專利名稱：移位寄存器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移位寄存器，尤其是涉及應(yīng)用于顯示裝置的驅(qū)動電路等的移位寄存器。
背景技術(shù)：
有源矩陣型的顯示裝置按行單位選擇配置成2維狀的像素電路，對于所選擇的像素電路寫入與視頻信號對應(yīng)的灰度等級電壓，由此顯示圖像。在這樣的顯示裝置中，由于按行單位選擇像素電路，因此設(shè)置有包括移位寄存器的掃描信號線驅(qū)動電路。另外，作為使顯示裝置小型化的方法，公知有使用用于形成像素電路內(nèi)的TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶體管)的制造工序,將掃描信號線驅(qū)動電路與像素電路一起在顯示面板上一體形成的方法。掃描信號線驅(qū)動電路例如使用非晶硅TFT或微晶硅TFT形成。一體形成有掃描信號線驅(qū)動電路的顯示面板也稱為柵極驅(qū)動單片式面板。關(guān)于包含著掃描信號線驅(qū)動電路中的移位寄存器，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知有各種電路(例如，專利文獻I 4)。特別是在專利文獻I中，記載有將圖17所示的單位電路91多級串聯(lián)連接而形成的移位寄存器。該移位寄存器，使用非晶硅TFT —體形成于液晶面板上。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本國特開2006 - 107692號公報專利文獻2 :日本國特開2004 — 78172號公報專利文獻3 :日本國特開平8 - 87897號公報專利文獻4 :國際公開第92/15992號手冊

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題在移位寄存器的各級中設(shè)置有用于使輸出信號下降的移位寄存器(以下稱為下降用移位寄存器)。例如，在圖17所示的單位電路91中，移位寄存器TG3作為下降用移位寄存器發(fā)揮功能。為了使具備包括單位電路91的移位寄存器的顯示裝置正確地工作，需要使用下降用移位寄存器GT3，在規(guī)定時間內(nèi)使掃描信號線的電位下降為低電平。但是，非晶硅TFT和微晶硅TFT具有當(dāng)對柵極端子反復(fù)施加電壓時閾值電壓發(fā)生變動的特性(閾值電壓移位)。因此，由非晶硅TFT或微晶硅TFT形成的移位寄存器中，隨著時間的推移，發(fā)生下降用移位寄存器的閾值電壓上升、輸出信號的下降時間延遲這樣的問題。當(dāng)下降時間超過允許時間時，在某像素電路寫入灰度等級電壓之后，對相同像素電路改寫要對下一像素電路寫入的灰度等級電壓，因此不能夠正確地顯示畫面。在具備大型的顯示面板的顯示裝置中，該問題變得顯著。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種移位寄存器，其抑制對輸出信號進行復(fù)位的移位寄存器的閾值電壓移位，防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而延遲。
用于解決課題的方法本發(fā)明的第一方面提供一種移位寄存器,其特征在于上述移位寄存器具有將多個單位電路多級連接的結(jié)構(gòu)，并基于多個時鐘信號進行動作，上述單位電路包括輸出晶體管，上述輸出晶體管的一個導(dǎo)通端子被提供一個時鐘信號，上述輸出晶 體管的另一個導(dǎo)通端子與輸出節(jié)點連接；按照所提供的置位信號，對上述輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位的輸入晶體管；按照所提供的輸出復(fù)位信號，對上述輸出節(jié)點施加斷開電位的輸出復(fù)位晶體管；追加輸出晶體管，上述追加輸出晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子以與上述輸出晶體管同樣的方式連接，上述追加輸出晶體管的另一個導(dǎo)通端子與追加輸出節(jié)點連接；和在規(guī)定的定時對上述追加輸出節(jié)點施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位的補償電路，其中，對上述輸出復(fù)位晶體管提供從下一級單位電路中包含的追加輸出節(jié)點輸出的信號作為上述輸出復(fù)位信號。本發(fā)明的第二方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，上述補償電路包括按照從上述輸出節(jié)點輸出的信號，對內(nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位的第一晶體管；按照所提供的補償控制信號，對上述內(nèi)部節(jié)點施加斷開電位的第二晶體管；和在上述內(nèi)部節(jié)點與上述追加輸出節(jié)點之間設(shè)置的電容。本發(fā)明的第三方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中，上述補償電路還包括第三晶體管，上述第三晶體管的一個導(dǎo)通端子被提供上述輸出復(fù)位信號，上述第三晶體管的控制端子與上述內(nèi)部節(jié)點連接。本發(fā)明的第四方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中，對上述第二晶體管提供從下下一級單位電路中包含的追加輸出節(jié)點輸出的信號作為上述補償控制信號。本發(fā)明的第五方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中，上述電容包括薄膜晶體管，將上述薄膜晶體管的2個導(dǎo)通端子短路作為一個電極，將上述薄膜晶體管的控制端子作為另一個電極。本發(fā)明的第六方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中，從上述輸出節(jié)點輸出的信號被提供到上述第一晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子。本發(fā)明的第七方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中，從上述輸出節(jié)點輸出的信號被提供到上述第一晶體管的控制端子，對上述第一晶體管的一個導(dǎo)通端子固定地施加導(dǎo)通電位。本發(fā)明的第八方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，每當(dāng)上述追加輸出節(jié)點被施加導(dǎo)通電位時,上述補償電路對上述追加輸出節(jié)點施加上述補償用電位。
本發(fā)明的第九方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，上述單位電路還包括狀態(tài)復(fù)位晶體管，上述狀態(tài)復(fù)位晶體管按照被提供的狀態(tài)復(fù)位信號，對上述輸出晶體管的控制端子施加斷開電位。本發(fā)明的第十方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，上述單位電路還包括輸出復(fù)位輔助晶體管，上述輸出復(fù)位輔助晶體管按照被提供的其它時鐘信號，對上述輸出節(jié)點施加斷開電位。本發(fā)明的第i^一方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，上述置位信號被提供到上述輸入晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子。本發(fā)明的第十二方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，
上述置位信號被提供到上述輸入晶體管的控制端子，對上述輸入晶體管的一個導(dǎo)通端子固定地施加導(dǎo)通電位。本發(fā)明的第十三方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，對上述輸入晶體管提供從上一級單位電路輸出的信號作為上述置位信號。本發(fā)明的第十四方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中，上述單位電路中包含的所有晶體管為相同導(dǎo)電型。本發(fā)明的第十五方面是一種顯示裝置，其具備二維配置的多個像素電路；和包括第一至第十四方面中任一方面上述的移位寄存器的驅(qū)動電路。發(fā)明效果依據(jù)本發(fā)明的第一方面，對各級單位電路中包含的輸出復(fù)位晶體管，在規(guī)定的定時提供從下一級單位電路輸出的補償用電位。補償用電位具有以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的極性。因此，即使在為了提供導(dǎo)通電位輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓向規(guī)定方向變化的情況下，通過提供極性與導(dǎo)通電位相反的補償電位，能夠使輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓向反方向變化。因此能夠抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位，能夠防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。另外，能夠縮小輸出復(fù)位晶體管的布局面積。依據(jù)本發(fā)明的第二方面，在追加輸出節(jié)點與內(nèi)部節(jié)點之間設(shè)置電容，通過交替地對內(nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位和斷開電位，能夠?qū)ψ芳虞敵龉?jié)點施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位。依據(jù)本發(fā)明的第三方面，通過在補償電路設(shè)置第三晶體管，能夠按照輸出復(fù)位信號對內(nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位。依據(jù)本發(fā)明的第四方面，按照從下下一級單位電路中包含的追加輸出節(jié)點輸出的信號，通過對內(nèi)部節(jié)點施加斷開電位，當(dāng)下下一級單位電路的輸出發(fā)生變化時能夠?qū)ψ芳虞敵龉?jié)點施加補償用電位。依據(jù)本發(fā)明的第五方面，通過薄膜晶體管構(gòu)成電容，由此能夠削減移位寄存器的制造成本。依據(jù)本發(fā)明的第六方面，通過對第一晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子提供單位電路的輸出信號，當(dāng)單位電路的輸出信號發(fā)生變化時能夠?qū)?nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位。依據(jù)本發(fā)明的第七方面，對第一晶體管的控制端子提供單位電路的輸出信號，對一個導(dǎo)通端子施加導(dǎo)通電位，由此當(dāng)單位電路的輸出信號發(fā)生變化時，能夠?qū)?nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位。依據(jù)本發(fā)明的第八方面，對追加輸出節(jié)點交替地施加導(dǎo)通電位和極性與其相反的補償用電位，由此能夠有效地抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位。依據(jù)本發(fā)明的第九方面，通過設(shè)置狀態(tài)復(fù)位晶體管，能夠?qū)⑤敵鼍w管控制為斷開狀態(tài)。依據(jù)本發(fā)明的第十方面，通過設(shè)置輸出復(fù)位輔助晶體管，能夠按照其它的時鐘信號可靠地將輸出信號復(fù)位。依據(jù)本發(fā)明的第十一方面，通過對輸入晶體管的控制端子與一個導(dǎo)通端子提供置位信號，能夠使用輸入晶體管對輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位。 依據(jù)本發(fā)明的第十二方面，通過對輸入晶體管的控制端子提供置位信號，對一個導(dǎo)通端子施加導(dǎo)通電位，由此能夠使用輸入晶體管對輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位。依據(jù)本發(fā)明的第十三方面，通過對輸入晶體管提供從上一級單位電路輸出的信號，能夠構(gòu)成將輸入信號依次移位的移位寄存器。依據(jù)本發(fā)明的第十四方面，通過使用相同導(dǎo)電型的晶體管，能夠削減移位寄存器的制造成本。依據(jù)本發(fā)明的第十五方面，使用抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位、防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲的移位寄存器，能夠得到能夠正確地顯示畫面的液晶顯示裝置。


圖I是表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實施方式的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是表示對圖2所示的移位寄存器提供的時鐘信號的時序圖。圖4是表示圖2所示的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖5是表不圖2所時的移位寄存器的時序圖。圖6是表不圖2所不的移位寄存器的輸出信號的時序圖。圖7是表示非晶硅TFT的閾值電壓的變化的圖。圖8是表示圖2所示的移位寄存器的輸出信號的信號波形圖。圖9是表示本發(fā)明的第二實施方式的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖10是表示本發(fā)明的第三實施方式的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖11是表示對圖10所示的移位寄存器提供的時鐘信號的時序圖。圖12是表不圖10所不的移位寄存器的輸出信號的時序圖。圖13是表示本發(fā)明的第一變形例的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖14是表示本發(fā)明的第二變形例的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖15是表示本發(fā)明的第三變形例的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖16是表示本發(fā)明的第四變形例的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖17是表不現(xiàn)有的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。
具體實施例方式圖I是表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖I所示的液晶顯示裝置是有源矩陣型的顯示裝置，其具備電源1、DC/DC轉(zhuǎn)換器2、顯示控制電路3、掃描信號線驅(qū)動電路4、視頻信號線驅(qū)動電路5、共用電極驅(qū)動電路6和像素區(qū)域7。掃描信號線驅(qū)動電路4和 視頻信號線驅(qū)動電路5分別也稱為柵極驅(qū)動電路和源極驅(qū)動電路。以下，設(shè)定m和η為2以上的整數(shù)。像素區(qū)域7包括m個掃描信號線GLl GLm、n個視頻信號線SLl SLn和(mXη)個像素電路P。掃描信號線GLl GLm相互平行地配置,視頻信號線SLl SLn按照與掃描信號線GLl GLm正交的方式相互平行地配置。(mXn)個像素電路P與掃描信號線GLl GLm和視頻信號線SLl SLn的交叉點對應(yīng)地成二維狀配置。像素電路P包括TFT:Q和液晶電容Clc。TFT:Q的柵極端子與對應(yīng)的掃描信號線連接，源極端子與對應(yīng)的視頻信號線連接，漏極端子與液晶電容Clc的一個電極連接。液晶電容Clc的另一個電極為與全部的像素電路P相對的對置電極Ec。像素電路P作為一個像素(或者一個子像素)發(fā)揮功能。此外，像素電路P也可以與液晶電容Clc并聯(lián)地包含輔助電容。電源I對DC/DC轉(zhuǎn)換器2、顯示控制電路3和共用電極驅(qū)動電路6供給規(guī)定的電源電壓。DC/DC轉(zhuǎn)換器2基于由電源I提供的電源電壓生成規(guī)定的直流電壓，并供給到掃描信號線驅(qū)動電路4和視頻信號線驅(qū)動電路5。共用電極驅(qū)動電路6對共用電極Ec施加規(guī)定的電位Vcom。顯示控制電路3基于從外部提供的圖像信號DAT和定時信號組TG，輸出數(shù)字視頻信號DV和多個控制信號。定時信號組TG包括水平同步信號、垂直同步信號等。從顯示控制電路3輸出的控制信號中包括源極開始脈沖信號SSP、源極時鐘信號SCK、鎖存選通(latchstrobe)信號LS、柵極時鐘信號GCK、柵極開始脈沖信號GSP和柵極結(jié)束脈沖信號GEP。柵極時鐘信號GCK中包含4個信號，柵極開始脈沖信號GSP中包含I個或2個信號，柵極結(jié)束脈沖信號GEP中包含2個或4個信號(在后文中詳述)。掃描信號線驅(qū)動電路4基于從顯示控制電路3輸出的柵極時鐘信號GCK、柵極開始脈沖信號GSP和柵極結(jié)束脈沖信號GEP,依次從掃描信號線GLl GLm中選擇I個掃描信號線，并對所選擇的掃描信號線施加TFT:Q成為導(dǎo)通狀態(tài)的電位(高電平電位)。由此，一并選擇與所選擇的掃描信號線連接的η個像素電路P。視頻信號線驅(qū)動電路5基于從顯示控制電路3輸出的數(shù)字視頻信號DV、源極開始脈沖信號SSP、源極時鐘信號SCK和鎖存選通信號LS，對視頻信號線SLl SLn分別施加與數(shù)字視頻信號DV對應(yīng)的η個灰度等級電壓。由此，對使用掃描信號線驅(qū)動電路4選擇的η個像素電路P分別寫入η個灰度等級電壓。使用掃描信號線驅(qū)動電路4和視頻信號線驅(qū)動電路5對像素區(qū)域7內(nèi)的全部的像素電路P寫入灰度等級電壓，由此在像素區(qū)域7中能夠顯示基于圖像信號DAT的圖像。掃描信號線驅(qū)動電路4在形成有像素區(qū)域7的液晶面板8上一體地形成。包含于掃描信號線驅(qū)動電路4中的TFT例如使用非晶硅、微晶硅或氧化物半導(dǎo)體形成。此外，也可以將包含于液晶顯示裝置中的其他電路的全部或者一部分一體形成在液晶面板8上。掃描信號線驅(qū)動電路4具有將多個單位電路多級連接的結(jié)構(gòu)，包含基于多個時鐘信號進行動作的移位寄存器。本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的特征在于，包含于掃描信號線驅(qū)動電路4中的移位寄存器的電路結(jié)構(gòu)。以下，對包含于掃描信號線驅(qū)動電路4中的移位寄存器進行說明。(第一實施方式)圖2是表示本發(fā)明的第一實施方式的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2所示的移位寄存器包括一維地排列配置的m級單位電路11。以下，將配置為第i級(i為I以上m以下的整數(shù))單位電路11稱為第i級單位電路UC (i)。在本實施方式中，m為2的倍數(shù)。在圖2所示的移位寄存器，被提供4個時鐘信號CKl CK4作為柵極時鐘信號GCK，被提供I個信號作為柵極開始脈沖信號GSP，被提供第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl和第二柵極結(jié)束脈沖信號GEP2作為柵極結(jié)束脈沖信號GEP。對各單位電路11提供4個時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD、置位信號S、第一復(fù)位信號R1、第二復(fù)位信號R2和低電平電位VSS (未圖不)。從各單位電路11輸出輸出信號Q和 追加輸出信號Z。當(dāng)k為I以上(m/2)以下的整數(shù)時，對第奇數(shù)級單位電路UC (2k — I)分別輸入時鐘信號CK1、CK2、CK3、CK4作為時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD。對第偶數(shù)級單位電路UC (2k)分別輸入時鐘信號CK2、CK1、CK4、CK3作為時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD。對第一級單位電路UC (I)輸入柵極開始脈沖信號GSP作為置位信號S。對第一級以外的單位電路UC (i)輸入從前一級單位電路UC (i - I)輸出的輸出信號Q作為置位信號S。對第(m — I)級單位電路UC (m — I)輸入第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl作為第二復(fù)位信號R2。對第m級單位電路UC (m)輸入第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl作為第一復(fù)位信號R1，輸入第二柵極結(jié)束脈沖信號GEP2作為第二復(fù)位信號R2。對第m級以外的單位電路UC
(i)輸入從下一級單位電路UC (i+Ι)輸出的追加輸出信號Z作為第一復(fù)位信號R1。對第(m — I)級和第m級以外的單位電路UC (i)輸入從其下第二級單位電路UC (i+2)輸出的追加輸出信號Z作為第二復(fù)位信號R2。第i個掃描信號線GLi基于從第i級單位電路UC
(i)輸出的輸出信號Q被驅(qū)動。像這樣，在如圖2所示的移位寄存器中，對各級單位電路，提供從上一級單位電路輸出的輸出信號Q作為置位信號S，提供從下一級單位電路輸出的追加輸出信號Z作為第一復(fù)位信號R1，提供從下下一級單位電路輸出的追加輸出信號Z作為第二復(fù)位信號R2。圖3是時鐘信號CKl CK4的時序圖。如圖3所示，時鐘信號CKl CK4均每隔I水平掃描期間變成高電平。時鐘信號CKl、CK2的相位相互偏差180度(相當(dāng)于I水平掃描期間)，時鐘信號CK3、CK4的相位也相互偏差180度。時鐘信號CK3的相位比時鐘信號CKl的相位提前90度。時鐘信號CK4的相位比時鐘信號CK2的相位提前90度。圖4是單位電路11的電路圖。單位電路11，如圖4所示，包括13個的N溝道型TFT:T1 T13和2個電容器Capl、Cap2。其中，TFT:T11 T13和電容器Cap2構(gòu)成補償電路21。關(guān)于N溝道型TFT，高電平電位成為導(dǎo)通電位，低電平電位成為斷開電位。TFTiTl的源極端子、TFT:T6、T7的漏極端子、TFT:T2、T4、TlO的柵極端子和電容器Capl的一端與節(jié)點NI連接。TFT:T3的源極端子、TFT:T4、T5的漏極端子和TFT:T6的柵極端子與節(jié)點N2連接。TFT = Tll的源極端子、TFT:T12的漏極端子、TFT:T13的柵極端子和電容器Cap2的一端與節(jié)點N3連接。TFT:T2的源極端子、TFT:T8、T9的漏極端子、TFT:T11的漏極端子和柵極端子以及電容器Capl的另一端與輸出端子Q連接。TFTiTIO的源極端子和電容器Cap2的另一端與追加輸出端子Z連接。對TFT:T1的柵極端子和漏極端子提供置位信號S。對TFT:T2、T10的漏極端子提供時鐘信號CKA。對TFT:T3的柵極端子和漏極端子提供時鐘信號CKC。對TFT:Τ5的柵極端子提供時鐘信號0(0，對TFT:T9的柵極端子提供時鐘信號CKB。對TFT:T7、Τ8的柵極端子和TFT:T13的漏極端子提供第一復(fù)位信號Rl。對TFT:T12的柵極端子提供第二復(fù)位信號R2。對TFT:T4 T9、T12、T13的源極端子固定地施加低電平電位VSS。TFTiTl在置位信號S為高電平的期間使節(jié)點NI的電位為高電平。置位信號S是從上一級單位電路11輸出的輸出信號Q。因此，當(dāng)上一級單位電路11的輸出成為高電平時，節(jié)點NI的電位上升為高電平。TFT:T2在節(jié)點NI的電位為高電平的期間，將時鐘信號CKA輸出作為輸出信號Q。TFT: T3在時鐘信號CKC為高電平的期間，使節(jié)點N2的電位為高電平。TFT: T4在節(jié) 點NI的電位為高電平的期間，使節(jié)點N2的電位為低電平。當(dāng)在對應(yīng)的掃描信號線的選擇期間節(jié)點N2的電位錯誤地變成高電平時，TFT:T6變成導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點NI的電位降低，TFT:T2變成斷開狀態(tài)。TFT:T4是為了防止該現(xiàn)象而設(shè)計的。TFT:T5在時鐘信號CKD為高電平的期間，使節(jié)點Ν2的電位為低電平。如果沒有設(shè)置TFT:T5，則在對應(yīng)的掃描信號線的選擇期間以外，節(jié)點N2的電位總是成為高電平，對TFT: T6、T10繼續(xù)施加偏置電壓。如果持續(xù)該狀態(tài)，則TFT: T6、T10的閾值電壓上升，TFT: T6、TlO作為開關(guān)不能正常工作。TFT:T5是為了防止該現(xiàn)象而設(shè)置。TFT:T6在節(jié)點N2的電位為高電平的期間，使節(jié)點NI的電位為低電平。TFT:T7在第一復(fù)位信號Rl為高電平的期間使節(jié)點NI的電位為低電平。TFT:T8在第一復(fù)位信號Rl為高電平的期間，對輸出端子Q施加低電平電位。第一復(fù)位信號Rl為從下一級單位電路11輸出的追加輸出信號Ζ。因此，當(dāng)下一級單位電路11的輸出為高電平時，節(jié)點NI的電位降低為低電平，輸出信號Q成為低電平。TFT:T9在時鐘信號CKB為高電平的期間，對輸出端子Q施加低電平電位。TFTiTIO在節(jié)點NI的電位為高電平的期間，將時鐘信號CKA輸出作為追加輸出信號Z。電容器Capl是將節(jié)點NI的電位保持為高電平的補償電容。TFT = Tll在輸出信號Q為高電平的期間，使節(jié)點N3的電位為高電平。因此，當(dāng)本級單位電路11的輸出為高電平時，節(jié)點N3的電位上升為高電平。TFT:T12在第二復(fù)位信號R2為高電平的期間，使節(jié)點N3的電位為低電平。第二復(fù)位信號R2是從下下一級單位電路11輸出的追加輸出信號Z。因此，當(dāng)下下一級單位電路11的輸出成為高電平時，節(jié)點N3的電位降低為低電平。TFT:T13在第一復(fù)位信號Rl為高電平的期間，使節(jié)點N3的電位保持為高電平。電容器Cap2被設(shè)置在追加輸出端子Z與節(jié)點N3之間，當(dāng)節(jié)點N3的電位降低時使追加輸出信號Z的電位降低。圖5是本實施方式的移位寄存器的時序圖。被輸入單位電路11的時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD如圖5所示進行變化。在初始狀態(tài)，節(jié)點NI、N3的電位均為低電平。在時刻t0，置位信號S (上一級單位電路的輸出)從低電平變化為高電平。因為TFT: TI與二極管連接，所以當(dāng)置位信號S變化為高電平時，節(jié)點NI的電位變成高電平(以下，將這時的節(jié)點NI的電位成為Va)。因此，TFT:T2變成導(dǎo)通狀態(tài)。另外，由于TFT:T4也變成導(dǎo)通狀態(tài)，所以節(jié)點N2的電位變成低電平，TFT:T6變成斷開狀態(tài)。節(jié)點NI的電位直至后述的時刻t2為止保持在Va以上。在時刻tl，時鐘信號CKA從低電平變化為高電平。對TFT:T2的漏極端子提供時鐘信號CKA，在TFT:T2的柵極一源極間存在電容器Capl。另外，這時TFT:T2變成導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點NI成為浮置(floating)狀態(tài)。因此，TFT:T2的漏極端子電位上升時，節(jié)點NI的電位也上升(自舉效應(yīng))。其結(jié)果是，節(jié)點NI的電位變得比電位Va高(以下，將這時的節(jié)點NI的電位稱為Vb)。電位Vb比時鐘信號CKA的高電平電位高。由于時鐘信號CKA從時刻tl到時刻t2期間成為高電平，所以節(jié)點NI的電位在大致相同的期間變成Vb，輸出信號Q也在大致相同的期間成為高電平。這時，被施加有輸出信號Q的掃描信號線成為選擇狀態(tài)，對于與該掃描信號線連接的多個像素電路P進行視頻信號的寫入。另外，在時刻tl，TFT = TlO也成為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，追加輸出信號Z與輸出信號Q同樣地在時刻tl至?xí)r刻t2之間成為高電平。另外，因為TFT = Tll與二極管連接，所以當(dāng)輸出信號Q變成高電平時，節(jié)點N3的電位也變成高電平。 在時刻t2，時鐘信號CKA從高電平變化為低電平，時鐘信號CKB和第一復(fù)位信號Rl (下一級單位電路的輸出)從低電平變化為高電平。這時，TFT:T7 T9成為導(dǎo)通狀態(tài)。TFT:T7成為導(dǎo)通狀態(tài)時，節(jié)點NI的電位變化為低電平，TFT:T2、TlO成為斷開狀態(tài)。當(dāng)TFT:T8、T9成為導(dǎo)通狀態(tài)時，輸出信號Q成為低電平。這時，時鐘信號CKA在TFT = TlO成為斷開狀態(tài)前變化為低電平。因此，追加輸出端子Z的電位在時刻t2之后立即變成低電平。另外，當(dāng)TFT = TlO成為斷開狀態(tài)時，追加輸出端子Z變成浮置狀態(tài)。由于TFT:T10的柵極一源極之間存在寄生電容(未圖示)，因此當(dāng)節(jié)點NI的電位從高電平變化為低電平時，與TFT = TlO的源極端子連接的追加輸出端子Z的電位變得比低電平低(以下，將這時的追加輸出端子Z的電位稱為Vc)。另外，當(dāng)輸出信號Q成為低電平時，TFT = Tll成為斷開狀態(tài)，節(jié)點N3變成浮置狀態(tài)。這時，在TFT = Tll完全變成斷開狀態(tài)之前，電流從節(jié)點N3向輸出端子Q流動，因此節(jié)點N3的電位從高電平降低。第一復(fù)位信號Rl也被提供到TFT:T13的漏極端子，在TFT:T13的漏極一柵極之間存在電容(未圖示)。因此，當(dāng)?shù)谝粡?fù)位信號Rl變成高電平時，與TFT:T13的柵極端子連接的節(jié)點N3的電位上升到高電平。因此，節(jié)點N3的電位在時刻t2之后立即從高電平降低，然后再返回到高電平。在時刻t3，第一復(fù)位信號Rl從高電平變化為低電平，第二復(fù)位信號R2 (下下一級單位電路的輸出)從低電平變化為高電平。這時，TFT:T7 T9成為斷開狀態(tài)，TFT:T12成為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)TFT:T12成為導(dǎo)通狀態(tài)時，節(jié)點N3的電位變化為低電平。這時，因為追加輸出端子Z為浮置狀態(tài)，所以當(dāng)節(jié)點N3的電位從高電平變化為低電平時，追加輸出端子Z的電位變得比電位Vc更加低(以下,將這時的節(jié)點N3的電位稱為超射(overshoot)電位Vos)。在時刻t4，第二復(fù)位信號R2從高電平變化為低電平。這時，TFT:T12成為斷開狀態(tài)，節(jié)點N3成為浮置狀態(tài)。在該時刻，節(jié)點N1、N3的電位均為低電平。因此，追加輸出端子Z的電位被節(jié)點N1、N3的電位牽引返回低電平。將節(jié)點NI、節(jié)點N3和追加輸出端子Z的寄生電容分別設(shè)為Cnl、Cn3、Cz。另外，節(jié)點NI的電位從Va變化為低電平時的電位變化量設(shè)為Λ VI，這時的追加輸出端子Z的電位變化量設(shè)為△&，節(jié)點N3的電位從高電平變化為低電平時的電位變化量設(shè)為AV3，這時的追加輸出端子Z的電位變化量設(shè)為AVy。根據(jù)電荷量守恒的法則，電位變化量AVx、AVy近似的由下列公式(I)和公式(2)提供。另外，使低電平電位(邏輯低電位)為Vgl時，超射電位Vos按照下式(3)提供。Δ Vx = Δ Vl X (Cnl / Cz) ... (I)AVy = AV3X (Cn3 / Cz) ... (2)Vos = Vgl — ΔVx — ΔVy ... (3)超射電位Vos比低電平電位Vgl低，由節(jié)點NI、N3和追加輸出端子Z的寄生電容CnUCn3.Cz以及節(jié)點N1、N3的電位變化量AVI、AV3決定。高電平電位比低電平電位高，超射電位Vos比低電平電位低。這樣的超射電位Vos成為極性以低電平電位為基準(zhǔn)與高電平電位相反的補償用電位。補償電路21在規(guī)定的定時對追加輸出端子Z施加極性以斷開 電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位。相對于圖2所示的移位寄存器提供圖3所示的4相的時鐘信號，將柵極開始脈沖信號GSP、第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl和第二柵極結(jié)束脈沖信號GEP2在規(guī)定的定時僅以I水平掃描期間被控制為高電平。由此，被輸入到初級單位電路(第一級單位電路UC (O)的脈沖依次被傳送到最終級單位電路(第m級單位電路UC (m))。這時,掃描信號線GLl GLm的電位在每一水平掃描期間依次變成高電平(參照圖6)。另外，如圖5所示，追加輸出信號Z的電位，在輸出信號Q為高電平時變成高電平，接著變成比低電平低的電平(電位Vc)，然后變成比電位Vc還低的電位(超射電位Vos)。追加輸出信號Z，作為第一復(fù)位信號Rl被提供到上一級單位電路11中所包含的TFT:T8的柵極端子等。換言之，對TFT:T8的柵極端子施加從下一級單位電路11輸出的追加輸出信號Z。以下，說明本實施方式的移位寄存器的效果。在此，將從單位電路11除去補償電路21后的電路稱為現(xiàn)有的單位電路，將現(xiàn)有的單位電路多級連接而成的電路稱為現(xiàn)有的移位寄存器。在現(xiàn)有的移位寄存器中，與本實施方式的移位寄存器同樣，對TFT:T8的柵極端子施加從下一級單位電路輸出的追加輸出信號Z。在現(xiàn)有的移位寄存器中，追加輸出信號Z與輸出信號Q同樣地發(fā)生變化。更詳細講，追加輸出信號Z，通常為低電平，在I幀期間中一次變成高電平。因此，在現(xiàn)有的移位寄存器中，對TFT:T8反復(fù)施加正極性的應(yīng)力電壓。但是，非晶硅TFT或微晶硅TFT具有當(dāng)對柵極端子反復(fù)施加電壓時閾值電壓發(fā)生變動的特性。因此，在使用非晶硅或者多晶硅形成TFT: T8的情況下，發(fā)生伴隨著時間的經(jīng)過，TFT: T8的閾值電壓上升、輸出信號Q的下降時間變遲的問題。因此，在本實施方式的移位寄存器中，利用TFT的閾值電壓向與應(yīng)力電壓的極性相應(yīng)的方向變化的性質(zhì)。圖7是表示非晶硅TFT的閾值電壓的變化的圖。在圖7中，橫軸表不應(yīng)力電壓的施加時間，縱軸表不閾值電壓的變化量。如圖7所不，非晶娃TFT的閾值電壓，當(dāng)施加正極性的應(yīng)力電壓時上升，當(dāng)施加負極性的應(yīng)力電壓時降低。將施加正極性的應(yīng)力電壓時的閾值電壓的上升量設(shè)為+ △ Vp，將施加負極性的應(yīng)力電壓時的閾值電壓的降低量設(shè)為一 Δ Vm，當(dāng)使2種類的應(yīng)力電壓的絕對值與施加時間相同時，閾值電壓的上升量與下降量的比(AVm/AVp)例如為O. 5 I. O左右。
本實施方式的移位寄存器的單位電路11包括補償電路21，該補償電路21對追加輸出端子Z在規(guī)定的定時施加作為補償用電位的超射電位Vos。因此，追加輸出信號Z的電位在變成高電平之后，變成比低電平低的超射電位Vos。因此，對TFT:T8的柵極端子交替地施加高電平電位和極性與其相反的超射電位Vos。因此，由于對TFT: T8的柵極端子施加了高電平電位，因此即使在TFT: T8的閾值電壓變高的情況下，通過對TFT:T8的柵極端子施加極性與高電平電位相反的超射電位Vos，能夠使TFT:T8的閾值電壓降低，抑制TFT:T8的閾值電壓上升。例如，在現(xiàn)有的移位寄存器中，在已經(jīng)過了規(guī)定時間T的時刻，TFT:T8的閾值電壓上升了 1.0V。另外，使上述比(Λ Vm/Λ Vp)為O. 5。在該情況下，在本實施方式的移位寄存器中，在已經(jīng)過了時間T的時亥lj，TFT:Τ8的閾值電壓上升I. OV并且降低O. 5V，所以結(jié)果是僅上升了 O. 5V。由此，根據(jù)本實施方式的移位寄存器，能夠抑制TFT:T8的閾值電壓的移位，防止輸出信號Q的下降時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。另外，還能夠縮小TFT:T8的溝道寬度，以 縮小TFT:T8的布局面積。另外，在單位電路11的內(nèi)部能夠生成超射電位Vos，因此不需要在移位寄存器的外部重新設(shè)置電源電路。以下關(guān)于能夠防止輸出信號Q的下降時間的延遲的效果進行說明。TFT:T8在線形區(qū)域動作時，在輸出信號Q的下降時流過TFT:T8的電流I以下列公式(4)表示。I= (W/L) · μ · Cox · [ (Vg — Vt) Vd — (1/2) Vd2]... (4)其中，W是柵極寬度，L是柵極長度，μ是載體移動性，Cox是柵極氧化膜電容，Vg是柵極施加電壓，Vd是漏極施加電壓，Vt是閾值電壓。例如，W=5000,L=5, μ =0. 3, Cox=2 X 1(T8, Vg=Vd=30 (其中，數(shù)值的單位均是任意單位(a. u.)。以下，相同)，在初始狀態(tài)，Vt=2。在該情況下，在初始狀態(tài)流過TFT:T8的電流Ia，依據(jù)公式(4)成為 Ia=2. 34X10_3。在現(xiàn)有的移位寄存器中，使TFT:T8的閾值電壓在經(jīng)過了規(guī)定時間T的時刻，上升至Vt=10。在該情況下，在經(jīng)過了時間T的時刻，流過TFT:T8的電流Ib根據(jù)式(4)成為Ib=0.90X10_3。像這樣，在現(xiàn)有的移位寄存器中，在經(jīng)過了時間T的時刻流過TFT:T8的電流與初始狀態(tài)相比減少61%。在本實施方式的移位寄存器中，閾值電壓的上升量為現(xiàn)有的移位寄存器的50%。該情況下，TFT:T8的閾值電壓在經(jīng)過了時間T的時刻上升至Vt=6。因此，在經(jīng)過了時間T的時刻，流過TFT:T8的電流Ic根據(jù)式(4)成為Ic=1.62X10_3。像這樣，在本實施方式的移位寄存器中，在經(jīng)過了時間T的時刻流過TFT:T8的電流與初始狀態(tài)相比僅減少大約31%。在經(jīng)過了時間T的時刻，本實施方式的移位寄存器的輸出信號Q的下降時間成為現(xiàn)有的移位寄存器的大約56% (=0.90/1.62)。圖8是輸出信號Q的信號波形圖。在圖8中,Tgfl是表不本實施方式的移位寄存器中的輸出信號Q的90% - 10%下降的時間，Tgf2表示現(xiàn)有的移位寄存器中的相同下降的時間。在上述例子中，本實施方式的下降時間Tgfl成為現(xiàn)有的下降時間Tgf2的大約56%。接著，對能夠縮小TFT:T8的布局面積的效果進行說明。在TFT:T8即使閾值電壓移位發(fā)生，也不需要縮短輸出信號Q的下降時間的情況下，能夠與設(shè)置補償電路21而抑制TFT:T8的閾值電壓移位的量相應(yīng)地，減小TFT:T8的柵極寬度，縮小TFT:T8的布局面積。例如，關(guān)于現(xiàn)有的移位寄存器，以使在經(jīng)過了時間T的時刻流過TFT:T8的電流為Ib=O. 90 X 10_3的方式進行電路設(shè)計，其結(jié)果是使TFT: T8的柵極寬度成為5000。在本實施方式的移位寄存器中，當(dāng)使TFT:T8的柵極寬度為5000時，在經(jīng)過了時間T的時刻流過TFT:T8的電流成為Ic=1.62X10_3。由于流過TFT:T8的電流只要是O. 90X 10_3即可，因此能夠?qū)FT:T8的柵極寬度縮小為2800 (=5000X0.90/1.62)。因此，本實施方式的移位寄存器的TFT:T8的布局面積成為現(xiàn)有的移位寄存器的大約56% (=2800/5000)。如上所述，本實施方式的移位寄存器具有將多個單位電路11多級連接的結(jié)構(gòu)，并基于多個時鐘信號CKl CK4進行動作。單位電路11包括一個導(dǎo)通端子(漏極端子)被提供一個時鐘信號(時鐘信號CKl或者CK2)，另一個導(dǎo)通端子(源極端子)與輸出端子Q連接的輸出晶體管(TFT:T2);按照所提供的置位信號S，對輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位(高電平電位)的輸入晶體管(TFT:T1);按照所提供的第一復(fù)位信號R1，對輸出端子Q施加斷開電位(低電平電位)的輸出復(fù)位晶體管(TFT:T8);控制端子和一個導(dǎo)通端子(柵極端子和漏極端子)以與輸出晶體管同樣的方式連接，另一個導(dǎo)通端子(源極端子)與追加輸出端子Z連接的追加輸出晶體管(TFT:T10);和在規(guī)定的定時對追加輸出端子Z施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位(超射電位Vos)的補償電路21。對輸出復(fù)位晶體管提供從下一級單位電路11輸出的追加輸出信號Z作為第一復(fù)位信號R1。 因此，對在各級單位電路11中包含的輸出復(fù)位晶體管，在規(guī)定的定時提供從下一級單位電路11輸出的、具有以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的極性的補償用電位。因此，即使在由于提供了導(dǎo)通電位而輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓向規(guī)定方向變化(變高)的情況下，通過提供極性與導(dǎo)通電位相反的補償用電位，能夠使輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓向反方向變化(變低)。由此，能夠抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位，防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。另外，能夠縮小輸出復(fù)位晶體管的布局面積。另外，補償電路21包括按照輸出信號Q對節(jié)點N3施加導(dǎo)通電位的第一晶體管(TFTiTII);按照第二復(fù)位信號R2對節(jié)點N3施加斷開電位的第二晶體管(TFT:T12);和設(shè)置在節(jié)點N3與追加輸出端子Z之間的電容器Cap2。像這樣，在追加輸出端子Z與節(jié)點N3之間設(shè)置電容器Cap2，對節(jié)點N3交替地施加導(dǎo)通電位和斷開電位，由此能夠?qū)ψ芳虞敵龆俗覼施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位。另外，補償電路21還包括一個導(dǎo)通端子(漏極端子)被施加第一復(fù)位信號Rl，控制端子(柵極端子)與節(jié)點N3連接的第三晶體管(TFT:T3)。利用這樣的第三晶體管，能夠按照第一復(fù)位信號Rl對節(jié)點N3施加導(dǎo)通電位。另外，對第二晶體管施加從下下一級單位電路輸出的追加輸出信號Z作為第二復(fù)位信號R2。由此，按照從下下一級單位電路輸出的追加輸出信號對節(jié)點N3施加斷開電位，當(dāng)下下一級單位電路的輸出發(fā)生變化時能夠?qū)ψ芳虞敵龆俗覼施加補償用電位。另外，輸出信號Q被提供到第一晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子(TFT:T11的漏極端子和柵極端子)。由此，當(dāng)輸出信號變化時能夠?qū)?jié)點N3施加電位。另外，每當(dāng)對追加輸出端子Z施加電位時，補償電路21對追加輸出端子Z施加補償用電位。像這樣對追加輸出端子Z交替地施加導(dǎo)通電位和極性與其相反的補償用電位，由此能夠有效地抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位。另外，單位電路11還包括按照被提供的第一復(fù)位信號Rl對輸出晶體管的控制端子施加斷開電位的狀態(tài)復(fù)位晶體管(TFT:T7)。通過設(shè)置這樣的狀態(tài)復(fù)位晶體管，能夠?qū)⑤敵鼍w管控制為斷開狀態(tài)。另外，單位電路11還包括按照被提供的其它的時鐘信號(時鐘信號CKl或者CK2)，對輸出端子Q施加斷開電位的輸出復(fù)位輔助晶體管(TFT:T9)。通過設(shè)置這樣的輸出復(fù)位輔助晶體管，能夠按照其它的時鐘信號可靠地將輸出信號復(fù)位。另外，置位信號S被提供到輸入晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子(TFT:T1的柵極端子和漏極端子)。由此，能夠使用輸入晶體管對輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位。另外，對輸入晶體管提供從上一級單位電路11輸出的信號作為置位信號S。由此，能夠構(gòu)成將輸入信號依次移位的移位寄存器。
另外，單位電路11中包含的全部移位寄存器為相同導(dǎo)電型(N溝道型)。通過使用相同導(dǎo)電型的移位寄存器，能夠削減移位寄存器的制造成本。另外，依據(jù)具備包括本實施方式的移位寄存器的掃描信號線驅(qū)動電路4的液晶顯示裝置，使用抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位、防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲的移位寄存器，能夠得到能夠正確地顯示畫面的液晶顯示裝置。(第二實施方式)本發(fā)明的第二實施方式的移位寄存器具有與第一實施方式的移位寄存器相同的結(jié)構(gòu)(圖2)，包括與第一實施方式的移位寄存器不同的單位電路。以下，說明本實施方式與第一實施方式的不同點，對與第一實施方式的共同點省略說明。圖9表示本實施方式的移位寄存器中包含的單位電路的電路圖。圖9所示的單位電路12是在第一實施方式的單位電路11中將電容器Cap2置換為TFT:T14。在單位電路12中，TFT = Tll T14構(gòu)成補償電路22。TFT:T14的漏極端子與源極端子連接，晶體管TlO的源極端子與追加輸出端子Z連接。晶體管T14的柵極端子與節(jié)點N3連接。像這樣連接的TFT:T14與電容器Cap2具有同樣的功能。本實施方式的移位寄存器與第一實施方式的移位寄存器同樣地進行動作。因此,依據(jù)本實施方式的移位寄存器,與第一實施方式同樣地，能夠抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位，防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。另外，在補償電路22中包含的電容，由將漏極端子與源極端子短路作為一個電極，將柵極端子作為另一個電極的TFT構(gòu)成。像這樣通過由TFT構(gòu)成在補償電路22中包含的電容，能夠削減移位寄存器的制造成本。(第三實施方式)圖10是表示本發(fā)明的第三實施方式的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的框圖。在圖10中記載有一維地排列配置的m級單位電路11。通過將m級單位電路11中的第奇數(shù)級單位電路11多級連接，構(gòu)成第一移位寄存器。另外，通過將第偶數(shù)級單位電路11多級連接，構(gòu)成第二移位寄存器。以下，說明本實施方式與第一實施方式的不同點，省略與第一實施方式的共同點的說明。在本實施方式中，m為4的倍數(shù)。對圖10中表示的2個移位寄存器，供給4個時鐘信號CKl CK4作為柵極時鐘信號GCK，供給第一柵極開始脈沖信號GSPl和第二柵極開始脈沖信號GSP2作為柵極開始脈沖信號GSP，供給第一 第四柵極結(jié)束脈沖信號GEPl GEP4作為柵極結(jié)束脈沖信號GEP。當(dāng)k為I以上(m/4)的整數(shù)時，對第(4k 一 3)級單位電路UC (4k — 3)分別輸入時鐘信號CK1、CK2、CK3、CK4作為時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD。對第(4k 一 2)級單位電路UC (4k — 2)分別輸入時鐘信號CK4、CK3、CKU CK2作為時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD0對第(4k - I)級單位電路UC (4k - I)分別輸入時鐘信號CK2、CK1、CK4、CK3作為時鐘信號CKA、CKB、CKC、CKD。對第4k級單位電路UC (4k)分別輸入時鐘信號CK3、CK4、CK2、CKl作為時鐘信號 CKA、CKB、CKC、CKD。對第一級單位電路UC (I)輸入第一柵極開始脈沖信號GSPl作為置位信號S。對第二級單位電路UC (2)輸入第二柵極開始脈沖信號GSP2作為置位信號S。對第一級和第二級以外的單位電路UC (i)輸入從其上的第二級(上上一級)單位電路UC (i — 2)輸出的輸出信號Q作為置位信號S。對第(m - 3)級單位電路UC Cm 一 3)輸入第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl作為第二復(fù)位信號R2。對第(m - 2)級單位電路UC Cm 一 2)輸入第二柵極結(jié)束脈沖信號GEP2作為第二復(fù)位信號R2。對第(m — I)級單位電路UC Cm — I),輸入第一柵極結(jié)束脈沖信號GEPl作為第一復(fù)位信號R1，輸入第三柵極結(jié)束脈沖信號GEP3作為第二復(fù)位信號R2。對第m級單位電路UC Cm)輸入第二柵極結(jié)束脈沖信號GEP2作為第一復(fù)位信號Rl，輸入第四柵極結(jié)束脈沖信號GEP4作為第二復(fù)位信號R2。對第(m — I)級和第m級以外的單位電路UC (i)輸入從其下的第二級(下下一級)單位電路UC (i+2)輸出的追加輸出信號Z作為第一復(fù)位 信號R1。對第(m — 3)級 第m級以外的單位電路UC (i)輸入從其下的第四級單位電路UC (i+4)輸出的追加輸出信號Z作為第二復(fù)位信號R2。第i個掃描信號線GLi基于從第i級單位電路UC (i )輸出的輸出信號Q被驅(qū)動。在包括第奇數(shù)級單位電路11的第一移位寄存器中，其上的第二級單位電路相當(dāng)于上一級單位電路，其下的第二級單位電路相當(dāng)于下一級單位電路。在包括第偶數(shù)級單位電路11的第二移位寄存器中也是同樣。像這樣在如圖10所示的2個移位寄存器中，對各級單位電路，提供從上一級單位電路輸出的輸出信號Q作為置位信號S，提供從下一級單位電路輸出的追加輸出信號Z作為第一復(fù)位信號R1，提供從下下一級(其下的第二級)單位電路輸出的追加輸出信號Z作為第二復(fù)位信號R2。圖11是時鐘信號CKl CK4的時序圖。如圖11所示，時鐘信號CKl CK4均每隔2個水平掃描期間變成高電平。時鐘信號CKl CK4的相位間的關(guān)系與第一實施方式相同。單位電路11的結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同(參照圖4)。單位電路11的時序圖與將圖5中的I水平掃描期間變成2水平掃描期間后的時序圖相同。如圖10所示對2個移位寄存器提供如圖11所示的4相的時鐘信號，將第一和第二柵極開始脈沖信號GSPl、GSP2以及第一 第四柵極結(jié)束脈沖信號GEPl GEP4在規(guī)定的定時僅在2水平掃描期間控制為高電平。由此，被輸入第一移位寄存器的初級(第一級單位電路UC (I))的脈沖被依次傳送直至最終級(第(m-Ι)級單位電路UC (m- 1))，被輸入第二移位寄存器的初級(第二級單位電路UC (2))的脈沖被依次傳送直至最終級(第m級單位電路UC(m))。這時，掃描信號線GLl GLm的電位依次各推遲I水平掃描期間地成為各持續(xù)2水平掃描期間的高電平(參照圖12)。如圖12所示，第i個掃描信號線GLi的選擇期間被2分割為前半部和后半部。在前半部，前一個掃描信號線GLi - I與掃描信號線GLi —起被選擇，進行對掃描信號線GLi的預(yù)充電(預(yù)備充電)。在后半部，后一個掃描信號線GLi+Ι與掃描信號線GLi —起被選擇，進行對掃描信號線GLi的主充電(主要的充電)。在本實施方式的移位寄存器中，也與第一實施方式同樣，單位電路11包括補償電路21，該補償電路21在規(guī)定的定時對追加輸出端子Z施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的超射電位Vos。因此，依據(jù)本實施方式的移位寄存器，也與第一實施方式同樣，能夠抑制輸出復(fù)位晶體管的閾值電壓移位，防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。此外，關(guān)于本發(fā)明的實施方式的移位寄存器，能夠構(gòu)成以下的變形例。例如，也可以代替圖4和圖9所示的單位電路11、12，而將圖13 圖16所示的單位電路13 16多級連接。單位電路13 16均包括補償電路21，該補償電路21在規(guī)定的定時對追加輸出端子Z施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的超射電位Vos。在單位電路13 (圖13)中，置位信號S被提供到TFT:T1的柵極端子(輸入晶體管的控制端子)，對TFT:T1的漏極端子(輸入晶體管的一個控制端子)固定地施加高電平電位VDD0在該電路結(jié)構(gòu)中，也能夠使用TFT = Tl對TFT:T2的柵極端子施加導(dǎo)通電位。在單位電路14 (圖14)中，TFT = Tll的柵極端子與輸出端子Q連接，對TFT = Tll的漏極端子固定地施加高電平電位VDD。在該電路結(jié)構(gòu)中，也能夠使用TFT = Tll對節(jié)點N3施加導(dǎo)通電位。單位電路15 (圖15)不包括TFT:T7 (狀態(tài)復(fù)位晶體管)。單位電路16 (圖16)不包括TFT:T9(輸出復(fù)位輔助晶體管)。通過使用單位電路15、16，能夠削減電路量。另外，只要不使單位電路11 16的特征與其性質(zhì)相反，就可以將任意組合而成的單位電路多級連接。另外，也可以不僅將追加輸出信號Z —邊作為第一復(fù)位信號Rl提供到上一級單位電路，一邊作為第二復(fù)位信號R2提供到上上一級單位電路，而且將追加輸出信號Z作為復(fù)位信號S提供到下一級單位電路。另外，在單位電路中包含的所有晶體管為P溝道型。或者，也可以包括P溝道型晶體管和N溝道型晶體管的單位電路。另外，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于液晶顯示裝置以外的顯示裝置或攝像裝置等中包含的移位寄存器。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的移位寄存器因為具有能夠防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲的特征，所以能夠在顯示裝置的驅(qū)動電路、攝像裝置的驅(qū)動電路等各種電子電路中被利用。符號說明I:電源2:DC/DC 轉(zhuǎn)換器3:顯示控制電路4:掃描信號線驅(qū)動電路5:視頻信號線驅(qū)動電路6 :共同電極驅(qū)動電路7:像素區(qū)域 8:液晶面板11 16:單位電路21、22:補償電路
權(quán)利要求
1.一種移位寄存器，其特征在于 所述移位寄存器具有將多個單位電路多級連接的結(jié)構(gòu)，并基于多個時鐘信號進行動作， 所述單位電路包括 輸出晶體管，所述輸出晶體管的一個導(dǎo)通端子被提供一個時鐘信號，所述輸出晶體管的另一個導(dǎo)通端子與輸出節(jié)點連接； 按照所提供的置位信號，對所述輸出晶體管的控制端子施加導(dǎo)通電位的輸入晶體管； 按照所提供的輸出復(fù)位信號，對所述輸出節(jié)點施加斷開電位的輸出復(fù)位晶體管； 追加輸出晶體管，所述追加輸出晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子以與所述輸出晶體 管同樣的方式連接，所述追加輸出晶體管的另一個導(dǎo)通端子與追加輸出節(jié)點連接；和 在規(guī)定的定時對所述追加輸出節(jié)點施加極性以斷開電位為基準(zhǔn)與導(dǎo)通電位相反的補償用電位的補償電路，其中， 對所述輸出復(fù)位晶體管提供從下一級單位電路中包含的追加輸出節(jié)點輸出的信號作為所述輸出復(fù)位信號。
2.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述補償電路包括 按照從所述輸出節(jié)點輸出的信號，對內(nèi)部節(jié)點施加導(dǎo)通電位的第一晶體管； 按照所提供的補償控制信號，對所述內(nèi)部節(jié)點施加斷開電位的第二晶體管；和 在所述內(nèi)部節(jié)點與所述追加輸出節(jié)點之間設(shè)置的電容。
3.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于 所述補償電路還包括第三晶體管，所述第三晶體管的一個導(dǎo)通端子被提供所述輸出復(fù)位信號，所述第三晶體管的控制端子與所述內(nèi)部節(jié)點連接。
4.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于 對所述第二晶體管提供從下下一級單位電路中包含的追加輸出節(jié)點輸出的信號作為所述補償控制信號。
5.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于 所述電容包括薄膜晶體管，將所述薄膜晶體管的2個導(dǎo)通端子短路作為一個電極，將所述薄膜晶體管的控制端子作為另一個電極。
6.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于 從所述輸出節(jié)點輸出的信號被提供到所述第一晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子。
7.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于 從所述輸出節(jié)點輸出的信號被提供到所述第一晶體管的控制端子，對所述第一晶體管的一個導(dǎo)通端子固定地施加導(dǎo)通電位。
8.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 每當(dāng)所述追加輸出節(jié)點被施加導(dǎo)通電位時，所述補償電路對所述追加輸出節(jié)點施加所述補償用電位。
9.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述單位電路還包括狀態(tài)復(fù)位晶體管，所述狀態(tài)復(fù)位晶體管按照被提供的狀態(tài)復(fù)位信號，對所述輸出晶體管的控制端子施加斷開電位。
10.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述單位電路還包括輸出復(fù)位輔助晶體管，所述輸出復(fù)位輔助晶體管按照被提供的其它時鐘信號，對所述輸出節(jié)點施加斷開電位。
11.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述置位信號被提供到所述輸入晶體管的控制端子和一個導(dǎo)通端子。
12.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述置位信號被提供到所述輸入晶體管的控制端子，對所述輸入晶體管的一個導(dǎo)通端子固定地施加導(dǎo)通電位。
13.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于
14.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器，其特征在于 所述單位電路中包含的所有晶體管為相同導(dǎo)電型。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括 二維配置的多個像素電路；和 包括權(quán)利要求I 14中任一項所述的移位寄存器的驅(qū)動電路。
全文摘要
將包含補償電路(21)的單位電路(11)多級連接，而構(gòu)成移位寄存器。當(dāng)從下下一級單位電路輸出的第二復(fù)位信號(R2)變成高電平時，補償電路(21)對追加輸出端子(Z)施加比低電平電位更低的超射電位(Vos)(補償用電位)。對TFT:T8(輸出復(fù)位晶體管)的柵極端子提供從下一級單位電路中包含的追加輸出端子(Z)輸出的信號。對TFT:T8的柵極端子交替地施加高電平電位和極性與其相反的補償用電位，由此，抑制TFT:T8的閾值電壓移位，防止輸出信號的復(fù)位時間隨著時間的經(jīng)過而變遲。
文檔編號G09G3/20GK102763167SQ20108006416
公開日2012年10月31日 申請日期2010年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月19日
發(fā)明者小原將紀(jì) 申請人:夏普株式會社