驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法

文檔序號(hào)：2546351閱讀：360來源：國知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>辦公文教;裝訂;廣告設(shè)備的制造及其產(chǎn)品制作工藝

專利名稱：驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法。
背景技術(shù)：
在將有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件(下文在應(yīng)用時(shí)為簡(jiǎn)略起見，簡(jiǎn)稱為"有才幾EL元
簡(jiǎn)稱為"有機(jī)EL顯示器件")中，依照使其流過有機(jī)EL元件的電流的值控制有機(jī)EL元件的亮度。此外，與液晶顯示器件的情況類似，簡(jiǎn)單矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)也被公認(rèn)為有機(jī)EL顯示器件中的驅(qū)動(dòng)方法。盡管有源矩陣系統(tǒng)存在結(jié)構(gòu)比基于簡(jiǎn)單矩陣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的缺點(diǎn)，但它也具有可以獲得具有光亮度的圖像等的各種各樣優(yōu)點(diǎn)。
來自已
公開日本專利第2006-215213號(hào)的由五個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成的驅(qū)動(dòng)電路(叫做5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)被公認(rèn)為驅(qū)動(dòng)構(gòu)成有機(jī)EL元件的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"場(chǎng)致發(fā)光部分")的電路。如圖 16所示，5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路由寫入晶體管TRw、驅(qū)動(dòng)晶體管TRD、第一晶體管 TRp第二晶體管TR2和第三晶體管TR3的五個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分C！組成。這里，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD—側(cè)的源極/漏極區(qū)構(gòu)成第二節(jié)點(diǎn)ND2，并且驅(qū) 動(dòng)晶體管TRD的柵極構(gòu)成第一節(jié)點(diǎn)NDj。
例如，寫入晶體管TRw、驅(qū)動(dòng)晶體管TRo、第一晶體管TR!、第二晶體管TR2和第三晶體管TR3中的每一個(gè)由n溝道薄膜晶體管(TFT)組成，并且場(chǎng)致發(fā)光部分ELP配備在為了覆蓋驅(qū)動(dòng)電路而形成的層間絕緣膜等上。場(chǎng) 致發(fā)光部分ELP的陽極與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo—側(cè)的源極/漏極區(qū)連接。另一方面，將電壓Vcat(例如，0 V)施加到場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陰極上。在圖16中，標(biāo)號(hào)CEL表示驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的電容。
如圖17的概念圖所示，有機(jī)EL顯示器件包括 (1 )掃描電路101; (2)信號(hào)輸出電路102;
(3 )每一個(gè)包括場(chǎng)致發(fā)光部分ELP和驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的驅(qū)動(dòng)電路的(MxN)個(gè)有機(jī)EL元件；
(4)每一條與掃描電路101連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線
SCL;
(5 )每一條與信號(hào)輸出電路102連接和沿著與第一方向不同的第二方向 (尤其，沿著與第一方向垂直相交的方向)延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL;
(6) 電源部分100;
(7) 第一晶體管控制電路lll;
(8) 第二晶體管控制電路112;和
(9) 第三晶體管控制電路113。
這里，沿著第一方向布置N個(gè)有機(jī)EL元件10,并且沿著第二方向布置 M個(gè)有機(jī)EL元件，也就是說，在二維矩陣中布置(MxN)個(gè)有機(jī)EL元件。應(yīng)該注意到，盡管為了簡(jiǎn)便起見，在圖17中示出了 (3x3)個(gè)有機(jī)EL元件 10, 4旦這僅<又是舉例。
圖18示意性地示出了有機(jī)EL元件10中驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖；此外，圖 19A到191示意性地示出了寫入晶體管TRW、驅(qū)動(dòng)晶體管TRD、第一晶體管 TR,、第二晶體管TR2和第三晶體管TR3的接通/關(guān)斷狀態(tài)等。如圖18所示，在[時(shí)間間隔-TP(5)d內(nèi)進(jìn)行進(jìn)行閾電壓消除處理的預(yù)處理。也就是說，依照第二晶體管控制電路112的第三晶體管控制電路112的操作，將第二晶體管控制線AZ2和第三晶體管控制線AZ3的每個(gè)電位設(shè)置在高電平上。其結(jié)果是，如圖19B所示，接通第二晶體管TR2和第三晶體管TR3中的每一個(gè)，以便將第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位設(shè)置在V他上(例如，0V)。另一方面，將第二節(jié)點(diǎn) ND2上的電位設(shè)置在Vss上(例如，-10 V)。其結(jié)果是，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的電位差變成等于或高于驅(qū) 動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth (例如，3 V)。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd保持在接通狀態(tài)。
接著，如圖18所示，在[時(shí)間間隔-TP(5)2]內(nèi)進(jìn)行閾電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(5)J內(nèi)和結(jié)束之前，將第二晶體管控制線AZ2的電位設(shè)置在低電平上，從而如圖19C所示，關(guān)斷第二晶體管TR2。在保持第三晶體管TR3的導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)，在[時(shí)間間隔-TP(5)2]開始時(shí)，依照第一晶體管控制電路111 的操作將第一晶體管控制線CL!的電位設(shè)置在高電平上。其結(jié)果是，如圖19D 所示，導(dǎo)通第一晶體管TR!。其結(jié)果是，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位朝從第一節(jié) 點(diǎn)ND,上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高了。此外，當(dāng)驅(qū)動(dòng) 晶體管TRo的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的電位差達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth時(shí)，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管TRD。在這種狀態(tài)下，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位近似保持在(Vofs-Vth)上。此后，在[時(shí)間間隔-TP(5)3] 內(nèi)，在第三晶體管TR3保持在導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)，依照第一晶體管控制電路111 的操作將第一晶體管控制線CI^的電位設(shè)置在低電平上。其結(jié)果是，如圖19E 所示，關(guān)斷第一晶體管TRt。接著，在[時(shí)間間隔-TP(5)4]內(nèi)，依照第三晶體管控制電路113的操作將第三晶體管控制線AZ3設(shè)置在低電平上，從而如圖 IOF所示，關(guān)斷第三晶體管TR3。
接著，如圖18所示，在[時(shí)間間隔-TP(5)5]內(nèi)進(jìn)行將數(shù)據(jù)寫入驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的處理。具體地說，如圖19G所示，在第一晶體管TRp第二晶體管 TR2和第三晶體管TR3中的每一個(gè)保持在關(guān)斷狀態(tài)的同時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù) 線DTL的電位設(shè)置在與視頻信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電壓[用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP 中的亮度的視頻信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)、亮度信號(hào))的電壓VsiJ上。接著，將相應(yīng) 一條掃描線SCL的電位-沒置在高電平上，從而導(dǎo)通寫入晶體管TRw。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)NDt上的電位升高到VSig。將基于第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位的變化的電荷分配給電容器部分Ct、場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL和驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的寄生電容。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位發(fā)生變化，以便跟隨第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位變化。但是，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位變化隨場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL的電容值變大而變小。一般說來，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL的電容值大于電容器部分C, 和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的寄生電容每一個(gè)的電容值。然后，當(dāng)假設(shè)第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位幾乎不變時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD中的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的電位差Vp通過表達(dá)式(1 )表達(dá)
<formula>formula see original document page 7</formula> …(1)此后，如圖18所示，在[時(shí)間間隔-TP(5)6]內(nèi)進(jìn)行遷移率校正處理。在遷移率校正處理中，使驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū) 上的電位(即第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位)依照驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的特性(譬如，遷移率ILi的幅度)升高。具體地說，如圖19H所示，在寫入晶體管TRw保持在導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)，依照第一晶體管控制線111的操作導(dǎo)通第一晶體管TR,。接著，在經(jīng)過了預(yù)定時(shí)間(to)之后，關(guān)斷寫入晶體管TRw。其結(jié)果是，當(dāng) 驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的遷移率p的值大時(shí)，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo中的場(chǎng)致發(fā)光部分 ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)上升高的電位量AV (電位校正值)變大。另一方面，當(dāng) 驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的遷移率iLi的值小時(shí)，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo中的場(chǎng)致發(fā)光部分 ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)上升高的電位量AV (電位校正值)變小。這里，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD中的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的電位差Vgs從表達(dá)式(1)轉(zhuǎn)變成表達(dá)式(2):
Vgs VSig - (V0fs - Vth) - AV …(2)
應(yīng)該注意到，當(dāng)設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器件時(shí)，必須事先計(jì)算進(jìn)行遷移率校正處理所需的預(yù)定時(shí)間([時(shí)間間隔-TP(5)6]的總時(shí)間t0 )作為設(shè)計(jì)值。
通過進(jìn)行上面的對(duì)乘作，全面完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理。此外，在隨后的[時(shí)間間隔-TP(5)7]內(nèi)，寫入晶體管TRw保持在關(guān) 斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)ND!，即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極保持在浮置狀態(tài)。另一方面，第一晶體管TR,保持在導(dǎo)通狀態(tài)，因此，第一晶體管TR1的源極 /漏極區(qū)之一保持在與電源部分(例如，電壓Vcc20 V)連接以便控制場(chǎng)致發(fā) 光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光的狀態(tài)。因此，作為上文的結(jié)果，如圖18所示，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高，以便在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極中發(fā)生與所謂自舉電路中相同的現(xiàn)象。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位也升高。其結(jié)果是，驅(qū)動(dòng) 晶體管TRD中的柵極與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP側(cè)的源極/漏極區(qū)之間的電位差Vgs 保持表達(dá)式(2)中的值。另外，使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流是使其從驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的漏極區(qū)流到源極區(qū)的漏極電流Ids。因此，當(dāng)假設(shè)驅(qū)動(dòng)晶體管TRo在飽和區(qū)中理想地工作時(shí)，漏極電流Ids可以通過表達(dá)式(3)給出
Ids = k卞.(Vgs - Vth)2
=k.|a'(Vgs-Vth-AV)2 …(3)
如圖19I所示，使漏極電流Ids流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP。此外，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP發(fā)出亮度與漏極電流Ids的值相對(duì)應(yīng)的光。

發(fā)明內(nèi)容
在閾電壓消除處理完成之前有必要對(duì)構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管進(jìn)行導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的切換。但是，在掃描電路等中消耗的功率與切換晶體管的導(dǎo)通
狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的次數(shù)相對(duì)應(yīng)地增加。另外，除了使場(chǎng)致發(fā)光部分ELP發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管和視頻信號(hào)寫入晶體管之外，如圖16所示的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步需要三個(gè)晶體管。因此，該驅(qū)動(dòng)電路的配置是復(fù)雜的。從使有機(jī)EL顯示器件易于制造和提高合格率的觀點(diǎn)來看，有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的配置最好簡(jiǎn)單些。
因此，根據(jù)上文，大家的愿望是提供一種能夠使驅(qū)動(dòng)電路的配置簡(jiǎn)單些，并且減少切換構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的次數(shù)，而不會(huì)對(duì) 閾電壓消除處理造成問題的驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述愿望，提供了一種按照本發(fā)明的實(shí)施例驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，其中，驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的電路包括
(A) 包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的驅(qū)動(dòng)晶體管；
(B) 包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的寫入晶體管；和
(C) 包括一對(duì)電極的電容器部分；在驅(qū)動(dòng)晶體管中，
(A-l)將源極/漏極區(qū)之一與電源部分連接；
(A-2 )將源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與配備在有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分中的陽
極連接，并且與電容器部分的一對(duì)電極之一連接，從而形成第二節(jié)點(diǎn)；和
(A-3)將柵極與寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)連接，并且與電容
器部分的一對(duì)電極的另一個(gè)連接，從而形成第一節(jié)點(diǎn)；在寫入晶體管中，
(B-l)將源極/漏極區(qū)之一與相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線連接；和 (B-2)將柵極與相應(yīng)一條掃描線連接；通過使用驅(qū)動(dòng)電路，執(zhí)行如下步驟
(a)進(jìn)行預(yù)處理以初始化第一節(jié)點(diǎn)上的電位和第二節(jié)點(diǎn)上的電位，以便第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差超過驅(qū)動(dòng)晶體管的闊電壓，并且第二節(jié)點(diǎn)
與配備在有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分中的陰極之間的電位差不超過有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光
發(fā)射部分的闊電壓；(b) 進(jìn)行閾電壓消除處理以在保持第一節(jié)點(diǎn)上的電位的狀態(tài)下，將比從第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上，從而至少一次地朝從第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電位的方向改變第二節(jié)點(diǎn)上的電
位；
(c) 進(jìn)行寫入處理以通過寫入晶體管將視頻信號(hào)從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線供應(yīng) 給第一節(jié)點(diǎn)；和
(d) 關(guān)斷寫入晶體管，將第一節(jié)點(diǎn)設(shè)置在浮置狀態(tài)下，從而使與第一節(jié) 點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差的值相對(duì)應(yīng)的電流通過驅(qū)動(dòng)晶體管從電源部分流到有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分；
該驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟
在至少連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行從步驟(a)到步驟(c)的步驟；
在每個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上，并且供應(yīng)視頻信號(hào)取代第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓；
在步驟(a)中，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上，從而初始化第一節(jié)點(diǎn)上的電位；和
在步驟(b)中，保持通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上的狀態(tài)，從而保持第一節(jié)點(diǎn)上的電位。
少執(zhí)行一次輔助自舉處理以在從預(yù)處理完成到打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行使第二節(jié)點(diǎn)上的電位升高的閾電壓消除處理開始的時(shí)間間隔內(nèi)，將比在步驟(b)中從施加到第一節(jié)點(diǎn)上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從電源部分施加到源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，在一個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)關(guān)斷寫入晶體管，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn) 上的電位升高。
在本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法中，在從預(yù)處理完成到打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行的閣電壓消除處理開始的時(shí)間間隔內(nèi)至少執(zhí)行一次輔助自舉處理。在輔助自舉處理中，寫入晶體管在一個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)保持在關(guān)斷狀態(tài)。因此，如后所述，與不包括輔助自舉處理的驅(qū)動(dòng)方法相比，可以減少切換構(gòu)成驅(qū)動(dòng) 電路的晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的次數(shù)。另外，當(dāng)在執(zhí)行了輔助自舉處理
10之后執(zhí)行閾電壓消除處理時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)上的電位基本上朝目標(biāo)電位(更具體
地說，與在步驟(b)中從施加到第一節(jié)點(diǎn)上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓中減去驅(qū)
動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓相對(duì)應(yīng)的電位)的方向變化，以便跟隨進(jìn)行輔助自舉處理升高的電位。因此，除非第二節(jié)點(diǎn)上的電位隨輔助自舉處理升得過高，不致于妨礙閾電壓消除處理的操作。應(yīng)該注意到，在輔助自舉處理中，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)上的電位也升高。但是，在閾電壓消除處理中，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上。因此，即使第一節(jié)點(diǎn)上的電位在輔助自舉處理中升高，閾電壓消除處理的操作也不致于受到妨礙。
在閾電壓消除處理中，將比從第一節(jié)點(diǎn)上的電位(換句話說，第一節(jié)點(diǎn)
初始化電壓)中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓(例如，20 V) 從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。在輔助自舉處理中，也將相同的電壓從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。這里，將在將像第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓(例如，0V)那樣的低壓施加到第一節(jié)點(diǎn)上的狀態(tài)下第二節(jié)點(diǎn)上的電位的上升速度與第一節(jié)點(diǎn)處在浮置狀態(tài)時(shí)第二節(jié)點(diǎn)上的
電位的上升速度相比，后者定量地高于前者。因此，進(jìn)行輔助自舉處理可以使第二節(jié)點(diǎn)上的電位更迅速升高。其結(jié)果是，還提供了可以在短時(shí)間間隔內(nèi) 進(jìn)行閾電壓消除處理的優(yōu)點(diǎn)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，從步驟(a)到步驟(c)的步驟可以在連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行，或者可以在比連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔長(zhǎng) 的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行。例如，在從預(yù)處理完成到打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理開始的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行的輔助自舉處理的次數(shù)可以依
設(shè)置。另外，當(dāng)多次進(jìn)行輔助自舉處理時(shí)，可以連續(xù)多次地進(jìn)行輔助自舉處理，或可以在輔助自舉處理與下一次輔助自舉處理之間進(jìn)行另一種處理。例如，可以在初始化完成之后進(jìn)行第一次輔助自舉處理，接著，可以連續(xù)兩次地進(jìn)行輔助自舉處理，此后，可以進(jìn)行打算正好在寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理。或者，可以示范在初始化完成之后進(jìn)行第一次閾電壓消除處理的結(jié)構(gòu)。接著，進(jìn)行一次輔助自舉處理，此后，進(jìn)行第二次閾電壓消除處理，接著，再進(jìn)行一次輔助自舉處理，然后進(jìn)行打算在寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理。按什么次序多次進(jìn)行輔助自舉處理必須依照應(yīng)用按照本發(fā)明實(shí)
ii施例的驅(qū)動(dòng)方法的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。
(1) 掃描電路；
(2) 信號(hào)輸出電路；
(3) 布置在二維矩陣中的(NxM)個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，沿著第一方向布置N個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，沿著與第一方向不同的第二方向布置M個(gè)有才幾場(chǎng)致發(fā)光元件，(NxM )個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件中的每一個(gè)包括有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā) 射部分和驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的驅(qū)動(dòng)電路；
(4) 每一條與掃描電路連接以便沿著第一方向延伸的M條掃描線；
(5) 每一條與視頻信號(hào)輸出電路連接以便沿著第二方向延伸的N條數(shù) 據(jù)線；和
(6) 電源部分。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，在預(yù)定掃描時(shí)間間隔內(nèi)，將第一節(jié) 點(diǎn)初始化電壓施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上，接著，將視頻信號(hào)施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上，取代施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓。當(dāng)執(zhí)行步驟(a)時(shí)，可以在施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上的電壓切換成第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓之后導(dǎo)通寫入晶體管?；蛘撸梢栽趫?zhí)行步驟(a)的掃描時(shí)間間隔開始之前依照通過相應(yīng)一條掃描線發(fā)送的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管，并且在這種狀態(tài)下，可以執(zhí)行步驟(a)。在后一種結(jié)構(gòu)的情況下，第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓一施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上就初始化第一節(jié)點(diǎn)上的電位。在施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上的電壓切換成第一節(jié) 點(diǎn)初始化電壓之后導(dǎo)通寫入晶體管的前一種結(jié)構(gòu)的情況下，必須將時(shí)間分配給預(yù)處理，包括等待切換所需的時(shí)間。另一方面，在后一種結(jié)構(gòu)的情況下，因?yàn)椴恍枰却袚Q所需的時(shí)間，所以可以在較短時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理。其結(jié)果是，可以將較長(zhǎng)的時(shí)間分配給為了跟隨預(yù)處理而執(zhí)行的閾電壓消除處理等。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，當(dāng)通過進(jìn)行打算正好在寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理，使第二節(jié)點(diǎn)上的電位達(dá)到從第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電位時(shí)，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管。另一方面，當(dāng)?shù)?二節(jié)點(diǎn)上的電位未達(dá)到從第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電位時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差大于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓，因此不關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管。在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，作為進(jìn)行打算正好在進(jìn)行寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理的結(jié)果，未必要求關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管。應(yīng)該注意到，一完成閾電壓消除處理就可以進(jìn)行寫入處理，或者可以隔一段時(shí)間進(jìn)行寫入處理。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，在步驟(d)中，依照來自相應(yīng)一條掃描線的信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管。這個(gè)定時(shí)與將預(yù)定電壓(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"驅(qū)動(dòng)電壓")從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上以便使電流流過有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的定時(shí)之間的前后關(guān)系沒有特別限制。例如，在關(guān)斷寫入晶體管之后，可以馬上或隔預(yù)定時(shí)間將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。或者，可以在將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極 /漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下關(guān)斷寫入晶體管。在后一種情況下，在將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，存在將視頻信號(hào)從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線供應(yīng)給第一節(jié)點(diǎn)的時(shí)間間隔。在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)，執(zhí)行使第二節(jié)點(diǎn)上的電位與驅(qū)動(dòng)晶體管的特性相對(duì)應(yīng)地升高的遷移率校正處理的操作。
如上所述的驅(qū)動(dòng)電壓和在步驟(b)中施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū) 之一上的電壓可以相互不同。但是，從減少電源部分供應(yīng)的電壓種類的觀點(diǎn)
來看，電源部分最好在步驟(b)和步驟(d)中將相同驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng) 晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。
另外，在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，可以在將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū) 動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下執(zhí)行步驟(c)。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，與上述的遷移率校正處理一起進(jìn)行寫入處理。
盡管后面將描述驅(qū)動(dòng)電路的細(xì)節(jié)，但有關(guān)驅(qū)動(dòng)電路可以配置成驅(qū)動(dòng)電路由兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分(叫做2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)，三個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分(叫做3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)，或四個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分(叫做4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)組成的形式。在任何一種驅(qū)動(dòng)電路中，與如圖16所示的驅(qū)動(dòng)電路相比，晶體管的數(shù)量都減少了，因此，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路的配置。
(1 )掃描電路；
(2) 信號(hào)輸出電路；
(3) 布置在二維矩陣中的(NxM)個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，沿著第一方向布置N個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，沿著與第一方向不同的第二方向布置M個(gè)有機(jī) 場(chǎng)致發(fā)光元件，(NxM )個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件中的每一個(gè)包括有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分和驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的驅(qū)動(dòng)電路；
(4)每一條與掃描電路連接以便沿著第一方向延伸的M條掃描線； (5 )每一條與信號(hào)輸出電路連接以便沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；
和
(6)電源部分。
此外，每個(gè)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"有機(jī)EL元件")由包括驅(qū)動(dòng)晶體管、寫入晶體管和電容器部分的驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分組成。
機(jī)EL顯示器件，，)可以采用適用于所謂單色顯示的配置，或一個(gè)像素由多個(gè) 子像素組成的配置，具體來說，一個(gè)像素由紅光發(fā)射子像素、綠光發(fā)射子像素和藍(lán)光發(fā)射子像素的三個(gè)子像素組成的形式。此外，一個(gè)像素也可以由將一種或數(shù)種子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素(例如，將發(fā)出白光以便提高亮度的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素、將發(fā)出補(bǔ) 色光以便擴(kuò)大顏色再現(xiàn)范圍的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素、或?qū)⒎謩e發(fā)出黃光和青色光的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素)組成。
在本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器件中，像掃描電路和信號(hào)輸出電路那樣各種類型的電路、像掃描線和數(shù)據(jù)線那樣的連線、電源部分和有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"場(chǎng)致發(fā)光部分，，)可以具有眾所周知的配置和結(jié) 構(gòu)。具體地說，例如，場(chǎng)致發(fā)光部分可以由陽極、空穴輸運(yùn)層、場(chǎng)致發(fā)光層、電子輸運(yùn)層和陰極等組成。
可以給出n溝道薄膜晶體管(TFT)作為構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管。驅(qū)動(dòng) 電路可以是增強(qiáng)型的或耗盡型的。在n溝道晶體管的情況下，可以在其中形成輕度摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。在一些情況下，可以非對(duì)稱地形成LDD結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)有機(jī)EL元件發(fā)光時(shí)，使大電流流過驅(qū)動(dòng)晶體管。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管可以采用以這樣的方式非對(duì)稱地形成LDD結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，即只在源極/漏極區(qū)的一側(cè)形成LDD結(jié)構(gòu)，在場(chǎng)致發(fā)光階段成為漏極區(qū)側(cè)。應(yīng)該注意到，視情況而定，例如，p溝道薄膜晶體管也可以用作寫入晶體管等。
構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的電容器部分可以由一個(gè)電極、相對(duì)電極和夾在它們之間的介電層(絕緣層)組成。例如，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的上述晶體管和電容器部分在某個(gè)平面內(nèi)形成(例如，在支承體上形成)，并且通過層間絕緣層在構(gòu)成驅(qū) 動(dòng)電路的晶體管和電容器部分上形成場(chǎng)致發(fā)光部分。另外，例如，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)通過接觸孔與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分中的陽極連接。應(yīng)該注意到，也可以采用在半導(dǎo)體基底等上形成晶體管的結(jié)構(gòu)。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，在從預(yù)處理完成到打算正好在寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理開始的時(shí)間間隔內(nèi)至少執(zhí)行一次輔助自舉處理。在輔助自舉處理中，寫入晶體管在一個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)保持在關(guān)斷狀態(tài)。因此，與不包括輔助自舉處理的驅(qū)動(dòng)方法的情況相比，可以減少切換構(gòu)成驅(qū) 動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的次數(shù)。另外，當(dāng)在完成了輔助自舉處理之后執(zhí)行閾電壓消除處理時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)上的電位基本上朝目標(biāo)電位的方向變化，以便跟隨進(jìn)行輔助自舉處理升高的電位。因此，除非第二節(jié)點(diǎn)上的電位因進(jìn)行輔助自舉處理而升得過高，闊電壓消除處理的操作不致于受到妨礙。應(yīng)該注意到，在輔助自舉處理中，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)上的電位也升高。但是，在閾電壓消除處理中，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電位從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上。因此，即使第一節(jié)點(diǎn)上的電位在輔助自舉處理中升高，閾電壓消除處理的操作也不致于受到妨礙。
在閾電壓消除處理中，將比從第一節(jié)點(diǎn)上的電位(換句話說，第一節(jié)點(diǎn)
初始化電壓)中減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓(例如，20V) 從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。在輔助自舉處理中，也將相同的電壓從電源部分施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)之一上。這里，將在將像第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓(例如，0V)那樣的低壓施加到第一節(jié)點(diǎn)上的狀態(tài)下第二節(jié)點(diǎn)上的電位的上升速度與第一節(jié)點(diǎn)保持在浮置狀態(tài)時(shí)第二節(jié)點(diǎn)上
的電位的上升速度相比，后者定量地高于前者。因此，進(jìn)行輔助自舉處理可以使第二節(jié)點(diǎn)上的電位更迅速升高。其結(jié)果是，還提供了可以在短時(shí)間間隔
內(nèi)進(jìn)行閾電壓消除處理的優(yōu)點(diǎn)。

圖1是第1實(shí)施例中由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電^各圖2是第1實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器件的概念圖3是第1實(shí)施例中的有機(jī)EL元件的一部分的示意性局部截面圖；圖4是示意性地說明第1實(shí)施例中的有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序
圖5A到圖5M分別是示意性地示出構(gòu)成第1實(shí)施例中的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的電路圖6是示意性地說明比較例子的有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖7A和圖7B分別是示意性地示出構(gòu)成比較例子的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng) 電路的晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的電路圖8是第2實(shí)施例中由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電if各圖9是第2實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器件的概念圖IO是示意性地說明第2實(shí)施例中的有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序
圖IIA到圖IIN分別是示意性地示出構(gòu)成第2實(shí)施例中的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的電路圖12是第3實(shí)施例中由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路的等歲丈電路圖13是第3實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器件的概念圖14是示意性地說明第3實(shí)施例中的有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序'
圖15A到圖150分別是示意性地示出構(gòu)成第3實(shí)施例中的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的電路圖16是現(xiàn)有技術(shù)中由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖17是現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)EL顯示器件的概念圖18是示意性地說明現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖；和
圖19A到圖191分別是示意性地示出構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的電路圖。
具體實(shí)施例方式
盡管在下文中將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，但在此之前將描述用在
16每個(gè)實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器件的概況。
適合用在每個(gè)實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器件是包括多個(gè)像素的有機(jī)EL顯示器件。此外，一個(gè)像素由多個(gè)子像素(在每個(gè)實(shí)施例中，發(fā)出紅光的子像素、發(fā)出綠光的子像素和發(fā)出藍(lán)光的子像素作為三個(gè)子像素)組成。每個(gè)子像素由具有將驅(qū)動(dòng)電路11和與驅(qū)動(dòng)電路11連接的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分(場(chǎng) 致發(fā)光部分ELP)疊在一起獲得的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件IO組成。圖1示出了第1實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖2示出了有機(jī)EL顯示器件的概念圖。圖8示出了第2實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖9示出了有機(jī)EL顯示器件的概念圖。此外，圖12示出了第3實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖13示出了有機(jī)EL顯示器件的概念圖。注意，如圖 1所示的驅(qū)動(dòng)電路是主要由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路，如圖8所示的驅(qū)動(dòng)電路是主要由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng)電路，并且如圖12所示的驅(qū)動(dòng)電路是主要由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器部分組成的驅(qū)動(dòng) 電路。
這里，第1到第3實(shí)施例每一個(gè)中的有機(jī)EL顯示器件包括 (1 )掃描電路101; (2)信號(hào)輸出電路102; (3 ) ( MxN )個(gè)有機(jī)EL元件10;
(4) 每一條與掃描電路101連接和沿著第一方向(在每個(gè)實(shí)施例中，水平方向)延伸的M條掃描線SCL;
(5) 每一條與信號(hào)輸出電路102連接和沿著第二方向(尤其，在每個(gè)實(shí) 施例中，沿著與第一方向垂直相交的方向，即，垂直方向)延伸的N條lt據(jù) 線DTL;和
(6) 電源部分100。
在這種情況下，沿著第一方向布置N個(gè)有機(jī)EL元件10，并且沿著第二方向布置M個(gè)有機(jī)EL元件10，也就是說，在二維矩陣中布置(MxN)個(gè)有機(jī)EL元件IO。應(yīng)該注意到，盡管在圖2、 9和13中的每一個(gè)例示了 (3x3) 個(gè)有機(jī)EL元件10,但這僅僅是舉例。
場(chǎng)致發(fā)光部分ELP具有含有陽極、空穴輸運(yùn)層、場(chǎng)致發(fā)光層、電子輸運(yùn) 層和陰極等的眾所周知結(jié)構(gòu)。掃描電路101、信號(hào)輸出電路102、掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL和電源部分IOO可以具有眾所周知的配置和結(jié)構(gòu)。另外，如圖$和13所示的第一晶體管控制電路111和第一晶體管控制線CL和如圖9所示的第二晶體管控制電路112和第二晶體管控制線AZ2也可以分別具有眾所周知的配置和結(jié)構(gòu)。
假定驅(qū)動(dòng)電路含有最少組成元件，驅(qū)動(dòng)電路至少包括(A)驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD、 (B)寫入晶體管TRw和含有一對(duì)電極的電容器部分d。驅(qū)動(dòng)晶體管 TRo由包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT組成。另外，寫入晶體管TRw也由包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT組成。應(yīng)該注意到，寫入晶體管TRw也可以由p溝道TFT組成。
這里，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo中， (A-l )將源極/漏極區(qū)之一與電源部分100連接；
(A-2)將源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陽極連接，并且與電容器部分d的一對(duì)電極之一連接，從而形成第二節(jié)點(diǎn)ND2;和
(A-3)將柵極與寫入晶體管TRw的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)連接，并且與電容器部分d的一對(duì)電極的另一個(gè)連接，從而形成第一節(jié)點(diǎn)ND!; 另外，在寫入晶體管TRw中，
(B-l)將源極/漏極區(qū)之一與相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL連接；和 (B-2 )將柵極與相應(yīng)一條掃描線SCL連接。
圖3示出了有機(jī)EL元件10的一部分的示意性局部截面圖。在支承體20 上形成構(gòu)成有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)電路11的寫入晶體管TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管 TRo和電容器部分d。例如，通過層間絕緣層40在構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路11的寫入晶體管TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo和電容器部分d上形成場(chǎng)致發(fā)光部分ELP。另夕卜，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)通過接觸孔與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陽極連接。應(yīng)該注意到，圖3只例示了驅(qū)動(dòng)晶體管TRD。因此，看不到其它晶體管。
更具體地說，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo由柵極31、柵極絕緣層32、半導(dǎo)體層33、配備在半導(dǎo)體層33中的源極/漏極區(qū)35和源極/漏極區(qū)35之間的一部分半導(dǎo) 體層33與相對(duì)應(yīng)的溝道形成層34組成。另一方面，電容器部分d由相對(duì)電極36、由柵極絕緣層32的延伸部分構(gòu)成的介電層和一個(gè)電極37 (與第二節(jié) 點(diǎn)ND2相對(duì)應(yīng))組成。柵極31、一部分柵極絕緣層32和構(gòu)成電容器部分d 的相對(duì)電極36都在支承體20上形成。驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)35之一與連線38連接，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)35的另一個(gè)與一個(gè)電極37 (與第二節(jié)點(diǎn)ND2相對(duì)應(yīng))連接。驅(qū)動(dòng)晶體管TRD和電容器部分d等被層間絕緣膜40覆蓋。此外，在層間絕緣層40上形成由陽極51、空穴輸運(yùn) 層、場(chǎng)致發(fā)光層、電子輸運(yùn)層和陰極53組成的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP。應(yīng)該注意到，在圖3中，以一層52的形式例示了空穴輸運(yùn)層、場(chǎng)致發(fā)光層和電子輸運(yùn) 層。在未配備場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的一部分層間絕緣膜40上配備第二層間絕緣層54。此外，在第二層間絕緣層54和陰極53上布置透明基底21,以便從場(chǎng)致發(fā)光層發(fā)出的光穿過透明基底21發(fā)射到外部。應(yīng)該注意到，一個(gè)電極 37 (第二節(jié)點(diǎn)ND2)和陽極51通過在層間絕緣膜40中形成的接觸孔相互連接。另外，陰極53通過分別在第二層間絕緣層54和第一層間絕緣層40中形成的通孔56和55與配備在柵極絕緣層32的延伸部分上的連線39連接。
有機(jī)EL顯示器件由布置在二維矩陣中的(N/3)xM個(gè)像素組成。一個(gè)像素由三個(gè)子像素(發(fā)出紅光的子像素、發(fā)出綠光的子像素和發(fā)出藍(lán)光的子像素) 組成。假設(shè)依照行順序制驅(qū)動(dòng)構(gòu)成各個(gè)像素的有機(jī)EL元件10,并且顯示幀速率是FR(次每秒)。也就是說，同時(shí)驅(qū)動(dòng)構(gòu)成布置在第m行(m- 1, 2， 3，…， M)中的(N/3)個(gè)像素(N個(gè)子像素)的有機(jī)EL元件IO。換句話說，在構(gòu) 成一行的有機(jī)EL元件10中，以它們所屬的行為單位控制它們的場(chǎng)致發(fā)光/ 非場(chǎng)致發(fā)光的定時(shí)。注意，將視頻信號(hào)寫入構(gòu)成一行的像素中的處理可以是同時(shí)將視頻信號(hào)寫入所有像素中的處理(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"同時(shí)寫入處理")或每個(gè)像素順序?qū)懭胍曨l信號(hào)的處理(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"順序?qū)懭?處理")。視驅(qū)動(dòng)電路的配置而定，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行同時(shí)寫入處理與順序?qū)懭胩幚?之間的選才奪。
這里，盡管原則上描述位于第m行和第n列(n=l， 2, 3,…，N)的有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)和操作，但這樣的有機(jī)EL元件10在下文中也^皮稱為第(n， m)有機(jī)EL元件10或第(n, m)子像素。此外，在布置在第m行中的有機(jī)EL元件10的水平掃描時(shí)間間隔(更具體地說，當(dāng)前顯示幀中的第 m水平掃描時(shí)間間隔(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"第m水平掃描時(shí)間間隔"))結(jié)束之前進(jìn)行各種類型的處理(閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理)。應(yīng)該注意到，寫入處理和遷移率校正處理需要基本上在第m水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行。另一方面，閾電壓消除處理和跟隨其后的預(yù)處理也可以在第m水平掃描時(shí)間間隔之前#1行。
此外，在完成了上述所有各種類型處理之后，分別使構(gòu)成布置在第m行中的各個(gè)有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分發(fā)光。應(yīng)該注意到，可以在完成了上述所述各種類型處理之后，馬上分別使場(chǎng)致發(fā)光部分發(fā)光，或者，可以在經(jīng)過了預(yù)定時(shí)間間隔(例如，多個(gè)預(yù)定行的預(yù)定時(shí)間間隔)之后分別使場(chǎng)致發(fā)光部分發(fā)光。視有機(jī)EL顯示器件的規(guī)范和驅(qū)動(dòng)電路的配置等而定，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置預(yù)定時(shí)間間隔。應(yīng)該注意到，在如下的描述中，為了便于描述起見，假設(shè)可以在完成了上述所述各種類型處理之后，馬上分別使場(chǎng)致發(fā)光部分發(fā)光。此外，連續(xù)進(jìn)行來自構(gòu)成布置在第m行中的各個(gè)有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分的發(fā)光，直到正好在布置在第(m + m')行中的有機(jī)EL元件10 的水平掃描時(shí)間間隔開始之前。這里，"m'"是根據(jù)有機(jī)EL顯示器件的設(shè)計(jì)規(guī) 范確定的。也就是說，連續(xù)進(jìn)行某個(gè)顯示幀的來自構(gòu)成布置在第m行中的各個(gè)有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分的發(fā)光，直到第(m + m' - 1 )水平掃描時(shí) 間間隔結(jié)束。另一方面，在從第(m + m')水平掃描時(shí)間間隔開始到第m水平掃描時(shí)間間隔的寫入處理和遷移率校正處理完成的時(shí)間間隔內(nèi)，通常，構(gòu) 成布置在第m行中的各個(gè)有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分每一個(gè)都保持非場(chǎng) 致發(fā)光狀態(tài)。上述非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)的時(shí)間間隔(下文在應(yīng)用時(shí)簡(jiǎn)稱為"非場(chǎng)致發(fā)光時(shí)間間隔")的設(shè)置導(dǎo)致有源矩陣驅(qū)動(dòng)之后的殘余圖像模糊減輕，因此可以使運(yùn)動(dòng)圖像的漸變更卓越。但是，每個(gè)子像素(有機(jī)EL元件10)的場(chǎng)致發(fā)光/非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)決不會(huì)局限于上述狀態(tài)。另外，水平掃描時(shí)間間隔的時(shí) 間長(zhǎng)度是比(l/FR)x(l/M)秒短的時(shí)間長(zhǎng)度。當(dāng)(m + m')的值超過M時(shí)，在下一個(gè)顯示幀中進(jìn)行(m + m')值超出部分的水平掃描時(shí)間間隔操作。
一個(gè)晶體管的兩個(gè)源極/漏極區(qū)中的"源極/漏極區(qū)之一"的術(shù)語在一些情況下用于指與電源側(cè)連接那一側(cè)的源極/漏極區(qū)。另外，措詞"晶體管保持在導(dǎo)通狀態(tài)，，指的是在源極/漏極區(qū)之間形成溝道。在這種情況下，是否讓電流從這樣晶體管的源極/漏極區(qū)之一流到它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)不是目的。另一方面，措詞"晶體管保持在關(guān)斷狀態(tài)，，指的是在源極/漏極區(qū)之間未形成溝道。另外，措詞"某個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)與另一個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)連接" 內(nèi)含地指某個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)和另一個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)占據(jù)相同區(qū)域的形式。此外，源極/漏極區(qū)可以由金屬、合金或?qū)щ娏Ｗ有纬?，以及?像內(nèi)含雜質(zhì)的多晶硅或非晶硅那樣的導(dǎo)電材料形成?；蛘?，源極/漏極區(qū)可以以它的發(fā)光結(jié)構(gòu)，即由有機(jī)材料(導(dǎo)電聚合物分子)形成的層的形式構(gòu)成。另外，在用在如下描述中的每個(gè)時(shí)序圖中，代表時(shí)間間隔的橫坐標(biāo)軸的長(zhǎng)度(時(shí)間長(zhǎng)度)是示意性長(zhǎng)度，因此不代表時(shí)間間隔的時(shí)間長(zhǎng)度的比例。
通過使用上述驅(qū)動(dòng)電路，第1到第3實(shí)施例每一個(gè)中的驅(qū)動(dòng)方法包含如
下步驟
(a)進(jìn)行初始化第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位，以便第一節(jié)點(diǎn)ND,與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差超過驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓 (如后所述的Vth )，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2與有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分ELP的陰極之間的電位差不超過有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分ELP的閾電壓(如后所述的 Vth_EL)的預(yù)處理；接著
(b )進(jìn)行在保持第一節(jié)點(diǎn)上的電位的狀態(tài)下，將比從第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100 施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上，從而至少一次地朝從第一節(jié)點(diǎn) ND,上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRu的閾電壓Vth獲得的電位的方向改變第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的閾電壓消除處理；
(c )進(jìn)行通過寫入晶體管TRw將視頻信號(hào)從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL供應(yīng) 給第一節(jié)點(diǎn)NDt的寫入處理；和
(d)關(guān)斷寫入晶體管，將第一節(jié)點(diǎn)ND,設(shè)置在浮置狀態(tài)下，從而使與第一節(jié)點(diǎn)NDi和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差的值相對(duì)應(yīng)的電流通過驅(qū)動(dòng)晶體管 TRo從電源部分100流到有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分ELP.
此外，在至少連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行從步驟(a)到步驟(c)的步驟，在每個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓(如后所述的Vofs) 施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上，接著施加視頻信號(hào)(如后所述的Vsig)取代施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓VOfs。
在步驟(a)中，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)NDi上，從而初始化第一節(jié) 點(diǎn)ND上的電位；和
在步驟(b)中，保持通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將第一節(jié) 點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND!上的狀態(tài)，從而保持第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位。
至少執(zhí)行一次在在從預(yù)處理完成到打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行使第二節(jié)點(diǎn)上的電位升高的閾電壓消除處理開始的時(shí)間間隔內(nèi)，將比在步驟(b)中
21從施加到第一節(jié)點(diǎn)上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRW的閾電壓獲得的電壓高的電壓從電源部分施加到源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，在一個(gè) 掃描時(shí)間間隔內(nèi)關(guān)斷寫入晶體管，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)上的電位升高的輔助自舉處理。
應(yīng)該注意到，盡管在第1到第3實(shí)施例中的每一個(gè)中，在正好在打算執(zhí) 行步驟(a)的掃描時(shí)間間隔之前的掃描時(shí)間間隔內(nèi)導(dǎo)通寫入晶體管TRw，并且在這種狀態(tài)下，接著執(zhí)行步驟(a)，但本不發(fā)明決不會(huì)局限于此。
在下文中，將根據(jù)第1到第3實(shí)施例描述驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的方法。
第1實(shí)施例
第1實(shí)施例涉及本發(fā)明驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法。在第1實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路以2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的形式配置。在第1實(shí)施例和如后所述的其它實(shí)施例中，應(yīng)該注意到，以在至少連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)才丸行從步驟 (a)到步驟(c)的步驟為前提給出描述。
圖1示出了 2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖2示出了有機(jī)EL顯示器件的概念圖。此外，圖4示意性地示出了驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖，圖5A到 5M示意性地示出了晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等，圖6示出了比較例子中的驅(qū) 動(dòng)操作的時(shí)序圖，并且圖7A和7B示意性地示出了比較例子中的每個(gè)晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等。
2Tr/1 C驅(qū)動(dòng)電路由寫入晶體管TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分Ci組成。
如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一與電源部分100連接。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與如下連接 [l]場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陽極；和 [2]電容器部分d的一對(duì)電極之一，
從而形成第二節(jié)點(diǎn)ND2。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與如下連接 [l]寫入晶體管TRw的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)；和 [2]電容器部分d的一對(duì)電極的另一個(gè)，從而形成第一節(jié)點(diǎn)ND!。 [寫入晶體管TRw]
如上所述，寫入晶體管TRW的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極連接。另一方面，寫入晶體管TRw的源極/漏極區(qū)之一與相應(yīng)一條數(shù)據(jù) 線DTL連接。此外，通過相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL將用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP 中的亮度的視頻信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)、亮度信號(hào))Vsig和第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V胎從信號(hào)輸出電路102供應(yīng)給寫入晶體管TRw的源極/漏極區(qū)之一。應(yīng)該注意到，可以將除了視頻信號(hào)Vsig和第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。ft之外的其它各種類型的信號(hào)和電壓(像用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)和各種類型的驅(qū)動(dòng)電壓那樣)供應(yīng) 給寫入晶體管TRW的源極/漏極區(qū)之一。另外，依照來自與寫入晶體管TRW 的柵極連接的相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)控制導(dǎo)通/關(guān)斷寫入晶體管TRw的操作。
在有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)下，依照表達(dá)式(4)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd,以便使漏極電流Ids流過。在有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū) 動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一用作漏極區(qū)，并且它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè) 用作源極區(qū)。為了便于描述起見，在如下描述中，在一些情況下，將驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一簡(jiǎn)稱為漏極區(qū)，并且將它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè) 簡(jiǎn)稱為源才及區(qū)
Ids = k.n.(Vgs-Vth)2 …(4)
其中，fi是有效遷移率，Vgs是柵極與源極區(qū)之間的電位差，Vth是閾電壓，并且k ^ (1/2).(W/L).C。X,其中，L是溝道長(zhǎng)度，W是溝道寬度，并且Cox通過(柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))x(真空介電常數(shù))/(柵極絕緣層的厚度)表達(dá)。
使漏極電流I&流過有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP導(dǎo)致有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP發(fā)光。此外，依照漏極電流Ids的值的幅度控制有機(jī)EL元件10的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)(亮度)。
如上所述，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陽極與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極性連接。另一方面，將電壓Vcat施加到場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陰極上。場(chǎng)致發(fā)光部分ELP 的電容用標(biāo)號(hào)C^表示。另外，使場(chǎng)致發(fā)光部分ELP發(fā)光所需的閾電壓用標(biāo)
號(hào)Vth-el表示。當(dāng)將大于或等于閾電壓Vth-el的電壓施加在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP
的陽極與陰極兩端時(shí)，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP發(fā)光。
盡管在第1到第3實(shí)施例中的每一個(gè)描述中按如下設(shè)置電壓或電位的值，但它們僅僅是用于描述的值，本發(fā)明決不會(huì)局限于這些值。
VSig:用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)，…從0到10 V;
Vcc-h:作為用于使電流流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的驅(qū)動(dòng)電壓的第一電壓， …20V;
VCC_L:作為第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓的第二電壓， …-10V;
Vofs:用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極上的電位(第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位)的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓， …0V;
Vth:驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓， …3 V;
VCat:施加到場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陰才及上的電壓， …0 V;
Vth_EL:場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓， …3 V。
在下文中，將針對(duì)利用2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的方法給出描述。應(yīng)該注意到，盡管以如上所述，場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)在完成了所有各種類型處理(閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理)的執(zhí)行之后馬上開始為前提給出描述，但本發(fā)明決不會(huì)局限于此。這也適用于如后所述的其它第2和第3實(shí)施例的描述。是在完成了最后各種類型處理的執(zhí)行之后，形成最后顯示幀的操作和第(n， m)有機(jī)EL元件IO保持在場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)的操作時(shí)間間隔。也就是說，使基于如后所述的表達(dá)式(8)的漏極電流I'ds流過構(gòu)成第(n， m)子像素的有機(jī)EL元件10中的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP。在這種情況下，構(gòu)成第(n， m)子像素的有機(jī)EL元件10的亮度具有與有關(guān)漏極電流 I;相對(duì)應(yīng)的值。這里，寫入晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，而驅(qū)動(dòng)晶體管TRo 保持在導(dǎo)通狀態(tài)。第(n， m)有機(jī)EL元件IO的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到正好在布置在第(m + m')行中的有機(jī)EL元件10的水平掃描時(shí)間間隔開始之前。
應(yīng)該注意到，在如圖18所示和在"背景技術(shù)"的段落中提到的[時(shí)間間隔 -TP(5)J內(nèi)執(zhí)行的操作基本上與在[時(shí)間間隔_ TP(2)-,]內(nèi)執(zhí)行的操作相同。
從如圖4所示的[時(shí)間間隔-TP(2)o]到[時(shí)間間隔-TP(2)s]的時(shí)間間隔是從完成了最后各種類型處理的執(zhí)行之后的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)結(jié)束之后的時(shí)間點(diǎn)到正好在進(jìn)行下一次處理之前的時(shí)間點(diǎn)的操作時(shí)間間隔。此外，在從[時(shí)間間隔
-TP(2)o]到[時(shí)間間隔-TP(2)8]的時(shí)間間隔內(nèi)，第(n, m)有機(jī)EL元件10 通常保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。
在第1實(shí)施例中，在多個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)，具體地說，從第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔到第m水平掃描時(shí)間間隔執(zhí)行從步驟(a)到步驟(c)的步驟。
應(yīng)該注意到，為了便于說明，以[時(shí)間間隔-TP(2)2]的開始和[時(shí)間間隔-TP(2)4]的終止分別與第 (m-2)水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。進(jìn)一步，以[時(shí)間間隔-TP(2)s]的開始和[時(shí)間間隔-TP(2)6]的終止分別與第(m-l)水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。更進(jìn)一步，以[時(shí)間間隔-TP(2)7]的開始和[時(shí)間間隔-TPP)9]的終止分別與第m 水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。
在下文中，將詳細(xì)描述[時(shí)間間隔-TP(2)o]到[時(shí)間間隔_ TP(2)9]的時(shí)間間隔。應(yīng)該注意到，視有機(jī)EL顯示器件的設(shè)計(jì)而定，必須適當(dāng)?shù)卦O(shè)置[時(shí)間間隔- TP(2、]的開始和[時(shí)間間隔-TP(2)!]到[時(shí)間間隔_ TP(2)9]的長(zhǎng)度。(參照?qǐng)D4和圖5B和5C )
例如，[時(shí)間間隔-TP(2)o]是從最后幀到當(dāng)前顯示幀的操作時(shí)間間隔。也就是說，[時(shí)間間隔-TP(2)。]是從最后顯示幀中的第(m + m')水平掃描時(shí)間間隔到當(dāng)前顯示幀中的第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔的中間的時(shí)間間隔。此夕卜,在[時(shí)間間隔一 TP(2)0]內(nèi)，第(n， m )有機(jī)EL元件10通常保持在非場(chǎng) 致發(fā)光狀態(tài)。電源部分100供應(yīng)的電壓在時(shí)間間隔從[時(shí)間間隔- TP(2)J轉(zhuǎn)到 [時(shí)間間隔-TP(2)。]的時(shí)間點(diǎn)上從第一電壓Vcc.h轉(zhuǎn)換到第二電壓Vcc-l。其結(jié) 果是，第二節(jié)點(diǎn)ND2(驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極區(qū)或場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陽極) 上的電位下降到第二電壓Vcc-l，致使場(chǎng)致發(fā)光部分ELP保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。另外，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)NDi (驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極)上的電位也下降，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的下降。
如后所述，在每個(gè)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)，信號(hào)輸出電路102將第一節(jié)點(diǎn) 初始化電壓V她施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上，接著將視頻信號(hào)Vsig施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上，取代施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V她。更具體地說，與當(dāng)前顯示幀中的第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔相對(duì)應(yīng)地將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上。接著，將與第(n， m-3)子像素
相對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)(為了方便起見，用標(biāo)號(hào)VSig—m-3表示。這也適用于任何其
它視頻信號(hào))施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上，取代施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 Vofs。因此，如圖5B所示，在[時(shí)間間隔-TP(2)o]內(nèi)的第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上。接著，
如圖5C所示，將視頻信號(hào)VSig—:n-3施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上。由于寫入
晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，即使相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電位(電壓)發(fā) 生變化，第一節(jié)點(diǎn)NDt上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位也都不會(huì)發(fā)生變化 (盡管實(shí)際上，可能發(fā)生由基于寄生電容等的靜電耦合引起的電位變化，但通?？梢院雎赃@種變化)。盡管在圖4中省略了例示，但即使在當(dāng)前顯示幀中的第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔之前的每個(gè)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)，也可以將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V她和視頻信號(hào)Vsig中的每一個(gè)施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線 DTL上。
應(yīng)該注意到，如圖18所示和在"背景技術(shù)"的段落中提到的[時(shí)間間隔-TP(5)()]是與上述的[時(shí)間間隔-TP(2)。]相對(duì)應(yīng)的時(shí)間間隔。在圖18中，在時(shí) 間間隔/人[時(shí)間間隔-TP(5).,]轉(zhuǎn)到[時(shí)間間隔_ TP(5)o]的時(shí)間點(diǎn)關(guān)斷第一晶體管TR^其結(jié)果是，第二節(jié)點(diǎn)ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極區(qū)或場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的陽極)上的電位下降到(Vth-EL + VCat),致使場(chǎng)致發(fā)光部分ELP保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。另外，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)(驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的柵板)上的電位也下降，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的下降。 [時(shí)間間隔- TP(2)d到[時(shí)間間隔-TP(2)2](參照?qǐng)D4和圖5D和5E) 如后所述，在[時(shí)間間隔-TP(2)2]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(a)，即，上述的預(yù) 處理。在執(zhí)行步驟(a)的掃描時(shí)間間隔(即，第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔)開始之前，依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。在這種狀態(tài)下，接著執(zhí)行步驟(a)。更具體地說，在正好在第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔之前的掃描時(shí)間間隔(即，第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔)內(nèi)，導(dǎo)通寫入晶體管TRw，并且在這種狀態(tài)下，執(zhí)行步驟(a)。在下文中，將詳
細(xì)描述這種#:作。(參照?qǐng)D4和圖5D )
在第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔終止時(shí)和之前，依照掃描電路101的操作將相應(yīng)一條掃描線SCL的電位設(shè)置在高電平上。其結(jié)果是，通過事先依照來自相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的信號(hào)導(dǎo)通的寫入晶體管TRW，將電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND1上。在第1實(shí)施例中，以在將視頻信號(hào)Vsig—m-3 施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的時(shí)間間隔內(nèi)導(dǎo)通寫入晶體管TRw為前提給出描述。
其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位被設(shè)置在VSig—m-3上。但是，第二節(jié)點(diǎn) ND2上的電位被設(shè)置在Vcc七上(-10V)。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陰極之間的電位差是-10 V。這個(gè)電壓未超過場(chǎng)致發(fā)光部分 ELP的閾電壓Vth-EL。其結(jié)果是，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP不發(fā)光。
當(dāng)前顯示幀中的第(m - 2 )水平掃描時(shí)間間隔從[時(shí)間間隔- TP(2)2]開始。在從[時(shí)間間隔-TP(2)2]開始到如后所述的[時(shí)間間隔-TP("3]終止的時(shí)間間隔內(nèi)，依照信號(hào)輸出電路102的操作將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft施加到相應(yīng) 一條數(shù)據(jù)線DTL上。(參照?qǐng)D4和圖5E )
如上所述，在[時(shí)間間隔-TP(2)2]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(a)，即，上述的預(yù) 處理。在保持將第二電壓Vcc丄從電源部分100施加到源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，在[時(shí)間間隔-TP(2)2]開始時(shí)將施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從VSig—^切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓VQfs,并且依照來自相應(yīng)一條掃描線 SCL的信號(hào)保持寫入晶體管TRw的導(dǎo)通狀態(tài)。寫入晶體管TRw是在相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電壓變化之前導(dǎo)通的。因此，第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他一施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上就初始化第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位被設(shè)置在VQfs (0V)上。另一方面，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位被設(shè)置在Vcc丄(-10 V)上。因?yàn)榈谝还?jié)點(diǎn)ND,與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差是10V，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth是3V，所以驅(qū)動(dòng)晶體管TR。保持在導(dǎo)通狀態(tài)。應(yīng)該注意到，第二節(jié)點(diǎn)ND2與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陰極之間的電位差是-10 V,因此未超過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth_EL。其結(jié)果是，完成了初始化第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位中的每一個(gè)的預(yù)處理。(參照?qǐng)D4和圖5F )
在[時(shí)間間隔-TP(2)3]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。也就是說，在依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRW將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。ft從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加
27到第一節(jié)點(diǎn)ND,上的狀態(tài)下，將電源部分100供應(yīng)的電壓從第二電壓VCC_L 切換到第一電壓Vcc-h。其結(jié)果是，在保持第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位的狀態(tài)下，將第一電壓Vcc-h作為比從第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位VQfs中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極/漏極區(qū)之一上。其結(jié)果是，盡管第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位沒有變化(保持 Vofs = 0 V),但第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位朝從第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位中減去驅(qū) 動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高了。
如果[時(shí)間間隔-TP(2)3]充分長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與源極/漏極區(qū) 的另一個(gè)之間的電位差達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth，致使驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD關(guān)斷。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位接近(Vofs -Vth = -3 V )，最后變成(V0fs — Vth )。但是，第1實(shí)施例中的[時(shí)間間隔—TP(2)3] 的長(zhǎng)度不足以充分改變第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位。因此，在[時(shí)間間隔-TP(2)3] 終止時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)薦2上的電位達(dá)到滿足關(guān)系Vcc丄〈VA〈(Voft-Vth)的某個(gè)電位 VA。(參照?qǐng)D4和圖5G )
在[時(shí)間間隔-TP(2)4]開始時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft切換到視頻信號(hào)的電壓Vsig—m-2。為了避免將視頻信號(hào)
VSig—m-2施加到第一節(jié)點(diǎn)NDi上，在[時(shí)間間隔-TP(2)4]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)
一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管TRW。其結(jié)果是，驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的柵板(即，第一節(jié)點(diǎn)NDJ變成浮置狀態(tài)。
因?yàn)閷⒌谝浑妷篤cc.h從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上，所以第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位VA升高到某個(gè)電壓VB。另一方面，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態(tài)，并且因此存在電容器部分Q，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極中發(fā)生自舉操作。因此，第一節(jié)點(diǎn) ND!上的電位升高，以^(更跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。
應(yīng)該注意到，如圖4所示，依照在如后所述的[時(shí)間間隔-TP(2)5]和[時(shí)間間隔-TP(2)6]內(nèi)執(zhí)行的自舉操作，在[時(shí)間間隔-TP(2)6]終止時(shí)，第二節(jié)點(diǎn) ND2上的電位達(dá)到某個(gè)電位VD?；旧?，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位隨執(zhí)行自舉操作的時(shí)間間隔變長(zhǎng)而升高。但是，作為在如后所述的[時(shí)間間隔-TP(2)7] 中執(zhí)行的操作的前提，要求在[時(shí)間間隔-TP(2)6]終止時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位低于(V。fs-L-Vth)。在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器件期間，必須事先確定從[時(shí) 間間隔-TP(2)4]開始到[時(shí)間間隔-TP(2)6]終止的時(shí)間間隔的長(zhǎng)度作為設(shè)計(jì)
值，以便滿足VD〈V他-L-Vth的條件。
如下所述的[時(shí)間間隔-TP("4]內(nèi)的自舉操作、[時(shí)間間隔-TP(2)s]和[時(shí) 間間隔-TP(2)6]內(nèi)的自舉操作和[時(shí)間間隔-TP(2)1()]內(nèi)的自舉操作基本上彼此相同。因此，這些時(shí)間間隔內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND,等上的電位的瞬時(shí)變化基本上彼此相同。但是，為了便于例示起見，圖4示出了在未考慮從[時(shí)間間隔-TP(2)4]到[時(shí)間間隔-TP(2)6]的時(shí)間間隔內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)NDi等上的電位的瞬時(shí) 變化與[時(shí)間間隔-TP(2)H)]內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND,等上的電位的瞬時(shí)變化之間的一致性的情況下，有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作。這也適用于如后所述的圖8、圖 12和圖18的情況。和[時(shí)間間隔-TP(2)6](參照?qǐng)D4和圖5H和圖51) 如后所述，在這些時(shí)間間隔內(nèi)，將比在步驟(b)中從施加到第一節(jié)點(diǎn) ND,上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓VQfs中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上。在這種狀態(tài)下，寫入晶體管TRw在一個(gè)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)保持在關(guān)斷狀態(tài)，使第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位升高。這樣，就執(zhí)行了輔助自舉處理。在下文中，將詳細(xì)描述輔助自舉處理。(參照?qǐng)D4和圖5H)
依照掃描電路101的操作使相應(yīng)一條掃描線SCL上的電壓保持在低電平上，從而保持寫入晶體管TRW的關(guān)斷狀態(tài)。盡管在[時(shí)間間隔-TP(2)s]開始時(shí)，相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從視頻信號(hào)的電壓Vsig,2切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓VQfs,但因?yàn)閷懭刖w管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，所以驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 的柵極(即，第一節(jié)點(diǎn)ND。保持在浮置狀態(tài)。將第一電壓Vcc-h從電源部分 IOO施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源板/漏板區(qū)之一上。因此，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo 的柵極中繼續(xù)發(fā)生自舉操作，以便跟隨在[時(shí)間間隔-TP(2)4]內(nèi)執(zhí)行的自舉操作。其結(jié)果是，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位VB升高到某個(gè)電壓Vc,并且保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位也升高。(參照?qǐng)D4和圖51)
依照掃描電路101的操作使相應(yīng)一條掃描線SCL上的電壓保持在低電平上，從而保持寫入晶體管TRw的關(guān)斷狀態(tài)。盡管在[時(shí)間間隔-TP(2)6]開始時(shí)，相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V她切換到視頻信號(hào)的電壓V^—m_P但因?yàn)閷懭刖w管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，所以驅(qū)動(dòng)晶體管TRo 的柵極(即，第一節(jié)點(diǎn)ND。保持在浮置狀態(tài)。將第一電壓Vcc-h從電源部分 100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上。因此，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 的柵極中繼續(xù)發(fā)生自舉操作，以便跟隨在[時(shí)間間隔-TP(2)5]內(nèi)執(zhí)行的自舉操作。其結(jié)果是，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位Vc升高到某個(gè)電位Vd，并且保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位也升高。
正如到目前為止已經(jīng)描述過的那樣，在構(gòu)成第(m-1)水平掃描時(shí)間間隔的[時(shí)間間隔-TP(2)5]和[時(shí)間間隔_ TP(2)6]內(nèi)寫入晶體管TRW保持在關(guān)斷狀態(tài)。此外，在第(m-l)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo中繼續(xù) 發(fā)生自舉操作，從而進(jìn)行輔助自舉處理。(參照?qǐng)D4和圖5J )
在[時(shí)間間隔-TP(2)7]內(nèi)也執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(2)7]內(nèi)執(zhí)行的閾電壓消除處理對(duì)應(yīng)于打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理。
在[時(shí)間間隔-TP(2)7]內(nèi)執(zhí)行的操作基本上與針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)3]描述的操作相同。在[時(shí)間間隔-TP(2)7]開始時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從視頻信號(hào)的電壓VSig—^切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs。此外，在[時(shí) 間間隔-TP(2》]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。
這導(dǎo)致通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRW將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 V她從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上。另夕卜，將第一電壓Vcoh 從電源部分IOO施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源板/漏板區(qū)之一上。因此，與針對(duì) [時(shí)間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位朝從第一節(jié)點(diǎn) ND!上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化，以便跟隨依照在[時(shí)間間隔-TP(2)6]內(nèi)執(zhí)行的自舉操作升高的電位。此外，當(dāng) 驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差達(dá)到驅(qū)動(dòng) 晶體管TRD的閾電壓Vth時(shí)，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管TRD。具體地說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位接近(V他-Vth = -3 V )，最后變成(VQfs _ Vth )。這里，只要表達(dá)式(5)得到保證，換句話說，只要將電位選擇和確定成滿足表達(dá)式(5),場(chǎng)致發(fā)光部分ELP就不發(fā)光。
(Vofs - Vth)<(Vofs.EL + VCat) ... (5)
第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位在[時(shí)間間隔-TP(2)7]內(nèi)最后變成(V0fs-Vth)。
也就是說，只視驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft而定，確定第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電
位。此外，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth.el無關(guān)。
到目前為止已經(jīng)描述了直到打算正好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理的步驟。這里，與上述的第1實(shí)施例中的操作對(duì)照，描述如圖6所示的第1比較例子中的操作。第1比較例子與第1實(shí)施例的不同之處在于，還在第(m-1)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行閾電壓消除處理。具體地說，除了在從如圖6所示的[時(shí)間間隔-TP(2)'s]到[時(shí)間間隔-TP(2)'6]的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí) 行的操作之外，第1比較例子中的操作與第1實(shí)施例中的操作相同。從如圖 6所示的[時(shí)間間隔-TP(2)'s]到[時(shí)間間隔-TP(2)'6]的時(shí)間間隔分別對(duì)應(yīng)于從如圖4所示的[時(shí)間間隔-TP(2)5]到[時(shí)間間隔-TP(2)6]的時(shí)間間隔。
在第1比較例子中，在[時(shí)間間隔-TP(2)'5]開始時(shí)，依照掃描電路101的操作將相應(yīng)一條掃描線SCL上的電壓從低電平切換到高電平。此外，將寫入晶體管TRw的操作狀態(tài)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)(參照?qǐng)D6和圖7A)。也就是說，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上。在這種狀態(tài)下，在[時(shí)間間隔-TP(2)4]內(nèi)依照自舉操作升高的第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位下降到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs ( =0V)。
寫入晶體管TRw在[時(shí)間間隔-TP(2)'5]內(nèi)保持在導(dǎo)通狀態(tài)。另外，電源部分IOO施加的電壓是第一電壓Vcc.h。因此，與前面針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)3] 所述的情況類似，在保持第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位的同時(shí)，將第一電壓Vcc-H 作為比從第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位Vofs中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一上。其結(jié)果是，盡管第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位沒有變化(保持VQfs = 0 V),但第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位開始朝從第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是i兌，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高了。
在[時(shí)間間隔-TP(2)'6]開始時(shí)，依照掃描電路101的操作將相應(yīng)一條掃描線SCL上的電壓從高電平切換到低電平。此外，將寫入晶體管TRw的操作狀態(tài)從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)(參照?qǐng)D6和圖7B )。因?yàn)閷懭刖w管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，所以驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極(即，第一節(jié)點(diǎn)ND。變成浮置狀態(tài)。將第一電壓Vcc-h從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源板/漏板區(qū)之一上。其結(jié)果是，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極中發(fā)生自舉操作，使第二節(jié) 點(diǎn)ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V她開始升高。
在也在上述第1比較例子中的操作中，在[時(shí)間間隔-TP(2)7]中和之后的時(shí)間間隔中執(zhí)行的操作基本上不會(huì)受到妨礙。但是，在第(m-l)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)有必要進(jìn)行寫入晶體管TRw的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)的切換。其結(jié)果是，在掃描電路中消耗的功率與上述第1實(shí)施例中的操作相比增大了。(參照?qǐng)D4和圖5K)
接著，現(xiàn)在繼續(xù)描述第l實(shí)施例。在[時(shí)間間隔-TP(2)8]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管TRw。另外，將施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他切換到視頻信號(hào)的電壓VSig—m。如果驅(qū)動(dòng)晶體管TRD在閾電壓消除處理中到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)，第一節(jié) 點(diǎn)NDt上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位基本上都不會(huì)發(fā)生變化。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD在閾電壓消除處理中未到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)的情況下，在[時(shí)間間隔-TP(2)8]內(nèi)也發(fā)生自舉操作，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的每個(gè) 電位有點(diǎn)升高。在圖4中以未發(fā)生自舉操作為前提說明有機(jī)EL元件中的驅(qū) 動(dòng)操作。(參照?qǐng)D4和圖5L )
在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)，執(zhí)行上述的步驟(c),即，上述的寫入處理。在施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他切換到視頻信號(hào)的電壓Vsig^之后，依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管 TRW。此外，通過寫入晶體管TRw將視頻信號(hào)VSig—m從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL 施加到第一節(jié)點(diǎn)ND!上。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位升高到VSigm。驅(qū)動(dòng)晶體管TRo保持在導(dǎo)通狀態(tài)。應(yīng)該注意到，視情況而定，寫入晶體管TRW 在[時(shí)間間隔-TP(2)8]內(nèi)可以保持在導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，在[時(shí)間間隔-TP(2)8]內(nèi)，施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓一從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 V他切換到視頻信號(hào)的電壓Vsig^就開始執(zhí)行寫入處理。這里，電容器部分C!具有電容值Cp并且場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容C^ 具有電容值c機(jī)。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的寄生電容用標(biāo)號(hào)％表示。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極上的電位從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他變化到視頻信號(hào)的電壓Vsigm (>V。fs)時(shí)，電容器部分d的相對(duì)端上的電位(第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)通常也發(fā) 生變化。也就是說，將基于驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極上的電位(=第一節(jié)點(diǎn)NDj 上的電位)的變化(VSig—m-VQfs)的電荷分配給電容器部分C,、場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的寄
生電容。但是，當(dāng)數(shù)值CEL比數(shù)值d和數(shù)值Cgs中的每一個(gè)大得多時(shí)，基于驅(qū)
動(dòng)晶體管TRD的柵極上的電位的變化(VSig—m - V她)的驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)上的電位的變化不大。此外，一般說來，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL的電容值cEL大于電容器部分C,的電容值Cl和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的寄生電容的電容值Cgs中的每一個(gè)。于是，在上面說明的描述中，未考慮第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化地給出描述。此外，除了特別必要的情況之外，未考慮第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化地給出描述。這也適用于任何其它第2和第3實(shí)施例。應(yīng)該注意到，除了如后所述的圖14之外，都未考慮第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化地示出驅(qū)動(dòng)操作的流程圖。
對(duì)于第1實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)方法，在將第一電壓VcoH從電源部分IOO施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，將視頻信號(hào)Vsig—m施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極上。由于這個(gè)原因，如圖4所示，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位在[時(shí)間間隔-TP(2)9]內(nèi)升高。后面將描述升高的電位量(如圖4所示的 AV)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極(第一節(jié)點(diǎn)ND。上的電位是Vg，并且驅(qū)動(dòng) 晶體管TRo的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)上的電位是Vs時(shí)，如果不考慮第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的上述升高，按如下表達(dá)Vg的值和Vs的值。第一節(jié)點(diǎn)ND!與第二節(jié)點(diǎn)M)2之間的電位差，即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極與源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差Vgs可以通過表達(dá)式(6)表達(dá)
vs v0fs 一 vth
Vgs VSig—m - (Vofs - Vth) …(6)
33在為驅(qū)動(dòng)晶體管TRo執(zhí)行的寫入處理中獲得的電位差Vp只取決于用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)VSig—m、驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極上的電位的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 V0fs。另外，電位差Vgs與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth孔無關(guān)。
接著，將針對(duì)上述在[時(shí)間間隔_ TP(2)9]內(nèi)第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的升高給出描述。對(duì)于第1實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)方法，與使源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上的電位(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的特性(例如，遷移率 ia的幅度等)相對(duì)應(yīng)地升高的遷移率校正處理一起執(zhí)行寫入處理。
當(dāng)以多晶硅薄膜晶體管等的形式制造驅(qū)動(dòng)晶體管TRD時(shí)，在多晶硅薄膜晶體管之間難以避免出現(xiàn)遷移率fi的偏差。因此，即使將具有相同值的視頻信號(hào)Vsig施加到具有不同遷移率n的多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵板上，在使其流過具有大遷移率p的驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的漏極電流Ids與使其流過具有小遷移率p 的驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的漏極電流Ids之間也會(huì)出現(xiàn)差異。此外，出現(xiàn)這樣的差異會(huì)危害有機(jī)EL顯示器件的畫面的均勻性。
正如上面所述的那樣，對(duì)于第1實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)方法，在將第一電壓Vcc-H
從電源部分IOO施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，將視頻信號(hào)Vsig一m施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRr)的柵極上。由于這個(gè)原因，如圖4所示，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位在[時(shí)間間隔-TP(2)9]升高。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRD具有大遷移率H時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上升高的電位(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)的增量AV (電位校正值)增大。相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD具有小遷移率p時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上升高的電位(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)的增量AV (電位校正值)減小。這里，驅(qū) 動(dòng)晶體管TRD的柵極與用作源極區(qū)的它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差Vgs從表達(dá)式(6)轉(zhuǎn)變成表達(dá)式(7):
Vgs VSig—m - (Vofs - Vth) - AV …(7 )
應(yīng)該注意到，在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器件期間，必須事先確定進(jìn)行寫入處理所需的預(yù)定時(shí)間([時(shí)間間隔-TP(2)9]的總時(shí)間to)作為設(shè)計(jì)值。另夕卜，將[時(shí) 間間隔-TP(2)9]的總時(shí)間to確定成此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上的電位(V他-Vth + AV)滿足表達(dá)式(8 )。其結(jié)果是，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP 在[時(shí)間間隔-TP(2)9]內(nèi)不發(fā)光。此外，通過進(jìn)行遷移率校正處理同時(shí)校正系數(shù)k (三(l/2).(W/L)-Cox)的偏差。
34(Vofs - Vth + AV)〈(V紐+ VCat) …(8 )(參照?qǐng)D4和圖5M )
通過進(jìn)行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理的執(zhí)行。此后，在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)按如下執(zhí)行上述的步驟(d)。也就是i兌，在保持將第一電壓Vcc-H從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，依照掃描電路101的操作將相應(yīng)一條掃描線SCL的電位設(shè)置在低電平上，以關(guān)斷寫入晶體管TRw。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)NDp即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態(tài)。因此，作為上文的結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)
ND2上的電位升高。
這里，如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態(tài)，除此之外，在驅(qū)動(dòng)電路ll中存在電容器部分d。其結(jié)果是，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極中發(fā)生與所謂自舉電路中相同的現(xiàn)象，并且第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位也升高。其結(jié)果是，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的棚-極與它用作源極區(qū)的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差Vgs保持根據(jù)表達(dá)式(7)給出的值。
另外，因?yàn)榈诙?jié)點(diǎn)ND2上的電位升高到超過(Vth-EL + VCat),所以場(chǎng)致發(fā)光部分ELP開始發(fā)光。此時(shí)，使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流可以通過表達(dá)式(4)表達(dá)，因?yàn)樗鞘蛊鋸尿?qū)動(dòng)晶體管TRd的漏板區(qū)流到源板區(qū)的漏極電流Ids。這里，表達(dá)式(4)可以轉(zhuǎn)變成基于表達(dá)式(4)和表達(dá)式(7)的表達(dá)式(9):
Ids = k^(VSig—m _ V他—AV)2 …(9) 因此，例如，當(dāng)將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他設(shè)置在0 V上時(shí)，使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流Ids與從用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)Vsig一m的值中減去由驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的遷移率p引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)的另一個(gè))中的電位校正值A(chǔ)V獲得的值的平方成正比。換句話說，使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流1&與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-EL和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的闊電壓Vth無關(guān)。也就是說，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的發(fā)光量不受場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-EL影響，并且不受驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth影響。此外，第(n， m)有機(jī)EL元件10的亮度具有與有關(guān)電流Ids
相對(duì)應(yīng)的值。
此外，因?yàn)殡娢恍Ｕ礎(chǔ)V隨驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的遷移率jLi變大而變大，所述表達(dá)式(7)中左側(cè)項(xiàng)中的電位差Vgs的值變小。因此，即使在表達(dá)式(9)中給出變大的遷移率p的值時(shí)，(VSig—m-V0fs-AV)2的值也變小。其結(jié)果是，可以校正漏極電流Ids。也就是說，即使在具有不同遷移率p的驅(qū)動(dòng)晶體管TRD
中，只要視頻信號(hào)VSigm的值彼此相同，漏極電流Ids也變成彼此近似相等。
其結(jié)果是，分別使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的電流Ids是一致的。也就是說，可以校正由遷移率p的偏差(此外，k的偏差) 引起的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的偏差。
此外，繼續(xù)保持場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時(shí)間間隔。這個(gè)時(shí)間點(diǎn)對(duì)應(yīng)于[時(shí)間間隔-TP(2)J的結(jié)束。
根據(jù)上文，完成了使構(gòu)成第(n， m)子像素的有機(jī)EL元件IO場(chǎng)致發(fā)光的操作。
第2實(shí)施例
第2實(shí)施例也涉及本發(fā)明驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(EL)部分的方法。在第2 實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路以4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的形式配置。
圖8示出了 4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖9示出了有機(jī)EL顯示器件的概念圖。此外，圖10示意性地示出了驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖，并且圖 11A到11N示意性地示出了四個(gè)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)等。
與上述2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的情況類似，4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路也包括寫入晶體管 TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分Q。此外，4Tr/lC驅(qū) 動(dòng)電路進(jìn)一步包括第一晶體管TR,和第二晶體管TR2。
第一晶體管由包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT組成。另外，第二晶體管TR2也由包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT組成。應(yīng)該注意到，第一晶體管TRi和第二晶體管TR2中的每一個(gè)可以以p溝道TFT的形式配置。
在第一晶體管TR!中，源極/漏極區(qū)之一與電源部分100連接，并且它的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一連接。柵極與第一晶體管控制線 CI^連接。
依照來自第一晶體管控制線CLi的信號(hào)控制第一晶體管TRt的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。更具體地說，第一晶體管控制線CL,與第一晶體管控制電路111連接。此外，依照第一晶體管控制電路111的操作將第一晶體管控制線CL!的電位設(shè)置在低電平或高電平上，從而導(dǎo)通或關(guān)斷第一晶體管TRi。[第二晶體管TR2]
在第二晶體管TR2中，源極/漏極區(qū)之一與第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓供應(yīng)線 PSnd2連接，并且它的另一個(gè)與第二晶體管控制線AZ2連接。通過保持在導(dǎo)通
狀態(tài)的第二晶體管TR2，將用于初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的電壓Vss從
第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓供應(yīng)線PSND2施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2上。電壓Vss將在后
面描述。
依照來自第二晶體管控制線AZ2的信號(hào)控制第二晶體管TR2的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。更具體地說，第二晶體管控制線AZ2與第二晶體管控制電路112連接。此外，依照第二晶體管控制電路112的操作將第二晶體管控制線AZ2的電位設(shè)置在低電平或高電平上，從而導(dǎo)通或關(guān)斷第二晶體管TR2。
在第1實(shí)施例中，將第二電壓Vcc.l從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD的源極/漏極區(qū)之一上，從而初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位。另一方面，在第2實(shí)施例中，如后所述，通過使用第二晶體管TR2初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位。因此，在第2實(shí)施例中，就初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位來說，沒有必要從電源部分100施加第二電壓Vcc-l。另外，在第2實(shí)施例中，電源部分100和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一通過第一晶體管TR!相互連接。因此，利用第一晶體管TRi控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光/非場(chǎng)致發(fā) 光。由于這個(gè)原因，在第2實(shí)施例中，電源部分100施加預(yù)定電壓Vcc。
盡管在如下描述中，按如下設(shè)置電壓Vcc的值和電壓Vss的值，但這些值僅僅是用于描述的值，因此，本發(fā)明決不會(huì)局限于此。
Vcc:用于^f吏電流流過控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的驅(qū)動(dòng)電壓， …20 V;
Vss:用于初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓， …-10 V;
由于該驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的配置與在2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的配置相同，為了筒單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。 [寫入晶體管TRw]
由于該寫入晶體管TRw的配置與在2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的寫入晶體管 TRw的配置相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。 [場(chǎng)致發(fā)光部分ELP]由于該場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的配置與在2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的配置相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。
在下文中，將描迷利用4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的方法。 [時(shí)間間隔-TP(4乂,](參照?qǐng)DIO和圖11A)
例如，[時(shí)間間隔-TP(4)-，]是最后顯示幀內(nèi)的操作時(shí)間間隔，因此，基本上是與前面在第1實(shí)施例中所述的[時(shí)間間隔-TP(2).,]的操作時(shí)間間隔相同的操作時(shí)間間隔。
從如圖10所示的[時(shí)間間隔-TP(4)o]到[時(shí)間間隔-TP(4)9]的時(shí)間間隔是與從如圖4所示的[時(shí)間間隔-TP(2)o]到[時(shí)間間隔-TP(2)8]的時(shí)間間隔相對(duì) 應(yīng)的時(shí)間間隔。因此，這個(gè)時(shí)間間隔是從完成了最后各種類型處理之后的場(chǎng) 致發(fā)光狀態(tài)結(jié)束之后的時(shí)間點(diǎn)到正好在進(jìn)行下一次寫入處理之前的時(shí)間點(diǎn)的操作時(shí)間間隔。此外，在從[時(shí)間間隔-TP(4)o]到[時(shí)間間隔-TP(4)9]的時(shí)間間隔內(nèi)，第(n, m)有機(jī)EL元件IO保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。應(yīng)該注意到，以 [時(shí)間間隔-TP(4)3]的開始和[時(shí)間間隔-TP(2)s]的終止分別與第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。進(jìn)一步，以[時(shí)間間隔-TP(4)6]的開始和[時(shí)間間隔-丁？(4)7]的終止分別與第(m- 1 )水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。更進(jìn)一步，以[時(shí)間間隔-TP(4)8]的開始和[時(shí)間間隔-TP(4)n)]的終止分別與第m水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。
在下文中，將描述[時(shí)間間隔-TP(4)o]到[時(shí)間間隔-TP(4)u)]的時(shí)間間隔。應(yīng)該注意到，視有機(jī)EL顯示器件的設(shè)計(jì)而定，必須適當(dāng)?shù)卦O(shè)置[時(shí)間間隔-TP(4、]的開始和[時(shí)間間隔-TP(4)d到[時(shí)間間隔-TP(4)K)]的長(zhǎng)度。(參照?qǐng)D10和圖11B)
如上所述,第(n, m )有機(jī)EL元件10在[時(shí)間間隔-TP(4)o]內(nèi)保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。寫入晶體管TRw和第二晶體管TR2中的每一個(gè)保持在關(guān)斷狀態(tài)。另外，在時(shí)間間隔從[時(shí)間間隔-TP(^h]轉(zhuǎn)到[時(shí)間間隔-TP("o]的時(shí) 間點(diǎn)關(guān)斷第一晶體管TR!。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位下降到(Vth-EL + VCat), 致使場(chǎng)致發(fā)光部分ELP保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。另外，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位也下降，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的下降。應(yīng)該注意到，[時(shí)間間隔-TP(4)o]內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位:取決于[時(shí)間間隔-TP(4).,]內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位(視最后幀中視頻信號(hào)Vsig的值而定)，因此不呈現(xiàn)給定值。到[時(shí)間間隔-TP(4)3](參照?qǐng)DIO和圖11C、11D、11E 和11F)
如后所述，在[時(shí)間間隔-TP(4)3]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(a)，即，上述的預(yù) 處理。在打算執(zhí)行上述的步驟(a)的時(shí)間間隔(即，第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔)開始之前，依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管 TRw。在這種狀態(tài)下，執(zhí)行上述的步驟(a)。在第2實(shí)施例中，與在第1實(shí) 施例中所述的情況類似，在正好在第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔之前的時(shí)間間隔(即，第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔)內(nèi)，導(dǎo)通寫入晶體管TRw。在這種狀態(tài)下，執(zhí)行步驟(a)。在下文中，將給出對(duì)它的詳細(xì)描述。(參照?qǐng)DIO和圖11C和11D)
在保持寫入晶體管TRw和第一晶體管TR,每一個(gè)的關(guān)斷狀態(tài)的同時(shí)，在第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)，依照第二晶體管控制電路112的操作將第二晶體管控制線AZ2的電位設(shè)置在高電平上。其結(jié)果是,導(dǎo)通第二晶體管TR2。在第2實(shí)施例中，以在將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Vofs施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線 DTL，此后，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他切換到視頻信號(hào)VSig—m-3的時(shí)間間隔內(nèi)，將第二晶體管TR2從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)為前提給出描述。第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位被設(shè)置在Vss (-10 V)上。另外，保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位也下降，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位的下降。應(yīng)該注意到，[時(shí)間間隔-TP(4;hA]內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位取決于[時(shí)間間隔-TP(4、]內(nèi)第一節(jié)點(diǎn)ND上的電位，因此不呈現(xiàn)給定值。(參照?qǐng)D10和圖11E )
在保持第一晶體管TR!的導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)，在第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔終止時(shí)和之后，依照掃描電路101的操作，將相應(yīng)一條掃描線SCL的電位設(shè)置在高電平上。其結(jié)果是，通過依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo) 通的寫入晶體管TRW，將電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND! 上。在第2實(shí)施例中，與在第1實(shí)施例中描述的情況類似，以在將視頻信號(hào) Vsig^3施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的時(shí)間間隔內(nèi)導(dǎo)通寫入晶體管TRw為前提給出描述。
其結(jié)果是，盡管第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位被設(shè)置在Vsig—m-3上，但第二節(jié)點(diǎn)
ND2上的電位被設(shè)置在Vss (-10 V)上。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陰極之間的電位差被設(shè)置在-10 V上，因此，不超過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth.EL。因此，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP不發(fā)光。 [時(shí)間間隔-TP(4)3](參照?qǐng)DIO和圖11F)
在[時(shí)間間隔-TP(4)3]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(a)，即，上述的預(yù)處理。在第 2實(shí)施例中，在根據(jù)第一晶體管控制電路lll的操作，依照來自第一晶體管控制線CLi的信號(hào)保持第一晶體管TR,的關(guān)斷狀態(tài)的狀態(tài)下，根據(jù)第二晶體管控制電路112的操作，通過依照來自第二晶體管控制線AZ2的信號(hào)導(dǎo)通的第二晶體管TR2,將第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓Vss從第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓供應(yīng)線 PSM)2施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2上。接著，在[時(shí)間間隔-TP(4)3]終止時(shí)，依照第二晶體管控制線AZ2的信號(hào)關(guān)斷第二晶體管TR2，從而初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位。
另一方面，與在1實(shí)施例中所述的情況類似，在依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)保持寫入晶體管TRw的導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下，在[時(shí)間間隔-TP(4)3]開始時(shí)將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號(hào)的電壓VSig—m-3切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他。寫入晶體管TRw在相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電壓變化之前保持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V她一施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上就初始化第一節(jié)點(diǎn)ND，上的電位。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)ND! 上的電位被設(shè)置在VQfs (0V)上。另一方面，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位被設(shè)置在Vss(-10V)上。因?yàn)榈谝还?jié)點(diǎn)M人與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差是10 V，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth是3 V，所以驅(qū)動(dòng)晶體管TRo保持在導(dǎo)通狀態(tài)。應(yīng)該注意到，第二節(jié)點(diǎn)ND2與配備在場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的陰極之間的電位差是-10V，因此未超過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-EL。其結(jié)果是，完成了初始化第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的預(yù)處理。
與在第1實(shí)施例中所述的情況類似，寫入晶體管TRw在相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線 DTL的電壓變化之前保持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft—施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上就初始化第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位。其結(jié)果是，由于可以在較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理，可以將較長(zhǎng)的時(shí)間分配給為了跟隨預(yù)處理而執(zhí)行的閾電壓消除處理。(參照?qǐng)DIO和圖11G)
在[時(shí)間間隔-TP(4)4]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。也就是說，在依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上的狀態(tài)下，根據(jù)第一晶體管控制電路111的操作，通過依照來自第一晶體管控制線CL,的信號(hào)導(dǎo)通的第一晶體管TRi，使驅(qū)動(dòng)晶體管 TRo的源極/漏極區(qū)之一與電源部分100通電。此外，將電壓Vcc作為比從第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位V他中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分IOO施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源板/漏板區(qū)之一上。應(yīng)該注意到，電壓Vcc連續(xù)地施加在上面，直到第(m-m'-1 )水平掃描時(shí)間間峰終止。其結(jié)果是，盡管第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位沒有變化(保持V。fs = 0 V)，但第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位開始朝從第一節(jié)點(diǎn)ND, 上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高了。
與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，如果[時(shí)間間隔-TP(4)4]充分長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差達(dá)到閾電壓Vth,因此使驅(qū)動(dòng)晶體管TRD關(guān)斷。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位接近(V他-Vth =-3 V)，最后變成(V0fs-Vth)。但是，第2實(shí)施例中的[時(shí)間間隔-TP(4)4]的長(zhǎng)度不足以充分改變第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位。其結(jié)果是，在[時(shí)間間隔-TP(4)4]終止時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位達(dá)到滿足關(guān)系Vss〈VA〈(V。fe-Vth)的某個(gè)電位VA。
在[時(shí)間間隔-TP(4)5]中和之后的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行的操作基本上與在針對(duì)從[時(shí)間間隔-TP(2)4]到[時(shí)間間隔-TP(2)k)]的時(shí)間間隔給出的描述中用電
壓Vcc取代電壓Vcc-h的操作相同。在下文中，將描述這些時(shí)間間隔。 [時(shí)間間隔-TP(4)s](參照?qǐng)DIO和圖11H)
在[時(shí)間間隔-TP(4)5]開始時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V胎切換到視頻信號(hào)的電壓VSig—m-2。為了避免將視頻信號(hào)
VSig—m-2施加到第一節(jié)點(diǎn)NDt上，在[時(shí)間間隔-TP(4)s]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)
一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管TRW。在[時(shí)間間隔-TP(4)5]內(nèi) 執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)4]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位Va升高到某個(gè)屯位VB。另外，第一節(jié)點(diǎn)ND, 上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。和[時(shí)間間隔_ TP(4)7](參照?qǐng)D10和圖11I和11J) 在[時(shí)間間隔-TP(4)6]和[時(shí)間間隔-TP(4》]內(nèi)，將比^^人第一節(jié)點(diǎn)初始化^壓V。fs中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TR。的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分 100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上。在這種狀態(tài)下，寫入晶體管TRW在一個(gè)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)保持在關(guān)斷狀態(tài)，使第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位升高。這樣，就執(zhí) 行了輔助自舉處理。
在[時(shí)間間隔-TP(4)6]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)5]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位Vb升高到某個(gè)電位Vc。另外，第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位的變化。在[時(shí)間間隔-TP(4)7]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì) [時(shí)間間隔-TP(2)6]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位 Vc升高到某個(gè)電位Vo。另外，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。(參照?qǐng)DIO和圖11K)
在[時(shí)間間隔-TP(4)8]內(nèi)，也執(zhí)行上述的步驟(b),即，上述的閾電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(4)8]內(nèi)執(zhí)行的閾電壓消除處理對(duì)應(yīng)于打算正好在執(zhí) 行寫入處理之前執(zhí)行的閾電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(4)8]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)7]所述的操作相同。因此，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電位接近(Vof廠Vth = -3 V)，最后變成(V0fs-Vth)。這里，只要表達(dá)式(5)得到保證，換句話說，只要將電位選擇和確定成滿足表達(dá)式(5)，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP就不發(fā)光。
第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位在[時(shí)間間隔-TP(4)s]內(nèi)最后變成(V0fs-Vth)。也就是說，只視驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft而定，確定第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電
位。此外，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-EL無關(guān)。 [時(shí)間間隔-TP(4)9](參照?qǐng)DIO和圖11L)
在[時(shí)間間隔-TP(4)9]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào) 關(guān)斷寫入晶體管TRw。此外，將施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓^^第一
節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft切換到視頻信號(hào)的電壓Vsig—m。如果驅(qū)動(dòng)晶體管TRd在
閾電壓消除處理中到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位基本上都不會(huì)發(fā)生變化。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD在閾電壓消除處理中未到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)的情況下，在[時(shí)間間隔-TP(4)9]內(nèi)也發(fā)生自舉操作，第一節(jié)點(diǎn)上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位有點(diǎn)升高。在圖10中以未發(fā)生自舉操作為前提說明有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作。(參照?qǐng)DIO和圖11M)
在[時(shí)間間隔-TP(4一]內(nèi)，執(zhí)行上述的步驟(c)，即，上述的寫入處理。由于在[時(shí)間間隔-TP(4)u)]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)9]所述的操作相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的描述。與在第1實(shí) 施例中所述的情況類似，在第2實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，也與使源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上的電位(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的特性(例如，遷移率iu的幅度等)相對(duì)應(yīng)地升高的遷移率校正處理一起執(zhí)行寫入處理。
應(yīng)該注意到，與在第1實(shí)施例中所述的情況類似，視情況而定，寫入晶體管TRw在[時(shí)間間隔-??？(4)9]內(nèi)可以保持在導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，在[時(shí) 間間隔-TP(4)9]內(nèi)，施加到相應(yīng)一條凝:據(jù)線DTL上的電壓一>^人第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他切換到視頻信號(hào)的電壓VSig—m就開始執(zhí)行寫入處理。(參照?qǐng)DIO和圖11N)
通過進(jìn)行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理的執(zhí)行。此后，在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(d)。也就是說，寫入晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)NDp即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極保持在浮置狀態(tài)。保持第一晶體管TR4的導(dǎo)通狀態(tài)，并且保持將電壓Vcc 從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)。因此，
作為上文的結(jié)果，由于第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高到超過(Vth-EL + Vcat)，場(chǎng)
致發(fā)光部分ELP開始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榭梢愿鶕?jù)表達(dá)式(9)獲得，所以使流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流Ids與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth_EL和驅(qū)動(dòng) 晶體管TRD的閾電壓Vth無關(guān)。
此外，繼續(xù)保持場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時(shí)間間隔。這個(gè)時(shí)間點(diǎn)對(duì)應(yīng)于[時(shí)間間隔-TP(4).,]的結(jié)束。
根據(jù)上文，完成了使構(gòu)成第(n， m)子像素的有機(jī)EL元件IO場(chǎng)致發(fā)光
的操作。
第3實(shí)施例
第3實(shí)施例也涉及本發(fā)明驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光部分的方法。驅(qū)動(dòng)電路以 3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的形式配置。
圖12示出了 3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖，并且圖13示出了有機(jī)EL
43顯示器件的概念圖。另外，圖14示意性地示出了驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖。此外，
圖15A到150示意性地示出了三個(gè)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)/關(guān)斷狀態(tài)等。
與上述2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的情況類似，3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路也包括寫入晶體管
TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器部分d。此外，3Tr/lC驅(qū)
動(dòng)電路進(jìn)一步包括第一晶體管TR,。 [寫入晶體管TRW]
由于該寫入晶體管TRw的結(jié)構(gòu)與前面在第1實(shí)施例中所述的寫入晶體管 TRw的結(jié)構(gòu)相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。但是，盡管寫入晶體管TRw的源極/漏極區(qū)之一與相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL連接，但不僅將用于控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)VSig,而且將兩種類型的電壓
(更具體地說，如后所述的電壓Voft-h和電壓Vofs-l)作為第一節(jié)點(diǎn)初始化電
壓供應(yīng)給寫入晶體管TRw,以便初始化第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位。第3實(shí)施例中的寫入晶體管TRw的操作在這一點(diǎn)上與在第1和第2實(shí)施例中的每一個(gè)中所述的寫入晶體管TRw的操作不同。例如，可以將Voft-h-大約30V和Vo" =大約0 V示范成電壓V她.h和電壓Vofe丄的值。但是，本發(fā)明決不會(huì)局限于此。應(yīng)該注意到，如后所述，施加電壓VQfs-H只是為了初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位。在將電壓V版l施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上同時(shí)，執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。 [Cel但與d值之間的關(guān)系]
如后所述，在第3實(shí)施例中，與第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位的變化相對(duì)應(yīng)地改變第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電位，從而初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位。在上述第 1和第2實(shí)施例中的每一個(gè)中，以場(chǎng)致發(fā)光部分ELP中的電容CELj的電容值 c^比電容器部分d的電容值d和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的沖冊(cè)極與源極區(qū)之間的寄
生電容的電容值Cgs中的每一個(gè)大得多為前提給出了描述。因此，所做描述也
未考慮基于驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極(第一節(jié)點(diǎn)ND,)上的電位的變化的驅(qū)^ 晶體管TRd的源板區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)上的電位的變化。另一方面，在第3 實(shí)施例中，就設(shè)計(jì)而言，將電容值d設(shè)置成大于每個(gè)其它驅(qū)動(dòng)電路中的電容值(例如，將電容值q設(shè)置在電容C^的大約1/4到大約1/3)。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND i上的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化程度較大。由于這個(gè)原因，在第3實(shí)施例中，所做描述考慮第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。應(yīng)該注意到，也考慮第一節(jié)點(diǎn)ND,上
44的電位的變化引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化地示出圖14的驅(qū)動(dòng)操作的時(shí)序圖。
該第一晶體管TR1的結(jié)構(gòu)與前面在第2實(shí)施例中所述的第一晶體管TRi 的結(jié)構(gòu)相同。也就是說，在第一晶體管TR,中，源極/漏極區(qū)之一與電源部分 100連接，并且它的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一連接。它的柵極與第一晶體管控制線CL,連接。
依照來自第一晶體管控制線CL,的信號(hào)控制第一晶體管TR,的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。更具體地說，第一晶體管控制線CL!與第一晶體管控制電路111連接。此外，依照第一晶體管控制電路111的操作將第一晶體管控制線CLi的電位設(shè)置在低電平或高電平上，從而導(dǎo)通或關(guān)斷第一晶體管TRi。
由于該驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的結(jié)枸與前面在第1實(shí)施例中所述的驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD的結(jié)構(gòu)相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。應(yīng)該注意到，與第2實(shí)施例的情況類似，電源部分100和驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一通過第一晶體管TRi相互連4妄，并且利用第一晶體管TR!控制場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光/非場(chǎng)致發(fā)光。與第2實(shí)施例的情況類似，電源部分100施加纟會(huì)定電壓Vcc。
由于該場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的結(jié)構(gòu)與前面在第1實(shí)施例中所述的場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的結(jié)構(gòu)相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的詳細(xì)描述。
這里，將針對(duì)利用3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的方法給出描述。的^:作時(shí)間間隔相同的操作時(shí)間間隔。
從如圖14所示的[時(shí)間間隔-TP(3)o]到[時(shí)間間隔-TP(3)u)]的時(shí)間間隔是與從如圖4所示的[時(shí)間間隔-TP(2)o]到[時(shí)間間隔-TP(2)8]的時(shí)間間隔相對(duì)應(yīng)的時(shí)間間隔。因此，這個(gè)時(shí)間間隔是正好在進(jìn)行下一次寫入處理執(zhí)行之前的操作時(shí)間間隔。此外，在從[時(shí)間間隔-TP(3)o]到[時(shí)間間隔-TP(3)!o]的時(shí)間間隔內(nèi)，第(n, m)有機(jī)EL元件IO通常保持在非場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)。應(yīng)該注意到，現(xiàn)在以[時(shí)間間隔-TP(3)2]的開始和[時(shí)間間隔-TP(3)4]的終止分別與第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。進(jìn)一步，.: 以[時(shí)間間隔-TP(3)6]的開始和[時(shí)間間隔-TP(3)7]的終止分別與第(m- 1 ) 水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。更進(jìn)一步，以[時(shí)間間隔-TP(3)8]的開始和[時(shí)間間隔-TP(3)n]的終止分別與第m水平掃描時(shí)間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。
在下文中，將描述[時(shí)間間隔-TP(3)o]到[時(shí)間間隔-TP(3)n]的時(shí)間間隔。應(yīng)該注意到，視有機(jī)EL顯示器件的設(shè)計(jì)而定，必須適當(dāng)?shù)卦O(shè)置[時(shí)間間隔-TP(3)]的開始和[時(shí)間間隔-TP(3)!]到[時(shí)間間隔—TP(3)n]的長(zhǎng)度。(參照?qǐng)D14和圖15B)
例如，[時(shí)間間隔-TP(3)o]是從最后顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作時(shí)間間隔，因此，基本上是與前面在第2實(shí)施例中所述的[時(shí)間間隔-TP(4)o]的操作時(shí)間間隔相同的^t喿作時(shí)間間隔。到[時(shí)間間隔-TP(3)3](參照?qǐng)D14和圖15C到15E) 如后所述，在[時(shí)間間隔-TP(3)3]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(a),即，上述的預(yù) 處理。在打算執(zhí)行步驟(a)的掃描時(shí)間間隔(即，第(m-2)水平掃描時(shí) 間間隔)開始之前，依照來自相應(yīng)一條掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管 TRw。在這種導(dǎo)通狀態(tài)下，接著執(zhí)行步驟(a)。在第3實(shí)施例中，與前面在第1實(shí)施例中所述的情況類似，在正好在第(m-2)水平掃描時(shí)間間隔之前的掃描時(shí)間間隔(即，第(m-3)水平掃描時(shí)間間隔)內(nèi)，導(dǎo)通寫入晶體管 TRw。在這種導(dǎo)通狀態(tài)下，接著執(zhí)行步驟(a)。在下文中，將給出對(duì)它的詳(參照?qǐng)D14和圖15D)
當(dāng)前顯示幀中的第(m - 2 )水平掃描時(shí)間間隔從[時(shí)間間隔-TP(3)2]開始。在根據(jù)第一晶體管控制電路111的操作，依照來自第一晶體管控制線CLi的信號(hào)保持第一晶體管TR!的關(guān)斷狀態(tài)的同時(shí)，在[時(shí)間間隔-TP(3)2]開始時(shí)，依照信號(hào)輸出電路102的操作將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號(hào)的電壓VSig—m-3切換到作為第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓的Vofs.H (30V)。其結(jié)果是，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位被設(shè)置在V(^h上。如上所述，由于就設(shè)計(jì)而言，使電容器部分d的電容值Cl大于每個(gè)其它驅(qū)動(dòng)電路中的電容值，源極區(qū)上的電位(第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)升高。應(yīng)該注意到，盡管當(dāng)場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的相對(duì) 端上的電位差超過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-EL時(shí)，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP 保持在導(dǎo)電狀態(tài)，但驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極區(qū)上的電位再次下降到(Vth-EL + VCat)。盡管場(chǎng)致發(fā)光部分ELP在這個(gè)過程中可以發(fā)光，但因?yàn)閳?chǎng)致發(fā)光一閃而過，所以實(shí)際上不成問題。另一方面，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極中保持電壓Vofs_H。(參照?qǐng)D14和圖15E )
在[時(shí)間間隔-TP(3)3]內(nèi)，執(zhí)行上述的步驟(a)，即，上述的預(yù)處理。在根據(jù)第一晶體管控制電路111的操作，依照來自第一晶體管控制線CL!的信號(hào)保持第一晶體管TR,的關(guān)斷狀態(tài)的同時(shí)，將施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓的值從V他.h切換到Voft丄。其結(jié)果是，依照第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位的變化改變第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位，從而初始化第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電位。具體地說，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL的電位從電壓Voft-h切換到電壓Vofs-L，以便第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位從電壓V他-h (30 V)切換到電壓V。fs_L (0 V)。此外，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位也下降，以便跟隨第一節(jié)點(diǎn)ND，上的電位的下
降。也就是說，將基于驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極上的電位的變化(Vofs丄-VGfs-H)
的電荷分配給電容器部分Cp場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電容CEL和驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD的柵極與源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的寄生電容。應(yīng)該注意到，作為在如后所述的[時(shí)間間隔-TP(3)4]內(nèi)的操作的前提，要求第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位低于[時(shí)間間隔-TP(3)3]終止時(shí)的電位差(Vofs-L - Vth )。將Vofs-H等的值設(shè)置成滿足這個(gè)條件。也就是說，通過進(jìn)行上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極與源極區(qū)之間的電位差變成大于或等于驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth，因此導(dǎo)通驅(qū) 動(dòng)晶體管TRo。
47[時(shí)間間隔-TP(3)4](參照?qǐng)D14和圖MF)
在[時(shí)間間隔-TP(3)4]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。也就是說，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)，通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。f化從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL 施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上。在這種狀態(tài)下，依照第一晶體管控制電路111的操作，通過依照通過相應(yīng)一條第一晶體管控制線CL,發(fā)送的信號(hào)導(dǎo)通的第一晶體管TRp使驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一與電源部分100通電。此外，將電壓Vcc作為比從第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位V。ft丄中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的闊電壓V也獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極/漏極區(qū)之一上。應(yīng)該注意到，連續(xù)地施加電壓Vcc，直到第(m-m'-1) 水平掃描時(shí)間間隔終止。其結(jié)果是，盡管第一節(jié)點(diǎn)ND，上的電位沒有變化(保持V他丄=0 V),但第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從第一節(jié)點(diǎn)ND上的電位開始朝從第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓V也獲得的電位的方向變化。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高了。
與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，如果[時(shí)間間隔-TP(3)4]的長(zhǎng)度充分長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)之間的電位差達(dá)到閾電壓Vth,因此使驅(qū)動(dòng)晶體管TRo關(guān)斷。也就是說，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位接近(V他-Vth = -3 V),最后變成(Vofs _Vth)。但是，第3實(shí)施例中的[時(shí)間間隔-TP(3)4]的長(zhǎng)度不足以充分改變第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位。其結(jié)果是，在[時(shí)間間隔-??？(3)4]終止時(shí)，第二節(jié)點(diǎn) ND2上的電位達(dá)到滿足關(guān)系W(V他丄-Vth)的某個(gè)電位VA。
在[時(shí)間間隔-TP(3)s]中和之后的時(shí)間間隔內(nèi)的操作基本上與在第1實(shí)施例中針對(duì)從[時(shí)間間隔-TP(2)4]到[時(shí)間間隔-TP(2)u]的時(shí)間間隔給出的描述
中用電壓Vcc取代電壓Vcc-h和基本上用V胎Wofs-l取代電壓V他的操作相
同，但第3實(shí)施例與第1實(shí)施例的不同之處在于，在如后所述的[時(shí)間間隔-TP(3)8]內(nèi)，寫入晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)。在下文中，將描述這些時(shí)間間隔。(參照?qǐng)D14和圖15G)
在[時(shí)間間隔-TP(3)s]開始時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他丄切換到視頻信號(hào)的電壓VSig—m_2。為了避免將視頻信號(hào) Vs^m-2施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上，在[時(shí)間間隔_ TP(3)5]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)
48一條掃描線SCL發(fā)送的信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管TRW。在[時(shí)間間隔-TP(3》]內(nèi) 執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)4]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位VA升高到某個(gè)電位VB。另外，第一節(jié)點(diǎn)NDj 上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。和[時(shí)間間隔-TP(3)7](參照?qǐng)D14和圖15H到15J)
在[時(shí)間間隔-TP(3)6]內(nèi)，將比在上述步驟(b )中從施加到第一節(jié)點(diǎn)ND! 上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Vofs-L中減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上。在這種狀態(tài)下，寫入晶體管TRw在一個(gè)水平掃描時(shí)間間隔內(nèi)保持在關(guān)斷狀態(tài)，使第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位升高。這樣，就執(zhí)行了輔助自舉處理。
在[時(shí)間間隔-TP(3)6]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)5]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位Va升高到某個(gè)電位Vc。另外，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位的變化。在[時(shí)間間隔-TP(3)7]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì) [時(shí)間間隔-TP(2)6]所述的操作相同。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位 Vc升高到某個(gè)屯位Vd。另外，第一節(jié)點(diǎn)NDi上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位的變化。(參照?qǐng)D14和圖15K)
在[時(shí)間間隔-TP(3)8]開始時(shí)，將相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從視頻信號(hào)的電壓VSig—m.,切換到作為第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓的電壓VGfs_H。如前所述，電壓V他.H是用于在上述步驟(a)中，即，在上述的預(yù)處理中初始化第二節(jié)
點(diǎn)ND2上的電位的電壓。在執(zhí)行了預(yù)處理之后，沒有必要將電壓V。fs-H施加
到第一節(jié)點(diǎn)ND,上。因此，為了避免將電壓V他-H施加到第一節(jié)點(diǎn)NDi上，依照掃描電路101使相應(yīng)一條掃描線SCL上的電位保持在低電平上。此外，使寫入晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)。因此，在[時(shí)間間隔-TP(3)8]內(nèi)，也保持自舉操作，因此,第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位從電位V。升高到某個(gè)電位VE。另夕卜，第一節(jié)點(diǎn)ND!上的電位也升高，以便跟隨第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電位的變化。應(yīng)該注意到，作為[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)的操作的前提，要求第二節(jié)點(diǎn) ND2上的電位低于(V她-Vth)?；旧?，只要在[時(shí)間間隔-TP(3)8]終止時(shí)第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位Ve低于(Vofs-Vth)，就不會(huì)妨礙在[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)執(zhí)行的操作。與在第1實(shí)施例中所述的情況類似，在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器件期間，必須事先設(shè)置從[時(shí)間間隔-TP(3)s]開始到[時(shí)間間隔-TP(3)8]終止的長(zhǎng)度作為設(shè)計(jì)值，以便滿足條件VE<V。fs-L - Vth。 [時(shí)間間隔-TP(3)9](參照?qǐng)D14和圖15L)
在[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)，也執(zhí)行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)執(zhí)行的閾電壓消除處理對(duì)應(yīng)于打算正好在執(zhí) 行寫入處理之前執(zhí)行的闊電壓消除處理。在[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)執(zhí)行的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)7]所述的操作相同。因此，保持在浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位接近(V他-l _ Vth =-3 V),最后變成(V0fs-L -Vth)。這里，只要通過在表達(dá)式(5)中用V他丄取代Voft獲得的表達(dá)式得到保證，換句話說，只要將電位選擇和確定成滿足通過在表達(dá)式(5)中用Voft丄取代Voft獲得的表達(dá)式，場(chǎng)致發(fā)光部分ELP就不發(fā)光。
第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位在[時(shí)間間隔-TP(3)9]內(nèi)最后變成(V她丄-Vth )。也就是說，只視驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V他-l而定，確定第二節(jié)點(diǎn)M)2上的電
位。此外，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位與場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的閾電壓Vth-el無關(guān)。 [時(shí)間間隔-TP(3)u)](參照?qǐng)D14和圖15M)
在[時(shí)間間隔-TP(3)k)]開始時(shí)，依照通過相應(yīng)一條掃描線SCL發(fā)送的橫號(hào)關(guān)斷寫入晶體管TRw。此外，將施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓Voft-l切換到視頻信號(hào)的電壓Vsig—m。如果驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 在閾電壓消除處理中到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)ND t上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2 上的電位基本上都不會(huì)發(fā)生變化。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRo在閾電壓消除處理中未到達(dá)關(guān)斷狀態(tài)的情況下，在[時(shí)間間隔-TP(3)h)]內(nèi)也發(fā)生自舉操作，并且第一節(jié)點(diǎn)ND,上的電位和第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位有點(diǎn)升高。在圖14中以未發(fā)生自舉操作為前提說明有機(jī)EL元件中的驅(qū)動(dòng)操作。(參照?qǐng)D14和圖15N)
在[時(shí)間間隔-TP(3)u]內(nèi)，執(zhí)行上述的步驟(c)，即，上述的寫入處理。由于[時(shí)間間隔-TP(3)u]內(nèi)的操作與在第1實(shí)施例中針對(duì)[時(shí)間間隔-TP(2)9] 所述的操作相同，為了簡(jiǎn)單起見，這里省略對(duì)它的描述。與在第1實(shí)施例書所述的情況類似，在第3實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，也與使驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極/漏極區(qū)的另一個(gè)上的電位(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2上的電位)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的特性(例如，遷移率p的幅度等)相對(duì)應(yīng)地升高的遷移率校正處理一起執(zhí)行寫入處理。
應(yīng)該注意到，與在第1實(shí)施例中所述的情況類似，視情況而定，寫入晶體管TRw在[時(shí)間間隔-TP(3一]內(nèi)可以保持在導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，在[時(shí) 間間隔-TP(3)h)]內(nèi)，相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL上的電壓一從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。"切換到視頻信號(hào)的電壓VSig—m就開始執(zhí)行寫入處理。(參照?qǐng)D14和圖150)
通過進(jìn)行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理的^L行。此后，在[時(shí)間間隔-TP(3)i2]內(nèi)執(zhí)行上述的步驟(d)。也就是說，寫入晶體管TRw保持在關(guān)斷狀態(tài)，因此，第一節(jié)點(diǎn)NDp即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo 的柵極保持在浮置狀態(tài)。保持第一晶體管TR!的導(dǎo)通狀態(tài)，并且保持將電壓 Vcc從電源部分100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)。因
此，作為上文的結(jié)果，因?yàn)榈诙?jié)點(diǎn)ND2上的電位升高到超過(Vth-el-VCat)，
所以場(chǎng)致發(fā)光部分ELP開始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榭梢愿鶕?jù)V他-l取代V他的表達(dá)式(8 )獲得，所以使其流過場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的電流Ids與場(chǎng)致發(fā)光部分 ELP的閾電壓Vth-el和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾電壓Vth無關(guān)。
此外，繼續(xù)保持場(chǎng)致發(fā)光部分ELP的場(chǎng)致發(fā)光狀態(tài)，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時(shí)間間隔。這個(gè)時(shí)間點(diǎn)對(duì)應(yīng)于[時(shí)間間隔-TP(3h]的結(jié)束。
根據(jù)上文，完成了使構(gòu)成第(n, m)子像素的有機(jī)EL元件IO場(chǎng)致發(fā)光的操作。、
盡管到此為止已經(jīng)根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明決不會(huì)局限于此。在第1到第3實(shí)施例中所述的構(gòu)成有機(jī)EL顯示器件、有機(jī)EL元件和驅(qū)動(dòng)電路的各種類型組成元件的配置和結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)場(chǎng)致發(fā)光部分的方法中的進(jìn)程僅僅是舉例，因此可以適當(dāng)?shù)馗淖儭?br> 盡管在第1實(shí)施例中，在[時(shí)間間隔-TP(2)2]內(nèi)執(zhí)行了預(yù)處理之后，在[時(shí) 間間隔-TP(2)3]內(nèi)執(zhí)行閾電壓消除處理，但本發(fā)明決不會(huì)局限于此。視情況而定，寫入晶體管TRw在[時(shí)間間隔-TP(2)3]內(nèi)可以保持在關(guān)斷狀態(tài)。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，正好在執(zhí)行寫入處理之前一次性地執(zhí)行閾電壓消除處理。這也適應(yīng) 于第2實(shí)施例和第3實(shí)施例中的每一個(gè)。
另外，盡管在第2實(shí)施例和第3實(shí)施例中的每一個(gè)中，與第1實(shí)施例的情況類似，與遷移率校正處理一起執(zhí)行寫入處理，但本發(fā)明決不會(huì)局限于此?？梢韵嗷シ珠_地執(zhí)行寫入處理和遷移率校正處理。具體地說，以第一晶體管
TRi保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管TRw將^L頻信號(hào)的電壓VSig—m從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點(diǎn)ND!上的方式執(zhí)行寫入處理。接著，以第一晶體管TR,保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且在預(yù)定時(shí)間間隔內(nèi) 保持將視頻信號(hào)Vsig^施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,上的狀態(tài)的方式執(zhí)行遷移率校正處理。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，視設(shè)計(jì)要求和其它因素而定，可以作出各種各樣的修改、組合、子組合和變更，它們都在所附權(quán)利要求書或它的等效物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，其中，驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的驅(qū)動(dòng)電路包括(A)包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的驅(qū)動(dòng)晶體管；(B)包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的寫入晶體管；和(C)包括一對(duì)電極的電容器部分；在所述驅(qū)動(dòng)晶體管中，(A-1)將所述源極/漏極區(qū)之一與電源部分連接；(A-2)將所述源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與配備在所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分中的陽極連接，并且與所述電容器部分的所述一對(duì)電極之一連接，從而形成第二節(jié)點(diǎn)；和(A-3)將所述柵極與所述寫入晶體管的所述源極/漏極區(qū)的另一個(gè)連接，并且與所述電容器部分的所述一對(duì)電極的另一個(gè)連接，從而形成第一節(jié)點(diǎn)；在所述寫入晶體管中，(B-1)將所述源極/漏極區(qū)之一與相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線連接；和(B-2)將所述柵極與相應(yīng)一條掃描線連接；通過使用所述驅(qū)動(dòng)電路，執(zhí)行如下步驟(a)進(jìn)行預(yù)處理以初始化所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位和所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位，以便所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差超過所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓，并且所述第二節(jié)點(diǎn)與配備在所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分中的陰極之間的電位差不超過所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的閾電壓；(b)進(jìn)行閾電壓消除處理以在保持所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位的狀態(tài)下，將比從所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從所述電源部分施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)之一上，從而至少一次地朝從所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位中減去所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電位的方向改變所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位；(c)進(jìn)行寫入處理以通過所述寫入晶體管將視頻信號(hào)從所述相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線供應(yīng)給所述第一節(jié)點(diǎn)；和(d)關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點(diǎn)設(shè)置在浮置狀態(tài)下，從而使與所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差的值相對(duì)應(yīng)的電流通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管從所述電源部分流到所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分；所述驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟在至少連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行從所述步驟(a)到所述步驟(c)的步驟；在每個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓施加到所述相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上，并且供應(yīng)視頻信號(hào)取代第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓；在所述步驟(a)中，通過保持在接通狀態(tài)的所述寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從所述相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到所述第一節(jié)點(diǎn)上，從而初始化所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位；和在所述步驟(b)中，通過保持在接通狀態(tài)的所述寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從所述相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到所述第一節(jié)點(diǎn)上，從而保持所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位；其中，至少執(zhí)行一次輔助自舉處理以在從完成預(yù)處理的執(zhí)行到開始執(zhí)行打算正好在寫入處理之前執(zhí)行使所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位升高的閾電壓消除處理的時(shí)間間隔內(nèi)，將比在所述步驟(b)中從施加到所述第一節(jié)點(diǎn)上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓中減去所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從所述電源部分施加到所述源極/漏極區(qū)之一上的狀態(tài)下，在一個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)使所述寫入晶體管保持在關(guān)斷狀態(tài)，從而使保持在浮置狀態(tài)的所述第一節(jié)點(diǎn)上的電位升高。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，其中，在所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位，通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管將第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓從所述電源部分施加到所述第二節(jié)點(diǎn)上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包含(D) 包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的第一晶體管；和(E) 包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的第二晶體管；在所述第一晶體管中，(D-l )將所述源極/漏極區(qū)之一與所述電源部分連接； (D-2 )將所述源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)之一連4矣；和(D-3)將所述柵極與第一晶體管控制線連接；在所述第二晶體管中，(E-l)將所述源極/漏極區(qū)之一與第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓供應(yīng)線連接； (E-2)將所述源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；和 (E-3)將所述柵極與第二晶體管控制線連接；在所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位，在依照來自所述第一晶體管控制線的信號(hào)保持所述第一晶體管的關(guān)斷狀態(tài)，并且依照來自所述第二晶體管控制線的信號(hào)關(guān)斷所述第二晶體管的狀態(tài)下，通過依照來自所述第二晶體管控制線的信號(hào)接通的所述第二晶體管，將第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓從所述第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓供應(yīng)線施加到所述第二節(jié)點(diǎn)上；和在所述步驟(b)中，通過依照來自所述第一晶體管控制線的信號(hào)接通的所述第一晶體管，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)之一與所述電源部分通電。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包含(D)包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的第一晶體管；在所述第一晶體管中，(D-l)將所述源極/漏極區(qū)之一與所述電源部分連接； (D-2 )將所述源極/漏極區(qū)的另一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)之一連4妄；和(D-3)將所述柵極與第一晶體管控制線連接；在所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位，在依照來自所述第一晶體管控制線的信號(hào)保持所述第一晶體管的關(guān)斷狀態(tài)的狀態(tài)下，改變施加到所述第一節(jié)點(diǎn)上的第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓的值，以便依照所述第一節(jié)點(diǎn) 上的電位的變化改變所述第二節(jié)點(diǎn)上的電位；和在所述步驟(b)中，通過依照來自所述第一晶體管控制線的信號(hào)接通的所述第一晶體管，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)之一與所述電源部分通電。
全文摘要
本文公開了驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光發(fā)射部分的方法，該驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟在至少連續(xù)三個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行從預(yù)處理步驟到寫入步驟的步驟；在每個(gè)掃描時(shí)間間隔內(nèi)，將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓施加到相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線上，和供應(yīng)視頻信號(hào)取代第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓；通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上，從而初始化第一節(jié)點(diǎn)上的電位；和通過保持在導(dǎo)通狀態(tài)的寫入晶體管將第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓從相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線施加到第一節(jié)點(diǎn)上，從而保持第一節(jié)點(diǎn)上的電位。
文檔編號(hào)G09G3/30GK101425257SQ20081017041
公開日2009年5月6日申請(qǐng)日期2008年11月3日優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日
發(fā)明者豐村直史, 內(nèi)野勝秀, 山本哲郎申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社

完整全部詳細(xì)技術(shù)資料下載