專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)EL器件是一種在陽極與陰極之間保持發(fā)光層的器件。電子和空穴分別從陰 極層和陽極層注入，并且在發(fā)光層復(fù)合，因此使得有機(jī)EL器件發(fā)射光。當(dāng)有機(jī)EL器件用作顯示監(jiān)視器的組件時(shí)，其電極層和有機(jī) 化合物部分(包括發(fā)光 層)的部分去除處理是不可缺少的，并且隨著近來的顯示裝置正獲取更高的清晰度，要求 去除處理提高精度。具體地通過避免機(jī)械接觸的處理方法(例如光照射)來實(shí)現(xiàn)構(gòu)成有機(jī)EL器件的 電極層和有機(jī)化合物層的部分去除處理。例如，日本專利申請?zhí)亻_No. 2002-124380公開了 一種方法，其中，由激光燒蝕去除玻璃基板和ITO薄膜上的有機(jī)化合物層。為了給出另一示例，日本專利申請?zhí)亻_No. 2004-140003公開了一種方法，其中， 使用激光燒蝕來對有機(jī)化合物層上放置的基于金屬的電極層執(zhí)行微加工。堆疊型有機(jī)EL顯示裝置將兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件層疊在一起，每一發(fā)光器件包 括有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層保持在至少兩個(gè)電極層之間，并且至少包括發(fā)光層。這 種類型的有機(jī)EL顯示裝置需要對電極層和有機(jī)化合物層執(zhí)行特殊處理。特殊處理的具體示例包括在各個(gè)有機(jī)化合物層中的期望點(diǎn)處形成開口，以使得 給定的有機(jī)化合物層通過與預(yù)先在基板上形成的TFT電路的基于像素的電連接而發(fā)射光。 這些示例還包括這樣的去除處理，該去除處理用于破壞電極層，從而一個(gè)像素中的電極層 與另一像素中的電極層分離。這種特殊處理在形成開口或去除一部分電極層的地方留有凹 陷。如果有機(jī)化合物層或電極層形成在產(chǎn)生這些凹陷的層上，并且然后使用在日本專 利申請?zhí)亻_No. 2002-124380或日本專利申請?zhí)亻_No. 2004-140003中描述的處理方法來對 具有凹陷的地方執(zhí)行去除處理，則可能出現(xiàn)以下問題。在處理有機(jī)化合物層的情況下，在凹陷上入射的激光在凹陷中受到非預(yù)期的折射 和散射，并且到達(dá)非預(yù)期的地方。這在執(zhí)行部分去除處理的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生了激光的能量密度分布的改變，可能的結(jié)果 是處理速率波動(dòng)到使得所處理的形狀偏離設(shè)計(jì)值的程度。例如，能量密度分布的改變可以使得給定有機(jī)化合物層的部分去除處理(形成所 謂的接觸孔)到達(dá)并不接受去除處理的電極層，因此導(dǎo)致非預(yù)期的布線損壞。在給定的電極層的去除處理的情況下，能量密度分布的改變可以使得處理到達(dá)并 不接受去除處理的有機(jī)化合物層，因此暴露出該有機(jī)化合物層之下的電極層。結(jié)果，如果在下一步驟中將不同的有機(jī)化合物層放置在其頂部，則取決于下面暴 露出的電極層的電位，并非意欲進(jìn)行光發(fā)射的所暴露出的、電極層之上的有機(jī)化合物層可 能發(fā)射光。
如上所述，堆疊型有機(jī)EL顯示裝置因此具有的問題在于非預(yù)期的去除處理，它是由沒有實(shí)現(xiàn)有機(jī)化合物層或電極層的均勻去除處理中所導(dǎo)致的，并且當(dāng)像素的鄰近像素發(fā) 射光時(shí)導(dǎo)致該像素中的短路或非預(yù)期的光發(fā)射。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種堆疊型有機(jī)EL顯示裝置及其制造方法，其中，在 電極層或有機(jī)化合物層的部分去除處理期間保持處理均勻性。根據(jù)本發(fā)明，提供一種有機(jī)EL顯示裝置，包括基板；以及發(fā)光器件，包括被夾在所述基板上形成的電極之間的有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化 合物層包括發(fā)光層，其中兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件被提供，并且所述發(fā)光器件被堆疊在與基板垂直的方向 上；在所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件中的電極和有機(jī)化合物層中的至少一個(gè)包括開口 ； 以及 所述開口被定位成在與基板垂直的方向上彼此不重疊。結(jié)合附圖從以下示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得清楚。
圖1是示出通過本發(fā)明的制造方法而制造的有機(jī)EL顯示裝置的具體示例的截面 圖。圖2是示出在處理目標(biāo)由于臺階差(level difference)等而沒有平坦形狀的地 方執(zhí)行激光燒蝕的狀態(tài)的示意截面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置包括以下基板；以及兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件，每一發(fā)光器件包括有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層被 保持在基板上形成的各電極之間，并且包括發(fā)光層，所述發(fā)光器件在與基板垂直的方向上 被堆疊。在所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件中，接觸孔(開口)形成在所述電極與所述有機(jī)化 合物層中的至少一個(gè)中，并且所述開口被定位成在與基板垂直的方向上彼此不重疊。本發(fā)明的制造方法是一種用于有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)EL顯示裝 置包括基板；以及多個(gè)像素，每一像素包括形成在基板上的至少三個(gè)電極層、以及被設(shè)置 在各電極層之間并且至少包括發(fā)光層的有機(jī)化合物層。在本發(fā)明中，執(zhí)行處理，以部分地去除構(gòu)成有機(jī)EL顯示裝置的電極層和有機(jī)化合 物層(下文中可以稱為去除處理)。在待處理的層(電極層或有機(jī)化合物層)的頂部界面 和底部界面與基板平行的區(qū)域中執(zhí)行這種去除處理。界面和基板平行的區(qū)域是在與基板垂直的方向上在處理目標(biāo)層之下的電極層或有機(jī)化合物層內(nèi)的并且尚未經(jīng)受去除處理的區(qū)域。在與基板垂直的方向上在處理目標(biāo)層之 下的電極層或有機(jī)化合物層內(nèi)的并且尚未經(jīng)受去除處理的區(qū)域中，所述電極層或有機(jī)化合 物層與基板平行，并且相應(yīng)地，處理目標(biāo)層同樣與基板平行。在處理目標(biāo)層之下的電極層或有機(jī)化合物層內(nèi)的區(qū)域中執(zhí)行處理去除的情況下， 執(zhí)行去除處理的區(qū)域在處理目標(biāo)層中形成凹陷，并且因此使得處理目標(biāo)層(電極層或有機(jī) 化合物層)的頂部界面和底部界面與基板不平行。期望地，執(zhí)行去除處理所針對的電極層或有機(jī)化合物層是對于構(gòu)成有機(jī)EL顯示 裝置的多個(gè)像素共同形成的層。期望地，執(zhí)行去除處理的區(qū)域被定位成在與基板垂直的方向上與去除處 理目標(biāo)層 之下的層的處理區(qū)域以及緊接在該下層之下的層的處理區(qū)域不重疊。注意，處理區(qū)域表示 執(zhí)行去除處理的區(qū)域。例如，當(dāng)對電極層執(zhí)行去除處理時(shí)，期望地，其中通過處理去除電極層的一部分的 區(qū)域與電極層之下的有機(jī)化合物層的處理區(qū)域分開以及與緊接在有機(jī)化合物層下面的電 極層的處理區(qū)域分開。簡言之，優(yōu)選的是，在與基板垂直的方向上在各電極層之間避免執(zhí)行 去除處理的區(qū)域的重疊。相似地，當(dāng)對有機(jī)化合物層執(zhí)行去除處理時(shí)，期望地，其中通過處理去除有機(jī)化合 物層的一部分的區(qū)域與有機(jī)化合物層之下的電極層的處理區(qū)域分開以及與緊接在電極層 下面的有機(jī)化合物層的處理區(qū)域分開。簡言之，優(yōu)選的是，在與基板垂直的方向上在各有機(jī) 化合物層之間避免執(zhí)行去除處理的區(qū)域的重疊。通過在處理之后形成另一有機(jī)化合物層或電極層來完全填充通過用于去除電極 層或有機(jī)化合物層的一部分的處理所形成的凹槽或孔。然而，甚至在形成另一層的情況下， 與尚未經(jīng)受處理的區(qū)域相比，執(zhí)行處理的區(qū)域也以凹槽或孔的形狀而稍微凹下。因此，當(dāng)通 過例如光照射而在與另外形成的層(有機(jī)化合物層或電極層)之下的層的去除處理區(qū)域重 疊的地方對所述另外形成的層執(zhí)行去除處理時(shí)，該地方未被均勻光所照射，并且產(chǎn)生特定 的能量分布。以下參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于有機(jī)EL顯示裝置的制造方法。然而， 本發(fā)明不限于此。圖1是示出通過本發(fā)明的制造方法而制造的有機(jī)EL顯示裝置的具體示例的示意 性截面圖。圖1的有機(jī)EL顯示裝置具有其中三個(gè)子像素構(gòu)成一個(gè)像素單元的像素結(jié)構(gòu)。 每一子像素包括四個(gè)電極層和均被設(shè)置在這四個(gè)電極層之間的總共三個(gè)有機(jī)化合物層。圖 1的有機(jī)EL顯示裝置中的三個(gè)有機(jī)化合物層中的每一個(gè)包括發(fā)光層，其發(fā)射與另外兩個(gè)有 機(jī)化合物層的顏色不同的顏色的光。雖然必須考慮施加到有機(jī)EL顯示裝置的電壓，但電極層的數(shù)量不限于四個(gè)層，并 且通常是三到七個(gè)層。期望地，形成三至五個(gè)電極層。設(shè)置在各電極層之間的有機(jī)化合物層僅需要包含發(fā)光層。給出以下模式(a)至 (e)作為有機(jī)化合物層的具體模式，但本發(fā)明不限于此(a)單層類型(發(fā)光層)(a)兩層類型(發(fā)光層/空穴注入層)(a)三層類型(電子傳輸層/發(fā)光層/空穴傳輸層)
(d)四層類型(電子注入層/發(fā)光層/空穴傳輸層/空穴注入層)(e)五層類型(電子注入層/電子傳輸層/發(fā)光層/空穴傳輸層/空穴注入層)在圖1中，根據(jù)該實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置是頂部發(fā)射有機(jī)EL顯示裝置。10表 示絕緣基板，IlaUlb和Ilc表示第一電極層，12表示第一有機(jī)化合物層，13a、13b和13c 表示第二電極層，14表示第二有機(jī)化合物層。15a、15b和15c表示第三電極層，16表示第 三有機(jī)化合物層，21表示第四電極層，18b、18C、19a、19C、20a和20b表示接觸孔，23表示電 源單元。該實(shí)施例的有機(jī)化合物層具有三層結(jié)構(gòu)，并且由電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層 構(gòu)成。接觸孔(開口)形成在相關(guān)有機(jī)化合物層的頂部界面和底部界面與基板平行的區(qū)域 中。在第一電極層、第二電極層和第三電極層的情況下，開口形成在相關(guān)電極層的頂部界面 和底部界面與基板平行的區(qū)域中。子像素(稍后描述)中包含的電極層以及每一電極層充 當(dāng)用于驅(qū)動(dòng)子像素的電極層，而位于一個(gè)子像素與另一個(gè)子像素之間的電極層不充當(dāng)用于 驅(qū)動(dòng)子像素的電極層。在本發(fā)明中，期望地，一個(gè)有機(jī)化合物層中形成的接觸孔(開口)被設(shè)置成與在該 有機(jī)化合物層下面的另一有機(jī)化合物層中形成的接觸孔不重疊。具體地說，在第二有機(jī)化 合物層中形成的接觸孔19a和19c被定位以使得它們與在第一有機(jī)化合物層中形成的接觸 孔18b和18c不重疊。此外，在第三有機(jī)化合物層中形成的接觸孔20a和20b被定位成使 得它們與在第一有機(jī)化合物層和第 二有機(jī)化合物層中形成的接觸孔18b、18c、19a以及19c 不重疊。在上述有機(jī)EL顯示裝置中，一個(gè)像素由第一子像素Pl、第二子像素P2以及第三子 像素P3構(gòu)成。絕緣基板10具有根據(jù)需要而預(yù)先形成的開關(guān)器件(例如TFT)。第一電極層形成 在絕緣基板10的像素區(qū)域中。期望以反射光的材料(例如Cr、Al、Ag、Au或Pt)來制成電 極層。這是因?yàn)椋哂休^高反射率的材料進(jìn)一步提高了取光的效率。 第一有機(jī)化合物層通過已知手段借助于沉積而形成在該基板上。第一有機(jī)化合物層可以采用選自包括以下項(xiàng)的組的至少一種類型的材料有機(jī)光 發(fā)射材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料。可以通過例如向空 穴注入材料或空穴傳輸材料摻雜有機(jī)光發(fā)射材料或者通過向電子注入材料和電子傳輸材 料摻雜有機(jī)光發(fā)射材料來拓寬對于所發(fā)射的光的顏色的選取范圍。從光發(fā)射效率的觀點(diǎn)來 看，期望有機(jī)化合物層是非晶膜?？刹捎玫母鞣N顏色的有機(jī)光發(fā)射材料的示例包括三芳胺衍生物(triarylamine derivatives) > Ziiitj^iflJ (stilbene derivatives) > # (polyarylene) > 77 jg
(aromatic fused polycycliccompounds) > 77 jg^if(aromatic
heterocyclic compounds)、芳經(jīng)雜環(huán)稠合環(huán)化合物(aromatic heterocyclic fused ringcompounds)、金屬配位化合物(metal complex compounds)、及其同質(zhì)低聚體 (homo-oligomers)或異質(zhì)低聚體(hetero-oligomers)。然而，本發(fā)明的構(gòu)成不限于作為示 例而給出的材料。有機(jī)化合物層可以是具有空穴注入功能、空穴傳輸功能、電子注入功能、以及電子 傳輸功能之一的單功能層，或者可以是具有這些功能中的兩個(gè)或更多個(gè)的多功能層。期望地，有機(jī)化合物層的厚度是0. 1 μ m至0. 5 μ m，更期望是0. 15 4 111至0.35口111。
可采用的空穴注入和傳輸材料的示例包括酞菁化合物(phthalocyanine compounds)、三芳基胺化合物(triarylaminecompounds)、導(dǎo)電聚合物(conductive polymers)、基于花的化合物(perylene-based compounds)、以及 Eu 絡(luò)合物(Eu complexes)。然而，本發(fā)明的構(gòu)成不限于作為示例而給出的材料?？刹捎玫碾娮幼⑷牒蛡鬏敳牧系氖纠ˋlq3(它是以8羥基喹啉的三聚體 (trimer of 8-hydroxy quinoline)(azomethine zinc complexes)以及二苯乙烯聯(lián)苯衍生物(distyryl biph enyl derivatives)。接下來，在第一有機(jī)化合物層的頂部界面和底部界面與基板平行的區(qū)域中通過執(zhí)行部分去除處理來形成接觸孔18b和18c。通過使用蝕刻氣體、離子、基團(tuán)或等離子體的干 法蝕刻，或者通過光照射來實(shí)現(xiàn)部分去除處理。光照射是期望的。優(yōu)選的光照射方法是激 光照射。在例如激光燒蝕的激光照射方法中，激光燒蝕是期望的。當(dāng)采用激光燒蝕時(shí)，通過以會聚成直徑幾μ m的點(diǎn)光束的激光掃描基板，或者通 過使用通過使得光在待形成接觸孔的地方透射的掩模的平面光源，以給定的圖案照射基 板。期望地，接觸孔的直徑是0. 1至15 μ m，更期望是1 μ m至10 μ m。激光燒蝕是一種微加工方法，其利用在吸收照射處理目標(biāo)的激光時(shí)物質(zhì)以各種片 段的形式而爆發(fā)地放電的現(xiàn)象。 可采用的激光器種類的示例包括YAG激光器(包括SHG和THG)、半導(dǎo)體激光器、染 料激光器、二氧化碳激光器、氦氖激光器、氬離子激光器和準(zhǔn)分子激光器。必須選取適于處理目標(biāo)的材料、構(gòu)圖的平面尺寸以及處理的深度的激光器波長和 激光輸出。通過實(shí)驗(yàn)預(yù)先確定適合目標(biāo)電極層或有機(jī)化合物層的激光條件/設(shè)置。圖2是在處理目標(biāo)由于臺階差等而沒有平坦形狀的地方執(zhí)行激光燒蝕的示意圖。 在其中執(zhí)行激光燒蝕的區(qū)域是緊接在下層33 (其在基板34上設(shè)置的待處理的層(有機(jī)化 合物層32或電極層31)之下)的邊緣之上的情況下，處理目標(biāo)層在該區(qū)域中是不平坦的。 相應(yīng)地，激光30在入射時(shí)被折射和散射，并且在部分去除處理區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生激光的能量密度 分布。隨著能量密度分布的模式而產(chǎn)生過處理和欠處理。這在有機(jī)EL顯示裝置的電極層 結(jié)構(gòu)中導(dǎo)致嚴(yán)重缺陷。為避免該情況，在平坦的地方執(zhí)行激光燒蝕是重要的。產(chǎn)生表面不規(guī)則性的結(jié)構(gòu) 的具體示例包括構(gòu)成TFT的電極層、各TFT之間的電極層、電容器、取出電極層中的接觸孔、 以及第一電極層的邊緣。可以在除了上述這些結(jié)構(gòu)之外的任何地方找到平坦的地方。接下來，透明電極層被形成，并且經(jīng)受部分去除處理，以形成第二電極層13a、13b 和13c。此時(shí)，第一電極層lib和Ilc以及第二電極層13b和13c分別通過接觸孔18b和 18c而彼此連接。期望的電極材料是透射率高的材料，例如透明導(dǎo)電膜或以ΙΤ0、ΙΖ0或ZnO 制成的有機(jī)導(dǎo)電膜。或者，電極層材料可以是以厚度大約IOnm至30nm的金屬(例如Ag或 Al)形成的半透射式膜。通過在平坦的地方執(zhí)行上述激光燒蝕來實(shí)現(xiàn)部分去除處理。接下來，使用與上述相同的方法依次地形成第二有機(jī)化合物層14、接觸孔19a和 19c、第三電極層15a、15b和15c、第三有機(jī)化合物層16、以及接觸孔20a和20b。然后通過濺射或其它方法來形成第四電極層21。期望地，第三電極層和第四電極 層的材料是具有高透射率的材料，如第二電極層的情況那樣。氮氧化硅膜隨后形成為保護(hù) 膜22，由此獲得有機(jī)EL顯示裝置。
用于上述有機(jī)EL顯示裝置的制造方法是制造頂部發(fā)射、有源矩陣驅(qū)動(dòng)顯示裝置 的方法。然而，上述處理方法不限于特定光取出方法或器件驅(qū)動(dòng)方法，并且也可應(yīng)用于例如 底部發(fā)射顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動(dòng)顯示裝置。用于上述有機(jī)EL顯示裝置的制造方法還可以用于形成用于將TFT或其它開關(guān)器 件以及第一電極彼此連接的接觸孔。如上所述，本發(fā)明可以提供一種用于有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其中，在電極 層或有機(jī)化合物層的部分去除處理期間保持處理均勻性。此外，在根據(jù)本發(fā)明制造的有機(jī)EL顯示裝置中，防止了當(dāng)像素的鄰近像素發(fā)射光 時(shí)該像素中的意外短路和非預(yù)期的光發(fā)射，并且提高了制造成品率。此外，在根據(jù)本發(fā)明獲得的有機(jī)EL顯示裝置中，防止了由于像素的鄰近像素的驅(qū) 動(dòng)TFT而導(dǎo)致的該像素中的光發(fā)射。
還通過以下示例來描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。< 示例 1>如下制造圖1所示的有機(jī)EL顯示裝置。(電極層和有機(jī)化合物層的形成)在真空室中執(zhí)行真空氣相沉積，以形成圖1所示的電極層和有機(jī)化合物層。在真 空氣相沉積期間，將真空室中的壓力設(shè)置為1.0X 10_4Pa，并且對于電極層和有機(jī)化合物層 采用下表1所示的組成材料和厚度。表 1
組成材料二
第一電極層“Ag150
^ 責(zé)如…八空穴傳輸層 -ΝΡΡ一 120
f 一有機(jī)化合物發(fā)光層Α 3 + Γ(ΡργΓΓ 150
__電子傳輸層BPhen__40
第二電極層IZO 100
空穴傳輸層α-NPD 120
浐有機(jī)化合物^納“ ~
層Coumarin 6
_電子傳輸層“ BPhen40
第三電極層 __工ZO100
f - ^frrtf^入熱I空穴傳輸層 -ΝΡΡ120
二有機(jī)化合物- Balq+Perylene io^
^L·M ιI ■ ■■ ‘ ■ ■一 I .I - 'I
__電子傳輸層BPhen__40
第四電極層 ·IIZOI 100(部分去除有機(jī)化合物層的步驟)在該示例中，對第一電極層、第一有機(jī)化合物層、第二電極層、第二有機(jī)化合物層、 第三電極層和第三有機(jī)化合物層執(zhí)行部分去除處理。有機(jī)化合物層的去除處理采用激光燒蝕。準(zhǔn)分子激光器用作用于激光燒蝕的激光種類，并且其激光被調(diào)整以獲得具有248nm波長的5平方毫米激光光束。在激光照射期間 施加到有機(jī)化合物層的激光功率被設(shè)置為lOOmJ/cm2，并且以一個(gè)點(diǎn)被形成。鉻掩模用作用 于部分去除處理的掩模。在形成待經(jīng)受去除處理的有機(jī)化合物層的真空室中執(zhí)行部分去除處理。第二有機(jī)化合物層中形成的接觸孔19a和19c被設(shè)置為與第一有機(jī)化合物層中形 成的接觸孔18b和18c完全分開。第三有機(jī)化合物層中形成的接觸孔20a和20b被設(shè)置為 與第二有機(jī)化合物層中形成的接觸孔19a和19c完全分開。通過上述去除處理，接觸孔18b和18c形成在第一有機(jī)化合物層中。相似地，接觸 孔19a和19c以及接觸孔20a和20b分別形成在第二有機(jī)化合物層和第三有機(jī)化合物層中。 所形成的接觸孔的直徑是5 μ m。對處理之后的形狀的觀測表明形成了均勻的接觸孔。
一個(gè)有機(jī)化合物層中的接觸孔的位置與一層之下的有機(jī)化合物層中的接觸孔的 位置完全分開，并且因此接觸孔部分中的臺階差可以在量級上減少。這樣確保了接觸孔的 邊緣覆蓋有透明電極層材料。相應(yīng)地，避免了各步驟所導(dǎo)致的斷開，并且成功地防止了電子 電路的開路缺陷。接觸孔的邊緣在下一步驟中也確實(shí)被覆蓋有充當(dāng)絕緣體的有機(jī)化合物層。因此避 免了電子電路的短路缺陷。(部分去除電極層的步驟)對第二電極層和第三電極層執(zhí)行部分去除處理。用于部分去除處理所施加的激光 功率是500mJ/cm2，并且以四個(gè)點(diǎn)被形成。去除處理將第二電極層劃分為層13a、13b和13c， 并且將第三電極層劃分為層15a、15b和15c。在通過部分去除處理劃分第二電極層和第三 電極層中，去除處理寬度被設(shè)置為7μπι。第三電極層的部分去除處理區(qū)域被定位成與第二 電極層的去除處理區(qū)域不完全重疊。對處理之后的形狀的觀測表明在電極層中形成了均勻截面。驅(qū)動(dòng)通過上述方法制造的有機(jī)EL顯示裝置，以發(fā)射用于觀測的光。結(jié)果，確認(rèn)了 顯示裝置沒有像素缺陷。期望的是，有機(jī)化合物層中形成的接觸孔與電極層中的部分去除處理區(qū)域彼此不 重疊。以此方式，可以避免電子電路的意外短路，并且當(dāng)像素的鄰近像素發(fā)射光時(shí)防止該像 素中的非預(yù)期的光發(fā)射。<比較性示例1>通過與示例1相同的方法來制造有機(jī)EL顯示裝置，例外之處是比較性示例通過 在與第一電極層IlaUlb和Ilc的邊緣重疊的區(qū)域中執(zhí)行部分去除處理來修改示例1的第 二電極層的部分去除處理。對處理之后的形狀的觀測表明在電極層中了形成不均勻截面?？雌饋?，深度方向 上的燒蝕在某些部分去除處理區(qū)域中是不夠的。作為電阻測量的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了短路，從而確認(rèn)不能作為有機(jī)EL顯示裝置驅(qū)動(dòng)所制 造的裝置。雖然參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性 實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍與最寬泛的解釋一致，從而包括所有這樣的修改和等同結(jié)構(gòu)及功能。 本申請要求于2008年6月27日提交的日本專利申請No. 2008-169154以及于2009年6月22日提交的日本專利申請No. 2009-147398的權(quán)益，它們在此全部引入作為參考。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括基板；以及發(fā)光器件，其包括被夾在基板上形成的電極之間的有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層包括發(fā)光層，其中兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件被提供，并且所述發(fā)光器件被層疊在與基板垂直的方向上；在所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件中的電極和有機(jī)化合物層中的至少一個(gè)包括開口；以及所述開口被定位成在與基板垂直的方向上彼此不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，還包括多個(gè)像素，其形成在所述基板上，并且每一像素包括第一子像素、第二子像素和第三子 像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一個(gè)包括具有第一有機(jī) 化合物層的發(fā)光器件、具有第二有機(jī)化合物層的發(fā)光器件、以及具有第三有機(jī)化合物層的 發(fā)光器件，這些發(fā)光器件按所述的順序而被堆疊，其中在所述第一子像素中，所述開口分別被形成在所述第二有機(jī)化合物層和所述第三有機(jī) 化合物層中；在所述第二子像素中，所述開口分別被形成在所述第一有機(jī)化合物層和所述第三有機(jī) 化合物層中；以及在所述第三子像素中，所述開口分別被形成在所述第一有機(jī)化合物層和所述第二有機(jī) 化合物層中。
3.一種用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成第一電極層；在所述第一電極層中形成第一開口； 在所述第一電極層上形成包括發(fā)光層的第一有機(jī)化合物層； 在所述第一有機(jī)化合物層上形成第二電極層； 在所述第二電極層中形成第二開口；在所述第二電極層上形成包括發(fā)光層的第二有機(jī)化合物層；以及 在所述第二有機(jī)化合物層上形成第三電極層，其中，所述第一開口和所述第二開口被形成為使得它們在與基板垂直的方向上彼此不重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，通過激光照 射形成所述第一開口和所述第二開口。
5.一種用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成第一電極層；在所述第一電極層上形成包括發(fā)光層的第一有機(jī)化合物層； 在所述第一有機(jī)化合物層中形成第一開口； 在所述第一有機(jī)化合物層上形成第二電極層； 在所述第二電極層上形成包括發(fā)光層的第二有機(jī)化合物層； 在所述第二有機(jī)化合物層中形成第二開口 ；以及 在所述第二有機(jī)化合物層上形成第三電極層，其中，所述第一開口和所述第二開口被形成為使得它們在與基板垂直的方向上彼此不重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，還包括 在所述第一電極層中形成第三開口；以及在所述第二電極層中形成第四開口，其中，所述第一開口、所述第二開口、所述第三開口和所述第四開口被形成為使得它們 在與基板垂直的方向上彼此不重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，通過激光照 射形成所述第一開口、所述第二開口、所述第三開口和所述第四開口。
全文摘要
提供了一種用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在電極層或有機(jī)化合物層的部分去除處理期間保持處理均勻性。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括基板；以及發(fā)光器件，其包括被夾在所述基板中形成的電極之間的有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層包括發(fā)光層，其中兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件被提供，并且所述發(fā)光器件被堆疊在與基板垂直的方向上；在所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件中的電極和有機(jī)化合物層中的至少一個(gè)包括開口；以及所述開口被定位成在與基板垂直的方向上彼此不重疊。
文檔編號G09F9/00GK101822125SQ200980100656
公開日2010年9月1日 申請日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者久米昭也, 五十嵐一也, 佐藤信彥, 永山耕平 申請人:佳能株式會社