專利名稱：顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有像素電路(也稱作像素)的顯示設(shè)備，該像素電路提供 有電光元件(也稱作顯示元件或發(fā)光元件)，并且具體涉及具有電流驅(qū)動型電 光元件作為顯示元件、并且在每個像素電路中具有有源元件的顯示設(shè)備，所 述電流驅(qū)動型電光元件根據(jù)驅(qū)動信號的大小而改變亮度，通過所述有源元件 在像素單元中執(zhí)行顯示驅(qū)動。
背景技術(shù)：
存在使用電光元件作為像素的顯示元件的顯示設(shè)備，所述電光元件根據(jù) 施加到電光元件的電壓或流過電光元件的電流而改變亮度。例如，液晶顯示 元件是根據(jù)施加到電光元件的電壓改變亮度的電光元件的典型示例，并且有
機電致發(fā)光(以下稱為有機EL )元件(有機發(fā)光二極管(OLED ))是根據(jù)流 過電光元件的電流改變亮度的電光元件的典型示例。使用后一有機EL元件 的有機EL顯示設(shè)備是使用自發(fā)光電光元件作為像素的顯示元件的所謂的發(fā) 射性顯示設(shè)備。
有機EL元件包括有機薄膜(有機層)，其通過在下電極和上電極之間層 疊有機空穴傳輸層和有機發(fā)光層而形成。有機EL元件是利用在對有機薄膜 施加電場時出現(xiàn)的發(fā)光現(xiàn)象的電光元件。通過控制流過有機EL元件的電流 值獲得色彩灰度。
有才幾EL元件可通過相對^f氐的施加電壓(例如，10V或更4氐)而驅(qū)動， 因此消耗低功率。此外，有機EL元件是自己發(fā)光的自發(fā)光的元件，因此消 除了對于如在液晶顯示設(shè)備中期望的背光的輔助照明部件的需要。因此，有 機EL元件便利了重量和厚度的減少。此外，有機EL元件具有非常高的響應(yīng) 速度(例如，大約幾ps),使得在顯示運動圖像時不出現(xiàn)余像。因為有機EL 元件具有這些優(yōu)點，所以近來已經(jīng)積極開發(fā)了使用有機EL元件作為電光元 件的平板發(fā)射性顯示設(shè)備。
使用電光元件的顯示設(shè)備包括使用液晶顯示元件的液晶顯示設(shè)備和使用有機EL元件的有機EL顯示設(shè)備，所述使用電光元件的顯示設(shè)備可以采用簡 單(無源)矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)作為顯示設(shè)備的驅(qū)動系統(tǒng)。然而，盡管 簡單矩陣型顯示設(shè)備具有簡單的結(jié)構(gòu)，但是它存在例如難以實現(xiàn)大和高清晰
度顯示設(shè)備的問題。
因此，近來已經(jīng)積極開發(fā)了這樣的有源矩陣系統(tǒng)，其通過使用在像素內(nèi) 類似提供的有源元件(例如，絕緣柵極場效應(yīng)晶體管(典型地，薄膜晶體管 (TFT)))作為開關(guān)晶體管，控制提供到像素內(nèi)的發(fā)光元件的像素信號。
當(dāng)使得像素電路內(nèi)的電光元件發(fā)光時，經(jīng)由視頻信號線提供的輸入圖像 信號捕獲到存儲電容器(也稱作像素電容)中，其通過開關(guān)晶體管(稱為采 樣晶體管)提供到驅(qū)動晶體管的柵極端(控制輸入端)，并且將對應(yīng)于捕獲的 輸入圖像信號的驅(qū)動信號提供到電光元件。
在利用液晶顯示元件作為電光元件的液晶顯示設(shè)備中，因為液晶顯示元 件是電壓驅(qū)動型元件，所以通過對應(yīng)于捕獲到存儲電容器中的輸入圖像信號 的電壓信號自身驅(qū)動液晶顯示元件。另一方面，在利用如有機EL元件等的 電流驅(qū)動型元件作為電光元件的有機EL顯示設(shè)備中，驅(qū)動晶體管將對應(yīng)于 捕獲到存儲電容器中的輸入圖傳-信號的驅(qū)動信號(電壓信號)轉(zhuǎn)換為電流信 號，并且將驅(qū)動電流提供到有機EL元件等。
當(dāng)驅(qū)動電流的值變化時，以有機EL元件代表的電流驅(qū)動型電光元件在 發(fā)光亮度上變化。因此，為了使得電光元件以穩(wěn)定亮度發(fā)光，將穩(wěn)定的驅(qū)動 電流提供到電光元件是重要的。例如，用于將驅(qū)動電流提供到有機EL元件 的驅(qū)動系統(tǒng)可大致分類為恒流驅(qū)動系統(tǒng)和恒壓驅(qū)動系統(tǒng)(這是公知的技術(shù)， 因此在此將不呈現(xiàn)7>知文獻)。
因為有機EL元件的電壓-電流特性具有陡峭的斜率，所以當(dāng)執(zhí)行恒壓驅(qū) 動時，微小的電壓變化或元件特性的變化導(dǎo)致極大的電流變化，因此引起極 大的亮度變化。因此，通常使用恒流驅(qū)動，其中在飽和區(qū)使用驅(qū)動晶體管。 當(dāng)然，即使利用恒流驅(qū)動，電流的改變也引起亮度的變化。然而，小的電流 變化僅僅導(dǎo)致小的亮度變化。
相反，即使利用恒流驅(qū)動系統(tǒng)，為了電光元件的發(fā)光亮度不變，重要的 是，根據(jù)輸入圖像信號寫到存儲電容器并由存儲電容器保持的驅(qū)動信號是恒 定的。例如，為了有機EL元件的發(fā)光亮度不變，重要的是，對應(yīng)于輸入圖 像信號的驅(qū)動電流是恒定的。然而，由于工藝變化，驅(qū)動電光元件的有源元件(驅(qū)動晶體管)的閾值 電壓和遷移率變化。此外，如有機EL元件等的電光元件的特性隨時間變化。 即使在恒流驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，這種用于驅(qū)動的有源元件的特性的變化和這 種電光元件的特性的變化也影響發(fā)光亮度。
因此，正在研究用于校正每個像素電路內(nèi)的用于驅(qū)動的有源元件和電光 元件的特性的上述變化導(dǎo)致的亮度變化的各種機制，以一致地控制顯示設(shè)備 的整個屏幕上的發(fā)光亮度。
例如，作為用于有機EL元件的像素電路的、在日本專利公開No. 2006-215213 (以下稱為專利文獻l)中描述的機制具有閾值校正功能，用 于即使在存在驅(qū)動晶體管的閾值電壓的變化或長期改變時，也保持驅(qū)動電流 恒定；遷移率校正功能，用于即使在存在驅(qū)動晶體管的遷移率的變化或長期 改變時，也保持驅(qū)動電流恒定；以及自舉功能，用于即使在存在有機EL元 件的電流-電壓特性的長期改變時，也保持驅(qū)動電流恒定。
在閾值校正操作期間，將預(yù)定幅度的電源電壓提供到驅(qū)動晶體管的電源 端，以創(chuàng)建電流在驅(qū)動晶體管的漏極和源極之間流動的狀態(tài)，并且使得采樣 晶體管導(dǎo)通，其中用于閾值校正的預(yù)定大小的參考電勢提供到采樣晶體管的 輸入端。
在此情況下，依賴于驅(qū)動時序，闊值校正操作的時段可能不足，因此對 應(yīng)于驅(qū)動晶體管的閾值電壓的電壓不能完全保持在存儲電容器中。用于針對 這種現(xiàn)象的措施，考慮采用這樣的機制，其通過重復(fù)執(zhí)行多次閾值校正操作， 使得存儲電容器確定地保持對應(yīng)于驅(qū)動晶體管的閾值電壓的電壓(參見曰本 專利公開No. 2005-258326 )。
發(fā)明內(nèi)容
然而，在電流保持流過驅(qū)動晶體管的同時、執(zhí)行多次閾值校正操作的情 況下，當(dāng)在各閾值校正操作之間的間隔時段內(nèi)將采樣晶體管設(shè)置在不導(dǎo)通狀 態(tài)下時，此時沒有完全校正驅(qū)動晶體管的閾值電壓，因此跨越存儲電容器的 電壓(即，在控制輸入端(柵極)和驅(qū)動晶體管的電光元件側(cè)上的端子之間 的電壓)大于閾值電壓。
當(dāng)閾值校正時間短或間隔時段的時間長時，在間隔時段內(nèi)，驅(qū)動晶體管 的電光元件側(cè)上的端子的電勢極大地上升。結(jié)果，在下一閾值校正操作期間，跨越存儲電容器的電壓變?yōu)樾∮陂撝惦妷?，此后，不正常地?zhí)行閾值校正操 作，這導(dǎo)致顯示圖像中出現(xiàn)的不均勻性或條紋。
專利文獻l中描述的機制需要用于提供用于校正的電勢的布線、用于校 正的開關(guān)晶體管、以及對開關(guān)晶體管進行脈沖驅(qū)動的開關(guān)脈沖。當(dāng)包括驅(qū)動
晶體管和采樣晶體管時，在專利文獻l中描述的機制釆用了 5TR驅(qū)動配置， 使得像素電路的配置是復(fù)雜的，具有大量垂直掃描線等。像素電路的許多構(gòu) 成元件妨礙了更高清晰度的顯示設(shè)備的實現(xiàn)。結(jié)果，難以將5TR驅(qū)動配置應(yīng) 用到在小電子設(shè)備(如便攜式設(shè)備(移動電話)等)中使用的顯示設(shè)備。
因此期望開發(fā)一種機制，用于減輕不正常地執(zhí)行閾值校正操作的問題， 同時簡化像素電路。此時，還應(yīng)該考慮防止在5TR驅(qū)動配置的情況下不出現(xiàn) 的新問題隨著掃描線的數(shù)量的減少和像素電路的簡化而出現(xiàn)。
已經(jīng)鑒于上述情況做出本發(fā)明。期望提供一種機制，即使在采用執(zhí)行閾 值校正操作的機制作為用于抑制由于驅(qū)動晶體管的特性變化而導(dǎo)致的亮度變 化的機制時，也能減輕不正常執(zhí)行閾值校正操作的問題。還期望提供一種機 制，其通過簡化像素電路，實現(xiàn)更高清晰度的顯示設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的一種形式包括像素陣列部分，具有以矩陣形 式排列的像素電路，所述像素電路的每個包括用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體 管、連接到所述驅(qū)動晶體管的輸出端的電光元件、用于保持與視頻信號的信 號幅度對應(yīng)的信息的存儲電容器、以及用于將與所述信號幅度對應(yīng)的信息寫 到所述存儲電容器的采樣晶體管；垂直掃描部分，用于產(chǎn)生用于所述像素電 路的垂直掃描的垂直掃描脈沖；水平掃描部分，用于將所述視頻信號提供到
所述像素電路，以便與所述垂直掃描部分中的所述垂直掃描一致；以及驅(qū)動
信號恒定實現(xiàn)電路，用于保持所述驅(qū)動電流恒定。
所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路實現(xiàn)閾值校正功能，其通過在所述垂直掃描 部分和所述水平掃描部分的控制下，在預(yù)定大小的電源電壓提供到所述驅(qū)動 晶體管的電源端、并且預(yù)定大小的參考電勢提供到所述采樣晶體管的輸入端 的時間段內(nèi)，使得所述采樣晶體管導(dǎo)通，使得所述存儲電容器保持與所述驅(qū) 動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓。
此外，作為第一機制，所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路在以一個水平掃描時 段作為一個處理周期、維持流過所述驅(qū)動晶體管的電流的狀態(tài)下執(zhí)行閾值校 正操作多次，并且執(zhí)行一個水平時段內(nèi)的閾值校正分割處理，在所述一個水平時段內(nèi)的閾值校正分割處理中，在至少一個閾值校正處理時段內(nèi)，在用于 閾值校正的所述參考電勢提供到所述采樣晶體管的所述輸入端的情況下，執(zhí) 行閾值校正處理，同時重復(fù)多次采樣晶體管的導(dǎo)通和不導(dǎo)通。
此外，作為第二機制，所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路在第一閾值校正處理 之前執(zhí)行準(zhǔn)備處理，其設(shè)置跨越所述存儲電容器的電壓以便超過所述驅(qū)動晶 體管的閾值電壓，在所述準(zhǔn)備處理之后并且在第一閾值校正處理的開始之前， 將所述采樣晶體管設(shè)置在不導(dǎo)通狀態(tài)，并且使電流經(jīng)過所述驅(qū)動晶體管，并 且在經(jīng)過一定時段之后，導(dǎo)通所述釆樣晶體管并開始閾值校正操作。即，使 得在所述第 一 閾值校正處理的開始時的所述驅(qū)動晶體管的電光元件側(cè)的電壓 接近所述驅(qū)動晶體管的控制輸入端的電勢，然后開始所述闊值校正操作。
任一機制在閾值校正失敗的現(xiàn)象不出現(xiàn)的短時段內(nèi)截止所述采樣晶體 管，從而升高所述驅(qū)動晶體管的電光元件側(cè)的電勢，同時維持在該時間點跨 越所述存儲電容器的電壓，因此導(dǎo)通所述采樣晶體管以將所述驅(qū)動晶體管的 所述控制輸入端設(shè)置為用于閾值校正的所述參考電勢，并開始閾值校正操作。 由于在不出現(xiàn)閾值校正失敗的現(xiàn)象的范圍內(nèi)升高所述驅(qū)動晶體管的電光元件 側(cè)的電壓，這提供了增加閾值校正操作的速度的效果。
根據(jù)本發(fā)明的 一個形式，采樣晶體管在電流流過所述驅(qū)動晶體管的狀態(tài) 下截止非常短的時段，從而可以升高所述驅(qū)動晶體管的電光元件側(cè)的電勢，
同時維持緊接在所述非常短的時段之前跨越所述存儲電容器的電壓。因此， 當(dāng)隨后開始閾值校正操作時，與不采用本機制的情況下相比，跨越所述存儲 電容器的電壓更接近閾值電壓，使得可以提高閾值校正操作的速度并可以正 常地執(zhí)行閾值校正操作。因為可以正常地執(zhí)行閾值校正操作，所以可以減輕 在顯示圖像中出現(xiàn)的如不均勻性、條紋等的問題，所述問題從不正常地執(zhí)行 閾值校正操作導(dǎo)致。
此外，當(dāng)采用執(zhí)行閾值校正操作多次、并且在各閾值校正操作之間的間 隔時段內(nèi)使電流經(jīng)過驅(qū)動晶體管的機制時，可以減輕由于在間隔時段內(nèi)從電 源流到驅(qū)動晶體管的電流導(dǎo)致的、不正常地執(zhí)行下一閾值校正操作的問題。
此外，作為附加的效果，因為可以增加閾值校正操作的速度，所以可以 增加閾值校正操作處理整體的速度。
圖1
的配置的概要的框圖2是示出根據(jù)本實施例的像素電路的第 一比庫交示例的圖3是示出根據(jù)本實施例的像素電路的第二比較示例的圖4是幫助說明有機EL元件和驅(qū)動晶體管的操作點的圖5A到5C是幫助說明有機EL元件和驅(qū)動晶體管的特性的變化對驅(qū)動
電流的影響的圖6是示出根據(jù)本實施例的像素電路的第三比較示例的圖7是幫助說明根據(jù)圖6所示的第三比爭示例的、根據(jù)像素電路的第三
比較示例的驅(qū)動定時的基本示例的時序圖8是幫助說明以1H為單元分割的閾值校正處理的問題的圖9是幫助說明用于消除在閾值校正操作間隔內(nèi)、由于驅(qū)動晶體管的源
極電勢的上升的閾值校正失敗的現(xiàn)象的方法的第一實施例的圖；以及
圖10是幫助說明用于消除在閾值校正操作間隔內(nèi)、由于驅(qū)動晶體管的源
極電勢的上升的閾值校正失敗的現(xiàn)象的方法的第二實施例的圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。 <顯示設(shè)備的一般概要>
圖1是示出作為根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的實施例的有源矩陣型顯示設(shè)備 的配置的概要的框圖。將以下述情況為例描述本實施例，其中將本發(fā)明應(yīng)用 到利用例如有機EL元件作為像素的顯示元件(電光元件或發(fā)光元件)、并且 利用多晶硅薄膜晶體管(TFT)作為有源元件的有源矩陣型有機EL顯示器(以 下稱為"有機EL顯示設(shè)備，，)，所述有機EL元件形成在形成薄膜晶體管的半 導(dǎo)體襯底上。這樣的有機EL顯示設(shè)備用作使用記錄介質(zhì)(如半導(dǎo)體存儲器、 迷你盤(MD)、卡帶等)的便攜式音樂播放器和其他電子設(shè)備的顯示部分。
順帶提及，盡管將通過以有機EL元件作為像素的顯示元件的示例在下 面進行具體描述，但是有機EL元件是示例，并且感興趣的顯示元件不限于 有機EL元件。下面描述的所有實施例類似地可應(yīng)用到一般通過電流驅(qū)動而
發(fā)光的所有顯示元件。
如圖l所示，有機EL顯示設(shè)備1包括顯示面板部分100，其中排列具有有機EL元件(未示出)作為多個顯示元件的像素電路(也稱為像素)P, 以便形成具有X:Y的模式比(例如，9: 16)作為顯示縱橫比的有效視頻區(qū) 域；作為面板控制部分的示例的驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200，其發(fā)出用于驅(qū)動和 控制顯示面板部分100的各種脈沖信號；以及^f見頻信號處理部分300。驅(qū)動 信號產(chǎn)生部分200和視頻信號處理部分300包括在單個芯片上的IC (集成電 路)中。
例如，面板型顯示設(shè)備整體通常形成有像素陣列部分102,其中以矩 陣形式排列形成像素電路的元件，如TFT和電光元件；控制部分109，具有 掃描部分(水平驅(qū)動部分和垂直驅(qū)動部分)作為其主要部分，所述掃描部分 布置在像素陣列部分102的外圍并連接到用于驅(qū)動每個像素電路P的掃描線； 以及驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視頻信號處理部分300,其產(chǎn)生用于操作控制 部分109的各種信號。
另一方面，盡管在相同襯底101 (玻璃襯底)上具有像素陣列部分102 和控制部分109的顯示面板部分100與驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視頻信號處 理部分300相分離，如圖l所示，但是產(chǎn)品形式不限于以具有顯示面板部分 100、驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視頻信號處理部分300的全部的模塊(合成部 分)的形式提供有機EL顯示設(shè)備1。可能將像素陣列部分102包括在顯示面 板部分100中，并且僅提供顯示面板部分100作為有機EL顯示設(shè)備1。在此 情況下，如控制部分109、驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視頻信號處理部分300 的外圍電路安裝在與有機EL顯示設(shè)備1分離的襯底(例如，柔性襯底)上， 所述有機EL顯示設(shè)備1僅通過顯示面板部分100形成(該形成將稱為外圍 電路額外面板排列配置)。
在通過在相同襯底101上安裝像素陣列部分102和控制部分109而形成 顯示面板部分100的面板上排列配置的情況下，可以采用這樣的機制(稱為 TFT集成的配置)，其中在形成像素陣列部分102的TFT的處理中，同時形 成用于控制部分109 (如果需要的話，以及驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視頻信 號處理部分300 )的每個TFT,或可以采用這樣的機制(稱為COG安裝配置)， 其中將用于控制部分109 (如果需要的話，以及驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200和視 頻信號處理部分300 )的半導(dǎo)體芯片直接安裝在村底101上，通過COG (玻 璃上芯片)安裝技術(shù)在該襯底101上安裝有像素陣列部分102。
顯示面板部分100包括例如像素陣列部分102,其中以n行xm列的矩陣的形式排列像素電路P;作為垂直掃描部分的示例的垂直驅(qū)動單元103,被 配置為在垂直方向上掃描像素電路P;作為水平掃描部分的示例的水平驅(qū)動 部分(也稱作水平選擇器或數(shù)據(jù)線驅(qū)動部分)106，凈皮配置為在水平方向上掃 描像素電路P;以及用于外部連接在端子部分(襯墊部分)108，所述像素陣 列部分102、垂直驅(qū)動單元103、水平驅(qū)動部分106以及端子部分108以集成 方式形成在襯底101上。即，如垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動部分106的外 圍驅(qū)動電路作為像素陣列部分102形成在相同襯底101上。
垂直驅(qū)動單元103包括例如寫入掃描部分(寫入掃描器WS;寫入掃 描)104;以及垂直掃描部分(驅(qū)動掃描器DS;驅(qū)動掃描)105，其用作具有 供電能力的電源掃描器。垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動部分106形成控制部 分109，被配置為控制將信號電勢寫到存儲電容器、閾值校正操作、遷移率 校正操作以及自舉操作。
盡管示出垂直驅(qū)動單元103和對應(yīng)掃描線的配置，以便適于其中像素電 路P是根據(jù)下述本實施例的2TR配置的情況，但是依賴于像素電路P的配置 可以提供另一掃描部分。
作為示例，像素陣列部分102由寫入掃描部分104和驅(qū)動掃描部分105 ^v圖1所示的水平方向上的一側(cè)或兩側(cè)驅(qū)動，并且由水平驅(qū)動部分106從圖 1所示的垂直方向上的一側(cè)或兩側(cè)驅(qū)動。
從有機EL顯示設(shè)備1的外部布置的驅(qū)動信號產(chǎn)生部分200為端子部分 108提供有各種脈沖信號。此外，從視頻信號處理部分300類似地為端子部 分108提供有視頻信號Vsig。當(dāng)支持彩色顯示時，提供各個色彩(在本示例 中，R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)的三原色)的視頻信號Vsig—R、 Vsig—G 和Vsig一B。
例如，將如作為在垂直方向上寫入開始脈沖的示例的偏移開始脈沖SPDS 和SPWS和垂直掃描時鐘CKDS和CKWS的必要的脈沖信號提供為用于垂直 驅(qū)動的脈沖信號。此外，將如作為在水平方向上寫入開始脈沖的示例的水平 開始脈沖SPH和水平掃描時鐘CKH的必要的脈沖信號提供為用于水平驅(qū)動 的脈沖信號。
端子部分108的每個端子經(jīng)由接線199連接到垂直驅(qū)動單元103和水平 驅(qū)動部分106。例如，如果需要，提供到端子部分108的每個脈沖通過在附 圖中未示出的電平偏移器(level shifter)部分在內(nèi)部調(diào)節(jié)電壓電平，此后經(jīng)由緩沖器提供到垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動部分106的每個部分。
盡管在附圖中未示出(其細(xì)節(jié)將在后面描迷)，但是像素陣列部分102 具有這樣的構(gòu)造，其中具有為作為顯示元件的有機EL元件提供的像素晶體 管的像素電路P以矩陣形式二維排列，對像素排列的每行排列垂直掃描線， 并且對像素排列的每列排列信號線(水平掃描線的示例)。
例如，在像素陣列部分102中形成垂直掃描側(cè)的每個掃描線(垂直掃描 線寫入掃描線104WS和電源線105DSL)和作為水平掃描側(cè)的掃描線(水 平掃描線)的視頻信號線(數(shù)據(jù)線)106HS。在垂直掃描和水平掃描的各個 掃描線的交叉點處形成附圖中未示出的有機EL元件和用于驅(qū)動有機EL元件 的薄膜晶體管(TFT)。像素電路P用有機E1元件和薄膜晶體管的組合形成。
具體地，n行的寫入掃描線104WS—1到104WS—n以及n行的電源線 105DSL一1到105DSL_n排列在以矩陣形式排列的像素電路P的每個像素行 中，所述掃描線由寫入掃描部分104通過寫入驅(qū)動月永沖WS驅(qū)動，所述電源 線由驅(qū)動掃描部分105通過電源驅(qū)動脈沖DSL驅(qū)動。
寫入掃描部分104和驅(qū)動掃描部分105基于垂直驅(qū)動系統(tǒng)的脈沖信號， 經(jīng)由寫入掃描線104WS和電源線105DSL,順序選擇每個像素電路P,從驅(qū) 動信號產(chǎn)生部分200為垂直驅(qū)動系統(tǒng)提供脈沖信號。水平驅(qū)動部分106基于 水平驅(qū)動系統(tǒng)的脈沖信號，采樣視頻信號Vsig的預(yù)定電勢，并且將該預(yù)定電 勢經(jīng)由視頻信號線106HS寫到所選擇的像素電路P的存儲電容器，從驅(qū)動信 號產(chǎn)生部分200為水平驅(qū)動系統(tǒng)提供脈沖信號。
根據(jù)本實施例的有機EL顯示設(shè)備1能夠線序驅(qū)動、幀序驅(qū)動或另一系 統(tǒng)的驅(qū)動。例如，垂直驅(qū)動單元103的寫入掃描部分104和驅(qū)動掃描部分105 以行為單元掃描像素陣列部分，并且與其同步地，水平驅(qū)動部分106將一條 水平線的圖像信號同時寫到像素陣列部分102。
水平驅(qū)動部分106包括例如驅(qū)動器電路，用于同時接通附圖中未示出的 開關(guān)，所述開關(guān)在所有列的視頻信號線106HS上提供。水平驅(qū)動部分106同 時接通附圖中未示出的開關(guān)，所述開關(guān)在所有列的視頻信號線106HS上提供， 以將從視頻信號處理部分300輸入的圖像信號同時寫到由垂直驅(qū)動單元103 選擇的行的一條線的所有像素電路P。因此，視頻信號Vsig (水平掃描信號 的示例)經(jīng)由驅(qū)動器電路提供到水平掃描線(視頻信號線106HS)。
通過邏輯門(包括鎖存器)和驅(qū)動器電路的組合形成垂直驅(qū)動單元103的每個部分。通過邏輯門以行為單元選擇像素陣列部分102的像素電路P, 并且將垂直掃描信號經(jīng)由驅(qū)動器電路提供到垂直掃描線。順帶提及，盡管圖
1示出垂直驅(qū)動單元103僅布置在像素陣列部分102的一側(cè)上的配置，但是 可以采用垂直驅(qū)動單元103布置在像素陣列部分102的左側(cè)和右側(cè)上的配置， 所述像素陣列部分102插入在左側(cè)和右側(cè)之間。類似地，盡管圖l示出水平 驅(qū)動部分106僅布置在像素陣列部分102的一側(cè)上的配置，但是可以采用水 平驅(qū)動部分106布置在像素陣列部分102的上側(cè)和下側(cè)上的配置，所述像素 陣列部分102插入在上側(cè)和下側(cè)之間。
如從垂直驅(qū)動單元103 (寫入掃描部分104和驅(qū)動掃描部分105 )、水平 驅(qū)動部分106、垂直掃描線(寫入掃描線104WS和電源線105DSL)以及水 平掃描線(視頻信號線106HS)的連接模式理解的，需要掃描線將掃描信號 提供到像素陣列部分102的每個像素電路P。在簡單的機制中，當(dāng)增加像素 電路P的數(shù)量時，掃描線的數(shù)量也相應(yīng)地增加，并且用于驅(qū)動掃描線的驅(qū)動 電路也增加。盡管圖1為了方便示出對每行和每列排列掃描線的形式，但是 根據(jù)下述本實施例的機制減少了掃描線(具體地，寫入掃描線104WS)的數(shù) 量，同時維持了像素的數(shù)量。
<像素電路>
圖2是示出形成圖1所示的有機EL顯示設(shè)備1的、根據(jù)本實施例的像 素電路P的第一比較示例的圖。順帶提及，圖2還示出在顯示面板部分100 的襯底101上的像素電路P的外圍部分布置的垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動 部分106。圖3是示出根據(jù)本實施例的像素電路P的第二比較示例的圖。順 帶提及，圖3還示出在顯示面板部分100的襯底101上的像素電路P的外圍 部分布置的垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動部分106。圖4是幫助說明有機EL 元件和驅(qū)動晶體管的操作點的圖。圖5A到5C是幫助說明有機EL元件和驅(qū) 動晶體管的特性的變化對驅(qū)動電流Ids的影響的圖。
圖6是示出根據(jù)本實施例的像素電路P的第三比較示例的圖。順帶提及， 圖6還示出在顯示面板部分100的襯底101上的像素電路P的外圍部分布置 的垂直驅(qū)動單元103和水平驅(qū)動部分106。下述根據(jù)本實施例的像素電路P 中的EL驅(qū)動電路基于在根據(jù)第三比較示例的像素電路P中至少包括存儲電 容器120和驅(qū)動晶體管121的EL驅(qū)動電路。從這點而言，確實可以說根據(jù) 第三比較示例的像素電路P有效地具有與根據(jù)本實施例的像素電路P中的EL驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)類似的電路結(jié)構(gòu)。
<比較示例的像素電路第一示例>
如圖2所示，根據(jù)第一比較示例的像素電路P基本定義為通過p型薄膜 場效應(yīng)晶體管(TFT)形成驅(qū)動晶體管。此外，根據(jù)第一比較示例的像素電 路P除了驅(qū)動晶體管外，采用使用兩個用于掃描的晶體管的3丁r驅(qū)動配置。
具體地，根據(jù)第一比較示例的像素電路P包括p型驅(qū)動晶體管121、提 供有有源L驅(qū)動脈沖的p型發(fā)光控制晶體管122、以及提供有有源H驅(qū)動脈 沖的n型晶體管125、作為通過饋送電流而發(fā)光的電光元件(發(fā)光元件)的 示例的有機EL元件127、以及存儲電容器(也稱作像素電容)120。順帶提 及，最簡單的電路可采用從中移除了發(fā)光控制晶體管122的2Tr驅(qū)動配置。 在此情況下，有機EL顯示設(shè)備1采用從中移除了驅(qū)動掃描部分105的配置。
驅(qū)動晶體管121為有機EL元件127提供對應(yīng)于提供到作為驅(qū)動晶體管 121的控制輸入端的柵極端的電勢的驅(qū)動電流。有機EL元件127通常具有整 流性質(zhì)，因此通過二極管的符號表示。順帶提及，有機EL元件127具有寄 生電容Cel。在圖2中，寄生電容Cel示出為與有機EL元件127并聯(lián)。
采樣晶體管125是布置在驅(qū)動晶體管121的柵極端(控制輸入端) 一側(cè) 的開關(guān)晶體管。發(fā)光控制晶體管122也是開關(guān)晶體管。順帶提及，通常，采 樣晶體管125可以用提供有有效L驅(qū)動脈沖的p型晶體管替代。發(fā)光控制晶 體管122可用提供有有效H驅(qū)動脈沖的n型晶體管替代。
像素電路P布置在垂直驅(qū)動側(cè)上的掃描線104WS和105DS、以及水平 掃描側(cè)上的作為掃描線的視頻信號線106HS的交叉點處。來自寫入掃描部分 104的寫入掃描線104WS連接到采樣晶體管125的柵極端。來自驅(qū)動掃描部 分105的驅(qū)動掃描線105DS連接到發(fā)光控制晶體管122的柵極端。
采樣晶體管125使作為信號輸入端的源極端S連接到視頻信號線106HS, 并且使作為信號輸出端的漏極端D連接到驅(qū)動晶體管121的柵極端G。存儲 電容器120布置在采樣晶體管125的漏極端和驅(qū)動晶體管121的柵極端G之 間的連接點和第二電源電勢Vc2 (其例如是正電源電壓，并且可以與第一電 源電勢Vcl相同)之間。如括號中所示，采樣晶體管125的源極端S和漏極 端D彼此可以互換，使得漏極端D作為信號輸入端連接到視頻信號線106HS, 并且源極端S作為信號輸出端連接到驅(qū)動晶體管121的柵極端G。
驅(qū)動晶體管121、發(fā)光控制晶體管122、以及有機EL元件127以此順序彼此串聯(lián)在第一電源電勢Vcl (例如，正電源電壓)和作為參考電勢的地電
勢GND之間。具體地，驅(qū)動晶體管121使源極端S連接到第一電源電勢Vcl, 并且使漏極端D連接到發(fā)光控制晶體管122的源極端S。發(fā)光控制晶體管122 的漏極端D連接到有機EL元件127的陽極端A。有機EL元件127的陰極端 K連接到對所有像素共同的陰極共同接線127K。陰極共同接線127K設(shè)置為 例如地電勢GND。在此情況下，陰極電勢Vcath也是地電勢GND。
順帶提及，作為更簡單的配置，最簡單的電路可采用2Tr驅(qū)動配置，其 通過在圖2所示的像素電路P的配置中移除發(fā)光控制晶體管122而形成。在 此情況下，有機EL顯示設(shè)備1采用從中移除了驅(qū)動掃描部分105的配置。
在圖2所示的3Tr驅(qū)動和附圖未示出的2Tr驅(qū)動的任一中，因為有機EL 元件127是電流發(fā)光元件，所以通過控制流過有機EL元件27的電流量來獲 得色彩灰度。這樣，通過改變施加到驅(qū)動晶體管121的柵極端的電壓、從而 改變由保持電容器120保持的柵極-源極電壓Vgs,來控制流過有機EL元件 127的電流值。此時，從視頻信號線106HS提供的視頻信號Vsig的電勢(視 頻信號線電勢)是信號電勢。順帶提及，假設(shè)指示灰度的信號幅度是AVin。
當(dāng)通過將有效的H寫入驅(qū)動脈沖WS從寫入掃描部分104提供到寫入掃 描線104WS而將寫入掃描線104WS設(shè)置在選擇的狀態(tài)、并且將信號電勢從 水平驅(qū)動部分106施加到視頻信號線106HS時，n型晶體管125導(dǎo)通，信號 電勢變?yōu)轵?qū)動晶體管121的柵極端的電勢，并且對應(yīng)于信號幅度AVin的信息 寫到存儲電容器120。流過驅(qū)動晶體管121和有4幾EL元件127的電流具有對 應(yīng)于驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs的值，所述柵極-源極電壓Vgs由 存儲電容器120保持，并且有機EL元件127繼續(xù)以對應(yīng)于電流值的亮度發(fā) 光。通過選擇寫入掃描線104WS將提供到視頻信號線106HS的視頻信號Vsig 發(fā)送到像素電路P的內(nèi)部的操作稱為"寫入"或"采樣"。 一旦寫入信號，有機 EL元件127就繼續(xù)以固定的亮度發(fā)光，直到再次重寫信號為止。
在根據(jù)第一比較示例的像素電路P中，通過根據(jù)信號幅度AVin改變提 供到驅(qū)動晶體管121的柵極端的施加的電壓來控制流過有機EL元件127的 電流值。此時，p型驅(qū)動晶體管121的源極端連接到第一電源電勢Vcl,并且 驅(qū)動晶體管121典型地操作在飽和區(qū)。
<比較示例的像素電路第二示例>
以下將描述根據(jù)圖3所示的第二比較示例的像素電路P,作為在描述根據(jù)本示例的像素電路P的特性時的比較示例。根據(jù)第二比較示例的像素電路 P (如下面要描述的本實施例)基本定義為通過n型薄膜場效應(yīng)晶體管形成驅(qū)
動晶體管。當(dāng)每個晶體管可以形成為n型而不是p型時，在晶體管生產(chǎn)中可 以使用現(xiàn)有無定形硅(a-Si)工藝。由此，晶體管襯底可以在成本上減少。預(yù) 期這樣的構(gòu)造的像素電路P的開發(fā)。
根據(jù)第二比較示例的像素電路P基本與下面描述的本實施例相同，因為
驅(qū)動晶體管通過n型薄膜場效應(yīng)晶體管形成。然而，根據(jù)第二比較示例的像 素電路P沒有提供有驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路，該驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路用于 防止有機EL元件127和驅(qū)動晶體管121的特性的變化(變化和長期改變) 對于驅(qū)動電流Ids的影響。
具體地，根據(jù)第二比較示例的像素電路P通過下述形成用n型驅(qū)動晶 體管121簡單地代替根據(jù)第一比較示例的像素電路P中的p型驅(qū)動晶體管 121，并且在驅(qū)動晶體管121的源極端側(cè)上排列發(fā)光控制晶體管122和有機 EL元件127。順帶提及，發(fā)光控制晶體管122也被n型晶體管取代。當(dāng)然， 最簡單的電路可采用從中移除了發(fā)光控制晶體管122的2Tr驅(qū)動配置。
在根據(jù)第二比較示例的像素電路P中，無論是否提供發(fā)光控制晶體管， 當(dāng)驅(qū)動有機EL元件127時，驅(qū)動晶體管121的漏極端側(cè)都連接到第一電源 電勢Vcl,并且驅(qū)動晶體管121的源極端都連接到有機EL元件U7的陽極端 側(cè)，從而整體形成源跟隨器電路。
<與電光元件的Iel-Vel特性的關(guān)系>
通常，如圖4所示，在飽和區(qū)驅(qū)動驅(qū)動晶體管121,在飽和區(qū)中，無論
柵極-源極電壓，驅(qū)動電流Ids都是恒定的。這里，設(shè)Ids是在飽和區(qū)操作的
晶體管的漏極端和源極之間流動的電流，p是遷移率，W是溝道寬度(柵極
寬度)，L是溝道長度(柵極長度)，Cox是柵極電容(每單位面積的柵極氧
化物膜電容)，并且Vth是晶體管的閾值電壓，驅(qū)動晶體管121是具有如下式
(1)所示的值的恒流源。順帶提及，""，表示乘方。如從等式(1)清楚的，
晶體管處于飽和區(qū)時的漏極電流Ids通過柵極-源^l電壓Vgs控制，并且驅(qū)動
晶體管121操作為恒流源。
Ids = + 〃 { Cox (Vgs — Vth廣2 g)
然而，包括有機EL元件的電流驅(qū)動型發(fā)光元件的I-V特性通常隨著時 間的經(jīng)過而改變，如圖5A所示。在以圖5A所示的有機EL元件代表的電流驅(qū)動型發(fā)光元件的電流-電壓(Iel-Vel)特性中，示出為實線的曲線指示在初 始狀態(tài)時的特性，并且示出為虛線的曲線指示在長期改變后的特性。
例如，當(dāng)發(fā)光電流Iel流過作為發(fā)光元件的示例的有機EL元件127時， 唯一地確定有機EL元件127的陽極和陰極之間的電壓。然而，如圖5A所示， 在發(fā)光時段期間，由驅(qū)動晶體管121的漏極-源極電流Ids (4區(qū)動電流Ids) 確定的發(fā)光電流Iel流過有機EL元件127的陽極端，從而上升對應(yīng)于有機EL 元件127的陽極-陰極電壓Vel的量。
在根據(jù)圖2所示的第一比較示例的像素電路P中，對應(yīng)于有機EL元件 127的陽極-陰極電壓Vel的上升的作用出現(xiàn)在驅(qū)動晶體管121.的漏極端側(cè)。 然而，因為驅(qū)動晶體管121通過操作在飽和區(qū)執(zhí)行恒流驅(qū)動，所以恒定電流 Ids流過有機EL元件127，并且即使有機EL元件127的Iel-Vel特性改變， 有機EL元件127的發(fā)光亮度也不出現(xiàn)長期改變。
圖2所示的連接模式下的像素電路P的配置在其中形成有驅(qū)動信號恒定 實現(xiàn)電路，用于通過校正作為電光元件的示例的有才兒EL元件127的電流-電 壓特性的改變，保持驅(qū)動電流恒定，其中所述像素電路包括驅(qū)動晶體管121、 發(fā)光控制晶體管122、存儲電容器120和采樣晶體管125。即，當(dāng)通過驅(qū)動信 號Vsig驅(qū)動像素電路P時，p型驅(qū)動晶體管121的源極端連接到第一電源電 勢Vcl，并且p型驅(qū)動晶體管121設(shè)計為一直操作在#<和區(qū)。因此，p型驅(qū)動 晶體管121是具有如等式(1)所示的值的恒流源。
在根據(jù)第一比較示例的像素電路P中，驅(qū)動晶體管121的漏極端的電壓 隨有機EL元件127的Iel-Vel特性的長期改變而改變(圖5A )。然而，因為 通過存儲電容器120的自舉功能使驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs基本 保持恒定，所以驅(qū)動晶體管121操作為恒流源。結(jié)果，恒定量的電流流過有 機EL元件127,并且可以使得有機EL元件127以恒定亮度發(fā)光，使得發(fā)光 亮度不變。
而且，在根據(jù)第二比較示例的像素電路P中，驅(qū)動晶體管121的源極端 的電勢(源極電勢Vs )通過驅(qū)動晶體管121和有機EL元件127的操作點確 定，并且在飽和區(qū)驅(qū)動驅(qū)動晶體管121。驅(qū)動晶體管121因此饋送具有與對 應(yīng)于操作點的源極電壓的柵極-源極電壓Vgs相關(guān)的電流值的驅(qū)動電流Ids ， 該電流值在上述等式(1)中定義。
然而，在通過將根據(jù)第一比較示例的像素電路P中的p型驅(qū)動晶體管121改變?yōu)閚型而形成的筒單電路(根據(jù)第二比較示例的像素電路P)中，源極
端連接到有機EL元件127—側(cè)。結(jié)果，根據(jù)其特性隨時間的經(jīng)過如圖5A所 示改變的有機EL元件127的Iel-Vel特性，對于相同發(fā)光電流Iel的陽極-陰 極電壓Vd從Vdl改變到Vel2,從而改變驅(qū)動晶體管121的操作點，并且即 使當(dāng)施加相同柵極電勢Vg時，驅(qū)動晶體管121的源極電勢Vs也改變。因此， 驅(qū)動晶體管121的棚-極-源極電壓Vgs改變。如從特性等式(1)清楚的，當(dāng) 柵極-源極電壓Vgs改變時，即使柵極電勢Vg恒定，驅(qū)動電流Ids也變化。 由此導(dǎo)致的驅(qū)動電流Ids的變化表現(xiàn)為每個像素電路P中的發(fā)光亮度的變化 或長期改變，因此導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。
另一方面，如將在下面詳細(xì)描述的，即使在使用n型驅(qū)動晶體管121的 情況下，用于實現(xiàn)自舉功能的電路配置和驅(qū)動定時也可以改變柵極Vg，以便 即使有機EL元件127的陽極電勢的變化出現(xiàn)，也抵消由于有機EL元件127 的特性的長期改變而導(dǎo)致的有機EL元件127的陽極電勢的變化(即，驅(qū)動 晶體管121的源極電勢的變化)，其中所述自舉功能使得驅(qū)動晶體管121的柵 極端的電勢Vg與驅(qū)動晶體管121的源極端的電勢Vs的變化互鎖。因此，可 以確保屏幕亮度的一致性。自舉功能可以改進校正以有機EL元件代表的電 流驅(qū)動型發(fā)光元件的長期變化的能力。當(dāng)然，在發(fā)光開始時發(fā)光電流Iel開始 流過有機EL元件127的處理中，當(dāng)驅(qū)動晶體管121的源極電勢Vs隨陽極-陰極電壓Vel的變化而變化時，該自舉功能操作，從而陽極-陰極電壓Vel上 升，直到陽極-陰極電壓Vel變?yōu)榉€(wěn)定。
<與驅(qū)動晶體管的Vgs-Ids特性的關(guān)系〉
盡管驅(qū)動晶體管121的特性不被認(rèn)為是第一和第二比較示例中的特別問 題，但是當(dāng)驅(qū)動晶體管121的特性在每個像素中不同時，該特性影響流過驅(qū) 動晶體管121的驅(qū)動電流Ids。作為示例，如從等式(1)理解的，當(dāng)在各像 素之間閾值電壓Vth的遷移率n隨著時間的經(jīng)過變化或改變時，即使柵極-源 極電壓Vgs相同，流過驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids中也出現(xiàn)變化或長期 改變，因此每個像素中有機EL元件127的發(fā)光亮度改變。
例如，由于驅(qū)動晶體管121的制造工藝的變化，在每個像素電路P中存 在如閾值電壓Vth、遷移率p等的特性的變化。即使在飽和區(qū)驅(qū)動驅(qū)動晶體 管121的情況下，即使將相同柵極電勢提供到驅(qū)動晶體管121，由于特性變 化，每個像素電路P中的漏極電流(驅(qū)動電流Ids)也變化，并且漏極電流的變化表現(xiàn)為發(fā)光亮度的變化。
如上所述，當(dāng)驅(qū)動晶體管121操作在飽和區(qū)時的漏極電流Ids通過特性 等式(1 )表達。關(guān)注驅(qū)動晶體管121的閾值電壓的變化，如從特性等式(1 )
清楚的，即使當(dāng)柵極-源極電壓Vgs恒定時，閣值電壓Vth的變化也使漏極電 流Ids變化。此外，關(guān)注驅(qū)動晶體管121的遷移率的變化，如從特性等式(1) 清楚的，即使當(dāng)柵極-源極電壓Vgs恒定時，遷移率p的變化也使漏極電流Ids 變化。
當(dāng)由于閾值電壓Vth或遷移率p的差別而出現(xiàn)Vgs-Ids特性的大的差別 時，驅(qū)動電流Ids變化，并且即使當(dāng)給出相同信號幅度AVin時，發(fā)光亮度也 變?yōu)椴煌?。因此，不能獲得屏幕亮度的一致性。另一方面，用于實現(xiàn)閾值校 正功能和遷移率校正功能(將在下面詳述)的驅(qū)動定時可以抑制這些變化的 影響，并確保屏幕亮度的一致性。
在本實施例中采用的閾值校正操作和遷移率校正操作中，當(dāng)假設(shè)寫入增 益為l(理想值)時，設(shè)置發(fā)光時的柵極-源極電壓Vgs以便通過"AVin+Vth-AV" 表達，因此漏極-源極電流Ids不依賴于閾值電壓Vth的變化或改變，并且不 依賴于遷移率H的變化或改變。結(jié)果，即使由于制造工藝或隨時間的經(jīng)過而 導(dǎo)致閾值電壓Vth或遷移率)i變化，驅(qū)動電流Ids也不變化，并且有機EL元 件127的發(fā)光亮度也不變化。在遷移率校正時，施加負(fù)反饋，使得對于高遷 移率pl增加遷移率校正參數(shù)AV1，而對于低遷移率減小遷移率校正參數(shù) △V2。關(guān)于此點，遷移率校正參數(shù)AV也稱為負(fù)反饋量AV。
<比較示例的像素電路第三示例>
根據(jù)本實施例的像素電路P所依據(jù)的電路的、圖6中示出的根據(jù)第三比 較示例的像素電路P采用這樣的驅(qū)動系統(tǒng)，其合并用于防止由于根據(jù)圖3所 示的第二比較示例的像素電路P中的有機EL元件127的長期改變而導(dǎo)致的 驅(qū)動電流的變化的電路(自舉電路)，并且該驅(qū)動系統(tǒng)防止由于驅(qū)動晶體管 121的特性的變化(閾值電壓的變化和遷移率的變化)而導(dǎo)致的驅(qū)動電流的 變化。
如根據(jù)第二比較示例的像素電路P，根據(jù)第三比較示例的像素電路P使 用n型驅(qū)動晶體管121。此外，根據(jù)第三比較示例的像素電路P被定義為， 根據(jù)第三比較示例的像素電路P具有用于抑制由于有機EL元件的長期改變 而導(dǎo)致的到有機EL元件的驅(qū)動電流Ids的變化的電路，即驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)
20電路，其用于通過校正作為電光元件的示例的有機EL元件的電流-電壓特性 的改變來保持驅(qū)動電流Ids恒定。此外，根據(jù)第三比較示例的像素電路P的 定義在于，根據(jù)第三比較示例的像素電路P具有即使在有機EL元件的電流-
電壓特性出現(xiàn)長期改變時也使得驅(qū)動電流恒定的功能。
即，根據(jù)第三比較示例的像素電路p的定義在于，根據(jù)第三比較示例的
像素電路P除了驅(qū)動晶體管121外，還采用用于掃描的一個開關(guān)晶體管(采 樣晶體管125)的2TR驅(qū)動配置，并且通過設(shè)置用于控制每個開關(guān)晶體管的 電源驅(qū)動脈沖DSL和寫入驅(qū)動^^沖WS的開/關(guān)定時(開關(guān)定時)，防止有機 EL元件127的長期改變和驅(qū)動晶體管121的特性的變化(例如，閾值電壓和 遷移率的變化和改變)對驅(qū)動電流Ids的影響。2TR驅(qū)動配置以及小量的元 件和小量的接線使得可能實現(xiàn)更高分辨率。
根據(jù)第三比較示例的像素電路P與圖3所示的第二比較示例極大的不同 在于下述配置，其中將存儲電容器120的連接模式修改為形成自舉電路，作 為用于防止由于有機EL元件127的長期改變而導(dǎo)致的驅(qū)動電流的變化的電 路的，該自舉電路是驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路的示例。通過設(shè)計晶體管121和 125的驅(qū)動定時提供為抑制驅(qū)動晶體管121的特性的變化(例如，閾值電壓 和遷移率的變化和改變)對驅(qū)動電流Ids的影響的方法。
具體地，根據(jù)第三比較示例的像素電路P包括存儲電容器120、 n型驅(qū)動 晶體管121、提供有有效H (高)寫入驅(qū)動脈沖WS的n型晶體管125、以及 作為通過饋送有電流而發(fā)光的電光元件(發(fā)光元件)的示例的有機EL元件 127。
存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端(節(jié)點ND122 )和源極 端之間。驅(qū)動晶體管121的源極端直接連接到有機EL元件127的陽極端。 存儲電容器120還用作自舉電容。如在第一比較示例和第二比較示例中，有 機EL元件127的陰極端連接到對所有像素共同的陰極共同接線127K,并且 提供有陰極電勢Vcath (例如，地電勢GND )。
驅(qū)動晶體管121的漏極端連接到來自驅(qū)動掃描部分105的電源線 105DSL，該驅(qū)動掃描部分105用作電源掃描器。電源線105DSL定義為，電 源線105DSL自身具有為驅(qū)動晶體管121供電的能力。
具體地，驅(qū)動掃描部分105具有電源電壓改變電路，用于選擇對應(yīng)于電 源電壓的高電壓側(cè)上的第一電勢Vcc和低電壓側(cè)上的第二電勢Vss的每個，并且將電勢提供到驅(qū)動晶體管121的漏極端。
假設(shè)第二電勢Vss充分低于視頻信號線106HS中的視頻信號Vsig的偏 置電勢Vofs (也稱作參考電勢)。具體地，設(shè)置在電源線105DSL的低電勢側(cè) 上的第二電勢Vss，使得驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs (柵極電勢Vg 和源極電勢Vs之間的差)大于驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth。順帶提及， 偏置電勢Vofs用于初始化在闊值校正操作之前的操作，并且還用于對視頻信 號線106HS預(yù)充電。
采樣晶體管125使柵極端與來自寫入掃描部分104的寫入掃描線104WS 連接，使漏極端與視頻信號線106HS連接，并且使源極端與驅(qū)動晶體管121 的柵極端(節(jié)點ND122 )連接。從寫入掃描部分104為采樣晶體管125的柵 才及端提供有有效的H寫入驅(qū)動脈沖WS。
采樣晶體管125可以處于源極端和漏極端彼此互換的連接模式。此外， 耗盡型和增強型的任一可用作采樣晶體管125。
<像素電路的操作第三比較示例>
圖7是幫助說明根據(jù)圖6所示的第三比較示例的像素電路P的、根據(jù)第 三比較示例的驅(qū)動定時的基本示例的時序圖。圖7表示線序驅(qū)動的情況。圖 7在共同時間軸上示出寫入掃描線104WS的電勢的改變、電源線105DSL的 電勢的改變、以及^L頻信號線106HS的電勢的改變。圖7還示出與這些電勢 改變并行地、對于一行(圖中的第一行)的驅(qū)動晶體管121的柵極電勢Vg 和源極電勢Vs的改變。
除了電源驅(qū)動脈沖DSL的電壓設(shè)置外(漏極電壓Vd—121 ),根據(jù)圖7所 示的第三比較示例的驅(qū)動定時的構(gòu)思還應(yīng)用到下述的本實施例。順帶提及， 圖7示出用于在根據(jù)第三比較示例的像素電路P中實現(xiàn)閾值校正功能、遷移 率校正功能和自舉功能的基本示例。用于實現(xiàn)閾值校正功能、遷移率校正功 能和自舉功能的驅(qū)動定時不限于圖7所示的模式，而是可以進行各種修改。
即使利用所述各種修改的驅(qū)動定時，下面要描述的每個實施例的機制也可應(yīng) 用。
圖7所示的驅(qū)動定時對應(yīng)于線序驅(qū)動的情況。 一行的寫入驅(qū)動脈沖WS、 電源驅(qū)動脈沖DSL和視頻信號Vsig處理為一組，并且與行單元獨立地控制 信號的定時(具體地，相位關(guān)系)。當(dāng)改變行時，定時偏移1H(H是水平掃 描時段)。在下面，為了便利描述和理解，將通過簡要地描述例如寫入、保持或采
樣存儲電容器120中的信號幅度AVin的信息來進行描述，假設(shè)寫入增益是1 (理想值)，除非另有所指。當(dāng)寫入增益小于l時，對應(yīng)于信號幅度AVin的 大小并乘以增益的信息、而不是信號幅度AVin的大小自身保持在存儲電容器 120中。
順帶提及，對應(yīng)于信號幅度AVin并寫到存儲電容器120的信息的大小 的比率稱為寫入增益Ginput。具體地，在電路方面與存儲電容器120并聯(lián)布 置并包括寄生電容的總電容C1、和在電路方面與存儲電容器120串聯(lián)布置的 總電容C2的電容性串聯(lián)電路中，寫入增益Ginput與當(dāng)信號幅度AVin提供到 電容性串聯(lián)電路時分布到電容C1的電荷量相關(guān)。當(dāng)通過等式表達時，設(shè)g-C1/(C1 + C2),寫入增益Ginput = C2/(C1 + C2) = 1 - C1/(C1 + C2) = 1 — g。在 下面，在出現(xiàn)"g"的描述中考慮寫入增益。
此外，為了方便描述和理解，將假設(shè)自舉增益為1 (理想值)簡要描述， 除非另有所指。順帶提及，當(dāng)存儲電容器120布置在驅(qū)動晶體管121的柵極 和源極之間時、柵極電勢Vg的上升和源極電勢Vs的上升的比率被稱為自舉 增益(自舉操作能力)Gbst。自舉增益Gbst具體涉及存儲電容器120的電容 值Cs、在驅(qū)動晶體管121的柵極和源極之間形成的寄生電容C121gs的電容 值Cgs、在驅(qū)動晶體管121的柵極和漏極之間形成的寄生電容C121gd的電容 值Cgd、以及在采樣晶體管125的柵極和源極之間形成的寄生電容C125gs的 電容值Cws。當(dāng)通過等式表達時，自舉增益Gbst = (Cs + Cgs)/(Cs + Cgs + Cgd + Cws)。
在根據(jù)第三比較示例的驅(qū)動定時中，將視頻信號Vsig處于偏置電勢Vofs 的時段設(shè)置在一水平掃描時段的第一半，該時段是無效時段，并且將視頻信 號Vsig處于信號電勢Vin(= Vofs + AVin)的時段設(shè)置在一水平掃描時段的第二 半，該時段是有效時段。此外，在作為視頻信號Vsig的有效時段和無效時段 的組合的每個水平時段中重復(fù)多次(圖7中，三次)閾值校正搡作。對于每 次在視頻信號Vsig的有效時段和無效時段之間改變的定時(tl3V和tl5V) 和在寫入驅(qū)動脈沖WS的有效狀態(tài)和無效狀態(tài)之間改變的定時(tl3W和 tl5W)通過每次用沒有"一"的參考元素指示來區(qū)分。
首先，在有機EL元件127的發(fā)光時段B中，電源線105DSL處于第一 電勢Vcc,并且采樣晶體管125處于截止?fàn)顟B(tài)。此時，因為驅(qū)動晶體管121設(shè)置為操作在飽和區(qū)，所以流過有機EL元件127的驅(qū)動電流Ids根據(jù)驅(qū)動晶 體管121的柵極-源極電壓Vgs,采取在等式(1)中示出的值。
接下來，當(dāng)不發(fā)光時段開始時，在第一放電時段C中，電源線105DSL 改變到第二電勢Vss。此時，當(dāng)?shù)诙妱軻ss小于有機EL元件127的閾值電 壓Vthel和陰極電勢Vcath的和時，即，當(dāng)"Vss〈Vthel+Vcath，，時，有機EL元 件127熄滅，并且電源線105DSL處于驅(qū)動晶體管121的源極側(cè)。此時，有 機EL元件127的陽極改變?yōu)榈诙妱軻ss。
此外，在初始化時段D中，當(dāng)視頻信號線106HS改變到偏置電勢Vofs 時，采樣晶體管125導(dǎo)通，使得驅(qū)動晶體管121的柵極電勢設(shè)置為偏置電勢 Vofs。此時，驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs取值"Vofs-Vss"。除非 "Vofs-Vss，，大于驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth,否則不能執(zhí)行閾值校正操作。 因此需要"Vofs-Vss〉Vth"。
此后，當(dāng)?shù)谝婚撝敌Ｕ龝r段E開始時，電源線105DSL再次改變到第一 電勢Vcc。通過將電源線105DSL (即，到驅(qū)動晶體管121的電源電壓)改變 到第一電勢Vcc,有機EL元件127的陽極變?yōu)轵?qū)動晶體管121的源極，并且 驅(qū)動電流Ids從驅(qū)動晶體管121流出。因為有機EL元件127的等效電路由二 極管和電容表示，所以設(shè)Vel為關(guān)于有機EL元件127的陰極電勢Vcath的、 有機EL元件127的陽極電勢，只要"Vel ^ Vcath + Vthel"，即，只要有機EL 元件127的漏電流顯著小于流過驅(qū)動晶體管121的電流，驅(qū)動晶體管121的 驅(qū)動電流Ids就用于對存儲電容器120和有機EL元件127的寄生電容Cel充 電。此時，有機EL元件127的陽極電壓Vel隨時間上升。
在經(jīng)過一定時間后，釆樣晶體管125截止。此時，當(dāng)驅(qū)動晶體管121的 柵極-源極電壓Vgs大于閾值電壓Vth時(即，當(dāng)未完成閾值校正時)，驅(qū)動 晶體管121的驅(qū)動電流Ids繼續(xù)流動，以便對存儲電容器120充電，并且驅(qū) 動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs上升。此時，將反向偏壓施加到有機EL 元件127,因此有機EL元件127不發(fā)光。
此外，在第二閾值電壓校正時段G中，當(dāng)視頻信號線106HS再次改變到 偏置電勢Vofs時，采樣晶體管125導(dǎo)通。因此，驅(qū)動晶體管121的柵極電勢 設(shè)置為偏置電勢Vofs,并且再次開始閾值校正操作。作為重復(fù)該操作的結(jié)果， 驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs最終取閾值電壓Vth的值。此時，"Vd =Vofs - Vth ^ Vcath + Vthel"。順帶提及，在第三比較示例的操作示例中，為了通過重復(fù)執(zhí)行閾值校正
操作，使得存儲電容器120確定地保^t對應(yīng)于驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth 的電壓，多次重復(fù)閾值校正操作，同時維持將驅(qū)動晶體管121的漏極電壓 Vd—121設(shè)置在第一點是Vcc并且電流流動的狀態(tài)，其中一水平掃描時段(1H 時段)作為處理周期。然而，實際上，該重復(fù)操作不必要。當(dāng)一次閾值校正 操作足夠時，可僅執(zhí)行一次閾值校正操作。然而，如從附圖理解的，與專利 文獻l中所示的5TR配置的情況不同，在第三比較示例的操作中對于每次閾 值校正操作的閾值校正時段限于偏置電勢Vofs的時段，而不是1H,并且在 本示例中大約為1H的1/2?？赡荛撝敌Ｕ龝r段比5TR配置的情況下的閾值校 正時段較不足。從此觀點看，考慮當(dāng)采用如第三比較示例中的像素電路P及 其驅(qū)動方法時，對于以一水平掃描時段作為處理周期執(zhí)行閾值校正操作多次 的需要程度增加。
一水平掃描時段是閾值校正操作的處理周期，這是因為，執(zhí)行閾值校正 操作，以通過在采樣晶體管125在每行中采樣存儲電容器120中的信號幅度 AVin的信息之前的時間段內(nèi)使得采樣晶體管125導(dǎo)通，而使得存儲電容器120 保持與驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth對應(yīng)的電壓，在所述時間段內(nèi)，在閾 值校正操作之前，在執(zhí)行將電源線105DSL的電勢設(shè)置為第二電勢Vss、將驅(qū) 動晶體管121的柵極設(shè)置為偏置電勢Vofs、并且進一步將源極電勢設(shè)置為第 二電勢Vss之后的初始化操作之后，電源線105DSL的電勢是第一電勢Vcc， 并且視頻信號線106HS處于偏置電勢Vofs。
閾值校正時段不可避免地短于一水平掃描時段。因此，可能存在這樣的 情況，其中由于存儲電容器120的電容Cs、第二電勢Vss的大小關(guān)系、以及 其他因素，對于一次閾值校正操作，在該短閾值校正操作時段內(nèi)，對應(yīng)于閾 值電壓Vth的精確電壓不能完全保持在存儲電容器120中。在第三比較示例 中，執(zhí)行多次閾值校正操作以處理該問題。即，在將信號幅度AVin的信息采 樣到存儲電容器120(信號寫入)之前，在多個水平時段中重復(fù)執(zhí)行閾值校 正操作，從而由存儲電容器120確定地保持與驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth 對應(yīng)的電壓。以 一水平掃描時段作為閾值校正操作的一個處理周期執(zhí)行的多 次閾值校正處理以下將被稱為"以1H為單元分割的闞值校正處理"或"分割閾 值才吏正處理"。
在完成閾值校正操作之后(在本示例中的第三閾值電壓校正時段I之
25后)，采樣晶體管125截止，并且寫入&遷移率校正準(zhǔn)備時段J開始。當(dāng)視頻
信號線106HS改變到信號電勢Vin(-Vofs + AVin)時，采樣晶體管125再次導(dǎo) 通，以開始采樣時段&遷移率校正時段K。信號幅度AVin是對應(yīng)于灰度的值。 在因為采樣晶體管125導(dǎo)通而使驅(qū)動晶體管121的柵極電勢變?yōu)樾盘栯妱軻in Vofs + AVin)的同時，驅(qū)動晶體管121的漏極端處于第一電勢Vcc,并且 驅(qū)動電流Ids流動，使得源極電勢Vs隨時間上升。在圖7中，上升量由AV 表示。
此時，當(dāng)源極電壓Vs沒有超過有機EL元件127的閾值電壓Vthel和陰 極電勢Vcath的和時，即，當(dāng)有機EL元件127的漏電流顯著小于流過驅(qū)動晶 體管121的電流時，驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids用于對存儲電容器120 和有機EL元件127的寄生電容Cel充電。
在該時間點，完成校正驅(qū)動晶體管121的閾值的操作，因此通過驅(qū)動晶 體管121饋送的電流反映遷移率p。具體地，當(dāng)遷移率ii高時，此時的電流 量大，并且源極快速上升。另一方面，當(dāng)遷移率p低時，電流量小，并且源 極緩慢上升。因此，驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs減少，反映遷移率 jx，并且在經(jīng)過一定時間后，變?yōu)橥耆Ｕw移率ii的柵極-源極電壓Vgs。
此后，發(fā)光時段L開始。采樣晶體管125截止，以結(jié)束寫入，并且允許 有機EL元件127發(fā)光。因為由于存儲電容器的自舉作用，驅(qū)動晶體管 121的柵極-源極電壓Vgs恒定，所以驅(qū)動晶體管121饋送恒定電流(驅(qū)動電 流Ids )到有機EL元件127。有機EL元件127的陽極電勢Vel上升到電壓 Vx，在該電壓Vx處，作為驅(qū)動電流Ids的電流流過有機EL元件127,使得 有機EL元件127發(fā)光。
同樣在根據(jù)第三比較示例的像素電路P中，有機EL元件127的I-V特 性隨發(fā)光時間延長而改變。因此，節(jié)點ND121的電勢(即，驅(qū)動晶體管121 的源極電勢Vs)也改變。然而，因為通過存儲電容器120的自舉作用、驅(qū)動 晶體管121的柵極-源極電壓Vgs維持在恒定值，所以流過有機EL元件127 的電流不變。因此，即使有機EL元件127的I-V特性劣化，恒定電流(驅(qū)動 電流Ids)也一直繼續(xù)流過有機EL元件127,并且有機EL元件127的亮度不 變。
驅(qū)動電流Ids對柵極電壓Vgs的關(guān)系可通過將Vgs的"AVin - AV + Vth" 代入上述表達晶體管特性的等式(1)而表達為等式(2-1)。順帶提及，當(dāng)考慮寫入增益時，驅(qū)動電流Ids對4冊4及電壓VgS的關(guān)系可通過將VgS的"(l -
g)AVin - AV + Vth"代入等式(1)而表達為等式(2-2)。在等式(2-1)和等 式(2-2)(統(tǒng)稱為等式(2))中，k = (l/2)(W/L)Cox.
Ids =k〃 (Vgs—Vth)"2 = k〃 (AVin—厶V廣2…(2 — 1) 、
j^…(2)
Ids = k//(Vgs-Vth廣2 = k〃 ((1 一g)AVin—AV)"2…(2 — 2)
該等式(2)示出抵消了閾值電壓Vth的項，并且提供到有機EL元件127 的驅(qū)動電流Ids不依賴于驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth。驅(qū)動電流Ids基本 由信號幅度AVin確定(確切地說，采樣電壓=對應(yīng)于信號幅度AVin的、由 存儲電容器120保持的Vgs )。換句話說，有機EL元件127以對應(yīng)于信號幅 度AVin的亮度發(fā)光。
此時，由存儲電容器120保持的信息被校正源極電勢Vs中的上升量AV。 上升量AV用于恰好抵消位于等式(2)的系數(shù)部分中的遷移率p的影響。對 于驅(qū)動晶體管121的遷移率p的校正量AV添加到寫到存儲電容器120的信 號。校正量AV的方向?qū)嶋H是負(fù)向。關(guān)于此點，上升量AV也稱為遷移率校 正參數(shù)AV或負(fù)反饋量AV。
在抵銷了驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth和遷移率p的變化的情況下， 流到有機EL元件127的驅(qū)動電流Ids有效地僅依賴于信號幅度AVin。因為 驅(qū)動電流Ids不依賴于閾值電壓Vth和遷移率n，所以即時由于制造工藝或隨 時間的經(jīng)過的變化，導(dǎo)致閾值電壓Vth或遷移率p變化，漏極和源4及之間的 驅(qū)動電流Ids也不變，并且有機EL元件127的發(fā)光亮度也不變。
此外，通過將存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極和源極之間， 即使在使用n型驅(qū)動晶體管121的情況下，也設(shè)置用于實現(xiàn)自舉功能的電路 配置和驅(qū)動定時，使得柵極電勢Vg可以變化，以便即使當(dāng)有機EL元件127 的陽極電勢的變化出現(xiàn)，也抵消由于有機EL元件的特性的長期改變而導(dǎo)致 的有機EL元件127的陽極電勢的變化(即，驅(qū)動晶體管121的源極電勢的 變化)，所述自舉功能使得驅(qū)動晶體管121的柵極端的電勢Vg與驅(qū)動晶體管 121的源極端的電勢Vs的變化互鎖。
因此，減輕有機EL元件127的特性的長期變化的影響，并且可以確保 屏幕亮度的一致性。在驅(qū)動晶體管121的柵極和源極之間的存儲電容器120 的自舉功能可以改進校正以有機EL元件代表的電流驅(qū)動型發(fā)光元件的長期 變化的能力。當(dāng)然，在發(fā)光開始時發(fā)光電流Iel開始流過有機EL元件127的處理中，當(dāng)驅(qū)動晶體管121的源極電勢Vs隨陽極-陰極電壓Vel的變化而變 化時，自舉功能也操作，因此陽極-陰極電壓Vel上升，直到陽極-陰極電壓 Vel變?yōu)榉€(wěn)定。
因此，根據(jù)按照第三比較示例的像素電路P (如根據(jù)下面要描述的本實 施例的像素電路P—樣有效)、以及被配置為驅(qū)動像素電路P的控制部分109 的驅(qū)動定時，即使在驅(qū)動晶體管121或有機EL元件127的特性中出現(xiàn)變化 (變化和長期改變)，也校正這些變化，從而防止變化的影響出現(xiàn)在顯示屏幕 上。因此，可以進行沒有亮度改變的高質(zhì)量的圖像顯示。 <以1H為單元分割的閾值校正處理的問題>
圖8是幫助說明以1H為單元分割的閾值校正處理的問題的圖。如圖7 所示，在"以1H為單元分割的閾值校正處理，，的情況下，其中執(zhí)行多次閾值校 正操作，同時維持驅(qū)動晶體管121的漏極電壓Vd—121設(shè)置在第一電勢Vcc、 并且電流流動的狀態(tài)，其中一水平掃描時段作為一處理周期，在各閾值校正 處理時段之間的間隔時段內(nèi)(該間隔時段是從當(dāng)信號線電勢是閾值校正的偏 置電勢Vofs到改變到下一偏置電勢Vofs的時段的信號電勢Vin的時段，以下 將稱為閾值校正操作間隔)，采樣晶體管125如上所述截止，并且未完全進行 驅(qū)動晶體管121的閾值校正，使得驅(qū)動晶體管1"的柵極-源極電壓VgsJ21 大于閾值電壓Vth。
在閾值校正操作間隔期間，柵極-源極電壓Vgs—Ul大于閾值電壓Vth， 電流流過驅(qū)動晶體管121，并且在維持該時間點的柵極-源極電壓Vgs—121的 狀態(tài)下，源極電勢Vs—121和柵極電勢Vg_121上升。在此情況下，當(dāng)閾值校 正時間短或閾值校正操作間隔的時間長時，如圖8所示，在閾值校正操作間 隔期間，驅(qū)動晶體管121的源極電勢Vs—121極大地上升。結(jié)果，在以1H為 單元分割的閾值校正處理中，當(dāng)在下一閾值校正處理時段中再次進行閾值校 正時，跨越存儲電容器120的電壓(即，驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓 Vgs—121 )小于閾值電壓Vth—121。此后，沒有電流流過驅(qū)動晶體管1",并 且不正常地執(zhí)行閾值校正操作(將稱為"閾值校正失敗現(xiàn)象")，這導(dǎo)致在顯示 圖像中出現(xiàn)的不一致或條紋。例如，當(dāng)執(zhí)行高速驅(qū)動時，該問題顯著地出現(xiàn)， 這是因為一水平掃描時段的時間縮短，并且進行閾值校正所花費的時間也減 少。
<改進方法基本原理>
28有鑒于闊值校正失敗現(xiàn)象，在每個閾值校正處理時段中，例如在鬮值校 正操作間隔期間抑制驅(qū)動晶體管121的源極電勢VS一121的上升、并且在閾值
校正操作期間使得源極電勢Vs一121快速上升是重要的，該閾值校正操作間隔 期間作為這樣的時段，其中信號線電勢是閾值校正的偏置電勢Vofs和下一偏 置電勢Vofs之間的信號電勢Vin。兩個目標(biāo)都涉及源極電勢Vs—121的上升速 度，因此考慮可以從基本類似的角度采取措施。
因為源極電勢Vs—121的上升源自流過驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流 Ids—121，所以在閾值校正操作期間增加驅(qū)動電流Ids—121被認(rèn)為是在閾值校 正操作期間使得源極電勢Vs一121快速上升的措施方法。因為在以1H為單元 分割的閾值校正處理中，在閾值校正操作和閾值校正操作間隔期間的每個時 間點處通過柵極電勢Vg和源極電勢Vs確定柵極-源極電壓Vgs—121 ，所以考 慮需要對柵極電勢Vg—121和源極電勢Vs—121采用所提供的措施以外的方 法，以便通過使得驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids一121不同于之前的情況來 解決上述問題。換句話說，認(rèn)為下述機制是最佳措施方法，即使當(dāng)柵極-源極 電壓Vgs—121相同時，該機制也為驅(qū)動電流Ids_121提供差別，使得源極電 勢Vs—121具有差別。
因此，作為根據(jù)本實施例的措施方法，在以IH為單元分割的閾值校正 處理中，在至少一個閾值校正處理時段中，通過在閾值校正操作期間或在閾 值校正操作的開始時使得驅(qū)動晶體管121的有機EL元件127側(cè)的源極電勢 VsJ21快速上升，有效地增加閾值校正操作的速度，并且減少在閾值校正操 作間隔中源極電勢Vs—121的上升的影響，在該閾值校正操作間隔中，閾值校 正操作后的信號線電勢是信號電勢Vin。
作為用于使得在閾值校正操作期間在驅(qū)動晶體管121的有機EL元件127 側(cè)的源極電勢Vs—121快速上升的第一措施方法，在至少一個闊值校正處理時 段中重復(fù)多個分割的次數(shù)的閾值校正操作，在該至少 一個閾值校正處理時段 中，信號線電勢(視頻信號線106HS的電勢)是在反映發(fā)光亮度的信號電勢 Vin和下一信號電勢Vin之間的偏置電勢Vofs (閾值校正的參考電勢)。
即，在以1H為單元分割的閾值校正處理中，其中以一水平掃描時段為 一處理周期重復(fù)執(zhí)行多次閾值校正處理，在至少一個閾值校正處理時段期間， 同樣在一水平掃描時段內(nèi)的偏置電勢Vofs的時段內(nèi)，分割并重復(fù)執(zhí)行多次闞 值校正處理。下述閾值校正處理也稱為"應(yīng)用內(nèi)部IH閾值校正分割處理的以1H為單元分割的閾值校正處理"或"應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處理的分割閾 值校正處理"，在所述閾值校正處理中，基于以1H為單元分割的閾值校正處 理，在至少一個閾值校正處理時段期間，在一水平掃描時段(1H)內(nèi)的偏置 電勢Vofs的時段中，同樣執(zhí)行多次閾值校正處理。
作為用于使得驅(qū)動晶體管121的有機EL元件127側(cè)的源極電勢Vs—121 緊接在閾值校正操作之前快速上升的第二措施方法，在第 一 閾值校正處理時 段期間的閾值校正操作的開始時(緊接在第一閾值校正處理時段期間的閾值 校正操作之前)，當(dāng)漏極電流Vd—121改變到第一電勢Vcc時采樣晶體管125 截止，此后在經(jīng)過一定時段之后采樣晶體管125導(dǎo)通，以開始閣值校正操作。 第二措施方法是在源極電勢Vs—121快速上升后預(yù)先執(zhí)行第一閾值校正操作 的機制。順帶提及，盡管第二方法是用于解決在以1H為單元分割的閾值校 正處理中、由在閾值校正操作間隔期間源極電勢Vs一121的上升引起的問題的 機制，但是基本不必聯(lián)合使用第二方法和以1H為單元分割的閾值校正處理。
在防止出現(xiàn)閾值校正失敗現(xiàn)象的短時段內(nèi)，任何措施方法截止采樣晶體 管125,從而在維持該時間點的柵極-源極電壓Vgs—121的狀態(tài)下升高柵極電 勢Vg—121和源極電勢Vs—121，此后導(dǎo)通釆樣晶體管125以將柵極電勢 Vg一121設(shè)置為偏置電勢Vofs，并且開始闊值校正操作。這提供了通過源極電 勢Vs—121在不出現(xiàn)閾值校正失敗現(xiàn)象的范圍內(nèi)的上升、增加閱值校正處理時 段中的閾值校正操作的速度的作用。因此可能防止在隨后的閾值校正操作間 隔內(nèi)由于從電源流到驅(qū)動晶體管121的電流，闊值校正操作不正常地出現(xiàn)， 并且獲得沒有條紋或不均勻的一致的圖像質(zhì)量。此外，因為可以增加在閾值 校正處理時段期間的閾值校正操作的速度，所以可能將閾值校正處理時段設(shè) 置得更短，因此實現(xiàn)更高的速度。
順帶提及，當(dāng)在以1H為單元分割的閾值校正處理期間采用第二措施方 法時，可以將第二措施方法與第一措施方法(應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處 理的以1H為單元分割的閾值校正處理)結(jié)合，其在第二閾值校正處理時段 和此后期間，在一個水平掃描時段內(nèi)的偏置電勢Vofs的時段中，也執(zhí)行多次 閾值校正處理。以下將具體描述每個措施方法。
<改進方法第一實施例>
圖9是幫助說明用于消除由于在閾值校正操作間隔內(nèi)源極電勢Vs—121 的上升而導(dǎo)致的閾值校正失敗現(xiàn)象的方法的第一實施例的圖。圖9是按原樣使用根據(jù)圖6所示的第三比較示例的像素電路P并且表示線序驅(qū)動的情況的
時序圖。圖9在共同時間軸上示出寫入掃描線104WS的電勢改變、電源線 105DSL的電勢改變以及^L頻信號線106HS的電勢改變。與這些電勢改變并 行地，圖9還示出對于一行、驅(qū)動晶體管121的柵極電勢Vg和源極電勢Vs 的改變。
第一實施例采用第一措施方法，其中在以1H為單元分割的閾值校正處 理中，在至少一個閾值校正處理時段期間的一個水平掃描時段內(nèi)的偏置電勢 Vofs的時段中，也執(zhí)行多個分割次數(shù)的閾值校正處理，在所述以1H為單元 分割的閾值校正處理中，以一水平掃描時段為一處理周期重復(fù)執(zhí)行多次閾值 校正處理。在以1H為單元分割的閾值校正處理中，當(dāng)信號線電勢是偏置電 勢Vofs時執(zhí)行的閾值校正操作的至少一個閾值校正處理時段期間，第一實施 例通過重復(fù)導(dǎo)通(導(dǎo)通)/截止(不導(dǎo)通)采樣晶體管125,重復(fù)導(dǎo)通采樣晶 體管125兩次或更多。
將內(nèi)部1H閾值校正分割處理應(yīng)用到多個閾值校正處理時段中的至少一 個就足夠了。額外1H閾值校正分割處理可應(yīng)用到所有鬮值校正處理時段， 或當(dāng)額外l H閾值校正分割處理應(yīng)用到僅僅一個閾值校正處理時段時，基本 自由選擇額外1H閾值校正分割處理應(yīng)用到多個閾值校正處理時段中的多少 個閾值;艮正準(zhǔn)備時段。然而，關(guān)于效果，期望將額外1 H閾值校正分割處理 應(yīng)用到至少一個閾值校正處理時段，進一步將偏置電勢Vofs的時段分割為多 個時段，并且執(zhí)行閾值校正處理。
因此，當(dāng)在以1 H為單元分割的閾值校正處理中的一水平時段內(nèi)、通過 也多次導(dǎo)通/截止采樣晶體管125來執(zhí)行分割閾值校正操作時，在各閾值校 正操作期間的間隔時段內(nèi)采樣晶體管125是截止的，因此柵極電勢Vg—121 和源極電勢Vs_121上升，同時在一水平時段內(nèi)的偏置電勢Vofs的時段中， 驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs也保持恒定。
在應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處理的閾值校正操作時段內(nèi)的閾值校正操 作間隔Ta中，源極電勢Vs—121上升，同時從緊接在前的閾值校正操作得到 的對應(yīng)于棚-才及-源極電壓Vgs—121的電流保持。另 一方面，當(dāng)未應(yīng)用額外1H 閾值校正分割處理時，在包括與應(yīng)用額外l H閾值校正分割處理的閾值校正 操作時段內(nèi)的閾值校正搡作間隔相同的時段的總闊值校正操作時段中，在柵 極電勢Vg—121固定在偏置電勢Vofs的情況下，源極電勢VS_121上升。因此，隨著閾值校正處理進行，減少柵極-源極電壓VgS_121，并且逐漸減少流
過驅(qū)動晶體管121的電流。因此，隨著閾值校正處理進行，源極電勢Vs一121 的上升也變?yōu)榫徍汀?br>
因此，通過在采樣晶體管125處于截止?fàn)顟B(tài)的情況下升高源極電勢 Vs—121 (以及柵極電勢VgJ21)，在下一閾值校正的開始時的柵極-源極電壓 Vgs—121 (-爭越存儲電容器120的電勢)比未應(yīng)用根據(jù)本實施例的內(nèi)部1H閾 值校正分割處理的情況更接近于閾值電壓Vth。因此，閾值校正操作的速度 增加。換句話說，在當(dāng)應(yīng)用根據(jù)本實施例的內(nèi)部1H閾值校正分割處理時的 閾值校正操作間隔內(nèi)，從以1H為單元的閾值校正的角度而言，柵極-源極電 壓Vgs—121比當(dāng)未應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處理的情況下在相同時段中進 行闞值電壓校正時的電壓更小。因此，當(dāng)應(yīng)用內(nèi)部1H闊值校正分割處理時 在1H單元中閾值校正操作自身的速度比當(dāng)沒有應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處 理時的速度更快。
此外，在信號線電勢是偏置電勢Vofs的時段內(nèi)，采樣晶體管125以下述 順序改變到導(dǎo)通狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)。然而，因為在以1H為單元分 割的閾值校正處理中，在一個水平時段內(nèi)的各閾值校正操作之間的間隔時段 (信號線電勢處于偏置電勢Vofs的閾值校正操作間隔，并且該閾值校正操作 間隔不橫跨信號線電勢是信號電勢Vin的時段)的截止時間Ta短于在每個水 平時段中的各閾值校正操作之間的間隔時段(橫跨信號線電勢是信號電勢Vin 的時段的閾值校正操作間隔)的截止時間Tb，所以如由于閾值校正操作間隔 內(nèi)源極電勢Vs的上升而導(dǎo)致閾值校正失敗現(xiàn)象的出現(xiàn)的問題不出現(xiàn)。
因此，根據(jù)第一實施例的機制，可以使得當(dāng)信號線電勢是在信號電勢 Vin一l和下一信號電勢Vin—2之間的偏置電勢Vofs時的閾值校正操作的速度 比根據(jù)第三比較示例(即，未應(yīng)用本實施例的以1H為單元分割的閾值校正 處理)的驅(qū)動定時中的更快。因為閾值校正操作的速度變得更快，所以緊接 在閾值校正處理時段后的柵極-源極電壓Vgs—121小于未應(yīng)用本措施方法的情 況(該情況將稱為之前的情況)下的柵極-源極電壓Vgs—121 (即，緊接在閾 值校正處理時段后的柵極-源極電壓Vgs一121更接近閾值電壓Vth)。在閾值校 正處理時段后的閾值校正操作間隔內(nèi)，在柵極-源極電壓Vgs—121小于之前情 況下的柵極-源極電壓Vgs—121的狀態(tài)下，電流流過驅(qū)動晶體管121，并且在 維持該時間點的柵極-源極電壓Vgs—121的狀態(tài)下，源極電勢Vs—121和柵極電勢Vg一121上升。因此，閾值校正操作間隔內(nèi)的驅(qū)動晶體管121的源極電 勢Vs—121的上升小于前述情況下。
結(jié)果，減輕或防止了閾值校正失敗現(xiàn)象，該現(xiàn)象由于在各閾值校正處理 時段之間的閾值校正操作間隔(即，橫跨信號線電勢是信號電勢Vin的時段 的閾值校正操作間隔(各閾值校正處理時段之間的間隔時段))內(nèi)從電源流到 驅(qū)動晶體管121的電流導(dǎo)致的源極電勢Vs_121的上升而引起?？赡苷５貓?zhí) 行閾值校正操作，因此獲得沒有不均勻或條紋的一致的圖像質(zhì)量。此外，因 為在應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處理的閾值校正處理中可以增加閾值校正操 作的速度，所以可以將閾值校正處理時段設(shè)置得更短，因此可以增加處理的 速度。
順帶提及，在圖9中，在以一水平掃描時段為一處理周期重復(fù)執(zhí)行三次 閾值校正處理的以1H為單元分割的閾值校正處理中，內(nèi)部1H閾值校正分割 處理應(yīng)用到前兩個閾值校正處理時段，但是內(nèi)部1H閱值校正分割處理不應(yīng) 用到最后的閾值校正處理時段。然而，內(nèi)部1H閾值校正分割處理可應(yīng)用到 最后的閾值校正處理時段。
<改進方法第二實施例>
圖10是幫助說明用于消除由于在閾值校正操作間隔中源極電勢Vs—121 的上升而導(dǎo)致閾值校正失敗的現(xiàn)象的方法的第二實施例的圖。圖IO還是其中 按原樣使用根據(jù)圖6所示的第三比較示例的像素電路P、并且表示線序驅(qū)動 的情況的時序圖。圖IO在共同時間軸上示出寫入掃描線104WS的電勢的改 變、電源線105DSL的電勢的改變、以及視頻信號線106HS的電勢的改變。 與這些電勢改變并行地，圖IO還示出對于一行、驅(qū)動晶體管121的柵極電勢 Vg和源極電勢Vs的改變。
第二實施例采用第二措施方法，其中在以1H為單元分割的閾值校正處 理中，在第一閾值校正處理時段期間的閾值校正操作的開始時，當(dāng)漏極電流 Vd—121改變到第一電勢Vcc時，采樣晶體管125截止，此后在經(jīng)過一定時段 后，采樣晶體管125導(dǎo)通，以開始閾值校正操作，在所述以1H為單元分割 的閾值校正處理中，以一水平掃描時段為一處理周期重復(fù)執(zhí)行多次闊值校正 處理。
即，在閾值校正處理的準(zhǔn)備處理后，并且在第一閾值校正處理的開始之 前，當(dāng)信號線電勢是偏置電勢Vofs并采樣晶體管125截止時，電源驅(qū)動脈沖DSL從第二電勢Vss上升到第一電勢Vcc，電流經(jīng)過驅(qū)動晶體管121,并且 柵極電勢VgJ21和源極電勢Vs—121上升，同時維持柵極-源極電壓Vgs—121。 在經(jīng)過一定時間(Tc)之后，寫入驅(qū)動脈沖WS設(shè)置為有效H,采樣晶體管 125導(dǎo)通，并且柵極電勢Vg—121設(shè)置為偏置電勢Vofs,以開始閾值校正操作。 簡而言之，第二實施例的特征在于，在第一閾值校正處理的開始之前，通過 升高源極電勢Vs_121 (即，執(zhí)行源極電勢Vs一121的預(yù)備升高處理)、同時采 樣晶體管125保持截止，使得在第一閾值校正處理的開始時的源極電勢 Vs—121更接近柵極電勢Vg—121 (=偏置電勢Vofs)。
因此，在閾值校正操作之前的柵極電勢Vg—121和源才及電勢Vs_121的初 始化之后，并且在第一閾值校正操作之前，當(dāng)在釆樣晶體管125設(shè)置在截止 狀態(tài)的情況下、電源驅(qū)動脈沖DSL從第二電勢Vss改變到第 一電勢Vcc時， 此后采樣晶體管125導(dǎo)通，以提供偏置電勢Vofs到驅(qū)動晶體管121的柵極并 開始閾值校正操作，源極電勢Vs_121可在閾值校正操作的開始之前的短時段 Tc內(nèi)提前升高，在該短時段Tc內(nèi)，防止出現(xiàn)閾值校正失敗現(xiàn)象。
采樣晶體管125按下述順序?qū)?、截止和?dǎo)通，并且在信號線電勢是偏 置電勢Vofs的第一閾值校正處理時段期間，在閾值校正才喿作之前，電源驅(qū)動 脈沖DSL從第二電勢Vss改變到第一電勢Vcc。然而，因為在以1H為單元 分割的閾值校正處理中的每個水平時段中，在從電源驅(qū)動脈沖DSL改變到第 一電勢Vcc到導(dǎo)通采樣晶體管125的時間Tc (其間柵極電勢Vg—121和源極 電勢Vs—121上升)短于各閾值校正操作之間的間隔時段(橫跨信號線電勢是 信號電勢Vin的時段的閾值校正操作間隔)內(nèi)^fr極電勢Vg—121和源極電勢 Vs—121上升的時間Tb，所以如由于源極電勢Vs_121的上升而導(dǎo)致的閾值校 正失敗的現(xiàn)象的出現(xiàn)的問題不出現(xiàn)。
換句話說，重要的是，當(dāng)使第一閾值校正處理的開始時的源極電勢 Vs—121更接近柵極電勢Vg—121 (=偏置電勢Vofs)時，不僅"時間Tc短于時 間Tb"，而且時間Tc^殳置在驅(qū)動晶體管121的有機EL元件127側(cè)的源極電 勢Vs—121不上升到"Vofs-Vth，，的范圍內(nèi)，使得防止在第一閾值校正處理的開 始時、驅(qū)動晶體管121的柵極-源極電壓Vgs—121 (跨越存儲電容器120的電 壓)變得小于閾值電壓Vth。
結(jié)果，可以增加在第一闊值校正處理時段中的閾值校正操作的速度，并 且可以使得在第一和第二閾值校正處理時段之間的間隔時段內(nèi)的驅(qū)動晶體管
34121的源極電勢Vs一121的上升量小于在沒有應(yīng)用本實施例的情況下的上升 量。因此，如在第一實施例中，在橫跨信號線電勢是信號電勢Vin的時段的 閾值校正操作間隔中，可能防止由于從電源流到驅(qū)動晶體管121的電流而導(dǎo) 致閾值校正操作不正常地執(zhí)行。可以正常地執(zhí)行閾值校正揭:作，因此可以獲 得沒有不均勻或條紋的一致的圖像質(zhì)量。此外，因為如第一實施例中，可以 通過預(yù)先快速升高源極電勢Vs一121來在第一閾值校正處理中增加閾值校正 操作的速度，所以可以將閾值校正處理時段設(shè)置得更短，因此可以增加處理 的速度。
順帶提及，在圖IO中，將以1H為單元分割的閾值校正處理與根據(jù)第一 實施例的方法結(jié)合，在以1H為單元分割的閾值校正處理中，以一水平掃描 時段為一處理周期重復(fù)執(zhí)行三次閾值校正處理，在第二閾值校正處理時段中， 對根據(jù)第一實施例的方法應(yīng)用內(nèi)部1H閾值校正分割處理。然而，與第一實 施例的結(jié)合不是必須的。當(dāng)然，如在第一實施例中，內(nèi)部1H閾值校正分割 處理還可應(yīng)用到最后的閾值校正處理時段。
盡管已經(jīng)使用本發(fā)明的實施例在上面描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明的技術(shù) 范圍不限于在上述實施例中描述的范圍?？蓪ι鲜鰧嵤├M行各種改變和改 進，而不背離本發(fā)明的精神，并且通過添加這些改變和改進獲得的形式也包 括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
此外，前述實施例不限制所要求保護的本發(fā)明，并且實施例中描述的特 征的所有組合不一定都是本發(fā)明的解決手段所必要的。前述實施例包括各種
使從實施例中公開的所有構(gòu)成要求中省略一些構(gòu)成要求，從一些構(gòu)成要求的 省略得到的構(gòu)成也可提取為本發(fā)明，只要獲得效果。 <像素電路的修改示例〉
例如，可對像素電路P的模式進行改變。例如，"對偶性原理"在電路理 論中成立，因此可從該角度對像素電路P進行修改。在此情況下，雖然附圖 中沒有示出，雖然前述每個實施例中示出的像素電路P使用n溝道型驅(qū)動晶 體管121形成，但是像素電路P使用p溝道型驅(qū)動晶體管121形成。相應(yīng)地 進行服從對偶性原理的改變，如例如關(guān)于視頻信號Vsig的偏置電勢Vofs和電 源電壓的大小關(guān)系顛倒信號幅度△ Vi n的極性。
例如，在服從"對偶性原理"的修改模式下的像素電路P中，存儲電容器120連接在p型驅(qū)動晶體管(以下稱為p型驅(qū)動晶體管121p)的柵極端和源 極端之間，并且p型驅(qū)動晶體管121p的源極端直接連接到有機EL元件127 的陰極端。有機EL元件127的陽極端設(shè)置在作為參考電勢的陽極電勢 Vanode。陽極電勢Vanode連接到參考電源(高電勢側(cè))，其提供參考電勢并 對所有像素是共同的。p型驅(qū)動晶體管121p使其漏極端連接到低電壓側(cè)的第 一電勢Vss。 p型驅(qū)動晶體管121p饋送用于使得有機EL元件127發(fā)光的驅(qū) 動電流Ids。
如使用n性驅(qū)動晶體管121的有機EL顯示設(shè)備，才艮據(jù)修改的示例的有 機EL顯示設(shè)備可執(zhí)行閾值校正操作、遷移率校正操作和自舉操作，在所述 修改的示例中，通過應(yīng)用這樣的對偶性原理將驅(qū)動晶體管121改變?yōu)閜型。
當(dāng)驅(qū)動這樣的像素電路P時，可采用類似于第一實施例的模式，其中在 至少 一個閾值校正處理時段期間的一個水平掃描時段內(nèi)的偏置電勢Vofs的時 段中，也分割并重復(fù)執(zhí)行多次閾值校正處理。此外，可采用類似于第二實施 例的模式，其中在第一闊值校正處理時段中的閾值校正操作的開始時，當(dāng)漏 極電流Vd—121改變?yōu)榈谝浑妱軻cc時，采樣晶體管125截止，此后，在經(jīng) 過一定時段后，采樣晶體管125導(dǎo)通，以開始閾值校正操作。當(dāng)然，可采用 將這些模式彼此組合的模式?？赡軠p少在闊值校正操作間隔流過p型驅(qū)動晶 體管121p的驅(qū)動電流Ids—121p，因此正常地執(zhí)行閾值校正操作。因此，因為 可以正常地執(zhí)行閾值校正操作，所以可以獲得沒有不均勾或條紋的一致的圖 像質(zhì)量。
要注意，盡管通過對前面第一到第二實施例所示的配置進行服從"對偶性 原理，，的修改，獲得如上所述的像素電路P的修改的示例，^旦是改變電路的方 法不限于此。形成像素電路P的晶體管的數(shù)量是任意的，只要在執(zhí)行閾值校 正操作時，執(zhí)行驅(qū)動，使得根據(jù)寫入掃描部分104的掃描在每個水平時段內(nèi) 在偏置電勢Vofs和信號電勢Vin (= Vofs + AVin)之間改變的視頻信號Vsig發(fā) 送到視頻信號線106HS,并且在第一電勢和第二電勢之間切換驅(qū)動驅(qū)動晶體 管121的漏極側(cè)(電源側(cè))，用于初始化閾值校正的操作。像素電路P是否是 2TR配置沒有關(guān)系，并且晶體管的數(shù)量可以是三個或更多。通過采用上述本 實施例的改進方法來補救在閾值校正"t喿作間隔內(nèi)由于源極電勢Vs_121的上 升而導(dǎo)致的閾值校正失敗現(xiàn)象的本實施例的概念可應(yīng)用到所有配置。
此外，在執(zhí)行閾值校正操作中將偏置電勢Vofs和信號電勢Vin提供到驅(qū)動晶體管121的柵極的機制不限于如前述實施例的2TR配置中通過視頻信號 Vsig來提供。例如，可采用如專利文獻1中所描述的、經(jīng)由另一晶體管提供 偏置電勢Vofs和信號電勢Vin的機制，作為提供偏置電勢Vofs和信號電勢 Vin到驅(qū)動晶體管121的柵極的機制。同樣在這些修改示例中，可以采用通過 應(yīng)用上述本實施例的改進方法、補救在閾值校正操作間隔內(nèi)由于源極電勢 Vs_121的上升而導(dǎo)致的閾值校正失敗現(xiàn)象的本實施例的扭克念。
此外，前述實施例的概念可在理論上應(yīng)用到專利文獻1中描述的機制。 然而，因為專利文獻l中描述的閾值校正處理可花費充足的時間來進行一次 閾值校正，所以可以認(rèn)為，與2TR配置和基于2TR配置的各種修改示例相比， 不太需要前述實施例。
本申請包含涉及于2008年6月25日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專 利申請JP2008-165201中公開的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依賴于設(shè)計需求和其他因素可以出現(xiàn)各種修 改、組合、子組合和更改，只要它們在權(quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括像素陣列部分，具有以矩陣形式排列的像素電路，所述像素電路的每個包括用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、連接到所述驅(qū)動晶體管的輸出端的電光元件、用于保持與視頻信號的信號幅度對應(yīng)的信息的存儲電容器、以及用于將與所述信號幅度對應(yīng)的信息寫到所述存儲電容器的采樣晶體管；垂直掃描部分，被配置為產(chǎn)生用于所述像素電路的垂直掃描的垂直掃描脈沖；水平掃描部分，被配置為將視頻信號提供到所述像素電路，以便與所述垂直掃描部分中的所述垂直掃描一致；以及驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路，用于保持所述驅(qū)動電流恒定；其中所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路實現(xiàn)閾值校正功能，其通過在所述垂直掃描部分和所述水平掃描部分的控制下，在電流流過所述驅(qū)動晶體管的狀態(tài)下，并且在將用于閾值校正的參考電勢提供到所述采樣晶體管的輸入端的狀態(tài)下，使得所述采樣晶體管導(dǎo)通，使得所述存儲電容器保持與所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓；以及所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路在以一個水平掃描時段為一個處理周期的情況下執(zhí)行多次閾值校正操作，同時維持流過所述驅(qū)動晶體管的電流的狀態(tài)，并且執(zhí)行一個水平時段內(nèi)的閾值校正分割處理，在所述一個水平時段內(nèi)的閾值校正分割處理中，在至少一個閾值校正處理時段內(nèi)，在用于閾值校正的所述參考電勢提供到所述采樣晶體管的輸入端的情況下，執(zhí)行閾值校正處理，同時重復(fù)多次所述采樣晶體管的導(dǎo)通和不導(dǎo)通。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中在執(zhí)行所述一個水平時段內(nèi)的閾值校正分割處理的閾值校正處理時 ^:中的各閾值-f交正處理之間的間隔時段，比以一個水平掃描時段為一個處理 周期的各閾值校正處理時段之間的間隔時段更短。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中在第 一 閾值校正處理時段中執(zhí)行所述一個水平時段內(nèi)的閾值校正分 割處理。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中所述垂直掃描部分具有寫入掃描部分，被配置為為所述采樣晶體管的控制輸入端提供用于垂直掃描所述像素電路的寫入掃描脈沖，并且將與所述信號幅度對應(yīng)的信息寫到所述存儲電容器；以及驅(qū)動掃描部分，被配置 為在用于饋送所述驅(qū)動電流到所述電光元件的第一電勢和與所述第一電勢不 同的第二電勢之間改變，并且將電勢提供到所述驅(qū)動晶體管的電源端；所述水平掃描部分將在參考電勢和信號電勢之間改變的視頻信號提供到 所述采樣晶體管的輸入端；以及所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路實現(xiàn)閾值校正功能，所述閾值校正功能通過 在所述寫入掃描部分、所述水平驅(qū)動部分和所述驅(qū)動掃描部分的控制下，將 與所述第 一電勢對應(yīng)的電壓提供到所述驅(qū)動晶體管的所述電源端，并且在視 頻信號的參考電勢的時間段內(nèi)使得所述采樣晶體管導(dǎo)通，使得所述存儲電容 器保持與所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓。
5. —種顯示設(shè)備，包括像素陣列部分，具有以矩陣形式排列的像素電路，所述像素電路的每個 包括用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、連接到所述驅(qū)動晶體管的輸出端的電光元件、用于保持與視頻信號的信號幅度對應(yīng)的信息的存儲電容器、以及用 于將與所述信號幅度對應(yīng)的信息寫到所述存儲電容器的采樣晶體管；垂直掃描部分，被配置為產(chǎn)生用于所述像素電路的垂直掃描的垂直掃描脈沖；水平掃描部分，被配置為將視頻信號提供到所述像素電路，以便與所述 垂直掃描部分中的所述垂直掃描一致；以及驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路，用于保持所述驅(qū)動電流恒定； 其中所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路實現(xiàn)閾值校正功能，所述闞值校正功能 通過在所述垂直掃描部分和所述水平掃描部分的控制下，在電流流過所述驅(qū) 動晶體管的狀態(tài)下，并且在將閾值校正的參考電勢提供到所述采樣晶體管的 輸入端的狀態(tài)下，使得所述采樣晶體管導(dǎo)通，使得所述存儲電容器保持與所 述驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓；以及所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路執(zhí)行準(zhǔn)備處理，其設(shè)置跨越所述存儲電容器 的電壓，以便在第一閾值校正處理之前超過所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；在所述準(zhǔn)備處理之后并在第一閾值校正處理的開始之前，將所述采樣晶 體管設(shè)置在不導(dǎo)通狀態(tài)，并且使電流經(jīng)過所述驅(qū)動晶體管；以及在經(jīng)過一定時段之后，導(dǎo)通所述釆樣晶體管，并開始閾值校正操作。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，其中在以一個水平掃描時段作為 一個處理周期的情況下，執(zhí)行多次閾值 校正操作，同時電流保持流過所述驅(qū)動晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，其中在所述準(zhǔn)備處理之后和第一閾值校正處理的開始之前的、將所述采 樣晶體管設(shè)置在不導(dǎo)通狀態(tài)并且電流經(jīng)過所述驅(qū)動晶體管的時段，比以一個 水平掃描時段作為一個處理周期的情況下各閾值校正處理時段之間的間隔時 段更短。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，其中在所述準(zhǔn)備處理之后和第一閾值校正處理的開始之前的、將所述采 樣晶體管設(shè)置在不導(dǎo)通狀態(tài)并且電流經(jīng)過所述驅(qū)動晶體管的時段，被設(shè)置為在第一閾值校正處理的開始時、跨越所述存儲電容器的電壓不小于所述驅(qū)動 晶體管的閾值電壓的范圍內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，其中所述垂直掃描部分具有寫入掃描部分，被配置為為所述采樣晶體 管的控制輸入端提供用于垂直掃描所述像素電路的寫入掃描脈沖，并且將與 所述信號幅度對應(yīng)的信息寫到所述存儲電容器；以及驅(qū)動掃描部分，被配置 為在用于饋送所述驅(qū)動電流到所述電光元件的第一電勢和與所述第一電勢不 同的第二電勢之間改變，并且將電勢提供到所述驅(qū)動晶體管的電源端；所述水平掃描部分將在參考電勢和信號電勢之間改變的視頻信號提供到 所述采樣晶體管的輸入端；以及所述驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路實現(xiàn)閾值校正功能，所述閾值校正功能通過 在所述寫入掃描部分、所述水平驅(qū)動部分和所述驅(qū)動掃描部分的控制下，將 與所述第一電勢對應(yīng)的電壓提供到所述驅(qū)動晶體管的所述電源端，并且在視 頻信號的參考電勢的時間段內(nèi)使得所述采樣晶體管導(dǎo)通，使得所述存儲電容 器保持與所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓。
全文摘要
這里公開了一種顯示設(shè)備，包括像素陣列部分，具有以矩陣形式排列的像素電路，所述像素電路的每個包括用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、連接到所述驅(qū)動晶體管的輸出端的電光元件、用于保持與視頻信號的信號幅度對應(yīng)的信息的存儲電容器、以及用于將與所述信號幅度對應(yīng)的信息寫到所述存儲電容器的采樣晶體管；垂直掃描部分，被配置為產(chǎn)生用于所述像素電路的垂直掃描的垂直掃描脈沖；水平掃描部分，被配置為將視頻信號提供到所述像素電路，以便與所述垂直掃描部分中的所述垂直掃描一致；以及驅(qū)動信號恒定實現(xiàn)電路，用于保持所述驅(qū)動電流恒定。
文檔編號G09G3/30GK101615376SQ20091015087
公開日2009年12月30日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請人:索尼株式會社