專利名稱：薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法，且特別是涉及一種具有復(fù)合板的薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示器的應(yīng)用越來越普遍 ，顯示器中的各種元件的開發(fā)與研究?jī)叭怀蔀楦骷覐S商關(guān)心的要項(xiàng)之一。就基板來說，原先的顯示器大多采用玻璃基板，因其具有良好的透明度、表面平坦度、阻水氧性及尺寸穩(wěn)定性(熱膨脹系數(shù)低)等特性。然而，玻璃基板通常強(qiáng)度不佳，有易破碎及彎折性差的缺點(diǎn)，不適合作為例如軟性顯示器的開發(fā)使用，也不適合應(yīng)用于需耐沖擊的顯示器。因此，各家廠商莫不開始尋求可取代玻璃基板的其他形式的基板。目前部分的顯示器是采用塑膠基板來取代以往的一般顯示器采用的玻璃基板，以達(dá)到韌性佳、強(qiáng)度佳、比重輕、可撓曲等特性。然而，塑膠基板的基本物性并無法達(dá)到與玻璃基板相同的程度，例如是耐高溫、耐化、阻水氧及尺寸安定性等。尤其，塑膠基板的耐溫性、耐化性及尺寸安定性較玻璃基板差是其應(yīng)用上的致命傷，必須開發(fā)相對(duì)應(yīng)的低溫或特殊制作工藝，難以使用目前一般的制作工藝進(jìn)行量產(chǎn)。另外，阻水氧能力不佳也造成產(chǎn)品特性難以維持良好，因?yàn)樗蜓鯇?duì)于電子元件的使用穩(wěn)定性與壽命息息相關(guān)。此外，由于塑膠基板剛性較差，即使在與玻璃基板相近的厚度下，其板彎程度也無法符合現(xiàn)行面板廠的機(jī)臺(tái)操作規(guī)格，因此塑膠基板并無法直接單獨(dú)作為基板使用，需要搭配剛性載板方可適用目前的生產(chǎn)制作工藝條件。如此一來，一旦完成例如是薄膜晶體管的制作后，剛性載板與塑膠基板尚需進(jìn)一步執(zhí)行離型的步驟，而額外地增加了材料與制作工藝的成本支出。部分的廠商試圖以金屬箔板(Metal Foil)來取代玻璃基板，同時(shí)達(dá)到剛性佳、強(qiáng)度佳、韌性佳、可撓曲、耐高溫、耐化性佳、阻水氧能力佳及尺寸安定性佳等特性。然而，金屬板因比重大，使得完成的顯示器難以達(dá)到輕量化的需求。為了輕量化金屬板，待其上表面完成薄膜晶體管的制作后，薄膜晶體管上需覆蓋一層保護(hù)層，接著對(duì)其下表面進(jìn)行蝕刻完成減薄而得到金屬箔板。如此一來，采用金屬箔板的顯示器不但制造成本高，且薄膜晶體管也可能在蝕刻減薄的過程中損壞。因此，如何提供一種可取代玻璃基板的材料及結(jié)構(gòu)，為相關(guān)業(yè)者努力的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法，以解決上述問題。本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法。該顯示器以復(fù)合板來作為承載薄膜晶體管的基板，在不變更現(xiàn)有的制作工藝機(jī)臺(tái)及規(guī)格的前提下取代玻璃基板，同時(shí)兼具塑膠基板及金屬箔板的優(yōu)點(diǎn)。該顯示器可以是反射型顯示器、自發(fā)光型顯示器或其他非穿透型顯示器。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種薄膜晶體管基板。薄膜晶體管基板包括一復(fù)合板及數(shù)個(gè)薄膜晶體管。復(fù)合板包括一芯材結(jié)構(gòu)及兩絕緣結(jié)構(gòu)。芯材結(jié)構(gòu)包括一金屬層。此兩絕緣結(jié)構(gòu)分別配置于芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置芯材結(jié)構(gòu)在其二者之間。此些薄膜晶體管配置于復(fù)合板上。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種顯示器。顯示器包括一薄膜晶體管基板、一上基板及一顯示介質(zhì)層。薄膜晶體管基板包括一復(fù)合板及數(shù)個(gè)薄膜晶體管。復(fù)合板包括一芯材結(jié)構(gòu)及兩絕緣結(jié)構(gòu)。芯材結(jié)構(gòu)包括一金屬層。此兩絕緣結(jié)構(gòu)分別配置于芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)， 以夾置芯材結(jié)構(gòu)在其二者之間。此些薄膜晶體管配置于復(fù)合板上。顯示介質(zhì)層配置于薄膜晶體管基板與上基板之間。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種顯示器的制造方法，包括以下的步驟。提供一復(fù)合板。復(fù)合板包括一芯材結(jié)構(gòu)及兩絕緣結(jié)構(gòu)，芯材結(jié)構(gòu)包括一金屬層，此兩絕緣結(jié)構(gòu)分別配置于芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置芯材結(jié)構(gòu)在其二者之間。形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管于復(fù)合板上，以形成一薄膜晶體管基板。提供一上基板。形成一顯示介質(zhì)層于薄膜晶體管基板及上基板之間。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下


圖I為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的剖視圖；圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的復(fù)合板的實(shí)際樣品置放于傳送箱的第一儲(chǔ)存格的不意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖；圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種顯示器的剖視圖；圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的剖視圖；圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖；圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種顯示器的剖視圖；圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的剖視圖；圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例的復(fù)合板的第一實(shí)際樣品置放于傳送箱的第一儲(chǔ)存格的不意圖；圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例的復(fù)合板的第二實(shí)際樣品置放于傳送箱的第一儲(chǔ)存格的不意圖；圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種顯示器的剖視圖；圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的剖視圖；圖13為本發(fā)明第二實(shí)施例的另一種顯示器的剖視圖。主要元件符號(hào)說明10、10’、20、20’ 顯示器100a、100a’、200a、200a’ 薄膜晶體管基板100b、100b’、200b、200b’ 上基板100c、100c’、200c、200c’ 顯示介質(zhì)層
110、110，、210、210，復(fù)合板111,211 :芯材結(jié)構(gòu)111ml、lllm2 :金屬層
Ills:絕緣層112sl、112s2、212sl、212s2 :絕緣結(jié)構(gòu)120、120’、220、220’ 薄膜晶體管130’、230’ 平坦層150，、250，保護(hù)層600、700、800:傳送箱600b,700b,800b :底部610,710,810 :第一儲(chǔ)存格611、711、811 :支撐部Nll N15、N21 N25、N31 N35 :位置S101、S103、S101’ S103’ 流程步驟Tml、Tm2、Ts、Tsl、Ts2 :厚度
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的剖視圖。薄膜晶體管基板IOOa包括復(fù)合板110及數(shù)個(gè)薄膜晶體管120。此些薄膜晶體管120配置于復(fù)合板110上。在本實(shí)施例中，復(fù)合板110包括芯材結(jié)構(gòu)111及兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2。此兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2分別配置于芯材結(jié)構(gòu)111的兩側(cè)，以夾置芯材結(jié)構(gòu)111在其二者之間。芯材結(jié)構(gòu)111包括絕緣層Ills及兩層金屬層Illml及l(fā)llm2。金屬層Illml及l(fā)llm2分別配置于絕緣層Ills的兩側(cè)，以夾置絕緣層Ills在其二者之間。一般來說，復(fù)合板110的芯材結(jié)構(gòu)111是具備高強(qiáng)度及高勁度，以承受負(fù)載及彎矩。另外，絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2是用以絕緣并增加結(jié)構(gòu)的緩沖能力。由于本實(shí)施例的復(fù)合板110是承載薄膜晶體管120,因此,位于外側(cè)的絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2尚需具備耐化的特性，以避免在制造薄膜晶體管120的過程中接觸到例如是洗劑、蝕刻液或顯影液的藥劑而損壞。茲將本實(shí)施例的復(fù)合板110進(jìn)一步說明如下。首先，就復(fù)合板110的各層的材料來說，絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2的材料與絕緣層Ills的材料例如皆為玻璃纖維布，且金屬層Illml及l(fā)llm2例如皆為銅箔，以具有良好的結(jié)合性。此處的玻璃纖維布中樹脂的玻璃轉(zhuǎn)換溫度(glass transition temperature, Tg)大于170°C,可適用于低溫成長的薄膜晶體管120制作工藝。在3. 5代線，基板尺寸為620mmX750mm的情況下,就復(fù)合板110的各層的厚度比例來說，金屬層Illml及l(fā)llm2的總厚度，對(duì)比絕緣結(jié)構(gòu)112sl及112s2與絕緣層Ills的總厚度的比例為I : 10。另外，絕緣層Ills的厚度，對(duì)比絕緣結(jié)構(gòu)112sl與112s2的總厚度的比例為4. 7 5. 3 I。也就是說，若絕緣結(jié)構(gòu)112sl、金屬層111ml、絕緣層Ills、金屬層lllm2及絕緣結(jié)構(gòu)112s2的厚度分別以Tsl、Tml、Ts、Tm2及Ts2表示，則(Tml+Tm2) (Tsl+Ts2+Ts) = I 10，且 Ts (Tsl+Ts2) = 4. 7 5. 3 I。如此一來，根據(jù)此些厚度比例條件，利用斯托尼等式(Stoney’ s equation)推算復(fù)合板110的板彎量以及玻璃基板的板彎量，以比較復(fù)合板110的剛性及玻璃基板的剛性。經(jīng)過估算，總厚度約為0. 73mm的復(fù)合板110的板彎量近似厚度約為0. 5mm的玻璃基板的板彎量，且復(fù)合板110的重量約為900克。因此，可推得總厚度約為0. 73mm的復(fù)合板110的剛性會(huì)近似于總厚度約為0. 5mm的玻璃基板的剛性。此處還根據(jù)上述的條件制作出復(fù)合板110的實(shí)際樣品并置放于傳送箱(Cassette)來做說明。請(qǐng)參照?qǐng)D2及表1，圖2繪示第一實(shí)施例的復(fù)合板110的實(shí)際樣品置放于傳送箱600的第一儲(chǔ)存格610的不意圖，且表I表列出復(fù)合板110的實(shí)際樣品置放于傳送箱600的第一儲(chǔ)存格610中時(shí)的位置 Nll N15分別相對(duì)于傳送箱600的底部600b的距離。表I
__位置Nll 位置N12 位置N13 位置N14 位置N15
相對(duì)于傳送箱600的底
45.034.528.533.545.0
部 600b 的互巨離 (mm )復(fù)合板110的實(shí)際樣品的相對(duì)兩側(cè)擺置在傳送箱600的第一儲(chǔ)存格610的支撐部611上，使得復(fù)合板110的實(shí)際樣品的位置Nll及位置N15分別表示位于支撐部611上的位置，且位置N13表示復(fù)合板110的實(shí)際樣品的中心彎曲處的位置。以往的薄膜晶體管基板是采用玻璃基板來承載薄膜晶體管，且玻璃基板在制作工藝中通常置放在傳送箱中來運(yùn)送。當(dāng)玻璃基板置放在傳送箱中時(shí)，傳送箱的支撐部一般僅支撐玻璃基板的相對(duì)兩側(cè)。換言之，玻璃基板的中間部分并沒有被傳送箱的支撐部所支撐，因此，玻璃基板的中間部分會(huì)因重力的影響朝向傳送箱的底部彎曲。為了避免玻璃基板在機(jī)械手臂取片時(shí)因過度彎曲遭到撞擊而破裂或損壞，玻璃基板的最大板彎量有一定的規(guī)范。當(dāng)厚度為0.5mm的玻璃基板位于第一儲(chǔ)存格，其中心彎曲處(也就是彎曲程度最大的位置)相對(duì)于傳送箱的底部的距離為24 37mm，為制作工藝機(jī)臺(tái)預(yù)設(shè)的規(guī)范。目前使用的0. 5mm玻璃基板相對(duì)傳送箱的底部的距離約為29mm。如表I所列，由于本實(shí)施例的復(fù)合板110的實(shí)際樣品位于傳送箱600的第一儲(chǔ)存格610的中心彎曲處(位置N13)到傳送箱600的底部600b的距離(28. 5mm)接近于0. 5mm的玻璃基板；另外，制作工藝上對(duì)基板厚度的限制為0. Imm 1.0mm,復(fù)合板110的厚度合乎其規(guī)范。因此，本實(shí)施例的復(fù)合板110可在不變更現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)及規(guī)格的前提下，取代例如是0. 5mm的玻璃基板來作為承載薄膜晶體管120之用。另外,復(fù)合板110的彎曲模量(Flexural Modulus) 一般約為20 25GPa,相比較一般玻璃基板而言不易破損且可較玻璃基板承受較大的彎折力，以減少制作工藝中因運(yùn)送過程的碰撞或施壓所可能損壞的機(jī)率，同時(shí)可提升顯示器產(chǎn)品可撓曲及耐沖擊的特性。再者，由于本實(shí)施例的復(fù)合板110為一種對(duì)稱性的結(jié)構(gòu)，因此，即使復(fù)合板110內(nèi)包括不同種類的材料而具有不同的熱膨脹系數(shù)，復(fù)合板110仍可在進(jìn)行例如是烘烤或加熱的制作工藝時(shí)有效地避免翹曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。此外，由于本實(shí)施例的復(fù)合板110包括金屬層Illml及l(fā)llm2，相比較于塑膠基板而言阻水氧的特性較佳，且耐高溫及熱穩(wěn)定性也具有良好的表現(xiàn)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖。在步驟SlOl中，提供如圖I所示的復(fù)合板110。復(fù)合板110的各層的配置及材料已說明于前述中，此處即不再贅述。接著，在步驟S103中，形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管120于復(fù)合板110上。如此一來，即可完成本實(shí)施例的薄膜晶體管基板IOOa的制作，而具有前述的優(yōu)點(diǎn)。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種顯示器的剖視圖。顯示器10包括上基板100b、顯示介質(zhì)層IOOc及如圖I所示的薄膜晶體管基板100a。薄膜晶體管基板IOOa的各結(jié)構(gòu)的配置及材料已說明于前述中，此處即不再贅述。由于顯示器10包括薄膜晶體管基板100a，因此，顯示器10可具有部分可撓曲及耐沖擊的特性。上基板IOOb具光穿透性，其功能可為承載、導(dǎo)電、彩色化、水氧阻障、耐沖擊、抗污或觸控(Touch)等。上基板IOOb包括一主要結(jié)構(gòu)，此主要結(jié)構(gòu)可為硬質(zhì)板、軟質(zhì)板或涂布層；上基板IOOb可選擇附加次要結(jié)構(gòu)，此次要結(jié)構(gòu)可為彩色濾光片、圖案化導(dǎo)電層、觸控感應(yīng)模塊、表面硬化層或水氧阻障層等，或其多個(gè)的組合。顯示介質(zhì)層IOOc可為液晶層、電泳(EP, Electro-Phoretic)層、電濕潤(EW, Electro Wetting)層或高速響應(yīng)液態(tài)粉末(QR-LP, Quick Response LiquidPowder)層等。顯示介質(zhì)層IOOc配置于薄膜晶體管基板IOOa與上基板IOOb之間。就顯示器10的制造方法來說，顯示器10的制造方法包括了圖3的流程步驟，且在圖3的流程步驟后還包括提供上基板IOOb的步驟，以及形成顯示介質(zhì)層IOOc于薄膜晶體管基板IOOa及上基板IOOb之間的步驟。如此一來，即可制成顯示器10。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的剖視圖。相較于圖I中的薄膜晶體管基板100a，圖5中的薄膜晶體管基板100a’還包括平坦層130’及保護(hù)層150’。平坦層130’介于復(fù)合板110’及薄膜晶體管120’及其他薄膜結(jié)構(gòu)之間。平坦層130’的材料可為一般光致抗蝕劑(Photo Resister)或其他有機(jī)高分子材料，且平坦層130’厚度約為I 2iim。平坦層130’的作用在填平復(fù)合板110’表面，使表面平整度達(dá)到小于IOnm等級(jí)，符合薄膜晶體管120’制作工藝規(guī)范。另外，可增加復(fù)合板110’表面的耐化性，以及增加復(fù)合板110’表面對(duì)鍍膜的附著力，使得各鍍膜更容易附著于板體表面上，避免膜層剝裂(peeling)現(xiàn)象。保護(hù)層150’至少配置于復(fù)合板110’的側(cè)邊。進(jìn)一步來說，本實(shí)施例的保護(hù)層150’配置于復(fù)合板110’的側(cè)邊以及平坦層130’的側(cè)邊。保護(hù)層150’的材料可為光致抗蝕劑或有機(jī)高分子材料。在本實(shí)施例中，在完成平坦層130’的制作后，保護(hù)層150’可通過現(xiàn)有的洗邊機(jī)(Edge Read Rinse, EBR)來形成。更詳細(xì)地說,欲用以作為保護(hù)層150’的材料填充于洗邊機(jī)的儲(chǔ)存槽內(nèi)。洗邊機(jī)沿著復(fù)合板110’及其上的平 坦層130’的周圍移動(dòng)，或者復(fù)合板110’及其上的平坦層130’相對(duì)于洗邊機(jī)旋轉(zhuǎn)，使得洗邊機(jī)的儲(chǔ)存槽內(nèi)的材料可涂布在復(fù)合板110’的側(cè)邊以及平坦層130’的側(cè)邊，以形成保護(hù)層150’。由于保護(hù)層150’可利用現(xiàn)行的制作工藝設(shè)備來制成，因此，在設(shè)備成本低的前提下，復(fù)合板110’的側(cè)邊也可具有耐化學(xué)侵蝕的能力，增加復(fù)合板110’結(jié)構(gòu)在制作工藝中的保護(hù)請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖。在步驟S101’中，提供例如是如圖5所示的復(fù)合板110’。接著，在步驟S102a’中，覆蓋平坦層130’在復(fù)合板110’上。然后，在步驟S102b’中，形成保護(hù)層150’于復(fù)合板110’的側(cè)邊以及平坦層130’的側(cè)邊。最后，在步驟S103’中，形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管120’在平坦層130’上。如此一來，即可完成本實(shí)施例的薄膜晶體管基板100a’的制作，而具有類似于圖3中所制成的薄膜晶體管基板IOOa的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于平坦層130’介于復(fù)合板110’及薄膜晶體管120’間，因此，平坦層130’可進(jìn)一步提供例如是平坦復(fù)合板110’的表面、增加鍍膜附著力、及增加表面耐化性的優(yōu)點(diǎn)。再者，保護(hù)層150’位于復(fù)合板110’的側(cè)邊及平坦層130’的側(cè)邊，因此，復(fù)合板110’的側(cè)邊及平坦層130’的側(cè)邊的耐化性也可提聞。請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種顯示器的剖視圖。顯示器10’包括上基板100b’、顯示介質(zhì)層100c’及如圖5所示的薄膜晶體管基板100a’。薄膜晶體管基板100a’、上基板100b’及顯示介質(zhì)層100c’的配置類似于圖4中的薄膜晶體管基板100a、上基板IOOb及顯示介質(zhì)層IOOc的配置，此處即不再贅述。就顯示器10’的制造方法來說，顯示器10’的制造方法包括了圖6的流程步驟，且在圖6的流程步驟后還包括提供上基板100b’的步驟，以及形成顯示介質(zhì)層100c’于薄膜晶體管基板100a’及上基板100b’之間的步驟。如此一來，即可制成顯示器10’。第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8，其繪示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板200a的剖視圖。相較于第一實(shí)施例的薄膜晶體管基板100a，本實(shí)施例的薄膜晶體管基板200a中的復(fù)合板210的結(jié)構(gòu)與材料相異于第一實(shí)施例的薄膜晶體管基板IOOa中的復(fù)合板110的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)。在本實(shí)施例中，復(fù)合板210包括芯材結(jié)構(gòu)211及兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)212sl及212s2。絕緣結(jié)構(gòu)212sl及212s2分別配置于芯材結(jié)構(gòu)211的兩側(cè)，以夾置芯材結(jié)構(gòu)211在其二者之間。本實(shí)施例的芯材結(jié)構(gòu)211即為一層金屬層。數(shù)個(gè)薄膜晶體管220配置于復(fù)合板210上。在本實(shí)施例中，為金屬層的芯材結(jié)構(gòu)211的材料可為金屬合金，例如是鋁合金、鎂合金或鈦合金等。以采用鋁合金來說，芯材結(jié)構(gòu)211的材料可更例如是鋁鎂合金、鋁鎂鈔合金或鋁鋅合金等，以具有接近于玻璃材質(zhì)的剛性及耐高溫的特性。另外，絕緣結(jié)構(gòu)212sl及212s2可例如是納米級(jí)二氧化鈦(TiO2)高分子、聚二氟乙烯(PolyvinylideneFluoride, PVDF)或玻璃纖維布等材料。請(qǐng)參照表2，其表列出不同結(jié)構(gòu)及材質(zhì)的基板在具有相近剛性下的物理性質(zhì)。以下先就數(shù)個(gè)結(jié)構(gòu)，在3. 5代線基板尺寸為620mmX750mm情況下,利用斯托尼等式(Stoney’ sequation)的推算數(shù)值來做說明，其中，復(fù)合板210的芯材結(jié)構(gòu)211的材料例如是鋁鎂合金。表 權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，包括 復(fù)合板，包括 芯材結(jié)構(gòu)，包括金屬層；及 兩絕緣結(jié)構(gòu)，分別配置于該芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置該芯材結(jié)構(gòu)于其二者之間；以及 多個(gè)薄膜晶體管，配置于該復(fù)合板上。
2.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，其中該芯材結(jié)構(gòu)還包括 絕緣層；及 另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置于該絕緣層的兩側(cè)，以夾置該絕緣層于 其二者之間。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中該金屬層與另該金屬層的總厚度，對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)與該絕緣層的總厚度的比例為I : 10。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中該絕緣層的厚度對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)的總厚度的比例為4. 7 5. 3 I。
5.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，還包括 平坦層，介于該復(fù)合板及該些薄膜晶體管間。
6.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，還包括 保護(hù)層，至少配置于該復(fù)合板的側(cè)邊。
7.—種顯不器,包括 薄膜晶體管基板，包括 復(fù)合板，包括 芯材結(jié)構(gòu)，包括金屬層；及 兩絕緣結(jié)構(gòu)，分別配置于該芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置該芯材結(jié)構(gòu)在其二者之間；以及 多個(gè)薄膜晶體管，配置于該復(fù)合板上； 上基板；以及 顯示介質(zhì)層，配置于該薄膜晶體管基板與該上基板之間。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示器，其中該芯材結(jié)構(gòu)還包括 絕緣層；及 另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置于該絕緣層的兩側(cè)，以夾置該絕緣層在其二者之間。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示器，其中該金屬層與另該金屬層的總厚度，對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)與該絕緣層的總厚度的比例為I : 10。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器，其中該絕緣層的厚度對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)的總厚度的比例為4. 7 5. 3 I。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示器，其中該薄膜晶體管基板還包括 平坦層，介于該復(fù)合板及該些薄膜晶體管間。
12.如權(quán)利要求7所述的顯示器，其中該薄膜晶體管基板還包括 保護(hù)層，至少配置于該復(fù)合板的側(cè)邊。
13.一種顯示器的制造方法，包括 提供一復(fù)合板，該復(fù)合板包括芯材結(jié)構(gòu)及兩絕緣結(jié)構(gòu)，該芯材結(jié)構(gòu)包括金屬層，該兩絕緣結(jié)構(gòu)分別配置于該芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置該芯材結(jié)構(gòu)于其二者之間；以及 形成多個(gè)薄膜晶體管在該復(fù)合板上，以形成一薄膜晶體管基板； 提供一上基板；以及 形成一顯示介質(zhì)層在該薄膜晶體管基板及該上基板之間。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示器的制造方法，其中在提供該復(fù)合板的該步驟中，該復(fù)合板的該芯材結(jié)構(gòu)還包括絕緣層及另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置于該絕緣層的兩側(cè)，以夾置該絕緣層在其二者之間。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示器的制造方法，其中在提供該復(fù)合板的該步驟中，該金屬層與另該金屬層的總厚度，對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)與該絕緣層的總厚度的比例為I : 10。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示器的制造方法，其中在提供該復(fù)合板的該步驟中，該絕緣層的厚度對(duì)比該兩絕緣結(jié)構(gòu)的總厚度的比例為4. 7 5. 3 I。
17.如權(quán)利要求13所述的顯示器的制造方法，其中提供該復(fù)合板的該步驟包括 陽極處理該芯材結(jié)構(gòu)；以及 形成該兩絕緣結(jié)構(gòu)于經(jīng)陽極處理的該芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置該芯材結(jié)構(gòu)在其二者之間來形成該復(fù)合板。
18.如權(quán)利要求13所述的顯示器的制造方法，其中在形成該些薄膜晶體管于該復(fù)合板上之前，該顯示器的制造方法還包括 覆蓋一平坦層于該復(fù)合板上，使得該平坦層介于該復(fù)合板及該些薄膜晶體管間。
19.如權(quán)利要求13所述的顯示器的制造方法，其中在形成該些薄膜晶體管于該復(fù)合板上之前，該顯示器的制造方法還包括 形成一保護(hù)層于該復(fù)合板的側(cè)邊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板及應(yīng)用其的顯示器及其制造方法。顯示器包括一薄膜晶體管基板、一上基板及一顯示介質(zhì)層。薄膜晶體管基板包括一復(fù)合板及數(shù)個(gè)薄膜晶體管。復(fù)合板包括一芯材結(jié)構(gòu)及兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)。芯材結(jié)構(gòu)包括一金屬層。此兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)分別配置于芯材結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以夾置芯材結(jié)構(gòu)于其二者之間。此些薄膜晶體管配置于復(fù)合板上。顯示介質(zhì)層配置于薄膜晶體管基板與上基板之間。
文檔編號(hào)G09F9/30GK102637697SQ20111002698
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者吳威諺, 林柏青, 蔡奇哲 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司, 群康科技(深圳)有限公司