專利名稱：顯示單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括有機(jī)發(fā)光器件等作為顯示器件的顯示單元。
背景技術(shù)：
近年來，作為代替液晶顯示器的顯示單元，使用包括有機(jī)層的自發(fā)光型有機(jī)發(fā)光 器件的有機(jī)EL顯示器已經(jīng)在實(shí)際中使用。由于有機(jī)EL顯示器為自發(fā)光型顯示器，所以其 視角(view angle)比液晶顯示器等更寬。此外，有機(jī)EL顯示器對(duì)高清晰度高速視頻信號(hào) 具有充分響應(yīng)。用于這種有機(jī)EL顯示器的有機(jī)發(fā)光器件具有包括一對(duì)電極之間的發(fā)光層的有機(jī) 層。通過在電極之間施加電壓，發(fā)光層中發(fā)生電子空穴復(fù)合，從而發(fā)光。所發(fā)射的光從一個(gè) 電極引出。在有機(jī)EL顯示器中，為了在提高亮度的同時(shí)抑制功耗的增加，已經(jīng)進(jìn)行了各種研 究。例如，已經(jīng)提出了一種技術(shù)，在有機(jī)發(fā)光器件的光引出側(cè)的側(cè)壁上設(shè)置包括具有反射膜 的開口的反射器結(jié)構(gòu)(例如，見日本未審查專利申請(qǐng)公開第2005-531102號(hào))。在具有反射 器結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示器中，開口側(cè)壁的反射面在顯示面的垂直方向上反射來自發(fā)光器件 的光。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在具有上述反射器結(jié)構(gòu)的顯示器中，當(dāng)能夠提高正面亮度時(shí)，則由于下面的 原因很難確保視角。為了確保在顯示面垂直方向上的亮度，需要減小反射器結(jié)構(gòu)的開口尺 寸(減小開口率)。在這種情況下，顯示面的對(duì)角線方向上的亮度減小，因此，視角減小。 同時(shí)，為了確保顯示面對(duì)角線方向上的亮度，需要增大反射器結(jié)構(gòu)的開口尺寸(增大開口 率)。在這種情況下，容易確保視角的同時(shí)，不容易獲得在顯示面垂直方向上引出的光量，因 此，需要施加高驅(qū)動(dòng)電壓。S卩，在現(xiàn)有的有機(jī)EL顯示器中，在盡力確保正面亮度而不增大功耗的情況下，對(duì) 角線方向上的亮度降低，而在盡力確保對(duì)角線方向上的亮度的情況下，正面亮度很容易降 低。鑒于上述缺點(diǎn)，在本發(fā)明中，期望提供一種在抑制功耗增加的同時(shí)能夠提高亮度 并能夠確保寬視角的顯示單元。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供了一種顯示單元，包括正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域， 其中發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較小；視角亮度優(yōu)先的第二區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大； 以及驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)第一區(qū)域和第二區(qū)域。
在本發(fā)明實(shí)施方式的顯示單元中，正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域中的發(fā)光區(qū)的開口率 相對(duì)較小，而視角亮度優(yōu)先的第二區(qū)域中的發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大。因此，在第一區(qū)域 中，至少與第二區(qū)域相比，從發(fā)光區(qū)至顯示面?zhèn)纫龅墓?引出光)不容易散射(diffuse)。 同時(shí)，在第二區(qū)域中，來自發(fā)光區(qū)的引出光的散射比第一區(qū)域的寬。因此，在通過驅(qū)動(dòng)裝置 類似地驅(qū)動(dòng)第一區(qū)域和第二區(qū)域的情況下，第一區(qū)域和第二區(qū)域的每束引出光重疊。因此， 在顯示面正面方向上的光量增大的同時(shí)，確保了對(duì)角線方向上的光量。本發(fā)明實(shí)施方式的顯示單元包括，正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)的開口 率相對(duì)較小；視角亮度優(yōu)先的第二區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用 于驅(qū)動(dòng)第一區(qū)域和第二區(qū)域。因此，顯示面正面方向上的亮度與顯示面對(duì)角線方向上的亮 度之間的平衡變得很好。因此，在抑制功耗增加的同時(shí)，能夠提高亮度并能夠確保寬視角。從下面的描述，將更充分地顯示出本發(fā)明的另外的和進(jìn)一步的目的、特性及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示單元的電路結(jié)構(gòu)的示圖。圖2是示出了圖1中所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)例的示圖。圖3是示出了圖1中所示的顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4A是圖3中所示的正面亮度優(yōu)先的像素的截面結(jié)構(gòu)，而圖4B是圖3中所示的 視角亮度優(yōu)先的像素的截面結(jié)構(gòu)。圖5是圖4A和圖4B中所示的有機(jī)層的放大截面圖。圖6是示出了圖4A和圖4B中所示的像素電路形成層的平面結(jié)構(gòu)的示圖。圖7A和圖7B是示出了圖4A和圖4B中所示的像素電路形成層的另一截面結(jié)構(gòu)的 示圖。圖8是驅(qū)動(dòng)圖3中所示的像素的情況下的時(shí)序圖。圖9是驅(qū)動(dòng)圖3中所示的像素的情況下的另一時(shí)序圖。圖10是示出了圖3中所示的像素的顯示面正面方向和對(duì)角線方向上的亮度分布 的特性圖。圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示單元中設(shè)置的像素的平面結(jié)構(gòu)的 示圖。圖12是示出了用于驅(qū)動(dòng)圖11中所示的像素的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)例的示圖。圖13是示出了圖12中所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的平面結(jié)構(gòu)的示圖。圖14是示出了包括各實(shí)施方式的顯示單元的模塊的示意結(jié)構(gòu)的平面圖。圖15是示出了各實(shí)施方式的顯示單元的第一應(yīng)用實(shí)例的外觀的透視圖。圖16A是示出了從第二應(yīng)用實(shí)例的正面所觀察的外觀的透視圖，并且圖16B是示 出了從第二應(yīng)用實(shí)例的背面所觀察的外觀的透視圖。圖17是示出了第三應(yīng)用實(shí)例的外觀的透視圖。圖18是示出了第四應(yīng)用實(shí)例的外觀的透視圖。圖19A是打開的第五應(yīng)用實(shí)例的正視圖，圖19B是其側(cè)視圖，圖19C是合上的第五 應(yīng)用實(shí)例的正視圖，圖19D是其左側(cè)視圖，圖19E是其右側(cè)視圖，圖19F是其俯視圖以及圖 19G是其仰視圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。將以下面的順序進(jìn)行描述1.第一實(shí)施方式(包括正面亮度優(yōu)先的像素和視角亮度優(yōu)先的像素的實(shí)例)2.第二實(shí)施方式(在一個(gè)像素中包括正面亮度優(yōu)先區(qū)域和視角亮度優(yōu)先區(qū)域的 實(shí)例)3.模塊和應(yīng)用實(shí)例1.第一實(shí)施方式(包括正面亮度優(yōu)先的像素和視角亮度優(yōu)先的像素的實(shí)例)圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示單元的電路結(jié)構(gòu)。該顯示單元被用作 超薄有機(jī)發(fā)光彩色顯示單元等。在該顯示單元中，顯示區(qū)110形成在基板11上。例如，在 顯示區(qū)110周圍，形成作為用于顯示視頻的驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120、掃描線驅(qū)動(dòng)電路 130及電源供給線驅(qū)動(dòng)電路140。在顯示區(qū)110中，形成以矩陣狀態(tài)二維設(shè)置的多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及 10B,以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光器件的像素驅(qū)動(dòng)電路150。在像素驅(qū)動(dòng)電路150中，在列方向
上設(shè)置多條信號(hào)線120A(120A1、120A2.....120Am、...)，而在行方向上設(shè)置多條掃描線
130Α(130Α1、· . ·、130Αη、· . ·)和多條電源供給線 140Α(140ΑΚ. . ·、140Αη、· · ·)。將有機(jī)發(fā) 光器件10RU0G及IOB之一對(duì)應(yīng)于每條信號(hào)線120A和每條掃描線130A的每個(gè)交叉點(diǎn)設(shè)置。 每條信號(hào)線120A連接至信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120，而每條掃描線130A連接至掃描線驅(qū)動(dòng)電路 130，每條電源供給線140A連接至電源供給線驅(qū)動(dòng)電路140。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120意在將對(duì)應(yīng)于從信號(hào)供給源(未示出)提供的亮度信息的視 頻信號(hào)的信號(hào)電壓提供給通過信號(hào)線120A所選擇的有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及10B。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130由與輸入的時(shí)鐘脈沖同步地順序移動(dòng)(傳送)啟動(dòng)脈沖的移 位電阻器(shift resistor)等構(gòu)成。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130意在以行為單位掃描對(duì)各有機(jī) 發(fā)光器件10RU0G及IOB視頻信號(hào)的寫入，并向每條掃描線130A順序地提供掃描信號(hào)。電源線驅(qū)動(dòng)電路140由與輸入的時(shí)鐘脈沖同步地順序移動(dòng)(傳送)啟動(dòng)脈沖的移 位電阻器等構(gòu)成。電源線驅(qū)動(dòng)電路140與通過掃描線驅(qū)動(dòng)電路130以行為單位的掃描同步 地將彼此不同的第一電位和第二電位之一適當(dāng)?shù)靥峁┲撩織l電源供給線140A。從而，選擇 驅(qū)動(dòng)晶體管Trl (隨后將描述)的導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)。圖2示出了像素驅(qū)動(dòng)電路150的實(shí)例。像素驅(qū)動(dòng)電路150為形成在位于在第一電 極12(隨后將描述)之下的層中的有源型驅(qū)動(dòng)電路。像素驅(qū)動(dòng)電路150具有驅(qū)動(dòng)晶體管 Trl、寫入晶體管Tr2、驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與寫入晶體管Tr2之間的電容器(保持電容)Cs以及 在電源供給線140A與公共電源供給線(GND)之間串聯(lián)連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的有機(jī)發(fā)光 器件10R(或10GU0B)。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫入晶體管Tr2由常規(guī)的薄膜晶體管(TFT(薄 膜晶體管))構(gòu)成。并不具體限定其結(jié)構(gòu)，例如，可以為逆向交錯(cuò)(inversely staggered) 結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型，bottom gate type)或交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(頂柵型，top gate type)。例如，寫入晶體管Tr2的漏電極連接至信號(hào)線120A。來自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的視 頻信號(hào)被提供至寫入晶體管Tr2的漏電極。寫入晶體管Tr2的柵電極連接至掃描線130A。 來自掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的掃描信號(hào)被提供至寫入晶體管Tr2的柵電極。此外，寫入晶體 管Tr2的源電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵電極。
例如，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏電極連接至電源供給線140A，并且設(shè)定從電源供給線 驅(qū)動(dòng)電路140提供的第一電位和第二電位之一。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源電極連接至有機(jī)發(fā)光 器件 IOR (或 10G、10B)。保持電容Cs形成在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵電極(寫入晶體管Tr2的源電極)與驅(qū) 動(dòng)晶體管Trl的源電極之間。圖3示出了顯示區(qū)110的平面結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在顯示區(qū)110中，正面亮度優(yōu)先的像素 101和視角亮度優(yōu)先的像素102彼此相鄰并整體上以矩陣狀態(tài)二維地設(shè)置。在各像素101 和102中，在基板11上形成產(chǎn)生紅光的有機(jī)發(fā)光器件10R、產(chǎn)生綠光的有機(jī)發(fā)光器件IOG以 及產(chǎn)生藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光器件10B。在像素101的有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB上，形成第一 反射器結(jié)構(gòu)20A。第一反射器結(jié)構(gòu)20A具有在側(cè)壁上具有反射面22A的多個(gè)圓形開口 21A。 從而，像素101中發(fā)光區(qū)15A的開口率(aperture ratio)相對(duì)較小。在像素102的有機(jī)發(fā) 光器件10R、IOG及IOB上，形成第二反射器結(jié)構(gòu)20B。第二反射器結(jié)構(gòu)20B具有在側(cè)壁上具 有反射面22B的矩形開口 21B。從而，發(fā)光區(qū)15A的開口率相對(duì)較大。因此，在像素101中， 至少與像素102中相比，從發(fā)光區(qū)15A向顯示面?zhèn)人龅墓?引出光)不容易散射。同 時(shí)，在像素102中，來自發(fā)光區(qū)15A的引出光的寬度(broadness)比第一區(qū)域中的更寬。因 此，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)像素101和102的情況下，像素101和102的每束引出光是重疊的。因此， 在顯示面正面方向上的光量增大的同時(shí)，也能確保對(duì)角線方向上的光量。接下來，將參照?qǐng)D4A 圖5及圖3描述像素101和102中的有機(jī)發(fā)光器件10R、 IOG及IOB和反射器結(jié)構(gòu)20A及20B的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。除了反射器結(jié)構(gòu)20A的結(jié)構(gòu)與反射器結(jié) 構(gòu)20B的不同之外，像素101和102具有通用的結(jié)構(gòu)。此外，除了每種有機(jī)層14的結(jié)構(gòu)部 分地不同之外，分別形成在像素101和102中的有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB具有通用的 結(jié)構(gòu)。因此，下文中將描述有機(jī)發(fā)光器件IOR作為通用部分的代表。圖4A和圖4B示出了像素101和102的截面結(jié)構(gòu)。具體而言，圖4A是沿著圖3中 所示的像素101的線IV(A)-IV(A)截取的截面圖，而圖4B是沿著圖3中所示的像素102的 線IV(B)-IV(B)截取的截面圖。圖5是圖4A和圖4B中所示的有機(jī)層14的放大截面圖。有機(jī)發(fā)光器件IOR從基板11側(cè)順序地包括作為陽極的第一電極12、電極間絕緣 膜13、包括發(fā)光層14C的有機(jī)層14及作為陰極的第二電極15。被有機(jī)層14的電極間絕緣 膜13圍繞的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光區(qū)15A。在來自發(fā)光區(qū)15A的光的光引出側(cè)，反射器結(jié)構(gòu)20A和反 射器結(jié)構(gòu)20B分別設(shè)置在像素101和像素102中。反射器結(jié)構(gòu)20A和20B分別具有用于引 出光的開口 21A和21B。保護(hù)層25形成在開口 21A和21B中及反射器結(jié)構(gòu)20A和20B上。 密封基板26設(shè)置在保護(hù)層25上來密封該結(jié)構(gòu)。此外，輔助配線113圍繞有機(jī)發(fā)光器件10R。在有機(jī)發(fā)光器件IOR中，第一電極12用作具有光反射能力的反射膜，而第二電極 15用作具有光透射性的透光膜或半透膜。通過第一電極12和第二電極15，從密封基板26 側(cè)引出發(fā)光層14C中產(chǎn)生的光。為了提高發(fā)光效率，期望由具有高反射率的材料構(gòu)成第一電極12。例如，第一電極 12的厚度為IOOnm IOOOnm(包括兩端值)，并且由諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、 鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Pt)、釹(Nd)及金(Au)的 金屬元素的單質(zhì)或合金構(gòu)成。第一電極12可以具有多層結(jié)構(gòu)，只要該結(jié)構(gòu)具有光反射性即 可。例如，具有多層結(jié)構(gòu)的第一電極12可以在由上述具有高反射率的金屬材料構(gòu)成的層上面或下面具有由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)及氧化錫(SnO2)的透光導(dǎo)電材料構(gòu)成 的層。形成第一電極12以覆蓋基板11表面的一部分，并且填充連接孔114。從而，第一電 極12變?yōu)橥ㄟ^連接孔114與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl (其金屬層216S)導(dǎo)通的狀態(tài)。設(shè)置電極間絕緣膜13，以填充每個(gè)第一電極12之間的間隙，并且覆蓋第一電極12 的端面和外圍部的頂面。通過電極間絕緣膜13，確保了第一電極12與第二電極15之間的 絕緣性能，并且使有機(jī)發(fā)光器件IOR的發(fā)光區(qū)15A的開口精確形成為期望的形狀。電極間 絕緣膜13的材料的實(shí)例包括諸如聚酰亞胺(polyimide)的有機(jī)材料。有機(jī)層14設(shè)置在第一電極12的頂面上。例如，如圖5所示，有機(jī)層14從第一電 極12側(cè)順序地具有空穴注入層14A、空穴輸送層14B、發(fā)光層14C及電子輸送層14D。這種 結(jié)構(gòu)被同樣地應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件IOG和10B?？昭ㄗ⑷雽?4A意在提高空穴注入率，并且用作緩沖層以防止電流泄漏?？昭ㄝ?送層14B意在提高向發(fā)光層14C輸送電子空穴的效率。發(fā)光層14C意在通過施加電場(chǎng)產(chǎn)生 由電子空穴復(fù)合引起的光。電子輸送層14D意在提高向發(fā)光層14C輸送電子的效率。由 LiF和Li2O構(gòu)成的電子注入層(未示出)可以設(shè)置在電子輸送層14D與第二電極15之間。有機(jī)層14的結(jié)構(gòu)根據(jù)有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB的發(fā)光顏色而改變。將詳細(xì) 描述有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB的各有機(jī)層14。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOR的空穴注入層14A的厚度為5nm 300nm (包括兩端值)， 并且由4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(4，4'，4〃 -tris (3-methylpheny lphenylamino)triphenyl 31^1^)(111-]\01^1六)或4，4'，4〃 -三(2-萘基苯基氨基)三苯胺 (4,4' ，4〃 -tris (2-naphthylphenylamino) triphenyl amine) (2—TNATA)構(gòu)成。例如，有 機(jī)發(fā)光器件IOR的空穴輸送層14B的厚度為5nm 300nm(包括兩端值)，并且由二 [ (N-萘 基)-N-苯基]對(duì)二氨基聯(lián)苯(bis [(N-naphthyl)-N-phenyl]benzidine) ( α -NPD)構(gòu)成。例 如，有機(jī)發(fā)光器件IOR的發(fā)光層14C的厚度為IOnm IOOnm(包括兩端值)，并且由其中40 體積％的2，6_ 二 [4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯]萘-1，5-二氰咪唑(2，6_b is[4-[N-(4-metoxyphenyl)-N-phenyl]aminostyri1]naphthalene-1,5-dicarbonitrile) (BSN-BCN)與 8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(8-quinolinol aluminum complex) (Alq3)混合的材料 構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOR的電子輸送層14D的厚度為5nm 300nm (包括兩端值)，并 且由Alq3構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOG的空穴注入層14A的厚度為5nm 300nm (包括兩端值)， 并且由m-MTDATA或2-TNATA構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOG的空穴輸送層14B的厚度為 5nm 300nm (包括兩端值)，并且由α -NPD構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOG的發(fā)光層14C的 厚度為IOnm IOOnm(包括兩端值)，并且由其中3體積％的香豆素6(coumarin 6)與Alq3 混合的材料構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOG的電子輸送層14D的厚度為5nm 300nm(包括 兩端值)，并且由Alq3構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOB的空穴注入層14A的厚度為5nm 300nm (包括兩端值)， 并且由m-MTDATA或2-TNATA構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOB的空穴輸送層14B的厚度為 5nm 300nm(包括兩端值)，并且由α -NPD構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器件IOB的發(fā)光層14C 厚度為IOnm IOOnm(包括兩端值)，并且由螺旋6Φ (spiro 6Φ)構(gòu)成。例如，有機(jī)發(fā)光器 件IOB的電子輸送層14D的厚度為5nm 300nm (包括兩端值)，并且由Alq3構(gòu)成。
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例如，第二電極15的厚度為5nm 50nm(包括兩端值)，并且由諸如鋁(Al)、鎂 (Mg)、鈣(Ca)及鈉(Na)的金屬元素的單質(zhì)或合金構(gòu)成。具體地，鎂銀合金(MgAg合金)或 鋁(Al)鋰(Li)合金(AlLi合金)是優(yōu)選的。以公用的形式為所有有機(jī)發(fā)光器件10RU0G 及IOB設(shè)置第二電極15，并且將其設(shè)置為與各有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB的第一電極12 相對(duì)。此外，第二電極15電連接至圍繞有機(jī)發(fā)光器件IOR(或10GU0B)的第一電極12的 輔助配線113。輔助配線113由諸如銅(Cu)的具有低電阻值的導(dǎo)電材料構(gòu)成，并且意在防 止第二電極15的電壓降。反射器結(jié)構(gòu)20A和20B由基材21和反射膜22構(gòu)成。反射器結(jié)構(gòu)20A意在在顯示面的正面方向(垂直方向)上從發(fā)光區(qū)15A中有效地 引出光。因此，反射器結(jié)構(gòu)20A具有多個(gè)開口 21A(這些開口具有如圖3所示的圓形平面形 狀并具有如圖4A所示的錐形截面形狀)(在這種情況下，在每個(gè)發(fā)光區(qū)15A上具有2列X6 行個(gè)開口 21A)。成為反射面22A的反射膜22設(shè)置在開口 21A的側(cè)壁上。S卩，在反射器結(jié) 構(gòu)20A中，反射面22A傾斜，使得密封基板26側(cè)的每個(gè)開口 21A的開口直徑大于第二電極 15側(cè)的每個(gè)開口 21A的開口直徑。從而，在正面方向上直接引出在顯示面正面方向上從像 素101的發(fā)光區(qū)15A輸出的光。同時(shí)，在顯示面對(duì)角線方向上輸出的光被開口 21A的側(cè)壁 反射，從而在正面方向上被引出。結(jié)果，在像素101中，正面亮度高于顯示面對(duì)角線方向上 的亮度。同時(shí)，反射器結(jié)構(gòu)20B意在在顯示面正面方向和對(duì)角線方向上有效地從發(fā)光區(qū) 15A引出光。因此，反射器結(jié)構(gòu)20B具有開口 21B (該開口具有與如圖3所示的發(fā)光區(qū)15A(矩 形)類似的平面形狀并具有如圖4B所示的錐形截面形狀)。成為反射面22B的反射膜22 也設(shè)置在開口 21B的側(cè)壁上。即，在反射器結(jié)構(gòu)20B中，開口 21B的開口面積大于每個(gè)開口 21A的開口面積。換句話說，反射器結(jié)構(gòu)20B中的發(fā)光區(qū)15A的開口率大于反射器結(jié)構(gòu)20A 中的發(fā)光區(qū)的開口率。結(jié)果，在像素102中，與像素101相比，正面亮度較低，但在顯示面對(duì) 角線方向上的亮度較高。反射器結(jié)構(gòu)20A和20B的基材21意在得到開口 21A和21B的期望形狀。例如，反 射器結(jié)構(gòu)20A和20B的基材21由紫外線固化樹脂或熱固樹脂構(gòu)成。反射膜22意在將來自 發(fā)光區(qū)15A的光有效地反射至顯示面?zhèn)?。例如，反射?2由鈦(Ti)、鋁(Al)及銀(Ag)的 單質(zhì)或包含上述金屬中的一種或多種的合金構(gòu)成。保護(hù)層25意在防止水分等進(jìn)入有機(jī)層14。保護(hù)層25由具有低透水性和低吸水性 的材料構(gòu)成，并具有足夠的厚度。此外，保護(hù)層25對(duì)于在發(fā)光層14C中產(chǎn)生的光具有高透 射率，并且例如由具有80%或以上透射率的材料構(gòu)成。例如，這樣的保護(hù)層25的厚度約為 2 μ m 3 μ m(包括兩端值)，并且由無機(jī)非晶絕緣材料構(gòu)成。具體地，非晶硅(α -Si)、非晶 碳化硅(a-SiC)、非晶氮化硅(a-SihNx(C) <χ< 1))及非晶碳(α-C)是優(yōu)選的。這樣 的無機(jī)非晶絕緣材料不包括晶粒(grain)，因此，其透水性很低，從而能夠構(gòu)成良好的保護(hù) 層25。此外，保護(hù)層25可以由諸如ITO的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。使用粘合層(在密封基板和保護(hù)層之間)(未示出)將密封基板26粘結(jié)至保護(hù)層 25。密封基板26由對(duì)在有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB中產(chǎn)生的光透明的諸如玻璃的材料 構(gòu)成。例如，密封基板26可以設(shè)置有濾色片(未示出)。從而，有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及 IOB中產(chǎn)生的光被弓I出，由有機(jī)發(fā)光器件10R、IOG及IOB和反射器結(jié)構(gòu)20A及20B反射的外部光被吸收，從而改善了對(duì)比度。盡管可以在密封基板26的兩側(cè)設(shè)置濾色片，但是優(yōu)選地將濾色片設(shè)置在有機(jī)發(fā) 光器件10RU0G及IOB側(cè)，由此，濾色片不會(huì)暴露在表面上，并且被粘結(jié)層保護(hù)。此外，在這 種情況下，反射器結(jié)構(gòu)20A和20B的上端與濾色片之間的距離減小，從而，能夠防止從發(fā)光 層14C輸出的光進(jìn)入其它鄰近的濾色片而產(chǎn)生混合色(mixed color)。濾色片具有紅色濾 光片、綠色濾光片及藍(lán)色濾光片(未示出)。相應(yīng)于有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB順序地 設(shè)置紅色濾光片、綠色濾光片及藍(lán)色濾光片。例如，以矩形形狀無間隙地分別形成紅色濾光 片、綠色濾光片及藍(lán)色濾光片。由混合有顏料的樹脂分別構(gòu)成紅色濾光片、綠色濾光片及藍(lán) 色濾光片。通過選擇顏料，調(diào)節(jié)紅色濾光片、綠色濾光片及藍(lán)色濾光片，使得在期望的紅色、 綠色或藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)的光透射率高，而其它波長(zhǎng)區(qū)的光透射率低。接下來，將參照?qǐng)D6 圖7B以及圖3 圖4B描述基板11的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖6是 示出了圖4A和圖4B中所示的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層(pixel drive circuit formation layer) 112的平面結(jié)構(gòu)并示出了對(duì)應(yīng)于圖3中所示的有機(jī)發(fā)光器件IOR(或10G、10B)的平 面圖的像素驅(qū)動(dòng)電路150的示意圖。圖7A示出了在包括有機(jī)發(fā)光器件IOR(或10GU0B) 的層中沿著圖6中的線VII (A) -VII (A)截取的截面結(jié)構(gòu)，而圖7B示出了在包括有機(jī)發(fā)光器 件IOR(或10GU0B)的層中沿著圖6中的線VII (B)-VII (B)截取的截面結(jié)構(gòu)。沿著圖6中 的線IV-IV截取的截面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于圖4A的截面圖或圖4B的截面圖。在基板11中，在由玻璃、硅(Si)晶片、樹脂等構(gòu)成的基底111上設(shè)置包括像素驅(qū) 動(dòng)電路150的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112。在基底111的表面上，作為第一層的金屬層，分別 設(shè)置作為驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵電極的金屬層211G、作為寫入晶體管Tr2的柵電極的金屬層 221G及信號(hào)線120A。通過由氮化硅、氧化硅等構(gòu)成的柵極絕緣膜212覆蓋金屬層211G和 221G及信號(hào)線120A。在柵極絕緣膜212上對(duì)應(yīng)于金屬層211G和221G的區(qū)域中，設(shè)置由 (非晶硅等構(gòu)成的)半導(dǎo)體薄膜所構(gòu)成的溝道層213和223。在溝道層213和223上，設(shè)置 絕緣溝道保護(hù)膜214和224，以占據(jù)作為溝道層213和223的中央?yún)^(qū)的溝道區(qū)213R和223R。 在其兩側(cè)的區(qū)域中，設(shè)置(由η型非晶硅等構(gòu)成的)n型半導(dǎo)體薄膜所構(gòu)成的源區(qū)215S和 225S及漏區(qū)215D禾口 225D。漏區(qū)215D和225D與源區(qū)215S禾口 225S被在其間的溝道保護(hù)膜 214和224互相分離。其端面被其間的溝道區(qū)213R和223R互相分離。此外，作為第二層的 金屬層，設(shè)置作為漏極配線和漏電極的金屬層216D和226D以及作為源極配線和源電極的 金屬層216S和226S，以分別覆蓋漏區(qū)215D和225D及源區(qū)215S和225S。金屬層216D和 226D以及金屬層216S和226S具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中，例如，順序地層疊鈦(Ti) 層、鋁(Al)層及鈦層。作為第二層的金屬層，除了前述的金屬層216D和226D以及金屬層 216S和226S之外，還設(shè)置掃描線130A和電源供給線140A。此外，用由氮化硅等構(gòu)成的鈍 化膜217覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)，其上，設(shè)置由諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料和諸如氧化硅(SiO2)的無 機(jī)材料所構(gòu)成的平坦化絕緣膜218。雖然已經(jīng)描述了具有逆向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型) 的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫入晶體管Tr2，但驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫入晶體管Tr2可以具有交錯(cuò)結(jié) 構(gòu)(頂柵型)。例如，能夠以如下方式制造顯示單元。首先，在基板111上形成包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫入晶體管Tr2的像素驅(qū)動(dòng)電路 150。具體地，首先，例如，通過濺射法在基板111上形成金屬膜。此后，例如，通過光刻法、干蝕刻法或濕蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行圖案化，從而在基板111上形成圖6 圖7B中所示的金屬 層211G和221G及信號(hào)線120A。接下來，用柵極絕緣膜212覆蓋整個(gè)表面。隨后，在柵極絕 緣膜212上以給定形狀順序地形成溝道層213和223、溝道保護(hù)膜214和224、漏區(qū)215D和 225D、源區(qū)215S和225S、金屬層216D和226D及金屬層216S和226S。與形成金屬層216D 和226D及金屬層216S和226S —起，作為第二金屬層分別形成掃描線130A和電源供給線 140A。此時(shí)，預(yù)先形成連接金屬層221G與掃描線130A的連接部、連接金屬層226D與信號(hào) 線120A的連接部以及連接金屬層226S與金屬層211G的連接部。從而，形成了像素驅(qū)動(dòng)電 路150。此后，用鈍化膜217覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)。隨后，在鈍化膜217上形成平坦化絕緣膜218， 從而形成像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112，并且完成基板11。接下來，形成有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及10B。具體地，例如，通過光刻法、干蝕刻法 或濕蝕刻法在平坦化絕緣膜218中設(shè)置成為連接孔114的開口。隨后，例如，通過濺射法在 整個(gè)區(qū)域上形成由前述第一電極12的構(gòu)成材料所構(gòu)成的金屬膜。此后，通過使用給定掩膜 在金屬膜上形成給定形狀的光刻膠圖案。此外，通過使用光刻膠圖案作為掩膜來執(zhí)行金屬 膜的選擇性蝕刻。從而，形成第一電極12和輔助配線113。此時(shí)，形成第一電極12，以填充 連接孔114。此后，形成電極間絕緣膜13，以覆蓋輔助配線113和除與輔助配線113的第二 電極15的連接部之外的第一電極12的外圍部。隨后，順序地層疊空穴注入層14A、空穴輸 送層14B、發(fā)光層14C及電子輸送層14D，以完全覆蓋第一電極12，從而形成有機(jī)層14。隨 后，例如，通過照射激光來去除沉積在與輔助配線113的第二電極15的連接部上的有機(jī)層 14。此后，在整個(gè)區(qū)域上形成與第一電極12(其間具有有機(jī)層14)相對(duì)并且覆蓋輔助配線 113的第二電極15。此時(shí)，輔助配線113連接至第二電極15。從而，完成有機(jī)發(fā)光器件10R、 IOG 及 IOB0隨后，形成反射器結(jié)構(gòu)20A和20B。具體地，首先，由基材21的構(gòu)成材料形成基材 層。隨后，通過光刻法或蝕刻法對(duì)基材層進(jìn)行圖案化。從而，在有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB 的發(fā)光區(qū)15A上形成多個(gè)圓形開口，以形成像素101，而在有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB的 發(fā)光區(qū)15A上形成一個(gè)矩形開口，以形成像素102。此后，形成反射膜22，以選擇性地覆蓋 前述開口的側(cè)壁。從而，完成了包括多個(gè)圓形開口 21A的反射器結(jié)構(gòu)20A和包括矩形開口 2IB的反射器結(jié)構(gòu)20B。最后，形成保護(hù)層25，以覆蓋反射器結(jié)構(gòu)20A和20B的開口 2IA和2IB的內(nèi)側(cè)以及 反射器結(jié)構(gòu)20A和20B的上部。此后，在保護(hù)層25上形成粘結(jié)層，并且用在密封基板26和 保護(hù)層25之間的粘合層將密封基板粘合至保護(hù)層。因此，完成了顯示單元。在該顯示單元中，以如下方式顯示視頻。通過寫入晶體管Tr2的柵電極(金屬層 221G)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130向各像素101和102提供掃描信號(hào)，并且通過寫入晶體管Tr2 將來自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)保持在保持電容Cs中。同時(shí)，電源供給線驅(qū)動(dòng)電路 140與通過掃描線驅(qū)動(dòng)電路130以行為單位的掃描同步地向每條電源供給線140A提供比 第二電位高的第一電位。從而，選擇驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)電流Id被注入到各 有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB中，從而產(chǎn)生電子空穴復(fù)合而開始發(fā)光。光被第一電極12反 射，并且通過第二電極15傳輸。通過第二電極15傳輸?shù)墓馔ㄟ^開口 21A和21B中的保護(hù) 層25和設(shè)置在保護(hù)層25上的密封基板26傳輸，并被引出?；谒龅墓怙@示視頻。在顯示單元中，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)沿著信號(hào)線130A彼此鄰近的一對(duì)像素101和102的情況下，能夠確保寬的視角。同時(shí)，在以每個(gè)不同的時(shí)序驅(qū)動(dòng)沿著信號(hào)線130A彼此鄰近的一 對(duì)像素101和102的情況下，在正面方向上能夠減小視角。將參照?qǐng)D8和圖9進(jìn)行詳細(xì)描 述。圖8示出了用于驅(qū)動(dòng)像素101和102以確保寬視角的時(shí)序圖。圖9示出了用于驅(qū)動(dòng)像 素101和102以在正面方向上減小視角的時(shí)序圖。首先，將參照?qǐng)D8描述確保寬視角情況。在這種情況下，以如下方式驅(qū)動(dòng)列方向上 彼此鄰近的一對(duì)像素101和102。首先，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130以如下方式向列方向上彼此 鄰近的一對(duì)像素101和102提供下面的各信號(hào)。即，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130向像素101的寫 入晶體管Tr2提供高于第二電位(低)的第一電位(高)的掃描信號(hào)WSl(圖8中的部分
(B))，并且掃描線驅(qū)動(dòng)電路130向像素102的寫入晶體管Tr2提供高于第二電位(低)的 第一電位(高)的掃描信號(hào)WS2(圖8中的部分(C))。與第一電位的掃描信號(hào)WSl和WS2 同步，電源供給線驅(qū)動(dòng)電路140向像素101和102的每行的電源供給線140A提供高于第二 電位(低)的第一電位(高)(圖8中的部分(A))。從而，兩個(gè)像素101和102的驅(qū)動(dòng)晶體 管Trl的柵極電位和源極電位都上升至給定電位，隨后變?yōu)楹愣娢?圖8中的部分(E))。 在將第二電位的掃描信號(hào)WSl和WS2 —次性地提供至寫入晶體管Trl和Tr2 (圖8中的部 分⑶和部分(C))之后，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120向像素101和102的列的信號(hào)線120A提供高 于第二電位(低)的第一電位(高)的圖像信號(hào)Vsig(圖8中的部分(D))。在提供第一電 位的圖像信號(hào)Vsig之后，提供第一電位的掃描信號(hào)WSl和WS2，使得每個(gè)寫入時(shí)間一致(圖 8中的部分(B)和部分(C))。從而，像素101和102的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電位和源極 電位進(jìn)一步升高，并且選擇兩個(gè)像素101和102的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的導(dǎo)通狀態(tài)。在選擇兩 個(gè)像素101和102的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的導(dǎo)通狀態(tài)之后，根據(jù)兩個(gè)像素101和102的驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl的柵極電位與源極電位之間的電位差A(yù)V(圖8中的部分(Ε))，將驅(qū)動(dòng)電流Id注 入到像素101和102的各有機(jī)發(fā)光器件10RU0G及IOB中，從而像素101和102的發(fā)光區(qū) 15Α發(fā)光。通過像素101中的反射器結(jié)構(gòu)20Α在顯示面的正面方向上(垂直方向上)有效 地引出來自發(fā)光區(qū)15Α的光，并且通過像素102中的反射器結(jié)構(gòu)20Β在顯示面的正面方向 和對(duì)角線方向上引出來自發(fā)光區(qū)15Α的光。因此，如圖10所示，確保了正面方向和對(duì)角線 方向上的亮度。圖10示出了在顯示面的垂直方向?yàn)?度的情況下在每個(gè)方向(-200度 200度)上的正面亮度優(yōu)先的像素101的亮度分布(ClOl)和視角亮度優(yōu)先的像素102的亮 度分布(C102)。同時(shí)，在視角在正面方向上減小的情況下(參照?qǐng)D9)，以如下方式驅(qū)動(dòng)在列方向 上彼此鄰近的一對(duì)像素101和102。首先，如確保寬視角的情況一樣，向在列方向上彼此鄰 近的一對(duì)像素101和102提供第一電位的掃描信號(hào)WSl和WS2(圖9中的部分(B)和部分
(C))，并且向像素101和102的行的電源供給線140A提供第一電位(圖9中的部分(A))。 接下來，也如確保寬視角的情況一樣，在提供第二電位的掃描信號(hào)WSl和WS2(圖9中的部 分(B)和部分(C))之后，掃描線驅(qū)動(dòng)電路120向像素101和102的列提供第一電位的圖像 信號(hào)Vsig (圖9中的部分(D))。在提供第一電位的圖像信號(hào)Vsig之后，為了造正面方向 上減小視角，提供第一電位的掃描信號(hào)WS1，使得第一電位的掃描信號(hào)WSl的寫入時(shí)間變得 短于第一電位的掃描信號(hào)WS2的寫入時(shí)間(圖9中的部分(B)和部分(C))。從而，在像素 101的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電位與源極電位之間的電位差ΔΥ變大(圖9中的部分(E)) 的同時(shí)，像素102的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電位與源極電位之間的電位差ΔΥ變得小于像素101的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的電位差(圖9中的部分(F))。從而，選擇性地驅(qū)動(dòng)像素101，并 且像素101的發(fā)光區(qū)15A主要發(fā)光。結(jié)果，來自像素101的發(fā)光區(qū)15A的光通過反射器結(jié) 構(gòu)20A在顯示面的正面方向上被有效地弓丨出，因此，在正面方向上視角減小。如上所述，該實(shí)施方式的顯示單元包括像素101和102以及用于驅(qū)動(dòng)像素101和 102的諸如像素驅(qū)動(dòng)電路150的驅(qū)動(dòng)裝置。像素101包括其中發(fā)光區(qū)15A的開口率相對(duì)較 小的正面亮度優(yōu)先區(qū)域。像素102包括其中發(fā)光區(qū)15A的開口率相對(duì)較大的視角亮度優(yōu)先 區(qū)域。像素101和102彼此鄰近。像素101具有反射器結(jié)構(gòu)20A，該反射器結(jié)構(gòu)包括具有 作為反射面22A的側(cè)壁的多個(gè)圓形開口 21A。像素102具有反射器結(jié)構(gòu)20B，該反射器結(jié)構(gòu) 包括具有作為反射面22B的側(cè)壁的矩形開口 21B。因此，至少與像素102相比，在像素101 中，從發(fā)光區(qū)15A向顯示面?zhèn)纫龅墓獠蝗菀咨⑸?。同時(shí)，在像素102中，從發(fā)光區(qū)15A所 引出的光比像素101中的寬。因此，例如，如圖8所示，在像素101和102被類似地驅(qū)動(dòng)的 情況下，像素101和102的每束引出光重疊在一起。結(jié)果，在顯示面正面方向上的光量增大 的同時(shí)，還確保了對(duì)角線方向上的光量。因此，顯示面正面方向上的亮度與顯示面對(duì)角線方 向上的亮度之間的平衡變得很好。因此，在抑制功耗增大的同時(shí)，能夠提高亮度，并且能夠 確保寬視角。具體地，在該實(shí)施方式中，獨(dú)立地包括用于驅(qū)動(dòng)像素101的驅(qū)動(dòng)裝置和用于驅(qū)動(dòng) 像素102的驅(qū)動(dòng)裝置。從而，例如，通過如圖9所示地驅(qū)動(dòng)，來獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)像素101和102。 因此，可以減小正面方向的視角，確保寬視角，并且控制顯示單元的視角。因此，例如，在顯 示單元用作移動(dòng)終端設(shè)備的顯示器的情況下，不需要在顯示面上粘貼用于控制視角的諸如 防偷窺濾光片(peek preventive filter)的各種濾光片。另外，由于不產(chǎn)生由濾光片的光 吸收，所以能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗顯示器。在該實(shí)施方式中，已經(jīng)描述了像素101的反射器結(jié)構(gòu)20A具有多個(gè)圓形開口 21A 的情況。但是，可以確定開口 21A的形狀和開口 21A的數(shù)量，以便實(shí)現(xiàn)與像素102側(cè)相比相 對(duì)較小的開口率。例如，開口 21A的平面形狀可以為矩形、多邊形或橢圓形。但是，期望地， 為了提高正面亮度，開口 21A的平面形狀為圓形。開口 21A的數(shù)量期望地為兩個(gè)以上。此外，在該實(shí)施方式中，已經(jīng)描述了像素102具有反射器結(jié)構(gòu)20B的情況。但是， 視角優(yōu)先的像素102不必設(shè)置反射器結(jié)構(gòu)20B。在這種情況下，可獲取與前述顯示單元類似 的作用和效果。2.第二實(shí)施方式(在一個(gè)像素中包括正面亮度優(yōu)先區(qū)域和視角亮度優(yōu)先區(qū)域的 實(shí)例)接下來，將參照?qǐng)D11 圖13描述根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示單元。對(duì)于與第一實(shí)施 方式相同的元件，將用相同的參考標(biāo)號(hào)來表示，并且將省略其描述。圖11示出了設(shè)置在根 據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示單元的顯示區(qū)110中的像素201的平面結(jié)構(gòu)。該實(shí)施方式的 顯示單元包括顯示區(qū)110中的像素201中的正面亮度優(yōu)先區(qū)域和視角亮度優(yōu)先區(qū)域。艮口， 除了設(shè)置像素201取代正面亮度優(yōu)先的像素101和視角亮度優(yōu)先的像素102之外，該實(shí)施 方式具有與第一實(shí)施方式的顯示單元類似的結(jié)構(gòu)。在該顯示單元中，像素201以矩陣狀態(tài)設(shè)置在顯示區(qū)110中。在像素201中，在設(shè) 置有像素驅(qū)動(dòng)電路250 (隨后將描述)的基板11上以這樣的順序并排形成產(chǎn)生紅色光的有 機(jī)發(fā)光器件50R、產(chǎn)生綠色光的有機(jī)發(fā)光器件50G及產(chǎn)生藍(lán)色光的有機(jī)發(fā)光器件50B。有機(jī)發(fā)光器件50R、50G及50B分別具有發(fā)光區(qū)55A和55B。在有機(jī)發(fā)光器件50R、50G及50B的 發(fā)光區(qū)55A上，形成反射器結(jié)構(gòu)60A。反射器結(jié)構(gòu)60A具有(具有作為反射面(反射膜，未 示出)的側(cè)壁的)多個(gè)圓形開口 61A。從而，發(fā)光區(qū)55A的開口率相對(duì)較小。在發(fā)光區(qū)55B 上，形成反射器結(jié)構(gòu)60B。反射器結(jié)構(gòu)60B具有(具有作為反射面(未示出)的側(cè)壁的)矩 形開口 61B。從而，發(fā)光區(qū)55B的開口率相對(duì)較大。沿著圖11中的線A-A截取的截面結(jié)構(gòu) 對(duì)應(yīng)于圖4A中所示的截面結(jié)構(gòu)。沿著圖11中的線B-B截取的截面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于圖4B中所 示的截面結(jié)構(gòu)。S卩，在像素201中，由于反射器結(jié)構(gòu)60A的原因，從發(fā)光區(qū)55A向顯示面?zhèn)纫龅?光不容易散射，而與從發(fā)光區(qū)55A引出的光相比，由于反射器結(jié)構(gòu)60B的原因，從發(fā)光區(qū)55B 引出的光在對(duì)角線方向上散射。因此，在像素201中，來自發(fā)光區(qū)55A和55B的每束引出光 重疊在一起。結(jié)果，在顯示面正面方向上的光量增加的同時(shí)，還確保了對(duì)角線方向上的光量。有機(jī)發(fā)光器件50R、50G及50B的發(fā)光區(qū)55A和55B從基板11側(cè)分別順序地具有 作為陽極的第一電極、電極間絕緣膜、有機(jī)層以及作為陰極的第二電極(未示出)。有機(jī)發(fā) 光器件50R、50G及50B的第一電極、電極間絕緣膜、有機(jī)層及第二電極分別具有類似于有機(jī) 發(fā)光器件10RU0G及IOB的第一電極12、電極間絕緣膜13、有機(jī)層14及第二電極15的結(jié)構(gòu)。反射器結(jié)構(gòu)60A和60B具有類似于前述的反射器結(jié)構(gòu)20A和20B的結(jié)構(gòu)。如在第一實(shí)施方式的顯示單元中一樣，通過保護(hù)層和密封基板(未示出)來密封 有機(jī)發(fā)光器件50R、50G及50B和反射器結(jié)構(gòu)60A及60B。圖12示出了對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光器件50R(或50G、50B)的像素驅(qū)動(dòng)電路250的實(shí)例。 像素驅(qū)動(dòng)電路250為與前述的像素驅(qū)動(dòng)電路150 —樣的有源型驅(qū)動(dòng)電路。像素驅(qū)動(dòng)電路 250形成在位于有機(jī)發(fā)光器件50R(或50G、50B)的發(fā)光區(qū)55A和55B的各第一電極之下的 層中。像素驅(qū)動(dòng)電路250具有驅(qū)動(dòng)晶體管Drl、寫入晶體管Wrl、驅(qū)動(dòng)晶體管Drl和寫入晶 體管Wrl之間的保持電容Csl及在電源供給線140A與公共電源供給線(GND)之間串聯(lián)連 至驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的有機(jī)發(fā)光器件50R(或50G、50B)的發(fā)光區(qū)55A。另外，像素驅(qū)動(dòng)電路 250具有驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2、寫入晶體管Wr2、驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2和寫入晶體管Wr2之間的保持電 容Cs2、及在電源供給線140A與公共電源供給線之間串聯(lián)連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的有機(jī)發(fā) 光器件50R(或50G、50B)的發(fā)光區(qū)55B。例如，將寫入晶體管Wrl和Wr2的各漏電極連接至相同的信號(hào)線120A。向?qū)懭刖?體管Wrl和Wr2的漏電極提供來自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的視頻信號(hào)。將寫入晶體管Wrl和 Wr2的各柵電極連接至相同的掃描線130A。向?qū)懭刖w管Wrl和Wr2的柵電極提供來自掃 描線驅(qū)動(dòng)電路130的掃描信號(hào)。此外，將寫入晶體管Wrl的源電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Drl 的柵電極。將寫入晶體管Wr2的源電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的柵電極。例如，將驅(qū)動(dòng)晶體管Drl和Dr2的各漏電極連接至電源供給線140A，并且通過電源 供給線驅(qū)動(dòng)電路140來設(shè)定第一電位和第二電位之一。將驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的源電極連接至 有機(jī)發(fā)光器件50R(或50G、50B)的發(fā)光區(qū)55A。將驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的源電極連接至有機(jī)發(fā) 光器件50R(或50G、50B)的發(fā)光區(qū)55B。具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的源電極通過連接孔271 連接至對(duì)應(yīng)于發(fā)光區(qū)55A的第一電極，而驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的源電極通過連接孔272連接至對(duì)應(yīng)于發(fā)光區(qū)55B的第一電極。在驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的柵電極(驅(qū)動(dòng)晶體管Wrl的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的源 電極之間形成保持電容Csl。在驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的柵電極(寫入晶體管Wr2的源電極)與 驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的源電極之間形成保持電容Cs2。接下來，將參照?qǐng)D13以及圖11和圖12描述在其上形成了有機(jī)發(fā)光器件50R(或 50G.50B)的基板11的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。在基板11中，包括像素驅(qū)動(dòng)電路250的像素驅(qū)動(dòng)電路形 成層112也設(shè)置在基底111上。在基底111的表面上，作為第一層的金屬層，分別設(shè)置作為驅(qū)動(dòng)晶體管Drl的柵電 極的金屬層231G、作為驅(qū)動(dòng)晶體管Dr2的柵電極的金屬層241G、作為寫入晶體管Wrl的柵 電極的金屬層251G、作為寫入晶體管Wr2的柵電極的金屬層261G及信號(hào)線120A。用由氮 化硅、氧化硅等所構(gòu)成的柵極絕緣膜來覆蓋金屬層231G、241G、251G及261G和信號(hào)線120A。 在柵極絕緣膜上對(duì)應(yīng)于金屬層231G、241G、251G及261G的區(qū)域中，分別設(shè)置(由非晶硅等 構(gòu)成的)半導(dǎo)體薄膜所形成的溝道層。在驅(qū)動(dòng)晶體管Drl和Dr2及寫入晶體管Wrl和Wr2 的各溝道層上，設(shè)置絕緣溝道保護(hù)膜，以占據(jù)作為溝道層的中央?yún)^(qū)的溝道區(qū)。在各溝道保護(hù) 膜的兩側(cè)上的區(qū)域中，設(shè)置由(由η型非晶硅等構(gòu)成的)n型半導(dǎo)體薄膜所形成的源區(qū)和漏 區(qū)。漏區(qū)與源區(qū)被其間的溝道保護(hù)膜互相分離。其端面被其間的溝道區(qū)互相分離。此外， 作為第二層的金屬層，設(shè)置作為漏極配線和漏電極的金屬層232D、242D、252D及262D以及 作為源極配線和源電極的金屬層232S、242S、252S及262S，以分別覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管Drl和 Dr2與寫入晶體管Wrl和Wr2的各漏區(qū)和各源區(qū)。金屬層232D、242D、252D及262D和金屬 層232S、242S、252S及262S具有如下結(jié)構(gòu)，S卩，其中，例如，鈦層、鋁層及鈦層順序地層疊。 作為第二層的金屬層，除了前述的金屬層232D、242D、252D及262D以及金屬層232S、242S、 252S及262S之外，還設(shè)置了掃描線130A和電源供給線140A。用鈍化膜217覆蓋這樣的像 素驅(qū)動(dòng)電路250，如像素驅(qū)動(dòng)電路215 —樣，在該鈍化膜上設(shè)置有平坦化絕緣膜218。能夠以與前述的第一實(shí)施方式的顯示單元相同的方式制造顯示單元。在該顯示單元中，通過寫入晶體管Wrl和Wr2的柵電極(金屬層231G和241G)從 掃描線驅(qū)動(dòng)電路130向像素201提供掃描信號(hào)，并且通過寫入晶體管Wrl和Wr2將來自信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)保持在保持電容Csl和Cs2中。同時(shí)，電源供給線驅(qū)動(dòng)電路 140與通過掃描線驅(qū)動(dòng)電路130以行為單位的掃描同步地向電源供給線140A提供高于第二 電位的第一電位。從而，選擇驅(qū)動(dòng)晶體管Drl和Dr2的導(dǎo)通狀態(tài)，并且驅(qū)動(dòng)電流Id被注入 到各有機(jī)發(fā)光器件50R、50G及50B，從而產(chǎn)生電子空穴復(fù)合而開始發(fā)光。光被第一電極反 射，并且通過第二電極被傳輸。通過第二電極傳輸?shù)墓馔ㄟ^開口 61A和61B中的保護(hù)層及 設(shè)置在保護(hù)層上的密封基板被傳輸，并被弓I出。如上所述，該實(shí)施方式的顯示單元包括多個(gè)像素201和用于驅(qū)動(dòng)像素201的像素 驅(qū)動(dòng)電路250等。像素201包括其中發(fā)光區(qū)55A的開口率相對(duì)較小的正面亮度優(yōu)先區(qū)域和 其中發(fā)光區(qū)55B的開口率相對(duì)較大的視角亮度優(yōu)先區(qū)域。在像素201的發(fā)光區(qū)55A的光引 出側(cè)，設(shè)置包括(具有作為反射面的側(cè)壁的)多個(gè)圓形開口 61A的反射器結(jié)構(gòu)60A。在發(fā) 光區(qū)55B的光引出側(cè)，設(shè)置包括(具有作為反射面的側(cè)壁的)矩形開口 61B的反射器結(jié)構(gòu) 60B。因此，在像素201中，從發(fā)光區(qū)55A向顯示面?zhèn)纫龅墓獠蝗菀咨⑸?，并且在正面方?上被輸出。同時(shí)，與從發(fā)光區(qū)55A引出的光相比，從發(fā)光區(qū)55B引出的光在對(duì)角線方向上散射。因此，在像素201中，來自發(fā)光區(qū)55A和55B的每束引出光重疊在一起。結(jié)果，在顯示 面正面方向上的光量增大的同時(shí)，確保了對(duì)角線方向上的光量。因此，顯示面正面方向上的 亮度與顯示面對(duì)角線方向上的亮度之間的平衡變得很好。因此，在抑制功耗增大的同時(shí)，能 夠提高亮度，并且能夠確保寬視角。在這種情況下，由于每個(gè)像素201包括正面亮度優(yōu)先區(qū) 域和視角亮度優(yōu)先區(qū)域，所以與這些區(qū)被包括在每個(gè)不同像素中的情況相比，能夠進(jìn)一步 提高顯示視頻的分辨率。在該實(shí)施方式中，已經(jīng)描述了在像素驅(qū)動(dòng)電路250中作為寫入晶體管Wrl和Wr2 的柵電極的金屬層251G和261G連接至相同的掃描線130A的情況。但是，作為寫入晶體管 Wrl和Wr2的柵電極的金屬層251G和261G可以連接至每條不同的掃描線130A。從而，能 夠獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)發(fā)光區(qū)55A和55B。因此，如第一實(shí)施方式的顯示單元一樣，可以在正面方向 上減小視角，確保了寬視角，并且控制視角。3.模塊和應(yīng)用實(shí)例將描述在前述各實(shí)施方式中所描述的顯示單元的應(yīng)用實(shí)例。前述各實(shí)施方式的顯 示單元能夠應(yīng)用于用于顯示從外部輸入的視頻信號(hào)或內(nèi)部產(chǎn)生的視頻信號(hào)作為圖像或視 頻的任何領(lǐng)域中的電子設(shè)備的顯示單元，比如電視設(shè)備、數(shù)碼像機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、諸 如移動(dòng)電話的便攜式終端設(shè)備及攝像機(jī)。模塊例如，前述各實(shí)施方式的顯示單元作為圖14中所示的模塊被結(jié)合在諸如后述的 第一至第五應(yīng)用實(shí)例的各種電子設(shè)備中。在模塊中，例如，在基板11的一側(cè)設(shè)置從密封基 板26和粘結(jié)層所暴露出的區(qū)域210，并且通過延伸信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路 130的配線，在所暴露的區(qū)域210中形成外部連接端子(未示出)?？梢允褂糜糜谳斎牒洼?出信號(hào)的柔性印刷電路(FPC) 220來設(shè)置外部連接端子。第一應(yīng)用實(shí)例圖15示出了應(yīng)用了前述各實(shí)施方式的顯示單元的電視設(shè)備的外觀。例如，電視設(shè) 備具有包括正面面板310和濾光玻璃320的視頻顯示屏部300。視頻顯示屏部300由根據(jù) 前述各實(shí)施方式的顯示單元構(gòu)成。第二應(yīng)用實(shí)例圖16A和圖16B示出了應(yīng)用了前述各實(shí)施方式的顯示單元的數(shù)碼像機(jī)的外觀。例 如，數(shù)碼像機(jī)具有用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單切換430及快門按鈕440。顯示 部420由根據(jù)前述各實(shí)施方式的顯示單元構(gòu)成。第三應(yīng)用實(shí)例圖17示出了應(yīng)用了前述各實(shí)施方式的顯示單元的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。 例如，筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)具有主體510、用于輸入字符等的操作的鍵盤520及用于顯示圖 像的顯示部530。顯示部530由根據(jù)前述各實(shí)施方式的顯示單元構(gòu)成。第四應(yīng)用實(shí)例圖18示出了應(yīng)用了前述各實(shí)施方式的顯示單元的攝像機(jī)的外觀。例如，攝像機(jī)具 有主體610、設(shè)置在主體610的前側(cè)面上的用于拍攝物體的透鏡620、拍攝中的啟動(dòng)/停止 開關(guān)630及顯示部640。顯示部640由根據(jù)前述各實(shí)施方式的顯示單元構(gòu)成。第五應(yīng)用實(shí)例
圖19A 圖19G示出了應(yīng)用了前述各實(shí)施方式的顯示單元的移動(dòng)電話的外觀。在 移動(dòng)電話中，例如，上部機(jī)殼(package) 710和下部機(jī)殼720通過連接部(鉸鏈部)730連接。 移動(dòng)電話具有顯示器740、副顯示器750、畫面燈(pictures light) 760及相機(jī)770。顯示器 740和副顯示器750由根據(jù)前述各實(shí)施方式的顯示單元構(gòu)成。雖然已經(jīng)參照實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限制于前述實(shí)施方式，而是 可以進(jìn)行各種修改。例如，在前述實(shí)施方式中，已經(jīng)描述了有機(jī)發(fā)光器件的第一電極為陽極 而第二電極為陰極的情況。但是，相反地，第一電極可以為陰極，并且第二電極可以為陽極。此外，在前述實(shí)施方式中，已經(jīng)具體描述了紅色、綠色及藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的各結(jié) 構(gòu)。但是，不必設(shè)置所有層，或者可以進(jìn)一步設(shè)置其它層。例如，可以在第一電極與有機(jī)層 之間設(shè)置由氧化鉻(III) (Cr2O3)、ITO等構(gòu)成的電子空穴注入薄膜層。此外，在前述實(shí)施方式中，已經(jīng)具體描述了有源矩陣型顯示單元。但是，本發(fā)明也 可應(yīng)用于無源矩陣型顯示單元。此外，用于驅(qū)動(dòng)有源矩陣的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不限于前 述實(shí)施方式等中所描述的情況，并且可以根據(jù)需要添加電容器件或晶體管。在這種情況下， 根據(jù)像素驅(qū)動(dòng)電路的變化，除了信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和掃描線驅(qū)動(dòng)電路之外，還可以添加必要 的驅(qū)動(dòng)電路。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其他因素可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修 改、組合、再組合以及改進(jìn)，只要其在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示單元，包括正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域，其中，發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較?。灰暯橇炼葍?yōu)先的第二區(qū)域，其中，發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，具有多個(gè)像素，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū) 域包含在各個(gè)不同的像素中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，具有多個(gè)像素，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū) 域包含在相同的像素中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的顯示單元，其中，在有機(jī)發(fā)光器件上，所述第一區(qū)域具有 第一反射器結(jié)構(gòu)，所述第一反射器結(jié)構(gòu)包括具有作為反射面的側(cè)壁的多個(gè)開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示單元，其中在所述有機(jī)發(fā)光器件上，所述第二區(qū)域具有第二反射器結(jié)構(gòu)，所述第二反射器結(jié)構(gòu)包 括具有作為反射面的側(cè)壁的開口 ；并且所述第二反射器結(jié)構(gòu)的開口數(shù)量小于所述第一反射器結(jié)構(gòu)的開口數(shù)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示單元，其中，所述第一反射器結(jié)構(gòu)的每個(gè)開口的平面形 狀為圓形，并且所述第二反射器結(jié)構(gòu)的所述開口的平面形狀為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，其中，所述驅(qū)動(dòng)裝置具有用于驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域 的第一驅(qū)動(dòng)裝置和用于驅(qū)動(dòng)所述第二區(qū)域的第二驅(qū)動(dòng)裝置，并且所述驅(qū)動(dòng)裝置同時(shí)驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，其中，所述驅(qū)動(dòng)裝置具有用于驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域 的第一驅(qū)動(dòng)裝置和用于驅(qū)動(dòng)所述第二區(qū)域的第二驅(qū)動(dòng)裝置，并且所述驅(qū)動(dòng)裝置以不同的時(shí)序驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
9.一種顯示單元，包括正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域，其中，發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較?。灰暯橇炼葍?yōu)先的第二區(qū)域，其中，所述發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大；以及驅(qū)動(dòng)部，用于驅(qū)動(dòng)所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示單元，其在抑制功耗增加的同時(shí)，能夠提高亮度并能夠確保寬視角。所述顯示單元包括正面亮度優(yōu)先的第一區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較小；視角亮度優(yōu)先的第二區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)的開口率相對(duì)較大；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)第一區(qū)域和第二區(qū)域。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101958096SQ20101022514
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 妹尾佑樹, 山下淳一 申請(qǐng)人:索尼公司