專利名稱：電泳顯示裝置、其制造方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示裝置的制造方法、電泳顯示裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為有源矩陣型的電泳顯示裝置，人們知道在像素內(nèi)具備開(kāi)關(guān)用晶體 管和存儲(chǔ)電路的電泳顯示裝置(例如，參看專利文獻(xiàn)l)。在專利文獻(xiàn)l所記 述的顯示裝置中，在形成有像素開(kāi)關(guān)用晶體管、^像素電極的元件M上粘 接有具備內(nèi)置帶電微粒的多個(gè)微嚢的電泳元件，把電泳元件夾持于設(shè)置有 相向電極的相向基板和元件基板之間。
此外，人們還知道在像素內(nèi)具備作為存儲(chǔ)電路的鎖存電路、開(kāi)關(guān)電路
的構(gòu)成的電泳顯示裝置(例如，圖9)。
倘采用這樣的電路構(gòu)成，由于可以在鎖存電路內(nèi)邊保持圖像數(shù)據(jù)邊使 顯示器的狀態(tài)按全黑、全白、翻轉(zhuǎn)圖像進(jìn)行變化，除去使之顯示新的圖像 的情況下之外，不需要使驅(qū)動(dòng)電路工作，故是一種可以更為靈活的顯示方 法。
鎖存電路具有傳送反相器和反饋反相器，對(duì)于每一反相器都設(shè)置有N 型晶體管和P型晶體管。在制造這些晶體管以及上述的像素開(kāi)關(guān)用的晶體 管的過(guò)程中，先在S^上形成半導(dǎo)體部，然后向該半導(dǎo)體部照射光使之結(jié) 晶化。以往，在進(jìn)行該結(jié)晶化時(shí)， 一般是邊使具有帶狀的照射區(qū)域的脈沖 激光按每個(gè)脈沖進(jìn)行移動(dòng)，邊分成多次照射像素整體。特開(kāi)2003-84314號(hào)/>凈艮
但是，脈沖激光之類的脈沖光，由于在不同的脈沖的照射條件(例如， 能量的量等)并不均一，而且難于控制其照射條件的偏離，故對(duì)半導(dǎo)體部照射的是按每一個(gè)脈沖都不同的能量的量的激光。其結(jié)果是產(chǎn)生了這樣的問(wèn)
題在各個(gè)半導(dǎo)體部中結(jié)晶的狀態(tài)不同，按每一個(gè)半導(dǎo)體部在電特性上產(chǎn) 生了不均一。特別是如果是在構(gòu)成選擇晶體管的半導(dǎo)體部，和構(gòu)成鎖存電 路中的反饋反相器的N型晶體管和P型晶體管的半導(dǎo)體部之間在電特性上 存在不均一，則由于在鎖存電路中產(chǎn)生誤工作的可能性高，故至少在這些 半導(dǎo)體部中要求均一地結(jié)晶的方法。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述那樣的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供可以防止存儲(chǔ)電路的誤 工作的電泳顯示裝置的制造方法、電泳顯示裝置和電子設(shè)備。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電泳顯示裝置的制造方法，是一種電泳 顯示裝置的制造方法，該電泳顯示裝置具備顯示部，該顯示部把含有電泳 微粒的電泳元件夾持在一對(duì)基板間，并把多個(gè)像素排列起來(lái)，按上述每一 個(gè)像素設(shè)置有選擇晶體管、與上述選擇晶體管連接起來(lái)的鎖存電路，該制 造方法的特征在于包括如下工序沿著上述像素的排列方向直線狀地形 成構(gòu)成上述選擇晶體管的笫l半導(dǎo)體部，和包括構(gòu)成上述鎖存電路的反饋 反相器的多個(gè)晶體管的第2半導(dǎo)體部的半導(dǎo)體部形成工序；和對(duì)于上述第 1和第2半導(dǎo)體部，沿著上述直線狀的排列照射脈沖光的光照射工序。
倘采用本發(fā)明，由于沿著像素的排列方向直線狀地形成構(gòu)成選擇晶體 管的第1半導(dǎo)體部和包括構(gòu)成鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的第2 半導(dǎo)體部，對(duì)第1和第2半導(dǎo)體部，沿著該直線狀的排列照射脈沖光，故 結(jié)果就變成為可以向這些第1和第2半導(dǎo)體部照射照射條件基本相等的 脈沖光。由于在同一脈沖內(nèi)脈沖光的照射條件基本是均一的，故結(jié)果就變 成為在第1和第2半導(dǎo)體部?jī)?nèi)可以同程度地結(jié)晶化，這些第1和第2半導(dǎo) 體部的電方面的特性就變成為基本均一。借助于此，就可以防止在選擇晶 體管與構(gòu)成反饋反相器的多個(gè)晶體管之間電特性的不均一，就可以防止鎖 存電路的誤工作。
上述的電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體部形成工序中，沿著上述^象素的排列方向直線狀地配置形成上述第l半導(dǎo)體部之
中的將成為上述選擇晶體管的溝道區(qū)域的平面區(qū)域和上述第2半導(dǎo)體部之 中的將成為多個(gè)上述晶體管的每一者的溝道區(qū)域的平面區(qū)域。
倘采用本發(fā)明，由于在形成半導(dǎo)體部時(shí)，沿著^f象素的排列方向直線狀 地配置形成第1半導(dǎo)體部之中的將成為選擇晶體管的溝道區(qū)域的平面區(qū)域 和第2半導(dǎo)體部之中的將成為多個(gè)晶體管的每一者的溝道區(qū)域的平面區(qū) 域，故可以在第l和第2半導(dǎo)體部之中在溝道區(qū)域處，可靠地同程度地使 之結(jié)晶化。
上述電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體部形成工 序中，在將在上述光照射工序中被照射上述脈沖光的區(qū)域內(nèi)，形成上述第 l和第2半導(dǎo)體部。
倘采用本發(fā)明，由于在形成半導(dǎo)體部時(shí)，在將在后續(xù)工序的光照射工 序中被照射脈沖光的區(qū)域內(nèi)，形成第1和第2半導(dǎo)體部，故可以可靠地向 第l和第2半導(dǎo)體部的全體照射脈沖光。借助于此，由于僅僅照射單一脈 沖的脈沖光就可以使各個(gè)半導(dǎo)體部的整個(gè)區(qū)域結(jié)晶化，故可以使脈沖光照 射工序的時(shí)間縮短。
上述電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體部形成工 序中，沿著上述像素的排列方向直線狀地配置形成多個(gè)上述^^素的上述第 l和第2半導(dǎo)體部。
倘采用本發(fā)明，由于在形成半導(dǎo)體部時(shí)，沿著1^象素的排列方向直線狀 地配置形成多個(gè)像素的第1和第2半導(dǎo)體部，故就可以在多個(gè)像素中，防 止鎖存電路的誤工作。借助于此，就可以制造可靠性更高的電泳顯示裝置。
上述電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于多個(gè)上述像素，是屬于 在上述顯示部延伸的掃描線或數(shù)據(jù)線之中的一條上述掃描線或上述數(shù)據(jù)線 的多個(gè)像素。
倘采用本發(fā)明，由于多個(gè)像素，是屬于在顯示部延伸的掃描線或數(shù)據(jù) 線之中的一條掃描線或數(shù)據(jù)線的多個(gè)J象素，故對(duì)于屬于一條掃描線或數(shù)據(jù) 線的多個(gè)像素，就可以防止鎖存電路的誤工作。
6本發(fā)明的電泳顯示裝置，具備把含有電泳微粒的電泳元件夾持在一 對(duì)基板間并把多個(gè)像素排列起來(lái)的顯示部，按上述每一個(gè)像素設(shè)置有選擇 晶體管、與上述選擇晶體管連接起來(lái)的鎖存電路，其特征在于沿著上述 像素的排列方向直線狀地配置構(gòu)成上述選擇晶體管的第l半導(dǎo)體部和包 括構(gòu)成上述鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的第2半導(dǎo)體部。
倘采用本發(fā)明，由于沿著像素的排列方向直線狀地配置構(gòu)成選擇晶
體管的第1半導(dǎo)體部和包括構(gòu)成鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的笫 2半導(dǎo)體部，故可以在形成這些第1和第2半導(dǎo)體部時(shí)借助于帶狀的脈沖 光等均一地進(jìn)行結(jié)晶化。
上述的電泳顯示裝置，其特征在于沿著上述像素的排列方向直線狀 地排列多個(gè)上述像素的上述第i和第2半導(dǎo)體部。
倘采用本發(fā)明，由于沿著像素的排列方向直線狀地排列多個(gè)像素的第 l和第2半導(dǎo)體部，故可以在多個(gè)像素中防止鎖存電路的誤工作。借助于 此，就可以得到可靠性更高的電泳顯示裝置。
上述電泳顯示裝置，其特征在于多個(gè)上述像素，是屬于在上述顯示 部延伸的掃描線或數(shù)據(jù)線之中的一條上述掃描線或上述數(shù)據(jù)線的多個(gè)像 素。
倘采用本發(fā)明，由于多個(gè)像素是屬于在顯示部延伸的掃描線或數(shù)據(jù)線 之中的一條掃描線或數(shù)據(jù)線的多個(gè)像素，故對(duì)于屬于一條掃描線或數(shù)據(jù)線 的多個(gè)像素，就可以防止鎖存電路的誤工作。
本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于具備上述的電泳顯示裝置。 倘采用本發(fā)明，由于裝栽有可以防止鎖存電路的誤工作、可靠性高的 電泳顯示裝置，故可以得到顯示部的可靠性高的電子設(shè)備。


圖l是本發(fā)明的實(shí)施方式l的電泳顯示裝置的概略構(gòu)成圖。 圖2是本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。 圖3是本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的部分剖面圖。圖4是本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的微嚢的剖面構(gòu)成圖。
圖5是示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的一個(gè)像素的構(gòu)成的俯視圖。
圖6是示出了電泳顯示裝置的制造過(guò)程的工序圖。
圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2的電泳顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。
圖8是示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的一個(gè)像素的構(gòu)成的俯視圖。
圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式3的電泳顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。 圖10是示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的一個(gè)像素的構(gòu)成的俯視圖。
圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式4的電泳顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。 圖12是示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置的一個(gè)像素的構(gòu)成的俯視圖。
圖13是本發(fā)明的電泳顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖(變形例)。 標(biāo)號(hào)的說(shuō)明
1、 101、 201、 301:電泳顯示裝置；3:顯示部；20、 120、 220、 302、 320:像素；21:像素電極；22:共用電極；23:電泳元件；24、 24R:選 擇晶體管；31、 33: N型晶體管；32、 34: P型晶體管；24a、 31a、 32a、 33a、 34a、 24Ra:半導(dǎo)體部；25:鎖存電路；40:掃描線；50:數(shù)據(jù)線； 77:低電位電源線；78:高電位電源線；TG1、 TG2:傳輸門；Sl:第1 控制線；S2:第2控制線；L、 Ll、 L2、 L3:激光
具體實(shí)施例方式
以下，參看圖面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行i兌明。在本實(shí)施方式中，以 通過(guò)有源矩陣方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電泳顯示裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。在以下的圖面 中，為了便于理解各個(gè)構(gòu)成，使各個(gè)結(jié)構(gòu)中的比例尺、數(shù)目等與實(shí)際的結(jié) 構(gòu)不同。
圖1是示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置1的概略構(gòu)成的俯視圖。電
8泳顯示裝置1的構(gòu)成為具備把多個(gè)像素20排列起來(lái)的顯示部3、掃描線驅(qū) 動(dòng)電路60和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路70。
在顯示部3，形成有從掃描線驅(qū)動(dòng)電路60延伸的多條掃描線40(Y1、
Y2.......、 Ym)和從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路70延伸的多條數(shù)據(jù)線50(Xl 、X2........
Xn)。像素20被配置為與掃描線40和數(shù)據(jù)線50的交叉部相對(duì)應(yīng)，各個(gè)像 素20分別連接到掃描線40和數(shù)據(jù)線50上。
另外，圖示雖然省略了，但是，在顯示部3的周邊，除去掃描線驅(qū)動(dòng) 電路60和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路70之外，還配置有共用電源調(diào)制電路、控制器。 該控制器，根據(jù)從上位裝置供給的圖像數(shù)據(jù)、同步信號(hào)，綜合控制上述各 個(gè)電路。
共用電源調(diào)制電路，在控制器的控制下，生成應(yīng)供往上述每一布線的 各種信號(hào)，另一方面還進(jìn)行這些各種布線的電連接和斷開(kāi)(高阻抗化)。
此外，對(duì)每一個(gè)像素20，除去掃描線40和數(shù)據(jù)線50之外，在后述的 圖2的電路構(gòu)成中，還連接有高電位電源線和低電位電源線。此外，在后 述的圖7的電路構(gòu)成中，還連接有反相數(shù)據(jù)線50R。
圖2示出了像素20的電路構(gòu)成。
如同圖所示，像素20具備選擇晶體管24;鎖存電路(存儲(chǔ)電路)25; 像素電極21;共用電極22和電泳元件23。
選擇晶體管24，是場(chǎng)效應(yīng)型的N型晶體管，掃描線40連接在選擇晶 體管24的柵端子上，數(shù)據(jù)線50連接在源端子上，鎖存電路25的輸入端子 Nl連接到了漏端子上。
鎖存電路25具有傳送反相器25a和反饋反相器25b,是相當(dāng)于SRAM (static Random Access Memory,靜態(tài)隨才幾存取存儲(chǔ)器)單元的電路。
傳送反相器25a的輸出端子連接到反饋反相器25b的輸入端子上，反 饋反相器25b的輸出端子連接到傳送反相器25a的輸入端子上。就是說(shuō)， 傳送反相器25a和反饋反相器25b變成為把另一方的輸出端子連接到自己 的輸入端子上的環(huán)形結(jié)構(gòu)。此外，傳送反相器25a的輸入端子(反饋反相器 25b的輸出端子)則變成為鎖存電路25的數(shù)據(jù)輸入端子Nl ，傳送反相器25a的輸出端子(反饋反相器25b的輸入端子)則變成為鎖存電路25的數(shù)據(jù)輸出 端子N2。鎖存電路25的高電位電源端子PH連接到高電位電源線78上， 低電位電源端子PL連接到低電位電源線77上。
傳送反相器25a具有N型晶體管31和P型晶體管32。 N型晶體管31 和P型晶體管32的柵端子，連接到鎖存電路25的輸入端子N1上。N型 晶體管31的源端子連接到低電位電源線77上，漏端子連接到輸出端子N2 上。P型晶體管32的源端子連接到高電位電源線78上，漏端子連接到輸 出端子N2上。
反饋反相器25b具有N型晶體管(第1晶體管)33和P型晶體管(第2 晶體管)34。 N型晶體管33和P型晶體管34的柵端子，連接到鎖存電路 25的輸出端子N2(N型晶體管31和P型晶體管32的漏端子)上。N型晶體 管33的源端子連接到低電位電源線77上，漏端子連接到輸入端子Nl上。 P型晶體管34的源端子連接到高電位電源線78上，漏端子連接到輸入端 子N1上。輸出端子N2通過(guò)布線35連接到像素電極21上。
在具有以上的構(gòu)成的像素20中，當(dāng)向鎖存電路25輸入了低電平的圖 像信號(hào)時(shí)，輸入端子N1就將變成為低電平，輸出端子N2則將變成為高電 平。因此，就可以向連接到輸出端子N2上的像素電極21輸入高電平。另 一方面，當(dāng)向鎖存電路25輸入了高電平的圖像信號(hào)時(shí)，輸入端子N1就將 變成為高電平，輸出端子N2則將變成為低電平。因此，就可以向連接到 輸出端子N2上的像素電極21輸入低電平。這樣一來(lái)，就可以通過(guò)布線35 向像素電極21輸入基于已輸入到鎖存電路25的圖像數(shù)據(jù)(圖像信號(hào))的 電位。
圖3是顯示部3的電泳顯示裝置1的部分剖面圖。電泳顯示裝置1, 具備將排列有多個(gè)微嚢80而成的電泳元件23夾持在元件J4！ 28和相向 J4129之間的構(gòu)成。
在顯示部3中，在元件1^ 28的電泳元件23 —側(cè)排列形成有多個(gè)像 素電極21，電泳元件23通過(guò)粘接劑層30與像素電極21粘接起來(lái)。在相 向基板29的電泳元件23 —側(cè)，形成有與多個(gè)像素電極21相向的平面形狀的共用電極22，在共用電極22上設(shè)置電泳元件23。
元件基板28是由玻璃、塑料等形成的基板，由于被配置在與圖像顯示 面相反一側(cè)，故也可以是不透明的。圖示雖然省略了，但是，在像素電極 21和元件14128之間，還形成有示于圖l、圖2的掃描線40、數(shù)據(jù)線50、 選擇晶體管24和鎖存電路25等。
相向;&^29是由玻璃、塑料等形成的基板，由于被配置在圖像顯示一 側(cè)，故被做成為透明 。形成于相向M 29上的共用電極22，用MgAg(鎂 4艮)、ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等透明導(dǎo)電材料形成。
另外，電泳元件23， 一般是預(yù)先形成于相向1^29—側(cè)，當(dāng)作連粘 接劑層30都包括進(jìn)來(lái)的電泳薄片來(lái)處理。此外，在粘接劑層30—側(cè)，還 粘貼有保護(hù)用的剝離紙。
在制造工序中，對(duì)另外制造的形成有像素電極21、上述電路等的元件 M28，粘貼上剝離掉了剝離紙的該電泳薄片，由此形成顯示部3。為此， 結(jié)果就變成為僅僅在像素電極21側(cè)才存在粘接劑層30。
圖4是微嚢80的模式剖面圖。微囊80，是例如具有50 Ji m左右的粒 徑，把分散介質(zhì)81、多個(gè)白色微粒(電泳微粒)82和多個(gè)黑色微粒(電泳微 粒)83封入到內(nèi)部的球狀體。微嚢80如圖3所示被共用電極22和像素電極 21所夾持，把一個(gè)或多個(gè)微嚢80配置在1個(gè)像素20內(nèi)。
微嚢80的外殼部(壁膜)，使用聚甲基丙烯酸曱酯、聚甲基丙烯酸乙 酯等的丙烯酸樹脂、尿素樹脂、阿拉伯膠等的具有透光性的高分子樹脂等 來(lái)形成。
M介質(zhì)81，是白色微粒82及黑色微粒83 M在微嚢80內(nèi)而成的 液體。作為M介質(zhì)81，可以列舉出水，醇類溶劑(曱醇、乙醇、異丙醇、 丁醇、辛醇、甲基溶纖劑等)，酯類(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)，酮類(丙 酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等)，脂肪族烴(戊烷、己烷、辛烷等)，脂 環(huán)式烴(環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷等)，芳香族烴(苯、曱苯、具有長(zhǎng)鏈烷基 的苯類(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基 苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等等)，囟代烴(二氯曱烷、氯仿、四氯化碳、1，2-二氯乙烷等)，羧酸鹽等，也可以是其他油類。這些 物質(zhì)可以單獨(dú)或以混合物的形式使用，進(jìn)而還可以配合表面活性劑等。
白色微粒82,是由例如二氧化鈦、鋅華、三氧化銻等的白色顏料構(gòu)成 的微粒(高分子或者膠體)，例如帶負(fù)電來(lái)使用。黑色微粒83，為由苯胺 黑、炭黑等的黑色顏料構(gòu)成的微粒(高分子或者膠體)，例如帶正電來(lái)使 用。
在這些顏料中，相應(yīng)于需要，可以添加由電解質(zhì)、表面活性劑、金屬 皂、樹脂、橡膠、油、清漆、復(fù)合物等的微粒構(gòu)成的抗靜電劑、鈦類偶聯(lián) 劑、鋁類偶聯(lián)劑、硅烷類偶聯(lián)劑等的分散劑、潤(rùn)滑劑、穩(wěn)定劑等。
圖5是具體地示出了本實(shí)施方式的電泳顯示裝置1之中的一個(gè)像素20 的構(gòu)成的俯^f見(jiàn)圖。
如同圖所示，像素20設(shè)置在俯視為矩形形狀的區(qū)域內(nèi)，被沿著該像素 20的下側(cè)的邊形成的掃描線40、沿著左側(cè)的邊形成的數(shù)據(jù)線50、沿著右 側(cè)的邊形成的低電位電源線77和沿下側(cè)的邊與掃描線40并排形成的高電 位電源線78這4條全局布線包圍了起來(lái)。在圖5中示出的是切斷了低電位 電源線77的一部分的狀態(tài)，這樣可以弄明白俯^L重疊到該低電位電源線 77上的下層部分的結(jié)構(gòu)。
在被上述4條全局布線所圍起來(lái)的像素20內(nèi)，設(shè)置有半導(dǎo)體部和布線 層，這些半導(dǎo)體部和布線層為3層結(jié)構(gòu)。在最下層的第1層設(shè)置有半導(dǎo)體 部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a這5 個(gè)半導(dǎo)體部。另外，上述掃描線40和高電位電源線78設(shè)置在中間的笫2 層，數(shù)據(jù)線50和低電位電源線77則設(shè)置在最上層的第3層。在第2層和 第3層，除去上述布線之外，還設(shè)置有多條布線。
半導(dǎo)體部24a是構(gòu)成上述電路的選擇晶體管24的區(qū)域。該半導(dǎo)體部 24a，被形成為在圖中上下方向上具有長(zhǎng)邊的俯^L矩形形狀，上下方向的中 央，就變成為溝道區(qū)域，下側(cè)變成為源區(qū)域，上側(cè)變成為漏區(qū)域。
半導(dǎo)體部31a，是構(gòu)成鎖存電路25的傳送反相器25a的N型晶體管 31的半導(dǎo)體部。該半導(dǎo)體部31a，俯^W皮形成為倒U形，構(gòu)成倒U形的2條直線部分就變成為溝道區(qū)域，倒u形之中的圖中右側(cè)的前端部分變成為
源區(qū)域，圖中左側(cè)的前端部分則變成為漏區(qū)域。半導(dǎo)體部31a之中的圖中 右側(cè)的直線部分和前端部分俯視被配置為與低電位電源線77重疊，借助于 設(shè)置在前端部分的接觸孔31b被連接到低電位電源線77。
半導(dǎo)體部32a，是構(gòu)成傳送反相器25a的P型晶體管32的半導(dǎo)體部。 該半導(dǎo)體部32a與半導(dǎo)體部31a同樣，俯視j皮形成為倒U形，構(gòu)成倒U形 的2條直線部分就變成為溝道區(qū)域，倒U形之中的圖中左側(cè)的前端部分變 成為源區(qū)域，圖中右側(cè)的前端部分則變成為漏區(qū)域。
半導(dǎo)體部33a是構(gòu)成反饋反相器25b的N型晶體管33的半導(dǎo)體部。 該半導(dǎo)體部33a，俯視^皮形成為倒U形，構(gòu)成倒U形的2條直線部分就變 成為溝道區(qū)域，倒U形之中的圖中右側(cè)的前端部分變成為源區(qū)域，圖中左 側(cè)的前端部分則變成為漏區(qū)域。半導(dǎo)體部33a之中的圖中右側(cè)的直線部分 和前端部分俯視被配置為與低電位電源線77重疊，借助于設(shè)置在前端部分 的接觸孔33b被連接到低電位電源線77。
半導(dǎo)體部34a,是構(gòu)成反饋反相器25b的P型晶體管34的半導(dǎo)體部。 該半導(dǎo)體部34a，俯視3皮形成為倒U形，構(gòu)成倒U形的2條直線部分就變 成為溝道區(qū)域，倒U形之中的圖中左側(cè)的前端部分變成為源區(qū)域，圖中右 側(cè)的前端部分則變成為漏區(qū)域。
在這5個(gè)半導(dǎo)體部之中，半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部33a, 在像素內(nèi)的圖中下側(cè)的邊一側(cè)(掃描線40 —側(cè))按照該順序從圖中左側(cè)向 圖中右側(cè)排列成一列，并且在預(yù)定區(qū)域A(圖中平行的2條虛線之間的區(qū)域) 內(nèi)，被形成為各自的一部分進(jìn)行重疊。該預(yù)定區(qū)域A示出的是在各個(gè)半導(dǎo) 體部的形成時(shí)使用的脈沖激光(脈沖光)的單一脈沖的照射范圍。
在這里，像素20由于是排列成網(wǎng)格狀的像素之一(參看圖1)，故左右 相鄰的像素的半導(dǎo)體部的排列也變成為直線狀。具體地說(shuō)，沿著掃描線40 形成的各個(gè)4象素的半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部33a的排列， 就沿著像素的排列方向(掃描線的延伸方向)變成為直線狀。
另外，各個(gè)半導(dǎo)體部的排列方向，也可以是數(shù)據(jù)線50的延伸方向。在
13該情況下，預(yù)定區(qū)域A也定為數(shù)據(jù)線50的延伸方向，把各個(gè)半導(dǎo)體部的 溝道區(qū)域布局為使得其與該區(qū)域重疊。
半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部33a的排列的順序，并不限 于圖示的例子，只要沿著像素的排列方向配置成直線狀，理所當(dāng)然地也可 以是別的順序。在圖5所示的例子中，構(gòu)成選擇晶體管24的半導(dǎo)體部24a， 被配置為距數(shù)據(jù)線50最近。另外，要連接到低電位電源線77的N型晶體 管33b也被配置為距該低電位電源線77最近。
至于半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部32a，在像素內(nèi)的圖中上側(cè)被沿左右方 向排列。對(duì)于該半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部32a來(lái)說(shuō)，并不限于沿上述圖中 左右方向排列的構(gòu)成，例如，也可以是沿上下方向排列的構(gòu)成或沿別的方 向排列的構(gòu)成。
在第2層設(shè)置有布線40a、布線41和布線42。另外，如上所述，掃描 線40和高電位電源線78，也設(shè)置在該第2層。布線40a,是從掃描線40 朝向圖中上側(cè)進(jìn)行分支的布線，該布線40a的一部分被形成為俯^L與半導(dǎo) 體部24a的溝道區(qū)域重疊，該部分，即布線40a之中的俯視重疊于半導(dǎo)體 部24a的溝道區(qū)域的部分，作為選擇晶體管24的柵端子發(fā)揮作用。
布線41具有沿圖中左右方向被形成為橫切半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部 33a那樣的布線部分41a，從該布線部分41a的右端沿著低電位電源線77向 圖中上側(cè)引繞的布線部分41b，和從該布線部分41b的上端向圖中左側(cè)引 繞而突出到像素20內(nèi)的布線部分41c。
布線42具有位于像素20內(nèi)的圖中上下方向的大體上中央部且被設(shè) 置為沿圖中左右方向延伸的布線部分42a，從布線部分42a向圖中上側(cè)進(jìn) 行分支地引繞的布線部分42b，和從布線部分42b的上端向圖中右側(cè)引繞 的布線部分42c。布線部分42c被設(shè)置為俯一見(jiàn)與半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部 32a的溝道區(qū)域重疊，該布線部分42c作為傳送反相器25a的N型晶體管 31和P型晶體管32的柵端子發(fā)揮作用。
在第3層i史置有布線50a、布線51 、布線52、布線53和布線54。另 夕卜，如上所述，數(shù)據(jù)線50和低電位電源線77也設(shè)置在該第3層。布線50a是從數(shù)據(jù)線50朝向圖中右側(cè)進(jìn)行分支的布線，在該布線50a的前端處通過(guò) 接觸孔(在圖中用虛線的矩形表示)連接到半導(dǎo)體部24a的源區(qū)域。
布線51具有俯視與半導(dǎo)體部24a的漏區(qū)域重疊的布線部分51a，俯 視與布線42a的圖中左端部重疊的布線部分51b，以及連接該布線部分51a 和布線部分52b的布線部分51c。布線部分51a通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體 部24a的漏區(qū)域。布線部分51b則通過(guò)接觸孔連接到布線部分42a。
布線52是在像素20的左右方向的大體上中央部沿圖中上下方向延伸 的布線，具有俯視與高電位電源線78重疊的布線部分52a，俯視與半導(dǎo)體 部34a的源區(qū)域重疊的布線部分52b，俯視與半導(dǎo)體部32a的源區(qū)域重疊 的布線部分52c，把布線部分52a和布線部分52b間連接起來(lái)的布線部分 52d，以及把布線部分52b和布線部分52c間連接起來(lái)的布線部分52e。在 布線部分52a，通過(guò)接觸孔連接到高電位電源線78。在布線部分52b，通 過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體部34a的源區(qū)域。在布線部分52c，通過(guò)接觸孔連 接到半導(dǎo)體部32a的源區(qū)域。
布線53是設(shè)置在像素20的圖中右下的區(qū)域的俯視L狀的布線，具有 從半導(dǎo)體部34a到半導(dǎo)體部33a在圖中左右方向上形成的布線部分53a， 俯一見(jiàn)與布線部分42a的圖中右端部重疊的布線部分53b,以及把布線部分 53a和布線部分53b之間連接起來(lái)的布線部分53c。布線部分53a的圖中的 左端，被配置為俯視與半導(dǎo)體部34a的漏區(qū)域重疊，在該部分，通過(guò)接觸 孔連接到半導(dǎo)體部34a的漏區(qū)域。布線部分53a的圖中右端，被配置為俯 視與半導(dǎo)體部33a的源區(qū)域重疊，在該部分，通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體部 33a的源區(qū)域。布線部分52b通過(guò)接觸孔連接到布線部分42a的圖中右端 部。
布線54是設(shè)置在像素20的圖中右側(cè)的俯視L狀的布線，具有俯視 與布線部分41c的突出部分重疊的布線部分54a，俯i見(jiàn)與半導(dǎo)體部31a的 漏區(qū)域重疊的布線部分54b,俯3見(jiàn)與半導(dǎo)體部32a的漏區(qū)域重疊的布線部 分54c，把布線部分54a和布線部分54b之間連接起來(lái)的布線部分54d，以 及把布線部分54b和布線部分54c之間連4妄起來(lái)的布線部分54e。布線部分54a通過(guò)接觸孔連接到布線部分41c。布線部分54b通過(guò)接觸孔連接到 半導(dǎo)體部31a的漏區(qū)域。布線部分54c通過(guò)接觸孔連接到半導(dǎo)體部的 漏區(qū)域。從布線部分54e分支地設(shè)置布線部分35，在布線部分35的前端 處通過(guò)接觸孔35a連接到像素電極21。
圖6是示出了制造電泳顯示裝置1的情況的俯視圖。
在制造如上所述那樣地構(gòu)成的電泳顯示裝置1時(shí)，在元件M 28上的 像素20內(nèi)的第1層，形成半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、 半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a(半導(dǎo)體形成工序)，向這些半導(dǎo)體部照射脈沖 激光使各個(gè)半導(dǎo)體部結(jié)晶化(光照射工序)。脈沖激光的每一單位脈沖的照 射范圍，與上述預(yù)定區(qū)域A的圖中上下方向的寬度是相同的。
在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體部形成工序中，如圖6(a)所示，在具有與 脈沖激光的每一單位脈沖的照射區(qū)域相等的尺寸的像素20內(nèi)的預(yù)定區(qū)域 A,直線狀地把選擇晶體管24的半導(dǎo)體部24a、反饋反相器25b的N型晶 體管33的半導(dǎo)體部33a和P型晶體管34的半導(dǎo)體部34a形成為一列。在 半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a的中央部用右傾斜線示出的區(qū)域分別是將變成為 晶體管的溝道區(qū)域Ch的部分。
由于把半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a形成為如上所述， 故在光照射工序中，如圖6(b)所示，就可以同時(shí)向這3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a照射同一脈 沖的脈沖激光L。借助于脈沖激光L的照射，結(jié)杲就 變成為3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a可以同程度地結(jié)晶化。
此外，如圖6(c)所示，也可以按全部收納于脈沖激光L的照射范圍內(nèi) 的尺寸預(yù)先形成3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a,向該3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a的全部區(qū)域照射同一脈沖的脈沖激光L。
此外，也可以沿圖中上下方向分多次照射脈沖激光以使得例如每次照 射3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a的一部分的區(qū)域。在分多次照射脈沖激光 的情況下，例如如圖6(d)所示，也可以按照4吏得在3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a上，脈沖激光L的照射位置重疊的方式，^^個(gè)脈沖邊^(qū)f吏脈沖激光L 的照射位置進(jìn)行移動(dòng)邊進(jìn)行照射。在圖6(d)中示出了分成脈沖激光LI 、 L2、L3這么3次使照射區(qū)域向圖中下方向移動(dòng)的情況。脈沖激光Ll和脈沖激 光L2在區(qū)域La中重疊，脈沖激光L2和脈沖激光L3在區(qū)域Lb中重疊。 此外，如圖6(e)所示，也可以按照使得脈沖激光L的邊界一致的方式 邊使之移動(dòng)邊進(jìn)行照射。在圖6(e)中，示出了分成激光L1、 L2、 L3這么 3次使照射區(qū)域向圖中下方向移動(dòng)的情況。激光L2的上側(cè)的邊與激光Ll 的下側(cè)的邊相接，激光L3的上側(cè)的邊與激光L2的下側(cè)的邊相接。此外， 雖然省略了圖示，但是，也可以使得激光L1、 L2、 L3之間留出空來(lái)那樣 地進(jìn)行照射。
如上所述，倘采用本實(shí)施方式，由于形成為把選擇晶體管24、反饋 反相器25b的N型晶體管33和P型晶體管33的各個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a排列形成為使得至少一部分與具有與作為脈沖激光的激光L的每單位 脈沖的照射區(qū)域相等的尺寸的像素20內(nèi)的預(yù)定區(qū)域A重疊，故在激光L 的照射時(shí)，就可以同時(shí)向這些半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a照射同一脈沖的激 光L。在同一脈沖內(nèi)，由于激光的照射條件基本是均一的，故結(jié)果就變成 為在各個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a中可借助于該激光同程度地結(jié)晶化，半 導(dǎo)體部24a、 33a、 34a的電特性就會(huì)變成為大體上均一。借助于此，就可 以防止選擇晶體管24、N型晶體管33和P型晶體管34的電特性的不均一， 就可以得到設(shè)計(jì)所預(yù)期的電特性。
當(dāng)選擇晶體管24、 N型晶體管33和P型晶體管34的電特性產(chǎn)生了不 均一時(shí)，通過(guò)選擇晶體管24的電流量相對(duì)于規(guī)定數(shù)據(jù)輸入端子的電位所需 要的量而言變得不充足，在向鎖存電路25進(jìn)行的寫入中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)不佳狀 況。在本實(shí)施方式中，由于可以防止選擇晶體管24、 N型晶體管33和P 型晶體管34的電特性的不均一，可以得到設(shè)計(jì)所預(yù)期的電特性，故可以可 靠地進(jìn)行向鎖存電路25的寫入，可以得到具備高的工作可靠性的電泳顯示 裝置1。
實(shí)施方式2
其次，i兌明本發(fā)明的實(shí)施方式2。本實(shí)施方式的電泳顯示裝置101的 構(gòu)成為在實(shí)施方式l的圖2和圖5所示的像素20中，設(shè)置有反相數(shù)據(jù)線和
17連接到該反相數(shù)據(jù)線上的選擇晶體管。因此，在以下要參照的圖面中，對(duì)
于那些與圖2和圖5的像素20共同的構(gòu)成要素賦予同一標(biāo)號(hào)而省略它們的 詳細(xì)的i兌明。
圖7示出了電泳顯示裝置101的像素120的電路構(gòu)成，該圖與實(shí)施方 式l的圖2相對(duì)應(yīng)。
如圖7所示，像素120具備選擇晶體管24，選擇晶體管24R,鎖存 電路(存儲(chǔ)電路)25，像素電極21，共用電極22和電泳元件23。選擇晶體 管24和鎖存電路25的構(gòu)成，由于和實(shí)施方式l是同樣的，故在這里省略 說(shuō)明。
選擇晶體管24R,與選擇晶體管24同樣，是場(chǎng)效應(yīng)型的N型晶體管。 掃描線40連接到選擇晶體管24R的柵端子上，反相數(shù)據(jù)線50R連接到源 端子上，鎖存電路25的輸出端子N2連接到漏端子上。因此，來(lái)自選擇晶 體管24R的信號(hào)向輸出端子N2輸入。
結(jié)果就變成為向反相數(shù)據(jù)線50R輸入對(duì)于要輸入到數(shù)據(jù)線50的信號(hào) 反相后的信號(hào)。就是說(shuō)，結(jié)果變成為在向數(shù)據(jù)線50輸入高電平的時(shí)候，就 向反相數(shù)據(jù)線50R輸入低電平，在向數(shù)據(jù)線50輸入低電平的時(shí)候，向反 相數(shù)據(jù)線50R輸入高電平。
選擇晶體管24的柵端子和選擇晶體管24R的柵端子，由于連接到共 同的掃描線40上，故結(jié)果就變成為可同時(shí)進(jìn)行來(lái)自選擇晶體管24和選擇 晶體管24R的來(lái)自數(shù)據(jù)線50的輸入。
在具有以上的構(gòu)成的像素120中，當(dāng)從選擇晶體管24向鎖存電路25 輸入了低電平時(shí)，輸入端子N1就將變成為低電平，輸出端子N2就變成為 高電平。這時(shí)，就可以同時(shí)從選擇晶體管24R向輸出端子N2輸入高電平， 在輸入端子Nl輸出低電平。
此外，當(dāng)從選擇晶體管24向輸入端子Nl輸入高電平時(shí)，輸出端子 N2就變成為低電平。這時(shí)，就可以同時(shí)從選擇晶體管24R向輸出端子N2 輸入低電平，在輸入端子N1輸出高電平。
如上所述，倘采用圖7的電路構(gòu)成，由于要用2個(gè)選擇晶體管進(jìn)行寫入，故與圖2的電路比，可以更為可靠地寫入數(shù)據(jù)。
圖8示出了像素120俯一見(jiàn)的概略構(gòu)成，該圖與實(shí)施方式1的圖5相對(duì)應(yīng)。
如同圖所示，像素120被設(shè)定為俯視矩形形狀。與實(shí)施方式l同樣， 像素120被沿著下側(cè)的邊形成的掃描線40、沿著左側(cè)的邊形成的數(shù)據(jù)線50、 沿著右側(cè)的邊形成的低電位電源線77和沿下側(cè)的邊與掃描線40并排形成 的高電位電源線78包圍了起來(lái)。除去這些全局布線之外，在像素120的右 側(cè)的邊還空以預(yù)定的間隔在與低電位電源線77之間形成有反相數(shù)據(jù)線 50R。另外，圖8是以切斷低電位電源線77的一部分的狀態(tài)圖示出來(lái)的， 這樣可以弄明白俯視與該低電位電源線77重疊的下層部分的結(jié)構(gòu)。
在被上述5條全局布線所圍起來(lái)的像素120內(nèi)，設(shè)置有半導(dǎo)體部和布 線層，這些半導(dǎo)體部和布線層為3層結(jié)構(gòu)。在最下層的第1層除去半導(dǎo)體 部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a這5 個(gè)半導(dǎo)體部之外，還設(shè)置有半導(dǎo)體部24Ra,共計(jì)設(shè)置有6個(gè)半導(dǎo)體部。
半導(dǎo)體部24Ra是構(gòu)成上述電路的選擇晶體管24R的半導(dǎo)體部。該半 導(dǎo)體部24Ra俯視被形成為在圖中上下方向上具有長(zhǎng)邊的矩形形狀，上下 方向的中央就成為溝道區(qū)域，上側(cè)成為源區(qū)域，下側(cè)則成為漏區(qū)域。
在這6個(gè)半導(dǎo)體部之中，與實(shí)施方式l同樣，半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體 部34a、半導(dǎo)體部33a在像素內(nèi)的圖中下側(cè)的邊一側(cè)按照該順序從圖中左 側(cè)朝向圖中右側(cè)被配置成一列，并在預(yù)定區(qū)域A(圖中平行的2條虛線之間 的區(qū)域)內(nèi)被形成為每者的 一部分進(jìn)行重疊。該預(yù)定區(qū)域A示出了在各半導(dǎo) 體部的形成時(shí)所用的脈沖激光(脈沖光)的單一的脈沖的照射范圍。
此外，在本實(shí)施方式中，除去上述3個(gè)半導(dǎo)體部之外，對(duì)于半導(dǎo)體部 32a、半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部24Ra也是在像素內(nèi)的圖中上側(cè)的邊一側(cè)按 照該順序從圖中左側(cè)朝向圖中右側(cè)配置成一列，并還形成為在預(yù)定區(qū)域A 內(nèi)每者的一部分進(jìn)行重疊。
半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部24Ra的排列順序并不限于所 圖示的例子，只要沿著^f象素的排列方向直線狀地配置，理所當(dāng)然地也可以是別的順序。在圖8所示的例子中，構(gòu)成選擇晶體管24R的半導(dǎo)體部24Ra 被配置為距反相數(shù)據(jù)線50R最近。此外，要連接到低電位電源線77上的N 型晶體管31b則被配置為距該低電位電源線77最近。
在第2層除去布線40a、布線41和布線42之外，還設(shè)置有布線40Ra。 布線40Ra是掃描線40之中的從像素120的右下部分朝向圖中上側(cè)進(jìn)行分 支的布線，被形成為俯視使得該布線40Ra的一部分重疊到半導(dǎo)體部24Ra 的溝道區(qū)域。該部分，即布線40Ra之中的俯—見(jiàn)重疊到半導(dǎo)體部24Ra的溝 道區(qū)域的部分，作為選擇晶體管24R的柵端子發(fā)揮作用。
此外，在本實(shí)施方式中，除去布線部分41a、布線部分41b、布線部分 41c外，布線41還具有布線部分41d。布線部分41d，被設(shè)置為從布線部 分41b的上端引繞到圖中右側(cè)并向像素20的外側(cè)延伸。
在第3層除去布線50a、布線51、布線52、布線53、布線54之外， 還設(shè)置有布線50Ra和布線51R。布線50Ra是從反相數(shù)據(jù)線50R朝向圖 中左側(cè)進(jìn)行分支的布線，在該布線50Ra的前端處通過(guò)接觸孔(圖中用虛線 的矩形表示)連接到半導(dǎo)體部24Ra的源區(qū)域。布線51R具有俯視重疊到半 導(dǎo)體部24Ra的漏區(qū)域的布線部分51Ra，俯一見(jiàn)重疊到布線41d的圖中右端 部的布線部分51Rb，以及連接該布線部分51Ra和布線部分52Rb的布線 部分51Rc。布線部分51Ra通過(guò)接觸孔被連接到半導(dǎo)體部24Ra的漏區(qū)域。 布線部分51Rb通過(guò)接觸孔^皮連接到布線部分41d。
在制造如上所述那樣的電泳顯示裝置101時(shí)，在元件基板上的像素120 內(nèi)的第l層，形成半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部 33a、半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部24Ra(半導(dǎo)體形成工序)，向這些半導(dǎo)體部 照射脈沖激光使各個(gè)半導(dǎo)體部結(jié)晶化(光照射工序)。脈沖激光的每單位脈 沖的照射范圍，與上述預(yù)定區(qū)域A的圖中上下方向的寬度是相同的。
在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體部形成工序中，在具有與脈沖激光的每單 位脈沖的照射區(qū)域相等的尺寸的像素120內(nèi)的預(yù)定區(qū)域，直線狀地把選擇 晶體管24的半導(dǎo)體部24a、反饋反相器25b的N型晶體管33的半導(dǎo)體部 33a和P型晶體管34的半導(dǎo)體部34a形成為一列。此外，在別的預(yù)定區(qū)域中，把傳送反相器25a的P型晶體管32的半 導(dǎo)體部32a、 N型晶體管31的半導(dǎo)體部31a和選擇晶體管24R的半導(dǎo)體部 24Ra形成一列。
由于把半導(dǎo)體部24a 、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a這3個(gè)晶體管， 此外，把半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部31a和半導(dǎo)體部24Ra這3個(gè)晶體管形成 為如上所述，故在光照射工序中，就可以同時(shí)向這3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a和3個(gè)半導(dǎo)體部32a、 31a、 24Ra分別照射同一脈沖的脈沖激光L。借 助于脈沖激光L的照射，結(jié)果就變成為在3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a和 3個(gè)半導(dǎo)體部32a、 31a、 24Ra中可以分別同程度地結(jié)晶化。
如上所述，倘采用本實(shí)施方式，由于結(jié)果變成為對(duì)于3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a和3個(gè)半導(dǎo)體部32a、 31a、 24Ra可分別同程度地結(jié)晶化，故在 3個(gè)半導(dǎo)體部中電特性就會(huì)分別大體上均一。借助于此，就可以分別防止 選擇晶體管24、 N型晶體管33和P型晶體管34的電特性的不均一，以及 選擇晶體管24R、 N型晶體管31和P型晶體管32的電特性的不均一，就 可以得到設(shè)計(jì)所預(yù)期的電特性。
當(dāng)在選擇晶體管24R、 N型晶體管31和P型晶體管32的電特性中產(chǎn) 生了不均一時(shí)，通過(guò)選擇晶體管24R的電流量相對(duì)于規(guī)定數(shù)據(jù)輸入端子的 電位所需要的量而言變得不充分，在向鎖存電路25進(jìn)行的寫入中有時(shí)會(huì)發(fā) 生不佳狀況。在本實(shí)施方式中，由于可以防止選擇晶體管24R、 N型晶體 管31和P型晶體管32的電特性的不均一，可以得到設(shè)計(jì)所預(yù)期的電特性， 故即便是在借助于2個(gè)選擇晶體管24、 24R向鎖存電路25輸入來(lái)自數(shù)據(jù) 線50和反相數(shù)據(jù)線50R的信號(hào)的情況下，也可以可靠地進(jìn)行向鎖存電路 25的寫入，可以得到具備高的工作可靠性的電泳顯示裝置1。
實(shí)施方式3
其次，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式3。本實(shí)施方式的電泳顯示裝置201的 構(gòu)成為在實(shí)施方式l的圖2所示的像素20中，設(shè)置有作為電位控制用開(kāi)關(guān) 電路的傳輸門。因此，在以下要參照的圖面中，對(duì)于那些與圖2的像素20 相同的構(gòu)成要件賦予同 一標(biāo)號(hào)而省略它們的詳細(xì)的說(shuō)明。圖9示出了電泳顯示裝置201的像素220的電路構(gòu)成，該圖與實(shí)施方 式1的圖2相對(duì)應(yīng)。
如圖9所示，像素220具備選擇晶體管24，鎖存電路(存儲(chǔ)電路)25， 作為電位控制用開(kāi)關(guān)電路的傳輸門TG1、 TG2，像素電極21、共用電極 22和電泳元件23。選擇晶體管24和鎖存電路25的構(gòu)成，由于和實(shí)施方式 l是同樣的，故在這里省略說(shuō)明。
傳輸門TG1，具備場(chǎng)效應(yīng)型的P型晶體管Tll和場(chǎng)效應(yīng)型的N型晶 體管T12。P型晶體管Tll的源端子和N型晶體管T12的源端子連接起來(lái)， 它們連接到了第1控制線Sl上。P型晶體管Tll的漏端子和N型晶體管 T12的漏端子連接起來(lái)，它們連接到了像素電極21上。P型晶體管Tll的 柵端子連接到鎖存電路25的輸入端子Nl上，N型晶體管T12的柵端子連 接到鎖存電路25的輸出端子N2上。
傳輸門TG2，具備場(chǎng)效應(yīng)型的P型晶體管T21和場(chǎng)效應(yīng)型的N型晶 體管T22。P型晶體管T21的源端子和N型晶體管T22的源端子連接起來(lái)， 它們連接到了第2控制線S2上。P型晶體管T21的漏端子和N型晶體管 T22的漏端子連接起來(lái)，它們通過(guò)布線35連接到了像素電極21上。
此外，P型晶體管T21的柵端子，與傳輸門TG1的N型晶體管T12 的柵端子一起，連接到了鎖存電路25的輸出端子N2上，N型晶體管T22 的柵端子，與傳輸門TG1的P型晶體管Tll的柵端子一起，連接到了鎖 存電路25的輸入端子Nl上。
圖10示出了4象素220的俯碎見(jiàn)的概略構(gòu)成，該圖與實(shí)施方式1的圖5 相對(duì)應(yīng)。
如圖10所示，像素220被設(shè)定為俯視矩形形狀。與實(shí)施方式l同樣， 像素220被沿著下側(cè)的邊形成的掃描線40、沿著左側(cè)的邊形成的數(shù)據(jù)線50、 沿著右側(cè)的邊形成的低電位電源線77和沿下側(cè)的邊與掃描線40并排形成 的高電位電源線78包圍了起來(lái)。除去這些全局布線之外，在像素220的上 側(cè)的邊還形成有第1控制線Sl，在像素220的左側(cè)的邊形成有第2控制線 S2。另外，圖10是以切斷低電位電源線77的一部分的狀態(tài)圖示出來(lái)的，
22這樣可以弄明白俯視重疊到該低電位電源線77的下層部分的結(jié)構(gòu)。
在被上述6條全局布線所圍起來(lái)的像素220內(nèi)，設(shè)置有半導(dǎo)體部和布 線層，這些半導(dǎo)體部和布線層為3層結(jié)構(gòu)。在最下層的第1層設(shè)置有半導(dǎo) 體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a這 5個(gè)半導(dǎo)體部，在這5個(gè)半導(dǎo)體部之中，半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部31a、半 導(dǎo)體部33a按照該順序在^^素內(nèi)的圖中下側(cè)的邊一側(cè)(掃描線40 —側(cè))從圖 中左側(cè)朝向圖中右側(cè)排列成一列，并在預(yù)定區(qū)域A內(nèi)被形成為使得各自的 一部分進(jìn)行重疊。
此外，在本實(shí)施方式中，除去實(shí)施方式l的構(gòu)成外，在像素220的圖 中的左上的區(qū)域內(nèi)還配置有傳輸門TG1、 TG2。傳輸門TG1和TG2,連 接到設(shè)置在第3層的布線部分51d和設(shè)置在第3層的、布線部分54e的一 部分進(jìn)行分支所得的布線部分54f。此外，傳輸門TG1、 TG2，通過(guò)設(shè)置 在第3層的布線55連接到第1控制線Sl，并且還通過(guò)設(shè)置在笫3層的布 線56和設(shè)置在第2層的布線43連接到第2控制線S2。
在制造如上所述那樣地構(gòu)成的電泳顯示裝置201時(shí)，在元件基板上的 j象素220內(nèi)的第l層，形成半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、 半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a(半導(dǎo)體形成工序)，向這些半導(dǎo)體部照射脈沖 激光使各個(gè)半導(dǎo)體部結(jié)晶化(光照射工序)。
與實(shí)施方式l同樣，在半導(dǎo)體形成工序中，在具有與脈沖激光的每單 位脈沖的照射區(qū)域相等的尺寸的像素320內(nèi)的預(yù)定區(qū)域，把選擇晶體管24 的半導(dǎo)體部24a、反饋反相器25b的N型晶體管33的半導(dǎo)體部33a和P 型晶體管34的半導(dǎo)體部34a形成為一列。
由于把半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部33a和半導(dǎo)體部34a的3個(gè)晶體管形 成為如上所述，故在光照射工序中，就可以同時(shí)向這3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a照射同一脈沖的脈沖激光L。借助于脈沖激光L的照射，結(jié)果就 變成為3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a可以同程度地結(jié)晶化。
返回到圖9。
在具有以上的構(gòu)成的像素220中，當(dāng)從數(shù)據(jù)線50通過(guò)選擇晶體管24向鎖存電路25輸入低電平的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，就會(huì)從鎖存電路25的輸入端子 Nl輸出低電平，從輸出端子N2輸出高電平。因此，只有構(gòu)成傳輸門TG1 的P型晶體管Tll和N型晶體管T12才可以變成為ON (導(dǎo)通)。借助于此， 像素電極21就通過(guò)布線35被電連接到笫1控制線Sl上。
另一方面，當(dāng)從數(shù)據(jù)線50通過(guò)選擇晶體管24向鎖存電路25輸入高電 平的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，就會(huì)從輸入端子N1輸出高電平，從輸出端子N2輸出低 電平。因此，只有構(gòu)成傳輸門TG2的P型晶體管T21和N型晶體管T22 才可以變成為ON。借助于此，像素電極21就通過(guò)布線35被電連接到第2 控制線S2上。
倘采用該電路構(gòu)成，由于可以借助于上邊所說(shuō)的共用電源調(diào)制電路分 別地控制要施加到笫1控制線Sl、第2控制線S2上的電位，故即便是在 某一方的傳輸門變成為ON的情況下，也可以給所有的像素電極施加同一 電位。
借助于此，能一邊在鎖存電路25中保持圖像數(shù)據(jù)(與保持?jǐn)?shù)據(jù)無(wú)關(guān))一 邊使顯示器的狀態(tài)變化為全黑、全白、翻轉(zhuǎn)圖像，除去使之顯示新的圖像 的情況之外，不需要使驅(qū)動(dòng)電路工作，能提供更為靈活的顯示方法。
倘采用本實(shí)施方式，結(jié)果就變成為3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a可同 程度地結(jié)晶化，在該3個(gè)半導(dǎo)體部中電特性就會(huì)變成為大體上均一。借助 于此，就可以防止選擇晶體管24、 N型晶體管33和P型晶體管34的電特 性的不均一，即便是在設(shè)置傳輸門TG1、 TG2的情況下，也可以防止鎖存 電路25的誤工作。
實(shí)施方式4
其次，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式4。本實(shí)施方式的電泳顯示裝置301的 構(gòu)成為在實(shí)施方式3的圖9所示的像素220中，設(shè)置有反相數(shù)據(jù)線、連接 到該反相數(shù)據(jù)線上的選擇晶體管。因此，在以下要參照的圖面中，對(duì)于那 些與圖9的像素220相同的構(gòu)成要件賦予同一標(biāo)號(hào)而省略它們的詳細(xì)的說(shuō) 明。
圖11示出了電泳顯示裝置301的像素320的電路構(gòu)成，該圖與實(shí)施方式3的圖9相對(duì)應(yīng)。
如圖11所示，像素320具備選擇晶體管24，選擇晶體管24R，鎖 存電路(存儲(chǔ)電路)25,作為電位控制用開(kāi)關(guān)電路的傳輸門TG1、 TG2，像 素電極21,共用電極22和電泳元件23。另外，選擇晶體管24和鎖存電路 25的構(gòu)成，與實(shí)施方式l是同樣的，選擇晶體管24R的構(gòu)成，與實(shí)施方式 2是同樣的，傳輸門TG1、 TG2的構(gòu)成，與實(shí)施方式3是同樣的。
此外，在本實(shí)施方式中，按每一個(gè)像素320，都布線有連接到選擇 晶體管24的掃描線40和數(shù)據(jù)線50;連接到選擇晶體管24R的反相數(shù)據(jù)線 50R;連接到鎖存電路25的低電位電源線77和高電位電源線78;以及連 接到傳輸門TG1、 TG2的第1控制線Sl和第2控制線S2。
圖12示出了像素320的俯視的概略構(gòu)成，該圖與實(shí)施方式1的圖5 相對(duì)應(yīng)。
如圖12所示，像素320被設(shè)定為俯視矩形形狀。與實(shí)施方式l同樣， 像素320被沿著下側(cè)的邊形成的掃描線40、沿著左側(cè)的邊形成的數(shù)據(jù)線50、 沿著右側(cè)的邊形成的低電位電源線77和沿下側(cè)的邊與掃描線40并排形成 的高電位電源線78包圍了起來(lái)。除去這些全局布線之外，在像素320的右 側(cè)的邊還空以預(yù)定的間隔在其與低電位電源線77之間形成有反相數(shù)據(jù)線 50R。此外，在像素320的上側(cè)的邊形成有第1控制線S1，在像素320的 左側(cè)的邊形成有第2控制線S2。另外，圖12是以切斷低電位電源線77的 一部分的狀態(tài)圖示出來(lái)的，這樣可以弄明白俯視重疊到該低電位電源線77 的下層部分的結(jié)構(gòu)。
在被上述7條全局布線所圍起來(lái)的像素320內(nèi)，設(shè)置有半導(dǎo)體部和布 線層，這些半導(dǎo)體部和布線層為3層結(jié)構(gòu)。在最下層的第l層形成有半導(dǎo) 體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部33a、半導(dǎo)體部34a以 及半導(dǎo)體部24Ra，共計(jì)設(shè)置有6個(gè)半導(dǎo)體部。
在這6個(gè)半導(dǎo)體部之中，半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部34a、半導(dǎo)體部33a 按照該順序在^f象素內(nèi)的圖中下側(cè)的邊一側(cè)(掃描線40 —側(cè))從圖中左側(cè)朝向 圖中右側(cè)配置成一列，并在預(yù)定區(qū)域A內(nèi)被形成為使得各自的一部分進(jìn)行重疊。此外，對(duì)于6個(gè)半導(dǎo)體部之中的，半導(dǎo)體部32a、半導(dǎo)體部31a、半 導(dǎo)體部24Ra，也按照該順序在像素內(nèi)的圖中上側(cè)的邊一側(cè)從圖中左側(cè)朝向 圖中右側(cè)配置成一列，并在預(yù)定區(qū)域A內(nèi)被形成為4吏得各自的一部分進(jìn)行 重疊。
再有，在本實(shí)施方式中，在像素320的圖中左上的區(qū)域內(nèi)配置有傳輸 門TG1、 TG2。至于傳輸門TG1、 TG2和各條布線之間的連接構(gòu)成，由于 與實(shí)施方式3是同樣的，故在此省略說(shuō)明。
在制造如上所述那樣地構(gòu)成的電泳顯示裝置301時(shí)，在元件141上的 像素320內(nèi)的第1層，形成半導(dǎo)體部24a、半導(dǎo)體部31a、半導(dǎo)體部32a、 半導(dǎo)體部33a、半導(dǎo)體部34a和半導(dǎo)體部24Ra(半導(dǎo)體形成工序)，向這些 半導(dǎo)體部照射脈沖激光使各個(gè)半導(dǎo)體部結(jié)晶化(光照射工序)。
在本實(shí)施方式中，由于只要在元件基仗上形成6個(gè)半導(dǎo)體部照射光即 可，故可以沿用與實(shí)施方式2同樣的構(gòu)成進(jìn)行制造，結(jié)果就變成為在3個(gè) 半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a以及3個(gè)半導(dǎo)體部32a、 31a、 24Ra中可分別同 程度地結(jié)晶化。
如上所述，倘采用本實(shí)施方式，結(jié)果就變成為對(duì)于3個(gè)半導(dǎo)體部24a、 33a、 34a和3個(gè)半導(dǎo)體部32a、 31a、 24Ra，分別可同程度地結(jié)晶化，在 該3個(gè)半導(dǎo)體部中電特性就會(huì)分別變成為大體上均一。借助于此，就可以 分別防止選擇晶體管24、 N型晶體管33和P型晶體管34的電特性的不均 一，以及選擇晶體管24R、 N型晶體管31和P型晶體管32的電特性的不 均一。借助于此，即便是在設(shè)置傳輸門TG1、 TG2并借助于2個(gè)選擇晶體 管24、 24R向鎖存電路25輸入來(lái)自數(shù)據(jù)線50和反相數(shù)據(jù)線50R的信號(hào)的 情況下，也可以防止鎖存電路25的誤工作。
本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施方式，在不偏離本發(fā)明的宗旨 的范圍內(nèi)可加以適宜變更。
例示于上述實(shí)施方式3和實(shí)施方式4的電泳顯示裝置，雖然形成為傳 輸門TG1、 TG2每者各具有2個(gè)晶體管的構(gòu)成，但是，并不限定于此，例 如，也可以是用1個(gè)晶體管構(gòu)成的傳輸門。例如，如圖13所示，可以形成為具備傳輸門TG1的晶體管使用P 型、傳輸門TG2的晶體管使用N型的開(kāi)關(guān)電路的構(gòu)成。傳輸門TG1、TG2， 被連接到鎖存電路25的輸出端子N2和像素電極21之間。P型晶體管336 的柵端子和N型晶體管337的柵端子彼此互相連接，并且還與鎖存電路25 的輸出端子N2連接。
P型晶體管336的源端子與第1控制線Sl連接，漏端子與像素電極 21連接。N型晶體管337的源端子與第2控制線S2連接，漏端子與像素 電極21連接。
在上述構(gòu)成的像素302中，當(dāng)作為圖像信號(hào)輸入了高電平時(shí)，從鎖存 電路25的輸出端子N2就會(huì)輸出低電平電位。借助于此，P型晶體管336 就會(huì)變成為ON狀態(tài)，第1控制線Sl和像素電極21就被連接起來(lái)。
另一方面，當(dāng)作為圖像信號(hào)輸入了低電平時(shí)，從鎖存電路25的輸出端 子N2就會(huì)輸出高電平電位。借助于此，N型晶體管337就變成為ON狀 態(tài)，第2控制線S2和像素電極21被連接起來(lái)。
因此，像素302就根據(jù)輸入到鎖存電路25的圖像信號(hào)的電位使傳輸門 TG1、 TG2工作，把第1控制線Sl或第2控制線S2，與像素電極21連接 起來(lái)，這樣，就變成為向像素電極21輸入第1控制線S1的電位或第2控 制線S2的電位。
此外，至于這樣的像素320俯視的概略構(gòu)成，與在圖12所示的構(gòu)成相 比僅僅傳輸門TG1、 TG2不同，其它的構(gòu)成與示于圖12的構(gòu)成是相同的。 為此，即便是具備用2個(gè)晶體管構(gòu)成的傳輸門的電泳顯示裝置，通過(guò)采用 借助于與各個(gè)實(shí)施方式同樣的工序排列形成半導(dǎo)體部，向該所形成的半導(dǎo) 體部照射激光的辦法，也可以同程度地使各個(gè)半導(dǎo)體部結(jié)晶化。
2權(quán)利要求
1. 一種電泳顯示裝置的制造方法，該電泳顯示裝置具有把含有電泳微粒的電泳元件夾持在一對(duì)基板間，并排列有多個(gè)像素的顯示部，按上述每一個(gè)像素設(shè)置有選擇晶體管和與上述選擇晶體管連接的鎖存電路，該制造方法的特征在于包括如下工序沿著上述像素的排列方向直線狀地形成構(gòu)成上述選擇晶體管的第1半導(dǎo)體部和包括構(gòu)成上述鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的第2半導(dǎo)體部的半導(dǎo)體部形成工序；和對(duì)于上述第1和第2半導(dǎo)體部，沿著上述直線狀的排列照射脈沖光的光照射工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于 在上述半導(dǎo)體部形成工序中，沿著上述^^素的排列方向直線狀地配置形成上述第l半導(dǎo)體部之中 的將成為上述選擇晶體管的溝道區(qū)域的平面區(qū)域和上述第2半導(dǎo)體部之中 的將成為多個(gè)上述晶體管的各自的溝道區(qū)域的平面區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電泳顯示裝置的制造方法，其特征在于 在上述半導(dǎo)體部形成工序中，在將在上述光照射工序中#1照射上述脈沖光的區(qū)域內(nèi)，形成上述第1和第2半導(dǎo)體部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任何一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置的制造方法， 其特征在于在上述半導(dǎo)體部形成工序中，沿著上述像素的排列方向直線狀地配置 形成多個(gè)上述像素的上述第l和第2半導(dǎo)體部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 4中的任何一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置的制造方法， 其特征在于多個(gè)上述像素，是屬于在上述顯示部延伸的掃描線或數(shù)據(jù)線之中的一 條上述掃描線或上述數(shù)據(jù)線的多個(gè)像素。
6. —種電泳顯示裝置，該電泳顯示裝置具有把含有電泳;敞粒的電泳 元件夾持在一對(duì)基板間，并排列有多個(gè)像素的顯示部，按上述每一個(gè)像素 設(shè)置有選擇晶體管和與上述選擇晶體管連接的鎖存電路，其特征在于沿著上述像素的排列方向直線狀地配置有構(gòu)成上述選擇晶體管的第 1半導(dǎo)體部和包括構(gòu)成上述鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的第2半導(dǎo)體部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電泳顯示裝置，其特征在于沿著上述像素 的排列方向直線狀地排列有多個(gè)上述^(象素的上述第1和第2半導(dǎo)體部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電泳顯示裝置，其特征在于 多個(gè)上述像素，是屬于在上述顯示部延伸的掃描線或數(shù)據(jù)線之中的一條上述掃描線或上述數(shù)據(jù)線的多個(gè)像素。
9. 一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求6~8中的任何一項(xiàng)所述 的電泳顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供可以防止存儲(chǔ)電路的誤工作的電泳顯示裝置的制造方法、電泳顯示裝置和電子設(shè)備。電泳顯示裝置具備把含有電泳微粒的電泳元件夾持在一對(duì)基板間并把多個(gè)像素排列起來(lái)而構(gòu)成的顯示部，按上述每一個(gè)像素都設(shè)置有選擇晶體管和與上述選擇晶體管連接起來(lái)的鎖存電路，其制造方法包括如下的工序在基板面方向上排列成一列地形成構(gòu)成上述選擇晶體管的第1半導(dǎo)體部，和包括構(gòu)成上述鎖存電路的反饋反相器的多個(gè)晶體管的第2半導(dǎo)體部的半導(dǎo)體部形成工序；和一并地向上述第1和第2半導(dǎo)體部照射脈沖光的光照射工序。
文檔編號(hào)G09G3/34GK101520586SQ200910118519
公開(kāi)日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2009年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者下平泰裕 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社