專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的等離子顯示裝置具備面板，將在第一玻璃基板上形成顯示電極對、 且按照覆蓋顯示電極對的方式形成電介質(zhì)層、并在電介質(zhì)層上形成了保護(hù)層的前面板，與 在第二玻璃基板上形成了數(shù)據(jù)電極的背面板對置配置，在顯示電極對與數(shù)據(jù)電極對置的位
置形成了放電單元；和面板驅(qū)動電路，按時間配置多個子場，構(gòu)成一個場期間，對面板進(jìn)行 驅(qū)動，所述子場具有在放電單元中發(fā)生初始化放電的初始化期間、發(fā)生寫入放電的寫入期 間和發(fā)生維持放電的維持期間；其中，面板驅(qū)動電路構(gòu)成為，具有在寫入期間中或初始化期 間與寫入期間之前設(shè)置了使所有的放電單元發(fā)生寫入放電的期間的子場，并以規(guī)定的時間 間隔插入該子場，來驅(qū)動面板。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式中的面板的構(gòu)造的分解立體圖。
圖2是表示氙分壓與發(fā)光亮度的關(guān)系的圖。 圖3是表示本發(fā)明的實施方式中的面板的前面板構(gòu)成的剖面圖。
圖4是表示該面板中使用的單晶粒子的發(fā)光光譜的圖。 圖5是表示該面板中使用的單晶粒子的發(fā)光光譜的峰值之比與放電延遲時間的 關(guān)系的圖。 圖6是表示該面板的前面板的其他構(gòu)成的剖面圖。
圖7是表示該面板的電極排列的圖。 圖8是為了進(jìn)行圖像顯示而對該面板的各電極施加的驅(qū)動電壓波形圖。 圖9是為了進(jìn)行剩余電荷消除動作而對該面板的各電極施加的驅(qū)動電壓波形圖。 圖10是為了進(jìn)行剩余電荷消除動作而對本發(fā)明的其他實施方式中的面板的各電
極施加的驅(qū)動電壓波形圖。 圖11是本發(fā)明的實施方式中的等離子顯示裝置的電路模塊圖。
圖12是該等離子顯示裝置的掃描電極驅(qū)動電路及維持電極。 圖中10-面板，20-前面板，21-(第一)玻璃基板，22-掃描電極，22a、23a-透明電 極，22b、23b-總線電極，23-維持電極，24-顯示電極對，25-電介質(zhì)層，26-保護(hù)層，26a_基 底保護(hù)層，26b-粒子層，27-單晶粒子，30-背面板，31-(第二 )玻璃基板，32-數(shù)據(jù)電極， 34-隔壁，35-熒光體層，41-圖像信號處理電路，42-數(shù)據(jù)電極驅(qū)動電路，43-掃描電極驅(qū)動 電路，44-維持電極驅(qū)動電路，45-定時發(fā)生電路，50、80-維持脈沖發(fā)生電路，60_初始化波形發(fā)生電路，70-掃描脈沖發(fā)生電路，100-等離子顯示裝置。
具體實施例方式
下面，利用附圖，對本發(fā)明的一個實施方式中的等離子顯示裝置進(jìn)行說明。
(實施方式) 圖1是表示本發(fā)明的實施方式中的面板構(gòu)造的分解立體圖。面板10其前面板20 與背面板30對置配置，通過低熔點玻璃的密封材料密封了其外周部。在面板IO內(nèi)部的放 電空間15中，封入有含有氙的放電氣體。 在前面板20的玻璃基板(第一玻璃基板)21上，由掃描電極22及維持電極23構(gòu) 成的顯示電極對24平行地配置有多個。掃描電極22由透明電極22a和形成在透明電極 22a上的總線電極22b構(gòu)成，其中所述透明電極22a由銦錫氧化物或氧化錫等形成。同樣， 維持電極23由透明電極23a和形成于其上的總線電極23b構(gòu)成?？偩€電極22b、總線電極 23b的設(shè)置目的在于，沿透明電極22a、透明電極23a的長度方向賦予導(dǎo)電性，由以銀為主要 成分的導(dǎo)電性材料形成。在玻璃基板21上，按照覆蓋顯示電極對24的方式形成有電介質(zhì) 層25，并且在該電介質(zhì)層25上形成有以氧化鎂為主要成分的保護(hù)層26。電介質(zhì)層25通過 利用絲網(wǎng)印刷、模涂(die coating)等方法涂敷以氧化鉛或氧化鉍或者氧化磷為主要成分 的低熔點玻璃等，并進(jìn)行燒制而形成。 而且，在背面板30的玻璃基板(第二玻璃基板)31上，沿著與顯示電極對24正交 的方向相互平行地配置有多個數(shù)據(jù)電極32，由電介質(zhì)層33對其被覆。并且，在電介質(zhì)層33 上形成有隔壁34。在電介質(zhì)層33上及隔壁34的側(cè)面，形成有在紫外線的作用下分別發(fā)出 紅色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層35。這里，在顯示電極對24與數(shù)據(jù)電極32交叉的位置形 成放電單元，具有紅色、綠色、藍(lán)色熒光體層35的一組放電單元成為彩色顯示用的像素。另 外，電介質(zhì)層33不是必須的，也可以采用省略了電介質(zhì)層33的構(gòu)成。 在本實施方式中，使用了氖與氙的混合氣體作為放電氣體。而且，為了提高面板的 發(fā)光效率及亮度，將氙的分壓設(shè)定為24kPa。圖2是表示氙分壓與發(fā)光亮度的關(guān)系的圖。分 別試制了氙分壓為6kPa、9kPa、24kPa的面板，并對以相同的驅(qū)動條件驅(qū)動這些試制面板時 的亮度進(jìn)行了比較。結(jié)果，氙分壓為24kPa的面板的發(fā)光亮度與氙分壓為6kPa的以往面板 相比，得到了大致2倍的亮度。這表示了發(fā)光效率也大致成為2倍。在本實施方式中，為了 獲得以往面板的2倍左右的發(fā)光效率，將氙分壓設(shè)定為24kPa。 但是如上所述，若提高氙分壓，則雖然發(fā)光效率上升，但放電延遲時間變長，存在 著難以實現(xiàn)高速驅(qū)動的問題。在本實施方式中，對面板的保護(hù)層26采取措施，從而能夠抑 制放電延遲、實現(xiàn)高速驅(qū)動。 圖3是表示本發(fā)明的實施方式中的面板10的前面板20的構(gòu)成的剖面圖，與圖1 所示的前面板20上下顛倒進(jìn)行了表示。在玻璃基板21上形成有由掃描電極22和維持電 極23構(gòu)成的顯示電極對24，并按照覆蓋顯示電極的方式形成有電介質(zhì)層25。
而且，在電介質(zhì)層25上形成有保護(hù)層26。下面，針對保護(hù)層26的詳細(xì)情況進(jìn)行說 明。為了保護(hù)電介質(zhì)層25不受離子沖擊、并改善很大程度左右著驅(qū)動速度的電子釋放性能 和電荷保持性能，保護(hù)層26由形成在電介質(zhì)層25上的基底保護(hù)層26a、和形成在基底保護(hù) 層26a上的粒子層26b構(gòu)成。
5
基底保護(hù)層26a是通過濺射法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成的厚度為 0. 3 ii m 1 ii m的氧化鎂薄膜層。 粒子層26b通過對氧化鎂前體進(jìn)行燒制而形成，是在基底保護(hù)層26a上附著了平 均粒徑為0. 3 m 4 m的具有比較均勻的粒徑分布的氧化鎂單晶粒子27的層。其中，圖 3中對單晶粒子27進(jìn)行了放大表示。單晶粒子27不需要形成為覆蓋基底保護(hù)層26a的整 個面，只要按被覆率1% 30%以島狀形成在基底保護(hù)層26a上即可。單晶粒子27的形狀 基本上為正6面體形或正8面體形，但也可以因制造上的偏差等而多少發(fā)生些變形。另外， 也可以是正6面體形或正8面體形的頂點及棱線被切除而具備切頂面及斜方面，具備被由 (100)面及(111)面構(gòu)成的特定兩種取向面、或由(100)面、(110)面及(111)面構(gòu)成的特 定三種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造的形狀。 通過這樣由基底保護(hù)層26a、和形成在基底保護(hù)層26a上的粒子層26b構(gòu)成保護(hù)層 26，可以實現(xiàn)具有電子釋放性能和電荷保持性能出色的保護(hù)層26的面板10。
本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，對單晶粒子的陰極場致發(fā)光進(jìn)行調(diào)查，可以根據(jù)發(fā)光光譜評價 單晶粒子的特性、尤其可以評價電子釋放性能。圖4是表示本發(fā)明的實施方式中的面板所 使用的單晶粒子27的發(fā)光光譜的圖。圖4中為了比較，還表示了以氣相氧化法在基底保 護(hù)層上生成的氧化鎂的單晶粒子的發(fā)光光譜。本實施方式中的單晶粒子27的發(fā)光光譜在 200nm 300nm中具有發(fā)光強(qiáng)度大的峰值，在300nm 550nm中具有小的峰值。另一方面， 對于由氣相氧化法生成的單晶粒子的發(fā)光光譜而言，200nm 300nm的發(fā)光強(qiáng)度的峰值、和 300nm 550nm的發(fā)光強(qiáng)度的峰值都是小的峰值。 發(fā)明者們?yōu)榱岁P(guān)注這兩個峰值的發(fā)光強(qiáng)度，調(diào)查200nm 300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng) 度相對于300nm 550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的比率(以下簡記為"峰值之比PK")、與電子 釋放性能的關(guān)系，試制了峰值之比PK的值不同的面板，進(jìn)行了放電延遲時間的測定。圖5 是表示本發(fā)明的實施方式中的面板所使用的單晶粒子27的發(fā)光光譜的峰值之比PK、與放 電延遲時間Td的關(guān)系的圖。橫軸為峰值之比PK，計算出200nm以上小于300nm的發(fā)光光 譜的積分值、與300nm以上小于550nm的發(fā)光光譜的積分值的比值，設(shè)為峰值之比PK?？v 軸是以峰值之比PK近似為"0"時的放電延遲時間將放電延遲時間規(guī)一化之后的值TS。因 此，越是該值TS小的面板，越表示電子釋放性能出色。由此可知，如果發(fā)光光譜的峰值之比 PK為"2"以上、即陰極場致發(fā)光的發(fā)光光譜的200nm 300nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度，如果為 300nm 550nm的峰值的發(fā)光強(qiáng)度的2倍以上，則規(guī)一化之后的放電延遲時間TS為"0. 2" 以下，大致恒定，顯示出出色的電子釋放性能。
上述的單晶粒子27可以通過液相法生成。 具體而言，例如通過向純度為99. 95%以上的醇鎂或乙酰丙酮鎂的水溶液中添加 少量的酸，進(jìn)行加水分解，來制成氫氧化鎂的凝膠。然后，通過在空氣中對該凝膠進(jìn)行燒制 使其脫水，來生成單晶粒子27的粉體。 作為燒制溫度，優(yōu)選在70(TC 180(TC的范圍中設(shè)定。其原因在于，在小于70(TC 的情況下，結(jié)晶面不夠發(fā)達(dá)、缺陷增多，而如果燒制溫度過高，則會發(fā)生氧缺損，氧化鎂結(jié)晶 的缺陷增多。 這樣，本實施方式的粒子層26b通過在基底保護(hù)層26a上附著發(fā)光光譜的 200nm 300mm的峰值、與300nm 550nm的峰值之比K為"2"以上的單晶粒子27而構(gòu)成。由此，實現(xiàn)了同時具備穩(wěn)定良好的電子釋放性能和電荷保持性能、并能夠高速驅(qū)動的面板 10。 另外，作為粒子層26b，不限定于上述的構(gòu)成，只要能夠?qū)崿F(xiàn)同時具備電子釋放性 能和電荷保持性能的保護(hù)層26即可，也可以是其他的構(gòu)成。圖6是表示本發(fā)明的實施方式 中的面板10的前面板20的其他構(gòu)成的剖面圖。表示了其他的粒子層26b的構(gòu)造。圖6所 示的粒子層26b通過將凝集了多個氧化鎂的單晶粒子27而成的凝集粒子28，遍布基底保護(hù) 層26a的整個面近似均勻地分布使其離散地附著而構(gòu)成。其中，圖6中放大表示了凝集粒 子28。凝集粒子28是單晶粒子27如此凝集或頸縮的狀態(tài)的粒子，在靜電力或范德瓦耳斯 力等的作用下，由多個單晶粒子27構(gòu)成集合體。作為單晶粒子27，優(yōu)選是具有14面體或 12面體等7面以上的面，具備粒徑為0. 9 ii m 2. 0 ii m左右的多面體形狀的粒子。而作為 凝集粒子28，優(yōu)選是凝集了 2個 5個單晶粒子27的粒子，作為凝集粒子28的粒徑，優(yōu)選 為0. 3 ii m 5 ii m左右。通過這樣的構(gòu)成，也能夠?qū)崿F(xiàn)同時具有穩(wěn)定良好的電子釋放性能 和電荷保持性能、并能夠高速驅(qū)動的面板10。 圖7是表示本發(fā)明的實施方式中的面板10的電極排列的圖。在面板10中，排列 有沿行(line)方向伸長的n根掃描電極SCl SCn(圖1的掃描電極22)及n根維持電 極SU1 SUn(圖1的維持電極23)，并排列有沿列方向伸長的m根數(shù)據(jù)電極Dl Dm(圖1 的數(shù)據(jù)電極32)。而且，在一對掃描電極SCi (i = 1 n)及維持電極SUi與一個數(shù)據(jù)電極 Dj(j = 1 m)交叉的部分形成放電單元，放電單元在放電空間內(nèi)形成有mXn個。如果是 在高精細(xì)度等離子顯示裝置中使用的面板，則例如m二 1920X3 = 5760、 n = 1080。
接著，對本發(fā)明的實施方式中的面板10的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。使用按時間配置多 個子場來構(gòu)成一個場期間的子場法，來驅(qū)動面板10。即，通過將一個場期間分割成多個子 場，并按每個子場控制各放電單元的發(fā)光、不發(fā)光，由此進(jìn)行灰度顯示。各個子場具有初始 化期間、寫入期間及維持期間。 在初始化期間中發(fā)生初始化放電，在各電極上形成接下來的寫入放電所必須的壁 電荷。此時的初始化動作中包括在所有的放電單元中發(fā)生初始化放電的初始化動作(以 下簡稱為"所有單元初始化動作")、和在前一子場的維持期間進(jìn)行了維持放電的放電單元 中發(fā)生初始化放電的初始化動作(以下簡稱為"選擇初始化動作")。在寫入期間中，由應(yīng) 該發(fā)光的放電單元選擇性地發(fā)生寫入放電，形成壁電荷。然后，在維持期間中，對顯示電極 對交替施加按每個子場決定的規(guī)定數(shù)量的維持脈沖，在發(fā)生了寫入放電的放電單元中發(fā)生 維持放電、使其發(fā)光。 在本實施方式中，將一個場分割成10個子場(第一SF、第二SF、……、第十SF)， 在各子場的維持期間中，分別對顯示電極對施加(1 、2、3、6、 11 、 18、30、44、60、80)的數(shù)量的 維持脈沖。而且，對第一 SF是進(jìn)行所有單元初始化動作的子場，第二 SF 第十SF是進(jìn)行 選擇初始化動作的子場的情況進(jìn)行說明。但是，子場的數(shù)量、維持脈沖的數(shù)量等子場構(gòu)成不 限定于上述情況，優(yōu)選根據(jù)面板的特性、等離子顯示裝置的規(guī)格等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定為最佳。
在本實施方式中，為了抑制初始化期間中的誤放電，以規(guī)定的時間間隔進(jìn)行了在 所有的放電單元中發(fā)生寫入放電的動作(以下簡稱為"剩余電荷消除動作")。剩余電荷消 除動作的詳細(xì)內(nèi)容將在后面敘述，首先，對為了進(jìn)行圖像顯示而向各電極施加的驅(qū)動電壓 波形和面板的動作進(jìn)行說明。
圖8是為了進(jìn)行圖像顯示而對本發(fā)明的實施方式中的面板10的各電極施加的驅(qū) 動電壓波形圖，表示了第一 SF 第三SF中的驅(qū)動電壓。 在第一 SF的初始化期間中，在其前半部分對數(shù)據(jù)電極D1 Dm、維持電極SU1 SUn分別施加O(V)，對掃描電極SCI SCn施加從相對維持電極SU1 SUn為放電開始電 壓以下的Vil，朝向超過放電開始電壓的電壓Vi2緩慢上升的傾斜波形電壓。
在該傾斜波形電壓上升的期間，掃描電極SCI SCn、維持電極SU1 SUn與數(shù)據(jù) 電極Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。然后，在掃描電極SCI SCn上蓄積負(fù)的 壁電壓，并且，在數(shù)據(jù)電極D1 Dm上及維持電極SUl SUn上蓄積正的壁電壓。這里，該 電極上的壁電壓表示由在覆蓋電極的電介體層上、保護(hù)層上、熒光體層上等蓄積的壁電荷 產(chǎn)生的電壓。通過此時的初始化放電，可預(yù)料壁電壓在接下來的初始化期間的后半部分中 被最佳化，預(yù)先過量地蓄積了壁電壓。 在初始化期間后半部分，對維持電極SU1 SUn施加電壓Vel，對掃描電極SCI SCn施加從相對維持電極SU1 SUn成為放電開始電壓以下的電壓Vi3，朝向超過放電開 始電壓的電壓Vi4緩慢下降的傾斜波形電壓。該期間中，在掃描電極SC1 SCn、維持電極 SU1 SUn與數(shù)據(jù)電極Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。然后，掃描電極SC1 SCn上的負(fù)的壁電壓及維持電極SU1 SUn上的正的壁電壓被減弱，數(shù)據(jù)電極D1 Dm上的 正的壁電壓被調(diào)整為適合寫入動作的值。通過上述處理，完成了對所有放電單元進(jìn)行初始 化放電的所有單元初始化動作。 在接下來的寫入期間中，對維持電極SU1 SUn施加電壓Ve2，對掃描電極SC1 SCn施加電壓Vc。 接著，對第一行的掃描電極SC1施加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，并且對數(shù)據(jù)電極Dl Dm中應(yīng)在第一行發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dk(k二 1 m)施加正的寫入脈沖電壓Vd。此 時，數(shù)據(jù)電極Dk上與掃描電極SC1上的交叉部的電壓差，成為對外部施加電壓之差(Vd-Va) 加上了數(shù)據(jù)電極Dk上的壁電壓與掃描電極SCl上的壁電壓之差而得到的值，超過放電開始 電壓。然后，在數(shù)據(jù)電極Dk與掃描電極SC1之間、以及維持電極SU1與掃描電極SC1之間發(fā) 生寫入放電，在掃描電極SC1上蓄積了正的壁電壓，在維持電極SU1上蓄積了負(fù)的壁電壓， 在數(shù)據(jù)電極Dk上也蓄積了負(fù)的壁電壓。 這里，施加了掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd之后到發(fā)生寫入放電為止的時 間，是針對寫入放電的放電延遲時間。如果面板的電子釋放性能低、放電延遲時間增長，則 為了可靠地進(jìn)行寫入動作，需要將施加掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的時間、即掃描 脈沖寬度和寫入脈沖寬度設(shè)定得長，因此導(dǎo)致無法高速進(jìn)行寫入動作。另外，如果面板的電 荷保持性能低，則為了補(bǔ)償壁電壓的減少，需要將掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的電 壓值設(shè)定得高。但本實施方式中的面板10由于電子釋放性能高，所以，與以往的面板相比， 可以縮短掃描脈沖寬度及寫入脈沖寬度進(jìn)行設(shè)定，能夠穩(wěn)定高速地進(jìn)行寫入動作。而且，本 實施方式中的面板10由于電荷保持性能高，所以，與以往的面板相比，可以將掃描脈沖電 壓Va和寫入脈沖電壓Vd的電壓值設(shè)定得低。 這樣，可進(jìn)行在應(yīng)第一行發(fā)光的放電單元中引起寫入放電、在各電極上蓄積壁電 壓的寫入動作。另一方面，由于未被施加寫入脈沖電壓Vd的數(shù)據(jù)電極Dl Dm與掃描電極 SC1的交叉部的電壓沒有超過放電開始電壓，所以，不發(fā)生寫入放電。以上的寫入動作進(jìn)行到第n行的放電單元，然后寫入期間結(jié)束。 在接下來的維持期間中，首先對掃描電極SCI SCn施加正的維持脈沖電壓Vs， 并且，對維持電極SU1 SUn施加0 (V)。于是，在引起了寫入放電的放電單元中，掃描電極 SCi上與維持電極SUi上的電壓差，成為對維持脈沖電壓Vs加上了掃描電極SCi上的壁電 壓與維持電極SUi上的壁電壓之差而得到的值，超過放電開始電壓。 然后，在掃描電極SCi與維持電極SUi之間引起維持放電，熒光體層35通過此時 產(chǎn)生的紫外線而發(fā)光。而且，在掃描電極SCi上蓄積負(fù)的壁電壓，在維持電極SUi上蓄積正 的壁電壓。并且，在數(shù)據(jù)電極Dk上也蓄積正的壁電壓。在寫入期間沒有引起寫入放電的放 電單元中不發(fā)生維持放電，保持初始化期間結(jié)束時的壁電壓。 接著，對掃描電極SCI SCn施加0 (V)，對維持電極SUI SUn施加維持脈沖電壓 Vs。于是，在引起了維持放電的放電單元中，由于維持電極SUi上與掃描電極SCi上的電壓 差超過放電開始電壓，所以，再次在維持電極SUi與掃描電極SCi之間引起維持放電，在維 持電極SUi上蓄積負(fù)的壁電壓，在掃描電極SCi上蓄積正的壁電壓。 這樣，通過對掃描電極SCI SCn和維持電極SUI SUn交替施加規(guī)定數(shù)量的維 持脈沖，向顯示電極對的電極間賦予電壓差，能夠在寫入期間引起了寫入放電的放電單元 中繼續(xù)進(jìn)行維持放電。 然后，在維持期間的最后，對掃描電極SCI SCn與維持電極SUI SUn之間賦予 所謂窄幅脈沖狀的電壓差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除了掃描電 極SCi及維持電極SUi上的壁電壓。另外，也可以取代窄幅脈沖狀的電壓差而賦予傾斜波 形狀的電位差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除掃描電極SCi及維持 電極SUi上的壁電壓。 在第二 SF的初始化期間中，對維持電極SUI SUn施加電壓Ve 1 ，對數(shù)據(jù)電極Dl Dm施加O(V)，對掃描電極SCI SCn施加朝向電壓Vi4緩慢下降的傾斜電壓。于是，在之 前的子場的維持期間引起了維持放電的放電單元中發(fā)生微弱的初始化放電，掃描電極SCi 上及維持電極SUi上的壁電壓被削弱。另外，對于數(shù)據(jù)電極Dk而言，由于通過之前的維持 放電在數(shù)據(jù)電極Dk上蓄積了足夠的正的壁電壓，所以，該壁電壓的過剩部分被放電，調(diào)整 成適合于寫入動作的壁電壓。 另一方面，在之前的子場中沒有引起維持放電的放電單元不發(fā)生放電，原樣保持
之前的子場的初始化期間結(jié)束時的壁電荷。這樣，選擇初始化動作是對在前一子場的維持
期間中進(jìn)行了維持動作的放電單元，選擇性地進(jìn)行初始化放電的動作。 由于接下來的寫入期間的動作與第一 SF的寫入期間的動作相同，所以省略說明。
而且，除了維持脈沖的數(shù)量之外，維持期間的動作也與第一SF的維持期間相同。關(guān)于接下
來的第三 第十SF，除了維持脈沖的數(shù)量之外，也和第二 SF的動作相同。 接著，對本發(fā)明的特征、即剩余電荷消除動作進(jìn)行說明。圖9是為了進(jìn)行剩余電荷
消除動作而對本發(fā)明的實施方式中的面板10的各電極施加的驅(qū)動電壓波形圖，在第一 SF
中進(jìn)行了剩余電荷消除動作。而且，本實施方式中，以每大約IO秒一次的比例(每600個
場一次)插入了進(jìn)行剩余電荷消除動作的子場，圖9所示的驅(qū)動電壓波形被施加給面板的
各電極。 由于進(jìn)行剩余電荷消除動作的第一 SF的初始化期間的動作，與不進(jìn)行剩余電荷消除動作的第一 SF的初始化期間的動作相同，所以省略說明。 在進(jìn)行剩余電荷消除動作的第一 SF的寫入期間中，對維持電極SU1 SUn施加電 壓Ve2，對掃描電極SCl SCn施加電壓Vc。 接著，對第一行的掃描電極SCl施加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，并且與所顯示的圖像 無關(guān)地對所有的數(shù)據(jù)電極D1 Dm施加正的寫入脈沖電壓Vd。于是，所有的數(shù)據(jù)電極D1 Dm上與掃描電極SCl上的交叉部的電壓差，成為對外部施加電壓之差(Vd-Va)加上了數(shù)據(jù) 電極Dl Dm上的壁電壓與掃描電極SCl上的壁電壓之差而得到的值，超過放電開始電壓。 然后，在所有的數(shù)據(jù)電極D1 Dm與掃描電極SCl之間、以及維持電極SUl與掃描電極SC1 之間發(fā)生寫入放電，在掃描電極SC1上蓄積了正的壁電壓，在維持電極SU1上蓄積了負(fù)的壁 電壓，在數(shù)據(jù)電極Dl Dm上也蓄積了負(fù)的壁電壓。 這樣，在第一行的所有放電單元中發(fā)生寫入放電。以上的寫入動作進(jìn)行到第n行 的放電單元，然后進(jìn)行剩余電荷消除動作的寫入期間結(jié)束。另外，圖9所示的對數(shù)據(jù)電極 Dl Dm施加的驅(qū)動電壓波形等只是一例，只要是與所顯示的圖像無關(guān)地在所有的放電單 元中發(fā)生寫入放電的驅(qū)動電壓波形即可。 在接下來的維持期間中，不對掃描電極SCI SCn及維持電極SU1 SUn施加維 持脈沖，但向掃描電極SCI SCn與維持電極SU1 SUn之間賦予所謂窄幅脈沖狀的電壓 差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除掃描電極SCI SCn上及維持電 極SU1 SUn上的壁電壓。另外，這里也可取代窄幅脈沖狀的電壓差而賦予傾斜波形狀的 電壓差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除掃描電極SCI SCn上及維 持電極SU1 SUn上的壁電壓。 關(guān)于第二 SF 第十SF的動作，由于不進(jìn)行剩余電荷消除動作，所以與圖8所示的 第二SF 第十SF的動作同樣。 如以上說明那樣，在本實施方式中，對面板10的各電極施加圖8所示的驅(qū)動電壓 波形，進(jìn)行圖像顯示，以大約每IO秒一次的比率對該面板10的各電極施加圖9所示的驅(qū)動 電壓波形，進(jìn)行剩余電荷消除動作。這樣，通過以規(guī)定的時間間隔插入在寫入期間中使所 有的放電單元發(fā)生寫入放電的子場，對面板10進(jìn)行驅(qū)動，由此可以在不發(fā)生誤放電的情況 下，高速、穩(wěn)定地驅(qū)動高亮度、高發(fā)光效率的面板10。 下面對其理由進(jìn)行說明。伴隨所有單元初始化動作的誤放電，容易在氙分壓高的
面板中發(fā)生，而且容易在顯示暗的圖像時發(fā)生。尤其在長時間顯示黑色的區(qū)域、即長時間不 發(fā)生所有單元初始化動作以外的放電的放電單元的區(qū)域中容易發(fā)生，有時以幾十秒 幾分
鐘一次的比率發(fā)生縱條狀強(qiáng)烈的誤放電。 雖然該誤放電的原因沒有被完全弄清楚，但例如可以進(jìn)行下述的考慮。伴隨所有 單元初始化動作的放電，是由緩慢上升或下降的傾斜波形電壓引起的放電，是在掃描電極 22與維持電極23對置的放電間隙的附近局部存在的微弱放電。因此，在放電單元內(nèi)部的放 電間隙的附近，引起壁電荷的重新配置，從而壁電壓被控制。但是，遠(yuǎn)離放電間隙的部分的 壁電荷無法通過伴隨所有單元初始化動作的放電而被消除。而且，在遠(yuǎn)離放電間隙的部分， 隨著時間的經(jīng)過，不必要的電荷成為剩余電荷而蓄積?？梢哉J(rèn)為當(dāng)該剩余電荷蓄積到超過 規(guī)定的界限值時，它們被一次性放電，由此發(fā)生了誤放電。 在本實施方式中，以大約每10秒一次的比率在所有的數(shù)據(jù)電極Dl Dm與掃描電極SCI之間及維持電極SU1與掃描電極SCI之間發(fā)生寫入放電，消除了放電單元內(nèi)部的剩 余電荷。因此，即使剩余電荷蓄積到某一程度，由于在其超過界限值之前便被消除，所以不 會發(fā)生誤放電。而且，由于用于消除剩余電荷的放電與圖像顯示無關(guān)地發(fā)生，所以，為了極 力抑制此時的亮度，在進(jìn)行剩余電荷消除動作的第一 SF的維持期間不施加維持脈沖，消除 了掃描電極SCI SCn上及維持電極SU1 SUn上的壁電壓。 另外，在本實施方式中，對以大約每IO秒一次的比率，插入進(jìn)行剩余電荷消除動 作的子場的情況進(jìn)行了說明，但插入進(jìn)行剩余電荷消除動作的子場的頻度優(yōu)選根據(jù)面板的 放電特性等設(shè)定為最佳。 而且，在本實施方式中，說明了進(jìn)行剩余電荷消除動作的子場為第一 SF的情況， 但也可以在其他的子場中進(jìn)行剩余電荷消除動作。不過，為了不損害圖像顯示質(zhì)量，優(yōu)選在 維持脈沖數(shù)少的子場中進(jìn)行剩余電荷消除動作。 并且，在本實施方式中，使用一個子場(第一SF)整體的期間，進(jìn)行了消除剩余電 荷的動作，但也可以通過將進(jìn)行剩余電荷消除動作的期間(以下簡稱為"剩余電荷消除期 間")插入到任意一個子場中，來消除剩余電荷。圖io是為了進(jìn)行剩余電荷消除動作而對 本發(fā)明的其他實施方式中的面板10的各電極施加的驅(qū)動電壓波形圖，表示了在第一SF的 寫入期間之前插入了剩余電荷消除期間的驅(qū)動電壓波形圖。 由于具有剩余電荷消除期間的第一 SF的初始化期間的動作，與不具有剩余電荷 消除期間的第一 SF的初始化期間的動作相同，所以省略說明。 在接下來的剩余電荷消除期間中，對維持電極SU1 SUn施加電壓Ve2。然后，對 所有的掃描電極SCI SCn施加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，并且對所有的數(shù)據(jù)電極Dl Dm施 加正的寫入脈沖電壓Vd。于是，在所有的放電單元中引起消除剩余電荷的寫入放電，在掃描 電極SCI SCn上蓄積正的壁電壓，在維持電極SU1 SUn上蓄積負(fù)的壁電壓，在數(shù)據(jù)電極 Dl Dm上也蓄積負(fù)的壁電壓。 隨后，向掃描電極SCI SCn與維持電極SU1 SUn之間賦予所謂窄幅脈沖狀的 電壓差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除掃描電極SCl SCn上及維 持電極SU1 SUn上的壁電壓。另外，這里也可以取代窄幅脈沖狀的電壓差而賦予傾斜波 形狀的電壓差，在殘留了數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的狀態(tài)下，消除掃描電極SCl SCn 上及維持電極SU1 SUn上的壁電壓。 由于第一 SF的寫入期間以后的動作與不具有剩余電荷消除期間的第一 SF的寫入 期間以后的動作相同，所以省略說明。 另外，在上述的說明中，說明了對第一SF插入了剩余電荷消除期間的情況，但本 發(fā)明不限定于此，即使對其他的子場插入剩余電荷消除期間，也可以得到同樣的效果。
接著，對產(chǎn)生上述的驅(qū)動電壓來驅(qū)動面板的面板驅(qū)動電路的一例進(jìn)行說明。
圖11是本發(fā)明的實施方式中的等離子顯示裝置100的電路模塊圖。等離子顯示 裝置100具備面板IO和面板驅(qū)動電路。面板驅(qū)動電路具備圖像信號處理電路41、數(shù)據(jù)電 極驅(qū)動電路42、掃描電極驅(qū)動電路43、維持電極驅(qū)動電路44、定時發(fā)生電路45及對各電路 模塊供給所需要的電源的電源電路(未圖示)。 圖像信號處理電路41將被輸入的圖像信號轉(zhuǎn)換成表示每個子場的發(fā)光、不發(fā)光 的圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)電極驅(qū)動電路42將每個子場的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成與各數(shù)據(jù)電極D1 Dm對應(yīng)的信號，來驅(qū)動各數(shù)據(jù)電極Dl Dm。 定時發(fā)生電路45根據(jù)水平同步信號及垂直同步信號，按照以規(guī)定的時間間隔插 入在寫入期間中使所有的放電單元發(fā)生寫入放電的子場，或者以規(guī)定的時間間隔插入在寫 入期間之前插入了使所有的放電單元發(fā)生寫入放電期間的子場的方式，生成對各電路模塊 的動作進(jìn)行控制的各種定時信號，并提供給各個電路模塊。 掃描電極驅(qū)動電路43根據(jù)定時信號分別驅(qū)動各掃描電極SC1 SCn，維持電極驅(qū) 動電路44根據(jù)定時信號驅(qū)動維持電極SU1 SUn。 圖12是本發(fā)明的實施方式中的等離子顯示裝置100的掃描電極驅(qū)動電路43及維 持電極驅(qū)動電路44的電路圖。 掃描電極驅(qū)動電路43具備維持脈沖發(fā)生電路50、初始化波形發(fā)生電路60、和掃 描脈沖發(fā)生電路70。維持脈沖發(fā)生電路50具備用于對掃描電極SCl SCn施加電壓Vs的 開關(guān)元件Q55、用于對掃描電極SC1 SCn施加0(V)的開關(guān)元件Q56、和用于回收對掃描電 極SCl SCn施加維持脈沖時的電力的電力回收部59。初始化波形發(fā)生電路60具有用于 對掃描電極SC1 SCn施加上傾斜波形電壓的密勒積分電路61、和用于對掃描電極SC1 SCn施加下傾斜波形電壓的密勒積分電路62。其中，開關(guān)元件Q63及開關(guān)元件Q64的設(shè)置 目的在于，防止電流經(jīng)由其他開關(guān)元件的寄生二極管等逆流。掃描脈沖發(fā)生電路70具有 浮動電源E71、用于向掃描電極SCl SCn的每一個施加浮動電源E71的高壓側(cè)電壓或低壓 側(cè)電壓的開關(guān)元件Q72H1 Q72Hn、 Q72L1 Q72Ln、和將浮動電源E71的低壓側(cè)電壓固定 為電壓Va的開關(guān)元件Q73。 維持電極驅(qū)動電路44具備維持脈沖發(fā)生電路80、初始化/寫入電壓發(fā)生電路90。 維持脈沖發(fā)生電路80具有用于對維持電極SU1 SUn施加電壓Vs的開關(guān)元件Q85、用于 對維持電極SU1 SUn施加0 (V)的開關(guān)元件Q86、和用于回收對維持電極SU1 SUn施加 維持脈沖時的電力的電力回收部89。初始化/寫入電壓發(fā)生電路90具有用于對維持電 極SU1 SUn施加電壓Vel的開關(guān)元件Q92及二極管D92、用于對維持電極SU1 SUn施加 電壓Ve2的開關(guān)元件Q94及二極管D94。 其中，這些開關(guān)元件可以使用MOSFET或IGBT等一般公知的元件來構(gòu)成。而且，這 些開關(guān)元件基于由定時發(fā)生電路45產(chǎn)生的與各個開關(guān)元件對應(yīng)的定時信號被控制。
另外，圖12所示的驅(qū)動電路只是產(chǎn)生圖7所示的驅(qū)動電壓波形的電路構(gòu)成的一 例，本發(fā)明的等離子顯示裝置不限定于該電路構(gòu)成。 而且，本實施方式中使用的具體的各數(shù)值只不過是簡單地舉出的一例，優(yōu)選根據(jù)
面板的特性、等離子顯示裝置的規(guī)格等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定為最佳值。 工業(yè)上的可利用性 本發(fā)明的等離子顯示裝置由于可以進(jìn)行高速、穩(wěn)定的寫入動作，并能夠顯示質(zhì)量 優(yōu)異的圖像，所以作為顯示裝置是有用的。
權(quán)利要求
一種等離子顯示裝置，具備等離子顯示面板，將在第一玻璃基板上形成顯示電極對、且按照覆蓋所述顯示電極對的方式形成電介質(zhì)層、并在所述電介質(zhì)層上形成了保護(hù)層的前面板，與在第二玻璃基板上形成了數(shù)據(jù)電極的背面板對置配置，在所述顯示電極對與所述數(shù)據(jù)電極對置的位置形成了放電單元；和面板驅(qū)動電路，按時間配置多個子場，構(gòu)成一個場期間，對所述等離子顯示面板進(jìn)行驅(qū)動，所述子場具有在所述放電單元中發(fā)生初始化放電的初始化期間、發(fā)生寫入放電的寫入期間和發(fā)生維持放電的維持期間；其中，所述面板驅(qū)動電路構(gòu)成為具有在寫入期間中、或所述初始化期間與寫入期間之前設(shè)置了使所有所述放電單元發(fā)生寫入放電的期間的子場，并以規(guī)定的時間間隔插入該子場，來驅(qū)動所述等離子顯示面板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于， 所述規(guī)定的時間間隔為10秒以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在所述等離子顯示面板的前面板，保護(hù)層由形成在電介質(zhì)層上的基底保護(hù)層、和形成 在該基底保護(hù)層上的粒子層構(gòu)成，并且，所述粒子層是附著有氧化鎂的單晶粒子的層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置，具備等離子顯示面板和對面板進(jìn)行驅(qū)動的面板驅(qū)動電路，其中，面板驅(qū)動電路構(gòu)成為具有在寫入期間中或初始化期間與寫入期間之前設(shè)置了使所有的放電單元發(fā)生寫入放電的期間的子場，并以規(guī)定的時間間隔插入該子場(第一SF)，來驅(qū)動面板。
文檔編號G09G3/296GK101779228SQ20098010001
公開日2010年7月14日 申請日期2009年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者新井康弘, 村田充弘, 牧野弘康, 若林俊一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社