專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為使用等離子顯示面板的圖像顯示裝置的等離子顯示裝置。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下，簡(jiǎn)稱為“面板”)由于即使在薄型的圖像顯示元件中也可 高速顯示，并且容易實(shí)現(xiàn)大型化，因此，作為大畫面顯示裝置正被實(shí)用化。面板是通過(guò)將前面板和背面板貼合而構(gòu)成的。前面板具有玻璃基板；由玻璃基 板上形成的掃描電極以及維持電極構(gòu)成的顯示電極對(duì)；以覆蓋顯示電極對(duì)的方式形成的電 介質(zhì)層；以及在電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層。保 護(hù)層是為了保護(hù)電介質(zhì)層不受離子沖擊，并容 易產(chǎn)生放電的目的而設(shè)置的。背面板具有玻璃基板；在玻璃基板上形成的數(shù)據(jù)電極；覆蓋數(shù)據(jù)電極的電介質(zhì) 層；在電介質(zhì)層上形成的隔壁；以及在隔壁之間形成的分別發(fā)紅色、綠色以及藍(lán)色光的熒 光體層。前面板和背面板以顯示電極對(duì)和數(shù)據(jù)電極之間夾有放電空間并交叉的方式相對(duì) 置，并且周圍用低熔點(diǎn)玻璃密封。在放電空間內(nèi)封入含氙的放電氣體并密封。由此，在顯示 電極對(duì)和數(shù)據(jù)電極相對(duì)置的部分形成放電單元。使用這種構(gòu)成的面板的等離子顯示裝置在面板的各放電單元選擇性地產(chǎn)生氣體 放電，通過(guò)此時(shí)生成的紫外線激發(fā)紅色、綠色以及藍(lán)色的各顏色的熒光體使其發(fā)光，進(jìn)行彩 色顯示。作為使用這種面板的等離子顯示裝置的圖像顯示方法，主要使用子場(chǎng)法。這是一 種用事先規(guī)定了亮度權(quán)重的多個(gè)子場(chǎng)來(lái)構(gòu)成1個(gè)子場(chǎng)期間，利用各子場(chǎng)來(lái)控制各放電單元 的發(fā)光/不發(fā)光，從而顯示圖像的方法。但是，如果使用各子場(chǎng)任意地進(jìn)行各放電單元的點(diǎn)燈/不點(diǎn)燈，則會(huì)發(fā)生顯示運(yùn) 動(dòng)圖像時(shí)輪廓狀態(tài)明顯的灰度紊亂，即虛擬輪廓這一眾所周知的問(wèn)題。因此，作為抑制這種 虛擬輪廓的方法，提出了如下的方案通過(guò)控制，使放電單元的發(fā)光子場(chǎng)保持連續(xù)，而且使 放電單元的不發(fā)光子場(chǎng)也保持連續(xù)，從而進(jìn)行灰度顯示，由此來(lái)抑制虛擬輪廓(例如，參照 專利文獻(xiàn)1)。通過(guò)這種顯示方法，雖然可抑制虛擬輪廓的發(fā)生，但問(wèn)題是，可顯示的灰度受 到限制，很難顯示平滑的灰度。為了顯示平滑的灰度，只要增加構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間的子場(chǎng)數(shù)即可。上述的子場(chǎng)法是 一種用具有初始化期間、寫入期間以及維持期間的多個(gè)子場(chǎng)構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，通過(guò)可以發(fā) 光的子場(chǎng)的組合進(jìn)行灰度顯示的方法。在此，為了增加構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間的子場(chǎng)數(shù)，需要在短 時(shí)間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入操作。為此，在進(jìn)行可高速驅(qū)動(dòng)的面板的開發(fā)的同時(shí)，關(guān)于用于發(fā)揮 該面板的特長(zhǎng)，并顯示高畫質(zhì)圖像的驅(qū)動(dòng)方法以及驅(qū)動(dòng)電路的研究也在不斷地進(jìn)行。面板的放電特性在很大程度上依賴于保護(hù)層的特性，特別是為了改善決定是否可 高速驅(qū)動(dòng)的電子釋放性能和電荷保持性能，關(guān)于保護(hù)層的材料、構(gòu)成、制造方法等也進(jìn)行了 很多的研究。例如，專利文獻(xiàn)2中，公開了一種等離子顯示裝置，具有面板，其通過(guò)使用氣 相氧化而生成鎂蒸汽，而設(shè)置200nm 300nm的具有陰極射線發(fā)光峰的氧化鎂層；電極驅(qū)動(dòng)電路，其在寫入期間，對(duì)構(gòu)成所有顯示線的各顯示電極對(duì)的一方按順序外加掃描脈沖，并將 與外加了掃描脈沖的顯示線對(duì)應(yīng)的寫入脈沖提供給數(shù)據(jù)電極。近年來(lái)，對(duì)大畫面并且高清晰的等離子顯示裝置的需求很高，相應(yīng)地，對(duì)高圖像顯 示畫質(zhì)的要求也越來(lái)越高。因此，一方面要增加顯示線的數(shù)量，另一方面，也必須確保用于 顯示平滑的灰度的子場(chǎng)數(shù)。因此，出現(xiàn)了分配到每1條顯示線的寫入操作的時(shí)間越來(lái)越短 的傾向。因此，為了在所分配的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入操作，就需要一種可比以往更高速并 更穩(wěn)定地寫入的面板、其驅(qū)動(dòng)方法、和具有實(shí)現(xiàn)該方法的驅(qū)動(dòng)電路的等離子顯示裝置。專利文獻(xiàn)1 JP特開平11-305726號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開2006-54158號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為等離子顯示裝置，具有面板和面板驅(qū)動(dòng)電路，面板將前面板和背面板對(duì) 置配置，在顯示電極對(duì)與數(shù)據(jù)電極對(duì)置的位置上形成有放電空間，前面板在第1玻璃基板 上形成顯示電極對(duì)，按照覆蓋顯示電極對(duì)的方式形成電介質(zhì) 層，并在電介質(zhì)層上形成保護(hù) 層，背面板在第2玻璃基板上形成有數(shù)據(jù)電極；上述面板驅(qū)動(dòng)電路將多個(gè)子場(chǎng)按照時(shí)間順 序進(jìn)行配置而構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，從而驅(qū)動(dòng)面板，保護(hù)層由基底保護(hù)層和粒子層構(gòu)成，基底保 護(hù)層是由包含氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中的至少一種的金屬氧化物的薄膜形成的， 粒子層是通過(guò)使氧化鎂的單晶粒子附著在基底保護(hù)層上而形成的，該氧化鎂的單晶粒子具 有以由(100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造；或以由 (100)面、(110)面以及(111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造，面板驅(qū)動(dòng) 電路按照時(shí)間順序在第1子場(chǎng)群之后配置第2子場(chǎng)群，來(lái)構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，從而驅(qū)動(dòng)面板， 上述第1子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括形成用于產(chǎn)生寫入放電的壁電荷的初始化期 間，和形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間，和產(chǎn)生維持放電并使放電單元發(fā)光的 維持期間，上述第2子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括消去用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的 寫入期間，和產(chǎn)生維持放電并使放電單元發(fā)光的維持期間。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的構(gòu)造的立體圖。圖2是表示同一面板的前面板的構(gòu)成的剖面圖。圖3A是表示同一面板的單晶粒子的形狀的一個(gè)例子的圖。圖3B是表示同一面板的單晶粒子的形狀的一個(gè)例子的圖。圖3C是表示同一面板的單晶粒子的形狀的一個(gè)例子的圖。圖3D是表示同一面板的單晶粒子的形狀的一個(gè)例子的圖。圖4A是示出表示同一面板的粒子層中所包含的氧化鎂單晶粒子的形狀的電子顯 微鏡照片的圖。圖4B是示出表示同一面板的粒子層中所包含的氧化鎂單晶粒子的形狀的電子顯 微鏡照片的圖。圖4C是示出表示同一面板的粒子層中所包含的氧化鎂單晶粒子的形狀的電子顯 微鏡照片的圖。
圖5A是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖5B是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖5C是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖5D是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖5E是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖5F是表示同一面板的粒子層中所包含的單晶粒子的其他形狀的圖。圖6是表示同一面板的電極排列的圖。
圖7是向同一面板的各電極外加的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。圖8是向同一面板的各電極外加的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置的電路框圖。圖10是同一等離子顯示裝置的掃描電極驅(qū)動(dòng)電路以及維持電極驅(qū)動(dòng)電路的電路 圖。圖中10面板20前面板21(第1)玻璃基板22掃描電極22a，23a 透明電極22b，23b 匯流電極23維持電極24顯示電極對(duì)25電介質(zhì)層26保護(hù)層26a基底保護(hù)層26b粒子層27單晶粒子30背面板31(第2)玻璃基板32數(shù)據(jù)電極34隔壁35熒光體層41圖像信號(hào)處理電路42數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路43掃描電極驅(qū)動(dòng)電路44維持電極驅(qū)動(dòng)電路45定時(shí)產(chǎn)生電路50,80 維持脈沖產(chǎn)生電路60初始化波形產(chǎn)生電路70掃描脈沖產(chǎn)生電路
100等離子顯示裝置
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的等離子顯示裝置，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。(實(shí)施方式)圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的構(gòu)造的立體圖。面板10中，前面板 20和背面板30相對(duì)配置，其外周部用低熔點(diǎn)玻璃的密封材料進(jìn)行了密封。在面板10內(nèi)部 的放電空間15內(nèi)，以400Torr 600Torr的壓力封入氙等的放電氣體。在前面板20的玻璃基板(第1玻璃基板)21上，平行地形成了多個(gè)由掃描電極22 以及維持電極23構(gòu)成的顯示電極對(duì)24。在玻璃基板21上，形成了覆蓋顯示電極對(duì)24的電 介質(zhì)層25，而且在該電介質(zhì)層25上還形成了以氧化鎂為主要成分的保護(hù)層26。另外，在背面板30的玻璃基板(第2玻璃基板)31上，在與顯示電極對(duì)24正 交的 方向上，形成了多個(gè)彼此平行的數(shù)據(jù)電極32，且用電介質(zhì)層33覆蓋了該數(shù)據(jù)電極。在該電 介質(zhì)層33上進(jìn)一步形成隔壁34。在電介質(zhì)層33以及隔壁34的側(cè)面上，形成了通過(guò)紫外線 而分別發(fā)紅色、綠色以及藍(lán)色光的熒光體層35。其中，在顯示電極對(duì)24與數(shù)據(jù)電極32交叉 的位置上形成放電單元，且具有紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層35的放電單元的一組就成為 用于彩色顯示的像素。另外，電介質(zhì)層33不是必須有的，也可以采用省略電介質(zhì)層33的構(gòu) 成。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的前面板20的構(gòu)成的剖面圖，表示為 與圖1所示的前面板20上下顛倒。在玻璃基板21上，形成了由掃描電極22和維持電極23 構(gòu)成的顯示電極對(duì)24。掃描電極22由以銦錫氧化物或氧化錫等形成的透明電極22a和在 透明電極22a上形成的匯流電極22b構(gòu)成。同樣，維持電極23由透明電極23a和在其上形 成的匯流電極23b構(gòu)成。匯流電極22b、匯流電極23b是為了在透明電極22a、透明電極23a 的長(zhǎng)度方向上賦予導(dǎo)電性而設(shè)置的，是通過(guò)以銀為主要成分的導(dǎo)電性材料形成的。電介質(zhì)層25是通過(guò)絲網(wǎng)印刷、擠壓涂敷等方法，將以氧化鉛或氧化鉍或氧化磷為 主要成分的低熔點(diǎn)玻璃等進(jìn)行涂敷、燒制而形成的。然后，在電介質(zhì)層25上形成了保護(hù)層26。以下，對(duì)保護(hù)層26進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。為了 保護(hù)電介質(zhì)層25不受離子沖擊，并改善在很大程度上決定驅(qū)動(dòng)速度的電子輻射性能和電 荷保持性能，保護(hù)層26由在電介質(zhì)層25上形成的基底保護(hù)層26a和在基底保護(hù)層26a上 形成的粒子層26b構(gòu)成。基底保護(hù)層26a是以通過(guò)真空蒸鍍法、離子鍍法等的薄膜形成法而形成的氧化鎂 為主要成分的薄膜，其厚度為例如0. 3 μ m 1. 0 μ m。并且，作為基底保護(hù)層26a，可以用包 含氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中的至少一種的金屬氧化物形成。粒子層26b是通過(guò)將氧化鎂的單晶粒子27在基底保護(hù)層26a的整個(gè)面上大致均 勻分布地附著的方式構(gòu)成的。圖3A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的單晶粒子27的形狀的一個(gè)例子的 圖，表示了基本形狀為6面體，且具有切除了其各頂點(diǎn)的切頂面的14面體形狀的單晶粒子 27a。在此，主要面41a是(100)面，切頂面42a是(111)面。圖3B是表示同一單晶粒子27 的形狀的一個(gè)例子的圖，表示了基本形狀為8面體，且具有切除了其各頂點(diǎn)的切頂面的14面體形狀的單晶粒子27b。在此，主要面42b是(111)面，切頂面41b是(100)面。這樣，單 晶粒子27a、單晶粒子27b具有用由(100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的 NaCl結(jié)晶構(gòu)造。圖3C是表示同一單晶粒子27的形狀的一個(gè)例子的圖，表示了具有進(jìn)一步將單晶 粒子27b的形狀中的(111)面的邊界切除后的斜方面的26面體形狀的單晶粒子27c。在 此，主要面42c是(111)面，切頂面41c是(100)面，斜方面43c是(110)面。圖3D是表示 同一單晶粒子27的形狀的一個(gè)例子的圖，表示了具有進(jìn)一步將單晶粒子27a的形狀中的鄰 接的(100)面的棱線切除后的斜方面的26面體形狀的單晶粒子27d。在此，主要面41d是 (100)面，切頂面42d是(111)面，斜方面43d是(110)面。這樣，單晶粒子27c、單晶粒子 27d具有用由(100)面、(110)面以及(111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶 構(gòu)造。圖4A是示出表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的粒子層26b中所包含的氧化鎂 單晶粒子27a的形狀的電子顯微鏡照片的圖。圖4B是示出表示同一粒子層26b中所包含 的氧化鎂單晶粒子27b的形狀的電子顯微鏡照片的圖。圖4C是示出表示同一粒子層26b 中所包含的氧化鎂單晶粒子27c的電子顯微鏡照片的圖。如上所述，實(shí)際上也包含稍微變 形的形狀的單晶粒子27。 另外，切頂面不一定都形成在所有的頂點(diǎn)上，斜方面也不一定都形成在所有的棱 線上。圖5A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的粒子層26b中所包含的單晶粒子27 的其他形狀的圖，是單晶粒子27a的變形，表示了存在1個(gè)切頂面的形狀。圖5B是同一單 晶粒子27a的變形，表示了存在2個(gè)切頂面的形狀。圖5C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面 板10的粒子層26b中所包含的單晶粒子27的其他形狀的圖，是單晶粒子27b的變形，表示 了存在1個(gè)切頂面的形狀。圖5D是同一單晶粒子27b的變形，表示了存在2個(gè)切頂面的形 狀。另外，圖5E是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的粒子層26b中所包含的單晶粒子 27的其他形狀的圖，是單晶粒子27c的變形，表示了存在6個(gè)切頂面，1個(gè)斜方面的形狀。另 夕卜，圖5F是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的粒子層26b中所包含的單晶粒子27的其 他形狀的圖，是單晶粒子27d的變形，表示了存在8個(gè)切頂面、1個(gè)斜方面的形狀。如上所述，氧化鎂單晶為立方晶格的NaCl晶體結(jié)構(gòu)，具有(100)面、(110)面、 (111)面，以作為主要的取向面。其中，(100)面最為致密，在從低溫到高溫的很寬的范圍 內(nèi)，很難吸著水、烴、碳酸氣體等的雜質(zhì)氣體。為此，如果使用主要具有(100)面的單晶粒子 27，就可以形成在很寬的范圍內(nèi)穩(wěn)定并且兼?zhèn)淞己玫碾娮虞椛湫阅芎碗姾杀３中阅艿牧Ｗ?層 26b。另一方面，由于(111)面在常溫以上表現(xiàn)出特別良好的電子輻射性能，因此，主要 具有(111)面的單晶粒子27在實(shí)現(xiàn)可高速驅(qū)動(dòng)的面板方面具有重要作用。具有通過(guò)由上述(100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的NaCl晶 體結(jié)構(gòu)的單晶粒子、或具有通過(guò)由(100)面、(110)面以及(111)面構(gòu)成的特定的3種取向 面包圍的NaCl晶體結(jié)構(gòu)的單晶粒子，可利用液相法生成。具體而言，例如可如下所述，在高溫的含氧氣氛中，將作為氧化鎂的前驅(qū)體的氫氧 化鎂均勻地?zé)粕伞?液相法1)
在純度為99. 95%以上的烴氧基鎂或乙酰丙酮鎂的水溶液中，添加少量的酸，進(jìn)行 加水分解，制作氫氧化鎂的凝膠。然后，通過(guò)將該凝膠在空氣中燒制并脫水而生成單晶粒子 27的粉體(液相法2)在溶解了純度為99. 95%以上的硝酸鎂的水溶液中添加堿性溶液，使氫氧化鎂沉 淀。接下來(lái)，將氫氧化鎂的沉淀物從水溶液中分離，通過(guò)將其在空氣中燒制并進(jìn)行脫水而生 成單晶粒子27的粉體。(液相法3)在溶解了純度為99. 95%以上的氯化鎂的水溶液中添加氫氧化鈣，使氫氧化鎂沉 淀。接下來(lái)，將氫氧化鎂的沉淀物從水溶液中分離，通過(guò)將其在空氣中燒制并進(jìn)行脫水而生 成單晶粒子27的粉體。作為燒結(jié)溫度，優(yōu)選700°C以上，更優(yōu)選1000°C以上。這是因?yàn)?，如果不?00°C， 則結(jié)晶面的形成不充分，產(chǎn)生很多缺陷。另外，還可以看出以下的傾向，即，如果在700°C以 上且不到1500°C的范圍內(nèi)進(jìn)行燒制，則通過(guò)特定的3種取向面包圍的單晶粒子27c、27d的 生成頻率高；如果在1500°C以上進(jìn)行燒制，則(110)面縮小，并且通過(guò)特定的2種取向面包 圍的單晶粒子27a、27b的生成頻率提高。不過(guò)，如果燒制溫度過(guò)高，則會(huì)產(chǎn)生氧缺欠、且氧 化鎂結(jié)晶的缺陷增加的問(wèn)題，因此，優(yōu)選設(shè)定為1800°C以下。作為氧化鎂前驅(qū)體，除了上述氫氧化鎂以外，也可使用烴氧基鎂、乙酰丙酮鎂、硝 酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等中的1種以上。在此，作為氧化鎂前驅(qū)體的 鎂化合物的純度優(yōu)選為99. 95%以上，99. 98%以上更優(yōu)選。這是因?yàn)槿绻泻芏鄩A性 金屬、硼、硅、鐵、鋁等的雜質(zhì)元素，則燒制時(shí)容易發(fā)生粒子之間的熔接或燒結(jié)，很難成長(zhǎng)為 結(jié)晶性高的粒子。通過(guò)上述液相法生成的單晶粒子27是用特定的2種取向面或特定的3種取向面 包圍的單晶粒子27，并且可以得到缺陷少的結(jié)晶。而且，具有如果使用液相法，則可得到單 晶粒子27的粒徑的偏差比較少的粉體這一特征。氧化鎂的結(jié)晶雖然可使用氣相氧化法生成，但是，通過(guò)氣相氧化法生成的氧化鎂 單晶粒子具有主要是(100)面成長(zhǎng)，而其他的取向面很難成長(zhǎng)的這一缺點(diǎn)。其原因可以認(rèn) 為是，由于在通過(guò)氣相氧化法生成氧化鎂的情況下，例如，在充滿惰性氣體的槽中，一邊對(duì) 金屬鎂進(jìn)行高溫加熱，一邊少量地通入氧氣，使金屬鎂直接氧化，而生成氧化鎂結(jié)晶粉體， 因此，作為最致密的面的(100)面優(yōu)先地成長(zhǎng)。但是，根據(jù)本實(shí)施方式的液相法，作為氧化鎂的前驅(qū)體的氫氧化鎂是六方晶系的 化合物，與氧化鎂的立方晶系的構(gòu)造不同。氫氧化鎂進(jìn)行熱分解而生成氧化鎂的結(jié)晶的結(jié) 晶成長(zhǎng)過(guò)程雖然復(fù)雜，但是由于是在保留六方晶系的形態(tài)的同時(shí)形成鎂單晶，因此，作為結(jié) 晶面，形成(100)面以及(111)面再加上(110)面。同樣，烴氧基鎂、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等的鎂化合物也 不是立方晶系，因此，如果將它們作為氧化鎂的前驅(qū)體進(jìn)行熱分解，生成氧化鎂結(jié)晶，則與 鎂元素配位的(OR)2基、Cl2基、(N03)2基、CO3基、C2O4基等脫離時(shí)，不僅形成(100)面、也形 成(110)面或(111)面。另外，通過(guò)氣相氧化法生成的氧化鎂單晶粒子有粒徑的偏差變大的傾向。因此，在使用氣相氧化法的氧化鎂的制造工序中，需要用于使粒徑一致的分級(jí)工序。但是，如果使用本實(shí)施方式中的液相法，可以得到粒徑比較一致的并且比較大的 單晶粒子。例如，如果使用上述液相法，則可得到粒徑為0. 3 μ m 2 μ m的結(jié)晶粒子。因此， 可省略將微小粒子去除的分級(jí)工序。而且，如果使用本實(shí)施方式中的液相法，則可以得到大 粒徑的結(jié)晶，所以，比表面積與通過(guò)氣相氧化法生成的氧化鎂結(jié)晶相比變小，可得到抗吸附 性優(yōu)異的氧化鎂結(jié)晶。如上所述，本實(shí)施方式中的粒子層26b是通過(guò)將單晶粒子27或單晶粒子27d附著 在基底保護(hù)層26a上而構(gòu)成的，上述單晶粒子27具有用由(100)面以及(111)面構(gòu)成的 特定的2種取向面包圍的NaCl構(gòu)造，上述單晶粒子27d具有用由(100)面、(110)面以及 (111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的NaCl構(gòu)造。并且，在很寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定、且兼 具良好的電子輻射性能和電荷保持性能，實(shí)現(xiàn)了可高速驅(qū)動(dòng)的面板10。接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示本發(fā) 明的實(shí)施方式中的面板10的電極排列的圖。在面板10中，在行方向(線方向)上排列有 η根長(zhǎng)的掃描電極SCl SCn (圖1的掃描電極22)以及η根維持電極SUl SUn (圖1的 維持電極23)；在列方向上排列有m根長(zhǎng)的數(shù)據(jù)電極Dl Dm(圖1的數(shù)據(jù)電極32)。并且， 在1對(duì)掃描電極SCi (i = 1 n)以及維持電極SUi與 1個(gè)數(shù)據(jù)電極Dj (j = 1 m)交叉 的部分處形成了放電單元，在放電空間內(nèi)形成了 mXn個(gè)放電單元。放電單元的數(shù)量，例如 為m = 1920X3 = 5760,η = 1080。對(duì)于顯示電極對(duì)的數(shù)量，雖然沒有特別的限制，但在本 實(shí)施方式中，以η = 1080進(jìn)行說(shuō)明。然后，由掃描電極SCl SC1080以及維持電極SUl SU1080構(gòu)成的1080對(duì)的顯 示電極對(duì)被分成多個(gè)顯示電極對(duì)組。在本實(shí)施方式中，將面板在上下方向上分割為4份，分 成4個(gè)顯示電極對(duì)組，從位于面板的上部的顯示電極對(duì)開始，按順序分成第1顯示電極對(duì) 組、第2顯示電極對(duì)組、第3顯示電極對(duì)組、及第4顯示電極對(duì)組。也就是說(shuō)，掃描電極SCl SC270以及維持電極SUl SU270屬于第1顯示電極對(duì)組；掃描電極SC271 SC540以及 維持電極SU271 STO40屬于第2顯示電極對(duì)組；掃描電極SC541 SC810以及維持電極 SU541 SU810屬于第3顯示電極對(duì)組；掃描電極SC811 SC1080以及維持電極SU811 SU1080屬于第4顯示電極對(duì)組。接下來(lái)，對(duì)為了驅(qū)動(dòng)面板10而在各電極上外加的驅(qū)動(dòng)電壓波形進(jìn)行說(shuō)明。面板10 通過(guò)子場(chǎng)法，即通過(guò)將1個(gè)場(chǎng)期間分割成多個(gè)子場(chǎng)，并按照每個(gè)子場(chǎng)對(duì)各放電單元的發(fā)光/ 不發(fā)光進(jìn)行控制，從而進(jìn)行灰度顯示。在本實(shí)施方式中，將多個(gè)子場(chǎng)分成第1子場(chǎng)群和第2 子場(chǎng)群這樣的2個(gè)子場(chǎng)群，來(lái)驅(qū)動(dòng)面板10。屬于第1子場(chǎng)群的子場(chǎng)分別具有初始化期間、寫入期間和維持期間。在初始化期 間，發(fā)生初始化放電，消去之前的放電單元的壁電荷的記錄，并且形成用于產(chǎn)生放電的壁電 荷。在寫入期間，在發(fā)光放電單元產(chǎn)生寫入放電，并形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷。以下， 將這種寫入操作稱為“正邏輯寫入”。在維持期間，對(duì)顯示電極對(duì)交替外加與亮度權(quán)重相應(yīng) 的數(shù)量的維持脈沖，在進(jìn)行正邏輯寫入的放電單元產(chǎn)生維持放電，進(jìn)行發(fā)光。在屬于第1子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，通過(guò)控制各自的子場(chǎng)的寫入放電，可在不依賴其他 的子場(chǎng)中的維持放電的有無(wú)等的情況下，使放電單元發(fā)光或不發(fā)光。以下，將針對(duì)每個(gè)子場(chǎng) 獨(dú)立地控制發(fā)光/不發(fā)光的驅(qū)動(dòng)稱為“隨機(jī)驅(qū)動(dòng)”。
另一方面，在各自的屬于第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，不設(shè)置初始化期間，而設(shè)置寫入期 間以及維持期間。在寫入期間中，在不發(fā)光的放電單元產(chǎn)生寫入放電，并消去用于產(chǎn)生維持 放電的壁電荷。以下，將這種寫入操作稱為“負(fù)邏輯寫入”。在維持期間，對(duì)顯示電極對(duì)交替 外加與亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)量的維持脈沖，在不產(chǎn)生寫入放電的放電單元產(chǎn)生維持放電，進(jìn) 行發(fā)光。在屬于第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，不進(jìn)行形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的操作，而 進(jìn)行在寫入期間消去用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的操作。因此，在之前的子場(chǎng)不產(chǎn)生維持 放電的放電單元中，到進(jìn)行下一次初始化操作之前，不會(huì)產(chǎn)生維持放電。另外，在已經(jīng)進(jìn)行 了寫入操作的放電單元中，到進(jìn)行下一次初始化操作之前，不會(huì)產(chǎn)生維持放電。其結(jié)果是，在屬于第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，放電單元的發(fā)光的子場(chǎng)是連續(xù)的，另外， 不發(fā)光的子場(chǎng)也是連續(xù)的。以下，將通過(guò)控制使放電單元的發(fā)光/不發(fā)光成為連續(xù)，從而進(jìn) 行灰度顯示的驅(qū)動(dòng)省略稱為“連續(xù)驅(qū)動(dòng)”。本實(shí)施方式中，將1個(gè)場(chǎng)分割為11個(gè)子場(chǎng)(第1SF、第2SF、…第11SF)，各子場(chǎng) 具 有各自的亮度權(quán)重(8、4、2、1、16、20、26、32、40、48、58)。第ISF 第4SF為使用正邏輯寫入 來(lái)進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動(dòng)的第1子場(chǎng)群；第5SF 第IlSF為使用負(fù)邏輯寫入來(lái)進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)的第2 子場(chǎng)群。另外，在屬于第1子場(chǎng)群的第ISF的初始化期間，進(jìn)行全單元初始化操作，即在所 有的放電單元產(chǎn)生初始化放電；在第2SF 第4SF的初始化期間，通過(guò)在之前的子場(chǎng)中進(jìn)行 維持放電的放電單元，進(jìn)行選擇性地產(chǎn)生初始化放電的選擇初始化操作。以下，對(duì)本實(shí)施方式中的面板的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖7以及圖8是向本發(fā) 明的實(shí)施方式中的面板10的各電極外加的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖，圖7主要表示屬于第1子場(chǎng)群 的驅(qū)動(dòng)電壓波形，圖8主要表示屬于第2子場(chǎng)群的驅(qū)動(dòng)電壓波形。首先，對(duì)屬于第1子場(chǎng)群的驅(qū)動(dòng)電壓波形進(jìn)行說(shuō)明。在第ISF的初始化期間Ti的前半部分中，分別對(duì)數(shù)據(jù)電極Dl Dm、維持電極 SUl SUn外加0 (V)，對(duì)掃描電極SCl SCn外加相對(duì)于維持電極SUl SUn，從放電開 始電壓以下的電壓Vil向超過(guò)放電開始電壓的電壓Vi2緩緩上升的傾斜波形電壓。在該傾斜波形電壓上升期間，在掃描電極SCl SCn與維持電極SUl Sim、數(shù)據(jù) 電極Dl Dm之間，分別發(fā)生微弱的初始化放電。然后在掃描電極SCl SCn上積蓄負(fù)的 壁電壓，并且在數(shù)據(jù)電極Dl Dm以及維持電極SUl Sim上積蓄正的壁電壓。此處所說(shuō) 的電極上的壁電壓是指由在覆蓋電極的電介質(zhì)層上、保護(hù)層上、熒光體層上等所積蓄的壁 電壓而生成的電壓。在此時(shí)的初始化放電中，可預(yù)見在初始化期間Ti的后半部分，謀求優(yōu) 化壁電壓，從而過(guò)量地積蓄壁電壓。在初始化期間Ti的后半部分，對(duì)維持電極SUl Sim外加電壓Vel，對(duì)掃描電極 SCl SCn外加相對(duì)于維持電極SUl SUn，從成為放電開始電壓以下的電壓Vi3向超過(guò) 放電開始電壓的電壓Vi4緩緩下降的傾斜波形電壓。在此期間，在掃描電極SCl SCn與 維持電極SUl SUru數(shù)據(jù)電極Dl Dm之間，分別發(fā)生微弱的初始化放電。然后，掃描電 極SCl SCn上的負(fù)的壁電壓以及維持電極SUl SUn上的正的壁電壓被減弱，數(shù)據(jù)電極 Dl Dm上的正的壁電壓被調(diào)整為適合寫入操作的值。由此，針對(duì)所有的放電單元進(jìn)行初始 化放電的全單元初始化操作完成。在接下來(lái)的寫入期間Tw中，對(duì)維持電極SUl SUn外加電壓Vel ；對(duì)掃描電極SCl SCn外加電壓Vc接下來(lái)，對(duì)第1行的掃描電極SCl外加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，并且向數(shù)據(jù)電極 Dl Dm中的第1行中應(yīng)發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dk(k= 1 m)外加正的寫入脈沖電 壓Vd。此時(shí)，數(shù)據(jù)電極Dk上與掃描電極SCl上的交叉部的電壓差成為外部外加電壓之差 (Vd-Va)加上數(shù)據(jù)電極Dk上的壁電壓與掃描電極SCl上的壁電壓之差后得到的相加值，并 且超過(guò)放電開始電壓。然后，在數(shù)據(jù)電極Dk與掃描電極SCl之間以及維持電極SUl與掃描 電極SCl之間發(fā)生寫入放電，在掃描電極SCl上積蓄正的壁電壓，在維持電極SUl上積蓄負(fù) 的壁電壓，在數(shù)據(jù)電極Dk上也積蓄負(fù)的壁電壓。在此，將在外加掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd之后，到發(fā)生寫入放電為止的 時(shí)間稱為“放電延遲時(shí)間”。假定面板的電子輻射性能低、且放電延遲時(shí)間變長(zhǎng)，則為了可靠 地進(jìn)行寫入操作，需要進(jìn)行將外加掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的時(shí)間延長(zhǎng)，即將掃 描脈沖寬度和寫入脈沖寬度變寬的設(shè)定，導(dǎo)致不能進(jìn)行高速的寫入操作。另外，假定面板的 電荷保持性能低，則為了彌補(bǔ)壁電壓的減少，需要將掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的 電壓值設(shè)定得很高。但是，由于本實(shí)施方式中的面板10的電子輻射性能高，因此，可將掃描 脈沖寬度和寫入脈沖寬度設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)中的面板短，可以穩(wěn)定高速地進(jìn)行寫入操作。 另外，由于本實(shí)施方式中的面板10的電荷保持性能高，因此，可將掃描脈沖電壓Va和寫入 脈沖電壓Vd的電壓值設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)中的面板低。這樣，進(jìn)行正邏輯寫入操作，即在第1行中應(yīng)發(fā)光的放電單元中引起寫入放電， 積蓄維持放電所需的壁電荷。另一方面，由于沒有外加寫入脈沖電壓Vd的數(shù)據(jù)電極Dl Dm與掃描電極SCl的交叉部的電壓沒有超過(guò)放電開始電壓，因此，不產(chǎn)生寫入放電。將上述 正邏輯寫入操作一直進(jìn)行到第η行的放電單元，寫入期間Tw結(jié)束。在接下來(lái)的維持期間Ts，首先對(duì)掃描電極SCl SCn外加正的維持脈沖電壓Vs， 并對(duì)維持電極SUl SUn外加0 (V)。于是，在進(jìn)行正邏輯寫入的放電單元中，掃描電極SCi 上與維持電極SUi上的電壓差成為維持脈沖電壓Vs加上掃描電極SCi上的壁電壓與維持 電極SUi上的壁電壓之差后得到的相加值，并且超過(guò)放電開始電壓。然后，在掃描電極SCi與維持電極SUi之間發(fā)生維持放電，由于此時(shí)產(chǎn)生的紫外 線，而使熒光體層35發(fā)光。于是，在掃描電極SCi上積蓄負(fù)的壁電壓，在維持電極SUi上積 蓄正的壁電壓。而且在數(shù)據(jù)電極Dk上也積蓄正的壁電壓。在沒有在寫入期間Tw中進(jìn)行正 邏輯寫入的放電單元中，不產(chǎn)生維持放電，保持初始化期間Ti結(jié)束時(shí)的壁電壓。接下來(lái)，分別對(duì)掃描電極SCl SCn外加0 (V)和對(duì)維持電極SUl SUn外加維持 脈沖電壓Vs。于是，在產(chǎn)生了維持放電的放電單元中，維持電極SUi上和掃描電極SCi上的 電壓差超過(guò)放電開始電壓，因此，在維持電極SUi與掃描電極SCi之間再次發(fā)生維持放電， 在維持電極SUi上積蓄負(fù)的壁電壓，在掃描電極SCi上積蓄正的壁電壓。以下，同樣，通過(guò) 對(duì)掃描電極SCl SCn和維持電極SUl SUn交替地外加與亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)量的維持脈 沖，并對(duì)顯示電極對(duì)的電極之間賦予電位差，在進(jìn)行了正邏輯寫入的放電單元中，繼續(xù)產(chǎn)生 維持放電。然后，在維持期間Ts的最后，對(duì)掃描電極SCl SCn外加上行傾斜波形電壓，在保 留數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓的情況下，消去掃描電極SCi以及維持電極SUi上的壁電壓。
在接下來(lái)的第2SF的初始化期間Ti中，對(duì)維持電極SUl SUn外加Vel，并對(duì)數(shù)據(jù) 電極Dl Dm外加O(V)。對(duì)掃描電極SCl SCn外加向著電壓Vi4緩緩下降的下行傾斜波 形電壓。于是，在之前的子場(chǎng)中產(chǎn)生維持放電的放電單元中，產(chǎn)生微弱的初始化放電，掃描 電極SCi上和維持電極SUi上的壁電壓被減弱。另外，對(duì)于數(shù)據(jù)電極Dk，由于在數(shù)據(jù)電極 Dk上由之前的維持放電已積蓄了充分的正的壁電壓，因此，該壁電壓的多余部分被放電，被 調(diào)整為適于寫入操作的壁電壓。另一方面，在之前的子場(chǎng)中不產(chǎn)生維持放電的放電單元中，不產(chǎn)生放電，前一個(gè)子 場(chǎng)的初始化期間結(jié)束時(shí)的壁電壓被原樣保持。如上所述，第2SF的初始化操作是相對(duì)于在 之前的子場(chǎng)的維持期間進(jìn)行了維持操作的放電單元，選擇性地進(jìn)行初始化放電的選擇初始 化操作。由于接下來(lái)的寫入期間Tw的操作與第ISF的寫入期間Tw的操作相同，因此省略 其說(shuō)明。接下來(lái)的維持期間Ts的操作除了維持脈沖的數(shù)量之外也與第ISF的維持期間Ts 的操作相同。接下來(lái)的第3SF的操作除了維持脈沖的數(shù)量之外也與第2SF的操作相同。并 且，第4SF的初始化期間Ti、寫入期間Tw的操作也與第2SF的操作相同。然后，在第4SF的維持期間Ts中，與第ISF 第3SF的維持期間Ts相同，通過(guò)對(duì) 掃 描電極SCl SCn和維持電極SUl SUn交替地外加與亮度權(quán)重相應(yīng)的數(shù)量的維持脈 沖，并對(duì)顯示電極對(duì)的電極之間賦予電位差，在進(jìn)行了正邏輯寫入的放電單元中，繼續(xù)進(jìn)行 維持放電。然后，在第4SF的維持期間Ts的最后，對(duì)掃描電極SCl SCn外加維持脈沖電壓 Vs，并對(duì)維持電極SUl SUn外加O(V)，在產(chǎn)生寫入放電的放電單元，產(chǎn)生維持放電。然后， 在掃描電極SCi上積蓄負(fù)的壁電壓，在維持電極SUi上積蓄正的壁電壓，而且，在數(shù)據(jù)電極 Dk上也積蓄正的壁電壓，在該狀態(tài)下結(jié)束第4SF的維持期間Ts。如上所述，在第1子場(chǎng)群的最后的子場(chǎng)的維持期間Ts中，不用消去掃描電極SCi 以及維持電極SUi上的壁電壓，在掃描電極SCi上積蓄負(fù)的壁電壓，在維持電極SUi上積蓄 正的壁電壓，在該狀態(tài)下結(jié)束維持期間Ts。該壁電壓用于在接下來(lái)的第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)產(chǎn) 生維持放電。并且，在于第4SF中沒有產(chǎn)生維持放電的放電單元的掃描電極SCi上以及維持電 極SUi上沒有積蓄壁電壓。因此，在于第4SF中沒有產(chǎn)生維持放電的放電單元中，在接下來(lái) 的第2子場(chǎng)群的第5SF 第IlSF中也不會(huì)產(chǎn)生維持放電。接下來(lái)，使用圖8對(duì)屬于第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)電壓波形進(jìn)行說(shuō)明。在屬于第 2子場(chǎng)群的子場(chǎng)的寫入期間Tw中，將寫入期間Tw對(duì)應(yīng)于4個(gè)顯示電極對(duì)組，分為4個(gè)部分 寫入期間(第1期間Twl、第2期間Tw2、第3期間Tw3、及第4期間Tw4)。然后，在部分寫 入期間與下一個(gè)部分寫入期間之間，分別設(shè)置用于補(bǔ)充壁電荷的補(bǔ)充期間Tr。在第5SF的寫入期間Tw的第1期間Twl中，向維持電極SUl SUn外加電壓Ve2， 向掃描電極SCl SCn外加電壓Vc。然后，向第1行的掃描電極SCl外加掃描脈沖電壓Va， 并向數(shù)據(jù)電極Dl Dm中的在第1行不發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dh (h = 1 m)外加寫 入脈沖電壓Vd。于是，在數(shù)據(jù)電極Dh與掃描電極SCl之間以及維持電極SUl與掃描電極 SCl之間發(fā)生寫入放電，掃描電極SCl上的壁電壓以及維持電極SUl上的壁電壓被消去。另 夕卜，壁電壓的消去是指在后面要提到的維持期間內(nèi)，壁電壓被減弱到不產(chǎn)生維持放電的程度。將以上的負(fù)邏輯寫入一直進(jìn)行到屬于第1顯示電極對(duì)組的第270行的放電單元為 止。另外，此時(shí)的負(fù)邏輯寫入操作的放電延遲時(shí)間也較短，可將掃描脈沖幅度寬度以及寫入 脈沖寬度設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)中的面板短，可穩(wěn)定且高速地進(jìn)行寫入操作。在接下來(lái)的補(bǔ)充期間Tr中，首先，分別向掃描電極SCl SCn外加0 (V)，向維持電 極SUl SUn外加維持脈沖電壓Vs。于是，在之前的第4SF中產(chǎn)生維持放電，并且在第5SF 的第1期間Twl沒有進(jìn)行負(fù)邏輯寫入的放電單元中，在掃描電極SCi與維持電極SUi之間， 產(chǎn)生放電。補(bǔ)充期間Tr中的這些放電(以下稱為“補(bǔ)充放電”)是與維持同樣的放電，在產(chǎn) 生了補(bǔ)充放電的放電單元的數(shù)據(jù)電極上補(bǔ)充正的壁電荷。接下來(lái)，分別向掃描電極SCl SCn外加維持脈沖電壓Vs，向維持電極SUl SUn外加0 (V)。于是，在掃描電極SCi與維持 電極SUi之間再次產(chǎn)生補(bǔ)充放電。在接下來(lái)的第2期間Tw2中，在屬于第2顯示電極對(duì)組的第271行 第540行的 放電單元中進(jìn)行負(fù)邏輯寫入操作。然后，在下一個(gè)補(bǔ)充期間Tr中產(chǎn)生補(bǔ)充放電，補(bǔ)充數(shù)據(jù) 電極上的壁電荷。在接下來(lái)的第3期間Tw3中，在屬于第3顯示 電極對(duì)組的第541行 第 810行的放電單元中進(jìn)行負(fù)邏輯寫入操作。然后，在下一個(gè)補(bǔ)充期間Tr中產(chǎn)生補(bǔ)充放電，補(bǔ) 充壁電荷。在接下來(lái)的第4期間Tw4中，在屬于第4顯示電極對(duì)組的第811行 第1080行 的放電單元中進(jìn)行負(fù)邏輯寫入操作。通過(guò)以上操作結(jié)束第5SF的寫入期間Tw。經(jīng)過(guò)確認(rèn)可知，雖然本實(shí)施方式中的面板10的電荷保持性能高，但如果進(jìn)行負(fù)邏 輯寫入，則壁電荷減少。如果假定不設(shè)置補(bǔ)充期間Tr，連續(xù)進(jìn)行η行份的負(fù)邏輯寫入操作， 則隨著壁電荷的減少，壁電壓降低，必須提高掃描脈沖電壓Va以及寫入脈沖電壓Vd的電 壓。但是，在本實(shí)施方式中，每進(jìn)行1/4行份的負(fù)邏輯寫入，設(shè)置補(bǔ)充期間Tr補(bǔ)充數(shù)據(jù)電極 上的壁電荷，因此，壁電壓不會(huì)大幅降低，可將掃描脈沖電壓Va以及寫入脈沖電壓Vd的電 壓設(shè)定得較低。在接下來(lái)的維持期間Ts內(nèi)，首先，向掃描電極SCl SCn外加0 (V)，并向維持電極 SUl SUn外加維持脈沖電壓Vs。于是，在之前的子場(chǎng)中產(chǎn)生維持放電，并且在沒有進(jìn)行負(fù) 邏輯寫入的放電單元中，產(chǎn)生維持放電，放電單元發(fā)光。然后，在掃描電極SCi上積蓄正的 壁電壓，在維持電極SUi上積蓄負(fù)的壁電壓。另外，在之前的子場(chǎng)中不產(chǎn)生維持放電的放電 單元、或者在寫入期間進(jìn)行了負(fù)邏輯寫入的放電單元中，不產(chǎn)生維持放電接下來(lái)，分別向掃描電極SCl SCn外加維持脈沖電壓Vs，向維持電極SUl SUn 外加O(V)。于是，在引起維持放電的放電單元中，掃描電極SCi上和維持電極SUi上的電壓 差超過(guò)放電開始電壓，因此，再次發(fā)生維持放電，在掃描電極SCi上積蓄負(fù)的壁電壓，在維 持電極SUi上積蓄正的壁電壓。以下同樣，通過(guò)對(duì)維持電極SUl SUn和掃描電極SCl SCn交替地外加與亮度 權(quán)重相應(yīng)的數(shù)量的維持脈沖，并在顯示電極對(duì)的電極之間賦予電位差，在于寫入期間內(nèi)沒 有引起寫入放電的放電單元中繼續(xù)進(jìn)行維持放電。接下來(lái)的第6SF 第IlSF的操作，除了維持脈沖的數(shù)量之外，與第5SF的操作相 同。另外，本實(shí)施方式中，向掃描電極SCl SCn外加的電壓Vil為120(V)；電壓Vi2 為 350 (V)；電壓 Vi3 為 210(V)；電壓 Vi4 為-105 (V)；電壓 Vc 為 0 (V)；電壓 Va 為-120 (V)；電壓Vs為2IO(V)，向維持電極SUl SUn外加的電壓Vel為-140 (V);電壓￥62為50作)； 電壓Vs為210 (V)，向數(shù)據(jù)電極Dl Dm外加的電壓Vd為60 (V)。另外，向掃描電極SCl SCn外加的上行傾斜波形電壓的傾斜為1. OV/μ，下行傾斜波形電壓的傾斜為-1. 3ν/μ。另 夕卜，掃描脈沖的脈沖寬度以及寫入脈沖的脈沖寬度都是1.0 μ S。但是，這些電壓值不局限于 上述值，優(yōu)選根據(jù)面板的放電特性或等離子顯示裝置的規(guī)格進(jìn)行最合適的設(shè)定。如以上所說(shuō)明的那樣，本實(shí)施方式中的面板10的保護(hù)層26由基底保護(hù)層26a和 粒子層26b構(gòu)成，基底保護(hù)層26a是由包含氧化鎂的薄膜形成的，粒子層26b是通過(guò)將氧化 鎂的單晶粒子27附著在基底保護(hù)層26a上而形成的，該氧化鎂的單晶粒子27具有以由 (100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面、或由(100)面、(110)面以及(111)面構(gòu) 成的特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造。因此，面板10的電子輻射性能以及電荷保持 性能優(yōu)異。另外，面板驅(qū)動(dòng)電路將構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間的多個(gè)子場(chǎng)分為2個(gè)子場(chǎng)群，按照時(shí)間順 序在第1子場(chǎng)群之后配置第2子場(chǎng)群。并且，在屬于第1子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，具有形成用于產(chǎn) 生寫入放電的壁電荷的初始化期間、形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間、和產(chǎn)生 維持放電使放電單元發(fā)光的維持期間，且使用正邏輯寫入來(lái)進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動(dòng)。另外，在屬于第 2子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，具有消去用于維持放電的壁電荷的寫入期間、和產(chǎn)生維持放電并使放電 單元發(fā)光的維持期間，且使用負(fù)邏輯寫入來(lái)進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)如上所述，在本實(shí)施方式中，發(fā)揮電子輻射性能高并可高速驅(qū)動(dòng)的面板10的性 能，縮短寫入期間，充分確保進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)的第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)數(shù)，實(shí)現(xiàn)不發(fā)生虛擬輪廓的 圖像顯示。通過(guò)同時(shí)使用進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動(dòng)的第1子場(chǎng)群，實(shí)現(xiàn)了更平滑的灰度顯示。另外， 在屬于第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)中，將寫入期間對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示電極對(duì)組而分為多個(gè)部分寫入期 間，在1個(gè)部分寫入期間與接下來(lái)的部分寫入期間之間，設(shè)置用來(lái)補(bǔ)充壁電荷的補(bǔ)充期間， 來(lái)補(bǔ)充數(shù)據(jù)電極上的壁電荷，因此，可將掃描脈沖電壓Va以及寫入脈沖電壓Vd的電壓設(shè)定 得較低。另外，雖然在本實(shí)施方式中進(jìn)行了如下的說(shuō)明，S卩將1個(gè)場(chǎng)分割為11個(gè)子場(chǎng)(第 1SF、第2SF、…第11SF)，且各子場(chǎng)具有各自的亮度權(quán)重(8、4、2、1、16、20、26、32、40、48、 58)，第ISF 第4SF是使用正邏輯寫入來(lái)進(jìn)行隨機(jī)驅(qū)動(dòng)的第1子場(chǎng)群，第5SF 第IlSF是 使用負(fù)邏輯寫入來(lái)進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)的第2子場(chǎng)群。但是，子場(chǎng)數(shù)、亮度權(quán)重等的子場(chǎng)構(gòu)成不局 限于此。優(yōu)選根據(jù)面板的特性、等離子顯示裝置的規(guī)格等進(jìn)行最合適的設(shè)定。另外，在本實(shí)施方式中，雖然對(duì)在各子場(chǎng)的維持期間向顯示電極對(duì)外加維持脈沖 的子場(chǎng)進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以包括具有以下的維持期間的子場(chǎng)，即不外加維持脈沖的 維持期間，也就是說(shuō)，不向顯示電極對(duì)外加維持脈沖，在對(duì)掃描電極SCl SCn外加維持脈 沖電壓Vs且對(duì)維持電極SUl SUn外加O(V)而引起寫入放電的放電單元中，消去壁電壓 的維持期間。由此，即使較暗的圖像也能夠進(jìn)行平滑的圖像顯示。另外，在本實(shí)施方式中，屬于第1子場(chǎng)群的子場(chǎng)是按照亮度權(quán)重單調(diào)遞減的方式 配置的。本發(fā)明不局限于此，但是，發(fā)明人經(jīng)過(guò)試驗(yàn)確認(rèn)到通過(guò)將子場(chǎng)按照亮度權(quán)重單調(diào) 遞減的方式配置，寫入放電的放電延遲時(shí)間變短。接下來(lái)，對(duì)實(shí)施方式中說(shuō)明的用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓波形的驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子進(jìn)行 說(shuō)明。圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置100的電路框圖。等離子顯示裝置100具有面板10和面板驅(qū)動(dòng)電路。面板驅(qū)動(dòng)電路具有向圖像信號(hào)處理電路41、數(shù)據(jù)電極驅(qū) 動(dòng)電路42、掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43、維持電極驅(qū)動(dòng)電路44、定時(shí)產(chǎn)生電路45以及各電路塊提 供其所需的電源的電源電路(圖中沒有顯示)。圖像信號(hào)處理電路41將輸入的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為顯示每個(gè)子場(chǎng)的發(fā)光/不發(fā)光的 圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路42將每個(gè)子場(chǎng)的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為與各數(shù)據(jù)電極Dl Dm對(duì) 應(yīng)的信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)各數(shù)據(jù)電極Dl Dm。定時(shí)產(chǎn)生電路45產(chǎn)生以水平同步信號(hào)以及垂直同 步信號(hào)為基礎(chǔ)，控制各電路塊的操作的各種定時(shí)信號(hào)，并提供給各電路塊。掃描電極驅(qū)動(dòng)電 路43根據(jù)定時(shí)信號(hào)來(lái)分別驅(qū)動(dòng)各掃描電極SCl SCn，維持電極驅(qū)動(dòng)電路44根據(jù)定時(shí)信號(hào) 來(lái)驅(qū)動(dòng)維持電極SUl SUn。圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置100的掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43以及 維持電極驅(qū)動(dòng)電路44的電路圖。掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43具有維持脈沖產(chǎn)生電路50、初始化波形產(chǎn)生電路60、及掃描 脈沖產(chǎn)生電路70。維持脈沖產(chǎn)生電路50具有向掃描電極SCl SCn外加電壓Vs的開關(guān) 元件Q55 ；向掃描電極SCl SCn外加O(V)的開關(guān)元件Q56 ；及用于回收向掃描電極SCl SCn外加維持脈沖時(shí)的電力的電力回收部59。初始化波形產(chǎn)生電路60具有用于向掃描電 極SCl SCn外加上行傾斜波形電壓的鏡積分電路61 ；及用于向掃描電極SCl SCn外加 下行傾斜波形電壓的鏡積分電路62。另外，設(shè)置了開關(guān)元件Q63以及開關(guān)元件Q64，用來(lái)防 止電流經(jīng)由其他的開關(guān)元件的寄生二極管等發(fā)生逆流。掃描脈沖產(chǎn)生電路70具有浮動(dòng)電 源E71 ；用于向掃描電極SCl SCn分別外加浮動(dòng)電源E71的高壓側(cè)的電壓或低壓側(cè)的電 壓的 開關(guān)元件Q72H1 Q72Hn、Q72L1 Q72Ln ；及將浮動(dòng)電源E71的低壓側(cè)的電壓固定為 電壓Va的開關(guān)元件Q73。維持電極驅(qū)動(dòng)電路44具有維持脈沖產(chǎn)生電路80、及初始化/寫入電壓產(chǎn)生電路 90。維持脈沖產(chǎn)生電路80具有向維持電極SUl SUn外加電壓Vs的開關(guān)元件Q85 ；向維 持電極SUl SUn外加加O(V)的開關(guān)元件Q86 ；及用于回收向維持電極SUl SUn外加維 持脈沖時(shí)的電力的電力回收部89。初始化/寫入電壓產(chǎn)生電路90具有向維持電極SUl SUn外加電壓Vel的開關(guān)元件Q92以及二極管D92 ；和向維持電極SUl SUn外加電壓Ve2 的開關(guān)元件Q94以及二極管D94。另外，這些開關(guān)元件可使用MOSFET或IGBT等通常廣為人知的元件而構(gòu)成。另外， 這些開關(guān)元件由在定時(shí)產(chǎn)生電路45中所產(chǎn)生的與各自的開關(guān)元件對(duì)應(yīng)的定時(shí)信號(hào)來(lái)控 制。另外，圖10所示的驅(qū)動(dòng)電路是產(chǎn)生圖7以及圖8所示的驅(qū)動(dòng)電壓波形的電路構(gòu)成 的一個(gè)例子，本發(fā)明的等離子顯示裝置不局限于該電路構(gòu)成。另外，實(shí)施方式中所使用的具體的各數(shù)值只不過(guò)是舉出的一個(gè)例子，優(yōu)選按照面 板特性或等離子顯示裝置的規(guī)格設(shè)定為合適的、最佳的數(shù)值。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)本發(fā)明的等離子顯示裝置可進(jìn)行高速并且穩(wěn)定的寫入操作，并能夠在不發(fā)生虛擬 輪廓的情況下，顯示平滑的灰度。因此，作為能顯示圖像顯示品質(zhì)優(yōu)異的圖像的顯示裝置非 常有用。
權(quán)利要求
一種等離子顯示裝置，具有等離子顯示面板和面板驅(qū)動(dòng)電路，上述等離子顯示面板將前面板和背面板對(duì)置配置，在顯示電極對(duì)與數(shù)據(jù)電極對(duì)置的位置上形成有放電空間，上述前面板在第1玻璃基板上形成上述顯示電極對(duì)，按照覆蓋上述顯示電極對(duì)的方式形成電介質(zhì)層，并在上述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層，上述背面板在第2玻璃基板上形成有上述數(shù)據(jù)電極，上述面板驅(qū)動(dòng)電路將多個(gè)子場(chǎng)按照時(shí)間順序進(jìn)行配置而構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，從而驅(qū)動(dòng)上述等離子顯示面板，上述等離子顯示裝置的特征為，上述保護(hù)層由基底保護(hù)層和粒子層構(gòu)成，上述基底保護(hù)層是由包含氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中的至少一種的金屬氧化物的薄膜形成的，上述粒子層是通過(guò)使氧化鎂的單晶粒子附著在上述基底保護(hù)層上而形成的，上述氧化鎂的單晶粒子具有以由(100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造；或以由(100)面、(110)面以及(111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍的NaCl結(jié)晶構(gòu)造，上述面板驅(qū)動(dòng)電路按照時(shí)間順序在第1子場(chǎng)群之后配置第2子場(chǎng)群，來(lái)構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，從而驅(qū)動(dòng)上述等離子顯示面板，上述第1子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括形成用于產(chǎn)生寫入放電的壁電荷的初始化期間；形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間；及產(chǎn)生維持放電并使上述放電單元發(fā)光的維持期間，上述第2子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括消去用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間；及產(chǎn)生維持放電并使上述放電單元發(fā)光的維持期間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征為， 上述面板驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成為將上述顯示電極對(duì)分成多個(gè)顯示電極對(duì)組，在屬于上述第2子場(chǎng)群的子場(chǎng)的寫入期 間，將上述寫入期間以與上述多個(gè)顯示電極對(duì)組相對(duì)應(yīng)的方式分成多個(gè)部分寫入期間，在1 個(gè)部分寫入期間與下一個(gè)部分寫入期間之間設(shè)置用于補(bǔ)充壁電荷的補(bǔ)充期間，從而驅(qū)動(dòng)上 述等離子顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示裝置。等離子顯示面板的保護(hù)層是由基底保護(hù)層和粒子層構(gòu)成的，上述基底保護(hù)層是由包含氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇中的至少一種的金屬氧化物的薄膜形成的，上述粒子層是通過(guò)將氧化鎂的單晶粒子附著在基底保護(hù)層上而形成的，該氧化鎂的單晶粒子是以由(100)面以及(111)面構(gòu)成的特定的2種取向面，或由(100)面、(110)面以及(111)面構(gòu)成的特定的3種取向面包圍而成的；面板驅(qū)動(dòng)電路按照時(shí)間順序在第1子場(chǎng)群之后配置第2子場(chǎng)群，構(gòu)成1個(gè)場(chǎng)期間，從而驅(qū)動(dòng)面板，上述第1子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括初始化期間(Ti)和形成用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間(Tw)以及維持期間(Ts)，上述第2子場(chǎng)群具有多個(gè)子場(chǎng)，該子場(chǎng)包括消去用于產(chǎn)生維持放電的壁電荷的寫入期間(Tw)和維持期間(Ts)。
文檔編號(hào)G09G3/28GK101971283SQ20098010903
公開日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2009年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者村田充弘, 淺野洋, 福井裕介, 若林俊一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社