專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件，更具體地，涉及一種能夠顯示均 勻亮度的圖像的OELD器件及驅(qū)動OELD的方法。
背景技術(shù)：
因?yàn)橐壕э@示(LCD)器件是不發(fā)光型顯示器件，所以液晶顯示器件中需要光源。 為了克服有源矩陣型液晶顯示器件的這個缺點(diǎn)，引入OELD器件。在OELD器件中，激勵有機(jī) 發(fā)光層以便發(fā)射光。OELD器件由相對低的電壓驅(qū)動并且具有纖薄的外形。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出有源矩陣型OELD器件的像素的電路圖。如圖1中所示， 2個晶體管和1個電容器設(shè)置在像素中。OELD器件包括基板上的掃描線S、數(shù)據(jù)線D、開關(guān) 薄膜晶體管(TFT)SW、電容器C、驅(qū)動TFT DR和有機(jī)電致發(fā)光二極管E。例如，各個開關(guān)以及 驅(qū)動TFT SW禾P DR可以是NMOS型TFT。 開關(guān)TFT SW的柵極連接到掃描線，且開關(guān)TFT SW的源極連接到數(shù)據(jù)線D。電容器 C的一端連接到開關(guān)TFT SW的漏極，并且接地電壓VSS被施加到電容器C的另一端。
驅(qū)動TFT DR的源極連接到電力線。驅(qū)動電壓VDD通過電力線施加到驅(qū)動TFT DR 的源極。驅(qū)動TFT DR的漏極連接到有機(jī)電致發(fā)光二極管E的電極。驅(qū)動TFT DR的柵極連 接到開關(guān)TFT SW的漏極。 結(jié)合圖2對圖1中所示的器件的驅(qū)動原理進(jìn)行解釋。圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OELD 器件中的信號的時(shí)序圖。當(dāng)高電壓Vgh的第n個掃描信號S(n)通過掃描線S施加到開關(guān) TFT SW時(shí)，開關(guān)TFT SW導(dǎo)通。掃描信號S(n)由柵極驅(qū)動集成電路(IC)(未示出)產(chǎn)生。 高掃描信號Vgh是正電壓。掃描信號S(n)由低電壓Vgl脈動(pulsed)到高電壓Vgh。
當(dāng)開關(guān)TFT SW導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)電壓Vdata通過數(shù)據(jù)線D和開關(guān)TFT SW施加到電容 器C，在電容器C中充入電荷。因?yàn)轵?qū)動TFT DR的溝道是NMOS型，所以數(shù)據(jù)電壓為正。流 經(jīng)驅(qū)動TFT DR的溝道的電流量取決于電容器C的充電電壓和驅(qū)動電壓VDD之間的電勢差。 有機(jī)電致發(fā)光二極管E的亮度由通過驅(qū)動TFT DR的溝道的電流量決定。
不幸地是，每個像素中的驅(qū)動TFT DR在電性上有偏差，使得每個像素在相同條件 下具有不同的亮度。在使用低溫多晶硅型底板的面板中，驅(qū)動TFT DR的電性因?yàn)橛糜诘蜏?多晶硅的受激準(zhǔn)分子激光器退火工藝而具有偏差。因此，即使將相同的電壓施加給每個像 素中的驅(qū)動TFT DR，流經(jīng)驅(qū)動TFT DR的電流量也不同，從而降低了 OELD器件上的圖像的亮 度均勻性。 另一方面，在使用非晶硅型底板的面板中，在驅(qū)動TFT DR被驅(qū)動時(shí)，驅(qū)動TFT DR 中的熱減少。像素中的每個驅(qū)動TFT DR的熱減少存在差異，從而使得OELD器件上的圖像 的亮度均勻性降低。
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參照圖3，其是示出現(xiàn)有0ELD技術(shù)中的與驅(qū)動TFT上的電壓有關(guān)的有機(jī)電致發(fā)光 二極管上的電流的偏差的曲線圖，一個像素中的有機(jī)電致發(fā)光二極管E(圖1的)上的電流 因?yàn)轵?qū)動TFT DR(圖1中)的電性上的偏差而與另一像素中的不同。結(jié)果，即使在相同的條 件下驅(qū)動各個像素，各個像素也顯示出具有不同亮度的圖像，使得亮度均勻性降低。例如， 在圖像面板上產(chǎn)生余像或污點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(0ELD)器件及其驅(qū)動方法，基本上 消除了因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個或多個問題。 本發(fā)明的一個目的在于提供一種包括具有均勻電性的驅(qū)動TFT并能顯示具有均 勻亮度的圖像的OELD器件。 本發(fā)明的另一 目的在于提供一種驅(qū)動能夠最小化驅(qū)動TFT的電性偏差的OELD器 件的方法。 關(guān)于本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，將在以下描述中闡述，并且部分將由描述而顯而 易見，或者可以由本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。通過在書面的說明書及其權(quán)利要求和所附附圖中 具體指出的結(jié)構(gòu)，可以了解并獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。 為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體化和廣義描述的，有機(jī) 電致發(fā)光顯示器件包括有機(jī)電致發(fā)光二極管，其接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓；第一驅(qū) 動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，其用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管， 所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所 述第一接地電壓的一個電壓；第一開關(guān)薄膜晶體管，其接收數(shù)據(jù)電壓，并由第n個掃描信號 切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓；第二開關(guān)薄膜晶體管，其由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電 壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管；第三開關(guān)薄膜 晶體管，其接收第二接地電壓，并由選擇信號切換以把所述第二接地電壓輸出到所述第一 開關(guān)薄膜晶體管的輸出端；第四開關(guān)薄膜晶體管，其設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸 出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間，并 由所述選擇信號切換；以及第一電容器，其設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述 第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間，其中，n是正整 數(shù)。 在另一方面，一種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器 件包括接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述 有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶 體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的 一個電壓；接收數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶 體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供 到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換 以把所述第二接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管； 設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第 二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動薄膜 晶體管的柵極端之間的第一電容器以及設(shè)置在所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的源極端和所述 第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所
述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，并把第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，使得所 述驅(qū)動電壓和第一接地電壓中的所述一個電壓被提供到所述第一電容器和第二電容器；將 所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷， 使得其中所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓充入到所述第一電容器和第二電容器的每 個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體 管提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將 所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得所 述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。 在再一方面，一種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器 件包括接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述 有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶 體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的 一個電壓；接收數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶 體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供 到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換 以把所述第二接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管； 設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第 二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所 述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄 膜晶體管的柵極端之間的第一電容器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所 述第三開關(guān)薄膜晶體管的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將 所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，并把第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，使得 所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓中的所述一個電壓被提供到所述第一 電容器和第二電容器； 將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān) 斷，使得其中所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一電容器中；將所述第 一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體管提供到所述第 二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄 膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得所述有機(jī)電致發(fā)光 二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。 在又一方面，一種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器 件包括接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述 有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶 體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的 一個電壓；接收數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶 體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供 到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以把所述第二接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管； 設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第 二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；接收初始 電壓并由初始化信號切換以把所述初始電壓輸出到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和 所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端的第五開關(guān)薄膜晶體管，設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體 管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間 的第一電容器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所述第三開關(guān)薄膜晶體管 的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括 將所述第五開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，使得低電平的初始電壓被提供到所述第
一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端中；將高電平的初始電壓提供到所述第
一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端，同時(shí)所述第五開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通；
將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶體管和第二開關(guān)
薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一電容
器和第二電容器的每個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所
述第一開關(guān)薄膜晶體管提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管
被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體
管切換成關(guān)斷，使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。 在另一方面，一種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器
件包括接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述
有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶
體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的
一個電壓；接收數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶
體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供
到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換
以把所述第二接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管；
設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第
二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；接收初始
電壓并由初始化信號切換以把所述初始電壓輸出到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和
所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端的第五開關(guān)薄膜晶體管，設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體
管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之
間的第一電容器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所述第三開關(guān)薄膜晶體
管的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所述第五開關(guān)薄膜晶
體管切換成導(dǎo)通，使得低電平的初始電壓被提供到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄
膜晶體管的柵極端；將第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶
體管和第五開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得驅(qū)動電壓被提供到所述第一電容器和第二電
容器中；將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一、第二和第五開關(guān)薄 膜晶體管切換成關(guān)斷，使得所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一電容器 和第二電容器的每個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述 第一開關(guān)薄膜晶體管提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被
9切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶體管
切換成關(guān)斷，使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。 應(yīng)該理解，本發(fā)明的前述總體說明和下文詳細(xì)說明是示例性和說明性的，旨在提
供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖并入本
說明書中并組成本說明書的一部分，以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解。 圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出有源矩陣型0ELD器件的像素的電路圖； 圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的0ELD器件中的信號的時(shí)序圖； 圖3是示出現(xiàn)有OELD技術(shù)中的與驅(qū)動TFT上的電壓有關(guān)的有機(jī)電致發(fā)光二極管 上的電流的偏差的曲線圖；
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第 圖； 圖9是根據(jù)本發(fā)明的第 圖； 圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式示出0ELD器件的像素的電路圖；
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖；以及
圖12是根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式示出0ELD器件的像素的電路圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述，其實(shí)例在附圖中示出。
在現(xiàn)有技術(shù)的0ELD器件中，有機(jī)電致發(fā)光二極管的驅(qū)動電流Ie由下式1計(jì)算
Ie = (l/2)*ii *Cox*(W/L)*(Vgs-Vth)2 [1]
其中，ii是遷移率，Cox是電容，W/L是驅(qū)動TFT的溝道寬度與驅(qū)動TFT的溝道長 度的比值，Vgs是驅(qū)動TFT的柵極端與源極端之間的電壓差，且Vth是驅(qū)動TFT的閾值電壓。
在上式中，因?yàn)槎畏降脑?，閾值電壓Vth對驅(qū)動電流Ie有很大的影響。因此， 本發(fā)明旨在去除閾值電壓Vth對驅(qū)動電流Ie的影B向，以最小化驅(qū)動TFT的電性的偏差。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式示出0ELD器件的像素的電路圖。在圖4中， OELD在每個像素中包括有機(jī)電致發(fā)光二極管E、第一到第四開關(guān)TFT S1、S2、S3和S4、第一 驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2以及第一電容器Cstl和第二電容器Cst2。各個第一到第 四開關(guān)TFT S1-S4和第一驅(qū)動TFTD1以及第二驅(qū)動TFT D2的溝道可以是NM0S類型。根據(jù) 需要，各個第一到第四開關(guān)TFT Sl-S4和第一驅(qū)動TFT Dl以及第二驅(qū)動TFT D2的溝道可 以是PM0S類型。 有機(jī)電致發(fā)光二極管E連接到第一驅(qū)動TFT Dl的源極端和第二驅(qū)動TFTD2的源
一實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖； 一實(shí)施方式的用于示出OELD器件的驅(qū)動原理的時(shí)序圖； 二實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖； 三實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖； 三實(shí)施方式的用于示出0ELD器件的第一驅(qū)動原理的時(shí)序
三實(shí)施方式的用于示出0ELD器件的第二驅(qū)動原理的時(shí)序極端，使得驅(qū)動電流Ie被施加到有機(jī)電致發(fā)光二極管E。第一和第二驅(qū)動TFT D1和D2具 有相同的性能，并且彼此電性并聯(lián)。驅(qū)動電壓VDD施加到第一和第二驅(qū)動TFT D1和D2中 的每個的漏極端。 第一開關(guān)TFT Sl通過數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓Vdata并通過掃描線接收第n個掃描 信號scan(n)。 n是正整數(shù)。第一開關(guān)TFT SI由第n個掃描信號scan(n)切換，并輸出數(shù) 據(jù)電壓Vdata。 第二開關(guān)TFT S2設(shè)置在第一驅(qū)動TFT Dl的漏極端和第二驅(qū)動TFT D2的漏極端 之間。第二開關(guān)FTF S2由電流供給信號cs切換，以將驅(qū)動電壓VDD提供給第二驅(qū)動TFT D2。 第三開關(guān)TFT S3接收第一接地電壓GND，并由選擇信號sel切換，以將第一接地電
壓GND提供給第一驅(qū)動TFT Sl的輸出端。為了減少信號的數(shù)量，可以將第n-l個掃描信號
用作選擇信號sel。可以將第一接地電壓GND用作第二接地電壓VSS。 第四開關(guān)TFT S4設(shè)置在(連接到)第二開關(guān)TFT S2的輸出端、第二驅(qū)動TFT D2
的柵極端以及第一驅(qū)動TFT Dl的柵極端之間，并由選擇信號sel切換。 第一電容器Cstl設(shè)置在第一開關(guān)TFT SI的輸出端、第一驅(qū)動TFT Dl的柵極端以
及第二驅(qū)動TFT D2的柵極端之間，而第二電容器Cst2設(shè)置在第二驅(qū)動TFT D2的源極端和
第二驅(qū)動TFT D2的柵極端之間。在第一驅(qū)動TFT Dl的柵極端和源極端之間或者在第二驅(qū)
動TFT D2的柵極端和源極端之間產(chǎn)生的寄生電容可以用作第二電容器Cst2。在這種情況
下，第二電容器Cst2不需要形成電容器元件。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的用于示出0ELD器件的驅(qū)動原理的時(shí)序圖。圖 5示出選擇信號sel、第n個掃描信號scan (n)、數(shù)據(jù)電壓Vdata、第二驅(qū)動TFT D2的柵極端 和源極端之間的電壓差。在第一期間①內(nèi)在電流供給信號cs變?yōu)榈碗娖胶瓦x擇信號sel 變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間之間具有初始化時(shí)間間隔Tc，第一期間①是上一幀中的發(fā)射步驟。相應(yīng) 地，在初始化時(shí)間間隔Tc內(nèi)，第二到第四開關(guān)TFT S2至S4中的每一個導(dǎo)通，并且驅(qū)動電壓 VDD施加到第一電容器Cstl和第二電容器Cst2。在初始化時(shí)間間隔Tc期間施加的驅(qū)動電 壓VDD用于測量第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth。 在用于測量(或感測)第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth的第二期間②內(nèi)，電流供 給信號cs變成低電平，而選擇信號sel保持為高電平。相應(yīng)地，在第二期間②內(nèi)，第二開關(guān) TFT S2關(guān)斷，而第三和第四開關(guān)TFT S3和S4保持為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，第二驅(qū)動TFT D2的 閾值電壓Vth存儲在第一電容器Cstl和第二電容器Cst2的每個中。 接著，在第三期間③內(nèi)，選擇信號sel變成低電平，而第n個掃描信號scan(n)變
為高電平。相應(yīng)地，第一開關(guān)TFT S1導(dǎo)通，而第二到第四開關(guān)TFT S2到S4切換成關(guān)斷。另
外，數(shù)據(jù)電壓Vdata通過第一開關(guān)TFT Sl，使得數(shù)據(jù)電壓Vdata通過第一電容器Cstl充入
到第二電容器Cst2中。結(jié)果，第二電容器Cst2具有(Vdata-GND+Vth)的狀態(tài)。第二驅(qū)動
TFT D2的柵極端和源極端之間的電壓差Vgs由下式計(jì)算 Q = C*V; Ql+Q2 = Q(總); Cl*Vth+C2*(Vdata_GND+Vth) = (Cl+C2)*Vgs Ql是第一電容器Cstl的電荷，而Q2是第二電容器Cst2的電荷。Cl是第一電容
11器Cstl的電容，而C2是第二電容器Cst2的電容。
因此，Vgs由下式2表示 Vgs = {C2/(Cl+C2)}*(Vdata_GND)+Vth [2] 按照上式1和2，驅(qū)動電流Ie由下列等式3計(jì)算 Ie = (1/2) * ii *Cox* (W/L) * [ {C2/ (Cl+C2)} * (Vdata—GND)} 2 [3] 在上式3中沒有閾值電壓Vth。即，驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth對用于驅(qū)動有機(jī)電致
發(fā)光二極管的驅(qū)動電流Ie沒有影響。在本發(fā)明中，因?yàn)橹圃爝^程或驅(qū)動過程中的第一驅(qū)動
TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的電性上的偏差被最小化，所以驅(qū)動電流Ie被均勻地施加到有
機(jī)電致發(fā)光二極管。 在第三期間③內(nèi)，第二電容器Cst2中的電壓使第一驅(qū)動TFT Dl導(dǎo)通，從而使得電 流被施加到有機(jī)電致發(fā)光二極管E。在第三期間③之后的第四期間④(作為當(dāng)前幀的發(fā)射 期間)內(nèi)，電流供給信號cs僅具有高電平，使得第二開關(guān)TFTS2只切換成導(dǎo)通。因此，有機(jī) 電致發(fā)光二極管E在第四期間④內(nèi)接收流經(jīng)因?yàn)榈谝浑娙萜鰿stl和第二電容器Cst2中的 電壓而分別導(dǎo)通的第一驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的電流，從而使得有機(jī)電致發(fā)光二 極管E發(fā)射光。 圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式示出0ELD器件的像素的電路圖。與根據(jù)第一 實(shí)施方式的OELD器件相比，圖6中的OELD器件僅在第二電容器Cst2的位置上具有不同。 在第二實(shí)施方式中，為了最小化來自第一開關(guān)TFT S1和第二開關(guān)TFT S3中的每個的漏電 流的影響，將第二電容器Cst2設(shè)置在第三開關(guān)TFT S3的源極端和第三開關(guān)TFT S3的漏極 端之間。 可以參照圖5對根據(jù)第二實(shí)施方式的0ELD器件的驅(qū)動原理進(jìn)行解釋。與根據(jù)第一 實(shí)施方式的OELD器件的驅(qū)動原理相比，在第二期間②內(nèi)，第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth 被充入到第一電容器Cstl中而不是第二電容器Cst2中。 圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖。與圖6中的 根據(jù)第二實(shí)施方式的OELD器件相比，圖7中的根據(jù)第三實(shí)施方式的OELD器件還包括第五 開關(guān)TFT S5。 初始電壓Vinit施加到第五開關(guān)TFT S5的柵極端，并且初始化信號Sinit將第五 開關(guān)TFT S5切換成把初始電壓Vinit輸出到第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的柵極 端中的每個中。 提供初始電壓Vinit來補(bǔ)償由第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的電性變化而 產(chǎn)生的閾值電壓的波動部分。在閾值電壓Vth的測量步驟之前施加初始電壓Vinit，使得第 一驅(qū)動TFT D1的柵極端和源極端之間以及第二驅(qū)動TFT D2的柵極端和源極端之間的電壓 差Vgs變?yōu)榈陀?伏特。換句話說，通過施加初始電壓Vinit而初始化閾值電壓的性能的 曲線。 圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的用于示出OELD器件的第一驅(qū)動原理的時(shí)序 圖，而圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的用于示出OELD器件的第二驅(qū)動原理的時(shí)序圖。 圖8和9示出了電流供給信號cs、選擇信號sel、第n個掃描信號scan (n)、數(shù)據(jù)電壓Vdata、 初始化信號Sinit和初始電壓Vinit。 參照圖8，在第一期間①之后的第二幀②中提供負(fù)電壓，第一期間①是上一幀中的發(fā)射步驟?？梢园训诙诜Q為負(fù)電壓施加步驟NDI。將初始化信號Sinit施加成高電平， 而把電流供給信號cs、選擇信號sel和第n個掃描信號scan(n)施加成低電平。結(jié)果，如 下所述，第五開關(guān)TFT S5將切換成導(dǎo)通，從而使得低電平的初始電壓Vinit被施加到第一 驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的柵極端。在這種情況下，初始電壓Vinit為負(fù)，使得在上 一幀中改變的第一驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth被初始化。當(dāng)?shù)谝或?qū)動 TFTD1和第二驅(qū)動TFT D2是匪0S型時(shí)，初始電壓Vinit等于或小于第一驅(qū)動TFT Dl和第 二驅(qū)動TFT D2的源極端的電壓。同時(shí)，當(dāng)?shù)谝或?qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2是PM0S型 時(shí)，初始電壓Vinit等于或大于第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的源極端的電壓。
接著，在用于初始化第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth的第三 期間③內(nèi)，僅初始化信號Sinit具有高電平，使得僅第五開關(guān)TFT S5具有導(dǎo)通狀態(tài)。初始 電壓轉(zhuǎn)換成高電平并被施加到第一驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的柵極端。施加初始電 壓Vinit以用于測量第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth。 接著，在用于測量第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth的第四期 間④內(nèi)，初始化信號Sinit變?yōu)榈碗娖?，使得第五開關(guān)TFT S5切換成關(guān)斷。從第四期間④ 到發(fā)射步驟的第六期間⑥的驅(qū)動原理與圖5中的從第二期間②到第四期間④的驅(qū)動原理 相同。因此，省略了對這些期間的解釋。 圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的用于示出0ELD器件的第二驅(qū)動原理的時(shí)序 圖。在圖9中，在第一期間①(作為上一幀中的發(fā)射步驟)之后的第二幀②中提供負(fù)電壓。 可以把第二幀②稱為負(fù)電壓施加步驟NDI。將初始化信號Sinit施加成高電平，而把電流供 給信號cs、選擇信號sel和第n個掃描信號scan(n)施加成低電平。 結(jié)果，如下所述，第五開關(guān)TFT S5將切換成導(dǎo)通，從而使得低電平的初始電壓 Vinit被施加到第一驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的柵極端。在這種情況下，初始電壓 Vinit為負(fù)，使得在上一幀中改變的第一驅(qū)動TFT D1和第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth被 初始化。 接著，在用于初始化第一驅(qū)動TFT Dl和第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓Vth的第三 期間③內(nèi)，將電流供給信號cs和選擇信號sel作為高電平提供，而把諸如第n個掃描信號 scan(n)和初始化信號Sinit的其他信號作為低電平提供。因此，第二到第四開關(guān)TFT D2 到D4切換成導(dǎo)通，而第一和第五開關(guān)TFT S1和S5切換成關(guān)斷。結(jié)果，驅(qū)動電壓VDD被施 加到第一和第二電容器Cstl和Cst2以用于測量(或感測)第二驅(qū)動TFT D2的閾值電壓。
從第四期間④到發(fā)射步驟的第六期間⑥的驅(qū)動原理與圖5中的從第二期間②到 第四期間④的驅(qū)動原理相同。因此，省略了對這些期間的解釋。 在根據(jù)第三實(shí)施方式的0ELD器件中，去除了驅(qū)動TFT的閾值電壓對驅(qū)動電流Ie 的影響，從而改善了由閾值電壓產(chǎn)生的0ELD器件中的第一和第二驅(qū)動TFT的電性偏差。另 外，因?yàn)橥ㄟ^在Vth感測步驟之前向第一和第二驅(qū)動TFT施加初始電壓Vinit而使第一和 第二驅(qū)動TFT中的每個TFT的柵極端和源極端之間的電壓差Vgs變?yōu)樨?fù)電壓(低于0伏 特)，所以在Vth感測步驟之前補(bǔ)償了第一和第二驅(qū)動TFT的閾值電壓的波動部分。因此， 驅(qū)動過程中的0ELD器件中的第一和第二驅(qū)動TFT的電性偏差被最小化。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖，圖11是根據(jù) 本發(fā)明的第五實(shí)施方式示出OELD器件的像素的電路圖，而圖12是根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施
13方式示出0ELD器件的像素的電路圖。分別與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的OELD器件相比， 根據(jù)第四到第六實(shí)施方式的OELD器件在有機(jī)電致發(fā)光二極管E的位置上具有不同。
更具體地，有機(jī)電致發(fā)光二極管E設(shè)置在驅(qū)動電壓VDD和第一驅(qū)動TFTD1的漏極 端D之間，從而使得驅(qū)動電壓VDD施加到有機(jī)電致發(fā)光二極管E的正極。其他驅(qū)動原理基 本上與根據(jù)第一到第三實(shí)施方式的OELD器件的驅(qū)動原理相同。 顯而易見地，對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情 況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋所附權(quán)利要求范圍及其等 效范圍內(nèi)的對本發(fā)明的所有改型和變化。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括有機(jī)電致發(fā)光二極管，其接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓；第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，其用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓的一個電壓；第一開關(guān)薄膜晶體管，其接收數(shù)據(jù)電壓，并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓；第二開關(guān)薄膜晶體管，其由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū)動薄膜晶體管；第三開關(guān)薄膜晶體管，其接收第二接地電壓，并由選擇信號切換以把所述第二接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端；第四開關(guān)薄膜晶體管，其設(shè)置在所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間，并由所述選擇信號切換；以及第一電容器，其設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間，其中，n是正整數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括設(shè)置在所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的源極端和所 述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間的第二電容器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和所述第二驅(qū)動薄膜 晶體管電性并聯(lián)，并由相同的信號切換。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述選擇信號是第n-l個掃描信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二驅(qū)動薄膜晶體管設(shè)置在所述第一驅(qū)動 薄膜晶體管的漏極端和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的漏極端之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所 述第三開關(guān)薄膜晶體管的漏極端之間的第二電容器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，還包括第五開關(guān)薄膜晶體管，其接收初始電壓并由初始化信號切換以把所述初始電壓輸出到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū) 動薄膜晶體管的柵極端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，各個第一到第五開關(guān)薄膜晶體管以及第一驅(qū)動 薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管是NM0S型或PM0S型。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，當(dāng)各個第一到第五開關(guān)薄膜晶體管以及第一驅(qū) 動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管是NMOS型時(shí)，初始電壓等于或小于所述第一驅(qū)動薄 膜晶體管和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的源極端的電壓，并且當(dāng)各個第一到第五開關(guān)薄膜晶 體管以及第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管是PMOS型時(shí)，所述初始電壓等于或 大于所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的源極端的電壓。
10. —種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括接收 驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光 二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的一個電壓；接收 數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū) 動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以把所述第二 接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第 二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶 體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第一開關(guān)薄 膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極 端之間的第一電容器以及設(shè)置在所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的源極端和所述第二驅(qū)動薄膜 晶體管的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，并把第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo) 通，使得所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓中的所述一個電壓被提供到所述第一電容器和第二 電容器；將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成 關(guān)斷，使得其中所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓充入到所述第一電容器和第二電容器 的每個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體管 提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷， 使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。
11. 一種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括接收 驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光 二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū) 動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的一個電壓；接收 數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū) 動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以把所述第二 接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第 二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶 體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第一開關(guān)薄 膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵 極端之間的第一電容器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所述第三開關(guān)薄 膜晶體管的柵極端之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，并把第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo) 通，使得所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓中的所述一個電壓被提供到所述第一電容器和第二 電容器；將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成 關(guān)斷，使得其中所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一電容器中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體管提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷， 使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。
12. —種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括接收 驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光 二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū) 動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的一個電壓；接收 數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū) 動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以把所述第二 接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第 二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶 體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；接收初始電壓并由初始 化信號切換以把所述初始電壓輸出到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動 薄膜晶體管的柵極端的第五開關(guān)薄膜晶體管，設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、 所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間的第一電容 器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所述第三開關(guān)薄膜晶體管的柵極端之 間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所述第五開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，使得低電平的初始電壓被提供到所述第一驅(qū) 動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端中；將高電平的初始電壓提供到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極 端，同時(shí)所述第五開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通；將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶體管和第二 開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一 電容器和第二電容器的每個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體管 提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并把所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷， 使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用所述驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。
13. —種驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括接收 驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；用于提供驅(qū)動電流到所述有機(jī)電致發(fā)光 二極管的第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管，所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū) 動薄膜晶體管中的每個晶體管接收所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的一個電壓；接收 數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以輸出所述數(shù)據(jù)電壓的第一開關(guān)薄膜晶體管；由電流供給信號切換以把所述驅(qū)動電壓和所述第一接地電壓中的所述一個電壓提供到所述第二驅(qū) 動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以把所述第二 接地電壓輸出到所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端的第三開關(guān)薄膜晶體管；設(shè)置在所述第 二開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶 體管的柵極端之間并由所述選擇信號切換的第四開關(guān)薄膜晶體管；接收初始電壓并由初始化信號切換以把所述初始電壓輸出到所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端和所述第二驅(qū)動 薄膜晶體管的柵極端的第五開關(guān)薄膜晶體管，設(shè)置在所述第一開關(guān)薄膜晶體管的輸出端、 所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端以及所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端之間的第一電 容器以及設(shè)置在所述第三開關(guān)薄膜晶體管的源極端和所述第三開關(guān)薄膜晶體管的柵極端 之間的第二電容器，其中，n是正整數(shù)，所述方法包括將所述第五開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，使得低電平的初始電壓被提供到所述第一驅(qū) 動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極端；將第二到第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶體管和第五開關(guān) 薄膜晶體管切換成關(guān)斷，使得驅(qū)動電壓被提供到所述第一電容器和第二電容器中；將所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一、第二和第五開關(guān)薄膜 晶體管切換成關(guān)斷，使得所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓被充入到所述第一電容器和 第二電容器的每個中；將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將數(shù)據(jù)電壓通過所述第一開關(guān)薄膜晶體管 提供到所述第二電容器中，其中，所述第三和第四開關(guān)薄膜晶體管被切換成關(guān)斷；以及將所述第二開關(guān)薄膜晶體管切換成導(dǎo)通，并將所述第一開關(guān)薄膜晶體管切換成關(guān)斷， 使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管利用驅(qū)動電壓和第一接地電壓發(fā)射光。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動方法。該顯示器件包括接收驅(qū)動電壓和第一接地電壓的有機(jī)電致發(fā)光二極管；提供驅(qū)動電流到該二極管的第一、二驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，分別接收上述電壓中的一個電壓；接收數(shù)據(jù)電壓并由第n個掃描信號切換以將其輸出的第一開關(guān)TFT；由電流供給信號切換以把所述一個電壓提供到第二驅(qū)動TFT的第二開關(guān)TFT；接收第二接地電壓并由選擇信號切換以將其輸出到第一開關(guān)TFT的輸出端的第三開關(guān)TFT；設(shè)置在第二開關(guān)TFT的輸出端、第一和第二驅(qū)動TFT的柵極端間并由選擇信號切換的第四開關(guān)TFT；及設(shè)置在第一開關(guān)TFT的輸出端、第一和第二驅(qū)動TFT的柵極端間的第一電容器，其中n是正整數(shù)。
文檔編號G09G3/32GK101740606SQ20091013009
公開日2010年6月16日 申請日期2009年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月15日
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