預(yù)定電壓的電壓。第二電勢(shì)Vini設(shè)置為比第一偏置電壓Vofs低 的電勢(shì)。例如，設(shè)Vth是驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓，則將第二電勢(shì)Vini設(shè) 置為比Vofs-Vth低的電勢(shì)，或者優(yōu)選地設(shè)置為比Vofs-Vth足夠低的電勢(shì)。 (像素電路)
圖2是示出像素(像素電路)20的配置的具體示例的電路圖。 如圖2中所示，像素20具有根據(jù)流過(guò)設(shè)備的電流值改變發(fā)光亮度的電流 驅(qū)動(dòng)型電光元件，例如，作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件。像素20是除了有機(jī) EL元件21之外具有驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫入晶體管23和保持電容24的像素配 置，即，由兩個(gè)晶體管(Tr)和一個(gè)電容元件(C)組成的2Tr/lC像素配置。 在具有這樣配置的像素20中，N溝道型TFT用作驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入 晶體管23。但是，在此情形中，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)通類型 的組合僅僅是一個(gè)例子，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23不限于這些導(dǎo) 通類型的組合。
有機(jī)EL元件21具有連接至公共電源線34的陰極電極，該公共電源線 34被排列以由所有像素20共用。驅(qū)動(dòng)晶體管22具有連接至有機(jī)EL元件21 的陽(yáng)極電極的源極，并且具有連接至電源線32 (電源線32-1至32-m)的漏
極電極。
寫入晶體管23具有連接至掃描線31(掃描線31-1至31-m)的柵極電極， 具有連接至信號(hào)線33 (信號(hào)線33-1至33-n)的一個(gè)電極(源極電極/漏極電 極)，并且具有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的另 一個(gè)電極(漏極電極/源 極電極)。
保持電容24具有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的一個(gè)端子，并且具 有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極(有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極)的另一 個(gè)端子。附帶地，輔助電容可并聯(lián)連接至有機(jī)EL元件21以補(bǔ)償有機(jī)EL元 件21的電容的不足。在2Tr/lC像素配置的像素20中，響應(yīng)于通過(guò)掃描線31從寫入掃描電路 40施加到柵極電極的掃描信號(hào)WS，寫入晶體管23改變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而寫 入晶體管23采樣對(duì)應(yīng)于亮度信息的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig、第一偏置電壓 Vofsl或者第二偏置電壓Vofs2，該電壓通過(guò)信號(hào)線33,人水平驅(qū)動(dòng)電路60提 供，然后將該電壓寫至像素20的內(nèi)部。
寫入電壓，即信號(hào)電壓Vsig、偏置電壓Vofsl或者偏置電壓Vofs2被施 加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并被保持在保持電容24中。當(dāng)電源線32(電 源線32-1至32-m)的電勢(shì)DS為第一電勢(shì)Vccp時(shí)，從電源線32向驅(qū)動(dòng)晶體 管22提供電流，并為有機(jī)EL元件21提供驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流具有對(duì)應(yīng) 于保持在保持電容24中的信號(hào)電壓Vsig的電壓值的電流值。因此，驅(qū)動(dòng)晶 體管22通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21以使有機(jī)EL元件21發(fā)光。 (像素結(jié)構(gòu))
圖3是像素20的截面結(jié)構(gòu)的示例的剖一見(jiàn)圖。如圖3中所示，像素20具 有這樣的結(jié)構(gòu)，其具有在玻璃襯底201上按順序形成的絕緣膜202、絕緣平 整(planarizing )膜203和窗口絕緣膜204,在該玻璃村底201上形成驅(qū)動(dòng)晶 體管22和寫入晶體管23等的像素電路，并且在窗口絕緣膜204的凹部204A 中具有有機(jī)EL元件21。
有機(jī)EL元件21包括在窗口絕緣膜204的凹部204A的底部中形成的、 由金屬等組成的陽(yáng)極電極205;在陽(yáng)極電極205上形成的有機(jī)層(電子傳輸 層、發(fā)光層和空穴傳輸層/空穴注入層)206;以及由透明傳導(dǎo)膜等組成的、 并以所有像素共同的方式在有機(jī)層206上形成的陰極電才及207。
通過(guò)順序地在陽(yáng)極電極205上沉淀空穴傳輸層/空穴注入層2061、發(fā)光層 2062、電子傳輸層2063和電子注入層(未示出)來(lái)形成有機(jī)EL元件21中 的有機(jī)層206。在圖2中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流驅(qū)動(dòng)下，電流通過(guò)陽(yáng)極電極 205從驅(qū)動(dòng)晶體管22流向有機(jī)層206。從而當(dāng)電子和空穴在有機(jī)層206內(nèi)的 發(fā)光層2062中彼此重新組合時(shí)發(fā)光。
如圖3所示，在形成像素電路的玻璃襯底201上的像素單元中形成有機(jī) EL元件21后，用在有機(jī)EL元件21和玻璃襯底201間插入的絕緣膜202， 絕緣平整膜203和窗口絕緣膜204,封裝襯底209由粘合劑210與在有機(jī)EL 元件21和封裝村底209間插入的鈍化(passivation)膜208粘合，并且封裝 襯底209封裝有機(jī)EL元件21。從而形成顯示面板70。(有機(jī)EL顯示設(shè)備的基本電路操作)
為了便于理解，將基于圖4的時(shí)序波形圖，參照?qǐng)D5A至6D的操作示例 圖在下面描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例將選擇性地寫至像素20的基準(zhǔn)電壓Vofs 固定為有機(jī)EL顯示設(shè)備10中的第一偏置電壓Vofsl (Vofs=Vofsl )的情形中 的基本電路操作。
附帶地，在圖5A至6D的操作示例圖中，為了簡(jiǎn)化附圖，寫入晶體管 23由開關(guān)符號(hào)表達(dá)。此外，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件21具有寄生電容Cel,所以寄 生電容Cel也在圖中示出。
圖4的時(shí)序波形圖示出沿著公共時(shí)間軸的一個(gè)H (H是水平掃描時(shí)段) 掃描線31 (31-l至31-m)的電勢(shì)(掃描信號(hào))WS的變化、電源線32 (32-1 至32-m)的電勢(shì)DS的變化、以及驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs和柵極電勢(shì) Vg的變化。
<發(fā)光時(shí)段>
有機(jī)EL元件21處于圖4的時(shí)序圖中的時(shí)間tl之前的發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光時(shí) 段)。在此發(fā)光時(shí)段期間，電源線32的電勢(shì)DS為第一電勢(shì)Vccp,寫入晶體 管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
此時(shí)，如圖5A所示，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22設(shè)置為在飽和區(qū)域操作，所以
的柵極至源極電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流(漏極至源極電流)Ids。因此有機(jī)EL元 件21以對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流Ids的電流值的亮度發(fā)光。 <閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段>
線序掃描的新階段在時(shí)間tl開始。如圖5B所示，電源線32的電勢(shì)DS 從第一電勢(shì)(下文描述為"高電勢(shì)")Vccp改變?yōu)楸刃盘?hào)線33的偏置電壓 Vofs-Vth足夠低的第二電勢(shì)(下文描述為"低電勢(shì)")Vini。
設(shè)Vel為有機(jī)EL元件21的閾值電壓、并且Vcath為公共電源線34的電 勢(shì)，當(dāng)?shù)碗妱?shì)Vini為Vini<Vel+Vcath時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs變得 基本上等于低電勢(shì)Vini,因此有機(jī)EL元件21設(shè)置為反偏(reverse-biased ) 狀態(tài)并且熄滅。
在接下來(lái)的時(shí)間t2,掃描線31的電勢(shì)WS從低電勢(shì)側(cè)轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妱?shì)側(cè)。 因此，如圖5C所示，寫入晶體管23設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)閺乃津?qū) 動(dòng)電路60向信號(hào)線33提供偏置電壓Vofs，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg變?yōu)槠秒妷篤ofs。驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs為足夠低于偏置電壓 Vofs的電勢(shì)Vini。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓Vgs為Vofs-Vini。如果Vofs-Vini 不比驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth高，那么不能執(zhí)行稍后要描述的閾值校正 操作。因此，需要設(shè)置電勢(shì)關(guān)系使得Vofs-Vini>Vth。因此，閾值校正準(zhǔn)備操 作是分別將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg以及驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs 固定(確定)并初始化為偏置電壓Vofs和低電勢(shì)Vini的操作。<閾值校正時(shí)段>如圖5D中所示，當(dāng)在接下來(lái)的t3時(shí)間，電源線32的電勢(shì)DS從低電勢(shì) Vini改變?yōu)楦唠妱?shì)Vccp時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs開始上升。最終， 驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓Vgs會(huì)聚在驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth,為了方便，檢測(cè)閾值電壓Vth并將對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓保持在保 持電容24中的時(shí)段稱作閾值校正時(shí)段。附帶地，在閾值校正時(shí)段中，為了讓 電流僅流向保持電容24的一側(cè)而不流向有機(jī)EL元件21的一側(cè)，設(shè)置公共 電源線34的電勢(shì)Vcath使得有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)。在接下來(lái)的時(shí)間t4，掃描線31的電勢(shì)WS轉(zhuǎn)變至低電勢(shì)側(cè)。因此，如圖 6A所示，寫入晶體管23設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電 極處于浮置狀態(tài)。但是，因?yàn)闁艠O至源極電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值 電壓Vth,所以驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極至源極電流Ids不 流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22。<寫入時(shí)段/遷移率校正時(shí)段>在接下來(lái)的時(shí)間t5，如圖6B所示，信號(hào)線33的電勢(shì)從偏置電壓Vofs 改變?yōu)橐曨l信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。然后，掃描線31的電勢(shì)WS轉(zhuǎn)變至高電勢(shì) 側(cè)。從而，如圖6C所示，寫入晶體管23設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，對(duì)視頻信號(hào)的信 號(hào)電壓Vsig進(jìn)行采樣，并向像素20的內(nèi)部寫入信號(hào)電壓Vsig。作為通過(guò)寫入晶體管23寫入信號(hào)電壓Vsig的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵 極電勢(shì)Vg變?yōu)樾盘?hào)電壓Vsig。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22由視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig 驅(qū)動(dòng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth由對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓消除， 該對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓保持在保持電容24中，從而進(jìn)行閾值校正。稍 后將描述閾值校正的原則。此時(shí)，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件21首先處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))，所以根 據(jù)視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig從電源線32流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(漏極至 源極Ids),流入有機(jī)EL元件21的寄生電容Cel,因此開始對(duì)寄生電容Cel 充電。通過(guò)對(duì)寄生電容Cel充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs隨著時(shí)間經(jīng)過(guò) 上升。此時(shí)，已經(jīng)校正驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的變化，并且驅(qū)動(dòng)晶體 管22的漏極至源極電流Ids依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率)i。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs最終上升至電勢(shì)Vofs-Vth+八V時(shí)，驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極至源極電壓Vgs變?yōu)閂sig-Vofs+Vth-AV。即，源極電勢(shì)Vs 中的增量AV表現(xiàn)為要從保持在保持電容24中的電壓(Vsig-Vofs+Vth)中減 去，或者對(duì)保持電容24的充電進(jìn)行放電，使得負(fù)反饋被應(yīng)用。因此，源極電 勢(shì)Vs中的增量AV是負(fù)反饋的反饋量。通過(guò)這樣對(duì)經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22流向驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極輸入的漏極至 源極電流Ids(即，柵極至源極電壓Vgs)進(jìn)行負(fù)反饋，進(jìn)行遷移率校正，該 遷移率校正消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷 移率ja的依賴性，即，校正每個(gè)像素中的遷移率ii的變化。更具體地，當(dāng)視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig變得更高時(shí)，漏極至源極電流Ids 增大，因此負(fù)反饋的反饋量(校正量)AV的絕對(duì)值增加。因此，根據(jù)發(fā)光亮 度水平進(jìn)行遷移率校正。此外，當(dāng)使得視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig恒定時(shí)，隨 著驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率p變得更高，負(fù)反饋的反饋量AV的絕對(duì)值增加。 因此可移除每個(gè)像素中的遷移率ia的變化。稍后將描述遷移率校正的原則。<發(fā)光時(shí)段〉在接下來(lái)的時(shí)間t7,掃描線31的電勢(shì)WS轉(zhuǎn)變至低電勢(shì)側(cè)。因此，如圖 6D中所示，寫入晶體管23設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極從 信號(hào)線33斷開連接，因此設(shè)置為浮置狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)、并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極 電勢(shì)Vs改變時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg也以與源極電勢(shì)Vs的改變互 鎖(跟隨)的方式改變，因?yàn)楸３蛛娙?4在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極間 連接。這是由保持電容執(zhí)行的自舉操作。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極設(shè)置為浮置狀態(tài)，同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏 極至源極電流Ids開始流經(jīng)有機(jī)EL元件21。從而，有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids上升。有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極電勢(shì)的上升正是驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì) Vs的上升。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升時(shí)，由于保持電容24的自 舉操作，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg也以與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs 互鎖的方式上升。此時(shí)，假定自舉增益為1 (理想值)，那么柵極電勢(shì)Vg的上升量等于源 極電勢(shì)Vs的上升量。因此，在發(fā)光時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極 電壓Vgs保持恒定在Vsig-Vofs+Vth-AV。然后，在時(shí)間t8，信號(hào)線33的電勢(shì) 從視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig改變?yōu)槠秒妷篤ofs。<閾值校正的原則>下面將描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值校正的原則。因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管被設(shè)計(jì)為 在飽和區(qū)域操作，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22作為恒流源操作。因此，從驅(qū)動(dòng)晶體管 22向有機(jī)EL元件21提供由下面的等式(1 )給出的恒定漏極至源極電流(驅(qū) 動(dòng)電流)Ids。Ids = (1/2) x ]j (W/L) Cox (Vgs _ Vth)2 ...(l)其中，W為驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度，L為其溝道長(zhǎng)度，Cox為每單位 區(qū)域的柵極電容。圖7示出驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids相對(duì)于柵極至源極電壓 Vgs的特性。如特性圖中所示，在沒(méi)有校正每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓 Vth的變化的情形中，當(dāng)閾值電壓Vth為Vthl時(shí)，對(duì)應(yīng)于柵極至源極電壓 Vgs的漏極至源極電流Ids為Idsl。另一方面，當(dāng)閾值電壓Vth為Vth2 (Vth2>Vthl)時(shí)，對(duì)應(yīng)于同樣的柵 極至源極電壓Vgs的漏極至源極電流Ids是Ids2 (Ids2<Idsl )。即，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶 體管22的閾值電壓Vth改變時(shí)，盡管柵極至源極電壓Vgs恒定，漏極至源極 電;充Ids也變4匕。另一方面，在上述配置的像素(像素電路)20中，在發(fā)光時(shí)段期間驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極至源極電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth-AV，如上所述，因此，當(dāng) 等式(1 )中的Vsig-Vofs+Vth-AV被代替時(shí)，漏極至源極電流Ids表示為Ids = (1/2) x p(W/L)Cox(Vsig - Vofs - AV)2…(2)即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的項(xiàng)被消除，并且從驅(qū)動(dòng)晶體管22向有機(jī)EL元件21提供的漏極至源^l電流Ids不依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值 電壓Vth。結(jié)果，即使由于制造驅(qū)動(dòng)晶體管的工藝的變化以及驅(qū)動(dòng)晶體管22 的長(zhǎng)期改變、每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth改變，漏極至源極 電流Ids也不改變。因此，可保持有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度恒定。 (遷移率校正的原則) 接下來(lái)將描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率校正的原則。圖8示出包括具有相 對(duì)高的遷移率p的驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素A、和包括具有相對(duì)低的遷移率|1的 驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素B互相比較的狀態(tài)下的特性曲線。當(dāng)由多晶硅薄膜晶體 管等形成驅(qū)動(dòng)晶體管22時(shí)，遷移率(i不可避免地在如像素A和像素B的像 素間改變。在遷移率p在像素A和像素B之間改變的狀態(tài)下，當(dāng)處于同一水平的視 頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig #:寫入像素A和像素B時(shí)，并且當(dāng)沒(méi)有對(duì)遷移率|i 做出校正時(shí)，在具有高遷移率p的像素A中流動(dòng)的漏極至源極電流Idsl，、和 在具有低遷移率|i的像素B中流動(dòng)的漏極至源極電流Ids2，之間出現(xiàn)很大差 異。當(dāng)由于每個(gè)像素中遷移率p的變化、各像素間的漏極至源極電流Ids由 此產(chǎn)生大的差異時(shí)，屏幕一致性被破壞。從上述作為晶體管特性等式的等式(l)中可以清楚，遷移率p越高，漏 極至源極電流Ids越大。因此，遷移率(i越高，負(fù)反^f的反^t量AV越大。如 圖8所示，具有高遷移率p的像素A的反饋量AV1比具有低遷移率p的像素 B的反饋量AV2大。因此，遷移率校正操作將驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids負(fù)反饋至 視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig側(cè)。從而，施加的負(fù)反饋隨著遷移率p變高而增大。 因此，可抑制每個(gè)像素中的遷移率n的變化。特定地，當(dāng)負(fù)反饋量AV1的校正施加到具有高遷移率|1的像素A時(shí)， 漏極至源極電流Ids從Idsl，極大下降至Idsl。另一方面，因?yàn)榫哂械瓦w移率 p的像素B的反饋量AV2小，所以漏極至源極電流Ids從Ids2，下降至Ids2, 該下降不是很大。結(jié)果，像素A的漏極至源極電流Idsl和像素B的漏極至源 極電流Ids2變得基本上相等。因此校正每個(gè)像素中的遷移率p的變化。綜上所述，當(dāng)存在在遷移率ia上不同的像素A和像素B時(shí)，具有高遷移 率ia的像素A的反饋量AV1大于具有低遷移率in的像素B的反饋量AV2。 即，像素增加反饋量AV,因此隨著遷移率M變得更高，增加漏極至源極電流Ids減小的量。因此，通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids負(fù)反饋至視頻信號(hào)的 信號(hào)電壓Vsig側(cè)，在遷移率ju上不同的各像素的漏極至源極電流Ids的電流 值是一致的。結(jié)果，可校正每個(gè)像素中的遷移率ia的變化。參考圖9A、 9B和9C,將根據(jù)圖2所示的像素(像素電路)20中是否進(jìn) 行閾值校正和遷移率校正做出下面的描述，該描述包括視頻信號(hào)的信號(hào)電勢(shì) (采樣電勢(shì))Vsig和驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極至源極電流Ids之間的關(guān)系。了僅進(jìn)行閾值校正而未進(jìn)行遷移率校正的情形。圖9C圖示了進(jìn)行閾值校正和 遷移率校正兩者的情形。如圖9A所示，當(dāng)既未進(jìn)行遷移率校正也未進(jìn)行閾 值校正時(shí)，由于像素A和像素B中的閾值電壓Vth和遷移率m的變化而導(dǎo)致 像素A和像素B之間的漏極至源極電流Ids出現(xiàn)大的不同。另一方面，如圖9B所示，當(dāng)僅進(jìn)行閾值校正時(shí)，閾值校正可在某種程 度上減小漏極至源極電流Ids的變化，但是由于像素A和像素B中遷移率y 的變化而導(dǎo)致的像素A和像素B之間的漏極至源極電流Ids的不同保留。如圖9C所示，進(jìn)行閾值校正和遷移率校正兩者可有效地消除由于像素A 和像素B中的閾值電壓Vth和遷移率ju的變化而導(dǎo)致的、像素A和像素B之 間的漏極至源極電流Ids的不同。因此，任何等級(jí)都沒(méi)有發(fā)生有機(jī)EL元件21 的亮度變化，使得可獲得具有良好圖像質(zhì)量的顯示圖像。此外，圖2中所示的像素20除了閾值校正功能和遷移率校正功能外具有 上述自舉功能。從而可獲得下面的行動(dòng)和效果。即使當(dāng)有機(jī)EL元件21的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)改變、并且驅(qū)動(dòng)晶體 管22的源極電勢(shì)Vs相應(yīng)地改變時(shí)，保持電容24的自舉操作保持驅(qū)動(dòng)晶體管 22的柵極至源極電壓Vgs恒定，使得流過(guò)有機(jī)EL元件21的電流不改變。因 此，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度也保持恒定。因此，即使當(dāng)有機(jī)EL元件21 的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)改變時(shí)，也可實(shí)現(xiàn)沒(méi)有伴隨有4幾EL元件21的I-V 特性的長(zhǎng)期改變的亮度劣化的圖像顯示。 (當(dāng)1H時(shí)段變得更短時(shí)的問(wèn)題)近來(lái)，隨著顯示設(shè)備具有更高的分辨率和更大數(shù)量的像素，1H時(shí)段已經(jīng) 趨于變得更短。當(dāng)lh時(shí)段變得更短時(shí)，如上所述，難以分配足夠的時(shí)間作為 閾值校正時(shí)段來(lái)檢測(cè)閾值電壓Vth。當(dāng)不能保證有足夠的時(shí)間作為閾值校正時(shí)段時(shí)，不能確保校正(消除)每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth。 (本實(shí)施例的特性部分)因此，代替將在寫入視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig之前寫入的基準(zhǔn)電壓Vofs 固定為用作視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的基準(zhǔn)的第一偏置電壓Vofsl,本發(fā)明 的特征在于，通過(guò)將基準(zhǔn)電壓Vofs設(shè)置為不同于第一偏置電壓Vofsl的第二 偏置電壓Vofs2，具體地為比第一偏置電壓Vofsl高的第二偏置電壓Vofs2， 從而在閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段的初始化操作期間，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì) Vg初始化為第二偏置電壓Vofs2,并且在閾值校正時(shí)段內(nèi)，在驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極至源極電壓Vgs會(huì)聚在閾值電壓Vth之前，將該基準(zhǔn)電壓Vofs從第二 偏置電壓Vofs2改變?yōu)榈谝黄秒妷篤ofsl。(水平驅(qū)動(dòng)電路)如上所述，為了實(shí)現(xiàn)這樣的操作，水平驅(qū)動(dòng)電路60適當(dāng)?shù)剡x擇對(duì)應(yīng)于從 信號(hào)供應(yīng)源(未示出)提供的亮度信息的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig、第一偏 置電壓Vofs和第二偏置電壓Vofs2之一，然后例如通過(guò)信號(hào)線33 ( 33-1至 33-n)以行為單元向像素陣列單元30的各像素20寫入該電壓。圖10是示出水平驅(qū)動(dòng)電路60的配置的示例的電路圖。在圖10中，沿著 像素陣列單元30中的各像素20的水平方向(行方向)的排列，三條信號(hào)傳 輸線61、 62和63排列在顯示面板70上。三條信號(hào)傳輸線61、 62和63分別 從顯示面板70的外部上提供的信號(hào)供應(yīng)源(未示出)中提供有視頻信號(hào)的信 號(hào)電壓Vsig、第一偏置電壓Vofs和第二偏置電壓Vofs2。選擇開關(guān)64、 65和66分別連接在信號(hào)傳輸線61、 62和63以及像素陣 列單元30的信號(hào)線33 ( 33-1至33-n)間。例如，由基于CMOS傳輸;f冊(cè)極的 沖莫擬開關(guān)形成選4奪開關(guān)64、 65和66。選4奪開關(guān)64、 65和66分別選擇視頻 信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig、第一偏置電壓Vofs和第二偏置電壓Vofs2。選擇視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的選擇開關(guān)64經(jīng)歷由通過(guò)控制線67-1和 67-2從定時(shí)發(fā)生器電路(未示出)提供的、開關(guān)控制信號(hào)TEST和xTEST的 開/關(guān)控制。選擇第一偏置電壓Vofsl的選擇開關(guān)65經(jīng)歷由通過(guò)控制線68-1和68-2 從定時(shí)發(fā)生器電路提供的、開關(guān)控制信號(hào)GOFS1和xGOFSl的開/關(guān)控制。選擇第二偏置電壓Vofs2的選擇開關(guān)66經(jīng)歷由通過(guò)控制線69-1和69-2 從定時(shí)發(fā)生器電路提供的、開關(guān)控制信號(hào)GOFS2和xGOFS2的開/關(guān)控制。圖11示出開關(guān)控制信號(hào)TEST、 GOFS1和GOFS2、以及掃描線電勢(shì)(掃 描信號(hào))WS的變化、電源線電勢(shì)DS的變化和驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg 及源極電勢(shì)Vs的變化之間的時(shí)序關(guān)系。在閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)(tl至t3)，在掃描線電勢(shì)WS轉(zhuǎn)變至高電勢(shì)側(cè)的 時(shí)間t2之前，上述配置的水平驅(qū)動(dòng)電路60中的開關(guān)控制信號(hào)GOFS2設(shè)置為 活動(dòng)狀態(tài)(高電勢(shì))，從而寫入晶體管23設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。因此通過(guò)選擇開 關(guān)66,從信號(hào)傳輸線63中向信號(hào)線33提供第二偏置電壓Vofs2。然后，在時(shí)間t2,掃描線電勢(shì)WS轉(zhuǎn)變至高電勢(shì)側(cè)以將寫入晶體管23 設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，從而信號(hào)線33的電勢(shì)，即第二偏置電壓Vofs2，由寫入晶 體管23采樣并隨后寫入像素20的內(nèi)部。從而，在閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)的初 始化操作期間，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始化為比第一偏置電壓 Vofs 1高的第二偏置電壓Vofs2 。附帶地，如上所述，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs而言，在時(shí)間tl, 電源線電勢(shì)DS從高電勢(shì)Vccp改變?yōu)榈碗妱?shì)Vini,使得驅(qū)動(dòng)晶體管22的源 極電勢(shì)Vs處于正被初始化為低電勢(shì)Vini的狀態(tài)。因此通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始化為比第一偏置電壓 Vofsl高的第二偏置電壓Vofs2,驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓Vgs變?yōu)?Vofs2-Vini。對(duì)應(yīng)于柵極至源極電壓Vgs的電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22，從而源 極電勢(shì)Vs上升。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs比在將柵極電勢(shì)Vg初始化為第一 偏置電壓Vofsl (由圖11中的點(diǎn)線表示)的情形中上升得更快。具體地，當(dāng) 驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg被初始化為第一偏置電壓Vofsl時(shí)，柵極至源 極電壓Vgs變?yōu)閂ofsl-Vini，而當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg被初始化為 第二偏置電壓Vofs2時(shí)，柵極至源極電壓Vgs變?yōu)閂ofs2-Vini。在后面的情形 中，比前面的情形中更大的電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22，因此，源極電勢(shì)Vs的 上升的響應(yīng)速度變得更快。接下來(lái)，在閾值校正時(shí)段(t3至t4)開始之后的時(shí)間t12，開關(guān)控制信 號(hào)GOFS2被設(shè)置為不活動(dòng)狀態(tài)(低電勢(shì))，并且開關(guān)控制信號(hào)GOFS1被同步 地設(shè)置為活動(dòng)狀態(tài)。從而，代替第二偏置電壓Vofs2,從信號(hào)傳輸線62通過(guò) 選擇開關(guān)65向信號(hào)線33提供比第二偏置電壓Vofs2小的第一偏置電壓Vofsl。此時(shí)，寫入晶體管23處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得由選擇開關(guān)65向信號(hào)線33提供的第一偏置電壓Vofsl通過(guò)寫入晶體管23寫入像素20的內(nèi)部。從而， 將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg固定在第一偏置電壓Vofsl。然后，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg被固定為第一偏置電壓Vofsl的 情況下，源極電勢(shì)Vs繼續(xù)上升。最終，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓Vgs 會(huì)聚在驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth,并且對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓保持 在保持電容24中。動(dòng)狀態(tài)之后的操作基本上與上述基本電路操作相同。附帶地，在時(shí)間t5,開 關(guān)控制信號(hào)TEST設(shè)置為活動(dòng)狀態(tài)，然后在時(shí)間t8設(shè)置為不活動(dòng)狀態(tài)。從而， 在時(shí)段t5至t8期間，通過(guò)選擇開關(guān)64向信號(hào)線33提供視頻信號(hào)的信號(hào)電壓 Vsig。(本實(shí)施例的行動(dòng)與效果)如上所述，執(zhí)行驅(qū)動(dòng)使得基準(zhǔn)電壓Vofs設(shè)置為第二偏置電壓Vofs2，從 而在選擇低電勢(shì)Vini的闊值校正準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)，在其間寫入晶體管23處于導(dǎo) 通狀態(tài)的初始化操作期間，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始化為第二偏 置電壓Vofs2,然后在閾值校正時(shí)段內(nèi)，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓 Vgs會(huì)聚在閾值電壓Vth之前，基準(zhǔn)電壓Vofs從第二偏置電壓Vofs2改變?yōu)?第一偏置電壓Vofsl。因此，可獲得下面的行動(dòng)和效果。通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始化為不同于用作視頻信號(hào)的信 號(hào)電壓Vsig的基準(zhǔn)的第一偏置電壓Vofsl的第二偏置電壓Vofs2，具體地為 比第一偏置電壓Vofsl高的第二偏置電壓Vofs2，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì) Vs以比在將柵極電勢(shì)Vg初始化為第一偏置電壓Vofs的情形更快的響應(yīng)速度 上升。因此，可縮短將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極至源極電壓Vgs會(huì)聚在驅(qū)動(dòng)晶體 管22的閾值電壓Vth所花費(fèi)的時(shí)間。在此情形中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升時(shí)的響應(yīng)速度由第二 偏置電壓Vofs2的電壓值(絕對(duì)值)確定。因此，第二偏置電壓Vofs2的電壓 值越高，源極電勢(shì)Vs的上升的響應(yīng)速度越快，因此將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極 至源極電壓Vgs會(huì)聚在驅(qū)動(dòng)晶體管22的闊值電壓Vth所花費(fèi)的時(shí)間可被縮短 得越多。能夠縮短將柵極至源極電壓Vgs會(huì)聚在閾值電壓Vth所花費(fèi)的時(shí)間意味 著閾值校正時(shí)段(t3至t4)可以被縮短，在該閾值校正時(shí)段期間，執(zhí)行檢測(cè)闊值電壓Vth和將閾值電壓Vth保持在保持電容24中的操作。即，閾值電壓 Vth可以在比將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始化為第一偏置電壓Vofs的 情形更短的時(shí)間被檢測(cè)。因此通過(guò)能夠減少閾值校正(閾值4企測(cè))所花費(fèi)的時(shí)間，即使隨著顯示 設(shè)備的分辨率變得更高、顯示設(shè)備具有更大數(shù)量的像素、并且1H時(shí)段相應(yīng) 地#皮縮短時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth也可在1H時(shí)^:內(nèi)確保凈皮才企測(cè)到。 從而可能確保校正每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓的變化，并且獲得 具有良好圖像質(zhì)量的顯示圖像。(修改的示例)在前面的實(shí)施例中，已經(jīng)通過(guò)舉出其中本發(fā)明應(yīng)用于有機(jī)EL顯示設(shè)備 10的情形的例子做出描述，該有機(jī)EL顯示設(shè)備10具有2Tr/lC像素配置的 像素20，包括用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)晶體管22、用于寫入視頻信 號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的寫入晶體管23、以及用于保持由寫入晶體管23寫入其 電壓的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的保持電容24,該顯示設(shè)備在高電勢(shì)Vccp 和低電勢(shì)Vini之間改變向驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極電極提供的電源線電勢(shì)DS， 并且該顯示設(shè)備選擇性地從信號(hào)線33寫入基準(zhǔn)電壓Vofs。但是，本發(fā)明不限 于此應(yīng)用示例。特定地，本發(fā)明可類似地應(yīng)用于進(jìn)一步包括開關(guān)晶體管的像素配置的有 機(jī)EL顯示設(shè)備，該開關(guān)晶體管在有機(jī)EL元件21的電流驅(qū)動(dòng)之前，合適地 設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，從而執(zhí)行將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg和源極電勢(shì)Vs 初始化為基準(zhǔn)電壓Vofs和低電勢(shì)Vini的操作，其后檢測(cè)驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾 值電壓Vth，并將檢測(cè)到的閾值電壓Vth保持在保持電容24中。此外，在前面的實(shí)施例中，已經(jīng)通過(guò)以其中本發(fā)明應(yīng)用于使用有機(jī)EL 元件作為像素電路20的電光元件的有機(jī)EL顯示設(shè)備的情形作為示例來(lái)描 述。但是，本發(fā)明不限于此應(yīng)用示例。本發(fā)明可應(yīng)用于通常使用根據(jù)流經(jīng)設(shè) 備的電流值改變發(fā)光亮度的電流驅(qū)動(dòng)型電光元件(發(fā)光元件)的顯示設(shè)備。 (應(yīng)用示例)根據(jù)上述本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備例如可應(yīng)用于具有各種圖12至 16G中所示的各種電子設(shè)備的顯示設(shè)備，例如顯示向其輸入的視頻信號(hào)或者 其中生成的視頻信號(hào)作為圖像或視頻的所有領(lǐng)域的電子設(shè)備，如例如數(shù)字相 機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、如便攜式電話等的便攜式終端設(shè)備、和視頻相機(jī)。通過(guò)這樣使用根據(jù)本發(fā)明前面的實(shí)施例的顯示設(shè)備作為所有領(lǐng)域中的電 子設(shè)備的顯示設(shè)備，如從前面實(shí)施例的描述可以清楚的，根據(jù)本發(fā)明的前述 實(shí)施例的顯示設(shè)備提供了能夠在各種電子設(shè)備中進(jìn)行良好的圖像顯示的優(yōu) 點(diǎn)，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的前述實(shí)施例的顯示設(shè)備能夠確保校正每個(gè)像素中的驅(qū) 動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化。附帶地，根據(jù)本發(fā)明的前面的實(shí)施例的顯示設(shè)備包括封裝模塊形式的顯 示設(shè)備。例如，通過(guò)將如透明玻璃等的計(jì)數(shù)器部分附加至像素陣列單元30所 形成的顯示模塊對(duì)應(yīng)于封裝模塊形式的顯示設(shè)備?？上虼送该饔?jì)數(shù)器部分提 供如上所述的濾色器、保護(hù)膜等以及光屏蔽膜。附帶地，可向顯示模塊提供用于在外部向像素陣列單元輸入或者輸出信號(hào)等的電路部分、FPC (柔性印刷電路)等。下面將描述應(yīng)用本實(shí)施例的電子設(shè)備的具體示例。圖12是應(yīng)用本實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的電視 機(jī)包括由前面板102和濾光玻璃103等組成的碎見(jiàn)頻顯示屏部分101,并且使 用根據(jù)本發(fā)明前面的實(shí)施例的顯示設(shè)備作為視頻顯示屏部分101來(lái)構(gòu)造。圖13A和13B是應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)字相機(jī)的外觀的透視圖。圖13A是如 從前端看到的數(shù)字相機(jī)的透視圖，圖13B是如從后端看到的數(shù)字相機(jī)的透視 圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的數(shù)字相機(jī)包括用于閃光的發(fā)光部分111、顯示部分112、 菜單開關(guān)113和快門按鈕114等。使用根據(jù)本發(fā)明前面的實(shí)施例的顯示設(shè)備 作為顯示部分112來(lái)構(gòu)造該數(shù)字相機(jī)。圖14是應(yīng)用本實(shí)施例的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用 示例的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)在主單元121中包括操作以輸入字符等的鍵盤122、 用于顯示圖像的顯示部分123等。使用根據(jù)本發(fā)明前面的實(shí)施例的顯示設(shè)備 作為顯示部分123來(lái)構(gòu)造該筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)。圖15是應(yīng)用本實(shí)施例的視頻相機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的視 頻相機(jī)包括主單元131、用于在面向前方的側(cè)表面中拍攝被攝體的鏡頭132、 拍攝畫面時(shí)的開始/停止開關(guān)133、和顯示部分134等。使用根據(jù)本發(fā)明前面 的實(shí)施例的顯示設(shè)備作為顯示部分134來(lái)構(gòu)造該視頻相機(jī)。圖16A、 16B、 16C、 16D、 16E、 16F和16G是示出例如應(yīng)用本實(shí)施例 的便攜式電話的便攜式終端設(shè)備的外觀的圖。圖16A是處于打開狀態(tài)下的便 攜式電話的前視圖，圖16B是處于打開狀態(tài)下的便攜式電話的側(cè)視圖，圖16C是處于關(guān)閉狀態(tài)下的便攜式電話的前視圖，圖16D是左視圖，圖16E是右視 圖，圖16F是俯視圖，圖16G是仰視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的便攜式電話包括 上側(cè)套141、下側(cè)套142、耦合部分(此情形中的鉸鏈部分)143、顯示器144、 子顯示器145、畫面燈146、相機(jī)147等。使用根據(jù)本發(fā)明前面的實(shí)施例的顯 示設(shè)備作為顯示器144和子顯示器145來(lái)構(gòu)造該便攜式電話。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，各種修改、組合、子組合和變化可依賴于設(shè) 計(jì)需要和其他因素發(fā)生，只要它們?cè)跈?quán)利要求或者其等同物的范圍之內(nèi)。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本發(fā)明包含涉及于2007年6月15日向日本專利局提交的、日本專利申 請(qǐng)JP 2007-158713的主題，該申請(qǐng)全部?jī)?nèi)容在此通過(guò)引用并入。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括通過(guò)以矩陣形式排列各像素形成的像素陣列單元，所述各像素包括電光元件、寫入視頻信號(hào)的寫入晶體管、保持由所述寫入晶體管寫入的所述視頻信號(hào)的保持電容、和基于保持在所述保持電容中的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述電光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；第一掃描電路，配置以選擇性地向電源線提供第一電勢(shì)和比所述第一電勢(shì)低的第二電勢(shì)，該電源線放置在所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中并向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流；第二掃描電路，配置以在選擇所述第二電勢(shì)的時(shí)段內(nèi)將所述寫入晶體管設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，并在從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)后將所述寫入晶體管設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)通過(guò)在所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中驅(qū)動(dòng)所述寫入晶體管，以行為單元選擇所述像素陣列單元的像素；以及選擇電路，配置以向放置在所述像素陣列單元的每列中的信號(hào)線選擇性地提供所述視頻信號(hào)、作為所述視頻信號(hào)的基準(zhǔn)的第一偏置電壓、和不同于所述第一偏置電壓的第二偏置電壓，并且配置以至少當(dāng)在選擇所述第二電勢(shì)的時(shí)段內(nèi)所述寫入晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)、選擇所述第二偏置電壓，并且配置以在從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)之后和所述寫入晶體管設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)之前、選擇所述第一偏置電壓來(lái)代替所述第二偏置電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，在從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)的定時(shí)至所述寫入晶體管 轉(zhuǎn)變至非導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí)的時(shí)段內(nèi)，執(zhí)行使得所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極 電壓會(huì)聚在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓、以及在所述保持電容中保持所述閾 值電壓的操作。
3. 如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述選擇電路在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極至源極電壓會(huì)聚在所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的閾值電壓之前，選擇所述第一偏置電壓來(lái)代替所述第二偏置電壓。
4. 一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示設(shè)備包括 通過(guò)以矩陣形式排列各像素形成的像素陣列單元，所述各像素包括電光元件、寫入視頻信號(hào)的寫入晶體管、保持由所述寫入晶體管寫入的所述視頻信號(hào)的保持電容、和基于保持在所述保持電容中的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述電光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；第 一掃描電路，配置以選擇性地向電源線提供第 一 電勢(shì)和比第 一 電勢(shì)低 的第二電勢(shì)，該電源線放置在所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中并向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流；第二掃描電路，配置以通過(guò)驅(qū)動(dòng)所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中的所述寫入晶體管來(lái)以行為單位選擇性地提供所述像素陣列單元的各像素；以及選擇電路，配置以向放置在所述像素陣列單元的每列中的信號(hào)線選擇性 地提供所述視頻信號(hào)、作為所述視頻信號(hào)的基準(zhǔn)的第一偏置電壓、和不同于 所述第一偏置電壓的第二偏置電壓，所述驅(qū)動(dòng)方法包括在選擇所述第二電勢(shì)的時(shí)段內(nèi)，選擇所述第二偏置電壓并將所述寫入晶 體管設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)；接下來(lái)從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)；接下來(lái)選擇所述第一偏置電壓來(lái)代替所述第二偏置電壓；以及 然后將所述寫入晶體管設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)。
5. —種具有顯示設(shè)備的電子設(shè)備， 其中所述顯示設(shè)備包括通過(guò)以矩陣形式排列各像素形成的像素陣列單元，所述各像素包括電光 元件、寫入視頻信號(hào)的寫入晶體管、保持由所述寫入晶體管寫入的所述視頻 信號(hào)的保持電容、和基于保持在所述保持電容中的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述電 光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；第 一掃描電路，配置以選擇性地向電源線提供第 一 電勢(shì)和比所述第一電 勢(shì)低的第二電勢(shì)，該電源線放置在所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中并向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流；第二掃描電路，配置以在選擇所述第二電勢(shì)的時(shí)段內(nèi)將所述寫入晶體管 設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，并在從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)后使得所述寫入 晶體管轉(zhuǎn)變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)通過(guò)在所述像素陣列單元的每個(gè)像素行中驅(qū)動(dòng)所述寫入晶體管，以行為單元選擇所述像素陣列單位的像素；以及選擇電路，配置以向放置在所述像素陣列單元的每列中的信號(hào)線選擇性 地提供所述視頻信號(hào)、作為所述視頻信號(hào)的基準(zhǔn)的第一偏置電壓、和不同于所述第一偏置電壓的第二偏置電壓，并且配置以至少當(dāng)在選擇所述第二電勢(shì) 的時(shí)段內(nèi)、當(dāng)所述寫入晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)選擇所述第二偏置電壓，并且 配置以在從所述第二電勢(shì)改變?yōu)樗龅谝浑妱?shì)之后和所述寫入晶體管轉(zhuǎn)變到 非導(dǎo)通狀態(tài)之前選擇所述第一偏置電壓來(lái)代替所述第二偏置電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備。該顯示設(shè)備包括像素陣列單元、第一掃描電路、第二掃描電路和選擇電路。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101325023SQ20081012598
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月15日
發(fā)明者三并徹雄, 內(nèi)野勝秀, 谷龜貴央, 飯?zhí)镄胰?申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社