專利名稱：顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
包括電流驅(qū)動(dòng)類型的發(fā)光部分的顯示元件和包括這樣的顯示元件的顯示設(shè)備是 眾所周知的。例如，包括使用電致發(fā)光(在以下描述中也被稱作EL)作為有機(jī)材料的有機(jī) 電致發(fā)光發(fā)光部分的顯示元件(在以下描述中也被僅僅稱作有機(jī)EL顯示元件)作為能夠 通過(guò)低電壓直流驅(qū)動(dòng)而以高亮度發(fā)光的顯示設(shè)備引起了人們的注意。例如，在包括有機(jī)EL顯示元件的顯示設(shè)備(也被僅僅稱作有機(jī)EL顯示設(shè)備)中， 已知作為與液晶顯示設(shè)備相同的方式的驅(qū)動(dòng)方法的無(wú)源矩陣方法和有源矩陣方法。有源矩 陣方法具有配置變得復(fù)雜的劣勢(shì)，但它也具有可以增加圖像的亮度等優(yōu)勢(shì)。除具有有機(jī)層 等(所述有機(jī)層等包括發(fā)光層)的發(fā)光部分之外，由有源矩陣方法驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL顯示元件 還包括用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光部分的驅(qū)動(dòng)電路。作為用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分(在以下描述中也被僅僅稱作發(fā)光部分)的 電路，例如從JP-A-2007-310311 (專利文件1)中已知包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器單元的 驅(qū)動(dòng)電路(被稱作2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)。如圖2中所示，2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)晶體管寫 入晶體管TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD，并且進(jìn)一步包括一個(gè)電容器單元Q。這里，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd 的另一源極/漏極區(qū)配置第二節(jié)點(diǎn)ND2,而驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極配置第一節(jié)點(diǎn)ND115發(fā)光部分ELP的陰極電極與第二饋線PS2連接。電壓V⑶(例如0V)被施加至第 二饋線PS2。如圖4的時(shí)序圖中所示，在[時(shí)段-TP (2) 1A]中執(zhí)行用于執(zhí)行閾值電壓消除 (cancel)處理的預(yù)處理。也就是說(shuō)，從數(shù)據(jù)線DTL通過(guò)已經(jīng)由來(lái)自掃描線SCL的掃描信號(hào) 導(dǎo)通的寫入晶體管TRw向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs (例如0V)。據(jù)此，第一 節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)將是V。fs。從電源單元100通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd向第二節(jié)點(diǎn)ND2施加第二節(jié) 點(diǎn)初始化電壓(例如-10V)。據(jù)此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)將是V。h。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的 閾值電壓由電壓Vth(例如3V)表示。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極的另一源極/漏極區(qū)之間 的電壓差超過(guò)Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRd處于導(dǎo)通狀態(tài)。接著，在從[時(shí)段-TP (2) 1B]到[時(shí)段-TP (2) 5]的時(shí)段上執(zhí)行閾值電壓消除處理。 具體地，在[時(shí)段-TP (2) 1B]中執(zhí)行第一閾值電壓消除處理。具體地，在[時(shí)段-TP (2) 3]中 執(zhí)行第二閾值電壓消除處理，然后，在[時(shí)段-TP⑵』中執(zhí)行第三閾值電壓消除處理。在[時(shí)段_TP(2)1B]中，在維持寫入晶體管TRw的導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)，將電源單元100 的電壓從第二初始化電壓Vm切換到驅(qū)動(dòng)電壓(例如20V)。作為結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的 電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向 改變。也就是說(shuō)，增加了第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。在[時(shí)段-TP (2) 1B]充分長(zhǎng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之 間的電勢(shì)差達(dá)到閾值Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRd被關(guān)斷。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變得接近(Vofs-Vth)并最終變?yōu)?Vofs-Vth) 0但是，在圖4中所示的例子中，[時(shí)段-TP⑵1B]的長(zhǎng) 度不足以充分改變第二節(jié)點(diǎn)冊(cè)2的電勢(shì)，并且第二節(jié)點(diǎn)冊(cè)2的電勢(shì)在[時(shí)段-TP(2)1B]的末 端處達(dá)到滿足以下關(guān)系的給定電勢(shì)V1 :VCC_L < V1 < (Vofs-Vth)。在[時(shí)段-TP(2)2]的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs切 換到視頻信號(hào)Vsig m_2。在[時(shí)段^？⑵』的開(kāi)始處通過(guò)來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)關(guān)斷寫入晶 體管TRW，以使得不向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信號(hào)VSig—m_2。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1變?yōu)楦≈?狀態(tài)。因?yàn)閺碾娫磫卧?00向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓V.H，所 以第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)從電勢(shì)V1增加至給定電勢(shì)V2。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電 極處于浮置狀態(tài)，并且存在電容器單元C1,因此在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成自舉操 作。據(jù)此，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變而增加。在[時(shí)段-TP (2) 3]的開(kāi)始處，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號(hào)Vsig m_2切換為第一節(jié) 點(diǎn)初始化電壓V。fs。在[時(shí)段-TP(2)3]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體 管TRW。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂。fs。從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一 個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓Vrc_H。作為結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)ND1 的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向改變。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn) ND1的電勢(shì)從電勢(shì)V2增加至給定電勢(shì)V3。在[時(shí)段-TP(2)4]的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs切 換為視頻信號(hào)Vsignrft5在[時(shí)段-TP(2)4]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)關(guān)斷寫入 晶體管TRw，使得不向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信號(hào)Vsig nrit5作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1變?yōu)楦≈?狀態(tài)。從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓，因此， 第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)從電勢(shì)V3增加至給定電勢(shì)V4。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處 于浮置狀態(tài)，并且存在電容器單元C1,因此在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成自舉操作。 據(jù)此，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變而增加。作為[時(shí)段-TP (2) 5]中的操作的前提，在[時(shí)段-TP⑵』的開(kāi)始處第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電勢(shì)V4必須低于(Vofs-Vth)。這樣確定從[時(shí)段-TP (2) 1B]的開(kāi)始到[時(shí)段-TP (2) 5]的 開(kāi)始的長(zhǎng)度以便滿足條件V4 < (Vofs_L-Vth)。[時(shí)段-TP(2)5]的操作基本上與在[時(shí)段-TP(2)3]中所解釋的操作相同。在[時(shí) 段-TP (2) 5]的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號(hào)Vsigχ切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 V0fso在[時(shí)段-TP (2) 5]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。第一節(jié)點(diǎn)ND1處于從數(shù)據(jù)線DTL通過(guò)寫入晶體管TRw施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs 的狀態(tài)。從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓Vrc_H。以與 在[時(shí)段-TP(2)3]中所解釋的方式相同的方式，將第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn) ND1的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向改變。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd 的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd被關(guān)斷。在該狀 態(tài)中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)幾乎是(V。fs-Vth)。在此之后，在[時(shí)段-TP(2)6A]中，寫入晶體管了&被關(guān)斷。然后，使數(shù)據(jù)線DTL的 電壓處于與用于控制發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)[視頻信號(hào)](驅(qū)動(dòng)信號(hào)，亮度信號(hào))Vsigjl對(duì)應(yīng)的電壓。接著，在[時(shí)段-TP(2)6B]中，執(zhí)行寫入處理。具體地，通過(guò)允許掃描線SCL處于 高電平來(lái)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)增加至視頻信號(hào)Vsig m。在以上操作中，在如下?tīng)顟B(tài)中向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極施加視頻信號(hào)Vsig m，在 所述狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓Vrc_H。據(jù) 此，如圖4中所示，在[時(shí)段-TP(2)6B]中第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。后面將描述電勢(shì)的增量 Δ V(電勢(shì)校正值)。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極(第一節(jié)點(diǎn)ND1)的電勢(shì)為Vg并且其另 一源極/漏極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)為Vs時(shí)，在不考慮第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的增量Δ V 時(shí)，Vg的值和Vs的值將如下所述。第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差(S卩，驅(qū)動(dòng)晶 體管TRd的柵極電極和用作源極區(qū)的另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差Vgs)可以由以下公式 (A)來(lái)表示Vg = VsigmVs=Vofs-VthVgsS VSigm-(Vofs-Vth) ...(A)也就是說(shuō)，在對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的寫入處理中所獲得的Vgs僅依賴于用于控制發(fā) 光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)Vsig m、驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth、和用于初始化驅(qū)動(dòng) 晶體管TRd的柵極電極電勢(shì)的電壓V。fs。另外，Vgs與發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi無(wú)關(guān)。接著，將簡(jiǎn)要地解釋遷移率校正處理。在上述操作中，與寫入處理一同執(zhí)行用于根 據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的特性(例如遷移率μ的大小)而改變驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的另一源極/漏 極區(qū)的電勢(shì)(即第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))的遷移率校正處理。如上所述，在如下?tīng)顟B(tài)中向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極施加視頻信號(hào)Vsig m，在所述 狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓VCC_H。這里，如 圖4中所示，在[時(shí)段-TP⑵J中第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。作為結(jié)果，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd 的遷移率μ的值大時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極區(qū)中的電勢(shì)的增量Δν(電勢(shì)校正值)增加。 在驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率μ的值小時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極區(qū)中的電勢(shì)的增量AV(電勢(shì) 校正值)減少。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和源極區(qū)之間的電勢(shì)差從公式(A)變形為以下 公式⑶Vgs=Vsig_m-(Vofs-Vth)-AV.. .(B)根據(jù)以上操作，完成了閾值消除處理、寫入處理和遷移率校正處理。然后，在其后 的時(shí)段[時(shí)段-TP (2) 6。]的開(kāi)始處，通過(guò)基于來(lái)自掃描線SCL的掃描信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管 TRw來(lái)允許第一節(jié)點(diǎn)ND1處于浮置狀態(tài)。一個(gè)源極/漏極區(qū)(在以下描述中為便利起見(jiàn)也 被稱作漏極區(qū))處于其中從電源單元100施加驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H&狀態(tài)。作為以上的結(jié)果，第 二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加，并且在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成與所謂的自舉電路相似的 現(xiàn)象，然后，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)增加。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和源極區(qū)之間的電勢(shì)差 Vgs維持公式(B)的值。流經(jīng)發(fā)光部分ELP的電流為從驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極區(qū)流向源極區(qū) 的漏極電流Ids。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd理想地在飽和區(qū)中操作時(shí)，漏極電流Ids可以由以下公式 (C)表示。發(fā)光部分ELP發(fā)出與漏極電流Ids的值對(duì)應(yīng)的光。后面將描述系數(shù)“k”。Ids = k· μ · (Vgs-Vth)2=k· μ · (Vsigjl-Vofs-AV)2... (C)
根據(jù)以上公式(C)，漏極電流Ids與遷移率μ成比例。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd 的遷移率μ越大，則電勢(shì)校正值Δ V變得越大，以及公式(C)中的(VSig m-V。fs_AV)2的值變 得越小。據(jù)此，可以校正由驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ的變化導(dǎo)致的漏極電流Ids的變化。后面將解釋其概要已經(jīng)被如上解釋的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。

發(fā)明內(nèi)容
在顯示設(shè)備上顯示視頻時(shí)的幀頻率(幀速)例如根據(jù)廣播系統(tǒng)可以取各種值。優(yōu) 選地將幀頻率設(shè)置為高以便減少在顯示運(yùn)動(dòng)畫面時(shí)的殘留圖像效應(yīng)。據(jù)此，期望顯示設(shè)備 可以對(duì)應(yīng)于各種幀頻率而顯示視頻。例如，將各個(gè)行的顯示元件的水平掃描時(shí)段設(shè)置為固 定長(zhǎng)度而與顯示視頻的幀頻率無(wú)關(guān)來(lái)對(duì)應(yīng)于各種頻率而顯示視頻的配置。在該情況下，在 相同的條件下執(zhí)行在從[時(shí)段_TP(2)1A]到[時(shí)段-TP(2)6J的時(shí)段期間執(zhí)行的操作，而與 幀頻率無(wú)關(guān)。但是，出現(xiàn)以下問(wèn)題在黑色顯示時(shí)的視頻信號(hào)的值根據(jù)幀頻率而變化的現(xiàn)象 可見(jiàn)，并且有必要根據(jù)幀頻率調(diào)節(jié)視頻信號(hào)的值。因此，期望提供一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示設(shè)備能夠以好的條件顯示處 于各個(gè)頻率的視頻，而無(wú)需調(diào)節(jié)顯示信號(hào)的值。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其使用包括以下部分的 顯不設(shè)備(1)總共NXM個(gè)顯示元件，其中以二維矩陣狀態(tài)布置沿第一方向的N個(gè)顯示元件 和沿不同于第一方向的第二方向的M個(gè)顯示元件，其中每個(gè)具有電流驅(qū)動(dòng)類型發(fā)光部分和 驅(qū)動(dòng)電路，(2)沿第一方向延伸的M條掃描線，(3)沿第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線，以及(4)沿第一方向延伸的M條饋線，其中驅(qū)動(dòng)電路包括寫入晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和電容器單元，在第m行(m = 1，2. . .，M)和第η列(η = 1，2. . .，N)的顯示元件中在驅(qū)動(dòng)晶體管中，(A-I) 一個(gè)源極/漏極區(qū)與第m饋線連接，(A-2)另一源極/漏極區(qū)與發(fā)光部分的一端連接以及與電容器單元的一個(gè)電極連 接，以此配置第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3)柵極電極與寫入晶體管的另一源極/漏極區(qū)連接以及與電容器單元的另一 電極連接，以此配置第一節(jié)點(diǎn)，在寫入晶體管中，(B-I) 一個(gè)源極/漏極區(qū)與第η數(shù)據(jù)線連接，(Β-2)柵極電極與第m掃描線連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法包括步驟(a)至少執(zhí)行閾值電壓消除處理一次，其通過(guò)在維持第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的同時(shí)，從饋 線向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)將第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)向通過(guò)從第 一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓而獲得的電勢(shì)的方向改變，然后(b)執(zhí)行寫入處理，其通過(guò)寫入晶體管從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點(diǎn)施加視頻信號(hào)，
其中，這樣設(shè)置執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和以使其隨著幀頻率變得 越高而越短。在根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法中，這樣設(shè)置執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段 的長(zhǎng)度之和以使其隨著幀頻率變得越高而越短。據(jù)此，在執(zhí)行步驟(b)之前的第一節(jié)點(diǎn)和 第二節(jié)點(diǎn)之間的電勢(shì)差隨著幀頻率變高而變大。另外，在執(zhí)行寫入處理之后的第一節(jié)點(diǎn)和 第二節(jié)點(diǎn)之間的電勢(shì)差也隨著幀頻率變高而變大，因此可以消除處于所謂的黑色顯示的視 頻信號(hào)的值根據(jù)幀頻率的變化而變化的現(xiàn)象。據(jù)此，可以以好的條件以各個(gè)幀頻率顯示畫 面，而無(wú)需調(diào)節(jié)視頻信號(hào)的值。


圖1為根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的概念圖；圖2為包括驅(qū)動(dòng)電路的顯示元件的等效電路圖；圖3為顯示設(shè)備的部分的示意性部分截面圖；圖4為根據(jù)實(shí)施例的顯示元件的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖的示意圖；圖5A至5F為示意性地示出在顯示元件中的驅(qū)動(dòng)電路中所包括的各個(gè)晶體管的導(dǎo) 通/關(guān)斷狀態(tài)等的圖；圖6A至6F為示意性地示出、從圖5F繼續(xù)的在顯示元件中的驅(qū)動(dòng)電路中所包括的 各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等的圖；圖7A為用于解釋饋線的電勢(shì)、第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)和流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電流之 間的關(guān)系的示意圖；圖7B、7C和7D為用于解釋在圖7A中所示的時(shí)段A、時(shí)段B和時(shí)段C中 的漏極電流的流動(dòng)的示意圖；圖8示出了用于解釋在幀頻率為50Hz時(shí)被施加至饋線的電壓與發(fā)光時(shí)段和非發(fā) 光時(shí)段之間的關(guān)系、以及在幀頻率為60Hz時(shí)被施加至饋線的電壓與發(fā)光時(shí)段和非發(fā)光時(shí) 段之間的關(guān)系的示意時(shí)序圖；圖9A為用于解釋在幀頻率相對(duì)低時(shí)在流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電流中對(duì)發(fā)光有貢 獻(xiàn)的部分的示意圖，而圖9B為用于解釋在幀頻率相對(duì)高時(shí)在流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電流 中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分的示意圖；圖10為用于解釋在維持閾值電壓消除處理的條件的情況下幀頻率和在顯示設(shè)備 開(kāi)始發(fā)光時(shí)的視頻信號(hào)的值之間的關(guān)系的示意圖；圖11為在執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和被縮短時(shí)顯示元件的驅(qū)動(dòng) 的時(shí)序圖的示意圖；圖12為用于解釋在幀頻率相對(duì)高并且執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和 被縮短時(shí)，在流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電流中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分的示意圖；圖13為用于解釋電源單元、掃描電路和控制電路的配置的示意性配置圖；圖14A為用于解釋對(duì)應(yīng)于一條掃描線的掃描電路的部分的配置的示意性電路圖， 而圖14B為用于解釋對(duì)應(yīng)于一條饋線的電源單元的的部分的配置的示意性電路圖；圖15為用于解釋控制電路、掃描電路和電源單元中的操作的示意性時(shí)序圖；圖16為用于解釋控制電路、掃描電路和電源單元中的操作的示意性時(shí)序圖；圖17為用于解釋控制電路、掃描電路和電源單元中的操作的示意性時(shí)序圖18為用于解釋在根據(jù)幀頻率而改變閾值電壓消除處理的條件的情況下幀頻率 和在顯示設(shè)備開(kāi)始發(fā)光時(shí)的視頻信號(hào)的值之間的關(guān)系的示意圖；圖19為用于解釋在幀頻率為50Hz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖20為用于解釋在幀頻率為60Hz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖21為用于解釋在幀頻率為70Hz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖22為用于解釋在幀頻率為80Hz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖23為用于解釋在幀頻率為90Hz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖24為用于解釋在幀頻率為IOOHz時(shí)根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示意性時(shí)序圖；圖25為包括驅(qū)動(dòng)電路的顯示元件的等效電路圖；圖26為包括驅(qū)動(dòng)電路的顯示元件的等效電路圖；以及圖27為包括驅(qū)動(dòng)電路的顯示元件的等效電路具體實(shí)施例方式在下文中，將參考附圖基于實(shí)施例描述本發(fā)明。將按以下順序進(jìn)行解釋1.關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的詳細(xì)解釋2.對(duì)在實(shí)施例中所使用的顯示設(shè)備的概要的解釋3.實(shí)施例(2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的例子)關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的詳細(xì)解釋在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例(在以下描述中也被稱作本發(fā)明的該實(shí)施例)的顯示設(shè)備 的顯示方法中，當(dāng)在步驟(a)中通過(guò)給定的幀頻率FR來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備時(shí)，可以應(yīng)用滿足以 下關(guān)系的配置TU (FR1) · P (FR1) > TU (FR2) · P (FR2)在此情況下，執(zhí)行閾值電壓消除處理的次數(shù)被表示為P(FR)、執(zhí)行一次閾值電壓消 除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度被表示為TU(FR)、第一幀頻率被表示為FR”比第一幀頻率FR1更高的 第二幀頻率被表示為FR2。這里，優(yōu)選地應(yīng)用這樣的配置，其中TU(FR)的值是固定的而與幀頻率FR無(wú)關(guān)，并 且根據(jù)幀頻率FR的值來(lái)切換P (FR)的值。還優(yōu)選地應(yīng)用這樣的配置，其中P(FR)的值是固 定的而與幀頻率FR無(wú)關(guān)，并且根據(jù)幀頻率FR的值來(lái)切換TU(FR)的值。這些配置具有以下 優(yōu)勢(shì)在根據(jù)幀頻率FR來(lái)切換TU(FR)和P(FR)的值中的任何一個(gè)時(shí)，允許要執(zhí)行的控制更 容易。另外，優(yōu)選地應(yīng)用這樣的配置，其中根據(jù)幀頻率FR的值切換TR(FR)和P(FR)的值兩 者。該配置具有使得對(duì)應(yīng)于要執(zhí)行的幀頻率FR能夠進(jìn)行更精確的控制的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)包括優(yōu)選配置的本發(fā)明的實(shí)施例， 執(zhí)行初始化第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的預(yù)處理隨后，執(zhí)行步驟(a)和步驟(b)，此后，在通過(guò)來(lái)自掃描線的掃描信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管使得第一節(jié)點(diǎn)處于浮置狀 態(tài)，并且從饋線向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定的驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài)下，使得與 第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電勢(shì)差的值對(duì)應(yīng)的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管流進(jìn)發(fā)光部分，從而驅(qū) 動(dòng)發(fā)光部分。根據(jù)其中執(zhí)行預(yù)處理的本發(fā)明的實(shí)施例，
優(yōu)選地應(yīng)用其中發(fā)光部分包括陽(yáng)極電極和陰極電極的 配置，并且設(shè)置第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)以使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極和另一源極/漏 極區(qū)之間的電勢(shì)差超過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓以及發(fā)光部分的陽(yáng)極電極和陰極電極之間 的電勢(shì)差不超過(guò)發(fā)光部分的閾值電壓。根據(jù)包括上面所解釋的各種優(yōu)選配置的本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)流入其中的電流而 發(fā)光的電流驅(qū)動(dòng)類型的發(fā)光部分可以被廣泛地用作在發(fā)光元件中所包括的發(fā)光部分。作為 發(fā)光部分，可以列舉有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分、無(wú)機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分、LED發(fā)光部分、半導(dǎo)體 激光發(fā)光部分等?？梢酝ㄟ^(guò)使用已知的材料和方法來(lái)形成這些發(fā)光部分。從配置彩色顯示 器的平板顯示設(shè)備的角度，發(fā)光部分優(yōu)選地由它們之中的有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分制成。有 機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分可以是所謂的頂部(top)發(fā)光類型或底部(bottom)發(fā)光類型。不僅僅在公式是數(shù)學(xué)上嚴(yán)格有效的情況下、而是也在公式是實(shí)質(zhì)上有效的情況 下，本說(shuō)明書中的多個(gè)公式中所示的條件得到滿足。換言之，關(guān)于有效的公式，允許在顯示 元件和顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造上生成的各種變化。在通過(guò)閾值電壓消除處理，第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)達(dá)到通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng) 晶體管的閾值電壓而獲得的電勢(shì)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管被關(guān)斷。另一方面，在第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)未達(dá) 到通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓而獲得的電勢(shì)時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié) 點(diǎn)之間的電勢(shì)差大于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，并且驅(qū)動(dòng)晶體管不被關(guān)斷。在根據(jù)本發(fā)明的 實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，隨著幀頻率增加，由閾值電壓消除處理導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)改變 減少。因此，作為閾值電壓消除處理的結(jié)果驅(qū)動(dòng)晶體管被關(guān)斷本質(zhì)上不是必然的?？梢栽陂撝惦妷合幚硗瓿芍罅⒓磮?zhí)行寫入處理，或在給定時(shí)段之后執(zhí)行寫 入處理。另外，可以在向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定的驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài)中執(zhí) 行寫入處理，或者可以在未向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定的驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài) 中執(zhí)行寫入處理。在前一配置中，一同執(zhí)行遷移率校正處理，所述遷移率校正處理根據(jù)驅(qū)動(dòng) 晶體管的特性而改變驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏極區(qū)的電勢(shì)。顯示設(shè)備可以被配置為單色顯示器或可以被配置為彩色顯示器。例如，顯示設(shè)備 可以被配置為其中一個(gè)像素包括多個(gè)子像素(具體地，一個(gè)像素包括作為發(fā)紅光的子像 素、發(fā)綠光的子像素和發(fā)藍(lán)光的子像素的三個(gè)子像素)的彩色顯示器。進(jìn)一步地，可以通過(guò) 向以上三種子像素添加一種或多種子像素的集合(添加了發(fā)白光的子像素以改善亮度的 一集合，添加了發(fā)互補(bǔ)色光的子像素以擴(kuò)展重現(xiàn)色彩的范圍的一集合、添加了發(fā)黃光的子 像素以擴(kuò)展重現(xiàn)色彩的范圍的一集合、以及添加了發(fā)黃光和青色光的子像素以擴(kuò)展重現(xiàn)色 彩的范圍的一集合)來(lái)配置像素。作為顯示設(shè)備的像素值，可以如下列舉用于顯示畫面的分辨率(雖然不限于這 些值):VGA(640，480)、S-VGA (800,600)、XGA (1024，768)、APRC (1152，900)、S-XGA (1280, 1024)、U-XGA (1600，1200)、HD-TV (1920，1080)和 Q-XGA (2048，1536)以及(1920,1035)、 (720,480)、(1280,960)等。在顯示設(shè)備中，諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和饋線之類的各種連線以及發(fā)光部分可以使 用已知的配置和結(jié)構(gòu)。例如，在發(fā)光部分由有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分制成時(shí)，該部分可以包括 陽(yáng)極電極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極電極等?？梢酝ㄟ^(guò)使用已知電路元件等來(lái) 配置后面所描述的諸如電源單元、掃描電路、信號(hào)輸出電路和控制電路之類的各種電路。
作為在驅(qū)動(dòng)電路中所包括的晶體管，可以列舉η溝道薄膜晶體管(TFT)。在驅(qū)動(dòng)電 路中所包括的晶體管可以是增強(qiáng)型或耗盡型。在η溝道晶體管中，可以形成LDD(輕摻雜漏 極)結(jié)構(gòu)。在一些情況下可以非對(duì)稱地形成LDD結(jié)構(gòu)。例如，在顯示元件發(fā)光時(shí)，大電流流 經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管，所以可以應(yīng)用以下配置，在該配置中僅僅在發(fā)光時(shí)作為漏極區(qū)側(cè)的一個(gè)源 極/漏極區(qū)的一側(cè)上形成LDD結(jié)構(gòu)。另外，例如可以使用ρ溝道薄膜晶體管。在驅(qū)動(dòng)電路中所包括的電容器單元可以包括一個(gè)電極、另一個(gè)電極、以及被夾在 這些電極中的介電層(絕緣層)。在給定的平面中形成(例如在基底上形成)在驅(qū)動(dòng)電路 中所包括的晶體管和電容器單元，并且例如通過(guò)層間絕緣層來(lái)在驅(qū)動(dòng)電路中所包括的晶體 管和電容器單元的上部形成發(fā)光部分。另一源極/漏極區(qū)例如通過(guò)接觸孔與發(fā)光部分中所 包括的陽(yáng)極電極連接。還優(yōu)選地應(yīng)用其中在半導(dǎo)體襯底等上形成晶體管的配置。在下文中，將參考附圖基于實(shí)施例而描述本發(fā)明，并且將在這些解釋之前解釋在 實(shí)施例中所使用的顯示設(shè)備的概要。對(duì)在實(shí)施例中所使用的顯示設(shè)備的概要的解釋適合于在實(shí)施例中使用的顯示設(shè)備為包括多個(gè)像素的顯示設(shè)備。一個(gè)像素包括多 個(gè)子像素(在實(shí)施例中的作為發(fā)紅光的子像素、發(fā)綠光的子像素和發(fā)藍(lán)光的子像素的三個(gè) 子像素)。通過(guò)有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分來(lái)配置電流驅(qū)動(dòng)類型發(fā)光部分。每個(gè)子像素包括具 有以下結(jié)構(gòu)的顯示元件10，在所述結(jié)構(gòu)中堆疊(stack)驅(qū)動(dòng)電路11和與驅(qū)動(dòng)電路11連接 的發(fā)光部分(發(fā)光部分ELP)。圖1中示出了在實(shí)施例中所使用的概念圖。圖2示出了基本上包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器單元的驅(qū)動(dòng)電路(也被稱作 2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)如圖1中所示，在實(shí)施例中所使用的顯示設(shè)備包括(1)總共NXM個(gè)顯示元件10，其中按二維矩陣狀態(tài)布置沿第一方向的N個(gè)顯示元 件和沿不同于第一方向的第二方向的M個(gè)顯示元件，其中每個(gè)具有電流驅(qū)動(dòng)類型發(fā)光部分 ELP和驅(qū)動(dòng)電路11，(2)沿第一方向延伸的M條掃描線SCL，(3)沿第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL，以及(4)沿第一方向延伸的M條饋線PS1。饋線PSl與電源單元100連接。數(shù)據(jù)線DTL與信號(hào)輸出電路102連接。掃描線 SCL與掃描電路101連接。雖然在圖1中示出了 3X3個(gè)的顯示元件，但這僅僅是示例。發(fā)光部分ELP具有包括以下的已知配置或結(jié)構(gòu)例如陽(yáng)極電極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、陰極電極等。掃描電路101、信號(hào)線輸出電路102、掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL 和電源單元100的配置或結(jié)構(gòu)可以是已知配置或結(jié)構(gòu)。后面將描述控制電路103的配置。解釋驅(qū)動(dòng)電路11的最小組件。驅(qū)動(dòng)電路11至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管TRD、寫入晶體管 TRw和電容器單元Q。通過(guò)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極電極的η溝道TFT來(lái)配置 驅(qū)動(dòng)晶體管TRd。還通過(guò)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極電極的η溝道TFT來(lái)配置寫 入晶體管TRW?？梢酝ㄟ^(guò)ρ溝道TFT來(lái)配置寫入晶體管TRW。另外，驅(qū)動(dòng)電路11可以進(jìn)一步 具有另一晶體管。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd中，
(A-I) 一個(gè)源極/漏極區(qū)與饋線PSl連接，(A-2)另一源極/漏極區(qū)與發(fā)光部分ELP的一端(在實(shí)施例中的發(fā)光部分ELP中所 包括的陽(yáng)極電極)連接以及與電容器單元C1的電極中的一個(gè)連接，以此配置第二節(jié)點(diǎn)ND2, 以及(A-3)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極與寫入晶體管TRw的另一源極/漏極區(qū)連接以 及與電容器單元C1的另一電極連接，以此配置第一節(jié)點(diǎn)ND115更具體地，在圖1中所示的顯示設(shè)備的第m行(m= L2...M)和第η列(η = 1， 2. . . N)的顯示元件10中，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)與第m饋線PSlm連接。在寫入晶體管TRw中，(B-I) 一個(gè)源極/漏極區(qū)與數(shù)據(jù)線DTL連接，以及(B-2)柵極電極與掃描線SCL連接。更具體地，在圖1中所示的顯示設(shè)備的第m行和第η列的顯示元件10中，寫入晶 體管TRw的一個(gè)源極/漏極區(qū)與第η數(shù)據(jù)線DTLn連接。寫入晶體管TRw的柵極電極與第m 掃描線SCLm連接。發(fā)光部分ELP的另一端(在實(shí)施例中的發(fā)光部分ELP中所包括的陰極電極)與第 二饋線PS2連接。更具體地，在圖1中所示的顯示設(shè)備的第m行和第η列的顯示元件10中，在發(fā)光 部分ELP中所包括的陰極電極與共用第二饋線PS2連接。為便利起見(jiàn)，與第m行和第η列 的顯示元件10連接的共用第二饋線PS2也可以被表示為PS2m。圖3為示意性地示出顯示設(shè)備的 部分的部分截面圖。在基底20上形成驅(qū)動(dòng)電 路11中所包括的晶體管TRD、TRW和電容器單元C1，并且例如通過(guò)層間絕緣層40在驅(qū)動(dòng)電路 11中所包括的晶體管TRd、TRw和電容器單元C1之上形成發(fā)光部分ELP。驅(qū)動(dòng)器晶體管TRd 的另一源極/漏極區(qū)通過(guò)連接孔與發(fā)光部分ELP中所包括的陽(yáng)極電極連接。在圖3中，只 示出了驅(qū)動(dòng)晶體管TRd。另一晶體管被隱藏。更具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd包括柵極電極31、柵極絕緣層32、在半導(dǎo)體層33處提 供的源極/漏極區(qū)35、35、以及在源極/漏極區(qū)35、35之間的對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層33的部分的 溝道形成區(qū)34。通過(guò)另一電極36、由柵極絕緣層32的擴(kuò)展部分形成的介電層、以及一個(gè)電 極37 (對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)ND2)來(lái)配置電容器單元Q。在基底20上形成柵極電極31、柵極絕 緣層32的一部分、以及電容器單元C1中所包括的另一電極36。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源 極/漏極區(qū)35與連線38連接，而另一源極/漏極區(qū)35與一個(gè)電極37連接。利用層間絕 緣層40覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管TRd、電容器單元C1等，并且在層間絕緣層40上提供包括陽(yáng)極電極 51、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極電極53的發(fā)光部分ELP。在附圖中，由一個(gè)層52 表示空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。在層間絕緣層40的不提供的發(fā)光部分ELP的部分 上，提供第二層間絕緣層54，并且在第二層間絕緣層54上布置透明襯底21和陰極電極53。 發(fā)光層處發(fā)出的光透射過(guò)襯底21并輻射至外部。一個(gè)電極37 (第二節(jié)點(diǎn)ND2)和陽(yáng)極電極 51由在層間絕緣層40中提供的接觸孔而連接。陰極電極53通過(guò)在第二層間絕緣層54和 層間絕緣層40中提供的接觸孔56、55與在柵極絕緣層32的擴(kuò)展部分上提供的連線39連 接。將解釋制造圖3等中所示的顯示設(shè)備的方法。首先，通過(guò)已知方法合適地形成諸如掃描線SCL之類的各種類型的連線、在電容器單元C1中所包括的電極、由半導(dǎo)體層組 成的晶體管、層間絕緣層、接觸孔等。隨后，通過(guò)已知方法形成沉積(exposition)和圖樣 (patterning)，并且形成被布置為矩陣狀態(tài)的發(fā)光部分ELP。在使得已經(jīng)接收了以上處理 的基底20和襯底21彼此面向并且外圍被密封之后，執(zhí)行對(duì)外部電路的連線以獲得顯示設(shè)備。每個(gè)實(shí)施例中的顯示設(shè)備是包括多個(gè)顯示元件10 (例如NXM = 1920X480)的彩 色顯示設(shè)備。每個(gè)顯示元件10包括子像素，并且通過(guò)具有多個(gè)子像素的編組來(lái)配置一個(gè)像 素，并且沿第一方向和與第一方向不同的第二方向、按二維矩陣狀態(tài)來(lái)布置像素。一個(gè)像素 包括三種子像素，所述三種子像素為沿掃描線SCL延伸的方向布置的發(fā)紅光的紅光發(fā)光子 像素、發(fā)綠光的綠光發(fā)光子像素和發(fā)藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光子像素。顯示設(shè)備包括按二維矩陣狀態(tài)布置的(N/3)XM個(gè)像素。配置各個(gè)像素的顯示元 件10被按行順序掃描，并且由FR(Hz)表示幀頻率(幀速)。配置沿第m行布置的各個(gè)(N/3) 像素(N個(gè)子像素)的顯示元件10被同時(shí)驅(qū)動(dòng)。換言之，在一行中所包括的各個(gè)顯示元件 10中，由這些顯示元件所屬的每行控制發(fā)光/非發(fā)光定時(shí)。向一行中所包括的各個(gè)像素寫 入視頻信號(hào)的處理可以是同時(shí)向全部像素寫入視頻信號(hào)的處理(也被僅僅稱作同時(shí)寫入 處理)、或是順序地向各個(gè)像素寫入視頻信號(hào)的處理(也被僅僅稱作順序?qū)懭胩幚?。可 以根據(jù)顯示設(shè)備的配置而合適地選擇應(yīng)用哪種寫入處理。如上所述，按行順序掃描第一行至第m行的顯示元件10。為了解釋的便利，將為掃 描每行的顯示元件10所分配的時(shí)段稱作水平掃描時(shí)段。在每個(gè)后面描述的實(shí)施例中，在每 個(gè)水平掃描時(shí)段中存在其中向數(shù)據(jù)線DTL施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓(后述的V。fs)的時(shí)段 (在以下描述中被稱作初始化時(shí)段)、隨后的從信號(hào)輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTL施加視頻信 號(hào)(后述的Vsig)的時(shí)段(被稱作視頻信號(hào)時(shí)段)。原理上，將解釋關(guān)于位于第m行和第η列的顯示元件10的驅(qū)動(dòng)和操作，其中該顯 示元件10被稱作第(n，m)顯示元件10或第(n，m)子像素。然后，在沿第m行布置的各個(gè) 顯示元件10的水平掃描時(shí)段(第m水平掃描時(shí)段)結(jié)束之前執(zhí)行各種處理(閾值電壓消 除處理、寫入處理和遷移率校正處理)。在第m水平掃描時(shí)段期間執(zhí)行寫入處理和遷移率校 正處理。另一方面，在第m水平掃描時(shí)段之前執(zhí)行閾值電壓消除處理和伴隨的預(yù)處理。在以上全部各種處理完成之后，允許沿第m行布置的各個(gè)顯示元件10中所包括的 發(fā)光部分ELP發(fā)光。優(yōu)選地，在以上全部各種處理完成之后立即允許發(fā)光部分ELP發(fā)光，或 也優(yōu)選地在經(jīng)過(guò)給定時(shí)段(例如給定數(shù)目的行的水平掃描時(shí)段)之后允許發(fā)光部分ELP發(fā) 光?？梢砸罁?jù)顯示設(shè)備的規(guī)格、驅(qū)動(dòng)電路的配置等等來(lái)合適地設(shè)置給定時(shí)段。在以下解釋 中，為解釋便利起見(jiàn)，在各種處理執(zhí)行之后立即允許發(fā)光部分ELP發(fā)光。沿第m行布置的各 個(gè)顯示元件10中所包括的發(fā)光部分ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)至正好在沿第(m+m’)行布置的各 個(gè)顯示元件10的水平掃描時(shí)段的開(kāi)始之前。這里，根據(jù)顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)規(guī)范來(lái)確定“m’”。 也就是說(shuō)，沿第m行布置的各個(gè)顯示元件10中所包括的發(fā)光部分ELP的發(fā)光持續(xù)直至在給 定顯示幀中的第(m+m’ -1)水平掃描時(shí)段。另一方面，原理上，沿第m行布置的各個(gè)顯示元 件10中所包括的發(fā)光部分ELP從第(m+m’)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始維持非發(fā)光狀態(tài)直至在下 一顯示幀中的第m水平掃描時(shí)段中完成寫處理和遷移率校正處理。提供以上非發(fā)光狀態(tài)的 時(shí)段(也被僅僅稱作非發(fā)光時(shí)段)，從而減少由有源矩陣驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的殘留圖像模糊，并且允許運(yùn)動(dòng)畫面的質(zhì)量更出色。但是，各個(gè)子像素(顯示元件10)的發(fā)光狀態(tài)和非發(fā)光狀態(tài)不 限于上述狀態(tài)。水平掃描時(shí)段的時(shí)間長(zhǎng)度為小于(1/FR)X(1/M)的時(shí)間長(zhǎng)度。在(m+m’) 的值超過(guò)“Μ”時(shí)，將在下一顯示幀中處理超過(guò)的水平掃描時(shí)段。在以下描述中，幀頻率FR 取各種值，但是，假定水平掃描時(shí)段的時(shí)間長(zhǎng)度被固定為給定值，而與幀頻率無(wú)關(guān)。在一個(gè)晶體管中所包括的兩個(gè)源極/漏極區(qū)中，可以在源極/漏極區(qū)與電源側(cè)連 接的意義下使用“一個(gè)源極/漏極區(qū)”?！熬w管處于導(dǎo)通狀態(tài)”指示在源極/漏極區(qū)之間 形成溝道的狀態(tài)。電流是否從一個(gè)源極/漏極區(qū)流向另一源極/漏極區(qū)是無(wú)關(guān)緊要的。另 一方面，“晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)”指示在源極/漏極區(qū)之間未形成溝道的狀態(tài)。另外，“給定 晶體管的源極/漏極區(qū)與另一晶體管的源極/漏極區(qū)連接”包括以下形式給定晶體管的 該源極/漏極區(qū)與另一晶體管的源極/漏極區(qū)占據(jù)相同的區(qū)域。進(jìn)一步地，可以通過(guò)以下 方式來(lái)配置源極/漏極區(qū)，即，不僅可以通過(guò)包括摻雜的諸如多晶硅或無(wú)定形硅之類的導(dǎo) 體材料，還可以通過(guò)金屬、合金、導(dǎo)電粒子，這些材料的堆疊結(jié)構(gòu)、或包括有機(jī)材料(導(dǎo)電聚 合物)的層來(lái)配置源極/漏極區(qū)。在用于以下的解釋的時(shí)序圖中，示意性地示出了指示各 個(gè)時(shí)段(時(shí)間長(zhǎng)度)的沿水平軸的長(zhǎng)度，所述沿水平軸的長(zhǎng)度不指示各個(gè)時(shí)段中的時(shí)間長(zhǎng) 度的比例。對(duì)于垂直軸來(lái)說(shuō)也是相同。還示意性地示出時(shí)序圖中的波形的形狀。在下文中，將基于實(shí)施例來(lái)解釋本發(fā)明。[實(shí)施例]本實(shí)施例涉及本發(fā)明所應(yīng)用的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法。如圖2中所示，在顯示元件10中所包括的驅(qū)動(dòng)電路11包括兩個(gè)晶體管，即，寫入 晶體管TRw和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD，以及一個(gè)電容器單元C1OTivIC驅(qū)動(dòng)電路)。將解釋第(n，m) 顯示元件10的配置。[驅(qū)動(dòng)晶體管TRd]驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)與第m饋線PSlm連接?；陔娫磫卧?00的 操作從第m饋線PSlm向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定電壓。具體地，從電 源單元100提供后述的驅(qū)動(dòng)電壓和電壓Vc“。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的另一源極/ 漏極區(qū)與以下連接(1)發(fā)光部分ELP的陽(yáng)極電極，以及(2)電容器單元C1的一個(gè)電極，以此配置第二節(jié)點(diǎn)ND2。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電 極與以下連接(1)寫入晶體管TRw的另一源極/漏極區(qū)，以及(2)電容器單元C1的另一電極，以此配置第一節(jié)點(diǎn)ND115這里，在顯示元件10處于發(fā)光狀態(tài)時(shí)，設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管TRd中的電壓使之工作在 飽和區(qū)，驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管TRd以允許根據(jù)以下公式(1)的漏極電流Ids流過(guò)。在顯示元 件10的發(fā)光狀態(tài)中，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)作為漏極區(qū)，而另一源極/漏極 區(qū)作為源極區(qū)。為了解釋便利起見(jiàn)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)可以僅僅被稱作 漏極區(qū)，而另一源極/漏極區(qū)僅僅被稱作源極區(qū)。在公式(1)中，μ 有效遷移率L 溝道長(zhǎng)度W:溝道寬度
Vgs 柵極電極和源極區(qū)之間的電勢(shì)差；Vth:閾值電壓Cox 柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù)X真空介電常數(shù)/柵極絕緣層的厚度k = (1/2) ‘ (W/L) ‘ CoxIds = k · μ · (Vgs-Vth)2. . . (1)漏極電流Ids流經(jīng)顯示元件10的發(fā)光部分ELP，從而允許發(fā)光部分ELP發(fā)光。進(jìn)一 步地，根據(jù)漏極電流Ids的值的大小來(lái)控制顯示器件10的發(fā)光部分ELP中的發(fā)光狀態(tài)(亮 度)。[寫入晶體管TRw]如上所述，寫入晶體管TRw的另一源極/漏極區(qū)與驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極連 接。另一方面，寫入晶體管TRw的一個(gè)源極/漏極區(qū)與第η數(shù)據(jù)線DTLn連接?；谛盘?hào)輸 出電路102的操作，從第η數(shù)據(jù)線DTLn向?qū)懭刖w管TRw的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定電 壓。具體地，從信號(hào)輸出電路102提供用于控制發(fā)光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)(驅(qū)動(dòng) 信號(hào)、亮度信號(hào))Vsig以及后述第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs。由來(lái)自與寫入晶體管TRw的柵極 電極連接的第m掃描線SCLm的掃描信號(hào)(具體地，來(lái)自掃描電路101的掃描信號(hào))控制寫 入晶體管TRw的導(dǎo)通/關(guān)斷操作。[發(fā)光部分ELP]如上所述，發(fā)光部分ELP的陽(yáng)極電極與驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的源極區(qū)連接。另一方面， 發(fā)光部分ELP的陰極電極與第m條第二饋線PS2m連接。從第m條第二饋線PS2m向發(fā)光部 分ELP的陰極電極施加后述給定電壓V。at。發(fā)光部分ELP的電容由標(biāo)記Ca表示。發(fā)光部分 ELP的發(fā)光所必需的閾值電壓由Vthi表示。也就是說(shuō)，當(dāng)在發(fā)光部分ELP的陽(yáng)極電極和陰 極電極之間施加等于或多于Vthi的電壓時(shí)，發(fā)光部分ELP發(fā)光。接著，將解釋根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。在以下描述中，將如下表示電壓或電勢(shì)的值。這些僅僅是用于解釋的值，并且它們 不限于這些值。Vsig 用于控制發(fā)光部分中的亮度的視頻信號(hào)...IV(黑色顯示)至8V(白色顯示)VCC_H 用于允許電流流經(jīng)發(fā)光部分ELP的驅(qū)動(dòng)電壓...20VVcc_l:第二初始化電壓...-10VVofs 用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極的電勢(shì)(第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì))的第 一節(jié)點(diǎn)初始化電壓...OVVth驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓...3VVcat 被施加至發(fā)光部分ELP的陰極電極的電壓...OVVthi 發(fā)光部分ELP的閾值電壓...3V根據(jù)本實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法包括步驟(a)至少執(zhí)行閾值電壓消除處理一次，其通過(guò)在維持第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的同時(shí)從 饋線PSlm向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H，來(lái)將第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方 向改變，然后(b)執(zhí)行寫入處理，其通過(guò)寫入晶體管TRwW數(shù)據(jù)線DTLn向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信號(hào)vSig。在實(shí)施例中，執(zhí)行用于初始化第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的預(yù)處 理。接著，執(zhí)行以上步驟(a)和步驟(b)。此后，基于來(lái)自掃描線SCL的掃描信號(hào)關(guān)斷寫入 晶體管TRW，從而允許第一節(jié)點(diǎn)ND1處于浮置狀態(tài)。在從饋線PSl向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè) 源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài)中，允許與第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的 電勢(shì)差的值對(duì)應(yīng)的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd流至發(fā)光部分ELP，驅(qū)動(dòng)發(fā)光部分ELP。如上所述，發(fā)光部分ELP包括陽(yáng)極電極和陰極電極。預(yù)處理為設(shè)置第一節(jié)點(diǎn)ND1的 電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的步驟，使得驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之 間的電壓差超過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth，以及發(fā)光部分ELP的陽(yáng)極電勢(shì)和陰極電勢(shì) 之間的電勢(shì)差不超過(guò)發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vth_a。在該實(shí)施例中，在多個(gè)掃描時(shí)段上多次執(zhí)行閾值消除處理。首先，將解釋根據(jù)該實(shí) 施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法中的基本原理，以幫助理解本發(fā)明。在圖4中示意性地示出了 顯示元件10的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖，而在圖5A至5F和圖6A至6F中示意性地示出了顯示元件10 的各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)等。為了解釋的便利，在圖4中所示的操作中，假定在第(m-2)水平掃描時(shí)段Hm_2至第 m水平掃描時(shí)段Hm上執(zhí)行閾值電壓消除處理而進(jìn)行解釋。實(shí)際上，在進(jìn)一步的更長(zhǎng)的水平 時(shí)段上執(zhí)行閾值電壓消除處理。[時(shí)段-TP(2)(參考圖4和圖5A)[時(shí)段_TP(2)_J例如為先前顯示幀中的操作，其為在完成了各種先前的處理之后 第(n，m)顯示元件10處于發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段。也就是說(shuō)，基于后述公式(5’ )的漏極電流 I’ ds流經(jīng)形成第(n，m)子像素的顯示元件10中的發(fā)光部分ELP，并且形成第(n，m)子像素 的顯示元件10的亮度為對(duì)應(yīng)于漏極電流I’ ds的值。這里，寫入晶體管TRw處于關(guān)斷狀態(tài)， 并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRd處于導(dǎo)通狀態(tài)。第(n，m)發(fā)光狀態(tài)持續(xù)至正好在沿第(m+m’ )行布置 的顯示元件10的水平掃描時(shí)段的開(kāi)始之前。對(duì)應(yīng)于每個(gè)水平掃描時(shí)段而向數(shù)據(jù)線DTLn施加第一初始化電壓V。fs和視頻信號(hào) Vsig0但是寫入晶體管TRw處于關(guān)斷狀態(tài)，因此，即使在[時(shí)段-TP (2) 中數(shù)據(jù)線DTLn的電 勢(shì)(電壓)改變時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)也不改變(實(shí)際上，可能發(fā)生由于 諸如寄生電容等等之類的電容性耦合引起的電勢(shì)改變，但是這些可以被忽略)。對(duì)于后述的 [時(shí)段-TP⑵J也是同樣的。圖4中所示的從[時(shí)段-TP^tl]到[時(shí)段-TP(2)6A]的時(shí)段為從完成了各種先前 的處理之后的發(fā)光狀態(tài)到正好在執(zhí)行下一寫入處理之前的操作時(shí)段。在從[時(shí)段-TP (2) J 到[時(shí)段-TP(2)6B]的時(shí)段中，原理上，第(n，m)顯示元件10處于非發(fā)光狀態(tài)。如圖4中所 示，除[時(shí)段-TP (2) 5]和[時(shí)段-TP (2) 6A]之外，[時(shí)段-TP⑵J和[時(shí)段-TP (2) 6C]也被 包括在第m水平掃描時(shí)段Hm中。為了解釋的便利，假定[時(shí)段_TP(2)1A]的開(kāi)始對(duì)應(yīng)于第(m-2)水平掃描時(shí)段Hm_2 中的初始化時(shí)段(圖4中其中數(shù)據(jù)線DTLn的電勢(shì)為V。fs的時(shí)段，其對(duì)于其他水平掃描時(shí)段 相同)的開(kāi)始。相似地，假定[時(shí)段-TP (2) 1B]的末端對(duì)應(yīng)于水平掃描時(shí)段Hm_2中的初始化 時(shí)段的末端。同樣，假定[時(shí)段-TP(2)2]的開(kāi)始對(duì)應(yīng)于水平掃描時(shí)段Hm_2中的視頻信號(hào)時(shí) 段(圖4中其中數(shù)據(jù)線DTLn的電勢(shì)為視頻信號(hào)Vsig的時(shí)段，這對(duì)于其他水平掃描時(shí)段來(lái)說(shuō)相同)的開(kāi)始。在下文中，將解釋[時(shí)段-TP (2) J到[時(shí)段-了？⑵,]中的各個(gè)時(shí)段?？梢愿鶕?jù)顯 示元件和顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)合適地設(shè)置[時(shí)段_TP(2)1b]的開(kāi)始以及[時(shí)段-TP(2)6A]到 [時(shí)段-TP(2)6C]中的各個(gè)時(shí)段的長(zhǎng)度。[時(shí)段-TP(2)。](參考圖4和圖5B)[時(shí)段_TP(2)J例如為從先前的顯示幀到當(dāng)前的顯示幀的操作。也就是說(shuō)，[時(shí) S-TP^tl]是從先前的顯示幀中的第(m+m’)水平掃描時(shí)段Hm+m，的開(kāi)始到當(dāng)前顯示幀中的 第(m-3)水平掃描時(shí)段的時(shí)段。在[時(shí)段-TP^tl]中，第(n，m)顯示器件10原理上處于非 發(fā)光狀態(tài)。在[時(shí)段-TP^tl]的開(kāi)始，將從電源單元100向饋線PSlm提供的電壓從驅(qū)動(dòng)電 壓V。。_H切換為第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓V·。作為結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)減少至V?！?，在發(fā) 光部分ELP的陽(yáng)極電極和陰極電極之間施加反向電壓，并且發(fā)光部分ELP變?yōu)榉前l(fā)光狀態(tài)。 處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極)的電勢(shì)也根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)ND2的 電勢(shì)減少而減少。[時(shí)段-TP(2) 1A](參考圖4和圖5C)然后，當(dāng)前顯示幀中的第(m-2)水平掃描時(shí)段開(kāi)始。在[時(shí)段_TP(2)1A]中，執(zhí)行 預(yù)處理。如上所述，在各個(gè)水平掃描時(shí)段中，從信號(hào)輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTLn施加第一 節(jié)點(diǎn)初始化電壓v。fs，隨后，代替第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓v。fs而施加視頻信號(hào)^…更具體地， 對(duì)應(yīng)于當(dāng)前顯示幀中的第(m-2)水平掃描時(shí)段Hm_2，向數(shù)據(jù)線DTLn施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電 壓V。fs，隨后，代替第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V-而施加對(duì)應(yīng)于第(n，m-2)子像素的視頻信號(hào)(為 便利起見(jiàn)表示為Vsig m_2，這對(duì)于其他視頻信號(hào)來(lái)說(shuō)相同)。這對(duì)于其他水平掃描時(shí)段來(lái)說(shuō)相 同。雖然未在圖4中示出，但在除水平掃描時(shí)段扎_2、Hm+ Hm、Hm+1，、HnrtlL1，和Hm+m，之外的各 個(gè)水平掃描時(shí)段中向數(shù)據(jù)線DTLn施加第一初始化電壓V。fs和視頻信號(hào)VSig。具體地，在[時(shí)段_TP(2)1a]的開(kāi)始處，使得掃描線SCLm電平為高，從而導(dǎo)通寫入 晶體管TRW。從信號(hào)輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTLn施加的電壓為V。fs (初始化時(shí)段)。作為 結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)將是V。fs(0V)。因?yàn)榛陔娫磫卧?00的操作從饋線PSlm向第二 節(jié)點(diǎn)ND2施加第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓Vrc+所以第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)維持為。第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電壓差為10V，而驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓 Vth為3V，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd處于導(dǎo)通狀態(tài)。第二節(jié)點(diǎn)ND2和發(fā)光部分ELP中所包括的 陰極電極之間的電壓差為-10V，這不超過(guò)發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi。據(jù)此，完成了初 始化第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的預(yù)處理。在執(zhí)行預(yù)處理時(shí)，優(yōu)選地應(yīng)用以下配置在等待被施加至數(shù)據(jù)線DTLn的電壓被切 換至第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V-之后，導(dǎo)通寫入晶體管TRW。另外，還可能應(yīng)用以下配置在其 中執(zhí)行預(yù)處理的水平掃描時(shí)段的開(kāi)始之前通過(guò)來(lái)自掃描線的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。根 據(jù)后一配置，在向數(shù)據(jù)線DTLn施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs之后立即初始化第一節(jié)點(diǎn)ND1 的電勢(shì)。根據(jù)前一配置(其中在等待被施加至數(shù)據(jù)線DTLn的電壓被切換至第一節(jié)點(diǎn)初始化 電壓V。fs之后導(dǎo)通寫入晶體管TRw)，必須要向預(yù)處理分配包括等待切換的時(shí)間的時(shí)間。另 一方面，根據(jù)后一配置，等待切換的時(shí)間是不必要的，并且可以在短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行預(yù)處理。接著，在從[時(shí)段-TP(2) 1B]到[時(shí)段-TP(2)5]的時(shí)段上執(zhí)行上述步驟(a)，即，閾值電壓消除處理。具體地，在[時(shí)段_TP(2)1B]中執(zhí)行第一閾值電壓消除處理，在[時(shí) 段-TP(2)3]中執(zhí)行第二閾值電壓消除處理，并且在[時(shí)段-TP(2)5]中執(zhí)行第三閾值電壓消 除處理。[時(shí)段-TP(2) 1B](參考圖 4、圖 5D)也就是說(shuō)，在維持寫入晶體管TRw的導(dǎo)通狀態(tài)的同時(shí)將從電源單元100向饋線PSlm 提供的電壓從V·切換為驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持V。fs =ov)，但將第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值 電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向改變。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。在[時(shí)段-TP(2)1B]充分長(zhǎng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之 間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TRd被關(guān)斷。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變得接近 (Vofs-Vth)并最終達(dá)到(Vofs-Vth) 0但是，在圖4中所示的例子中，[時(shí)段-TP(2)1B]的長(zhǎng)度不 足以充分改變第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)在[時(shí)段_TP(2)1b]的末端處 達(dá)到滿足以下關(guān)系的給定電勢(shì)V1 :VCC_H < V1 < (Vofs-Vth)。[時(shí)段-TP(2)2](參考圖4、圖 5E)在[時(shí)段-了？⑵』的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTLJ々電勢(shì)從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V-切 換到視頻信號(hào)Vsig m_2。在[時(shí)段-TP(2)2]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCLmW信號(hào)關(guān)斷寫入 晶體管TRW，以使得不向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信號(hào)Vsig m_2。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1處于浮 置狀態(tài)。因?yàn)閺碾娫磫卧?00向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓Vcc_h，因 此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)從電勢(shì)V1增加至給定電勢(shì)V2。另一方面，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管TRd的柵 極電極處于浮置狀態(tài)，并且存在電容器單元C1，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成自 舉操作。據(jù)此，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變而增加。[時(shí)段-TP(2) 3](參考圖 4、圖 5F)在[時(shí)段-TP⑵』的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTLn的電勢(shì)從視頻信號(hào)Vsig m_2切換為第一 節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs。在[時(shí)段^？⑵』的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCLmW信號(hào)導(dǎo)通寫入 晶體管TRW。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)將為V。fs。從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的 一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓Vrc_H。作為結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)ND1的電 勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向改變。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電勢(shì)從電勢(shì)V2增加至給定電勢(shì)V3。[時(shí)段-TP(2)4](參考圖 4、圖 6A)在[時(shí)段-了？⑵』的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTLJ々電勢(shì)從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V-切 換為視頻信號(hào)Vsig nrftj在[時(shí)段-TP (2) 4]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCLmW信號(hào)關(guān)斷寫入 晶體管TRW，以使得不向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信號(hào)Vsig nrft5作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1處于浮 置狀態(tài)。因?yàn)閺碾娫磫卧?00向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓VCC_H，因 此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)從電勢(shì)V3增加至給定電勢(shì)V4。另一方面，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管TRd的柵 極電極處于浮置狀態(tài)，并且存在電容器單元C1，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成自 舉操作。據(jù)此，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變而增加。作為[時(shí)段-TP(2)5]中的操作的前提，在[時(shí)段-了？⑵』的開(kāi)始處，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)V4必須低于(Vofs-Vth)。確定從[時(shí)段-TP (2) 1B]的開(kāi)始到[時(shí)段-TP (2) 5]的開(kāi)始 的長(zhǎng)度以滿足條件V4 < (Vofs-Vth)。[時(shí)段-TP(2) 5](參考圖 4、圖 6B)[時(shí)段-TP(2)5]的操作基本上與在[時(shí)段-TP(2)3]中所解釋的操作相同。在[時(shí) 段-TP (2) 5]的開(kāi)始處，將數(shù)據(jù)線DTLn的電勢(shì)從視頻信號(hào)Vsigχ切換到第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓 V。fs。在[時(shí)段-TP(2)5]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCLm的信號(hào)導(dǎo)通寫入晶體管TRW。第一節(jié)點(diǎn)ND1處于從數(shù)據(jù)線01^通過(guò)寫入晶體管TRw施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs 的狀態(tài)。因?yàn)閺碾娫磫卧?00向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓V_，所 以以與在[時(shí)段-TP(2)3]中所解釋的方式相同的方式，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)向通過(guò)從第一 節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)的方向改變。然后，在驅(qū) 動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd被 關(guān)斷。在該狀態(tài)中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)幾乎是(V。fs-Vth)。這里，在以下(2)得到保證時(shí)， 換言之，在選擇并確定電勢(shì)以滿足公式(2)時(shí)，發(fā)光部分ELP不發(fā)光。(Vofs-Vth) < (Vth_EL+VCat)... (2)在[時(shí)段-了？⑵』中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)將最終是(V。fs_Vth)。也就是說(shuō)，只取決 于驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極電勢(shì)的電壓V。fs 來(lái)確定第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。貝IJ，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)與發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi無(wú) 關(guān)。[時(shí)段-TP(2) 6A](參考圖 4、圖 6C)在[時(shí)段-TP(2)6A]的開(kāi)始處，通過(guò)來(lái)自掃描線SCLm的掃描信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管 TRW。將要施加至數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs切換為視頻信號(hào)Vsig m (視 頻信號(hào)時(shí)段)。當(dāng)在閾值電壓消除處理中驅(qū)動(dòng)晶體管TRd達(dá)到關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)ND1和 ND2的電勢(shì)不改變。當(dāng)在[時(shí)段-TP(2)5]中所執(zhí)行的閾值電壓消除處理中驅(qū)動(dòng)晶體管TRd 未達(dá)到關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，在[時(shí)段-TP (2) 6A]中生成自舉操作，并且第一節(jié)點(diǎn)NDjPND2W電勢(shì)以 某種程度增加。[時(shí)段-TP(2) J (參考圖 4、圖 6D)在該時(shí)段中，執(zhí)行上述步驟(b)，即，寫入處理。通過(guò)來(lái)自掃描線SCLm的掃描信號(hào) 導(dǎo)通寫入晶體管TRW。然后，從數(shù)據(jù)線01^通過(guò)寫入晶體管TRw向第一節(jié)點(diǎn)ND1施加視頻信 號(hào)VSig—m。作為結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)增加至Vsig m。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd處于導(dǎo)通狀態(tài)。在一 些情況下，還可以應(yīng)用其中寫入晶體管1&在[時(shí)段-TP(2)6A]中維持導(dǎo)通狀態(tài)的配置。在 該配置中，在將數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs切換到視頻信號(hào)Vsig m之后， 立即開(kāi)始寫入處理。這也與后述實(shí)施例相同。這里，電容器單元C1的值被表示為"C1 ”，而發(fā)光部分ELP的電容器Ca的值被表示 為ca。然后，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之間的電容器的值被表示為 cgs。在第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電容值被表示為標(biāo)記cA時(shí)，CA = Cl+Cgs。在第二 節(jié)點(diǎn)ND2和第二饋線PS2之間的電容值被表示為標(biāo)記cB時(shí)，cb = q?？梢詰?yīng)用將附加的電 容器單元與發(fā)光部分ELP的兩端并聯(lián)的配置，并且附加的電容器單元的電容值進(jìn)一步被添 加到cB。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極的電勢(shì)從V。fs改變?yōu)閂sig m( > Vofs)時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)改變。也就是說(shuō)，根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的 電容值以及第二節(jié)點(diǎn)ND2和饋線PS2之間的電容值，分配基于驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極的 電勢(shì)(=第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì))的改變量(VSigm-V。fs)的電荷。因此，在值cB( = cEL)與值 cA(Cl+Cgs)相比足夠大時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變很小。一般地，發(fā)光部分ELP的電容器 Cel的值q大于電容器單元C1的值C1和驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的寄生電容的值cgs。在下文中，為 便利起見(jiàn)，將不考慮由第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)改變生成的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變的情況而進(jìn) 行解釋。在不考慮由第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)改變生成的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)改變的情況下， 示出了圖4中示出的關(guān)于驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖。對(duì)于將參考的圖11來(lái)說(shuō)也是相同的。在上述寫入處理中，在從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加 驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H的狀態(tài)中，向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極施加視頻信號(hào)Vsig m。據(jù)此，如圖4中 所示，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)在[時(shí)段-TP(2)6B]中增加。后面將描述該電勢(shì)的增量(圖4中 所示的Δν)。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極(第一節(jié)點(diǎn)ND1)的電勢(shì)由Vg表示，并且驅(qū)動(dòng)晶 體管TRd的另一源極/漏極區(qū)的電勢(shì)由Vs表示時(shí)，Vg、Vs的值在不考慮第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì) 增加時(shí)將如下所述。第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差，即，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵 極電極和作為源極區(qū)的另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差Vgs可以由以下公式(3)來(lái)表示Vg = VsigmVs=Vofs-VthVgs=VSig_m-(Vofs-Vth) ...(3)也就是說(shuō)，在對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的寫入處理中所獲得的Vgs僅依賴于用于控制發(fā) 光部分ELP中的亮度的視頻信號(hào)Vsig m、驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth、和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶 體管TRd的柵極電極的電勢(shì)的電壓V。fs。另外，Vgs與發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi無(wú)關(guān)。隨后，將解釋上述的[時(shí)段-TP(2)6B]中的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。在上述驅(qū)動(dòng) 方法中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的特性(例如遷移率μ的大小等)而增加另一源極/漏極區(qū) 的電勢(shì)(即，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))的遷移率校正處理與寫入處理一同執(zhí)行。在驅(qū)動(dòng)器晶體管TRd由多晶硅薄膜晶體管等制成的情況下，難以避免出現(xiàn)晶體管 之間的遷移率μ的變化。因此，在向具有不同的遷移率μ的多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極 電極施加具有相同值的視頻信號(hào)Vsig時(shí)，在流經(jīng)具有大遷移率μ的驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極 電流Ids和流經(jīng)具有小遷移率μ的驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極電流Ids之間出現(xiàn)差異。在出現(xiàn) 這樣的差異時(shí)，減少了顯示設(shè)備中的屏幕的均勻性。在上述驅(qū)動(dòng)方法中，在從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施 加驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H的狀態(tài)中，向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極施加視頻信號(hào)Vsig m。據(jù)此，如圖4 中所示，第二節(jié)點(diǎn)冊(cè)2的電勢(shì)在[時(shí)段-TP(2)6B]中增加。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ的 值大時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的另一源極/漏極區(qū)中的電勢(shì)(S卩，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))的增量 AV(電勢(shì)校正值)增加。另一方面，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ的值小時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的另一源極/漏極區(qū)中的電勢(shì)的Δν(電勢(shì)校正值)減少。這里，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵 極電極和作為源極區(qū)的另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差Vgs可以從公式(3)變形為以下公 式⑷Vgs=Vslg_m-(Vofs-Vth)-AV. ..(4)可以根據(jù)顯示元件和顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)確定用于執(zhí)行寫入處理的給定時(shí)間的完整時(shí)間(tQ)(圖4中的[時(shí)段-TP(2) J)。確定[時(shí)段-TP(2)6B]的完整時(shí)間tQ以使得驅(qū) 動(dòng)晶體管TRd的另一源極/漏極區(qū)中的電勢(shì)((Vofs-Vth) +ΔV)在此時(shí)滿足公式(2’)。發(fā) 光部分ELP在[時(shí)段-ΤΡ(2)6Β]中不發(fā)光。根據(jù)遷移率校正處理，在相同的時(shí)間執(zhí)行系數(shù) “k” (三(1/2) · (W/L) · Cox)的變化的校正。(Vofs-Vth) + Δ V) < (Vth_EL+VCat)... (2')[時(shí)段-TP(2)6C](參考圖4、圖 6E)根據(jù)以上操作，完成步驟(a)、(b)。其后，從[時(shí)段-TP (2) 6 J執(zhí)行以下步驟。也 就是說(shuō)，在維持從電源單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H的 狀態(tài)的同時(shí)，使得掃描線SCLm電平為低，關(guān)斷寫入晶體管TRw并且使得第一節(jié)點(diǎn)ND1 (即， 驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極)處于浮置狀態(tài)。據(jù)此，作為以上的結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì) 增加。如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處于浮置狀態(tài)并且存在電容器單元C1,因 此，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極處生成與所謂的自舉電路中的現(xiàn)象相似的現(xiàn)象，并且第一 節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)也增加。作為結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵極電極和作為源極區(qū)的另一源極/ 漏極區(qū)之間的電勢(shì)差Vgs維持公式(4)的值。因?yàn)榈诙?jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加并且超過(guò)(Vthi+VCat)，所以發(fā)光部分ELP開(kāi)始發(fā)光 (參考圖6F)。此時(shí)，流入發(fā)光部分ELP的電流為從驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極區(qū)流向源極區(qū)的 漏極電流Ids，因此，它可以由公式⑴表示。這里，根據(jù)公式⑴和公式(4)，公式⑴可以 被變形為以下公式(5)。Ids = k · μ · (Vsigjl-Vofs-AV)2. · · (5)因此，例如，在V。fs被設(shè)置為OV時(shí)，流經(jīng)發(fā)光部分ELP的電流Ids與通過(guò)從用于控 制發(fā)光部分ELP的亮度的視頻信號(hào)Vsig mW值減去由驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ導(dǎo)致的電 勢(shì)校正值Δ V的值而獲得的值的平方成比例。換言之，流經(jīng)發(fā)光部分ELP的電流Ids不依賴 于發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth。也就是說(shuō)，發(fā)光部分 ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth 影響。第(m，η)顯示元件10的亮度具有對(duì)應(yīng)于這樣的電流Ids的值。驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ越大，則電勢(shì)校正值A(chǔ)V變得越大，因此，公式⑷中 的左側(cè)中的Vgs的值減少。因此，即使在公式(5)中遷移率μ的值大時(shí)，(VSig m-V。fs_AV)2 的值仍減少，作為結(jié)果，可以校正由驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的遷移率μ的變化(進(jìn)一步，“k”的變 化)導(dǎo)致的漏極電流Ids的變化。據(jù)此，可以校正由遷移率μ的變化(進(jìn)一步，“k”的變 化)導(dǎo)致的發(fā)光部分ELP的亮度的變化。然后，發(fā)光狀態(tài)持續(xù)至第(m+m’-l)水平掃描時(shí)段。第(m+m’ _1)水平掃描時(shí)段的 末端對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP(2)的末端。這里，“m’”是滿足關(guān)系1 <m’ 顯示設(shè)備中的 給定值。換言之，從[時(shí)段-TP (2) J的開(kāi)始到正好在第(m+m’)水平掃描時(shí)段Hm+m，之前驅(qū) 動(dòng)發(fā)光部分ELP，并且該時(shí)段對(duì)應(yīng)于發(fā)光時(shí)段。將參考圖7A至7D解釋饋線PSl的電勢(shì)、第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)和流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的漏極電流Ids之間的關(guān)系。如圖7A中所示，當(dāng)饋線PSlm的電勢(shì)被從第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓V·切換至驅(qū)動(dòng)電 壓時(shí)，除參考圖4解釋的從預(yù)處理至寫入處理的時(shí)段之外，漏極電流Ids流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd。因此，在寫入處理完成之后，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。在此時(shí)，在第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不超過(guò)發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vth_a的時(shí)段“A” 中，漏極電流Ids唯一地流入發(fā)光部分ELP的電容器CeJ參考圖7B)。標(biāo)記Ie表示漏極電 流Ids中流入電容器Ca的電流，并且標(biāo)記Ie表示漏極電流Ids中流入發(fā)光部分ELP的電流。 在超過(guò)發(fā)光部分ELP的閾值電壓Vthi之后，在其中第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)達(dá)到固定值的時(shí)段 “B”中，漏極電流Ids流入電容器Ca以及流入發(fā)光部分ELP(參考圖7C)。此外，在第二節(jié)點(diǎn) ND2的電勢(shì)達(dá)到該固定值之后的時(shí)段“C”中，漏極電流Ids唯一地流入發(fā)光部分ELP(參考圖 7D)。流入電容器Ca的電流I。對(duì)發(fā)光沒(méi)有貢獻(xiàn)。因此，漏極電流Ids中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部 分(電荷量)為在圖7A中對(duì)其畫出陰影的部分。這里，將考慮在幀頻率相對(duì)低(例如50Hz)的情況下和在幀頻率相對(duì)高(例如 60Hz)的情況下流入發(fā)光部分ELP的電流量中生成的差異。如圖8中所示，在幀頻率增加 時(shí)，減少了通過(guò)將發(fā)光時(shí)段和非發(fā)光時(shí)段相加而獲得的長(zhǎng)度。因此，在幀頻率增加時(shí)，通常 也減少了向饋線PSlm施加驅(qū)動(dòng)電壓V。。_H的時(shí)段。圖9A為用于解釋在幀頻率相對(duì)低(50Hz)時(shí)在流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極電流Ids 中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分的示意圖。圖9B為用于解釋在幀頻率相對(duì)高(60Hz)時(shí)在流經(jīng)驅(qū)動(dòng) 晶體管TRd的漏極電流Ids中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分的示意圖。在視頻信號(hào)Vsig的值固定時(shí)， 時(shí)段“A”的長(zhǎng)度和時(shí)段“B”的長(zhǎng)度是固定的，而與幀頻率的值無(wú)關(guān)。據(jù)此，幀頻率越高，則時(shí)段“C”的長(zhǎng)度變得越短。即使在視頻信號(hào)Vsig的值固定 時(shí)，隨著幀頻率增加，漏極電流Ids中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分減少。據(jù)此，在顯示設(shè)備開(kāi)始發(fā)光 時(shí)可見(jiàn)的視頻信號(hào)Vsig的電壓(黑色顯示的電壓)將根據(jù)幀頻率的值的改變而改變。圖10 示出了在維持閾值電壓消除處理的條件(后面將描述實(shí)際的條件)的同時(shí)，在幀頻率改變 時(shí)，當(dāng)顯示設(shè)備開(kāi)始發(fā)光時(shí)可見(jiàn)的視頻信號(hào)Vsig的值。如圖10中所示，可知處于所謂的黑 色電平的視頻信號(hào)Vsig的值隨著幀頻率增加而增加。將參考圖11解釋通過(guò)減少執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和而獲得的優(yōu) 勢(shì)。圖11為在初始化等的定時(shí)被相對(duì)圖4的時(shí)序圖而延遲了一個(gè)水平掃描時(shí)段時(shí)獲得的 時(shí)序圖。在圖11中所示的操作中，不生成圖4中所示的[時(shí)段-TP(2)3]中的閾值電壓消 除處理中的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)增加。圖4中所示的[時(shí)段-TP(2)4]中的閾值電壓消除處 理中的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)也不增加。因此，在[時(shí)段-TP(2) J中執(zhí)行寫入處理之后第一 節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電壓差變得比圖4中所示的執(zhí)行該操作時(shí)的差更大。也就 是說(shuō)，即使在視頻信號(hào)Vsig的值相同時(shí)，通過(guò)減少執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和 來(lái)增加[時(shí)段-TP(2)7]中的漏極電流Ids的值。因此，當(dāng)這樣驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備以便減少執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和 時(shí)，漏極電流Ids的值增加。在幀頻率增加時(shí)，時(shí)段“C”的長(zhǎng)度相對(duì)減少，但是，在這樣驅(qū)動(dòng) 顯示設(shè)備以便減少執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和時(shí)，漏極電流Ids的值增加。圖 12為對(duì)應(yīng)于圖9B的圖，其為用于解釋在幀頻率相對(duì)高的情況下，在執(zhí)行閾值電壓消除處理 的時(shí)段的長(zhǎng)度之和被減少時(shí)，流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的漏極電流Ids中對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)的部分的 示意圖。在這樣設(shè)置圖12中的漏極電流Ids的值使得圖9A中所示的陰影部分的面積與圖 12中所示的陰影部分的面積相同時(shí)，可以消除處于所謂的黑色顯示的視頻信號(hào)Vsig的值隨 幀頻率增加而增加的現(xiàn)象。
以上已經(jīng)解釋了根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的基本原理。接著，將參考圖 13至圖24詳細(xì)解釋根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的配置和驅(qū)動(dòng)方法。圖13為用于解釋電源單元100、掃描電路101和控制電路103的配置的示意性配置圖?？刂齐娐?03包括定時(shí)生成器電路103A、幀頻率選擇單元103B、各個(gè)脈沖的設(shè)置 表存儲(chǔ)單元103C和計(jì)數(shù)器單元103D。從幀頻率選擇單元103B向定時(shí)生成器電路103A輸 入基于所選擇的幀頻率的值的信號(hào)。定時(shí)生成器電路103A參考對(duì)應(yīng)于幀頻率的值的各個(gè) 脈沖的設(shè)置表存儲(chǔ)單元103C。然后，通過(guò)基于所獲得的設(shè)置值和來(lái)自計(jì)數(shù)器單元103D的信 號(hào)輸出后述各種信號(hào)來(lái)控制掃描電路101和電源單元100的操作。電源單元100包括移位寄存器單元100A和電平轉(zhuǎn)換器電路100B。掃描電路101 包括移位寄存器單元101A、邏輯電路單元IOlB和電平轉(zhuǎn)換器電路101C。圖14A中示出了對(duì) 應(yīng)于一條掃描線SCL的掃描電路101的部分的配置。圖14B中示出了對(duì)應(yīng)于一條饋線PSl 的電源單元100的部分的配置?？刂齐娐?03以預(yù)定定時(shí)向電源單元100施加啟動(dòng)脈沖DSST和時(shí)鐘信號(hào)DSCK。 控制電路103也向掃描電路101施加啟動(dòng)脈沖WSST、時(shí)鐘信號(hào)WSCK、第一使能信號(hào)WSEN1、 第二使能信號(hào)WSEN2和第三使能信號(hào)WSEN3。向電源單元100的移位寄存器單元100A的第 一級(jí)施加啟動(dòng)脈沖DSST，并且向掃描電路101的移位寄存器IOlA的第一級(jí)施加啟動(dòng)脈沖 WSST。這些信號(hào)未在圖14A和圖14B中示出。在圖14A中，省略了時(shí)鐘信號(hào)WSCK的標(biāo)號(hào)。 相似地，在圖14B中省略了時(shí)鐘信號(hào)DSCK的標(biāo)號(hào)。圖14A中所示的標(biāo)記VDD_WS、VSS_WS和圖14B中所示的標(biāo)記VDD_DS、VSS_DS為將 向電平移位電路施加的電源電壓。圖14A中所示的標(biāo)記SCL_out表示將向掃描線SCL施加 的輸出信號(hào)，并且圖14B中所示的標(biāo)記PSl_out表示將向饋線PSl施加的輸出信號(hào)。圖14A 中所示的標(biāo)記WS_S/R_in、WS_S/R_out分別是掃描電路101的移位寄存器單元的輸入信號(hào) 和輸出信號(hào)。相似地，圖14B中所示的標(biāo)記DS_S/R_in、DS_S/R_out分別是電源單元100的 移位寄存器單元的輸入信號(hào)和輸出信號(hào)。圖15為用于解釋控制電路103、掃描電路101和電源單元100的操作的示意時(shí)序 圖。圖15為對(duì)應(yīng)于圖4的時(shí)序圖，并且圖15中所示的時(shí)段T1對(duì)應(yīng)于從[時(shí)段_ΤΡ(2) 1Α] 的開(kāi)始到[時(shí)段-TP (2) 1Β]的末端的時(shí)段。時(shí)段T2、T3分別對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP (2)3]和[時(shí) 段-TP (2) 5]。圖15中所示的時(shí)段T4對(duì)應(yīng)于圖4中所示的[時(shí)段-TP⑵J。圖16也是用于解釋控制電路103、掃描電路101和電源單元100的操作的示意時(shí) 序圖。圖16是其中執(zhí)行初始化的定時(shí)比圖15的情況早一個(gè)水平掃描時(shí)段以及執(zhí)行閾值電 壓消除處理的次數(shù)增加一次的時(shí)序圖。在參考圖13和圖14Α、14Β解釋的電路配置中，可以 通過(guò)改變從控制電路103提供的各種信號(hào)來(lái)容易地調(diào)節(jié)執(zhí)行閾值電壓消除處理的次數(shù)和 執(zhí)行一次閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度。通過(guò)在圖17中所示的時(shí)序圖中執(zhí)行向?qū)懭胩幚淼某跏蓟鴾y(cè)量圖10中所示的數(shù) 據(jù)，并且通過(guò)各個(gè)幀頻率驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備。在圖17中所示的時(shí)段T1至Tltl中，執(zhí)行閾值電壓 消除處理，并且在圖17中所示的時(shí)段T11中，執(zhí)行寫入處理。由第三使能信號(hào)WSEN3中的 被設(shè)置為11. 5μ S的第一參考脈沖規(guī)定時(shí)段T1至Tltl中的每個(gè)時(shí)段的長(zhǎng)度。由第三使能信 號(hào)WSEN3中的第二參考脈沖規(guī)定用于規(guī)定寫時(shí)段的時(shí)段T11的長(zhǎng)度。在實(shí)施例中，第二參考脈沖被設(shè)置為固定值，而與幀頻率無(wú)關(guān)。 圖18為對(duì)應(yīng)于圖17的圖，其為用于解釋在閾值電壓消除處理的條件根據(jù)幀頻率 而改變的情況下，幀頻率和在顯示設(shè)備中開(kāi)始發(fā)光時(shí)的視頻信號(hào)Vsig的值之間的關(guān)系的示 意圖。在步驟(a)中，在顯示設(shè)備由給定的幀頻率FR驅(qū)動(dòng)時(shí)，執(zhí)行閾值電壓消除處理的 次數(shù)被表示為P(FR)，而執(zhí)行一次閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度被表示為TU(FR)。在第 一幀頻率被表示為FR1,而高于第一幀頻率的第二幀頻率被表示為FR2時(shí)，如后面所述，這樣 控制顯示設(shè)備以便滿足TU(FR1) · P(FR1) > TU(FR2) · P(FR2)。圖19中示出了在幀頻率為50Hz時(shí)獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào)WSEN3 中的第一參考脈沖設(shè)置為12 μ S，并且在圖19中所示的時(shí)段T1至T12中執(zhí)行閾值電壓消除 處理。在此時(shí)，TU (50) · P (50) = 12 · 12 = 144 μ S。圖20中示出了在幀頻率為60Hz時(shí)所獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào) WSEN3中的第一參考脈沖設(shè)置為11 μ S，并且在圖20中所示的時(shí)段T1至T12中執(zhí)行閾值電 壓消除處理。在此時(shí)，TU(60) · P (60) = 11 · 12 = 132 μ S。圖21中示出了在幀頻率為70Hz時(shí)所獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào) WSEN3中的第一參考脈沖設(shè)置為12 μ S，并且在圖21中所示的時(shí)段T1至Tltl中執(zhí)行閾值電 壓消除處理。在此時(shí)，TU(70) · P (70) = 12 · 10 = 120 μ S。圖22中示出了在幀頻率為80Hz時(shí)所獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào) WSEN3中的第一參考脈沖設(shè)置為11 μ S，并且在圖22中所示的時(shí)段T1至Tltl中執(zhí)行閾值電 壓消除處理。在此時(shí)，TU(80) · P (80) = 11 · 10 = 110 μ S。圖23中示出了在幀頻率為90Hz時(shí)所獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào) WSEN3中的第一參考脈沖設(shè)置為12 μ S，并且在圖23中所示的時(shí)段T1至T8中執(zhí)行閾值電壓 消除處理。在此時(shí)，TU(90) · P(90) = 12 · 8 = 96μ S。圖24中示出了在幀頻率為IOOHz時(shí)所獲得的時(shí)序圖。在此時(shí)，將第三使能信號(hào) WSEN3中的第一參考脈沖設(shè)置為11 μ S，并且在圖24中所示的時(shí)段T1至T8中執(zhí)行閾值電壓 消除處理。在此時(shí)，TU(IOO) · P(IOO) = 11 · 8 = 88μ S。如上所述，閾值電壓消除處理的條件根據(jù)幀頻率而改變，從而將在顯示設(shè)備發(fā)光 時(shí)所見(jiàn)的視頻信號(hào)Vsig的值調(diào)節(jié)為與幀頻率的值無(wú)關(guān)的固定值。因此，不必要根據(jù)幀頻率 調(diào)節(jié)視頻信號(hào)的值，并且可以以好的條件以各個(gè)幀頻率顯示畫面。P(FR)和TU(FR)根據(jù)顯 示設(shè)備的設(shè)計(jì)可以取各種值。因此，以各種操作條件驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備以執(zhí)行測(cè)量，并且可以根 據(jù)幀頻率選擇并使用合適的值。已經(jīng)基于上述優(yōu)選實(shí)施例解釋了本發(fā)明，而本發(fā)明不限于該實(shí)施例。在該實(shí)施例 中所解釋的顯示設(shè)備和顯示元件的配置和結(jié)構(gòu)以及顯示元件和顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的步 驟僅僅被示出為例子，并且可以被合適地改變。例如，優(yōu)選地應(yīng)用在顯示元件10中所包括的驅(qū)動(dòng)電路11具有與第二節(jié)點(diǎn)ND2連接 的晶體管(第一晶體管TR1)的配置。在第一晶體管TR1中，向一個(gè)源極/漏極區(qū)施加第二 節(jié)點(diǎn)初始化電壓Vss，并且另一源極/漏極區(qū)與第二節(jié)點(diǎn)ND2連接。通過(guò)第一晶體管控制線 AZl向第一晶體管TR1的柵極電極施加來(lái)自第一晶體管控制電路104的信號(hào)，以控制第一晶 體管TR1的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。據(jù)此，可以設(shè)置第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。
另外，優(yōu)選地應(yīng)用如圖26中所示的、在顯示元件10中所包括的驅(qū)動(dòng)電路11具有 與第一節(jié)點(diǎn)ND1連接的晶體管(第二晶體管TR2)的配置。在第二晶體管TR2中，向一個(gè)源 極/漏極區(qū)施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓V。fs，并且另一源極/漏極區(qū)與第一節(jié)點(diǎn)ND1連接。通 過(guò)第二晶體管控制線AZ2向第二晶體管TR2的柵極電極施加來(lái)自第二晶體管控制電路105 的信號(hào)，以控制第二晶體管TR2的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。據(jù)此，可以設(shè)置第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)。此外，還可能應(yīng)用在顯示元件10中所包括的驅(qū)動(dòng)電路11具有第一晶體管TR1和 第二晶體管TR2兩者的配置。還優(yōu)選地應(yīng)用除上述晶體管之外還包括另一晶體管的配置。在該實(shí)施例中，已經(jīng)假定驅(qū)動(dòng)器晶體管TRd為η溝道晶體管而進(jìn)行了解釋。在驅(qū) 動(dòng)器晶體管TRd為ρ溝道晶體管的情況下，優(yōu)選地執(zhí)行發(fā)光部分的陽(yáng)極電極和陰極電極彼 此替換的線連接。在該配置中，漏極電流流動(dòng)的方向改變，因此，可以合適地改變向饋線施 加的電壓值等。本申請(qǐng)包含與在2009年6月3日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2009-133606中所公開(kāi)的內(nèi)容相關(guān)的主題，通過(guò)引用在此并入其整個(gè)內(nèi)容。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，取決于設(shè)計(jì)需求和其他因素，可能發(fā)生各種修改、組 合、子組合和變更，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其使用包括以下部分的顯示設(shè)備(1)總共N×M個(gè)顯示元件，其中按二維矩陣狀態(tài)布置沿第一方向的N個(gè)顯示元件和沿不同于第一方向的第二方向的M個(gè)顯示元件，其中每一個(gè)具有電流驅(qū)動(dòng)類型發(fā)光部分和驅(qū)動(dòng)電路，(2)沿第一方向延伸的M條掃描線，(3)沿第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線，以及(4)沿第一方向延伸的M條饋線，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括寫入晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和電容器單元，在第m行(m＝1，2...，M)和第n列(n＝1，2...，N)的顯示元件中在驅(qū)動(dòng)晶體管中，(A 1)一個(gè)源極/漏極區(qū)與第m饋線連接，(A 2)另一源極/漏極區(qū)與發(fā)光部分的一端連接以及與電容器單元的一個(gè)電極連接，以此配置第二節(jié)點(diǎn)，以及(A 3)柵極電極與寫入晶體管的另一源極/漏極區(qū)連接以及與電容器單元的另一電極連接，以此配置第一節(jié)點(diǎn)，在所述寫入晶體管中，(B 1)一個(gè)源極/漏極區(qū)與第n數(shù)據(jù)線連接，以及(B 2)柵極電極與第m掃描線連接，所述驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟(a)至少執(zhí)行閾值電壓消除處理一次，其通過(guò)在維持第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的同時(shí)從饋線向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓、而將第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓而獲得的電勢(shì)的方向改變，然后(b)執(zhí)行寫入處理，其通過(guò)寫入晶體管從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點(diǎn)施加視頻信號(hào)，其中，設(shè)置執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和以便其隨著幀頻率變得越高而越短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在通過(guò)給定幀頻率FR驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備的情況下，在執(zhí)行閾值電壓消除處理的次數(shù) 被表示為P(FR)、其中執(zhí)行一次閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度被表示為TU(FR)、第一幀 頻率被表示為FR1，而高于第一幀頻率FR1的第二幀頻率被表示為FR2時(shí)， 滿足 TU (FR1) · P (FR1) > TU (FR2) · P (FR2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其中，執(zhí)行初始化第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的預(yù)處理， 隨后，執(zhí)行步驟(a)和步驟(b)，此后，通過(guò)來(lái)自掃描線的掃描信號(hào)關(guān)斷寫入晶體管，從而允許第一節(jié)點(diǎn)處于浮置狀態(tài)， 并且在從饋線向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài)下，允許與第一 節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓差的值對(duì)應(yīng)的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管流入發(fā)光部分，從而驅(qū)動(dòng)發(fā) 光部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法， 其中發(fā)光部分包括陽(yáng)極電極和陰極電極，所述預(yù)處理是設(shè)置第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)和第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的步驟，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極和另一源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差超過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值以及發(fā)光部分的陽(yáng)極電極 和陰極電極之間的電勢(shì)差不超過(guò)發(fā)光部分的閾值電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法， 其中所述發(fā)光部分由有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部分制成。
全文摘要
一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟至少執(zhí)行閾值電壓消除處理一次，其通過(guò)在維持第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)的同時(shí)，從饋線向驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)施加給定驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)將顯示設(shè)備的第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)向通過(guò)從第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓而獲得的電勢(shì)的方向改變；并且然后，執(zhí)行寫入處理，其通過(guò)寫入晶體管從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點(diǎn)施加視頻信號(hào)，其中，這樣設(shè)置執(zhí)行閾值電壓消除處理的時(shí)段的長(zhǎng)度之和以便使其隨著幀頻率變得越高而越短。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101958099SQ20101019411
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月3日
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