專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0001
本發(fā)明涉及一種使用了等離子顯示面板的圖像顯示裝置即等離子顯
示裝置。
背景技術(shù)：
0002
由于等離子顯示面板(以下，簡稱"面板")即使在薄型的圖像顯示 元件中也能高速顯示且容易做到大型化，故作為大畫面顯示裝置得以實(shí) 用。
0003
面板是將前面板和背面板相互粘接而構(gòu)成。前面板具有玻璃基板、 由形成在玻璃基板上的掃描電極及保持電極構(gòu)成的顯示電極對、以覆蓋顯 示電極對的方式形成的電介質(zhì)層、和形成在電介質(zhì)層上的保護(hù)層。保護(hù)層 是以基于離子沖擊來保護(hù)電介質(zhì)層并且容易發(fā)生放電為目的而進(jìn)行設(shè)置 的。
0004
背面板具有玻璃基板、形成在玻璃基板上的數(shù)據(jù)電極、覆蓋數(shù)據(jù)電 極的電介質(zhì)層、形成在電介質(zhì)層上的隔壁、和形成在隔壁間的分別以紅色、 綠色及藍(lán)色發(fā)光的熒光體層。前面板與背面板以顯示電極對和數(shù)據(jù)電極夾 持放電空間而交叉的方式對置，且用低熔點(diǎn)玻璃密封了周圍。放電空間中 被封入含氙的放電氣體。在此，在顯示電極對與數(shù)據(jù)電極對置的部分形成 有放電單元。
0005
使用了這種結(jié)構(gòu)的面板的等離子顯示裝置利用面板的各放電單元選 擇性地發(fā)生氣體放電，利用此時產(chǎn)生的紫外線使紅色、綠色及藍(lán)色的各種顏色的熒光體激勵發(fā)光，從而進(jìn)行了彩色顯示。
0006
在使用了這種面板的等離子顯示裝置中，作為顯示圖像的方法主要利 用了子域(subfield)法。這是一種在預(yù)先確定了亮度權(quán)重的多個子域中 構(gòu)成1場(field)期間并在各子域中控制每個放電單元的發(fā)光/不發(fā)光從 而顯示圖像的方法。0007
可是，公知若利用各子域任意進(jìn)行各放電單元的點(diǎn)燈/不點(diǎn)燈，則 在顯示運(yùn)動圖像時發(fā)生顯著的輪廓狀的灰度紊亂、即所謂的偽輪廓。因此， 作為抑制該偽輪廓的方法，提出一種通過以放電單元發(fā)光的子域連續(xù)的方 式并通過以放電單元不發(fā)光的子域也連續(xù)的方式進(jìn)行控制來進(jìn)行灰度顯 示從而抑制偽輪廓的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。通過這種顯示方法 雖然能夠抑制偽輪廓的發(fā)生，但是卻存在難以限制可顯示的灰度來顯示平 滑的灰度的問題。
0008
為了顯示平滑的灰度，也可以增加構(gòu)成l場期間的子域的數(shù)目。上述 的子域法是利用具有初始化期間、寫入期間及保持期間的多個子域來構(gòu)成 1場期間且通過使發(fā)光的子域的組合來進(jìn)行灰度顯示的方法。在此，為了 增加構(gòu)成1場期間的子域的數(shù)目而需要在短時間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入動作。 由此，推進(jìn)著可高速驅(qū)動的面板的開發(fā)，并推進(jìn)著對于運(yùn)用該面板的特點(diǎn) 來顯示高品質(zhì)的圖像的驅(qū)動方法及驅(qū)動電路的研究。0009
面板的放電特性大多取決于保護(hù)層的特性，特別地為了改善左右可否 高速驅(qū)動的電子放出特性和電荷保持性能，對保護(hù)層的材料、結(jié)構(gòu)、制造 方法進(jìn)行了多種研究。例如，在專利文獻(xiàn)2中公開了一種等離子顯示裝置，
該等離子顯示裝置具備面板，其通過對鎂蒸汽進(jìn)行氣相氧化而生成，從
而設(shè)置有在200nm 300nm上具有陰極發(fā)光峰值的氧化鎂層；和電極驅(qū)動 電路，其在寫入期間，向構(gòu)成全部顯示線的顯示電極對的每一方順序施加 掃描脈沖，并且向數(shù)據(jù)電極提供與施加掃描脈沖的顯示線對應(yīng)的寫入脈 沖。0010
近年來，要求大畫面且高清晰度的等離子顯示裝置，總之也要求了高 的圖像顯示品質(zhì)。為此，在增加行數(shù)目的同時也必須確保用于顯示平滑的 灰度的子域數(shù)。由此，分配給1行份的寫入動作的時間也越來越短。于是， 為了在分配的時間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入動作，要求一種可進(jìn)行比以往更高速 且更穩(wěn)定的寫入動作的面板、其驅(qū)動方法、具備實(shí)現(xiàn)它的驅(qū)動電路的等離
子顯示裝置。
專利文獻(xiàn)l:日本特開平11—305726號公報 專利文獻(xiàn)2:日本特開2006—054158號公報

發(fā)明內(nèi)容
0011
本發(fā)明的等離子顯示裝置，其特征在于，該等離子顯示裝置具備等 離子顯示面板，其將在第1玻璃基板上形成顯示電極對并以覆蓋顯示電極
對的方式形成電介質(zhì)層且在電介質(zhì)層上形成了保護(hù)層的前面板與在第2
玻璃基板上形成了數(shù)據(jù)電極的背面板對置配置，從而在顯示電極對與數(shù)據(jù)
電極對置的位置上形成了放電單元；和面板驅(qū)動電路，其在時間上配置多 個子域而構(gòu)成1場期間來驅(qū)動等離子顯示面板，其特征在于，保護(hù)層構(gòu)成 為基底保護(hù)層，其由含有氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中至少一種 的金屬氧化物的薄膜而形成；和粒子層，其使陰極發(fā)光的發(fā)光光譜的 200nm 300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度為300nm 550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的 2倍以上的氧化鎂的單晶粒子附著在基底保護(hù)層上而形成，面板驅(qū)動電路 構(gòu)成為在具備多個子域的第l子域組之后，其中，該子域具有形成用于 使寫入放電發(fā)生的壁電荷的初始化期間、形成用于使保持放電發(fā)生的壁電 荷的寫入期間、和使保持放電發(fā)生來使放電單元發(fā)光的保持期間，在時間 上配置具備多個子域的第2子域組，其中，該子域具有消除用于使保持放 電發(fā)生的壁電荷的寫入期間、和使保持放電發(fā)生來使放電單元發(fā)光的保持 期間，從而構(gòu)成l場期間來驅(qū)動等離子顯示面板。


0012
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的前面板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖3是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板中使用的單晶粒子的發(fā)光 光譜的圖。
圖4是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板中使用的單晶粒子的發(fā)光
光譜的峰值比與放電延遲時間之間的關(guān)系的圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的電極陣列的圖。
圖6是表示施加到本發(fā)明的實(shí)施方式的面板的各電極上的驅(qū)動電壓
波形圖。
圖7是表示施加到本發(fā)明的實(shí)施方式的面板的各電極上的驅(qū)動電壓 波形圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置的電路框圖。 圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子顯示裝置的掃描電極驅(qū)動電路及 保持電極驅(qū)動電路的電路圖。0013
圖中IO —面板，20 —前面板，21— (第l)玻璃基板，22 —掃描電 極，22a、 23a—透明電極，22b、 23b—總線電極，23 —保持電極，24 —顯 示電極對，25—電介質(zhì)層，26 —保護(hù)層，26a—基底保護(hù)層，26b—粒子層， 27—單晶粒子，30 —背面板，31— (第2)玻璃基板，32 —數(shù)據(jù)電極，34 一隔壁，35 —熒光體層，41一圖像信號處理電路，42 —數(shù)據(jù)電極驅(qū)動電路， 43 —掃描電極驅(qū)動電路，44一保持電極驅(qū)動電路，45 —定時發(fā)生電路，50、 80—保持脈沖發(fā)生電路，60 —初始化波形發(fā)生電路，70 —掃描脈沖發(fā)生電 路，IOO —等離子顯示裝置。
具體實(shí)施方式
0014
以下，利用附圖對本發(fā)明中的一個實(shí)施方式中的等離子顯示裝置進(jìn)行 說明。
0015(實(shí)施方式)
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的結(jié)構(gòu)的立體圖。面板10
將前面板20與背面板30對置配置，通過低熔點(diǎn)玻璃的密封件密封其外周 部。在面板10內(nèi)部的放電空間15中，利用400Torr 600 Torr的壓力密封
入氙等放電氣體。0016
在前面板20的玻璃基板(第1玻璃基板)21上，平行地形成由掃描 電極22及保持電極23構(gòu)成的多個顯示電極對24。在玻璃基板21上，以 覆蓋顯示電極對24的方式形成有電介質(zhì)層25，還在該電介質(zhì)層25上形 成有以氧化鎂為主要成分的保護(hù)層26。0017
另外，在背面板30的玻璃基板(第2玻璃基板)31上，在與顯示電 極對24正交的方向上相互平行地形成有多個數(shù)據(jù)電極32，電介質(zhì)層33 被覆了多個數(shù)據(jù)電極32。而且，在電介質(zhì)層33上形成有隔壁34。在電介 質(zhì)層33上及隔壁34的側(cè)面形成有通過紫外線分別發(fā)光為紅色、綠色及藍(lán) 色的熒光體層35。在此，在顯示電極對24與數(shù)據(jù)電極32交叉的位置形 成有放電單元，具有紅色、綠色、藍(lán)色熒光體層35的一組放電單元成為 用于顏色顯示的像素。另外，電介質(zhì)層33不是必須的，也可以是省略電 介質(zhì)層33的結(jié)構(gòu)。0018
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的前面板20的結(jié)構(gòu)的剖視 圖，將圖1中示出的前面板20上下顛倒進(jìn)行表示。在玻璃基板21上形成 有由掃描電極22和保持電極23構(gòu)成的顯示電極對24。掃描電極22構(gòu)成 為由銦錫氧化物或氧化錫等形成的透明電極22a、和形成在透明電極22a 上的總線電極22b。同樣地，保持電極23構(gòu)成為透明電極23a、和形成 在透明電極23a上的總線電極23b?？偩€電極22b、總線電極23b是為了 在透明電極22a、透明電極23a的長度方向上賦予導(dǎo)電性而設(shè)置的，是通 過以銀為主要成分的導(dǎo)電性材料而形成的。0019
電介質(zhì)層25是通過網(wǎng)版印刷法、鍍敷法等涂敷以氧化鉛或氧化鉍或氧化磷為主要成分的低熔點(diǎn)玻璃等，并通過煅燒而形成的。并且，在電介
質(zhì)層25上形成有保護(hù)層26。0020
然后，在電介質(zhì)層25上形成有保護(hù)層26。以下，對保護(hù)層26進(jìn)行 詳細(xì)說明。為了保護(hù)電介質(zhì)層25以防止離子沖擊并且改善較大地左右驅(qū) 動速度的電子放出性能和電荷保持性能，保護(hù)層26構(gòu)成為形成在電介 質(zhì)層25上的基底保護(hù)層26a、和形成在基底保護(hù)層26a上的粒子層26b。0021
基底保護(hù)層26a是利用濺鍍法、離子電鍍法、電子線蒸鍍法等形成的 厚度為0.3|iim 1.0|_im的氧化鎂的薄膜層。0022
粒子層26b是煅燒氧化鎂前驅(qū)體而形成的且使具有平均粒徑為 0.3pm 4)am的較均勻的粒徑分布的氧化鎂的單晶粒子27附著在基底保護(hù) 層26a上的層。單晶粒子27也可無需以覆蓋基底保護(hù)層26a的整個面的 方式形成，而在基底保護(hù)層26a上以被覆率1%~30%形成為島狀。單晶粒 子27的形狀基本上是正六面體形狀或正八面體形狀，但是即使由于制造 上的偏差而發(fā)生些變形也可，另外，也可以是切除正六面體形狀或正八面 體形狀的頂點(diǎn)及棱線而具有切頂面及斜面的形狀。0023
由此，通過將保護(hù)層26構(gòu)成為基底保護(hù)層26a和形成在基底保護(hù)層 26a上的粒子層26b,從而能夠?qū)崿F(xiàn)具有電子放出性能和電荷保持性能良 好的保護(hù)層26的面板IO。0024
發(fā)明者們調(diào)查單晶粒子的陰極發(fā)光，并發(fā)現(xiàn)通過發(fā)光光譜能夠評價單 晶粒子的特性，特別是電子放出性能。圖3是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中 的面板中所使用的單晶粒子27的發(fā)光光譜的圖。在圖3中也示出了為了 比較而由氣相氧化法在基底保護(hù)層上形成的氧化鎂的單晶粒子的發(fā)光光 譜。本實(shí)施方式中的單晶粒子27的發(fā)光光譜，在200nm 300nm上具有 發(fā)光強(qiáng)度大的峰值，在300nm 550nm上具有小的峰值。另一方面，用氣 相氧化法生成的單晶粒子的發(fā)光光譜為200nm 300nm的發(fā)光強(qiáng)度的峰值與300nm 550nm的發(fā)光強(qiáng)度的峰值是一樣小的峰值。0025發(fā)明者們關(guān)注這兩個峰值的發(fā)光強(qiáng)度，為了調(diào)査200nm 300nm的峰 值的發(fā)光強(qiáng)度相對300nm 550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的比率(以下，僅簡 稱為"峰值比PK")與電子放出性能之間的關(guān)系，試作了峰值比PK值不 同的面板而進(jìn)行了放電延遲時間的測量。圖4是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式 中的面板中所使用的單晶粒子27的發(fā)光光譜的峰值比PK與放電延遲時 間Td之間的關(guān)系的圖。橫軸是峰值比PK，計算出200nm以上300nm以 下的發(fā)光光譜的積分值與300nm以上550nm以下的發(fā)光光譜的積分值之 比的值來作為峰值比PK?？v軸是利用峰值比PK大致為"0"時的放電延 遲時間標(biāo)準(zhǔn)化了放電延遲時間后的值TS。因此，示出了該值TS越小的 面板其電子放出性能越好。由此可知若發(fā)光光譜的峰值比PK為"2" 以上、即陰極發(fā)光的發(fā)光光譜其200mn 300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度是 300mn 550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的2倍以上，則標(biāo)準(zhǔn)化后的放電延遲時 間TS在"0.2"以下幾乎恒定，表示良好的電子放出性能。0026這些發(fā)光光譜的峰值比PK與電子放出性能之間的關(guān)系并非完全明 了，但是可以進(jìn)行如下考慮。隱含公開了 200mn 300nm的發(fā)光光譜的 峰值示出了存在5eV左右的能量的衰減過程，隨著這種大能量的衰減， 俄歇(Auger)電子放出的發(fā)生概率大。另一方面，認(rèn)為隱含公開了 300mn 550nm的發(fā)光光譜的峰值在帯隙間存在多個由于氧不足等引起的 多個陷波(trap)電平，難以發(fā)生大的能量的衰減過程，俄歇電子放出的 發(fā)生概率也小。因此，200mn 300nm的峰值越大且300mn 550nm的峰值 越小則越容易放出電子。由此，通過使用具有這種特性的單晶粒子27形 成粒子層26b，從而能夠得到電子放出性能高的面板。0027上述的發(fā)光光譜的200mn 300nm的峰值大、300mn 550nm的峰值小 的單晶粒子27能夠通過液相法生成。0028具體地說，例如如下，能夠在高溫的含有氧氣的環(huán)境下均勻地煅燒作為氧化鎂的前驅(qū)體的氫氧化鎂而生成。0029(液相法l)向純度為99.95%以上的垸氧基鎂或乙酰丙酮鎂的水溶液中加入少量 的酸而進(jìn)行水解處理，從而制造氫氧化鎂的凝膠。并且，通過在空氣中煅 燒該凝膠進(jìn)行脫水，從而生成單晶粒子27的粉體。0030
(液相法2)向溶解了純度為99.95%以上的硝酸鎂的水溶液中添加堿溶液而使氫 氧化鎂沉淀。接著，從水溶液中分離氫氧化鎂的沉淀物，并通過在空氣中 煅燒沉淀物進(jìn)行脫水，從而生成單晶粒子27的粉體。0031(液相法3)向溶解了純度為99.95%以上的氯化鎂的水溶液中添加氫氧化|丐而使 氫氧化鎂沉淀。接著，從水溶液中分離氫氧化鎂的沉淀物，并通過在空氣 中煅燒沉淀物進(jìn)行脫水，從而生成單晶粒子27的粉體。0032作為煅燒溫度，優(yōu)選70(TC以上，更優(yōu)選1000。C以上。其原因在于 70(TC以下不能充分生長單晶面且往往缺陷多。0033另外，根據(jù)本發(fā)明者們的實(shí)驗(yàn)，若在70(TC以上200(TC以下的溫度下 進(jìn)行煅燒，則可確認(rèn)能夠生成兩種單晶粒子，其中一種是峰值比PK為"l" 以上的單晶粒子，另一種是峰值比PK小于"1"且在680mn 900nm的光 譜區(qū)域中具有相當(dāng)程度的峰值的單晶粒子。另外，若在140(TC以上的溫 度下進(jìn)行煅燒，則確認(rèn)了生成峰值比PK小于"1"且在680mn 900nm的 發(fā)光光譜的區(qū)域中具有峰值的單晶粒子的比例變大。因此，為了提高峰值 比PK為"1"以上的氧化鎂單晶的比例，優(yōu)選煅燒溫度設(shè)置在700。C以 上140(TC以下。0034作為氧化鎂前驅(qū)體，除了利用上述的氫氧化鎂以外，也可 利用烷氧基鎂、乙酰丙酮鎂、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等中的一種以上。其中；作為氧化鎮(zhèn)前驅(qū)體的鏡化合物的純度優(yōu)選99= 95% 以上，更優(yōu)選99.98%以上。其原因在于若含有較多的堿金屬、硼、硅、 鐵、鋁等雜質(zhì)元素，則在煅燒時容易引起粒子間的融粘或燒結(jié)，高結(jié)晶性 的粒子難以生長。0035而且，峰值比PK小于1且在680mn 900nm的光譜區(qū)域中具有峰值的 氧化鎂單晶的粒徑也會比峰值比PK為1以上的氧化鎂單晶的粒徑變小。 因此，通過分級能夠分離這兩種氧化鎂單晶，并能夠篩選峰值比PK大的 單晶粒子。0036由此，本實(shí)施方式中的粒子層26b通過使發(fā)光光譜的200mn 300nm 的峰值與300mn 550nm的峰值之比為"2"以上的單晶粒子27附著在基 底保護(hù)層26a上而構(gòu)成。并且，具有穩(wěn)定且良好的電子放出性能和電荷保 持性能，實(shí)現(xiàn)了可高速驅(qū)動的面板。0037接著，對本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。0038圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的電極陣列的圖。在面板 10中，在其行方向(行方向)上排列了長的n條掃描電極SCl SCn (圖 1的掃描電極22)及n條保持電極SUl SUn (圖1的保持電極23)，在 其列方向上排列了長的m條數(shù)據(jù)電極Dl Dm (圖1的數(shù)據(jù)電極32)。然 后，在一對掃描電極SCi (i=l~n)及保持電極SUi與1個數(shù)據(jù)電極Dj (j=l~m)交叉的部分形成有放電單元，放電單元在放電空間內(nèi)形成有m Xn個。放電單元數(shù)目例如是m-1920X3-5760， n=1080。雖然對顯示電 極對的數(shù)目并不特別地進(jìn)行限制，但是在本實(shí)施方式中以ri=1080進(jìn)行說 明。0039然后，由掃描電極SC1 SC1080及保持電極SU卜SU1080構(gòu)成的 1080對的顯示電極對被劃分為多個顯示電極對組。在本實(shí)施方式中，將面板在上下方向上分割4份而被劃分為4個顯示電極對組，從位于面板的上部的顯示電極對開始順序?yàn)榈?顯示電極對組、第2顯示電極對組、第 3顯示電極對組、第4顯示電極對組。艮卩，掃描電極SC1 SC270及保持 電極SU1 SU270屬于第1顯示電極對組。掃描電極SC271-SC540及保 持電極SU271 SU540屬于第2顯示電極對組。掃描電極SC541 SC810 及保持電極SU541 SU810屬于第3顯示電極對組。掃描電極 SC811 SC1080及保持電極SU811 SU1080屬于第4顯示電極對組。0040接著，對為了驅(qū)動面板IO而施加到各電極上的驅(qū)動電壓波形進(jìn)行說 明。面板10是使用在時間上配置多個子域而構(gòu)成1場期間的子域法而被驅(qū)動的。即、將1場期間分割為多個子域，并按照子域來控制各放電單元 的發(fā)光/不發(fā)光，從而進(jìn)行灰度顯示。在本實(shí)施方式中，將多個子域劃分為第1子域組和第2子域組的2個子域組來驅(qū)動面板10。0041在屬于第1子域組的每一個子域中具有初始化期間、寫入期間和保持 期間。在初始化期間發(fā)生初始化放電，從而消除目前為止的放電單元的壁 電荷的履歷并且形成用于使寫入放電發(fā)生的壁電荷。在寫入期間，形成用 于利用使發(fā)光的放電單元發(fā)生寫入放電并使保持放電發(fā)生的壁電荷。以 下，將這種寫入動作稱為"正邏輯寫入"。然后，在保持期間，向顯示電 極對交替施加與亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)目的保持脈沖，從而利用進(jìn)行了正邏輯 寫入的放電單元使保持放電發(fā)生并發(fā)光。0042在屬于第1子域組的子域中，通過控制每一個子域的寫入放電，從而 不必取決于其他的子域中的保持放電的有無等而能夠使放電單元發(fā)光或 不發(fā)光。由此，以下，將按照每個子域獨(dú)立控制發(fā)光/非發(fā)光的驅(qū)動稱為 "隨機(jī)驅(qū)動"。0043另一方面，在屬于第2子域組的每一個子域中沒有設(shè)置初始化期間而 設(shè)置了寫入期間及保持期間。在寫入期間消除用于利用不使發(fā)光的放電單 元發(fā)生寫入放電并使保持放電發(fā)生的壁電荷。以下，將這種寫入動作稱為"逆邏輯寫入"。并且，在保持期間，向顯示電極對交替施加與亮度權(quán)重 相應(yīng)的數(shù)目的保持脈沖，從而利用未使寫入放電發(fā)生的放電單元使保持放 電發(fā)生并發(fā)光。0044在屬于第2子域組的子域中，不進(jìn)行形成用于使保持放電發(fā)生的壁電 荷的動作，而進(jìn)行了用于消除在寫入期間用于使保持放電發(fā)生的壁電荷的 動作。因此，在緊接之前的子域中未發(fā)生保持放電的放電單元中，直到進(jìn) 行下一個初始化動作為止不會發(fā)生保持放電。另外，在進(jìn)行了暫時寫入動 作的放電單元中，直到進(jìn)行下一個初始化動作為止不會發(fā)生保持放電。0045其結(jié)果，在屬于第2子域組的子域中，放電單元發(fā)光的子域連續(xù)，另 外不發(fā)光的子域也連續(xù)。由此，將以放電單元的發(fā)光/不發(fā)光連續(xù)的方式 進(jìn)行控制來進(jìn)行灰度顯示的驅(qū)動，以下簡稱為"連續(xù)驅(qū)動"。0046在本實(shí)施方式中，將l場分割為ll個子域(第1SF、第2SF、……、 第IISF)，各子域分別具有(8、 4、 2、 1、 16、 20、 26、 32、 40、 48、 58) 的亮度權(quán)重。并且，第1SF 第4SF是使用正邏輯寫入來進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動的 第1子域組，第5SF 第11SF是使用逆邏輯寫入來進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動的第2 子域組。另外，在屬于第1子域組的第1SF的初始化期間，進(jìn)行利用全 部的放電單元發(fā)生初始化放電的全部初始化動作，在第2SF 第4SF的初 始化期間，進(jìn)行利用在緊接之前的子域中進(jìn)行了保持放電的放電單元選擇 性發(fā)生初始化放電的選擇初始化動作。0047以下，對本實(shí)施方式中的面板的驅(qū)動方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。圖6及圖 7是施加到本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的各電極上的驅(qū)動電壓波形圖， 圖6主要示出了屬于第1子域組的驅(qū)動電壓波形，圖7主要示出了屬于第 2子域組的驅(qū)動電壓波形。0048首先，對屬于第1子域組的驅(qū)動電壓波形進(jìn)行說明。在第1SF的初始 化期間Ti的前半部分，向數(shù)據(jù)電極Dl Dm、保持電極SUl SUn分別施加0 (V)，向掃描電極SCl SCn施加從相對于保持電極SUl SUn在放 電開始電壓以下的電壓Vil向超過放電開始電壓的電壓Vi2緩慢上升的傾斜波形電壓。0049在該傾斜波形電壓上升的期間，在掃描電極SCl SCn與保持電極 SUl SUn、數(shù)據(jù)電極Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。并且，在 掃描電極SCl SCn上蓄積負(fù)的壁電壓，并且在數(shù)據(jù)電極Dl Dm及保持 電極SUl SUn上蓄積正的壁電壓。在此，所謂電極上的壁電壓是表示由 蓄積在覆蓋電極的電介質(zhì)層上、保護(hù)層上、熒光體層上等的壁電荷而產(chǎn)生 的電壓。在此時的初始化放電中，在初始化期間Ti的后半部分預(yù)測壁電 壓的最優(yōu)化而過量地蓄積壁電壓。0050在初始化期間Ti的后半部分，向保持電極SUl SUn施加電壓Vel， 向掃描電極SCl SCn施加從相對于保持電極SUl SUn在放電開始電壓 以下的電壓Vi3向超過放電開始電壓的電壓Vi4緩慢下降的傾斜波形電 壓。在此期間，在掃描電極SCl SCn與保持電極SUl SUn、數(shù)據(jù)電極 Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。然后，掃描電極SCl SCn上的 負(fù)的壁電壓及保持電極SUl SUn上的正的壁電壓變?nèi)?，?shù)據(jù)電極Dl Dm 上的正的壁電壓被調(diào)整為適合于寫入動作的值。以上，結(jié)束對全部的放電 單元進(jìn)行初始化放電的全部單元初始化動作。0051在接下來寫入期間Tw，向保持電極SUl SUn施加電壓Vel，向掃描 電極SCl SCn施加電壓Vc。0052接著，向第l行的掃描電極SCl施加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，并且向 應(yīng)使數(shù)據(jù)電極Dl Dm中的第l行發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dk(kF4 m) 施加正的寫入脈沖電壓Vd。此時，數(shù)據(jù)電極Dk上與掃描電極SCl上的 交叉部的電壓差成為在外部施加電壓的差(Vd—Va)上加上數(shù)據(jù)電極Dk 上的壁電壓與掃描電極SC1上的壁電壓之差后的值，且超過放電開始電 壓。然后，在數(shù)據(jù)電極 與掃描電極SC1之間及保持電極SU1與掃描電極SC1之間引起寫入放電，在掃描電極SC1上蓄積正的壁電壓，在保 持電極SU1上蓄積負(fù)的壁電壓，在數(shù)據(jù)電極Dk上也蓄積負(fù)的壁電壓。
0053
在此，在施加了掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd后，將直到發(fā) 生寫入放電為止的時間稱為"放電延遲時間"。假設(shè)面板的電子放出性能 低且放電延遲時間變長，則為了可靠地進(jìn)行寫入動作，需要將施加掃描脈 沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的時間、即掃描脈沖寬度和寫入脈沖寬度 設(shè)置得較長，而不能進(jìn)行高速寫入動作。另外假設(shè)面板的電荷保持性能低， 則為了補(bǔ)償壁電壓的減少而需要將掃描脈沖電壓Va與寫入脈沖電壓Vd 的電壓值設(shè)置得較高。但是，由于本實(shí)施方式中的面板10的電子放出性 能高，因此能夠?qū)呙杳}沖寬度及寫入脈沖寬度設(shè)置得比以往的脈沖短， 能夠進(jìn)行穩(wěn)定且高速的寫入動作。另外，因?yàn)楸緦?shí)施方式中的面板10的 電荷保持性能高，因此能夠?qū)呙杳}沖電壓Va與寫入脈沖電壓Vd的電 壓值設(shè)置得比以往的脈沖低。0054
由此，進(jìn)行利用應(yīng)使第1行發(fā)光的放電單元引起寫入放電而在蓄積保 持放電所需的壁電荷的正邏輯寫入動作。另一方面，由于未施加寫入脈沖 電壓Vd的數(shù)據(jù)電極Dl Dm與掃描電極SCl的交叉部的電壓未超過放電 開始電壓，故沒有發(fā)生寫入放電。直到第n線的放電單元為止進(jìn)行以上的 正邏輯寫入動作，結(jié)束寫入期間Tw。0055
在接下來的保持期間Ts，首先向掃描電極SCl SCn施加正的保持脈 沖電壓Vs并且向保持電極SUl SUn施加0 (V)。于是，在進(jìn)行了正邏 輯寫入的放電單元中，掃描電極SCi上與保持電極SUi上的電壓差成為 在保持脈沖電壓Vs上加上掃描電極SCi上的壁電壓與保持電極SUi上的 壁電壓之差后的值，且超過放電開始電壓。0056
然后，在掃描電極SCi與保持電極SUi之間引起保持放電，由此時發(fā) 生的紫外線使熒光體層35發(fā)光。而后，在掃描電極SCi上蓄積負(fù)的壁電 壓，在保持電極SUi上蓄積正的壁電壓。而且，在數(shù)據(jù)電極Dk上也蓄積正的壁電壓。在寫入期間Tw，在未進(jìn)行正邏輯寫入的放電單元中不發(fā)生 保持放電而保持了初始化期間Ti結(jié)束時的壁電壓。
0057
接著，向掃描電極SCl SCn施加0 (V)，向保持電極SUl SUn施加 保持脈沖電壓Vs。于是，在引起了保持放電的放電單元中，因?yàn)楸３蛛?極SUi上與掃描電極SCi上的電壓差超過放電開始電壓，故在保持電極 SUi與掃描電極SCi之間再次引起保持放電，在保持電極SUi上蓄積負(fù)的 壁電壓，在掃描電極SCi上蓄積正的壁電壓。以后同樣，通過向掃描電極 SCl SCn和保持電極SUl SUn交替地施加與亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)目的保持 脈沖，并將電位差給予到顯示電極對的電極間，從而在進(jìn)行了正邏輯寫入 的放電單元中繼續(xù)發(fā)生保持放電。0058
然后，在保持期間Ts的最后，向掃描電極SCl SCn施加上升傾斜波 形電壓，從而消除一直殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的掃描電極 SCi及保持電極SUi上的壁電壓。0059
在接下來的第2SF的初始化期間Ti，向保持電極SUl SUn施加電壓 Vel，向數(shù)據(jù)電極Dl Dm施加0 (V)，向掃描電極SCl SCn施加向電壓 Vi4緩慢下降的下降傾斜波形電壓。于是，在緊接之前的子域中發(fā)生了保 持放電的放電單元中，發(fā)生微弱的初始化放電，掃描電極SCi上及保持電 極SUi上的壁電壓變?nèi)酢Ａ硗?，相對于?shù)據(jù)電極Dk，由于通過緊接之前 的保持放電而在數(shù)據(jù)電極Dk上蓄積了充足的正的壁電壓，故該壁電壓過 剩的部分被放電，且被調(diào)整為適合于寫入動作的壁電壓。0060
另一方面，在緊接之前的子域中未引起保持放電的放電單元不會放 電，原樣保持前一子域的初始化期間結(jié)束時的壁電荷。這樣，第2SF的 初始化動作是對在緊接之前的子域的保持期間進(jìn)行了保持動作的放電單 元進(jìn)行選擇性初始化放電的動作。0061
由于接下來的寫入期間Tw的動作與第1SF的寫入期間Tw的動作相同，故省略說明。接下來的保持期間Ts的動作除了保持脈沖的數(shù)目不同 之外也與第1SF的保持期間Ts的動作相同。接下來的第3SF的動作除了 保持脈沖的數(shù)目不同之外也與第2SF的動作相同。而且，第4SF的初始 化期間Ti、寫入期間Tw的動作也與第2SF的動作相同。0062
然后，在第4SF的保持期間Ts中，與第1SF 第3SF的保持期間Ts 同樣，向掃描電極SCl SCn與保持電極SUl SUn交替施加與亮度權(quán)重 相應(yīng)的數(shù)目的保持脈沖，通過向顯示電極對的電極間給予電位差，從而在 進(jìn)行了正邏輯寫入的放電單元中繼續(xù)進(jìn)行保持放電。0063
然后，在第4SF的保持期間Ts的最后，向掃描電極SCl SCn施加保 持脈沖電壓Vs，并且在向保持電極SUl SUn施加0 (V)而引起了寫入 放電的放電單元中使保持放電發(fā)生。而后，在掃描電極SCi上蓄積負(fù)的壁 電壓，在保持電極SUi上蓄積正的壁電壓，還以在數(shù)據(jù)電極Dk上也蓄積 了正的壁電壓的狀態(tài)結(jié)束第4SF的保持期間Ts。0064
這樣，在第1子域組的最后的子域的保持期間Ts，不必消除掃描電 極SCi及保持電極SUi上的壁電壓，而以在掃描電極SCi上蓄積負(fù)的壁 電壓在保持電極SUi上蓄積正的壁電壓的狀態(tài)結(jié)束保持期間Ts。該壁電 壓用于在接下來的第2子域組的子域中使保持放電發(fā)生。0065
而且，在第4SF中未發(fā)生保持放電的放電單元的掃描電極SCi及保持 電極SUi上未蓄積有壁電壓。因此，在第4SF中未發(fā)生保持放電的放電 單元中，即使在接下來的第2子域組的第5SF 第11SF中也不會發(fā)生保持 放電。
0066
接著，利用圖7對屬于第2子域組的子域的驅(qū)動電壓波形進(jìn)行說明。 在屬于第2子域組的子域的寫入期間Tw中，對應(yīng)于4個顯示電極對組將 寫入期間Tw分為4個部分寫入期間(第1期間Twl、第2期間Tw2、第 3期間Tw3、第4期間Tw4)。然后，在部分寫入期間與接下來的部分寫入期間之間分別設(shè)置用于補(bǔ)充壁電荷的補(bǔ)充期間Tr。0067
在第5SF的寫入期間Tw的第1期間Twl中，向保持電極SUl SUn 施加電壓Ve2，向掃描電極SCl SCn施加電壓Vc。然后，向第1行的 掃描電極SCl施加掃描脈沖電壓Va并且向不使數(shù)據(jù)電極Dl Dm中的第 1行發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dh (h=l~m)施加寫入脈沖電壓Vd。于 是在數(shù)據(jù)電極Dh與掃描電極SC1之間及保持電極SU1與掃描電極SC1 之間引起寫入放電，消除掃描電極SC1上的壁電壓及保持電極SU1上的 壁電壓。而且，所謂壁電壓的消除意味著在后述的保持期間以不發(fā)生保持 放電的程度壁電壓被消弱。0068
直到屬于第1顯示電極對組的第270行的放電單元為止進(jìn)行以上的逆 邏輯寫入。而且，能夠設(shè)置為此時的逆邏輯寫入動作的放電延遲時間也短 且掃描脈沖寬度及寫入脈沖寬度比以往的脈沖窄，能夠進(jìn)行穩(wěn)定且高速的 寫入動作。0069
在接下來的補(bǔ)充期間Tr，首先向掃描電極SCl SCn施加0 (V)，向 保持電極SUl SUn施加保持脈沖電壓Vs。于是，在緊接之前的第4SF 中發(fā)生保持放電且在第5SF的第1期間Twl未進(jìn)行逆邏輯寫入的放電單 元中，在掃描電極SCi與保持電極SUi之間發(fā)生放電。在補(bǔ)充期間Tr中 的這些放電(以下，稱為"補(bǔ)充放電")是與保持放電同樣的放電，在發(fā) 生了補(bǔ)充放電的放電單元的數(shù)據(jù)電極上補(bǔ)充了正的壁電荷。接著，向掃描 電極SCl SCn施加保持脈沖電壓Vs，向保持電極SUl SUn施加O(V)。 于是，再次在掃描電極SCi與保持電極SUi之間發(fā)生補(bǔ)充放電。0070
在接下來的第2期間Tw2，利用屬于第2顯示電極對組的第271行 第540行的放電單元進(jìn)行逆邏輯寫入動作。然后，在接下來的補(bǔ)充期間 Tr使補(bǔ)充放電發(fā)生，并補(bǔ)充數(shù)據(jù)電極上的壁電荷。在接下來的第3期間 Tw3，利用屬于第3顯示電極對組的第541行 第810行的放電單元進(jìn)行 逆邏輯寫入動作。然后，在接下來的補(bǔ)充期間Tr，使補(bǔ)充放電發(fā)生而補(bǔ)充壁電荷。在接下來的第4期間Tw4，利用屬于第4顯示電極對組的第 811行 第1080行的放電單元進(jìn)行逆邏輯寫入動作。以上，結(jié)束第5SF 的寫入期間Tw。0071
確認(rèn)了本實(shí)施方式中的面板10若進(jìn)行電荷保持性能高的逆邏輯寫入 則壁電荷減少。假設(shè)不設(shè)置補(bǔ)充期間Tr而連續(xù)進(jìn)行了 n行份的逆邏輯寫 入動作，則隨著壁電荷的減少，壁電壓降低，從而掃描脈沖電壓Va及寫 入脈沖電壓Vd的電壓必須上升。但是，在本實(shí)施方式中，由于按照每進(jìn) 行1/4行份的逆邏輯寫入，設(shè)置有補(bǔ)充期間Tr而補(bǔ)充了數(shù)據(jù)電極上的壁 電荷，故壁電壓不會大幅度降低，從而能夠?qū)呙杳}沖電壓Va及寫入脈 沖電壓Vd的電壓設(shè)定得較低。0072
在接下來的保持期間Ts，首先向掃描電極SCl SCn施加0 (V)，并 且向保持電極SUl SUn施加正的保持脈沖電壓Vs。于是，在緊接之前的 子域中發(fā)生保持放電且未進(jìn)行逆邏輯寫入的放電單元中發(fā)生保持放電且 放電單元發(fā)光。然后，在掃描電極SCi上蓄積正的壁電壓，在保持電極 SUi上蓄積負(fù)的壁電壓。而且，在緊接之前的子域中未發(fā)生保持放電的放 電單元或在寫入期間進(jìn)行了逆邏輯寫入的放電單元中不發(fā)生保持放電。0073
接著，向掃描電極SCl SCn施加保持脈沖電壓Vs，向保持電極 SUl SUn施加0 (V)。于是，在引起了保持放電的放電單元中，由于掃 描電極SCi上與保持電極SUi上的電壓差超過放電齊始電壓，故再次引 起保持放電，在掃描電極SCi上蓄積負(fù)的壁電壓，在保持電極SUi上蓄 積正的壁電壓。0074
以后同樣，向保持電極SUl SUn和掃描電極SCl SCn交替地施加與 亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)目的保持脈沖，通過在顯示電極對的電極間給予電位 差，從而在寫入期間未引起寫入放電的放電單元中持續(xù)進(jìn)行保持放電。0075
對于接下來的第6SF 第HSF的動作而言，除了保持面板的數(shù)目以外與第5SF的動作相同。
0076
而且，在本實(shí)施方式中，施加到掃描電極SCl SCn上的電壓Vil是 120 (V)，電壓Vi2是350 (V)，電壓Vi3是210 (V)，電壓Vi4是一105 (V)，電壓Vc是O (V)，電壓Va是一120 (V)，電壓Vs是210 (V)， 施加到保持電極SUl SUn上的電壓Vel是一140(V)，電壓Ve是50(V)， 電壓Vs是210 (V)，施加到數(shù)據(jù)電極Dl Dm上的電壓Vd是60 (V)。 另外，施加到掃描電極SCl SCn上的上升傾斜波形電壓的傾斜為1.0V/|li， 下降傾斜波形電壓的傾斜為一1.3 V/>。另外，掃描脈沖的脈沖寬度及寫 入脈沖的脈沖寬度都是l.Op。但是，這些電壓值并不限定于上述的值， 也可以基于面板的放電特性或等離子顯示裝置的規(guī)格來最合理地設(shè)置。0077
如上述的說明，本實(shí)施方式中的面板10的保護(hù)層26構(gòu)成為基底保 護(hù)層26a，其采用含有氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中至少一個的金 屬氧化物的薄膜形成；和粒子層26b，其使陰極發(fā)光的發(fā)光光譜的 200nm 300nm的峰值與300nm 550nm的峰值之比為2以上的氧化鎂的 單晶粒子27附著在基底保護(hù)層26a上而形成。因此，面板10其電子放出 性能及電荷保持性能良好。并且，面板驅(qū)動電路將構(gòu)成1場期間的多個子 域分為2個子域組，在屬于第1子域組的子域中，具有形成用于發(fā)生寫入 放電的壁電荷的初始化期間、形成用于使保持放電發(fā)生的壁電荷的寫入期 間、和使保持放電發(fā)生而使放電單元發(fā)光的保持期間，并利用正邏輯寫入 進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動。另外，在屬于第2子域組的子域中，具有消除用于保持放 電的壁電荷的寫入期間和使保持放電發(fā)生而使放電單元發(fā)光的保持期間， 并利用逆邏輯寫入進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動。0078
這樣，在本實(shí)施方式中，運(yùn)用電子放出性能高且可進(jìn)行高速驅(qū)動的面 板10的性能來縮短寫入期間，充分確保進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動的第2子域組的子 域數(shù)目，從而實(shí)現(xiàn)了不發(fā)生偽輪廓的圖像顯示?？傊?，通過兼用進(jìn)行隨機(jī) 驅(qū)動的第l子域組，從而實(shí)現(xiàn)了平滑的灰度顯示。另外，在屬于第2子域 組的子域中，由于與多個顯示電極對組對應(yīng)而將寫入期間劃分為多個部分寫入期間，并設(shè)置用于在1個部分寫入期間與下一個部分寫入期間之間補(bǔ) 充壁電荷的補(bǔ)充期間而補(bǔ)充了數(shù)據(jù)電極上的壁電荷，因此能夠?qū)呙杳}沖
電壓Va及寫入脈沖電壓Vd的電壓設(shè)定得較低。0079
而且，在本實(shí)施方式中，對以下情形進(jìn)行了說明將1場分割為11
個子域(第1SF、第2SF、……、第11SF)，各子域分別具有(8、 4、 2、 1、 16、 20、 26、 32、 40、 48、 58)的亮度權(quán)重，第1SF 第4SF是使用 正邏輯寫入進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動的第1子域組，第5SF 第11SF是使用逆邏輯 寫入進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動的第2子域組。但是，子域數(shù)目、亮度權(quán)重等的子域結(jié) 構(gòu)并不局限于此，優(yōu)選根據(jù)面板的特性、等離子顯示裝置的規(guī)格等最合理 地設(shè)置。
0080
另外，在本實(shí)施方式中，作為在各子域的保持期間向顯示電極對施加 保持脈沖進(jìn)行了說明。但是，也可以具備具有利用不施加保持脈沖的保持 期間的子域，即、向顯示電極對不施加保持脈沖，而向掃描電極SC1 SCn施加保持脈沖電壓Vs并且向保持電極SUl SUn施加0 (V)而引起 了寫入放電的放電單元來消除壁電荷的保持期間的子域。由此，即使暗的 圖像也能夠進(jìn)行平滑的圖像顯示。畫1
在本實(shí)施方式中，以亮度權(quán)重單調(diào)減少的方式配置屬于第1子域組的 子域。本發(fā)明并不局限于此，但是發(fā)明者們實(shí)驗(yàn)性確認(rèn)了通過以亮度權(quán)重 單調(diào)減少的方式配置子域從而使寫入放電的放電延遲施時間縮短。0082
接著，對用于在本實(shí)施方式中說明的使驅(qū)動電壓波形發(fā)生的驅(qū)動電路 的一例進(jìn)行說明。0083
圖8是本發(fā)明的方式中的等離子顯示裝置100的電路框圖。等離子顯 示裝置100具備面板10和面板驅(qū)動電路。面板驅(qū)動電路具備圖像信號 處理電路41、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動電路42、掃描電極驅(qū)動電路43、保持電極驅(qū) 動電路44、定時發(fā)生電路45及提供給各電路塊所需電源的電源電路(未圖示)。
0084
圖像信號處理電路41將所輸入的圖像信號變換為表示每個子域的發(fā) 光/不發(fā)光的圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)電極驅(qū)動電路42將每個子域的圖像數(shù)據(jù)變換 為與各數(shù)據(jù)電極Dl Dm對應(yīng)的信號并驅(qū)動各數(shù)據(jù)電極Dl Dm。定時發(fā) 生電路45發(fā)生以水平同步信號及正交同步信號為基準(zhǔn)來發(fā)生控制各電路 塊的動作的各種定時信號，并提供給每個電路塊。掃描電極驅(qū)動電路43 根據(jù)定時信號分別驅(qū)動各掃描電極SCl SCn，保持電極驅(qū)動電路44基于 定時信號來驅(qū)動保持電極SUl SUn。
0085
圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置100的掃描電極驅(qū)動電 路43及保持電極驅(qū)動電路44的電路圖。0086
掃描電極驅(qū)動電路43具備保持脈沖發(fā)生電路50、初始化波形發(fā)生 電路60、及掃描脈沖發(fā)生電路70。保持脈沖發(fā)生電路50具有用于向掃 描電極SCl SCn施加電壓Vs的開關(guān)元件Q55、用于向掃描電極SCl SCn 施加O (V)的開關(guān)元件Q56、和對用于向掃描電極SCl SCn施加保持脈 沖時的功率進(jìn)行回收的功率回收部59。初始化波形發(fā)生電路60具有用 于向掃描電極SCl SCn施加上升傾斜波形電壓的密勒積分電路61;和用 于向掃描電極SCl SCn施加下降傾斜波形電壓的密勒積分電路62。而且， 開關(guān)元件Q63及開關(guān)元件Q64是為了防止經(jīng)由其他的開關(guān)元件的寄生二 極管等使電流反向流動而設(shè)置的。掃描脈沖發(fā)生電路70具有浮動的電 源E71;用于向每一個掃描電極SCl SCn施加浮動的電源E71的高壓側(cè) 的電壓或低壓側(cè)的電壓的開關(guān)元件Q72Hl Q72Hn、 Q72Ll Q72Ln;和使 浮動的電源E71的低壓側(cè)的電壓固定于電壓Va的開關(guān)元件Q73。0087
保持電極驅(qū)動電路44具備保持脈沖發(fā)生電路80、初始化/寫入電壓 發(fā)生電路90。保持脈沖發(fā)生電路80具有用于向保持電極SUl SUn施 加電壓Vs的開關(guān)元件Q85;用于向保持電極SUl SUn施加0 (V)的開 關(guān) 件Q86;和用于回收向保持電極SUl SUn施加保持脈沖時的功率的功率回收部89。初始化/寫入電壓發(fā)生電路90具有用于向保持電極
SUl SUn施加電壓Vel的開關(guān)元件Q92及二極管D92;和用于向保持電極SUl SUn施加電壓Ve2的開關(guān)元件Q94及二極管D94。0088
而且，這些開關(guān)元件能夠利用MOSFET或IGBT等一般公知的元件進(jìn)行構(gòu)成。另外，這些開關(guān)元件是通過與在定時發(fā)生電路45所發(fā)生的每一個開關(guān)元件對應(yīng)的定時信號來進(jìn)行控制的。0089
而且，圖9示出的驅(qū)動電路是使圖6及圖7示出的驅(qū)動電壓波形發(fā)生的電路結(jié)構(gòu)的一例，本發(fā)明的等離子顯示裝置并不局限于該電路結(jié)構(gòu)。0090
另外，在本實(shí)施方式中所使用的具體的各數(shù)值僅僅是舉出的一例，也可以配合面板的特性或等離子顯示裝置的規(guī)格等來設(shè)置為最佳值。(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)0091
本發(fā)明的等離子顯示裝置由于進(jìn)行高速且穩(wěn)定的寫入動作且能夠顯示良好的圖像顯示品質(zhì)的圖像，其中良好的圖像顯示品質(zhì)不會發(fā)生擬輪廓且能夠顯示平滑的灰度，因此作為顯示裝置是有益的。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，具備等離子顯示面板，其將在第1玻璃基板上形成顯示電極對并以覆蓋所述顯示電極對的方式形成電介質(zhì)層且在所述電介質(zhì)層上形成了保護(hù)層的前面板與在第2玻璃基板上形成了數(shù)據(jù)電極的背面板對置配置，從而在所述顯示電極對與所述數(shù)據(jù)電極對置的位置上形成了放電單元；和面板驅(qū)動電路，其在時間上配置多個子域而構(gòu)成1場期間來驅(qū)動所述等離子顯示面板，其特征在于，所述保護(hù)層構(gòu)成為基底保護(hù)層，其由含有氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中至少一種的金屬氧化物的薄膜而形成；和粒子層，其使陰極發(fā)光的發(fā)光光譜的200nm～300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度為300nm～550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的2倍以上的氧化鎂的單晶粒子附著在所述基底保護(hù)層上而形成，所述面板驅(qū)動電路構(gòu)成為在具備多個子域的第1子域組之后，其中，該子域具有形成用于使寫入放電發(fā)生的壁電荷的初始化期間、形成用于使保持放電發(fā)生的壁電荷的寫入期間、和使保持放電發(fā)生來使所述放電單元發(fā)光的保持期間，在時間上配置具備多個子域的第2子域組，其中，該子域具有消除用于使保持放電發(fā)生的壁電荷的寫入期間、和使保持放電發(fā)生來使所述放電單元發(fā)光的保持期間，從而構(gòu)成1場期間來驅(qū)動所述等離子顯示面板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于， 所述面板驅(qū)動電路構(gòu)成為將所述顯示電極對分為多個顯示電極對組，在屬于第2子域組的子域 的寫入期間，與所述多個顯示電極對組相對應(yīng)地將所述寫入期間分為多個 部分寫入期間，在一個部分寫入期間與下一個部分寫入期間之間設(shè)置用于 補(bǔ)充壁電荷的補(bǔ)充期間，來驅(qū)動所述等離子顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示裝置。其中，等離子顯示裝置的保護(hù)層構(gòu)成為由金屬氧化物的薄膜形成的基底保護(hù)層；和使陰極發(fā)光的發(fā)光光譜的200nm～300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度為300nm～550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的2倍以上的氧化鎂的單晶粒子附著在基底保護(hù)層上而形成的粒子層，面板驅(qū)動電路在具備具有初始化期間(Ti)、形成用于使保持放電發(fā)生的壁電荷的寫入期間(Tw)、保持期間(Ts)的多個子域的第1子域組之后，在時間上配置具備具有消除使保持放電發(fā)生的壁電荷的寫入期間(Tw)和保持期間(Ts)的多個子域的第2子域組，從而構(gòu)成1場期間來驅(qū)動面板。
文檔編號G09G3/291GK101681771SQ20098000032
公開日2010年3月24日 申請日期2009年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者寺內(nèi)正治, 村田充弘, 淺野洋, 若林俊一, 過田卓司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社